經濟部中央橾準局ec工消费合作社印製 A7 ________B7_五、發明説明（1 ) 發明赀畏. * 1 ·發明領域 本發明關於具有諸如液晶顯示器之非發光型顯示器的 電裝置及製造該電裝置之方法•主動矩陣電路由薄膜電晶 體（TFT)形成於基底上。詳言之，形成於同一基底上 之T F T所構成的驅動電路驅動控制本發明之電裝置的主 動矩陣電路· 2 .相關技藝說明 近來，藉著液晶顯示器薄且輕，液晶顯示器做爲各種 攜帶型電裝置（個人電腦、文字處理機、電子筆記簿等） 的顯示器·詳言之，由於——控制使用TFT之各圖素的 主動矩陣型液晶顯示器有優良顯示特性，故用於許多電裝 置》 有各種主動矩陣型液晶顯示器·一顯示器（第一種） 具有T F T所形成的主動矩陣電路和外部型單晶半導體積 體電路晶片所構成的驅動電路*由於須由TAB(帶自動 接合）等將半導髋晶片和半導體封裝連接玻璃基底旁的部 分，故半導體器變得相當大·由於延伸自主動矩陣電路之 接線（連線）的寬度變小以增進開口率，且接線總數超過 1 000，故有接線連接的問題•再者，在連接部需要大 面積•由於玻璃基底之接線與外部晶片之接間的熱膨脹係 數和玻璃基底之接線與TAB之帶間的熱膨脹係數不同’ 故對正精確度約6 0 ·因此，不能用於具有6 0 以下之圖索間距的高解析度顯示器’無法縮小顯示器’因 本紙張尺度逋用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 7~ " ----------^----k_|1T------^ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印製 A7 __·_B7_五、發明説明（2 ) 而使用能在低溫形成之非晶矽的丁T T用於此顯示器· 另一顯示器（第二種）有薄膜稹體電路，具有主動矩 陣電路及諸如X解碼器/驅動器和Y解碼器/驅動器（使 用TFT形成於同一基底上）的驅動電路·由於上述外部 型半導體晶片未用於此顯示裝置，故顯示器變得相當小· 由於不需連接許多接線，故對顯示器縮小較佳•此顯示器 中，須將具有優良特性之結晶矽所構成的T F T用於驅動 電路· 因此，第二種顯示器在顯示器縮小方面優於第一種顯 示器•但第二種顯示器中，進一步縮小、減輕、變薄不足 。亦即，個人電腦中，諸如中央處理單元（CUP)、主 記憶、影像信號處理單元、影像記憶等的各種半導體晶片 形成於液晶顯示器板之外的主基底（主機板），因此須使 用至少二個基底或板（主機板和液晶顯示器板）。 爲了顯示器的進一步縮小、減輕、變薄，要只用一個 板取代二個板· 發明槪専 ~ 本發明將半導體晶片設在液晶顯示器之至少—基底的 上述主機板，要達成顯示器的縮小、減輕、變薄’液晶材 料保持在一對基底之間*這些晶片設在形成主動矩陣電路 的基底（板）*薄膜電晶體（TFT)形成驅動主動矩陣 電路的糎動電路·’ 依據本發明，提供電裝置，包括：基底；至少包含— 本紙張尺度適用中國國家標率（〇呢）八4规格（2丨0父297公釐）_[；_ " ----------^----K--1T------0 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央標準局另工消费合作社印裝 A7 B7五、發明説明（3 ) 個薄膜電晶體的主動矩陣電路；驅動主動矩陣電路之至少 包含另一薄膜電晶體的驅動電路；控制驅動電路的至少一 個半導體稹體電路晶片，其中主動矩陣電路、驅動電路、 半導體稹體電路晶片形成於基底上· 圖式簡述 ...圖1是光電裝置的方塊圖； ·« 圖2顯示線接合的例子； 困3是本發明之實施例i和2之液晶顯示器面板的示 tSI ®圖•… 圖4 A和4 B顯示F C OG的例子； 圖5A至5 G顯示實施例3之TFT電路基底的製程 I 圖6 A至6 G顯示實施例4之TFT電篇基底的製程^ I 圖7>至7.〇顯示實施例5之TF 丁電路基底的製程 ν· I 圖8Α至8 I和9Α至9 I顯示實施例6之Τ· F Τ電 路的製路； 圖1 0Α至1 0 C分別是實施例6之TFT電路的上 視圖、剖面圖、電路配置圖： 圖1 1 A至1 1 D顯示實瑰例7之T F T電路基底的一製單， ----------^------、tr-------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 文紙張Wi中國國家椹準「CNS) A❹（210X297公釐)_ 6 _ 經濟部中央揉率局員工消费合作社印装 A7 B7_^_五、發明説明（4 ) 較佳窗施例詳沭 - 圖1顯示本發明的觀念•在玻璃製的基底（板）15 (也做爲液晶顯示器基底）上使用TFT，形成具有多個 圖素的主動矩陣電路14和驅動主動矩陣電路14的驅動 電路，各圖素包含薄膜電晶體（TFT) 11、圖素電極 1 2、輔助電容器1 3 ·驅動電路X解碼器/驅動器7 5 、Y解碼器/驅動器7 6、χγ分割器7 4 ·驅動電路可 包含XY分割器7 4，或χγ分割器7 4可包含於晶片。 具有與主動矩陣電路大致相同之結構的T F T可構成 驅動主動矩陣電路的電路，亦即周邊電路·大致相同的結 構代表間極材料、本發明材料、通道形成區材料的至少一 種與主動矩陣電路的T F T—致·互補型電路、只有N通 道型TFT (不用P通道型TFT)、或只有P通道型 TFT可構成此周邊電路*因此，構成使用TFT的電路 〇 其它晶片另設在基底15上·道些晶片由線接合、 C 0 G (包含 flip Chip on glass ，F C 0 G )等連接 基底15上的電路•圖1中，校正記億71、記億7 3、 CPU (中央處理單元）72、输入埠70做爲上述方法 所提供的晶片，可提供另一晶片· 線接合中，得到具有圖2之剖面的形狀。亦即，晶片 2 2由向上形成的端子部2 3裝在產生電路的主動矩陣電 路2 0上*電路的端子電端2 1由金屬製的接合線2 4接 到晶片2 2的端子部2 3 ·樹脂2 5密封（覆蓋）此部分 本紙張尺度遑用中國國家揉準（CNS)A4规格（210X297公釐> _ 7 _ ~ ^ -----------^------tF----- (請先W讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（5 ) 以保護連接部免於外部電擊·爲穩定保持端子連接/附著 ，端子電極2 1的表面爲諸如鋁的金靥。