TW402551B - Polishing pad used for chemical mechanical polishing of semiconductor substrate - Google Patents

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Description

402551 A7 _____B7 _____ 五、發明說明（/ ) 發明背景 1、技術領域 本發明係相關於一種半導體裝置，本發明尤其相關於 一種用於半導體基板之化學機械拋光（CMP)的拋光墊 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2、相關前技之說明 當半導體裝置之整合度變得更高時，對於平面化程序 的興趣係連續地增強。化學機械拋光（C Μ P )裝置係爲 一種用於實現平面化程序的設備。化學機械拋光（CMΡ )裝置係被使用來執行半導體裝置整體性的平面化。一個 半導體基板之一個表面係藉由化學機械拋光（C Μ P )裝 置來進行拋光，而此係由於半導體基板與一拋光墊之接觸 而經由化學成分之操作，並且由於砂漿而藉由化學成分所 完成者。 化學機械拋光平面化程序係具有諸等問題’例如是高 成本以及半導體基板之表面拋光厚度之不規則性等等。不 規則的拋光係爲由於運用在半導體基板上之負載的不均勻 分布所導致者。而此等負載之不均勻分布係取決於負載於 半導體基板之整個表面上的分布程度而定。因此，一個能 夠精確控制負載分布之控制器係爲必須者。 然而，負載分布之精確控制係被限制在拋光具有大約 1 5 0 mm直徑以及小於或等於1 厚度至數百埃厚度 之半導體基板中。同樣地，使用化學機械拋光（CMP ) 4 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 *SJ· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） B7 402551 五、發明說明（2) 之拋光的均勻度係取決於其上固定有半導體晶圓之載具的 旋轉速度、其上固定有拋光墊之拋光台的旋轉速度、拋光 塾之表面狀態以及負載分布而定。拋光之非均句性在典型 的情況下係大略爲1 0 %。 因此’拋光墊以及控制器係必須被改良。拋光墊典型 地係具有一個拋光表面’而在該拋光表面上係均勻地形成 有複數個穿孔或溝槽。該等穿孔或溝槽係容納有被運用至 該拋光墊上之砂漿，並且將該砂漿供應至介於該半導體基 板與該拋光墊之間的界面。同樣地，拋光墊接觸半導體基 板之有效拋光表面（亦即實際接觸表面積）係藉由該等穿 孔或溝槽所決定者。因此，該等穿孔或溝槽之尺寸或形式 對於拋光品質而言係具有相當大的影響。 拋光墊之該等穿孔或溝槽係被形成在中央以及邊緣區 域上，並且形成在一個相應於拋光墊接觸半導體基板之區 域的軌道上。因此，當不規則拋光發生之時，也就是說介 於半導體基板中央與邊緣之拋光量存在有差異之時，要對 此種不規則拋光進行補償是相當困難的。也就是說，即使 一個接觸到半導體基板之拋光墊區域被移動，在同一個拋 光墊中形成溝槽或穿孔之狀況係爲相同者，而使得不規則 拋光無法被抑制。 發明槪要 本發明之目的係爲提供一種用於實現半導體基板之規 貝1J機械抛光的抛光墊。 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]〇χ297公釐） -----------•裝---------訂-J. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402551 a? ____ B7 五、發明說明（3 ) 根據本發明用以達成上述目的之一個方面，其係提供 有一個拋光墊’該拋光墊係包括有：一個拋光表面，該拋 光表面係經由砂漿來拋光半導體基板的一個表面；一個第 一拋光區域，該第一拋光區域係形成在該拋光表面上而具 有一個第一深度、一個第一寬度、以及一個第一間隔，該 第一拋光區域係具有複數個充滿砂漿之第一砂漿容置機構 ，該等砂漿容置機構係具有一個相對於該拋光表面之單位 面積的第一容積比率；以及一個第二拋光區域，該第二拋 光區域係接觸到該第一拋光區域，該第二拋光區域係被形 成在該拋光表面上而具有一個第二深度'一個第二寬度、 以及一個第二間隔，該第二拋光區域係具有複數個充滿砂 漿之第二砂漿容置機構，該等砂漿容置機構係具有一個相 對於該拋光表面之單位面積的第二容積比率，而此第二容 積比率係不同於該第一容積比率。 在這個時候’該第一機構以及該第二機構係可以爲形 成於拋光表面上的一個穿孔或一個溝槽。同樣地，該等第 一深度、第一寬度、以及第一間隔係可以分別不同於該等 第二深度、第二寬度、以及第二間隔。 同樣地，抛光墊係更可以包括有一個第三拋光區域， 該第三拋光區域係具有一個第三深度、一個第三寬度、以 及一個第三間隔，該第三拋光區域係朝向該第二拋光區域 ，並且係具有複數個第三砂漿容置機構，該等砂漿容置機 構係具有一個相對於該拋光表面之單位面積的第三容積比 率，而此第三容積比率係不同於該第一容積比率。 6 本紙張尺度適州屮四四氺標(CNS)A.丨規烙（2丨〇 X 公坌） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----I--—訂 *!-1 II .^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印5衣 A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（4 ) 根據本發明之另一方面，其係提供了一種拋光墊，該 拋光墊係包括有：一個拋光表面，該拋光表面係經由砂漿 來拋光半導體基板的一個表面；一個第一拋光區域，該第 一拋光區域係形成在該拋光表面上而具有一個第一深度、 一個第一寬度、以及一個第一間隔，該第一拋光區域係具 有複數個充滿砂漿之第一砂漿容置機構，該等砂漿容置機 構係具有一個相對於該拋光表面之單位面積的第一容積比 率：一個第二拋光區域，該第二拋光區域係接觸到該第一 拋光區域’該第二拋光區域係被形成在該拋光表面上而具 有一個第二深度、一個第二寬度、以及一個第二間隔，該 第二拋光區域係具有複數個充滿砂漿之第二砂漿容置機構 ，該等砂漿容置機構係具有一個相對於該拋光表面之單位 面積的第二容積比率，而此第二容積比率係不同於該第一 容積比率；以及一個第三抛光區域，該第三拋光區域係形 成在該第一拋光區域上而具有一個第三深度、一個第三寬 度、以及一個第三間隔，該第三拋光區域係朝向該第二拋 光區域’並且係具有複數個充滿砂漿之第三砂漿容置機構 ，該等砂漿容置機構係具有一個相對於該拋光表面之單位 面積的第三容積比率，而此第三容積比率係不同於該第__ 容積比率。 p示簡單說明 本發明之上述目的及優點將藉由參照伴隨的圖示，進 而詳細地說明本發明之一個較佳實施例而將變得更爲顯明 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A.l規格（210 X 297公釐） I n n I n n n —J * i t i n 一s 口，Γ 1· n I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、 4035^ 五、發明說明（ί：) ，其中之圖示係爲： 第一圖係爲一個化學機械拋光裝置之示意圖； 第二圖以及第三圖係分別爲根據本發明第一實施例之 拋光墊的平面圖及截面圖； 第四圖以及第五圖係分別爲根據本發明第二實施例之 拋光墊的平面圖及截面圖； 第六圖以及第七圖係分別爲根據本發明第三實施例之 拋光墊的平面圖及截面圖； 第八圖以及第九圖係分別爲根據本發明第四實施例之 拋光墊的平面圖及截面圖； 第十圖以及第十一圖係分別爲根據本發明第五實施例 之拋光墊的平面圖及截面圖； 第十二圖以及第十三圖係分別爲根據本發明第六實施 例之拋光墊的平面圖及截面圖； 第十四圖以及第十五圖係分別爲根據本發明第七實施 例之拋光墊的平面圖及截面圖； 第十六圖以及第十七圖係分別爲根據本發明第八實施 例之拋光墊的平面圖及截面圖； 第十八圖以及第十九圖係分別爲根據本發明第九實施 例之拋光墊的平面圖及截面圖； 第二十圖以及第二十一圖係分別爲根據本發明第十實 施例之拋光墊的平面圖及截面圖；以及 第二十二圖係爲一個圖表，其係顯示了在根據本發明 一個實施例之每一個拋光墊中在特徵上的改變。 8 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ · I I-----^ ..--------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國0家標準（CNSM.1規格（2】0 X 297公釐〉 經濟部智慧財產局員工消費合作社 40¾¾51_ B7_ 五、發明說明（6 ) 鮫佳實施例詳細說明 本發明現在將參照伴隨之圖示來加以更完整地敘述， 其中本發明之較佳實施例係顯示在圖示之中。然而，本發 明係可以以許多不同形式來實施’並且不應被限制在下文 中所述之實施例中，這些實施例係被提供而使得此一揭示 將能夠更加完整與完全，並且能夠將本發明之觀念傳達給 那些熟習此技之人。在圖示中，構件與區域之形狀爲了淸 楚起見係被誇大地表示，並且在不同圖示中之相同元件符 號係代表相同之構件。 根據本發明之實施例，一個經由砂漿而對半導體基板 之一表面進行拋光的拋光墊係具有諸區域，而在該等區域 中，拋光量係可以根據狀況而加以改變。舉例來說，拋光 表面係包括有一個第一拋光區域，該第一拋光區域係具有 複數個第一砂漿容置機構，例如是複數個第一溝槽或穿孔 ，並且拋光表面鄰近該第一拋光區域之一部份係包括有一 個第二拋光區域，該第二拋光區域係具有複數個第二砂漿 容置機構，例如是複數個第二溝槽或穿孔。 該第一拋光區域係被界定爲介於一個從拋光表面中央 之第一半徑與一個第二半徑之間的區域，並且該第二拋光 區域係被界定爲介於該第二半徑與一個第三半徑之間的區 域。舉例來說，該第一半徑係可以爲從拋光表面中央至其 邊緣的距離，並且該第二半徑係可以小於該第一半徑並且 大於該第三半徑因此，該第一拋光區域係鄰近於拋光墊之 邊緣’並且該第二拋光區域係包括有拋光墊之拋光表面的 ______ 9 (度適用中國國家標準（CNS)A.丨規格⑵Qx 297公爱） -- — — —— — — 裝---I !訂 ί I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 402&51 五、發明說明（7 ) 中央。 同樣地，例如是複數個第二溝槽或穿孔的該第一砂漿 容置機構係具有一個第一深度、一個第一寬度、或者/以 及一個來自該拋光墊中央的第一間隔。同樣地，例如是複 數個第二溝槽或穿孔的該第二砂漿容置機構係具有一個第 二深度、一個第二寬度、或者/以及一個第二間隔。該第 一深度、第一寬度、或者/以及第一間隔係分別不同於該 第二深度、第二寬度、或者/以及第二間隔。因此，例如 是該第一溝槽或穿孔之該第一砂漿容置機構在該第一拋光 區域上每拋光表面單位面積之容積係不同於例如是該第二 溝槽或穿孔之該第二砂漿容置機構每單位面積之容積。 因此，第一拋光區域與該第二拋光區域中每單位面積 所供應之砂漿量是不同的，以使得由於化學成分之拋光量 係可以爲不同者。同樣地，第一拋光區域與該第二拋光區 域中拋光表面之位相幾何（t ο ρ ο 1 〇 g y )是不同的 ，而導致在接觸到具有該第一拋光區域之半導體基板表面 的情況與接觸到具有該第二拋光區域之半導體基板表面的 情況之間的拋光量係爲不同者，亦即由於化學成分所造成 拋光量之不同。 同樣地，當拋光表面接觸到半導體基板表面時，介於 該第一拋光區域與該第二拋光區域之間的局部壓力係爲不 同者。因此，在所供應砂漿量上的差別、接觸面積、或者 是局部接觸壓力係會導致半導體基板表面在該第一拋光區 域以及該第二拋光區域中之拋光量產生不同。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----I--訂 >---------f * ! 經濟部智慧財產局員工消貲合作社印製 本紙張尺度適用中0國家標準（CNS)A'l規格（210x 297公釐） 402551 A7 B7_ 五、發明說明（& ) 在半導體基板之表面上的拋光不規則性係可以藉由使 用在該第一拋光區域以及該第二拋光區域中拋光量或拋光 狀況之不同而進行補償，此將參照第一圖來加以說明。 如同在第一圖中所顯示者，一個化學機械拋光（CM P )設備係包括有一個拋光台1 5 0以及一個載具5 5 0 。一個拋光墊1 0 0係被附接至該拋光台1 5 0的整個表 面，以使得拋光表面係能夠朝向半導體基板3 0 0的表面 。該拋光墊1 0 0係藉由以一預定旋轉速度來旋轉該拋光 台1 5 0而被旋轉。 該載具5 5 0係藉由載具基座5 1 0來固定該半導體 基板3 0 0，以使得該半導體基板3 0 0欲拋光的一個表 面係能夠朝向該拋光墊1 0 0的表面。同樣地，該載具5 5 0係可以旋轉、水平地移動、或是震盪，以使得該半導 體基板3 0 0係能夠被旋轉或是被移動。同樣地，負載係 被運用至該載具5 5 0，用以使該半導體基板3 0 0的表 面能夠接觸到該拋光表面。 該半導體基板3 0 0係經由該載具5 5 0與該拋光台 1 5 0之旋轉及移動，以及一種藉由一個硏磨劑供應機構 (並未顯示）所供應之例如是砂漿4 0 0之化學硏磨劑而 被化學地以及機械地拋光。 該拋光墊1 0 0係被裝設在該化學機械拋光（C Μ P )設備之拋光台1 5 0上。接著，該半導體基板3 0 0係 藉由該載具5 5 0而被移動，用以與該拋光墊1 0 0之拋 光表面相接觸。該半導體基板3 0 0係接觸到該拋光墊1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂----------！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (CNS)Al 規格（210x297 公楚） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402551_E_ 五、發明說明（）） 〇 〇的一個區域，例如是第一拋光區域。接著，拋光係藉 由使該拋光台語該載具5 5 0旋轉而被執行。在拋光期間 ，該半導體基板3 0 0係被下壓，用以接觸該拋光墊1 0 0之拋光表面。 該半導體基板3 0 0之表面係被拋光，該半導體基板 3 0 0之表面係可能由於運用在該半導體基板3 0 0上壓 力之不規則性而被不規則地拋光，或者由於該半導體基板 3 0 0之表面狀況之不規則性而被不規則地拋光。舉例來 說’在該半導體基板3 0 0之表面邊緣上的拋光量係可以 大於或小於在其中央處的拋光量。 當不規則拋光發生時，該載具5 5 0係會震盪，或者 相對於該拋光墊而產生水平移動，以使得該半導體基板3 〇 〇之表面邊緣係會遠離該第一拋光區域並且接觸到該第 二拋光區域。此係會導致在拋光量或拋光狀況上的改變， 而使得不規則拋光係能夠被補償。 舉例來說，當該半導體基板3 0 0之表面係被覆蓋以 一層氧化物層時，接近邊緣之拋光量係可以被增大。在這 樣的情況中，該第一砂漿容置機構係被形成在該第一拋光 區域中來增大拋光量，並且該第二砂漿容置機構係被形成 在該第二拋光區域中來降低拋光量。 舉例來說，例如是該第一穿孔或該第一溝槽之該第一 砂费容置機構係被形成在該第一拋光區域上，該第一拋光 區域係具有一個較該第二溝槽或是該第二穿孔之第二深度 爲深之第一深度，一個較該第二溝槽或是該第二穿孔之第 本紙張尺度適用中园國家標率（CNS)A‘l規格（210x297公楚〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ02551__2Z_ 五、發明說明（π ) 二寬度爲寬之第一寬度’或是一個較該第二溝槽或是該第 二穿孔之第二間隔爲小之第一間隔。在這一種情況中，被 供應至於該第一拋光區域中被拋光之接觸表面上的砂漿量 係多過於在第二拋光區域之中者。 當該半導體基板3 0 0邊緣之表面在上述狀況之下而 由於該載具5 5 0之水平移動或震盪而接觸到該第二拋光 區域時，經由砂漿而在接近該半導體基板3 0接觸該第二 拋光區域之邊緣表面上所產生的化學反應係小於在半導體 基板3 0 0接觸到該第一拋光區域之中央處所產生者。因 此，接近半導體基板3 0 0之表面邊緣處之拋光量係小於 在中央處所產生者。因此’接近邊緣處所產生之抛光量係 藉由部分地抑制拋光量而被補償。因此，在半導體基板3 0 0表面上所產生之拋光規則性係可以被實現。 此係以假設當砂漿量被增加並且拋光之其他狀況係被 維持相同之時，氧化物層之拋光量係被增加爲基礎。然而 ，當砂漿供應量被增加並且其他狀況係被改變之時，拋光 量係可以被降低。但是，在例如是第一穿孔或第二出孔之 第一砂漿容置機構或是第二砂漿容置機構之形式上的改變 係可能導致在局部壓力或是接觸面積上的改變。因此，較 佳的情況係爲必須了解到具有不同拋光量之區域是可以根 據本發明之實施例而加以實現者。 在這個時候，在中央處之拋光量係爲較小之不規則拋 光的情況中，該拋光墊10 〇所具有之狀況係相反於上述 狀況，亦即一個第二拋光區域係被提供，以使得拋光量係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS),\.丨規格（210 x 297公釐） — — — — —----·裝---I! II 訂一· — —··*·1 f . . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（丨丨） 被增加，，並且拋光係從該第一拋光區域開始。接著，接 近半導體基板3 0 0邊緣之表面係由於該載具5 5 0之震 盪或水平移動而接觸到該第二拋光區域，以使得接近邊緣 處之拋光係可以被補償。 例如是該第一拋光區域以及該第二拋光區域等等具有 每單位面積不同容積之區域係被提供至該拋光墊100之 拋光表面，以使得不規則拋光係可以藉由該載具5 5 0之 震盪或水平移動而被補償。 第二圖以及第三圖係分別爲根據本發明第一實施例之 拋光墊的平面圖及截面圖。 根據第一個實施例，一個圓盤類型之拋光墊1 〇 〇係 具有一個例如是拋光表面之頂部表面，而在該表面上係形 成有不同的區域。舉例來說，一個第一拋光區域1 〇 3係 被形成在該拋光表面之中央，並且一個第二拋光區域1 〇 5係被形成而接觸到該第一拋光區域1 〇 3。也就是說， 該第二拋光區域1 〇 5係藉由一個第二半徑所界定，該第 二半徑係小於一個第三半徑’該第三半徑係爲介於拋光表 面中央與其邊緣之間的距離。同樣地，該第一拋光區域1 0 3係藉由小於該第二半徑之第一半徑所形成。較佳的情 況是’該第一半徑係等於零。 較佳的情況是’（第一圖中之）該半導體基板3 〇 〇 之表面係接觸到該第一拋光區域1 〇 3。也就是說，較佳 的情況是該第一拋光區域1 〇 3之寬度係與該半導體基板 之直徑一樣寬。複數個第一穿孔1 4 7係被形成在該第一 氏張尺^適用中國國家標準（CNS)A.丨規格（210x 297公釐) -- · ^--------訂 _--------<ΛI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 402551_2Z_ 五、發明說明（Γ-） 拋光區域1 0 3之中而作爲第一砂漿容置機構。該第一穿 孔1 4 7係具有一個第一寬度、一個第一深度1 6 7、以 及/或者被彼此分離一個第一間隔1 5 7。同樣地，複數 個第二穿孔1 1 7係被形成在該第二拋光區域1 〇 5之中 而作爲第二砂漿容置機構。該第二穿孔1 1 7係具有一個 第二寬度、一個第二深度1 3 7、以及/或者一個第二間 隔 1 2 7。 參照第二圖以及第三圖，該第一穿孔1 4 7係不同於 該第二穿孔1 1 7。舉例來說，該第一穿孔1 4 7所具有 之深度係較該第二穿孔1 1 7之第二深度1 3 7爲淺，該 第一穿孔1 4 7所具有之寬度係相同於或是窄於該第二穿 孔1 1 7之第二寬度，以及/或者該第一穿孔1 4 7所具 有之間隔1 5 7係大於該第二穿孔1 1 7之第二間隔1 2 7。同樣地，該第一穿孔1 4 7在每單位面積之數目係小 於該第二穿孔117在每單位面積之數目。 因此，該拋光表面之該第一穿孔1 4 7於每單位面積 上的容積係小於該拋光表面之該第二穿孔117於每單位 面積上的容積。這表示的是充滿該第一穿孔1 4 7的砂漿 量係少於在該第二穿孔1 1 7中的砂漿量。因此，被供應 至半導體基板3 0 0與該第一拋光區域1 0 3相接觸之表 面上的砂漿量係少於被供應至半導體基板3 0 0與該第二 拋光區域1 0 5相接觸之表面上的砂漿量。 因此，該第一拋光區域1 0 3之化學拋光成分係少於 在第二拋光區域之中的化學拋光成分。這所表示的是，如 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) < ^ I--I I I I ^ · I------------I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Al規格（210 x 297公釐） 402S51 A7 五、發明說明（β ) 果拋光之其他狀況係爲相同，則第二拋光區域1 〇 5之拋 光量係大於第一拋光區域1 0 3之拋光量。 因此，如同在第一圖中所描述者，拋光係在設定該半 導體基板3 0 0之位置之後而被執行，以使得其係接觸該 第一拋光區域1 〇 3，並且接著該載具5 5 0係被水平地 移動或震盪至該第二拋光區域1 〇 5，從而對半導體基板 3 0 0邊緣處之較低拋光量進行補償。也就是說，當該半 導體基板3 0 0之邊緣係由於震盪而延伸越過該第二拋光 區域1 0 5時，邊緣之拋光量係可以被增加。因此，該第 一拋光區域1 0 3邊緣處之較低拋光量係可以被補償。 在這個時候，當該第一穿孔1 4 7之該第一間隔1 5 7係大於該第二穿孔1 1 7之該第二間隔1 2 7之時，拋 光表面接觸到該半導體基板3 0 0表面之區域（亦即接觸 區域）係會增加。因此，機械拋光之部分係可以在該第一 拋光區域1 0 3中相當地增加。因此，在個別區域中之抛 光量係可以相關於由於在所供應之砂漿量上的不同所造成 之化學以及機械拋光部分而被決定。 同樣地’該第一深度1 6 7係小於該第二深度1 3 7 ，以使得一個局部壓力係由於被運用在接觸半導體基板3 0 0之負載而被改變。也就是說，當該等寬度以及該等間 隔係爲相同之時’該第二深度1 3 7係較該第一深度1 6 爲深，以使得相對於在該第二拋光區域1 0 5中接觸面積 之局部壓力係會增加。因此，該第二拋光區域1 0 5之拋 光量係可以被相當地增加。 16 本紙張尺度適用个國國家標準（CNS)A1規格（2丨〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·！ I I ! I 訂!··Α 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 —tmst--- 五、發明說明（川） 第四圖以及第五圖係分別爲根據本發明第二實施例之 拋光墊的平面圖及截面圖。 根據第二實施例，就像是在第一實施例之中，該第一 拋光區域1 0 3係被設定，並且接著第二拋光區域2 0 5 係被設定，該第二拋光區域2 0 5係具有一個穿孔，而該 穿孔之尺寸係與該第一拋光區域1 0 3之穿孔尺寸不同。 在第一實施例與第二實施例中相同的元件符號係代表相同 之構件。 詳細來說，根據本發明之第二實施例，作爲第二砂漿 容置機構之該等第二穿孔119係具有一個第二深度13 9、第二寬度、以及第二間隔1 2 9。該第二深度1 3 9 係可以等於或是深於該第一深度1 6 9。同樣地，當每單 位面積之第二穿孔119的數目係相同於每單位面積之該 第一穿孔1 4 9的數目之時，該第二穿孔1 1 9之該第二 寬度係大於該第一穿孔1 4 9之該第一寬度，以使得該第 二間隔1 2 9係相當地小於該第一間隔1 5 9。上述之第 二拋光區域1 0 5係具有與該第一拋光區域1 0 3不同的 其他拋光狀況。 第六圖以及第七圖係分別爲根據本發明第三實施例之 拋光墊的平面圖及截面圖。 根據本發明之第三實施例，用以代替第一實施例中穿 孔之溝槽係被形成在拋光表面上。相同於第一實施例與第 二實施例中之元件符號係代表相同之構件。 詳細來說，該第一拋光區域1 0 3係包括有一個表面 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝--------訂--------»A 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A.l規格（2】〇χ297公釐） A7 B7 402551 五、發明說明（’ί) ，而具有第一深度1 6 7 >、第一寬度、以及第一間隔1 5 7 —之複數個第一溝槽1 4 7 /係被形成在該表面上。 該第二拋光區域1 〇 5係包括有複數個第二溝槽丨1 7 — ，每一個溝槽1 1 7 /係具有第二深度1 3 7 -、第二寬 度' 以及第二間隔1 2 7 >。該第一溝槽1 4 7 —係不同 於該第二溝槽1 1 7 /。舉例來說，該第一溝槽1 4 7 一 之深度係較該第二溝槽1 1 7 >之第二深度1 3 7 —爲淺 。該第一溝槽1 4 7 >之寬度係相同於或是窄於該第二溝 槽1 1 7 —之第二寬度。該第一溝槽1 4 7 /例如是該第 一間隔1 5 7 —之距離係較該第二溝槽1 1 7 —之該第二 間隔1 2 7 >爲大。每單位面積之該第一溝槽1 4 7 <的 數目係小於每單位面積之該第二溝槽1 1 7 >的數目。 因此，如同在第一實施例中所描述者，該第一溝槽1 4 7 -相對於拋光區域單位面積之第一容積率係小於該第 二溝槽1 1 7 —之第二容積率。因此，第一拋光區域1 〇 3之化學拋光成分係少於該第二拋光區域1 0 5之化學抛 光成分。假設拋光之其他狀況係爲相同，第二拋光區域1 0 5之拋光量係會大於該第一拋光區域1 0 3之拋光量。 因此，如同在第一實施例中所描述者，例如是邊緣較 低拋光量之不規則拋光情況係可以藉由該載具5 5 0 (參 見第一圖）之震盪或水平移動而被補償。 第八圖以及第九圖係分別爲根據本發明第四實施例之 拋光墊的平面圖及截面圖。 根據相似於第三實施例之第四實施例，溝槽係用以代 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Al規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I ·1111111 一6, ·1111111«. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402551_ 37__ 五、發明說明（丨(-) 替穿孔而被形成’以使得—個第—拋光區域丨Q 3以及― 個第二拋光區域1 〇 5係被形成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 詳細來說’第二砂駿容置機構係由該第二溝槽1 1 9 所構成，該第二溝槽1 1 9 -係具有一個第二深度丄3 9 、第一寬度、以及第二間隔。該第二深度1 3 g >係 可以等於或是深於該第一深度丨6 7 -。當每單位面積之 第二溝槽11g —的數目係相同於每單位面積之該第一溝 槽1 4 7的數目之時，該第二溝槽丄i 9 /之該第二寬度 係大於該第一溝槽1 4 7 >之該第一寬度，以使得該第二 間隔係小於該第一間隔1 5 7 -。第二拋光區域1 〇 5之 拋光狀況係不同於第一拋光區域1 〇 3之拋光狀況。 第十圖以及第十一圖係分別爲根據本發明第五實施例 之拋光墊的平面圖及截面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據第五實施例，一個穿孔係被形成在該第一拋光區 域1 0 3中’而此一穿孔係具有一個較第二拋光區域1 〇 1中穿孔深度爲淺的深度、—個較第二拋光區域1 〇 1中 穿孔寬度爲窄的寬度、以及/或者一個較第二拋光區域1 〇 1中穿孔間隔爲大的間隔。相同於第一實施例以及第二 實施例之元件符號係代表相同之構件。 詳細說來’該第〜拋光區域1 0 3係被形成在拋光表 面之邊緣上’並且第二拋光區域1 〇 1係被形成用以接觸 該第一拋光區域1 〇 3。該第一拋光區域1 0 3之半徑（ 亦即第二半徑）係小於第一半徑，該第一半徑係爲介於拋 光表面中央及其邊緣之間的距離。同樣地，第二拋光區域 B7 mhn 五、發明說明（θ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 Ο 1之半徑（亦即第三半徑）係小於該第二半徑，其中 該第三半徑係從該第二半徑處而被形成。較佳的情況是， 該第三半徑係等於零。較佳的情況是，在第十圖中，該半 導體基板3 0 0 (參見第一圖）係接觸到該第一拋光區域 10 3。 根據第五實施例，形成於該第一拋光區域1 0 3上之 第一穿孔1 4 8的第一深度1 6 8係較該第二穿孔1 7 8 之第二深度1 9 8爲淺。第一穿孔1 4 8的第一寬度係等 於或是窄於該第二穿孔1 7 8之第二寬度。該第一間隔1 5 8係大於該第二間隔1 8 8。拋光表面每單位面積之第 一穿孔1 4 8的數目係小於每單位面積之該第二穿孔1 7 8的數目。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*'1^ 在第二拋光區域1 0 1接觸到該第一拋光區域1 0 3 之位置係可以相反於顯示在第二圖以及第三圖中之第一實 施例者。也就是說，在第一實施例中，第二拋光區域1 0 5 (參見第二圖）係被定位在邊緣處，但是在第五實施例 中，第二拋光區域1 0 1 (參見第十圖）則係被定位在中 央處，用以接觸到該第一拋光區域1 0 3。在該第一穿孔 1 4 8與該第二穿孔1 7 8之間的關係則是相同於在第一 實施例之中者，並且其效果亦爲相同於在第一實施例之中 者。 在這個時候，根據第一實施例至第五實施例，穿孔或 溝槽係被形成，以使得該第一拋光區域每單位面積之第一 容積率係低於該第二拋光區域1 0 5或1 0 1每單位面積 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Al規格（210 X 297公釐） 五、發明說明（θ) 之第二容積率。但是，可以被理解的是’在第一實施例至 第五實施例中的穿孔或溝槽係可以被對稱地形成，以使得 該第一拋光區域每單位面積之第一容積率係高於該第二拋 光區域1 0 5或1 0 1每單位面積之第二容積率。 舉例來說，當該等穿孔於第十圖穿孔1 4 8被形成的 狀況之下而被形成在該第二拋光區域1 0 1之中時，並且 該第一拋光區域1 0 3係於第二穿孔1 7 8被形成的狀況 下而被形成時，一個拋光墊係可以被實現’於該拋光墊中 第一拋光區域1 0 3之第一容積率係高於該第二拋光區域 1 0 1之第二容積率。也就是說，具有拋光量相當小之第 二拋光區域101的拋光墊係可以被實現。 上述之拋光墊對於不規則拋光（例如是發生在半導體 基板3 0 0邊緣表面處之過度拋光）之補償係具有一定效 果。也就是說，當在半導體基板3 0 0接觸到該第一拋光 區域處之拋光過度時，該半導體基板3 0 0係會被移動， 以使得邊緣能夠延伸越過第二拋光區域。因此，第二拋光 區域之拋光量係爲很小者，從而可以對邊緣之過度拋光進 行補償。 第十二圖以及第十三圖係分別爲根_本發明第六實施 例之拋光墊的平面圖及截面圖。 根據第六實施例，其不像是第一實施例至第五實施例 ，於該第六實施例中該第二拋光區域1 〇 5係於在拋光表 面之邊緣處接觸到一開始與半板導體基板3 0 0接觸之該 第一拋光區域1 0 3 ’並且第三拋光區域1 〇 1係於拋光 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ! — I — I I 訂·1! 11 I, 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裂 A7 402&&1____^--- 五、發明說明（0) 表面之中央處接觸到該第一拋光區域1 0 3。也就是說 該第三拋光區域1 〇 1係爲被附加上去的。所附加上去的 拋光區域1 0 1係具有相同於？？ ？？？的效果。較佳的 情況是，第三拋光區域1 〇 1係具有與第二拋光區域1 0 5相同之狀況。同樣地，與第一實施例至第五實施例中相 同之元件符號係代表相同之構件。 詳細說來，第三拋光區域1 〇 1係被設定在半導體基 板的中央處’該第二拋光區域1 〇 5係被設定在半導體基 板的邊緣處’並且該第一拋光區域1 〇 3係被設定在一個 相應於被半導體基板3 〇 〇 (參見第一圖）所接觸到之表 面的軌道中。拋光係藉由使該第一拋光區域1 〇 3接觸至 半導體基板3 0 〇之表面而被執行。 —f重例如是穿孔或溝槽等等用於容納砂漿之機構係被 形成在拋光墊1 〇 〇之拋光表面上，用以使拋光所需之砂 漿4 0 0 (參見第一圖）供應至接觸表面處。舉例來說， 當砂發藉由一個拋光供應裝置而被供應至拋光墊1 〇 〇之 抛光表面時’例如是穿孔或溝槽等等砂漿容置機構係充滿 了砂浆’並且係接觸到半導體基板3 〇 〇之表面。所接觸 到的砂駿係與半導體基板3 〇 〇之表面產生化學反應，用 以改:變該表面之化學特徵。或學特徵被改變之位置係藉由 使拋光表面之接觸區域與半導體基板3 〇 〇之表面相接觸 而以機械方式移除。 根據第六實施例’諸穿孔係被形成作爲容置砂漿之機 構。詳細來說’複數個穿孔係以不同形式而被形成在第二 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM.1規 --------I-----I---I ---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ___B7__ 五、發明說明（〆） (請先閲讀背面之江意事項再填寫本頁) 拋光區域1 0 5、第一拋光區域1 〇 3、以及第三拋光區 域1 0 1上。也就是說，具有不同狀況之穿孔係被形成在 個別的區域之中，以使得拋光量係可以在不同區域中產生 變化。 詳細說來，該第二拋光區域1 〇 5係鄰近於拋光表面 之邊緣，並且複數個第二穿孔1 1 1係被形成在第二拋光 區域1 0 5之表面上，該等第二穿孔係具有一個第二深度 1 3 1 ' —個第二寬度、以及一個第二間隔1 2 1。該第 二穿孔1 1 1係在不同於第一拋光區域1 〇 3或者/以及 第三拋光區域1 〇 1的狀況下被形成。也就是說，深度、 寬度、以及間隔係可能會不相同。 舉例來說，當深度相同時，寬度以及間隔係可能會不 相同。同樣地，當寬度以及間隔相同時，深度係可能會不 相同。拋光表面於每單位面積之穿孔數係可以有所改變。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一拋光區域1 〇 3係與該第二拋光區域1 〇 5相接 觸，並且複數個第一穿孔1 4 1係被形成在拋光表面上， 其中該等第一穿孔係具有一個第一深度1 6 1、一個第一 寬度、以及一個第一間隔1 5 1。該等第一穿孔1 4 1係 爲不同於該等第二穿孔111或是/以及第三拋光區域1 0 1中之穿孔者。拋光區域於每單位面積之第一穿孔1 4 1的數目係不同於第二穿孔1 1 1的數目或者/以及第三 拋光區域1 0 1中之穿孔數目。因此，相對於拋光表面於 每單位面積之第一容積率係不同於第二拋光區域1 〇 5之 第二容積率或者/以及第三拋光區域1〇1之第三容積率 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Al規格（210 X 297公釐） 402551 五、發明說明（：>丨） 0 第三拋光區域10 1係接觸到該第一拋光區域1〇 3 ，並且複數個第三穿孔171形成在拋光表面之中央處， 其中該等第三穿孔1 7 1係具有一個第三深度1 9 1、一 個第三寬度、以及一個第三間隔1 8 1。該等第三穿孔1 71係不同於該等第二穿孔111或是/以及第一穿孔1 4 1。拋光表面於每單位面積之第三穿孔1 7 1的數目係 不同於第二穿孔111的數目或者/以及第一穿孔141 的數目。 參見桌十一圖’第二穿孔1 1 1、第一穿孔1 4 1、 以及第二芽孔1 7 1係被形成，以使得該第一深度1 6 1 係較該第二深度131或者/以及第三深度191爲深。 因此，該第二穿孔1 1 1、第一穿孔1 4 1、以及第三穿 孔1 7 1之容積率係爲不同者，以使得充滿該等穿孔之砂 漿量係爲不同者。因此，如同在第一實施例中所描述者， 被供應至半導體基板3 0 0表面以及接觸區域之砂漿量係 爲不同者’以使得化學拋光成分係能夠被改變。同樣地， 由於被運用至拋光墊1 〇 〇上之負載所產生之局部壓力在 每個區域中皆係爲不同者。因此，接觸面積係被改變，以 使得機械拋光成分係會被改變。因此，在每一個區域中之 拋光量係爲不同者。 同樣地’第一寬度係可以相等於或是寬於第二寬度以 及第三寬度。在每一個區域中之拋光量係可以藉由改變形 成穿孔之狀況而被改變。也就是說，第一間隔1 5 1係小 24 本紙張尺度適用中國Θ家標準（CNS)A丨現格（2丨〇 X 297公髮） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂·------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裂 402551 a? B7 五、發明說明（π) 於第二間隔1 2 1以及第三間隔1 8 1。拋光表面於每單 位面積之第一穿孔141的數目係大於第二穿孔111的 數目或者/以及第三穿孔171的數目。 第二穿孔1 1 1、第一穿孔1 4 1、以及第三穿孔1 7 1係分別被規則地形成在該第二拋光區域1 〇 5、該第 一拋光區域1 0 3、以及該第三拋光區域1 〇 1之中。該 第二穿孔111之該第二深度131與該第二間隔121 在介於該第二拋光區域1 0 5與該第一拋光區域1 〇 3之 間的邊界中，係連續地被改變至該第一穿孔1 4 1之第一 深度1 6 1與該第一間隔1 5 1。同樣地，該第三穿孔1 71之該第三深度191與該第三間隔151在介於該第 一拋光區域1 0 3與該第三拋光區域1 ◦ 1之間的邊界中 ，係連續地被改變至該第一穿孔141之第一深度161 與該第一間隔1 5 1。因此，對於拋光狀況（例如穿孔的 數目或形式）於介於諸區域之間的邊界中之陡然改變係可 以被防止。因此，如同在第一實施例中所描述者，半導體 基板3 0 0係可以被移動至另一個區域，以使得均勻的拋 光係可以被實現。 如同在第十二圖以及第十三圖中所顯示者，第一拋光 區域1 0 3之第一容積率係高於第二拋光區域1 0 5之第 二容積率以及第三拋光區域1 〇 1之第三容積率。因此， 相當多的砂漿係從第一拋光區域1 〇 3供應至半導體基板 3 0 0之接觸表面處。因此，化學拋光成分較第一拋光區 域爲佳，並且當每一個拋光區域中的拋光狀況相同時，一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---1 — — — — 訂---------*5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中Θ國家標準（CNS)Al規格（210 X 297公璉） 402551 五、發明說明（/) 個相當高的拋光速度係可以被實現。 在這個時候，化學拋光成分在第二拋光區域1 0 5以 及第三拋光區域1 0 1中是相當低的，從而造成相當低的 拋光速度。因此，當像是在第一實施例中使用拋光墊的拋 光被執行時，高拋光速度係會在邊緣處進行。 也就是說，當半導體基板3 0 0接觸到該第一拋光區 域1 0 3時，並因此邊緣之拋光係爲相當高之時，半導體 基板3 0 0係被水平地移動或是震盪至該第二拋光區域1 0 5或者/以及第三拋光區域1 0 1，用以對邊緣處之過 度拋光進行補償。也就是說，延伸越過第一拋光區域1 0 3之半導體基板3 0 0的拋光量係不同於越過第二拋光區 域1 0 5或是第三拋光區域1 0 1的拋光量，從而能夠對 拋光之不規則性進行補償。 第十四圖以及第十五圖係分別爲根據本發明第七實施 例之拋光墊的平面圖及截面圖。 詳細來說，具有一個第二深度1 3 3、一個第二寬度 、以及一個第二間隔1 5 3的第二穿孔1 1 3以及具有一 個第三深度1 9 3、一個第三寬度、以及一個第三間隔1 8 3之第三穿孔1 7 3係被形成作爲第二砂漿容置機構以 及第三砂漿容置機構。第二深度1 3 3或者/以及第三深 度1 9 3係可以相等於或者是淺於該第一深度1 6 3。每 單位面積之第二穿孔1 1 3的數目或是第三穿孔1 7 3的 數目係可以多於或是少於該第一穿孔1 4 3的數目。同樣 地，當每單位面積之第二穿孔1 1 3的數目或是第三穿孔 26 本纸張尺度適用中0國家標準（CNS)A.l規格（210 X 297公釐） (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁》 裝 — — I— 訂.！ ！！· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印5衣 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402551 A7 B7 五、發明說明（w) 1 7 3的數目係相等於該第~穿孔1 4 3的數目時，該第 二穿孔1 1 3之第二寬度以及該第三穿孔1 7 3之第三寬 度係窄於該第一穿孔1 4 3之第一寬度，以使得該第二間 隔1 2 3或者/以及第三間隔1 8 3係能夠大於該第一間 隔 1 5 3。 ， 該第二拋光區域1 〇 5或者/以及該第三拋光區域1 0 1係可以具有不同於第一拋光區域1 0 3中之拋光性質 。舉例來說，砂漿之容積係可以爲相當小者，以使得相當 少的拋光係能夠被實現。因此，在第六實施例中所述發生 在邊緣處之過度拋光係可以被補償。 第十六圖以及第十七圖係分別爲根據本發明第八實施 例之拋光墊的平面圖及截面圖。 詳細來說’根據第八實施例，溝槽係被形成在拋光表 面來代替在第六實施例中之穿孔。也就是說，該第二拋光 區域1 0 5係具有一個形成有複數個第二溝槽1 1 1 -之 表面’該第二溝槽1 1 1 /係具有一個第二深度1 3 1 ^ 、一個第二寬度 '以及一個第二間隔1 2 1 -。該第一拋 光區域1 0 3係具有複數個第一溝槽1 4 1 -，該第一溝 槽141 係具有一個第一深度161個第一寬度 、以及一個第一間隔1 5 1 -。該第三抛光區域丨〇丄係 具有複數個第三溝槽1 7 1 /，該第三溝槽1 7 1 -係具 有一個第二深度1 9 1 /、一個第三寬度、以及一個第三 間隔181/。 該第一溝槽1 4 1 /係不同於該第二溝槽2丄丄 >或 27 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ill—! — 訂-—！1--1- 本纸張尺度遇用1國S家標準（C'NS)/\.l規格（210 X 297公釐） A7 Β7 五、發明說明（ 是/以及第三溝槽1 7 1 >。每單位面積之第一溝槽1 4 1 -的數目係不同於第二溝槽1 1 1 >的數目或者/以及 第三溝槽171>的數目。 舉例來說，該第二溝槽1 1 1 /、該第一溝槽1 4 1 <、以及該第三溝槽1 7 1 >係被形成，以使得該第一深 度1 6 1 /係較該第二深度1 3 1 >或者/以及該第三深 度1 9 1 >爲深。該第一寬度係較該第二寬度以及該第三 寬度爲寬。該第一間隔1 5 1 >係較該第二間隔1 2 1 一 以及該第三間隔1 8 1 >爲小。每單位面積之第一溝槽1 4 1 >的數目係大於該第二溝槽1 1 1 >的數目以及該第 三溝槽171/的數目。 因此，拋光量係可以被改變，正如同在第六實施例以 及第七實施例中所說明者。因此，不規則拋光係可以被加 以補償。 第十八圖以及第十九圖係分別爲根據本發明第九實施 例之拋光墊的平面圖及截面圖。 詳細來說，在第九實施例中，一個溝槽係被用來替代 於第八實施例中的穿孔。也就是說，該第二拋光區域1 〇 5係具有複數個第二溝槽1 1 3 >，該第二溝槽1 1 3 一 係具有一個第二深度1 3 3 <、一個第二寬度、以及一個 第二間隔1 2 3 >並且該第一拋光區域1 〇 3係具有複數 個第一溝槽1 4 3 -，該第一溝槽1 4 3 >係具有一個第 一深度1 6 3 —、一個第一寬度 '以及一個第一間隔1 5 3 /。該第三拋光區域1 〇 1係具有複數個第三溝槽1 7 28 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) · I — II — 11 訂-------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS)/\1規格（210 X 297公釐） 402551 _B7____ 五、發明說明（4) 3 — ’該第三溝槽1 7 3 —係具有一個第三深度丨9 3 一 、一個第三寬度、以及一個第三間隔1 8 3 >。該第二溝 槽1 1 3 係在不同於第一拋光區域1 〇 3或者/以及第 三拋光區域1 0 1中之溝槽的狀況下被形成。 該第一溝槽1 4 3 >係不同於該第二溝槽1 χ 3 /或 是/以及被形成於該第二拋光區域1 〇 3 -上的溝槽。每 單位面積之第一溝槽1 4 3 >的數目係不同於第二溝槽1 1 3 >的數目或者/以及被形成於該第三拋光區域1 〇 1 上之第三溝槽1 7 1 >的數目。 舉例來說，該第二溝槽1 1 3 /、該第一溝槽1 4 3 一、以及該第三溝槽1 7 3 >係被形成，以使得該第一深 度1 6 3 >係較該第二深度1 3 3 >或者/以及該第三深 度1 9 3 爲深。該第一寬度係較該第二寬度以及該第三 寬度爲寬。該第一間隔1 5 3 -係較該第二間隔1 2 3 一 以及該第三間隔1 8 3 —爲小。每單位面積之第一溝槽1 4 3 /的數目係大於該第二溝槽1 1 3 —的數目以及該第 三溝槽1 7 3 /的數目。 第二十圖以及第二十一圖係分別爲根據本發明第十實 施例之拋光墊的平面圖及截面圖。 詳細來說，根據第十實施例，形成在該第一拋光區域 1 0 3中的每一個穿孔係具有一個較第六實施例中之穿孔 爲淺的深度、一個較第六實施例中之穿孔爲窄的寬度、以 及一個較第六實施例中之穿孔爲大的間隔。舉例來說，在 第十實施例中，形成在該第一拋光區域1 0 3上之該等第 29 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝！ —訂-!·^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A-l規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 402551 五、發明說明（77 ) 一穿孔1 4 5係具有一個較第二穿孔1 1 5之第二深度1 3 5以及第三穿孔1 7 5之第三深度爲淺的深度。該等第 一穿孔1 4 5之第一寬度係較第二穿孔1 1 5之第二寬度 以及第三穿孔1 7 5之第三寬度爲窄。該第一間隔1 5 5 係較第二間隔1 2 5以及第三間隔1 8 5爲大。每單位面 積之第一穿孔1 4 5的數目係較第二穿孔1 1 5的數目或 者/以及第三穿孔1 7 5的數目爲少。 也就是說，與第六實施例相較之下，第一穿孔之關係 狀況以及第二穿孔與第三穿孔之關係狀況係爲對稱者。如 同在第五實施例中所描述者，在第一拋光區域1 〇 3、第 二拋光區域1 〇 5、以及第三拋光區域1 0 1中形成例如 是穿孔或溝槽等等用於容置砂漿之機構的狀況係可以被改 變’用以實現新的實施例。 舉例來說，相反於第六實施例，第一拋光區域1 〇 3 之第一穿孔係具有一個較被形成於該第二拋光區域1 〇 5 中之第二穿孔的寬度或者/以及被形成於第三拋光區域1 0 1中之第三穿孔之寬度爲窄的寬度。因此，該第一穿孔 之第一間隔係可以大於該第二穿孔之第二間隔或者第三穿 孔之第三間隔。 同樣地’相反於第八實施例以及第九實施例，一個溝 槽係可以被形成來代替一個穿孔。也就是說，被形成於第 一拋光區域1 〇 3中的第一溝槽係具有一個較第二溝槽之 第二深度或者/以及第三溝槽之第三深度爲淺的深度。第 一溝槽之第一寬度係較第二溝槽之第二寬度以及第三溝槽 30 本纸張尺度適用中S國家標準（CNS)A-l規格（210 x 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------从， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 4085^---- 五、發明說明（y) 之第三寬度爲窄。第一間隔係大於第二間隔或者第三間隔 。拋光表面於每單位面積之第一溝槽的數目係少於每單位 面積之第二溝槽的數目或者/以及每單位面積之第三溝槽 的數目。 第二十二圖係爲一個圖表，其係顯示了在根據本發明 之拋光墊於不同區域中在特徵上的改變。 詳細來說，在拋光表面的每一個區域中的穿孔或溝槽 的性質係爲彼此不同者。舉例來說，被形成在第一拋光區 域1 0 3中之第一穿孔或第一溝槽係具有一個較被形成於 第二拋光區域中之穿孔或溝槽之深度或者/以及被形成於 第三拋光區域中之穿孔或溝槽之深度爲深的深度，一個較 寬的寬度 '或者/以及一個較窄的間隔。因此，被供應至 該等穿孔之砂漿量或是接觸面積在個別區域中是不同的。 也就是說，在第六實施例至第九實施例中，元件符號 9 5 0係標示在個別拋光區域中砂漿的分布情形。同樣地 ，元件符號9 5 0係標示接觸面積之分布情形。 被供應至每一區域之砂漿量以及接觸面積係被改變， 以使得再每一個區域中之拋光量係可以產生不同。也就是 說，元件符號9 1 0與9 5 0係標示拋光量之分布情形。 舉例來說，穿孔或溝槽之性質係可以被改變，以使得 第二拋光區域1 0 5以及第三拋光區域1 0 1之拋光量係 少於在第一拋光區域1 0 3中的拋光量。也就是說，穿孔 以及溝槽係被形成在第一拋光區域1 0 3中，而該等穿孔 以及溝槽係具有一個較第二拋光區域1 0 5以及第三拋光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A.l規恪（21〇χ.297公釐） ^--------訂---------"· - _ <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 A7 五、發明說明（) 區域1 0 1中穿孔或溝槽之深度爲深之深度、一個較大的 間隔、或者/以及一個每單位面積較少的數目。 如同在上文中所敘述者，由第二拋光區域1 〇 5以及 第三拋光區域101所提供之拋光量大於第一拋光區域1 0 3所提供之拋光量的拋光墊，其對於在半導體基板邊緣 處之拋光量小於半導體基板中央之拋光量的情況而言是相 當有用的。同樣地，由第一拋光區域1 〇 3所提供之拋光 量大於第二拋光區域1 0 5以及第三拋光區域1 〇 1所提 供之拋光量的拋光墊，其對於在半導體基板邊緣處之拋光 量多於半導體基板中央之拋光量的情況而言是相當有用的 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 舉例來說，當在半導體基板接觸第一拋光區域1 0 3 之邊緣處的拋光量很高時，半導體基板之邊緣係藉由該載 具5 5 0 (參見第一圖）之水平移動或震盪而延伸越過該 第二拋光區域1 0 5或者/以及第三拋光區域1 〇 1，如 同在第一實施例中所顯示者。在這樣的情況下，穿孔或溝 槽之性質係被控制，而使得經由第一拋光區域所執行之拋 光量係能夠小於經由第二拋光區域1 〇 5所執行之拋光量 或者/以及經由第三拋光區域1 〇 1所執行之拋光量。因 此，在半導體基板邊緣處之拋光量係被相當地縮減，以使 得在半導體基板之整個表面上的拋光量係可以爲均勻者。 然而，當在半導體基板邊緣處之拋光量很低時，穿孔 或溝槽之狀況係被控制，而使得第一拋光區域1 〇 3之拋 光量係多於第二拋光區域1 0 5或第三拋光區域1 0 1之 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A.l規格（2】0 X 297公釐） 遙 Q8551 A7 _B7_ 五、發明說明（V ) 拋光量。因此邊緣處充分之拋光量係可以藉由載具5 5 0 之水平震盪而被加以補償。 應該被了解到的是，本發明並非受限於上文中所說明 之實施例，並且許多的改變與修正係可以在本發明之範圍 之中經由熟習此項技術者所完成。舉例來說，本發明係可 以適用於以下情況：例如是凸出部等結構係被形成於拋光 表面上。也就是說，環繞該凸出部之拋光表面係低於凸出 部之上方表面，以使得形成正確高度係能夠均等於形成穿 孔或溝槽之情況。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂」--------碎 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*'衣 33 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)Al規格（210 « 297公釐）

Claims (1)

  1. 408551 滢 __ D8 六、申請專利範圍 1、 ~種用於半導體基板之化學機械拋光（CMP ) 的拋光墊，該拋光墊係包括有： —個拋光表面，該拋光表面係經由砂漿來拋光半導體 基板的一個表面； 一個第一拋光區域，該第一拋光區域係形成在該拋光 表面上而具有一個第一深度、一個第一寬度、以及一個第 一間隔’該第一拋光區域係具有複數個充滿砂漿之第一砂 锻容置機構，該等砂漿容置機構係具有一個相對於該拋光 表面之單位面積的第一容積比率；以及 一個第二拋光區域，該第二拋光區域係接觸到該第一 拋光區域，該第二拋光區域係被形成在該拋光表面上而具 有一個第二深度、一個第二寬度、以及一個第二間隔，該 第二拋光區域係具有複數個充滿砂漿之第二砂漿容置機構 ’該等砂漿容置機構係具有一個相對於該拋光表面之單位 面積的第二容積比率’而此第二容積比率係不同於該第一 容積比率。 2、 根據申請專利範圍第1項中所述之拋光墊，其中 ’該第一拋光區域係從第一半徑延伸至第二半徑，並且該 第二拋光區域係從第二半徑延伸至第三半徑。 3、 根據申請專利範圍第3項中所述之拋光墊，其中 ，該第二半徑係爲從拋光表面中央至其邊緣的距離，並且 該第二半徑係小於該第三半徑並且大於該第一半徑。 4、 根據申請專利範圍第1項中所述之拋光墊，其中 ，該第一砂漿容置機構與該第二砂漿容置機構係爲分別形 ____I 本紙張尺度適用中國园家標準（CNS〉A4彳見格（210 X 297公楚） 5 δ 9 ο 4 8888 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 成在該拋光表面上的第一穿孔及第二穿孔。 5、 根據申請專利範圍第4項中所述之拋光墊，其中 ’每拋光表面單位面積之第二穿孔數目係大於每拋光表面 單位面積之第一穿孔數目。 6、 根據申請專利範圍第4項中所述之拋光墊，其中 ’每拋光表面單位面積之第二穿孔數目係小於每拋光表面 單位面積之第一穿孔數目。 7 '根據申請專利範圍第1項中所述之拋光墊，其中 ’該第一砂漿容置機構與該第二砂漿容置機構係爲分別形 成在該拋光表面上的第一溝槽及第二溝槽。 8、 根據申請專利範圍第7項中所述之拋光墊，其中 ’每拋光表面單位面積之第二溝槽數目係大於每拋光表面 單位面積之第一溝槽數目。 9、 根據申請專利範圍第7項中所述之拋光墊，其中 ’每拋光表面單位面積之第二溝槽數目係小於每拋光表面 單位面積之第一溝槽數目。 1 0、根據申請專利範圍第1項中所述之拋光墊，其 中’該第二深度係較第一深度爲深。 1 1 '根據申請專利範圍第1項中所述之拋光墊，其 中，該第二寬度係較第一寬度爲寬。 1 2、根據申請專利範圍第1項中所述之拋光墊，其 中，該第二間隔係較第三間隔爲小。 1 3、根據申請專利範圍第1項中所述之拋光墊，其 中，該第二深度係較第一深度爲淺。 2 紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公复) """ 請 先 閱 讀 背 意 事 項 再< 填i I裝 本 頁 訂 % 1 5 6 Q 0088 迟 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 4、根據申請專利範圍第1項中所述之拋光塾，其 中’該第二寬度係較第一寬度爲窄。 、 1 5、根據申請專利範圍第1項中所述之抛光塾，其 中’該第二間隔係較第一間隔爲大。 1 6、根據申請專利範圍第1項中所述之抛光塾，其 中’該第一砂漿容置機構與該第二砂漿容置機構係爲分別 規則地形成在該第一拋光區域與該第二拋光區域中。 1 7、根據申請專利範圍第1 6項中所述之拋光墊， 其中，該第一砂漿容置機構之第一深度、第一寬度 '以及 第一間隔在介於該第一拋光區域與該第二抛光區域之間的 邊界處係繼續地被改變至該第二砂漿容置機構之第二深度 、第二寬度、以及第二間隔。 1 8、根據申請專利範圍第1項中所述之拋光墊’其 更包括有一個第三拋光區域，該第三拋光區域係具有一個 第三深度、一個第三寬度、以及一個第三間隔，該第三拋 光區域係朝向該第二拋光區域，並且係具有複數個第三砂 漿容置機構，該等砂漿容置機構係具有一個相對於該拋光 表面之單位面積的第三容積比率，而此第三容積比率係不 同於該第一容積比率。 1 9、根據申請專利範圍第1 8項中所述之拋光墊， 其中，該第一拋光區域係從拋光表面中心的第一半徑延伸 至第二半徑，該第二拋光區域係從第二半徑延伸至第三半 徑，並且該第三拋光區域係從該第一半徑延伸至一個第四 半徑。 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A-l規格（210 χ297公髮） 裝--------訂----r-----東 (請先閱tt背面之注意事項*<填寫本頁) - · AH B8 C8 D8 4085¾1 六、申請專利範圍 請 先 閱 讀 背 2 Ο '根據申請專利範圍第1 9項中所述之拋光墊， 其中，該第四半徑係爲從拋光表面中央至其邊緣的距離， 該第一半徑係小於該第四半徑並且大於該第二半徑，並且 該第三半徑係小於該第二半徑。 2 1、根據申請專利範圍第1 8項中所述之拋光墊， 其中’該第三砂漿容置機構係爲形成在該拋光表面上的複 數個第三穿孔。 2 2、根據申請專利範圍第4項中所述之拋光墊，其 中’每拋光表面單位面積之第三穿孔數目係大於複數個穿 孔數目。 訂 23、根據申請專利範圍第21項中所述之拋光墊， 其中，每拋光表面單位面積之第三穿孔數目係大於複數個 穿孔數目。 % 2 4、根據申請專利範圍第4項中所述之拋光墊，其 中，每拋光表面單位面積之第三穿孔數目係小於每拋光表 面單位面積之第一穿孔數目。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 5、根據申請專利範圍第2 1項中所述之拋光墊， 其中，每拋光表面單位面積之第三穿孔數目係小於每拋光 表面單位面積之第一穿孔數目。 2 6、根據申請專利範圍第1 8項中所述之拋光墊， 其中，該第三砂漿容置機構係爲形成在該拋光表面上的複 數個第三溝槽。 2 7、根據申請專利範圍第7項中所述之拋光墊，其 中，每拋光表面單位面積之第三溝槽數目係大於每拋光表 本紙張尺度適用中國國家槔準（CNS)A4规恪（210x 297公釐） A8 402551 1 六、申請專利範圍 面單位面積之第一溝槽數目。 2 8、根據申請專利範圍第2 6項中所述之拋光墊， 其中，每拋光表面單位面積之第三溝槽數目係大於每拋光 表面單位面積之第一溝槽數目。 2 9、根據申請專利範圍第7項中所述之拋光墊，其 中，每拋光表面單位面積之第三溝槽數目係小於每拋光表 面單位面積之第一溝槽數目。 3 0、根據申請專利範圍第2 6項中所述之拋光墊， 其中，每拋光表面單位面積之第三溝槽數目係小於每拋光 表面單位面積之第一溝槽數目。 3 1、根據申請專利範圍第1 8項中所述之拋光墊， 其中，該第三深度係較第一深度爲深。 3 2、根據申請專利範圍第1 8項中所述之拋光墊， 其中，該第三寬度係較第一寬度爲寬。 3 3、根據申請專利範圍第1 8項中所述之拋光墊， 其中，該第三間隔係較第一間隔爲小。 3 4、根據申請專利範圍第1 8項中所述之拋光墊， 其中，該第三深度係較第一深度爲淺。 3 5、根據申請專利範圍第1 8項中所述之拋光墊， 其中，該第三寬度係較第一寬度爲窄。 3 6、根據申請專利範圍第1 8項中所述之拋光墊， 其中，該第三間隔係較第一間隔爲大。 3 7、根據申請專利範圍第1 8項中所述之拋光墊， 其中，該第三砂漿容置機構係規則地形成在該第三拋光區 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規恪（210 X 297公釐）
    5 888Φ ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 六、申請專利範圍 域中。 3 8、根據申請專利範圍第1 7項中所述之拋光墊， 其中，該第三砂漿容置機構之第三深度、第三寬度、以及 第三間隔在介於該第三拋光區域與該第一拋光區域之間的 邊界處係繼續地被改變至該第一砂漿容置機構之第一深度 、第一寬度、以及第一間隔。 3 9、根據申請專利範圍第3 7項中所述之拋光墊， 其中，該第三砂漿容置機構之第三深度 '第三寬度、以及 第二間隔在介於該第三拋光區域與該第一拋光區域之間的 邊界處係繼續地被改變至該第一砂漿容置機構之第一深度 、第一寬度、以及第一間隔。 4 0、一種用於半導體基板之化學機械拋光（CMP )的拋光墊，該拋光墊係包括有： 一個拋光表面’該拋光表面係經由砂漿來拋光半導體 基板的一個表面； 一個第一拋光區域，該第一拋光區域係形成在該拋光 表面上而具有一個第一深度、一個第一寬度、以及一個第 一間隔，該第一拋光區域係具有複數個充滿砂漿之第一砂 I谷置機構，s亥等砂駿谷置機構係具有〜個相對於該拋光 表面之單位面積的第一容積比率； 個第一拋光區域，該第二拋光區域係接觸到該第一 拋光區域，該第二拋光區域係被形成在該拋光表面上而具 有一個第—ί木度、-個第—寬度、以及〜個第二間隔，該 第二拋光區域係具有複數個充滿砂漿之第二砂漿容置機構 — — — — — — !!-裝·！ —訂·！{111 •東 € ; (請先閱讀背面之注意事項^填寫本頁) .
    408551 六、申請專利範圍 ’該等砂漿容置機構係具有〜個相對於該拋光表面之單位 面積的第二容積比率，而此第二容積比率係不同於該第一 容積比率；以及 一個第三拋光區域，該第三拋光區域係形成在該第一 拋光區域上而具有一個第三深度、一個第三寬度、以及一 個第三間嗝’該第三拋光區域係朝向該第二拋光區域，並 且係具有複數個充滿砂漿之第三砂漿容置機構，該等砂漿 容置機構係具有一個相對於該拋光表面之單位面積的第三 容積比率’而此第三容積比率係不同於該第一容積比率。 4 1 '根據申請專利範圍第4 0項中所述之拋光墊， 其中’該第一砂漿容置機構、該第二砂漿容置機構、以及 該第二砂漿容置機構中的每〜個係爲穿孔或溝槽。 11!11!11 — * + I I — — — — — 111_111— (請先閱讀背面之ii意事項积填寫本頁) 經濟部智慧財崖局員工湞費合作社印製 本纸張尺度過用r四囤豕標準(CNS)A^^21〇 X 297公t
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