TW296461B - - Google Patents

Description

A6 __B6 五、發明説明（ ） 本發明係關於若干配置其中一材料層形成在表面上使 得材料被引入至表茴内之孔洞或溝稽中。特別地，但非唯 —地，本發明係關於若干配置其中該表面為一半導體晶片 (或供積體電路用之基質）之表面。 於半導體晶片中形成一半導體装置期間有若干情形係 箱在晶片上沈積一材料層。此種情形之一係發生在導體或 半導體軌跡即將形成於晶片上之時，因此該類軌跡可接觸 裝置或電路之主動區。通常，此類軌跡接箸需延伸穿過晶 片表面上之絕续層俾接觸該絕续層下側之主動區或該絕緣 層下側之其他導簏軌跡（孔洞通常稱作通道（via))。軌 跡依此方式延伸穿過一孔洞時，一重點爲充填該孔洞之材 料（如金屬）數量需足Μ確保良好之電氣接觸。 另一情況係當電絕緣層即将形成在晶片上以隔離主動 區及/或導體軌跡，或形成一既知鈍化層之保護覆蓋。此 種絕緣層經常霖覆蓋晶片上之導饅軌跡或其他结構，且此 類结構可相互靠近使得其間之空隙形成狹窄之溝槽。重要 .事項為絕续材料係Μ充分厚度覆蓋所有表面以提供良好之 電氣絕续，且絕緣層之頂面將足夠平滑俾供晶片處理之次 一階段之用。 於半導體晶片之表面上形成材料層之正常方式為採用 一沈積技術，例如導體層用之噴鎪，或絕緣層用之化學氣 相沈積等。依此技術，即將形成材料層之表面係以即將沈 積之材料顆粒加以ft搫直到完成適當厚度之材料層為止。 在材料層表面具有延伸至晶片表面之孔洞或溝棺之情 衣纸乐迖月女遵—基家谆孕規洛210X297公货' _ 3 : J......................................................... ......................^.......................玎.................... f請先父1*背面之注意事項--,場寫衣頁} 蛵濟部办夫蜞準局員工消费合作社印製 ^^〇4βί Α6 _____Β6_ 五、發明說明（ ） 形下，材料顆粒係沈積在孔洞或溝槽之側邊或基底，但吾 人己發現即將沈積之顆粒傾向於主要在孔洞或溝楮之口部 ，因此當沈積作業持續時口部寬度卽減少。此效果為孔洞 或溝棺内部可能以蔭蔽（shadowing〉爲若且可能在孔洞或 溝榷口部之沈積物有效封閉孔洞或溝槽並阻止其内從事進 一步沈積之前《或所需厚度已沈積在表面其他部分之前， 無法於孔洞内側沈積適當厚度之材料層。當结構寬度減少 時此一問題變得更為顯箸，而半導體技術之發展卻導致朝 更小及更窄的结構遇進。 製造一適當導體層之另一方法為首先以一金屬充填孔 洞，且接著在絕緣層及充填孔洞上形成金屬層。因此*該 孔洞可採用一例如化學氣相沈積之技術並以鋳加以充媾， 且接著可藉著上述之嗔鍍技術在表面上沈積一較通用之金 屬，例如鋁或鋁合金。然而，藉化學氣相沈積而用以充《 孔洞之材料所甩之氣態源甚為昂貴，且需採包含不同材料 之兩階段製程，故提升了整値装置之成本。 孔洞可藉箸在高溫（>500〉下噴鍍及/或利用鴒壓噴 鍍之方式加以充填，但金屬品質會降低，且製程欠一致並 難Μ控制。鋁之化學氣相沈積（CVD〉方式有可能且確可充 填孔洞，但裂程缓慢、難Κ控制且箱要一適當種子層之先 期沈積，另接著需要包含不同材料的兩階段製程。 有不同之製造一適當绍緣層之方法。一方法爲藉著化 學氣相沈積（CVD)方式沈棟所需厚度之一部分，且接著藉 噴鍍蝕刻或活性離子蝕刻來移除突出於溝檜上之材料層部 衣紙法尺度遄用t a 3家 >票準: CXS , 210 X 29 了公笼i - 4 - ' …'............................................................................^......................^ ί請先父讀背面之注意葶"'再"寫本頁} A6 __B6 五、發明説明（ ） 吾人己瞭解假設高壓足夠高，則亦無需提升溫度。因 此，在第一觀點方面，本發明建議一材料層形成於物品之 表面上而該表面具有一凹部（例如一孔洞或溝檀）且該材料 層覆蓋該孔洞或溝槽之口部。接著，在不提升溫度之情形 下，物品及材料層接受足以使材料層變形進入孔洞或溝棺 内之高壓程序。 完成材料層變形所需之精確壓力條件將視所用材料而 定，但對鋁或鋁合金而言，壓力將需高於200 X 10s pa (30,000ρ· s. i)且己發現超過 700 X l〇6pa ( 100, 000p. s. i) 之壓力較適合。 通常用來形成導饅軌跡之合金爲Al/0-2% Si/0-4 % Cu/0-2% Ti組合物且據發現在此種條件下此類合金 可適當地變形。 本發明未限定為形成材料層之一待定方法，且如上所 討論者，噴鍍或化學氣相沈積等技術均可採用，雖然其他 不同方法例如真空蒸發或液體應用等亦可採用。實際上， 材料層有可能預先成型為一薄膜而該薄膜接著置放於物品 上° 因此，為於半導髏晶片上形成一材料層而該層延伸穿 過晶片表面上之下側層中之孔洞或溝槽，則形成該層之材 料（例如錨或其他適當材料）首先？i著例如嗅鍍而沈積在下 倒層之表面上。接著材料可沈積在孔洞或溝楮之側邊與基 底上，雖然结構之口部厚度將較厚。當沈積適當數置之材 料時沈積作業卽停止且形成物接受高壓達一足夠長之期間 (請先'?讀背面之注意真"再旗寫.尽頁) 本故乐Λ,受ι![月今虿基家嘌準 CNS,，玄4規格「210x297公雙 6 ^06461 A7 B7 經濟部中央樣準局貞工消费合作社印製 五、發明説明（） 分。此種循琛可重複進行直到沈積達足夠厚度為止，蝕刻 步»乃用以防止溝槽口部之封閉。然而，該製程缓慢，需 若干步《且霈為不同幾何形狀而調整。 另一方法為沈積一绝錁材料（其可藉熔化而逆流）例如 摻雜硼或磷之氣化矽。該材料可藉CVD加以沈稹且接著加 熱直到該材料流入溝槽内為止。然而，此種材料逆流所需 之溫度大於8001,此溫度將使任何現存之鋁質軌跡均熔 化且會迪成晶片中装置之主動區内所不欲得之擴散。 第三種方法供施加一液鳢溶液至晶片表面上而此種掖 釀於後鑛加熱時可形成一固態絶綠靥例如習知之“自旋玻 璃”（spin-on-glass)。材料在首度施加時即流入溝槽内 。然而，該材料在加熱製程後傾向於保持某些水份且此一 水份會造成装置因腐蝕所致之不可靠性。可能霈要一軍蓋 靥以密封抗拒水份而如此會增加裂程步费之數目且因此裝 置之成本。 在申請人之歃洲專利申請案第92304633.88«中，吾人 建議在物品表面上形成一材料層，其中該表面（例如一晶 片）具有一凹部例如一孔洞或溝槽，該孔洞或溝槽之倒邊 及基底将設置一覆蓋以提供霣氣接觸或絶绨。接瞽，吾人 建謙物品（包括材料曆）接受足以使材料曆變形之离壓及高 溫〇 吾人認為造成形變之主要因素為离壓及高溫所激發之 差排》移所致之塑性流動。吾人亦認為表面擴散，粒狀邊 界鑛散及晶格擴散均具有高溫所瀲發之效匾。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背*'之注意^項再填寫本頁) .'•~ 訂 線 Α6 Β6 經濟部中夬蜞详局員二消费合作社印& 五、發明説明（ ） Μ造成材料之移動進而充填结構，或充分地移入结構内W 容許一可靠之電氣接觸（假設材料為金屬）或提供可靠之電 氣絕緣（假設材料為一絕緣證）。 重要事項為结構之口部藉沈積而完全封閉，留下一位 在结構内之封閉口部下側之空隙。结構之口部的此種封閉 可藉著空隙外側之高壓而使材料被推下至结構内並令空隙 崩陷。因此當材料在高壓情況下移動時空隙即被充填。因 此，非如習知配置般，結構口部之封閉並非代表材料量之 一限制而該材料量在步驟结束時可充填结構以完成一令人 滿意之接點或絕緣醴。 鋁或某些鋁合金特別適用於本發明此因其屈服強度較 其他通用金屬爲低。因此，它們將在相對較低之壓力下變 形成移入或充填孔洞。對其他材料而言，將需較高之壓力 〇 雖然本發明所需之高壓可利用氣體達成，惟較佳採用 者爲液饈。此外 > 吾人明瞭液體亦可應用於歐洲專利申請 .茱89304633.8之技術内。因此，雖然本發明之第一観酤 之一較佳特點爲利用一液體達成高壓，惟其亦形成一第二 (獨立）觀點的基礎。 第二觀點為一材料層形成在物品之表面上，該表面中 具有一凹部（例如一孔洞或溝槽〉而該材料層覆蓋孔洞或溝 槽之口部。接箸，至少材料層之外露表面與受魘液趕接觸 。材料層所暴露下之高壓接著使材料層變形進入孔洞或溝 槽内，此可能因壓力單獨所致，或另由高S及溫度兩者所 .................................................................................^......................玎.................^ t請先"讀背面之注意享項再磺寫本頁) 本纸任瓦度退刃中2 3家蜞準fCNS 現洛、210x 297公重 7 A6 B6 砹濟*·._夫嶂羊扃貞工-jiff合作社印3i 五、發明説明（ ） 致。 較宜採用掖韹來逹成非常高之壓力比因此類壓力可較 快且較安全地達成。因液體幾乎無法壓縮，故甚少工作需 在壓縮条统内完成以達成非常高之壓力。例如，壓縮乙醇 逹10 %可產生約130 MPa之壓力而壓縮氬達10%可產生僅 0.01 MPa之壓升。在非常高之壓力下的液體具有較相同IS 力下之氣體為少之儲存能量，此因較少之工作加諸其上之 故，因此較少之能量可在未受控制之解壓下披釋出K降低 安全風險。 吾人希採用一液體其在處理後不會於物品上留下殘餘 物。較佳地，液體爲一種不具溶解固體之液髏。液體較宜 爲一種在處理结束時可容許自工作件處蒸發之液體。乙醇 爲一適當之例而液態之氧化碳亦然。 所採用之液證需於處理期間與所用之溫度相容。假設 液饉之溫度超過其三倍點時，則液體即轉變成氣體。乙醇 及二氧化碳分別具有位於臨界溫度514K及3041(之三倍點。 假設每種情形中之溫度不超過値別之臨界溫度則可採用此 類液饅。 水亦為使用在本製程中之適合液饅。水之使用可容許 作桊在較高溫度下進行，此因其三倍點發生在臨界溫度 6471(處之故。 可採用其他液體。已說明之形成材料層之技術無論該 材料層爲導饈，絕緣體或半導體均可採用。 前已提及之重要事項為结構之口部將藉沈積來加以完 玉妖浚尺't—迗家锇洋..CN.S ! » 4規咯！ 210 X 297公龙- 一1 : ·:..................................................................................裝......................·玎....................·果 <請先«讀背云之;*意事項再>4寫本頁) Α6 Β6 經濟部t夬桴準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ ） 全封閉而留下封閉口部下側之空隙。假設沈積為垂直或實 質垂直者《吾人已發現此種口部之封閉需要一厚度至少如 孔洞寬度般之表期沈積。吾人希減少此一厚度，使得材料 層之後績樣式蝕刻完成後，步階高度可降低以簡易化（例 如）後續之材料層步階覆蓋或（藉箸減少所需焦點場深度的 方式所為之）尖刻法。因此，本發明之進一步發展中，吾 人建議沈積可藉磁控管噴鍍之方式實施使得材料由大範圍 角度流向晶片表面，且晶片被加熱Μ增加沈積材料之滾動 性。在正確之表面及熱度情況下，沈積在孔洞或溝槽中之 材料可流出該孔洞或溝槽並促成橋接件之生成。就鋁合金 之磁控管噴鍍沈積而言《吾人發現鍍殼溫度350〜4 50¾爲 適合，但其他溫度亦可加強橋接效應。 本發明之一實施例現將藉實例並參看隨附圖式加以詳 細說明，其中： 第1圖顯示本發明形成材料層之前之半導體晶片的横 截面圖； 第2圖頚示第1圖之晶片在依據本發明形成材料層之 中間階段之横截面圖；Μ及 第3圖顯示材料層完成後之晶片撗截面視圖； 第4圖顯示曝露在高壓後之晶片橫截面視圖； 第5圖係相關於第2圖之截面圖但僅爲形成薄膜期間 採用較高溫度時； 第6圖係實施本發明之装置示意平面視圖；以及 第7圖係第6圖装置之零件示意截面圖，該零件使物 ...................................................................................¥.....................-玎....................Λ, (請先父讀背无之注意事項再填窵尽頁) A6 B6 經濟部令夬橒準局員工消费合作社印裝 五、發明説明（ ） 品接受高壓，此零件亦可在使用本發明第二観點之方法時 使物品接受高溫。 第1圖顯示一其上具有預存材料層2之半導饈晶片1 。晶片1本身可包含多數不同特性之材料層及/或區域Μ 形成一半導體裝置，且爲包含形成該類材料層及/或區域 之多數階段之製程结果。晶片1之内部結構就本發明而言 並無意義且因此此類材料層及/或區域將不進一步紂綸。 材料層2內具有一孔洞或溝槽結構3 *且本發明乃關 懷在預存材料層2上形成一材料層之問題，例如，使得一 電氣接點可藉金屬層而製得於晶片1之表面4並位於孔洞 或溝槽結構3内，或一電氣絕緣饈可形成於晶片1之表面 4並位於孔洞或溝槽結構3内，或可形成一依習知方式製 成半導韹之材料層等。因此該表面4可與例如晶片内之主 動區，或晶片上之結構内的其他導體軌跡相接觸。 為形成一金屬層，一材料（例如鋁）係依例如第1圖中 朝下或斜向一邊之方向噴鍍至材料層2之表面上。如有需 要亦可朝上進行噴鍍作業。爲形成一絕緣層，一材料（洌 如二氧化矽）係藉例如化學氣柑沈積而沈積至材料層2之 表面上。此程序持續進行直到預存層2上之新層具有一適 當厚度爲止。此顯示於第2圖中而新層Μ 10加以揭示。依 此沈積技術，沈積材料以形成材料層1〇之作菜，與结構3 之側壁及其基底相較，傾向於較易在表面4形成之结構3 之口部發生。因此，如第2圖所示，孔洞或溝槽結構3之 側壁11及表面4上，與覆蓋預存層2表面之材料層10相較 衣紙法又度逯用_ S 3家缳濞 CXS ;尹·1蜗_格.210 X 297公$+二-_二- ;...............................................................................¥......................* 玎...................耒 (請先父讨背面之注意¥項再填寫衣頁) A6 B6 五、發明説明（ ） ，均具有一相當薄之材料層。因此吾人可看出晶片1之表 面4處可能無法達成令人滿意可靠之電氣連接或絕緣。此 外，通常不可能藉連續沈積製程來增加沈積在側壁11及表 面4上之數量，此因該沈積製程终將封閉孔洞或溝槽结構 3上側層10中之空隙而防止结構3内之進一步沈積且留下 一空隙。 上述技術代表現行橒準法且表面4之不良覆蓋可能因 此成爲装置中之缺陷或弱點。 重要事項為沈積應封閉結構之口部。某些情況下，此 舉可能需要較別處沈積所需之厚度為厚*此捶情況下在结 構己填滿之後多餘材料可藉蝕刻而移除。第3圖因此示一 類似於第2圖之處理階段但其中结構之口部已遭封閉侔於 材料層10下側具有一空隙。此種整個密封空隙之想法亦可 藉箸於材料層上提供一罩蓋層（其因此可密封任何開口空 隙〉之方式而達成。此種罩蓋層亦可改善最终表面之組態 。此種罩蓋層可爲任何適合材料且可具有較材料層在其變 形溫度壓力下罩蓋之層為大之楊氏係數（Youngs modulus〉 Ο 晶片接受高壓情況後，罩蓋層可被移除或可視該罩蓋 層之材料而留在定位。 因此，依據本發明之第一觀點，一旦達到第3圖之階 段，進一步材料之沈積卽停止且接著第3圖所示之结構接 受高壓，例如700 Χ 10sPa(100, OOOp. s. i )以上之壓力，假 設層10之材料爲鋁的話。此锺高壓會造成層10之材料流動 本绝法尺度速用尹3 3家蜞準，CXSi 規格：210父297公笼' I χι _ ~ ;....................... ................ ......................................^...............,,町 ：二 |汴先-,讀背面之注意事項"磺窝本頁) 經濟部"夬橒·Λ十局S工消费合作社印製 A6 ____ B6___ 五、發明說明（ ） 而鄰接结構3，且此一程序可持薄進行直到结構3被填滿 為止，如第4圖所示。接著材料13完全填满结構3且因此 可逹成一令人滿意之至表面4的電氣接點。可能在结構3 上側之材料層10中具有小凹部14，此乃因材料13¾入结構 3内而填滿該结楕所致，惟此凹部不會影響装置之電氣待 性。 依此方式，可逹成令人滿意之接點且吾人發現本方法 不受結構3之寬度影遒。 依據本發明之第二觀點，一旦逹到第3圖之階段，進 —步之材料（導體、絕緣髏、半導體〉沈積即停止且接著第 3圖所示结構藉箸接觸受壓液韹之方式而接受高壓。可選 擇地*溫度亦可提高。當採用本發明第一觀點之方法時其 结果卽如上所逑。利用，例如，350¾至400t： K上之溫度 及高於2〇x 10s Pa( 3,000 P.s.i>之壓力可達成令人湛意之 接點或絕综。 如先前提及者，重要事項為材料層10整個覆蓋孔洞或 .溝槽结構3，因此封閉了空隙。结構3 口部之此種封閉可 將材料推下至结構3中，此因結構3位置所在之材料層10 跨有壓力差之故。因此，如第2及3圖所示，將材料沈積 至结構3内幾乎無法獲致優點。雖關於第2及3圖所述之 配置乃假設一相當薄之材料層係沈積至结構3之側壁11上 ，惟此種沈積阻卻了结構3之口部封閉，藉此增加了箱沈 積以封閉該口部之材料層10之厚度。然而'吾人發現假設 沈積發生於例如400=至450t：之高溫時，鄰近结構3之材 又度运用*3 3家懔注丨CN+S; 規格：2Ι0χ297公；ϊ 1 - 12 - .....................................-..........................................¥......................-玎................. {請先-:讀背面之注意事項再磺寫本頁} 經濟部"夬橒41局WC-消費合作社印戈 A6 _B6_ 五、發明説明（ ） 料層10形狀，在結構3 口部封閉前，可能不同’如第5圖 所示。沈積優先地發生在结構3之口部，藉此可加速該结 構3之口部封閉。因此，材料層1〇在高溫下沈積較宜。對 低溫沈積而言，材料層之厚度通常至少為结構3寬度之 2倍，但此種限制如上所述可藉著高溫之利用而加W避免 〇 吾人應進一步注意之重要事項為结構3箱整値被材料 13加以充填，如第4圖所示。假設壓力未足夠高或未保持 足夠長久*則流入结構3之材料13可能無法整痼填滿它， 而黄施本發明期間需對此加Μ考慮。另吾人亦希在材料層 2與材料層10之間形成一障壁層（未顯示）°此外，假設有 多數値相鄰结構3則需加Μ注意以確保材料層10中有足夠 材料充填所有之結構。 當物品爲一半導體晶片時，一實施本發明之裝置係顯 示於第6圖中。装置之多數元件均颶習知，而使物品（晶 片）接受高壓之零件則屬例外，且假設使用於本發明之第 .二觀點的方法中時，使物品接受高溫之零件屬例外。 因此，半導證晶片係經由一界面20而装填至装置内， 而晶片由該界面20傾別地傳送至一鎮定室21處。鎖定室21 充作裝置内部（晶片在其内進行處理）與外部間之密封件。 一傳輪臂22接牧一來自鎖定室21之晶片並將晶片成功地傳 送至一糸列樓組中之一處而晶片之處理卽在該模组中發生 。通常，晶片係在一預熱棋组中加Μ預熱。晶片之預熱， 在真空中，可確保晶片完全不含氣饈，且約400Τ：之溫度 w、&/0¾m 中 3 3 家樓m ? 4規格 21〇χ 297公笼, _ 13 _ - ...............................................................................:装......................訂...................名 {請先"請背£之·主意事項再填窝本頁) A6 B6 五、發明説明（ ） 保持達60秒，對某些收濕晶片而言，需要一延長之加熱作 業。 晶片可自預熱模紐23藉傳輪習22之適當移動及轉動而 傳送至噴鍍蝕刻楔組24處。此清除晶片上之天然氧化物且 . 亦可進一步令晶片脫氣。此種噴鍍蝕刻係可選擇的。 如此實施之製程造成第1圖所示之晶片狀態。如前所 述假設在材料層10形成之前於材料層2上形成一障壁層； 則晶片即直接由預熱楔組23或由嗅鍍蝕刻模組24處傳送至 一障壁沈積模組25處。障壁層可依習知方式形成，且可為 例如T i -T i N。T i N可藉純T i之活性噴鍍加以沈積且R . F . 偏壓，原地氧結合或真空分裂等可用以增進障壁層之一鱧 性。障壁層之典型厚度，假設形成，爲100nm级數。吾人 應注意第1圖所示結構上之障壁層的形成爲已知。 接箸，晶片藉傳繪莺22傳送至一沈積模组26，而材料 層10於其内沈積。此種沈積可藉習知方法進行，且噴鍍沈 積較宜。如前所提及，此種沈積較宜於高溫下發生。材料 .層10之沈稹持續進行直到物品上之所有孔洞或溝槽均被材 料層10密封為止。 上述裝置之模組23至26可為傳统式者。傳统配置中， —材料層10被形成，其將不致密封孔洞或溝槽结構，但此 種結構之密封可利用一傳統模組26加以實施。 接箸，依據本發明之第一觀點，晶片由沈積模組26傳 送至模組27其中晶片接受高壓以使材料層1〇變形因此材料 13可充填孔洞或溝槽结構，如第4圖所示。模組27於第7 ..................................................................................¥......................•玎.................. (請先聞讀背面之-意事項再頊寫本頁) 本·帙法又度这用令國3家谭^ .CXS) 規格；210x 297公;5 14 經濟部"夬樓準局員工消贫合作社印製 A6 B6 五、發明説明（ ） 圖中有較詳細之顯示。第6圖亦顯示一頚示器28而操作者 可監看晶片之移動。 當採用本發明第二觀點之方法時*晶片係藉著接觸模 組27中之受壓液體之方式接受高壓。可選擇地，溫度亦可 提高。 由第7圖可看出，模組27包含一壓力容器30其经由包 含一P邊閥32之通道31與含傳翰習22之裝置的區域相連接。 因此，晶片可藉箸閘閥32之開啟與封閉經由通道31而導入 及移離壓力容器30,此一移動Μ箭號33加Μ顯示。壓力容 器30之内部與連至泵35之真空室34相連通。此可使壓力容 器30之内部被抽真空。另設支持銷39Μ支持晶片36其已被 導入壓力容器30内。 爲使晶片接受高壓，壓力容器30具有一連至高壓氣體 (例如氬）或液體源之入口 37。藉著以氣饅或液簏充填壓力 容器30内部之方式，晶片及其上之層均可接受適當控制之 壓力。此外，壓力容器30包含加熱板38，假設需要，當採 用受壓液體時，該加熱板容許壓力容器30内之溫度Μ及晶 片之溫度均升高。 因此，導入至壓力容器30内之晶片36可選擇地藉著接 觸受壓液體而接受高壓，以及假設採用液體時亦可選擇地 接受高溫侔使形成於其上之材料層10可形成晶片中之通道 Ο 一旦程序完成，容器30即解壓。加壓氣體僅可容許绖 由一出口脫離，該出口實際上可爲入口 37。氣饅可被泵吸 衣致法ms 規mGx:29*r公笼. :—一 — ..................................................................................裝......................訂..................雀 (請先'"讀背面之：;i意事項具瑱寫本頁) 經濟邾中夬標华局灵-消費合作社印製 A6 B6 五、發明説明（ ) 出來。當採用受壓液體時，該液饅可容許在重力影逛下經 由一大致定位之出口而自容器洩出，或該液體可被泵吸出 來。視所採之液體而定，可容許蒸發而如此形成之蒸氣可 自容器中排出或泵吸出。 因此，雖然半導體裝置之趨勢是尺寸愈來愈小（包括 接酤孔洞用之較小尺寸），惟本發明仍容許經由小接點孔 洞達成令人滿意之電氣接點。在採用噴鍍之現存技術中， 由第2圖之考量可看出，孔洞口部之沈積将迅速地封閉— 小孔洞，因此現存技術僅提供不良之電氣接點。另一方面 ，藉著本發明，在金屬層之初始沈積期間孔洞口部之封閉 (於施加高溫及高壓情況之前）可改善該等高壓及高溫情 況施加後之接點成功性。 (請先'"讀背面之注意事項玉>4莴各頁} -裝 訂 本纸法尺度逯；?] t虿3家樓渾_ CNS;規格：210x29了公变

Claims (1)

1. 經濟部中央揉準局貞工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 第82111086號専利申請案申請専利範B修正本 修正日期·· 年7月 1. 一種在物品表面上形成材料層之方法，該表面^0有 凹部例如孔洞或溝檐，包含以下步思01沈積一材料層 至表面上使得該材料層覆羞凹部之口部並萤下封閉口 部下細之空除，以及接著在不提高其溫度下，使》品 及沈稹層接受一足夠离之壓力以使材料靥變形進入凹 部内。 2. 如申讅專利範園第1項之方法，其中物品為一半導· 晶片。 3. 如申誚專利範園第1或2項之方法，其中沈積在物品 表面上之材料為鋁或鋁合金。 4. 如申請専利範匾第3項之方法，其中沈稹材料為具有 成份為 Al/0-2% Si/0-4% Cu/0-2% Ti 之鋁合金 〇 5. 如申請專利範圃第1項之方法，其中物品及沈積層所 接受之壓力大於 200X 10*Pa(30,000p.s. i)。 6. 如申請専利範函第5項之方法，其中物品及沈稹層所 接受之壓力大於 70〇x 10«Pa(100,000p.s. i)。 7. 如申請専利範圃第1項之方法，其中材料層供利用喷 鍍技術而沈積至物品表面上。 8. 如申讅専利範匾第1項之方法，其中物品於沈積材料 «至物品表面上期間俱接受一离溫。 9. 如申請專利範園第1項之方法，其中接受高K之物品 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） ---------t------、訂------t (請先閱讀膂面之注意事項再填寫本頁) 61 ABCD 經濟部中央梂率局貝工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 及沈積靥像利用一受壓液醱而逢成。 ίο.—種在物品表面上形成材料層之方法，該表面中具有 凹部例如孔洞或溝槽，包含以下步《即沈積一材料靥 至表面上使得該材料層覆蓋凹部之口部並留下封閉口 部下個I之空除，以及接著至少沈稹層之外《表面接觸 一受歷液《以使材料曆變形進入凹部内。 11. 如申請專利範園第9或10項之方法，其中受壓液麵為 一不會在其舆物品及沈積層接觸後将殘餘物留在物品 上的液*。 12. 如申請專利範園第11項之方法，其中受壓液鼸為一實 質未包含溶解固髏之液黼。 13. 如申請専利範園第9或10項之方法，其中受壓液疆為 一液腥而該液疆容許在其與物品及沈積層接觸後自物 品處蒸發。 14. 如申請專利範匾第9或10項之方法，其中受壓液體為 乙酵。 15. 如申請專利範臞第9或10項之方法，其中受壓液錶為 液態二氣化硪。 16. 如申請專利範圃第9或10項之方法，其中受壓液讎為 水。 17. 如申請専利範園第10項之方法，其中物品為半導讎高 片。 1δ.如申誚專利範B第10項之方法，其中物品及沈稹靥你 接受高溫並接觴受壓液體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4規格（210 X 2们公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局属工消費合作社印製 々、申請專利範圍 19. 如申請専利範園第18項之方法，其中物品及沈稹層所 接受之高S偽介於350t：與4001C之間，且受壓液匾所 處之壓力大於 2〇x 10ePa(3,000p.s. i)。 20. —種在物品表面上形成材料層之方法，該表面中具有 凹部例如孔洞或溝槽，該方法包含以下步*即利用磁 控管噴鍍沈稹一材料層至表面上使得材料由一大角度 範園流至物品表面處，並加熱該物品以增加沈積材料 之移動性。 21. 如申請専利範園第20項之方法，其中沈稹材料為一鋁 合金且採用一介於3501：與450XJ間之壓板（Platen)通 度〇 22. —種用以在物品表面上形成材料層之裝置，該表面具 有凹部例如孔洞或溝槽，該裝置包含一沈積一材料層 至表面上之装置使得該材料層覆赛凹部之口部並留下 封閉口部下侧之空嫌，以及一加壓装置其接著使物品 與沈稹層接受一足夠高之K力以使材料靥變形進入凹 部内。 23. 如申請專利範匾第22項之装置，其中該加壓装置包含 一裝置其至少使沈積層之外露表面接觸一受壓液黼。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 訂 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）