JPH11102965A - 電極配線、半導体装置、及び電極配線の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低抵抗で信頼性の高いゲート電極及び信号配
線を従来よりも高い生産性で、且つ歩留まり良く形成す
ることを目的とする。 【解決手段】 珪素を含有する金属膜を成膜し、所定の
パターンに形成後、熱処理により珪素を金属膜表面に析
出させる。その後上記の珪素を陽極酸化することで金属
膜の表面に自己整合的に保護膜６ＡＯを形成し、低抵抗
のＡｌ或いはＣｕ配線を実現する。得られた低抵抗の配
線は信号配線として用いることもできる他に、ゲート電
極にも利用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電極配線を有する
半導体装置とその製造方法に関するもので、特に低抵抗
で且つ耐食性が高く、また金属膜を構成する元素の拡散
の無い信頼性の高い配線を提供するものである。

【０００２】

【従来の技術】絶縁性基板上に形成された電極配線は、
ＬＳＩ、ＴＦＴアレイなど多くの半導体装置の分野で用
いられている。これらの電極配線はその目的によって材
料、構成の選択が為されている。近年、デバイスの高性
能化、高密度化、或いはＴＦＴアレイのような大型化が
進み、電極配線はより低抵抗化が望まれている。

【０００３】そこで以下では、ＴＦＴアレイの分野で用
いられている第１の従来例を図８を用いて説明する。図
８に示したのは、従来のＴＦＴアレイを模式的に示した
断面構造図である。

【０００４】ＳｉＯｘよりなるアンダーコート膜３２が
形成された透光性基板３１上に所定のパターンの多結晶
Ｓｉ膜３３が形成され、更に全面にＳｉＯｘ膜よりなる
ゲート絶縁膜３４が形成されている。多結晶Ｓｉ膜３３
のパターン上にＴａ／Ｃｕ／Ｔａ積層膜よりなるゲート
電極３５が形成されている。このゲート電極３５をマス
クとしてＢを含むガス及びＰを含むガスを各々選択的に
注入することで、ｐ型及びｎ型の半導体領域３３Ｐ及び
３３Ｎが形成されている。更に上層に向かって、ゲート
電極３５と画素電極３７を電気的に分離するためのＳｉ
Ｏｘ膜よりなる第１層間絶縁膜３６、及び画素電極３７
とソース電極３９Ｓ及びドレイン電極３９Ｄを電気的に
分離するためのＳｉＯｘ膜よりなる第２層間絶縁膜３８
が順次形成されている。そして最上層面には水分等の侵
入を阻止し、デバイスの信頼性を高める目的で、ＳｉＮ
ｘ膜よりなるパッシベーション膜４０が形成されてい
る。

【０００５】ここでソース電極３９Ｓ及びドレイン電極
３９Ｄは、第２層間絶縁膜３８、第１層間絶縁膜３６、
及びゲート絶縁膜３４を貫くように形成されたコンタク
トホールを介して、半導体領域３３Ｐ若しくは半導体領
域３３Ｎと電気的に接続されている。また、ゲート電極
３５及びソース電極３９ＳはＴＦＴアレイの信号配線、
走査配線としての役割も兼ね備えている。

【０００６】以上のような多結晶ＳｉＴＦＴアレイで
は、トランジスタの性能が高いことで、スイッチング素
子及び信号配線を小型・細線化できる上、ゲート配線と
して低抵抗のＣｕ膜を用いているため配線を細くするこ
とができる。その結果、大面積で且つ、高い画素開口
率、或いは高い精細度を有する優れた液晶表示装置を提
供することができる。

【０００７】次に、電極配線の形成方法の第２の従来例
として、ＴＦＴアレイにおいてトランジスタのオフセッ
ト構造を形成するためのゲート電極配線の形成方法を図
９に示す断面工程図を用いて説明する。

【０００８】まずＳｉＯｘ膜よりなるアンダーコート膜
５２が形成された透光性基板５１上に、所定のパターン
の多結晶Ｓｉ膜５３が形成する。次に多結晶Ｓｉ膜５３
上の全面にＳｉＯｘ膜よりなるゲート絶縁膜５４を形成
し、続けてＡｌ合金からなるゲート金属膜５５を基板全
面に製膜し、さらにゲート金属膜５５の表面に酒石酸ア
ンモニウム水溶液とエチレングリコールを電解液に用い
た陽極酸化法により、全面に渡って第１陽極酸化膜５６
ａを形成する（図９（ａ））。続いてレジストマスクを
用いたフォトリソグラフィー技術を用いて所定のレジス
トパターン５７を形成し、これをマスクとして第１陽極
酸化膜５６ａ及びゲート金属膜５５をエッチング加工す
る（図９（ｂ））。次にレジストパターン５７を除去せ
ずにそのまま残した状態で、今度は蓚酸水溶液を用いた
陽極酸化法により、エッチング加工されたゲート金属膜
５５Ｎの側壁部に所定の厚さの第２陽極酸化膜５６ｂを
形成する（図９（ｃ））。そしてレジストパターン５７
を除去した後に、再度酒石酸アンモニウム水溶液とエチ
レングリコールを電解液に用いた陽極酸化法により、ゲ
ート金属膜５５の表面の一部に第３陽極酸化膜５６ｃを
形成する（図９（ｄ））。陽極酸化膜５６ａ〜ｃは、何
れも印加する電圧を制御することによって所望の厚さの
酸化膜を形成することができる。この様にして形成され
たゲート金属膜５５、及び陽極酸化膜５６ａ〜ｃをマス
クとしてＢ或いはＰを含むガスを各々選択的に注入する
ことでｐ型或いはｎ型の半導体領域５３ＳＤとドーピン
グされない高抵抗領域５３ＯＦを形成する（図９
（ｅ））。

【０００９】以降図には示さないが、ＳｉＯｘ膜よりな
る第１層間絶縁膜、透明導電膜をよりなる画素電極、Ｓ
ｉＯｘ膜よりなる第２層間絶縁膜を作製した後、ゲート
金属膜５５及び画素電極上の一部を開口し、Ａｌ膜とＴ
ｉ膜との積層膜からなるソース・ドレイン電極、及び走
査配線を形成する。その後ＳｉＮｘ膜よりなるパッシベ
ーション膜の形成と、水素雰囲気中での熱処理による半
導体層の活性化を経て多結晶ＳｉＴＦＴアレイが完成す
る。

【００１０】以上のような多結晶ＳｉＴＦＴアレイで
は、ゲート電極配線に低抵抗のＡｌ合金膜を用いている
ため、信号配線を小型・細線化でき、大面積で且つ高い
画素開口率、或いは高い精細度を有する優れた液晶表示
装置を提供することができる。更に、ｎ型トランジスタ
のソース・ドレイン領域のチャネル領域に接する領域
が、第２陽極酸化膜をマスクとしてＰが注入されている
ため低ドーピング領域となっており、いわゆるオフセッ
ト領域を形成してソース・ドレイン領域での電界を緩和
する作用をするため、トランジスタの信頼性を著しく向
上することができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の技術では下記に示すような問題点が生じる。

【００１２】まず第１の従来例では、ゲート電極配線と
してＴａ／Ｃｕ／Ｔａの積層構成を用いているために問
題点が存在する。低抵抗のＣｕを配線に用いることで、
信号配線の遅延による表示性能の低下を避け、より大面
積のＴＦＴパネルを実現しようとしているわけである
が、一方で下層及び上層にＴａを形成した積層構成とな
っている。下層のＴａ膜は、Ｃｕ膜がＳｉＯｘ等の絶縁
膜に対して密着性に著しく劣り剥離し易いため、密着性
を高めるために形成されており、また上層のＴａ膜は、
Ｃｕ膜が空気中の水分等で容易に腐食し易いため、その
表面を保護する目的で形成されている。

【００１３】この様に、Ｃｕ膜を電極配線として用いる
ために上下層に異なる金属を形成しなければならないた
め、同一のエッチング方法は使えないなど工程が複雑に
なって歩留まりが低下したり、コストを高める等の課題
が生じる。

【００１４】次に第２の従来例では、ゲート電極配線と
して上面及び側壁部に陽極酸化膜の形成されたＡｌ合金
膜を用いているために問題点が存在する。低抵抗のＡｌ
合金を配線に用いることで、信号配線の遅延による表示
性能の低下を避け、より大面積のＴＦＴパネルを実現
し、また側壁部に陽極酸化膜を形成し、この陽極酸化膜
をマスクとしてオフセット領域を形成することで信頼性
の向上を図ろうとしているわけであるが、一方でオフセ
ット領域を形成するためのマスクとして機能させる陽極
酸化膜を形成するために３回もの陽極酸化工程を経てい
る。第１の陽極酸化膜は、側壁部の第２陽極酸化膜を形
成する際のフォトレジストの密着性を高まるためであ
り、第３陽極酸化膜は後工程におけるＡｌ合金膜のヒロ
ックの発生を抑制したり、弗酸系のエッチング液による
腐食を防止したりするために必要となっている。

【００１５】その結果、陽極酸化膜を形成する工程が非
常に複雑であり生産性を低下させるという課題が発生す
る。また、ゲート電極配線であるＡｌ合金膜とのコンタ
クトを形成するために表面に形成されたＡｌＯｘ陽極酸
化膜をエッチング除去する必要があるが、ＡｌＯｘとＡ
ｌ合金膜を十分高い選択比でエッチングするのは非常に
困難である。

【００１６】そこで本発明は上記の問題点に鑑み、低抵
抗で信頼性の高いゲート電極及び信号配線を従来よりも
高い生産性で、且つ歩留まり良く形成することを主たる
目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の電極配線は、絶縁性基板上に形成された電
極配線であって、電極配線が金属膜と金属膜を覆うよう
に形成された酸化珪素膜とを有する構成となっており、
本発明の半導体装置は、絶縁性基板上に、少なくとも半
導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極及び信号配線が形成
された半導体装置であって、少なくともゲート電極また
は信号配線の一方が金属膜とその表面を覆う酸化珪素膜
とを有する構成となっている。

【００１８】また本発明の電極配線の形成方法は、絶縁
性基板上に珪素を含有する金属膜を成膜する工程と、金
属膜を所定のパターンに形成する工程と、所定のパター
ンに形成された金属膜を熱処理して金属膜中の珪素を表
面に析出させた後、表面に析出した珪素を選択的に酸化
する工程とを有する構成となっている。この時、金属膜
としては、ＡｌまたはＣｕを含有することが望ましく、
金属膜表面に析出した珪素を選択的にを酸化する方法と
しては陽極酸化法を挙げることができる。

【００１９】上記の構成によれば、選択的に容易に配線
表面に酸化珪素膜を形成することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態における
電極配線や半導体装置について図面を参照しながら説明
を行うが、具体的な説明を行う前にその概要について説
明する。

【００２１】本発明の電極配線は、絶縁性基板上に形成
された電極配線であって、電極配線の表面に電極配線を
覆う酸化珪素膜が形成されている。また、本発明の半導
体装置は、少なくとも半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート
電極及びゲート電極に接続する走査信号配線、ソース・
ドレイン電極及びソース・ドレイン電極に接続する走査
信号配線、ソース・ドレイン電極及びソース・ドレイン
電極の何れか一方に接続する信号配線とを有し、少なく
ともゲート電極及び信号配線の一方を構成する金属膜の
表面が酸化珪素膜により覆われている。

【００２２】上記のような構成を有することにより、第
１に、電極配線等を形成している金属膜の表面の腐食や
後工程でのエッチング工程など化学的、物理的な反応か
ら金属膜を保護できるため、生産性、歩留まりの向上が
実現できる。第２に、上述のように後工程での金属膜に
対する化学的、物理的作用を阻止できるため、デバイス
として望まれる電極配線を任意に選択することが容易に
なり、デバイスの特性向上を実現することができる。第
３に、金属膜の表面を覆う酸化珪素膜はウェットエッチ
ング法においてもドライエッチング法においても容易に
制御性良くエッチングを行うことができるため、電極配
線の取り出しも容易であり、生産性、歩留まりの向上が
実現できる。

【００２３】また、本発明の電極配線や半導体装置にお
いては、上記の構成において、金属膜をＡｌ若しくはＣ
ｕとする。

【００２４】これにより、第１に、電極配線として低抵
抗のＡｌ若しくはＣｕを用いるため、例えばＬＳＩの分
野においては配線を細くすることができるためデバイス
の消費電力を低減することができ、また例えばＴＦＴ液
晶パネルの分野では配線を細くできることで開口率向
上、大型化或いは高精細化、時定数の低減による駆動能
力の向上等のデバイスとしての性能向上を実現すること
ができる。第２に、Ａｌ及びＣｕ膜は何れも低抵抗でよ
く知られた材料であるが、共に腐食性が高いため単独で
は非常に使い難く、耐食性を高めるために不純物を添加
するといった方法をとる場合が多いが、不純物の添加は
抵抗増を招くという課題がある。これに対して本発明の
電極配線では、表面が酸化珪素膜で覆われているため不
純物添加のないＡｌ若しくはＣｕ膜を用いることができ
るため、非常に低い配線抵抗を実現することができる。
第３に、Ａｌ膜の場合、成膜後の熱処理においてヒロッ
クを発生し、互いに交差する配線間同士のショートを引
き起こすという課題があるが、本発明の構成ではＡｌ表
面が酸化珪素膜で覆われているために、ヒロックの発生
を抑止することができ、デバイスの信頼性を向上するこ
とができる。

【００２５】さらに本発明の電極配線の形成方法は、絶
縁性基板上に少なくとも珪素を含む金属膜を成膜し所定
のパターンに形成した後、所定のパターンに形成された
珪素を含む金属膜を所定の温度で熱処理して金属膜中の
珪素を表面に析出させ、その後表面に析出した珪素を選
択的に酸化することにより、金属膜の表面に酸化珪素膜
を形成するものである。

【００２６】この構成によれば、絶縁性基板上に成膜す
る金属膜が少なくとも珪素を含む合金膜であることか
ら、例えばスパッタリング法等を用いることにより任意
の組成の合金膜を形成することができる。この結果、後
工程で表面に析出させた珪素を酸化することによって形
成する酸化珪素膜の厚さを、添加する珪素の濃度を制御
することによって任意に決めることができる。第２に、
酸化珪素膜を構成する珪素が、金属膜の成膜時に予め添
加されているため、新たに酸化珪素膜或いは珪素膜を成
膜する必要がなく工程数を低減することができると同時
に、形成される金属膜と酸化珪素膜の密着性が非常に優
れていることが明らかとなった。その結果、生産性、歩
留まりの向上を実現できる。第３に、配線パターン形成
後表面に析出する珪素は、金属膜の全ての表面、即ち下
層膜との界面及び配線パターンの側壁部にも析出するた
め、析出した珪素を酸化することで、金属膜の周囲全て
を酸化珪素膜で覆うことができる。その結果、金属膜の
表面に新たに酸化珪素膜を成膜する場合に比べて、段差
の影響等が全くなく優れた保護膜として機能する。

【００２７】上記の電極配線の形成方法において、金属
膜をＡｌ若しくはＣｕとすると、第１に、電極配線とし
て低抵抗のＡｌ若しくはＣｕを用いるため、例えばＬＳ
Ｉの分野においては配線を細くすることができるためデ
バイスの消費電力を低減することができ、また例えばＴ
ＦＴ液晶パネルの分野では配線を細くできることで開口
率向上、大型化或いは高精細化、時定数の低減による駆
動能力の向上等のデバイスとしての性能向上を実現する
ことができる。第２に、Ａｌ及びＣｕ膜は何れも低抵抗
でよく知られた材料であるが、共に腐食性が高いため単
独では非常に使い難く、耐食性を高めるために不純物を
添加するといった方法をとる場合が多いが、不純物の添
加は抵抗増を招くという課題がある。これに対して本発
明の電極配線の形成方法では、珪素を含むＡｌ若しくは
Ｃｕ膜をパターニング後、熱処理によって添加された珪
素を表面に析出させるため、ほぼ純Ａｌ若しくは純Ｃｕ
の配線抵抗が実現できる。加えて表面に析出した珪素を
酸化することで、腐食性の高いＡｌ若しくはＣｕ膜が自
己整合的に保護されるため、耐食性が高く且つ非常に低
い配線抵抗を実現することができる。第３に、Ａｌ膜の
場合、成膜後の熱処理においてヒロックを発生し、互い
に交差する配線間同士のショートを引き起こすという課
題があるが、本発明の構成ではＡｌ表面が酸化珪素膜で
覆われているために、ヒロックの発生を抑止することが
でき、デバイスの信頼性を向上することができる。第４
に、Ｃｕ膜の場合、成膜時の絶縁膜に対する密着性が非
常に劣るが、本発明の方法では、より密着性の高い珪素
を含む合金膜を成膜するため剥離等の問題が発生せず、
生産性、歩留まりの向上を実現できる。

【００２８】以下本発明の実施の形態における半導体装
置及び電極配線の形成方法について、図１〜図６を参照
しながらより詳細に説明する。なお、以下に示す例では
特に液晶表示素子に用いられる薄膜トランジスタを念頭
において説明を行い、また、電極配線として用いられる
金属膜としてＡｌを含む材料を用いた場合について説明
を行うが、金属膜としてはＡｌ以外にＣｕを含有する材
料を用いてもよい。

【００２９】まずＳｉＯｘ膜よりなるアンダーコート膜
２が製膜された絶縁性基板としての透光性基板１上にア
モルファスＳｉ膜を製膜し、所定の熱処理を加えた後、
エキシマレーザーを上記のアモルファスＳｉ膜に照射し
て多結晶Ｓｉ膜３を形成する（図１）。次に多結晶Ｓｉ
膜３を所定のパターンに形成後、基板全面にＳｉＯｘ膜
よりなるゲート絶縁膜４、及び珪素を含有する金属膜と
してのＡｌ−Ｓｉ合金膜からなるゲート金属膜５を基板
全面に形成する（図２）。

【００３０】次に図３に示すようにＴＦＴを駆動するた
めの回路部及び画素電極のスイッチング素子を形成する
ため、所定の領域にｐ型及びｎ型のトランジスタを形成
できるようにゲート金属膜５を順次所定のパターンに形
成する。具体的には、ｐ型トランジスタのゲート金属膜
５ａ、ｎ型トランジスタのゲート金属膜５ｂ、及び信号
配線５ｃをパターニングして形成する。次に、ｐ型トラ
ンジスタを形成すべく、ゲート金属膜５ａの周辺部分に
Ｂを含むガスを選択的に注入することでｐ型半導体領域
３Ｐを形成する。その後、真空中、または窒素雰囲気中
で３００℃〜４００℃で１〜２時間の熱処理を施すこと
によってゲート金属膜５ａと５ｂと信号配線５ｃの表面
及び下層のゲート絶縁膜４との界面にＳｉが拡散、析出
する。

【００３１】次に、ゲート金属膜５ａ、５ｂ及び信号配
線５ｃに析出したＳｉを図７に示した装置を用いて陽極
酸化する。これにより、金属膜表面に析出した珪素が選
択的に酸化されたことになる。上記の図１〜３には示し
ていないが、ゲート金属膜５ａ、５ｂ及び信号配線５ｃ
には外部より電界を供給できるように基板端部に取り出
し電極部が設けられている。詳細に説明すると、図７に
おいて、ゲート金属膜５ａ、５ｂ及び信号配線５ｃの表
面に析出したＳｉを、まず、透光性基板１上に形成され
た取り出し電極部をクリップ２４で挟み、陽極酸化槽２
６中に満たされたエチレングリコールと硝酸アンモニウ
ム水溶液の混合液よりなる電界液２３中に浸す。なおこ
の時クリップ２４は、電源２７を介してＰｔよりなる対
向電極２５に接続されている。取り出し電極に対して所
定の正の電圧を一定時間印加することにより、ゲート金
属膜５ａ、５ｂ及び信号配線５ｃの表面に所望の厚さの
陽極酸化ＳｉＯｘ膜６ＡＯが形成される（図４）。陽極
酸化膜６ＡＯの厚さは、印加する電圧によって制御でき
ると共に、熱処理によってゲート電極表面に析出するＳ
ｉの厚さによっても規定され、析出するＳｉの量が少な
ければ必要以上の電圧を印加してもＳｉＯｘ膜は成長し
ない。

【００３２】以上の様にして形成されたゲート金属膜５
ｂ及びＳｉＯｘ陽極酸化膜６ＡＯをマスクとしてＰを含
むガスを各々選択的に注入することでｎ型の半導体領域
３Ｎ及びＰがドーピングされない高抵抗領域３ＯＦを形
成することができる（図５）。

【００３３】次に、ＳｉＯｘ膜よりなる第１層間絶縁膜
７、透明導電膜よりなる画素電極８、ＳｉＯｘ膜よりな
る第２層間絶縁膜９を作製した後、ゲート金属膜５Ｎ及
び画素電極８上の一部を開口し、Ａｌ膜とＴｉ膜との積
層膜からなるソース電極１０Ｓ、及びドレイン電極１０
Ｄ形成する。その後ＳｉＮｘ膜よりなるパッシベーショ
ン膜１１の形成と、水素雰囲気中での熱処理による半導
体層の活性化を経て多結晶ＳｉＴＦＴアレイが完成する
（図６）。

【００３４】以上のような多結晶ＳｉＴＦＴアレイで
は、ゲート電極配線に低抵抗のＡｌ合金膜を用いている
ため、信号配線を小型・細線化でき、大面積で且つ高い
画素開口率、或いは高い精細度を有する優れた液晶表示
装置を提供することができる。更に、ｎ型トランジスタ
のソース・ドレイン領域のチャネル領域に接する領域
が、ゲート金属膜より析出させたＳｉを陽極酸化して形
成した酸化膜をマスクとしてＰが注入されているため殆
どドーピングされていない、いわゆるオフセット領域を
形成してソース・ドレイン領域での電界を緩和する作用
をするため、トランジスタの信頼性を著しく向上するこ
とができる。

【００３５】

【発明の効果】本発明の電極配線及び半導体装置によれ
ば、低抵抗で信頼性の高いゲート電極及び信号配線を従
来よりも高い生産性で、且つ歩留まり良く形成すること
が可能となり、特に薄膜トランジスタを考慮すると、多
結晶ＳｉＴＦＴを用いた高開口率、高解像度、大型の液
晶表示装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における半導体装置及び電
極配線の形成工程断面構造図

【図２】本発明の実施の形態における半導体装置及び電
極配線の形成工程断面構造図

【図３】本発明の実施の形態における半導体装置及び電
極配線の形成工程断面構造図

【図４】本発明の実施の形態における半導体装置及び電
極配線の形成工程断面構造図

【図５】本発明の実施の形態における半導体装置及び電
極配線の形成工程断面構造図

【図６】本発明の実施の形態における半導体装置及び電
極配線の形成工程断面構造図

【図７】本発明の実施の形態においてＳｉを陽極酸化す
るために用いる陽極酸化装置の概略図

【図８】従来の電極配線を有する半導体装置の構成を示
す断面図

【図９】従来の半導体装置の製造工程断面図

【符号の説明】

１ 透光性基板 ２ アンダーコート膜 ３ 多結晶Ｓｉ膜 ３Ｐ ｐ型半導体領域 ３Ｎ ｎ型半導体領域 ３ＯＦ 高抵抗半導体領域 ４ ゲート絶縁膜 ５ ゲート金属膜 ６ 陽極酸化膜 ７ 第１層間絶縁膜 ８ 画素電極 ９ 第２層間絶縁膜 １０Ｓ ソース電極 １０Ｄ ドレイン電極 １０ＳＢ 走査配線 １１ パッシベーション膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｚ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁性基板上に形成された電極配線であっ
   て、前記電極配線が金属膜と前記金属膜を覆うように形
   成された酸化珪素膜とを有することを特徴とする電極配
   線。
2. 【請求項２】絶縁性基板上に、少なくとも半導体層、ゲ
   ート絶縁膜、ゲート電極及び信号配線が形成された半導
   体装置であって、少なくとも前記ゲート電極または前記
   信号配線の一方が金属膜とその表面を覆う酸化珪素膜と
   を有することを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】絶縁性基板上に珪素を含有する金属膜を成
   膜する工程と、前記金属膜を所定のパターンに形成する
   工程と、所定のパターンに形成された前記金属膜を熱処
   理して前記金属膜中の珪素を表面に析出させた後、表面
   に析出した珪素を選択的に酸化する工程とを有する電極
   配線の形成方法。
4. 【請求項４】金属膜がＡｌまたはＣｕを含有することを
   特徴とする請求項３に記載の電極配線の形成方法。
5. 【請求項５】金属膜表面に析出した珪素を選択的にを酸
   化する方法が陽極酸化法であることを特徴とする請求項
   ３または４に記載の電極配線の形成方法。