KR100430644B1 - 반도체웨이퍼의처리중에세척하기위한세척용전극을구비한rf플라즈마반응기 - Google Patents
반도체웨이퍼의처리중에세척하기위한세척용전극을구비한rf플라즈마반응기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100430644B1 KR100430644B1 KR1019960061474A KR19960061474A KR100430644B1 KR 100430644 B1 KR100430644 B1 KR 100430644B1 KR 1019960061474 A KR1019960061474 A KR 1019960061474A KR 19960061474 A KR19960061474 A KR 19960061474A KR 100430644 B1 KR100430644 B1 KR 100430644B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plasma
- cleaning
- power
- wafer
- capacitive electrode
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 108
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 76
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 70
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 26
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 3
- 108091027981 Response element Proteins 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical class Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 206010003497 Asphyxia Diseases 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리를 위한 플라즈마 반응기에서 수행되는데, 상기 플라즈마 반응기는 처리 가스를 포함하는 챔버와, 상기 챔버내의 플라즈마가 상기 처리가스로부터 발생하도록 상기 반응기 챔버에 RF전력을 공급하는 RF전원에 연결된 컨덕터를 구비하며, 상기 챔버는 상기 플라즈마쪽으로 노출되어 상기 웨이퍼의 처리중에 발생된 입자에 의한 오염의 영향을 받기쉬운 적어도 하나의 표면을 포함하며, 본 발명은 웨이퍼의 처리중에 용착된 오염물질을 제거하기위해 플라즈마로부터 한 표면으로의 입자의 충격을 웨이퍼의 처리중에 촉진시키므로서 수행된다. 이러한 충격의 촉진은 RF 전원공급장치를 제공하고, 웨이퍼의 처리중에 상기 전원공급장치로부터의 RF전력을 한 표면에 공급(커플링)시키므로서 수행된다. 상기 공급은 한 표면에 인접한 용량성 클린닝 전극에 의해 수행되며, 이때 상기 용량성 클린닝 전극은 RF전원공급장치에 연결된다. 용량성 클린닝 전극은 플라즈마와의 접촉으로부터 보호되도록 플라즈마에 대향하는 한 표면의 측면에 위치된다. 다음으로 공급은 RF전원공급장치로부터 한 표면으로의 전기적인 직렬연결로서 이루어진다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼의 처리 중에 플라즈마 반응기를 세척하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
여러 반도체 웨이퍼의 제조 공정은 반도체 챔버 벽에 용착(deposit)된 오염 물질을 방치한 채로 RF 플라즈마 반응기에서 수행되는데, 이러한 오염물질이 축적은 반도체 장치의 생산에 해가되는 이물질의 원인이 된다. 장치 내에서 반도체 웨이퍼에 형성된 마이크로 회로의 소자 크기가 상당히 축소되며, 웨이퍼상의 오염물질의 용착으로 인한 장치의 고장 가능성이 증가된다.
반도체 공정 챔버의 벽에 쌓인 오염물질의 용착은 금속 에칭 공정이 챔버 내에서 이루어질 때 특히 중요해질 수 있다. 특히, 알루미늄 패턴의 에칭 시에 쌓인 오염물질은 비교적 큰 축적물을 형성한다. 이러한 알루미늄 막은 일반적으로 플라즈마 성분으로서, 할로겐 및 할로겐화 탄소 가스를 함유하는 여러 반응가스를 사용하여 에칭된다. 좀더 명확히 말해서, 에칭된 가스로는 주로 염소 함유 가스, 염소 및 붕소 3염화물이 이용되고, 에칭시 휘발성 알루미늄 염화 화합물이 형성될 수 있으며, 상기 휘발성 화합물은 제공된 진공에 의해 에칭 처리 챔버로부터 제거될 수있다. 그러나, 휘발성 알루미늄 염화 화합물의 형성과 동시에, 에칭 처리 챔버에서 존재하는 산소 및 수증기 또는 패터닝 포토레지스트로부터의 유기류와 반응할 수 있는 다른 활성의 염소-함유류 및 붕소-함유류가 형성되어, 처리 챔버의 내부 벽면에 비교적 다량의 오염물질이 최종적으로 생성되는 비휘발성 입자 조성물이 형성된다. 이러한 비휘발성 입자 조성물들은 초기에 요소에 느슨하게 부착된 입자의 형태로 에칭 챔버내부와 이 챔버의 내부 표면에 용착되어 남기 쉽다. 느슨하게 부착된 용착물들은 그 내부 표면으로부터 쉽게 벗겨져 떨어짐으로써 웨이퍼 표면에 부착되어 오염을 야기하고 웨이퍼 부품의 결함을 초래한다. 또한 시간이 지남에 따라 비휘발성 입자 용착물은 포토레지스터와 탄소-함유 에천트 가스(에칭 공정의 부산물)로부터 발생된 중합물질과 결합됨으로써 축적되어 에칭 챔버의 측벽과 다른 내부 표면에 오염 용착물을 형성한다. 챔버 벽에 대한 상기 오염물질의 축적은 처리 중에 반도체 부품의 오염 가능성을 증가시킨다. 이러한 조건하에 잠재적으로 결함있는 웨이퍼의 처리를 피하기 위해, 챔버는 주요 세척 동작을 수행하기 위해 주기적으로 동작을 멈추어야 한다.
공지된 플라즈마 챔버 세척 방법은 플라즈마 에칭 챔버를 개방하는 단계, 상기 챔버의 일부를 분리하는 단계, 및 물리적 또는 화학적 방법으로 오염 용착물을 제거하는 단계를 포함하고 있다. 예를 들어 챔버는 여러 오염물질이 분해되도록 염화수소산 용액으로 씻어 내거나 용매로 손수 씻어낸다. 선택적으로 에칭 챔버는 물로 닦아서 건조시킬 수 있다. 잔류물이나 부착된 오염물질이 축적되는 경우에 진공(vacuum 또는 suffocation)이 감소되기 때문에, 진공 배기 채널과 펌프 시스템에 동일한 세척 방법이 적용된다. 이런 모든 세척 방법은 복잡하고 파괴적이며, 시간이 소모되며 부가적인 오염의 원인이 될 수 있다. 더욱이 이러한 대다수의 세척 방법은 플라즈마 반응기에 대해 24시간의 생산 시간이 손실되며 과도한 비용이 소모된다.
플라즈마-강화 건식 세척 공정에서, 메탈 에칭 반응 챔버의 내부 벽에 부착된 오염 물질은 탄소 4염화물과 산소를 이용한 플라즈마 에칭방법으로 제거된다. 그러나 현재 공지된 플라즈마-강화 건식 세척 시스템은 금속 에칭 공정에서 소요되는 시간의 약 5%-10%와 동일한 건식 세척 시간을 요구한다. 더욱이, 종래의 챔버 세척 방법은 플라즈마 에칭된 할로겐화 가스가 사용되지만 산화제도 사용된다. 이러한 산화제 또는 산화 화합물은 단점을 갖는다. 예를 들어, 할로겐화 화합물과 산소 또는 산소-함유 가스를 함유하는 금속 에칭 건식 세척 처리법은 챔버 내에서 오염물질도 존재하는 분말형의 알루미늄 옥시할로겐화 부산물의 형성으로 인해 바람직하지 않은 것으로 알려져 있다.
본 발명의 목적은 챔버를 세척하기 위해, 웨이퍼를 처리하는데 이용되는 동일한 가스를 이용하여 웨이퍼를 처리하면서, 동시에 반응기를 세척하는데 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 측면도.
도 2는 도 1의 제 1 실시예의 반응기의 천장에 있는 세척용 용량성 전극 패턴의 평면도.
도 3은 챔버 내부 표면의 바이어스 전위 함수로서 상기 챔버 내부 표면상의 오염물의 용착율을 나타내는 그래프도.
도 4는 웨이퍼 지지대에 인가된 바이어스 RF 전압과 상기 웨이퍼 지지대를 둘러싸는 포커스 링의 용량성 전극에 인가된 RF 전압의 시간에 대한 파형도.
도 5는 본 발명의 세척용 용량성 전극에 인가된 RF 전원을 자동으로 조절하기 위한 처리기의 예시적인 개략도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예의 측면도.
도 7은 도 6의 제 2실시예의 반응기의 천장에 있는 세척용 용량성 전극 패턴의 평면도.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예의 측면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 챔버 30 : 웨이퍼 지지대
35 : 반도체 웨이퍼 40 : 가스 주입구
70 : 포커스 링 75 : 가스 분배 링
80 : 세척용 용량성 전극 125 : 피드백 처리기
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리를 위한 플라즈마 반응기에서 수행되는데, 상기 플라즈마 반응기는, 처리 가스를 포함하는 챔버와, 상기 챔버내의 플라즈마가 상기 처리가스로부터 발생하도록 상기 반응기 챔버에 RF 전원을 공급하는 RF 전원에 연결된 도체를 구비하며, 상기 챔버는 상기 플라즈마 쪽으로 노출되어 상기 웨이퍼의 처리 중에 발생된 입자로 인한 오염에 영향을 받기 쉬운 적어도 하나의 표면을 포함하며, 본 발명은 웨이퍼의 처리 중에 용착된 오염물질을 제거하기 위해, 웨이퍼의 처리중 플라즈마로부터 한 표면으로의 입자의 충돌을 촉진시킨다. 이러한 충돌의 촉진은 RF 전원공급장치를 제공하고, 웨이퍼의 처리중에 상기 전원 장치로부터의 RF 전원을 한 표면에 공급(coupling)함으로써 수행된다.
상기 공급은 한 표면에 인접한 세척용 용량성 전극에 의해 수행되며, 이때 상기 세척용 용량성 전극은 RF 전원공급장치에 연결된다. 세척용 용량성 전극은 플라즈마와의 접촉으로부터 보호되도록 플라즈마에 대향하여 한 표면의 일측에 위치된다. 다음으로 상기 공급은 RF 전원공급장치로부터 한 표면으로의 전기적인 직렬연결로서 이루어진다.
전형적으로, 한 표면의 오염은 특정한 용착속도에서 발생되며, 이러한 오염은 특정한 용착속도가 적어도 거의 오프셋되는 한 표면에서 충돌속도에 대응하는 레벨로 세척용 용량성 전극에 인가된 RF 전원을 조절하는 것이 바람직하다.
일실시예에서, 상기 용량성 전극에 인가된 RF 전원은 도체에 연결된 RF 전원의 주파수보다 낮은 주파수를 갖는다.
다른 실시예에서, 세척용 용량성 전극에 인가된 RF 전원은 도체에 인가된 위상과 다른 위상을 갖기 때문에, 충돌입자는 웨이퍼에 충돌하기 위해 플라즈마로부터 소모될 때와 다른 시간에 한 표면을 세척하기 위한 플라즈마로부터 소모된다.
세척용 용량성 전극에 인가된 RF 전원은 한 표면에서의 충돌속도가 상기 한표면에서 입자의 용착속도를 오프셋하는지 아닌지의 여부를 감지하며, 충돌속도가 용착속도 이하로 떨어질 때마다 세척용 용량성 전극에 인가된 RF 전원을 증가시킴으로써 조절될 수 있다. 더욱이, 세척용 용량성 전극의 RF 전원은 한 표면이 제거(ablating)되는 것을 피하기 위해 제한될 수 있다. 플라즈마는 한 표면에서 플라즈마로부터 용착된 입자의 축적으로 변화하는 특성 RF 임피던스를 갖는다. 충돌속도가 용착속도를 오프셋하는지 아닌지의 여부를 감지하는 것은 플라즈마의 상기 RF 임피던스의 변화를 감지하는 것을 포함한다.
세척용 용량성 전극의 RF 전원의 조절은 피드백 처리기에 의해 자동적으로 조절될 수 있는데, 상기 피드백 처리기는 (a) 플라즈마 전력 공급 또는 플라즈마 바이어스 공급의 RF 임피던스 정합 네트워크의 가변 반응 성분의 리액턴스가 주기적으로 감지되는 입력과, (b) 세척용 용량성 전극을 구동하는 RF 발생기의 전력 레벨 제어 입력에 연결된 출력을 포함하며, 또한 상기 피드백 처리기는 RF 임피던스 정합 네트워크의 가변 반응 성분의 리액턴스의 변화에 대응하여 출력에서 에러신호를 발생시킨다.
반응기는 챔버 내에서 웨이퍼 지지대(pedestal)를 포함하고, 상기 챔버는 웨이퍼 지지대 위에 놓인 천장을 포함하며, 상기 표면은 천장의 내부 표면을 포함하고, 세척용 용량성 전극은 천장의 외부 표면에 인접한 박막 전도층을 포함한다. 상기 전도층은 천장의 외부 표면에 인접한 유도성 안테나일 수 있고 박막 전도층은 유도성 안테나보다 천장에 더 가깝다. 이 경우에, 박막 전도층은 유도성 안테나로부터 상기 박막 전도층을 통해 챔버에 RF 전원의 유도 결합이 가능하게 하는 다수의 개구(aperture)를 갖는다. 박막 전도층은 개구에 의해 분리되고 별 모양으로 방사하는 중앙 정점에 연결된 다수의 아암을 가질 수도 있다.
그 대안으로 세척용 용량성 전극은 웨이퍼 지지대 상의 웨이퍼를 둘러싸는 포커스 링의 내부 표면의 전도층일 수도 있다.
챔버 측벽을 세척하기 위하여, 반응기는 측벽으로부터 용착되는 오염 물질의 충돌을 증가시키기 위해 측벽에 연결된 RF 전원을 더 포함할 수 있다.
천장에 가까운 세척용 용량성 전극에 연결된 세척 RF 전원 공급을 유도성 안테나에 연결된 플라즈마 RF 전원 공급의 RF 주파수보다 낮은 RF 주파수를 가질 수 있다.
세척용 용량성 전극에 연결된 RF 전원은 유도성 안테나에 연결된 RF 전원과 다른 위상일수 있기 때문에, 플라즈마로부터 웨이퍼로 그리고 다른 때에는 한 표면으로 충돌입자를 끌어당긴다.
도 1을 보면, 플라즈마 반응기는 원통형 측벽(20)과 반구형의 천장(25)을 갖는 밀봉부 벽(15)에 의해 한정된 진공 챔버(10)를 포함한다. 상세히 후술되는 본 발명은 특별한 천장 모양에 한정되는 것이 아니라 도 1에 도시한 반구형의 천장 이외의 반응기 챔버 천장에 적용할 수 있다는 것을 이해해야 한다. 웨이퍼 지지대(30)는 처리될 반도체 웨이퍼(35)를 지지한다. 가스 주입구(40)는 플라즈마 전구(precursor) 가스를 챔버(10)에 공급한다. 유도성 안테나(45)는 천장(25)위에 위치된다. 특별한 경우에 유도성 안테나(45)는 나선형의 권선 코일이지만, 다른 형태의 유도성 안테나(45)가 본 발명을 수행하는데 이용될 수 있다. RF 플라즈마 전원 발생기(50)는 종래의 RF 임피던스 정합 네트워크(55)를 통해 유도성 안테나(45)에 연결된다. RF 바이어스 전원 발생기(60)는 종래의 다른 RF 임피던스 정합 네트워크(65)를 통해 유도 웨이퍼 지지대(30)에 연결된다. 웨이퍼(35)의 처리는 웨이퍼 지지대(30)의 코너에 놓이며 웨이퍼(35)를 둘러싸는 플라즈마 포커스 링(70)에 의해 강화된다. 웨이퍼(35)의 처리는 챔버(10)의 하부와 상부를 분리하는 가스 분배 링(75)에 의해 더욱 강화된다. 본 발명은 포커스 링(70)또는 가스 분배 링(75)을 가지거나 또는 없이도 수행될 수 있다. 대신에 RF-전력 전도형 원통 챔버 라이너(liner : 76 : 대시라인으로 표시되어 있음)는 측벽(20)의 내부에 인접하게 제공될 수 있지만 이로부터 절연될 수 있다. 챔버 라이너(76)에 인가된 RF 전원은 전술한 RF 전원전력 및 RF 바이어스 전력과는 다른 주파수가 될 수 있다.
상술한 바와 같이, 도 1에 도시한 형태의 플라즈마 반응기의 생산량과 처리량은 챔버의 내부를 세척하기 위해, 그리고 웨이퍼의 플라즈마 처리중에 챔버의 내부 표면에 축적되는 부산 오염물을 처리하는 플라즈마를 제거하기 위해 주기적으로 차단되는 웨이퍼 처리의 필요성에 의해 한정된다. 그러한 오염 물질은 상술한 바와 같이 플라즈마와 웨이퍼(35)상의 재료 사이의 상호작용에 의해 형성된다. 예를 들어, 도 1의 플라즈마 반응기가 웨이퍼로부터 금속 박막을 에칭하는데 이용되면, 염소-함유 처리 가스는 챔버 가스 주입구(40)를 통해 공급된다. 일 예로서, 플라즈마를 발생시키기 위해 약 2.0MHz에서 200 및 1000와트 사이의 크기인 플라즈마 전원 전력이 코일 인덕터에 인가되는 반면, 13.56MHz의 바이어스 RF 전원 및 약 1/2 전원 전력은 웨이퍼 표면에 가까운 플라즈마 이온의 에너지를 제어하기 위해 웨이퍼지지대에 인가된다. 결과적으로 염소-함유 플라즈마는 챔버의 내부 표면상에서 중합될 수 있는 탄소-함유 중합체가 형성되도록 웨이퍼상의 금속 박막 위에 패턴화된 포토레지스트층과 상호 작용한다. 플라즈마가 불소를 함유하면, 챔버내부 표면에 축적된 후 제거하기에 곤란한 알루미늄 불화 오염 물질이 생성되며, 이런 이유로 웨이퍼 처리중에 플라즈마내의 불소를 사용하는 것은 바람직하지 못하다. 그러나, 웨이퍼 처리동작이 챔버 세척 중에 일시 정지되었을 때, 반응기 내부를 세척하는데 요구되는 시간을 최소화하기 위하여 가능한 속도까지 세척 처리 속도가 증가되도록 불소 화학성질을 이용하는 것이 바람직하다. 불행하게도, 세척중 플라즈마내의 불소의 사용은 세척 동작이 개시될 때 챔버 내에 일부 알루미늄이 남는다면 알루미늄 불화 오염물질의 제거가 여전히 어려워진다.
본 발명은 웨이퍼 처리중 챔버 내부 표면을 세척하기 위해 동작되므로, 보통의 챔버 세척 동작을 수행하기 위해 웨이퍼 처리가 주기적으로 중지될 필요성을 감소시키거나 제거시킨다. 본 발명의 이점은 불소 화학성질의 이용이 웨이퍼 처리중 챔버 내부 표면을 세척하는데 전혀 필요치 않다는 것이다. 따라서, 제거하기 어려운 알루미늄 불화 오염물질이 형성되지 않도록 한다. 물론, 주요한 이점은 웨이퍼 처리가 종래 기술에서와 같이 차단될 필요가 없기 때문에, 플라즈마 반응기의 생산량과 처리량은 상당히 증가된다.
본 발명은 웨이퍼 처리중 챔버 내부 표면상에 용착된 오염물질을 제거하거나 감소시킴으로써 웨이퍼 처리중 내부 챔버 표면을 세척한다. 이것은 플라즈마로부터 발생된 중이온(heavy ion)과 상호작용하는 전계를 세척될 표면 가까이에 발생시켜이루어지는데, 이 중이온은 웨이퍼 처리중 오염물질이 달리 용착되는 속도에 대응하는 속도로 이전에 용착된 오염물질에 충돌하거나 이 오염물질을 제거시키기 위해 상기 표면에 충돌하게 된다. 결과적으로 플라즈마 처리 부산물인 오염물이 특정 속도로 표면에 용착되기 때문에, 이 오염물은 같은 속도로 또는 적어도 유사한 속도로 이상적으로 상기 표면에 충돌하므로 상기 표면에 오염물은 거의 축적되지 않거나 전혀 축적되지 않는다. 충돌속도는 전계의 크기에 의해 결정되기 때문에 전계는 오염물의 용착속도와 충돌속도가 정확히 균형에 도달될 때까지 이상적으로 조절된다.
예를 들어, 웨이퍼 처리중에 천장(25)을 세척하기 위하여, RF-구동 세척용 용량성 전극(80)은 천장(25)의 외부 표면 위에 위치된다. 세척용 용량성 전극(80)에 인가된 RF 바이어스 전위는 천장(25)의 내부 표면을 향해 플라즈마내의 이온이나 라디컬을 끌어당기며, 그 결과 상기 이온이나 라디컬은 상기 표면에 충돌하여 용착된 오염물을 제거한다. 도 1의 실시예의 세척용 용량성 전극(80)은 도 2의 평면도에 도시한 바와 같이 종래의 RF 임피던스 정합 네트워크(90)를 통해 제 1 세척용 RF 전극 발생기(85)에 연결된 다수의 전도형 스트립(80a)을 구성한다. 전도형 스트립(80a)은 한번의 공정으로 천장(25)의 외부 표면에 부착된 박막 전도형 부착 스트립이 될 수 있다. 인접한 스트립(80a) 사이의 간격은 유도성 안테나의 자계가 세척용 용량성 전극의 와전류(eddy current)의 형성을 방지하기에 충분하고 세척용 용량성 전극을 통해 유도성 안테나로부터 RF 자계의 전송을 허용하기에 충분해야 한다. 다음에 도 8에서 후술하는 바와 같이, 세척용 용량성 전극(80)은 유도성 코일 안테나(45)의 선택 권선으로부터의 탭 RF 전원일 수 있다. 따라서, 세척용 용량성 전극(80)에 대한 별도의 RF 전원은 불필요하다.
세척용 용량성 전극(80)에 인가된 RF 전원은 도 1의 실시예에서 별도의 RF 발생기(85)의 RF 전원 레벨을 조절하거나 도 8의 실시예에서 코일 탭을 이동시킴으로써 오염물의 용착속도 및 충돌속도 사이의 균형 요건을 성취하도록 바람직하게 조절된다. 용착과 충돌속도 사이의 균형이 어떻게 성취되는지는 문제의 표면에서 바이어스 전위(가로 좌표)의 함수로서 용착속도(세로좌표)를 나타내는 도 3을 참고로 가장 잘 이해될 것이다. 세로좌표의 음의 부분은 "음" 위치 영역이며, 달리 표현해서 소거 영역이다. 이 영역은 소거되는 것이 표면상의 오염물질만 아니라 표면의 아래 놓이는 물질을 포함하는 모든 물질이기 때문에 어떻게 해서든 바람직하게 방지되야 한다. 도 3은 첫째로 표면 전위가 0부터 증가되기 때문에 용착속도가 증가하는 것을 나타낸다. 이것은 표면상에 용착된 입자와 물질간의 강한 결합을 성취하는데 어떤 최소의 운동 에너지를 필요로 하고, 이 운동 에너지가 바이어스 전위와 함께 증가되기 때문이다. 그 다음에, 임의의 RF 바이어스 전위 이상에서는 바이어스 전위가 증가함에 따라 용착속도가 감소된다. 이것은 대응하는 입자의 운동에너지로서 용착과정을 더 이상 강화시키지 않고 충돌입자가 이전에 용착된 입자를 해체시키는 충돌속도를 증가시키기 때문이다. 따라서, 충돌과정은 용착과정에 비해 떨어진다. 이것은 바이어스 전위에서 훨씬 더 증가하기 때문에, 전체 용착속도는 이 속도가 최종적으로 0점(곡선이 횡축과 교차하는 지점)에 도달할 때까지 계속 감소하는데, 이 0점은 충돌속도가 정확히 용착속도와 정합하는 이상적인 지점이다.이것은 이 지점에서 오염물질의 축적이 없기 때문에 이상적이다. 더욱이 바이어스 전위의 증가로 음의 용착속도가 얻어지는데, 이 음의 용착속도는 상기한 바와 같이 충돌과정이 챔버 내부의 아래 놓이는 물질의 소거를 개시하기 때문에 바람직하지 못하다. 그러한 물질은 신속히 벗겨져야 되고 대체하는데 비용이 많이 든다. 따라서, 본 발명은 영역에 가까운 위치에서, 그러나 도 3의 가로축(정확한 위치는 아니지만)의 적어도 약간 위에서 바람직하게 동작한다. 시행착오를 거친 방법은 이상적인 조건(오프셋 용착 및 충돌속도)이 성취될 때까지 세척용 용량성 전극(80)에 인가된 RF 전원을 변화시키는데 이용될 수 있다. 이상적인 조건을 자동적으로 유지하는 기술방법이 이하 기술되어 있다.
세척용 용량성 전극(80)은 유도성 안테나에 인가된 RF 전원 보다 낮은 RF주파수에서 구동될 수 있다.
또 다른 예에서와 같이, 포커스 링(70)의 외부 표면이 웨이퍼 처리중 세척되면, 세척용 용량성 전극(100)은 포커스 링(70)의 내부 표면(70a)에 위치될 수 있다. 내부 표면(70a)은 플라즈마에 노출되지 않는다. RF 전원은 RF 발생기(105)에 의해 RF 임피던스 정합 네트워크(110)를 통해 세척용 용량성 전극(100)에 인가된다. 선택적으로, 세척용 용량성 전극은 바이어스 발생기(60)에 의해 전력이 공급되도록 웨이퍼 지지대(30)에 직접 연결되며, 그 결과 도 8을 참고로 후술하는 바와 같이, 별도의 RF 발생기(105) 및 정합 네트워크(110)는 불필요해진다. 그러나 충돌속도는 최적의 웨이퍼 처리중에 요구되는 웨이퍼상의 바이어스 전력 레벨을 변경하지 않고 도 3에 관하여 상술한 바와 같이 오염물의 용착속도가 정확히 오프셋되도록 조절될 수 있도록 하기 위해, 별도의 RF 발생기(105)와 세척용 용량성 전극(100)을 독립적으로 구동하는 것이 바람직하다.
상기 세척용 전극(100)이 이상적인 웨이퍼 처리조건을 방해하는 것을 방지하기 위해, 별도의 RF 발생기(105)에 의해 세척용 용량성 전극(100)에 인가된 RF 전원은 RF 발생기(60)에 의해 웨이퍼 지지대(30)에 인가된 것과 다른 위상 또는 주파수를 갖는다. 세척용 용량성 전극(100)의 동작이 에칭 반응기내의 웨이퍼 처리를 방해할 수 있는 한가지 방법은 웨이퍼 표면으로부터 멀리 그리고 보호될 표면(예를 들면, 포커스 링(70)의 외부 표면)쪽으로 플라즈마 이온 및 라디컬을 전환하는 것이다. 그러한 이온과 라디컬은 한편으로 에칭 처리를 강화하기 위해 웨이퍼 표면과 상호작용하는데 유용해질 수 있다. 그러한 이온 및 라디컬의 전환인 웨이퍼에칭 과정에서의 영향을 감소시키키 위해, 세척용 용량성 전극(100)에 인가된 RF 신호의 위상은 웨이퍼 지지대에 인가된 RF 신호와 180도로 위상이 변위된다. 이 경우에 2개의 신호는 동일한 주파수이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 지지대(30)(실선 커브)에 인가된 RF 신호가 양의 최대치일 때마다, 세척용 용량성 전극(100)(대시 라인 커브)의 RF 신호는 음의 최대치 및 그 역이다. 이 결과로, 플라즈마 이온과 라디컬이 에칭 처리를 강화하기 위해 웨이퍼 표면 쪽으로 이끌려지는 웨이퍼 지지대 상의 바이어스 신호의 반주기 동안, 보호될 표면(포커스(70)의 외부 표면)쪽으로 어느 것도 세척용 용량성 전극(100)에 의해 전환되지 않는다. 세척용 용량성 전극(100)은, 이온 및 라디컬이 웨이퍼 표면 쪽으로 이끌리지 않는 웨이퍼 지지대 상의 RF 신호의 다른 반주기 동안만 웨이퍼 표면으로부터 멀리(포커스 링(70)쪽으로)플라즈마 이온 및 라디컬을 전환한다. 따라서, 세척용 용량성 전극(100)에 의한 이온 및 라디컬의 웨이퍼 에칭 전환 공정에 대한 영향이 최소화될 수 있다.
상기한 바와 같이, 시행착오를 거친 방법은 세척용 용량성 전극(80 또는 100)에 인가된 최적의 RF 전원이 결정되도록 이용될 수 있다. 그러나, 이것은 자동적으로 수행하는 것이 더 효과적이고 편리할 수 있다. 이것은 오염물의 용착속도가 세척용 용량성 전극에 의해 설정된 충돌속도를 초과할 때마다, 내부 챔버 표면상에 오염물의 네트 용착이 발생하고, 내부 챔버 표면에 축적된 오염물이 RF 플라즈마 임피던스를 변화시킨다는 사실을 이용하여 성취될 수 있다. 물론 이것은 플라즈마 임피던스에서의 변화에 따르도록 내부 임피던스를 자동적으로 변화시키는 RF임피던스 정합 네트워크의 결과이다. 따라서, 세척용 용량성 전극의 성능은 RF 임피던스 정합 네트워크의 변화를 감지하여 측정될 수 있다. 이러한 목적을 위하여, 천장에 배치된 세척용 용량성 전극(80)의 경우에 피드백 처리기(120)는 RF 발생기(85)에 의해 발생된 RF 전원 레벨을, 도 1에 도시한 바와 같이 RF 발생기(85)의 전력 레벨 제어 입력(85a)에 연결된 상기 처리기(120)의 출력(120a)으로 제어한다. 피드백 처리기(120)는 RF 임피던스 정합 네트워크(55)의 가변 반응 성분의 리액턴스를 입력(120b)에서 감지한다. RF 임피던스 정합 네트워크(55)가 플라즈마 임피던스의 변화를 감지할 때마다, 피드백 처리기(120)는 RF 발생기(85)의 출력 전력 레벨에 대응하여 변화한다.
유사하게, 포커스링의 세척용 용량성 전극(100)의 경우에, 피드백 처리기(125)는 도 1에 도시한 바와 같이, RF 발생기(105)에 의해 발생된 RF 전원레벨을 RF 발생기(105)의 전력 레벨 제어 입력(105a)에 연결된 상기 처리기(125)의 출력(125a)으로 제어한다. 피드백 처리기(125)는 RF 임피던스 정합 네트워크(65)의 가변 반응 성분의 리액턴스를 입력(125b)에서 감지한다. RF 임피던스 정합 네트워크(65)가 플라즈마 임피던스의 변화를 감지할 때마다, 피드백 처리기(125)는 RF발생기(105)의 출력 전력 레벨에 대응하여 변화한다.
바람직하게, 도 3의 그래프의 음의 영역(챔버 성분이 세척용 용량성 전극에 의해 발생된 진행중의 충돌과정에 의해 유해하게 제거될 수 있는 영역)에서 플라즈마 세척용 전극(80 또는 100)이 작동하지 않도록 하기 위해, 피드백 처리기(120 또는 125)의 바람직한 실시예는 제어되는 RF 발생기(85 또는 105)의 RF 전원 레벨을 최소화하는데 일정하게 시도되며, 이것은 세척용 용량성 전극에서 RF 전원 레벨을 복원하기 위해 임피던스 정합 네트워크(55 또는 65)의 동작에 의해 반복 확인된다. 이것은 도 3의 그래프 음의 영역으로의 교차(crossover)의 위험 없이 오염물의 용착속도를 거의 오프셋하는 최적의 균형점 가까이에서 충돌속도를 유지한다. 피드백 처리기(120 또는 125)의 바람직한 실시예는 공지된 기술을 이용하여 당업자에 의해 수행될 수 있다.
그러나, 바람직한 실시예가 아닌 피드백 처리기의 매우 간단한 변형은 도 5에 기술되어 있다. 매우 단순한 도 5의 피드백 처리기에서, RF 임피던스 정합 네트워크의 가변 반응 성분의 리액턴스는 아날로그-디지털 변환기(130)에 의해 주기적으로 샘플링된다. 아날로그-디지털 변환기의 출력은 아날로그-디지털 변환기(130)의 샘플링 주기와 동일한 지연시간동안 지연 또는 메모리(135)에 저장된다. 아날로그-디지털 변환기(130)의 지연 및 비 지연된 출력은 감산기(140)에 의해 감산된다. 감산기(140)에 의해 계산된 차이는 디지털-아날로그 변환기(145)에 의해 적합하게 비교되며, 이 변환기의 출력은 RF 발생기 전력 레벨 제어 입력에 인가된 명령이다. RF 임피던스 정합 네트워크가 도 5의 피드백 처리기에 의해 모니터된 가변 리액턴스 성분을 변화시킬 때마다(오염물의 용착 및 충돌 속도 사이의 균형의 변화가 나타날 때마다), 감산기(140)는 오염물의 용착 및 충돌 속도 사이의 균형의 변화를 방지하기 위해 세척용 용량성 전극에 인가된 RF 전원 레벨에 대응하여 변화하여 비례하는 에러 신호를 발생한다.
다른 예에서는 웨이퍼 처리중에 원통형 챔버의 측벽(20)을 세척하는 것이 요구된다. 이런 목적을 위해서 챔버의 측벽은 그 자체가 세척용 용량성 전극으로 작용할 수 있다. 이것은 예를 들어 가스 분배 링(75)과 챔버 측벽(20)의 양단에 RF 바이어스 전위를 인가하여 성취된다. 이런 목적을 위해 절연 링(75)은 가스 분배 링(75)과 챔버의 측벽(20) 사이에 배치되며, RF 발생기(155)는 도 1에 도시한 바와 같이, RF 임피던스 정합 네트워크(156)를 통해 가스 분배 링(75)과 챔버 측벽(20)의 양단에 연결된다. 상기 세척용 전극에 인가된 RF 신호의 주파수 또는 위상을 선택하고 및/또는 그 크기를 자동으로 제어하는 상기한 방법은 RF 발생기(155)로부터 챔버 측벽(20)에 인가된 RF 신호에 요구되는 바와 같이 인가될 수 있다.
도 6은, 도 6의 천장에 배치된 세척용 용량성 전극(80')이 별 모양이며, 상기 별 모양의 중심은 도 7의 평면도에 도시한 바와 같이 천장의 중심과 일치한다는 것을 제외하고는 도 1에서 설명한 것과 일치하는 플라즈마 반응기인 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸다. 도 6 및 도 7의 실시예의 한가지 이점은 RF 전원이 별모양의 세척용 용량성 전극(80')에 의해서 천장의 표면에 걸쳐 더욱 고르게 분배되며, 따라서, 상기 RF 전원은 도 2의 실시예에 비해 바람직하다는 점이다.
도 8은 세척용 용량성 전극(80 및 100)이 유도성 안테나 및 웨이퍼 지지대에 RF 전원을 분배하는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸다. 이것은 도 1의 별도의 RF 발생기(85,105)의 필요성을 제거한다. 그 대신에 세척용 용량성 전극(80)은 유도성 안테나의 선택 권선의 탭(160)으로부터 RF 전원을 수신한다. 달리 표현해서, 세척용 용량성 전극(100)은 웨이퍼 지지대를 가진 접촉부(165)를 통해 RF 전원을 수신한다. 도 8의 실시예에서, 천장에 배치된 세척용 용량성 전극(80)상의 RF 전원은 유도성 안테나의 탭(160)의 변경위치에 의하여 변화되거나 선택될 수 있다.
도 1의 실시예의 한가지 동작 예에서, 천장은 돔 높이 10cm와 직경 30cm를 갖는다. 원통형 측벽은 직경 30cm와 높이 10cm를 갖는다. 웨이퍼 지지대는 돔 천장의 정점에서 14cm아래에 놓인 직경 10cm의 웨이퍼를 수용하고있다. 천장 위의 세척용 용량성 전극 스트립(80a)은 폭1.5cm 크기의 간격으로 이격된 폭10cm이며, 스트립은 0.5cm 두께이다. 유도성 안테나에 인가된 RF 전원은 2.0MHz의 주파수로 1000와트인 반면 세척용 전극에 인가된 전력은 2.0MHz의 주파수이다. 포커스 링(70)의 세척용 용량성 전극(100)은 폭1.0cm의 전도형 스트립이며, 상기 스트립은 0.05cm 두께이다. 웨이퍼 지지대에 인가된 RF 전원은 13.56MHz주파수로 200와트인 반면 상기 세척용 전극(100)에 인가된 전력은 웨이퍼 지지대에 인가된 RF 전원에 대해 위상각 0도로서 13.56MHz이다.
본 발명은 바람직한 실시예에 의해 상세히 기술되어 있지만, 본 발명은 본 발명의 진정한 사상과 범위에서 벗어남이 없이 그 변경과 수정이 이루어질 수 있다는 것을 알아야 한다.
본 발명은 챔버를 세척하기 위해 웨이퍼를 처리하는데 이용되는 동일한 가스를 이용하여 웨이퍼를 처리하면서 동시에 반응기를 세척하는 효과를 갖는다.
Claims (38)
- 처리가스를 함유하는 챔버와, 웨이퍼 처리용 플라즈마가 상기 처리가스로부터 발생하도록 RF 전원을 반응기 챔버에 공급하기 위한 RF 전원에 연결된 도체를 구비하고, 상기 챔버가 상기 플라즈마 쪽으로 노출되어 상기 반도체 웨이퍼의 처리중에 발생된 입자에 의한 오염에 영향을 받기 쉬운 적어도 하나의 표면을 갖는 플라즈마 반응기를 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법에 있어서,상기 한 표면 가까이에 세척용 용량성 전극을 제공하는 단계; 및상기 웨이퍼 처리중 상기 세척용 용량성 전극에 RF 전원을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리방법.
- 제 1항에 있어서,상기 한 표면에서의 상기 오염물이 특정한 용착속도로 용착되며, 상기 특정한 용착속도를 거의 오프셋시키는 상기 한 표면에서의 충돌속도에 대응하는 레벨까지, 상기 세척용 용량성 전극에 인가된 상기 RF 전원을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리방법.
- 제 1항에 있어서,세척용 용량성 전극을 제공하는 상기 단계는 상기 세척용 용량성 전극이 상기 플라즈마와의 접촉으로부터 보호되도록 상기 플라즈마에 대향하는 상기 한 표면의 측면에 전도형 전극을 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리방법.
- 제 1항에 있어서,상기 도체에 연결된 상기 RF 전원은 상기 플라즈마를 통해 상기 도체로부터 상기 웨이퍼에 RF 전원이 통과되기에 충분히 높은 주파수를 가지며, 상기 용량성 전극에 상기 RF 전원을 인가하는 상기 단계는 상기 도체에 연결된 상기 RF 전원의 주파수보다 낮은 주파수를 갖는 상기 세척용 용량성 전극에 상기 RF 전원을 인가하는 단계를 포함하는데, 상기 낮은 주파수는 상기 플라즈마를 통해 상기 세척용 용량성 전극으로부터의 RF 전원의 통과를 제한하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리방법.
- 제 4항에 있어서,상기 도체는 상기 웨이퍼에서 떨어진 상기 챔버의 측면으로부터 플라즈마 전원과 결합되며, 상기 낮은 주파수는 상기 도체에서 상기 웨이퍼로의 RF 전원이 통과되지 않도록 충분히 낮은 주파수인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리방법.
- 제 1항에 있어서,상기 도체는 상기 RF 전원이 상기 웨이퍼로의 충돌을 제어하는 바이어스 전력을 제공하도록 상기 웨이퍼에 결합되고, 상기 용량성 전극에 RF 전원을 인가하는상기 단계는 상기 도체에 인가된 것과 다른 위상차로 상기 세척용 용량성 전극에 RF 전원을 인가하여, 상기 웨이퍼에 충돌하기 위해 상기 플라즈마로부터 소모될 때와 다른 때에 충돌입자가 상기 한 표면을 세척하기 위해 상기 플라즈마로부터 소모되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리방법.
- 제 6항에 있어서,상기 위상은 상기 도체에 인가되는 것과 반대 위상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리방법.
- 제 2항에 있어서,상기 세척용 용량성 전극에 인가된 상기 RF 전원을 조절하는 상기 단계는상기 한 표면에서의 충돌속도가 상기 한 표면의 입자의 용착속도를 오프셋시키는지 아닌지의 여부를 감지하는 단계; 및상기 충돌속도가 상기 용착속도 이하로 떨어질 때마다 상기 세척용 용량성 전극에 인가된 상기 RF 전원을 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리방법.
- 제 8항에 있어서,상기 한 표면이 제거되는 것을 방지하기 위해 상기 RF 전원을 제한하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 제한하는 단계는 상기 증가시키는 단계가 수행되지 않는 간격동안 상기 용량성 전극에 인가된 상기 RF 전원을 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
- 제 8항에 있어서,상기 플라즈마는 상기 한 표면의 플라즈마로부터 용착된 입자의 축적을 변화시키는 특성 RF 임피던스를 가지며, 상기 충돌속도가 상기 용착속도를 오프셋시키는지 아닌지의 여부를 감지하는 단계는 상기 플라즈마의 상기 특성 RF 임피던스의 변화를 감지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
- 처리가스를 함유하는 챔버와, 웨이퍼 처리용 상기 챔버내의 플라즈마가 상기 처리가스로부터 발생하도록 RF 전원을 반응기 챔버에 공급하기 위한 RF 전원에 연결된 도체를 구비하고, 상기 챔버는 상기 플라즈마 쪽으로 노출되어 상기 반도체 웨이퍼의 처리중에 발생된 입자에 의한 오염에 영향을 받기 쉬운 적어도 하나의 표면을 갖게 되는 플라즈마 반응기에서 반도체 웨이퍼를 처리하는 플라즈마 반응기에 있어서,상기 한 표면 가까이에 놓인 세척용 용량성 전극; 및상기 웨이퍼의 처리중에 상기 세척용 용량성 전극에 연결된 RF 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 12항에 있어서,상기 반응기는 상기 챔버내의 웨이퍼 지지대를 포함하고, 상기 챔버는 상기 웨이퍼 지지대 위에 놓이는 천장을 포함하고, 상기 한 표면은 상기 천장의 내부 표면을 포함하고, 상기 세척용 용량성 전극은 상기 천장의 외부 표면에 인접한 박막 전도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 13항에 있어서,상기 도체는 상기 천장의 상기 외부 표면에 인접한 유도성 안테나를 포함하고, 상기 박막 전도층은 상기 유도성 안테나보다는 상기 천장에 더 가까이에 놓이는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 14항에 있어서,상기 박막 전도층은 상기 유도성 안테나로부터 상기 박막 전도층을 통해 상기 챔버로 RF 전원의 유도성 결합을 허용하는 다수의 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 15항에 있어서,상기 박막 전도층은 상기 장치에 의해 분리된 다수의 아암을 포함하는 것을특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 16항에 있어서,상기 다수의 아암은 별 모양으로 방사되는 중앙 정점에 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 12항에 있어서,상기 챔버내의 웨이퍼 지지대와 상기 웨이퍼 지지대를 둘러싸는 포커스 링을 더 포함하고, 상기 한 표면은 상기 플라즈마에 면하는 상기 포커스링의 외부 표면을 포함하고, 상기 세척용 용량성 전극은 상기 외부 표면에 대향하는 상기 포커스링의 내부 표면에 있는 전도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 12항에 있어서,상기 챔버는 측벽을 포함하고, 상기 반응기는 상기 측벽으로부터 분리된 전도형 요소를 포함하는데,상기 반응기는상기 웨이퍼의 처리중에 상기 측벽과 상기 전도형 요소 양단에 연결되어 상기 측벽으로부터 오염 용착물의 충돌을 촉진시키는 RF 전원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 19항에 있어서,상기 챔버는 천장을 더 포함하고, 상기 전도형 요소는 상기 측벽과 상기 챔버의 천장 사이에 위치된 가스 분배 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 14항에 있어서,상기 유도성 안테나에 연결된 플라즈마 RF 전원공급장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 21항에 있어서,상기 세척용 용량성 전극에 연결된 세척용 RF 전원 공급 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 21항에 있어서,상기 세척용 용량성 전극에 연결된 상기 유도성 안테나의 탭을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 18항에 있어서,상기 웨이퍼 지지대에 연결된 바이어스 RF 전원 공급 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 24항에 있어서,상기 세척용 용량성 전극에 연결된 세척용 RF 전원 공급장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 24항에 있어서,상기 웨이퍼 지지대와 상기 세척용 용량성 전극 사이에 연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 22항에 있어서,상기 세척용 RF 전원 공급장치는 상기 플라즈마를 통해 상기 세척용 용량성 전극으로부터 상기 RF 전원의 통과를 제한하기 위해 상기 플라즈마 RF 전원 공급장치의 주파수보다 낮은 RF 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 25항에 있어서,상기 세척용 RF 전원 공급 장치와 상기 바이어스 RF 전원 공급장치는 위상이 서로 다른 RF 신호를 발생하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 28항에 있어서,상기 서로 다른 위상은 서로 반대 위상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 12항에 있어서,상기 세척용 용량성 전극에 연결된 상기 RF 전원은 RF 전원의 상기 플라즈마를 통해 상기 세척용 용량성 전극으로부터 통과가 제한되도록 상기 도체에 연결된 상기 RF 전원보다 낮은 주파수를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 12항에 있어서,상기 세척용 용량성 전극에 연결된 상기 RF 전원은 다른 때에 상기 플라즈마로부터 상기 웨이퍼 및 상기 한 표면으로 충돌입자가 이끌리도록 상기 도체에 연결된 상기 RF 전원의 위상과는 다른 위상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 12항에 있어서,상기 도체에 연결된 상기 RF 전원은 상기 플라즈마의 임피던스의 변화에 따르도록 상기 RF 임피던스 정합네트워크에 의해 조절되는 가변 리액턴스의 반응 성분을 갖는 RF 임피던스 정합 네트워크를 포함하고, 상기 세척용 용량성 전극에 연결된 상기 RF 전원은 상기 RF 발생기에 의해 발생된 RF 전원의 크기를 제어하는 제어입력을 갖는 RF 전원 발생기를 포함하는데,(a) 상기 RF 임피던스 정합 네트워크의 상기 가변 반응 성분의 리액턴스를 주기적으로 감지하는 입력; 및(b) 상기 RF 발생기의 상기 제어 입력에 연결된 출력을 포함하고, 상기 RF 임피던스 정합 네트워크의 상기 가변 반응 요소의 리액턴스의 변화에 대응하는 상기 출력에서 에러 신호를 발생하는 피드백 처리기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 처리가스를 함유하는 챔버와, 웨이퍼 처리용 상기 챔버내의 플라즈마가 상기 처리가스로부터 발생하도록 RF 전원을 반응기 챔버에 공급하는 RF 전원에 연결된 도체를 구비하고, 상기 챔버는 상기 플라즈마 쪽으로 노출되어 상기 반도체 웨이퍼의 처리중에 발생된 입자에 의한 오염에 영향을 받기 쉬운 적어도 하나의 표면을 갖는 플라즈마 반응기에서 반도체 웨이퍼를 처리하는 플라즈마 반응기에 있어서,RF 전원 공급 장치; 및상기 플라즈마로부터 상기 한 표면으로 입자의 충돌을 촉진해서 상기 웨이퍼의 처리중에 용착된 오염물이 제거되도록 상기 웨이퍼 처리중에 상기 전원공급장치로부터의 RF 전원을 상기 한 표면에 공급하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 33항에 있어서,상기 공급수단은 상기 한 표면에 인접하여 상기 RF 전원 공급장치에 연결된 세척용 용량성 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 33항에 있어서,상기 공급수단은 상기 RF 전원 공급장치로부터 상기 한 표면에 연결된 전기적 직렬 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 제 34항에 있어서,상기 세척용 용량성 전극은 상기 플라즈마와의 접촉으로부터 보호되도록 상기 플라즈마에 대향하는 상기 한 표면의 측면에 위치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
- 처리가스를 함유하는 챔버와, 챔버내의 플라즈마가 상기 처리가스로부터 발생하도록 RF 전원을 반응기 챔버에 공급하는 RF 전원에 연결된 도체를 구비하고, 상기 챔버는 상기 플라즈마 쪽으로 노출되어 상기 반도체 웨이퍼의 처리중에 발생된 입자에 의한 오염에 영향을 받기 쉬운 적어도 하나의 표면을 갖는 플라즈마 반응기에서 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법에 있어서,상기 웨이퍼 처리중에 용착된 오염물을 제거하기 위해 상기 플라즈마로부터 상기 한 표면으로의 입자의 충돌을 촉진시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리방법.
- 제 37항에 있어서,RF 전원 공급 장치를 제공하는 단계; 및상기 웨이퍼의 처리중에 상기 전원 공급장치로부터 RF 전원을 상기 한 표면에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/567,376 US5817534A (en) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers |
| US08/567,376 | 1995-12-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052753A KR970052753A (ko) | 1997-07-29 |
| KR100430644B1 true KR100430644B1 (ko) | 2004-09-16 |
Family
ID=24266907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960061474A KR100430644B1 (ko) | 1995-12-04 | 1996-12-04 | 반도체웨이퍼의처리중에세척하기위한세척용전극을구비한rf플라즈마반응기 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5817534A (ko) |
| EP (1) | EP0778607B1 (ko) |
| JP (1) | JPH09181057A (ko) |
| KR (1) | KR100430644B1 (ko) |
| AT (1) | ATE224584T1 (ko) |
| DE (1) | DE69623731T2 (ko) |
| TW (1) | TW301840B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100733080B1 (ko) | 2006-01-03 | 2007-06-29 | 삼성전자주식회사 | 식각장치 |
Families Citing this family (66)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2737720B2 (ja) * | 1995-10-12 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 薄膜形成方法及び装置 |
| US6749717B1 (en) | 1997-02-04 | 2004-06-15 | Micron Technology, Inc. | Device for in-situ cleaning of an inductively-coupled plasma chambers |
| US5942039A (en) * | 1997-05-01 | 1999-08-24 | Applied Materials, Inc. | Self-cleaning focus ring |
| EP0883162A3 (en) * | 1997-06-05 | 2001-04-18 | Sizary Limited | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US6379575B1 (en) * | 1997-10-21 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Treatment of etching chambers using activated cleaning gas |
| US6797188B1 (en) | 1997-11-12 | 2004-09-28 | Meihua Shen | Self-cleaning process for etching silicon-containing material |
| US6872322B1 (en) * | 1997-11-12 | 2005-03-29 | Applied Materials, Inc. | Multiple stage process for cleaning process chambers |
| US6042654A (en) * | 1998-01-13 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning CVD cold-wall chamber and exhaust lines |
| US6067999A (en) * | 1998-04-23 | 2000-05-30 | International Business Machines Corporation | Method for deposition tool cleaning |
| US6010967A (en) * | 1998-05-22 | 2000-01-04 | Micron Technology, Inc. | Plasma etching methods |
| US6461970B1 (en) * | 1998-06-10 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby |
| US6349670B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-02-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma treatment equipment |
| KR100542459B1 (ko) * | 1999-03-09 | 2006-01-12 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 |
| AU767161B2 (en) * | 1999-08-20 | 2003-10-30 | Kaneka Corporation | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device |
| KR100415435B1 (ko) | 1999-09-21 | 2004-01-31 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 제조장치 |
| US6291358B1 (en) | 1999-10-15 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Plasma deposition tool operating method |
| KR20010056655A (ko) * | 1999-12-16 | 2001-07-04 | 황 철 주 | 반도체 소자 제조 장치 |
| US6518190B1 (en) | 1999-12-23 | 2003-02-11 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor with dry clean apparatus and method |
| TW518686B (en) | 1999-12-29 | 2003-01-21 | Tokyo Electron Ltd | System for automatic control of the wall bombardment to control wall deposition |
| KR100502268B1 (ko) * | 2000-03-01 | 2005-07-22 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마처리장치 및 방법 |
| US6564810B1 (en) * | 2000-03-28 | 2003-05-20 | Asm America | Cleaning of semiconductor processing chambers |
| US6531030B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-03-11 | Lam Research Corp. | Inductively coupled plasma etching apparatus |
| TW478026B (en) * | 2000-08-25 | 2002-03-01 | Hitachi Ltd | Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield |
| TW506234B (en) * | 2000-09-18 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Tunable focus ring for plasma processing |
| JP4109861B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 真空処理方法 |
| KR20020061814A (ko) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | 엘지전자주식회사 | 플라즈마 중합장치 전극구조 |
| KR20030056522A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 반도체 공정 쳄버의 제어 장치 |
| US6828241B2 (en) * | 2002-01-07 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Efficient cleaning by secondary in-situ activation of etch precursor from remote plasma source |
| US20040025791A1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-12 | Applied Materials, Inc. | Etch chamber with dual frequency biasing sources and a single frequency plasma generating source |
| US20040040662A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-04 | Manabu Edamura | Plasma processing method and apparatus for etching nonvolatile material |
| US6716765B1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-04-06 | Novellus Systems, Inc. | Plasma clean for a semiconductor thin film deposition chamber |
| US20040200498A1 (en) * | 2003-04-08 | 2004-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a substrate processing chamber |
| WO2004095555A1 (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置のクリーニング方法 |
| KR20040107983A (ko) * | 2003-06-16 | 2004-12-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치 |
| US20050106873A1 (en) * | 2003-08-15 | 2005-05-19 | Hoffman Daniel J. | Plasma chamber having multiple RF source frequencies |
| US7431857B2 (en) * | 2003-08-15 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma generation and control using a dual frequency RF source |
| US7510665B2 (en) * | 2003-08-15 | 2009-03-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma generation and control using dual frequency RF signals |
| US7838430B2 (en) * | 2003-10-28 | 2010-11-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma control using dual cathode frequency mixing |
| US7446335B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-11-04 | Regents Of The University Of Minnesota | Process and apparatus for forming nanoparticles using radiofrequency plasmas |
| US20060027329A1 (en) * | 2004-08-09 | 2006-02-09 | Sinha Ashok K | Multi-frequency plasma enhanced process chamber having a torroidal plasma source |
| JP4758159B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2011-08-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
| US7695633B2 (en) * | 2005-10-18 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor |
| US8911590B2 (en) * | 2006-02-27 | 2014-12-16 | Lam Research Corporation | Integrated capacitive and inductive power sources for a plasma etching chamber |
| US20070246163A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with independent capacitive and inductive plasma sources |
| US7780864B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion radial distribution |
| US20070245958A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source for controlling ion radial distribution |
| US20070245960A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion density |
| US7264688B1 (en) | 2006-04-24 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with independent capacitive and toroidal plasma sources |
| US7645357B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-01-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with a VHF capacitively coupled plasma source of variable frequency |
| US20070245961A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source for controlling plasma ion dissociation |
| US20070246161A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with a toroidal plasma source and a VHF capacitively coupled plasma source with variable frequency |
| US20070246443A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Process using combined capacitively and inductively coupled plasma process for controlling plasma ion dissociation |
| US7727413B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-06-01 | Applied Materials, Inc. | Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source to control plasma ion density |
| US20070246162A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with an inductive plasma source and a VHF capacitively coupled plasma source with variable frequency |
| US7550090B2 (en) * | 2007-01-23 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Oxygen plasma clean to remove carbon species deposited on a glass dome surface |
| JP5281766B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2013-09-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US7736914B2 (en) * | 2007-11-29 | 2010-06-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma control using dual cathode frequency mixing and controlling the level of polymer formation |
| US8118946B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-02-21 | Wesley George Lau | Cleaning process residues from substrate processing chamber components |
| KR100919487B1 (ko) * | 2009-01-22 | 2009-09-28 | 주식회사 맥시스 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP5451324B2 (ja) * | 2009-11-10 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JP5198616B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2013-05-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US9209032B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-12-08 | Tokyo Electron Limited | Electric pressure systems for control of plasma properties and uniformity |
| JP6539113B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2019-07-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| CN107154332B (zh) * | 2016-03-03 | 2019-07-19 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理装置及方法 |
| WO2020166048A1 (ja) | 2019-02-15 | 2020-08-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ガス成分のモニタ方法及びその装置並びにそれを用いた処理装置 |
| US20220349050A1 (en) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus with high conductance components for chamber cleaning |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07100348B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1995-11-01 | 三菱化学株式会社 | フィルムの製造方法 |
| JPH029115A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| US5057185A (en) * | 1990-09-27 | 1991-10-15 | Consortium For Surface Processing, Inc. | Triode plasma reactor with phase modulated plasma control |
| JPH0562936A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法 |
| US5425842A (en) * | 1992-06-09 | 1995-06-20 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device using a chemical vapour deposition process with plasma cleaning of the reactor chamber |
| US5252178A (en) * | 1992-06-24 | 1993-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone plasma processing method and apparatus |
| US5286297A (en) * | 1992-06-24 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Multi-electrode plasma processing apparatus |
| JP2674488B2 (ja) * | 1993-12-01 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング室のクリーニング方法 |
| DE69531880T2 (de) * | 1994-04-28 | 2004-09-09 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Verfahren zum Betreiben eines CVD-Reaktors hoher Plasma-Dichte mit kombinierter induktiver und kapazitiver Einkopplung |
| US5514246A (en) * | 1994-06-02 | 1996-05-07 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor |
| US5585012A (en) * | 1994-12-15 | 1996-12-17 | Applied Materials Inc. | Self-cleaning polymer-free top electrode for parallel electrode etch operation |
| US5523261A (en) * | 1995-02-28 | 1996-06-04 | Micron Technology, Inc. | Method of cleaning high density inductively coupled plasma chamber using capacitive coupling |
-
1995
- 1995-12-04 US US08/567,376 patent/US5817534A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-15 TW TW085107245A patent/TW301840B/zh active
- 1996-12-03 DE DE69623731T patent/DE69623731T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-03 EP EP96308747A patent/EP0778607B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-03 AT AT96308747T patent/ATE224584T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-12-04 KR KR1019960061474A patent/KR100430644B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-12-04 JP JP8324326A patent/JPH09181057A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100733080B1 (ko) | 2006-01-03 | 2007-06-29 | 삼성전자주식회사 | 식각장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE224584T1 (de) | 2002-10-15 |
| US5817534A (en) | 1998-10-06 |
| DE69623731T2 (de) | 2003-06-05 |
| DE69623731D1 (de) | 2002-10-24 |
| TW301840B (en) | 1997-04-01 |
| EP0778607A1 (en) | 1997-06-11 |
| EP0778607B1 (en) | 2002-09-18 |
| KR970052753A (ko) | 1997-07-29 |
| JPH09181057A (ja) | 1997-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100430644B1 (ko) | 반도체웨이퍼의처리중에세척하기위한세척용전극을구비한rf플라즈마반응기 | |
| US5585012A (en) | Self-cleaning polymer-free top electrode for parallel electrode etch operation | |
| US6852242B2 (en) | Cleaning of multicompositional etchant residues | |
| US6379575B1 (en) | Treatment of etching chambers using activated cleaning gas | |
| KR101341711B1 (ko) | 웨이퍼의 베벨 에지 및 이면상의 필름들을 제거하는 장치 및 방법들 | |
| US5507874A (en) | Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors | |
| KR101342319B1 (ko) | 플라즈마 에칭 챔버를 위한 통합된 용량성 전원과 유도성 전원 | |
| US5756400A (en) | Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces | |
| KR100727733B1 (ko) | 성막 장치 | |
| US11289312B2 (en) | Physical vapor deposition (PVD) chamber with in situ chamber cleaning capability | |
| US7338578B2 (en) | Step edge insert ring for etch chamber | |
| KR20090129417A (ko) | 유전체 커버를 갖는 에지 전극 | |
| JP2010140944A (ja) | プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法 | |
| US6041733A (en) | Plasma processing apparatus protected from discharges in association with secondary potentials | |
| WO2001048792A1 (en) | Plasma reactor with dry clean antenna and method | |
| US20040200498A1 (en) | Method and apparatus for cleaning a substrate processing chamber | |
| US20220310364A1 (en) | Methods and apparatus for processing a substrate | |
| CN100355039C (zh) | 等离子体处理装置 | |
| US20220399184A1 (en) | Plasma uniformity control in pulsed dc plasma chamber | |
| CN115621108A (zh) | 半导体制造设备及半导体制造设备腔室沉积物清除方法 | |
| JPH1064883A (ja) | プラズマ装置 | |
| JP2005012217A (ja) | 半導体製造装置 | |
| WO2024064063A1 (en) | Glassy carbon shutter disk for physical vapor deposition (pvd) chamber | |
| JP2001148300A (ja) | 放電プラズマ処理装置 | |
| JPH10135190A (ja) | 半導体処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090331 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |