TW425684B - Method of forming tungsten pattern of semiconductor device - Google Patents

Description

A7 4256 8 4 五、發明說明（/) 〔發明背景〕 〔技術領域〕 本發明係有關半導體裝置’特別是，一鎢布局圖案 之形成法，以作爲位元線。 〔相關技術說明〕 在形成一半導體裝置之過程中，當在—半導體基片上 形成一位元線，一導電材料如多晶矽或矽化鎢被用來形成 一位元線。但，當設計規格降至〇.34vm或更低時，需要 具有較低之阻抗以形成位兀線。因此，一種使用金屬材料 如氮化鈦或鎢以形成位元線之方法已被提出。由於線之設 計規格與布局圖案空間被降低，因此，很難成型金屬膜如 鎢膜至一精密之間隔。 一般而言’如圖1所示，光阻布局圖案40藉由在鎢膜 20上形成一光阻膜’將其曝光並顯影其結果，俾將鎢膜成 型。此處’由於在曝光過程期間，在光阻膜下之鎢膜20之 反射，使得光阻膜之曝光劑量控制變得極爲困難，因此， 在光阻膜之下，形成氮氧化矽系之無機反反射層30被提出 以降低鎢膜20之反射。該反反射層30可減弱由鎢膜20所 反射之光。 但，當使用氮氧化矽系之反反射膜30時，當其設計規 格降至0.34μπι或以下，則很難獲得具有精密尺寸的光阻 布局圖案40。此外，由於增加光阻布局圖案40垂直側面 之斜率，在光阻布局圖案40下，會由於曝光及顯影失敗而 導致成型失敗。 4 ~本紙張尺度適用中ΐ國家標準（CNS)A4規格（21〇x 2973 ) (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) I I I — I--i I · 經濟部智慧財產局貝工消費合作杜印製 4 256 8 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2 ) 在曝光過程中，當光阻膜被過度曝光以避免曝光及顯 影失敗，因此，造成光阻布局圖案之損失。即，在曝光與 顯影之後，當光阻膜形成至0.5〜0.7em之厚度時，則光 阻布局圖案40之厚度降至0.2〜0.7#m。又，當使用光阻 布局圖案40作爲蝕刻屏蔽以蝕刻鎢膜20之過程中，由於 缺乏選擇性，因而很難選擇性地蝕刻鎢膜20。 一般而言，鎢膜20係使用含氟蝕刻氣體而被乾蝕刻。 當使用含氟蝕刻氣體，光阻布局圖案40之蝕刻選擇性相對 於鎢膜20會越來越降低，因而使光阻布局圖案40更薄。 因此，無法獲得圖2之好的鎢布局圖案25。一用於作爲反 反射層30之氮氧化矽膜亦具有較低之蝕刻選擇性相對於鎢 膜20。又，氮氧化矽膜30受到含氟蝕刻氣體之側壁衝擊 如圖1之符號61所示。因此，反反射層30上之光阻布局 圖案40有可能被移開。如此之失敗甚至發生於用以控制所 形成之鎢膜布局圖案25之過度蝕刻過程，因而可能發生成 型失敗。 又，在一於形成鎢膜布局圖案25後之埋入接觸(BC : Buried Contact)中，一間隔物必須形成於鎮膜布局圖案25 之側壁上，以確保一自我排列接觸（SAC : Self Aligned Contact)邊緣。又，一氮化矽(Sh N〇膜50必須加於鎢膜20 上以形成一間隔物。但，氮化矽膜50亦被用以蝕刻鎢膜 20之含氟蝕刻氣體所破壞或其側壁受到衝擊。因此，氮化 矽膜布局圖案55無法完全覆蓋如圖2所示之所形成之鎢膜 布局圖案25之較上部分。此外，由於該含氟蝕刻氣體亦用 5 本紙張尺度適用11國國家榼準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 裝---II 訂--------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 r4256 8 4 A7 _B7 五、發明說明（？） 於BC過程中，因此，被曝光之鎢膜布局圖案25在BC過 程中限制邊緣之確保性。 〔發明槪要〕 爲解決上述問題，本發明之一目的係提供一半導體裝 置中鎢布局圖案的形成法，依此，藉由降低鎢膜之反射以 避免在光阻成型過程中之曝光及顯影失敗，並藉由選擇性 地成型鎢膜，以防止因進行鎢膜之成型而對光阻布局圖案 及反反射膜造成損壞及對其側壁之衝撃。 同時，爲達成上述目的，首先，在一半導體基片上形 成一鎢膜。其次，在該鎢膜上形成一封蓋膜，其藉由具有 比該鎢膜較低之蝕刻率，因而降低鎢膜之反射及相對於鎢 膜而具有蝕刻選擇性。在此，封蓋膜係由鈦或氮化鈦所形 成。其次，在該封蓋膜上形成一光阻膜。藉由曝光及顯影 該光阻膜，以形成一曝光該封蓋膜之光阻布局圖案9 其次，使用該光阻膜布局圖案作爲一蝕刻屏蔽，將被 曝光之封蓋膜及鎢膜成型，以形成一鎢膜布局圖案。在此 ，形成該鎢膜布局圖案之步驟係以使用含氟蝕刻氣體如六 氟化硫氣體之蝕刻法而進行。該鎢膜布局圖案具有0.18从 m或更小之線寬，特別是約在0.12〜0.15#m。該鎢膜布局 圖案係作爲一位元線β該半導體裝置中鎢布局圖案的形成 法，其更包括在該位元線側壁形成一間隔物之步驟。又， 在形成一封蓋膜之後，其更包括在該封蓋膜上形成一氮化 矽膜之步驟，該氮化矽膜被連接至該間隔物以覆蓋該位元 線。 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I !|1 裝·--ί — I 訂·！ * 線 ~請先閱讀贄面之注意事項再填寫本頁} 4256 8 4 Λ7 Α7 _ Β7 五、發明說明（少） 爲達成上述目的，在一半導體基片上形成一鎢膜。在 鎢膜上形成一封膜蓋，其藉由具有比該鎢膜較低之蝕刻率 ，因此相對於該鎢膜而具有蝕刻選擇性。在此，該封蓋膜 係由選自鈦、氮化鈦及鋁之組群中之材料所形成《«其次， 在該封蓋膜上形成一反反射膜以降低鎢膜之反射。在該反 反射膜上形成一光阻膜。藉由曝光及顯影該光阻膜，俾在 該反反射膜上，形成一曝光該反反射膜之光阻布局圖案。 其次，使用該光阻膜布局圖案作爲一蝕刻屏蔽，依序 將被曝光之反反射膜、封蓋膜及鎢膜成型，以形成鎢膜布 局圖案。在此，形成該鎢膜布局圖案之步驟係以使用含氟 蝕刻氣體如六氟化硫氣體之蝕刻法而進行。該鎢膜布局圖 案具有0.18jum或更小之線寬，特別是約在0.12〜0.15/zm 。該鎢膜布局圖案係作爲一位元線。該半導體裝置中鎢布 局圖案的形成法，其更包括在該位元線側壁形成一間隔物 之步驟。又，在形成一封蓋膜之後，其更包括在該封蓋膜 上形成一氮化矽膜之步驟，該氮化矽膜被連接至該間隔物 以覆蓋該位元線。 依本發明，藉由降低鎢膜之反射性，可避免在光阻成 型過程中之曝光及顯影失敗。又，由於鎢膜可被選擇性地 成型，因此當將鎢膜成型時，可防止光阻布局圖案及反反 射膜之損壞，及對其側壁之衝擊。 〔圖面之簡要說明〕 參照附圖及藉由詳細敘述一較佳實施例，其將可更易 明瞭本發明之上述目的及優點，其中： 7 本紙張尺度適用中國囷家標準<CNS)A4規格（210 * 297公釐〉 (請先閲讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 裝---— —— — — 訂·！-線 I ‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 425684 B7 五、發明說明（r ) 圖1與圖2表示習知鎢布局圖案的形成法之問題之截 面圖。 圖3表示在一封蓋膜上曝光一光阻膜之步驟之截面圖

