TW421656B - Highly clean plastic film or sheet and process for its production - Google Patents

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TW421656B
TW421656B TW85112569A TW85112569A TW421656B TW 421656 B TW421656 B TW 421656B TW 85112569 A TW85112569 A TW 85112569A TW 85112569 A TW85112569 A TW 85112569A TW 421656 B TW421656 B TW 421656B
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plastic film
ultrapure water
film
clean
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TW85112569A
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Hachiro Kobayashi
Sukeharu Kainuma
Original Assignee
Showa Denko Plastic Prod Co
Nippon C I C Technical Researc
Nisho Chemical Co Ltd
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Description

421656 Α7 Β7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明(1 ) 技術領域 本發明係颺於一種高度潔淨塑膠瞑或Η,待別係闋於 一棰具有特高潔淨度之塑膠袋,其用於生產半導體、精密 儀器、電子裝置、等,用於轚藥及生物相阕設施,或用於 包裒潔淨室用之衣著/罩袍,手套等。 背景技術 半導體裝置及部件高度受到污物、灰塵及其它污染妨 礙。因此此等裝置及部件係於潔淨室生產,且使用的衣箸 、手套及其它操作工具必須潔淨。 潔淨室控制成可維持規定的潔淨度。當半導體生產用 之潔淨部件、器材、衣著、等置於袋内,帶入潔淨室時, 必須使用潔淨袋,當然,内部不含灰塵,同時,内外兩面 也不含灰塵,原因為黏箸於外表面之灰塵將污染潔淨室。 已知清潔袋之方法包含於超純水中洗滌•及於潔淨室 內製造袋前清潔膜或Η。另一方法包括對内膜或片之前、 後兩側被覆以可撕離的外膜或片包褢|Μ防内膜或Η污染 ,並於使用時,撕齄外膜或Η,而使用内膜或片來包裏特 定有待包褢的物件(日本特許公開案第6-285944號)。 於使用外層被覆膜或片之方法中,袋於撕離外層後必 須被包褢,同時,浪費外層也不經濟。 雖然一般已知以超純水洗滌清潔膜和片,但幾乎未曾 公開任何特定方法。適當超純水必須準備供高度清潔膜及 Η,且洗滌及乾燥方法必須經特定修改。結果,卽使使用 超純水洗滌習知塑膠袋也無法達成充份潔淨度。 (請先Μ·讀t面之注項再填寫本頁) -5 --,,. 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS ) A4規格(2I0X297公釐) 4 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 4 2 1 6 5 6 A7 B7 五、發明説明(2) 一般而言,瞑、片及袋之潔淨度係相對於潔淨室表示 ,例如即使當使用等级10潔淨室(根據聯邦榡準209D (後文 亦同))時相對於潔淨室表示,例如未引起潔淨室任何污染 ,而片或袋本身的潔淨度未曾量化表示。因此潔淨度的表 示不精確,受到主觀影进。 膜或片表面上的細粒測量,例如可使用光學顯撤鏡逹 成,但通常僅能檢測5 μη或以上的大小,而小於1 μ的棰 小細粒幾乎無法檢測。此外•顯撤鏡的視野棰焦狹窄,不 容易計算含數區之區段的細粒數目。