TW400437B - Methods and apparatus for reducing reflection from optical substrates - Google Patents

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Description

A7 B7 五、發明説明（1 ) 栩關瞧闲：>百相袞者 本應用申求1 9 97年一月27日入檔的預設美國專利申請 第60/0 3 7, 2 3 9號之優先權，其之主要事物被完全併入此中。 木發昍：> 背暑 本發明偽關於改善通過如透鏡的光學材料之光透射， 並同時減小導致從光學材料眩光的迷散光之反射。 所有不具塗覆層的光學透明材料反射一部分之入射光 ;反射量隨著入射光之波長、極性、和角度以及該透明材 料之依據波長的折射指數而變化；此弗雷斯諾反射傺被對 電磁輻射的馬克斯威方程式所描述，如被在光學技藝中實 施者所知的且被M. Born和E.»o If在紐約普卡門專刊（1980 )的”光學原理”中所描述的；同時已知到和基體者有不同 折射指數的透射材料層可減小反射量；此減小量依據於塗 覆材料之依據波長折射指數和它們的厚度以及入射光的波 長、極性、和角度；這些塗覆之設計和製作在H.A.Hacleod 的”薄膜.光學濾波器”（紐約：麥克格羅-希爾）（ 1989) -*-**'* .........,................................- ·· '的第三和九章中被完整描述。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1----------- (讀先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 人類梘覺条統之敏感度也隨光之波長和它的入射角而 變化，例如在關特維徹基和W.S. Stiles (紐約：維列）（ 1982)的”彩色科學：量性資料和公式的觀念和方法”與尼 古拉斯華德和麥寇斯萬斯頓（倫敦：路雷基）（1991)的 ”視覺感官”中所描述的；將是有利的藉設計和組製具有導 致從該等物件的弗列斯諾反射之感官的角度和波長變化之 一最小化的塗覆厚度和成分的具塗覆層光學物件而利用此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（2 ) 人類視覺反應功能。 用以産生抗反射（AR)覆層的習知方法使用物理氣相 沉積，其中高能量電子束被使用以加熱在一真空室中如鈦 (Ti)、矽（Si)、或氟化鎂（MgF2)的無機材料之樣本 直到它們蒸發並沉積在較冷的基體上為止；被蒸發材料之 流量是定向的並以在要被塗覆的基體和蒸發源間距離之平 方而減小；該方法需要一真空室其尺寸相較於該基體之尺 寸是大的；此方法之典型實施可在模型11QG高真空沉積条 統（德國赫瑙市的雷伯-赫勞斯GmbH)和MK 760高真空塗 覆条統（來希田斯坦的Balzers A.G.)中找到；以習知方 法而産生AR覆層之速率，以及購買、操作、和維修裝置的 高成本，限制它們使用於中央生産設備；因此需要提供用 以在透鏡上産生AR覆層的一方法，其只需要簡潔、廉價的 硬體並可在如一零售光學師辦公室的地方實施。 該蒸發方法也因對流冷卻在真空中無效率且熱元件材 料放射可能被該基體吸收的熱輻射而引起基髏之加熱；該 加熱可引起基體損瘼如内應力和翹曲，特别是塑膠基體； 因此需要提供在或近於室溫的AR覆層以避免此損糜。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ---------- -- (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 已知的AR覆層使用如無機氧化物、氮化物、或氟化物 的一或多層之折射性材料以逹成在反射上之一減小；使用 於如此AR覆層的通用薄膜材料在Macleod的第九章和附錄I 中被描逑，並包括氧化的Al、Sb、Be、Bi、Ce、Hf、La、 Mg、Nd、Pr、Sc、Si、Ta、Ti、Th、Y、和 Zr; Macleod的 表格也包括氟化的 Bi、Ca、Ce、Na、Pb、Li、Mg、Nd、a ___：_-R-_：_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 __B7__ 五、發明説明（3 ) 、和Th，以及數個硫化物和硒化物；一相似的表格苟在” 多層条統之光學’’（Sh.A.Furnan 和 A.y.Tikhonravov,開 拓者编輯：1992年法國的Gif-sur-Yvette)的179頁之4.1 表中找到。 隨這些镣層的一問題在於無機化合物的機械特性， 如熱膨脹僳數和彈性模式，像極不同於那些塑膠基體者； 因此將是有利的産生一有機AR塗覆層；同時也要求産生一 AR塗覆層，其之特性偽介在已知無機AR覆層和塑膠基體之 間以作用如在有機和無機層間的一過渡層。 —具覆層光學物件之反射特別依賴在該（等）AR塗覆 層之厚度上；在習知技藝中，.覆層厚度藉使用在場的一石 英微平衡器而被監視以量測物質沉積之速率；薄膜之質量 並不直接進入描述該層之光學特性的該等方程式；將是極 有利的用更直接關於該被塗覆物件之AR特性的光學信號以 監視薄膜成長。 本發明夕總結 根據本發明，一抗反射（AR)覆層藉使用在一光學基 體上的一或多薄層之依據波長和角度的折射特性而被設計 ;藉人類視覺条統之角度和波長敏感性而加權依據角度和 波長的弗雷斯諾反射的一感官的反射因受制於被可獲得的 層材科而加諸的限制被最小化。 該等層體（也可稱為一”覆層”或”薄膜”）被如c-C4H8 、Si(CH3)4、Ti(0C3H，）4、CUH40、和 CsHe 的揮發前驅物 之電漿加強化學汽相沉積（PECVD )所形成；該等前驅物 本纸張又度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------ο衣II ! r. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明（4 ) 之成分包括有機和有機金屬化合物，且結果的層體可為光 學散射的（亦即具有隨波長而變化的折射指數）；替代地 ，該（等）結果的層體可能是非光學散射的。 稍大於要被塗覆的基體之一簡潔室被抽空並充滿一化 學上惰性氣體；電能直接地藉使用電極和施用一靜電場， 或間接地通過使用變時電場的電容性或電感性耦合而加入 該氣體；結果是弱離子化電漿；該基體較佳被如以在一惰 性氣體電漿（如He、Ar、Ns)中産生的正性離子濺射表面 或被在一反應性電漿（如〇a、HBr )中蝕刻表面所清潔； 一或多個揮發分子前驅物然後被允許單獨或混有惰性氣體 流於該室，並電氣地激發；該電能激發、解離、並離子化 該（等）前驅物，産生被傳送到鏡表面的反應性段塊並聚 合或合併以形成一薄膜。 在本發明之一實施例中，一 AR層藉被在電漿之邊界的 靜電鞘加速到超熱動能（大於0.025 eV)的陽離子（如Ca F〆、Si(CH3)〆）所形成；這些層體具有依據該前驅物、 沉積條件、和薄膜厚度的折射特性；單一和多層AR覆層兩 者皆以此方式提供。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 n m0 —^n nt^— n^i nn nn· . · HBH ^^^^1 —mu ^^^^1 1· i ·-J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在一較佳實施例中，一 AR薄膜具有至少一層之一聚合 氟化磺，如被c-C4F8、C2F42PECVD或其它全氟化前驅物 材料所産生；這些氟聚合物薄膜具有一般少於1.4的折射 指數並可供用如有用的單一層AR覆層以及在多層設計中的 元件。
在另一實施例中，如被（CH3)4Si或（CH3)4SiH之PECVD ----：-- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 所形成的一有機金屬層被使用以改善在一有機基體或層和 一無機基體或層之間的結合；在另一實施例中，如一層之 鉻的一或多光學薄金屬層可被沉積從如氯化鉻的一有機金 屬前驅物以改善該（等）層的黏結。 本發明也提供一方法藉使用一極化的、放光二極體、 ——極化的光學濾波器、及一光二極體而光學地監視基體清 潔和薄膜成長；從該光學監視器的回授被使用以藉例如單 獨地或成分地控制該前驅物的流動率、室壓力、電氣激發 而控制該清潔和AR沉積以産生有預設抗反射特性的單一和 多層薄膜或覆層。 圖忒：> 篛星説明 第一圖偽根據本發明之一實施例對一 AR覆層的s極化 反射的一三度空間繪圖作為波長和入射角度之一函數； 第二圔傺對第一圖之受到AR覆層的s極化反射的一三 度空間繪圖作為波長和入射角度之一函數； 第三圔傺人類視覺反應之一繪圔作為波長之一函數； 第四圔傺人類視覺反應之一繪圔作為入射角之一函數； 第五圔偽反射之繪圔作為對第六圔之受到AR覆層之數 個光學厚度的波長之一函數； 第六圔偽根據本發明的反射之繪圖作為一 AR覆層之數 艏光學厚度的波長之一函數； 第t圔偽根據本發明之一實施例對一 AR覆層的s極化 反射的一繪圔作為越過數個入射角度的光學厚度之一函數； 第八圔傺對第五圖之該受到AR覆層的p極化反射的一 -：---：-- 8 : 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .Q衣. 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 繪圖作為越過數個入射角度的光學厚度之一函數； 第九圔偽用以光學地監視在基體上的薄膜成長的一裝 置之一結構圔； 第十圖僳根據本發明的用以在光學基體上産生AE覆層 的一較佳裝置的一結構圖； 第十一圔偽根據本發明之另一實施例的反射之一繪圔 作為用於一多層AR覆層的光波之一函數； 第十二圖傺s極化反射之一繪圖作為對於第十一圔之 該受到AR覆層的波長之一函數； 第十三圖偽根據本發明而作有一單AR層的一眼科透鏡 之一結構截面圔；及 第十西圖偽根據本發明而作有兩AR層的一眼科透鏡之 一結構截面圔。 較佳審掄例：> 說Bfl 本發明提供用以減小在光學基體，與在光學基體上新 的、單一和多層AR覆層的反射的方法和裝置；如在此中所 使用的，術語”光學材料”、”光學基體”、及”光學物件”參 照於如玻璃和塑膠，及以此材料製的物件之通常透明或半 透明材料；此種物件之非限制例子包括透鏡、窗戶、電視 和電腦監視器螢幕、及檔風玻璃。 反射度R傺反射部分之光之強度Ir對入射探測光之強 度I之比例： ir I y〇-yi I 8 !?(λ，0 ,P)= —= p p * =- (1) Ιι I y〇 + yi I 8*
該反射度隨著光波長λ、入射角度0、及光之極性P ___-Q-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） · · - ί ί ί nn n ml -- 11 ^^^1 1 nn n^i t^n nn—·" Jew i i- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（ A7 B7 經濟部t央橾準局員工消費合作社印製 而變化；它等於弗雷斯諾反射偽數P和它的共輛複數 之乘積，其也可以基體媒體y»和入射媒體^之光學入射度 而表示；光學入射度偽 y = 2.6544xl〇-3 (n-ik) = (C/B) (2) 在此η傺折射指數之實數部分，k傺折射指數之吸收（ 虛數）部分，且該數量常數傺對SI單位之一轉換因子；當 —或多個薄層被加於其之人射度為n m的一基體時一光學 物件之光學入射度變成y=(C/B),在此C和B藉解如下之矩 陣方程式而計算： q rcos 5 r (isin)/ ?? r Η 1 ] Π I i- (3) r = i π r s i η 5 r· c 0 S δ r U ?? m J J 在此nr·該等層體之一特殊者之傾斜光學入射度；在 方程式（3)中對於每一層r其之實體厚度為dr·的三角函數之 引數傺 δ r = 2n (n-ik)drCOs(G Γ)/λ (4) 在正交入射，（0 =0)且該入射度對任何極化都是相 同的；在其它入射角度一者將入射波分成兩個極化P和s, 並定義傾斜光學入射度： Π p=2.6544xl〇-3(n-ik)/cos(0 ) (5) n S=2.6544xl〇-3(n-ik)xcos(e ) 經由下面公式而導向一般反射度R、透射率T、及吸收 率A : in 〇 B-Cl f 77 o B-Cl ^ R = Τ = · -ιι , 77 ο Β + C ; I 77 〇 Β + C〕 4π οΚβ(?? m) (6) ----------- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、βτ (η 〇B+C)(n 〇B + G)^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐+ ϋ' 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 ___ ~ ___ -. ... .-. 五、發明説明（8 ) 4 π 〇 Re(BC^-n m) Α =- (n〇B + C)(.n〇B+C)* 在此下標Ο和m分別參照於入射媒體和基體，·這些方程 式之推導在H.A.Hacleod, op.cit.的第一章中被描述。 藉使用在300和750ηπι間之波長和大至60度角對塗覆200 nm之SiOdO 135ηιη之CFX聚合物的一多磺物基體而解答這些 方程式之例子被陳示為在第一和二圖中的s-和p-極化的光 對基體、層體之折射特性、或它們被塗覆在該基體上之 次序的改變導致在該反射度R( λ,0 ,Ρ)中複雜的但容易計 算的改變。 人類視覺之敏感度隨著光學波長和入射角兩者而變化 ，如被討論的例如在關特維徹基和W.S.Stiles (紐約：維 列）（1 982)的”彩色科學：量性資料和公式的觀念和方 法”與尼古拉斯華德和麥寇斯萬斯頓（倫敦：路雷基）（ 1991)的”視覺感官”中；然而人類視覺条統對極化則不敏 感0 人類視覺敏感度隨著波長S( λ)的變化被圔示在第三 圖中，其陳示對各錐形顔色（名稱上紅、綠、及藍）的敏 感度以及反應的總和；此總和被參照如光圖反應。 第四圔說明人類視覺敏感度對光如越過一範圍之角度 之角S (Θ)之一函數的平均值；雖然人類眼睛偵測通過越 過一水平2G8度之角度散佈和一垂直12 0度之散佈的光暈被 折射的光，該眼睛並不以相等敏感度和可信度而感覺綜貫 此角度範圍的光，此可變性被S(0)描述；如眼科配方的 情形的，有平均數值和來自這些平均數值標準離散，其在 — --11 -——- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） ·" m 1^1^1 i vn^— nn ^n« 1¾ ^^^1 mu In— ml n^— 1 * i (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（9 ) 布萊恩萬德爾的”視凳基礎”（馬里蘭的桑德蘭：Sinauer Associates) ( 1995)中被報導；如在第三圖中所示的， 對波長的最高人類視覺敏感度發生在約550 ηπ;如在第四 圖中所示的，對角度的最高人類視覺敏感度發生在從中央 固定處約2 0度之内；函數S(S)生理地依據如箅子的尺寸 和位置、角膜的結構和光學齊次性、及為在生理心理知覺 之技藝中實施者所熟悉的其它因子的變數細節。 根據本發明，一 AR覆層之設計傺基於所知覺的反射； 來自一人類觀測者之一表面的光之該知覺的反射F被定義 如反射度β(λ , 0 )和人類敏感函數S(A，0 )之乘積的積分： F = J7SU，β )RU，0 )cU d0 (7) 在此1?(λ，0 )傺該P-和s-極化的反射度的平均值並因 為人類視覺条統對極化並不敏感故被使用。 F之數值依據於該基體和層媒介之依據波長折射指數 ，並於該等層體之厚度。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 ---------衣------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明之一待擻，對一所予人類集合的S( λ，0) 之統計上決定的平均數值被使用以決定要被使用以設計一 AR覆層的較佳反應因子；然而，對於在S(0)上有特殊限 制如可能發生例如在單眼盲或罹受斑點減殖的個人的値人 限制也被本發明所涵蓋。 知覺的反射度F傺對在如厚度、成分、及它們被塗覆 在基體上的次序之一函數的一光學基體上一或多層被數量 地估計；1?(λ,0)越過對各層之一 AR覆層的一範圍之厚度 被計算；對一多層AR覆層，當保持其它層之厚度恆定時而
本紙張尺度用中國國家標準( CNS ) Α4規格（21 〇 X 297公釐V 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 越過對各層之一範圍之厚度計算R(A，e),然而對一單層 AR覆層，只越過對該單層的一範圍之厚度而計算Κ(λ，θ) ，·例如，在設計在該基體上含有具一實體厚度的一第一 層之TiO和具一實體厚度“的一第二層之CFX的一最佳多層 AR覆層中，RU , Θ )對該CFX層之一所予(13如10 ηπι被計算 ，且類推，使得一範圍之(h越過一範圍之d2,又如以5 nm 之區間越過5-300nm,被計算；從方程式（7),知覺的反射 F對此AR覆層從RU ,θ )xSU ,θ )乘積對越過厚度1 (=5 至300nm)和(^ (=5至300nm)之範圍的RU ,θ，d)計算值 被計算；一或更多F之最小值然後從該被計算的F數值越過 厚度ih、1之範圍被決定。 該成分和次序可能被如黏度、表面能量、化學阻抗、 等等的其它材料因子所限制；根據本發明，在一 AR覆層中 之層體.的較佳厚度、成分、和次序可受制於這些限制而最 小化F之數值。 根據本發明之一實施例，具有一平均知凳的反射度Fn 之一光學基體如上逑所設計被塗有一 AR覆層，致使具塗覆 層物件的平均知覺的反射度Far小於Fk,且較佳地小於或 等於約四分之一的如在此中所用的，”平均知覺的反 射度”僳從人類敏感度反應S(A，0)之統計地決定的平均 數值所計算的知覺的反射度。 一旦一較佳基體和層體条統被定義了（以沉積之成分 、厚度、及次序），下一步驟為被塗覆物件的準備。 根據本發明，如一眼科透鏡的一或多個基體被置入稍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 ' _ _ B7 五、發明説明（11 ) 大於要被塗覆的基體之一簡潔室中；較佳地，該室具有不 大於約要被塗覆的基體之體積兩倍的一體積；該室被抽空 並充滿如氬或氮的一化學上憶性氣體；該惰性氣體以電力 激發以産生一電漿；該基體表面藉從該惰性氣髖（如He、 Ha、Ar )的濺射或藉使用一反應氣體（如〇a、HBr)而化 學地蝕刻該表面，如為在電漿處理之技藝中實施者所熟悉 的，而被清潔。 一或多個分子前驅物（下逑）被與該憶性氣體流混合 並用電力激發以産生一電漿；該電漿激發、解離、及離子 化該前驅物，産生被傳送到該基體表面的反應段落並聚合 以形成薄膜；這些薄膜具有依據該前驅物、沉積條件、和 ν 薄膜厚度的折射特性，因此減小反射的一廣樣式之單層和 多層覆層可被成分。 分子前驅物、結果薄膜之成分、及平均薄膜折射指數 之非限定例子被示於表一。 表 一 用於抗反射薄膜之低壓電漿成分的典型前驅物
Hll願物 Si(0CaHs)4
Si(CH3)4 HSi(CH3)3 C4H4S (thiophene) C4H4O (furan)
CeHs (苯） Ti(0Q2H#)4 Ti(N(C2He)3)4 C a F 4 其它氟化碩 c-C4 Fe 已被發現到前驅物之一特別有用的条種包含全氟化有 機化合物，如過氟脂族、過氟環脂族、及其它氟化磺化合 - --------：--14------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 析射指數 相示 1.52 液態 1.45 液態 1.45 氣態 1.60 液態 1.55 液態 1.65 液態 2.2 液態 2.3 液態 1.35-1.4 氣態 1.35-1.4 可變 1.35 氣態
c C 2 4 Η Η I a a 4 2 3 3 c c Η X X poccso 60N XXX i i i c c c i i F F F 蓮sss -I I TTCCC / / 經濟部十央標準局員工消費合作社印掣 A7 B7 五、發明説明（12 ) 物；非限定例子包括過氟環丁烷、六氟乙烷、四氟乙烯、 及六氟丙烯；被如此前驅物之電漿沉積所製的聚合氟化磺 薄膜具有極低的折射指數，典型上低於1.4,使它們很適 於使用在抗反射覆層中；對於氟聚合材料之低折射指數的 理論基礎被W.Groh和A.ZimmerBan在”巨分子”中，24, 66 6 0- 3 ( 1 99 1)所討論；先前地，氟化聚合薄膜已被廣泛地 使用因它們有利的光滑特性，以及它們推斥水並改善基體 清潔的能力；如此特性典型上不隨該氟聚合薄膜之厚度有 相當的變化。 在反射度上隨著一單層AB覆層之厚度而改變之一典型 說明被示於第五圖中；在500ΐ])π光學波長的250ηπι層之反射 " 度等於一未塗覆的基體者，而一 38?nai層者（在516nm的3/4 波）被減到等於為在500nm的1/4波層（125 nm)所觀測者 的一數值；換言之，一氟化碩成分物其本身並不適於提供 AR特性；該層之厚度必須被選取並被精確地控制以逹成AR 特性；在一單層芾氟聚合物薄膜的情形中，當該光學厚度 是550/4之奇數倍時知覺的反射度函數F之在地最小值被獲 得；（光學厚度ndr偽一層之折射指數η和它的實體厚度dr 之乘積。） 本發明之一重要特徵在於在一或多痼波長和一或多個 入射角的極化光之反射被使用以監視和控制AR覆層之成長 ;在選取層厚度和成分後，方程式（2)到（S)被解答為層厚 度的分離數值多到並包括較佳厚度；對各個中介厚度，結 果是三度空間表面，如在第一和二圖中所示的，一為s-極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（13 ) 化反射度且一為P-極化反射度；第六圔陳示在對在多碩化 物上的一聚合氟化磺薄膜的一正向入射（θ=〇)的這些表 面之截面圔，以光學厚度範圍從90 ηιη到180nm且光學波長 在35 0和750nm之間；第七和八圖暉示通過在0、10、20、30 、40、及50度入射角和500 ηιη之一固定波長的相同表面的 截面圔；（從方程式（5)回想到在正度入射p-和s-反射度 是相同的。） 藉使用反射度之變化R( λ, 0, P)，與薄膜厚度，一 或多個探測波長和一或多痼探测角被選取為AR覆層處理之 在場光學監視；該選取基於越過需要控制的厚度範圍的反 射度之變化，例如當在兩薄膜前驅物之間作切換時；較佳 地，該探測波長更被選取使得電漿放射將干擾偵测器的波 長被避免；相同的，該探測角被反應器和共同慼覺的幾何 所限制，小於約5°或等於約90°的角度應被避免，電極 或其它結構的元件可能干擾探測光束之傳輸或接收的角度 也應避免。 在基體上的薄膜成長藉使用例如一極化的發光二極體 的一光學輻射放射器及如與一光二極體成分的一極化光學 濾波器的一偵測器而被光學地監視；從該薄膜成長監視器 的量測被一回授糸統所使用以控制薄膜之沉積速率，允許 塗覆有要被産生的預設抗反射特性；該回授糸統藉控制先 驅者流動速率、電漿激發、及/或室壓力而控制沉積速率。 光學監視器14之一實施例被圖説於第九圔中；一光源 36放射有一界定的波長和極化的一探测光37 ;在此實施例 _ - 1 fi-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------Q衣一-. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 經濟部中央標準局員工消費合作社印製_ A7 B7 五、發明説明（14 ) 中.，光源36是有一極化濾波器40和一午涉濾波器42的一燈 具38 ;替代地，該光源是一雷射或一極化光放射二極體； 該探測光樹可以是單色的，但不必須；探測光之波長可包 含一窄的或平順的波寬，只要它提供在對該回授糸統的所 要沉積厚度的反射度中容易偵測的改變，在下面更詳細討 論；過濾的探測光之波長或波寬被選取以不同於周遭光波 長或在PECVD時被活化電漿所放射的光；該探測光焉有在 基體表面上的一定義的入射角Θ ;該探測光通過一窗戶44 順路到基體；窗戶44之面被設置垂直於入射探測光束，且 該窗戶被安裝在一窄管46之端點，其應有足夠的長度以排 除在它内部表面上的薄膜沉積，例如，典型上超過它直徑 之四倍。 在基體上探測光之入射角度部分被窗戶44之安排和光 學特性所限制；該角度可範圍從0到90° ,以在約5°和50° 間的一較佳角度以避免被來自窗戶表面之反射的于擾並安 置對齊。 一部分之探測光反射離基體表面，而一未反射的部分 當通過沉積薄膜和設於其下的基體時被折射和/或吸收； 該反射部分之探測光通過一合適地設置的偵测器安排，其 包括一管體48、窗戶50、干涉濾波器52、極化濾波器54、 及一偵測器56,例如，一簡潔光增殖器或光二極體；仍然 ，管體48之長度應約為它直徑的四倍以對薄膜前驅物遮蔽 窗戶表面；電漿光放射之影響藉選取一探測波長或波寬而 被控制，在其該電漿則不放射；該等干涉和極化濾波器只 __- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 B7 五、發明説明（15 ) 允許探測光波長貫通，因而確定該探測光之反射部分之強 度之一正確讀取。 第十圖圔說根據本發明之一較佳實施例的一電漿加強 化學氣相沉積（PECVD )裝置1G,以修整的實體尺寸以適 合一對之眼科（透視）透鏡，其可以是玻璃或塑膠（例如 ，多碳化物、可從PPG工業獲得的如CR-39*m的bis-phenolA .樹脂、等等）；該PECVD裝置包括一微處理器12、光學監 視器14、試劑源16、入口岐管18、壓力控制閥20、流動控 制閥22、電漿反應器24、電源供應器26、基體握持器28、 真空邦浦30、及抽氣過濾器32;塑膠或玻璃眼科基體34、 35被安裝或放置在基體握持器28上並插入該電漿反應器室 中，其較佳具有一體積小於要被塗覆基體者'約兩倍。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -------IO衣 |_^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) PECVD渉及將基體放置在一反應室中，將能夠形成所 要層體的至少一前驅物材料以關於塗層表面的一薄層流動 和以一適合的壓力而通過該室，且然後産生一電場以形成 有前驅物的一電漿Γ能量之耦合於該氣體經由可為靜態的 (d.c.耦合的）或動態的（a.c.耦合的）電場而發生；A. C.耦合可以是電容的、電感的、或其兩者的；該（等）先 驅者在電漿中且在塗覆表面上打破並反應以形成期望層； 依據於該（等）前驅物之組成、電場強度、及其它參數， 薄膜可具有規則地重覆的分子構成、無定形區、或次序的 和非次序的聚合區之混成的延伸陣列。 表列在表一中的大多數前驅物化合物在室溫和室壓時 是液態的；在一較佳實施例中，液態前驅物藉冷卻它且然 ____- —-~ IS-r-：_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) 規格（2〗〇X297公董） 經濟部中央標準局員工消f.合作社印製 A7 _ B7__ 五、發明説明（l6 ) 後將它受制於真空而被抽除；依據於它的沸點，該液體然 後被加熱到周遭溫度或更高以提供充分的正性氣相壓力以 流過一通道条統；替代地，一如氦的攜帶氣體可被吹過該 液體以獲得期望組成之一稀釋氣相混成。 形成本發明之AR覆層的氣體前驅物可從一外部源通過 一糸列之入口管並進入該反應室而被供應；將各種氣體輸 通入該反應室之技術待殊性在該技藝中為熟知。 攜帶者和反應氣體之流入該反應器可以流動控制閥控 制，其在該技藝中為熟知，並供用以量測氣體之流動和控 制如此流動兩者；甚者，當被使用時該攜帶氣體可被預混 有氣體的反應物或被一分離入口饋入該中央饋送線。 如在第十圔中所示的，該前驅物氣體之壓力和流入電 漿反應器24被流動控制閥2 2所電子地控制；該室的溫度較 佳是在或近於周遭溫度。 裝置1〇包括一回授条統以允許對在基體上的一 AR覆層 之沉積的精確控制；該AR覆層可包含一單層或多層，各層 具有一預定的厚度；很重要的，各層之厚度精確地對應預 定設計厚度以最大化該覆層之抗反射特性；該回授糸統量 測各層之厚度當它被沉積時並控制據此之沉積速率以精確 地控制被沉積層的厚度；該回授条統包括撤處理器12、光 學監視器14、和一或多値之壓力控制閥20、流動控制閥22 、和包括一電漿産生器和一反應室的電漿反應器24、及電 源供應器26;較佳地，該微處理器被連繫於所有的控制閥 和電源供應器；被反應於來自光學監視器14的一回授信號 ____-19-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X ：297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局負工消費合作社印掣 A7 B7 五、發明説明（17 ) 的微處理器12所統制的主要控制元件為通過流動控制閥22 的氣體流動率和被電源供應器26對電漿反應器24的電漿激 發；在有些實施例中，是有利的當在清潔或蝕刻該（等） 基體的步驟和沉積塗覆材料之多層的步驟之間切換時以壓 力控制閥24調節該室的壓力。 下面是對不同的AR覆層從方程式（1)到（〇而計算的反 射度描寫之一些例子；被企圖於這些例子被考慮如本發明 之説明，而非限制其它在此中所掲露的和訴求的。 第一和二圖說明從在一塑膠眼科基體上的一典型兩層 AS覆層的一非極化光源之s-和p-極化的成分的反射度；計 算被示於越過在一多碩化物基體上的Si02之一 200 na層的 氟聚合物（CPX)之一 135H1B層。 第七圖陳示從在500 μ光學波長的薄氟聚合物膜，在 範圍從0到50度的六値不同入射角而計算的s-極化反射度。 .第八圔陳示從在500 μ光學波長的薄氟聚合物膜，在 範圍從〇到5 0度的六個不同入射角而計算的Ρ-極化反射度。 Ρ-極化的反射光隨覆層厚度和入射角度的變化是十分 不同於s-極化光，如藉比較第七和八圖可見的；考慮以一 綠色探測光（500ηΠ)在一 50°之角而量测的125na之一所要 的薄膜光學厚度作為此診斷之一例；如在第七圔中所示的 ,當目標厚度從80改變到125 ηπ時該s-極化反射度從在90 nm光學厚度之9. 6%掉到6%;越過薄膜厚度之相同钲圍，該 P-極化反射度從0.5¾掉到0.4% (第八圖），一個極小和更 困難的改變以正確地量測；所有其它因子傺相等，該s-極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格·（ 2lbx297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（18 ) 化信號將被選取為在該光探測之入射之一 50°角的沉積處 理之回授控制。 換言之，在本發明之一特戡中，一目標光學厚度對一 或多層被識別，旦方程式（1)到（6)然後被解答以找出極化 反射度隨波長、入射角、及層厚度之變化；一或多_角度 和一或多個波長被選取以在沉積時探測（監視）該層；當 該反射光強度達到對在所選取的波長和角度的目標厚度而 計算的數值時，沉積處理被钶如微處理器12所終止，•此方 法可容易地一般化於多於一層。 在一些實施例中，是有利的形成一多層，而非一單層 之覆層；多層覆層可提供有低反射度的比用一單層覆層可 .............. '達到的一較寬廣的頻譜區；其它的材料考慮包括黏度、抗 刮痕性、抗化學性（如抗污點性）、抗磨損性、及其它所 要的特性；第十一圖提供對在一多碩化基體上的一兩層覆 層之一非限定例子的計算的平均反射資料；第一層偽有一 180nm光學厚度的TiO ( 81.8na實體厚度），被Ti(i-PrO)4 之化學氣相沉積所形成；此被一層之氟化磺（CFX)薄膜（ 125 ηπ光學厚度）所隨後，藉使用〇-(：4?8作為一前驅物所 製成；請注意相較於對在第六圖中的一簡單CFX覆層而找 出者低反射度之區域被加寬了。 如以單層AR覆層或薄膜的，在各種角度和波長的極化 反射度可被使用以控制在備産一多層AR薄膜中的沉積處理 :例如，第十二圖陳示對一完成的兩層覆層在從0-50°的 角度的s-極化反射度；相似於對單氟聚合物覆層在第七和 本紙張又度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） - i m ί· ί ί ml m m ^^^1 ^^^1 ^^—^1 m n^i ····J. - i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（l9 ) 八圖中所示者的一族之曲線可被使用以計算極化反射度， 以對應於觸發從該T iO前驅物到該CFX前驅物的切換的一所 要厚度的極化反射度之選取數值。 未極化的探测光也可藉使用在極化過濾器54和取代單 一偵测器56 (第九圖）的兩値匹配偵測器之間的一極化分 光器而解決；偵測器輸出之比例等於從上面方程式（1)到 (6)可計箅的對應弗雷斯諾反射傺數之平方的比例；此比 例産生被第一和二圖之比例對一單厚度薄膜和對一成長薄 膜或多層的一族之如此表面所特性化的一反應表面。 在一些實施例中，是有利的選取多於一個入射探測光 波長及/或極性化，特別是如果使用多於一痼前驅物，或 如果對於清1T步驟一波長·'是最佳的且對沉積一不同的波長 是較佳的。 經濟部_央標準局員工消費合作社印製 --------10,装-- (請先闊讀背面之注意事項再填寫本頁) 基體之組成通過它的光學入射度yn而進入方程式（2) ;如一宵際事件的，在基體之厚度上的差異並不輸入該等 方程式，因為眼科基體之厚度傺遠大於入射光之光學波長 ;只要通過該探針接觸透鏡處的光點半徑的曲率之基體半 徑之比例是遠大於一，其為對在該眼科基體上的一充分小 的探針點總是被滿足的一情況，則該基體之形狀並不輸人 該等方程式。 根據一實施例，在薄膜沉積前，該基體藉將它暴露於 惰性氣體離子電漿、反應原子團、或藉在該技藝中其它已 知裝置而被清潔；産生和施用電場以産生電漿之方法對此 處理並不重要；例如，電場可以直接的、電感性的、或電 —? 9 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210/297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（20 ) 容性的耦合条統而産生；此条統之非限定例子可在棟史密 斯的”薄膜沉積的原理和實施”（紐約：麥克格羅希爾）19 95,中找到。 被使用以清潔一基體之步驟隨箸基體組成、污染的程 度和型式、及從流動結果的電漿範圍和被使用的特殊電漿 室之電氣限制而變化；例如，通常在薄膜沉積前使用數分 鐘的氧氧電漿以蝕刻除去有.機材料；有機污點和表面氧化 之蝕刻也可藉如HBr的放電鹵素化氣體而完成。 在一實施例中，該清潔步驟藉致動真空邦浦30並允許 氬氣以1-20毫巴之壓力到該管體而啓始；一電漿被將50kHz 電力施用於安裝在電漿反應器24内部（以直接耦合）或外 部（以電容性或電感性耦合）的環形電極所點火；電子、 正氬離子、被激發的樣品、及光衝擊在該基體之兩面上， 去除所吸附之雜質並致動對AS覆層之黏著的表面。 此表面備製可修正表面層之折射指數；折射指數之修 正也可被使用以光學地監視該清潔步驟；在該表面層之折 射指數中的一改變引發在從該表面的弗雷斯諾反射中的一 改變，其為可用光學監視器14量測的一改變；該清潔步驟 因而可藉使用如上所述本發明之回授条統而被控制，藉持 續該清潔步驟直到相對於一充分清潔基體的一期望折射指 數被偵測為止。 根據另一實施例，該清潔處理藉觀測來自雜質的螢光 而監視當它們從電漿反應器24被清除時；例如，激發的0H 從被電子撞擊的水汽之解離激發而産生，其産生可觀測的 ___'___-2H:____ _ 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^IT—; ο (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局t貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（21 ) 螢光放射；當在電漿反應器24中的水汽集中在電漿清潔中 減小時，這些螢光放射之強度則衰減。 在輸進氣體反應物前該反應室被抽空；適於本發明之 處理的室壓力一般小於一大氣壓之十二分之一且典型上處 在約50mTorr到約lOTorr之範圍中。 在覆層表面如上述被清潔和處理後當該（等）前驅物 進入該反應室時，.一電場在預選的頻率和電力條件下被産 生以離子化該氣體混成，因而形成一電漿；當一放電在該 (等）薄膜形成氣體前驅物中的一低壓力被産生時，該（ 等）前驅物變成離子化，形成一電漿；在越過或該基體上 的薄膜形成前一部分之材料偽處在該電漿所産生的離子、 電子、及中性自由原子團的形式；在電極間産生一電場之 方法為在該技藝中所熟知並被描述例如在”薄膜沉積的原 理和實施”（同前）中。 一較佳沉镡速率傺介於約每秒〇 . 1和10毫撤米間，然 而，大至約65nm/sec之速率亦為可能；該沉積速率只被在 其一均等電漿可被産生以形成一均勻沉積層的速率所限制 較佳地，該AR覆層被持續地沉積而在層間無中斷；此 可藉減小一第一前驅物之流動速率而同時啓始在第二前驅 物之流動增加使得兩個材料被同時地沉積而完成；在此情 形中，在折射指數描寫中更漸進的改變可被産生；替代地 ，有許多情況需要一中繼清潔或致動步驟，例如以舒緩內 應力或改善在層間介面的黏度。 較佳地，該多層AR覆層被冠有疏水性材料的一光學薄 ________. 本纸張尺度適用中國國家禕準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1° 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（22) 層（例如，ndr<20nm);例如，一疏水性的、聚合氟化碳 薄膜可從如一全氟化有機化合物的一前驅物，例如過氟環 丁烷（c-“Fa)、三氟甲烷（HCF)3、四氟乙烯（CaF4)或六氟 丙烯（CF3)6 ;此一層之出現使得較容易去清潔該塗覆的基 體，並防止水和油漬的形成。 根據本發明之另一實施例，在清潔步驟和沉積步驟間 有一平順過渡；在近於清潔週期之終點，沉積前驅物材料 被流入該室，且例如氧的清潔試劑被逐漸限制在一平衡方 式使得在薄膜之第一層之形成中該表面持續地被具能量的 質點轟擊；這是重要的，如出現在甚至10-sTorr之一集中 的一雜質將在小於一秒中形成一單層；以此方式從清潔平 順地切換到沉積也改善該薄膜的黏+性。 藉反應離子的PECVD最好以包括在雙焦距眼刻透鏡上 發現的突部之規則的以及不規則的表面而用於覆層基體； 在沉積中，産生薄膜覆層的離子流之方向被靜電鞘和離子 熱性溫度（以eV)對該鞘電位之比例所決定；該鞘被指正 向於在基體表面的切面且當該潔構之空間尺度小於約lODe bye長度時其不被修正；一 Debye長度像描述越過其一電場 可被維持在電氣傳導電漿媒體的距離之一電漿參數；如果 每立方公分的電子數是队且以eV的電子溫度是Te,則以公 分的Debye長度1是： l = 525 (TeHe-” … (8) 在一典型組之電漿條件下，以103car3之一電子密度和2電 子伏特（eV)之一電子溫度，此Debye長度是0.02 cm,故 __ ' — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 、 _____ B7 .— .五、發明説明（23 ) 有小於約10*1 = 2«的一曲率半徑的特激將不影響該鞘電場 之方向；離子流之角散度傜被該離子熱能對該鞘電位之比 例之平方根之反正切所表示： Θ =tan-4 (Ti Vsheath-1)^'3 (9) 對一典型離子溫度600° K且一鞘電位2eV此角散度是9° ; 此角的平均産生比對沒有橫超能量的一單能離子束之情形 更均勻的覆蓋於外形。. 越過實際有趣之步驟對眼科基體之均形覆蓋，例如對 雙焦距透鏡的突部，可藉例如提升1或減小Νβ以延伸對均 形覆層的空間尺度而改變電漿條件被獲得。 除了上述的方法和裝置外，最好是本發明也提供被低 反射度所特勸化的製造之獨特物件；一殷上，該等物件是 透明的，例如眼科透鏡、窗戶、擋風玻璃、電視螢幕和電 腦監視器、等等；透明物件和基體在越過被人類梘覺条統 所感覺的頻譜區沒有.光的吸收，其傷在、約35 0和約750nm之 間；然而在有些實施例中，該物件可能是半透明的；半透 明物件和基體在一些可見波長透射光但在一或多Μ可見波 長則吸收一些或全部之光；半透明物件之非限定例子包括 翬色的和遮影的太陽眼鏡、毛玻璃窗戶、及翬色的擋風玻 璃。 在一實施例中，一透明或半透明低反射物件包含一光 .學基體和一或多層之AR材料；較佳地，至少一層是一薄氟 聚合物薄膜；第十三圖俗一如此物件之截面之結構說明， 一透鏡100;該鏡包含具有相對的第一和第二表面104、106 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 i、發明説明（24 ) 的一光學實施及在該眼科透鏡之至少一部分第一表面104 上所塗覆（覃精確地，沉積）的一層之AR材料1〇8 ;在其 它實施例中（未示），該AR材料被沉積在該鏡面·之底表面 上、該鏡面之頂和底表面兩者上、及/或該鏡面之邊緣上。 第十四圖傺另一低反射物件之截面之結構說明，一眼 科透鏡100 ;該透鏡包含塗覆有AR材料之兩不同層110和112 的一光學實施102 ;該兩層皆被考慮要被沉積或”塗覆”在 該光學基體上，然而如所示的，只有一如此層110偽鄰近 於該基體，另一層112傜鄰近於AR材料之第一層；很容易 認知到具有多於兩層之沉積在一置於其下的光學基體材料 的低反射物件也在本發明之範疇之中。 本發明己以較佳和例示的實施例所描述了，但不被其 限制；各種的修正、操作和實施模式、全都在該技藝中有 技術者的能力和技術中，都可被做而不致偏離本發明；例 如，該等覆層和設計並施用它們之方法可在除眼科鏡面外 的各種光學基體上被使用；如果建造一適合的大反應器， 既使像汽車擋風玻璃的大物件也可給予一 AR覆層。 所有此中的參考被如以它們的整體性在此中設下的參 #所併人；在本文和申請專利範圍兩者中，闋於數目之一 範圍而用的字”約”被企圔以修正所逑的高和低數值兩者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公納/- ^^^9 —HI— I m· >n^ ^^^^1 ^11^1 n·—* Hall m· m —^i^i (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 10電漿加強化學氣相沉積裝置 五、發明説明（2S ) 元件編號對暗弄 14光學監視器 3 6光源 37探測光 40、54極化濾波器 42、52干涉濾波器 12微處理器 16試劑源 18入口岐管. 2 0壓力控制閥 22流量控制閥 24電漿反應器 38燈具 4 4、5 0窗戶 46窄管 48管體 56偵測器 26電源供應器 28基體握持器 30真空邦浦 3 2抽氣過濾器 34、35塑膠或玻璃眼科基體 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐Y

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 ___ 六、申請專利範圍 1. 一種用以在光學基體上沉積抗反射薄膜的装置，其包 含有： 用以容裝一光學基髖之一反應室； 耦合於該反應室並適於將一電漿引入該反應室之 一電漿産生器；及 鄰近該反應室且適於控制該抗反射薄膜之薄膜f 度的一光學監視器。 2. 依據申請專利範圍第1項之裝置，其更包含有： 操作性地藕合於該電漿産生器之一入口的一流量 控制閥；及 用以控制該反應室中的壓力之一壓力控制閥。. 3. 依據串諳專利範圍第2項之裝置，其中該光學監視器. 包含有： 用以導引一選定波長或頻寬之一束極化光以一選 定入射角而照於該基體上的一極化光放射器；' 用以量測從該基體導出的該極化光之一反射部分 之強度的一光偵測器；及 耦合於該光偵測器和耦合於該流量控制閥、該壓 力控制閥、及該電源供應器中之一或多個的一微處理 器，該微處理器能夠響應於該光偵测器所偵測的該極 化光之該反射部分之強度而控制該流量控制閥、該壓 力控制閥、及該電頫供應器中之該一或多値。 4. 依據申請專利範圍第3項之裝置，其中該徹處理器被 規劃來： ________^_-29-__ 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) ----I--- ml--I 訂— I I . * A8 B8 C8 D8 六、申請專利耗圍 (υ從該極化光之該反射部分之一強度判定抗反 射薄膜厚度； (Β)控制該流量控制閥以選擇性地允許或限制一 或多個前驅物材料淹到該電漿産生器之流量；及 (C)藉著控制該流量控制閥、該壓力控制閥、及 該電源供應器中之一或多個而控制該一或多値前驅物 材料之沉積速率。 5. 依據申請專利範圍第3項之裝置，其中該放射器為一 個雷射。 6. 依據申請專利範圍第3項之裝置，其中該放射器包含 耦合於一干涉濾波器和一極化濾波器兩者的一光源。 7. 依據申請專利範圍第3項之裝置，其中該放射器為一 極化光放射二極體。 8. 依據申請專利範圍第1項之裝置，其中該反應室具有 不大於該光學基體體積約兩倍昀一個體積。 9. 一種用以在光學基體上沉積抗反射覆層的方法，其包 含有： 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 啓始在該基體上一層至少一種抗反射材料的沉積； 當該層正被沉積時光學式地監測它的厚度；及 當該層途到一期望厚度時終止沉積。 10. 依據申請專利範圍第9項之方法，其中該層之厚度 以下列方式被光學式地監測： 以一選定入射角將具有一選定強度和一選定波 長或頻寬的一極化光束反射離正有該材料層被沉積 ___ -30- _, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2!0X297公釐） 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 上去的該基體之一表面； 偵測該極化光束之一反射部分之一強度；及 從該光束之該反射部分之強度判定該層之厚度。 1 1，依據申請專利範圍第9項之方法，其中該層傜由電 漿加強化學氣柑沉積所沉.積。 12. 依據申請專利範圍第9項之方贫，其中該光學基體 偽為一透鏡。 13. 依據申請專利範圍第9項之方法，其更包含有·· 産生鄰近該基體的一電漿； 在該電漿中啓始一離子化第一材料之流動，供 沉積在該基體上，以形成一第一層； 當該第一層正被沉積時光學式地監測它的厚度; 當該第一層達到一第一期望厚度時終止該第一 材料之流動；. 在該電漿中啓始一第二材料之流動，供沉積在 該基體上，以形成一第二層； 當該第二層正被沉積時光學式地監測它的厚度 ，‘以及 當該第二層達到一第二期望厚度時終止該第二 材料之沉積。 14. 依據申請專利範圍第13項之方法，其更包含有： 當該第一層接近該第一期望厚度時限制該第一 材料之流動；以及 當該第二層接近該第二期望厚度時限制該第二 __l31-__, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂- Ay A8 B8 C8 D8 A、申請專利範圍 材料之流動ο 15.依據申請專利範圍第9項之方法，其更包含在該抗 反射覆層上沉積一層聚合氟碩化合物保護層的步驟。 工^，依據申請專利範圍第9項之方法，其更包含有； 在把該層至少一抗反射材料沉積於該基體上之 前以一電漿清潔該基髏。 47.依據申請專利範圍第16項之方法，其更包含有： 光學式地監測該基體之該清潔動作；及 在獲得該基體之一期望表面狀態時終止該基體 之清潔動作。 18. 依據申請專利範圍第17項之方法，其中該期望表 面狀態對應於在該電漿中從該基體發出的雜質放射 之一期望速率。 19. 依據申請專利範圍第is項之方法，其中光學式監 測該基體清潔動作的步驟包含觀_從在該電漿中的 雜質發出的螢光放射.。 2 〇 .依據申請專利範圍第1 7項之方法，其中該期望基 體之期望表面狀態對應於該基體之一期望折射率。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 r 1 I I I I I I I I I I 訂 (請先闞讀背面之注意事項再填寫本頁) 21.依據申請專利範菌第9項之方法，其中該期望厚度 傺藉最小化一察覺的反射度F而被計零；-: ， F = J7SU，0 )1?(λ，0 )(U d0 在此，_S(A，θ ).係一人類敏感度，函數，.而ί?(λ，0 ) 偽在一預定範圍之波長λ和角度0内的p-和s-極化 反射度之一平均值。 -3 2 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS〉A4規格（2l〇X297公釐〉 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 22.依據申請專利範圍第21項之方法，其中3(λ,θ) 具有一統計地決定的平均值。 2 3.依據申請專利範圍第2 1項之方法，其中該光學基 體在塗覆前具有一察覺的反射度F。，並在塗覆有一 抗反射材料後具有一察覺的反射度Far·,且Far小於 或等於Fa之大約一半。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297么i3)_ (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁)
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