TW420724B - Improved diamond-like nanocomposite compositions - Google Patents

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420724 A7 _____B7 __ 五、發明説明（1 ) 發明領域及背景 {請先閲讀背面之注意事項"4寫本頁) 本發明係關於一種鑽石狀之毫微複合物（DLN)組 成物，其具有改良之（較低之）摩擦性質，結合以或不結 合以改良之（較高之）硬度。本發明亦處理一種在真空下 在一修飾之電漿輔助化學蒸汽澱積（PACVD)方法中 用此一組成物之層或膜覆蓋基材之方法。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 鑽石狀毫微複合物（DLN)材料與鑽石狀之碳（ DLC)有關或類似。DLC 膜（a — C : Η，a — c， i - c )顯出高硬度和彈性之結合，高的耐磨損性和低的 摩擦係數。再者，因其化學惰性，低的表面能量及固有之 平滑性，這些膜會有引人興趣的工業應用，如硬而自我潤 滑的膜，如供磁碟及媒介保護之用者，馬達中之滑動零件 ，空間應用，光學元件等。然而，經澱積之DLC膜比 DLN膜（200 — 400GPa)顯現有高出甚多之內 應力（高於lGPa)，因此妨礙了對基材之良好黏附。 在基材上之D L C膜因此可能需要中間黏附促進層之使用 ，對於D L C卻無此需要。D L C妨礙快速商業化的另一 缺點是：當相對濕度提升至高於5 0%時，D L C在空氣 中之摩擦係數增加至約0. 2至0. 3» D L C及其澱積在基材如玻璃，金屬或矽乾膠片上之 方法描述於美國專利5，35 2，4 9 3及 5，4 6 6 ，43 1中。藉使用此專利中所揭示之澱積方 法，產生鑽石狀之毫微複合物，其由（不定形）a — C : Η鑽石狀網絡及（不定形）a — S i : Ο玻璃狀網絡組成

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A -4 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 420724 a7 ___B7_^_ 五、發明説明（2 ) 。道些網絡交互滲入彼此且可能存在Si :C鍵。此專利 大抵描述澱積方法之廣的參數範圍。所得塗覆層之物理特 性因此亦處於大的界限間。鑑於達成某種預定且令人感興 趣之性質，如澱積層（具有極高度之硬度及/或甚至在高 於5 0 %相對濕度之濕空氣中或在水或水溶液或水乳劑中 具有極低的摩擦係數）之產製上，如何選擇這些參數並不 明顯。 發明之目的及摘述 本發明現在已成功地設計一種比現今可得者有改良之 鑽石狀毫微複合物組成物且特別地在最高9 0%相對濕度 ( = RH)'之空氣中或水中有小於0. 1之針對鋼的摩擦 係數。供測定此係數之摩擦測試描述於下。此組成物包括 a-C : H及a-S i : ◦網絡，其中Η濃度較佳是C濃 度乏40至80%間。此異於美國專利5 ，466 ，43 1中所申請之組成物。 此組成物可以包括（摻雜以）至少一 1 b至7 b及8 族之過渡性金屬，如美國專利5 ，3 5 2，4 9 3中所述 者。在D L N結構中金屬之經控制的併入導致高的可訂製 之光學及電性質，同時大幅地保持機械和熱安定性。作爲 一實例，可以變化膜之電阻。較佳是金屬Z r ，T i及 Wo依本發明之鑽石狀毫微複合物組成物，摻以或不摻以 過渡性金屬，包括30至70原子％之（：，20至40原 子％之11，5至1 5原子％S i及5至1 5原子％ ◦，特 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） I " -〇 - (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) _裝· 訂 ♦ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 420724 at B7 五、發明説明（3 ) 別地45至70原子％C，20至35原子，5至 1 0原子i及5至1 0原子％之0 » 本發明之一目的亦是要提供一種包括0. 5至5原子 %之惰性氣體的鑽石狀毫微複合物組成物》確實已發現： 藉離子撞擊以併入如A r或K r或N可以增加組成物之硬 度，甚至在以上所指明之C，Η，S i及0之特定範圍或 比例之外者》如藉下述之毫微鑑定測試所測量者，此硬度 量達10至21GPa間。 此組成物通常藉澱積在一基材上而形成，該基材是任 何形狀且由玻璃，陶瓷，金屬，塑膠或半導體作成。因此 ，本發明之另一目的是要提供一種至少部分被一層鑽石狀 毫微複合物組成物所覆蓋之基材。雖然可以高於10 ，此層厚度通常是介於0. 0 1；«111及10；«111間》特別 地已發現：本發明之D L N組成物比D L C更會黏在玻璃 上+。 本發明亦訂定方法參數以供製造一種用具有上述摩擦 和硬度性質之鑽石狀毫微複合物組成物覆蓋之基材。依本 發明之供製造一經覆蓋之基材的方法是在一改良之真空室 中實施且包括以下步驟： (a )在該室中引入一含有元素C，Η，S i及〇而 欲以合適比例澱積之液態有機先質， (b )藉一電子輔助D C放電，使用一具有5 0 - 1 5 0A之纖絲電流，5 0 — 30 0V之負纖絲斜切15 c 電壓及0 · 1至2 0 A之電漿電流之纖絲，自經引入之先 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） ----------裝-- f - (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) -訂 -6 _ 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 420724 A7 B7 五、發明説明（4 ) 質形成一電漿，且 (c )澱積此組成物於基材上，對此施以2 0 0 — 1 2 0 0V之負DC斜切或負RF自身斜切電壓以吸引在 電漿中形成之離子。 爲要加速和/或較佳控制此澱積方法，先質可以在引 入期間或之後，較佳藉加熱其至3 0°C至1 5 0°C間而在 該室中在步驟（a )中蒸發。此蒸發步驟對於澱積c，Η ，S i及〇在上述比例之外的其它DLN組成物亦是有用 的。在步驟（c)中，電壓較佳介於250至1000 V 間且R F電壓之頻率最佳是選擇在介於3 0至 ΙΟΟΟΚΗζ 間。 先質較佳是有基機矽酮化合物，如聚苯甲基甲矽氧烷 如三甲基九甲基戊矽氧烷。 當一惰性氣體被引入真空室以併入此經澱積之D L N 層中時，其藉成長之毫微複合物層之離子撞擊而離子化且 合併。最終，當在澱積方法期間至少一過渡性金屬被共澱 積在組成物層中時，則此舉藉離子濺射（如用氬氣）或藉 熱蒸發來達成。 本發明亦關於一種如下述之供實施此澱積方法的裝置 。特別地，新系統已被相信是供饋入精細分割型之先質至 真空室’如以蒸汽或霧形式且任意地包括供先質之預熱組 件〇 詳細描述，實例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----------裝-- -- (請先閲讀背面之注意事項Ik《寫本頁) 、-口 _ -線· -7 - 420724 經

郅 央 標 準 局 員 工 A7 B7 消 費 合 作 社 印 製 五 、發明説明 ( 5 ) I 供 D L N 膜 在 基 材 ( S i 乾 膠 片 9 玻 璃 片 或 鋼 片 ) 所 1 .1 r 作 之 多 種 澱 積 作 用 已 在 — 由 SINVAC0 N. V. (B el gi uni ) 所 製 1 1 之 改 良 真 空 反 應 器 來 實 施 〇 相 對於 美 國 專 利 I I 請 1 I 5 » 3 5 2 > 4 9 3 所 示 之 反 應 器 » 此 新 的 真 空 室 並 未 細 先 閱 I | ik 1 | 分 於 電 漿 產 生 室 及 真 空 澱 積 室 中 ， 欲 是 此 二 功 能 在 單 —· 室 背 | 中 實 施 0 這 是 本 發 明 之 另 1—· 方 面 〇 平 的 基 材 ( 具 有 至 多 疋 注 意 1 事 1 7 5 C m 之 直 徑 ) 排 列 在 -- 可 轉 動 的 載 體 FUZ· 上 ( 在 真 空 室 之 f" ) 上 端 ) » 其 方 式 類 似 於 美 國 專 利 5 ， 3 5 2 ， 4 9 3 中 所 寫 本 裝 示 者 〇 球 形 和 其 它 形 狀 之 基 材 同 .f-A» 樣 可 被 覆 蓋 0 在 真 空 室 中 頁 1 之 基 礎 壓 力 是 3 X 1 0 -7 m b a r 且 典 型 的 X 作 壓 力 藉 擴 1 散 泵 ( 以 節 流 閥 來 控 制 ) 保 持在 1 X 1 0 -4 至 1 X 1 1 0 —3 m b a r 下 〇 基 材 可 以 藉 '~~* 原 位 ( A r — ) 電 漿 蝕 訂 1 刻 方 法 在 澱 積 刖 且 持 續 3 至 3 0 分 鐘 而 清 潔 0 在 澱 積 方 1 I 法 期 間 基 材 溫 度 通 常 不 超 過 2 0 0 °c 0 膜 厚 度 常 在 1 1 1 0 1 至 3 β m 間 化 且 藉 始 帝 洛 斯 ( sty 1 US ) 輪 廓 計 來 1 )1 線 測 定 0 在 少 於 約 1 β m 之 膜 厚 度 下 經 澱 積 膜 仍 是 透 明 的 1 ( 甚 至 是 當 著 色 時 ) 0 透 明 度 亦 依 在 澱 積 期 間 應 用 至 基 材 1 1 的 斜 切 電 壓 而 定 〇 澱 積 速 率 或 膜 成 長 速 率 大 部 分 在 0 • 5 1 至 2 UL m / h r 間 變 化 0 | 鑑 於 澱 積 — 如 串 請 專 利 範 圍 第 2 項 中 所 定 義 之 組 成 物 1 I 9 較佳 的 液 態 介 質 是 三 苯 基 九 甲 基 戊 矽 氧 焼 〇 在 釋 放 於 室 1 1 I 中 之 ·> r. 刖 或 期 間 較 佳 預 熱 至 高 於 3 0 °c 〇 先 質 經 由 如 —. 具 Ί 有 如 3 0 至 5 0 % 孔 隙 度 之 耐 熱 多 孔 體 來 遞 送 至 真 空 室 0 1 1 先 質 可 以 小 量 地 經 由 —- 管 而 連 續 地 計 量 入 9 該 管 遞 送 蒸 汽 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 420724 A7 _____ B7 五、發明説明（6 ) 或霧形式之先質至多孔體》否則，先質可以在一開的儲存 槽中分批地引入，該儲存槽在室抽真空前被置於室中。此 儲存槽可以在澱積方法開始前在室中用電加熱以形成蒸汽 Ο —束合金鎢纖絲以陰極形式，典型地在約一 1 5 Ο V (D C斜切電壓）下以陰極形式置於土製多孔體前。在多 孔體後側上具有先質之入料管的多孔體本身可以安置在室 之較低部分。纖絲束凸起地在一垂直面上彎曲成如一長 1 5至3 0公分之半圓形。在陰極纖絲中之電流較佳介於 5 0至120A(AC)。電漿電流（在纖絲束和土製多 孔體間測量）而後典型地可以達約0 . 5至3 A。預熱先 質可以提供以下優點：稍後在陰極纖絲中所需之電流（供 產生電漿）可以減低。 彎曲陰極束之最上端區域和基材間之距離是至少約 2 0公分。澱積由底部往頂部經由電漿離子被基材載體之 吸引而發生，該基材載體置於典型於4 0 0 V之負R F自 身斜切電壓下。並且，RF頻率較隹遠低於依美國專利 5，352，493所用者；亦即介於100至 500ΚΗζ且特定地約200至300ΚΗΖ » 當使惰性氣體如A r ，Κ 1"或1^2進入真空室中時， 除了有較佳之低摩擦性之外，亦可澱積具有較高硬度的膜 。而後，由於使用一熱纖絲束和R F或D C斜切電壓於基 材上之D C放電的結合，此另外之惰性加工氣體被離子化 。較佳在2 5 0至7 0 0V範圍中之基材斜切或自身斜切 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ g _ ~— —i ϋ I I ϋ ϋ I ^ n n I ϋ ^ I I n I n ϋ - - >3/. )y (請先閱讀背面之注意事項（^-寫本頁) 經濟部4-央標準局員工消費合作社印製 420724 A7 A7 B7 五、發明説明Π ) 電壓吸引Ar，Kr或N離子至基材。此現象導致成長之 鑽石狀毫微複合物膜之同時惰性氣體離子撞擊。結果，因 這共濺射，澱積速率減低，但澱積膜之毫微硬度則增加。 典型地，在澱積期間，藉增加室中之惰性氣體含量（同時 在基材上保持相同之斜切或自身斜切電壓）以自〇. 8至 6 . 0 X 1 0 —4m b a r間增加總工作壓力至0 . 5至 5. 0xl0_3mbar間，則會增加毫微硬度，如由一 'Nano-test 50(Τ毫微穴計（indenter)所測量者，由 10 - 15GPa增至約13-JOGPa。惰性離子撞 擊導致數原子％惰性氣體併入鑽石狀毫微複合物之原子結 構中。對毫微成穴實驗而言，滲透深度介於1 0 0至 3 0 0 nm間且每樣品平均是1 0成穴滯後曲線。滯後曲 線依 Oliver & Pharr方法（W.C. Oliver and G.M. Pharr ,Journal of Materials Research 7(1992), p.1564)) 來猶定且資料被標準化成在相同滲滲深度下所得之S i ( 111)乾膠片之資料。 使用上述方法參數界限和設備特徵，未摻以或摻以金 屬之很多D L N複合物用以上設定之範圍的組成物來澱積 。使用標準之球盤（bal卜on-disk)測試實施在室溫下（ 2 5 °C )之摩擦測試以測定耐磨損性和摩擦係數Μ。供這 些測試，在室溫下，在CSEM摩擦計，在5Ν (摩擦係 數測試）或10Ν(耐磨損性/壽命測試）之正常負荷下 ，使用具有6. 3 5111111直徑之100(：『6鋼員荷球》 在多次循環期間於一圓形途徑中以0· 2m/s之速度， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） 10 - ----------裝-- -- (請先閲讀背面之注意事寫本頁) 訂1 線 420724 A7 ____B7 五、發明説明（8 ) 球未潤滑地滑過此澱積在基材上之膜表面上》 連續地測量摩擦係數/z。相對濕度藉此在5 0 90%RH之恆定值下偵測。當μ達到〇. 5 止測量。經澱積之毫微複合物膜的耐磨損性（ 環數除以膜厚度來表示。典型的壽命是在1 0 3 0 0 〇 〇 0循環/em膜厚度間。 所測試之平均組成（單位是原子％ )在以 予。在整個膜厚度中真實組成可以在高達這些 1 〇%間振盪。此意謂：對於例如2 5原子％ 含量而言，真實濃度可以在22. 5至27. 間變化。 表1 在測試期間 % R Η或 之值時，停 壽命）以循 0 0 0 0 至 下表1中給 平均組成之 之Η的平均 5原子％ Η 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 笋、 % 寫 本 頁 裝 訂 _|本 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 樣品 Η (at%) C Si 0 Zr Ar 硬度 (GPa) Α(圖 1 ) 32 52 10 6 — — 13 .B(圖 2) 30.5 44 12.5 7. 5 4.1 1.4 14.4 C 27.2 5 6.6 8.2 6. 4 — 1.5 17 線1(在圖1中）相當於一種在具有RH50%之空 义張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公釐）_ Μ 線 420724 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (9 ) \ 氣中 及 於 5 N 正 常 球 負 荷 下 對 表 1 中 之 樣 品 A 之 測 試 的 摩. - i -i · 1 擦係 數 的 發 展 0 線 2 相 當 於 對 樣 品 A 之 相 同 測 試 但 是 在 1 1 具有 R Η 9 0 % 之 空 氣 中 〇 在 較 高 R Η 下 之 測 試 顯 示 -. 甚 -N 1 I 請 I 至較 佳 的 摩 擦 效 能 0 閲 1 1 在 面 圖 2 中 > 線 3 顯 示 在 9 0 % R Η 空 氣 中 之 摩 擦 行 爲 項 背 面 1 且線 4 顯 示 對 表 1 中 之 樣 品 Β 而 在 5 0 % R Η 空 氣 中 之 注 意 1 事 1 有點 較 佳 的 摩 擦 行 爲 〇 摩 擦 係 數 在 此 在 以 5 N 球 負 荷 之 項 10 0 0 0 摩 擦 循 環 測 試 期 間 通 常 在 0 • 0 5 至 f 本 百 裝 I 0 . 0 8 間 振 盪 〇 樣 品 Β 摻 以 4 1 原 子 % Z r 使 用 Μ Ν_✓ 1 1 I 屬含 量 高 達 2 0 原 子 % 之 摻 以 金 屬 的 膜 會 得 到 類 似 行 爲 〇 I I 在 圖 3 中 > 如 線 3 ( 亦 參 見 面 圖 2 ) 中 所 繪 製 之 樣 品 B 1 訂 1 的摩 擦 行 爲 ( 在 9 0 % R Η 下 ) 與 對 一 典 型 之 D L C 膜 之 相同 測 試 來 比 較 0 此 D L C 膜 之 硬. 度 逋 常 是 在 1 5 至 2 1 1 1 G P a 間 且 其 氫 含 量 通 常 是 在 2 0 至 5 0 原 子 % 間 〇 1 1 D L N 樣 品 B 之 行 爲 ( 摩 擦 係 數 ) 顯 著 較 佳 0 亦 發 現 樣 )丄 品B 之 行 爲 亦 比 一 具 有 約 1 0 至 1 5 原 子 % 矽 之 S i 一 1 I D L C 膜 更 佳 0 1 1 最 終 > 在 圖 4 中 > 在 水 下 對 —^ 具 有 在 所 請 範 圍 間 之 1 1 1 組成 且 具 有 0 8 6 β m 厚 度 及 1 0 Ν 球 負 荷 之 類 似 之 未 1 摻雜 D L N 層 進 行 長 期 測 試 ( 1 0 0 9 0 0 0 循 環 ) 〇 令 1 1 人驚 訝 地 > 此 導 致 約 0 * 0 5 之 β 值 〇 1 具 有 1 3 β m 厚 度 且 具 有 1 5 G Ρ a 硬 度 之 相 同 種 1 1 類的 未 摻 雜 之 D L N 層 在 5 0 % R Η 之 空 氣 中 及 在 水 下 均 1 I 顯示 約 0 • 0 5 之 摩 擦 係 數 ( 如 在 以 6 3 5 m m 直 徑 之 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 1Z - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 420724 a? _B7_ 五、發明説明（10 ) 1 0 0 C r b鋼負荷球之1 〇 N正常負荷下，在 100，000循環期間’於球盤實驗中所記錄的）。由 磨損痕跡面積之輪廓計測量所計算之塗層磨損因子K在 5 0%RH空氣中是2 X 1 0—mm3/Nm且在水下僅 3. 5x l0—8mm3/Nm。由鋼球之磨損體積所計算 之球磨損因子在二情況下皆在1 X 1 〇_8mm3/Nm以 下。 在矽乾膠片上之樣品c的膜（參見表1 )顯出 1 7GP a之硬度且在RH5 0%空氣中之1 0 0 0 0搪 環摩擦測試（負荷5N)中；am在0. 05至0. 06中 變化，該測試如同供樣品A和B者（圖1和2中）》 在表1中之原子濃度可以經由Rutherford Backs cattering Spectrometry (RBS)S. Elastic Recoil Detection (ERD)來間接地得到e R B S及E RD產生面 積濃度（單位是原子/ cm2)之絕對數值。對以下表2 中之樣品C而言，其以原子面積密度：A A D (單位是 1 015原子/ cm2)表示。表2亦陳列相關之XP S值 (X光之光電子光譜術），其指明在樣品C中之元素（除 了 Η和A r之外）的濃度（％)的相對值。對此實驗資料 所校正之真實值列於"真實〃列中。這些、真實"值當然 是相當於在表2中對樣品C所列之原子％濃度。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210x：297公釐） 11 ^11 ^1 ϋ ^1 ^1 ^1 ^11^ n m ϋ 1 ^ -- -\1/, (請先閱讀背面之注意事^丨^-寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（11 )

表2，樣品C Η C Si 0 Zr A r ADD 2 23 0 4641 672 525 — 123 XPS — 7 8 14 8 Real 27.2 56.6 8.2 6.4 — 1.5 C，S i及0和A r之原子濃度（藉RBS)精確至 其值的約5%，然而Η之原子％預期被校正至其值的1 0 %。 '依本發明之D L Ν膜當然極適於任何應用或用途’其 中特別在極濕環境中或水中同時需要極低摩擦係數及高硬 度的存在。本申請案因此有用以作爲供腰或膝聯結代替之 彌補術中之低摩擦塗層，供手術刀’刮鬍刀片及導線之低 摩擦塗層。其亦有用以作爲電腦硬碟上及磁帶上之保護塗 層。 圖之簡述 圖1是一作圖’顯示未摻雜之0 L 1^膜（或塗層）分 別在5 0%RH及9 0%RH空氣中之低摩擦係數。 本紙張尺度適用中國國家標準（〇呢）八4規格（2丨0父297公螢）_14 _ I I I I I I 訂 線 - (請先閲讀背面之注意事項厂W寫本頁) 420724 A7 B7 五、發明説明（l2 ) 圖2是一供摻以約5原子％ Z r之DLN膜的類似作. 圖。 圖3是一作圖，比較與圖2中相同之經摻雜之DLN 膜相對於D L C膜，在9 0%RH空氣中之摩擦係數。 圖4是一作圖，呈現在常時間之水中測試期間，未摻 雜之D L N膜之摩擦係數的變化。 請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 裝- 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐），= -10

Claims (1)

1. 420724

   A8 B8 C8 D8 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 · 一種改良之鑽石狀毫微複合物組成物，其包括a 一 C : Η及a - S i : Ο之網絡，其中Η濃度是介於C濃 度之4 0%至8 0%間且在具有最高9 0%之相對濕度的 空氣中或水中對鋼具有小於0 . 1之摩擦係數。 2.如申請專利範圍第1項之組成物，其包括30至 70原子％之（：，20至4 0原子％之11，5至1 5原子 %之呂i及5至1 5原子％之〇。 3 .如申請專利範圍第2項之組成物 70原子％之（：，20至35原子％之11 %之呂i及5至1 0原子％之〇。 4 .如申請專利範圍第1項之組成物 過渡性金屬。 5 .如申請專利範圍第4項之組成物 金屬是.Zr ，Ti或W。 6.如申請專利範圍第1或4項之組成物，其包括 0. 5至5原子％之惰性氣體。 7 .如申請專利範圍第6項之組成物，其中氣體是 A r或K r或N » 8 .如申請專利範圍第1項之組成物，其具有介於1 0至2 1 G P a之硬度，如藉毫微成穴作用所測量者/ 9 一種基材，其至少部分地覆以一層如申請專利範 圍第1項之組成物，其中此層厚度介於0 . 0 1 "至1 0 β τα 〇 1 Ο . —種在一真空室中製造如申請專利範圍第9項 其包括4 5至 5至1 0原子 其摻以至少一 其中該過渡性 (請先閱讀背面之注意事項'-T备寫本頁) 裝. 訂 •線_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 - 經濟部中央梯準局属工消費合作社印裝 A8420724 ?! D8 _六、申請專利範園 之經覆蓋基材的方法，其包括以下步驟： (a )在該室中引入一含有元素C，Η，S i和0而 欲以合連比例澱積的液態有機先質， (b)藉電子輔助DC放亀，使用一具有50 — 150A縝絲電流50—300V之負繊絲DC斜切電壓 及介於0. 1至2 0A之電漿電流之縝絲，自經引入之先 質形成一電漿，且 (c )靉稹此組成物於基材上，對此施以2 0 Ο-ΐ 2 0 0V 之負 DC 斜切或負 RF 自 身斜切電壓以 吸引在 馕漿中形成之釀子· 1 1 .如申請專利範園第1 0項之方法，其中在步驟 (a )中，在引入期間或之後在該室中蒸發先質· 1 2 如申讅專利範園第1 1項之方法，其中該先質 在30 °C至150 °C間加熱而蒸發》 1 3 如申請專利範鼷第1 0項之方法，其中在步騎 (c)中電應是介於250至1000V· 1 4 .如申請専利範園第1 0項之方法，其中先g是 有機基矽醣化合物》 1 5 .如申猜專利範園第1 4項之方法，其中化合物 是聚苯基甲基甲矽氧烷· 1 6 ·如申猜專利範園第1 5項之方法，其中化#_ 是三苯基九甲基戊矽氧烷· 17.如申請專利範園第10項之方法，其 壓之頻率是介於30至ΙΟΟΟΚΗζ。 本紙&尺度逍用t國國家輮率< CNS ) A4规格（2I0X297公* ) ' --- -17 - {請先聞讀背面之注意事項/知寫本頁) -裝· -'1 線！ 420724 it , C8 D8 七、申請專利範圍 1 8 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中在澱積 期間，惰性氣體被引入室中，藉成長之毫微複合物層的離 子撞擊而被離子化且合併。 19.如申請專利範圍第10或18項之方法，其中 在澱積方法期間*至少一過渡性金雇藉離子濺射或藉熱蒸 發而共澱稹在組成物靥中。 -- (請先閲讀背面之注意事項^^寫本頁) -裝· ----訂- 經濟部中央標準局属工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國«家梯準（CNS > Α4规格（210X297公釐） 一 18 -