TW262584B - - Google Patents

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A7 ^62584 B7 五、發明説明（i) 本發明之領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係藺於一種具有改良之免除靜電放電作用的半導 體積體電路。 先前技強之描述 靜電放電作用（ESD)在全氧半導體埸效霣晶體中，是一 種已知的失敗的原因。在靜電放電作用中*由外來因素* 如封裝的摩擦充電，所獲得的相對大的電流脈® *不期然 地流經積體電路晶片的元件。而最先接觭靜電放電脈衝的 元件通常是輸入和/或輸出媛衝器，其為直接連接於可能 暴露於如靜電放電脈衝之外來事件之結合襯墊或端子。此 種通常為相對大之電晶體的鍰衝器，可能被此靜鼋放電脈 衝所損害，或者使晶片上之較小内部爾晶體受»。雖然源 極通常與電源供應器相連接且不像會供應靜爾放電脈衝， 電流脈衝可自電閘，汲極或源極流入電晶體。經由霣閘流 入電晶體的靜電放電脈衝會破壊位於電閘與通道之間的電 介質閘氧化物障壁，此會K留下一離子化電介質或補獲電 子的傅導路徑，或在閘氧化物中焼一個洞的形式，造成永 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 極。汲 K ‘路 源害 自或電 。 或損接特成礙 閘久直伏造陣 霣永未20畲能 , 地並在毀功 體似，毀損的 基類衝摧的 ， 入成脈能物置 流造電可化裝 可物放仍 氧之 衝化電波閘片 脈氧靜紋。晶 流閘之之層此 電對特衝物含 電能伏 脈化包 放可千此氧及 電均數自閘波 靜向有來的亦 的流能，壞往 極種可閘破往 。 源此一電被， 害自何 此入會H 損來任使流就晶 久 。即極下， t 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公舞) ‘62584 B7 經濟部中央榡準局員工消f合作杜印製 五、 發明説明（ 〇 〇 ) 1 1 為 了 改 良 全 氧 半 導 體 埸 效 電 晶 體 之 速 度 與 其 他 性 能 特 激 ， 1 1 9 特 別 是 反 應 如 伴 随 次 微 米 裝 置 發 生 之 寄 生 霣 阻 等 間 題 » 1 在 從 為 源 事 s a 極 著 1 i ，電閘與汲極表面上的矽化物層的組成係被普遍地 。瑄些金颶與矽（silicon，當其為自我排列•則稱 cide)的傅導層更藉由降低那些先前用Μ保護電路 請 先 閱 讀 背 之 1 1 I 1 避 免 靜 電 放 電 作 用 傷 害 的 電 阻 而 使 靜 電 放 電 作 用 更 形 惡 化 注 意 事 1 Ο 再 者 如 Du V V U Γ y等人之美國專利第4 ,855 ,620號所述 9 項 填 1 丄 這 些 含 矽 化 物 區 域 的 金 屬 會 被 由 靜 電 放 電 作 用 所 產 生 的 熱 本 頁 \ 而 融 化 » 並 且 延 著 電 埸 線 流 動 而 造 成 該 裝 置 的 永 久 短 路 〇 1 1 同 樣 的 用 於 降 低 近 微 米 與 次 微 米H通道霣晶體的尖峰汲 1 1 1 槿 電 極 有時可用以減少P通道電晶體的短通道效應之輕 1 1 摻 雜 汲 掻 结 構 亦 曾 傳 聞 畲 增 加 靜 電 放 m 作 用 的 易 受 傷 性。 訂 1 現 已 提 出 有 幾 種 改 良 先 進 全 氧 半 導 體 場 效 爾 晶 體 與 互 補 1 I 全 氧 半 導 賭 裝 置 之 免 除 靜 電 放 電 作 用 的 方 法 〇 其 中 種 是 1 1 | 如 Du V V U Γ y等人所教示 加入- -附加的输出保護電路以防 1 1 止 靜 電 放 電 作 用 0 同 樣 的 在 美 國 專 利 第 4 , 692,78 1 號中 1 t Ro υ η t Γ e e 等 人 掲 示 有 一 輪 入 保 m 裝 置 與 一 出 保 謂 裝 置 1 1 ， 其 為 加 諸 一 電 晶 體 上 免 除 靜 電 放 電 作 用 〇 1 I 除 了 加 入 電 路 之 外 在 汲 極 金 臑 接 觭 點 與 電 閘 邊 緣 之 間 1 1 1 加 入 大 的 空 間 亦 被 提 出 是 一 種 增 加 與 输 出 霄 晶 體 的 汲 極 串 1 1 1 1 聯 之 電 阻 的 方 法 0 然 而 在 含 矽 化 物 的 結 構 中 若 添 加 的 電 阻 量 為 最 小 » 其 對 靜 電 放 電 作 用 的 效 果 亦 同 〇 矽 化 m I I 遮 沒 作 用 賴 由 安 排 矽 化 發 生 與 否 的 位 置 以 白 源 極 與 汲 極 中 1 1 產 生 矽 與 多 晶 矽 電 阻 〇 另 一 個 防 止 靜 電 放 霣 作 用 -R— 的 方 法 是 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公处） 2〇2584 Λ7 __B7 五、發明説明（3) 降低摻雜κ增加源極與汲掻的阻抗’但此方法有一限制’ 即為在影響裝置性能之前所能降低之汲極與源極濃度的程 度所限制。最後，重新設計汲極Μ求得較高霄埸與較低突 返電壓的方法亦被提出，但此違反了對於棰定，短通道電 晶體的需求。 本發明的目的在於提供一電晶體结構，其可Μ防止靜電 放電作用，且不必增加電路或材料情。 本發明之另一目的在於提供一製造此種霣晶賭的方法•其 並不比習知製造較小保護性的電晶體的技藝更為複雜。 本發明之槪述 " · 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明藉由在連接於晶片的结合襯墊之_入或輸出電晶 體的源極和汲極之間，加入一串聯電狙’以保護一積髖電 路晶Η兔於靜電放電作用。此串聯電阻被設計以升高在源 掻與汲極之間之局部電流路徑之電壓於起動橫動通道之突 返傳導的起動電壓之上。藉由升高此路徑的霣壓於起動苗 壓之上，可在鄰近路徑感應出突返傳導。因此，與其使突 返傳導沿著源極與汲極之間的局部路徑集中，而往往會沿 此路徑上燒一個洞而毀壊此電晶賵並使晶片奄無價值*毋 寧使突返傳導遍佈於通道寬度之上’此通道寬度可被設計 成大到可吸收靜電放電脈衝而不受損。 此串聯電阻的形成係由輕微摻雜於由罨閛掩蔽的基體* 然後成形並在製造中選擇性地蝕刻覆蓋於®晶體的霄閘.， 源極與汲極之氧化物層而成’ Μ使一側壁氧化間隔物可自 電閘向汲極延伸一量過的量。另一側壁氧化物間隔可自電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0Χ 297公筇) ~ 0 - ^62584 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、 發明説明 (4 ) 1 1 閘 向 源 極 延 伸 0 該 氧 化 物 層 的 m 擇 性 蝕 刻 在 霣 閛 末 梢 的 側 〆 ... 1 1 壁 氧 化 物 的 末 端 暴 露 出 基 體 的 表 面 可 使 源 極 與 汲 極 區 域 1 1 及 接 觸 成 形 〇 —· 基 體 的 輕 摻 雜 區 域 被 留 置 在 延 伸 的 側 壁 氧 請 1 先 化 物 之 下 提 供 一 霄 阻 串 m 於 汲 極 與 通 道 之 間 並 可 9 閲 讀 1 背 1 可 随 意 地 提 供 另 一 電 (51 串 聯 於 源 極 與 通 道 之 間 〇 逭 些 1 | 量 過 的 電 阻 可 防 止 或 減 輕 靜 甯 放 霜 作 用 的 損 害 〇 意 事 1 選 擇 性 地 蝕 刻 的 側 壁 氧 化 物 提 供 有 . 表 面 覆 蓋 » 其 為 習 項 再 1 1 填 1 知 之 非 均 質 地 蝕 刻 的 側 壁 氧 化 物 間 隔 物 所 不 能 有 因 其 在 本 百 I 長 度 上 被 安 置 於 在 電 閘 區 域 與 基 體 之 間 轉 角 的 小 質 量 所 限 1 1 I 制 〇 在 實 行 選 擇 性 側 壁 蝕 刻 之 後 本 發 明 的 白 我 排 列 的 源 1 1 極 與 汲 搔 區 域 就 可 成 形 並 η 由 約 為 該 選 擇 性 蝕 刻 側 壁 的 1 1 長 度 而 非 習 知 技 藝 的 間 隔 物 的 短 且 萁 質 上 固 定 的 距 離 9 訂 1 而 與 電 閘 區 域 分 開 〇 經 由 本 發 明 並 且 可 能 消 除 位 於 不 需 1 I 靜 電 放 電 作 用 防 護 的 延 伸 側 壁 氧 化 物 間 隔 物 如 在 某 些 電 1 1 | 路 中 鄰 接 於 源 極 處 另 方 面 在 鄰 接 於 汲 棰 處 提 供 一 1 1 缝 延 伸 側 壁 氧 化 物 層 卻 可 改 良 電 晶 體 的 性 能 與 靜 η 放 電 作 用 的 防 護 〇 此 種 改 良 為 非 均 質 的 蝕 刻 與 矽 化 物 遮 沒 作 用 等 i I 習 知 技 藝 所 無 法 達 成 〇 1 I 選 擇 性 地 蝕 刻 側 壁 氧 化 物 並 不 需 要 使 用 於 矽 化 物 遮 沒 作 1 1 I 用 中 的 額 外 氧 化 物 層 亦 不 需 要 用 於 形 成 該 層 之 額 外 加 工 ί 步 驟 〇 再 者 « 因 為 源 極 與 汲 極 摻 雜 為 較 該 技 術 中 的 遮 沒 作 1 ί 用 為 早 濃 摻 雜 區 域 仍 僅 藉 由 間 隔 氧 化 物 的 長 度 而 與 電 閘 1 1 區 域 分 開 〇 而 且 ， 在 習 知 技 藝 中 之 濃 摻 雜 與 高 傳 導 區 域 上 1 I 的 遮 沒 作 用 的 長 度 必 須 大 到 足 Μ 達 成 充 分 的 霣 姐 -9— 9 此 使 得 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公雄） 262584 A7 B7 五、發明説明（5 ) 電晶體變得無意地大。相反地，本發明之輕摻雜區域為更 具抵抗力，因此在横向的長度可被做的更小。此導致了在 一較小區域内的改良的電流散佈。因為每一輸入/输出電 晶體的寬度有數百微米，且一晶片上可存在有数百個此種 電晶體，本發明之空間節省優於習知技藝之遮沒作用為貨 真價實的。 圖式之簡單說明 圖1A至圖1D為習知之形成輸出全氧半導體埸效電晶體的 順序之横剖面圖。 圖2為由習知之矽化物遮沒作用程序所形成之輸出全氧 * 半導體埸效電晶體之横剖面圖。 圖3為本發明之第一輸出緩®區具艏例的横剖面圖•其 具有延伸側壁氧化物層與輕摻雜區域。 圖4為圖2之習知輸出全氧半導體埸效電晶體的俯視圖。 圖5為如圖3所示之具體例的輪出嫒衝區的俯視圔。 圖6為本發明之輸出嫒衡區的第二具體例，其具有一暴 露以供矽化之電闸。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印51 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖7為本發明之第三具體例，其顯示有一赛露以供矽化 之電閘與一僅延伸一側之氧化物層。 圖8為當全氧半導體埸效電晶體受到雙極性突返傅導時 的電壓對電流的座標圖。 圖9為一靜電放笛作用防護裝置之部分透視圈° 圖10為本發明之輪入/輸出收發兩用連接於一结合襯墊 的俯視圖。 __ 一 R -_ 本紙張尺度適用中阈國家標專（CNS ) Λ4^1格（2丨〇y：W公筇） Λ7 ^62584 B7 五、發明説明（丨；） 本發明之詳细說明 首先如画1A所示，習知技藝之全氧半導體埸效笛晶趙N 通道（N通道全氧半導髖）輪入或輸出電晶體的形成係由基 體25表面20上之埸氧化物15列的形成開始。基體25通常是 一 P型矽晶片，Μ用於如本例之H通道裝置，且埸氧化物15 係由畏於S 20内與上之二氧化矽所形成。置於埸氧化物15 列之間的是一已生長並由多晶矽電閛35所覆蓋的二氧化矽 30之介電質層。該分隔電閘35與表ΪΓώ 0的闼緣層30即為電閘 氧化物30。 圖1Β顧示在多晶矽電閘35與埸氧化物15列之間之基體25 内的Ν型輕摻雜汲極k域40的形成。随後，一覆Μ埸氧化 物15，表面20，電關氧化物30與爾閘35之覆Μ氧化物層45 亦被形成。 圖1C顯示了在圖2結構上之習知非均質覆蓋蝕刻的結果 。小側壁氧化間隔物50被留Μ覆Μ多晶矽霣閘35與氧化物 層30之邊緣55及56。當蝕刻暴露了區域80與81時，由於在 表面20與邊緣55及56相接的步味時的氧化物層45的較大厚 度，在非均質蝕刻的控制期間之後，疸些間隔物50仍保留 著。 圖1D顯示了在自我排列，濃摻雜Ν +區域之基體25植入Κ 形成一源極70與一汲掻75的结果。表面20的暴露區域80與 81即被加熱並暴露於一難熔金臑Μ退火而韌化此被植入的 基體25並在暴露區域80與81上形成矽化物。一矽化物區域 82因此鄰接源極70，而另一矽化物區域83則郎接汲極75° __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公雄） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-° 線！ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 ^^2584 A7 B7 經濟部中央標準局員工消f合作社印裝 五、 發明説明（ 7) 1 1 | 雖 然 沒 有 顯 示 » 但 電 閘 3 5的頂端8 5亦可塗上矽化物或氧化 / 1 1 I 物 層 〇 習 知 的 程 序 即跟著將霜閘30的頂端85 1 源極7 0和汲 I 極 75的 矽 化 物 區 域 82和 83 > 與 外 來 線路 相 接 〇 此 末 顯 示 在 請 1 圖 上 之 外 來 線 路 可 能 包 括 —- 结 合 m 墊， 其 可 供 應 一 靜 電 放 讀 背 1 1 電 作 用 而 摧 毀 介 電 質 電 閘 氧 化 物 30 。由 於 電 閘3 5的傳導性 1 1 » 靜 電 放 電 作 用 的 損 害 最 常 發 生 在靠近電閘35底部88與邊 事 項 再 填 1 | 緣55與56交接 的 轉 角 86與87處 〇 1 丄 習 知 技 藝 的 小 間隔物50有 兩 個 的0 第 一 是 空 間 性 地 分 本 頁 1 隔 暴 露 得 矽 化物8 2與 8 3的 源 極 —J 汲極 區 域 與 電 閘 電 極 55 1 I 與5 6的側壁 〇 沒 有 這 些 間 隔 物 δ夕 化物 會 在 電 閘 電 極55與 1 1 I 56的側 壁 上 形 成 * 並 對 矽 化 物 區 域82與83供給 一 傳 導 路 徑 1 1 > 而 導 致 此 裝 置 失 效 0 矽 化 物 源 極 -汲極的结合是欲賴由 訂 I 減 少 源 極 -汲極區域的寄生電胆而提高先進全氧半導體技 1 I 術 的 成 就 〇 側壁間隔物5 0的 第 — 俩 目的 在 於 為 了 濃 摻 雜 源 1 1 極 -汲極區域70與75的形成而提供- -自我排列的掩蔽 而 1 1 容 許 了 輕 摻 雜 區 域90與95的形成 〇 這些 輕 摻 雜 IS 域 為 了 一 線 供 給 之 應 用 電 壓 而 藉 由 略 為 突 然 地 终止 汲 極 電 位 而 在 裝 置 1 1 1 的 汲 極 中 降 低 尖 峰 電 埸 〇 此 種 尖 峰 電埸 的 降 低 減 少 了 在 通 1 1 道 中 之 熱 載 子 的 生 成 因 而 改 善 了 短通 道 的 可 靠 度 與 裝 置 1 | 的 穩 定 度 〇 當 習 知 側 壁 間 隔 物 5 0的 結合 對 上 述 理 由 有 益 時 | > 其 由 靜 電 放 電 作 用 的 敏 感 度 的 觀 點而 卻 是 有 害 的 〇 矽 I 1 化 物 區域82與 83避 開 了 先 前 對 裝 置 提供 防 止 靜 電 放 電 作 用 ( 1 之 被 ait. 動 電阻70與 75 - 而 在 區 域90與 95的 小 的 輕 摻 雜 汲 極 電 1 I 阻 尚 不 足 Μ 對 此 補 償 0 再 者 f 靜 Μ 放霜 作 用 可 溶 化 在 矽 化 1 1 I 物 區 域82與83内 的 金 屬 〇 此 金 屬 即 沿著 由 該 作 用 造 成 並 引導 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X297公梦) 10 Λ7 ^62584 Β7 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在源極70與汲棰75之間的埸線流動·而增加了沿埴些埸線 ， 上的電導。此種來自靜霄放電作用的不穗定能量敗布畲形 成連接源極70與汲極75的永久金屬细絲或熵過基體25的洞。 圖2願示了類似_1的结樽|但具有另外的步驟及用於矽 化物遮沒作用的另外材料。一氧化物層100覆蹵了除了被 随後成形於矽化物内的暴露區域80及81 Μ外的埸氧化物15 ，電閘35·間隔物50與基體25的表面20。該區域80與81係 Μ習知之光蝕刻法而由氧化物層1 0 0加Μ蝕刻，Μ使矽化 物在逭些區域成形。為了要在汲極75上的矽化物83與電閘 35的邊緣56之間加入防止靜霜放電作用的電胆*可見到瀟

I 摻雜汲極75沿著表面20延伸更多。如Μ注，輕摻雜區域40 的部分90與95亦添加有串聯電阻。濃摻雜汲極75的高傅導 性需要在電閘35與汲極矽化物83之間具有相對地大的距離 ，其亦必須有大的距離Μ達成免除靜電放電作用所爾之充 分電阻。源極矽化物82較汲極矽化物83更接近霣閘35，在 鄰近源極矽化物82之處亦需要較少的靜堪放電作用防護。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 現請參見圖3·本發明之輸入或輸出電晶體的第一具體 例顯示包括有形成於矽化物基體25的表面20的埸氧化物列 15，一電閘氧化物30與電閘35則如同上述之習知技藝般地 形成。在電閘氧化物30與埸氣化物15之間形成有相對廣闊 的輕摻雜汲極40。如同習知技蕤，一覆蓋介電霣氧化物靥 45在埸氧化物15，表面20，電閘氣化物30與電蘭35的頂端 形成。然後氧化物層被加以掩蔽，並選揮性地蝕刻Μ暴露 出供矽化物用的表面20的區域80與81。氧化物45的選擇性 t-t 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X 297公#_ ) 262584 Λ7 ΙΠ 五、發明説明（) 蝕刻更容許曆102與103的形成，此曆102與103自霣閜35與 ， 笛閘氣化物30更側向延伸，並超過如圈1之由習知技蕕的 非均質的蝕刻所產生的氧化間隔物50。 為了方便與經濟，本發明之選擇性蝕刻的施行係首先設 造一掩蔽以覆蓋希望被保持完整的氧化物45的區域，如用 K形成氧化物層102與103的區域，並暴露希望被移除的氧 化物45的區域，如用於形成矽化物區域80與81的區域。一 隔 間f 壁入 側输 的在 通如 普. 得成 使形 行上 施路 被電 即 的 刻 _ 蝕防 物用 化作 氧電 隔放 間電 燦靜 乾要 準需 標不 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可 料 材 緣 絕 霣0 他45 其曆 若物 ’ 化 是氧 的於 意用 注被 要可 需，料 。 材 腳種 柱此 形則 方， 的刻 内飩 置K 裝加 選式 由方 賴此 由由 經。 則内 5 , 2 的體 成基 形於 法生 入產 植而 子81 離與 由80 好域 最區 , 的 域露 區暴 雜刻 摻触 濃性 擇 % 0 化害 韌損 火能 退可 被的 P 5 B 2 體體 基基 此矽 〇 晶 5 ? 7 多 掻的 汲起 m 與 弓 70法 極入 源植 有子 成雔 形由 則 於 汲 接 鄰 3 8 域 區 物 b 2 /1 8 矽域 , 區 70物 極化 源矽 接與 鄰30 2 J 8 物 域化 區氧 物閘 化電 矽在 層 物 化 氧 之 間 之 -a 對往 。 正K75 矯如極

的 2 ο 1X 成丨 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 度 長 的 5 ο 11 分 部 1 的 ο 4 域 區 雜 摻 輕 制 控 可 為 視 被 可 度 長 阻 罨 聯 串 的 10間 分之 部82 此域 榷 源 與 6 8 角 轉 於 位 如 有 用 作 緣 邊 在 地 樣 同 Μ 0 物域 化 矽 的 上 之 區 物 化 矽 與 控 可 為 視 被11 可分 度部 長此 的’ 03度 1 長 層 2IJ1S 物 ο 化11 氧分 之部 間一 之的 ο 4 域 區 雜 摻 輕 汲- 與 7 8 角 轉 於 位 如 有 用 作 域 區 物 化 矽 的 上 之11 極與 姐 電 聯 串 的 間 之 物 化 氛 壁 側 由 藉 可 阻 電 總 的 供 提 所 分 部 由 此 因 5 05而 面 蔽 掩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Λ4規格（210X 297公绛） ^62584 A7 經濟部t央標準局貝工消費合作社印製 Β7 五、發明説明（j.U) 加Μ調整。本具體例之對稱的輕摻雜區域105與110或許對 雙向罨晶«I較為合«，並有一 0.3微米到6微米的通道長度 。如Μ下將述，輕摻雜區105與Π0的確實長度可加以特製 Μ供應一最佳化之防止靜電放電作用的结構。 輕摻雜區域105與110之些許長度亦賴由分敗靜電放霣電 流的路徑Μ防止靜電放電作用之損害。沒有逍些輕摻雑區 域105與110，在源極70，電閘35與汲掻75的任何組合之間 的最短電路為沿著表面20。高傳導矽化物表面區域82與83 亦傾向於將電流沿著表面20集中。在靜電放®作用期間’ 轚流的較集中將傾向於增加由該作用造成的損害。輕摻雜 區域105與110傾向於分散電流逭雛表面20，增加對靜轚放 電作用的容忍度。 值得注意的是，基體25可Μ是Ν型矽，源捶70與汲極75 可以是摻雜的Ρ+，而輕摻雑汲極40則摻雜類似的帶《離子 • Μ形成Ρ -通道爾晶體（Ρ通道全氣半導體）。相同的*互 補的Ν通道與ρ通道裝置（互補全氧半導體）可被形成。然後 即可跟隨進行習知的互補全氣半導體的製造流程。輕接雑 植入區40與濃摻雜區域70與75可W上面槪述的成形步朦而 較先摻雑，Μ代替或附加於上述之自我排列的摻雜法。 將圖3與画1相較顯示了本發明的某些優點°本發明的6 摻雜區域105與110可較習知技轻的部分9〇與95更為延伸· 就如同本發明的側壁氧化物層102與103可較習知技藝的間 隔物50更為延伸。由於習知技藝施行的非均質牲刻的原因 ，習知技藝之間隔物50的鳋大檐向長度被有效地限制於氧 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4規格（210X 297公犛） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

^62584 Λ7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 B7五、發明説明（I t) 化層45的厚度或由表面20至霄閘35的頂端85的高度之較小 者。輕摻雑區域105的些許畏度在源極70與ffi閛35之間形 成一較部分90所提供者為大的串聯電阻。同樣地’輕摻雜 區域110的顯著長度則在霄閘35與汲極75之間形成一較部 分95所提供者為大的串聪電阻，此提供了改良的對靜霣放 電作用的防護。 將圖3與圖2相較顯示了本發明的其他優點。除了較画2 之區域40小的尺寸，相較於在轉角87與由矽遮沒作用提供 了汲極75上的矽化物表面80之間的較大距雛，輕摻雜區域 110可提供更多的電姐。此是由於輕摻雜區域110的單位霄 « 阻較矽化物遮沒結構之濃摻雜汲極75的單位霣阻高的緣故 。再者，與本發明相較，矽化物遮沒结構爾要更多的垂直 空間與材料，也爾要多餘的水平空間與材料。由於遮沒氧 化物100的成形，矽化物遮沒作用亦較本發明所爾要增加 至少一多餘的加工程序。因此，如圖2所示之矽化物遮沒 作用，雖然提供較圖1之間隔氣化物50更多的靜電放電作 用防護，卻提供較本發明少的靜電放電作用防護，且爾要 更多的空間與材料。 琨請參見圖4，由圖2之矽化物遮沒氧化物W100所形成 之習知技藝裝置，位於其汲極接觸點115與锺閘35之間的 大分隔可由此輸出電晶體之頂的視界看到。如以往所注意 的，此技術所需要的大分隔是由於位於霣W35與汲極矽化 物83之間的大部分空間之下的汲棰區域40的相對地高傳導 性所致。源掻接觸點120，電閘接觸點125與源極矽化物區 -—Μ--- (請先閲讀背面之注意事項再填^本頁) i -a Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公释） A7 ^62584 B7 五、發明説明（.1.,?) 域82亦顯示出來Μ供參考。 IL--------ίπ-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 相形之下，由本發明技術所製的輪出電晶體的頂端之一 部分可由圖5看見在汲極接觸點115與電閘35之間具有非常 小的分隔。依此情形，當使用本發明於較佳的靜笛放電作 用免除時，在積體電路上亦可使用較小的_入/输出電晶 體。 圖6顯示了本發明之第二具體例，其中電閘的頂端85亦 可藉由選擇性蝕刻而暴露。此可使頂端8 5的矽化物用於其 後的金臑化以及與其他電路（未画示）的互相連接。画6中 顯示的號碼亦涉及前幾個圖中的相當號碼所代表的相同部 « 分。通常，圖6中所顯示的结構係使用於希望霣閘35有低 電阻處，因為其上有矽化物形成。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 為了最佳的裝置性能與靜電放爾作用的免除，氧化物暦 102與103的可控制的長度可與區域105及110的摻雜澹度合 作，Μ被用於裁製輕摻雜區域105與110的延伸。對一典型 的Ν通道全氧半導體埸效電晶體而言，可能較希望輕摻雜 區域110的長度較輕摻雜區域105的長度為長。此可能也有 益於避免熱載子效應，其可Μ類似於靜電放電作用，但較 靜電放電作用不起眼地，毀壞電閘氧化物。 圖7描述了本發明之另一具體例，其中氧化物曆45的理！ 擇性触刻在多晶矽電閘35的邊緣56與汲極75之間留置了一 側壁氧化物層103，此導致了一在電閘35與汲極75之間之. 顯著長度的輕摻雜汲掻區域110。大部分的霣閛 35的頂端 85已藉由蝕刻而暴露，Μ促成其後矽化物在電閘35上的成 本纸张尺度適用中阀阀家標準（CNS ) Μ規格（2丨ΟΧ297公犛） 1-5- Λ7 B7 經濟部中央標_局貝工消费合作社印製 五、 發明説明（丨：〇 1 | 形 〇 一 標 準 側 壁 氧 化 間隔物 102被留 1置於閛氧化物3 0的邊 1 I 緣55與源極70之間防止自 源 極 至 霣 閘 的 矽化 物 成 形 0 在 1 本 具 體 例 中 1 此係藉由將源極70與霣閘的 一部 分 暴 露 於 用 請 1 1 1 習 知 光 刻 蝕 刻 而 成 的 間隔物 而 加 以 完 成 0 此在 源 極 端 以 用 先 閲 ik 1 於 習 知 技 藝 之 側 壁 間 隔物的 類 似 手 法 t 形 成一 側 壁 氧 化 間 背 1¾ 1 I 之 1 隔 物 102。 此氧化間隔物102減 少 了 在源極70與霣閛35之間 注 意 1 I 事 1 的 電 胆 ， 為 了 那些在源極70與電閘35之間不補要防止靜霣 項 1 填 -JL, 放 爾 作 用 的 霣 路 的 改 良之霄 路 性 能 ， 窜 閘35係 由 輕 摻 雑 源 寫 本 r w — I 極 區 域 105供應。 頁 、—， 1 1 側 壁 氧 化 物 層 102與103的 最 佳 長 度 > 與 由輕 摻 雜 源 極 與 1 1 汲 極 區 域 102與103#供給之 最 终 串 聯 電 姐 牽涉 到 防 止 靜 電 1 | 放 電 作 用 與 性 能 要 求 之間的 妥 協 通 常 較 大的 靜 霣 放 罨 作 訂 I 用 防 護 伴 随 有 較 大 的 串聯電 阻 而 改 良 的 電路 性 能 通 常 爾 1 1 I 要 較 小 的 串 聯 甯 m 〇 依此， 本 發 明 亦 容 許 一方 式 Μ 最 佳 化 1 1 其 性 能 與 電 路 的 靜 電 放電作 用 媛 和 其 為 藉由 裁 製 m 擇 性 1 1 蝕 刻 之 側 壁 層 的 畏 度 以逹到 一 最 佳 之 串 聪 霣阻 0 例 如 * 對 I _. 用 作 輸 出 緩 衡 區 的 典型電 晶 m 1 餚 近 汲 極處 的 靜 電 放 霣 1 I 作 用 防 護 更 為 必 要 » 而側壁氣化物層103可較曆102為大Μ 1 1 1 增 加 由 輕 摻 雜 汲 極 區 1 10提{ 共的電阻 ，如圖5與6所示 。在 1 1 另 一 方 面 t 一 雙 向 電 晶體如 圖 所 示 賴 由 如画3與圖6所示 之 轘 摻 雜 區 域105與110之實質 相 同 的 長 度 而 串聯 於 霣 閘 與 源 1 極 及 汲 極 之 間 > 而 由 此得到 相 同 靜 電 放 霣 作用 防 護 的 利 益。 1 1 I 輸入/輸出電晶體共通地具有通道長度 ，其為源棰與汲 1 1 極 之 間 的 距 離 » 此 長 度遠較 通 道 % 度 為 小 >此 寬 1忾 度 可 例 舉 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X 297公廣） ^62584 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、 發明説明（14) 1 1 如 白 圖5之多晶矽霄閘35延伸的方向來測最的距離。 而之 , 1 1 所 Μ 有 此 一 小 的 畏 寬 bb 的 理 由 是 此 可 容 許 快 速 1 高 功 率 的 1 窜 晶 體 櫬 能 t Κ 與 積 體 爾 路 晶 片 外 面 的 電 路 相 交 流 f 或 克 請 1 先 服 晶 Η 内 部 所 逋 遇 的 負 荷 〇 此 大 的 通 道 寬 度 其 可 能 為 數 閱 1 I 百 微 米 (相較於約- -微米的通道長度） 9 可 經 由 梢 過 通 道 的 背 ιέ 1 I 意 1 1 雙 極 性 突 返 傳 導 而 用 於 吸 收 靜 笛 放 電 脈 衝 〇 然 而 1 本 發 明 1 | 事 1 之 測 試 顧 示 通 道 寬 度 的 增 加 在 降 低 突 返 傅 導 發 生 時 的 爾 壓 項 再 1 導 i 有 一 較 小 的 效 力 » 此 電 壓 亦 稱 為 起 動 爾 壓 〇 此 現 象 之 理 由 本 頁 I 為 一 旦 突 返 傳 導 被 起 動 » 通 常 沿 著 一 局 部 路 徑 而 流 過 此 一 1 1 傳 導 源 起 之 路 徑 導 致 來 白 靜 電 放 電 脈 衝 的 m 霣 流 流 m 該 1 1 路 徑 $ 而 非 利 用 用 於. 電 流 流 動 的 大 的 通 道 寬 度 〇 1 1 現 請 參 照 圖 8 一 -用於突返傳導之電晶體的霣流（I)對 電 訂 I 壓 (V)圖顯示並沒有電流流經該裝置的源棰與汲極之間 1 I 直 到 電 壓 到 達 起 動 電 壓 (Vt) 〇 —» 旦 突 起 傳 専 被 敗 動 電 流 1 1 增 加 且 在 源 極 與 汲 極 之 間 的 電 壓 滅 少 〇 只 要 霣 壓 維 持 在 保 1 I 持 電 壓 (Vh )之 上 9 突 返 霜 流 就 會 m 鑛 流 動 0 在 突 返 傅 導 發 城 > 1 生 後 Vh 電 壓 之 上 增 加 電 m 為 提 供 電 流 的 大 董 增 加 * 如 在 1 I Vh 之 屈 曲 點 Μ 上 的 圖 之 陡 峭 向 上 的 斜 率 所 示 〇 1 1 I 為 了 要 利 用 突 返 傳 導 吸 收 靜 電 放 電 脈 街 而 不 會 集 结 該 1 1 脈 衝 並 在 通 道 上 m 一 個 洞 9 由 於 如 圖 3之區域110之輕摻雜 } 區 域 的 緣 故 9 本 發 明 增 加 了 一 串 聯 電 姐 0 由 於 電 流 的 流 經 ! I 突 返 已 被 開 啟 的 路 徑 的 緣 故 » 此 串 聯 爾 阻 被 堪 擇 足 Μ 增 加 1 I 一 電 壓 • 此 電 壓 因 此 可 提 升 該 路 徑 的 電 壓 於 起 動 霣 壓 (Vt) 1 1 1 之 上 » 且使鄰近路徑亦等於或在vt之上 » 並 開 始 突 返 傳 導 1 1 -1 η 1 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4規格（210X 297公鑲） 262584 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 五、發明説明（丨:>) 1 1 。此 横 過 通 道 之 寬 與 深 之 突 返 傳 導 的 敗 佈 將 突 返 電 流 自一 / 1 1 單獨 > 集 中 的 路 徑 分 散 到 —» 寬 的 地 帶 > 此 地 帶 可 延 伸 該通 1 道的 寬 與 深 0 ^-N 請 1 為 了 遊 免 對 該 通 道 造 成 m 害 m 流 的 散 佈 必 須 在 路 徑上 先 閱 讀 1 的電 流 已 超 過 最 大 非 破 m 電 流 密 度 (I m ) 之 前 發 生 » 此 最大 背 面 之 1 1 非破 壊 電 流 密 度 可 藉 由 測 試 類 U 的 裝 置 而 驗 地 決 定 。為 注 意 事 1 1 了免 除 靜 電 放 電 作 用 * 由 於 電 流 散 佈 使 突 返 電 流 流 過 的通 項 再 填 J 道的 面 積 必 須 大 於 來 白 靜 電 放 電 作 用 的 電 流 除 Μ I m 0 換另 本 頁 '--- 1 一個 方 式 說 將 Im沿 與 爾 流 流 動 梢 切 的 通 道 面 積 而 積 分的 1 1 I 結果 必 須 大 於 靜 電 放 電 電 流 0 靜 電 放 電 電 流 可 用 已 知 的靜 1 1 電放 電 參 數 來 估 計 如 ”人體横型” 的2500伏特霣壓 在人 1 1 與結 合 襯 墊 之 間 約 1 500歐姆 的 内 部 霣 m 〇 其 他 靜 窜 防 護作 訂 | 用之 故 障 防 護 標 準 如 "櫬器模型” 或 其 他 因 特 殊 應 用 所選 1 I 的參 數 > 也 可 代 替 施 行 〇 1 1 I 現 請 參 見 圖 9 t 一 •形成本發明之靜電放電作用防護結構 1 1 的半 導 體 基 體 之 摻 雑 斷 面 的 透 梘 圖 顯 示 包 括 濃 摻 雜 的 源極 1 120與汲極122及 -- 輕 摻 雜 汲 極 延 長 區 124 ，與- -置放於該 1 | 延長 區 124與源掻1 20之 間 的 相 反 傳 導 型 通 道126 。該通道 1 I 1 26具有- -分隔源掻120與 延 展 區 1 24的畏度 L c ) ，以及與 1 1 該長 度 (L ,c)呈横 向 之 寬 度 (W)與高度 D) 〇 該 汲 極 延 展 區 } 1 124具有類W通道126的县與寬 9 該延展區在汲極122與通 1 1 道126之間的長度為Ed 0 1 1 為 了 決 定 經 由 本 發 明 之輕摻雜汲極124所增加的必須電 1 1 | 阻大 小 9 Μ 確 保 在 損 害 發 生 之 前 突 返 m 流 巳 分 敗 t 傅導 1 1 _± 〇 1 木紙张尺度適用中阀阀家標準（CNS ) Λ4規格（2IOX2W公犛） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X 297公楚） Λ7 B7 五、發明説明αι;)

Im電流之局部路徑的串聯電姐Us)必須足以使該路徑的電 , 壓等於或超過Vt。該串聯電阻（Rs)係為突返傳導期間（如 圖8之圓弧向上斜率部分所圖示）之通道中的®阻與汲極之 輕摻雜延展區的電胆之和。通道中的霜阻等於突返時的通 道罨阻係數（Pc)乘以通道長度（Lc)並除K通道面積（Ac) ° 該通道面積（Ac)等於通道寬度（W)乘Μ高度（D)，並且在數 量上必須等於延展區124的面積（Ad)，因此此兩面稹可Μ 僅註記為Α。在汲極之輕摻雜延展區的電阻係等於可由摻 雜澹度與劑最決定之該輕摻雑區域的電阻係數（Pd)’乘以 輕摻雜長度Ed，除Μ與該畏度Ed正交的延展區面積A°由 % 限制每一路徑的電流小於I"!可推得：

Vt-VH

-g ImA R s 將其代入串聯電阻（R s )的公式中： L c Ed

並解Ed就可決定餺要供應M免除靜甯放®作用之輕摻雜汲 極延展區的長度（Ed): V t - Vh - p c L c Ira

Ed έ -- I ίο p d 在提供此横過通道之突返傅専的敗佈時，產生的電歷必 ---LQ—=- --=-------{------1T------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 262584 Λ7 B7 五、發明説明（i 須被維持在一最大非破壞電臞（Vg)，在此霄懕之上，閘氧 化物可能會被摧毀。因此，一靜爾放爾電流Uesd)’其可 能為250〇ν/1500Ω或另選的安培數，乘WRs必須小於或等 於 Vg-Vri ·· Iesd Rs^Vg-V/4 或

Iesd(p oLc+p dEd) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Vg-VH 經滴部中央標準局貝工消費合作社印製 現請參見圆10，一輸入/桷出收發兩用懺130的俯視圖顧 « 示有一位於收發兩用機130之汲極區域135與輪入/輸出端 子或結合襯墊138之間的金臈連接133。在源棰區域144與 Vss之間的金屬連接140提供一用於靜電放爾脈衝的路徑’ 依據本發明，此靜甯放電脈衝通過該收發兩用機I30而不 會造成損害，並被電源供應器或地面吸收。虚線長方形指 示了輕摻雜汲極延展區148的界限，此延展區148在搏近多 晶矽電閘146的邊緣终结。在爾閘146之下與在延展區148 和源極區域144之間具有未圖示的通道。須注意的是在此 留有空隙的收發兩用機内的通道寬度（W)為每一個別通道 寬度150的4倍。 Μ上討論的最佳化裝置幾何可賴由表面尺寸而更便利地 被計算。如此例*定義Iniax為毎一通道寬度（V)撤米的最 大非破壊性突返電流，Rsh為輕慘雜區域124的薄板霣阻’ 則横過通道之平均散佈的靜電放電電流不能超過非破壊性 *1Τ Λ ! 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公犛） 20 -Ο Λ - ^62584 Λ7 B7五、發明説明（l(s) 電流的要求變成： V ^ Iesd/Imax 限制毎一横截面之®流小於或等於I η a X可得到輕摻雜汲 極之畏度： (Vt-VH)-Imaxp c Ed 2 --— I m a X R s h 提供足夠的寬度M保持横過串聯霣阻Rs的霣壓降在最大 非破壊性笛閘電壓VgM下，可寫成： 攀 Iesd[p c + RsH Ed]/[Vg-VH] 輕摻雜汲極區域的摻雜可在裝置成形期間加以調整使其 濃度在IX 10 17與5X10 19離子/平方公分之間，或 100-5000歐姆/平方的薄板霜阻。通道的寬度（W)可在小於 100微米至大於300微米的範圍，而通道長Lc可在1撤米的 位數以誘發突返傳導。輕摻雜汲極延展區的長度（Ed)可在 0.3微米至6微米之間，較佳的為在〇.5微米至2微米之間， 並至少與通道長度（Lc) 一樣大。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210X 297公釐） —~24~=

Claims (1)

1. 4 8 5 2 6 2 ABCD 申請專利範圍 1.—種用於積體爾路晶片Μ防止靜甯放霣作用之裝置 包含有： .一半導髖基體，其上具有一端 一放電结構，其位於該基體内 濃摻雜區而形成有一源極與一汲 導型的通道，該汲極連 *該結構具有的特擻為 該源搔與該 電壓，在該 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 徑的最大非 一該第一 極與該通道 ，使得沿著 該源極與該 壓的爾壓， 突返傳導。 2 .如申請 徑横過的該 自靜電放電 3 .如申請 徴為在該突 分隔該源極 區的特微為 畏度（Ed)， 汲極之間的路 霄壓之上*該 破壊性電流密 « 傳導型式的輕 的汲極延展區 該路徑的該最 汲極之間，沿 而在該源極與 該端子 起動電 徑的突 突返傳 度， 摻雑區 ，並具 大非破 著該路 該汲極 子以與基體相傳訊， ，並具有第一傳導型式的 極，與置於其間之第二傳 且該源極位於該端子末梢 厢，在該爾®之上•沿著 返傳導會被起動，一保持 導會被維績，與沿著該路 域·其形成有一分隔該汲 有一爾阻，與該路徑串聯 壞性爾流密度的流動，在 徑，產生一超過該起動電 之間的鄹近路徑上，起動 專利範圃第1項所述之裝置，其中沿著由該路 通道面積積分的該最大非破壊性《流密度較來 作用，流經該端子的霜流為大。 專利範圍第1項所述之裝置，其中該通道的特 返傅専期間的通道電阻係數（pc)*並具有一 與該汲極延展區的長度（Lc)，其中該汲極延_ 一電阻（Pd)，並具有一分隔該汲極與該通道的 及 本紙張尺度適用中國國家標肀(CNS)A4規格(210X297公赘) ί 1 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 262584 ABCD 六、申請專利範圍 Λ8 C P d P 壓 霄 動 起 該 為 t V 0 中度 其密 流 霣 大 最 該 為 ffl I 壓 宵 持 保 該 為 藉1 有 含 包 3 其 置 裝 之 述 所 有 具 物 化 氧 閘 該 閘 電 之 隔 ai 分 項值 1 ϋ 第通 圍該 範與 利而 專物 誚化 申氧 如閘 4.1 由 大放 Μ 最電乘 該靜 ， 中著差 其沿懕 , 於霄 擞大的 特差間 的的之 歷壓極 電電汲 性持該 壞保與 破該極 非與源 大壓該 最電在 非電沿 物，阻 化徑爾 氧路的 閘該徑 性的路 壞流該 破電著 差 的 電㉖度 ^ 保 — 與 項 該lr度 與第寬 壓圍.’ 電IB度 助利良a9 -ns …τ- 起專的 該請交 Μ申正 除如圼 並 5 致 , 大 有 道 通 該 中 其 置 裝 之 該 與 極 源 該 隔 分 度 畏 該 返放 突電 該靜 之自 量來 測且 面-表度 之高 體該 基與 該度 由 長 1 該 圃於 包大 度倍 高數 該為 ’ 度 區寬 展該 延， 極流 汲電 破 大 最 該 之 分 積 度 高 該 與 度 寬 該 著 沿 於 小 含 包 構 结 該 中 其 置 裝 之 述 所 項 11 第 圃 範 . 利 流度專 電密請 的流申 用電如 作性6. 電壊 入 輸1 有 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 含 包 構 结 該 中 其 置 裝 之 述 〇 所 機項 IX 用 兩 發 收 出 輸 / 第 圃 範 利 專 請 申 如 含 包 構 結 該 中 其 置 裝 之 述 所 項 第 圍 〇 範 區利 衝專 緩請 出申 輸如一8. 有 賴.1 有 含 包 5 其 置 裝 之 述 所 項 1X 第 圃 。 範 區利 衝專 緩請 入申 輸如 一9. 有 區霣 展該 延至 極道 汲通 該該 中 自 其於 ’ 大 閘為 爾其 的’ 隔度 分長 道一 通有 該間 與道 而通 物該 化與 氧極 閘汲 一 該 由在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) Z A8 B8 C8 D8 262584 六、申請專利範圍 閘頂端之間的高度。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 10. 如申請專利範圍第1項所述之裝置•其中該汲極延展 區在該汲極與該通道間有一長度，其為至少與在該源極與 該汲極延展區之間的該通道的長度一樣畏。 11. 如申請專利範画第1項所述之裝置，其中該汲極延展 區在該汲極與該通道間有1長度，其為大於十分之三微米 而小於小微米。 12. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該汲極延展 區之摻雜度在10 17離子/立方公分至5X10 19離子/立方公 分的範圍之間。 * 13. —靜霄放甯作用容忍裝置，用Μ在一積體電路晶片 與晶片外之電路之間傳訊•包含有： 一半導體晶片*其表面具有一結合襯塾於其上， 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 一電晶II，其具有表面下為湄摻雜的源極與汲極區域， 藉由一通道區域而分隔，並有一霜閘位於該通道區域之上 ，且賴由一閘氧化物層而與該表而分隔*該汲極區城與該 結合襯墊相連接，一輕摻雜汲極延展區在該通道與該汲極 區域之間， 一路徑，位於該源極區域與該汲極區域之間*具有一起 動電壓可啟動横過該通道之突返傳導，一保持霣壓以維持 該突返傳専及一最大非破壞性爾流密度， 其中，該汲極延展區有一電姐與該路徑相連·使得沿f 該路徑之該最大非破壊性甯流密度的流動提升該路徑的霣 壓於該起動電壓之上•而啟動鄰近路徑之突返傳導。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) 2. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 14. 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中該通道有 一長度沿著該路徑之方向，有-寬度與該路徑圼槓向•該 寬度為該長度的數倍大•使得梢過該寬度且平均敗佈的靜 爾放電電流之锘流密度小於該最大非破壞性電流密度。 15. 如申請專利範圍第14項所述之裝置，其中該汲禳延 展區有一長度（Ed)沿著該路徑之方向•且 E d ^ [Vt-Vn -Imzx p c]/IraaxRd 其中Vt為該起動爾壓，Vk為該保持爾壓* I»ax為每一單 位寬度之最大電流*並等於該最大非破壞性電流密度乘Μ 該通道的高度* pc為該突返傳導期間的該通道之霣阻係 _ 數* Rd為該汲極延展區的薄板電阻。 16. 如申請專利範圃第14項所述之裝置，其中該W氧化 物曆具有一最大非破壊性電壓（Vg)*且 W2 Iesd[p c+RdEd]/[Vg-V“] 其中W為該通道的該寬度，Iesd為該靜爾放電電流* /〇c 為該突返傳導期間之該通道锺阻係數，Rd為該汲極延展區 的薄板霄阻，Ed為該汲極延展區沿著該路徑的長度’ VH為 該保持霄壓。 17. 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其更包含有一 側壁氧化物暦鄰接於該電閘與該汲S.延展區*該側壁氧化 物層自該閘氧化物沿著該表面延伸一距離，其大於自該表 面至該電閘頂端的高度。 18. 如申請專利範圃第13項所述之裝置，其中該汲極延 展區沿著該路徑有一長度，其大於0.4微米而小於3微米。 本紙張尺度適用中阀國家標平-(CNS)A4规袼(210 X 297公筇） A (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 袈· 262584 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 如 有 區 展 路 S 置 _ 之 裝歐外 > ο 之 ο Η ii5 晶 所與與 項00片 3 13 1 晶 1 在 0 第其路 圍笋電 範1-SS 利8β« tsr 專在 請 hm 薄丨 申，用 延 極 汲 該 中 其 間 之 圃 範 的 方 平 訊 送 傳 間 之 置 裝 出 輸 體 基 體 入導 輸半 的 1 號 有 含 包 襯 合 結 之 面 表 該 於 近 鄰 與 面 表 1 有 具 其 ， 域 訊區 傳雜 相摻 間有 之具 路處 馆而 的表 外該 體近 基靠 該在 與其 路 ， 電區 的效 體有 基的 該體 在基 K 該 , 一 墊 藉襯 為合 極結 汲該 與於 極接 源連 此極 ’ 汲 掻該 汲 ’ 與隔 極分 源而 的道 式通 型的 導式 傅型 一 導 第傳 一二 成第 形一 而由 墊 化面 氧表 閘該 一 於 由位 賴其 並 ， , 端 道頂 通一 該有 於具 接閘 郞電 部該 底 ， 一 隔 有分 具面 其表 , 該 閘與 電而 一 層 物 該 與 層 物 化 氣 閘 該 於 接 0 於 位 其 層 物 化 氧 壁 側 , 極 端汲 末一 之 向 度 方高 的的 閘端 電頂 該該 離的 遠閘 著霜 向該 ’ 至 面面 表表 該該 著 自 沿較 並離 , 距 上此 面 ’ 表離 該距 之 一 極伸 汲延 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •可- 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 物 化 氧 壁 側 極 汲 該 於 接 都 其 區 展 延 雜 摻 輕 的 極 汲 - 該 大一 為 道 通 該 之 離 距 該 著 沿 及 層 有 含 包 5 其 置 裝 之 述 所 項 ο 2 第 圃 範 利 專 誚 申 如 該向. 與方 靥的 物閘 化霣 氧該 閘離 該遠 於著 接向 鄰， 於面 位表 其該 ’ 著 層沿 物並 化 ， 氧上 壁面 側表 極該 源之 一 極 源 距 跨 , 1 大 伸為 延度 及 高 該 的 端 頂 該 的 閘 電 該 至 面 表 該 白 較 離 距 此 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公梵) 262584 ABCD 六、申請專利範圍 一該源極的輕撗雜部分，其鄰接於該源極側壁氧化物層 *及沿著該寬度與該跨距之該通道。 22. 如申請專利範圍第20項所述之裝置，其中該通道之 特徵為一最大非破壊性電流密度，該汲極之該輕摻雑部分 沿著該通道的寬與高而散佈突返電流，其中由該寬度乘K 該高度所形成的面積為大於一靜電爾流脈衡除Μ該最大非 破壊性電流密度。 23. 如申請專利範圍第20項所述之裝置*其具有一起動 電壓，在此電壓之上·沿著在該源極與該汲極之間的路徑 之突返傳導會被啟動，並具有一保持電壓，在此電壓之上 < •該突返傳導會被維持，並有一沿著該路徑之最大非破壊 性電流密度•其中分隔該汲極與該通道之該汲極延展區具 有一電阻與該路徑串聯，使得沿著該路徑之該最大非破壊 性電流密度的流動在該路徑之上產生一超過該啟動霄壓的 電壓，而啟動在該源極與該汲極之間之鄰近路徑之突返傅 導。 24. 如申請專利範圍第23項所述之裝置•其中該閘氧化 物層具有大於該起動電壓之最大非破壊性霣壓。 :-...................(装：： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中阀阀家標(CNS)A4規挤(210 X 297公犛)