於表面彎折或不規則 區段,細粒的檢測亦困難。 本發明提供一棰高度潔淨塑瞟膜或片及其製法,更佳 經由從模膠膜或片,直到清潔及成形為袋之連續過程,提 供具有高度潔淨度之塑膠膜或片,持別塑膠袋之製法。 發明之揭示 本發明使用之方法中,評估黏附於塑膠膜之污染細粒 程度,而塑膠膜或片之潔淨度係Μ數值表示。又由於使用 規定量超純水修改塑膠膜或片之洗滌過程故,可生產就前 述,數值進行比較而言,比較先前技術所能獲得之程度具 有高度潔淨度之塑膠膜及片。 換言之,本發明提供一種高度潔淨塑膠膜或片,其中 當塑膠膜或片試驗件浸沒於超純水,由試驗件表面附近萃 取超純水,及測量分散於萃取得之超純水中的大小0.3 μιη 或以上之細粒濃度(數目)時,於塑膠膜或片兩侧上之濃度 不大於1000/ml,較佳不大於100/βΙ,理想不大於10/ml, 本紙張尺度適用中國國家標準i CNS > Μ規格(210X297公釐) 5 裝 It I—訂 I n W (請先鄄讀^面之注意事項再填寫本萸) 421656 經濟部中央標率局員工消费合作杜印製 A7 ____B7_五、發明説明(3 ) 特佳不大於5/al。此種高度潔淨塑膠膜及片乃過去無法提 供者。 根據本發明,同理提供一種高度潔淨塑除膜或片之方 法,其特戡為 (A) 塑膠膜或片於潔淨室内高度潔淨,及 (B) 該高度潔淨方法包括下列步费[·· i)浸沒塑膠膜或Η於超純水中供洗滌, ii)暴露由超純水中取出的塑膠膜或片兩铜而噴 灞超純水進行強制洗滌, iii)由塑膠膜或片去除水,及 iv>脫除塑膠膜或片之靜電。 圖示之簡單說明 第1圖為示意顯*顯示對塑膠膜或片樣品測量細粒滾 度(表面黏箸量)之方法。 第2圖為根據本發明之高度潔淨塑謬膜或片之潔淨装 置之草圖。 實施本發明之最佳棋式 本發明係鼷於一種高度潔淨塑膠膜或片,其中當浸沒 塑膠膜或片試驗件於超純水,由試驗件表面附近萃取超純 水,及測量糯放並分散於超純水中大小0.3 μ*或以上之细 粒濃度(數目)時,於塑膠膜或片兩铟(Μ袋為例,為内 钿及外倒)之濃度不大於1000/nl,較佳不大於100/nl, 最佳不大於1〇/·1,特佳不大於5.0/ml。 使用的塑謬膜或Η材料可為任一種常用者,例如聚乙 m - I ^^1 n * ^^1 n ^^1 l^i * (請先阶讀#-面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4规格(210X297公釐) 6 經濟部中央標準局貞工消費合作社印裂 4 2 16 5 6 —i A7 _B7_五、發明説明(4 ) 烯,聚丙烯,尼龍,聚酯,乙烯-乙烯酵共聚物,聚镉氣 乙烯;但只要可生成膜或Η即可則並無特殊限制。也可單 獨或呈層合層使用。特佳對表面電阻10s Ω/□為具有導 電被覆面之膜及片Μ防靜電。如此可防止細粒的靜電黏箸 。理想多層膜述於日本特許公開案第62-94548號。片或袋 厚度並無特殊限制,但通常係於30-150㈣之範圍。厚度 1/100吋(0.254 mm)或Μ下之塑膠膜或片之產物俗稱膜* 而較厚的產物俗稱片,二者預期皆涵括於此。 本發明之塑瞜膜或片於兩挪袋為例,為内及外側) 上具有0.3 μιη或以上之細粒數目不大於1000/nil,較佳不 大於100/ml,更佳不大於10/inl *及持佳不大於5/nl,如 藉後述測量方法評估。污染物包含污物、灰應、顆粒等, 而大半爲細粒大小約0.1-10 μ»。細粒數目難以直接藉光 學顯撖鏡或其它顯撤鏡檢測,因此使用本發明之下述方法 。此棰方法己經確立且述於第11屆空氣潔淨與污染防治硏 究會議議程第185-186頁(日本空氣潔淨協會費助> 1992年4 月21-22日(「經由測量轉移至純水之顆粒來評估表面污染 j --Shuji Fujii等)及第12屆空氣潔淨及污染防治硏究會 議議程第145-148頁(贊肋人同)1993年4月20-21日(「經由 測量轉移至純水之顆粒濃度評估表面污染j作者同>。 該方法首先參照第1圈摘要說明。特定測量條件容後 詳述。 有待測量的試驗件22浸沒於容纳超純水21之槽20内。 因此黏著於試驗件表面之細粒隨著時間之經過由試驗件釋 ----------^-----—ΐτ-------1 > (請先陴讀^面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨ΟΧ”7公釐) 7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 42 1 656 A7 B7五、發明説明(5 ) 分散遍布超純水。此時藉注射器採樣器35通過抽取 由試驗件表面抽出規定的超純水置,使用光繞射粒子 檢測器檢_細粒濃度(樣品溶液中之顆粒數目)。 當試驗件浸沒於超純水時,由試驗件表面釋放的細粒 數董,係與黏著於試驗件表面之細粒播度成正比,由於釋 放的細粒持續分散於超純水故,分散顆粒濃度係與已經釋 放的細粒量成正比。結果,於接近試驗件表面分散細粒之 超純水區中之細粒濃度粗略與黏附於試驗件表面之细粒濃 度成正比。當然由於超純水量比較試驗件尺寸(表面積) 夠大,因此考廉為無限大,故推定試驗件大小不影《测量 結果。前述文件報告試驗件表面之潔淨度可藉此棰方法測 置,並確認從此該測量法變成菜界已經確立的實務。 本發明之塑膠膜或片並無特殊限制,但較佳儘可能高 潔淨度。 現在說明根據本發明之高度潔淨塑膠膜之製法。所用 的塑膠膜或片係藉壓延加工,吹膜擠塑法,T型模法等製 造。吹膜擠塑法用於製袋有高度生產力,原因為如此形成 膜或片呈管形,僅需切割成袋的長度並密封底段即可。非 呈管形之膜或片彼此重疊或自身反摺,而將底部及/或旁 側密封而形成袋狀。 由於有管形膜或片形成的袋子内面不易清潔*故袋内 面較佳藉吹膜擠塑法形成,因此使潔淨度於本發明之範圍 内。適當方法為於形成吹塑膜或片過程中,高純度氣鱧例 如高純度氣氣通過濾膜而去除0.2-0.3 μ»或Μ上之污染細 (請先阱讀膂面之注意事項存填寫本!) -裝· ,1Τ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 8 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印聚 4 21 656 A7 B7 五、發明説明(6 ) 粒,該氣體餵入管内而吹塑該管。當膜或片之管係藉此方 式獲得時,無須洗滌管內面如此可使洗滌步驟梳線化,因 而為本發明之理想塑膠膜或片。 塑膠膜或片之清潔,於管形膜或片之例*係於浸沒之 後於外表面上進行;而於牖平膜或Η之例,係於行 。膜或片之形成必須於小室内儘量少污染進行;而1^^之 外表面較佳具有比較一般膜或片更高的潔淨度。 膜或片形成過程中無法將膜或片表面維持於本發明之 高度潔淨度。 如此,塑膠膜或片於潔淨室内拟超純水洗滌。潔淨室 16之潔淨度須為等级100或以上*且若羼可能,爲等级10 或以上。於潔淨室内使用超純水洗漉塑膠膜或Η,接著進 行後述步驟,可獲得可用於本發明之高度潔淨之塑膠膜或 片° 超純水中通常電阻係數為15-17 Μ Ω · cb(25T〇)或Μ 上,0,3 μιπ或Μ上之細粒之存在量為約100/ml或Μ下,及 二氧化矽之存在量為10 ug/Ι或Μ下;但欲獲得更高度之 清潔效果,較佳電阻係數為約16至約18 Μ Ω · cb (25¾) ,0.05 μη或Μ上之細粒存在童為10/nl或Μ下及二氧化矽 之存在量為0.1 ug/Ι或Μ下。潔淨度必須高於塑膠膜或片 所需潔淨度。 第2画顬示根據本發明使用超純水清潔塑膠膜或片之 方法。第2圖中數字3表示埔充並供應超純水4之超鈍水 浴。塑膠禊或片1捲撓於捲軸2上禊或片1由捲軸送出, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 9 ----------d------1.17-------J, I * (請先町讀背面之注意事項再填寫本頁) 42 165 6 - -ί' Α7 Β7 五、發明説明( 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 並於導引經過導幅12之後浸沒於超純水浴3並流過超純水 。數字13及14為導辊。超純水浴位在超音波振盪器5上而 施加超音波姶超純水。 大半黏著於塑膠膜或片之污染物可於波音波下藉滾過 的超純水釋放出*但根據本發明欲逢成可靠的高度潔淨, 塑謬膜或片1由超純水中取出,並噴鍾超純水做強制洗滌 。數字7表示噴嘴。噴鷗設於胰或片兩細上,噴灑角度較 佳相對於膜或Η係向下傾斜。Μ超純水強制洗滌之噴灑條 件例如用於600 寬膜為17 1/·ίη,柑當的條件亦適合。 主要目的係以垂直方式使用新鮮超純水洗去污染的洗滌水 。如此也去除於超純水浴中尚未放出的污染物。噴獮的超 纯水滴入超純水浴中,超純水由超純水浴中溢流出,新鮮 超純水連續供應至水浴,並由排放出口6排放。然後,排 放的超純水以離子交捵樹脂,逆滲透設備或超濾膜過濾器 ,根據公開己知方法純化並循環使用。 然後,己經噴漏超純水淸潔的塑謬膜或片進入乾燥室 8 *於此處進行排水與乾燥。乾燥過程例如使用氣刀吹送 乾燥熱空氣經去除水而完成。數宇9表示吹送噴嘴。熱空 氣向下並相對於瞑或片斜向導引*結果更容易排水與乾燥 。使用的熱空氣為潔淨度等级10或Μ上之高純度空氣,雖 然溫度係依塑膠膜或Η之熱粗而定,但通常適合於約45-65 然後*乾燥妥的塑膠膜或片通過去靜電器10去除靜電 並捲繞於捲軸11周圍。使用去靜霉器可爲電壓施用型, 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格(210X297公釐> 10 — 1 1· * I n I I ^ n n 11-^ ·* (請先时讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 421656 B7 _ 五、發明説明(8 ) 例如,李奇蒙靜電控制服務公司製造的脈衝器電溁控制器 (PFC-20>(商品名)。電壓施用於高度潔淨的塑膠膜或Η表 面來去除靜電,如此防止細粒被靜電再度黏著於高度潔淨 的塑謬膜或片表面上。 前逑過程係於具有潔淨度约等级10之潔淨室16内進行 〇 然後若有所需,可切割經清潔的塑膠蹼或片,用來製 備袋時*雙餍膜或片之一端Μ熱熔封而形成袋。切割與熱 熔封係於具有潔淨度等级100或以上或甚至潔淨度10或Μ 上之潔淨室内進行,使用的裝置及工具全部經清潔,審馆 勿使袋被污染。 實例 現在參照下列詳細說明本發明。 使用的聚乙烯不含任何於產物成形後會瀋出的添加劑 。聚乙烯管係經由吹膜擠塑法形成並捲繞於捲軸上。膜厚 度為80 μ ΙΠ。管或膜之重叠牖平寬度(重II時膜之寬度)為 30 cm。餵至管之氣體為99.999%之気氣,由其中已經使 用濾膜去除0.2 μπι或以上之污染細粒。 然後,捲嬈於捲軸上之膜於洗滌装置例如,第2圖所 示裝置洗滌。洗滌装置位在的潔淨室16潔淨度為等级10。 所用超純水具有甯阻係數約16-18 Μ Ω · cm,且含0.3 μ®或以上之細粒含量爲0.8/®l,及二氧化矽含量為20 PPb 或Μ下。第2圖中,介於導幅13與14間之間隔為0.38 m, 及膜進料速率為3.6 m/mU。超音波振盪器頻率為38 kHz 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 11 If 11 I —r I 訂—— I- I^ -' -* (諳先邾讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(9) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 超純水嗔灌噴嘴7為長槽形(垂直於第2圖之平面)且 安置成向下方傾斜,因此水之噴灌角度相對於膜表面為45 度取向。水噴灑髅積於6〇〇 μ寬度時為Π Ι/ain。 乾燥用之熱空赛$^#淨度對應於等级10溫度65¾ 及於第二階由4値噴嘴乏氣流速率為100 B/min。熱空氣 之吹送方向與噴嘴形狀同前逑噴灌噴嘴。 然後*塑膠膜1通過電壓施用型靜電去除器或去靜電 器10 ° 捲繞膜於潔淨度等级10之室内切割、熱熔封*並成形 為寬30 cm長40 cm之袋。 然後,測量袋之細粒黏箸狀態。所用裝置為如第1圔 所示。長21.0 cm寬17.5 cm (未計溘流浴25之剖面> 之水浴 20填充超純水至高28.0 c·,並由一钿溢流。數字25表示 作為貯器之溢流浴。測量過程中超純水預先清潔。清潔方 式係將溢滾浴之超純水通過循環管26及循環《筒27通遇细 粒搜集逋膜29,将超純水嫌經另一根循環管30至水浴底部 ,如此使其由水浴中溢滾供循環溶液。