TW297135B - - Google Patents
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Description
A7 ____B7_ _ 五、發明説明(1 ) 〔產業上之利用領域〕 請 it 聞 讀 背 之 注 1' 再-一 填 寫裝 本衣 頁 本發明係關於一種電漿處理方法及裝置,尤其是,關 於一種將半導體元件基板等之試料適用於電漿處理的電漿 處理方法及裝置者· 〔以往之技術〕 將半導體元件基板等之試料作爲電漿處理之技術,以 往眾知例如記載於日本專利公報特開平 0 3 — 1 6 7 8 2 5號的技術。在該公報*記載僅將產生 電漿之處理室之溫度控制限定在側壁部,且僅對於蝕刻後 之反應生成物。 訂 上述以往技術係僅對於僅附著於處理室內側壁部之反 應生成物才有效,並未考慮電極亦即在《漿處理時附著於 試料台之下部,處理室內底面部,排氣配管之反應生成物 或氣體之反應生成物。 旅 經濟部中央橾準局負工消费合作社印«. 亦即,反應生成物係也附著試料台下部,處理室內底 面部,排氣配管等,電漿處理時隨著對於這些之堆積而產 生剝離,成爲異物之原因,對於試料之良品率也有很大影 響。 〔發明之概要〕 本發明之目的係在於·提供一種溫度控制電漿處理時之 反應生成物或氣體之反應生成物(以下,簡稱爲反應生成 物)之附著場所,異物發生較少且可高良品率的電漿處理 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4规格( 210X297公釐)_ 4 _ 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印裝 五 、發明説明 ( 2 ) 方 法 及 裝 置 • 爲 了 達 成 上 述 百 的 > 藉 在 比 試 料 之 上 部 場 所 9 反 pte 應 生 成 物 溫 度 控 制 成 未 固 體 化 之 溫 度 » 又 在 比 試 料 之 下 部 場 所 ( 試 料 台 下 部 > 處 理 室 內 底 面 部 , 排 氣 配 管 等 ) 溫 度 控 制 成 固 體 化 之 溫 度 > 即 可 達 成 9 本 發 明 係 例 如 在 發 生 電 漿 之 處 理 室 內 側 面 ( 電 漿 發 生 部 ) 的 試料 上 部 場 所 » 設 成 — 定 溫 度 t 亦 即 設 成 反 應 生 成 物 之 溫 度 « 而 試料 台 下 部 處 理 室 內 底 面 部 » 排氣 配 管 等 係 設 成 反 應 生 成 物 固 體 化 之 溫 度 〇 由 此 9 可 避 免 由 試料對 於 上 部 場 所 之 反 ribs 應ί 生 成物 之 附 著 抑 制 試料 對 於 被 處 理 面 上 之 異 物 掉 落 〇 又 在 反 ntg 應 生 成 物 及 處 理 室 內 浮 游 的 異 物 ( 以 下 簡 稱 爲 浮 游 異 物 ) 係 吸 附 * 補 足 在 試 料 台 下 部 1 處 理 室 內 底 面 部 排 氣 配 管 等 因 保 持 真 空 之期 間 係 經 常 反 應 生 成 物 設 成 固 體 化 之 溫 度 因 此 可 抑 制 異 物 之剝 離 > 剝 離 之 異 物 之 捲 起 0 C 資 施 例 以 下 * 使 用 圖 式 說 明 本 發 明 之 — 實 施例 〇 第 1 圖 係 表 示 本 發 明 之 一 實 施 例 的 微 波 電 漿 處 理 裝 置 之 概 略 構 成 之 其 主 要 部 的 縱 剖 面 蹰 〇 第 1 圈 中 » 處 理 室 1 0 係 作 爲 其 上 部 構 成 要 素 具 備 石 英 製 之 放 電 管 1 4 〇 在 處 理 室 1 0 設 有 於 處 理 室 1 0 內 連 接 於 供 nkg 應 蝕 刻 用 氣 嫌 之 供 氣 源 ( 省 略 ! 示 ) 的 供 氣 P 1 5 9 又 設 有 連 接 於 真 空 排 氣 裝 置 ( 省 略 圖 示 ) 的 排 氣 □ 1 6 本紙張尺度遑用中國國家捸準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央橾準局工消費合作杜印製 207135 A7 __B7_ 五、發明説明(3 ) 。又在處理室1 0設有配置試料例如半導體元件基板(晶 圓)1 3的試料台1 1。在試料台1 1連接有高頻電源 1 2,而在試料台1 1可施加高頻電力•在放電管1 4之 外側,圍繞放電管1 4設有導波管1 7,而在其外側設有 在放電管1 4內發生磁場的螺線管線圈1 9。在此,在處 理室1 0之放電管1 4設有溫度控制裝置I 34。在導波 管17之端部設有振盪微波的磁控管18·又在處理室 1 0內之試料台下部,處理室內底面部,排氣配管等也具 備溫度控制裝置Π 3 5。 溫度控制裝置I 3 4,Π 3 5係藉安裝於處理室內側 面或壁內的溫度察覺器3 6,3 7,可將處理室內面側之 溫度管理,控制成所期望之溫度,而且設置複數溫度之控 制場所,可任意地設定加熱、冷卻領域· 在依這種構成之電漿處理裝置,係將蝕刻用處理氣體 從供氣口 1 5供應至處理室1 0內,而且將處理室1 〇內 減壓、排氣所定之壓力。藉由導波管1 7將來自磁控管 1 8之微波導入至放電管1 4內,藉螺線管線圈1 9形成 磁場,藉由微波之電場與螺線管線圈1 9之磁場的互相作 用電漿化放電管1 4內之處理氣體。又,藉由高頻電源 1 2在試料台1 1施加髙頻電力而產生偏壓,各向異性加 工向晶圚1 3側拉進電漿中之離子的晶圚1 3。此時依蝕 刻所產生之反應生成物,係在試料台側面下部,處理室內 底面部,排氣配管之路徑被排氣· 將溫度控制裝置I 3 4,Π 3 5之溫度控制領域表示
本紙張尺度遑用中國國家橾準(CNS > Μ規格(210X297公釐> _ R (請先閱讀背面之汶意事項再填寫本頁) -裝· %? 線 A7 B7 五、發明説明(4 ) 於表1 · 表 1 No. 加熱 冷卻 I I 0 0 °C以上4 0 0 °C以下 一 Π — -200°C以上10(TC未滿 一:請先閲讀背面之法意事項再填寫本頁) -裝. 在第1表中,處理室1 0對應於電漿發生部的側壁部 ,係昇溫至1 0 0°C以上4 0 0°C以下,此以外之試料台 側,試料台下部,處理室內底面部,排氣配管部等係被冷 卻成一 2 0 0°C以上,1 0 0°C未滿而被溫度控制在所期 望之溫度領域•在此,冷卻成一 2 0 0 °C以上之理由係因 至一2 0 0 °C可使用液氮即可實用地冷卻。 以下,藉第2圓說明該溫度控制•第2圖係以蝕刻氣 體與反應生成物之蒸汽壓曲線表示鋁(A )?)配線材料之 一實施例。 在第2圓中,以氣體BCJ?3與C)?2處理Aj?配線 時,反應生成物係揮發作爲Ai?cp3而被排氣。 例如,反應生成物AJ? C艾3係蝕刻壓力在1 To r r時1〇〇 eC未滿成爲固體•亦即,可知在第1圓 本^張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) A4洗格(210X297公釐)_ 7 _~~' '
-1T 線 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印裝 A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印裝 五 、發明説明 ( 5 ) 1 | 之 電 漿 處 理 裝 置 9 處 理 室 內 側 面 爲 1 0 0 °c 未 滿 時 反 rrhs 懕 生 1 1 I 成 物 會 堆積 Ο - 1 1 因 此 9 在 該 條件 下 連 縯 實 行 電 漿處 理 時 f 則 堆 積 物 被 ! I 請 1 I 剝 離 而 成 爲 處 理 室 內 之 異 物 〇 然 而 > 在 本 實 施 例 中 * 由 於 先 閲 1 I 讀 1 1 將 處 理 室 內 側 面 設 成 1 0 0 °c 以 上 t 且 將 試 料 台 下 部 » 處 背 面 1 I 之 1 理 室 內 底 面 部 排 氣 配 管 等 設 成 1 0 0 °c 未 滿 可 避龟 對 注- 意 畫 1 | 處 理 室 內 側 面 附 著 反 ate 應 生 成 物 » 而 可 將 反 rrhs 應 生 成 物 選 擇 性 f· 項 再一 —v! 填 1 地 附 著 於 試 料 台 下 部 處 理 室 內 底 面 部 » 排 氣 配 管 等 可 本 裝 I 抑 制 晶 面 對 被 触 刻 面 上 之 異 物 掉 落 1 來 白 處 理 室 底 面 之 異 頁 1 1 1 物 捲 起 0 1 1 又 對 於 其 他 之 配 線 材料 由 於 也 可 將 處 理 室 試 料 1 台 側 面 下 面 處 理 室 內 底 面 部 排 氣 配 管 等 設 定 在 逋 當 •訂 1 之 溫 度 條件 因 此 可 得 到 同 樣 之 效 果 9 1 I 在 第 3 圖 表 示 第 1 圖 所 表 示 之 電 漿 處 理 裝 置 之 控 制 順 1 I 序 9 1 | 線 第 3 圖 係 從 搬 入 晶 圆 前 溫 度 控 制 裝 置 I 3 4 係 溫 度 1 1 控 制 處 理 室 內 側 壁 部 又 在 溫 度 控 制 裝 置 Π 3 5 係 溫 度 1 1 控 制 試 料 台 側 面 9 下 部 處 理 室 內 底 面 部 排 氣 配 管 等 〇 1 1 投 入 晶 圓 後 資 施 一 般 之 蝕 刻 順 序 〇 在 電 漿 處 理 後 將 裝 置 施 1 1 大 氣 開 放 9 實 行 清 掃 時 分 別 斷 開 溫 度 控 制 裝 置 I 3 4 » 1 | Π 3 5 * 可 實 行 一 般 之 清 掃 〇 1 | 亦 即 9 開 始 溫 度 控 制 裝 置 I 3 4 之 作 動 » 處 理 室 1 0 1 1 I 係 被 加 溫 Ο 以 該 加 熱 f 處 理 室 1 0 之 溫 度係 上 昇 被 控 制 1 1 成 上 述 所 定 溫 度 Ο —- 方 面 9 開 始 溫 度 控 制 裝 置 Π 3 5 之 作 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾率(CNS ) A4规格(21〇X297公釐)-8 B7 五、發明説明(6 ) 動’試料台1 1下部’處理室1 〇內底面部,排氣配管等 係被冷卻。以該冷卻,試料台1 1下部,處理室1 〇內底 面部,排氣配管等係下降,而被控制成上述所定溫度。 然後,藉省略圖示之晶圓搬送裝置,晶圓1 3係在此 時,被搬入一個處理室10內(g)。被搬入之晶圃13 係將被蝕刻面作爲向上向姿勢在試料台11之試料載置面 而從晶圖搬送裝置交接載置在該試料載置面上β載置於試 料載置面之晶圔1 3係以該狀態保持在試料台1 1。 上述操作後,或是其以前實施處理室1 0內之減壓排 氣。藉作動真空排氣裝置,處理室1 0內係經由設有排氣 閥,可變電阻閥(未予圖示)之排氣配管被真空排氣。被 真空排氣之處理室10內之壓力係調整可變電阻閥即可減 壓成所定壓力。 然後,所定蝕刻用氣體從供氣源經由供氣口 1 5被供 應至處理室1 0內。對處理室1 0內之蝕刻用氣體之供應 量,係例如藉氣體流置控制裝置(省略圖示)被控制成所 定流1: ( c )。 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後,供應至處理室1 0內之蝕刻用氣镫之一部分, 係藉真空排氣裝置被排氣至處理室1 0外,由此,處理室 1 0內之壓力係被控制成所定之蝕刻處理壓力(d )。 然後,磁控管18,螺線管線圈19被開始作動。由 此,處理室1 0內之蝕刻用氣體係被電漿化*被保持在試 料台1 1之晶圓1 3之被蝕刻面係藉該電漿被蝕刻處理。 —方面,髙頻電源1 2被作動,在試料台1 1施加有高頻 本紙浪尺度遑用中國國家橾率(CNS)M规格( 210X297公釐9 _ ~一 經濟部中央標率局工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明(7 ) 電力。由此,晶圚1 3施加有偏壓。在該偏應施加狀態下 ,晶圔13之被蝕刻面係被蝕刻處理。 如上述在完成晶園1 3之蝕刻處理之時點,分別停止 對處理室1 0內之蝕刻用氣體之供應,高頻電源1 2,磁 控管18,螺線管線圈19之作動,偏壓之施加等•在該 狀態下,經處理之晶圔1 3係從試料台1 1之試料載置面 交接至晶片搬送裝置,之後,藉晶片搬送裝置搬出至處理 室1 0外。然後,藉晶圓搬送裝置一個新晶圖1 3搬入至 處理室1 0內,繼嫌實施上述之操作。一方面,溫度控制 裝置I 34,H35之作動,係繼績,由此,各部位之溫 度係繼縝被控制成上述所定溫度•但是,視情形,在晶園 之處理期間一旦停止溫度控制裝置I 3 4,Π 3 5之作動 也可以*例如,晶画處理之中斷時間,若以裝置之故障等 任何理由而長時間性時,在該日作業結束時等,實施該停 止。又,在將處理室1 0內向大氣開放而欲清掃處理室 10內部之作業時,也停止溫度控制裝置I 34,Π35 之作動*尤其是,因停止溫度控制裝置Π 3 5之作動,可 防止處理室10內大氣開放時之空氣中水分等之不純物對 於冷卻部位之吸附,可排除處理室1 0內之再排氣時之不 方便(排氣時間之長時間化,壓力不到達等)· 又,溫度控制裝置I 3 4,Π 3 5的各部位之控制溫 度係由晶圔1 3之膜質,亦即配線材料,蝕刻用氣體種類 所支配· 蝕刻處理之晶圔1 3之資訊的配線材料,及隨著該材 本紙張尺度遑用中國國家揉準(CNS ) Α4规格(210X297公釐)_ 1η _ I ^ —裝 ; 訂 線 (請先閲讀背面之注•意事項异填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(8 ) 料之蝕刻用氣體種類,係例如藉操作人員被輸入在上述控 制裝置(省略圖示)。藉該输入從上位控制裝置分別输出 控制信號至溫度控制裝置I 34,Π35,由此,實施在 溫度控制裝置I 34,E3 5之各部位的溫度控制。 這種溫度控制係操作人員例如以觸摸盤输入晶園1 3 之資訊即被實施•又,以任何手段讀入晶圖1 3之資訊输 入至上位控制裝置或直接·输入溫度控制裝置134, Π 3 5即被實施。 如上所述,各部位之溫度係確實地控制所定溫度,結 果,可安定,確實地提高晶圓良品率· 又,尤其是,以溫度控制裝置Π 3 5被冷卻之部位( 冷卻部位)之維修係如下述地被實施。 亦即,藉對冷卻部位之反應性生物之選擇性附著,在 該部位堆稹有附著物,該堆稹物之例如厚度達到依排氣阻 力之增大,剝離所產生之異物發生之厚度的時黏,或在其 以前實施維修。此時,停止溫度控制裝置Π 3 5之冷卻部 位之冷卻。之後,該冷卻部係被加溫而昇溫至附著之堆稹 物之昇華溫度。在該昇溫,附著之堆稹物係被昇華而作動 真空排氣裝置即被排氣至處理室1〇外·在完成該昇華作 業之時點,停止冷卻部位之加溫,之後實施溫度控制裝置 H 3 5之冷卻俾實施溫度控制·冷卻部位之加溫係追加, 附設加溫裝置(省略圖示)來實施也可以’或是具有冷卻 與加溫溫度控制裝置Π 3 5之兩功能者而切換該功能來實 施也可以。 本紙張尺度逋用中國國家標举(CNS)A4規格( 210X297公釐L U _ I裝 : 訂 線 -(請先聞讀背面之法意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 _B7 五、發明説明(9 ) 該冷卻部位之維修係將處理室1〇內向大氣開放來清 掃時,則在處理室1 0內之大氣開放前實施•或未將處理 室1 0內向大氣開放而藉電漿等施以清掃時,在清掃前或 清掃處理中實施。在該清掃處理中實施維修時,且以清掃 將所附著之堆稹物從冷卻部位可除去時,則不必實施冷卻 部位之上述加溫。 在如上述之實施例,可得到以下之效果· 亦即,在加熱處理室內側壁部之技術,以蝕刻處理所 產生之反應生成物對該側壁之附著,堆稹係如上所述地可 防止。又適用該技術,加熱試料台下部,處理室內底面部 ,排氣管等時,則可防止對該部位之反應生成物之附著, 堆稹。 然而,在這種技術,由於無法除去浮游在處理室內之 異物,因此無法防止因浮游異物所產生之降低晶園良品率
。該缺點係鼸半導體元件之容量增大至6 5M,2 5 6M 之大容置而顯著。又,爲了將反應生成物之大部分真空排 氣至處理室外,藉該反應生成物有真空排氣裝置,真空排 氣閥,可變電阻閥等之真空排氣系統會受損之問題。該問 題若反應生成物爲腐蝕性物時,則成爲更深刻者。 —方面,也考量例如冷卻試料台下部,處理室內底面 部,排氣管等,而在該冷卻部位吸附反應技術之採用》 然而,在該技術,藉處理室內底面部等之冷卻而使處 理室內側壁部之溫度,降低至反應生成物之氣化溫度以下 之溫度|因此,形成在處理室內側壁部附著,堆積反應生 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐)_ _ Γ請先W讀背面之注拿事項再·填寫本頁) -裝. 訂· 207135 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印氧 A7 B7五、發明説明(10 ) 成物,浮游異物。處理室內側壁部係與被蝕刻處理的晶圓 之被蝕刻面相比較,因位於上部之關係,因此在該側壁部 之反應生成物之附著,堆稹係從晶園良品率之觀點上成爲 極不方便者。亦即,該附著,堆稹物係從處理室內側壁部 剝離*成爲異物而導致降低晶圓良品率之主要原因· 對此,在本實施例中,由於將處理室內側壁部加溫成 未能附著反應生成物之溫度,與此同時,將試料台下部, 處理室內底面部,排氣管等冷卻成吸附,附著反應生成物 之溫度,因此,結果可防止異物之發生*又可提高晶圖之 良品率· 亦即,本實施例係具有抑制與被蝕刻處理之晶圃之被 蝕刻面相比較位於上部的處理室內側壁部之反應生成物的 附著,並將包括被抑制在處理室內側壁部之附著的反應生 成物之反應生成物,浮游異物,稹極地吸附,補足在比晶 圔之被蝕刻面位於較下部的試料台下部,處理室內底面部 ,排氣管等的概念者,對於防止異物之發生,由此極有效 地提高晶圓良品率。 又,由於在試料台下部,處理室內底面部,排氣管等 之特定部位積極地吸附,補足反應生成物,因此以清掃, 更換,烘烤等可定期地容易除去附著,堆稹物,可提高處 理裝置之維修性。 又,由於在不影響真空排氣系統之範圔內吸附,補足 反應生成物,浮游異物,因此也可解決因反應生成物,浮 游異物損及真空排氣系統之問題· (·請先W讀背面之注愈事項再•填寫本頁) 裝. 線 本紙張尺度遢用中國國家橾準(CNS ) A4规格(2丨Ο X 297公釐)_ J 3 經濟部中央樣率局負工消费合作杜印製 A7 __B7 五、發明説明(11 ) 又,可適用本發明之裝置,係除了上述一實施例以外 也同樣地可適用在表示於第4圖至第7圖的裝置構成。 第4圖係表示將本發明適用於平行平板型電漿蝕刻裝 置之其他實施例的說明圖。在第4圖之裝置中,由於將溫 度控制裝置34形成三分割(34A,34B,34C) 而將真空容器3 8之電漿發生領域昇溫至各該所期望溫度 ,又將試料台側面,下部,處理室內底面部,排氣配管等 以溫度控制裝置3 5.冷卻成所期望溫度,因此,與第1圖 之實施例同樣地具有可避免對於處理室內側面之反應生成 物之附著,並可將反應生成物選擇性地附著於試料台下部 ,處理室內底面部,排氣配管等*具有可抑制對被處理物 上之異物掉落,來自處理底面之異物捲起的效果· 第5圖係表示將本發明適用於外部能量供應放電方式 中感應結合型放電方式之裝置之其他實施例的說明圖》在 第5圖之裝置中,由於在真空容器3 8之電漿發生領域部 設置溫度控制裝置3 4而將處理室內側面昇溫至所期望溫 度,又以溫度控制裝置3 5將試料台側面,下部,處理室 內底面部,排氣配管等冷卻至所期望溫度,因此具有與第 1圈之實施例同樣之效果· 第6圈係表示將本發明適用於平行平板型電漿蝕刻裝 置之其他實施例的說明圓•在第6圖之裝置中,內部能量 供給放電用之電極以外係與第4圖之裝置相同•亦即*在 第6圖之裝置中,由於將溫度控制裝置3 4形成三分割( 34A,34B * 34C)而將真空容器38之電漿發生 本纸張尺度遑用中國國家標準(CNS)A4规格( 210X297公簸)_ 14 _ (-請先閲讀背面之注$項δ寫本頁) 裝· 訂 線 A7 B7 經濟部中央標準局負工消费合作杜印製 五 •發明説明 ( 12 ) 1 領 域 昇 溫 至 各 該 所期 望 之 溫 度 又 將 試 料 台 側 面 1 下 部 t • 1 1 處 理 室 內 底 面 部 t 排 氣 配 管 等 以 溫 度 控 制 裝 置 3 5 冷 卻 成 - 1 1 所 期 望 溫 度 9 因 此 具 有 與 第 1 圖 之 實 施 例 同 樣 之 效 果 0 1 I ♦ 1 1 第 7 圖 之 實 施 例 係 表 示 外 部 能 置 供 rrkg 應 放 電 方 式 之 電 漿 先 閲 1 1 讀 1 源 在 圖 頂 形 狀 之 放 電 管 ( 石 英 ) 1 4 之 周 圍 捲 繞 線 圈 背 面 1 I 3 4 » 而 在 其 線 m 3 4 施 加 R F 電 源 4 0 時 之 實 施 例 0 在 之 注 | 1 1 I 第 7 圖 之 裝 置 中 > 在 真 空 容 器 3 8 之 電 漿 發 生 領 域 部 以 線 Ψ 項 再 1 1 1 圈 3 4 生 成 電 漿 9 並 藉 其 生 成 電 漿 9 處 理 室 內 側 面 係 被 昇 寫 本 裝 溫 至 所 期 望 溫 度 » 又 因 試 料 台 側 面 下 部 t 處 理 室 內 底面 頁 1 1 部 排 氣 配 管 等 係 以 溫 度 控 制 裝 置 3 5 被 冷 卻 成 所 期 望 溫 1 1 度 * 因 此 具 有與 第 1 圖 之 實 施 例 同 樣 之效 果 〇 1 又 在 上 述 各 實 施 例 雖 未 說 明 異 物 之 電 荷 * 惟 充 分 訂 Ί 考 1: 浮 游 塵 埃 帶 有 電 荷 作 爲 其對應 策 考 置 在試料 台 側 1 I 面 t 下 部 處 理 室 內 底 面 部 排 氣 配 管 等 具 有 所 期 望 之 溫 1 I 度 控 制 功 能 且 在 負 電 位 或 正 電 位 安 裝 可 控 制 電 位 的 板 狀 1 線 零 件 之 構 成 0 1 依 照 本 發 明 由 於 在 同 一 處 理 室 內 位 於 比 載 置 被 處 理 1 1 物 之 場 所 較 上 部 ( 處 理 室 內 側 面 9 上 部 電 極 ) 之 部 位 不 會 - 1 1 附 著 反 應 生 成 物 » 而 僅 附 著 在 控 制 成 反 應 生 成 物 成 爲 固 體 1 I 化 之 溫 度 的 場 所 9 因 此 可 提 供 一 種 異 物 發 生 少 又 高 良 品 率 1 I 的 電 漿 處 理 裝 置 及 電 漿 理 方 法 Ο 1 1 1 I C 圖 式 之 簡 單 說 明 - 1 1 1 第 1 圖 係 表 示 本 發 明 的 — 實 施 例 之 微 波 電 漿處 理 裝 置 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS>A4规格(210X297公釐L 15 _ B7 五、發明説明(13 ) 的縱剖面圖。 第2圖係表示本發明的一資施例之蝕刻氣體與反應生 成物的蒸汽壓曲線圖。 第3圖係表示本發明的一實施例之電漿處理之控制順 序的說明圖。 第4圖係表示本發明的其他實施例之平行平板型電漿 蝕刻裝置的縱剖面圖· 第5圓係表示本發明的其他實施例之感應結合型放電 方式之裝置的縱剖面圓。 第6圓係表示本發明的其他實施例之平行平板型電漿 蝕刻裝置的縱剖面圖。 第7圖係表示本發明的其他實施例之微波放電方式之 裝置的縱剖面圖。 (请先閲讀背面之注^^項并填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央揉準局貝X消费合作社印隶 本紙張尺度適用中困困家揉準(CNSM4规格( 210X297公釐)_ μ -
Claims (1)
- 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1.一種電漿處理方法,係由具有供應處理試料之處 理氣體,而且保持有所定壓力的電漿發生室,及在該電漿 發生室載置被處理物的試料台,及減壓排氣上述電漿發生 室的排氣機構的電漿處理裝置,電漿處理上述試料的電漿 處理方法,其特徴爲: 個別地控制上述電漿發生室內發生電漿之場所與此以 外之場所的各該溫度*俾抑制被電漿處理之上述試料的電 漿處理特性之經常性變動者· 2種電漿處理方法,係由具有供應處理試料之處 理氣體,而且保持有所定壓力的電漿發生室,及在該m漿 發生室載置被處理物的試料台,及減壓排氣上述電漿發生 室的排氣機構的電漿處理裝置,電漿處理上述試料的電漿 處理方法,其特徴爲: 昇溫上述*漿發生室內發生室內發生電漿之場所的側 壁溫度,並冷卻此以外之場所的內壁部,俾抑制被電漿處 理之上述試料的電漿處理特性之經常性變動者。 3 .如申請專利範圍第1項所述之電漿處理方法,其 中,上述各該場所之溫度控制係在上述處理氣體之流路具 有溫度控制功能,且在負電位或正電位控制電位者。 4 種電漿處理裝置,其特徵爲:具備供應處理試 料之處理氣體,而且保持有所定壓力的電漿發生室*及在 該電漿發生室載置被處理物的試料台,及減壓排氣上述電 漿發生室內的排氣機構•及可個別地控制在上述電漿發生 室內發生電漿之場所與此以外之場所的各該溫度的溫度控 本錄ΛΑ逋用中困國家橾準(CNS)A4胁(21〇χ297公羡)_ _ I i^i nn nn —^^1 itn tn n^i m m 一aJ - *' (請先H讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局工消费合作社印装 A8 B8 C8 ____D8 々、申請專利範圍 制功能者。 5 .如申請專利範園第4項所述之電漿處理裝置,其 中,上述溫度控制功能係作爲可將發生電漿之場所與此以 外之場所的各該溫度連接並控制在任何一方之溫度的構成 者。 6 .如申請專利範困第4項所述之電漿處理裝置,其 中,上述溫度控制功能係昇溫電漿發生室內之側壁溫度, 並冷卻此以外之內壁部的構成考。 7 .如申請專利範園第4項所述之電漿處理裝置,其 中,上述溫度控制功能係可拆卸上述電漿發生室內之側壁 以外之場所的側壁部之構成者》 8 .如申請專利範圍第4項所述之電漿處理裝置,其 中,上述溫度控制功能係在上述處理氣髖之流路安裝可溫 度控制之節目狀零件者* 9 .如申請專利範國第4項所述之電漿處理裝置,其 中,上述溫度控制功能係在上述處理氣體之流路安裝具有 溫度控制功能,且在負電位或正電位可控制電位的板狀零 件者。 I ^^1 ϋ (n In ^^1 1.1 I —.1 n I— I ----- - Ln fc-i • . r (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X297公釐) 18 -
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Cited By (1)
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Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6092486A (en) * | 1996-05-27 | 2000-07-25 | Sumimoto Metal Indsutries, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US6176929B1 (en) * | 1997-07-22 | 2001-01-23 | Ebara Corporation | Thin-film deposition apparatus |
US6129807A (en) * | 1997-10-06 | 2000-10-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for monitoring processing of a substrate |
US6201219B1 (en) * | 1998-02-25 | 2001-03-13 | Micron Technology, Inc. | Chamber and cleaning process therefor |
JP3764594B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2006-04-12 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法 |
JP2000124195A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 表面処理方法及びその装置 |
US6221203B1 (en) * | 1999-06-01 | 2001-04-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for controlling temperature of a chamber |
US6547922B2 (en) * | 2000-01-31 | 2003-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum-processing apparatus using a movable cooling plate during processing |
US6666924B1 (en) * | 2000-03-28 | 2003-12-23 | Asm America | Reaction chamber with decreased wall deposition |
WO2003065435A1 (fr) * | 2002-02-01 | 2003-08-07 | Tokyo Electron Limited | Procede de gravure |
WO2004070802A1 (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-19 | Tokyo Electron Limited | 処理システム及び処理システムの稼働方法 |
JP4058364B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2008-03-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置 |
US20060000551A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Saldana Miguel A | Methods and apparatus for optimal temperature control in a plasma processing system |
US7780791B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-08-24 | Lam Research Corporation | Apparatus for an optimized plasma chamber top piece |
US8540843B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma chamber top piece assembly |
JP4997842B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2012-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
KR100698927B1 (ko) * | 2005-12-13 | 2007-03-23 | 주식회사 래디언테크 | 플라즈마 처리 방법 |
US20070281106A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
WO2008030047A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Seoul National University Industry Foundation | Apparatus and method of depositing films using bias and charging behavior of nanoparticles formed during chemical vapor deposition |
GB2462589B (en) * | 2008-08-04 | 2013-02-20 | Sony Comp Entertainment Europe | Apparatus and method of viewing electronic documents |
US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
US8664127B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-03-04 | Applied Materials, Inc. | Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner |
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US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
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US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
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Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6056431B2 (ja) * | 1980-10-09 | 1985-12-10 | 三菱電機株式会社 | プラズマエツチング装置 |
US5102496A (en) * | 1989-09-26 | 1992-04-07 | Applied Materials, Inc. | Particulate contamination prevention using low power plasma |
JPH03167825A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング装置およびエッチング方法 |
JP2532401Y2 (ja) * | 1991-04-16 | 1997-04-16 | ソニー株式会社 | バイアスecrプラズマcvd装置 |
US5477975A (en) * | 1993-10-15 | 1995-12-26 | Applied Materials Inc | Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces |
US5368685A (en) * | 1992-03-24 | 1994-11-29 | Hitachi, Ltd. | Dry etching apparatus and method |
JP3227522B2 (ja) * | 1992-10-20 | 2001-11-12 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
JPH06188220A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
KR0141659B1 (ko) * | 1993-07-19 | 1998-07-15 | 가나이 쓰토무 | 이물제거 방법 및 장치 |
US5647945A (en) * | 1993-08-25 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
-
1996
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- 1996-03-20 SG SG1996006453A patent/SG47090A1/en unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI484525B (zh) * | 2011-12-16 | 2015-05-11 |
Also Published As
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---|---|
SG47090A1 (en) | 1998-03-20 |
US5961850A (en) | 1999-10-05 |
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KR100399542B1 (ko) | 2004-01-07 |
EP0734047A2 (en) | 1996-09-25 |
EP0734047A3 (en) | 1997-04-02 |
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