JP2000117620A - 半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド - Google Patents

半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド

Info

Publication number
JP2000117620A
JP2000117620A JP28724799A JP28724799A JP2000117620A JP 2000117620 A JP2000117620 A JP 2000117620A JP 28724799 A JP28724799 A JP 28724799A JP 28724799 A JP28724799 A JP 28724799A JP 2000117620 A JP2000117620 A JP 2000117620A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
surface region
semiconductor substrate
unit area
depth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP28724799A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3761372B2 (ja
Inventor
Kyunken Kin
▲キュン▼顯 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2000117620A publication Critical patent/JP2000117620A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3761372B2 publication Critical patent/JP3761372B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H01L21/31055—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研
磨パッドを提供する。 【解決手段】 半導体基板の表面をスラリーを用いて研
磨する研磨面と、研磨面に第１深度、第１幅及び第１相
互間隔で形成されて前記研磨面の単位面積に対する第１
容積比で前記スラリーを収容する多数の第１手段を有す
る第１研磨面領域と、第１研磨面領域に接し、研磨面に
第２深度、第２幅及び第２相互間隔で形成されて、第１
容積比とは異なる研磨面の単位面積に対する第２容積比
でスラリーを収容する多数の第２手段を有する第２研磨
面領域を備える。これにより、半導体基板の均一な化学
機械的研磨が具現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特に半導体基板を化学機械的研磨(以下、"CMP"という)
する時に用いられる研磨パッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置が高集積化されることによっ
て平坦化工程が重要になっている。このような平坦化工
程を具現するための設備の中でCMP装置がある。CMP装置
は半導体装置のグローバル平坦化を具現する時に用いら
れる。CMP装置は半導体基板と研磨パッドの接触に起因
する機械的要素とスラリーの使用に起因する化学的要素
よりなる作用によって半導体基板の表面を研磨する。
【０００３】CMP平坦化工程は、高コストがかかるが半
導体基板の全面に亙って一定の厚さで均一に研磨すべき
である。しかし、その際、一定の厚さで研磨されない研
磨の不均一性を伴う。このような不均一な研磨の原因に
なる要素としては、半導体基板に印加される荷重分布の
不均一性が挙げられる。このような荷重の不均一な分布
は、半導体基板の全面に荷重を効果的に分散させるのに
際し大きな影響を及ぼす。これにより、荷重分布が精密
に制御できる調節装置などが要求される。
【０００４】しかし、一般に１５０ｍｍの直径と１μｍ
以下の膜厚とを有する薄膜を表面上に備えた半導体基板
のその薄膜を数百Åの厚さに研磨すべき場合には、前記
の調節装置の改善に限界が現れる。さらに、CMP工程で
の研磨の均一性は、荷重分布だけでなく半導体基板を固
定するキャリアの回転数、研磨パッドが接着固定された
研磨テーブルの回転数及び研磨パッドの表面状態等によ
っても影響を受ける。従って、前記調節装置の改善によ
る研磨の均一性の確保には限界が現れうる。これによ
り、約１０％程度の研磨不均一性が示されている。
【０００５】これを越すためには、調節装置の改善だけ
でなく研磨パッドなどの改善も要求されている。研磨パ
ッドは一般に研磨面に多数のホールまたはグルーブなど
が全面に亙ってその形状、大きさ及び分布などが均一に
形成される。このようなホールまたはグルーブ等は研磨
パッドに供給されるスラリーを受容して半導体基板面と
研磨面との界面にスラリーを供給する手段として作用す
る。また、前記ホールまたはグルーブ等によって半導体
基板面と接触する研磨パッドの実効的な研磨面、即ち、
実効接触面積が決定される。従って、前記ホールまたは
グルーブの大きさまたは形状は研磨に大きな影響を及ぼ
す。
【０００６】CMP工程が進行される時、半導体基板面と
接触する研磨パッドの領域、即ち、研磨パッド表面のト
ラック部分だけでなく中間部分及び縁部などに亙って前
記ホールまたはグルーブが均一に形成されている。これ
により、不均一な研磨、例えば半導体基板の中間部分と
縁部との研磨量の差が出るなど不均一な研磨が発生する
場合、前記不均一な研磨を補償し難い。即ち、半導体基
板面が接触する研磨パッド領域を移しても同じ研磨パッ
ド内でのグルーブまたはホールなどが形成された条件は
均一であるので、不均一な研磨が防止できなくなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明が達成しようと
する技術的課題は、半導体基板の均一な化学機械的研磨
が具現できる研磨パッドを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の技術的課題を達成
するための本発明の一観点は、半導体基板の表面をスラ
リーを用いて研磨する研磨面と、前記研磨面に第１深
度、第１幅及び第１相互間隔で形成されて前記研磨面の
単位面積に対する第１容積比で前記スラリーを収容する
多数の第１手段を有する第１研磨面領域と、前記第１研
磨面領域に接し、前記研磨面に第２深度、第２幅及び第
２相互間隔で形成されて、前記第１容積比とは異なる前
記研磨面の単位面積に対する第２容積比で前記スラリー
を収容する多数の第２手段を有する第２研磨面領域とを
備える。
【０００９】この時、前記第１手段及び第２手段は前記
研磨面に形成されたホールまたはグルーブでありうる。
また、前記第１深度は前記第２深度と異なり、前記第１
幅は前記第２幅と異なり、前記第１相互間隔は前記第２
相互間隔と異なりうる。
【００１０】そして、前記第１研磨面領域に前記第２研
磨面領域に対向隣接し、第３深度、第３幅及び第３相互
間隔で形成されて、前記第１容積比とは異なる前記研磨
面の単位面積に対する第３容積比で前記スラリーを受容
する多数の第３手段を有する第３研磨面領域をさらに備
えられる。
【００１１】上記の技術的課題を達成するための本発明
の他の観点は、半導体基板の表面をスラリーを用いて研
磨する研磨面と、前記研磨面に第１深度、第１幅及び第
１相互間隔で形成されて前記研磨面の単位面積に対する
第１容積比で前記スラリーを収容する多数の第１手段を
有する第１研磨面領域と、前記第１研磨面領域に接し、
前記研磨面に第２深度、第２幅及び第２相互間隔で形成
されて、前記第１容積比とは異なる前記研磨面の単位面
積に対する第２容積比で前記スラリーを収容する多数の
第２手段を有する第２研磨面領域と、前記第１研磨面領
域に前記第２研磨面領域に対向隣接し、第３深度、第３
幅及び第３相互間隔で形成されて、前記第１容積比とは
異なる前記研磨面の単位面積に対する第３容積比で前記
スラリーを収容する多数の第３手段を有する第３研磨面
領域を備える。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明の実施形
態は色々な他の形態に変形でき、本発明の範囲が後述す
る実施形態によって限定されることと解釈されてはなら
ない。本発明の実施形態は当業界で平均的な知識を有す
る者に本発明をより完全に説明するために提供されるも
のである。従って、図面の形状などはより明確な説明を
強調するために誇張されたものであり、図面上で同じ符
号で示された要素は同じ要素を意味する。
【００１３】本発明の実施形態は、半導体基板の表面を
スラリーを用いて研磨する研磨パッドの研磨面に研磨量
が相異なる条件を提供する領域を具現する。例えば、研
磨面にスラリーが収容できる多数の第１手段、例えば、
第１ホールまたは第１グルーブを有する第１研磨面領域
を具備し、前記第１研磨面領域に隣接する前記研磨面の
一部にスラリーが収容できる多数の第２手段、例えば、
第２ホールまたは第２グルーブを有する第２研磨面領域
を具備する。
【００１４】この時、前記第１研磨面領域は研磨面の中
心からの第１半径から第２半径まで設定され、前記第２
研磨面領域は第２半径から第３半径まで設定される。例
えば、第１半径は前記研磨面の中心から縁部までの距離
であり、前記第２半径は第１半径より小さくて第３半径
より大きく設定できる。こうすれば、前記第１研磨面領
域は前記研磨パッドの縁部に隣接し、前記第２研磨面領
域は前記研磨パッドの研磨面の中心をその領域内に含
む。
【００１５】また、前記第１手段、例えば、第１ホール
または第１グルーブは第１深度、第１幅または/及び第
１相互間隔を有するように形成される。そして前記第２
手段、例えば、第２ホールまたは第２グルーブは第２深
度、第２幅または/及び第２相互間隔を有するように形
成される。この時、前記第１深度、第１幅または/及び
第１相互間隔は前記第２深度、第２幅または/及び第２
相互間隔とは異に形成される。これに従って、前記第１
研磨面領域の研磨面の単位面積に対する前記第１手段、
即ち、第１ホールまたは第１グルーブの容積比、即ち、
スラリーが収容できる比は、前記第２研磨面領域の研磨
面の単位面積に対する前記第２手段、即ち、第２ホール
または第２グルーブの容積比とは異なる。
【００１６】こうすれば、第１研磨面領域及び第２研磨
面領域の各々で単位面積当り供給されるスラリーの量が
異なるので、研磨量、特に化学的要素に起因する研磨量
が相異なりうる。また、第１研磨面領域及び第２研磨面
領域の各々の研磨面のトポロジーが異になる。このよう
なトポロジーの違いは、前記半導体基板の表面が第１研
磨面領域に接触する場合と第２研磨面領域に接触する場
合の各々における研磨量、特に機械的な要素に起因する
研磨量を異なるようにすることができる。
【００１７】即ち、研磨面が半導体基板の表面に接触さ
れる時の分圧も変わりうる。このように供給されるスラ
リーの量、接触面積または接触分圧が異なるということ
は、第１研磨面領域と第２研磨面領域の各々における前
記半導体基板の表面が研磨される研磨量が異なることを
意味する。
【００１８】このように第１研磨面領域及び第２研磨面
領域における研磨量または研磨条件が異なることを用い
て半導体基板表面の不均一な研磨が補償できる。これに
対して次の図１を参照して詳細に説明する。
【００１９】図１に示したように、CMP装置は研磨テー
ブル１５０とキャリア５５０よりなる。研磨テーブル１
５０の全面には、半導体基板３００の表面に研磨面が対
向するように研磨パッド１００が付着される。研磨テー
ブル１５０は一定の回転数で回転して研磨パッド１００
が回転する効果を具現する。
【００２０】キャリア５５０はキャリアベース５１０を
通じて半導体基板３００の研磨される表面、例えば鏡面
を下向きに半導体基板３００を固定する。また、キャリ
ア５５０は回転及び水平移動または水平揺れができて実
質的に半導体基板３００が回転したり動く効果を具現す
る。また、キャリア５５０には荷重が印加されて半導体
基板３００の表面と研磨面が接触するようにする。
【００２１】半導体基板３００の研磨は、キャリア５５
０及び研磨テーブル１５０の回転及び移動と、研磨剤供
給手段(図示せず)から供給された化学的研磨剤、即ち、
スラリー４００によって化学的及び機械的な研磨で遂行
される。
【００２２】このようなCMP装置の研磨テーブル１５０
に本発明の実施例と同じような研磨パッド１００を装着
する。次に、半導体基板３００を、キャリア５５０を移
動して前記研磨パッド１００の研磨面に接触させる。こ
の時、前記半導体基板３００は、前記研磨パッド１００
のいずれか一領域、例えば第１研磨面領域に接触させ
る。以後、前記研磨テーブルを回転させ、前記キャリア
５５０を回転させて研磨を遂行する。この時、前記半導
体基板３００には圧力が加わって前記研磨パッド３００
の表面の研磨面に接触される。
【００２３】このように半導体基板３００の表面が研磨
されれば、半導体基板３００に印加される圧力分布の不
均一または半導体基板３００の表面状態などによって半
導体基板３００の表面がある程度不均一に研磨される現
象が発生しうる。例えば、半導体基板３００の表面の縁
部が中間部位よりたくさん研磨されたり反対に小さく研
磨される不均一な研磨が発生しうる。
【００２４】このように不均一な研磨が発生すれば、前
記キャリア５５０を揺ったりまたは研磨面に対した位置
を水平移動させて、前記半導体基板３００の表面の縁部
が前記第１研磨面領域から離脱して第２研磨面領域に接
触するようにする。このように半導体基板３００の表面
が接触する研磨面の領域を異なるようにすることによっ
て、研磨量または研磨条件を変えることができて前記不
均一な研磨が補償できる。
【００２５】例えば、半導体基板３００の表面が酸化膜
で覆われた状態であれば、主に縁部の研磨量が多い不均
一研磨が発生しうる。この場合に第１研磨面領域に前記
のような第１手段を研磨量の多い条件を具現するように
形成し、第２研磨面領域に前記のような第２手段を研磨
量の少ない条件を具現するように形成する。
【００２６】例えば、前記第１研磨面領域に前記第１手
段、即ち、第１ホールまたは第１グルーブを第２ホール
または第２グルーブの第２深度に比べて深い第１深度で
形成したり、第２幅より大きい第１幅で形成したり第２
相互間隔より狭く第１相互間隔を具備する。このような
場合に、前記第１研磨面領域で前記研磨される接触面に
供給されるスラリーの量は、前記第２研磨面領域で供給
されるスラリーの量より多くなる。
【００２７】このような研磨面の条件で、前記のような
キャリア５５０の水平移動または揺れによって半導体基
板３００の縁部の表面が前述した第２研磨面領域に接触
すれば、第２研磨面領域に接触する半導体基板３００の
縁部の表面は、スラリーと前記第１研磨面領域に接触す
る半導体基板３００の中間部位の表面より化学反応が小
さい。これにより、半導体基板３００の表面の縁部の研
磨量は中間部位のより小さくなる。このように研磨量を
部分的に抑制することによってさらにたくさん研磨され
た縁部の研磨量を補償する。これにより、半導体基板３
００の全体表面に亙った研磨の均一性が具現できる。
【００２８】このような説明は、酸化膜の場合、スラリ
ーの供給量が増加すれば他の諸般の研磨条件が一定な時
研磨量が増えるという仮定に基づく。しかし、スラリー
の供給量が増加しても他の諸般条件が変化すれば研磨量
は減る場合もある。しかし、第１手段または第２手段、
即ち、第１ホールまたは第２ホールの形態が変わること
によって分圧または接触面積も共に変化することは明ら
かである。従って、本発明の実施形態がスラリーの供給
量を異なる領域を具現すると解釈されてはならないし、
研磨量が異なる領域を具現するという意味と解釈される
ことが望ましい。
【００２９】一方、中間部分が小さく研磨される不均一
研磨の場合にも前記とは反対条件の研磨パッド３００、
即ち、より大きい研磨量を提供するように第２研磨面領
域を具備し、第１研磨面領域で研磨し始める。以後に、
前述したようにキャリア５５０の水平移動または揺れ運
動によって前記半導体基板３００の縁部の表面を前記第
２研磨面領域に接触させて、縁部の研磨されきらなかっ
たことを補償するようにできる。
【００３０】前述したように研磨パッド３００の研磨面
にスラリーを収容する単位面積当り容積比が異なる領
域、即ち、第１研磨面領域及び第２研磨面領域を具備す
ることによって、キャリア５５０の揺れ運動または水平
移動によって不均一な研磨を補償して研磨の均一性を上
げられる。このような本発明の実施形態に係る研磨パッ
ドを図面を参照して具体的に説明する。
【００３１】図２及び図３は本発明の第１実施形態に係
る研磨パッドの平面及び断面形状を概略的に示す。
【００３２】第１実施形態では、研磨パッド１００は円
柱形構造物であって、上部表面、即ち、研磨面に各々の
領域が設定される。例えば、第１研磨面領域１０３を研
磨面の中間部分に研磨面の中心を含むように形成し、第
１研磨面領域１０３に接するように第２研磨面領域１０
５を形成する。即ち、研磨面の中心から縁部までの第３
半径から前記第３半径より小さな第２半径で第２研磨面
領域１０５を形成する。そして、第２半径から前記第２
半径より小さな第１半径で第１研磨面領域１０３を形成
する。第１半径は０であることが望ましい。
【００３３】第１研磨面領域１０３には半導体基板(図
１の３００)の表面が接触されるように形成されること
が望ましい。即ち、第１研磨面領域１０３の幅は少なく
とも半導体基板の直径程度であることが望ましい。第１
研磨面領域１０３には第１手段として多数の第１ホール
１４７が形成されうる。第１ホール１４７は第１幅、第
１深度１６７または/及び第１相互間隔１５７を有す
る。そして、第２研磨面領域１０５には第２手段として
多数の第２ホール１１７が形成されうる。第２ホール１
１７は第２幅、第１深度１３７または/及び第２相互間
隔１２７を有する。
【００３４】図２及び図３を参照すれば、前記第１ホー
ル１４７は前記第２ホール１１７とは異に形成されるこ
とが分かる。例えば、前記第１ホール１４７は第２ホー
ル１１７の第２深度１３７に比べて浅く形成される。ま
たは前記第１ホール１４７は第２ホール１１７の第２幅
に比べて狭いかまたは同じ幅で形成される。または前記
第１ホール１４７は第２ホール１１７の第２相互間隔１
２７に比べて大きい第１相互間隔１５７で形成される。
または第１ホール１４７の単位面積当り数は第２ホール
１１７の単位面積当り数に比べて少なくなる。
【００３５】これにより、第１ホール１４７の研磨面の
単位面積に対する第１容積比は、第２ホール１１７の研
磨面の単位面積に対する第２容積比に比べて小さくな
る。これは多数の第１ホール１４７に受容されるスラリ
ーの量が多数の第２ホール１１７に受容されるスラリー
の量に比べて小さいことを意味する。これにより、第１
研磨面領域１０３に接触する半導体基板３００の表面に
は、第２研磨面領域１０５でより相対的に少量のスラリ
ーが供給される。
【００３６】これにより第１研磨面領域１０３で具現さ
れる化学的研磨要素は、第２研磨面領域１０５で具現さ
れる化学的要素に比べて相対的に小さくなる。これは研
磨の他の諸般条件が均一だと仮定する時、第２研磨面領
域１０５で具現される研磨量は、第１研磨面領域１０３
で具現される研磨量に比べて大きいことを意味する。
【００３７】従って、図１を参照して説明したように、
第１研磨面領域１０３に接触するように半導体基板３０
０の位置を設定して研磨を行った後、第２研磨面領域１
０５にキャリア５５０を水平移動または揺れ運動して半
導体基板３００の縁部の過小研磨が補償できる。即ち、
前記揺れ運動などによって第２研磨面領域１０５に半導
体基板３００の縁部がまたがると、前記縁部での研磨量
が増加する効果が具現できる。これにより、第１研磨面
領域１０３で縁部の研磨が少なくなったならば、これが
補償できて均一な研磨が具現できる。
【００３８】一方、前記のような第１ホール１４７の第
１相互間隔１５７が第２ホール１１７の第２相互間隔１
２７に比べて大きければ、半導体基板３００の表面に接
触する研磨面の面積、即ち、接触面積は大きくなる。こ