細粒捜集濾膜可捜 集0.3 μ»或以上的細粒。數字28指示溁速計。 本例中,水循瓌淸潔至水中之0.3 或以上粒徑之細 粒降至2/·1或以下為止。乙-丙酵《異丙醇,ΙΡΑ)也加至超 純水中至5V%來安定化細粒分散液。 供測童用,首先測量超純水中之細粒背景量。背景則 量過程中,要緊地須小心不產生氣泡。添加ΙΡΑΜ防氣泡 I - n I n I I n n - . n * (請先陴讀f-面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 12 421656 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 A7 B7___五、發明説明(10〉 ,但氣泡產生時不妨礙細粒的满量。因此循環水於測量過 程中懸浮。測童係於常溫進行。測量過程中*超純水由水 浴20通過抽取管24引進光鏡射顆粒檢测器32。注射筒採樣 器35可供此目的之用。10 ml超純水樣品藉注射筒 抽取出並嫌至光繞射顆粒檢測器,進料過程中測量細粒數 目。澜最完成後藉注射筒採樣器通過進料管31将超純水餵 至溢流浴。樣品溶液中測得之細粒數目係由浸沒式顆粒計 數器33計算。數字36表示控制區段*其控制滾速及採樣的 抽取速率。光繞射顆粒檢測器係遵照JIS Β9925条統。小 於0.3 μΒ之顆粒之檢測難ΜΜ雷射光進行。 每次測量時間約60秒,使水有約10秒由注射筒採樣品 返回溢流浴。如此測量約每70秒施行一次。進行1〇次連續 測童。結果0.3 μ»或以上之細粒數目平均1.7/10 nl,標 準差1.06。 然後,將試驗件浸沒於浴中並拥量。 試驗件22溫和置於平台23上。試驗件兩钿槪略為10-15 見方或直徑約10-15 cb的圖盤。於此範圍内大體測暈不受 尺寸起伏波動影湛。本例中使用由前述袋切下長15 cm之 矩形。平台23位距浴底3.5 cb高度。所用平台爲具有多孔 的薄板(直徑:0 5 mm,孔中心間距:0 8 ram)。 試驗件放置於平台中心並於二分鏟後開始拥量。抽取 管24之梢端接近試驗件表面(於1 bbM内)並抽取10 ml溶 液。抽取管梢端較佳如圖所示,具有45度角之斜面開口, 如何可防止管梢卡在試驗件上且提供更大開口剖面。抽取 — I ———I* 裝 I 訂! I I —^ *- (請先陴讀览面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4说格(210X297公釐) 13 42 彳 656 A7 B7 五、發明说明(11 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 管内徑為2 IBB。 水之抽取及細粒測量方法同前逑背景測量。此處亦重 要地,測量係於穩態而未產生氣泡進行。共進行30次連纗 測量,由於氣泡等故,前10次無法獲得穩定細粒灌度,故 將第11至30次測量之20傾測童值作為測量資料並求出平均 0 潮量結果對於袋表面(外表面)試驗件之0.3 μ*或以上 之細粒而言,平均值爲24.5/10 ·1 *檷準差3.85 ;而使用 袋内表面試驗件之細粒平均值爲27,3/10 Bl,檫準差4.03 〇 然後*由其中扣掉背景值,将該值轉成1 ·1,獲得袋 表面之細粒數目為外表面2.3/»1,内表面2.6/ml。 至於比較例,由第2_所述裝置移開超音波振通器5 及超純水唄灌嗔嘴7,随後使用第1圖所述其餘裝置,而 以實例之相同方式清潔塑膠袋並測量細粒濃度。 結果,袋表面上之細粒狼度(數目)為30.2/nl,榡 準差8.26。 習知資務無法於潔淨室使用超純水進行塑膠膜的高度 清潔。習知塑膠膜及Η含有大小0.3 μ®或Μ上之顆粒數量例如約 10,000/nl。 如上使用袋係於清潔管形塑膠膜後製造,但顯然清潔 也可於單張塑睡瞑或Η兩側上同時施行。 產業應用 根據本發明塑膠膜及片之兩钿或塑膠袋之内側及外俩 I I n n 1 ' I I I I I 訂— I I ! I —y -* (請先歟讀贫面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公嫠) 14 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 2 1 6 5 6 A7 B7 五、發明説明(12 ) 可潔淨至先前技術無法達成的高度程度。如此高度潔淨塑 腰膜及片*特別製成之袋,適合用於須要特高潔淨度的半 導體等領域。 此外,由於從塑膠膜或Η的形成至使用超純水洗滌, 可連續Μ高效率方式進行故,其製法具有高度生產力。 元件播號對照 1… .塑膠膜或片 20... .水浴 2.,· .捲軸 21... 超純水 3... .超純水浴 22... .試驗件 4... .超純水 23. 平臺 5... .超音波振盪器 24... 抽取管 6… .排放出口 25... 溢澝浴 7... .噴灞噴嘴 26,30 ...循環管 8… .乾燥室 27… 循環KP筒 9... .吹送嗅嘴 28… 流速計 10.,· .去靜電器 29... 細粒收集濾膜 11. · .搭軸 32... 光繞射顆粒檢测器 12,13,14----導輥 33... 顆粒計數器 16… .潔淨室 35... 注射器採樣器 20,.· .槽 36,… 控制區段 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X 297公釐) ----------¢-----~lir~------^ - * {請先时讀背面之注意事項再填寫本頁) 15

Claims (1)

  1. 421656
    經濟部智总財4^7負工;'/]費合作钍印製 第85 II2569號專利再審查案申請專利範圍修正本 修正曰期:89年9月 1. 一種南度潔淨塑膠膜或片,其中當將塑膠膜或片之 試驗件浸沒於超純水中,由試驗件表面附近萃取超 純水,並測量分散於萃取得之超純水中大小Q3仁 或以上之細粒濃度(數目)時,塑膠膜或片兩侧上之 濃度不大於10/m卜其中該塑膠膜或片之表面電阻 不大於109Ω/口。 2. 如申請專利範圍第1項之高度潔淨塑膠膜或片,其 中該濃度不大於5/ml。 3·—種高度潔淨塑膠袋’其係由如申請專利範圍第1 項之高度潔淨塑膠膜或片構成。 4. 如申請專利範圍第3項之高度潔淨塑膠袋,其中該 塑膠膜或片之厚度為30-150 ym。 5. 一種尚度潔淨塑膠膜或片之方法,其中該塑穆膜或 片之南度潔淨方法包括: (A) 於潔淨室内高度潔淨塑膠膜或片,及 (B) 該高度潔淨過程包含下列步驟: (0將連續式塑膠膜或片浸沒並移行通過超 純水; (π)將由超純水中抽出的塑膠膜或片兩側暴 露出’並喷灑超純水供強制洗滌; (U1)使用氣刀吹拂熱空氣,而由塑膠膜或片 去除水;以及 請- 先 閱 讀· 背 ϊδ 之 注 意 事 項 再 旁 裝 訂 蚊歧展义度通用中國國家標準(CNS ) Α4現轉·( 2丨ΟΧ297公釐) -16-
    (lv)然後將塑膠膜或片接受施用電壓式脫去 靜電處理; 其中各步驟皆於等級100或以上的潔淨室内進行, 其中使用具有表面電阻/ 口或以下之塑膠膜 或片作為起始塑膠膜或片,以及其中當浸沒塑膠膜 或片之試驗件於超純水,由接近試驗件表面萃取超 純水,並測量分散於萃取得之超純水中大小〇.3或 以上之細粒濃度(數目)時,藉該高度潔淨所得塑膠 膜或片之濃度於塑膠膜或片兩側上不大於1〇/ira。 (請先间?#.背面之注意事項再填寫本頁) m · —裝· 6·如申請專利範圍第5項之方法,其中該潔淨室具有 潔淨度等級或以上。 訂 7. 如申請專利範圍第5項之方法,其中超音波施用於 浸沒塑膠膜或#之超純水。 8. 如申請專利範圍第5項之方法,其中該潔淨或片為 管形;及於管形塑膠膜或片之高度潔淨處理後,包 含一個經由於潔淨室内切割及/或熱熔封而由塑 膠骐或片形成袋之步驟。 9. 如申請專利範圍第8項之方法,其中該管形塑膠膜 或片為使用高純度氣體經由充氣薄膜模塑方法獲 得的管形膜或片。 U_如申請專利範圍第5項之方法,其中該濃度不大於 5/ml。 义度適用令國國家標準(CNS ) A4坭格(;Π〇χ297公* } -17-
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