TW394922B - Electric device having non-light emitting type display and method for making the electric device - Google Patents

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經濟部中央揉準局工消费合作社印蓑 A7 _B7___五、發明説明（l ) 發明背暑 - 1 .發明領域 本發明關於具有諸如液晶顯示器之.非發光型顯示器的 電裝置及製造該電裝置之方法，主動矩陣電路由薄膜電晶 髖（TFT)形成於基底上。詳言之，形成於同一基底上 之T F T>F構成的驅勤電路驅動控制本發明之電裝置的主 動矩陣電路· 2 .相關技藝說明 近來，藉著液晶顯示器薄且輕，液晶顯示器做爲各種 攜帶型電裝置（個人電腦、文字處理機、電子筆記簿等） 的顯示器·詳言之，由於——控制使用TF T之各圖素的 主動矩陣型液晶顯示器有優良顯示特性，故用於許多電裝 置。 有各種主動矩陣型液晶顯示器。一顯示器（第一種） 具有T F Τ所形成的主動矩陣電路和外部型單晶半導體積 體電路晶片所構成的驅動電路•由於須由TAB(帶自動 接合）等將半導體晶片和半導體封裝連接玻璃基底旁的部 分，故半導髖器變得相當大。由於延伸自主動矩陣電路之 接線（連線）的寬度變小以增進開口率’且接線總數超過 1 000 *故有接線連接的問題•再者’在連接部需要大 面積。由於玻璃基底之接線與外部晶片之接間的熱膨脹係 數和玻璃基底之接線與TAB之帶間的熱膨脹係數不同， 故對正精確度約6 0 jam ·因此，不能用於具有6 0 以下之圖素間距的高解析度顯示器，無法縮小顯示器，因 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐) ] 一~~ ----------^------.玎------0 f (誇先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 A7 _·__B7__一五、發明説明（2 ) 而使用能在低溫形成之非晶矽的TT T用於此顯示器· 另一顯示器（第二種）有薄膜稹體電路，具有主動矩 陣電路及諸如X解碼器/驅動器和Y解碼器/駆動器（使 用T F T形成於同一基底上）的驅動電路·由於上述外部 型半導體晶片未用於此顯示裝置，故顯示器變得相當小β 由於不需連接許多接線*故對顯示器縮小較佳*此顯示器 中，須將具有優良特性之結晶矽所構成的TFT用於驅動 電路。 因此，第二種顯示器在顯示器縮小方面優於第一種顯 示器。但第二種顯示器中，進一步縮小、減輕、變薄不足 •亦即，個人電腦中，諸如中央處理單元（CUP)、主 記憶、影像信號處理單元、影像記憶等的各種半導體晶片 形成於液晶顯示器板之外的主基底（主機板），因此須使 用至少二個基底或板（主機板和液晶顯示器板）* 爲了顯示器的進一步縮小、減輕、變薄，要只用一個 板取代二個板。 發明概要 - 本發明將半導體晶片設在液晶顯示器之至少一基底的 上述主機板，要達成顯示器的縮小、減輕、變薄，液晶材 料保持在一對基底之間•這些晶片設在形成主動矩陣電路 的基底（板）•薄膜電晶體（T F T )形成驅動主動矩陣 電路的驅動電路· 依據本發明，提供電裝置，包括：基底；至少包含一 本紙適用中困國家揉準（CNS ) A4· ( 210X297公釐): ----------赛------1T-----1^ V (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局舅工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（3 ) 個薄膜電晶體的主動矩陣電路；驅勘主動矩陣電路之至少 包含另一薄膜電晶體的驅動電路：控制驅動電路的至少一 個半導體稹體電路晶片，其中主動矩陣電路、驅動電路、 半導體稹體電路晶片形成於基底上。 圖式簡述 圖1是光電裝置的方塊圖； 圖2顯示線接合的例子； 圖3是本發明之實施例1和2之液晶顯示器面板的示 你 ren .息圖， 圖4A和4B顯示F COG的例子； 圖5 A至5 G顯示實施例3之T F T電路基底的製程 圖6 A至6 G顯示實施例4之T F T電路基底的製程 » 圖7 A至7 G顯示實施例5之TF T電路基底的製程 » 圖8A至8 I和9A至9 I顯示實施例6之TFT電 路的製路； 圖1 0A至1 0 C分別是實施例6之TFT電路的上 視圖、剖面圖、電路配置圖； 圖1 1 A至1 1 D顯示實施例7之TFT電路基底的 製程· -----Γ*-----装------1Τ------^ - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局負工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（4 ) 較佳啻施例詳沭 * 圖1顯示本發明的觀念•在玻璃製的基底（板）15 (也做爲液晶顯示器基底）上使用TF T，形成具有多個 圖素的主動矩陣電路14和驅動主動矩陣電路14的驅動 電路，各圖索包含薄膜電晶體（TFT) 1 1 、圖素電極 1 2、輔助電容器1 3 ·驅動電路X解碼器/驅動器7 5 、Y解碼器/驅動器7 6、XY分割器7 4。驅動電路可 包含XY分割器7 4，或XY分割器7 4可包含於晶片。 具有與主動矩陣電路大致相同之結構的T F T可構成 驅動主動矩陣電路的電路，亦即周邊電路·大致相同的結 構代表間極材料、本發明材料、通道形成區材料的至少一 種與主動矩陣電路的T F T —致。互補型電路、只有N通 道型TFT (不用P通道型TFT)、或只有P通道型 TFT可構成此周邊電路•因此，構成使用TFT的電路 〇 其它晶片另設在基底1 5上*道些晶片由線接合、 COG (包含 flip chip on glass ，F COG)等連接 基底15上的電路•圖1中，校正記憶71、記憶73、 CPU (中央處理單元）72、输入埠70做爲上述方法 所提供的晶片’可提供另一晶片· 線接合中，得到具有困2之剖面的形狀•亦即，晶片 2 2由向上形成的端子部2 3裝在產生電路的主動矩陣電 路2 0上’電路的端子電端2 1由金靥製的接合線2 4接 到晶片2 2的端子部2 3 ·樹脂2 5密封（覆蓋）此部分 本紙張尺度逍用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X2_97公釐） ^-----¢-- {請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 訂- 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 A7 ---B7__ 五、發明説明（5 ) 以保護連接部免於外部電擊•爲穩定保持端子連接/附著 ’端子電極2 1的表面爲諸如鋁的金靥。線接合中，由於 樹脂2 5在端子連接部大爲上升，故樹脂2 5變厚* 圖4A和4B的FCOG中，晶片4 2由向下形成的 端子部4 3裝在製造電路的玻璃基底4 0上，電路的端子 電極4 1由凸緣44 (圖4A)或金屬粒子（圓4B)連 接晶片4 2的向下形成端子部4 3 ·樹脂4 5密封此部分 以將晶片4 2固定在基底4 0上•因此，由於端子連接部 厚度大致對應晶片厚度，故可製造薄型顯示器。