TW257689B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW257689B
TW257689B TW083109452A TW83109452A TW257689B TW 257689 B TW257689 B TW 257689B TW 083109452 A TW083109452 A TW 083109452A TW 83109452 A TW83109452 A TW 83109452A TW 257689 B TW257689 B TW 257689B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plate
liquid mixture
crystallization
crystal
heating medium
Prior art date
Application number
TW083109452A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Jgc Corp
Mitsubishi Chem Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jgc Corp, Mitsubishi Chem Corp filed Critical Jgc Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW257689B publication Critical patent/TW257689B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D9/00Crystallisation
    • B01D9/0004Crystallisation cooling by heat exchange
    • B01D9/0013Crystallisation cooling by heat exchange by indirect heat exchange
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D9/00Crystallisation
    • B01D9/004Fractional crystallisation; Fractionating or rectifying columns
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D9/00Crystallisation
    • B01D9/0063Control or regulation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D9/00Crystallisation
    • B01D9/0072Crystallisation in microfluidic devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Heat-Exchange Devices With Radiators And Conduit Assemblies (AREA)

Description

經濟部中央橾準局員工消費合作社印装 257639 at B7 五、發明説明() 發明背署 發明铕城 本發明係有關一種藉箸由含有可结晶成份的液體混合 物結晶化而獲得高純度產物之方法及裝置,又係關於特別 適合大規模純化製程之前述方法及裝置。更特別,本發明 適合大規模多階段式純化丙烯酸及甲代丙烯酸。 先前持擗:> 說昍 例如已知商業生產的丙烯酸通常含有乙酸及丙酸等雜 質成份,雜質濃度總計#0. ί%。近來,丙烯酸的用途擴 大,某些情況需要使用極高純度丙烯酸類。例如* 需要雜質濃度在數十至數百ppm左右。 一般而言,雜質係藉蒸餾去除。然而因乙酸及丙酸等 ___________________________________________... 雜質成份的沸點接近丙烯酸彿點,故難Μ藉蒸餾去除。此 種情況下,提議藉結晶去除此等雜質。 目前有兩《興型.結晶方法;一種方法為種晶置於含可 結晶成份的液體混合物内使晶運呈懸浮狀態於液.疆中.凝核 並長大;另一種方法爲晶體於.冷卻表面上形成$長太。 前一方法使用混合容器型結晶器。然而此型结晶器中 ,熱交換面積不足Μ由液體混合物中生產大量晶體。又, Μ黏箸性晶體例如丙烯酸爲例,無法使用冷卻盤管但需由 冷卻面上刮除晶體。因此,熱交換面積確實不足。此外, 由於無法避免固-液分離,故此型结晶器的構造及操作複 雜,難Κ進行多階段式結晶化作用。 後一方法敘述於"工業結晶手冊,Butterworth- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4 裝 訂 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印¾ A7 B7 _五、發明説明() Heinemann, 1993”编者A.S. Myerson及“方便實用結晶 製程之介紹[KEMIKARU ENJINIARINGU], 76-83頁” 1992年 9月作者Masakuni MATSU0KA。根據此等參考文獻,後一方 法的優點爲容易處理及結晶逡率高。他方面,缺點為因雜 質於結晶化過程中被捕集於晶體層内,故晶體純度低。此 等參考文獻進一步指出所謂的晶體冒汗或部份熔化,可有 效去除捕集的雜質,而改良晶體純度。 美國第Re. 32,241號專利案(為第7,621,664號專利 ........--·« . 案的再頒案)揭示一種進行後述方法的多階段式分段結晶 技術。此種結晶技術中,晶體係於内實jg ±長大。然而此 種結晶技術的缺點爲因晶體層内部直徑,隨著結晶作用的 ... ............... 進行縮小,故結晶面積,換言之熱交換面積隨著結晶作用 -----..... 的進行凰:減少。晶體的熔化係由接觸管内面的晶體開始。 結果晶體層外部直徑縮小,因而晶體與管内面分開,故所 揭示的結晶技術又有缺點為熔化步驟中晶體容易從ϋ面 ........ 落下。此種例中,例如於管底提供金屬網或柵,Μ防止因 管内面與晶體間產生餘隙造成晶體掉落。然而熱轉移速率 顯箸下降,需要極長時間才能熔化晶體。雖然回收的熔髏 被加熱並供應入管內,但液體流過管内面與晶體間的空間 而無法發揮效用而縮短熔化時間。卽使當晶體層與管外表 面生成時也存在此等缺點。又復,於平行使用多根管例 中,不容易均匀供應液體混合物及傳熱介質至管生成均勻 薄膜。又復,裝配大量平行管成本高。 他方面,已知另一型結晶器,其親似尋窜板形熱交換. J· '-· V.. ·· ......... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 Λ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X297公釐) -5 _ 257689 at _B7__ 五、發明説明() 器。然而此型結晶器中,流體流道狹窄且極為複雜。此外 ,液體混合物及傳熱介質二者必須填滿流道且須向上流。 因此結晶器的板及構造需要具有相當高強度。又,結晶速 率不夠高及純化不夠有效。此外,由實用觀點看來結晶器 不容易進行大規模生產。 ... 玆明槪沭 因此本發明有一目的係提供一種改良的結晶化方法。 本發明之另一目的係提供一種改良的結晶化裝置。 根據本發明之一態樣,一種分離液體混合物所含的可 結晶成份之方法包括下列步驟:循環該液體混合物至垂直 板之一側面,混合物於板之一側面或晶體層上向下流形成 薄膜;供應溫度比較該液體混合物之冰點更低的冷卻介質 至板之相反侧面上,冷卻介質於板之相反侧面上向下流形 成薄膜,因而於一侧面上生成需要量的可結晶成份晶體; 及供應溫度比較晶體冰點更高的加熱介質至相反侧面上, 加熱介質於相反侧面上向下流形成薄膜,因而熔化並回收 於板之一側面上生成的晶體。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明之另一態樣,一種Μ多階段方式反覆進行 結晶化步驟之方法,各結晶化步驟分離液體混合物内所含 可結晶成份晶體及母液呈殘餘液體混合物,該方法包括下 列步驟:於本結晶階段(第Ν階段),經由位在板上部的 傾斜板面循環液體混合物至垂直板之一侧面,混合物於板 之一側面或結晶層上向下流形成薄膜;於第Ν結晶階段, 循環溫度比較混合物之冰點更低的冷卻介質至板之相反側 ______ 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210X297公嫠) -6 - 257689 A7 B7 五、發明説明() (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 面,冷卻介質於相反侧面向下流形成薄膜,因而於一侧面 上獲得需要量的晶體及殘餘母液;使用得自第N結晶階段 的母液作為第(Ν-1)結晶階段的遒料液體,使用方式係將 母液加至供應给第(N-1)結晶階段的進料液體混合物;於 第N結晶階段,循環溫度比較晶體冰點更高的加熱介質至 相反側面,加熱介質於相反側面向下流形成薄膜,因而熔 化並回收於板之一側面上生成的晶體;於第N結晶階段, 加熱第(N + 1〉結晶階段的液體混合物及將加熱後的液體混 合物於第N結晶階段引至一側面因而快速熔化並回收晶體 ;Μ及於第(N + 1)結晶階段,使用於第N結晶階段回收的 結晶熔體作為液體混合物。 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印製 根據本發明之另一態樣,一種分離液體混合物所含可 結晶成份之裝置包括一張垂-直板;循環液體混合物至板之 一侧面用之液體混合物進料裝置,混合物於板之一侧面或 晶體層上向下流形成薄膜;供應溫度比較液體混合物之冰 點更低的冷卻介質至板之相反側面用之冷卻介質進料裝置 ,冷郤介質於板之相反側面上向下流形成薄膜;及供應溫 度比較晶體冰點更高的加熱介質至板之相反側面用之加熱 介質進料裝置,加熱介質於相反侧面上向下流形成薄膜。 根據本發明之另一態樣,一種分離液體混合物所含可 結晶成份之装置,包括一値單元包含一對垂直平板,各平 板於其上部具有向内彎折的傾斜面,該對平板於板頂端與 傾斜面彼此接合;循環液體混合物至該單元之平板外表面 用之液體混合物進料装置,液體混合物於該單元平板外表 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 257639 A7 B7 五、發明説明( 經濟部中央橾率局貝工消费合作社印製 面(包含結晶層表面)向下流形成薄膜;循環溫度比較液 體混合物冰點更低的冷卻介質至該單元平板内表面用之冷 卻介質進料裝置,冷卻介質於該單元平板內表面上向下流 形成薄膜;及循環溫度比較晶體冰點更高的加熱介質至平 板内表面用之加熱介質進料裝置,加熱介質於內表面上向 下流形成薄膜。 根據本發明之另一態樣,一種分離進料液體混合物所 含可結晶成份之裝置,包括一値區段具有多値單元,該等 單元平行組裝而單元間有規定的餘隙,各個單元包含一對 垂直平板,各平板之其上部具有向内彎折的傾斜面,該對 平板於板頂端與傾斜面彼此接合;循環液體混合物至該單 元之平板外表面用之液體混合物進料裝置,液體混合物於 該單元平板外表面(包含結晶層表面)向下流形成薄膜; 循環溫度比較液體混合物冰點更低的冷卻介質至該單元平 板內表面用之冷卻介質進料裝置,冷郤介質於該單元平板 内表面上向下流形成薄膜;及循環溫度比較晶體冰點更高 的加熱介質至平板内表面用之加熱介質進料裝置,加熱介 質於內表面上向下流形成薄膜。 圖忒:> 簡蜇說明 由下文之詳細說明及由附圖本發明之較佳具體例將可 更完整的了解本發明,此等說明及附圖僅供示例說明之用 而非意圖囿限本發明之範圍。 附圖中: 第1圖為根據本發明之第一較佳具髏例之結晶方法之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐〉
S Γ57639 A7 __B7 五、發明説明() 說明圖,其中進行結晶步驟; 第2圖為根據本發明之第一較佳具體例之結晶方法之 說明圖,其中進行熔化步驟; 第3A及3B圖分別為顯示均勻供應液體混合物於板之夕卜 側寬度之一種方式之說明圖,其中第3A圖爲示意側視圖及 第3B圖爲示意前視圖; 第4圖為顯示均勻供應液體混合物於板之外侧寬度之 另一種方式之說明圖; 第5A及5B圖分別為顯示均勻供應液體混合物於板之夕卜 側寬度之一種方式之說明圖,其中第5 A圖為示意侧視圖及 第5B圖為示意前視圖; 第6圖為顯示均勻供應液體混合物於板之外侧寬度之 另一種方式之說明圖; - 第7 A及7B圖分別為說明根據本發明之第二較佳具體例 之結晶装置構造之說明圖,其中第7A圖為示意側視圖及第 7B圖爲示意前視圖; 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第8A及8B圖分別為說明根據本發明之第三較佳具體例 之結晶裝置構造之說明圖,其中第8A圖為示意側視圖及第 8B圖為示意前視圖; 第9圖為根據本發明之第四較佳具體例之結晶裝置構 造之說明圖; 第10圖為顯示根據本發明之第五較佳具體例之結晶裝 置主要部份之透視圖,其中一對結晶器板示例說明為彼此 接合; 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 57639 A7 B7 五、發明説明() 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印裝 第11圖為透視圖顯示呈拆卸狀態之第10圖所示的結晶 器板; 第12圖爲剖視圖說明根據第五較佳具體例之結晶裝置 中各主要組件的配置狀態; 第13圖為對應於第10圖的透視圖,其中一片結晶板被 移開; 第14圖爲部份剖面圖說明根據本發明之第六較佳具體 例之結晶裝置; 第15圖爲透視圖顯示根據第六較佳具體例之結晶裝置 之主要部份; 第16圖為部份中斷圖顯示根據本發明之第七較佳具體 例之結晶裝置之示意前視平面圖; 第17圖為通過垂直軸線-之剖面圖顯示根據第t較佳具 體例之結晶裝置之示意側視圖;及 第18圖為根據本發明之第八較佳具體例之多階段式結 晶裝置之示意構造圖。 較佯县艚例少銳明 現在,後文參照附圖說明本發明之較佳具體例。 首先於下文說明根據本發明之第一較佳具體例之結晶 方法。 如第1圖所示,於第一較佳具體例之結晶方法中,使 用一片板11作為進行結晶作用的基底元件。特別板11形狀 平坦,垂直設置,因而具有一面垂直面12及一面相反垂直 面13。含有可结晶成份的液體混合物14於垂直面12上循環 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) 10 £57689 A7 B7 五、發明説明() 向下流形成薄膜。他方面,溫度低於液體混合物冰點的冷 卻介質15引進相反垂直面13上向下流形成薄膜供冷郤液體 混合物14,因而於垂直面12上生成並分離可結晶成份晶體 。冷卻介質15可循環重覆使用。經由連續進行前述各步驟 ,於板11之垂直面12上逐漸長出晶體層16,如第2圖所示 〇 當晶體層16厚度逹到預定值時,母液,亦即殘餘液體 混合物14被排出。随後如第2圖所示,溫度高於所生成的 晶體層16冰點之加熱介質17被引至板11的相反垂直面13上 向下流形成薄膜,因而熔化晶體。於垂直面12上向下流的 熔體被收集或回收。需了解,當晶體層16厚度過薄時,雜 質容易被捕集在晶體層內使回收的熔體純度下降。他方面 ,當厚度過厚時,通過晶體層的傳導熱量減少因而延長結 晶時間。因此晶體層厚度較佳為5mm至20mm,更佳爲7mm至 15mm。加熱介質17可循環反覆使用。經由連續進行前述步 驟,附著於垂直面12上的晶體層16完全被熔化,收集的熔 體之雜質濃度比較進料液體混合物更低。 他方面,當需要進一步下降雜質瀑度時,經由前述單 一階段操作所得的熔體可再度用作進料液體混合物而重覆 前述製程。經由以多階段方式進行前述方法,晏 土m。當進行多階段 式方法時,較佳不經由再度使用第N階段所得母液加至第 N階段的液體混合物,反而經由將第N階段所得母液加至 第(N + 1)階段(第N階段前一階段)的液體混合物而再度
本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) IK-------叫裝------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局員工消費合作杜印製 -11 - 齊郎中失*參苟貝^省奢>乍.?±,:?& £57689 i 五、發明説明() 使用母液。又,較佳使用第<N + 1)階段所得熔龌作為下一 陏段第N階段的液釅混合物。又較佳第(N + 1)階段之液髓 混合物14具有較高純度者,被加熱並引至垂直面12上,換 言之,於晶饈層16上向下流,同時循環具規定溫度的加熱 介質17於相反垂直面13上向下流形成薄膜,因而加速第N 階段的晶體熔化> Μ及第N階段收集的熔體被冷卻獲得新 的晶釀層16及第(Ν + 1)階段的母液,該母液係經由加至第 Ν階段的液體混合物14而供再度使用。需注意,當於第Ν 階段晶醱由液釅混合物分離時,母液之雜質混合物比較液 讎進料混合物更高。因此,當此母液反覆用作第Ν階段的 進料液醱混合物時,液體混合物的雜質濃度逐渐增高而分 離得的結晶層内之雜質濃度也逐渐增加。 前述結晶方法中,雖然採行多棰方式循環掖醱混合物 14於板11之一垂直面12上向下滾形成薄膜,但較佳均勻地 »換言之,Μ大«均勻速率於板11之全鱧外側寬度上循環 掖匾混合物。如第3Α及3Β圏所示,欲實現均勻供醮液體, 板11於上部形成多道凹口 22,液驩混合物14經由此凹口由 液體配送器21引進而在一垂直面11上向下流形成均勻薄膜 。另外如第4圈所示,於液體配送器21下部沿箸板11外侧 〜'y. 寬度形成一道開缝23,通遇此開缝饋進液體混合物14形成 均勻薄膜。另外如第5A及5B圖所示,彎折板11上部提供傾 斜面24,及由傾斜面24上端向上伸展的垂直面24a,液鼸 混合物14從液釅配送器21沿傾斜面24向下引進,因而於垂 直面12上向下滾形成均勻薄祺。液饑配送器21於俩壁或底 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^. 訂 257639 A7 B7 五、發明説明() 部形成多道開口沿著板11寬度均勻饋送液體混合物至傾斜 面24上。此例中,雖然如第5A及5B圖所示可直接供應液體 混合物至傾斜面24上,但也可排列成液體混合物首先饋至 垂直面24a上,經由傾斜面24於垂直面11上向下流。較佳 ,傾斜面24相對於水平面Hp之夾角Θ為由20度至80度,及 更佳由30度至60度。當板11於寬度方向傾斜而夾角Θ太小 時,液體混合物於傾斜面24上之流動容易偏折而遠離薄膜 的流動。相反地,當角0過大時,矯正作用,換言之,液 體混合物流向外側發散或分散的效用Μ便使液體流厚度於 寬度方向均勻者,無可避免地消失。實驗顯示當角0小於 w. Μ丨[||r-ι· MWito « 20度或大於80度時晶體層16厚度的均勻程度明顯。如第6 圖所示,例如由金屬網或多孔材料製成的, 可恰置於液體混合物由液體配送器21引至板11上該部份下 方。如所了解,於第3A,3B或第4圖所示的構造也可Μ類 似方式提供再度配送器25。
第3Α,3Β,4,5Α及5Β圖所示之液體分布配置中,第 、SA,5Β圖所示者^由於操作可靠,製造方便,適合木量UJLX V ---------------------------------— 處f液體混合物等故Μ該樓配置為最合所需。 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印製 板11之厚度及形狀並無待定限制只要可承載由附箸其 上的晶體施加的負載Μ及於其上方向下流的液髏膜施加的 負載即可。鑑於熱傳導故,以板11厚度較小為佳。然而鑑 於購買上的經濟故,Μ厚度0.5ram至2.0mm合所需,Μ厚度 O dJU?至1. 2jyi寅^ @需。又板11非僅限於平坦形,可為浪 形或波形等。然而,浪形板或波形板生產困難,此外容易 13 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家橾準(CNS ) Μ说格(210X29·?公嫠〉 57689 A7 B7 五、發明説明( 使液髏混合物分布不良,沿板外侧方向偏折,換言之,造 成液體薄膜及晶體層厚度不均勻。他方面,平板製造容易 ,工作時比較浪形或波形板可於板全體寬度產生均勻液體 流。因此,較佳垮里、平敗供其上方結#。 板11的材質也無特殊限制。特別板11可為金屬或玻璃 板等製。然而其中鑑於傳熱效能高,可作成的厚度薄及價 位低,故Μ金屬板,特別鐵板或不锈網板用來製成板為佳 。板11尺寸並無特殊限制代表板尺寸可考慮結晶器的工作 能力及生產容量決定。又冷郤介質15及加熱介質17可分開 提供,或者同一種介質可用作冷卻或加熱介質,換言之, 同一種介質當冷卻時可用作冷卻介質15及加熱時可用作加 熱介質17。 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印裂 又,欲生產均勻厚度的液體混合物薄膜,雖然液體混 合物的供應流速係根據液髏混合物的物理性質,特別表面 張力決定,但較佳不小於〇. 1罐/小時1米板寬度,更佳 不小於時1-米板寬度。供應流速之上限無需界 定,只要液體混合物可呈薄膜流動即可。液體混合物溫度 較佳高於液體混合物冰+ 5¾範圍内及雯佳於+1亡範圍 内。又,冷卻介質溫度只要低於液髏混合物冰點卽無特殊 限制。他方面,於開始結晶的最初結晶階段,快速結晶會 使晶髏純度下降,因此冷卻介質溫度較佳介於液體混合物 ......... ......丨: 〆 冰點減201C與液體混合物冰點之範圍內。 又於前述結晶方法中,若有所需較佳實施窜If過程ci 冒汗過程之進行方式係將晶體層部份熔化,去除捕集在晶 14 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 257639 a? B7 五、發明説明() 體層之間或附箸於晶體層上的高雜質濃度液體,因而使晶 體層的雜質濃度進一步下降。 特別,於引進溫度高於晶體冰點的加熱介質17至板11 的相反垂直面13上(如第2圖所示)前,溫度係在晶體溶 填範搋边直凯鼓t質1.柔,雲專面U上形成薄膜,因而 部份熔化晶體層。 又當如第2圖所示*沿箸相反垂直面13引進溫度高於 晶體冰點的加熱介質而熔化晶體時,熔體被有效加熱及循 環通過晶體層16向下流而加速晶體的熔化。 現在,下文將參照第7A及7B圖說明本發明 具農例。第具:胃伊·Μ系有晶器$結晶裝置° 經濟部中央梂準局貝工消费合作杜印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第7A及7B圖所示结晶装置包含一片平坦形板31,其垂 直設置因此有一垂直面32及一相反垂直面33。該裝置又包 含可Μ循環方式供應液體混合物34之液體進料条統38。液 體混合物34含有可結晶成份並於一垂直面32上向下流形成 薄膜。又設有冷卻介質進料条统39而Μ循環方式供應冷卻 介質35。冷卻介質35之溫度低於液體混合物34之冰點並於 相反垂直面33上向下流形成薄膜。又設有加熱介質進料糸 統40而以循環方式供應加熱介質37。加熱介質37之溫度高 於晶體冰點並於相反垂直面33上向下流形成薄膜。 於具有如上構造的結晶裝置中,液醱混合物34內之可 結晶成份經由從液體混合物進料条統38饋送液體混合物34 而於一垂直面32上向下流形成薄膜;及同時經由從冷卻介 質進料糸統39饋送冷郤介質35形成薄膜而被結晶,於一垂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4^ ( 210Χ297公釐) A7 B7 57639 五、發明説明() 直面32上形成晶體層。隨後,於一垂直面32上形成的晶體 藉箸由加熱介質進料糸統40饋送加熱介質37而於相反垂直 面33上向下流形成薄瞑而被熔化及收集。因此可降低收樂 的熔體内之雜質濃度。 前述結晶裝置中,較佳使用進料条統作冷卻介質進料 条統39及加熱介質進料糸統40。 現在,下文參照第8A及8B圖說明根據本發明第^較佳 具體例之結晶裝置。第三較佳具體例係與前述第二較佳具 體例相同但平板31上部彎折而提供傾斜面24。液體混合物 34經由液體混合物進料条統38倒至傾斜面24上使液體於一 垂直面32上向下流。因為液體混合物饋至傾斜面24上,故 液體混合物於一垂直面32上,Μ大激均勻速度沿板31的全 部寬度同下流而形成厚度均匀的液體膜。如此可縮短結晶 ............. 及熔化時間,因而於大規模加工處理情況下獲得作業效率 大為改善。 板31的構造細節係與第5Α圖所示板11相同。 現在,參照第9圖說明根據本發明之第叹較佳具體例 之結晶装置。
第9圖之結晶裝置中,?料条統係由傳熱介 質槽41及冷卻器42組成而料糸統係由傳熱介質 槽4 1及加熱器43組成。因此,同一種傳熱t質m作為iiJJI 及加熱介質用。號碼44表示循環液體混合物34之進料泵浦 ,________^一一、- ,45表示循環傳熱介質(亦即冷即及加熱介質)之傳熱介 質泵浦,及46表示結晶器本體,如第7A及7B或8A及8B圖所 ---------叫裝------訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印装 本紙铁尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 一 16 16 C57639 at B7 五、發明説明() 示,其中包含板31。欲於板31之一垂直面32上結晶,槽41 内的傳熱介質經由泵浦45引至冷郤器42而被冷卻至低於液 體混合物冰點之溫度,並供應至板31之相反垂直面33上Μ 便做冷卻介質35用。他方面,欲熔化於垂直面32上的晶體 ,槽41内的傳熱介質經由泵浦45被引至加熱器43,被加熱 至高於晶體冰點之溫度並供應至板31之相反垂直面33上Μ 便做加熱介質37用。 根據第9圖之結晶装置,傳熱介質槽41可作為冷卻及 加熱介質槽二者,因此可簡化装置。 於第9圖所示結晶裝置中,加熱器43可發揮控趣功能 。特別,加熱器43可加熱加熱介質至高於晶體冰點之溫度 而使整値晶體熔化。他方面,加熱器43可加熱加熱介質至 相對較低溫以便部份熔化晶儷。相對較低溫例如可於有待 回收的榛的成份熔解點之±51範圍内。由於此種作業可進 行冒汗步驟,因而進一步降低熔體的雑質濃度。 鋰濟部中央揉準局員工消費合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,於第9圖之結晶裝置中,可提供熔體循環器以便 循環經由熔化晶體所得的熔體。根據熔體循環,晶體不僅 藉加熱介質37同時也藉被加熱的熔體熔化因此可在更短時 間内進行熔化步驟。液體槽47及進料泵浦44可用於前述熔 化循環。 現在,參照第1〇1〇^_明尤據本發明之具 體例的結晶装卜根據此較佳具體例之結晶裝置適合供 大規模結晶。I」 如第10圖所示,結晶裝置包含一對板61及62供於板上 本紙張尺度遑用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X 297公釐) 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印«. £57639 at _B7_ 五、發明说明() 結晶。各板61及62對應於第8A及8B圖所示之板31。板61及 62垂直組裝,彼此面對面且於其上部及下部彼此聯結,因 而構成一單元A。如所了解,板61及62上部具有對應於第 8A及8B圖之傾斜面24的傾斜面,及板61及62於此等傾斜面 的上端部接合在一起。 如第12圖所示,單元A其中包含傳熱介質進料管63位 在垂直空間上部介於板61與62間。他方面,液體配送器64 位在單元A外侧及上部而賸送液體混合物至單元A的傾斜 面上。於單元A之外側垂直面上向下流的母液可經由循環 器循環至液體配送器64。 傳熱介質進料管63接糸統(未顯示出 ),因此冷郤介質經由該管供應,並於單元A的內部垂直 面上向下流,而於單元A的外側垂直面上形成晶體。須了 解,若液體配送器64係位在低於傳熱介質進料管63下方位 置,則因通過液體配送器64開口 65供應的液體混合物係完 全與被冷卻面接觸,故由靠近配送器開口 65的位置開始發 生結晶化作用,因此配送器開口 65容易被阻塞。因此,欲 避免如此阻塞,較好將_^^£送器64設置高於傳熱介質進 料實6X。 傳熱介質進料管63也接到傳熱介質J|ii糸統(未顯示 ' · ' . H-: : -· ·-·: · Λ * ' 出),因此傳熱介質由管供應並於内側垂直面上向下流而 熔化*並回收於單元Α外侧垂直面上生成的晶體。雖然冷 卻介質進料条統及加熱介質進料条統可不同,但較佳同一 個傳熱介質進料魚統作為冷卻及加.熱介質進料糸齋兩者用 11 .....—屮....... 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 Γ57639 A7 B7_ 五、發明説明() 。特別,傳熱介質進料条統可於晶體生成時通過傳熱介質 進料管63供應冷卻介質,而於晶體熔化時經由同一管63供 應加熱介質。 如第11圖所示,板61及62大致平坦。板61,62尺寸之 一範例爲上或下寒約1.5米及垂直長度約3米。板較佳為 '·*··· ' ' · · .... 金屬製,例如鐵或不锈網製,歸因於金屬的傳熱性較佳且 容易成形故。又,容易購買鐵或不銹網板檫準商品。此外 ,無需特殊複雜技術來生產此等平板。他方面,較佳如第 11圖所示,分別於板61及62上提供s,支撐ΙΪ>1Α及62A。特別 支撐肋61Α以適當間距垂直固定於板61的外侧垂直面上。 支撐肋62A以適當間距垂直固定於板62的内侧垂直面上。 當於液體流動方向上板的光滑度或平坦度不良時,亦即當 於液體流動方向上板表面上有顯箸不規則時,晶髏可能由 板上剝落並於熔化步驟過程中落下。因此需要支撐肋61A 及6〗A來維楚板與垂直方向足夠光滑或平坦。鑑於大的薄 板容易彎折或變形故,支撐肋對大片板特別有效。較佳各 根支撐肋之形成不會干擾液體混合物呈薄膜形式流動。 支撐肋無需完全固定於板61,62上,而可以其它適當 方式提供來維持板於液體流動方向足夠光滑或平坦。液體 流動方向的平坦情況界定如下: 當於液體流動方向上設定兩點其間間距1米時,平坦 度為連接兩點及板表面上局部各點之直線間距的最大值。 平坦度較佳於l〇mm以內,更佳於5mm内。又Μ平板為例, 較佳於板之寬度方向也規定前述平坦度。特別較佳如上界 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) ---------裝------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 19 57689 A7 B7___ 五、發明説明() 定的平坦度也在前述沿寬度方向的範圍内。 又較佳介於板61與62間之餘隙,亦即介於板61與62之 内側垂直面間之餘Jfl可能小M f縮φ琴置。特別只要傳 熱介質(亦即冷卻或加熱介質)可於成對内侧垂直面上向 下流形成薄膜,則相當小間隙即足。因此,餘隙例如可爲 10mm。支撐肋62A固定於板62的内侧垂直面上也可用作間 隔物來維持板61與62之内侧垂直面間之餘隙均勻。特別, 經由設定各支撐肋62A之高度至對應於餘隙要求值的適當 恒定長度以及經由裝配板61及62使肋62A吡連板61的内側 垂直面,可確保餘隙均勻。 如第10圖所示,板61及62的外侧末端成形為放大端, 因而可獲得傳熱介質進料管63用之間隔。傳熱介質進料管 63係由一根頭管63A接到冷卻及加熱介質進料糸統及三根 技管63B組成。三根技管63B插入前述介於板61與62之内側 垂直面間之餘隙。如第13圖所示,支撐肋62A也作為分技 管63B的支撐物。各技管63B有多傾呈小孔形成的小開口 63C 。枝管63B之開口 63C排成兩條平行線,開口方向面對板板 61及62的兩相對内側垂直面。又,技管63B之開口 63C設計 如第13圖所示,因而共有三痼各別外侧區使液體均勻熇佈 寬板61及62上之開口。因此冷卻介質均勻分布於開口 63C ,並於板61及62之内側垂直面上向下流形成均勻薄膜。結 果*晶體可Μ均勻速率於單元A的外側垂直面上表大而大 體偏佈板61及62的整體寬度。 技管63B數目非如本較佳具體例般限於三根,可根據 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) I I — ϋ n I I I 訂 (-Λ (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁} 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印¾ 20 經濟部中央揉準局負工消費合作社印製 Γ57639 ' 7 A7 B7 五、發明説明() 技管63B之直徑,亦即介於板61與62間之餘隙,傳熱介質 之流速及板61,62寬度改變。換言之,技管63B可設計成 傳熱介質均勻偏佈板板61及62的寬度方向。 液體配送器64於底部及於對應板61或62的外側方向有 無數開口 65。使用此種配置,液體混合物可由液體配送器 64供應,而於板61及62之外惻垂直面上均勻向下流形成薄 膜形式。如第12圃所示,於液體配送器64上設有噴嘴66來 連續供應液體混合物。噴嘴66可由他型液體供應裝置替代 0 根據第五較佳具體例之結晶裝置內,經由通過傳熱介 質進料管63引進冷卻介質而於單元A的內侧垂直面上向下 流形成薄膜,同時由液體配送器64引進液體混合物而於單 元A之外側垂直面上向下流形成薄膜,可於單元A的外側 垂直面上生成需要量的晶體。隨後,生成的晶體藉箸經由 傳熱介質進料管63引進加熱介質,而於單元A之内锢垂直 面上向下流形成薄膜而被熔化及收集。因此使用如此簡單 構造,當使用單一片結晶器板時,可得單位時間結晶速率 加倍。 又於根據第五較佳具體例的結晶裝置中,傳熱介質, 亦即冷卻/加熱介質可反覆循環。當需要進一步降低產物 雜質濃度時,經由前述單一階段式方法獲得的收集的熔體 可呈液體混合物循環並Μ前述方式再度結晶。當進行此種 多階段式方法時,可配置成晶體於單元Α的外側垂直面上 生成,而於第N階段所得母液經由加至第(N + 1)階段的液 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(2丨Ο X 297公嫠〉 I:-------1裝------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 57639 A7 B7 五、發明説明() 體混合物而再度使用。又可配置成溫度高於晶體冰點的加 熱介質引至單元A之内側垂直面上向下流形成薄膜,同時 第(N + 1)階段的液體介質被加熱並引至於單元A表面上生 成的結晶層上向下流,因而加速苐N階段的晶體熔化。又 可配置成於第N階段收集的熔體於第(N + 1)階段被冷卻獲 得新的結晶層及母液,母液經由加至第N階段的液體混合 物而再度使用。 又於根據第五較佳具體例的結晶裝置中,加熱介質進 料糸统或傳熱介質進料糸統又可具有加熱器,若有所需可 發揮控溫功能進行冒汗作兼。特別於引進溫度高於晶體冰 點的加熱介質至單元A内側垂直面上熔解全體晶體前,其 溫度,例如於有待回收成份熔點之±5t:範圍內的加熱介質 被引至單元A之內侧垂直面-上形成薄膜,因而部份熔化於 單元A外表面上生成的晶體層。 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 又於根據第五較佳具體例之結晶裝置中,設有熔體循 環器以加速晶體的熔化。特別,當藉箸引進溫度高於晶體 冰點之加熱介質向下流至單元A的內侧垂直面上而熔化晶 體時,可配置成熔髏被加熱並通過液體配送器64循環,因 而於單元A的外侧垂直面上向下流。 現在,參照第14及psjija巍纏本發明之芦六較# .-------·, 體例之結晶裝置。根據此較佳具體例之結晶裝置比較先前 第五較佳具髏例者可大規模純化液麗舍物。 如第14圖所示,結晶裝置包含多個前述單元A,其平 行排列因而構成一區段B。特別,吡鄰單元A的外側垂直 22 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 57683 五、發明説明() (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 面裝配成彼此面面相對而其間具有所需餘隙。由各個液體 配送器64引進的液體混合物於對應吡鄰單元A之外側垂直 面上分別呈薄膜向下流。他方面,冷卻/加熱介質由傳熱 介質進料管引進而於各單元A之外側垂直面上呈薄膜向下 流。 如第15圖所示,單元A之板61及62於板之外侧端具有 向外彎折的放大部份68。吡鄰單元A藉箸固定偶聯向外彎 折部份68而彼此接合。介於吡鄰單元A之外側垂直面間之 最小餘隙為晶體層餘隙,加上液體混合物成薄膜形式於外 側垂直面上向下流的空間餘隙。例如,當兩面外側垂直面 上的晶體層最大厚度為10mm時,考慮晶體層間形成適當餘 隙,故較佳餘隙爲別設於板61外侧垂直面上的支撐 肋61A可用作間隔物來維持介於吡鄰單元A之外侧垂直面 間的餘隙均匀。特別經由設定各支撐肋61A高度至對應餘 隙要求值之適當恒定高度,以及經由組裝吡鄰單元A使支 撐肋61A吡連板62的外侧垂直面,可確保餘隙均勻。 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 傳熱介質進料条統之連接管61A爲組成區段B之單元 A的技管之頭管。如同前文第五較佳具體例,由連接管63A 分出三根枝管63B且插入介於各單元A之内侧垂直面間之 空間。 根據第六較佳具體例,由於多個單元A平行組裝而構 成區段B,故容易構造大規模結晶裝置。又因此較佳具體 所-¾ 鍵乏61及
J 例使用的單元A彼此相同,故組成各單元A的兩〃 62可檷準化並大量生產來降低結晶裝置的製造成¥ 23 本紙張尺度速用中國國家橾準(CNS)A4規格(210X 297公釐) 經濟部中央標準局只工消费合作社印製 Γ57639 A7 _ B7__ 五、發明説明() 現在,參照第16及Π圖㉟主Μ名Jiim.隹具 體例之結晶裝置。根據此較佳具體例之結晶裝置,比較前 文第六較佳具體例之裝置,適合Μ又更大規#純化液體混 合物。 如第16圖所示,結晶裝置包含多値平行組裝的前述區 段Β。各區學Β包含為數十値且平行組裝的麗云A,結晶 裝置例如包含t個區段B。各區段B中,噴嘴66 (例如三 個)沿板61,62寬度方向設於單元A上來連繙供應液體混 合物。如所了解,液體混合物通過噴嘴66供應至單元A的 外側垂直板面上。供應的液體混合物於單元A的外侧垂直 板面上呈薄膜向下流,同時由冷卻介質冷卻。因此,於單 元A的外側垂直板面上生成結晶及母液,亦即殘餘液體混 合物通過設於各區段B底侧的排放噴嘴73排放。排放出的 母液循環並通過嘖嘴66再度供應供於單元A的外侧垂直面 上連縝結晶。較佳,排放噴嘴73設置於傳熱介質的排放噴 嘴72下方位置,Μ防排放噴嘴73因液體混合物固化而被阻 0 因為當於結晶步驟過程中產生晶核時,小晶體可能由 板面上落下,故較適合放大排放噴嘴73或提供旁通管路以 免排放噴嘴73阻塞。又,較佳,恰於排放噴嘴73上方設置 分離材質,例如金屬網或柵Κ便於晶體熔化步驟過程中接 收落下的晶體,Μ便分離落下的晶體與母液。經由設置此 種分雔材質,可有效防止排放噴嘴73的阻塞。 各區段Β中,枝管63Β揷入各單元A,並如前述第六 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4洗格(210X297公釐) - 24 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本X ) .叫裝.
.1T
).A A7 Γ57639 B7_ 五、發明説明() 較佳具髏例及第17函所示,接到連結用頭管63A。第七區 段B的連結用頭管63A常見連接成一體,因此傳熱介質, 亦即冷卻/加熱介質經由一體共用連結用頭管63A供應至 全部區段B且通過技管63B之開口 63C供應至單元A之内側 垂直面。排放噴嘴72提供於各區段B之底端及外侧端供排 放冷卻/加熱介質。排放出的冷卻/加熱介質循環利用。 根據第七較佳具體例,因為多傾區段B平行組裝,故 容易構成又更大規模的結晶裝置。又,甚至當單元A出問 題時,可藉區段B之單元替換,因此可連繙進行整體結晶 裝置的作業。又,其優點為區段可於作業過程中修復。 需了解,於根據第七較佳具體例的結晶裝置中,當加 工處理大量液體混合物時,可於全部平行區段B進行相同 單一階段式製程,或每痼區段B進行不同的製程步驟。 現在,根據本發明之第八較佳具體例說明多階段式结 晶裝置。第18圖顯示此種多階段式結晶裝置的示意楕造。 如18圖所示,多階段式結晶裝置包含母液儲槽V-0, 第一儲槽V-1,第二儲槽V-2,第三儲榷V-3及產物儲榷V-4 。此等儲槽之液體經由循環槽V-5供應至結晶器本體80。 又母液,冒汗步驟所得液體(後文稱為“冒汗液體”)及 來自結晶器本體80的熔體首先饋至循環器槽V-5 ,並介於 各儲槽與結晶器本鱧80間循環。 例如,假定進行第一階段結晶一次,第二階段結晶二 次及第三階段結晶一次而完成一次典型的期。此種 例中,液體混合物首先供應至第二儲槽V-2。於第二階段 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------叫-装-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 -25 - 經濟部中央樑準局貝工消费合作社印褽 257639 A7 B7 五、發明説明() 結晶過程中’第二階段結晶所得母液,第一階段結晶所得 熔體,第二階段結晶所得冒汗液體,及第二階段所得液體 混合物之混合物經由循環槽V-5供應至結晶器本體80作為 有待純化的進料液髏。於結晶器本體80中,藉將供應的液 體一分為二而兩次進行結晶化作用。於此第二階段結晶作 用所得母液送至第一儲槽V-1 ,於此第二階段結晶所得冒 汗液體送至第二儲槽V-2 ,及於第二階段結晶所得熔體送 至第三儲槽V-3。 於三階段式結晶過程中,得自第二階段結晶作用的溶 體及於第三階段結晶所得冒汗液體之混合物,經由循環榷 V-5供應至結晶器本體80作為有待純化的進料液體。於此 第三階段結晶作用所得母液送至第二儲榷V-2 ,於此第三 階段結晶所得冒汗液體送至第三儲槽V-3 ,及於此第三階 段結晶所得熔體送至產物儲槽V-4。 第一階段結晶作用中,得自第二階段結晶之母液及第 一階段結晶所得冒汗液體之混合物,經由循環槽V-5送至 結晶器本體80作為有待純化的進料液體。於此第一階段結 晶所得母液送至母液儲槽V-0 ,於此第一階段結晶所得冒 汗液體送至第一儲槽V-1 ,及於此第一階段結晶所得熔體 送至第二儲槽V-2。 藉此方式完成一個結晶週期。 根據前述多階段式結晶裝置,可獲得高純度產物,及 又改良產物回收效率。 曹例 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4洗格(210X297公釐) 26 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) "裝· 訂 57639 A7 B7 經濟部中央揉準局工消费合作杜印«. 五、發明説明() 若干實驗結果將說明如下。 奮期Μ 使用第7Α及7Β圖所示結晶裝置。如第7Α及7Β圖所示, 丙烯酸由上方Μ傾斜方式供應至平板31並進行結晶化作用 。結晶器板Μ表面寬200mm及高600min,且使用l,200g丙烯 酸作麗麗混合物|。連續進行結晶至生成840g晶體爲止。晶 髏層之最終平均厚度為7mm。使用30%重量比乙醇水溶液 作冷卻介..質’送至結晶裝置的冷卻介質入口溫度控制於2 υ。於結晶過程中噴灑於表面上的液體及生成的結晶層表 面顯餐起伏。需時35分鐘完成結晶it«步驟。 欲作目測觀察,將一張聚(氣乙烯)板接到結晶裝置 的前側。 奮例 使用第8A及8B圖所示結晶裝置,其中傾斜面24之角度 0為45度。實驗係以實例1之相同方式進行,但丙烯酸係 引至第8A圖所示之傾斜面24上。本實驗中,液體並未濺射 於板面上且結U主痕焉曼董麗農匕里^公籃^.結晶 化步驟。 奮例卩 實例2中,冷卻介質加熱至15t:作爲加熱介質用,且 循環供冒汗步驟部份熔化實例2生成的晶體。結果5分鐘 .. w.j»*·*···4··· *···**· 內熔化90g晶體。雖然觀察到接近板31表面出現熔化及熔 體於板面上向下流,但晶體仍然附著於板面上並未掉落。 隨後,加熱介質進一步加熱至25Τ並循環因而熔化全部其 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐} 27 ----------1裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部中央梂準局WC工消费合作社印製 '57689 A7 ______B7_ 五、發明説明() 餘晶體。類似冒汗步驟,熔化進行至幾乎全部晶髏皆附著 於板面上。此熔化捷驟時5分鐘。 〆 _............................... 吐齡俐1 欲作目測觀察,使用耐熱玻璃雙重管,内管内徑40mm ,外管外徑70m,高1,160mm。經由供應丙烯酸呈薄膜至 上及介於内管與外管間供應迻m而.座行結 晶化作用。金屬網置於雙重管底部以防晶體掉落。使用 l,200g丙烯酸作為液體混合物,結晶化作用持鑛至840g晶 體生成爲止。晶體層之最终平均厚度為7mm。使用30%重 董比乙醇水溶液作冷卻介質,冷卻介質送至結晶裝置的入 口溫度控制2¾。結晶步驟释時35分鐘。 "' .........、. . 隨後,冷卻介質加熱至15C作為加熱介質,並循環進 行冒汗步驟。90g晶體於7分鐘內熔化。熔化出現於内管 内表面而生成的晶體由表面落下至管底部的金屬網上。加 熱介質又加熱至25¾並循環而熔化全部其餘晶體。然而由 於介於晶體層表面與管内表面間之餘陴,.故無法進行有效 ,.... · ........— - ' ' ' , ............. 熔化。因此將熔體又加熱至25¾並循環。然而因為熔體流 過餘隙,故熔化過程進行緩慢需睦35分.鐘.m.化全部晶 體。 奮例4 使用第18圖所示之多階段式結晶裝置,其中結晶器本 體80與實例2使用者相同。液體混合物供應至第二儲槽V-2 。第二階段結晶步驟中,766g得自第三階段結晶的母液, 754g得自第一'階段結晶的培體’ 168g得自第一階段結晶的 本纸張尺度適用中國國家梂率(CNS)A4規格(2丨0父297公« ) - 2S - 「裝 訂 ^.,^. (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 257689 A7 ___B7_ 五、發明説明() (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 冒汗液體及l,520g新進料液體混合而生吸3,208g液醴混合 物。液《混合物一分為二Μ供結晶二次。經由一次第二階 段結晶作莱*獲得763g母液,84g冒汗液體及757g熔齷。 结果經由於第二陏段結晶過程的二次作業,播得l,526g母 液並送至第一儲槽V-1,獲得168g冒汗液體並送至第二餘 播V-2,及獾得l,514g熔鼸並送至第三儲槽V-3。 於第三階段結晶遇程中,l,514g得自第二階段結晶的 熔鼸及84g得自第三階段結晶的冒汗液體混合而生成l,598g 液醸混合物作為進料*並獲得760g母液,84g冒汗液《及 754g熔體。母液送至第二儲槽V-2,冒汗液饑送至第三儲 槽V-3及熔體送至產物儲f||V-4。類似地,於第一階段結晶 化作用中,l,526g得自第二階段結晶的母液及84g冒汗液 «混合而生成l,610g液醱混合物作為進料,並播得766g母 篏* 84g冒汗液«及760g熔鼸。母液送至最終母液健槽V-0 ,冒汗液醴送至第一健槽V-1及熔饅送至第二儲槽V-2。藉 此方式,經由進行第一階段結晶作用一次,第二階段結晶 作用兩次及第三階段结晶作用一次而完成一次结晶遇期, 並由1,520g進料液饑混合物播得754g產物及766g最终母液 。整餹陏段结晶化遇程中,結晶溫度控制於2Ϊ;,冒汗溫 度控制於15t:及熔化溫度控制於25Ί0。 液體混合物,產物及最终母液之雜,瀨离示於表1, -V- ''Λ, ;,_Λ 其中數據係以ΡΡ·重量比表示。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) A7 B7 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 五、發明説明() 液體混合物 870 產物 70 最終母液 1,630 表1顯示經由進行多步驟式結晶化作用可獲得純化產 物。結晶階段數目並非如本實驗限於三階段,可增加階段 數目以改良產物的純度及回收率。又當如本實驗使用一個 結晶器本體來進行多階段式結晶化作用時,可適當等分各 値結晶化階段分離的進料液體混合物數量。可經由如本實 驗改變各結晶階段之作業數目滿足此點。 奮例5 使用一對寬0.5米高1.5米的板組裝成如第10圖所示之 單元A。又將兩個單元A平行組裝做成如第14圖所示的區 段B。此區段B用作結晶裝置。介於各單元A之内侧垂直 面間之餘隙為10mm,而介於兩單元A之外側垂直面間之餘 隙爲30mm。使用30%重量比乙醇水溶液作冷卻介質,冷卻 介質送至結晶裝置之入口溫度控制21C。如第9圖所示, 冷郤介質藉傳熱介質泵浦45循環,並於各單元A之内侧垂 直面上呈薄膜向下流。他方面,雜質濃度爲870ppm的30kg 丙烯酸用作進料液體混合物。液體混合物藉進料泵浦44循 .....- ..... · .....* > · .: 環而於單元A之外侧垂直面上呈薄膜向下流。經由監測進 料槽47的液體高度,當生成21kg晶驊時终止液體混合物的 循環。 本纸張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 丨:-------「裝------訂------^ (請先閲讀背面之注意ί項再填寫本頁) 57639 a? B7 ___ 五、發明説明() 隨後,冷卻介質藉加熱器43加熱至15°C並循環作加熱 介質而於各單元A之内側垂直面上呈薄膜向下流,因而進 行冒汗步驟熔化2kg晶體。又,加熱介質藉加熱器43加熱 至25=C並於各單元A之内側垂直面上呈薄膜向下流循環而 熔化全部其餘晶體。结果,獲得母液具雜質濃度2,030ppm 重量比,冒汗液體具雜質濃度720ppm重量比及熔體具雜質 濃度290ρρπι重量比。因此獲得含極小量乙酸及丙酸的高純 度丙烯酸。本實驗結果示於表2。又,於熔化晶體過程中 不會出現管的阻塞及晶體的剝落。考慮由於熔體表面張力 故晶髏附著於板外側垂直面上因此熔化過程中晶體不會落 下。 又使用具有不同雜質濃度的丙烯酸作為進料液體混合 物進行進一步實驗。Μ前述相同方式進行結晶化步驟。结 果也示於表2其中數據表示雜質濃度,ppm重量比。 .r——τ__ 黄驗编號 進料液體混合物 母 液 冒汗液體 熔化晶 5-1 870 2,030 720 290 5-2 110 250 65 40 5-3 1,900 5,400 830 360 5-4 11,400 40,700 5,600 920 經濟部中央揉準局員工消费合作杜印製 表2顯示實驗獲得高純度丙烯酸。又,熔化過程中不 會出現管的阻塞與晶體的剝落。
奮例R 31 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度遑用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(21〇><297公釐〉 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 A7 £7_ 五、發明説明() 以實例5之相同方式使用含環邑主要雜質的粗製 ^作進料液體混合物進行結晶化作業。熔化晶體及進料液 體混合物之雜質濃度分別爲0 . 51%重量比及4 . 6%重量比。 啻例7 以實例5之相同方式使用含有0-二氣苯作主要雜質之 粗製對-二氯苯溶液作爲進料液體混合物進行結晶化作業 ------------------^ 。熔化晶體及進料液體混合物之雜質濃度分別為5.3%重 _______一 “, 量比及53 . 5%重貴比。 **—.......-... 奮例ft 含MAA (甲代丙烯酸)作為有待分離成份及i -PA (異 丁酸)作為有待去除成份的混合物藉結晶化方法純化。進 料液體混合物組成及所得結晶熔體組成示於表3,其中數 據表示濃度 ,%重量比。' 表3 進料液體混合物 熔化晶體 ΜΑΑ 94.1 95.9 .....· _ ..... ·. . i-BA 5.3 3.9 Ha〇 0. 1 0.1 其他 0.5 0. 1 審例9 以實例8之相同方式進行结晶化作業。本實驗使用含 對-二甲苯作為有待純化成份之二甲苯混合t。結果示於 _ .___________ . ......... - ..... 表4,此處數據表示濃度,%重量比。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X297公釐) Ύί ---------「裝------訂------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本X ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 257689 a? B7 五、發明説明() 弃4 進料液體混合物 熔化晶體 對-二甲苯 22.0 97.9 間-二甲苯 55.5 2.0 鄰-二甲苯 21.5 0.5 其他 1.0 0.5 音例10 Μ實例8之相同方式進行結晶化製程。 本實驗fJ含 2,6-DIPN (二異丙萘)作為有待純化成份之混合物。結果 示於表5, 此處數據表示濃度,%重量比。 進料液體混合物 熔化晶體 2,6-DIPN 34.6 91.5 2,7-DIPN+l,7-DIPN 41.6 7.2 1.3-DIPN 12.3 1.3 1,6-DIPN 8.0 - 其他 3.5 - * Μ 1 1 Μ實例8之相同方式進行結晶化作業。 本實驗使用含 雙酸(bi spheno.l > A作為有待純化成份之混合物。結果示於 表6,此處數據表示濃度,%重置比。 「裝 訂 旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS)A4说格(210x297公簸) -33 - c 57639 A7 B7 五、發明説明() 雙酚A 酚 異丙烯基酚 鄰-對雙酚 其他 丟fi 進料液體混合物 93.0 2.0 熔化晶體 99.4 0.1 經濟部中央標準扃負工消費合作社印裂 表3至6顯示MAA與i -BAH雜展單階段式結晶化作 .. >」..ιβΜ. ,* ......^ ,丨... . · 用比較其他,考围難。MAA及i-BA释蒸皡坌雜电於涨愚相 近故也困難,.。因此,於前述MAA及丙烯酸之純化過程中, » 1 "κ 一一·^ 一 需要多階段式結晶來獲得高純度產物。至於多階段式結晶 作用的結晶器,前述本發明栽佳具體例使用多片板比較多 管式結晶裝置顯著優異。特別於多管式结晶裝置中,多根 管裝設於大型圓柱形殻内。因此,一旦有待加工處理的液 醭混合物數量或结晶階段數目固定,則實際上極難Μ移開 數根管子進行規模減小作業,換言之,随後難Μ改變設計 的加工處理容量或結晶階段數目。他方面,如果裝置設計 成可移開數根管子,則冷郤/加熱介質及液體混合物的供 應装置無可避免地變成極為複雜。他方面而言,本發明之 較佳具體例中帶有平板的單元的裝卸極為簡便,因此可調 ...... _ ........ ' 整加工處理容置或結晶階段I.目。因此,本發明之較隹異 體例可極為有效地用於多階段式結晶方法,特別當大規模 純化液髏混合物,例如丙烯酸或ΜΑΑ時。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 34 257639 at _B7____ 五、發明説明() Ϊ 前述說明顯示本發明可有效應用於利用結晶純化製程 /^,特別應用於熔體或分段結晶作用。有待藉結晶分離的化 / I 合物並無特殊限制。例如萘類,酚類,二甲苯類,鹵化苯 ] i 類,有機酸類等皆為適當化合物。此處揭示的結晶化作用 特別適合純化丙烯酸。 需了解本發明並非僅限於前述較佳具體例及其修改, 可作成多棰變化及修改而未背離如附隨之申請專利範圍界 定的本發明之精髓及範圍。 ---------『丨装------訂------1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 輕濟部中央揉隼局貝工消費合作社印«. 本紙張尺度速用中國國家揉準(CNS)A4規潘(2丨0X297公釐) -35 -

Claims (1)

  1. 57639 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1· 一棰分離液體混合物所含的可結晶成份之方法,包括 下列步驟: 循環該液體混合物至垂直板之一侧面,混合垮於 板之一俩面或晶黼靥上向下流形成薄膜; 供應粗度比較該液*混合物冬低的冷卻介 質至板之相反钿面上,冷卻介質於板之相反侧面上向 下滾形成薄膜,因而於一供面上生成需要董的可结晶 成份晶釀;及 供應ffl度比較晶匾冰贴^更高的加龙介質至相反姻 面上*加熱介質於相反侧面上向下滾形成薄膜,因而 熔化並回收於板之一供面上生成的晶龌。 2. 如申請專利範圈第1項之方法,其中該混合物係以大 致均勻速度順着板外側方佝循環至一俥面,因此於該 侧面以足夠均匀厚度向下流動。 3. 如申誚專利範園第1項之方法,其中該冷郤介質及加 熱介質為相同的傳熱介質,該傅熱介質被冷卻而作爲 冷卻介質,及被加熱而作黑加熱介質。 4. 如申誚專利範圍第1項之方法,又包栝引進加熱介質 至板之相反供面上形成薄膜因此於隨後熔化全部晶級 步»前,部份熔化晶腰之步驗。 5. 如申請専利範園第1項之方法,又包括引進晶體熔糖 至該锢面上,同時供應加熱介質至反面上以加速晶暖 熔化之步驟。 6. 如申請專利範围第2項之方法,又包括循環液龌混合 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------1裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T il 經濟部中央標準局工消費合作社印氧 257639 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 經濟部中夬糅準局Λ工消费合作社印装 物至位在垂直板上部之傾斜板面Μ便改良液體速度均 勻程度的步驟。 7. —種以多J|段_友式卫罨進行結g化步驟之方法,各結 晶化步驟分離液體混合物内所含可結晶成份晶體及母 液里殘餘液體混合物,該方法包括下列步驟: 於本結晶階段(第N階段),經由位在板上部的 傾斜板面循環液體混合物至垂直板之一側面,混合物 於板之一側面或結晶體上向下流形成薄膜; 於第N結晶階段,循環溫度比較混合物之冰點更 低的冷卻介質至板之相反側面,冷郤介質於相反侧面 向下流形成薄膜,而於一側面上獲得需要量的晶豔及 殘餘母液; 使用得自第N结晶階段的曼盖結晶 階段的進料液體,使用方式係將母液加至供應給第(N -1)結晶階段的進料液體混合物; 於第N結晶階段,循環溫度比較晶體冰點更高的 加熱介質至相反侧面,加熱介質於相反侧面向下流形 成薄膜,因而熔化並回收於板之一侧面上生成的晶體 9 於第N結晶階段,加熱第(N + 1)結晶階段液體混 合物及將加熱後的液體混合物於第N結晶階段引至一 側面因而快速熔化並回收晶體;及 於第_〇匕1)結晶階段,使用於第N結晶階段回收 的結晶敗盤_£1^液體混合1。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4規格(210X297公釐) 37 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 ^57689 as B8 C8 ~- _D8_ 申請專利範固 8.如申請專利範圍第7項之方法,其中多階段式結晶作 業係經由於各結晶步驟等分進料液體混合物的數量進 行。 9·一種分離液體混合物所含的可結晶成份之裝置,該裝 ~、- 故括 一張垂直板; 循環液體混合物至板之一侧面用之液體混合物進 料裝置,混合物於板之一側面或晶體層上向下滾形成 薄膜; 供應溫度比較液賭混合物之冰點更低的冷卻介質 至板之相反側面用之冷卻介質進料裝置,冷卻介質於 板之相反側面上向下流形成薄膜;及 供應溫度比較晶體冰點更高的加熱介質至板之相 反钿面用之加熱介質進料裝置,加熱介質於相反侧面 上向下流形成薄膜。 10. 如申請專利範圍第9項之装置,其中該液體混合物進 料裝置包括一値順著垂直板之外側方向均勻配送液體 混合物的配送器二及其中該混合物係經由該配送器循 ----- _〆 環至一側面。 11. 如申請專利範圍第1〇項之裝置,其中該板為平板,於 其上部具有一値傾斜面,及其中該混合物係經由配送 器循環至該傾斜面。 12. 如申請專利範圍第11項之裝置,其中於該板之傾斜面 上設有一個再配送器。 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS M4規格(210X297公釐〉 38 ---------、裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 4· £57683 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 經濟部中央標準局身工消費合作社印装 13·如申請專利範围第9項之裝置,其中該冷卻介質進料 裝置包括一個净ig,一値n及一個冷卻器; 及該加熱介質進料裝置包括一個力, —鈒 浦及一個加熱器;及其中該冷卻及加熱介質為相同介 ...... 質,及冷卻介質槽也用作加熱介質槽。 14. 一種分離液體混合物所含的可結晶成份之裝置,該裝 置包括: 一 包含一對垂直平板,各平板於其上部具 有向内彎折的傾斜面,該對平板於板頂端與傾斜面彼 此接合; 循環液體混合物至該單元之平板外表面用之液體 混合物進料裝置,液體混合物於該單元平板外表面( 包含結晶層表面)向下流形成薄膜; 循環溫度比較液體混合物冰點更低的冷卻介質至 該單元平板内表面用之冷郤介質進料裝置,冷卻介質 於該單元平板內表面上向下流形成薄膜;及 循環溫度比較晶體冰點更高的加熱介質至平板内 表面用之加熱介質進料裝置,加熱介質於内表面上向 下流形成薄膜。 15. 如申請專利範圍第14項之裝置,其中介於平板間 垂直if體Μ便改良並維持垂直板的平坦性。 16. —種分離進料液體混合物所含的可結晶成份之装置, 該装置包括: 一個篆段:具.直^,該等單元王立乱莖 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4规格(210X297公羞) 39 57689 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 元間有規定的餘隙,各値單元包含一對垂直平板,各 平板於其上部具有向内彎折的傾斜面*該對平板於板 頂端與傾斜面彼此接合; 循環液體混合物至該單元之平板外表面用之液體 混合物進料裝置,液體混合物於該單元平板外表面( 包含結晶層表面)向下流形成薄膜; 循環溫度比較液體混合物冰點更低的冷卻介質至 該單元平板内表面用之冷卻介質進料裝置,冷卻介質 於該單元平板内表面上向下流形成薄膜;及 循環溫度比較晶體冰點更高的加熱介質至平板内 表面用之加熱介質進料裝置,加熱介質於内表面上向 下流形成薄膜。 17. 如申請專利範圍第16項之裝置,其中於全部垂直板表 面上設有垂直撐賭Μ便改良並維持板的平坦性以及雒 持板間餘隙的均勻。 18. 如申請專利範圍第17項之裝置,其中至少又設有一艏 區段與前一區段組合,該又一區段組成包含前一區段 的新的更大組合體。 ----------裝-- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 經濟部中央梯準局員工消费合作社印製 40 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Α4规格(210X297公釐)
TW083109452A 1993-10-13 1994-10-12 TW257689B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28045793 1993-10-13
JP6266362A JP2727061B2 (ja) 1993-10-13 1994-10-04 晶析方法及び晶析装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW257689B true TW257689B (zh) 1995-09-21

Family

ID=26547402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW083109452A TW257689B (zh) 1993-10-13 1994-10-12

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5546763A (zh)
EP (1) EP0648520B1 (zh)
JP (1) JP2727061B2 (zh)
KR (1) KR0126611B1 (zh)
DE (1) DE69416233T2 (zh)
ES (1) ES2126692T3 (zh)
TW (1) TW257689B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103689918A (zh) * 2014-01-16 2014-04-02 常熟市福达红木家具厂 一种多功能红木梳妆台

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3724864B2 (ja) 1995-12-01 2005-12-07 日揮株式会社 晶析方法
US5981810A (en) * 1997-06-16 1999-11-09 Mitsubishi Chemical Corporation Process for preparing 1,4-butanediol
DE10003498A1 (de) * 2000-01-27 2001-08-02 Basf Ag Reinigungsverfahren für (Meth)acrylsäure
DE50108001D1 (de) 2000-04-11 2005-12-15 Basf Ag Verfahren zur reinigung einer rohacrylsäureschmelze
KR100429583B1 (ko) * 2001-09-14 2004-05-03 경상북도 (관련부서:경상북도축산기술연구소장) 쑥을 주원료로 한 돼지용 첨가사료 제조방법
DE10221176A1 (de) 2002-05-13 2003-11-27 Basf Ag Verfahren zur Herstellung geruchsarmer Hydrogelbildender Polymerisate
TW564185B (en) * 2002-10-15 2003-12-01 Jeng-Ming Jou Method and apparatus of separating solution and desalination seawater based on multi-stage vacuum distillation, cooling and freezing process
US20050101160A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Diwakar Garg Silicon thin film transistors and solar cells on plastic substrates
DE102005040655A1 (de) * 2005-08-26 2007-03-01 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von angereichertem Isopulegol
DE102007014606A1 (de) 2007-03-23 2008-09-25 Basf Se Verfahren zur Lagerung einer unter den Bedingungen der Lagerung flüssigen Monomerenphase
DE102007014603A1 (de) 2007-03-23 2008-09-25 Basf Se Verfahren des Transports einer aus einem Lagerbehälter entnommenen flüssigen Monomerenphase im Tank eines Tankwagens oder eines Tankschiffs
DE102008040799A1 (de) 2008-07-28 2008-12-11 Basf Se Verfahren zur Auftrennung von in einem Produktgasgemisch einer partiellen heterogen katalysierten Gasphasenoxidation einer C3-Vorläuferverbindung der Acrylsäure als Hauptbestandteil enthaltener Acrylsäure und als Nebenprodukt enthaltenem Glyoxal
DE102008041573A1 (de) 2008-08-26 2010-03-04 Basf Se Verfahren zur Auftrennung von in einem Produktgasgemisch einer partiellen heterogen katalysierten Gasphasenoxidation einer C3-Vorläuferverbindung der Acrylsäure als Hauptbestandteil enhaltener Acrylsäure und als Nebenprodukt enthaltenem Glyoxal
MY153094A (en) 2008-07-28 2014-12-31 Basf Se Process for separating acrylic acid present as a main constituent and glyoxal present as a by-product in a product gas mixture of a partial heterogeneously catalyzed gas phase oxidation of a c3 precursor compound of acrylic acid
JP2010131522A (ja) * 2008-12-04 2010-06-17 Mitsubishi Rayon Co Ltd 晶析装置および晶析物除去方法
WO2010090143A1 (ja) * 2009-02-03 2010-08-12 株式会社日本触媒 (メタ)アクリル酸の製造方法
WO2010131603A1 (ja) 2009-05-15 2010-11-18 株式会社日本触媒 (メタ)アクリル酸の製造方法および晶析システム
WO2010131604A1 (ja) 2009-05-15 2010-11-18 株式会社日本触媒 (メタ)アクリル酸の製造方法
CN102471212B (zh) * 2009-07-01 2014-09-17 株式会社日本触媒 (甲基)丙烯酸的制备方法
WO2011001893A1 (ja) * 2009-07-02 2011-01-06 株式会社日本触媒 (メタ)アクリル酸の製造方法
US8956542B1 (en) * 2013-07-30 2015-02-17 Showa Freezing Plant Co., Ltd. Method for processing radioactively-contaminated water
CN107398091B (zh) * 2017-08-16 2019-06-18 泰兴冶炼厂有限公司 一种全自动定时溶液加热蒸发结晶器化工设备

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL22322C (zh) * 1926-04-30
FR1052023A (fr) * 1951-03-05 1954-01-20 Otto Sau Rebau U Keramikwerke Perfectionnements apportés aux procédés et dispositifs pour cristalliser des sels, obtenus par refroidissement de concentrats chauds, plus spécialement du sulfatc defer à partir de lessives caustiques
US3275529A (en) * 1962-12-28 1966-09-27 Saline Water Conversion Corp Falling film still having convex film feeding spillways
US3272875A (en) 1965-04-26 1966-09-13 Du Pont Surface crystallization process
AT279547B (de) * 1967-04-14 1970-03-10 Buchs Metallwerk Ag Verfahren und Vorrichtung zur Trennung oder Reinigung schmelzflüssiger, flüssiger oder gelöster Stoffe durch fraktioniertes Kristallisieren
DE2442420C3 (de) * 1974-09-05 1979-10-31 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Desublimator für die Gewinnung von Sublimationsprodukten, insbesondere von Phthalsäureanhydrid, aus Reaktionsgasen
DE2606364C3 (de) * 1976-02-18 1988-05-26 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur Stofftrennung aus einem flüssigen Gemisch durch fraktionierte Kristallisation
US4162617A (en) * 1976-03-18 1979-07-31 Paul Schmidt Pulsed crystallizer with strips of reduced heat exchange
DE2641765C3 (de) * 1976-09-16 1980-04-17 Paul 6456 Langenselbold Gutermuth Vorrichtung zum Abscheiden von kondensierbaren Anteilen
US4335581A (en) * 1981-08-12 1982-06-22 Chicago Bridge & Iron Company Falling film freeze exchanger
FR2547207B1 (fr) * 1983-06-10 1986-11-21 Electricite De France Dispositif de separation du solvant d'une solution par mise en couche mince de ladite solution
DE3342667A1 (de) 1983-11-25 1985-06-05 Rütgerswerke AG, 6000 Frankfurt Verfahren zur stofftrennung eines fluessigen gemisches durch fraktionierte kristallisation
US5243093A (en) 1990-09-07 1993-09-07 General Electric Company Process and composition
EP0521499A1 (de) 1991-07-05 1993-01-07 Hoechst Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zum Trennen und Reinigen von Stoffen durch fraktionierende Schmelzkristallisation
TW305830B (zh) 1993-03-26 1997-05-21 Sulzer Chemtech Ag

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103689918A (zh) * 2014-01-16 2014-04-02 常熟市福达红木家具厂 一种多功能红木梳妆台

Also Published As

Publication number Publication date
DE69416233D1 (de) 1999-03-11
EP0648520B1 (en) 1999-01-27
KR950010933A (ko) 1995-05-15
DE69416233T2 (de) 1999-07-08
ES2126692T3 (es) 1999-04-01
JP2727061B2 (ja) 1998-03-11
US5546763A (en) 1996-08-20
EP0648520A1 (en) 1995-04-19
JPH07163802A (ja) 1995-06-27
KR0126611B1 (ko) 1997-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW257689B (zh)
US4493719A (en) Method of separation by fractional crystallization from a liquid mixture
US4787985A (en) Multi-stage purification unit process
CZ293768B6 (cs) Způsob krystalizace
CN106457062A (zh) 结晶装置和方法
CN103880585A (zh) 生产对二甲苯的结晶方法
CN106831303A (zh) 分离对二甲苯的多级悬浮熔融结晶方法
EP2928828B1 (en) Process and apparatus for producing ammonium sulfate crystals
CN1027963C (zh) 参数泵分步结晶法及参数泵结晶器
US2881230A (en) Fractional crystallization process
JP3798829B2 (ja) 晶析装置及び晶析方法
RU2604225C2 (ru) Теплообмен с использованием маточного раствора в способе кристаллизации пара-ксилола
US20240010599A1 (en) Method for purifying compound
US20100036155A1 (en) Method and apparatus for the purification of high-purity 2,6-naphthalene dicarboxylic acid
CN112675568B (zh) 分离提纯装置和分离提纯方法
JP2008162958A (ja) 高純度テレフタル酸の製造方法
CN107746900A (zh) 一种葡萄糖生产中的连续结晶设备及工艺
CN209836041U (zh) 一种苯甲酸的精制装置
CN106831311A (zh) 生产对二甲苯的多级悬浮熔融结晶方法
US20240254070A1 (en) Method for producing easily polymerizable compound
CN103086846B (zh) 一种连续分离异丙基苯酚的装置及方法
CN103772131B (zh) 生产对二甲苯的多级结晶方法
CN103772130B (zh) 分离对二甲苯的结晶方法
JP5932506B2 (ja) (メタ)アクリル酸の製造方法
CN103880583B (zh) 对二甲苯的结晶分离方法

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent