TW412443B - Halogen-containing catalyst and process for preparing same - Google Patents

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TW412443B
TW412443B TW087109253A TW87109253A TW412443B TW 412443 B TW412443 B TW 412443B TW 087109253 A TW087109253 A TW 087109253A TW 87109253 A TW87109253 A TW 87109253A TW 412443 B TW412443 B TW 412443B
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TW087109253A
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Tetsuya Fukunaga
Mitsue Ishii
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Idemitsu Kosan Co
Chevron Chem Co
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Description

412443 at B? 經濟部中央揉率局Λ工消费合作社印装 五、發明説明(1 ) 技術範圍 本發明係關於用於生產芳族烴類之觸媒及彼之製法, 更確定地說,其係關於含鹵之觸媒例如一或多種鹵成份及 負載於L型沸石觸媒上的鉑,其中鹵量分佈均勻且可降低 裂化活性,以及關於此觸媒之製法。 技藝背景 以前,可經由芳族化非芳族烴類例如脂族烴類而用於 生產芳族烴類之觸媒,是使用鉑-氧化鋁觸媒,但是此種 觸媒之缺點是含6或7個碳原子之烴類無法有效地轉化成 芳族烴類。 爲了解決此一問題,其中使鉑負載於L型沸石上之觸 媒曾經建議在曰本專利公告案57408/1983,且 隨後關於L型沸石,曾經建議多種方法供改進活性、選擇 性、觸媒壽命等,或簡化觸媒之製法。 例如,曾經建議(1 )其中L型沸石負載於VE族金屬 之觸媒曾經用於氧氯化處理,以改進觸媒活性及觸媒壽命 (日本專利申請特許公開案168539/1985), (2 )用含鉑溶液及非鉑金屬鹽之溶液處理之觸媒,以便 均勻分散及負載鉑(日本專利申請特許公開案 138539/1986) , (3)其中鉑負載於L型沸 石並用含鹵化合物處理之觸媒(日本專利申請特許公開案 57653/1987) , (4)其中負載鉑之L型沸石 用含鹵化合物處理之觸媒(日本專利申請特許公開案 (請先聞讀背面之注項再填寫本頁) ,1Τ 本纸張尺度適用中國國家梂準{ CNS Μ4规格(210Χ297公釐) -4- 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印^ 412443 A7 ____B7五、發明説明(2 ) 91334/1988),及(5)得自簡單製法之觸媒 其中同時包括負載及處理鉑成份及一或多種鹵成份在L型 沸石上(日本專利申請特許公開案4 9 9 3 6/1 9 9 3 )° 但是,上述(1 )至(5 )之觸媒在其實際使用上有 缺點,且全部這些觸媒都有高的裂化活性,因此,芳族選 擇性不足。 發明說明 本發明是在上述情形下發展,也就是說,本發明之目 的是提供一種觸媒供生產芳族烴類使用,其中鹵量在觸媒 中均勻分佈,所以可降低裂化活性》 本發明之另一目的是提供上述觸媒之製法。 本案發明者經過深入的硏究,目的是要發展供生產芳 族化合物之觸媒,一種可解決上述習知觸媒缺點之實用觸 媒且其中可減低裂化活性,且結果發現當在製造觸媒的乾 燥階段中延遲水蒸發率,可以得到鹵量在觸媒中均勻分佈 ,所以可以有效地達成本發明之目的,本發明係基於此認 識而完成。 也就是說,本發明之第一方面係關於含一或多種鹵成 份之含鹵觸媒且其中鹵量在觸媒中均勻分佈,具體地說, 一種含鹵觸媒其中在截面寬度方向距離(X :從一個觸媒 表面之距離)與使用電子探針微量分析(以下稱爲% ΕΡΜΑ#)裝置在觸媒截面上的鹵原子於一個方向之直 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度遄用中S國家標率(CNS ) Α4洗格(2丨0X297公t ) -5- 412443 A7 經濟部中央樣丰局員工消费合作社印«. £7_—五、發明説明(3 ) 線分析測量所得的X-光強度(I )之間的關係圖溫度, 比例a〔(F — F〇)値對積分値(F)之比例{ (F — F〇)/F丨爲〇 · 17或更低,且(F — F〇)値係得自 從在表面X間經由積分上述I所得的値(F )扣除在曲線 最小切線處積分X —光強度(I q)所得的値(F。)且曲 線最小値表示一個觸媒表面與另一個觸媒表面之間關於X 之X —光強度》 本發明之第二個方面是關於含鹵觸媒之製法,其步驟 包括使一或多種鹵成份負載於載體上,尤其是L型沸石, 然後在水蒸發率爲15重量%/小時或更少下乾燥》 附圖之簡要說明 圖1顯示經由使用E PMA裝置,在鹵原子進行直線 分析測量的情形下,寬度方向距離(X )與X —光強度( I )之間的關係。 圖2爲供E PMA測量使用之L型沸石觸媒實例之透 視圖。 進行本發明之最佳模式 本發明含鹵之觸媒如上所述具有均勻的鹵量分佈,圖 1顯示在本發明含鹵之觸媒中的鹵量分佈,且在使用EP MA使鹵素原子進行直線分析測量的情形下,顯示寬度方 向距離(X )與X —光強度(I )之間的關係,另外,圖 2爲上述E PMA測量中使用之L型沸石觸媒實例之透視 n m ^^^1 1^1 n ^^1« 1--- 1 ^11 ^^^1 In 1^1 ^^^1 ^ J - . {诗先閲讀背面之注意事項具填寫本Va〇 本紙張尺度遑用中8明家揉準(CNS > A4規格(210X29?公釐) -6- Α7 Β7 412443 五、發明説明(4 ) 圖。 本發明將參照圖1及2更詳細地說明》 在本發明觸媒具有例如圖2所示圓柱形之情形下, E PMA之直線分析測量是在圖中所示與底面切面平行之 直線方向進行,圖1列出直線分析測量所得的結果,橫座 標爲截面寬度方向距離(X :從一個觸媒表面之距離)且 縱座標爲顯現鹵原子濃度之X -光強度(I),根據圖1 ,在本發明含_之觸媒中,比例a〔(F — F〇)値對積分 (F)之比例{ (F — F〇)/F}爲〇 · 17或更低,其 中(F_Fd)値係得自從在X之表面間(X ; 〇— X〇) 經由積分上述I所得的値(F )扣除在曲線最小切線處積 分X —光強度(I 〇)所得的値(F〇)且曲線最小値表示 一個觸媒表面(x = 0 )與另一個觸媒表面(x = x。)之 間關於X之X —光強度。如果α値大於0 . 17,裂化選 擇度增加|結果是芳香性選擇度不利地降低,從此觀點, 在本發明中,<2値較宜爲〇 . 1 5或更低。 而且,上述本發明之直線分析測量可應用在任何形狀 之觸媒,且只要觸媒具有上述α値,可發揮本發明獨特的 效應。因此根據本發明觸媒之形狀沒有特別的限制,但是 在本發明中,從模塑容易性及觸媒強度之觀點,較宜使用 圓柱形的觸媒。 爲了生產新穎的本發明L型沸石觸媒,使用習知的L 型沸石作爲原料,在此,L型沸石原料可用組成物化學式 0 · 9 — 1 . 3Μ2/ηΟ*Αΐ2〇3· 5 .0 — 7.0 本紙張尺度適用中Η 8家橾準(CNS ) Α4说格(2丨0Χ 297公釐) I---------私-- * , (婧先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) .1Τ 經濟部中央橾準局"C工消费合作社印製 經 濟 部 中 央 標 率 局 Ά 工 消 费 合 作 社 印 製 Λ7 ______ B7五、發明説明(5 ) S i 〇2· 〇 — 9H2〇 (其中Μ爲鹵金屬或鹸土金屬,且 η爲Μ之價數),且沸石之典型實例揭示在日本專利申請 特許公開案133835/1983之第9至10頁,以 及曰本專利申請特許公開案8 〇 3 3 3/1 9 8 4之第5 頁。 製造本發明之新型L型沸石觸媒可經由將一或多種鹵 成份及含金屬之化合物尤其是含鉑之化合物負載於上述L 型沸石原料上,在此方式下經由負載一或多種鹵成份及金 屬成份例如鉑成份•可得到迄今尙未存在之極佳觸媒活性 及觸媒壽命。 在此,含鹵化合物之實例包括多種化合物且沒有特別 的限制•含齒化合物之典型實例包括含氯化合物例如氯化 氫及氯化銨,含氟化合物例如氟化氫及氟化銨,含碘化合 物例如碘化氫及碘化銨,及含溴化合物例如溴化氫及溴化 銨,關於含鹵化合物,上述化合物可單獨使用或以其二或 多種混合物使用,且含氯化合物及含氟化合物之混合特別 較佳。 而且,至於含金屬之化合物,較宜使用含鉑之化合物 ,且對含鉑之化合物沒有特別的限制,只要其可成爲鉑的 來源,但是通常使用鉑鹽,含鉑化合物之典型實例包括四 胺氯化鉑、氯鉑酸、氯鉑酸鹽、四胺氫氧化鉑及二硝基二 胺基鉑 在製備本發明新穎L型沸石觸媒時,將金屬成份例如 鉑成份及一或多種鹵成份負載於L型沸石原料之方法沒有 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;装- .1Τ 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4规·格(21〇Χ2?7公釐) -8- 經濟部中央標準扃貝工消费合作社印笨 412443 Λ7 B7五、發明説明(6 ) 特別的限制,且可使用任何大氣壓力浸透法、真空浸透法 、滲透法且通常進行離子交換法,此外,當含金屬之化合 物及一或多種含鹵化合物負載於L型沸石原料時,其可同 時負載,或先負載金靥後再負載鹵素’或者是也可使用相 反的步驟》 在負載步驟中*化合物之負載量沒有特別的限制,但 負載的含金屬之化合物例如含鉑之化合物通常在0 · 1至 5 . 0重量.%之金屬,以觸媒總重量爲基準,且特別是 0.3至1.5重量%最佳,而且負載的一或多種含鹵化 合物通常在0.1至5.0重量%之鹵素’以觸媒總重量 爲基準,當含金屬之化合物及含鹵化合物之負載量偏離上 述範圍時,有時無法出現催化活性之改進效應。 在本發明中,負載情形沒有特別的限制,可根據情形 而適當地選擇,通常,使L型沸石與一或多種含鹵化合物 及含金屬之化合物在室溫至9 0°C下接觸1分鐘至1 0小 時。 在製備本發明含鹵之觸媒時,負載一或多種鹵素及金 屬後或在負載金屬鹵素的步驟之間’將負載後的L型沸石 乾燥,且在此時,可以使用真空乾燥或大氣壓力乾燥作爲 乾燥法*在本發明中,從鹵素分佈之観點以旋轉乾燥或真 空旋轉乾燥較佳。 而且在本發明中,進行鹵素之負載後,降宜相對地減 緩乾燥*在金屬例如鉑及一或多種鹵素成份在此順序依序 負載之情形下,負載鹵素後在乾燥步驟中的乾燥速率較宜 ^^1- m Jn^— ^^^1 t^i I an -TgJ . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度遘用中國國家標準(CNS } A4規格(210X297公釐) -9- 412443 A7 經濟部中央梂牟局貝工消费合作社印裝 五、發明説明(7 ) 相當緩慢,或者是,在一或多種鹵素成份及金屬在此順序 依序負載之情形下,負載鹵素後在乾燥步驟中的乾燥速率 ,也就是鹵素負載步驟與金屬負載步驟之間’在乾燥步驟 中的乾燥速率較宜相當緩慢,而且’不但在—或多種鹵素 成份及金屬在此順序依序負載之間的乾燥步驟之乾燥速率 ,而且在負載金屬後的乾燥步驟中,都較宜緩慢地乾燥沸 石。 或者是,在同時負載金屬及一或多種鹵素成份之情形 下,在負載後的乾燥步驟中,乾燥速率較宜緩慢。 至於乾燥操作,先在低溫下進行一段時間,然後在溫 下進行,或在乾燥是在升溫下完成之情形,需要降低溫度 上升之速率。 而且,在上述乾燥方法中爲了從系統中去除水份,特 別較宜使用真空乾燥,真空乾燥中的真空度視需要在滿足 本發明水份蒸發速率之範圍內,但較宜在5至7 5 0 Torr 之範圍,更適宜在30至720 Torr。 而且,在上述乾燥步驟中,較宜在1 5重量%/小時 或更低的水份蒸發速率下進行乾燥,如果水份蒸發速率超 過1 5重量%/小時,鹵素會不均勻地負載於觸媒上,其 有時並不適宜,從此觀點,水份蒸發速率更宜在1 0重量 %/小時或更低,如果水份蒸發速率爲1 5重量%/小時 或更低,可在恆溫或升溫下進行乾燥,在升溫進行乾燥之 情形下,可在逐步比例或固定比例下升溫,在本發明中, 特別較宜使用的方法是在2 5至6 0°C的溫度下進行乾燥 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 本纸張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) ( 2丨0X297公漦) -10- 經濟部中央樣準局貞工消費合作杜印«. A7 B7五、發明説明(8 ) 1 0至1 8 0分鐘,且然後使溫度上升至7 0至2 5 0°C 歷時5至1 2 0分鐘,且在此溫度下保持1 0至1 8 0分 鐘,在全部的溫度範圍下進行旋轉乾燥或真空旋轉乾燥; 或一種方法其中溫度0至6 0°C上升至7 0至2 5 0 °C歷 時1 00至1 80分鐘,並在此溫度下保持1 0至80分 鐘,在全部的溫度範圍下進行旋轉乾燥或真空旋轉乾燥, 總而言之,上述乾燥步驟之較佳實例包括一種方法其中是 在40 °C下進行乾燥2小時,然後將溫度上升至1 0 0°C 歷時4 0分鐘,在1 0 0°C下保持3 0分鐘並在全部的溫 度範圍下進旋轉乾燥或真空旋轉乾燥•以及一種方法其中 溫度從4 0°C上升至1 0 〇°C歷時2小時又3 0分鐘,使 溫度在1 0 保持3 0分鐘,並在全部的溫度範圍下進 行旋轉乾燥或真空旋轉乾燥》 而且,觸媒較宜在高於上述乾燥溫度下進行煅燒,例 如在2 5 0至3 5 0°C,在煅燒溫度偏離上述範圍之情形 下,有時候觸媒之活性會不足,在本發明中*煅燒時的大 氣沒有特定的限制,但通常在空氣中進行,在此情形下’ 可在空氣氣流下進行煅燒,或可在完全沒有空氣氣流下進 行煅燒。 關於本發明含鹵之觸媒,含上述L型沸石,但如果必 要時,可在其中加入天然或人造無機氧化物例如氧化鋁, 氧化矽或鋁矽酸鹽作爲黏著劑,黏著劑之用量較宜爲5至 9 0重量%,以觸媒之總重量爲基準。 本發明含鹵之觸媒可應用之作爲原料的烴類實例包括 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I 訂 本紙張尺度適用中國國家揉率(CNS ) A4规格(210X297公釐) -11 - 412443 A7 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印装 B7 _五、發明説明(9 ) 鏈烷系烴類、烯系烴類、炔系烴類.環鏈烷系烴類及環烯 系烴類|且彼等可單獨使用或以其兩種或多種之混合物使 用。 上述鏈烷系烴類較宜含6至1 0個碳原子,且鏈烷系 烴類之典型實例包括正己烷、甲基戊烷、正庚烷、甲基己 烷、二甲基戊烷及正辛烷。 而且 > 上述烯系烴類較宜含6至1 0個碳原子,且烯 系烴類之典型實例包括己烯、甲基戊烯、庚烯、甲基己烯 、二甲基戊烯及辛烯。上述炔系烴類較宜含6至10個碳 原子*且炔系烴類之典型實例包括己炔、庚炔及辛炔。 上述環鏈烷系烴類較宜含6至1 0個碳原子,且環鏈 烷系烴類之典型實例包括甲基環戊烯、環己烯、甲基環己 烷及二甲基環己烷。 此外,上述環鏈烷系烴類較宜含6至1 0個碳原子, 且環鏈烷系烴類之典型實例包括甲基環戊烯、環己烯、甲 基環己烷及二甲基環己烷。 此外,上述環烯系烴類較宜含6至1 0個碳原子,且 環烯系烴類之典型實例包括甲基環戊烯、環己烯、甲基環 己烯及二甲基環己烯。 如上所述,在本發明含鹵之觸媒中,觸媒中的鹵量分 佈可經由在製備製程中延遲水份蒸發速率而均勻化,且原 則上,金靥例如鉑高度分散,所以裂化選擇性降低且芳族 選擇性升高,因此可以控制裂化活性。 本發明將根據實例及實例比較而更詳細地說明。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本莨) 訂 本纸張尺度適用中國Η家揉準(CNS > Α4规格(210X297公釐) •12- 經濟部中夬棵準局貝工消费合作社印装 A7 B7五、發明説明(10 ) 實例1 (1 )製備觸媒 將2 0組份氧化矽黏著劑(Sonw Tex,Nissan Chemical Co.,Ltd.製造)添加至1 0 0重量組份之L型沸石(丁5乙-500KOA,Toso Co.,Ltd.製造),隨後揑合及模塑,然後在 5 0 0°C的空氣下煅燒2小時,得到模塑氧化矽黏著劑L 型沸石。 將0 . 086克四胺氯化鉑,0 . 088克氟化銨、 0.019克氯化銨及2.1克離子交換水混合而製備浸 漬溶液|將如此製備的浸漬溶液緩慢逐滴添加至5克上面 用氧化矽黏著劑負載鉑及鹵素之上述模塑L型沸石,在乾 燥步驟中,在4 0°C下進行最初真空旋轉乾燥2小時,在 真空旋轉情形下將溫度上升至1 0 〇°C歷時4 0分鐘,隨 後在1 0 0°C下進行真空旋轉乾燥3 0分鐘,真空旋轉乾 燥之真空度爲4 0 Torr,隨後在3 2 0 °C進行煅燒1小時 而製備觸媒。 實例比較1 (1 )製備觸媒 將5克根據實例1負載步驟完成之L型沸石在真空旋 轉乾燥情形下從室溫加熱至1 0 0°C歷時6 0分鐘,同樣 在真空旋轉乾燥情形下使溫度在1 0 0t下保持3小時’ 進行除了乾燥步驟以外之相同於實例1的步驟,真空旋轉 412443 (請先閲讀背面之注意事項再填鸿本頁) 本紙張尺度適用中國®家揉準(CNS ) A4规格(210Χ2ί)7公釐) -13- 經濟部中失橾率局貝工消费合作社印裂 412443五、發明说明(11 ) 乾燥之真空度爲4 0 Torr。 實例2 (1 )製備觸媒 將5克根據實例1負載及處理步驟完成之L型沸石在 真空旋轉乾燥情形下從4 0°C加熱至1 0 0°C歷時2小時 又3 0分鐘,同樣在真空旋轉乾燥情形下使溫度在1 0 0 °C下保持3小時,進行除了乾燥步驟以外之相同於實例1 的步驟,真空旋轉乾燥之真空度爲4 0 Torr。 實例3 (1)製備觸媒 將5克根據實例1負載及處理步驟完成之L型沸石在 大氣壓力下及旋轉下從室溫加熱至9 0°C歷時2小時,然 後同樣在大氣旋轉情形下使溫度在9 0°C下保持3小時, 進行除了乾燥步驟以外之相同於實例1的步驟。 實例4 (1)製備觸媒 將5克根據實例1負載及處理步驟完成之L型沸石在 真空旋轉乾燥情形下從4 o°c加熱至1 〇 o°c歷時1 ο 〇 分鐘,同樣在真空旋轉乾燥情形下使溫度在1 0 o°c下保 持3 0分鐘,進行除了乾燥步驟以外之相同於實例1的步 驟,真空旋轉乾燥之真空度爲4 0 Torr。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國S家標率(CNS ) A4洗格(2丨0><29:?公釐) -14- 經濟部中*橾準局只工消费合作社印装 A741244a____五、發明説明(12 ) 實例5 (1) 製備觸媒 將5克根據實例1負載及處理步驟完成之L型沸石在 大氣壓力及旋轉下從室溫加熱至9 0°C歷時3小時’然後 同樣在大氣旋轉情形下使溫度在9 0°C下保持3小時’進 行除了乾燥步驟以外之相同於實例1的步驟。 (2) 評估觸媒性質 測量水份含量 在各上述實例及實例比較中,在其乾燥中取出觸媒, 用丁 G-DTA測量水份含量,秤重1 0毫克模塑物件形 式之觸媒,然後放在裝置內,在7 0毫升/分鐘氣流下將 溫度從室溫上升至1 0 0 Ot *溫度上升率爲2 0°C/分 鐘,到達5 0 0 °C之觸媒重量減少量視爲水份含量,並計 算蒸發率,其結果列在表1。 Ε Ρ Μ Α測量 將每個上述所得的觸媒包在樹脂中(PMMA :聚甲 基丙烯酸甲酯),然後將含觸媒之樹脂平行於底面切割, 如圖2所示暴露此測量表面,經由使用Ε PMA裝置,在 15kV之加速電壓、光束大小爲1微米且樣品電流爲 0.05微安培下測量α値,其結果列在表1» n^— ^^1 t^i *ϋ t^i 11 n 1^1 I - i ^^1 a^n " 嚤 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國B家揉準(CNS > A4規格(210XW7公釐) -15- A7 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 412443 五、發明説明(13 ) 評估脈動反應 將各所得的觸媒硏磨成3 2至6 5篩目,秤重5 0毫 克之觸媒粉未並塡入反應器內,當反應器放在裝置上後, 在氫氣流率微1 0 0毫升/分鐘下將溫度從室溫上升至 5 4 Ot歷時3 5分鐘,然後在5 4 0 °C下進行氫氣還原 反應1小時,完成氫氣還原反應後,將溫度設定成4 6 0 °C,使用n — C6作爲反應物,將脈動大小改變成〇 . 5微 升、1.0微升、2.0微升及3·0微升以改變轉化, 其結果列在表1,Ci-4選擇性愈低,觸媒愈佳,各產品 之C i - 4選擇性計算如下。
Cm選擇性=[(^.4重量/(Cu +苯)重量]X 100 表1 水蒸發率 ΕΡΜΑ之C1分佈在苯產量爲60 (重量%/小時) (α) 重量%之0_4選 實例1 6 0.12 擇性 3.0 例比較1 30 0.20 10.5 實例2 6 0.12 3.0 實例3 15 0.17 5.5 實例4 15 0.15 5.0 實例5 4 0.06 2.5 工業應用之可能性 本紙張尺度適用中國β家標率(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) -16 - 412443 at B7 五、發明説明(14 ) 因此,本發明含鹵之觸媒及其製法可廣泛且有效地用 在製造芳族烴類之石油化學工業、製造高辛烷値之石油工 業領域等。 ^^^1 ^^^^1 - - I —i —Bti ^^^^1 n^— ^^^^1 IV * {請先閲讀背面之注意事項再场寫本頁〕 經濟部中央橾丰局負工消費合作社印装 本紙張尺度適用中國國家標率(匸奶)八4規/格(210父297公漦) -17-

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 附件A :第87 1 0925 3號專利申請案 中文申請專利範圍修正本' 民國89年3月修正 1 . 一種含鹵之觸媒,其包含負載於L型沸石上之根 據觸媒總重量爲0 _ 1〜5 · 0重量%之一或多種鹵成份 ..以及0 1〜5 · 0重量%之一金屬,且其中鹵量在觸媒 中均勻分佈,該均勻之鹵量分怖係定義爲:使得在截面寬 度方向距離(X :從一個觸媒表面之距離)與使用電子探 針微量分析(E PMA)裝置在觸媒截面上的鹵原子於一 個方向之直線分析測量所得的X -光強度(I )之間的關 係圖顯示,比例a〔 ( F - F。)値對積分値(F )之比例 { (F — F〇) }/F〕爲 〇. 17 或更低,且(F-F〇 )値係得自從在表面X間經由積分上述I所得的値(F ) 扣除在表示一個觸媒表面與另一個觸媒表面之間關於X之 X -光強度的曲線之極小値切線處積分X -光強度(I 〇 ) 所得的値(F。)。 2 .如申請專利範圍第1項含鹵之觸媒|其中在L型 沸石上負載一或多種鹵成份及鉑。 ' 3 .如申請專利範圍第1或2項含鹵之觸媒,其係用 於從非芳族烴類生產芳族烴類。 4 . 一種製備申請專利範圍第1項含鹵之觸媒的方法 ,其步驟包括將一或多種鹵成份負載於載體上,然後在 1 5重量%/小時或更低的水份蒸發率下乾燥。 本紙張尺度適用尹國國家標準(CNS)A4規格(2〗0 X 297公釐) ------------装-------t.訂L-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 附件A :第87 1 0925 3號專利申請案 中文申請專利範圍修正本' 民國89年3月修正 1 . 一種含鹵之觸媒,其包含負載於L型沸石上之根 據觸媒總重量爲0 _ 1〜5 · 0重量%之一或多種鹵成份 ..以及0 1〜5 · 0重量%之一金屬,且其中鹵量在觸媒 中均勻分佈,該均勻之鹵量分怖係定義爲:使得在截面寬 度方向距離(X :從一個觸媒表面之距離)與使用電子探 針微量分析(E PMA)裝置在觸媒截面上的鹵原子於一 個方向之直線分析測量所得的X -光強度(I )之間的關 係圖顯示,比例a〔 ( F - F。)値對積分値(F )之比例 { (F — F〇) }/F〕爲 〇. 17 或更低,且(F-F〇 )値係得自從在表面X間經由積分上述I所得的値(F ) 扣除在表示一個觸媒表面與另一個觸媒表面之間關於X之 X -光強度的曲線之極小値切線處積分X -光強度(I 〇 ) 所得的値(F。)。 2 .如申請專利範圍第1項含鹵之觸媒|其中在L型 沸石上負載一或多種鹵成份及鉑。 ' 3 .如申請專利範圍第1或2項含鹵之觸媒,其係用 於從非芳族烴類生產芳族烴類。 4 . 一種製備申請專利範圍第1項含鹵之觸媒的方法 ,其步驟包括將一或多種鹵成份負載於載體上,然後在 1 5重量%/小時或更低的水份蒸發率下乾燥。 本紙張尺度適用尹國國家標準(CNS)A4規格(2〗0 X 297公釐) ------------装-------t.訂L-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 412443 ARCD 六、申請專利範圍 5 . —種製備申請專利範圍第1項含鹵之觸媒的方法 ,其步驟包括將一或多種鹵成份及一或多種金屬負載於載 體上1然後在1 5重量% /小時或更低的水份蒸發率下乾 燥。 6 · —種製備申請專利範圍第2項含鹵之觸媒的方法 ,其步驟包括將一或多種鹵成份及鉑負載於L型沸石上, ..然後在1 5重量% /小時或更低的水份蒸發率下乾燥。 7 .如申請專利範圍第4至6項任一項之製備含鹵之 觸媒的方法,其中水份蒸發率爲1 0重量% /小時或更低 〇 8 ·如申請專利範圍第4至6項任一項之製備含鹵之 觸媒的方法,其中乾燥是先在低溫且隨後在高溫下進行。 9 .如申請專利範圍第4至6項任一項之製備含鹵之 觸媒的方法,其中是進行真空乾燥。 1 0 . —種製備申請專利範圍第2項含鹵之觸媒的方 法,其步驟包括將一或_多種鹵成份負載於載體上,在1 5 重量%/小時或更低的水份蒸發率下乾燥,然後在其上面 負載鈿。 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------^訂*'·------•線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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