鋁除外的 材料，例如透明導電氧化物膜（I TO (氧化銦錫）等） 可用於玻璃基底上的端子•當液晶顯示器的主動矩陣電路 形成於玻璃基底上時，由於在許多情形使用透明導電氧化 物膜構成大部分上層的接線，故F C 0 G在此方面較佳》 輸入埠7 0是從外部（例如主電腦）接收輸入信號並 將接收之輸入信號轉換成影像信號的電路。校正記憶7 1 是在主動矩陣面板固有的記憶*依據主動矩陣面板特性用 來校正輸入信號等·詳言之，校正記億7 1是不變性記億 ，儲存各圔素固有的資訊•當點缺陷產生在光電裝置的圖 素時，對產生點缺陷之圖素旁的圖素產生校正信號，因而 補償點缺陷。當圖素與周圍圖素比較較暗時’產生圖素與 周圍圖素有相同亮度的信號β由於圖素缺陷資訊在各主動 矩陣面板不同，故存入校正記億7 1的資訊在各主動矩陣 面板不同· CPU72和記憶73與共用電腦者有相同功 能，記憶是RAM (隨機存取記億）’儲存對應於各圖素 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐) " Γ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) -装· 灯 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 ___B7 _ _ 五、發明説明（6 ) 的影像資訊* · 〔實施例1〕 圖3是此實施例之液晶顯示器面板的示意圖•圖3中 ，基底（板）29與基底（板）30相對，液晶材料保持 在基底29和30之間•使用TFT，主動矩陣電路31 和驅動主動矩陣電路3 1的周邊驅動電路32至3 4形成 於諸如玻璃基底的基底3 0上。主記憶晶片3 6、MP U (微處理單元）37或CPU(中央處理單元）、校正記 億3 8附在形成電路3 1至·3 4之基底3 0的表面，電連 接電路31至34*當晶片由FCOG連接基底時， I TO製的接線端子部（接線連接墊）3 9 (對應於圖 4A和4B的接線部4 1 )形成於基底3 0的部分3 5 * 實施例中，使用有圖4 A和4 B之形狀的接點。圖 4A中，形成於晶片4 2之電極部4 3的導電凸起（凸緣 )44電連接基底40上的接線部41·有機樹脂45用 以在基底4 0上保持晶片4 2 *無電電鍍所形成的金可做 爲凸緣4 4。 一 圖4 3中’使用導電粒子（例如金粒子）4 6分布的 有機樹脂45，基底40附在晶片42 ·因此，使接線部 4 1接觸分布在晶片4 2與電極部4 3之間的導電（金屬 )粒子46，進行電路連接。可光固化樹脂、可熱固化樹 月旨、可自然固化樹脂等做爲黏著劑的有機樹脂4 5 ·在附 著晶片後，液晶材料可噴到液晶顯示器。 表紙張用巾SH家料·（ CNS ) A4«UM 21GX297公釐) ~ " ---^--V-----¢-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 B7_五、發明説明（7 ) 在上述處理後，CPU和記億形成於液晶顯示器基底 上，使用一基底，構成諸如個人電腦的電裝置· 〔實施例2〕 產生圖3的面板，主動矩陣電路31和周邊驅動電路 3 2至3 4由TFT形成於基底3 0上·主記憶晶片3 6 、MPU37(或CPU)、校正記憶38附在形成電路 3 1至3 4之基底3 0的表面，電連接鋁合金薄膜製的接 線端子部（接線連接墊）3 9 (對應於端子電極2 1) * 由圖2的線接合形成於基底4 0上·細金線做爲接合線。 〔實施例3〕 晶片由FCOG附在TFT電路（單石型主動矩陣電 路）基底，構成更增進的電路•稍後使用圖5A至5G， 說明單石主動矩陣電路的製程· 1 0 0 0至3 0 0 0A。 厚的氧化矽膜在基底（Coming 7059) 501上形成基 本氧化物膜5 0 2 «形成此氧化物膜的方法可包含在含有 氧之氣氛中的濺射或電漿CVD (化學蒸鍍）· - 非晶或結晶的矽膜由電漿C V D或低壓C V D ( LPCVD)形成300至1500A厚，最好500至 10 0 0A。爲形成結晶矽膜，在形成非晶矽膜後，可照 射（光退火）雷射或相當於雷射的強光，或在5 0 0°C以 上長期熱退火•在熱退火的結晶後，可光退火以增進結晶 。熱退火的結晶中，可添加促進矽結晶的元素（催化元素 >紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4说格( 210X297公釐）_ " -----；-----^------、訂------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局男工消费合作社印装 A7 _·__B7__五、發明説明（8 ) )，例如鎳· · 蝕刻矽膜形成周邊驅動電路的TFT活性層5 0 3和 5 0 4及主動矩陣電路的TFT活性層5 0 4，做爲島狀 區*再者，500至2000A厚的氧化矽在含氧的氣氛 中由濺射形成閘極絕緣膜5 0 6 ·形成閘極絕緣膜5 0 6 的方法可包含電漿CVD· 閘極絕緣膜要有足夠髙的耐壓·這是因爲電場在陽極 化處理中施於閘極與矽活性層之間•因此，一氧化二氮（ N20)或氧（02)和甲矽烷（S i H4)宜用於閘極絕 緣膜由電漿CVD所得之氧化矽膜形成的情形•（圖5A ) 2000A至 5#m厚（最好 2000 至 6000A )的鋁膜（含0. 1至0. 5重置％的钪）由濺射形成於 基底上，再蝕刻形成閘極（或閘極線）507至510。 閘極線5 0 9連接陽極化接線（未回）。周邊邏輯電路的 閘極507和508與陽極化接線絕緣·（圖5B) 基底浸入電解液*然後使電流流入陽極化接線，令閘 極線5 0 9和閘極5 1 0陽極化。陽極化條件描述於曰本 特許公開5—267667號。因此，在閘極線509和 閘極5 1 0的上和側表面得到陽極氧化物5 1 1和5 1 2 的厚度取決於要施加的電壓，在實施例爲2 0 0 0A · 在大部分中性溶液由陽極化所得的陽極氧化物細且硬 ，具有高耐壓·耐壓等於及髙於要在陽極化中施加之最大 電壓的7 0 % ·此陽極氧化物稱爲障壁型陽極氧化物·（ 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > A4規格（210 X 297公釐）,, (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局負工消费合作社印装 A7 ____B7_五、發明説明（9 ) 圖 5 C ) · 以自動對正使用閘極部（閘極和其周圍的陽極氧化物 膜）做爲罩，雜質由離子摻雜引入島狀TFT活性層 5 0 3和5 04 ·此摻雜中，在使用磷化氫（pH3)做 爲摻雜氣體狀磷引入整個表面後，只有T F T活性層 5 0 3覆以光阻，使用乙硼烷（Β2Ηβ)做爲摻雜氣體將 硼引入TFT活性層504和505·劑量在磷爲4Χ 1 014至4X 1 01B原子/ cm3,在硼爲1 X 1 〇15至 8 X 1 015原子/cm3·硼劑置髙於磷•因此，形成N 型區513及P型區514和515·(圖5D) 照射K r F準分子電射光（248 nm波長和 20ns脈寬），增進因雜質引入雜質區而晶性變差之部 分的晶性·雷射能量密度爲2 0 0至4 0 0 m J / c m2 ，最好250至300mJ/cm2·因此，激活N型和 P型區•這些區域的薄片電阻爲2 0 0至8 0 0 Ω/平方 •在閘極的熱阻範圍內熱退火可進行此處理· 3 0 0 0至6 0 0 0A厚的氧化矽膜由電漿CVD形 成中間層絕緣體5 1 6 ·氮化矽膜（或氧化矽膜）~的多層 可做爲中間層絕緣體516·由濕蝕刻來蝕刻中間層絕緣體5 1 6，在N型和P型區形成接觸孔5 1 7至5 1 9。 同時•孔5 2 0形成於閘極（閘極線）5 0 9 ·由於陽極 氧化物膜5 1 1做爲障壁，故蝕刻停止，因而閘極線 509仍未蝕刻•（圖5E) 接觸孔5 2 0的圖型再度由光石印術形成於接觸孔’ 匕本纸張尺度逍用中國國家揉準（CNS)A4规格（210x297公釐）二12 _"""" —r -----.-----装------,ΤΓ------^ ~ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 鯉濟部中央揉率局貝工消費合作社印製 五、發明説明（10 ) 然後使用含鉻酸的蝕刻劑來蝕刻，例如鉻酸（1至5%) 和磷酸（或硝酸、醋酸）的混合溶液，形成接觸孔5 2 1 •(圖 5 F ) 濺射形成2 0 0 0至6 Ο Ο Ο A厚的鈦膜，再蝕刻形 成周邊電路的電極接線5 2 2至5 2 4、主動矩陣電路的 資料線525 ·圖素TFT的電極526 »接線523連 接閘極線5 0 9。 濺射形成500至1 500A厚的I TO膜，再蝕刻 形成圖素電極527·1000至3000A厚的氮化矽 膜5 2 8形成鈍化膜。因此，集積周邊邏輯電路和主動矩 陣電路·（圖5 G ) 蝕刻接到外部I C晶片之端子部（對應於部分4 1 ) 的氮化矽膜528，露出端子連接部的I TO接線墊*圓 4A和4B的FCOG附著IC晶片· 〔實施例4〕 以圖6A至6G說明將IC晶片附在液晶顯示器單石 型主動矩陣電路由F C 0 G形成之T F T電路基底的方法 。CMOS電路做爲周邊電路。只顯示NTFT做爲周邊 電路TFT，周邊邏輯電路顯示於左側，主動矩陣電路顯 示於右側。 2 0 0 0A厚的基本氧化矽膜6 0 2由電漿CVD形 成於玻璃基底上•電漿CVD的原料氣體爲甲矽烷（ S i H4)和一氧化二氮（N20)。膜形成的基底溫度爲 -----；-----裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本紙張尺度逋用中國國家梯準（CNS > A4規格（210X297公釐），„ -13 經濟部中央揉準局員工消费合作社印裝 A7 B7五、發明説明（U) 380至500 °C，例如430 °C·，形成的氧化矽膜 6 0 2有相當低的蝕刻率且爲固體·這是因爲一氧化二氮 做爲原料氣體，故得到含1至1 〇%氮的氧化矽/氮化矽 膜•在23°C使用添加酯酸的緩衝氫氟酸（ABHF)( 氫氟酸：氟化銨：醋酸=1 : 50 : 50)，標準蝕刻率 爲800至1000A/分鐘· 電漿CVD形成5 0 0A厚的非晶矽膜。在含氧的氣 氛中於5 5 0 °C熱退火1小時，在非晶矽膜表面上形成極 膜（估計約40至1 00A)氧化矽膜。藉由旋轉塗覆， 使用1至1 0 0 P pm酯酸鎳溶液，形成醋酸鎳的極薄膜 。先在非晶矽膜表面上形成薄氧化矽膜，溶液分布在非晶 矽膜表面上。 在含氮的氣氛中於5 5 0 °C熱退火4小時。酯酸鎳在 約4 0 0 eC分解而得到鎳•由於醋酸鎳薄膜大致附在非晶 矽膜，故鎳由熱退火擴散到非晶矽膜·因此，非晶矽膜結 晶而形成結晶矽區* XeC 1準分子雷射光（308nm波長）照在矽膜 *雷射能量密度爲2 5 0至3 0 0m J /cm2’進一步 增進結晶矽膜晶性·再者’爲由雷射照射鬆弛應力應變1 在550 °C再度熱退火4小時。 蝕刻矽膜形成島狀活性層6 0 3和6 0 4 * 1 2 Ο 0A厚的氧化矽膜6 5由濺射形成閘極絕緣膜。 濺射形成4000A厚的鋁（含〇· 2至0. 3重量 %的銃）膜·使表面陽極化，形成1〇〇至300A厚的 II — 1*— I I 裝 訂 線 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 五、 發明説明< 12 ) 1 氧 化 鋁 膜 ( 未 顯 示 ) 0 由 於 氧 化鋁膜存 在 9 故 鋁 膜 對光 阻 1. 有高黏 性 〇 防止 電 流 光 阻 漏 出 多 孔 型 陽 極 氧 化 物 在下 述 1 陽 極 化 處 理 形 成 於 閘 極 側 部 〇 1 I 旋 轉 塗 覆 形 成 光 阻 ( 例如 T 0 k y 0 0 h k a公 司 請 先 閲 1 I 的 產 品 0 F P R 8 0 0 / 3 0 C P ) 再 形 成 閘 極 6 0 9 讀 背 1 和 6 1 1 及 閘 極 線 6 1 0 0 周 邊 電 路 的 閘 極 6 0 9 和閘 極 之 注 棄 1 1 線 6 1 0 與 主 動 矩 陣 電 路 的 閘 極 6 1 1 絕 緣 0 用 於 蝕刻 的 事 項 1 1 再 1 I 光 阻 ( 罩 ) 6 0 6 至 6 0 8 乃 在 0 ( 圖 6 A ) 養 本 1 裝 I 在 光 阻 6 0 6 至 6 0 8 仍 在 的 狀 態 使 電 流 流 經 閘極 線 頁 1 I 6 1 0 和 閘 極 6 1 1 進 行 多 孔 陽 極 化 在 閘 極 線 6 1 0 1 I 和 閘 極 6 1 1 的 側 部 形 成 多 孔 陽 極 氧 化 物 6 1 2 和 6 1 3 1 1 I 3 至 2 0 % 的 酸 溶 液 ( 例 如 檸 檬 酸 、 草 酸 、 磷 酸 、鉻 酸 1 訂 | 或 硫 酸 ) 用 於 陽 極 化 0 1 0 至 3 0 V 電 壓 施於 閘 極 •實 施 1 1 例 中 在草 酸 溶液 ( 在 3 0 X P Η = 0 • 9 至 1 .0 ) 1 1 於 1 0 V 陽 極 化 2 0 至 8 0 分 鐘 〇 陽 極 化 時 間 控 制 陽極 氧 1 1 化 物 厚 度 〇 藉 由 使 用 酸 溶液 的 陽 極 化 形 成 多 孔 陽極氧 化 線 I 物 〇 多 孔 陽 極 氧 化 物 厚 度 爲 3 0 0 0 至 1 0 0 0 0 A， 例 1 1 如 5 0 0 0 A 0 ( 圖 6 B ) 1 1 I 在 除 去 光 阻 6 0 6 至 6 0 8 後 使 電 流 流 經 閘 極線 1 1 6 1 0 來 進 行 障 壁 陽 極 化 在 閘 極 線 6 1 0 和 閘 極 6 1 1 的 側部 和 上 表 面 形 成 各 1 2 0 0 A 厚 的 細 障 壁 型 陽極氧 化 -Ί 物 膜 6 1 4 和 6 1 5 • ( 圖 6 C ) 1 I 使 用 多 孔 陽 極 氧 化 物 6 1 2 和 6 1 3 tt.t. 做 爲 罩 » 由乾 蝕 1 I 刻 來 蝕 刻 氧 化 矽 膜 6 0 5 形 成 閘 極 絕 緣 膜 6 1 6 至 1 1 1 本纸張尺度適用中國國象揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 - 經濟部中央橾準扃負工消费合作社印装 A7 B7 _五、發明説明（13 ) 6 1 8。此蝕刻可包含各向同性蝕刻的電漿摸式或各向異 性蝕刻的反應離子蝕刻模式•充分增加矽與氧化矽的選擇 比，不要過蝕刻活性層。當C 1 F4做爲蝕刻氣體時，不 蝕刻陽極氧化物，只蝕刻氧化矽膜6 0 5 ·形成於多孔陽 極氧化物612和613下的氧化矽膜617和618仍 未蝕刻。（圖6 D ) 使用磷酸、酯酸、硝酸的混合溶液•只蝕刻多孔陽極 氧化物612和613·混合溶液幾乎不蝕刻障壁陽極氧 化物6 1 4和6 1 5 ·由於混合溶液蝕刻鋁，故使用光阻 以保護周邊電路部的閘極6 0 9，掩蔽周邊電路部•因此 ，比較實施例3 *另添加光石印術處理。 藉由使用閘極絕緣膜616和618的離子摻雜，雜 質（磷和硼）引入活性層β雖圖中只顯示NMO S，但也 摻雜硼。磷摻雜中，加速電壓相當低（1 0至3 OKeV )*劑量相當髙（5 X 1 0 14至5 X 1 0 15原子/ c m 3 )。由於加速電壓低，故離子引入深度淺’主要將磷引入 露出矽層的區域619和620· 磷以6 0至9 5 K e V的相當高加速電壓以ϊ X 1 0 12至1 X 1 〇14原子/ c m3的相當低劑量引入。由 於加速電壓高，故離子引入深度深’將磷引入覆以閘極絕 緣膜的區域6 2 1 ·因此’形成滲入高濃度之磷的區域 6 1 9和6 2 0及摻入低濃度之磷的區域6 2 1 ·亦即， 圇素TFT中，可得到所謂的雙汲極結構·硼中可進行相 同處理· 紙張尺度逋用中國國家標準（CNS)A4规格（2丨0x297公簸> _ 16 _ " -----.-----^------1T------^ (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（14 ) 在4 5 0 °C熱退火1小時，激话摻雜的雜質。由於鎳 做爲結晶促進元素，故可在低於正常激活的溫度激活。（ 圖6 E ) 具有氧化矽膜（2 Ο 0A厚）和氮化矽膜（ 4000A厚）的多層膜622由電漿CVD形成第一中 間層絕緣髖*再由乾蝕刻形成接觸孔6 3 2至6 2 7 ·( 圖6 F ) 具有鈦（500A厚）、鋁（4000A厚）、鈦（ 5 Ο 0A厚）的三層金屬膜由濺射沈稹，再蝕刻形成電極 接線628至631。再者，藉由電漿CVD， 2 Ο Ο 0A厚的氧化矽膜6 3 2沈積爲第二中間層絕緣體 ，接觸孔形成於圖素TFT的汲極631， ITO形成圖 素電極6 3 3。因此，可產生單石型主動矩陣電路•（圖 6 G ) 上述處理的基底中，IC晶片裝在連接外部IC晶片 之端子部（對應於部分4 1 )的I TO接線墊上，由圖 4A和4B的FCOG黏著。 〔實施例5〕 晶片由線接合附在TFT電路（單石型主動矩陣電路 )基底，構成更改良的電路•圖7A至7D顯示實施例的 主動矩陣電路製程•圖7 A至7 D中，左側是周邊邏辑電 路菡，右側是主動矩陣電路區· 2 0 0 0A厚的基本氧化物膜7 0 1由濺射沈稹在玻 ^紙張尺度適用中國國家揉準（CNS_) A4规格（210X297公釐）~' . 裝 I訂 I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央樣準局貞工消費合作社印装 五、 發明説明< 1ί ；) 1 I 璃 基 底 ( 未 顯 示 ) 上 0 5 0 0 A 厚 的 I T 0 膜由濺 射形成 1 | » 於 基 本 氧 化物 膜 7 0 1 上 再 蝕 刻形 成 周 邊 邏輯電 路區的 1 接 線 7 0 2 至 7 0 4 及 主 動 矩 陣 電 路 區 的 接線7 0 5和圖 /«"V 請 先 閲 1 | 素 電 極 7 0 6 • I 5 0 0 至 1 5 0 0 A 厚 的 非 晶 矽 膜 由 電 漿C V D或 讀 背 Λ 1 1 * | L P C V D 形 成 而 甲 矽 焼 或 乙 矽 院 做 爲 原 料氣體 。非晶 之 注 意 1 1 I 矽 膜 的 氧 濃 度 宜 爲 1 0 18 原 子 / C m 3以下 事 項 1 I 再 1 | 磷和 硼 以 類 似 已 知 C Μ 0 S 製 造 的 離 子 摻雜來摻入· 填 寫 本 1 I 亦 即 在 磷 摻 雜 後 光 阻 掩蔽 形 成 N 通 道 型 TFT 的區域 頁 1 1 » 硼 再 摻 入 形 成 Ρ 通 道 型 Τ F T 的 區 域 〇 1 1 摻 雜 磷 的 摻 雜 氣 體 是 磷 化 氫 ( P Η 3) 摻雜硼的摻雜 1 I 氣 體 是 乙 硼 燒 ( Β 2Η β) 0 加 速 電 壓 在 磷 宜 爲5至 3 0 訂 | K V 0 劑 量 1 X 1 0 1 4 至 5 X 1 0 15 原 子 / cm3. 例如 1 1 1 在 磷爲 2 X 1 0 1 4 原 子 / C m 3 在硼爲5 X 1 0 1 4原子 1 1 I / C m 3《 ) 1 1 做 爲 各 Τ F Τ 之 通 道 形 成 區 的 部 分 ( 在 源極與 汲極之 線 1 間 ) 蝕 刻 形 成 Ν 型 半 導 體 區 7 0 7 、 7 0 8 、7 1 1、 ! 1 7 1 2 和 P 型 半 導 體 區 7 0 9 和 7 1 0 0 1 0 0至 1 I 5 0 0 A ( 例 如 2 0 0 A ) 厚 的 本 質 非 晶 氫 化的矽 膜 1 1 7 1 3 由 電 漿 C V D 形 成 於 這 些 區 域 上 〇 1 1 圖 7 A 中 使 用 不 接 Mjxa 觸 膜 7 1 3 的 非 黏 著罩7 14* 照 射 K Γ F 準 分 子 電 射光 ( 2 4 8 η m 波 長 和2 0 n s脈 1 1 寬 ) > 使 膜 7 1 3 的 周 邊 電 路 區 ( 左 側 ) 結 晶•雷 射能量 1 1 密 度 爲 2 0 0 至 4 0 0 m J / C m 2 最好是2 5 C 丨至 1 1 本紙張尺度遘用中國國家橾半（CNS ) A4规格（2丨0X297公簸） A7 B7 經濟部中央橾準局員工消费合作社印装 五、 發明説明< 16 ) 1 3 0 0 m J / C m 2 ，由於照射的電射光未到達覆以罩 \ 7 1 4 的 區 域 ( 包含 主動 矩陣 電 路 區 ) 9 故 該 區 仍 爲非 晶 1 1 矽 0 照 射 雷 射 的 區 域在膜 7 1 3 和 區 域 7 0 7 至 7 10 結 1 1 晶 0 請 先 閲 ! 1 矽 膜 ( N 型 和 P 型半 導髋 區 7 0 7 至 7 1 0 及 本質 矽 讀 背 1 膜 7 1 3 ) 触 刻 成 島 狀， 形成 周 邊 電 路 的 島 狀 區 7 2 1 至 面 之 注 1 1 7 2 3 • 同 時 也 形 成周 邊邏 輯 電 路 之 N 通 道 型 Τ FT 的 意 事 項 1 1 再 1 源 極 7 1 5 和 汲 極 7 16 、周 邊 邏 輯 電 路 之 P 通 道 型 1 寫 本 T F T 的 源 極 7 1 8 和及 7 1 7 主 動 矩 陣 電 路 之 N通 道 頁 '—^ 1 I 型 T F T 的 源 極 7 1 9和 汲極 7 2 0 0 ( 圖 7 B ) 1 1 I 使 用 — 氧 化 二 氮 (N 2〇 ) 和氧 (0 2 ) 做 爲 原 料， 電 1 1 1 漿 C V D 形 成 1 2 0 0 A 厚的 氧 化矽 膜 7 2 4 〇 由 於膜 1 訂 7 2 4 做 爲 閘 極 絕 緣膜或 保持 電 容 器 的 介 電 物 質 ♦ 故膜 須 1 1 有 夠 低 的 介 面 位 準 密度和 高耐 壓 0 實 施 例 中 甲 矽 烷和 一 1 1 氧 化 二 氮 分 別 以 1 0 SC CM 和 1 0 0 S C C Μ 引 入反 應 1 室 0 基 底 溫 度 爲 4 3 0 °c ，反 應 壓 力 爲 0 3 Τ 0 r r 9 線 | 施 加 功 率 在 1 3 * 5 6 Μ Hz 爲 2 5 0 W • 這 些 條件取決 1 I 於 要 用 的 反 應 裝 置 0 1 1 I 形 成 於 上 述 條 件 之氧 化矽 膜 7 2 4 的 膜 形 成 速 度約 1 1 1 0 0 0 A / 分 鐘 0 當使 用1 5 0 5 0 比 率 之 Jtjsf Jtor 酸 1 > 醋 酸 、 氟 化 錢 的 混合溶液（ 在 2 0 eC ) 時 蝕刻速度約 1. 1 0 0 0 A / 分 鐘 • 2 0 0 0 至 8 0 0 0 A ( 例如 I 3 0 0 0 A ) 厚 的 鈦 膜由 濺射 沈 積 9 再 蝕 刻 形 成 閘 極 1 I 7 2 5 至 7 2 7 和 保持電 容器 電 極 7 2 8 '0 1 1 1 本纸張尺度逍用中國國冢標準（CNS，A4现格（2丨0X297公震）_ 19 _ 經濟部中央樣率局負工消费合作社印装 A7 B7五、發明説明（17 ) 3 Ο Ο 0A厚的氮化矽膜7 2_9由電漿CVD形成鈍 化膜•因此，可形成周邊邏輯電路之結晶矽的N通道型和 P通道型TFT (周邊P- Si N - c h TFT和周 邊p - Si P - c h TFT)、主動矩陣電路的N通 道型非晶矽TFT (面素a — Si N - c h TFT) 、保持電容器•（圖7 C ) 周邊邏輯電路的T F T結構可異於主動矩陣電路•例 如，主動矩陣電路之T F Τ閘極與汲極分開距離之圖7 D 的偏移結構中，OFF電流可進一步降低* 爲進行與周邊邏輯電路相同的髙速作業，半導體須結 晶，源極和汲極也結晶*薄片電阻低•雖照射雷射以製造 周邊邏輯電路，但由於通道形成區及對應於源極和汲極的 部分都結晶，故滿足上述要求。爲進一步增進源極和汲極 的結晶*促進非晶矽結晶的催化元素（例如鎳、鉑、鈀、 鈷或鐵）能以1 X 1 0 17至2 X 1 0 19原子/ c m 3的濃 度加入矽膜· 上述處理的基底中，蝕刻連接外部I C晶片之端子部 (對應於部分21)的氮化矽膜729 *露出端子連接部 的鈦接線墊，由圖2的線接合連接I C晶片· 〔實施例6〕 圖8A至8 I顯示主動矩陣電路部的剖面，圖9A至 9 I顯示周邊電路部的剖面。圖1 〇A是所製之主動矩陣 電路的上視圖，圖8 I和9 I顯示圖1 0A之線A-B — 1._^---^-----^------tT------d. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度逋用中國國家揉率（CNS > A4规格（2丨〇χ 297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（18 ) C的剖面·圖1 0B顯示圖1 0A·之線a-b的剖面。圖 1 0 c顯示所製之主動矩陣電路的電路配置· 第一閘極接線電極8 0 2至8 0 5形成於其上形成 1 0 0 0A厚之氮化矽膜（未顯示）之玻璃基底的絕緣表 面80 1上·蝕刻由磷摻雜而降低電阻之3000A厚的 多晶矽膜，形成閘極接線電極802至805·低壓 CVD形成多晶矽膜，在形成此膜時有多晶狀態。 爲得到多晶矽膜，有上述方法除外的以下方法*亦即 ，在電漿CVD或低壓CVD形成本質非晶矽膜後，諸如 磷的雜質由離子摻雜等引入矽膜•再者，在5 0 0至 6 0 0 °C熱退火•熱退火中，可稍微加入促進結晶的元素 ，例如鎳。實施例中，使用矽*但可用各種金屬矽化物。 電漿CVD形成3000至6000A (例如 4 000A)厚的氮化矽膜806，也做爲閘極絕緣膜· 電漿CVD形成300至1 0 0 0A (例如50 0 A)厚 的非晶矽膜*再蝕刻形成島狀矽區8 0 7至8 0 9。（圖 8 A 和 9 A ) 電漿CVD形成3000至6000A (例如 2 0 0 0A)厚的氮化矽膜8 1 0，也做爲閘極絕緣膜。 雷射光只照入周邊電路部，使島狀矽膜8 0 8和8 0 9結 晶。雷射是XeCl準分子雷射（308nm波長）》雷 射照射能量密度和脈衝數目隨矽膜8 0 8和8 0 9及氮化 矽膜8 1 0的特性而變。 蝕刻氮化矽膜8 0 6和8 1 〇，形成到達第一閘極接 本紙張尺度適用中國國家揉準（CMS > A4规格（2丨〇X 297公釐） -----^-----^------、訂------0 f請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（19 ) 線的接觸孔（未顯示）·此接觸孔用來形成第一閘極接線 與第二閘極接線（形成於第一閘極接線上，對應於接點 845如圖1 〇A和1 0B)之間的接點· 在形成接觸孔後，濺射形成3000至8000A ( 例如3000A)厚的鋁膜811 *當鋁膜811含有 〇 . 1至0· 5重量％的钪（Sc)時，可防止小丘產生 •(圖 8 B 和 9 B ) 蝕刻鋁膜811形成第二閘極接線電極812至 8 1 5 ·因此，經由形成的接觸孔形成第一閘極接線與第 二閘極接線的接觸•須以第二閘極接線完全覆蓋接觸孔。 這是因爲當矽所構成的第一閘極接線在接觸孔露出時*電 流在陽極化處理中流經露出部，而不進行陽極化作用。（ 圖8 C和9 C ) 電解液中，電流送到第二閘極接線電極8 1 2至 815。使用將氨加入3至1〇%酒石酸所得且有6. 8 至7. 2 pH的乙二醇溶液*當溶液比室溫底約10 °C時 ，形成具有高品質的氧化物膜•因此，障壁陽極氧化物 8 1 6至8 1 9形成於第二閘極接線電極的上和側表面。 陽極氧化物厚度正比於施加電Μ，最好是1 0 〇 〇至 3000Α·在150V形成2000Α厚的陽極氧化物 。爲得到3 0 0 0Α厚以上的陽極氧化物，須施加 250¥以上》但這影響丁？丁特性。（圖8〇和9〇) 藉由乾蝕刻，自動對正蝕刻氮化矽膜8 1 0。但由於 不蝕刻陽極氧化物8 1 6至8 1 9，故閘極絕緣膜8 2 0 本紙張尺渡埴用中國國家標準（CNS > Α4规格（210x297公釐） I-^--.-----^------，ΤΓ------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印«. A7 B7 一 一 ' ~ " 1 丨—丨丨· 一 五、發明説明（20 ) 至8 2 3仍在第二閘極接線電極8 Ί 2至8 1 5與島狀矽 膜807至809之間•（圖8E和9E) 藉由離子摻雜，自動對正使用閘極部（閘極8 1 3至 815和其旁的陽極氧化物817至819) ，N型和p 型雜質引入島狀矽膜8 0 7至8 0 9，形成N型雜質區（ 源極/汲極面）8 2 4至8 2 7和P型雜質區8 2 8和 8 2 9 · N型雜質摻雜的摻雜氣體爲氮化氫（pH3)， P型雜質摻雜的摻雜氣體爲乙硼烷（Β2Ηβ) ·劑量爲 5X1 014至5X1 01 5原子/ cm3，加速電壓爲1 〇 至3 OKeV ·照射K r F準分子電射光（2 4 8nm波 長和20ns脈寬）*激活引入矽膜807至809的雜 質離子·（圖8F和9F) 5 0至5 0 0A厚之諸如鈦膜8 3 0的金靥由濺射形 成於整個表面上。（圖8G和9G) 在450至500°C (例如500 °C)熱退火1 0至 6 0分鐘，鈦與矽反應，形成矽化物（矽化鈦）區8 3 1 至8 3 6。此熱退火中*進一步激活摻雜的雜質。可進行 雷射光照射的雷射退火和可見光照射或近紅外光照射的燈 退火*取伐矽化物處理的熱退火* 使用分別以5:2:2之比率在過氧化氫、氨、水之 間混合所得的蝕刻液•蝕刻鈦膜8 3 0 *由於不接觸露出 活性層的鈦膜（例如形成於氮化矽膜8 0 6和陽極氧化物 膜上的鈦膜）留在金屬狀態|故可在此蝕刻處理中蝕刻· 另一方面，矽化鈦不蝕刻，因此仍在。（圖8A和9H) 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS ) A4规格（210x297公釐） ---.I--·-----^------、訂------0 (請先聞請背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7_五、發明説明（21 ) 5 Ο Ο 0A厚的氧化矽膜由C'VD形成於整個表面上 做爲第一中間層絕緣髋8 3 7 *接觸孔形成於TFT的源 極和汲極•在形成第一中間層絕緣體後’在4 0 0°C退火 10至30分鐘•形成鋁接線電極838至841，使用 I T ◦膜形成圖素電極8 4 2 · 爲不使水分、活性離子等從外部進入TFT，電漿 CVD形成2000至5000A(例如3000A)厚 的氮化矽膜843，圖素部844和連接外部I C晶片的 端子部（未顯示）打開而露出I TO膜*(圖8 I和9 I ) 藉由上述處理，形成主動矩陣電路的接線交叉部 847、接到圖素的TFT、周邊電路的N通道型T F T 8 4 9和P通道型TFT8 5 0，得到單石型主動矩陣電 路。 圖10A是設有圖素部之TFT的上視圖：延伸自掃 描驅動器的閘極線在圖1 〇 A似乎爲單線。但第一閘極線 8 0 2平行形成於第二閘極線8 1 2。第一和第二閘極線 經由接點8 4 5互連*實施例的主動矩陣電路中「對一 TFT形成一接點· 第一和第二閘極線8 0 2和8 1 2的其中一個雖損壞 ，但整體不變差。實施例中，如圖l〇A，接點形成於閘 極線分叉的分支部•這是因爲，提供墊區（有厚寬度的接 線面）以形成接點時，分支部不需提供特殊空間，因此在 配置上較優β 本纸張/t*適用中國國家揉準（CNS >从賴·（ 21GX297公釐)~ ''严 I— I I— I I I I I I I 訂 I 線 (請先聞讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局貝工消費合作社印策 A7 B7五、發明説明（22 ) 圖1 Ο B顯示沿著圖1 〇A之閘極線之線a — b的剖 面結構。圚1 0 c顯示具有圖1 0 a之多個電路的主動矩 陣電路•閘極線8 1 2和8 0 2也分叉到在上線圖素電極 之下延伸的接線8 4 6。電容器形成於接線8 4 6與圖素 電極之間•平行於電路上之圖素電極所形成的液晶電容器 •處理的基底中，IC晶片裝在連接外部IC晶片之 I TO的端子部（對應於部分4 1)，由圖4A和4B的 FCOG附在IC晶片* 〔實施例7〕 I C晶片連接單石型主動矩陣電路（TFT電路）基 底，使用非晶矽（a — S i ) TFT的主動矩陣電路和使 用結晶矽T F T的周邊電路形成於同一玻璃基底上· 圖1 1 A至1 1 D顯示實施例之單石型主動矩陣電路 的製程》1 0 0 〇至3 0 0 0A厚的氧化矽膜形成於玻璃 基底9 0 1上成爲基本氧化物膜9 0 2 ·藉由電漿CVD 或LPCVD，非晶的矽膜903沈積300至 1 500A厚•例如 500A·再者，50 至ιαοοΑ (例如2 0 0Α)厚的氧化矽膜（或氮化矽膜）由電漿 CVD形成保護膜904· 照射K r F準分子電射光（2 4 8 n m波長和，增進 的矽膜9 0 3的晶性•雷射能量密度爲2 0 0至 4〇〇mJ/Cm2，最好是 250 至 300mJ/cm2 0 (圖 1 1 A ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210x297公釐）_ 25 _ ’ 1·1 裝 I 訂 I I I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬揲準局貝工消费合作社印装 A7 ___ B7_ .五、發明説明（23 ) 保護膜9 0 4除去而露出的矽·膜903，定成島形以 形成N通道型TFT的島狀矽區9 0 5和P通道型TFT 的島狀矽區9 0 6 ·再者，在含氧的氣氛中濺射、或使用 電漿CVD來分解並沈稹TEOS，形成閘極絕緣膜 9 0 7 · 濺射形成2 0 0 0A至5 厚的鋁膜，再蝕刻形成 閘極9 0 8和9 0 9 ·同時*也形成主動矩陣部之反交錯 型TFT的閘極910·(圖11B) 基底浸入電解液，將電流送到閘極，在閘極旁形成陽 極氧化物層911至913·周邊電路區之TFT(左側 )的陽極氧化物膜薄以增進T F T移動率，主動矩陣電路 之TFT (右側之反交錯型TFT)的陽極氧化物膜厚以 防閘極洩漏》實施例中，陽極氧化物膜皆爲2 0 0 0至 2500A 厚。（圖 11C) 自動對正使用閘極部（閘極和其旁的陽極氧化物膜） 做爲罩，雜質由離子摻雜引入各TFT的島狀矽區9 0 5 和906 *亦即·使用磷（PH3)做爲摻雜氣體，磷先 引入整個表面β在光阻只掩蔽島狀矽區9 0 5後，·硼只引 入島狀矽區906 ·劑置在磷爲2Χ1015至8X101S 原子/ cm3,在硼爲4X1 01!5至5又1 015原子/ cm3·硼的劑量高於磷。 照射K r F準分子電射光（2 4 8 nm波長和 2 0 n s脈寬*增進晶性因雜質引入而變差之部分的晶性 *雷射能量密度爲2 0 〇至4 0 J /c m2’最好是 本纸張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐> -26 - ^ I ^ I ^ ^ I I n n n n I n n n ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 五、 發明説明 24 ) 1 2 5 0 至 3 0 0 m J / C m 2 » (圖 L L D〕 Γ 結 果 形 成 N 型 區 9 14 和 9 1 5 及 P 型 區 9 1 6 和 I 9 1 7 〇 這 些 域 的 薄 片 電阻 爲 2 0 0 至 8 0 0 Ω / 平 方 1 1 | 請 1 I 先 閲 I 藉 由 電 漿 C V D ’ 3 0 0 0 A 厚 的 氮 化 矽 膜 形 成 於 整 讀 背 J 個 表 面 上 成 爲 中 間 層 絕 緣 體9 1 8 〇 氮 化 矽 膜是 周 邊 電 路 备 1 1 的 中 間 層 *22 絶 緣 體 黪. 但 由 於 氮化矽 膜 做 爲 主 動 矩 陣 電 路 的 1 項 1 I 再 1 I T F T 閘極 t 故須 注 意膜製造 • 填 寫 1 ά I I 1 0 0 至 5 0 0 A ( 例如 2 0 0 A ) 厚 的 非 晶 矽 層 本 頁 9 1 9 形 成 於 主 動 矩 陣 部 的蘭 極 9 1 0 上 » 然 後 使 用 電 漿 1 I C V D 所 形 成 的 單 晶 矽 層 (5 0 0 至 1 0 0 0 A 厚 ) 形 1 1 I 成 非 晶 矽 T F Τ 的 源 極 9 2 0 和 汲 極 9 2 1 0 將 諸 如 1 訂 I T 0 的 透 明 導 電 材 料 用 於主 動 矩 陣 部 的 T F T 形 成 圖 1 1 素 電 極 9 2 5 • 1 1 接觸 孔 形 成 於 周 邊 電 路部 之各 T F T 的 源 極 和 汲 極 » 1 形 成 鋁 接 線 9 2 2 至 9 2 4 〇 在 左 側 使 用 N 通 道 型 T F T 線 I 和 P 通 道 型 T F T 製 造 反相 器 電 路 0 在 3 5 0 °C 於 含 氫 1 1 | 的 氣 氛 中 退 火 2 小 時 減 少矽 膜 懸 掛 鍵 0 藉 由 上 述處 理 t 1 1 I 集 積 周 邊 電 路 和 主 動 矩 陣 電路 • 1 1 實 施例 中 反 交 錯 型 T F T 做爲 主 動矩 陣 電 路 的 非 晶 |· 矽 T F T 而 不 將 光 照 入 通道部 • 這 是 因 爲 非 晶 矽 導 電 性 由 光 照 射 改 變 睿 處 理 的 基 底中 t 使 用 圓 2 的 線 接合 法 9 1 I I C 晶 片 連 接 接 到 外 部 I C晶 片 之 鋁 接 線 的 端 子 部 ( 對 應 1 | 於 部 分 2 1 ) 0 1 1 1 本紙張尺度適用中鬮國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）—27

Claims (1)

1. 經濟部中夬揉率局貝工消费合作社印*. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 通道面夾置其間； - 一第二閘絕緣膜，形成在該半導體餍之上； 一第二閘電極，以賅第二閘絕緣膜夾置其間而形成在 該通道區域之上； 1 一中間層絕緣膜*含有覆蓋在該薄膜電晶髓之氮化矽 m ’丨喊要其中該對雜質苗係與第一閘電極部份重叠· mm ;1 2 .如申請專利範園第1 1項所述之一種半導體裝 置，其中該基底係爲玻璃基底· 13. 如申請專利範圔第11項所述之一種半導體裝 置，其中含有氮化矽之絕緣膜係形成在該第一閘電極之下 14. 如申請專利範園第11項所述之一種半導體裝 置，其中該第一閘竃極包含矽或金屬矽化物· 15. 如申請專利範圍第11項所述之一種半導體裝 置，其中該夾靥絕緣膜具有2 0 0 0到5 Ο Ο 0A之厚度 16.—種半導髗裝置·含有至少形成在一基底上之 一薄膜電晶髖，賅薄膜電晶體包含： 一第一閘電極； 一第一閘絕緣膜，形成在該第一閘電極之上 一半導體層，以該第一閘絕緣膜夾置其間而形成在該 第一閘竃極，該半導髖包含至少一對雜質滲透區，且有一 通道面夾置其間： i紙張尺度逋&國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐L 3〇 - —,---.-----^— {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tT 線 經濟部中央揉率局工消費合作社印*. A8 BS C8 _；__D8_ 六、申請專利範圍 一第一閘電極； · —第一閘絕緣膜•形成在該第一閘m極之上； —半導《層，以該第一閘絕緣膜夾置其間而形成在該 第一閘電極，該半導體包含至少一對雜質滲透區，且有一 ，通道區夾置其間； 一第二閘絕緣膜，形成在該半導體層之上；一第二閘 竜極，以該第二閘絕緣膜夾置其間而形成在該通道區域之 上; 一中間層絕緣膜，含有覆蓋在該薄膜電晶體之氮化矽 7. 如申請專利範圍第6項所述之一種半導體裝置， 其中該基底係爲玻璃基底· 8. 如申請專利範圔第6項所述之一種半導體襄置， 其中含有氮化矽之絕緣膜係形成在該第一閘電極之下· 9. 如申請專利範圍第6項所述之一霉半導體裝置， 其中該第一閘電極包含矽或金靥矽化物· 10. 如申請專利範圏第6項所述之一種半導體裝置 ’其中該夾屠絕緣膜具有2 0 0 0到5 0 0 0A之厚度· 1 1 . 一種半導體裝置*含有至少形成在一基底上之 —薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含： 一第一閘電極： 一第一蘭絕緣膜，形成在該第一閘電極之上： •一半導體層，以該第一閘絕緣膜夾置其間而形成在該 第一閘氰極，該半導«包含至少一對雜質滲透區，且有一 本紙張尺度逋用中國國家檩準（CNS)A4規格（ 210X297公釐）-29 - --.---1-----裝------訂------線 (請先H讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局負工消费合作社印策 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 1 · 一種半導髖裝置，包含形戒在基底之上的至少一 個薄膜m晶體，該薄膜電晶體包含·· 一第一閘電極； 一第一阑絕緣膜，形成在該第一閘電極之上； 一半導髖屠，以該第一閘絕緣膜夾置其間而形成在該 第一閘幫極·該半導體包含至少一對雜質滲透區，且有一 通道區夾置其間； 一第二閘絕緣膜，形成在該半導體層之上； —第二閘電極，以該第二閘絕緣膜夾置其間而形成在 該通道區域之上； 一中間層絕緣膜*含有覆蓋在該薄膜電晶體之氮化矽 2·如申請專利範圍第1項所述之一種半導體裝置， 其中該基底係爲玻璃基底· 3. 如申請專利範園第1項所述之一種半導體裝置， 其中含有氮化矽之絕緣膜係形成在該第一閘電極之下· 4. 如申請專利範圍第1項所述之一種半導體裝置， 其中該第一閘電極包含矽或金羼，砂化物· 5. 如申請專利範圍第1項所述之一種半導體裝置， 其中該夾靥絕緣膜具有2 0 0 〇到5 Ο Ο 0A之厚度。 6 ·—種半導體裝置，具有含有第一薄膜電晶體在一 基底上之主動矩陣以及含有作爲顆動該主動矩陣電路而有 第二薄膜電晶膻在該基底上之一周邊電路，每個該第一以 及第二薄膜電晶髓包含： 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐）_ 28 _ --.--L-----¾------IT------,«fl (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 該通道 jlM }ΠίΛί||. __ I® ：'； 丨姓胳 p離其 ||5〇i 閘 置，其 置，其 、申請專利範圍 第二閘絕緣膜，形成在該半*導《屠之上； 第二阐電極，以該第二閘絕緣膜夾置其間而形成在 ffi域之上； 中間曆絕緣膜*含有覆蓋在該薄膜電晶體之氮化砂 中該第一閘電極係以通道長度之方向而延伸超過該 電極之側邊緣· 7. 如申請專利範圔第16項所述之一種半導體裝 中該基底係爲玻璃基底· 8. 如申請專利範囫第16項所述之一種半導體裝 中含有氮化矽之絕緣膜係形成在該第一閘電極之下 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) %? Γ 經濟部中央榡率局貝工消费合作社印衷 19·如申請專利範園第16項所述之一種半導體裝 S ’其中該第一閘電極包含矽或金靥矽化物· 2 0 .如申腈專利範圍第1 6項所述之一種半導體裝 置’其中該夾餍絕緣膜具有2 0 0 0到5 Ο Ο 0A之厚度 經濟部中央榡隼局貝工消费合作社印策 A8 B8 C8 ____________D8_ 六、申請專利範園 透®相鄰於該對第一雜質滲透面；- —第二閘絕緣膜，形成在該半導體層之上； ~v第二閘電極，以賅第二閘絕緣膜夾置其間而形成在 該通道區域之上： 一中間靥絕緣膜，含有覆蓋在該薄膜電晶體之氮化砍 . ..... 其中該對雜質®係與第一閘電極部份重叠· ；· ； ·\ I i . ...' 1 2 2.如申請專利範圔第2 1項所述之一種半導體裝 置’其中該基底係爲玻璃基底· 2 3 .如申請專利範圍第2 1項所述之一種半導體裝 S·其中含有氮化矽之絕緣膜係形成在該第一閘電極之下 9 24.如申請專利範囫第21項所述之一種半導體裝 置，其中該第一閘電極包含矽或金屬矽化物· 2 5 .如申請專利範圍第2 1項所述之一種半導髗裝 置*其中該夾層絕緣膜具有2 0 0 0到5 Ο Ο 0A之厚度 2 6 .如申請專利範團第2 1項所述之一種半導體裝 置，其中該第二雜質區包含金屬矽化物· 2 7 . —種半導髏裝置*含有至少形成在一基底上之 —薄膜'電晶體，該薄膜電晶體包含： 第一閘電極； 一第一閘絕緣膜，形成在該第一閘電極之上； 一半導饉層，以該第一閘絕緣膜夾置其間而形成在該 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS)A4规格（ 210X297公釐> 32 - --l· — -.-----裝------訂------.線 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)

   A8 B8 C8 D8 ☆、申請專利範圍 第一閘電極之上，該半導體包含至少一對雜質滲透區，且 有一通道®夾置其間； 一第二閘絕緣膜，形成在該半導體層之上； 一第二閘電極*以該第二閘絕緣膜夾置其間而形成在 該通道區域之上； 一中間層絕緣膜，含有覆蓋在該薄膜電晶體之氮化矽 其中該對雜質區係與第一閘電極部份重叠在每個該第 及第二薄膜電晶體· 2,8.如申請專利範面第2 7項所述之一種半導體裝 置，其中該基底係爲玻璃基底· 2 9 .如申請專利範園第2 7項所述之一種半導體裝 置’其中含有氮化矽之絕緣膜係形成在該第一閘電極之下 〇 30.如申請專利範圍第27項所述之一種半導體裝 置，其中該第一閘電極包含矽或金雇矽化物· 3 1 .如申請專利範困第2 7項所述之一種半導體裝 置，其中該夾靥絕緣膜具有2 0 0 0到5 0 0 0 A—之厚度 〇 3 2 . —種半導體裝置，具有含有第一薄膜電晶體在 一基底上之主動矩陣以及含有作爲驅動該主動矩陣電路而 有第二薄膜電晶體在該基底上之一周邊電路，每個該第一 以及第二薄膜電晶髖包含： 一第一閘電極： 本紙張尺度遑用中國國家椽丰（CNS ) A4规格（210X297公釐）_ 33 - --1.---.-----裝------訂-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡率局工消費合作社印策 B8 C8 D8 經濟部中央橾率局貝工消费合作社印家 六、申請專利範圍 一第一阐絕緣膜，形成在該第二閘電極之上； 一半導髖層，以該第一閘絕緣膜夾置其間而形成在該 第—閘電極，該半導髖包含至少一對雜質滲透區，且有一 通道區夾置其間： -第二閘絕緣膜•形成在該半導髖層之上； 一第二閘電極•以該第二閘絕緣膜夾覃其間而形成在 該通道屎域之上； 一中間靥絕緣膜，含有覆蓋在該薄膜電晶體之氮化矽 其中該第一閘電極係以在毎個該第一以及第二薄膜電 中之通道長度之方向而延伸超過該第二閘電極之側邊 緣· 3 3 ..如申請專利範圔第3 2項所述之一種半導體裝 置，其中該基底係爲玻璃基底· 3 4 .如申請專利範園第3 2項所述之一種半導體裝 置*其中含有氮化矽之絕緣膜係形成在該第一閘電極之下 P 3 5..如申請專利範圔第3 2項所述之一種半導體裝 置，其中該第一閘電極包含矽或金屬矽化物· 36.如申請專利範困第32項所述之一種半導體裝 置，其中該夾厝絕緣膜具有2 0 0 0到5 Ο Ο 0 A之厚度 3 7 ·-種半導费裝置，具有含有第一薄膜電晶體在 一基底上之主動矩陣以及含有作爲驅動該主動矩陣電路而

   n 1 Ί— ϋ l— 1 n n n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS)A4规格（ 210X297公釐34 - 8888 ABCD 、申請專利範圍 有第二薄膜電晶髓在該基底上之一阖邊電路，每個該第一 以及第二薄膜竃晶髖包含： 一第一W電棰； 一第一閘絕緣膜，形成在該第一閘電捶之 一半導髖層，以該第一閘絕緣膜夾置其間 第一閘電極，該半導《包含至少一對雜質滲透 ffi夾置在第一雜質滲透E之間，以及一對第二雜質滲透區 相鄰於該對第一雜質滲透1Ϊ; -第二閘絕緣膜*形成在賅半導«層之上； 4 一第二閘電極，以該第二閘絕緣膜夾置其間而形成在 該通道區域之上； 一中間靥絕緣膜*含有覆蓋在賅薄膜電晶髖之氮化矽 上： 而形成在該 面* 一*通道 illII ㉟觔丨1¾ 置 經濟部中央橾率局貝工消费合作社印策 置 其中賅一對雜質區係與第一閘電極部份重叠在毎個該 以及第二薄膜電晶體· 3 8 .如申請專利範困第3 7項所述之一種半導體裝 其中該基底係爲玻璃基底· 3 9 .如申請專利範園第3 7項所述之一 其中含有氮化矽之絕緣膜係形成在該第一 種半導體裝 閘電極之下 4 0 .如申請專利範釅第3 7項所述之一種半導體裝 置，其中該第一閘電極包含矽或金羼矽化物· /4 1 .如申請專利範圍第3 7項所述之一種半導髏裝 置，其中該夾層絕緣膜具有2 0 〇 〇到5 Ο Ο 0A之厚度 ^紙張尺度逋用家橾準（CNS ) A4洗格（210X297公釐X- 35 - ------.-----裝------訂----.I-線 (请先閎讀背面之注$項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 經濟部中央榡率局員工消費合作杜印*. 申請專利範圍 45. 如申請專利範困第43¾所述之一種半導體裝 其中該基底係爲玻璃基底· 46. 如申請專利範圍第43項所述之一種半導髖裝 其中含有氮化矽之絕緣膜係形成在該閘電極之下· 47. 如申請專利範圍第43項所述之一種半導體裝 其中該第一閘竃極包含矽或金靥矽化物· 48. 如申請專利範圍第44項所述之一種半導體裝 其中該基底係爲玻璃基底· 49. 如申請專利範困第44項所述之一種半導體裝 #中含有氮化矽之筢緣膜係形成在該閘電極之下· 5 0 .如申請專利範園第4 4項所述之一種半導體裝 其中該第一閘電極包含矽或金屬矽化物· 5 1 .如申請專利範園第4 3項所述之一種半導體裝 進一步包含一含有覆盖該第一薄膜電晶體之氮化矽之 中間絕緣薄膜· 5 2 .如申請專利範圍第4 4項所述之一種半導體裝 § *進一步包含一含有覆蓋該第一以及第二薄膜電晶體之 氣化矽之中間絕緣薄膜· 釐 輦 置 置 置 置 本紙張尺度適用中國國家榇丰（CNS)A4规格（210χ297公釐L 37 _ ----------裝------訂---;--_1.1線------- (請先W讀背面之注意ί項再填寫本頁)