409368 A7 B7 五、發明説明（ 發明領.域 (a )發明領域 (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明關於一種非揮發性半導體儲存裝置，例如快閃 電氣可抹除程式化唯謓記億體（E E P R 0 Μ ),特別是關於具 有選擇一組字元線功能之非揮發性半導體儲存裝置β (b )相關技術説明 第1圖為顯示傳統EEPR0M主要部分之電路圖。此種 EEPR0M具有許多非揮發性記億單元，且位於由各字元線 WL以及各位元線BL形成之矩陣上的每一個交點處。該 EEPR0M亦具有一 X解碼器和一行控制電路，X解碼器21 經由向列方向延伸（第1圖中的水平方向）之各字元線WL 而連接至各記憶單元，行控制電路2 2則經由選擇線S L以 圓_圆1# 及與字L垂直之位元線BL而連接至各記億單元。該 E E P R 0 Μ #有一電壓建立電路25,以及一電荷泵以供給 電壓建路2 5所需之電壓。 在一 元陣列C A中，選擇電晶體S T r 1 1及S T r 1 2和 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一單元電1體CTrll構成記憶體單元。字元線WL連接至 選擇電晶體S T I· 1 1及S T r 1 2之各閘極。單元電晶體C T r 1 1 具有一漂浮閘F G及一控制閘C G。選擇電晶體S T r 1 1及S T r 1 2 及單元電晶體C T r 1 1皆由N通道金屬氧化半導體電晶體 構成。選擇電晶體STrli之汲極連接至選擇線SL ,其源極則連接至單元電晶體C T r 1 1之控制閘C G。選擇 電晶體S T Μ 2之汲極連接至位元線B L ,其源極則連接至 單元電晶體C T r 1 1之汲極。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） A7 409368 B7 五、發明説明（> ) 雖然在第1圖之例示中，單一單元電晶體CTrll連接 至單一選擇電晶體STr 11, —般而言，數傾單元電晶體 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) CTrll連接至一選擇電晶體STrll,因此藉由選擇線SL， 數個單元電晶體CTrll可以共同讀寫。因此，一選擇線 SL及數锢位元線BL連接至一單元陣列CA,而位元線之數 目為譬如介於8及32間。 X解碼器21之一功能為根據提供之位址信號，選擇字 元線WL來自於行控制電路2 2之選擇線SL依提供之位址 信號而被選擇。行控制電路22之位元線BL僅當讀寫動作 時輸出信號，且其信號之邏輯準位依寫入值而定。於讀 取動作中，一讀取電壓V R (大約1伏）加於行控制電路 22之位元線BL的輸出，而記億單元輸出端之儲存資訊則 藉由感測放大器S A判斷後對外輸出。感測放大器S A之輸 出可進一步藉由解碼位址信號獲得之行選擇信號而被選 擇。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電壓建立電路25具有一負載電路26。電壓建立電路25 檢測一程式電壓VppH(例如，約18伏）自電荷泵23之輸出 電壓提供，當此電壓上升超過一設定電壓時，將停止電 荷泵之操作，旦當此電壓減小至低於設定時，將重新啓 動電荷泵之操作。電壓建立電路25提供程式電壓VppH至 X解碼器2 1及行控制電路2 2。 第2圖顯示一圖表，於寫入模式，集體抹除及一般讀 取模式操作下，加在各節點之電壓狀態。上述傅統之 E E P R 0 Μ之操作是根據第2 _加以説明。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 409368 ；；_ 五、發明説明（》） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 當邏輯1寫入單元電晶體CTrll時，被選定記憶體單 元之選擇電晶體STrll及STrl2，在其各閘極均經由字元 線WL而偏壓至程式電壓VppH後接通。由於行控制電輅22 透過選擇線SL將癭擇電晶體STrll之汲極偏壓至0伏， 單元電晶體C T r 1 1之控制閘C G亦偏壓至0伏。因為行控 制電路22同時經由位元線BL將選擇電晶體STrl2之汲極 槁壓至程式電壓VppH,加於閘極之程式電壓VppH減除一順 向壓降所産生的VppL(譬如約15伏）加於選擇電晶體STrl2 之源極。單元電晶體CTrll之汲極偏壓至程式電壓VppL ，寫入動作是藉擷取漂浮閘F G之電荷而完成。當邏輯0 準位寫人單元電晶體CTr 11時，選擇線SL及位元線BL皆 偏壓至fl伏，因為單元電晶體CTrll之控制閘極CG和汲 極成為0伏。由於無電荷自漂浮閘F G擷取，因而維持珂 抹除狀態” (T。此一情形亦適用於未被選擇之單元電’晶 體 C Tr 1 1 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當數個連接於單一選擇電晶體STrll之單元電晶體CTrll 集體抹時，被選擇之記億單元中之選擇電晶體STrll及 STrl2將接通，其痼別之閘極經由字元線WL而偏壓至程式 電壓VppH。於此階段，行控制電路22經由選擇線SL將選 擇電晶體STrll之汲極偏壓至程式電壓VppH,同理，程式 電壓VppH加至選擇電晶體STrll之源極。因此，單元電 晶體C T r I 1之控制閘將偏壓至程式電壓V p p L。因為行控 制電路22經由位元線BL將選擇電晶髏STrl2之汲極偏壓 至〇伏，經由此選擇電晶體STrl2，單元電晶體CTrll之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 409368 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 汲極亦偏壓至〇伏。因此，電荷將傾注於單元電晶體 CTrl 1之漂浮閘FG以完成集體抹除。對於来被選擇之單 元陣列CA,其選擇線SL或字元線WL為0伏，且位元線BL 亦為0伏，因此無抹除動作發生。 第3圖之方塊圖顯示了行控制電路2 2之内部。行控制 電路22是由數餡開關電路221至223及一電壓變換開關224 構成。各開關電路221至223具有端點（a)、 和（c)e 一雷源供應電壓或程式電壓VppH供應至個別端點（a) 。傾別端點（b )連接至選擇線S L或位元線B L 0、B L 開 關電路之鍵控制信號C i至C 3輸入至偁別之端點（c )。 電壓變換開關2 2 4將電源供應電壓切換至程式電壓VppH ，反之亦然。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 控制選擇線S L之鍵控制倍號C i僳將一行控制電路（未 顯示）提供之位址信號解碼後獲得之信號。控制位元線 B L 0至B L η之鍵控制信號C 2及C 3為兩種信號之邏輯積， 亦即用於寫入動作/抹除動作之模式信號及一寫入值或 一抹除值。當鍵控信號C工至C 3為” Γ'時，端點（b)輸出 VPPH/V R ,當鍵控制信號C丄至C 3為” (T時，端點（b )輸 出0伏。容納於一行控制電路2 2之開關電路2 2 2、2 2 3之 數目是依非揮發性半導體儲存之構造而定。臂如，數目 為8至3 2之間，即相當於整個元件中有數百個。 第4圔為一細部電路圖，顯示出開關電路221至223。 開關電路221至223(第3 _)之任一個電路包含P通道金 屬氧化物半導體電晶體T r 1 5及T r 1 6 (以後稱為P Μ 0 S電晶 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2!0Χ297公釐） 409368 A7 B7 五、發明説明（ 體）、N通道金屬氧化物半導體電晶體1^17及]：1*18(以後 稱為N H 0S電晶體）及一互補電路（正反器電路）含有一反 相器，上述電路之功能為—電壓位準移動器。 電晶體Trl5之源極連接至電源供應電壓Vr或程式電 壓V p p Η，汲^連接至電晶體T r丨7之汲極，閘極連接至電 晶體T r 1 8及I#。電晶體71>16之源極（端點（a))連接至 電流供應電或程式電壓VppH,汲極連接至電晶體 T r 1 8之汲極極連接至電晶體T r i 7之汲極。電晶體 Trl7具有一 之源極，及—閘極建接至反相器^之一 輸入。電晶1 8具有一接地之源極及一閘極建接至 反相器11之一輸出。一輸出ν〇ι是由電晶體Tri5之汲極 '電晶體Trl7之汲極及電晶體^16之閛極之共同連接點 擷取出來，而輸出V〇2是由電晶髏Trl6之汲棰、零晶體 TM8之汲極及電晶體Trl5之閘極之共同連接點（端點（b) 擷取出來《邏輯高準位5伏或低準位〇伏之信號選擇性 輸入至反相器之輸入端（端點（c))。 具有上述結構之開關電路221至223操作如下。當一高 準位信號作為鍵控信猇Ci輸入至反相器11之輸入端時， 高準位信號加於電晶體Trl7之閘極，使電晶體Trl7接通 並使其汲極（v〇1)為低準位。一低準位信號加至電晶體 T r 1 8之閙搔而使該電晶體斷開。因此，一低準位信號加 至電晶體Trl6之閘極，使電晶體Trl6接通，且使其汲極 (V 02)為高準位同時，一高準位信號加至電晶體Trl5 之閘極，使電晶體Trl5斷開。因此，程式電壓VppH提供 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） t請先閱讀背面之注意事項其填寫本育) 1-ir 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 409368 ΑΊ 二_Β7_ 五、發明説明（匕） 至，且此程式電壓VppH擷取為輸出V(j2e (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方面，當一低準位信號作為鍵控信號C ί輸入至度 相器1 1之輸入端時，一高準位信號加至電晶體T r 1 8之閘 極，使電晶體T r 1 8接通，並使V Q2為低準位。一低準位 信號加至電晶體Tr 17之閘極，使電晶體Trl?斷開。因此 ，一低準位信號加至電晶體T r 1 5之閘極，使電晶體T r 1 5 接通，並使V%為高準位。結果，一高準位信號加至電 晶體Trie之閘極，使電晶體Trie斷開，並使v〇2為低準 位。依此方式，V u選擇性提供至選擇線SL或被選擇單 元陣列C A之位元線B L。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上所述，雖然在傳統之EEPROM中，程式電壓VppL足 以支援提供給單元電晶體CTrll較大之電壓，仍以高於 程式電壓VPPL之VppH提供給選擇電晶體STrll及STrl2。 因此，必須使用具有較高汲極源極耐電壓之電晶體作為 選擇電晶體STrll及STrl2。因此，汲極與源極之距離增 加以使選擇電晶體STM1及STrl2之有效涵蓋面積較大些 。由於行控制電路22供給之程式電壓VppH較値別選擇電 晶體S T r 1 1及S T r 1 2之汲極所需之電壓為高，因而必須使 用較大有效涵蓋面積之電晶體以提升其耐電壓，如此需 使用大型的EEPROM。 構成開關電路221至223之四個電晶體Trl5至Trl8所需 之源極及汲極耐電壓高於程式電壓VppH。譬如，當鍵控 信號C i為” (T時，電晶體T r 1 5及T r 1 8接通，程式電壓V p p Η 加至電晶體T r 1 6及T r 1 7之源極與汲極之間的點。度之， -8 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4ί!格（210X297公釐） 409368 A7 A7 _ . ._B7_ 五、發明説明（？） (#先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 當鍵控信號C i為” 1 ",程式電壓V P P Η加至電晶體T r 1 5及 T r 1 8之源極與汲極之間的點c因此，上述四痼電晶體 T r 1 5至T r 1 8之艏別源汲極耐電壓需大於程式電壓 VppH〇 如上所逑，整個元件有數百锢開關電路221至223,且 電晶體ΤΓ15至Trl8之數目總計一千以上，這是因為其數 目為開關電路四倍之多。即使每一電晶體涵蓋之面積很 小整個元件増加的面積卻很可觀。如何減少大數目電晶 體佔有之面積實為一困難之問題。 一般熟知藉安置一負電壓之電源供應可相對減少加於 行控制電路之電壓。然而於此實例中，輔助電路之數目 增加。譬如，除了産生負電荷之電荷泵電路外，亦需要 一産生正電荷泵之電荷泵電路，或是一變換正電壓與負 電壓之特殊電路。此外，由於正電壓及負電壓産生於相 同之電晶體，製造電晶體之步驟増加，且電晶體之設計 須考慮控制電壓在一適當之區域 薛明概沭 因此，本發明之目的在於提供一種非揮發性半導體儲 存裝置，藉減少電晶體佔有之面積以提高積體化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之非揮發性半導髏儲存裝置至少具有多個非揮 發性記億單元，由單元電晶體構成並排列為矩陣形式， 單元電晶體包含一漂浮閘，位於由數値字元線及數値位 元線形成之交點處，其功能至少包括對於選擇記億單元 .之寫入模式及數個該記億單元之抹除模式，包含： 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 409368 A7 B7 五、發明説明（J ) 一位址選擇雷路，具有一第一電壓，由該第一電壓構 成之一選擇信號加於該字元線， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一電壓建立電路，其建立之一第二電壓較該第一電壓 低一指示電壓， 一行控制電路，具有該第二電壓，且題擇性提供該第 二電壓構成之一第一信號或由低於該第二電壓之第三電 壓所構成之一第二信號於一被選定之位元線。 於非揮發性半導體儲存裝置中，因為提供給行控制電 路之電壓低於傳統非揮發性半導體儲存裝置提供之電壓 ，因此，一電晶體，譬如用於行控制電路之一金屬氧化 物半導體電晶體，.可具有一較低之汲極源極耐電壓及一 較小之通道長度。因為第一信號及第二信號加於選定之 位元線時，皆小於第二電壓，因此，一電晶體，譬如由 該信號所供給之一金屬氧化物半導體電晶體，可能具有 一較低之汲極源極耐電壓及一較小之通道長度。因此， 由行控制電路等所佔有之面積可減少且更進一步獲致非 揮發性半導體儲存裝置之高度積體化。 圔甙簡Μ說明 第1圖為顯示一傳統EEPR0M之主要部分的電路圖； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2圖為加於各節點之電壓狀態表； 第3圖為顯示於第1圖之一行控制電路之方塊圖； 第4圖為顯示於第3圖之開關電路之細部方塊圖； 第5圖為根據本發明之一實施例之EEPR0M主要部分之 電路圆；以及 -10-本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 409368 A7 B7 示與第5圖不同的電壓建立電路。 木發明夕島茌甯旆例 現在將參考相關圖示以更明確描述本發明。 筮1 啻描ί Μ 第5圔為根據本發明之一實施例之EEPR0M主要部分之 電路圖。 此EEPR0M具有數個非揮 列，其中各交叉點是由數 線S L之數個位元線B L構成 五、發明説明（？ (位址選擇電路）1 1、一行 1 5、及一電荷泵} 3提供所 解碼器11經由延伸於列方 億單元，行控制電路1 2則 直方向延伸之位元線B L而 選擇電晶體STrl.、STr 成記億單元之單元電晶體 之内。字元線WL連接於選 發性記憶單元，以陣列方式排 痼字元線WL以及對應於一選擇 。此EEPR0M尚具有一 X解碼器 控制電路1 2、一電壓建立電路 需電壓給電壓建立電路1 5。X 向之橱別字元線W L而建接至記 經由選擇線SL及與字元線WL垂 連接至記憶單元。 2，以及具有一漂浮閘F G且構 CTr 1皆安置於一單元陣列CA 擇電晶體S T r 1及S T r 2之値別 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 體等 晶相 電乎 擇幾 選此 0 彼 G2壓 及電 G1限 極臨 閘其 及 由 是 構 體 晶 電 擇 0 連 極 汲 之 體 晶 電 元 單 至 接 連Γ2ΟΤ 極ST體 源體晶 而晶電 ， 電元 SL擇單 線選至 擇。接 選CG連 至極極 接閘源 制而 控 ， 之 B 1 線 ΤΓ元 rJ 位 至 接 。 連極 極汲 汲之 之 1 選一 一 至 至接 接連 連可 1 亦 Γ C Γ 體 C 晶體 電晶 元電 單元 一 單 ,痼 中數 例但 施 ， 實Γ2 本ST 於體 然晶 雖電 擇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 409368 A7 B7 五、發明説明（I。） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 選擇電晶體STrl 。因此，一選擇線SL及數個位元線BL 連接至一行控制電路1 2。數舾行控制電路1 2沿列的方向 配置。 電壓違立電路15具有一分開裝置，由電壓産生電晶體 DTr及負載電路（定電流電路）16彼此串级連接組成。當 電荷泵13提供一程式電皭VPPH(譬如約18伏）作為第一電 壓時，電壓産生電晶體DTr産生程式電壓VppL(醫如約15 伏）作為第二電壓，且小於第一電壓逹一指示電壓值。 電壓建立電路15檢測使用負載電路16時，程式電壓 VppH及VppL之輸出電壓，當輸出電壓超過一指示電壓時 停止電荷泵之操作，當輸出電壓低於指示電壓時，重 新啓動電荷泵之操作。電壓建立電路15分別提供程式電 壓VppH及VppL給X解碼器11及行控制電路12。電壓産生 電晶體β T r由N Μ 0 S電晶體組成，其臨限電壓與選擇電晶 髏STr 1及STr2之臨限電壓同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施例之電壓産生電晶體DTr使用下述基本原理。 當程式電壓VppH加於汲極D ,且依二極體連接狀態，其 中該電壓産生電晶體DTr之閘極G3及汲極D彼此連接， 此時，程式電壓VppL將自源極S輪出。此程式電壓VppL 可藉由程式電壓VppH減除一順向電壓降或一臨限電壓 V t h而獲得。 程式電壓V P P L為單元電晶體C T I·].寫人或抹除操作時 所需，其大小應考慮單元電晶體CTrl之物理性質及寫入 時間。程式電壓VppH用以接通選擇電晶髏STrl及STr2。 本紙張又度逋用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐） 409368 b7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 () 1 1 由 於 單 7C 電 Ft ΗΠ 體CT r 1之 汲極 電 壓 » 亦 即選擇 電 晶體 ST r 1. 1 1 及 ST r 2 之 源 極 電壓 為程 式電 壓 VppL » 因此， 藉 增加 一 臨 1 1 限 電 嚓 Vth , 卽選擇電晶體s T v 1 及 STr 2之臨限電壓至程 請 I 式 電 壓 V Ρ ϊ> L 而 獲得 之電 壓必 須 加 於 閘 極，否 則 選擇 電 晶 先 閱 讀 1 1 m S T r 1 及 S Τ r Z 將無 法接 通。 亦 卽 Λ 須 遵守以 下 不等 式 背 1 ] VppH >; VppL + V t h 注 意 1 X 解 碼 器 1 1之電 路功 能為 根 據 __. 位 址信號 以 選擇 1 字 事 項 再 1 1 元 線 WL » 並 産 生一 題擇 信號 t 白 程 式 電壓V ρ ρ η 選擇 字 元 寫、 i 程 電壓 本 線 WL f 該 式 電壓 是由 建 立 電 路 15提供 〇 頁 W-· 1 行 控 制 電 路 1 2具 有一 由選 擇 線 SL及 對應該 選 擇線 SL之 1 1 數 値 位 元 線 BL組成 之單 元* 該 行 控 制 電路位 於 早兀 陣 列 1 1 C A之 各 行 處 » 並且 由電 壓建 立 電 路 15提供之 VR及程 式 電 Ίτ V P P L 而 産 生 —第 一及 第二 信 號 » 第 二信號 由 〇伏 構 成， 亦 m 第 電 Μ ,且 小於 程式; 電 壓 VppL 〇 1 1 在 本 實 施 例 之ΕΕ PR0H中， 被 選 擇 之 記億單 元 之選 擇 電 1 I 晶 體 ST I* 1及 ST r2之 個別 閱極 G1及 G2於 寫入模 式 時經 由 字 1 I 元 線 WL 而 偏 壓 至程 式電 壓 VppH 〇 於 此 階段， 由 於行 控 制 \ τ 電 路 1 2 經 由 選 擇線 S L將 選擇 電 晶 體 BS· ST rl之汲 極 偏壓 至 0 I 伏 9 單 元 電 晶 體CT r 1之 控制 閛 極 C G亦 偏壓至 0 伏。 同 時 1 1 ♦ 行 控 制 電 路 1 2經 由位 元線 B L 將 選 擇 電晶髏 ST I* 2之 汲 極 1 1 偏 壓 至 程 式 電 壓 V p p L , 且選 擇 電 晶 m m STr2 將 強 勢接 通 9 I 1 因 為 程 式 電 壓 V Ρ Ρ Η加於 其閘 極 9 且 «30 早 元電晶 腊 CT r 1 之 汲 l 1 極 偏 壓 至 程 式 電壓 VppL 〇因 此 9 寫 入 動作是 在 擷取 儲 存 1 1 於 漂 浮 閘 内 之 電椅 之後 執行 〇 當 "0 •'寫入單元電晶體CTrl 1 I "13- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 409368 A7 B7_ 五、發明説明（π ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 時，單元電晶體CTfl之控制閘極CG及汲極之電壓成為0 伏，因為選擇線SL偏壓至0伏，且位元線BL偏壓至0伏 。由於無電荷自漂浮閘FG擷取，因此抹除狀態得以 維持。 於抹除模式中，選擇電晶體STrl及STr2之個別閘極G1 及G2附於被選擇之記億單元，且經由字元線WL而偏壓至 程式電壓VppH。於此階段，由於行控制電路12經由選擇 線SL將選擇電晶體STrl之汲極偏壓至程式電壓VppL,因 此控制閛極CG亦偏壓至程式電壓VppL。同時，行控制電 路12經由位元線BL將選擇電晶體STr2之汲極偏壓至0伏 ，因而單元電晶體CTrM.之汲極偏壓至0伏。因此，電荷 注入於漂浮閘F G以執行集體抹除。對於未選定之單元陣 列C A ,其中選擇線S L或字元線W L為0伏，旦位元線B L亦 為0伏，因此無抹除動作發生。 電壓建立電路5不限制僅由電壓産生電晶體D T r及負 載電路16組成，如第5圖所示，如第6圖所示之其他組 態亦可使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第GA圖顯示一使用定電流源（定電流電路>1以取代第 5圖之負載電阻1(3之實例。於此例中，分開裝置是由NM0S 電晶體構成，具有一閘極及一汲極，彼此連接且連接至 定電流源Ϊ,第6B圖顯示另一實例，其中第5圖之電壓 産生電晶體D r由數個二極體取代。於此實例中，分開裝 置是由二極體D及負載電阻16構成。 第6C圖顯示g —實例，其中電壓産生電晶體DTr由一 -14-本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } A4規格（2丨0X297公釐） A7 B7 409368 五、發明説明（〇) (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 負載R 1取代，目.輸出電壓是依負載電阻R 2及負載電阻R 1 之間的tb率值而定。於此例中，分開裝置是由數個電阻 R 1及ΪΪ 2以串级聯接而構成。 在第GI)的實例之中，電壓建立電路是由一電晶體T、 一電阻R及一標準電壓源E構成。於此例中，低於標準 電壓源E逹電晶體T的臨限電壓Vth之一電壓可於電晶體 T之汲極處獲得。另外在第6E圖之電壓建立電路實例中 ，程式電壓VppL是由另一電荷泵132提供。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本實施例之EEPR0M中，行控制電路12之電晶體及單 元陣列CA之電晶體STrl及STr2於程式電壓VppL操作，且 小於傳統K E P R 〇 Μ之電壓。因此，行控制電路1 2中之電晶 髏源極汲極耐電壓及電晶體STr與STr2之源極汲極耐電壓 可小於傳統E E P R 0 Η之電壓，如此，若操作電流相同，因 降低電壓而使消耗之電功率亦能減少。其中之一優點為 電池具有一較長之壽命。由於上逑電晶體之通道長度可 減少以降低佔用面積及電晶體尺寸，因而可獲致更高之 積體化。若汲極電壓等於程式電壓Vp ρ Η ,則行控制電路 1 2之電晶體通道長度及單元陣列C Α之電晶體S T r 1及S T r 2 之通道長度大約為7徹米，若汲極電壓等於程式電壓 V p p L ,則上述之通道長度大約為5徹米。即使單一電晶 髖減少之佔用而積很小，但是對於整値裝置而言，含有 數個行控制電路，其中電晶體之總佔用面積可因而大大 的降低。 如上所逑，因加於記憶單元之電壓與傳統使用之電壓 -1 5 -本紙張尺度逋用中國國家標举（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 409368 at B7五、發明説明（Μ ) 相同，因此使用傳統記憶單元時，無須做修改。 上逑實施例之説明僅針對某些例子，但本發明並不限 於上逑實施例，熟習該項技術者可做若干修改或變更而 不致背離本發明之精神。 _符號之説明 1. 1......X解碼器 12......行控制電路 1 3 .··..·電向栗 15 ......電壓建立電路 16 ......負載電路 21......X解碼器 2 2......行控制電路 2 3......電荷泵 25 ......電壓建立電路 26 ......負載電路 2 2 1,2 2 2 , 2 2 3 .....開關電路 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（2[0Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) l·訂 V, άν