線接合中，由於 樹脂2 5在端子連接部大爲上升，故樹脂2 5變厚· 圖4A和4B的FCOG中，晶片42由向下形成的 端子部4 3裝在製造電路的玻璃基底4 0上，電路的端子 電極41由凸緣44(圖4A)或金屬粒子（圖4B)連 接晶片4 2的向下形成端子部4 3 ·樹脂4 5密封此部分 以將晶片4 2固定在基底4 0上•因此，由於端子連接部 厚度大致對應晶片厚度，故可製造薄型顯示器•鋁除外的 材料，例如透明導電氧化物膜（I TO (氧化銦錫）等） 可用於玻璃基底上的端子。當液晶顯示器的主動矩陣電路 形成於玻璃基底上時，由於在許多情形使用透明導電氧化 物膜構成大部分上層的接線，故F C 0G在此方面較佳。 輸入埠7 0是從外部（例如主電腦）接收輸入信號並 將接收之輸入信號轉換成影像信號的電路*校正記憶7 1 是在主動矩陣面板固有的記憶’依據主動矩陣面板特性用 來校正輸入信號等·詳言之，校正記億7 1是不變性記億 ，儲存各圚素固有的資訊•當點缺陷產生在光電裝置的圖 素時，對產生點缺陷之圖素旁的圖素產生校正信號’因而 補償點缺陷。當圖素與周圍圖素比較較暗時’產生圖素與 周圍圖素有相同亮度的信號。由於圖素缺陷資訊在各主動 矩陣面板不同，故存入校正記憶7 1的資訊在各主動矩陣 面板不同。CPU7 2和記億7 3與共用電腦者有相同功 能，記億是RAM (隨機存取記億）’儲存對應於各圖素 ----------^-----；.1、π------0 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS U4规格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印装 A7 _ B7五、發明説明（6 ) 的影像資訊。 - 〔實施例1〕 圖3是此實施例之液晶顯示器面板的示意圖β圖3中 ，基底（板）2 9與基底（板）3 0相對，液晶材料保持 在基底29和30之間•使用TFT，主動矩陣電略31 和驅動主動矩陣電路3 1的周邊驅動電路3 2至3 4形成 於諸如玻璃基底的基底3 0上•主記憶晶片3 6、MP U (微處理單元）3 7或CPU (中央處理單元）、校正記 億3 8附在形成電路3 1至3 4之基底3 0的表面，電連 接電路3 1至3 4。當晶片由F COG連接基底時， I TO製的接線端子部（接線連接墊）3 9 (對應於圖 4A和4B的接線部41)形成於基底30的部分35。 實施例中’使用有圖4A和4B之形狀的接點。圖 4 A中，形成於晶片4 2之電極部4 3的導電凸起（凸緣 )44電連接基底40上的接線部41，有機樹脂45用 以在基底4 0上保持晶片4 2 ·無電電鍍所形成的金可做 爲凸緣4 4 * - 圖4 3中，使用導電粒子（例如金粒子）4 6分布的 有機樹脂45，基底40附在晶片42 *因此，使接線部 4 1接觸分布在晶片4 2與電極部4 3之間的導電（金靥 )粒子46，進行電路連接•可光固化樹脂、可熱固化樹 脂、可自然固化樹脂等做爲黏著劑的有機樹脂4 5 ·在附 著晶片後，液晶材料可噴到液晶顯示器。 ^紙張尺度逋用中固國家標率（CNS > A4洗格（210X297公釐） ： 參-----^-I订-------^ {請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾牟局貝工消费合作社印裂 A7 ___B7_五、發明説明（7 ) 在上述處理後，CPU和記憶來成於液晶顯示器基底 上，使用一基底，構成諸如個人電腦的電裝置· 〔實施例2〕 產生圖3的面板*主動矩陣電路3 1和周邊驅動電路 3 2至3 4由TFT形成於基底3 0上•主記億晶片3 6 、MPU37 (或CPU)、校正記憶38附在形成電路 3 1至3 4之基底3 0的表面，電連接鋁合金薄膜製的接 線端子部（接線連接墊）3 9 (對應於端子電極2 1)， 由圖2的線接合形成於基底4 0上·細金線做爲接合線。 〔實施例3〕 晶片由F COG附在TFT電路（單石型主動矩陣電 路）基底，構成更增進的電路*稍後使用圓5A至5G， 說明單石主動矩陣電路的製程* 1 〇 〇 〇至3 0 0 0A。 厚的氧化矽膜在基底（Coming 7 0 5 9 ) 5 0 1上形成基 本氧化物膜5 0 2 *形成此氧化物膜的方法可包含在含有 氧之氣氛中的濺射或電漿CVD (化學蒸鍍）· 一 非晶或結晶的矽膜由電漿CVD或低壓CVD( LPCVD)形成300至1500A厚，最好500至 1 0 0 0A ·爲形成結晶矽膜，在形成非晶矽膜後’可照 射（光退火）雷射或相當於雷射的強光，或在5 0 0 1以 上長期熱退火》在熱退火的結晶後，可光退火以增進結晶 •熱退火的結晶中，可添加促進矽結晶的元素（催化元素 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐）_ 1〇 _ ----------^-----：-I.ΤΓ------^ (請先閲讀背面之注意事項再填贫本頁) A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印装 五、 發明説明 8 ) 1 I ) f 例 如 鎳 • Λ 蝕 刻 矽 膜 形 成 周邊 驅 動 電 路 的 Τ F Τ活 性 層 5 0 3和 1 5 0 4 及 主 動 矩 陣 電路 的 T F T 活 性 層 5 0 4 做爲 島狀 請 先 聞 1 | 區 • 再 者 5 0 0 至2 0 0 0 A 厚 的 氧 化矽 在 含 氧的 氣氛 1 I 中 由 濺射 形 成 閘 極絕緣膜 5 0 6 〇 形 成 閘極 絕 緣 膜5 0 6 讀 背 面 1 1 1 的 方 法 可 包 含 電 漿 C V D 9 之 注 素 1 1 閘 極絕緣膜 要 有足 夠高 的 耐 壓 0 這 是因 爲 電 場在 陽極 事 項 1 再 1 I 化 處 理 中 施 於 閘 極 與矽 活 性 層 之 間 • 因 此， 氧 化二 氮（ 填 寫 本 1 裝 N 2〇 ) 或氧 (〇 2 )和 甲 矽 焼 ( S Η 4)宜用於閘極絕 頁 1 | 緣 Λ 膜 由 電 漿 C V D 所得 之 氧 化矽 膜 形 成 的情 形 9 (圖 5 A 1 1 ) 2 0 0 0 A 至 5 β m 厚 ( 最 好 2 0 0 0 至 6 0 0 0 A 1 1 ij. I ) 的 鋁 膜 ( 含 0 1至 0 * 5 重 置 % 的 銃） 由 濺 射形 成於 1 1 基 底 上 再 蝕刻 形 成閘 極 ( 或 閘 極 線 ) 5 0 7 至 5 1 0。 1 1 閘 極 線 5 0 9 連 接 陽極 化 接 線 ( 未 回 ) •周 邊 邏 輯電 路的 1 1 閘 極 5 0 7 和 5 0 8與 陽 極 化 接 線 絕 緣 β ( 圖 5 Β ) 線 I 基 底 浸 入 電 解 液， 然 後 使 電 流 流 入 陽極 化 接線* 令閘 1 1 | 極 線 5 0 9 和 閘 極 5 1 0 陽 極 化 9 陽極 化條件描 述於 曰本 1 1 I 特 許 公 開 5 一 2 6 7 6 6 7 號 〇 因 此 在閘 極 線 5 0 9和 1 1 閘 極 5 1 0 的 上 和 側表 面 得 到 陽極 氧 化 物5 1 1 和5 12 1 的 厚度取決於 要 施加的 電 壓 % 在 實 施例爲2 0 0 0 A • 在 大 部 分 中 性溶液 由 陽極 化 所 得 的 陽極氧 化 物細 且硬 1 | » 具 有 高 耐 壓 〇 耐 壓等 於 及 高 於 要 在 陽 極化 中 施 加之 最大 1 I 電 壓 的 7 0 % 0 此 陽極 氧 化物 稱 爲 障 壁 型陽 極 氧 化物 β ( 1 1 1 本紙張尺度適用中困國家椹率（CNS ) A4规格（210 X 297公釐）,, -11 A7 B7 經濟部中央梂率局工消费合作社印簟 五、 發明説明 9 ) 1 1 圖 5 C ) ' 1 f 以 白 動 對 正 使用 閘 極 部 ( 閘 極和 其 周 圍 的 陽極氧化物 1 \ 膜 ) 做 爲 罩 雜 質 由 離子摻雜 引 入島 狀 T F T 活性層 1 I 5 0 3 和 5 0 4 • 此 摻雜 中 \ 在使用 磷 化 氣 ( P Η 3)做 請 先 閲 1 1 | 爲 摻 雜 氣 體 狀 磷 引 入 整 個 表 面 後 ，只 有 T F T 活 性層 讀 背 1 1 5 0 3 m 以 光 阻 使 用 乙 硼 焼 ( Β 2Η θ ) 做 爲 摻 雜氣體將 之 注 愈 1 1 硼 引 入 T F T 活 性 層 5 0 4 和 5 0 5 0 劑 量 在 磷 爲4 X 1 項 1 I 再 1 I 1 0 1 4 至 4 X 1 0 1 5 原 子 / C m 3，在硼爲] Lx L 0 μ至 填 寫 本 1 裝 1 8 X 1 0 1 5 原 子 / C m 3 < >硼劑量高於磷 •因此 |形成Ν 頁 1 I 型 鹿 5 1 3 及 P 型 區 5 1 4 和 5 15 〇' ( 圖 5 D ) 1 I 照 射 K Γ F 準 分子 電 射 光 ( 2 4 8 η m 波 長 和 1 | 2 0 η S 脈 寬 ) 增進 因 雜 質 引 入雜 質 區 而 晶 性 變差之部 1 訂 I 分 的 晶 性 • 雷 射 能 量 密 度 爲 2 0 0至 4 0 0 m J /cm2 1 1 鲁 最 好 2 5 0 至 3 0 0 m J / C m 8 *因此 激活N型和 1 1 P 型 區 0 這 些 區 域 的 薄 片 電 阻 爲 2 0 0 至 8 0 0 Ω /平方 1 1 〇 在 閘 極 的 熱 阻 範 圍 內 熱 退 火 可 進行 此 處 理 〇 線 I 3 0 0 0 至 6 0 0 0 A 厚 的 氧化矽 膜 由 電 漿 C V D形 1 I 成 中 間 層 絕緣 體 5 1 6 0 氮 化矽 膜（ 或 氧 化矽 膜 广的多層 1 1 1 可 做 爲 中 間 層 絕 緣 體 5 1 6 « 由 濕蝕 刻 來 蝕 刻 中 間餍絕緣 1 1 體 5 1 6 在 N 型 和 P 型 區 形 成 接觸 孔 5 1 7 至 5 19。 1 同 時 奮 孔 5 2 0 形成於 閘 極 ( 閘 極線 ) 5 0 9 • 由於陽極 I 氧 化 物 膜 5 1 1 做爲 障 壁 故 蝕 刻停 止 因 而 閘 極線 1 I 5 0 9 仍 未 蝕 刻 〇 ( 圖 5 E ) 1 | 接觸 孔 5 2 0 的 圖 型再度 由 光石 印 術形 成 於 接觸孔， 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X2?7公釐） 經濟部中夬橾準局負工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（10 ) 然後使用含鉻酸的蝕刻劑來蝕刻，锕如鉻酸（1至5%) 和磷酸（或硝酸、醋酸）的混合溶液，形成接觸孔5 2 1 •(圖 5 F ) 濺射形成2 0 0 0至6 Ο Ο Ο A厚的鈦膜，再蝕刻形 成周邊電路的電極接線5 2 2至5 2 4、主動矩陣電路的 資料線525、圓素TFT的電極526 ·接線523連 接閘極線5 0 9 * 濺射形成500至1 5 OOA厚的I TO膜，再蝕刻 形成圖素電極527 * 1000至30 00A厚的氮化砂 膜5 2 8形成鈍化膜*因此，集積周邊邏輯電路和主動矩 陣電路•（圖5 G ) 蝕刻接到外部I C晶片之端子部（對應於部分4 1 ) 的氮化矽膜528，露出端子連接部的ITO接線墊。圖 4A和4B的FCOG附著IC晶片· 〔實施例4〕 以圈6 A至6 G說明將I C晶片附在液晶顯示器單石 型主動矩陣電路由F C 0 G形成之T F T電路基底的方法 • CMOS電路做爲周邊電路*只顯示NTFT做爲周邊 電路T F T，周邊邏輯電路顯示於左側’主動矩陣電路顯 示於右側。 2 0 0 0A厚的基本氧化矽膜6 〇 2由電漿CVD形 成於玻璃基底上*電漿c VD的原料氣體爲甲较院（ S i H4)和一氧化二氮（N20) ·膜形成的基底溫度爲 本纸張尺度逋用中國國家梯準（CNS)A4规格（ 210X297公釐）一 Μ - ----------^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標率局貝工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（11 ) 一 380至500 eC，例如430 °CT，形成的氧化矽膜 6 0 2有相當低的蝕刻率且爲固體。這是因爲一氧化二氣 做爲原料氣體，故得到含1至1 0%氮的氧化矽/氮化砂 膜•在2 3eC使用添加酯酸的緩衝氫氟酸（ABHF)( 氫氟酸：氟化銨：醋酸=1 : 50 : 50)，標準蝕刻率 爲800至1 000A/分鐘· 電漿CVD形成5 0 0A厚的非晶矽膜。在含氧的氣 氛中於5 5 0 °C熱退火1小時，在非晶矽膜表面上形成極 膜（估計約40至1 00A)氧化矽膜·藉由旋轉塗覆* 使用1至1 0 0 P pm酯酸鎳溶液，形成醋酸鎳的極薄膜 。先在非晶矽膜表面上形成薄氧化矽膜，溶液分布在非晶 矽膜表面上· 在含氮的氣氛中於5 5 0 °C熱退火4小時•酯酸鎳在 約4 0 0°C分解而得到鎳。由於醋酸鎳薄膜大致附在非晶 矽膜，故鎳由熱退火擴散到非晶矽膜。因此，非晶矽膜結 晶而形成結晶矽區·
XeCl準分子雷射光（308nm波長）照在矽膜 •雷射能量密度爲2 5 0至3 0 〇m J /c m2，H一步 增進結晶矽膜晶性•再者*爲由雷射照射鬆弛應力應變， 在550 °C再度熱退火4小時· 蝕刻矽膜形成島狀活性層603和604。 1 2 Ο 0A厚的氧化矽膜6 5由濺射形成閘極絕緣膜· 濺射形成4000A厚的鋁（含〇. 2至〇· 3重量 %的銃）膜·使表面陽極化，形成1 〇 〇至3 0 0A厚的 本紙張尺度遑用中Η國家標率（CNS U4规格（2丨〇乂297公釐） ----------餐----^--1T-------β (請先聞讀背面之注f項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央樣準局負工请费合作社印装 五、發明説明 U ) 1 氧化鋁 膜 ( 未 顯 示 ) • 由 於 氧 化鋁 -膜 存 在 » 故 鋁 膜 對光阻 1 } 有高 黏 性 防 止 電 流 光 阻 漏 出 » 多 孔 型 陽極 氧 化 物 在下述 1 [ 陽極 化 處 理 形成 於 閘 極側部 〇 V 請 先 閲 1 I 旋轉 塗 覆 形 成 光 阻 ( 例 如 T 0 k y 0 0 h k a公司 1 I 的產 品 0 F Ρ R 8 0 0 / 3 0 C P ) 再 形 成 閘 極 6 0 9 讀 背 1 1 | 和6 1 1 及 閘 極 線 6 1 0 0 周 邊 電 路 的 閘 極 6 0 9 和閘極 之 注 意 1 1 I 線6 1 0 與 主 動 矩 陣 電 路 的 閘 極 6 1 1 絕 緣 0 用 於 蝕刻的 事 項 再 1 1 光阻 ( 罩 ) 6 0 6 至 6 0 8 乃 在 0 ( 圚 6 A ) f 寫 本 1 i- I 在 光 阻 6 0 6 至 6 0 8 仍 在 的 狀 態 使 電 流 流 經 閘極線 頁 1 1 6 1 0 和 閘 極 6 1 1 進 行多 孔 陽 極 化 » 在 閘 極線 6 10 1 1 和閘 極 6 1 1 的 側 部 形 成 多 孔 陽 極 氧 化物 6 1 2 和 6 13 I • 3 至 2 0 % 的 酸 溶 液 ( 例 如 擰檬 酸 、 草酸 % 磷酸 、鉻酸 1 訂 I 或硫 酸 ) 用 於 陽 極 化 Q 1 0 至 3 0 V 電 壓 施於 閘 極 •實施 1 1 | 例中 > 在草酸溶液 ( 在 3 0 °c P Η = 0 • 9 至 1 .0 ) 1 1 於1 0 V 陽極 化 2 0 至 8 0 分 鐘 0 陽極 化 時 間 控 制 陽極氧 1 1 化物 厚 度 〇 藉 由 使 用 酸溶液 的 陽極 化 > 形 成 多 孔 陽極氧化 線 1 物· 多 孔 陽極 氧 化物 厚度爲 3 0 0 0 至 1 0 0 0 0 A *例 1 1 如5 0 0 0 A ( 圖 6 B ) 一- 1 I 在 除 去 光 阻 6 0 6 至 6 0 8 後 使 電 流 流 經 閘 極線 1 1 I 6 1 0 來 進 行 障 壁 陽 極化 在 閘 極 線 6 1 0 和 閘 極 6 11 1· 1 1 的側 部 和 上 表面 形 成 各 1 2 0 0 A 厚 的 細 障 壁 型 陽極氧化 1 物膜 6 1 4 和 6 1 5 〇 ( 圖 6 C ) 1 1 使用 多 孔 陽極氧 化物 6 1 2 和 6 1 3 做 爲 罩 > 由乾蝕 1 1 刻來 蝕刻 氧 化 矽 膜 6 0 5 形成 閘 極 絕 緣 膜 6 1 6 至 1 1 本紙張又度適用中國國家楳率（CNS ) A4规格（21〇x297公* ) 15 經濟部中央橾準局貞工消费合作社印«. A7 B7 五、發明説明（13) 6 1 8。此蝕刻可包含各向同性蝕刻的電漿模式或各向異 性蝕刻的反應離子蝕刻模式。充分增加矽與氧化矽的選擇 比，不要過蝕刻活性層•當C 1 ?4做爲蝕刻氣體時，不 蝕刻陽極氧化物，只蝕刻氧化矽膜6 0 5 ·形成於多孔陽 極氧化物6 1 2和6 1 3下的氧化矽膜6 1 7和6 1 8仍 未蝕刻。（圖6 D ) 使用磷酸、酯酸、硝酸的混合溶液，只蝕刻多孔陽極 氧化物612和613·混合溶液幾乎不蝕刻障壁陽極氧 化物6 1 4和6 1 5 ·由於混合溶液蝕刻鋁•故使用光阻 以保護周邊電路部的閘極6 0 9 *掩蔽周邊電路部。因此 ，比較實施例3，另添加光石印術處理· 藉由使用閘極絕緣膜6 1 6和6 1 8的離子摻雜，雜 質（磷和硼）引入活性層·雖圖中只顯示NMOS，但也 摻雜硼。磷摻雜中，加速電壓相當低（1 0至30KeV )，劑量相當高（5 X 1 0 14至5 X 1 0 15原子/ c m 3 )。由於加速電壓低，故離子引入深度淺，主要將磷引入 露出矽層的區域6 1 9和620。 磷以6 0至9 5 K e V的相當高加速電壓以1- X 1 〇12至1 X 1 014原子/ cm3的相當低劑量引入。由 於加速電壓髙，故離子引入深度深’將磷引入覆以閘極絕 緣膜的區域6 2 1 *因此’形成滲入高濃度之磷的區域 6 1 9和6 2 0及摻入低濃度之磷的區域6 2 1 ·亦即* 圖素T F T中，可得到所謂的雙汲極結構》硼中可進行相 同處理。 本紙張尺度適用中國國家糅準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----------裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1T. 線 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明（14 ) 在4 5 0 °C熱退火1小時，激话摻雜的雜質·由於鎳 做爲結晶促進元素，故可在低於正常激活的溫度激活。（ 圊6 E ) 具有氧化矽膜（2 Ο 0A厚）和氮化矽膜（ 4 Ο Ο 0A厚）的多層膜6 2 2由電漿CVD形成第一中 間層絕緣體，再由乾蝕刻形成接觸孔6 3 2至6 2 7 ·( 圖6 F ) 具有鈦（500A厚）、鋁（4000A厚）、鈦（ 5 Ο 0A厚）的三層金屬膜由濺射沈稹，再蝕刻形成電極 接線628至631 ·再者，藉由電漿CVD， 2 Ο Ο 0A厚的氧化矽膜6 3 2沈積爲第二中間層絕緣體 ，接觸孔形成於圖素TFT的汲極631， ITO形成圖 素電極6 3 3 ·因此，可產生單石型主動矩陣電路圖 6 G ) 上述處理的基底中，IC晶片裝在連接外部IC晶片 之端子部（對應於部分4 1 )的I το接線墊上，由圖 4A和4B的FCOG黏著* 〔實施例5〕 晶片由線接合附在T F T電路（單石型主動矩陣電路 )基底，構成更改良的電路•圖7A至7D顯示實施例的 主動矩陣電路製程。圖7 △至7 D中，左側是周邊邏輯電 路區，右側是主動矩陣電路匾。 « 2 0 0 0A厚的基本氧化物膜7 〇1由濺射沈積在玻 本紙張尺度遑用中圔國家揉隼（CNS > A4规格（210X297公釐）_ 17 _ ----------¢----^—.ΤΓ-------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央橾準局—工消費合作社印製 五、 發明説明（15 ) 1 璃 基 底 ( 未顯 示 ) 上 • 5 0 0 A 厚啲 I TO 膜 由 濺射形成 1 r 於 基 本 氧 化物 膜 7 0 1 上 • 再 蝕 刻 形 成 周邊 邏 輯 電 路區的 1 \ 接線 7 0 2 至 7 0 4 及 主 動矩 陣 電 路 區 的接線 7 0 5和圖 1 I 素 電 極 7 0 6 • 婧 先 Μ 1 1 I 5 0 0 至 1 5 0 0 A 厚 的 非 晶 矽 膜 由電 漿 C V D或 讀 背 1 1 I L P C V D 形 成 而 甲 矽 燒 或 乙 矽 焼 做 爲原 料 氣 體 。非晶 之 注 1 1 矽 膜 的 氧 濃 度 宜 爲 1 0 18 原 子 / C m 3以下 事 項 1 I 再 1 1 磷 和 硼 以 類 似 已 知 C Μ 0 S 製 造 的 離子 摻 雜 來 摻入。 窝 本 1 I 亦 即 在 磷摻雜 後 光 阻 掩 蔽 形 成 N 通 道型 Τ F T 的區域 頁 1 | 9 硼 再 摻 入 形 成 P 通 道 型 Τ F T 的 區域 1 I 摻 雜 磷 的 接 雜 氣 體 是 磷 化 氫 ( P Η 3)摻雜硼的摻雜 1 I 氣 體 是 乙 硼 烷 ( B 2Η β) Ρ 加 速 電 壓 在 磷宜 爲 5 至 3 0 1 訂 1 K V • 劑 量 1 X 1 0 1 4 至 5 X 1 0 1 5 原 子/ C m 3， 例如 1 1 在 / 磷爲 2 3 X 1 0 1 4 原 子 / C m 3 >在硼爲5 X ] L ( 〕14原子 1 1 1 / ο Hi 做 爲 各 T F T 之 通 道形 成 區 的 部 分 (在 源 極 與 汲極之 1 線 1 間 ) 蝕 刻 形 成 N 型 半 導 體蓝 7 0 7 7 0 8 7 1 1、 1 I 7 1 2 和 P 型 半 導 體 區 7 0 9 和 7 1 0 β 1 0 0 至 1 I 5 0 0 A ( 例 如 2 0 0 A ) 厚 的 本質 非 晶氫 化 的 矽 膜 1 1 | 7 1 3 由 電 漿 C V D 形 成 於 這 些 區 域 上 • 1 I 圖 7 A 中 9 使 用 不 接觸 膜 7 1 3 的 非黏 著 罩 7 14* I 照 射 K Γ F 準 分 子 電 射光 ( 2 4 8 η m 波長 和 2 0 n s脈 1 1 寬 ) 使 膜 7 1 3 的 周 邊 電 路區 ( 左 側 )結 晶 〇 雷 射能置 1 I 密 度 爲 2 0 0 至 4 0 0 m j / C m 2 最好是2 5 0 至 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） * 18 * A7 B7 經濟部中央橾準局員工消费合作社印装 五、 發明説明 (16 ) 1 3 0 0 m J / C m 2 *由於照射的電j 时光未到達覆以罩 1 7 1 4 的 區 域 ( 包 含 主 動 矩陣 電 路 區 ) 1 故 該區仍爲非晶 1 矽 0 照 射 雷 射 的 區 域 在膜 7 1 3 和 區 域 7 0 7至7 1 0結 1 1 1 晶 0 請 先 閲 1 I | 矽 膜 ( N 型 和 P 型 半 導體 區 7 0 7 至 7 1 0及本質矽 讀 背 1 膜 7 1 3 ) 蝕 刻 成 島 狀 t 形成 周 邊 電 路 的 島 狀區7 2 1至 之 注 鲁 1 1 7 2 3 瘙 同 時 » 也 形 成 周 邊遇 輯 電 路 之 N 通 道型T F 丁的 $ 項 1 I 再 1 I 源 極 7 1 5 和 汲 極 7 1 6 、周 邊 邏 輯 電 路 之 P通道型 填 寫 本 1 裝 T F T 的 源 極 7 1 8 和 及 7 1 7 主 動 矩 陣 電路之N通道 頁 Nw^ 1 I 型 T F T 的 源極 7 1 g 和 汲極 7 2 0 • ( 圖 7 B ) 1 1 | 使 用 —^ 氧 化 — 氮 ( N 2〇 ) 和氧 (〇 2 ) 做爲原料，電 1 I 漿 C V D 形 成 1 2 0 0 A 厚的 氧 化 矽膜 7 2 4 ·由於膜 1 訂 7 2 4 做 爲 閘 極絕 緣 膜 或 保持 電 容 器 的 介 電 物質，故膜須 1 1 有 夠 低 的 介面 位 準 密 度 和 高耐 壓 • 實 施 例 中 ，甲矽烷和一 1 1 氧 化 二 氮 分 別以 1 0 S C CM 和 1 0 0 S C C Μ引入反應 1 1 室 〇 基 底 溫度 爲 4 3 0 ec ，反 應 壓 力 爲 0 3 Τ 〇 r r， 線 | 施 加 功 率 在 1 3 • 5 6 Μ Hz 爲 2 5 0 W 0 這些條件取決 1 I 於 要 用 的 反 應 裝 置 一· 1 1 I 形 成 於 上 述 條件 之 氧 化矽 膜 7 2 4 的 膜 形成速度約 1 1 I 1 0 0 0 A / 分 鐘 0 當 使 用1 5 0 5 0 比率之氫氟酸 1 \ 醋酸 氟 化 銨 的 混 合溶液（ 在 2 0 °C ) 時 ，蝕刻速度約 1' 1 0 0 0 A / 分 鐘 9 2 0 0 0 至 8 0 0 0 A (例如 1 3 0 0 0 A ) 厚 的 鈦膜 由 濺射沈 稹 1 再 蝕刻形成閘極 1 I 7 2 5 至 7 2 7 和 保 持 電 容器 電 極 7 2 8 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（210X297公釐〉_ μ - 經濟部中央橾準局負工消费合作社印笨 A7 B7 五、發明説明（17 ) 3 Ο Ο 0A厚的氮化矽膜7 2 *9由電漿CVD形成鈍 化膜•因此，可形成周邊邏輯電路之結晶矽的N通道型和 P通道型TFT (周邊p-Si N - c h TFT和周 邊p-Si P—ch TFT)、主動矩陣電路的N通 道型非晶矽TFT (圖素a — Si N - c h TFT) 、保持電容器•（圖7C) 周邊邏輯電路的T F T結構可異於主動矩陣電路。例 如，主動矩陣電路之T F T閘極與汲極分開距離之圖7 D 的偏移結構中，0 F F電流可進一步降低* 爲進行與周邊邏輯電路相同的髙速作業，半導髖須結 晶，源極和汲極也結晶，薄片電阻低•雖照射雷射以製造 周邊邏輯電路，但由於通道形成區及對應於源極和汲極的 部分都結晶，故滿足上述要求•爲進一步增進源極和汲極 的結晶，促進非晶矽結晶的催化元素（例如鎳、鉑、鈀、 鈷或鐵）能以1 X 1 0 17至2 X 1 0 19原子/ c m 3的濃 度加入矽膜· 上述處理的基底中，蝕刻連接外部I C晶片之端子部 (對應於部分2 1)的氮化矽膜729 ’露出端子連接部 的鈦接線墊，由圖2的線接合連接Ϊ C晶片。 〔實施例6〕 圖8A至8 I顯示主動矩陣電路部的剖面*圖9A至 9 I顯示周邊電路部的剖面·圖1 0 A是所製之主動矩陣 電路的上視圖，圖8 Ϊ和9 I顯示圖1 0A之線A - B — 本紙張尺度逋用中國國家揉車（CNS)A4规格U10X297公釐）_ 2〇 _ ----------參— (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .線 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印11 A7 ___B7 五、發明説明（18 ) c的剖面、*圖1 Ο B顯示圖1 0A*之線a - b的剖面。圖 1 〇 c顯示所製之主動矩陣電路的電路配置。 第一閘極接線電極8 0 2至8 0 5形成於其上形成 1 〇 Ο 0A厚之氮化矽膜（未顯示）之玻璃基底的絕緣表 面8 0 1上》蝕刻由磷摻雜而降低電阻之3 0 0 0A厚的 多晶矽膜，形成閘極接線電極8 0 2至8 0 5 ·低壓 C VD形成多晶矽膜，在形成此膜時有多晶狀態。 爲得到多晶矽膜，有上述方法除外的以下方法•亦即 ，在電漿CVD或低壓CVD形成本質非晶矽膜後，諸如 磷的雜質由離子摻雜等引入矽膜。再者，在5 0 0至 6 0 0 Ϊ熱退火•熱退火中，可稍微加入促進結晶的元素 ，例如鎳•實施例中，使用矽，但可用各種金屬矽化物* 電漿CVD形成3000至6000Α (例如 4 Ο Ο 0Α)厚的氮化矽膜8 0 6，也做爲閘極絕緣膜° 電漿CVD形成3 00至1 0 0 0Α (例如50 0 Α)厚 的非晶矽膜，再蝕刻形成島狀矽區807至809·(圖 8 Α 和 9 A ) 電漿CVD形成3000至6000A (例如 2 Ο Ο 0A)厚的氮化矽膜8 1 0，也做爲閛極絕緣膜· 雷射光只照入周邊霣路部’使島狀矽膜8 0 8和8 0 9結 晶·雷射是XeCl準分子雷射（308nm波長）*雷 射照射能量密度和脈衝數目隨矽膜8 0 8和8 〇 9及氣化 矽膜810的特性而變· 蝕刻氮化矽膜8 0 6和8 1 0，形成到達第一鬧極接 ^紙張尺度遴用中國國家標隼（仁灿）八4规格（2丨0><297公釐>_ ' ----------餐-----„-ItT------ (请先聞讀背面之注f項再球寫本萸) A7 B7 經濟部中央橾準局属工消費合作杜印装 五、 發明説明 19 ) 1 線 的 接 觸孔 ( 未 顯 示 ) • 此 接觸 孔用來 形 成 第 一 閘極接 線 1 與 第 二 閘極 接 線 ( 形 成 於 第 — 閘 極接線 上 » 對 應 於接 點 1 I. 8 4 5 如圖 1 0 A 和 1 0 B ) 之 間的接 點 • Γ 1 1 在 形成 接 觸 孔 後 t 濺 射 形 成 3 0 0 0 至 8 0 0 0 A ( 請 先 閲 1 1 | 例 如 3 0 0 0 A ) 厚 的 鋁 膜 8 1 1 ·當 鋁 膜 8 1 1含 有 背 面 1 1 1 0 • 1 至0 • 5 重 量 % 的 航 ( S c )時 t 可 防 止 小丘 產 生 之 注 意 1 1 I « ( 圖 8 B 和 9 B ) 1 項 1 I 再 1 | 蝕刻鋁 膜 8 1 1 形 成第 二 閘 極接線 電 極 8 1 2至 f 太 1 裝 8 1 5 •因 此 經 由 形 成 的 接觸 孔形成 第 — 閘 極 接線 與第 个 頁 1 1 二 閘 極接線 的 接 觸 • 須 以 第 二 閘極接線 完 全 覆 蓋 接觸 孔 1 I 這 是 因 爲當 矽 所構成 的 第 一 閘 極 接線在 接觸 孔 露 出時 電 | 流 在 陽 極化 處 理 中 流 經 露 出 部 而不進 行 陽 極 化 作用 0 ( 1 訂 I 圖 8 C 和9 C ) 1 1 電 解液 中 電 流 送 到 第 二 閘 極接線 電 極 8 1 2至 1 1 8 1 5 •使 用 將 氨 加 入 3 至 1 0 %酒石 酸所得 且 有6 • 8 1 1 至 7 - 2 p Η 的 乙 二 醇溶 液 〇 當 溶液比 室 溫 底 約 10 °c 時 線 I 1 形 成 具有髙 品 質 的 氧 化物 膜 • 因此， 障 壁 陽極 氧化物 1 I 8 1 6 至8 1 9 形成於第 二 閘 極 接線電 極 的 上 和 側表 面 1 I 陽 極 氧 化物 厚 度 正 比 於施 加 電 壓 ，最好 是 1 0 0 0至 1 1 I 3 0 0 0 A 〇 在 1 5 0 V 形成 2 0 0 0 A 厚 的 陽 極氧 化物 1 〇 爲 得 到3 0 0 0 A 厚 以 上 的 陽 極氧化物 須 施加 I 2 5 0 V以 上 〇 但 這 影 響 T F T 特性· ( 圖 8 D 和9 D ) 1 1 藉 由乾 蝕 刻 白 動 對 正 蝕 刻 氮化矽 膜 8 1 0 -但 由 於 1 I 不 蝕 刻 陽極 氧 化物 8 1 6 至 8 1 9，故 閘 極 絕 緣 膜8 2 0 1 1 本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（20 ) 至8 2 3仍在第二閘極接線電極8 "1 2至8 1 5與島狀矽 膜807至809之間•（圖8E和9E) 藉由離子摻雜，自動對正使用閘極部（閘極8 1 3至 8 15和其旁的陽極氧化物8 17至819) ，N型和p 型雜質引入島狀矽膜8 0 7至8 0 9，形成N型雜質區（ 源極/汲極區）8 2 4至8 2 7和P型雜質區8 2 8和 8 2 9 · N型雜質摻雜的摻雜氣體爲氮化氫（pH3)， P型雜質摻雜的摻雜氣體爲乙硼烷（Β2Ηβ) ·劑量爲 5X1 014至5X1 015原子/ cm3，加速電壓爲1 〇 至3 OKeV ·照射K r F準分子電射光（248 nm波 長和20ns脈寬），激活引入矽膜807至809的雜 質離子。（圖8F和9F) 5 0至5 0 0A厚之諸如鈦膜8 3 0的金屬由濺射形 成於整個表面上* (圖8G和9G) 在450至500 °C (例如500 °C)熱退火1〇至 6 0分鐘•鈦與矽反應’形成矽化物（矽化鈦）區8 3 1 至836 ·此熱退火中，進—步激活摻雜的雜質·可進行 雷射光照射的雷射退火和可見光照射或近紅外光照射的燈 退火，取伐矽化物處理的熱退火· 使用分別以5:2:2之比率在過氧化氫、氨、水之 間混合所得的蝕刻液，蝕刻鈦膜8 3 0 *由於不接觸露出 活性層的鈦膜（例如形成於氮化矽膜8 0 6和陽極氧化物 膜上的鈦膜）留在金屬狀態’故可在此蝕刻處理中蝕刻。 另一方面，矽化鈦不蝕刻，因此仍在·（圖8A和9H) 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐）_ — ----------装-------------1^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央揉率局負工消費合作社印装 五、 發明説明< 21 ) 1 5 0 0 0 A 厚 的 氧 化 矽 膜 由 C Ύ D 形 成 於 整 個 表 面 上 1 1 做 爲 第 一 中 間 層 絕 緣 體 8 3 7 0 接 觸 孔 形 成 於 T F T 的 源 1 1 極和 汲 極 〇 在形 成 第 —* 中 間 層絕緣體後 » 在 4 0 0 °c 退 火 1 1 I 1 0 至 3 0 分 鐘 • 形 成 鋁 接線 電 極 8 3 8 至 8 4 1 t 使 用 η 先 1 1 I T 0 膜 形 成 圖 素 電 極 8 4 2 〇 閲 讀 背 1 I 1 I 爲 不 使水 分 活 性 離 子 等 從 外 部 進 入 T F T 9 電 漿 之 注 1 1 C V D 形 成 2 0 0 0 至 5 0 0 0 A ( 例 如 3 0 0 0 A ) 厚 ί 項 1 I 的 氮 化矽 膜 8 4 3 圖 素 部 8 4 4 和 連 接 外 部 I C 晶 片 的 再 % 寫 1 癸 端 子 部 ( 未 顯 示 ) 打 開 而 露 出 I T 0 膜 ( 圖 8 I 和 9 I 本 頁 1 1 I ) 藉 由 上 述 處 理 形 成 主 動 矩 陣 電 路 的 接 線 交 叉 部 1 1 8 4 7 接 到 圖 素 的 T F T 、 周 邊 電 路 的 N 通 道 型 T F T 1 訂- 8 4 9 和 P 通 道 型 T F T 8 5 0 得 到 單 石 型 主 動 矩 陣 電 1 1 路 0 1 I 圖 1 0 A 是設有 圖 素 部 之 T F T 的 上 視 圓 延 伸 白 掃 1 I 描 驅 動 器 的 閘 極 線 在 圖 1 0 A 似 乎 爲 軍 線 〇 但 第 — 閘 極 線 1 線 I 8 0 2 平 行 形 成 於 第 二 閘 極 線 8 1 2 0 第 — 和 第 二 閘 極 線 1 1 經 由 接 點 8 4 5 互 連 〇 實 施 例 的 主 動 矩 陣 電 路 中 對 *~· 1 1 T F T 形 成 — 接 點 〇 1 1 第 —* 和 第 二 閛 極線 8 0 2 和 8 1 2 的 其 中 —^ 個 雖 損 壞 I » 但 整 體 不 變 差 • 實 施例 中 9 如 圚. 1 0 A * 接 點 形 成於 閛 I 極 線 分 叉 的 分 支 部 0 道 是 因 爲 » 提 供 墊 區 ( 有 厚 寬 度 的 接 1 1 I 線 區 ) 以 形 成 接 點 時 9 分 支 部 不 需 提供 特 殊 空 間 9 因 此 在 1 1 I 配 置 上 較 優 〇 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央梯準局貞工消费合作衽印笨 A7 B7 五、發明説明（22 ) 圖1 0B顯示沿著圖1 〇A之瀾極線之線a _b的剖 面結構•圖1 〇 c顯示具有圖1 〇 a之多個電路的主動矩 陣電路•閘極線8 1 2和8 0 2也分叉到在上線圖素電極 之下延伸的接線8 4 6。電容器形成於接線8 4 6與圖素 電極之間，平行於電路上之圖素電極所形成的液晶電容器 。處理的基底中，I C晶片裝在連接外部I C晶片之 I TO的端子部（對應於部分4 1)，由圖4A和4B的 FCOG附在I C晶片· 〔實施例7〕 I C晶片連接單石型主動矩陣電路（TFT電路）基 底，使用非晶矽（a _S i ) TFT的主動矩陣電路和使 用結晶矽T F T的周邊電路形成於同一玻璃基底上· 圖1 1 A至1 1 D顯示實施例之單石型主動矩陣電路 的製程· 1 0 0 0至3 0 0 0A厚的氧化矽膜形成於玻璃 基底901上成爲基本氧化物膜902 *藉由電漿CVD 或LPCVD，非晶的矽膜903沈積300至 1 500A厚，例如 5Ο0Αβ 再者，50 至 1 0 0 0 A (例如2 0 0A)厚的氧化矽膜（或氮化矽膜）由電漿 〇¥〇形成保護膜904· 照射K r F準分子電射光（2 4 8 n m波長和，增進 的矽膜9 0 3的晶性。雷射能量密度爲2 0 0至 4 0 0m J / cm2，最好是 2 5 0 至 3 0 0m J /cm2 * (圖 1 1 A ) 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----------^.-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 打 線 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明（23 ) 保護膜9 0 4除去而露出的矽獷903*定成島形以
形成N通道型TFT的島狀矽區9 0 5和P通道型TFT 的島狀矽區9 0 6 ·再者*在含氧的氣氛中濺射、或使用 電漿CVD來分解並沈積TEOS，形成閘極絕緣膜 9 0 7 · 濺射形成2 0 0 0A至5 厚的鋁膜’再蝕刻形成 閘極9 0 8和9 0 9 ·同時，也形成主動矩陣部之反交錯 型TFT的閘極910·(圖11B) 基底浸入電解液，將電流送到閘極’在閘極旁形成陽 極氧化物層9 1 1至9 1 3 ·周邊電路Ε之TFT (左側 )的陽極氧化物膜薄以增進TFT移動率’主動矩陣電路 之丁 FT (右側之反交錯型TFT)的陽極氧化物膜厚以 防閘極洩漏•實施例中，陽極氧化物膜皆爲2 0 0 0至 2500A厚•（圖 11C) 自動對正使用閘極部（閘極和其旁的陽極氧化物膜） 做爲罩，雜質由離子摻雜引入各TFT的島狀矽區9 0 5 和906。亦即，使用磷（PH3)做爲摻雜氣體，磷先 引入整個表面•在光阻只掩蔽島狀矽區9 0 5後广·砸只引 入島狀矽區9 0 6 ·劑量在磷爲2X 1 015至8X 1 015 原子/ cm3,在硼爲4X1 015至5X1 01 5原子/ cm3 。硼的劑量髙於磷》 照射K r F準分子電射光（2 4 8 nm波長和 2 0 n s脈寬，增進晶性因雜質引入而變差之部分的晶性 。雷射能量密度爲2 0 〇至4 0 〇m J /cm2’最好是 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----------^----^--1T-------^ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局Ϊ消费合作社印装 A7 _B7_ 五、發明説明（24 ) 25〇 至 300mJ/cm2·(圖 11D) 結果，形成N型區914和915及P型區916和 9 1 7 ·這些區域的薄片電阻爲200至800Ω/平方 〇 藉由電漿CVD，3 0 0 0A厚的氮化矽膜形成於整 個表面上成爲中間層絕緣體918·氮化矽膜是周邊電路 的中間層絕緣體•但由於氮化矽膜做爲主動矩陣電路的 TFT閛極，故須注意膜製造* 100至500A (例如200A)厚的非晶矽層 9 1 9形成於主動矩陣部的·蘭極9 10上，然後使用電漿 CVD所形成的單晶矽層（500至1 000A厚），形 成非晶矽TFT的源極920和汲極921。將諸如 I TO的透明導電材料用於主動矩陣部的TFT，形成圖 素電極9 2 5 · 接觸孔形成於周邊電路部之各T F T的源極和汲極， 形成鋁接線9 2 2至9 24 ·在左側使用N逋道型TFT 和P通道型TFT *製造反相器電路。在350 °C於含氫 的氣氛中退火2小時，減少矽膜懸掛鍵。藉由上述處理， 集積周邊電路和主動矩陣電路。 實施例中，反交錯型TFT做爲主動矩陣電路的非晶 矽丁 F T，而不將光照入通道部*這是因爲非晶矽導電性 由光照射改變·處埋的基底中，使用圖2的線接合法， I C晶片連接接到外部I C晶片之鋁接線的端子部（對應 於部分2 1 ) * _本紙張尺度適用中國國家相^(0阳）八4规格（210><297公釐）""""71 -Z7 _ -------------^-----^--1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)