TW301840B - RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers - Google Patents

RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers Download PDF

Info

Publication number
TW301840B
TW301840B TW085107245A TW85107245A TW301840B TW 301840 B TW301840 B TW 301840B TW 085107245 A TW085107245 A TW 085107245A TW 85107245 A TW85107245 A TW 85107245A TW 301840 B TW301840 B TW 301840B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
power source
plasma
reactor
item
wafer
Prior art date
Application number
TW085107245A
Other languages
English (en)
Inventor
Ye Yan
Hanawa Hiroji
Xiaobing Ma Diana
Zheyao Yin Gerald
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW301840B publication Critical patent/TW301840B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（1 ) 坊佑镅城 本發明係有關於半導體晶圓處理期間，用Μ清潔電獎 反應器的方法與裝置。 枝蓊背景 許多在RP電漿反應器中進行之半導體晶圖製造方法， 在反應腔壁遣留下污染沉積物，沉積物累積並成為有害半 導體裝置製造之橄粒狀物質的來源。隨著在半導體晶圓上 形成的撤電路元件的裝置尺寸戯剌性地減小，因晶圓上污 染撤粒沉積物導致的裝置損壞更加容易。 當在腔中進行金羼餽刻處理時，在半導醱處理腔壁上 堆積的撤粒狀污染沉積物會特別顯著。尤其，鋁圖形蝕刻 產生累積相當多的此棰污染堆積物。通常使用一些反應性 氣襞來蝕刻此鋁膜，包括鹵族與鹵硪氣體Μ做為電漿成分 。特定言之*使用的蝕刻氣體主要是含氯氣體、氣與三氯 化硼，其可在蝕刻時形成揮發性氯化鋁化合物，此揮發性 化合物可藉施加真空而自蝕刻處理腔中移除。然而，與揮 發性氣化鋁化合物同時形成的，是其他活性含氣物種與含 硼物棰，其等會與任何存在於蝕刻處理腔的氧與水蒸氣反 應，或是會與圖形光阻的有機物種反應，形成非揮發性撤 粒狀組成物，其最後將在處理腔的内壁表面產生相當大量 的污染物。此非揮發性撤粒狀組成開姶時易在蝕刻腔內部 維持沉稹，以鬆散撤粒之形式附著在腔内表面與元件。鬆 散地附箸的沉積物可輕易地自表面剝落與脫離，而附著與 降落在晶画表面上，產生污染與造成有缺陷的晶圓工件。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 4 ----------^ J-I (請先閱讀背面之注意I 填寫本頁) *1Τ 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 更進一步，隨時間進行，非揮發性撤粒狀沉積物與由光阻 產生之聚合材料及含硝蝕刻氣體（蝕刻方法之副產物 > 結合 ，並累積形成蝕刻處理腔的侧壁與内表面上的污染沉積物 ，。此污染物在腔壁的累積，增加處理期間的半導體元件 污染的可能性。避免在這種情況下處理潛在有缺陷的晶圓 ，腔必須定期關機以進行主要的清理行動。 已知的電漿腔淸潔方法已包括開啟電漿蝕刻腔，分 解腔的部份，藉物理或化學方法移除污染沉積物。例如， 腔可以氳氯酸溶液清洗，或溶液Μ手擦拭來溶解不同的污 染物。蝕刻腔還可Μ水清洗並乾燥之。對真空出口通道與 真空糸統使用同樣的淸潔技術，因為在累積的殘留物或污 染物阻塞的情形下*會發生較低的真空或窒息。所有清潔 方法很複雜、不連續、耗時，且會是額外的污染物的來源 。更甚者，此重要的清潔過程會使大形電漿反應器長達24 小時無法生產，因此表示一個極高的費用。 在電漿強化乾式清潔遇程中，可使用四氣化碩與氧將 附著在金羼蝕刻反應腔的内壁之污染物移除，。然而，目 前已知的電漿強化乾式清潔条統，需要相當於金羼蝕刻處 理本身所花時間的約5¾至ΙΟΖ的乾式清潔時間；更甚者， 現今之習知技藝的腔清潔處理使用電漿蝕刻鹵化氣體時* 他們通常也使用氧化劑，此氧化劑或氧化物有某些缺點* 例如，金羼蝕刻乾式清潔配方*包括已發凳不夠令人滿意 的鹵化合物與氧或含氧氣體，因為在腔中形成的粉末狀鹵 氧化鋁副產物也是污染物。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 5 ；---·--^----^---- (請先閱讀背面之注意事一-!.填寫本頁) 、v5 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3〇184〇 Α7 __ B7 五、發明説明（3 ) 本發明的目檫是與晶圖處理同時地清潔反應器，使 用在處理晶圓時所用的相同氣體來清潔腔。 發明嫌里 本發明在處理半導體晶圓的電漿反應器中進行，電漿 反應器有内含處理氣體的腔與連結至RF動力源供應器的導 線，將RF動力源偶合至反醮腔内，在腔內從處理氣體產生 電漿*腔至少包括一表面曝露於電漿，容易受到晶圓處理 期間產生的徹粒影堪而污染*在晶圈處理期間，藉由促使 由霣漿至此表面上之撤粒轟炸》來進行本發明，Μ移除在 晶園處理期間由其上所沉積的污染物*。此轟炸的促成， 是在晶國處理期間，藉提供一 RF動力源供臁器與將RF動力 源由供應器偶合至此一表面。 可藉鄰近此一表面且連接至RF動力緣的電容清潔電極 進行偶合化，電容清潔電極最好設置在背對電漿的此一表 面之一侧，保護其免受電漿接觸。還有，偶合化可藉從RF 功率供醮器至此一表面的直接電連结來進行。 典型地，此一表面的污染在一特定沉積速率下發生， 最好有調整施加至電容清潔電極的RF動力源至相對於在此 一平面的轟炸速率的水平，至少幾乎抵銷特定的沉積速率 在一實施例中•施加至電容電極的RF動力源的頻率， 較RF動力源供應器連接至導線的頻率為低。 在另一實施例中，施加至電容電極的RF動力源的相， 不同於施加至導線的相，因此，從電漿用Μ清潔此一表面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X 297公釐） ! I 裝 訂1^ ^ 务 *· (請先閲讀背面之注意if .再填寫本頁) 一 6 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 所消耗之轟炸撤粒，有時不同於從電漿中供轟炸晶圓所消 耗之轟炸撤粒。 藉由測得在此一表面的轟炸速率是否抵銷在此一表面 的撤粒沉積速率，以及當轟炸速率低於沉積速率時，增加 施於電容清潔電極的RF動力源，可調整施加於電容清潔 電極的RF動力源。更進一步，可限制電容清潔電極上的RF 動力源K避免融除此一表面。電漿有一特性RF狙抗，隨著 在此一表面上從電漿沉積的徹粒的累積而改變，監測轟炸 速率是否抵銷沉積速率，包括監測電漿的RF阻抗的改變。 電容清潔電棰上的RF動力源的調整，可由回縝處理器 來自動調整，其包括（a) — _入值，對應此值，定期監測 霣漿源動力源供臞器或電漿偏壓供應器的RP阻抗匹配網路 之可變反應元素的電抗，與（b)—輪出值，連接至驅動電 容清潔«極之RF產生器的動力源準位平控制輪入，回饋處 理器對應此_出值而產生錯誤訊號，此輪出值相對於RF阻 抗匹配網路的可變反應性元素的電抗改變。 反應器包括腔内的晶圓支撐基座*腔包括覆蓋晶圓支 撐基座的頂蓋，此一平面包括頂蓋的内表面，霄容清潔電 極包括附箸在頂蓋外表面的薄導電層。導體可為一鄰近頂 蓋外表面的感應天線*薄導電層比感應天線更接近頂蓋。 在此情況下，薄導電層包括許多孔隙，可讓RF動力源的感 應偁合從感應天線經薄導電雇進入腔。薄導電層也許包括 被孔隙所分離並連結於Μ星狀圖形放射之中央點許多臂。 或者，電容淸潔罨極也許是晶圓基座上環繞晶圓的對 ----------裝-- (請先閱讀背面之注意ί 再填寫本頁) -1Τ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 2*)7公釐） 7 經濟部中央標準扃舅工消費合作社印製 A7 B7 _, - __ 五、發明説明（5 ) 焦環内表面上的導電靥。 為了清潔腔之钿壁，反應器也許更進一步地包括針對 侧壁的RP動力源，可Μ促使由側壁上的污染沉積物之轟炸 〇 連結至靠近頂蓋的電容清潔電極的清潔RF動力源供應 器的RF頻率可具一低於連結至感應天線的電漿RF源功率供 應器的RF頻率。 連結至電容清潔電極的RF動力源源也許與連結至感應 天線的RF動力源源是不同相，藉此在不同時間從電漿到晶 圓與此一平面間吸引轟炸的撤粒。 圖式簡要說明 第1圈是本發明第一項實施例之侧視圆。 第2圖是第1圖實施例的反應器頂蓋上的電容清潔電極 圔形的上視圖。 第3圖是一圖，其Κ表面的镉壓位能函數，描述内部 腔表面上污染物沉積速率 第4圖是一圖，其描述施加至晶圓基座的镉壓RF電壓 的時間匾段波形（實線〉，與施加至環嬈晶圓基座的對焦環 上霄容淸潔電棰的RF電®。 第5圖是一教學例用處理器之簡化圖表，該處理器自 動調整施加至本發明的電容清潔電極的RF動力源水平的處 理器。 第6圈是本發明第二項實施例的钿視圚。 第7圖是第3圖實施例的反應器頂蓋上電容清潔電極圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 8 种衣 I I訂I —矣 • · { (請先閱讀背面之注意{ 再填寫本頁) A7 一 _ B7___ 五、發明説明（6 ) 形的上視圈。 第8圍是本發明第三項實施例的側視圍。 較佳實施例的詳細描述 經濟部中央標準局舅工消費合作社印製 ----------裝-- i- (請先聞讀背面之注意^ 再填寫本頁) 參照第1圖，一電漿反應器包括Μ包圍壁15所定義的 一真空腔10*此包圍壁包括圓柱形側壁20與圓頂形頂蓋25 。應可理解本發明在下文中所詳細描述者，不限定任何特 定頂蓋*除了第1圖中所示圓頂形頂蓋Μ外，其它亦適用 於反應器腔頂蓋者。一晶圓支撐基座30支持待處理的半導 體晶圔35。氣體入口 40供給電漿前驅氣體進入腔10。感應 天線45安置在頂蓋25上。雖然在實行本發明時也可使用其 他類型的慼應天線，在此特殊的情況下，感應天線45是螺 紋形導電線圈，。一RF電漿源動力產生器50經傳統RF阻抗 匹配網路55連結至慼應天線45。一 RF偏壓動力源產生器60 經另一傳統RF阻抗匹配網路65連结至晶圓基座30。藉由覆 蓋晶阖基座30之一角，Κ及環繞晶國35的電漿對焦環70來 增強晶圔35的處理。進一步Μ分《I腔10的上半部份與下半 部份的氣體分佈環75來增強晶圓35的處理。可在有或沒有 對焦環70或是氣體分佈環75之下賁行本發明。反言之，已 供應RF動力源的導電圓柱形腔線76 (以虛線指出）也許在鄰 近於絕緒的側壁20的内部。施加至腔線76的RF動力源也許 是不同於來源動力源與偏壓動力源的頻率。 如同在此之前已討論過，第1圖所示類型的霄漿反應 器的生產力或生產率，係受限於，在晶圖的電漿處理期間 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（2丨Ο X 297公釐） 9 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) ，必須定期地中斷晶圓處理來清潔腔内部並移除該處之累 積在腔内表面電漿處理的副產物污染物。如同在此之前已 解釋過的，此污染物由電漿與晶圓35上的材料作用而形成 。例如，若第1圖的電漿反應器使用於從晶圓蝕刻一金属 薄膜，則經由腔氣體入口 40供姶含氣處理氣體。在一例中 ，施加2.0百萬赫玆的200與1000瓦之間级數的電漿源動力 源於線圈感應器來產生電漿，同時施加13.56百萬赫玆的 偏壓RP動力源且約為來源動力源的一半於晶圓基座，好控 制靠近晶圖表面的電漿離子的能量。最後含氣電漿與覆蓋 於晶圓上金屬薄膜的光阻層反應，形成含硪的聚合鍊，此 高分子鐽會在腔内表面上聚合。若電漿包括氟，則產生氟 化鋁污染物，在累積於腔內表面之後很難移除，因此最好 不要在晶圓處理期間在電漿中使用氟。然而，在腔清潔期 間暫停晶圖處理操作之時，最好使用氟化學Μ加速清潔處 理至可接受的速率，好減少清潔反應器内部所需時間。不 幸地，若是在開始清潔操作時有些鋁殘留物在腔内，清潔 期間在電漿中使用氟，仍會產生難Κ移除的氟化鋁污染物 〇 本發明用以在晶圓處理期間清潔腔内表面，藉此，減 少或消除定期中斷晶圓處理的需要，好進行通常的腔清潔 操作。未發明的一項優點是》—點也不需要使用氟化學品 Μ在腔處理期間清潔腔内表面，藉此，避免形成難以移除 的氟化鋁污染物。當然，主要的優點是，無須中斷晶圓處 理，或至少不像舊技e般頻繁，》此，大量增強電漿反應 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事ν'ρ1填寫本頁) .裝·
、1T 線 10 3 A7 B7
j184Q 一 _ 五、發明説明（ 器的生產力與生齑率。 本發明在晶圖處理期間*藉由消除或減少腔内表面上 的污染沉積物，Μ清潔於晶片處理時之内部腔表面。其之 完成係藉由，在欲清潔的表面附近，產生吸引來自電漿的 重離子之電場，如此，重離子撞擊待轟炸的表面，或移除 先前沉積的污染物，在晶圓處理期間其他方面，其速率相 對於此污染物傾向沉積的速率。結果，當電漿處理副產物 污染物以一特定速率沉積至表面上時，理想地Μ同樣速率 或至少類似的速率自表面轟炸掉污染物，如此在表面上很 少或是沒有污染物的淨累積。由於轟炸速率是由電場強度 所決定，調整理想的電埸直到污染物沉積速率與轟炸速率 間恰好平衡。 例如，為了在晶圓處理期間清潔頂蓋25，在頂蓋25的 外表面上放置一 RF驅動的電容清潔電極80。施加RF偏壓位 能至電容清潔電極80,朝頂蓋25的内表面，吸引電漿中的 離子或基，如此以轟炸此表面並自此處移除污染沉積物。 第1圔實施例的電容清潔電極80由許多導電片80a所組成* 由第2圈的上視圖看最好，經由一傳統的RF阻抗匹配網路 90，將電容清潔電極連結至第一清理RF動力源產生器85。 在一次實行中，導電片80a可爲黏在頂蓋25外表面的黏性 導霉薄片。相鄰薄片80a間的距離須夠大以避免感應天線 的磁場在«容清潔電極形成漩渦電流，並允許從感應天線 經過電容清潔電極傳送RF磁場。或者，如下參考第8圖所 述者，II容清潔電極80可從感應線圈天線45選定的捲繞搭 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ；---------裝 訂 ； ； 各 (請先閱讀背面之注意事A填寫本頁) ( 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 11 五、發明説明（9 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 接RF功率，如此，不須供電容淸潔電極80之一分鑪的RF動 力源。 施加至電容清潔電掻80的RF動力源最好被調整到污染 物沉積速率與轟炸速率間必需之平衡，不論是經由調整第 1圈實施例的分離RF產生器85的RF動力源水平，或是經由 移動第8圖實施例的線圈片。為了解如何達到沉積與轟炸 速率間的平衡最好參考第3圖，其說明Μ討論中的表面的 偏壓位能（橫座檷）為函數的沉積速率（縱座標）。縱座標的 負部份是”負"沉積的區域，或是，另言之，即”移除"。最 好不計代價地避免此區域，因為被移除的是所有的材料， 其包括位於表面本身之下的材料，不僅僅是其上的污染物 。第3圖表示，起初，随著表面位能從零開始增加，沉積 速率增加。這是因為需要某些極微的動能達到沉積撤粒與 表面的材料間強的鍵結，且動能隨著偏壓位能而增加。之 後*在某RF偏壓位能之上時，沉積速率隨傾壓位能的增加 而下降。這是因為橄粒動能背對的增加不再增強沉積處理 ，但增加轟炸速率，撞擊的撤粒打落先前沉積的徹粒。如 此，轟炸處理減損沉積處理。再進一步增加偏壓位能，總 沉積速率持播下降，直到最後達到零為止（曲線相交横軸 於此），此為理想點，在此點轟炸速率恰等於沉積速率。 此爲理想狀況，因為在此點沒有污染物的累積。進一步增 加偏壓位能造成負沉積速率，如上所指出此為不宜，因爲 轟炸處理開始融化腔内部之下的材料。此材料將迅速地被 損耗殆盡*且更新昂貴。如此，本發明最好在靠近第3圖 (請先閲讀背面之注意-^.,冉填寫本頁) -裝. 訂 -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 12 A 7 B7 五、發明説明（10 ) 的横座檷但至少稍撤上面的區域下操作。也許使用反覆試 驗的方法，改變施加至電容清潔電極80的RP動力源，直到 達成理想狀況 <抵銷沉積與轟炸速率）。自動維持此一理想 狀況的技術會稍後在此詳逑中表明。 電容清潔電極80可Μ較低的RF頻率驅動，其低於施加 於感應天線的RF源動力源的頻率。 如另一例子*若在晶圓處理期間，要淸潔對焦環70的 外表面，則可將電容清潔電極100放置在對焦環70的内表 面70a上。内表面70a不曝露於電漿下。藉RF產生器經阻抗 匹配網路110，以將105來施加RF動力源至電容清潔電棰10 0。或者，電容清潔霣棰可直接連結至晶圓基座30, Μ使 其Μ«壓產生器60供給能量，如此可Μ分離的RF產生器10 5與匹配網路100施配之，其如參考第8圖Μ下所述者。然 而，最好是以分離的RF產生器105獨立地驅動電容清潔電 搔100,如此可以綢整轟炸速率，精確地抵銷污染物沉積 速率，如上所逑之對應於第3圖者，無須改變最佳化晶圓 處理所霈的晶國上的僱暖動力源準位。 為了避免清潔電極100干播理想的晶圖處理狀況，Μ 分離的RF產生器105施加RF動力源至電容清潔霄極100,此 動力源有一不同於於以RF產生器60施加至晶國基座30的動 力源者之相或頻率。在可阻礙蝕刻反應器中晶圖處理之電 容清潔電極100的操作方法中，是將電漿離子與基轉向遠 離晶圖表面，朝向要被保護的表面（例如，對焦環70的外 表面 >。此離子與基將不會與晶圔表面作用以增強蝕刻處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） ---------裝—— (請先閱讀背面之注意一再填寫本頁 T -3 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 13 五、發明説明（11 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 理。爲了減少離子與基的轉向對晶《蝕刻處理的效應，施 加至電容清潔電極100的RF訊號的相，與施加至晶圓基座 的RP訊號的相為180度的相差。在此例中，兩信號是同一 頻率。如第4圖所示，只要施加至晶圓基座30的RF訊號（實 線曲線）為正的最大值，在電容清潔電極100的RP訊號（虛 線曲線）就是負的最大值，反之亦然。最後在晶圓基座上 偏壓訊號的二分之一週期内，電漿離子與基被吸引朝向晶 圓表面Μ增強蝕刻處理，沒有被電容清潔電極100轉向而 朝向被保護的表面（對焦環70的外表面）。電容清潔電極10 0將電漿離子與基轉向而遠離晶圓表面（朝向對焦環70>， 僅在晶圓基座上RF訊號的另外二分之一週期内，不會吸引 離子與基朝向晶圓表面。如此，離子與基因電容清潔電極 100而轉向，可將對晶圖蝕刻處理的影饗減到最小。 如上文所提及，嘗試錯誤的方法可用來測定施加至電 容淸潔電極（80或100>的最佳RF動力源。然而，自動化測 定會更有效與便利。達成此法，可利用每次污染物沉積速 率超過由電容清潔電極設定的》炸速率，就會在内腔表面 發生污染物的淨沉積，且在内腔表面上污染物的堆積改變 RF®漿阻抗。在RP阻抗匹配網路的此一當然的結果，随著 霉漿阻抗的改變，自動地改變其内阻抗。如此，電容清潔 電極的表現可藉由測定RP阻抗匹配網路來監控。爲此*如 第1圖所示，在頂蓋電容清潔電極80的情形下，一回饋處 理器120藉由處理器120的輸出120a，控制由RF產生器85產 生的RF動力源準位，此輪出連結至RF產生器85的動力源準 ---------裝-- (請先閱讀背面之注意:^丹填寫本頁)
*1T 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 14 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
五、發明説明（12 ) 位控制輪入85a。回賸處理器120在一蜍入120b時測定RF阻 抗匹配網路55的一可變反應性組成的電抗。每次RF阻抗匹 配網路55測定爾漿阻抗的改變，回饋處理器120就會造成 RF產生器85的輪出動力源準位的相對改變。 同樣地，如第1圖所示，在對焦環電容清潔電極100的 情形下，回幘處理器125藉由處理器125的輸出125a，控制 由RF產生器105產生的RF動力源準位，此輪出連結至RF產 生器105的動力源準位控制鑰入l〇5a，。回賸處理器125在 一鎗入125b時測定RF阻抗匹配網路65的一可變反應性組成 的霄抗。每次RF阻抗匹配绢路65測定電漿阻抗的改變，回 纘處理器125就會造成RP產生器105的鎗出動力源準位的相 對應改變。 最好，為了避免在第3圖的負區域（在此區域，腔組成 本身會被進行中的轟炸處理有害地融解掉，此轟炸處理因 電容淸潔霣極而發生）操作電漿淸潔電極（80或100)，回 换處理器（120或125)的之較佳的實施例，不斷地苜試將其 控制（85或105>的RF產生器的RF動力源水平減至最小，如 此由阻抗匹配網路（55或65)的作用來反覆通知，以恢復電 容清潔電極上RF動力源準位。這樣保持了靠近最佳化平衡 點的轟炸速率，在此點至少接近抵銷污染沉積速率，不用 冒進入第3圖的負區域的危險。此一較佳實施例可由熟於 此技之人士使用該技S已知的技術來完成。 然而，於第5圓說明一並非為最佳實施例之回饋處理 器的非常簡單筋樣。第5圖中很簡單的回嫌處理器中，RF 私衣 I I I 訂 -I ιβ 矣 • . ( (請先閱讀背面之注意填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ._ _丄b ~ 301840 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7B7_五、發明説明（13 ) 阻抗匹配網路的可變反應性元素的電抗Μ類比至數位轉換 器130定期地取樣。類比至數位轉換器的輪出被延遲或暫 存記憶體一段延遲時間，時間相當於類比至數位轉換器 130的取樣週期。類比至數位轉換器130的延遲與未延遲輪 出被減法器140減少。減法器140所產生的差別，Μ數位至 類比轉換器145適當地調整，此轉換器的_出是施加至RF 產生器動力源水平控制輪出的命令。每次RF阻抗匹配網路 改變其以第5圖的回饋處理器監控的可變電抗元素（指出在 污染物沉積與轟炸速率間平衡的改變〉，減數器140產生等 比例的錯誤訊號，此訊號於施加至電容清潔電極的RF動力 源水平產生相對應的改變，而抵銷污染物沉積速率與轟炸 速率間之平衡的改變。 如更進一步的例子，其欲在晶圓處理期間清潔圓柱形 腔測壁20。為此目的，腔钿壁本身可做爲它自己的電容清 潔電極。為達此目的，如，可施加播越氣體分佈環75與腔 側壁20的RP偏壓位能。為此目的，將絕緣環150放置在氣 髏分佈環75與腔侧壁20之間，RF產生器155經過RF阻抗匹 配網路156連結橫越氣臞分佈環75與腔侧壁20,如第1圖所 示。以上討論的方法，用來選擇施加至清潔電極的RF訊號 之頻率或相位，與/或用來自動地控制其量度大小，可如 所欲地由RF產生器155施加RF訊號至腔供壁20。 第6圖表示本發明之較佳的實施例，其為柑當於參考 第1圖所描述的電漿反應器，除了第6圖的頂蓋電容清潔電 極80為星形外，星形中心與頂蓋中心一致，如第7圖的上 (請先閱讀背面之注意再填寫本頁 .裝. 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ^-16 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明（14 ) 視圖之最佳所見。第6圖與第7圖的實施例的一項優點是， RF動力源以星形電容清潔電極80而更均勻地分佈在頂蓋的 表面，因此如第2圈的實施例所提出者。 第8圖說明本發明的另一實施例，其中電容清潔電榷 80與100各自以感應天線與晶圓基座共用RP動力源。此免除 第1圖中分離RF產生器85、105的必要，取而代之的是，電 容清潔電極80自感睡天線的一逛定捲繞上接頭160接收其 RF動力源。同樣地，電容清潔電極100經由與晶圓基座的 觸點165來接收其RP動力源。在第8圖的實施例中，頂蓋電 容淸潔電極80上RF動力源也許因改變感應天線上接頭160 位置而改變或選擇。 在第1實施例的一値運作的例子中，頂蓋的圓頂高度 10公分，與直徑30公分。圄柱形倒壁的直徑30公分，高度 10公分。晶圖基座固定一 10公分直徑晶阖，此晶圓低於圔 頂頂蓋最高點14公分。頂蓋上電容清潔電榷薄片80a為10 公分寬，Ml. 5公分寬的距離來分離之。薄片本身為0.5公 分厚。施加至感應天線的RF源動力源為1000瓦、頻率2.0 百萬赫玆，同時施加至清理電極80的動力源的頻率為2.0 百萬赫玆。對焦環70上的電容清潔鬣極100為1.0公分寬的 導電性薄片。此薄片為0.05公分厚。施加至晶圓基座的RF 源動力源為200瓦、頻率13.56百萬赫Η，同時施加至清潔 電極100的動力源的頻率為13. 56百萬赫玆，背對於施加至 晶國基座的RF動力源的相位角度爲0度。 當本發明已藉由參考所提的實施例而詳細敘述，可Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） ----------裝------訂J--.---線 (請先閱讀背面之注意*-s..冉填寫本頁) 17 A7 B7 五、發明説明（15 ) 了解，在不違悖本發明的真諦與範圍，可進行變動與調整 實施本發明。 (請先閱讀背面之注意& 再填寫本頁) -裝. 訂 -線_ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（.210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（16) 元件檫號對照 10腔 85,105,155 RP 產生器 20侧壁 90傅統RF阻抗匹配網路 25頂蓋 85a,105a,120b,125b _ 入 30支撐基座 85,105 動力源準位控制蠄入 40氣鱧入口 110 匹配網路 45感應天線 120處理器 50 RF電漿動力產生器 125回饋處理器 55,65,156姐抗匹配網路 120a, 125a 轅出 65 RF偏壓動力源 130類比至數位轉化器 70對焦環 135記憶釀 70a内表面 140減法器 75氣體分佈環 145數位至類比轉化器 76腔線 150絕緣環 80, 100清潔電極 160接頭 165觸點 (請先閱讀背面之注意事一.+,填苑本頁 -裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 19

Claims (1)

  1. 301840 Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 夂、申請專利範圍 1· 一種在電漿反應器中處理半導體晶圓的方法，該反應 器有一包括處理氣體的腔，與一連結至RF動力源源的導 管，Μ供將RF動力源偶合至該反應腔，Μ自該處理氣 醱產生電漿來處理該晶圓，該腔包括至少一表面，其 曝露於該轚漿下，且易受該晶圓處理期間所產生的撤 粒污染影»，該方法包括： 在鄰近該表面處提供電容清潔霣極；及 在該晶國的處理期間，對該電容清潔電極施加RF動 力源。 2·如申請專利範圍第1項的方法，其中，該一表面的該 污染以特定沉積速率發生，該方法進一步包括：將施 加於電容清潔電極的該RF動力源，調整至相當於在該 一表面上的轟炸速率，其至少幾乎抵銷該特定的沉積 速率。 3. 如申請專利範圍第1項的方法，其中，提供電容清潔 霣極的步驟包括：將導電性電極置於背對於前述電漿 該一表面的一側，如此，可保護該霄容清潔電極免受 該霣漿的接觸。 4. 如申請專利範匾第1項的方法，其中，連接至該導體 的該RF動力源有一夠高的頻率，以使RF動力源可從該 導管經遇該電漿滲透到該晶圚，，且，其中，將RF動 力源施於該電容霣極的步驟包括，以一較連接至該導 體RF動力源的頻率低之頻率，將RP動力源施於該電容 清潔電棰，該低頻限制了由該電容淸潔電極經該電漿 (請先閱讀背面之注意事\/ ,填寫本頁) -裝. 、νβ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 20 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 __D8 _ 六、申請專利範圍 之RF動力源的滲透力。 5·如申請專利範圍第4項的方法，其中，該導體由距該 晶國逮端之該腔的一側偶合電漿源，其中，該較低的 頻率須夠低，Μ避免RF動力源從該導體潘透到該晶圓 〇 6·如申請專利範圍第1項的方法，其中，該導體偶合至 該晶圖，藉此，該RF動力源提供控制該晶圖轟炸的偏 ®動力源，，且，將RF動力源施於該電容電级的步驟 包括，Μ不同於施加於該導體的相位，將RF動力源施 於該電容清潔電棰，藉此，有時從該電漿中供清潔該 表面之所消耗的轟炸撤粒，不同於當由該電漿供轟炸 該晶圆所消耗之轟炸微粒。 7. 如申請專利範圍第6項的方法，其中，該相位與施於 該導龌的相位相反。 8. 如申請專利範圍第2項的方法，其中，調整施於該電 容淸潔電極之RF動力源的步嫌包括： 測定在該一表面上轟炸速率是否抵銷在該一表面上 撤粒的沉積速率； 當該轟炸速率低於該沉積速率，增加施於電容清潔 霣榷的RF動力源，。 9·如申請專利範圍第8項的方法，其中》更包括限制該 RF動力源，Μ避免融消該一表面。 10.如申請專利範圍第9項的方法，其中，限制的步驟包 括在未實行增加步驟的時間中，減少施於該電容電掻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 一 21 一 ··---------^-- * · (請先閱讀背面之注意事^ '填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 的RF動力源 11·如申請專利範圍第8項的方法*其中，該電漿有一特 定RF阻抗，此阻抗隨著由電漿中沉積在該一表面的撖 粒累積而改變，且其中，測定》炸速率是否抵銷沉積 速率的步驟，包括測定該電漿的RP阻抗的改變。 12· —種處理半導體晶國的電漿反應器，該電漿反應器有 一存放處理氣體的腔，與一連結至RP動力源而供將RF 動力源偁合至該反應腔的導體，Μ由處理氣體產生電 漿而在該腔内部處理該晶圓，該腔包括至少一曝露於 該電漿，且易受該晶圓處理期間產生的撤粒污染影堪 的表面，該電漿反應器包括： 接近該一表面的電容清潔電極；與 在該晶圓處理期間，連结至該電容清潔電極的RF動 力源。 13. 如申請專利範圍第12項的反應器，其中，反應器包括 在該腔中的晶鼷支撐基座，該腔包括覆蓋該晶圄支撐 基座的頂蓋，與該一表面包括該頂蓋的内表面，其中 ，該霣容清潔電極包括： 鄰近該頂蓋外表面的薄導霣層。 14. 如申請専利範園第13項的反應器，其中，導體包括鄰 近該頂蓋的該外表面的感應天線，該薄導電層比該感 應天線更接近該頂蓋。 15. 如申誚専利範圍第14項的反應器，其中，該薄導電層 包括許多孔陳，可讓RF動力源的感應偶極從該感驩天 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事^.. r填寫本頁) -裝- 線 22 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 線經該薄導霣層進入該腔。 16. 如申請專利範圍第15項的反應器，其中，該薄導電層 包括被許多藉該孔陳所分隔之莺。 17. 如申請專利範圍第16項的反應器，其中，該許多臂連 结於其等Μ星狀匾形放射之一中央點。 18. 如申請專利範圏第12項的反應器，進一步包括在該腔 中的一晶圓支播基座、與環繞該晶圓支撐基座的對焦 環，該一表面包括面對該電漿的該對焦瓖的外表面， 該電容淸潔電極包括背對該外表面的該對焦環的內表 面上之導霣層。 19·如申請專利範圍第12項的反應器，其中，該腔包括一 «壁，該反應器包括一與該側壁相分隔的導電性元件 ，該反應器進一步包括： 一 RF動力源，其於該晶圓處理期間，被連結横過該 側壁與該導電性元件，Μ促使從該側壁污染沉積物 的II炸。 20. 如申請專利範圍第19項的反應器，其中，該腔進一步 包括頂羞*其中： 該導電性元件包括安置於該側壁與該腔的頂蓋間的 氣醴分佈環。 21. 如申請專利範圍第14項的反應器，其進一步包括連结 至該感應天線的一霣漿源RF動力源供應器。 22. 如申請專利範圍第21項的反應器，其進一步包括連结 至該電容清潔«極的淸潔RF動力源供應器。 (請先閱讀背面之注意事I .V填寫本頁) 裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（2獻騰釐） — 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 23. 如申請專利範围第21項的反應器，其進一步包括連結 至該電容清潔電極的該感應天線上的薄片。 24. 如申請專利範圍第18項的反應器，其進一步包括連結 至該晶圔支播基座的傾壓RF動力源供應器。 25. 如申請專利範圍第24項的反應器，其進一步包括連結 31該霣容清潔電極的清潔RF動力源供應器。 26. 如申請專利範圍第24項的反應器，其進一步包括在該 晶鬮基座舆該電容清潔電棰間的連結。 27. 如申請專利範圍第22項的反應器，其中，該清潔RF動 力源供應器有一低於該電漿RF動力源供應器的頻率之 RF頻率，Μ限制RF動力源經由該電疲而由該電容清潔 電棰之滲出。 28. 如申請專利範圍第25項的反應器，其中，該清潔RF動 力源供醮器與該偏IERF動力源供應器產生不同相位的 RF訊號。 29 ·如申誚專利範圍第28項的反應器，其中，該不同的相 位是彼此相反。 30. 如申請專利範圍第12項的反豳器，其中，連結至該電 容清潔電極的該RF動力源的頻率，係低於連結至該導 體的該RF動力源，藉此，限制經由RF動力源之電漿由 該電容澝潔霣極之滲出。 31. 如申請專利範圍第12項的反應器，其中，連結至該電 容淸潔電極的該RF動力源的相位，係不同於連結至該 導體的該RF動力源的相位，藉此，在不同時間將來自 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 24 一 ---：—.----f (請先閲讀背面之注意k.杏填寫本頁 打 線· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 該霣漿之轟炸撤粒吸引至該晶圓與該一表面。 32. 如申誚專利範圍第12項的反應器，其中，達結至該導 體的該RF動力源，包括有可變電抗的反應性元件的RF 阻抗匹配網路，該RF阻抗匹配網路具有一可變之抗阻 之反應元件，其可在該電漿的阻抗改變之後；藉由RF 阻抗匹配器來調整，其中，連結至該電容清潔電極的 該RF動力源源，包括有一控制_入的RF動力源產生器 ，由此控制該RF產生器產生的RF動力源的量度大小， 該反應器進一步包括； 一回嫌處理器，其包括： (a)—輸入，在此值下定期测定該RF阻抗匹配 網路的該可變反應性元件的電抗；與 (b> — _出，連結至該RF產生器的該控制輪入 ，該回賸處理在該蠄出產生一錯誤訊號，此輪 出背對於該RF阻抗匹配網路的該可變反應性元 件的電抗改變。 33. —種供處理半導體晶圓的電漿反應器，該電漿反應器 有一供存放處理氣體的腔，與一連結至RF動力源源的 導體，此動力源將RF動力源偶合至該反應腔，Μ在該 腔内部由該處理氣體產生電漿來處理該晶圓，該腔包 括至少一曝露於該霣漿，且易受該晶圓處理期間產生 的撖粒污染彩V的表面*該霣漿反應器包括： 一RF動力源供醮器；與 供偶合之工件，其在該晶圓處理期間，將來自該供 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） n^i i n * · (請先間讀背面之注意事A.填寫本頁) 、1T 線 25 - 301840 Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 夂、申請專利範圍 應器之RF動力源偶合至該一表面的方法，藉此，促進 從該電漿至該一表面上之撤粒的轟炸，K移除在該晶 圓處理期間由其沉積之污染物。 34. 如申請専利範圍第33項的電漿反應器，其中，該供偶 極化的元件，包括接近該一表面的電容清潔電極，該 電容清潔電棰連結至該RF動力源供應器。 35. 如申_専利範圍第33項的電漿反應器，其中，該供偶 合之元件，包括從該RF動力源供應器直接將電流連接 至該一表面。 36. 如申請専利範圍第34項的電漿反應器，其中，將該霣 容清潔電極設置於背對該電漿的一表面的一側，如此 可Μ保護其不被該電漿接觸。 37· —棰在電漿反應器中處理半導鱧工件的方法，該電漿 反«器有一存放處理氣髏的腔，與一連结至RF動力源 的導體，以將RF動力源偁合至該反醮腔，Μ在該腔內 部由該處理氣體產生電漿，該腔包括至少一曝露於該 電漿，且易受該晶國處理期間產生的撤粒污染影響的 表面，該方法包括： 在該晶國處理期間，促進從由該電漿至該一表面之 撖粒轟炸，Κ移除在該晶圓處理期間由其所沉積的污 染物。 38.如申誧專利範圍第37項的方法，其中，促進轟炸的步 骤包括： 提供一 RF動力源供應器；與 ---------裝— ** (請先閱讀背面之注意^ί丹填寫本頁) ,ιτ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2!0Χ297公釐） -26 - 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 在該晶圓處理的期間，將RF動力源由該供應器偶 合至該一表面 II _'. 裝 n 訂 (請先閱讀背面之注意I:.舟填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 27
TW085107245A 1995-12-04 1996-06-15 RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers TW301840B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/567,376 US5817534A (en) 1995-12-04 1995-12-04 RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW301840B true TW301840B (en) 1997-04-01

Family

ID=24266907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085107245A TW301840B (en) 1995-12-04 1996-06-15 RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5817534A (zh)
EP (1) EP0778607B1 (zh)
JP (1) JPH09181057A (zh)
KR (1) KR100430644B1 (zh)
AT (1) ATE224584T1 (zh)
DE (1) DE69623731T2 (zh)
TW (1) TW301840B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI633573B (zh) * 2016-03-03 2018-08-21 大陸商中微半導體設備（上海）有限公司 Plasma processing device and method

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2737720B2 (ja) * 1995-10-12 1998-04-08 日本電気株式会社 薄膜形成方法及び装置
US6749717B1 (en) 1997-02-04 2004-06-15 Micron Technology, Inc. Device for in-situ cleaning of an inductively-coupled plasma chambers
US5942039A (en) * 1997-05-01 1999-08-24 Applied Materials, Inc. Self-cleaning focus ring
EP0883162A3 (en) * 1997-06-05 2001-04-18 Sizary Limited Semiconductor wafer cleaning apparatus
US6379575B1 (en) * 1997-10-21 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Treatment of etching chambers using activated cleaning gas
US6797188B1 (en) 1997-11-12 2004-09-28 Meihua Shen Self-cleaning process for etching silicon-containing material
US6872322B1 (en) * 1997-11-12 2005-03-29 Applied Materials, Inc. Multiple stage process for cleaning process chambers
US6042654A (en) * 1998-01-13 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Method of cleaning CVD cold-wall chamber and exhaust lines
US6067999A (en) * 1998-04-23 2000-05-30 International Business Machines Corporation Method for deposition tool cleaning
US6010967A (en) * 1998-05-22 2000-01-04 Micron Technology, Inc. Plasma etching methods
US6461970B1 (en) * 1998-06-10 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby
US6349670B1 (en) * 1998-11-30 2002-02-26 Alps Electric Co., Ltd. Plasma treatment equipment
KR100542459B1 (ko) * 1999-03-09 2006-01-12 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법
AU767161B2 (en) * 1999-08-20 2003-10-30 Kaneka Corporation Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
KR100415435B1 (ko) 1999-09-21 2004-01-31 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조장치
US6291358B1 (en) 1999-10-15 2001-09-18 Micron Technology, Inc. Plasma deposition tool operating method
KR20010056655A (ko) * 1999-12-16 2001-07-04 황 철 주 반도체 소자 제조 장치
US6518190B1 (en) 1999-12-23 2003-02-11 Applied Materials Inc. Plasma reactor with dry clean apparatus and method
TW518686B (en) 1999-12-29 2003-01-21 Tokyo Electron Ltd System for automatic control of the wall bombardment to control wall deposition
KR100502268B1 (ko) * 2000-03-01 2005-07-22 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치 및 방법
US6564810B1 (en) * 2000-03-28 2003-05-20 Asm America Cleaning of semiconductor processing chambers
US6531030B1 (en) * 2000-03-31 2003-03-11 Lam Research Corp. Inductively coupled plasma etching apparatus
TW478026B (en) * 2000-08-25 2002-03-01 Hitachi Ltd Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield
TW506234B (en) * 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
JP4109861B2 (ja) * 2000-12-12 2008-07-02 キヤノン株式会社 真空処理方法
KR20020061814A (ko) * 2001-01-18 2002-07-25 엘지전자주식회사 플라즈마 중합장치 전극구조
KR20030056522A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 동부전자 주식회사 반도체 공정 쳄버의 제어 장치
US6828241B2 (en) * 2002-01-07 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Efficient cleaning by secondary in-situ activation of etch precursor from remote plasma source
US20040025791A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-12 Applied Materials, Inc. Etch chamber with dual frequency biasing sources and a single frequency plasma generating source
US20040040662A1 (en) * 2002-08-28 2004-03-04 Manabu Edamura Plasma processing method and apparatus for etching nonvolatile material
US6716765B1 (en) * 2002-11-12 2004-04-06 Novellus Systems, Inc. Plasma clean for a semiconductor thin film deposition chamber
US20040200498A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a substrate processing chamber
WO2004095555A1 (ja) * 2003-04-22 2004-11-04 Tokyo Electron Limited 熱処理装置のクリーニング方法
KR20040107983A (ko) * 2003-06-16 2004-12-23 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
US20050106873A1 (en) * 2003-08-15 2005-05-19 Hoffman Daniel J. Plasma chamber having multiple RF source frequencies
US7431857B2 (en) * 2003-08-15 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Plasma generation and control using a dual frequency RF source
US7510665B2 (en) * 2003-08-15 2009-03-31 Applied Materials, Inc. Plasma generation and control using dual frequency RF signals
US7838430B2 (en) * 2003-10-28 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Plasma control using dual cathode frequency mixing
US7446335B2 (en) * 2004-06-18 2008-11-04 Regents Of The University Of Minnesota Process and apparatus for forming nanoparticles using radiofrequency plasmas
US20060027329A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-09 Sinha Ashok K Multi-frequency plasma enhanced process chamber having a torroidal plasma source
JP4758159B2 (ja) * 2005-07-19 2011-08-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング装置および微粒子除去方法
US7695633B2 (en) * 2005-10-18 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor
KR100733080B1 (ko) 2006-01-03 2007-06-29 삼성전자주식회사 식각장치
US8911590B2 (en) * 2006-02-27 2014-12-16 Lam Research Corporation Integrated capacitive and inductive power sources for a plasma etching chamber
US20070246163A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with independent capacitive and inductive plasma sources
US7780864B2 (en) * 2006-04-24 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion radial distribution
US20070245958A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source for controlling ion radial distribution
US20070245960A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion density
US7264688B1 (en) 2006-04-24 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with independent capacitive and toroidal plasma sources
US7645357B2 (en) * 2006-04-24 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with a VHF capacitively coupled plasma source of variable frequency
US20070245961A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source for controlling plasma ion dissociation
US20070246161A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with a toroidal plasma source and a VHF capacitively coupled plasma source with variable frequency
US20070246443A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Process using combined capacitively and inductively coupled plasma process for controlling plasma ion dissociation
US7727413B2 (en) * 2006-04-24 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source to control plasma ion density
US20070246162A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with an inductive plasma source and a VHF capacitively coupled plasma source with variable frequency
US7550090B2 (en) * 2007-01-23 2009-06-23 Applied Materials, Inc. Oxygen plasma clean to remove carbon species deposited on a glass dome surface
JP5281766B2 (ja) * 2007-07-31 2013-09-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
US7736914B2 (en) * 2007-11-29 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Plasma control using dual cathode frequency mixing and controlling the level of polymer formation
US8118946B2 (en) 2007-11-30 2012-02-21 Wesley George Lau Cleaning process residues from substrate processing chamber components
KR100919487B1 (ko) * 2009-01-22 2009-09-28 주식회사 맥시스 플라즈마 처리 장치
JP5451324B2 (ja) * 2009-11-10 2014-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5198616B2 (ja) * 2011-03-28 2013-05-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US9209032B2 (en) * 2013-03-15 2015-12-08 Tokyo Electron Limited Electric pressure systems for control of plasma properties and uniformity
JP6539113B2 (ja) * 2015-05-28 2019-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
WO2020166048A1 (ja) 2019-02-15 2020-08-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ ガス成分のモニタ方法及びその装置並びにそれを用いた処理装置
US20220349050A1 (en) * 2021-04-30 2022-11-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus with high conductance components for chamber cleaning

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07100348B2 (ja) * 1987-07-13 1995-11-01 三菱化学株式会社 フィルムの製造方法
JPH029115A (ja) * 1988-06-28 1990-01-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
US5057185A (en) * 1990-09-27 1991-10-15 Consortium For Surface Processing, Inc. Triode plasma reactor with phase modulated plasma control
JPH0562936A (ja) * 1991-09-03 1993-03-12 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法
US5425842A (en) * 1992-06-09 1995-06-20 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device using a chemical vapour deposition process with plasma cleaning of the reactor chamber
US5252178A (en) * 1992-06-24 1993-10-12 Texas Instruments Incorporated Multi-zone plasma processing method and apparatus
US5286297A (en) * 1992-06-24 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Multi-electrode plasma processing apparatus
JP2674488B2 (ja) * 1993-12-01 1997-11-12 日本電気株式会社 ドライエッチング室のクリーニング方法
DE69531880T2 (de) * 1994-04-28 2004-09-09 Applied Materials, Inc., Santa Clara Verfahren zum Betreiben eines CVD-Reaktors hoher Plasma-Dichte mit kombinierter induktiver und kapazitiver Einkopplung
US5514246A (en) * 1994-06-02 1996-05-07 Micron Technology, Inc. Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor
US5585012A (en) * 1994-12-15 1996-12-17 Applied Materials Inc. Self-cleaning polymer-free top electrode for parallel electrode etch operation
US5523261A (en) * 1995-02-28 1996-06-04 Micron Technology, Inc. Method of cleaning high density inductively coupled plasma chamber using capacitive coupling

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI633573B (zh) * 2016-03-03 2018-08-21 大陸商中微半導體設備（上海）有限公司 Plasma processing device and method

Also Published As

Publication number Publication date
ATE224584T1 (de) 2002-10-15
KR100430644B1 (ko) 2004-09-16
US5817534A (en) 1998-10-06
DE69623731T2 (de) 2003-06-05
DE69623731D1 (de) 2002-10-24
EP0778607A1 (en) 1997-06-11
EP0778607B1 (en) 2002-09-18
KR970052753A (ko) 1997-07-29
JPH09181057A (ja) 1997-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW301840B (en) RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers
JP5554705B2 (ja) 基材処理のための方法および装置
CN101512734B (zh) 为基板处理调节边缘环电势的装置及方法
TWI455204B (zh) 基板處理用之邊緣環裝置
KR101342319B1 (ko) 플라즈마 에칭 챔버를 위한 통합된 용량성 전원과 유도성 전원
TW451307B (en) Apparatus for improved power coupling through a workpiece in a semiconductor wafer processing system
US6518190B1 (en) Plasma reactor with dry clean apparatus and method
JP4610191B2 (ja) プラズマを生成するための手順および装置
JP5175302B2 (ja) ウエハ端部の処理方法及び処理装置
JP2006511059A (ja) 半導体チャンバ、及びプラズマ処理チャンバ内のプラズマの制御方法
TW201316399A (zh) 電漿腔室之充電柵
US7153387B1 (en) Plasma processing apparatus and method of plasma processing
JP2007042818A (ja) 成膜装置及び成膜方法
TWI250550B (en) Plasma processing method and plasma processor
CN105632863B (zh) 等离子刻蚀装置
CN100355039C (zh) 等离子体处理装置
US20090176381A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
US20220399184A1 (en) Plasma uniformity control in pulsed dc plasma chamber
US20040040662A1 (en) Plasma processing method and apparatus for etching nonvolatile material
JPWO2008032627A1 (ja) ドライエッチング方法
TW201842532A (zh) 有機材料的自我限制蝕刻之實行程序
JPH0776781A (ja) プラズマ気相成長装置
JPH1064883A (ja) プラズマ装置
JPS62188777A (ja) バイアススパツタリング装置
KR100501823B1 (ko) 플라즈마 발생 방법 및 그 장치