KR940704056A - 층 형성방법 - Google Patents

층 형성방법

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KR940704056A
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크리스토퍼 데이비드 돕슨
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크리스토퍼 데이비드 돕슨
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Abstract

본 발명은 층(10)이 밀폐입구 아래에 공극을 남기고 홈(3)의 입구를 덮는 방식으로 제품(1) 표면에 물질층(10)을 용착하는 것이다. 그후 승온없이 제품(1)과 층(10)은 홈(3)속으로 층(10)을 변형하기에 충분한 승압상태로 유지(가압액체)한다. 더욱이 본 발명은 제품을 마그네트론 스퍼터링 및 가열하는 방법을 사용하여 용착물질이 이동성을 증가시키는 표면상의 층형성방법을 제공한다. 또한 이 방법을 실행하는데 사용하는 장치를 제공하고 이 방법은 특히 반도체 웨이퍼 처리에 이용된다.

Description

층 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 층형성전 반도체 웨이퍼의 단면도, 제2도는 본 발명의 층형성 중간단계에서 제1도의 웨이퍼 단면도, 제3도는 층이 완성된 후 웨이퍼의 단면도, 제4도는 승압에 노출된 후 웨이퍼의 단면도, 제5도는 고온상의 필름형성시 제2도의 단면도, 제6도는 본 발명 실행을 위한 장치의 개략적인 평면도, 제7도는 승압하에 있는 제6도의 장치 일부의 개략적인 단면도.

Claims (25)

  1. 표면에 호울이나 호 같은 흠이 있고 한편 층이 밀폐입구 아래의 공극을 떠나 홈의 입구를 덮고 온도 상승없이 제품과 용착층을 홈속에 변형되기 충분한 압력을 가하는 단계를 구성된 제품표면에 대한 층 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 제품이 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 층 형성방법.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 제품표면에 용착된 물질이 알루미늄이나 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 층 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 용착물질은 Al/0-2% Si/0-4% Cu/0-2% Ti를 갖는 알루미늄 합금인 것을 특징으로 하는 층 형성방법.
  5. 전술한 항중 한항에 있어서, 제품과 용착층에 가해진 압력은 200×106Pa(30,000p.s.i) 보다큰 것을 특징으로 하는 층 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 압력은 700×106Pa(100,000p.s.i) 보다 큰 것을 특징으로 하는 층 형성방법.
  7. 전술한 항중 한항에 있어서, 물질층은 스퍼터링법을 사용하여 입자표면에 용착되는 것을 특징으로 하는 층 형성방법.
  8. 전술한 항중 한항에 있어서, 입자를 제품면상의 층용착과정에서 승온하에 있도록 하는 것을 특징으로 하는 층 형성방법.
  9. 전술한 항중 한항에 있어서, 제품과 용착층에 가할 승압을 가압액체를 사용하여 달성하는 것을 특징으로 하는 층 형성방법.
  10. 표면에 호올이나 호같은 흠이 있고 한편 밀폐입구 아래공극을 남긴채 홈의 입구를 덮어 표면상에 물질층을 용착하고 또한 후속으로 가압액체로 용착층이 노출면에 접촉하여 이층이 홈속에 변형되는 것을 특징으로 하는 제품표면에 대한 물질층 형성방법.
  11. 제9항 또는 10항에 있어서, 제품상에 잔류물을 남기지 않는 한편 제품과 용착층에 접촉하는 가압액체인 것을 특징으로 하는 형성방법.
  12. 제11항에 있어서, 가압액체는 용해된 고체를 함유하지 않는 액체인 것을 특징으로 하는 형성방법.
  13. 제9-12항에 있어서, 가압액체는 제품에서 증발하여 제품과 용착층에 접촉하는 액체인 것을 특징으로 하는 형성방법.
  14. 제9-13항에 있어서, 가압액체가 에탄올인 것을 특징으로 하는 형성방법.
  15. 제9-13항에 있어서, 가압액체는 액상 이산화탄소인 것을 특징으로 하는 형성방법.
  16. 제9-13항에 있어서, 가압액체는 물인 것을 특징으로 하는 형성방법.
  17. 제10-16항에 있어서, 제품이 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 형성방법.
  18. 제10-17항에 있어서, 제품과 용착층은 승온상태에 있고 가압액체와 접촉하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  19. 제18항에 있어서, 제품과 용착층에 가한 승온은 350℃ 내지 400℃이고 가압액체는 20×106Pa(3,000p.s.i) 이상의 압력인 것을 특징으로 하는 형성방법.
  20. 표면에 호올이나 호같은 홈을 갖고 한편 물질 플럭스가 큰 각도로 제품표면에 이동하는 방식으로 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 표면상에 물질층을 용착하고 또한 제품을 가열하여 용착물과 이동성을 증가시키는 것을 특징으로 하는 제품표면상의 물질층 형성방법.
  21. 제20항에 있어서, 용착될 물질은 알루미늄 합금이고 350 내지 450℃의 온도를 사용하는 것을 특징으로 하는 형성방법.
  22. 표면에 호올이나 호같은 홈을 구비하고 또한 첨부도면에 설명한 것을 특징으로 하는 제품표면상의 물질층 형성방법.
  23. 표면에 호올이나 호같은 홈을 구비하고 한편 밀폐입구 아래에 공극을 남긴채로 홈의 입구를 층이 막는 방식으로 표면에 물질층을 용착하는 수단과 그후 홈속으로 층이 변형되기에 충분한 승온으로 제품과 용착층을 유지하는 가압수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 제품표면상의 물질층 형성에 사용되는 장치.
  24. 제23항에 있어서, 가압수단은 용착층 표면을 가압액체와 접촉시키는 수단인 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 첨부도면에 따라 설명한 바와 같은 제품표면에 대한 물질층 형성 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940702401A 1992-11-19 1993-11-16 층 형성방법 KR940704056A (ko)

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