れにより、研磨の機械的要素は、第１研磨面領域１０３
で相対的に大きくなりうる。従って、各々の領域での研
磨量の設定は、前記スラリーの供給量の差に起因する化
学的研磨要素と機械的研磨要素を共に考慮して決定でき
る。
【００３９】また、第１深度１６７が第２深度１３７に
比べて浅く形成されるので、接触される半導体基板３０
０に印加される荷重による分圧が変わる。即ち、第２深
度１３７が第１深度１４７に比べて深いので、同じ幅ま
たは相互間隔を有する場合に第２研磨面領域１０５で接
触面に対する分圧が高くなる。従って、研磨量が第２研
磨面領域１０５で相対的に高くなりうる。
【００４０】図４及び図５は本発明の第２実施形態に係
る研磨パッドの平面及び断面形状を概略的に示す。
【００４１】第２実施例では、第１実施形態と同じよう
に第１研磨面領域１０３を設定した後、第２研磨面領域
２０５をホールの大きさを異にして設定する。第２実施
形態で第１実施形態と同じ参照符号は同じ要素を意味す
る。
【００４２】具体的に、第２実施形態では第２手段とし
て第２深度１３９、第２幅及び第２相互間隔１５９を有
する第２ホール１１９を形成する。第２深度１３９は第
１深度１６９に比べて深く設定できる。または同一に設
定できる。そして、第２ホール１１９の単位面積当り数
は第１ホールの単位面積当り数に比べて大きいかまたは
小さい場合がある。同じ場合に、前記第２ホール１１９
の第２幅が第１ホール１４９の第１幅に比べて大きいの
で、第２相互間隔１２９は第１相互間隔１５９に比べて
相対的に小さくなる。
【００４３】このように設定される第２研磨面領域１０
５は、第１研磨面領域１０３とは異なる研磨量の条件が
提供できる。例えば、前述したように第２研磨面領域１
０５でのスラリーの容積量が相対的に多くて、化学的研
磨要素などの向上が具現できる。
【００４４】図６及び図７は本発明の第３実施形態に係
る研磨パッドの平面及び断面形状を概略的に示す。
【００４５】第３実施形態で、第１実施形態におけるホ
ールに代えてグルーブを研磨面に形成する点が違う。第
３実施形態で、第１実施形態及び第２実施形態と同じ参
照符号は同じ要素を示す。
【００４６】具体的に、第１研磨面領域１０３は第１深
度１６７′、第１幅及び第１相互間隔１５７′で形成さ
れる多数の第１グルーブ１４７′を表面に有する。第２
研磨面領域１０５は、第２深度１３７′、第２幅及び第
２相互間隔１２７′よりなる多数の第２グルーブ１１
７′を有する。前記第１グルーブ１４７′は前記第２グ
ルーブ１１７′とは異に形成される。例えば、前記第１
グルーブ１４７′は第２グルーブ１１７′の第２深度１
３７′に比べて浅く形成される。または前記第１グルー
ブ１４７′は第２グルーブ１１７′の第２幅に比べて狭
いかまたは同じ幅で形成される。または前記第１グルー
ブ１４７′は第２グルーブ１１７′の第２相互間隔１２
７′に比べて大きい第１相互間隔１５７′で形成され
る。または第１グルーブ１４７′の単位面積当り数は、
第２グルーブ１１７′の単位面積当り数に比べて小さく
形成される。
【００４７】これにより、第１実施形態で説明したよう
に、第１グルーブ１４７′の研磨面の単位面積に対する
第１容積比は、第２グルーブ１１７′の研磨面の単位面
積に対する第２容積比に比べて小さくなる。従って、第
１実施形態で説明したように第１研磨面領域１０３で具
現される化学的研磨要素は、第２研磨面領域１０５で具
現される化学的要素に比べて相対的に小さくなる。これ
は研磨の他の諸般条件が均一だと仮定する時、第２研磨
面領域１０５で具現される研磨量は、第１研磨面領域１
０３で具現される研磨量に比べて多いということを意味
する。
【００４８】従って、第１実施例で説明したようにキャ
リア(図１の５５０)の揺れ運動または水平移動などによ
って、縁部の過小研磨のような不均一な研磨が補償でき
る。即ち、均一な研磨が具現できる。
【００４９】図８及び図９は本発明の第４実施形態に係
る研磨パッドの平面及び断面形状を概略的に示す。
【００５０】第４実施形態では、第３実施形態のように
ホールの代りにグルーブを形成して第１研磨面領域１０
３及び第２研磨面領域１０５を設定するという点が違
う。第２実施形態で、第１実施形態と同じ参照符号は同
じ要素を意味する。
【００５１】具体的に、第４実施形態では、第３実施形
態または第４実施形態とは違って第２手段として第２深
度１３９′、第２幅及び第２相互間隔を有する第２グル
ーブ１１９′を形成する。第２深度１３９′は第１深度
１６７′に比べて大きく設定されうる。または同一に設
定されうる。そして、第２グルーブ１１９′の単位面積
当り数は、第１グルーブ１４７′の単位面積当り数に比
べて大きいかまたは小さい場合がある。または同一であ
りうるが、同一である場合に、前記第２グルーブ１１
９′の第２幅が第１グルーブ１４７′の第１幅に比べて
大きいので、第２相互間隔は第１相互間隔１５７′に比
べて相対的に小さくなる。
【００５２】このように設定される第２研磨面領域１０
５は、第１研磨面領域１０３とは異なる研磨量条件が提
供できる。例えば、前述したように第２研磨面に受容さ
れるスラリーの量が相対的に多くて化学的研磨要素の向
上が具現できる。
【００５３】図１０及び図１１は本発明の第５実施形態
に係る研磨パッドの平面及び断面形状を概略的に示す。
【００５４】第５実施形態は、第１研磨面領域１０３
に、第２研磨面領域１０１に比べて相対的に浅い深度、
小さな幅または/及び大きい相互間隔を有するホールが
形成される点で、第１実施形態と対照的に対比される。
第５実施形態で、第１実施形態と同じ参照符号は同じ要
素を示す。
【００５５】具体的に、第１研磨面領域１０３を研磨面
の縁部に形成し、第１研磨面領域１０３に接するように
第２研磨面領域１０１を中間部分に研磨面の中心を含む
ように形成する。即ち、研磨面の中心から縁部までの第
１半径から前記第１半径より小さな第２半径で第１研磨
面領域１０３を形成する。そして、第２半径から前記第
２半径より小さな第３半径で第２研磨面領域１０１を形
成する。第３半径は０であることが望ましい。一方、図
１０で半導体基板(図１の３００)は、第１研磨面領域１
０３に接触するように初期に設定することが望ましい。
【００５６】第５実施形態で、第１研磨面領域１０３に
形成される第１ホール１４８の第１深度１６８は、第２
ホール１７８の第２深度１９８に比べて浅く形成され
る。または第１ホール１４８の第１幅は、第２ホール１
７８の第２幅に比べて小さいかまたは同一に形成され
る。または、第１相互間隔１５８が第２相互間隔１８８
に比べて大きく形成される。または、前記第１ホール１
４８の前記研磨面の単位面積当り数が前記第２ホール１
７８の前記研磨面の単位面積当り数より小さく形成され
る。
【００５７】即ち、第１実施形態と比較すれば、第２研
磨面領域１０１が第１研磨面領域１０３に接する位置が
反対でありうることが分かる。即ち、第１実施例では第
２研磨面領域(図２の１０５)が縁部に位置するが、第５
実施例では第２研磨面領域(図１０の１０１)が中間部分
に位置して第１研磨面領域１０３に接している。その他
第１ホール１４８及び第２ホール１９８の相互関係など
は第１実施例で説明したことと同一であり、具現される
効果も同一である。
【００５８】一方、第１実施形態乃至第５実施形態で、
第１研磨面領域１０３で具現される単位面積当り第１容
積比が第２研磨面領域１０５または１０１で具現される
第２容積比より低く具現されるように、ホールまたはグ
ルーブが形成された例を説明した。しかし、反対に第１
研磨面領域１０３で具現される単位面積当り第１容積比
が第２研磨面領域１０５または１０１で具現される第２
容積比より高く具現されるようにホールまたはグルーブ
が形成された実施例は、前述した第１実施例乃至第５実
施例の各々に対称に第１ホール及び第２ホールまたは第
１グルーブ及び第２グルーブを具現することによって容
易に得られることは明らかである。
【００５９】例えば、図１０の第１ホール１４８が形成
される条件で第２研磨面領域１０１にホールを形成し、
第２ホール１７８が形成される条件で第１研磨面領域１
０３を形成すれば、前述したように第１研磨面領域１０
３の第１容積比が第２研磨面領域１０１の第２容積比よ
り大きくなる研磨パッドが具現できる。即ち、第２研磨
面領域１０１における研磨量が相対的に少ない研磨パッ
ドが具現できる。
【００６０】このような研磨パッドは、半導体基板３０
０の縁部の表面で過多研磨が発生する不均一な研磨を補
償する時に有効である。即ち、第１研磨面領域に半導体
基板３００を接触して研磨させる時、縁部から過多研磨
が発生すれば、半導体基板３００の縁部が第２研磨面領
域にまたがるように移動させる。こうすれば、前記第２
研磨面領域における研磨量が少ないので縁部の過多研磨
を補償して研磨を進行し続けることができる。これによ
り、均一な研磨が具現される。
【００６１】図１２及び図１３は本発明の第６実施形態
に係る研磨パッドの平面及び断面形状を概略的に示す。
【００６２】第６実施形態では、第１実施形態乃至第５
実施形態とは違って、半導体基板３００が初期に接触す
る第１研磨面領域１０３に第２研磨面領域１０５が研磨
面の縁部で接し、第３研磨面領域１０１が研磨面の中間
部位で前記第１研磨面領域１０３に接する。即ち、第１
実施例乃至第５実施例とは違って第３研磨面領域１０１
が追加で導入される。このような第３研磨面領域１０１
の導入は、第１実施形態と第３実施形態を同時に具体化
したような効果を示す。従って、第３研磨面領域１０１
は、第２研磨面領域１０５と同じ条件で形成されること
が望ましい。そして、第６実施形態で、第１実施形態乃
至第５実施形態と同じ参照符号は同じ要素を示す。
【００６３】具体的に、中心部分に第３研磨面領域１０
１、縁部部分に第２研磨面領域１０５及び半導体基板
(図１の３００)の表面が接触するトラック部分に第１研
磨面領域１０３が設定される。第１研磨面領域１０３に
半導体基板３００の表面が接触して研磨作用がなされ
る。
【００６４】研磨パッド１００の研磨面には多数のスラ
リーを受容する手段、例えばホールまたはグルーブが形
成されて研磨作用に要求されるスラリー(図１の４００)
を接触面に供給する。例えば、研磨パッド１００の研磨
面に研磨剤供給装置などによってスラリーが供給されれ
ば、前記手段、例えば、ホールまたはグルーブにスラリ
ーが受容され、半導体基板３００の表面と接触される。
接触されるスラリーは半導体基板３００の表面と化学的
反応をして表面の化学的特性を変える。このような化学
的特性が変わった部分を、研磨面の接触面を半導体基板
３００の表面と接触させて機械的に除去する。こうして
半導体基板３００の表面が研磨される。
【００６５】第６実施形態では、前記スラリーを受容す
る手段としてホールを形成する場合を説明する。具体的
に、多数のホールは前記の第２研磨面領域１０５、第１
研磨面領域１０３及び第３研磨面領域１０１に相異なる
形状または数字より形成される。即ち、相異なる条件の
ホールが各々の領域に形成される。このように各々の領
域に形成されるホールの条件を異にすることによって各
々の領域での研磨量が異に具現できる。
【００６６】より詳細に説明すれば、第２研磨面領域１
０５は、研磨面の縁部の近くに形成され、第２深度１３
１、第２幅及び第２相互間隔１２１で形成される多数の
第２ホール１１１が表面に形成されている。このように
形成される第２ホール１１１は、第１研磨面領域１０３
または/及び第３研磨面領域１０１とは異なる条件で形
成される。即ち、深度や相互間隔または幅が異なるよう
に形成できる。例えば、同じ深度で形成されれば、相互
間隔が異なるように形成されたり、幅が異に形成されう
る。また、幅または相互間隔が同一に形成され、深度が
異なるように形成されうる。または、研磨面の単位面積
当り形成されるホールの数を異にすることができる。
【００６７】第１研磨面領域１０３は前記第２研磨面領
域１０５に接し、前記研磨面に第１深度１６１、第１幅
及び第１相互間隔１５１で形成される多数の第１ホール
１４１を有する。このように形成される第１ホール１４
１は、第２ホール１１１または/及び第３研磨面領域１
０１に形成されるホールとは異に形成される。または第
２ホール１１１の研磨面の単位面積当り数または/及び
第３研磨面領域１０１に形成されるホールの単位面積当
り数とは異に形成される。これにより、研磨面の単位面
積に対する第１容積比は、第２研磨面領域１０５の第２
容積比または/及び第３研磨面領域１０１の第３容積比
とは異なる。
【００６８】第３研磨面領域１０１は前記第１研磨面領
域１０３に接し、前記研磨面の中間部位の前記研磨面に
第３深度１９１、第３幅及び第３相互間隔１８１で形成
される多数の第３ホール１７１を有する。このように形
成される第３ホール１７１は第２ホール１１１または/
及び第１ホール１４１とは異に形成される。または第２
ホール１１１の研磨面の単位面積当りまたは/及び第１
ホール１４１の単位面積当り数と異に形成される。
【００６９】図１２を参照すれば、第１深度１６１が前
記第２深度１３１または/及び前記第３深度１９１に比
べて深いように第２ホール１１１、第１ホール１４１及
び第３ホール１７１を形成する。これにより、前記第２
ホール１１１、第１ホール１４１及び第３ホール１７１
の容積が変わって受容されるスラリー４００量が変わ
る。従って、第１実施形態等で説明したように、研磨工
程時半導体基板３００の表面または接触面に供給される
スラリー量が変わり、これによって化学的研磨要素が異
に作用する。また、研磨パッド１００に印加される荷重
に起因する分圧が各々の領域に従って変わる。これによ
り、接触面積が変化し、機械的要素も変化する。従っ
て、各々の領域における研磨量が相異するように設定さ
れる。
【００７０】また、第１幅は前記第２幅及び前記第３幅
に比べて大きいかまたは同一に形成できる。またはこの
ような各々の領域における研磨量の変化は、次のような
ホール形成条件を変えることによっても具現される。即
ち、第１相互間隔１５１を、前記第２相互間隔１２１及
び前記第３相互間隔１８１に比べて小さく形成する。ま
たは、前記第１ホール１４１の前記研磨面の単位面積当
り数を、前記第２ホール１１１の前記研磨面の単位面積
当り数または/及び前記第３ホール１７１の前記研磨面
の単位面積当り数より大きく形成する。
【００７１】この時、前記第２ホール１１１、第１ホー
ル１４１及び第３ホール１７１の各々を、前記第２研磨
面領域１０５、第１研磨面領域１０３及び第３研磨面領
域１０５内で各々均一に形成する。また、前記第２ホー
ル１１１の前記第２深度１３１及び前記第２相互間隔１
２１の各々を、前記第２研磨面領域１０５及び前記第１
研磨面領域１０３の境界部位で前記第１ホール１４１の
前記第１深度１６１及び前記第１相互間隔１５１で連続
的に変化するように形成する。そして、前記第３ホール
１７１の前記第３深度１９１及び前記第３相互間隔１８
１の各々を、前記第１研磨面領域１０３及び前記第３研
磨面領域１０１の境界部位で前記第１ホール１４１の前
記第１深度１６１及び前記第１相互間隔１５１で連続的
に変化するように形成する。これにより、各々の領域間
の境界部位における急激な研磨面条件、即ち、ホールの
数または形状の変化を防止する。これにより、境界部位
における急激な研磨量変化を抑制して、第１実施例で説
明したように半導体基板３００を他領域に移動させて研
磨することによって、均一な研磨を具現する時さらに均
一性が向上できる。
【００７２】図１２及び図１３に示したように、第１研
磨面領域１０３における第１容積比は、第２研磨面領域
１０５の第２容積比及び第３研磨面領域１０１の第３容
積比に比べて高く設定される。従って、半導体基板３０
０の接触面に相対的に多量のスラリーが第１研磨面領域
１０３で供給される。これにより、第１研磨面領域１０
３で化学的研磨要素が相対的に優れ、他の研磨条件が各
々の領域で同一である時相対的に速い研磨速度が具現で
きる。
【００７３】一方、第２研磨面領域１０５及び第３研磨
面領域１０１では相対的に劣る化学的研磨要素が具現さ
れて相対的に遅い研磨速度を具現する。従って、このよ
うな研磨パッドを用いて第１実施形態のように研磨すれ
ば、縁部で速い研磨速度が具現されて不均一な研磨が発
生する場合に有効に作用する。
【００７４】即ち、第１研磨面領域１０３に半導体基板
３００を接触させて研磨を遂行する時、縁部が相対的に
多く研磨されれば、半導体基板３００を第２研磨面領域
１０５または/及び第１研磨面領域１０１に水平移動ま
たは揺って縁部の過多研磨が補償できる。これにより、
さらに均一な研磨が具現できる。即ち、前記第１研磨面
領域１０３にまたがる半導体基板３００の一部分と、前
記第２研磨面領域１０５または第３研磨面領域１０１に
またがる部分の研磨量とを異ににすることによって前記
不均一を相殺することができる。従って、均一な研磨が
具現される。
【００７５】図１４及び図１５は本発明の第７実施形態
に係る研磨パッドの平面及び断面形状を概略的に示す。
【００７６】具体的に、第７実施形態では第２手段及び
第３手段として、第２深度１３３、第２幅及び第２相互
間隔１５３を有する第２ホール１１３及び、第３深度１
９３、第３幅及び第３相互間隔１８３を有する第３ホー
ル１７３を形成する。第２深度１３３または/及び第３
深度１９３は第１深度１６３に比べて浅く設定できる。
または同一に設定できる。そして、第２ホール１１３及
び第３ホール１７３の単位面積当り数は第１ホール１４
３の単位面積当り数に比べて大きいかまたは小さい場合
がある。または同一でありうるが、同一である場合に前
記第２ホール１１３の第２幅または/及び第３ホール１
７３の第３幅が第１ホール１４３の第１幅に比べて小さ
いので、第２相互間隔１２３または/及び第３相互間隔
１８３は第１相互間隔１５３に比べて相対的に大きくな
る。
【００７７】このように設定される第２研磨面領域１０
５または/及び第３研磨面領域１０１は、第１研磨面領
域１０３とは異なる研磨量条件が提供できる。例えば、
前述したようにスラリーの容積量が相対的に少なくて化
学的研磨要素が抑制されるので、相対的に少ない研磨量
が具現できる。これにより、第６実施例で説明したよう
な、縁部で過多研磨が発生する場合に前記過多研磨を補
償する時に有用である。
【００７８】図１６及び図１７は本発明の第８実施形態
に係る研磨パッドの平面及び断面形状を概略的に示す。
【００７９】具体的に、第８実施形態では、第６実施形
態におけるホールに代えてグルーブを研磨面に形成する
点が異なる。即ち、第２研磨面領域１０５は、第２深度
１３１′、第２幅及び第２相互間隔１２１′で形成され
る多数の第２グルーブ１１１′を表面に有する。第１研
磨面領域１０３は、第１深度１６１′、第１幅及び第１
相互間隔１５１′で形成される多数の第１グルーブ１４
１′を有する。第３研磨面領域１０５は、第３深度１９
１′、第３幅及び第３相互間隔１８１′で形成される多
数の第３グルーブ１７１′を有する。
【００８０】このように形成される第１グルーブ１４
１′は、第２グルーブ１１１′または/及び第３グルー
ブ１７１′とは異に形成される。または第１グルーブ１
４１′の単位面積当り数は、第２グルーブ１１１′の研
磨面の単位面積当り数または/及び第３グルーブ１７
１′の単位面積当り数とは異に形成される。
【００８１】例えば、第１深度１６１′は前記第２深度
１３１′または/及び前記第３深度１９１′に比べて深
いように、第２グルーブ１１１′、第１グルーブ１４
１′及び第３グルーブ１７１′を形成する。または第１
幅を前記第２幅及び前記第３幅に比べて大きく形成す
る。または、第１相互間隔１５１′を前記第２相互間隔
１２１′及び前記第３相互間隔１８１′に比べて小さく
形成する。または、前記第１グルーブ１４１′の前記研
磨面の単位面積当り数を、前記第２グルーブ１１１′の
前記研磨面の単位面積当り数または/及び前記第３グル
ーブ１７１′の前記研磨面の単位面積当り数より大きく
形成する。
【００８２】これにより、第６実施形態及び第７実施形
態で前述したような各々の領域に係る研磨量の変化が具
現できる。これにより、不均一な研磨を補償して均一な
研磨が具現できる。
【００８３】図１８及び図１９は本発明の第９実施形態
に係る研磨パッドの平面及び断面形状を概略的に示す。
【００８４】具体的に、第９実施形態では、第８実施形
態におけるホールに代えてグルーブを研磨面に形成する
点が異なる。即ち、第２研磨面領域１０５は、第２深度
１３３′、第２幅及び第２相互間隔１２３′で形成され
る多数の第２グルーブ１１３′が表面に形成されている
し、第１研磨面領域１０３は、第１深度１６３′、第１
幅及び第１相互間隔１５３′で形成される多数の第１グ
ルーブ１４３′を有する。第３研磨面領域１０５は、第
３深度１９３′、第３幅及び第３相互間隔１８３′で形
成される多数の第３グルーブ１７３′を有する。このよ
うに形成される第２グルーブ１１３′は、第１研磨面領
域１０３または/及び第３研磨面領域１０１とは異なる
条件で形成される。
【００８５】このように形成される第１グルーブ１４
３′は、第２グルーブ１１３′または/及び第３研磨面
領域１０３′に形成されるグルーブとは異に形成され
る。または第１グルーブ１４３′の単位面積当り数は、
第２グルーブ１１３′の研磨面の単位面積当り数または
/及び第３研磨面領域１０１に形成されるグルーブの単
位面積当り数とは異なるように形成される。
【００８６】例えば、第１深度１６１′が前記第２深度
１３１′または/及び前記第３深度１９１′に比べて深
く、第２グルーブ１１３′、第１グルーブ１４３′及び
第３グルーブ１７３′を形成する。または第１幅を前記
第２幅及び前記第３幅に比べて大きく形成する。また
は、第１相互間隔１５３′を前記第２相互間隔１２３′
及び前記第３相互間隔１８３′に比べて小さく形成す
る。または、前記第１グルーブ１４３′の前記研磨面の
単位面積当り数を、前記第２グルーブ１１３′の前記研
磨面の単位面積当り数または/及び前記第３グルーブ１
７３′の前記研磨面の単位面積当り数より大きく形成す
る。
【００８７】図２０及び図２１は本発明の第１０実施形
態に係る研磨パッドの平面及び断面形状を概略的に示
す。
【００８８】具体的に、第１０実施形態は、第１研磨面
領域１０３に相対的に浅い深度、狭い幅または/及び大
きい相互間隔を有するホールが形成される点で第６実施
例と対照される。例えば、第１０実施形態で第１研磨面
領域１０３に形成される第１ホール１４５を、第２ホー
ル１１５の第２深度１３５または/及び第３ホール１７
５の第３深度１９５に比べて浅く形成する。または第１
ホール１４５の第１幅を、第２ホール１１５の第２幅及
び第３ホール１７５の第３幅に比べて小さく形成する。
または第１相互間隔１５５を、前記第２相互間隔１２５
及び前記第３相互間隔１８５に比べて大きく形成する。
または、前記第１ホール１４５の前記研磨面の単位面積
当り数を、前記第２ホール１１５の前記研磨面の単位面
積当り数または/及び前記第３ホール１７５の前記研磨
面の単位面積当り数より小さく形成する。
【００８９】即ち、第１研磨面領域１０３で形成される
第１ホールの諸般条件と、第３ホール及び第２ホールの
諸般条件との関係を第６実施形態と比較すれば、対照に
置換されるように対比されることが分かる。第５実施形
態で説明したように、第１研磨面領域１０３と第２研磨
面領域１０５及び第３研磨面領域１０１におけるホール
またはグルーブなどのスラリーを収容する手段を形成す
る条件を置換して変えることによって新たな実施例が具
現できる。例えば、第６実施形態と対比されるように第
１研磨面領域１０３の第１ホールが、第２研磨面領域１
０５または/及び第３研磨面領域１０１に形成される第
２ホールまたは第３ホールに比べて小さな幅で形成され
る。これにより、第１ホールの第１相互間隔は、第２ホ
ールの第２相互間隔または第３ホールの第３相互間隔に
比べて大きくなりうる。
【００９０】また、第８実施形態及び第９実施形態と対
比されるようにホールの代りにグルーブが形成できる。
即ち、第１研磨面領域１０３に形成される第１グルーブ
を、第２グルーブの第２深度または/及び第３グルーブ
の第３深度に比べて浅く形成する。または第１グルーブ
の第１幅を、第２グルーブの第２幅及び第３グルーブの
第３幅に比べて小さく形成する。または、第１相互間隔
を、前記第２相互間隔及び前記第３相互間隔に比べて大
きく形成する。または、前記第１グルーブの前記研磨面
の単位面積当り数を、前記第２グルーブの前記研磨面の
単位面積当り数または/及び前記第３グルーブの前記研
磨面の単位面積当り数より小さく形成する。
【００９１】図２２は本発明の実施形態に係る研磨パッ
ドの領域別特性変化を概略的に示す。
【００９２】具体的に、設定された研磨面の各々の領域
に従ってホールまたはグルーブの諸般条件が相異なるこ
とを示している。例えば、第６実施例乃至第９実施例で
説明したように、第１研磨面領域１０３に形成される第
１ホールまたは第１グルーブは、第２研磨面領域１０５
または/及び第３研磨面領域１０１に比べて深い深度、大
きい幅または/及び狭い相互間隔を有することが分か
る。これにより、前記ホールにより供給されるスラリー
の量または接触面積などは各々の領域に従って変わる。
【００９３】即ち、第６実施形態乃至第９実施形態の場
合には、スラリー量は各々の研磨面領域に参照符号９５
０のような分布を有する。また接触面積は参照符号９１
０のような分布を有することが分かる。
【００９４】このように各々の領域に供給されるスラリ
ー量と接触面積が変わるため、各々の領域で作用される
研磨量も変わる。即ち、研磨量も各々の研磨面領域に従
って、参照符号９１０のような分布または参照符号９５
０のような分布を有することができる。
【００９５】例えば、第２研磨面領域１０５及び第３研
磨面領域１０１にさらに少ない研磨量を有し、第１研磨
面領域１０３に更に多い研磨量条件を有する場合を有す
るようにホールまたはグルーブの諸般条件を異に設定で
きる。即ち、第１研磨面領域１０３にさらに深い深度、
さらに大きい相互間隔または/及びさらに少ない単位面
積当り数でホールまたはグルーブを形成する。
【００９６】このように第２研磨面領域１０５及び第３
研磨面領域１０１に多い研磨量を提供する研磨パッド
は、半導体基板表面の縁部の研磨量が少ない場合に有用
である。反対の場合、即ち、第１研磨面領域１０３での
研磨量が相対的に多い場合の研磨パッドは、半導体基板
表面の縁部の研磨量が多い場合に有用である。
【００９７】例えば、第１研磨面領域１０３に接触して
研磨される半導体基板の表面の研磨分布が、縁部で多い
研磨量が導出されれば、第１実施例で示したようにキャ
リア(図１の５５０)を水平移動または水平に揺って、半
導体基板の表面の縁部が第２研磨面領域１０５または/
及び第３研磨面領域１０１にまたがるように形成する。
この時、第１研磨面領域１０３には、第２研磨面領域１
０５または/及び第３研磨面領域１０１に比べて少ない
研磨量が誘導されるように、前述したようにホールまた
はグルーブの諸般条件を調節する。これにより、半導体
基板の表面の縁部の研磨量が相対的に減るので、半導体
基板の表面の全般に亙って均一な研磨が具現できる。
【００９８】反対に、半導体基板の縁部で少ない研磨量
を示す場合には、第１研磨面領域１０３が第２研磨面領
域１０５または第３研磨面領域１０１に比べて多い研磨
量が誘導されるように、前述したようにホールまたはグ
ルーブの諸般条件を調節する。これにより、キャリア５
５０の水平移動などによって縁部の過小研磨を補償また
は相殺して均一な研磨が具現できる。
【００９９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る研磨パ
ッドによれば、半導体基板の均一な化学機械的研磨が具
現できる。
【０１００】以上、本発明を具体的な実施例を通じて詳
細に説明したが、本発明はこれに限られず、本発明の技
術的思想内で当分野の通常の知識を有する者によりその
変形や改良ができることは明らかである。例えば、実施
例でホールまたはグルーブを研磨面に形成する場合を示
したが、研磨面に隆起のような構造物を形成する場合に
も本発明が適用できる。即ち、隆起が形成されることに
よって隆起の周囲研磨面は前記隆起の上面より低くなる
のでホールまたはグルーブを形成する場合と実質的に均
等になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 化学機械的研磨装置を概略的に図式化した図
面である。
【図２】 本発明の第１実施形態に係る研磨パッドを概
略的に示す平面図である。
【図３】 本発明の第１実施形態に係る研磨パッドを概
略的に示す断面図である。
【図４】 本発明の第２実施形態に係る研磨パッドを概
略的に示す平面図である。
【図５】 本発明の第２実施形態に係る研磨パッドを概
略的に示す断面図である。
【図６】 本発明の第３実施形態に係る研磨パッドを概
略的に示す平面図である。
【図７】 本発明の第３実施形態に係る研磨パッドを概
略的に示す断面図である。
【図８】 本発明の第４実施形態に係る研磨パッドを概
略的に示す平面図である。
【図９】 本発明の第４実施形態に係る研磨パッドを概
略的に示す断面図である。
【図１０】 本発明の第５実施形態に係る研磨パッドを
概略的に示す平面図である。
【図１１】 本発明の第５実施形態に係る研磨パッドを
概略的に示す断面図である。
【図１２】 本発明の第６実施形態に係る研磨パッドを
概略的に示す平面図である。
【図１３】 本発明の第６実施形態に係る研磨パッドを
概略的に示す断面図である。
【図１４】 本発明の第７実施形態に係る研磨パッドを
概略的に示す平面図である。
【図１５】 本発明の第７実施形態に係る研磨パッドを
概略的に示す断面図である。
【図１６】 本発明の第８実施形態に係る研磨パッドを
概略的に示す平面図である。
【図１７】 本発明の第８実施形態に係る研磨パッドを
概略的に示す断面図である。
【図１８】 本発明の第９実施形態に係る研磨パッドを
概略的に示す平面図である。
【図１９】 本発明の第９実施形態に係る研磨パッドを
概略的に示す断面図である。
【図２０】 本発明の第１０実施形態に係る研磨パッド
を概略的に示す平面図である。
【図２１】 本発明の第１０実施形態に係る研磨パッド
を概略的に示す断面図である。
【図２２】 本発明の実施形態に係る研磨パッドの領域
別特性変化を概略的に示すグラフである。
【符号の説明】
１００ 研磨パッド １５０ 研磨テーブル ３００ 半導体基板 ４００ スラリー ５１０ キャリアベース ５５０ キャリア

Claims (36)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板の表面をスラリーを用いて
    研磨する研磨面と、 前記研磨面に第１深度、第１幅及び第１相互間隔で形成
    されて前記研磨面の単位面積に対する第１容積比で前記
    スラリーを収容する多数の第１手段を有する第１研磨面
    領域と、 前記第１研磨面領域に接し、前記研磨面に第２深度、第
    ２幅及び第２相互間隔で形成されて、前記第１容積比と
    は異なる前記研磨面の単位面積に対する第２容積比で前
    記スラリーを収容する多数の第２手段を有する第２研磨
    面領域を含むことを特徴とする半導体基板の化学機械的
    研磨に用いられる研磨パッド。
  2. 【請求項２】 前記第１研磨面領域は前記研磨面の中
    心からの第１半径から第２半径まで設定され、前記第２
    研磨面領域は第２半径から第３半径まで設定されること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体基板の化学機械的
    研磨に用いられる研磨パッド。
  3. 【請求項３】 前記第３半径は前記研磨面の中心から
    縁部までの距離であり、前記第２半径は前記第３半径よ
    り小さくて、前記第１半径より大きいことを特徴とする
    請求項２に記載の半導体基板の化学機械的研磨に用いら
    れる研磨パッド。
  4. 【請求項４】 前記スラリーを収容する第１手段及び
    第２手段の各々は、前記研磨面に形成された第１ホール
    及び第２ホールであることを特徴とする請求項１に記載
    の半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッ
    ド。
  5. 【請求項５】 前記第２ホールの前記研磨面の単位面
    積当り数は、前記多数の第１ホールの前記研磨面の単位
    面積当り数より大きいことを特徴とする請求項４に記載
    の半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッ
    ド。
  6. 【請求項６】 前記第２ホールの前記研磨面の単位面
    積当り数は、前記多数の第１ホールの前記研磨面の単位
    面積当り数より小さいことを特徴とする請求項４に記載
    の半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッ
    ド。
  7. 【請求項７】 前記スラリーを収容する第１手段及び
    第２手段の各々は、前記研磨面に形成された第１グルー
    ブ及び第２グルーブであることを特徴とする請求項１に
    記載の半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パ
    ッド。
  8. 【請求項８】 前記第２グルーブの前記研磨面の単位
    面積当り数は、前記第１グルーブの前記研磨面の単位面
    積当り数より大きいことを特徴とする請求項７に記載の
    半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  9. 【請求項９】 前記第２グルーブの前記研磨面の単位
    面積当り数は、前記第１グルーブの前記研磨面の単位面
    積当り数より小さいことを特徴とする請求項７に記載の
    半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  10. 【請求項１０】 前記第２深度は前記第１深度に比べ
    て深いことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の
    化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  11. 【請求項１１】 前記第２幅は前記第１幅に比べて広
    いことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の化学
    機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  12. 【請求項１２】 前記第２相互間隔は第３相互間隔に
    比べて小さいことを特徴とする請求項１１に記載の半導
    体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  13. 【請求項１３】 前記第２深度は前記第１深度に比べ
    て浅いことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の
    化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  14. 【請求項１４】 前記第２幅は前記第１幅に比べて狭
    いことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の化学
    機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  15. 【請求項１５】 前記第２間隔は前記第１相互間隔に
    比べて広いことを特徴とする請求項１に記載の半導体基
    板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  16. 【請求項１６】 前記第１手段及び第２手段の各々
    は、前記第１研磨面領域及び第２研磨面領域内で各々均
    一に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導
    体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  17. 【請求項１７】 前記均一に形成される第１手段の前
    記第１深度、前記第１幅及び前記第１相互間隔の各々
    は、前記第１研磨面領域及び前記第２研磨面領域の境界
    部位で前記均一に形成される第２手段の前記第２深度、
    前記第２幅及び前記第２相互間隔で連続的に変化するこ
    とを特徴とする請求項１６に記載の半導体基板の化学機
    械的研磨に用いられる研磨パッド。
  18. 【請求項１８】 前記第１研磨面領域に前記第２研磨
    面領域に対向隣接し、第３深度、第３幅及び第３相互間
    隔で形成されて、前記第１容積比とは異なる前記研磨面
    の単位面積に対する第３容積比で前記スラリーを受容す
    る多数の第３手段を有する第３研磨面領域を含むことを
    特徴とする請求項１に記載の半導体基板の化学的機械的
    研磨に用いられる研磨パッド。
  19. 【請求項１９】 前記第１研磨面領域は前記研磨面の
    中心からの第１半径から第２半径まで設定され、前記第
    ２研磨面領域は第２半径から第３半径まで設定され、前
    記第３研磨面領域は第１半径から第４半径まで設定され
    ることを特徴とする請求項１８に記載の半導体基板の化
    学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  20. 【請求項２０】 前記第４半径は前記研磨面の中心か
    ら縁部までの距離であり、前記第１半径は前記第４半径
    より小さくて、前記第２半径よりは大きいし、第３半径
    は前記第２半径より小さいことを特徴とする請求項１９
    に記載の半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨
    パッド。
  21. 【請求項２１】 前記スラリーを受容する第３手段
    は、前記研磨面に形成された第３ホールであることを特
    徴とする請求項１８に記載の半導体基板の化学機械的研
    磨に用いられる研磨パッド。
  22. 【請求項２２】 前記第３ホールの前記研磨面の単位
    面積当り数は、前記多数の第１ホールの前記研磨面の単
    位面積当り数より大きいことを特徴とする請求項４また
    は請求項２１に記載の半導体基板の化学機械的研磨に用
    いられる研磨パッド。
  23. 【請求項２３】 前記第３ホールの前記研磨面の単位
    面積当り数は、前記多数の第１ホールの前記研磨面の単
    位面積当り数より小さいことを特徴とする請求項４また
    は請求項２１に記載の半導体基板の化学機械的研磨に用
    いられる研磨パッド。
  24. 【請求項２４】 前記スラリーを収容する第３手段
    は、前記研磨面に形成された第３グルーブであることを
    特徴とする請求項１８に記載の半導体基板の化学機械的
    研磨に用いられる研磨パッド。
  25. 【請求項２５】 前記第３グルーブの前記研磨面の単
    位面積当り数は、前記第１グルーブの前記研磨面の単位
    面積当り数より大きいことを特徴とする請求項７または
    請求項２４に記載の半導体基板の化学機械的研磨に用い
    られる研磨パッド。
  26. 【請求項２６】 前記第３グルーブの前記研磨面の単
    位面積当り数は、前記第１グルーブの前記研磨面の単位
    面積当り数より小さいことを特徴とする請求項７または
    請求項２４に記載の半導体基板の化学機械的研磨に用い
    られる研磨パッド。
  27. 【請求項２７】 前記第３深度は前記第１深度に比べて
    深いことを特徴とする請求項１８に記載の半導体基板の
    化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  28. 【請求項２８】 前記第３幅は前記第１幅に比べて広い
    ことを特徴とする請求項１８に記載の半導体基板の化学
    機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  29. 【請求項２９】 前記第３相互間隔は第１相互間隔に比
    べて小さいことを特徴とする請求項１８に記載の半導体
    基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  30. 【請求項３０】 前記第３深度は前記第１深度に比べて
    浅いことを特徴とする請求項１８に記載の半導体基板の
    化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  31. 【請求項３１】 前記第３幅は前記第１幅に比べて狭い
    ことを特徴とする請求項１８に記載の半導体基板の化学
    機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  32. 【請求項３２】 前記第３間隔は前記第１相互間隔に比
    べて広いことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板
    の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  33. 【請求項３３】 前記第３手段は、前記第３研磨面領域
    内で各々均一に形成されることを特徴とする請求項１８
    に記載の半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨
    パッド。
  34. 【請求項３４】 前記均一に形成される第３手段の前記
    第３深度、前記第３幅及び前記第３相互間隔の各々は、
    前記第３研磨面領域及び前記第３研磨面領域の境界部位
    で前記均一に形成される第１手段の前記第１深度、前記
    第１幅及び前記第１相互間隔で連続的に変化することを
    特徴とする請求項１７または請求項３３に記載の半導体
    基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  35. 【請求項３５】 半導体基板の表面をスラリーを用いて
    研磨する研磨面と、 前記研磨面に第１深度、第１幅及び第１相互間隔で形成
    されて前記研磨面の単位面積に対する第１容積比で前記
    スラリーを収容する多数の第１手段を有する第１研磨面
    領域と、 前記第１研磨面領域に接し、前記研磨面に第２深度、第
    ２幅及び第２相互間隔で形成されて、前記第１容積比と
    は異なる前記研磨面の単位面積に対する第２容積比で前
    記スラリーを収容する多数の第２手段を有する第２研磨
    面領域と、 前記第１研磨面領域に前記第２研磨面領域に対向隣接
    し、第３深度、第３幅及び第３相互間隔で形成されて、
    前記第１容積比とは異なる前記研磨面の単位面積に対す
    る第３容積比で前記スラリーを収容する多数の第３手段
    を有する第３研磨面領域を含むことを特徴とする半導体
    基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド。
  36. 【請求項３６】 前記第１手段、第２手段及び第３手段
    の各々はホールまたはグルーブであることを特徴とする
    請求項３５に記載の半導体基板の化学機械的研磨に用い
    られる研磨パッド。
JP28724799A 1998-10-07 1999-10-07 半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド Expired - Fee Related JP3761372B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980041866A KR20000025003A (ko) 1998-10-07 1998-10-07 반도체 기판의 화학 기계적 연마에 사용되는 연마 패드
KR199841866 1998-10-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000117620A true JP2000117620A (ja) 2000-04-25
JP3761372B2 JP3761372B2 (ja) 2006-03-29

Family

ID=19553241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28724799A Expired - Fee Related JP3761372B2 (ja) 1998-10-07 1999-10-07 半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6165904A (ja)
JP (1) JP3761372B2 (ja)
KR (1) KR20000025003A (ja)
TW (1) TW402551B (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001054856A (ja) * 1999-07-09 2001-02-27 Applied Materials Inc 化学的機械研磨装置での使用のための溝付パターンを有する研磨パッド
WO2002018101A2 (en) * 2000-08-31 2002-03-07 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing (cmp) head, apparatus, and method and planarized semiconductor wafer produced thereby
WO2003012846A1 (en) * 2001-08-02 2003-02-13 Skc Co., Ltd. Chemical mechanical polishing pad with micro-holes
US6540590B1 (en) 2000-08-31 2003-04-01 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring
JP2005183712A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド、研磨方法ならびに半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
JP2008507148A (ja) * 2004-07-19 2008-03-06 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 流れ変更性溝ネットワークを有する研磨パッド
KR20120026460A (ko) * 2010-09-09 2012-03-19 엔지케이 인슐레이터 엘티디 피연마물의 연마 방법 및 연마 패드
JP6002343B1 (ja) * 2016-03-25 2016-10-05 富士紡ホールディングス株式会社 研磨ブラシ
CN113710422A (zh) * 2019-03-08 2021-11-26 应用材料公司 使用时间份额控制的化学机械抛光
US20220016739A1 (en) * 2020-07-14 2022-01-20 Applied Materials, Inc. Methods of detecting non-conforming substrate processing events during chemical mechanical polishing
CN113710422B (zh) * 2019-03-08 2024-06-21 应用材料公司 使用时间份额控制的化学机械抛光

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6537144B1 (en) * 2000-02-17 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties
US6422929B1 (en) * 2000-03-31 2002-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polishing pad for a linear polisher and method for forming
US6500054B1 (en) * 2000-06-08 2002-12-31 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical polishing pad conditioner
KR100646702B1 (ko) * 2001-08-16 2006-11-17 에스케이씨 주식회사 홀 및/또는 그루브로 형성된 화학적 기계적 연마패드
US6664189B1 (en) * 2002-05-08 2003-12-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Removal of wafer edge defocus due to CMP
TWI252793B (en) * 2002-08-20 2006-04-11 Nanya Technology Corp Wear auto-display polishing pad and fabricating method of the same
EP1594656B1 (en) 2003-02-18 2007-09-12 Parker-Hannifin Corporation Polishing article for electro-chemical mechanical polishing
US7018274B2 (en) * 2003-11-13 2006-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Polishing pad having slurry utilization enhancing grooves
US7270595B2 (en) * 2004-05-27 2007-09-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with oscillating path groove network
JP2006026844A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Fujitsu Ltd ポリッシングパッド、それを備えた研磨装置及び貼り付け装置
TWI385050B (zh) * 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於ｃｍｐ之特製拋光墊及其製造方法及其用途
US20070128991A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Yoon Il-Young Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same
TW200736001A (en) * 2006-03-27 2007-10-01 Toshiba Kk Polishing pad, method of polishing and polishing apparatus
US7267610B1 (en) 2006-08-30 2007-09-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having unevenly spaced grooves
JP2008062367A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Nec Electronics Corp 研磨装置、研磨パッド、研磨方法
CN100537148C (zh) * 2006-11-28 2009-09-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 抛光垫以及化学机械抛光方法
TWI455795B (zh) * 2007-10-18 2014-10-11 Iv Technologies Co Ltd 研磨墊及研磨方法
CN101422882B (zh) * 2007-10-31 2015-05-20 智胜科技股份有限公司 研磨垫及研磨方法
CN101497182B (zh) * 2008-01-31 2013-05-08 智胜科技股份有限公司 研磨垫及其制造方法
BR112012011210A2 (pt) * 2009-11-12 2016-07-05 3M Innovative Properties Co blocos giratórios de alisamento
KR102152964B1 (ko) 2013-01-11 2020-09-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학 기계적 폴리싱 장치 및 방법
EP3137259A4 (en) * 2014-05-02 2018-01-03 3M Innovative Properties Company Interrupted structured abrasive article and methods of polishing a workpiece
US20220226962A1 (en) * 2019-06-19 2022-07-21 Kuraray Co., Ltd. Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method
TWI826280B (zh) * 2019-11-22 2023-12-11 美商應用材料股份有限公司 在拋光墊中使用溝槽的晶圓邊緣不對稱校正
CN112405337B (zh) * 2021-01-22 2021-04-09 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种抛光垫及半导体器件的制造方法
US20220410338A1 (en) * 2021-06-28 2022-12-29 Sandisk Technologies Llc Chemical mechanical polishing apparatus with polishing pad including debris discharge tunnels and methods of operating the same
USD1010415S1 (en) * 2021-10-27 2024-01-09 Mirka Ltd Backing pad for sander
USD1004393S1 (en) * 2021-11-09 2023-11-14 Ehwa Diamond Industrial Co., Ltd. Grinding pad
CN114310627A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于对硅片进行抛光的抛光垫和抛光设备
USD1029602S1 (en) * 2022-01-04 2024-06-04 Noritake Co., Limited Polishing pad dresser

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5020283A (en) * 1990-01-22 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Polishing pad with uniform abrasion
US5329734A (en) * 1993-04-30 1994-07-19 Motorola, Inc. Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate
US5921855A (en) * 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US5888121A (en) * 1997-09-23 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Controlling groove dimensions for enhanced slurry flow

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001054856A (ja) * 1999-07-09 2001-02-27 Applied Materials Inc 化学的機械研磨装置での使用のための溝付パターンを有する研磨パッド
WO2002018101A2 (en) * 2000-08-31 2002-03-07 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing (cmp) head, apparatus, and method and planarized semiconductor wafer produced thereby
WO2002018101A3 (en) * 2000-08-31 2003-01-23 Multi Planar Technologies Inc Chemical mechanical polishing (cmp) head, apparatus, and method and planarized semiconductor wafer produced thereby
US6540590B1 (en) 2000-08-31 2003-04-01 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring
WO2003012846A1 (en) * 2001-08-02 2003-02-13 Skc Co., Ltd. Chemical mechanical polishing pad with micro-holes
CN1312739C (zh) * 2001-08-02 2007-04-25 株式会社Skc 微孔化学机械抛光垫
JP2005183712A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド、研磨方法ならびに半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
JP2008507148A (ja) * 2004-07-19 2008-03-06 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 流れ変更性溝ネットワークを有する研磨パッド
KR20120026460A (ko) * 2010-09-09 2012-03-19 엔지케이 인슐레이터 엘티디 피연마물의 연마 방법 및 연마 패드
JP2012076220A (ja) * 2010-09-09 2012-04-19 Ngk Insulators Ltd 被研磨物の研磨方法、及び研磨パッド
US9033764B2 (en) 2010-09-09 2015-05-19 Ngk Insulators, Ltd. Method of polishing object to be polished
KR101715407B1 (ko) 2010-09-09 2017-03-10 엔지케이 인슐레이터 엘티디 피연마물의 연마 방법 및 연마 패드
JP6002343B1 (ja) * 2016-03-25 2016-10-05 富士紡ホールディングス株式会社 研磨ブラシ
CN113710422A (zh) * 2019-03-08 2021-11-26 应用材料公司 使用时间份额控制的化学机械抛光
JP2022523844A (ja) * 2019-03-08 2022-04-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド タイムシェア制御を使用した化学機械研磨
US11931854B2 (en) 2019-03-08 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing using time share control
CN113710422B (zh) * 2019-03-08 2024-06-21 应用材料公司 使用时间份额控制的化学机械抛光
JP7504903B2 (ja) 2019-03-08 2024-06-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド タイムシェア制御を使用した化学機械研磨
US20220016739A1 (en) * 2020-07-14 2022-01-20 Applied Materials, Inc. Methods of detecting non-conforming substrate processing events during chemical mechanical polishing

Also Published As

Publication number Publication date
JP3761372B2 (ja) 2006-03-29
KR20000025003A (ko) 2000-05-06
US6165904A (en) 2000-12-26
TW402551B (en) 2000-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000117620A (ja) 半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド
US5899745A (en) Method of chemical mechanical polishing (CMP) using an underpad with different compression regions and polishing pad therefor
US5997384A (en) Method and apparatus for controlling planarizing characteristics in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6955587B2 (en) Grooved polishing pad and method
US7108597B2 (en) Polishing pad having grooves configured to promote mixing wakes during polishing
JPH10249710A (ja) Ｃｍｐ用偏心溝付き研磨パッド
US20100159810A1 (en) High-rate polishing method
JP2004358653A (ja) 最適化された溝を有する研磨パッド及び同パッドを形成する方法
KR20210126784A (ko) 시분할 제어를 사용한 화학적 기계적 연마
JP2024023321A (ja) 研磨パッドの溝を使用した、ウェハ縁部の非対称性の補正
KR102050975B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치
JP7504903B2 (ja) タイムシェア制御を使用した化学機械研磨
JP2001009710A (ja) ウエーハ研磨装置
KR100252765B1 (ko) 웨이퍼 가장자리에 대응하는 함몰부를 구비하는 연마장치 및 그를 이용한 연마방법
KR19980068782A (ko) 화학기계적 연마 장치
CN113710422B (zh) 使用时间份额控制的化学机械抛光
KR20110083295A (ko) 슬러리 분사 장치
JP2003103456A (ja) 研磨装置およびこれを用いた研磨方法
KR20050106904A (ko) 연마장치의 연마패드
KR200273586Y1 (ko) 그루브를 갖는 화학-기계적 연마용 연마패드
US20060258269A1 (en) Wafer carrier and chemical mechanical polishing apparatus including the same
KR100564425B1 (ko) 자기장을 이용한 화학기계적연마장치 및 그 연마방법
JPH11320384A (ja) 化学的機械研磨方法及びこれを使った化学的機械研磨装置
KR20050067477A (ko) 연마패드 및 그를 구비한 연마장치
KR200357678Y1 (ko) 화학적 기계적 폴리싱용 폴리싱 패드

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050517

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050817

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060110

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3761372

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090120

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120120

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130120

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140120

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees