TW315518B - High density electrical connectors - Google Patents

Description

3J55J8 A7 B7 五、發明説明（彳） 發明領域 本發明係有關於—種電性裝ϊ之連接，尤指-種自動對 準，軟性高密度和可調式阻抗電性連接器。 發明背景 :在積體電路領域技術中，要求更快和更密集的系統，在 許多應用中’ &需結合輕重量和密集結構，技術發展趨向 於更複雜的系統’包括愈來愈多的構件並且需要彼此連 接爲了配合新系統在不同構件之間通道迅速會合之需 要’則其系統的不同構件之間路徑長度必需維持在一定的 限度内。 當系統複雜度增加，則在構件之間路徑長度亦增加，爲 了不超過每個構件之間可用的最大距離，該構件必需愈來 愈小並且壓縮得愈來愈密集，因此，發展出多—晶片模 子，即儘可能的壓縮包裝未簡化的IC。 事實上，假如整個系統積體在相同平面上，則不同活性 構件之間距離不大’其最大距離，视執行所需來決定，假 如祇用-個平面連接晶片/構件’則在複雜系統内，需彼 此連接的構件之間不需要太大，因爲僅有在相 同平面内的 經濟部中央棵準局員工消費合作社印装 構件得到最大距離。 三維結構能克服該問題’即’由—構件延中的連接線， 不僅可連接同平㈣構作，亦能直接連通在該平面上或下 、構件w肖些不同的方式：第―，系統具有模予連接 到背平面;第系統包括黏在-起的晶片；第三系統垂 直連接在—維晶片之焉聳的—端上。該三維結構並未解決 ?ί55ΐ8

、發明説明（ 2 Α7 Β7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 連接^件=間短路㈣题’域件封閉在空間内並由長線 之^錄 則無法解決，很明顯的，當兩構件依上述 種方法連接在一起，即 F在兩個不同相鄰的多一晶 々视于上，經由一侧面通 一^ ^ ^ ^ ^ 您 ^ 在晶片面上的短垂直路 、’在另一晶片上最後側面通道，形成兩個構件之中心 位置連接，假如使用超過—堆的晶片，則第：個連接方 法亦無法在相鄰晶片之間使用短連接線連接，很容易理 解，假如考慮兩個晶片的例予，彼此相鄰，而是在每一堆 I的頂端上是互相連接的。 對於電子電路增加複雜度時，更.要求在密集的輸入/輸 出-連接不能破壞執行之特性，即，調整阻抗或忽略電 /電容。隨著密度的增加，對準性的要求亦增加，並且网 於高準確性的活性對準成本，要求使用自動對準製造愈形 重要。 當連接複雜系統的部份時，必須取代該系統的一個或更 多個部份以獲得一功能系統的危險性會隨著系統的複雜度 而增加。在相關頻率和操作的條件下，要完全測試機構部 分的困難度亦會加速增加。 使用w#度微折曲時，即使沒有阻抗控制，亦隱含了 表上的阻抗控制。 在歐洲專利案第〇 295 91 4 $3號，Maraco Karnezos，描述了治金的彈性折曲，使用該折曲經由4 夾連接去接觸電性兩面，藉由該彈性，幾乎可將機械經 熱所產生的應力消除，在沒有破壞的情況下可以將接觸 感由 外

S 由面 ——ΊΙ.1Ι丨丨— Γ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ΙΓ丨-ίι·---- Μ^ψ ----------------- 5- 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210><297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 五、發明説明（ 分開。 發明的簡單説明 本發明係描述一種技術以完成具有阻抗控制的彈性電子 連接器，在架置期間和執行時，具有高密度的連接和高準 確性自動對準，對準功能和電性連接是在相同的結構内， 利用在第一部份的V-型折曲和在其它部份内的v_凹槽來 對準，該凹槽可能爲5角的5面體，或金字塔形狀，其折 曲可能爲去5角5面體頂端或截去金字塔頂端的形狀，其 折曲和凹槽必需有相對的連接路徑。 本發明之基本觀念係使用結構本身來對準，即爲，當對 準結構相對較大時，經由高阻抗控制接觸密集，而得到多 接觸點，該結果能得到高準確性，同時爲彈性連接，本發 明控制使用時，由於熬所造成金屬層或其它層的異位。基 於準確性，連接時要求多個，超過三個彈性的或變形的或 其它的各別接觸點，即，需要所有的接觸點在相同平面幾 乎無法實現。 本發明具有非常高密度滙流排之多一路徑阻抗控制，係 藉由製作金屬線圖案，即路徑，在準確模子彈性折曲上， 並匹配準確姑刻凹槽壁上的阖案線。 本發明亦能夠使用低花費蝕刻和矽微結構技術，在沒有 扇形擴散的情況下，得到可調式阻抗，高密度多一路徑連 接器，i亦能不分開主體下自動對準，並利用前製基板結 構的改變，與在基板上金圖連接的圖案的同時製作。 本發明可使用在各種微電子系統内，例如，小型化高密 CI — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂i ,1—1. i m ，6- 五、發明説明（） 4 / 度模子，在模子自母板之間，在IC : 8和模子或模子之 間，在三維結構不同層之間，或在基板之間非常高 安置的速接。 在許多案財’统，並^使用烊接或 相等（万法將它們細，這暗示使用連接器，有許多連接 器可用’但並沒有如本連接器密集，具有阻抗控制，頻率 到達數個GHz，非常高密度，且沒有散狀散開現象。彈性 度對毅供时路⑽之制壓力之安全性很重要，即使 用在由不同熱或其它膨脹而產生的尺寸變化或些微的物理 缺陷’均可有效排除。考慮對準性可利用供對準用之接觸 點的許多連接器。料利用非常小尺寸的各別接觸給而 S ’當施加對準時，可能需要高維度的前置對準或可能導 致破壞。利用彈性對準結構和相對應的匹配凹槽取代之， 其上製作類似金屬線之圖案，係由電路延申而來金屬線的 一部份。造暗π在不需要额外空間τ，可得到強勒對準和 非常高的準確性，利用製造接地路徑或平面和在凹槽内的 接觸路徑’並在基板上製造類似接地路徑和在折曲上製造 接觸點而得到連接器結構。以所期待的折曲和凹槽形式， 及愈簡單的步驟，積體接觸點和電線之連接到一般連接圖 製製造。 本發明進-步目的，在純供—種對系統需要非常短的 電子路徑之解決。 本發明進一步目的在於提供—種壓縮包裝系統。 本發明再一目的在於提供—種容易修理的洞孔系統，由 本紙張尺度遠用中國國家標率（CNS ) Α4規格（21〇χ297公兼） A7

^很谷易取代各別部份’因此製料 東西或高度損壞部㈣ T需用任何償値的 贴等等。 ，在附著部份不包括焊接或黏 本發明利用較佳實施例和附圖詳細闡述本發明 囷示的簡單說3月 4 W述本發明。 圖1，係爲二維多-片组件橫截面圖。 :2::::自動對準和可調式阻抗連接器之橫截面圖。 保爲另一種自動對準和具有雙 式^連接器之_面示意圖。雙密度連接器〈了调 :4 ’係爲另—種自動對準和具有經由連接器，接在信 圖。（後的接地路徑之可調式阻抗連接器橫截面示意 圖5，係爲圖3之上視示意圖。 圖6a-b係爲另一種連接器之截面圖。 圖7係爲具有連接器之另—種雙密度連接器橫截面示意 圖。 發明的詳細說明 本發明可以使用在各種微電子系統中，用以供彈性電子 連接和固定晶片對準。它能用在多一片組件内，特別是在 放置之前’對難決定的晶片品質，本發明用來解決目前數 個問题’即’在板和晶片之間不同的熱膨脹係數所產生的 同難度匹配，修復是危險的且費用高，特別是對MCM式 樣而言，修復是不可能的。 圖1係説明利用本發明之一個例子，但並非限制本發 ) (Tiox297^-¾ ) 315518 A7 B7 五、發明説明 6 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 明，本發明能用在任何一種微甚至次微的系統中，圖1係 説明三維（3D)多片組件100之截面示意圖；該3D组件利 用二維（2D)而形成，多片组件包括矽基板106-114，和 放置其上的積體電路晶片122_136。該矽基板1〇6_114提 供有一接地平面因此在整個3]□多晶片組件100上，組件 的不同平面之間具有良好的屏蔽，在基板1〇6_114上，特 別是不位在頂1〇6或底114上的多片組件，亦放置虛晶 片’通路晶片或通路116-121連接3D多片組件1〇〇之相鄰層。 爲了得到阻抗匹配連接器，使用V字型凹槽蝕刻連接凹 槽2 0 2 ’如圖2所示，在通路晶片i丨6 2 j頂上提供彈性 折曲結構206，並且製造在v字型接觸凹槽202之基板背 面’用以容易得到裝配/分解之連接並得到好的對準，請 參看專利應用領域“供積體電路用之包裝結構”。 在本發明之實施例中，1C晶片122_136和通路晶片 116 -121之倒裝片放置在基板106-U4上。如此的安排， 儘可能在放置1C晶片122-13 6之倒裝片背面和相鄰的基 板106-114背面之間，提供好的熱接觸。 利用提供給頂端冷卻器102之頂平面138和基板之底端 冷卻器104之底平面140 —壓縮力142，而保持3D多片组 件100的各別通路晶片116-121和各別ic晶片122-136的 每一層在一起。 爲了實現該堆疊結構，提供彈性折曲連接通路晶片 U6-121和相鄰的基板106-114平面，並經由壓縮冷卻器 -9 ·Λ s (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) nn nn

A ---訂 線·Γ----:-I. ·ϋ 五、發明説明（ A7 B7 經濟部中央樑準局員工消費合作社印製 102和104之頂端平面138和底端平面14〇而使得组件連 接在一起。利用嵌合方式提供組件1〇〇之外圍部份一壓縮 力 142。 利用製造金屬層圖案以建立並連電壓型式，非永久性 的，可調式阻抗連接以供高速資料傳輸。 囷2係説明連接器結構2〇〇橫截面示意圖，第一部份 2〇4包括.兩層金屬層結構，第一信號路径2丨2和第一接 地路徑或平面21Q，其間爲介電質，爲—非等問性¥_凹槽 202，第二部份208包括：相對應金屬層，第二接地平面 226，和第二信號路徑224，覆蓋在彈性曲折2〇6上，並 匹配V-凹槽202 ,當第一和第二部份2〇4和2〇8在一起 時、’則第一和第二信號路徑212和224彼此連接在一起。 當放在一起，該連接自動對準，請參看應用專利領域“凹 槽折曲以供彈性放置，，。由於彈性折曲2〇6，即使產生 位仍維持電性接觸，例如，由熱膨脹所引起的異位。如 2所不之第一和第二信號路徑212，224，結構暗示雙 安全，因爲相同路徑分別覆蓋在彈性折曲2〇6和v_凹 202兩面壁上。換句話説，假如發生大異位，和折曲206 的邊接觸V凹槽202 ,仍然可維持電性接觸。第一和第 =接地路徑或平面210，226包括任何適合的金屬，第一 仏號路徑金屬212表面必需不能產生絕緣的氧化層，即任 何貴重金屬才可用，第二信號路徑金屬224必需爲延展 好的金屬，且其表面不能產生絕緣的氧化層，即金具有 特性。利用介電質層214和216將路徑和接地金屬層分 異 倍 槽 性 此 (請先M-讀背面之注意事項再填寫本頁) -----C! 、π*_ m ·

經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（8 ) 開。第一介電層214包括任何介電層共形地覆蓋在v_凹槽 壁上，即聚對苯二甲基。第二介電層224包括任何介電 層，或與在折曲206内相同的彈性材料。 本發明基於高準確性，兩部份的任何功能的彈性對準， 同時使用彈性折曲以供高準確性的對準和靈活的，彈性的 電子連接器使用，利用製作金屬層圈案以建立並連電壓型 式，非永久性連接，該連接爲可調式阻抗用以供高速資料 傳輸。 當使用S i ( 1 0 0 )晶片之非等向性蝕刻以製作對準凹槽 202,將得到大部份準確對準，像是，僅由使用：非等向 性蝕刻（1 0 0 )矽晶片和高準確性蝕刻，適合的覆上脱模劑 層，和矽化合物，以形成最佳的彈性折曲2〇6。在類似專 利應用領域“製作彈性折曲方法，，和“凹槽折曲以供彈性放 置”中，詳細描述如何製作折曲和凹槽及對準等。當製作 V-凹槽20 2和截去頂端折曲2〇6時，藉由如放置在凹槽 202遇邊内折曲206頂端的一些前置-對準，將部份截去頂 端折曲放入凹槽202内，再經施，壓218，. 220，（可能爲重 力），使得折曲之斜面壁23〇，232靠在222，22S斜壁 上，得到在平行於折曲206或凹槽2〇2之基礎面方向之準 確對準，而使得折曲206對準凹槽2〇2，並且利用蝕刻在 凹槽202内之相關折曲206，使其自動對準，並使路禝 212，224以高準確性被放置，利用折曲2〇6之彈性，路 径212和214在不考慮由於微晶所導致的金屬粗輪度不同 而造成微小的厚度差下，其接觸相符。當然，由於彈性 -11 - 本紙張尺度逍用中國國家樣準（CNS ) A4^格（210X297公釐） —^—Η-----A------訂，—----線〈 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) ά.". ;»把，： A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 . 五、發明説明（ 度，發生在部份204，208之間微小的膨脹差亦不會造成 失去接觸或曝露部份204，208造成嚴重的應變。 在此描述如何製造接觸器，一個抛光（1〇〇)矽晶片，該 晶片來自模子晶片，其上沈積一層光阻後，再蓋上一層 S iN，然後利用光罩對準相關的模子晶片之晶軸方向製造 圖案0 利用光軍定義開口然後蝕刻S i N層，然後對模子晶片曝 光形成非等向性蝕刻，利用矽{111}平面來限制所產生凹 槽的斜壁，持續蝕刻，直到完成，蝕刻結構以形成截去頂 端和延長的結構。 利用一種類似但爲鏡像，具有高準度之光罩，利用相同 之製程，重覆使用該第一光罩，在晶片内得到類似但能被 對準的鏡像凹槽’該凹槽必需與第一晶片之凹槽同樣深或 更深，其模子晶片可能包括一些對準結構，而使得它能自 動對準模製彈性折曲上之基板。在模予晶片上覆蓋一些脱 模劑’以非常薄和流順的沈積在其上，以保持準確的地勢 形狀，利用最合理的製程產生金屬和介電層爲折曲的一部 份，在未分開的基板或模子晶片上覆蓋一層療治的彈性混 合物，並利用旋轉，刮平或噴灑以控制其厚度，允許混合 物弄濕相反面，然後利用對準特性對模子晶片和未分開的 基板加壓，而使得折曲對基板結構準確對 在眞空中移走氣泡包裝，而後再提高溫度以治放 而後將模子晶片與基板分開，由於半固化的混合物可成 模’在眞空中固化模子晶片和基板。對料別的應用中， ,. T— 訂一 ^ ~~ 線( (請先閎讀背面之注意事項再填窝本頁) -12- «5518五、發明説明（10 ) 經濟部中央梯率局貝工消費合作杜印裝 利用軟性材質製造基板可有利分離。 對於最合理的製程，在折曲結構部份，首先產生金屬層 226和介電質層214，然後製作折曲，再在折曲上製造分 離金屬路徑224之圖案，並經由通道接觸先前的金屬層。 理論上，有可能先製造接地路徑或平面，然後沈積金屬和 介電質在折曲上。無論如何除了通過折曲下方之通路線或 接地平面機率外，並不是各種介電質和金屬路裎均能足夠 彎曲在f曲的折曲上。 利用光蝕刻光軍對準已存在的結構上，即，雷射或比 或分開之前的基板，利用非等向性蝕刻或技術製造凹槽， 凹槽部份2 04以正常製造方法製作，即，沈積金屬層21〇 和介電質層214, 一致的沈積期待的介電質層214和金屬 路徑212圖案，以維持凹槽2〇2的對準性，當然，適當的 沈積光阻以得到在光阻上滿意的曝光圖案解析度和滿意的 曝光儀器焦距深度。 分離凹槽之後，被放在折曲部份上，和折曲自動對準凹 槽，视折曲的形狀和尺寸和凹槽的前置對準變化角度而 定0 理論上，有可能先製作一般的沈積和製作介電層和金屬 路控的圖案，然後從凹槽的範圍上蚀刻掉金屬和介電質， 蝕刻凹槽並製囷案，進一步，利用前置沈積並製作金屬路 徑和介電質和光阻圖案，但僅能在局部使用。 利用外來壓力而非永久附著方式將部份组件融合在一 起，並很容易的從對準結構分離該部份以供更換或修補。

(請先閲讀背面之注^ih項再填寫本1) J—

A -訂* A7 -----£ 五、發明説明（”） 在折曲外部之薄的模子材料部份，形成通道到金屬路 徑，而使其與折曲非常緊密的接觸。 圖3係説明第一變化的實施例，該圖顯示出具有雙倍密 度連接器之可能性。該製造方法步驟和材料與圖2所^述 的是一致的，無論如何，如圖3所示的例子，在折曲和凹 槽的每一面上有兩個不同的路徑，該路徑圖案亦在圖5中 之滙流排接觸之頂視圖中有所説明β 在圖4中描述本發明第二個變化實施例，除了接地平面 經由通道連接到信號線層上外，其製造過程步樣和材料與 圖2所描述的一致，圖4係説明自動對準和具有接地路徑 (穿過連接器接在信號路徑之後）之可調式阻抗連接器之横 截面示意圖，爲了完成基本的電性執行，使用相同的彈性 折曲，將信號線和接地平面連接在必需的相同位置上。 圖5係爲圖3之變化實施例，具有雙倍密度連接器之自 動對準和可調式阻抗連接器之上视示意圖。 圖6a-b係爲變化連接器6〇〇之橫截面示 該 -具有第-部份6。2和第二部份6〇4，如圖二器 部份延著部份602之邊緣具有信號路徑6〇6，在第一部份 的底部連接到接觸腳612。第二部份6〇4在基板614上具 有導架61〇和延著導架61〇的信號路徑，該兩部份在結構 上，每一部份至少有一邊緣具有倾斜壁616，618。假如 提供晶片傾斜壁，則具有延伸在傾斜壁上路徑之正常接腳 將被交換，並且如早期所述其導架和金屬路徑圖案融合在 —起0

修正前所述讀佳實施例，但會損失—鲜確性，其 曲的形狀可與凹槽不同，如此，其一可以不使用非等向性 蚀刻:而是其它的蚀刻或加工，如此凹槽和折曲並不需要 有相同的形狀，祇要折曲能匹配凹槽即可，以自動對準方 式製造接觸，其混合物除了矽外，如：聚氨酯或—些其它 彈性的或半導性的混合物。 藉由重覆使用數個步驟，能製造”曲模子，在損失正_ 確性下，很容易將模子與基板分離。 假設金屬圖案解析度超過較佳實施例中之一維空間内 (即接近線性空間）所給最高接觸密度之折曲最小尺寸，假 如折曲最小尺寸相等於金屬圖案解析度，則有可能在每單 訂 位面積内得到更高的接觸密度，在此案例中，自動對準在 密集表面上的多微折曲’其中金屬圖案不是在折曲上 在折曲外部。 在此案例中’㈣非常小的折曲尺寸，其連接有可能被 阻抗控制’無論如何’對於如折曲之頂尖部份很難前置對 準到非常小的凹槽週圍内，除非在此結構内也有一些粗大 的對準特徵。 — 經濟部中央揉準局員工消費合作社印装. 假如彈性材料能“較佳地，，沈積在凹槽的壁上，以取代 固化的折曲。有可能利用模子來完成，在部份模子内充入 混合物，但並不是對所有的凹槽壁之間留有很薄的距離， 用此方式可以治癒:彈性混合物。 有數個可能的應用供本發明連接用，完成在相同平面内 IMCM : s之間的滙流排接觸，結合穿過一洞孔通道完成 -15-本紙張减朝巾關家標準（CNS )八4祕（2T〇729tIF) 五、發明説明（ 13 A7 B7 經濟部中央棣準局貝工消費合作衽印製 在堆疊MCM : s之間的垂直信號傳輸，結合所需的不同配 置圖能當成一般細微節距高頻連接器，當維持正確的特性 阻抗，比起傳統電子其單位連接所需空間較少，主要是由 於精細節距和高度對準，並且，該接地平面具有接觸點。 除了標準的技術製程供電子裝置製造，該連接器裝置需 要更步製造，如V-凹槽蝕刻，折曲的鑄造，絕緣層的 沈積和整個步驟的蝕刻，利用現行或模子半導體/薄膜製_ 程來完成ΰ '爲了得到最大的準確度，必需在模子上覆上一層非常滑 順和薄的脱模劑，其方法如上所描述之方法，對於表面單 晶對晶體方向有好的對準，其最大準確度能供商業矽一晶 片之非等向性蝕刻用。 比起凹槽和折曲之地勢和厚度，需要將介電金屬和光阻 層沈積的更滑順，對於金屬層之沈積，係利用標準薄膜沈 積技術沈積，對於介電層而言，受限於所選擇的材料，較 不使用旋轉鍍膜法。不過，然有數種材料和製造方法可 用，如聚對苯二甲基（Parylene)方法，利用旋轉塗佈沈 積光阻，其光阻的選擇會更少，在此案例中不視爲可行， 仍有兩種選擇可用，一種係利用在眞空中蒸鍍新的光阻材 料，該方法沒有實質的商業製造效益，但存在有商業效益 的材料，其光阻特性能用該方法沈積。另一種光阻形式的 變化係利用電鍍，具有商業價値，並且保護在印刷電路板 上之穿過一平板通道内之金屬。該電鍍光阻需要金屬層加 編壓以長成光阻，在此案例中，僅爲金屬層需印刷制圖在

(請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) r! ·、ΤΓΙ 14 14 經濟部中央裸準局員工消費合作杜印裂 五、發明説明 折曲上和凹槽内，需要對介電層製圖以得到通道，但不是 在折曲士或凹槽内，而是在其外部，甚至對非常不平的表 面’亦用傳統的光阻覆在孔洞或凹槽内以供製圖，除 亦有可能沈積和製圖出—個硬的金屬光罩以供介電層 製定圖案用。 · 、利用微機械技術，顯示㈣高密度連接器能產生如傳統 連接器相似之精微部份，但尺寸會小得更多，理論上，邊 緣型式連接器和外軍，是如此的小，係不會將線性圈案或 扇狀散開。無論如何，不需要製造冶金的積體部份，而是 以焊接將分開部份接合，至於強度和雜電阻則很少被知道。 彈性折曲顯示用來當信號路徑之目地，每—個路徑有一 個與基板相反面接合在一起的分離折曲，理論上，在不會 扇狀散開的情沉下，儘量小，在此案例中，也考慮阻抗控 制，無論如何，該圖像缺乏對準固有的意義。 需要解析分開的微小部份，’必需各別掌控準確性，而非 如其它較便宜的薄膜製造方式，有許多預置項利用蝕刻方 法產生。 圖7係説明另一種連接器折曲7〇〇橫截面示意圖，該連 接器包括：二個金屬層結構，—介電層704，和彈性結構 216，該金屬層結構可成爲接地路徑或平面7〇2和—信號 路徑706，接地平面702製造在折曲2〇6上，其折曲包括 在'彈性結構216内，通過介電層704上接地平面有—連 接，並部份覆在介電層704上，其它的金屬層結構，信號 路徑706製造在介電層704上。 17- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---1 — Λ----- I ^------ (請先S讀背面之注意事項再填寫本頁) . A7 B7 五、發明説明（15 ) 爲闡述本發明以具體化描述之，些許的不同並不脱離本 發明之精神或要義所在，因此，全面的考慮和説明本實施 例，而非限制本發明，藉由揭露專利範圍以指出本發明之 範園，所有在相等於申請專利範圍和意義内之改變亦包括 在其中。 -ml I An j (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂>· 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. ®155l8 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 經濟部中央#準局貝工消費合作杜印製 1-種連接器包括：.至少第一部份和第二部份，第一和第 二部份的每一部份至少有一斜壁，其特徵在於：第一部 份斜壁（228，616)和第二部份斜壁（23〇，41S)具有相同 的傾角，第一部份至少有一個傳導路徑（212，606)和第 二部份至少有一個傳導路徑（224，6〇8)，其中，當第一 和第二部份匹配在一起時，其傳導路徑會彼此接觸。 2_根據申请專利範固第1項所述之連接器，其中，第一部 份有V-凹槽，第二部份有隆起物（bulnp)，在V-凹槽内 (2〇2)至少有一傳導路徑（212)，在隆起結構（2〇6)内至 少有一傳導路徑（224)，且該隆起物匹配到\^_凹槽内， 其中當第一（2 0 4)和第二（2 0 8)部份匹配在一起時，其 傳導路徑與其它傳導路徑接觸。 3_根據申請專利範圍第2項所述之連接器，其特徵爲：第 —部份（204)有一個雙金屬層結構，至少一個第—傳導 路徑>(212) ’和至少一個.第一接地平面（21〇)，其中， 金屬層覆蓋在V-凹槽（202)上。 4·根據申請專利範圍第2項所述之連接器，其特徽爲：第 二部份（208)有一個雙金屬層結構，至少一個第二信號 路徑（224)，和至少一個第二接地平面（226)，其中， 信號路徑部份覆蓋在折曲（206)上。 5.根據申請專利範圍第2項所述之連接器，其特徵爲：第 二部份（208)有一個雙金屬層結構，包括至少—個傳導 路徑（706)，至少一個接地平面（7〇2)和一個介電媒介 (704)，其中接地平面和傳導路徑係製造在隆起物（2〇6> -19 本紙張^適用中國國家揉準（CNS )八顿^ ( 210X297公釐 〈請先聞讀背面之注項再填寫本肓) C 奸· 線r

   經濟部中央揉準局貞工消費合作社印製

   頂端上，且利用介電媒介將傳導路徑與接地平面分開。 6·根據中請專利範圍第21|所述之連接器，其特徵爲·傳 導路徑包括金屬層，爲雙部密度，第一部份少 有一個第一信號路徑（3 〇6)、和至少一個 叫）和至少有-個第-接地平面（302)，其中，3 層覆在V-凹槽（2〇2)上，第二部份（2〇8)至少有一個第 二信號路徑（3 08)，至少有一個第4信號路徑（312)，和 至少有-個第二接地平面（3G4)，其中，信號路徑部份 覆在隆起物(206)上，當第一和第二部份匹配時，第一 和第三信號路徑（3 06，3〇4)舆第二和第四信號路徑 (3 10，3 12)接觸。 7·根據中請專利範圍第2項所述之連接器，其特徵爲：傳 導路徑包括金屬層，爲雙部密度，第—部份（2G4)至少 有一個第-信號路徑（4G2)，和至少有—個第—接地路 徑(406)，其中第一信號路徑部份覆在v_凹槽(加) 上’：二部份(208)至少有一個第二信號路徑(4〇8)和 第二接地路徑（4G8)，其中，金屬層覆在隆 一 2〇6)上，因此，第二接地路徑覆在V-凹槽上，當 第：和第二部份匹配時，第一和第二信號路徑與第一和 第二接地路禋接觸。 請 先 閲 之 注 3 旁 訂

   本紙張歧逋用中國國家榡率（CNS〉从絲（21〇><297公着）