Q 圖4表示顯影一光阻膜以形成一曝光封蓋膜之光阻布 局圖案之步驟之截面圖。 圖5表示使用光阻布局圖案作爲屏蔽，俾將被曝光之 封蓋膜及鎢膜之較低部分成型之步驟之截面圖。 圖6表示形成一用於覆蓋鎢布局圖案之間隔物之步驟 之截面圖。 圖7表示在反反射膜上曝光光阻膜之步驟之截面圖。 圖8表示顯影光阻膜以形成一曝光反反射膜之光阻布 局圖案之步驟之截面圖。 圖9表示使用光阻布局圖案作爲蝕刻屏蔽，俾將被曝 光之反反射膜、封蓋膜及鎢膜成型之步驟之截面圖。 圖10表示依本發明之第四實施例之鎢布局圖案的形成 法之截面圖β 〔較佳實施例之說明〕 本發明之實施例將參考附圖作詳細之說明，但，本發 明之實施例可以不同形式而加以修改，而且必須瞭解到其 並不限於後述之實施例之範疇。本發明之實施例係提供對 於那些熟悉此技藝之人士更完整之說明。同時，於各圖中 ，各種膜之厚度係被放大以利識別，並且所使用之相同符 號代表相同元件。其中所敘述者，一特定膜係置於另一膜 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀嘴面之注f項再填寫本頁) - I I I — I — I ill — — — — — · I . 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 425684 ______B7 五、發明說明（6 ) 或一半導體基片上，該膜可置於與其它膜或半導體基片接 觸，或一第3膜可插入該膜與其它膜或半導體基片之間。 〔第1實施例〕 依本發明之第1實施例，參考圖3至圖5，以下說明 鎢膜布局圖案的形成法。 首先，如圖3所示，一鎢膜200將形成於一半導體基 片100上。該鎢膜200係用以形成一位元線。一矽化鎢膜 已於半導體裝置中被用作該位元線。但，當半導體裝置之 設計規格降至〇.34/zm或更少，特別是約0.12〜0.15#m， 其被建議使用鎢膜200以改善步驟覆蓋及導電性。 鎢膜200不規則地反射投射光於其表面上。同時，當 一形成於鎢膜200上之光阻膜400使用一屏蔽500及一光 源550如g、h及i線而被選擇地曝光，其將遇到一難題。 爲防止鎢膜200之不規則反射，例如降低鎢膜200之反射 性，因此，一封蓋膜300被形成於鎢膜200與光阻膜400 之間。 考慮到用以蝕刻鎢膜200之後續過程，封蓋膜300係 由相對於鎢膜200具有蝕刻選擇性之物質所形成。即，封 蓋膜300係由具有比鎢膜200例如含鈦材料更低蝕刻率之 物質所形成。一鈦膜或氮化鈦膜被澱積於鎢膜200上。封 蓋膜300較佳爲氮化鈦膜。 由於氮化鈦膜之表面比鎢膜200較不粗糙，因此，形 成於鎢膜200上之光阻膜400被平坦化。又，由於氮化鈦 膜具有比鎢膜200更低之反射性，其可防止過度曝光及駐 9 本紙張尺度適用令國囷家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) d--------訂·----------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 5 6 8 4 a7 ___B7_ 五、發明說明（Γ]) 波現象，此爲當光阻膜400被曝光時，導致成型失敗之原 因。 如圖4所示，一曝光封蓋膜300之光阻膜45，係藉由 顯影被曝光之光阻膜400而形成。由於曝光失敗已被封蓋 膜300所避免，光阻膜400被成型以滿足一設計規格0.34 Am或更小，更精確地，在0.12〜0.15 μm間之要求。 如圖5所示，被曝光之封蓋膜300與鎢膜200依序以 乾蝕刻法或其它類似方法而被蝕刻。一以氟爲基礎之氣體 被作爲乾蝕刻法之氣體。即，被曝光之封蓋膜300與鎢膜 200係被包含六氟化硫氣體之蝕刻氣體所蝕刻。一般而言 ，一含鈦物質之膜被作爲封蓋膜300，例如一氮化鈦膜， 其具有高蝕刻率相對於含氯氣體，但具有低蝕刻率相對於 含氟氣體，其理由如下。含氟氣體如六氟化硫氣體與含鈦 物質膜(例如，一氮化鈦膜)彼此互起作用，因此，產生一 含氟化鈦之副產物。 該含氟化鈦之副產物係作爲聚合物以抗蝕刻，由於其 具有高蒸汽壓。即，該含氟化鈦之副產物具有低蝕刻率。 但，含氟氣體相對於鎢膜200顯示出高蝕刻率。因此，蝕 刻封蓋膜300之結果，封蓋膜布局圖案350之作用在蝕刻 鎢膜200之過彳呈中係作爲一硬屏蔽》 當光阻膜400被成型時，封蓋膜300之作用係作爲一 反反射膜以降低鎢膜200之反射性，又，當鎢膜200使用 光阻布局圖案450作爲蝕刻屏蔽而被乾蝕刻時，封蓋膜布 局圖案350係作爲硬屏蔽以防止因對光阻布局圖案450之 10 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀嘴面之注意事項再填寫本頁) --------— J —---- 4 256 8 4 A7 _B7_____ 五、發明說明（ί ) 損壞而造成對鎢膜布局圖案450之剝落，鎢膜200可被選 擇性地鈾刻，因此，鎢膜布局圖案250可具有一極佳之外 形。 〔第2實施例〕 參考圖6以說明本發明之第2實施例。在第2實施例 中，當在形成一絕緣隔層膜覆蓋鎢膜布局圖案250之後， 進行BC過程，在如第1實施例形成鎢膜布局圖案250之 後，一氮化矽膜在形成光阻膜400之步驟之前，更進一步 形成於封蓋膜300上。在此場合，封蓋膜布局圖案350亦 可作爲硬屏蔽以防止成型失敗如光阻布局圖案450之剝落 。因此，可形成一具有極佳外形之鎢膜布局圖案250。 在形成氮化矽布局圖案650時，可藉由在蝕刻封蓋膜 300時所產生之聚合物而防止側壁衝擊與其它失敗。同時 ，該氮化矽布局圖案650可完全覆蓋鎢膜布局圖案250與 封蓋膜布局圖案250之上表面。在氮化矽布局圖案650後 ，依序之過程可形成一間隔物670以覆蓋鎢膜布局圖案 250之側壁。該間隔物670可幫助確保一較佳之處理邊緣 用以排列一接觸形成過程如後續之BC過程等。即，可進 行SAC過程。第2實施例中所使用之符號與第1實施例之 符號所代表之元件相同。 〔第3實施例〕 參考圖7至圖9以說明本發明之第3實施例之鎢膜布 局圖案的形成法。在第3實施例中，封蓋膜300a係作爲硬 屏蔽，但其並非如在第1實施例中用以降低鎢膜200之反 (請先閱讀嘴面之注意事項再填寫本頁) 装！ — 訂·1!11* 線 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） r 4256 8 4 a? B7 五、發明說明（？） 射性，同時，反反射膜700係加於封蓋膜300上。在第3 實施例中，如第1及第2實施例之參考符號係代表相同元 件。 如圖7所示，鎢膜200係形成於半導體基片上。 其次，封蓋膜300a形成於該鎢膜200上。封蓋膜3〇〇a係 作爲硬屏蔽在後續之用以蝕刻鎢膜200之過程。因此，封 蓋膜300a係由相對於鎢膜200而具有飩刻選擇性之物質戶斤 形成，比鎢膜200具有較低之蝕刻率。例如含鈦物質(例如 ，鈦或氮化鈦)或鋁。相對於第1及第2實施例，由於反反 射膜700係在第3實施例中額外形成，一種並非用以降低 鎢膜200之反射性之物質可用以作爲封蓋膜300a。即，一 種具有低蝕刻率之物質，在後續之鎢膜200之蝕刻過程而 並不降低鎢膜200之反射性之條件下，例如鋁可用以作爲 封蓋膜30〇a。 其次，反反射膜700係形成於封蓋膜300a上。該反反 射膜700係由一種用以降低封蓋膜300a之反射性之物質所 形成，例如，反反射膜700可爲氮氧化矽膜。封蓋膜300a 局部地降低鎢膜200之反射性。鎢膜200之反射性可被在 封蓋膜300a上之反反射膜700降低。如此，可避免過度曝 光與駐波現象，當光阻膜400被曝光於經由屏蔽500之光 550之投射而導致成型失敗。 如圖8所示，被曝光之光阻膜400被顯影以形成曝光 該反反射膜700之光阻布局圖案450。此處，由於反反射 膜700可防止曝光失敗，因此，其可滿足所欲之0.34"m 12 <請先|«讀脅面之注意事項再填寫本頁> 裝---- ----訂-------線 ！ 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4256 8 4 A7 ___B7 五、發明說明（丨ο 或更小，更精確言之，約在0.15〜0.12/ζιη之間之設計規格 〇 如圖9所示’被曝光之反反射膜700、封蓋膜300a及 鎢膜200依序以乾蝕刻法而被蝕刻。含氟氣體係用於乾蝕 刻法之蝕刻氣體》例如’被曝光之反反射膜7〇〇、封蓋膜 300a及鎢膜200係使用一蝕刻氣體包含六氟化硫氣體而被 蝕刻。如第1實施例所述，被用以作爲封蓋膜300a之含鈦 物質之膜(例如，氮化鈦）或鋁膜，一般具有高蝕刻率相對 於含氯氣體’但具有低蝕刻率相對於含氟氣體，其理由如 下所述β含氟氣體如六氟化硫與含鈦物質之膜如氮化鈦膜 ’或鋁膜互起作用，因此，產生副產物如氟化鈦(Th)或氟 化鋁(AlF〇。 含氟化鈦之副產物係作爲一聚合物以防止因高蒸汽壓 所造成之蝕刻。即，含氟化鈦之副產物具有低蝕刻率。但 ，含氟氣體具有高蝕刻率相對於鎢膜200。同時，封蓋膜 布局圖案350a(蝕刻封蓋膜300a之結果)在蝕刻鎢膜200之 過程中係作爲硬屏蔽。該聚合物防止對反反射膜布局圖案 750及光阻布局圖案450之側壁衝擊。因此，可防止光阻 布局圖案450及反反射膜布局圖案750之損壞，並防止成 型失敗如光致蝕布局圖案450之剝落。由於鎢膜200可選 擇性地加以蝕刻，因此，所形成之鎢膜布局圖案250有極 佳之外形。 〔第4實施例〕 參考圖10以說明本發明之第4實施例。在第4實施例 Ϊ3 本紙張尺度適用1f1國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 裘 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 425684 A7 B7 五、發明說明（ Μ 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 中，當進行BC過程形成一絕緣隔層膜覆蓋鎢膜布局圖案 250之後如第2實施例，在形成反反射膜700之步驟前，將 氮化矽膜形成於封蓋膜300a上。在此場合，封蓋膜布局圖 案350a亦可作爲硬屏蔽以防止成型失敗如光阻布局圖案 450之剝落。因此，可形成一具有極佳外形之鎢膜布局圖 案 250。 藉由將氮化矽膜成型以形成氮化矽布局圖案650,同 時，當蝕刻封蓋膜300a時，可藉由產生聚合物以防止成型 失敗如側壁衝擊。同時，氮化矽布局圖案650可完全覆蓋 鎢膜布局圖案250與封蓋膜布局圖案350a之上表面。在除 去反反射膜布局圖案750後，形成一覆蓋鎢膜布局圖案 250之側壁之接續間隔物，其亦可覆蓋氮化矽布局圖案650 。因此，可確保在BC過程中之較佳處理邊緣。即，可進 行SAC過程。在第4實施例中所使用之符號係與第1、第 2及第3實施例之符號所代表之元件相同。 依上述之發明，封蓋膜係形成於鎢膜上，其爲含鈦物 質如氮化鈦或鈦，具有比鎢膜更低之蝕刻率。當形成於封 蓋膜上之光阻膜被曝光時，封蓋膜可降低鎢膜之反反射性 。即，封蓋膜係作爲反反射膜。 當使用光阻布局圖案係作爲蝕刻屏蔽而將鎢膜成型時 ’封蓋膜亦在產生聚合物時作爲硬屏蔽。因此，聚合物可 防止成型失敗如光阻布局圖案之剝落及損壞。封蓋膜布局 圖案亦可於用以控制鎢膜布局圖案之外形之過度蝕刻過程 中作爲硬屏蔽，因此，可防止成型失敗《由於可防止成型 14 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 Μ 讀 背 意 事 項 再 填 +I ^ 頁I ^ I I I I I I 訂 ▲ 425684 A7 B7 五、發明說明（u) 失敗，因此，鎢膜布局圖案可滿足0.34//m或更小，更精 確言之，在0.15〜0.12/zm之間之設計規格之極佳外形。 又，藉由在鎢膜與光阻膜之間形成氮化矽膜，因此， 可確保更佳之在後續之BC過程中之處理邊緣。特別是， 氮化矽膜布局圖案可連接至形成鎢膜布局圖案之側壁上έ 間隔物。即，由於鎢膜布局圖案可完全被間隔物及氮化矽 膜布局圖案所覆蓋，因此，可藉由SAC過程而進行BC過 程，並可獲得在SAC過程中較佳之處理邊緣。 封蓋膜係由具有比鎢膜更低之蝕刻率之物質如含鈦物 質(例如，氮化鈦或鈦)或鋁，而形成於鎢膜上。其次，反 反射膜係由氮氧化矽等而形成於封蓋膜上。當形成於反反 射膜上之光阻膜被曝光時，所形成之反反射膜可降低鎢膜 之反射性。 又’當使用光阻布局圖案作爲蝕刻屏蔽而將鎢膜成型 時，於產生聚合物時，封蓋膜係作爲硬屏蔽。該聚合物可 防止成型失敗如光阻布局圖案及反反射布局圖案之剝落與 損壞。封蓋膜布局圖案亦可於用以控制鎢布局圖案之外形 之過度蝕刻法中作爲硬屏蔽。因此，可防止成型失敗，並 可獲得具有極佳外形之鎢布局圖案。此外，由於藉由更進 一步在鎢膜與光阻膜之間形成氮化矽膜，因此，可使用後 續之SAC過程在BC過程中獲得較佳之處理邊緣。 本發明雖以上述實施例作詳細說明，但其並未僅限於 這些實施例。對於熟悉此技藝之人士應可瞭解到有關本發 明之不同變更及改進均不悖離本發明之技術精神與範疇β 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） "·請先閱讀·"面之注意事項再填寫本買) 裝！ —訂* i I----線 I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Claims (1)

1. A8 4 256 8 4 S 年/ 曰修正/更正，補惠 六、申請專利範圍 1. 一種半導體裝置中鎢布局圖案的形成法，包括以下 步驟： 在一半導體基片上形成一鎢膜； 在該鎢膜上形成一封蓋膜，其藉由具有比該鎢膜較低 之蝕刻率，因而降低鎢膜之反射性及相對於該鎢膜而具有 蝕刻選擇性； 在該封蓋膜上形成一曝光該封蓋膜之一部分之光阻布 局圖案；及 i 使用該光阻布局圖案作爲一蝕刻屏蔽，將被曝光之封 蓋膜及鎢膜成型，以形成一鎢膜布局圖案。 2. 如申請專利範圍第1項所述之形成法，其中該封蓋 膜係由選自鈦及氮化鈦之組群中之材料所形成。 3·如申請專利範圍第2項所述之形成法，其中該封蓋 膜爲一氮化鈦膜。 4. 如申請專利範圍第1項所述之形成法，其中形成該 鎢膜布局圖案之步驟係以使用含氟飽刻氣體之轴刻法而進 行。 5. 如申請專利範圍第4項所述之形成法，其中該含氟( 氣體爲六氟化硫氣體。 6·如申請專利範圍第1項所述之形成法，其中該鎢膜 布局圖案具有0.18//m或更小之線寬。 7·如申請專利範圍第6項所述之形成法，其;中該鎢膜 布局圖案具有0.12〜0.15/im之線寬。 8.如申請專利範圍第1項所述之形成法，其中該鎢膜 本紙張尺度適用中國國家檩準（CNS ) A4規格（210X297·公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 11T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 425684 as C8 __D8 六、申請專利範圍 布局圖案係作爲一位元線。 9. 如申請專利範圍第8項所述之形成法，其更包括在 前述位元線之側壁形成一間隔物之步驟。 10. 如申請專利範圍第8項所述之形成法，其更包括形 成一封蓋膜之後，在該封蓋膜上形成一氮化矽膜之步驟， 該氮化矽膜被連接至前述間隔物以覆蓋前述位元線。 11_一種半導體裝置中鎢布局圖案的形成法，包括以下 步驟： 在一半導體基片上形成一鎢膜； 在該鎢膜上形成一封蓋膜，其藉由具有比該鎢膜較低 之蝕刻率，因而降低鎢膜之反射性及相對於該鎢膜而具有 鈾刻選擇性； 在該封蓋膜上形成一反反射膜； 在該反反射膜上形成一曝光該反反射膜之一部分之光 阻布局圖案；及 使用該光阻布局圖案作爲一蝕刻屏蔽，依序將該被曝 光之反反射膜、封蓋膜及鎢膜成型，以形成一鎢膜布局圖 12. 如申請專利範圍第11項所述之形成法，其中該封 蓋膜係由選自鈦及氮化鈦之組群中之材料所形成。 13. 如申請專利範圍第11項所述之形成法，其中該反 反射膜爲一氮氧化矽膜。 14. 如申請專利範圍第11項所述之形成法，其中形成 該鎢膜布局圖案之步驟係以使用含氟蝕刻氣體之蝕刻法而 (請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用t國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 425684 g D8 六、申請專利範圍 進行。 15. 如申請專利範圍第14項所述之形成法，其中該含 氟氣體爲六氟化硫氣體。 16. 如申請專利範圍第11項所述之形成法，其中該鎢 膜布局圖案具有0.18# m或更小之線寬。 17. 如申請專利範圍第6項所述之形成法，其中該鎢膜 布局圖案具有0.12〜之線寬。 18. 如申請專利範圍第11項所述之形成法，其中該鎢 膜布局圖案係作爲位元線。 19. 如申請專利範圍第18項所述之形成法，其更包括 在前述位元線之側壁形成一間隔物之步驟。 20. 如申請專利範圍第19項所述之形成法，其更包括 形成一封蓋膜之後，在該封蓋膜上形成一氮化矽膜之步驟 ，該氮化矽膜被連接至前述間隔物以覆蓋前述位元線。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐）