TW315362B - - Google Patents

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TW315362B TW084107532A TW84107532A TW315362B TW 315362 B TW315362 B TW 315362B TW 084107532 A TW084107532 A TW 084107532A TW 84107532 A TW84107532 A TW 84107532A TW 315362 B TW315362 B TW 315362B
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Description

〇l53〇2 Α7 ________ Β7 五、發明説明(Ί ) 本發明係關於藉由包括二硼化锆粉末及預陶瓷有機矽聚 合物之混合物之熱解,製備高密度二硼化锆陶瓷體。 一硼化锆陶瓷體係技術上已知者。曾發現特殊之用途, 例如,因爲其高硬度,抗磨損及核子性質而當作磨損零件 及用於核子工業中,早期製造此等主體之方法包含在溫度 達2300C下熱壓著二棚化錯粉末。然而,此方法具有許 多缺點。第-,此方法無法製成生胚,且因此無法生胚加 工。第二,此方法昂貴,因爲.其於繞結過程中需要使用高 壓。最後,經由熱壓著方法形成複雜尺寸及形狀之主體係 困難的。 製造一硼化锆王體之不同處理方法係使用可燒除黏著劑 形成生胚二硼化锆主體,且再無壓燒結此等生胚主體。然 而,在此處理方法中,黏著劑需經熱解離開此主體。因此 ,此万法需額外之時間,且陶瓷主體處於可能導致扭曲或 破裂之明顯收縮下。 USP’4,289,720敎示形成陶瓷鍛燒體之方法。此方法 包括模製有機矽聚合物及陶瓷粉末之混合物,形成生胚主— 體,接著使生胚主體熱解,形成陶资主體。然而,其中列 出超過150種不同之陶瓷粉末(包含二硼化锆),因此此實 例僅顯7F碳化矽,氮化矽及碳化硼之密實化。再者,此專 利僅利用達到200(rc之溫度(溫度在1 5 5 0 _180(rc之範 圍内較佳)(第9欄,1 _4行)。吾人曾發現此溫度對滿意地 元成聚δ物之熱解係不足地。因此,主體之密度不良。 本發明之目的係提供一種製造二硼化锆陶瓷之高密度與 本紙狀纽财困(2獻297公釐)-----
Ie裝 訂 \1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 315362 A7 B7 五、發明説明( 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印装 间強度主體之方法。此種陶瓷可意外的經由燒結包括預陶 瓷有機矽聚合物及二硼化锆粉末之混合物製得。 本發明提供製備燒結之二硼化锆陶瓷主體之方法。此方 法包括摻合二硼化锆粉末及預陶瓷有機矽聚合物成爲均勻 /昆《物。預陶瓷有機矽聚合物係提供以碎含量爲準至少計 量量碳者。均勻之混合物再形成所需之形狀,以得到可處 理之生胚主體。可處理之生胚體再於惰性氣體中,溫度大 於2000X下燒結,得到密度大於5 3 g/cm3(87%理論密 度)之燒結雜。 本發明介紹由預陶瓷有機矽聚合物及二硼化結粉末製備 高密度燒結之二硼化锆。此等燒結之主體係以本發明製成 ,且密度大於5.3 g/cm3。此種高度密實體在例如磨損零 件及核子工業中係有用的。 至於此處使用者,二硼化鈷之理論密度爲6 〇8 g/cm3 。然而,如下所述,本發明之陶瓷體通常在内晶粒孔隙中 含有某些SiC及B〆。陶瓷主體中Sic及bw之理論量在 計算理論密度時常列入考慮。 本發明之第-步骤包括使有财聚合物與;化錐粉末 摻合。本發明中使用之有機矽聚合物係技術中一般所習知 者。具有明顯陶资竣化產率之有機砂聚合物係較佳,因爲 當碳化產率増加時’熱解時發生之黏著劑收縮之量減少。 因此,較好陶资碳化產率大於20 wt%。更好使用具有陶 免碳化產率大於3 5 Wt%之有财聚合物。最好使用具有 陶瓷化產率大於45 wt%之有機矽聚合物。
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 訂 r -5- 經濟部中央#率局貝工消費合作社印裝 315362 A7 _________B7 五、發明説明(3 ) 有機矽聚合物亦必需產生含有至少充足之碳之陶瓷炭, 以與炭中存在之矽形成碳化矽(以該稱爲"計量量")。炭中 過量之琰通常係較佳者,因爲其協助移除氧,且因此協助 使陶瓷體密實化。此過量之碳稱爲"自由碳、即,存在於 厌中,超過與炭中存在之矽形成碳化矽所需碳之量之過量 碳)。陶麦;炭至少1 〇 Wt %自由碳通常係較佳者。陶瓷炭至 少含25 Wt%自由碳通常係更好的。 本發明之範圍中之有機矽聚合物包含聚矽氧烷,聚矽胺 烷,聚矽烷及聚碳矽烷。若有機矽聚合物爲有機聚矽氧燒 ,其可包含一般結構爲[R3Si〇 5],[R2Si〇], [RSi015]及[Si〇2]之單元,其中每一厌係分別選自氩原 子;含1至20個碳原子之烷基,如甲基,乙基及丙基;芳 基如苯基及不飽和烴基如乙烯基。特定之有機聚矽氧烷之 實例包含[PhSiOi 5] ’ [MeSiOi 5],[MePhSi〇], [Ph2SiO],[PhViSiO], [ViSi015],[MeHSiO], [MeViSiO] ’ [Me2SiO],[Me3SiO〇 5]等等。至於此 處所用者,Ph代表苯基,Me代表甲基,且Vi代表乙稀基 。有機聚矽氧烷之混合物亦可使用。 本發明之有機聚矽氧烷係以技術中習知之技術製備。製 備有機聚矽氧烷之實際方法並無限制。最通常爲,有機聚 矽氧烷係以有機氣矽烷熱解製備。此種方法及其他者係叙 述於Noll,矽酮之化學及技術,第5章(翻譯2d Ger. Ed·,Academic Press, 1 968)中。 有機聚矽氧烷亦可以以各種金屬基(即含重複金屬_〇_Si 本紙張尺度適用中國圃家揉準(CNS ) A4規格(210X297公羞) I I.--------^ 裝II (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 £ -6- 362 Α7 Β7 五、發明説明(4 ) 單元)取代。適當之化合物之實例包含硼矽氧烷及鋁矽氧 烷(二者均爲技術中習知者)。例如,Noll,矽酮之化學 及技術’第 7章(翻譯 2d Ger. Ed.,Academic Press, 1968)中敘述許多此類之聚合物以及其製造方法。另外, JA-A54-1 34744 ; USP.4,455,4 1 4 及 USP.5,112,779 中亦敘述當作本發明中利用之Sic粉末之結合劑之各種聚 金屬矽氧烷之製備及利用。 若預陶瓷有機碎聚合物爲聚碎胺烷,其可包含[R2 SiNH] ? tRSi(NH)1 5] > 及 /或[R'qR’^CIT'^CSiyH]之單 元’其中各個R係分別選自氫原子;含1至2〇個破原子之 坑基’如甲基,乙基及丙基;芳基如苯基及不飽和烴基如 烯基,且各個R·,R1·及R,,,係分別選自氫原子,具有1至 4個碳原子之烷基,芳基如苯基及不飽和烴基,如乙烯基 。特定之聚矽胺烷單元之實例包含[Pl!2SiNH], [PhSiCNH)! 5] » [CH2CH2CH2SiNH], [MeSKNH)! 5], [Me2SiNH],[ViSKNHL 5] ’ [Vi2SiNH],[PhMeSiNH], [HSRNHh 5],[PhViSiNH]及[MeViSiNH]。 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印裝 . . C 袭— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) h 本發明之聚矽胺烷可爲以技術中習知之技術製備者。用 於製備聚矽胺烷之實際方法並未限制。適合之預陶瓷矽胺 烷聚合物或聚矽胺烷可以以USP.4,312,970; 4,340,619;4,395,460及4,404,153中之方法製備。 適合之聚矽胺烷亦可包含以USP.4,482,689及 4,397,828中之方法製備者。其他適用於本發明之聚矽胺 烷可以以USP.4,540,803及4,543,344製備;或以 本紙張尺度逍用中國圉家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明(5 ) A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印笨
Burns等人,於 J. Mater. Sci,22(1987),pp 2609-2614製 備;及類似 USP.4,835,238 ; 4,774,312 ; 4,929,742 及4,916,200中製備。 聚矽胺烷亦可以各種金屬基取代(即含有重複金屬-N-Si 單元)。適當化合物之實例包含技術中已知之硼矽胺烷。 此等包含USP.4,910,173 ; 4,482,689 ; 5,164,344 ; 5,252,684 ; 5, 169,908及 5,030,744 中敘述者。其亦 包含由 Seyferth 等人,J. Am. Ceram. Soc. 73,2131-2133 (1990) ; Noth, B. Anorg. Chem. Org. Chem., 16(9), 618-21 (1961)及EP-A 0,3 64,3 23 中敘述者。 若預陶瓷有機矽聚合物爲聚矽烷,其可包含一般構造爲 [R3Si],[R2Si]及[RSi]之單元,其中各個r分別選自氫 原子,含1至20個碳原子之烷基,如甲基,乙基及丙基; 芳基如苯基及不飽和之烷基,如乙烯基。特定之聚矽烷單 凡之實例爲[Me2Si],[PhMeSi],[MeSi],[PhSi], [ViSi],[PhMeSi],[MeHSi],[MeViSi],[Ph2Si] ,[Me2Si]及[Me3Si]〇 本發明之聚矽烷可以以技術中習知之技術製備。用於製 備聚矽烷之實際方法並無限制。適當之聚矽烷可以如 Noll ’矽嗣之化學及技術,3 47_49(轉譯2d Ger Ed, Academic Press,1 96 8)中敘述,經由有機由素矽烷與 鹼金屬之反應製備。更特別地是,適當之聚矽烷可以如 USP.4,260,780 及 25,P〇lym· Preprints (1 984)中敘 述般,藉由有機取代之氣矽烷之鈉金屬還原製備。其他適 本紙張纖用侧家揉準(CNST^^( 2lQx2974^- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝·
IT κ -8 - 315362 A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明(6 ) 當之聚矽烷可以USP.4,298,559中敘述之一般步樣製備 〇 聚矽烷亦可以各種金屬基取代(即含重複金屬-Si單元) 。其中包含之適當金屬之實例包含硼、鋁、鉻及鈦。用於 製備該聚金屬矽燒之方法並未限制。例如,其可以爲 USP.4,762,895 或 4,906,710之方法。 若預陶瓷有機矽聚合物爲聚碳矽烷,則其可包含 [R2SiC] ’ [RSiq 5],及/或[R3SiC]之單元,其中各 個R係分別遵自氫原子,含1至20個碳原子之烷基,如甲 基’乙基及丙基;芳基如苯基或不飽和烴基,如乙烯基。 適當之聚合物係敘述於例如USP.4,052,43 0及4,1 00,23 3 中。含重複單元(-SiHCHrCHy)之聚碳矽烷可爲 Nippon Carbon Co.銷售者。 聚破碎娱*亦可以以各種金屬基,如溯、铭、鉻及欽取代 。用於製備此聚合物之方法並未限制。例如,其可以爲 USP.4,248,814 ’ 4,283,376 及 4,220,600 中之方法。 含乙烯基之上述有機矽聚合物係較好者,因爲乙烯基附 於矽上提供一機構,因此有機矽聚合物可在燒結前硬化。 而且,任一上述有機矽聚合物之混合物亦爲本發明所需要 者。 適當之有機矽聚合物製備之方法説明於下列實例中。 使用有機矽聚合物當作黏著劑,對於二硼化锆粉末在先 前技術之黏著劑中係特別優良,因爲聚合物可經選擇而提 供適當之碳化產率及若需要之額外自由碳。依 式,聚 ^紙張尺度逍用中^8國家揉準(CNS ) A4規格(210x297公董) ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝' 、tr 線 ™ 9 - A7 B7 五、發明説明(7 ) «物可經調整’以得到預陶资混合物+聚合物/二棚化锆 炙比率適合於欲利用之任何模製應用。 預陶瓷有機矽聚合物合一般係以丄至“ wt%之範園存在 於本發明之组合物中。較好,此聚合係以5至3 〇 wt %之 範圍存在,且最好係5至25 wt %。然而,聚合物之正確 量係依使用模製之方法而定。例如,對於冷等壓壓著,聚 合物之較佳量係在5-20 wt %之範圍間。對於擦出,聚合 物之較佳量係在1 5 - 2 5 w t %之範圍間。 本發明之紐合物亦包含二硼化錯粉末。此等粉末係市售 且係技術中習知者,例如,購自Starck™。通常,數率均 粒經低於10 之二硼化锆粉末係較佳者;數平均粒徑 低於5之粉末係更好的;且數平均粒徑低於1 #瓜之 粉末係最好者。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 線 本發明之組合物亦可包含硬化劑’其可用於造成有機矽 聚合物於燒結前交聯。因此製成之生胚體一般具有比未硬 化之物件更高的強度《因此,其於燒結前更可忍受任何處 理或機械加工。此等硬化劑一般係以使含此硬化劑之生胚 體加熱至50-500 °C間之溫度活化。 本發明中使用之傳統硬化劑係技術中習知者。實例包含 有機過氧化物,如二苯甲醯過氧化物,雙對氣苯甲醯過氧 化物,雙-2,4 -二氣苯甲醯過氧化物,雙特丁基過氧化物 ,二枯基過氧化物,過苯甲酸特丁酯,2,5-雙(特丁基過 氧基)-2,3 -二甲基己烷及過醋酸特丁酯;及含鉑之硬化劑 ,如鉑金屬,H2PtCl6及((C4H9)3P)2PtCl2。技術中已 匕本紙張尺度逍用中國圉家揉準(CNS ) A4規格(210乂297公& " :~ -10- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 315362 A7 _ B7 五、發明説明(8 ) 知之其他傳統硬化劑亦可使用。此硬化劑係以有效量存在 ,即足以謗發聚合物交聯之量。因此,硬化劑之實際量將 依實際使用之劑類之活性及存在聚合物之量而定。然而, 通常過氧化物硬化劑之量以欲硬化之化合物之量爲準爲 0.1至5.0 Wt%,且較佳之量爲2.0 wt%。當使用含鉑之 硬化劑時,其量一般係使鉑以欲硬化之化合物之量爲準, 於1至1000 ppm下存在,且較佳之量爲50至150 ppm之 始0 除上述硬化劑外,混合物中亦可包含交聯劑以交聯聚合 物,其因此改善硬化特性《此等劑類可包含例如多官能基 欢坑或矽氧烷。較佳之交聯劑爲具有si _h官能基键結之 矽氧烷,如 Ph2Si(OSiMe2H)2 或 phSi(OSiMe2H)3。 本發明中亦可容許添加其他加工助劑,如潤滑劑,懸浮 劑及分散劑。此化合物之實例包含硬脂酸,礦物油,石蟻 ,硬脂酸鈣,硬脂酸鋁,丁二酸,琥珀醯亞胺,丁二酸奸 或各種化學產物,如〇l〇a 12〇〇™。 一旦各種成份之量經確定,其係依確保均勻且完全混合 物之方式結合,因此可防止繞結產物完全不同之密度。均 勻且元全之混合物可以藉由使用一般之摻合技術製備,如 以乾燥或潤濕態之一研磨各種粉末,或使用超音波分散。 其他之混合及研磨方法將係熟習本技術者所明睁的。 上述之混合物再形成可處理之生胚體。"可處理之生胚 體"意指具有足夠之生胚強度以處理或加工成所需形狀(燒 結前)之生胚主體。通常,本發明之操作中可得 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公羡) I—·--’----f 妓—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -11 - 五、發明説明( A7 B7
經濟部中央揉準局貝工消費合作杜印製 kg/cm或更高心生胚強度。本生胚強度首先達到,因爲 此預陶曼混合物包含用作二硼化錐粉末基質之有機碎聚合 物。,本發明之操作得到增強之生胚強度減缓處理上易碎 (問題,且經由機製或研磨可製成更複雜之形狀。 可處理之生胚體可以以技街中已知之一般技術形成。此 方法包含熱壓’乾壓’注漿成形,壓力模製,#向加壓, 等壓著,擠出,傳送模製或射出成形。在此點上本發明係 特別有利,因爲預陶瓷混合物中聚合物之量可輕易的改變 ,以適應多重模製技術之使用,而不影響燒結產物之品質. 〇 此組合物較好在其最終成形前硬化。硬化步驟係技術中 習知者。通常,此硬化可經由使物件加熱至5 〇至5 〇 〇間 之溫度達成’較好係在惰性氣體中如氬或氮。 成形之生胚體再於惰性氣體下鍛燒至高溫,使其轉化成 密度大於5.3 g/Cm3之陶瓷物件。熱解時,本發明之有機1 妙聚合物產生SiC,及視情況之自由碳。另外,聚合物及 二硼化锆粉末之作用通常產生碳化硼。此等固素使混合物 燒結時產生之收縮量減低,因爲Sic及B4c於二硼化結粉 末之内晶粒孔隙中形成,因此限制密實化之收縮。因爲發 生較少之收縮,可意外的形成増加公差控制之燒結物件。 本發明之組合物可在壓力下或使用無壓程序燒結,以製 成高壓度密實之陶瓷物件。因爲使用壓力之燒結方法一般 將製成具有較高密度之陶瓷物件,若需要最大之密度,則 此方法係較佳者。然而’通常無歷'燒結程序係較佳者,因 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) I--------、裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、tT •12- 5362 A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(10) 爲其包含簡化之操作。 惰性氣髏用於燒結,以防止氧氣加入及氧化碎形成。因 此提昇燒結程序以及燒結產物之密度。對於本發明,"惰 性氣體”包含惰性氣禮,眞空或二者。若使用惰性氣髏, 則其可爲氬、氣或氣。若使用眞空,則其可在13.3- 26,664.0 Pa (0.1-200 torr)之間,較好 Pa (0· 1-0.3 torr)之間。結合程序之實例可能爲在氬中 鍛燒组合物達1200°C,在眞空中鍛燒至1200至15〇〇。匸 ,及在氬中鍛燒自1500至2150 X:。 燒結可以在裝置控制爐氣壓之一般高溫爐中執行。一般 使用大於2000 C之溫度’且較佳之範团爲2100-2250 °C 。最佳之燒結溫度爲約2 1 5 0 °C。雖然可使用較低之溫度 ,但陶瓷產物無法具有所需之密度。 燒結之溫度計劃依欲燒結零件之體積及混合物之組合物 二者而定。對於小物件,溫度可快速上升。然而,對於較 大物件’或具有大濃度之有機碎聚合物,需要更廣之規劃 以產生均勻之陶瓷主體。 所得陶瓷物件之密度大於5.3 g/cm3。較好陶瓷物件之 密度大於5.4 g/cm3。吾人之陶瓷體之強度通常大於1〇 kg/m2。此主體包括主要爲二硼化锆與少量碳化硼之混合 物’且含有碳化妙(例如,低於1 0 %之總陶瓷重)。通常, 此主體含2-10 wt%(例如2-8 wt%)之碳化梦,達3 wt%(例如ο ι·〗 wt%)之破化硼,達2 wt%(例如〇.1_2 wt%)之自由碳及87-98 wt %之二棚化锆。"二化锆髏" (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本页) 裝·
、1T h 本紙張从適财關家料(⑽)从胁(21QX297公董) -13-
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 係用於此處以敛述此等陶竞趙。 經由下列之實例,熟習本技術者可以更明白且瞭解本發 明。除非另有説明,所有之百分比均爲重量。 下列實例中,使用之分析方法如下; 質子NMR光譜係以Varian EM360或FT2〇〇光譜儀記 綠’且此處以ppm表示結果。;pournier轉換丨反光譜係記 錄於Perkin Elmer 77 0 0 FT光譜儀上。凝膠滲透層析 (GPC)數據係在裝置600E型系統控制器,49〇型UV及 410型微分Defractometer偵測器之waters GPC上得 到;所有値均相對於聚苯乙烯。TGA及TMA數據係記錄 於Du Pont 940熱力機械分析儀(TMA)及〇mnitherm 熱重分析儀(TGA)與IBM 386電腦界面上。 碳’.氨及氣分析係在 Control Equipment Corporation 24 0-X A元素分析儀上進行。氧分析係在裝置氧測定器 316 (783700型)及電極爐£?100之1_^(;〇氧分析儀--上..遑^ 行。矽係以熔化技術(包含使物質轉化成矽之可溶形式,
-r—5S 且以原子吸收光譜分析總矽之溶質)測定。 鍛燒密度係以依A S T M C 3 7 3 - 7 2之水浸潰技術測量。 實例1 使用矽氧烷結合劑之二硼化銼粉末之無壓燒結。 A -聚合物合成 3960 g PhSi(〇Me)3 及 620 g(ViMe2Si)2〇 之混 合物加於800 g含3 g四氟甲烷磺酸之水溶液中。約.20 分鐘後,溶液回流5小時。此溶液經冷卻,再以2 · 7 3 g 本紙乐尺度適用中國國家椹準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------、裝------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -14 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 五、發明説明(l2 ) 碳酸許中和。揮發物以蒸館移除,直到内溫爲i2(rc。 反應混合物經冷卻且添加丨5 〇〇 g之甲苯及含3 wt%K〇H之水溶液。此溶液經回流,且於Dean_stark U型管中移除水份。水分移㈣,混合物經冷卻,且添 加20 mL之MejViSiCl。於室溫下攪拌2小時後,混合 物經過0.2 # m之薄膜過濾器過濾,且過濾物以旋轉蒸發 器濃縮。殘留物於100X:及低於丨3 3 3 Pa (1 t〇rr)下 烘乾1-2小時。產出爲3053.3 g B. 聚合物熱解及炭組合物計算 製備14.85gA部份形成之樹脂,515呂 Ph2Si(OSiMe2H)2 及 o.oi g Lupers〇i™(雙(特丁基 過氧基-2,5_二甲基己烷)之摻合物。可均等化之摻合物 在120C下交聯1小時《可均等化之交聯之聚合物於石 墨坩堝中稱重。坩堝換成Astr〇管狀爐。爐抽眞空至低 於2.67kPa (20 torr)’且再以氬回充填。重複此步骤二 次。於充氬之下’樣品以l〇°C/分鐘加熱至18〇〇。〇,且 在冷卻至室溫前維持此溫度1小時。樣品之質量維持爲 44· 9%。炭之元素組成爲5 3 4 %碳。進行下列之計算: 100 g之硬化聚合物可提供44.9 g之包含20.9 g碎 (46.6 wt%)及24 g碳(53.4 wt%)之陶资炭。此炭包 含 29.9 g之 SiC(66.6%)及 15 g C(33.4%)。因此, 每克聚合物可提供0.299 g SiC及0.15 g之過量C。 C. 試驗棒製造及鍛燒 混合物係藉由混合溶於200 mL甲苯中之9 g A段中 本紙張尺度逋用中國國家榡準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) -裝·
、1T -15-
五 '發明説明(13 經濟部中央梂準局負工消費合作社印策 之樹知〇 · 2 g之Lup ers ο 1 ,及9 1 g之starck二硼化 結粉末製備。此混合經超音波5分鐘,且移至圓底瓶中 。溶劑以眞空移除,再烘乾殘留物。乾得之粉末在研鉢 及杵中研磨且經90"m網目過篩。此粉末在322〇 kg/cm2 下於具有carver實驗室壓著之wc直線模嘴中瀝乾成 試驗棒35 X 8 X 2 mm。此試驗棒加熱至25(rc 24小 時,以交聯此聚合物。此試驗棒在氨中使用下列规劃鍛 燒至 1900,2100,2150 或 2250°C :在 5°C/min下由室 恤至1200C ’維持30分.鐘,於眞空下以5°C/min由 1200至1400Ό·,且於5°C/min下由1400°C至最終溫度 ,且在此溫度下維持60分鐘。此試驗棒特性列於表公中 實例2 使用矽氧烷黏著劑之二硼化锆粉末之無壓燒結。 A.聚合物合成 ___,一. 476 g PhSi(OMe)3 » 286 g 之 M e S i ( Ο M e) 3 及 137.5 g(ViMe2Si)20之混合物加於400. g含4 g三氟 甲烷磺酸之水溶液中。約2 0分鐘後,溶液回流1 2小時 。此溶液經冷卻,再以3 · 5 g碳酸鉀中和。揮發物以蒸 餾移除,直到内溫爲1 1 0 °C。反應混合物經冷卻且添加 7 0 0 g之甲苯及7 0 g 3 w t % Κ Ο Η之水溶液。此溶液經 回流,且於Dean-Stark U型管中移除水伶。水分移除 後,混合物經冷卻,且添加2 7 m L之M e 2 V i S i C 1。於 室溫下攪拌2小時後,混合物經過〇 . 2 μ m之薄膜過濾器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------------IT------《ί- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 經濟部中央棣準局負工消费合作社印製 A7 -------- B7 五、發明説明(l4 ) 過濾,且過濾物以旋轉蒸發 费赞器濃縮。殘留物於100。(:及 低於 133.3 Pa(l torr)下性私, Α 供乾1-2小時。產出爲5533 g 〇 Β·聚合物熱解及炭組合物計算 製備6.5 5 4 g Α部份形成之樹脂及〇 〇6 g LUPerS〇1™之掺合物。可均等份之摻合物在180。〇下交 聯1小時。均等份之交聯聚合物於石墨㈣中稱重。掛 瑪換成Astro管狀爐。棱抽眞空至低於2 67心(2〇 t叫 ’且再以氬回充填。重複此步驟二次。於充氬之下,樣 品以10Ό/分鐘加熱至180(rc,且在冷卻至室溫前維持 此溫度1小時。樣品之質量維持爲418%。炭之元素組 成爲3 8_1%碳及61.9 g之矽。進行下列之計算:i〇〇 g 之硬化聚合物可提供418 g包含25 9 g矽及15 9 8碳 之陶瓷炭。此炭包含3 6.9 7 g之SiC(8 8.4 3 %)及4 83 g C(ll_57%)。因此,每克聚合物可提供〇369 g SiC及0· 048 g之過量C。 C.試驗棒製造及鍛燒 混合物係藉由下列步驟製備:使9 g之A段中製備之 樹脂200 mL甲苯及〇.2〇 g之Lupers〇l™,與91 8之 SUrck™二硼化锆粉末在燒杯中混合製備。此混合物如 實例1中般經超音波,烘乾,研磨,過篩,壓著,硬化 及锻燒(但未在1900°C下鍛燒)。試驗棒之特性列於表1 中。 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210 X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝_
*1T -17- A7 _ B7 五、發明説明(I5 ) 實例3 使用聚矽燒黏著劑之二硼化锆粉末之無壓燒結。 A.聚合物熱解及炭組合物計算 可均等化之購自Shinn Nisso Kaka Co.,Ltd.之 PSS-400於石墨掛蜗中稱重。掛堝換成Astro管狀爐。 爐抽眞空至低於2.67kPa (20.torr),且再以氬回充填。 重複此步驟二次。於充氬之下,樣品a10°c/*鐘加熱 至1800°C,且在冷卻至室溫前維持此溫度1小時。樣品 之質量維持爲44.2%。炭之元素组成爲42.3 %破及 5 7 · 7 %矽。進行下列之計算:1 〇 〇 g之硬化聚合物可提 供44.2 g包含25.5 g矽及18.7 g碳之陶瓷炭。此炭包 含 34.6 g 之 SiC(78.3%)及 9_58 g C(21.7%)。因此
’每克聚合物可提供0.346 g SiC及0.095 g之過量C 〇 Β·試驗棒製造及鍛燒 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 混合物係經由使9 g之Α段中之樹脂,2 0 0 m L之甲 苯及91 g之Starck™二硼化鍺粉末混合製備。此混合物如 實例1般經超音波’烘乾,研磨,過篩,壓著,交聯及 鍛燒。試驗棒於表1中特性化。 實例4 使用聚碳矽烷黏著劑之二硼化锆粉末之無壓燒結。 Α·聚合物熱解及炭组合物計算 可均等化之麻自Nippon Carbon Co., Ltd.之聚碳 碎娱*於石墨坩堝中稱重。坩堝移至Astro管狀爐。爐抽 本紙張从ϋ财關家縣(CNS ) (21Qx297公羡) -18- A7 B7 五、發明説明(1ό) 眞空至低於2.67kPa (20 torr),且再以氬回充填。重複 此步驟二次。於充氬之下,樣品以10 °C /分鐘加熱至 1800°C,且在冷卻至室溫前維持此溫度1小時。樣品之 質量維持爲5 5.8 %。炭之元素組成爲3 6.7 %碳及6 3 . 3 % 矽。進行下列之計算:1 0 0 g之硬化聚合物可提供55.8 g之包含63.3 wt %矽及37.2 wt %碳之陶瓷炭。此炭包 含 49.9 g之 SiC(84%)及 9.5 g C(16%)。因此,每克 聚合物可提供0.499 g SiC及0.090 g之過量c。 B.試驗棒製造及鍛燒 混合物係經由使9 g之A段中之樹脂,2〇〇 mL之甲 苯及91 g之Starck™ A級二硼化結粉末製備。此混合物 如實例1中般經超音波,烘乾’研磨,過筛,壓著、,交 聯及锻燒,此試驗棒於表1中特性化。 I;--,----Γ 裝------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本育) 經濟部t央梂準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19- :362五、發明説明(Π ) A7 B7 個充丨 表1
Ex 黏著劑 主體中之硬化密度 鍛燒條件 陶瓷密度4ptMOR No (wt %) %SiC/%C (g/cm3) CC) (g/cm3) (kg/mm2) 1 9 3.24/0.94 3.86 1900 5.25 2100 5.51 1270 土 8 2150 5.52 760 ± 2 2250 5.56 1150±38 2 9 3.83/0.19 4.04 2100 5.3 1720 2150 5.52 740 2250 5.41 1100 3 9 3.45/0.74 3.56 2100 5.42 1390±49 2150 5.54 990 ± 7 2250 5.55 920 ± 1 4 9 4.68/0.55 3.62 2100 5.41 12804M: 2150 5.40 1180土15 2250 5.48 1170± 4 I-------《装------訂------f·. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20-

Claims (1)

  1. ABCD
    文申請專利範圍修正本(86年7月)
    53 6 J 84107532號專利申請案 f文申請專利範圍修正本η 申請專利範圍 1. 一種形成可處理之生胚體之 V /7^,包括 (a) 使包括二硼化鲒粉末及選自 取““ 聚矽氧烷、聚矽胺烷及 、 σ物疋成份混合成均勻 之混合物,其中之預陶咨右祕 陶瓷有機矽聚合物係提供以矽 含量爲準,至少計量量之碳者;及 (b) 使均勻混合物成形爲所需之" 、 /狀’以得到孩可處理 之生胚體及硬化該可處理之峰肽姊1 從主I生庇體於溫度範圍5〇至 500 X:。 2. 一種製備二硼化锆燒結陶瓷體之方法,包括 (a) 製備申請專利範圍第!項之可處理之生胚體;及 (b) 在惰性氣體中,於溫度大於2〇〇〇τ下燒結該主體, 得到密度大於5·3 g/cm3之燒結體。 3_根據申請專利範圍第2項之方法’其係用來製備燒結二 硼化鋸體,其包括2-10 wt%之碳化矽,達〇卜3 wt% 之碳化硼,達0.1-2 wt%之自由碳,及85至98 wt%之 二硼化結。 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印袈 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4洗格(210Χ297公釐)
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858144A (en) * 1996-04-12 1999-01-12 Iowa State University Research Foundation, Inc. Low temperature joining of ceramic composites
US6156246A (en) * 1996-10-28 2000-12-05 Eastman Kodak Company Injection molding of fine ceramics
US20080311306A1 (en) * 1997-08-22 2008-12-18 Inframat Corporation Superfine ceramic thermal spray feedstock comprising ceramic oxide grain growth inhibitor and methods of making
US6277774B1 (en) * 1997-08-22 2001-08-21 Inframat Corporation Grain growth inhibitor for superfine materials
JP2003191900A (ja) * 2001-12-26 2003-07-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 宇宙往還機用耐熱材及びホットストラクチャー部材及び宇宙往還機及び宇宙往還機用耐熱材の製造方法
US7751890B2 (en) * 2004-07-14 2010-07-06 Cardiac Pacemakers, Inc. Self-diagnostic method and system for implantable cardiac device
CN100378035C (zh) * 2006-01-26 2008-04-02 中国科学院上海硅酸盐研究所 硼化物-碳化硅复相陶瓷及其制备方法
DE102006013746A1 (de) * 2006-03-24 2007-09-27 Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg Gesinterter verschleißbeständiger Werkstoff, sinterfähige Pulvermischung, Verfahren zur Herstellung des Werkstoffs und dessen Verwendung
DE102006013729A1 (de) * 2006-03-24 2007-10-04 Esk Ceramics Gmbh & Co. Kg Gesinterter Werkstoff, sinterfähige Pulvermischung, Verfahren zur Herstellung des Werkstoffs und dessen Verwendung
US8097548B2 (en) * 2006-05-22 2012-01-17 Zhang Shi C High-density pressurelessly sintered zirconium diboride/silicon carbide composite bodies and a method for producing the same
US20070270302A1 (en) * 2006-05-22 2007-11-22 Zhang Shi C Pressurelessly sintered zirconium diboride/silicon carbide composite bodies and a method for producing the same
US8192853B2 (en) * 2007-09-14 2012-06-05 Greg Hilmas Hilmas Method for toughening via the production of spiral architectures through powder loaded polymeric extrusion and toughened materials formed thereby
CN106495706A (zh) * 2016-10-10 2017-03-15 东莞华晶粉末冶金有限公司 一种陶瓷浆料、陶瓷壳体及其制备方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3775137A (en) * 1971-12-22 1973-11-27 Man Labs Inc Refractory diboride materials
US4100233A (en) 1975-04-25 1978-07-11 The Research Institute For Iron, Steel And Other Metals Of The Tohoku University Silicon carbide fibers having a high strength and a method for producing said fibers
JPS51126300A (en) 1975-04-26 1976-11-04 Res Inst Iron Steel Tohoku Univ Method for manufacturing an organoo silicon polymer having silicon and carbon atoms as main skeleton component
JPS6028781B2 (ja) * 1977-08-03 1985-07-06 財団法人特殊無機材料研究所 耐熱性セラミツクス焼結成形体の製造方法
GB2009196B (en) 1977-10-26 1982-04-15 Res Inst For Special Inorganic Polycarbosilane process for its prudiction and its use as material for producing silicon carbide
JPS6054906B2 (ja) 1978-01-31 1985-12-02 財団法人特殊無機材料研究所 セラミツクス焼結成形体の製造法
JPS54134744A (en) 1978-04-11 1979-10-19 Toshiba Ceramics Co Heat resistant adhesive material
US4347347A (en) 1979-06-28 1982-08-31 Ube Industries, Ltd. Crosslinked organometallic block copolymers and process for production thereof
US4260780A (en) 1979-11-27 1981-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Phenylmethylpolysilane polymers and process for their preparation
US4336215A (en) * 1979-11-30 1982-06-22 Ube Industries, Ltd. Sintered ceramic body and process for production thereof
US4298559A (en) 1980-07-23 1981-11-03 Dow Corning Corporation High yield silicon carbide from alkylated or arylated pre-ceramic polymers
US4404153A (en) 1981-01-15 1983-09-13 Dow Corning Corporation Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom
US4340619A (en) 1981-01-15 1982-07-20 Dow Corning Corporation Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom
US4312970A (en) 1981-02-20 1982-01-26 Dow Corning Corporation Silazane polymers from {R'3 Si}2 NH and organochlorosilanes
US4395460A (en) 1981-09-21 1983-07-26 Dow Corning Corporation Preparation of polysilazane polymers and the polymers therefrom
US4397828A (en) 1981-11-16 1983-08-09 Massachusetts Institute Of Technology Stable liquid polymeric precursor to silicon nitride and process
JPS59174575A (ja) * 1983-03-18 1984-10-03 日本曹達株式会社 炭化ケイ素成形体の製造方法
US4543344A (en) * 1983-11-28 1985-09-24 Dow Corning Corporation Silicon nitride-containing ceramic material prepared by pyrolysis of hydrosilazane polymers from (R3 Si)2 NH and HSiCl3
US4540803A (en) 1983-11-28 1985-09-10 Dow Corning Corporation Hydrosilazane polymers from [R3 Si]2 NH and HSiCl3
US4482689A (en) 1984-03-12 1984-11-13 Dow Corning Corporation Process for the preparation of polymetallo(disily)silazane polymers and the polymers therefrom
US4636481A (en) * 1984-07-10 1987-01-13 Asahi Glass Company Ltd. ZrB2 composite sintered material
DE3572468D1 (en) * 1984-07-10 1989-09-28 Asahi Glass Co Ltd Zrb2 composite sintered material
JPS63297273A (ja) * 1987-05-29 1988-12-05 Ube Ind Ltd ZrB↓2焼結体の製造方法
US4916200A (en) 1987-06-08 1990-04-10 Dow Corning Corporation Silane modified polysilacyclobutasilazanes
US4835238A (en) 1987-06-08 1989-05-30 Dow Corning Corporation Polysilacyclobutasilazanes
US4774312A (en) 1987-06-08 1988-09-27 Dow Corning Corporation Polydisilacyclobutasilazanes
US4762895A (en) 1987-08-10 1988-08-09 Dow Corning Corporation Process for the preparation of preceramic metallopolysilanes and the polymers therefrom
US4906170A (en) 1988-02-16 1990-03-06 Cello-O-Core Apparatus for printing on plastic tubing
JPH0627036B2 (ja) * 1988-06-22 1994-04-13 日本鋼管株式会社 高強度高靭性TiB▲下2▼セラミックス
FR2637602B1 (fr) 1988-10-06 1990-12-14 Rhone Poulenc Chimie Procede de synthese de polymeres a base de bore et d'azote precurseurs de nitrure de bore et produits susceptibles d'etre ainsi obtenus
US4962069A (en) * 1988-11-07 1990-10-09 Dow Corning Corporation Highly densified bodies from preceramic polysilazanes filled with silicon carbide powders
US4929742A (en) 1988-11-28 1990-05-29 Dow Corning Corporation Silane modified polysilacyclobutasilazanes
US5030744A (en) 1989-03-23 1991-07-09 Tonen Corporation Polyborosilazane and process for producing same
US4910173A (en) 1989-04-14 1990-03-20 Ethyl Corporation Preceramic compositions and ceramic products
US5112779A (en) 1989-12-28 1992-05-12 Dow Corning Corporation High density silicon carbide sintered bodies from borosiloxanes
US5332701A (en) * 1990-12-14 1994-07-26 Massachusetts Institute Of Technology Ceramic synthesis by pyrolysis of metal-containing polymer and metal
US5164344A (en) * 1991-06-26 1992-11-17 Dow Corning Corporation Borosilazanes as binders for the preparation of sintered silicon carbide monoliths
US5169908A (en) 1991-12-20 1992-12-08 Dow Corning Corporation Curable boron modified hydropolysilazane polymers
US5252684A (en) 1992-11-02 1993-10-12 Zank Gregg A Borazine derivatized hydridopolysilazane polymers

Also Published As

Publication number Publication date
AU691626B2 (en) 1998-05-21
EP0694509A3 (zh) 1996-02-07
JPH0867564A (ja) 1996-03-12
US5527748A (en) 1996-06-18
CA2154217A1 (en) 1996-01-30
US5449646A (en) 1995-09-12
EP0694509A2 (en) 1996-01-31
AU2720695A (en) 1996-02-08
KR960004290A (ko) 1996-02-23

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