TW386301B - Fusebank - Google Patents

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煩請委gr明示@年e?l月β日所提之 #·!£.-本有無變更t·質内容是否准予於正。 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 A7 B7五、發明説明（） i 寄生場效電晶蜃的破痰性擊穿，可以將介於二個摻雜區 域之間的距離加大，使擊穿電壓提高。然而，這需要額 外的佈局面積（Layoutf】aeche)。 本發明的目的是，找尋另一解決方法，在此方法中， 可防止由二個摻雜區域所形成之寄生電晶體上的靜II放 電ESD之破壞。 此目的將依照申請專利範圔第1項來完成。 本發明的其它形式表示在申請專利範圍的各附屬項中。 本發明藉圔形說明於下。圓式簡單說明： 第1圖熔絲排之俯視圖。 第2圖 由水平方向所看到之第1圖的橫切面圖。 第3圖 由垂直方向沿著導電區域8所看到之第1圈 的橫切面圖。 在第1圖中，一個基塍1的上方存在有二個和基饅絕 緣的熔絲鍵2 ,其各自是一掴較寬導電區域8的組成部 份。在熔絲鐽2的下方及其四周有二個防護琛在基體1 的表面上。其中一個防護環當作第一摻雜區域5,另一個 防護環則當作第三摻雜區域4。此二掴防護環是相反的導 電型。它們藉由絕緣區域9來隔開。 在此實施例中，加強型η-摻雜（n + )的第一摻雜區域5 經由一個高歐姆值的半導體元件TLDD與第一供應電位VDD 連接，此電位VDD例如可以是正的。此高歐姆值的半導 -4- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 _B7__ 五、發明説明（'） 本發明是有騙一種熔絲珠》 熔絲排是積鼸電路Untegrierte Schaltung)的一部 份。熔絲排在積鼸《路的基H(Substrat〉上方具有一銪 與基餳绝线的熔銶鏈（Fuse-Link)。熔絲鰱（也簡稱為 「熔鶬j ).是可導«Β域的一部分，熔絲以彼-例如機 械或热-切醑或破壤。如一般所知，在積鼸電$製造程 序將结束時，藉稹tt電路之熔铼鏈的蠹揮性切断可完成 積鼸霣路之结構设定》藉一般利用雷射來完成之熔絳鍵 的切斷，將使稹黼竃路上之保護層在熔絲鍵庙域被破壤 ,且可導致帶霣之撖粒（離子）到達位於熔絲鐽下方之基 讎·》為了阻止離子之移動經通基體，經常裝有所諝「防 謹環j (6uardring),此防護環園繞箸熔絲鏈&匾域。 此防譜層則設置在熔絲鍵下方基鼸中園嬈著熔絲鍵，且 可以例如藉著擴散（Diffusion)來實現。 此防護環執行一傾所諝「除氣-功能」（Getter-.Funktion),意思是説，它能截《離子。此外，它各別 輿稹鼸霣路的供窸竃位連接》 假如一籲願示第一德雜匾域（dotierter Bereich)的 防護琢輿一镰相同導霣型（Leitungstyp)的第二摟雜谌 域相鄗，且此第二摻雜B域另外與一«不同於第一摻雜 6域的供應霣位連接，則在靜霣放霣ESD (electrostati discharge)發生時，曾導致由此二但摻雜S域及位於兩 者之間的绝绨S所形成之寄生場效霣晶鱷（Parasitaeren Feldeffekttransistor)的擊穿（breakdown),為 了防止 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇><297公釐） -----------装------訂---^---- . /ί\ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

煩請委gr明示@年e?l月β日所提之 #·!£.-本有無變更t·質内容是否准予於正。 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 A7 B7五、發明説明（） i 寄生場效電晶蜃的破痰性擊穿，可以將介於二個摻雜區 域之間的距離加大，使擊穿電壓提高。然而，這需要額 外的佈局面積（Layoutf】aeche)。 本發明的目的是，找尋另一解決方法，在此方法中， 可防止由二個摻雜區域所形成之寄生電晶體上的靜II放 電ESD之破壞。 此目的將依照申請專利範圔第1項來完成。 本發明的其它形式表示在申請專利範圍的各附屬項中。 本發明藉圔形說明於下。圓式簡單說明： 第1圖熔絲排之俯視圖。 第2圖 由水平方向所看到之第1圖的橫切面圖。 第3圖 由垂直方向沿著導電區域8所看到之第1圈 的橫切面圖。 在第1圖中，一個基塍1的上方存在有二個和基饅絕 緣的熔絲鍵2 ,其各自是一掴較寬導電區域8的組成部 份。在熔絲鐽2的下方及其四周有二個防護琛在基體1 的表面上。其中一個防護環當作第一摻雜區域5,另一個 防護環則當作第三摻雜區域4。此二掴防護環是相反的導 電型。它們藉由絕緣區域9來隔開。 在此實施例中，加強型η-摻雜（n + )的第一摻雜區域5 經由一個高歐姆值的半導體元件TLDD與第一供應電位VDD 連接，此電位VDD例如可以是正的。此高歐姆值的半導 -4- (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五 386301 〜------、發明説明（ A7 B7 體元件TLDD在此實施例中當作LDD電晶驩，其汲極與閘 極相互連接，使其就如一値二極匾般來作用。LDD-電晶 應具有汲極區域（LDD=Lightly Doped D「ain輕微摻雜 之圾搔），此汲極匾域在其面向閘極的一邊比更逋離閘 搔的一邊有較少的加強型摻雜。因此，比起一般的《晶 髏它們具較高之歐姆值。 第三摻雜匾域4與第三供麇電位VBB連接，此霣位VBB 例如可以是—籲負的基醭傾壓（Vorspannung)e此锸壓 在本發明之其他實施例中可以不**要。 緊鄰第一摻雜區域5且藉絕缝17來與之分隔的第二接 雜區域6舆第一摻雜匾域5是相同的導電型。然而•第 二摻雜區域6是與第二供匾霣位VSS連接，此霉位VSS例 如可以是接地（Masse)。候如，現在第一供應電位^1^ 第二供應®位VSS的連接銷（pin)上有靜電負載，則由第 —摻雜匾域5、第二摻雜區域6及位於其間之絕緣7所 形成的寄生轚晶臞會産生擊穿現象。因為依照本發明· 在第一供應轚位VDD舆第一摻雜區域5之間設置有离歐 姆值的半導髏元件TLDD,伴随擊穿而産生的電流強度將 受到限制，且能楚免損害。 第2園是本發明第1圓中由水平方向所看到之橫切 面圖；在基體1中配置二個防譁環4和5以及一個介 於此二鹤防護琛之間的絕錁區域9;基篇1上方則配 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 面 之 注 項 再 f 頁 訂 經濟部中央梂隼局貝工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 386301 A7 B7 五、發明説明（） 置 二 個 熔 絲 鐽 2 9 此 二 個 熔 絲 m 2 藉 由 絕 緣 層 10 而 與 基 體 1 隔 開 • 絕 緣 層 10 未 顯 示 在 第 1 面 圖 之 俯 視 圈 中 〇 第 3 圖 是 本 案 第 1 圖 中 由 垂 直 方 向 沿 著 導 電 區 域 8 ( 其 含 有 熔 絲 鏈 2 ) 所 看 到 之 橫 切 面 囫 〇 在 基 體 1 中 存 在 二 痼 防 護 環 4 和 5 以 及 一 値 介 於 其 間 之 絕 緣 區 域 9 〇 在 第 3 圖 之 左 側 配 置 一 個 第 二 摻 雜 區 域 6 使 其 平 行 於 外 側 之 防 護 環 5 〇 第 二 摻 雜 區 域 6 藉 由 另 一 絕 緣 區 域 7 而 與 防 護 琛 5 相 隔 離 〇 含 有 熔 絲 鍵 2 之 導 霣 區 域 8 在 基 體 1 上 方 延 伸 9 導 電 區 域 8 藉 由 絕 緣 匾 域 10 而 與 基 體 1 相 隔 開 〇 在 本 發 明 的 另 一 値 實 施 例 中 摻 雜 區 域 4、 5 7是相 反 的 導 電 型 9 且 相 對 應 的 供 應 電 位 VBB、 VDD VSS可具 有 與 前 述 實 施 例 之 電 位 不 同 的 極 性 〇 符 號 對 照 表 1 基 體 2 熔 絲 排 4 , 5 , 6 摻 雜 區 域 7 , 10 絕 線 層 8 導 電 區 域 9 Itlu 緣 區 域 TLDD 高 歐 姆 的 半 導 體 元 件 〇 -6 - ----------裝-----—ΐτ----- - > (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 修煩 正讀 +委 有員

   變示 ;年警i 否a-准方 予曰 修所 正提。之 第85106102號「熔絲排」專利案 η申請專利範圍 1. 一種熔絲排，具有下列待戡： 一在基醱⑴的上方，它具有一m 0 , -在藉由絕緣層（10)而與熔絲 一舾第一摻雜區域Ο,此摻 一緊鄰第一摻雜區域Ο且藉由 二摻雜區域（B)是位於基體⑴ 相同的導電型（n+ ), -第一摻雜區域Ο經由一値高 (TLDD)而與第一供應電位 -第二摻雜區域Θ是與第二供 2. 如申請專利範圔第1項之熔絲 導體元件（TLDD)是一偁LDD-電 (88年1月修正） 艏與基體絕緣的的熔絲 鍵0絕緣之基龌⑴中有 雜匾域Ο是一値防護琛， 絕緣層⑺而與之分隔的第 中且與第一摻雜匾域〇是 歐姆值的半導體元件 (VDD)連接， 應電位（VSS)連接。 排，其中高歐姆值的半 晶體。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CNS > A4規格（210X297公釐〉 修煩 正讀 +委 有員

   變示 ;年警i 否a-准方 予曰 修所 正提。之 第85106102號「熔絲排」專利案 η申請專利範圍 1. 一種熔絲排，具有下列待戡： 一在基醱⑴的上方，它具有一m 0 , -在藉由絕緣層（10)而與熔絲 一舾第一摻雜區域Ο,此摻 一緊鄰第一摻雜區域Ο且藉由 二摻雜區域（B)是位於基體⑴ 相同的導電型（n+ ), -第一摻雜區域Ο經由一値高 (TLDD)而與第一供應電位 -第二摻雜區域Θ是與第二供 2. 如申請專利範圔第1項之熔絲 導體元件（TLDD)是一偁LDD-電 (88年1月修正） 艏與基體絕緣的的熔絲 鍵0絕緣之基龌⑴中有 雜匾域Ο是一値防護琛， 絕緣層⑺而與之分隔的第 中且與第一摻雜匾域〇是 歐姆值的半導體元件 (VDD)連接， 應電位（VSS)連接。 排，其中高歐姆值的半 晶體。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CNS > A4規格（210X297公釐〉