TW202418836A - 一種開放式耳機 - Google Patents
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Abstract
本說明書實施例提供一種開放式耳機,包括:發聲部。發聲部包括:換能器,包括振膜,用於在激勵信號的作用下產生聲音;以及殼體,殼體形成用於容納換能器的腔體,其中,殼體朝向用戶耳廓的內側面上開設出聲孔,用於將振膜前側產生的聲音匯出殼體後傳向耳道,殼體的其它側壁上開設有至少兩個泄壓孔,至少兩個泄壓孔包括遠離耳道的第一泄壓孔和靠近耳道的第二泄壓孔,第一泄壓孔處的聲壓大於第二泄壓孔處的聲壓。
Description
本說明書涉及聲學技術領域,具體係涉及一種開放式耳機。
發明要求於2022年10月28日提交的申請號為2022113369184、於2022年12月1日提交的申請號為2022232396286、於2023年03月02日提交的申請號為2023102371664的中國大陸專利申請的優先權,以及於2022年12月30日提交的申請號為PCT/CN2022/144339的PCT申請的優先權,其全部內容透過引用併入本文。
隨著聲學輸出技術的發展,耳機已廣泛地應用於人們的日常生活,其可以與手機、電腦等電子設備配合使用,以便於為用戶提供聽覺盛宴。按照用戶佩戴的方式,聲學裝置一般可以分為頭戴式、耳掛式和入耳式等。耳機的輸出性對於用戶的使用舒適度具有很大的影響。
因此,有必要提出一種開放式耳機,以提高開放式耳機的輸出性能。
本說明書實施例提供了一種開放式耳機,可以包括:發聲部。該發聲部可以包括:換能器,可以包括振膜,用於在激勵信號的作用下產生聲音;以及殼體,該殼體形成用於容納該換能器的腔體,其中,佩戴狀態下,該殼體朝向用戶耳廓的內側面上可以開設出聲孔,用於將該振膜前側產生的聲音匯出該殼體後傳向該耳道,該殼體的其它側壁上可以開設有至少兩個泄壓孔,該至少兩個泄壓孔包括遠離該耳道的第一泄壓孔和靠近該耳道的第二泄壓孔,該第一泄壓孔處的聲壓可以大於該第二泄壓孔處的聲壓。在
一些實施例中,該至少兩個泄壓孔可以用於將振膜後側(或後腔)產生的聲音匯出殼體後與出聲孔匯出的聲音(例如,遠場聲音)相消,從而消除或減少發聲部產生的漏音。在一些實施例中,相較於遠離耳道的第一泄壓孔,靠近耳道的第二泄壓孔傳出的聲波更容易與出聲孔傳出的聲波在近場(例如,耳道)相消。因此,第一泄壓孔處的聲壓大於第二泄壓孔處的聲壓可以減小第二泄壓孔匯出的聲音與出聲孔匯出的聲音在近場的干涉相消,從而提升開放式耳機的聽音效果。
在一些實施例中,該第一泄壓孔和該第二泄壓孔可以分別位於該殼體的不同側面上。採用上述設置可以破壞開放式耳機的後腔(即振膜後側對應的腔體)中的駐波,使得兩個泄壓孔匯出至殼體外部的聲音的諧振頻率盡可能地高,從而使得後腔的頻響具有較寬的平坦區域,並在中高頻範圍內(例如2kHz-6kHz)獲得更好的降漏音效果。
在一些實施例中,該第一泄壓孔的面積與該第二泄壓孔的面積之間的比值可以在1-5範圍內。透過上述設置可以使後腔的頻率回應曲線具有較大範圍的平坦區域,同時保證耳道處的聽音音量。
在一些實施例中,該第一泄壓孔的長軸尺寸與短軸尺寸之間的比值可以在1.3-8範圍內。透過上述設置可以使後腔對應的頻響曲線具有較大範圍的平坦區域,提升開放式耳機10的聲音輸出性能。
在一些實施例中,該第二泄壓孔的長軸尺寸與短軸尺寸之間的比值可以在1-6範圍內。透過上述設置可以使後腔116對應的頻響曲線具有較大範圍的平坦區域,提升開放式耳機10的聲音輸出性能。
在一些實施例中,該出聲孔的面積與該第一泄壓孔和該第二泄壓孔的總面積之間的比值可以在0.1-0.99範圍內。
在一些實施例中,該振膜將該腔體分為分別與該振膜前側和後側對應的前腔和後腔,其中,該後腔的體積與該前腔的體積之間的比值可以在0.1-10範圍內,該振膜將該腔體分為分別與該振膜前側和後側對應的前腔和後腔,其中,該前腔的諧振頻率與該後腔的諧振頻率之間的比值可以
在0.1-5範圍內。
在一些實施例中,該出聲孔的面積與該第一泄壓孔和該第二泄壓孔的總面積之間的比值可以在1-10範圍內。
在一些實施例中,該振膜將該腔體分為分別與該振膜前側和後側對應的前腔和後腔,其中,該後腔的體積與該前腔的體積之間的比值可以在0.1-10範圍內,該振膜將該腔體分為分別與該振膜前側和後側對應的前腔和後腔,其中,該前腔的諧振頻率與該後腔的諧振頻率之間的比值可以在0.5-10範圍內。
透過上述設置,可以基於出聲孔的面積與第一泄壓孔和第二泄壓孔的總面積之間的比值確定後腔的體積與前腔的體積之間的比值,或者,可以基於後腔的體積與前腔的體積之間的比值確定出聲孔的面積與第一泄壓孔和第二泄壓孔的總面積之間的比值,使得後腔的諧振頻率與前腔的諧振頻率之間的比值在預設的範圍內,例如,可以使得後腔的諧振頻率可以與前腔的諧振頻率接近或相等,進而使得泄壓孔(例如,第一泄壓孔和/或第二泄壓孔)形成的漏音可以與出聲孔在遠場形成的漏音更好地相互抵消,改善開放式耳機的輸出效果。
在一些實施例中,該出聲孔的面積與該出聲孔的深度之間的比值可以在0.31-512.2範圍內。透過上述設置,可以在提高前腔的諧振頻率同時,保證出聲孔的聲重量,同時不會對開放式耳機的外觀、結構強度等其他方面產生影響。
在一些實施例中,該出聲孔的長軸尺寸與短軸尺寸之間的比值可以在1-10範圍內。透過上述設置,可以保證出聲孔產生較好的低頻輸出,同時提高出聲孔輸出的聲音音量。
在一些實施例中,在3.5kHz-4.5kHz範圍內,該出聲孔處的聲壓與該第一泄壓孔處和該第二泄壓孔處的總聲壓之間的比值可以在0.4-0.6範圍內。透過上述設置,可以有效降低遠場漏音。
012,14:鋼網
10:開放式耳機
100:耳部,耳朵,耳廓
101:外耳道(或耳道、耳道口)
102:耳甲腔
103:耳甲艇
104:三角窩
105:對耳輪
106:耳舟
107:耳輪
1071:耳輪腳
108:耳垂
109:耳屏
11:發聲部
111:殼體
1111:內殼
1113:底壁
1114:第一側壁
1119:凹陷區
111a:出聲孔
111b:分模面
111c:第一泄壓孔
111d:第二泄壓孔
112:換能器
1121:振膜
1123:盆架
114:前腔
115:支架
1151:聲學通道
116:後腔
118:聲阻網
12:耳掛
41:腔體結構
42:洩漏結構
A:聲源
A’,B’:次級聲源
A1,B1,J1,C,D,G,H,I:虛線圈
AB,BC:直邊
ABC:截面(或三角形)
AC:斜邊
B:反相聲源
c:聲速
Ca:聲容
CE:連接端
f,f1,f2:諧振頻率
FE:自由端
IS:內側面
J:耳屏前側的區域
L,L1,L2:深度
Lf,Lm,Ln:長度
LS:下側面
M1,M2:耳廓內的區域
Ma:聲重量
OS:外側面
Px1,Py1,Px2,Py2,Px3,Py3:軸
RS:後側面
S,S1:橫截面積(開口面積)
S0:面積
S2:總開口面積
US:上側面
V,V1,V2:體積
V0:諧振谷
Wf,Wm,Wn:寬度
X:厚度方向
Y:長軸方向
Z:短軸方向
α:夾角
α1:漏音指數
M:輻射聲重量
Z:輻射聲阻
本發明將以示例性實施例的方式進一步說明,這些示例性實施例將透過圖式進行詳細描述。這些實施例並非限制性的,在這些實施例中,相同的編號表示相同的結構,其中:
圖1係根據本發明的一些實施例所示的示例性耳部的示意圖;
圖2係根據本說明書一些實施例所示的開放式耳機的示例性結構圖;
圖3係根據本說明書一些實施例所示的開放式耳機的示例性佩戴示意圖;
圖4係根據本說明書一些實施例所示的另一開放式耳機的示例性佩戴圖;
圖5係圖4所示開放式耳機的另一示例性外部輪廓示意圖;
圖6係圖4所示開放式耳機的另一示例性外部輪廓示意圖;
圖7係圖4所示開放式耳機的另一示例性外部輪廓示意圖;
圖8係根據本說明書一些實施例所示的偶極子聲源的其中一個聲源周圍設置腔體結構的示例性分佈示意圖;
圖9係根據本說明書一些實施例所示的偶極子聲源結構和偶極子聲源的其中一個聲源周圍構建腔體結構的聽音原理示意圖;
圖10係根據本說明書一些實施例所示的偶極子聲源結構和偶極子聲源的其中一個聲源周圍構建腔體結構的漏音原理示意圖;
圖11係根據本說明書一些實施例所示的發聲部的示例性內部結構示意圖;
圖12係根據本說明書一些實施例所示的內殼的示例性結構示意圖;
圖13A係根據本說明書一些實施例所示的出聲孔的示例性位置示意圖;
圖13B係根據本說明書一些實施例所示的不同位置的出聲孔對應的頻率回應曲線圖;
圖14A係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔的示例性位置示意圖;
圖14B係根據本說明書一些實施例所示的不同位置的第一泄壓孔對應
的頻率回應曲線圖;
圖15A係根據本說明書一些實施例所示的第二泄壓孔的示例性位置示意圖;
圖15B係根據本說明書一些實施例所示的不同位置的第二泄壓孔對應的頻率回應曲線圖;
圖16係根據本說明書一些實施例所示的出聲孔不同長寬比對應的前腔的頻率回應曲線圖;
圖17係根據本說明書一些實施例所示的不同長度的出聲孔對應的前腔的頻率回應曲線圖;
圖18係根據本說明書一些實施例所示的出聲孔不同長寬比對應的頻率回應曲線圖;
圖19係根據本說明書一些實施例所示的不同長度的出聲孔對應的頻率回應曲線圖;
圖20係根據本說明書一些實施例所示的不同長度的跑道形出聲孔和圓形出聲孔對應的頻率回應曲線圖;
圖21係根據本說明書一些實施例所示的後腔的部分結構的示例性結構圖;
圖22係根據本說明書一些實施例所示的不同大小的夾角α對應的後腔的頻率回應曲線圖;
圖23A係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔與第二泄壓孔的不同面積比對應的聲阻變化示意圖;
圖23B係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔與第二泄壓孔的不同面積比對應的聲重量變化示意圖;
圖23C係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔與第二泄壓孔的不同面積比對應的輻射聲阻變化示意圖;
圖23D係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔與第二泄壓孔的不同面積比對應的輻射聲重量變化示意圖;
圖24A-圖24E係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔與第二泄壓孔的不同面積比對應的後腔的頻率回應曲線圖;
圖25係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔不同長度取值時的頻率回應曲線圖;
圖26係根據本說明書一些實施例所示的第二泄壓孔不同長度取值時的頻率回應曲線圖;
圖27係根據本說明書一些實施例所示的前後腔體積比、出聲孔開口面積與聲學孔開口面積之比的等值線圖;
圖28係根據本說明書一些實施例所示的出聲孔處不同音量對應的頻率回應曲線圖;
圖29係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔處不同音量對應的頻率回應曲線圖;
圖30係根據本說明書一些實施例所示的第二泄壓孔處不同音量對應的頻率回應曲線圖;
圖31A-圖31F係根據本說明書一些實施例所示的前腔與後腔分別設置不同聲阻網時對應的頻率回應曲線圖。
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的圖式作簡單的介紹。顯而易見地,下面描述中的圖式僅僅係本發明的一些示例或實施例,對於本領域的通常知識者來講,在不付出進步性勞動的前提下,還可以根據這些圖式將本發明應用於其它類似情景。除非從語言環境中顯而易見或另做說明,圖中相同標號代表相同結構或操作。
應當理解,本文使用的「系統」、「裝置」、「單元」和/或「模組」係用於區分不同級別的不同組件、元件、部件、部分或裝配的一種方法。然而,如果其他詞語可實現相同的目的,則可透過其他表達來替換該詞語。
如本發明和申請專利範圍中所示,除非上下文明確提示例外情形,「一」、「一個」、「一種」和/或「該」等詞並非特指單數,也可包括複數。一般說來,術語「包括」與「包含」僅提示包括已明確標識的步驟和元素,而這些步驟和元素不構成一個排它性的羅列,方法或者設備也可能包含其它的步驟或元素。
圖1係根據本發明的一些實施例所示的示例性耳部的示意圖。參見圖1,耳部100(也可以稱為耳廓)可以包括外耳道101、耳甲腔102、耳甲艇103、三角窩104、對耳輪105、耳舟106、耳輪107、耳垂108、耳屏109以及耳輪腳1071。在一些實施例中,可以借助耳部100的一個或複數個部位對聲學裝置的支撐,實現聲學裝置佩戴的穩定。在一些實施例中,外耳道101、耳甲腔102、耳甲艇103、三角窩104等部位在三維空間中具有一定的深度及容積,可以用於實現聲學裝置的佩戴需求。例如,聲學裝置(例如,入耳式耳機)可以佩戴於外耳道101中。在一些實施例中,可以借助耳部100中除外耳道101外的其他部位,實現聲學裝置(例如,開放式耳機)的佩戴。例如,可以借助耳甲艇103、三角窩104、對耳輪105、耳舟106、耳輪107等部位或其組合實現聲學裝置的佩戴。在一些實施例中,為了改善聲學裝置在佩戴方面的舒適度及可靠性,也可以進一步借助用戶的耳垂108等部位。透過借助耳部100中除外耳道101之外的其他部位,實現聲學裝置的佩戴和聲音的傳播,可以「解放」用戶的外耳道101。當用戶佩戴聲學裝置(例如,開放式耳機)時,聲學裝置不會堵塞用戶外耳道101(或耳道、耳道口),用戶既可以接收來自聲學裝置的聲音又可以接收來自環境中的聲音(例如,鳴笛聲、車鈴聲、周圍人聲、交通指揮聲等),從而能夠降低交通意外的發生概率。在一些實施例中,可以根據耳部100的構造,將聲學裝置設計成與耳部100適配的結構,以實現聲學裝置的發聲部在耳部各個不同位置的佩戴。例如,聲學裝置為開放式耳機時,開放式耳機可以包括懸掛結構(例如,耳掛)和發聲部,發聲部與懸掛結構透過物理方式進行連接,懸掛結構可以與耳廓的形狀相適配,以將發聲部的整體或者部
分結構置於耳屏109的前側(例如,圖1中虛線圍成的區域J)。又例如,在用戶佩戴開放式耳機時,發聲部的整體或者部分結構可以與外耳道101的上部(例如,耳甲艇103、三角窩104、對耳輪105、耳舟106、耳輪107、耳輪腳1071等一個或複數個部位所在的位置)接觸。再例如,在用戶佩戴開放式耳機時,發聲部的整體或者部分結構可以位於耳部100的一個或複數個部位(例如,耳甲腔102、耳甲艇103、三角窩104等)所形成的腔體內(例如,圖1中虛線圍成的至少包含耳甲艇103、三角窩104的區域M1和與至少包含耳甲腔102的區域M2)。
不同的用戶可能存在個體差異,導致耳部存在不同的形狀、大小等尺寸差異。為了便於描述和理解,如果沒有特別說明,本說明書將主要以具有「標準」形狀和尺寸的耳部模型作為參考,進一步描述不同實施例中的聲學裝置在該耳部模型上的佩戴方式。例如,可以以基於ANSI:S3.36,S3.25和IEC:60318-7標準製得一含頭部及其(左、右)耳部的模擬器,例如GRAS 45BC KEMAR,作為佩戴聲學裝置的參照物,以此呈現出大多數用戶正常佩戴聲學裝置的情景。僅僅作為示例,作為參考的耳部可以具有如下相關特徵:耳廓在矢狀面上的投影在垂直軸方向的尺寸可以在49.5mm-74.3mm的範圍內,耳廓在矢狀面上的投影在矢狀軸方向的尺寸可以在36.6mm-55mm的範圍內。因此,本發明中,諸如「用戶佩戴」、「處於佩戴狀態」及「在佩戴狀態下」等描述可以指本發明所述的聲學裝置佩戴於前述模擬器的耳部。當然,考慮到不同的用戶存在個體差異,耳部100中一個或複數個部位的結構、形狀、大小、厚度等可以具有一定區別,為了滿足不同用戶的需求,可以對聲學裝置進行差異化設計,這些差異化設計可以表現為聲學裝置中一個或複數個部位(例如,下文中的發聲部、耳掛等)的特徵參數可以具有不同範圍的數值,以此適應不同的耳部。
需要說明的係:在醫學、解剖學等領域中,可以定義人體的矢狀面(Sagittal Plane)、冠狀面(Coronal Plane)和水平面(Horizontal Plane)三個基本切面以及矢狀軸(Sagittal Axis)、冠狀軸(Coronal Axis)和垂直
軸(Vertical Axis)三個基本軸。其中,矢狀面係指沿身體前後方向所作的與地面垂直的切面,它將人體分為左右兩部分;冠狀面係指沿身體左右方向所作的與地面垂直的切面,它將人體分為前後兩部分;水平面係指沿垂直於身體的上下方向所作的與地面平行的切面,它將人體分為上下兩部分。相應地,矢狀軸係指沿身體前後方向且垂直於冠狀面的軸,冠狀軸係指沿身體左右方向且垂直於矢狀面的軸,垂直軸係指沿身體上下方向且垂直於水平面的軸。進一步地,本發明所述的「耳部的前側」係一個相對於「耳部的後側」的概念,前者指耳部背離頭部的一側,後者指耳部朝向頭部的一側。其中,沿人體冠狀軸所在方向觀察上述模擬器的耳部,可以得到圖1所示的耳部的前側輪廓示意圖。
圖2係根據本說明書一些實施例所示的開放式耳機的示例性結構圖,圖3係根據本說明書一些實施例所示的開放式耳機的示例性佩戴示意圖,圖4係根據本說明書一些實施例所示的另一開放式耳機的示例性佩戴圖。如圖2-圖4所示,開放式耳機10可以包括發聲部11和耳掛12。在一些實施例中,開放式耳機10可以透過耳掛12將發聲部11佩戴在用戶身體上(例如,人體的頭部、頸部或者上部軀幹)。
在一些實施例中,開放式耳機10在佩戴狀態下,耳掛12的第一部分掛設在用戶耳廓和頭部之間,第二部分向耳廓背離頭部的一側延伸並連接發聲部11,用於將發聲部11固定於耳道附近但不堵塞耳道的位置。在一些實施例中,耳掛12可以為與用戶耳廓相適配的弧結構,以使耳掛12可以懸掛於用戶上耳廓處。在一些實施例中,耳掛12也可以為與用戶耳廓相適配的夾持結構,以使耳掛12可以夾持於用戶耳廓處。在一些實施例中,耳掛12可以包括但不限於掛鉤結構、彈性帶等,使得開放式耳機10可以更好地固定在用戶身上,防止用戶在使用時發生掉落。
在一些實施例中,為了改善開放式耳機10在佩戴狀態下的穩定性,開放式耳機10可以採用以下幾種方式中的任何一種或其組合。其一,耳掛12的至少部分設置成與耳部的後側和頭部中的至少一者貼合的仿形結
構,以增加耳掛12與耳部和/或頭部的接觸面積,從而增加開放式耳機10從耳部上脫落的阻力。其二,耳掛12的至少部分設置成彈性結構,使之在佩戴狀態下具有一定的形變量,以增加耳掛12對耳部和/或頭部的正壓力,從而增加開放式耳機10從耳部上脫落的阻力。其三,耳掛12至少部分設置成在佩戴狀態下抵靠在頭部上,使之形成壓持耳部的反作用力,以使得發聲部11壓持在耳部的前側,從而增加開放式耳機10從耳部上脫落的阻力。其四,發聲部11和耳掛12設置成在佩戴狀態下從耳部的前後兩側夾持對耳輪所在區域、耳甲腔所在區域等生理部位,從而增加開放式耳機10從耳部上脫落的阻力。其五,發聲部11或者與之連接的輔助結構設置成至少部分伸入耳甲腔、耳甲艇、三角窩及耳舟等生理部位內,從而增加開放式耳機10從耳部上脫落的阻力。
在一些實施例中,如圖2所示,發聲部11可以用於佩戴在用戶的身體上,用於產生輸入用戶耳朵100的聲音。在一些實施例中,發聲部11可以包括換能器112。換能器112可以包括振膜(例如,如圖11所示的振膜1121),用於在激勵信號的作用下產生聲音。在一些實施例中,發聲部11還可以包括殼體111。殼體111可以形成用於容納換能器112的腔體。在一些實施例中,殼體111朝向耳廓的內側面(例如,圖6所示的內側面IS)上可以開設出聲孔(例如,如圖6所示的出聲孔111a),用於將振膜前側產生的聲音匯出殼體111後傳向耳道。在一些實施例中,殼體111的其它側壁上還可以開設有至少兩個泄壓孔,用於將振膜後側產生的聲音匯出殼體111後與出聲孔111a匯出的聲音(例如,遠場聲音)相消。示例性地,發聲部11可以透過出聲孔以及兩個泄壓孔發出具有相位差(例如,相位相反)的聲音,該具有相位差的聲音可以在遠場相互干涉,形成降低漏音的效果。在一些實施例中,至少兩個泄壓孔可以包括第一泄壓孔(例如,圖12所示的第一泄壓孔111c)和第二泄壓孔(例如,圖12所示的第二泄壓孔111d)。當用戶佩戴開放式耳機10時,第二泄壓孔可以較第一泄壓孔更靠近耳道。在一些實施例中,相較於遠離耳道的第一泄壓孔,靠近耳道的第二
泄壓孔傳出的聲波更容易與出聲孔傳出的聲波在近場(例如,耳道)相消。因此,相較於第一泄壓孔,第二泄壓孔的聲壓可以較小,以減小第二泄壓孔匯出的聲音與出聲孔匯出的聲音在近場的干涉相消,從而提升開放式耳機10的聽音效果。
在一些實施例中,開放式耳機10可以與眼鏡、頭戴式耳機、頭戴式顯示裝置、擴增實境(Augmented Reality,AR)/虛擬實境(Virtual Reality,VR)頭盔等產品相結合。在這種情況下,發聲部11可以採用懸掛或夾持的方式固定在用戶的耳朵100的附近。在一些實施例中,殼體111可以為具有人體耳朵100適配形狀的殼體結構,例如,圓環形、橢圓形、多邊形(規則或不規則)、U型、V型、半圓形,以便發聲部11可以直接掛靠在用戶的耳朵100處。在一些實施例中,發聲部11可以具有垂直於厚度方向X且彼此正交的長軸方向Y和短軸(或寬度)方向Z。其中,長軸方向Y可以定義為發聲部11的二維投影面(例如,發聲部11在其外側面所在平面上的投影,或在矢狀面上的投影)的形狀中具有最大延伸尺寸的方向(例如,當投影形狀為長方形或近似長方形時,長軸方向即長方形或近似長方形的長度方向)。短軸方向Z可以定義為發聲部11的二維投影面的形狀中垂直於長軸方向Y的方向(例如,當投影形狀為長方形或近似長方形時,短軸方向即長方形或近似長方形的寬度方向)。厚度方向X可以定義為垂直於二維投影面的方向(例如,與冠狀軸的方向一致,均指向身體左右的方向)。在一些實施例中,當佩戴狀態下發聲部11處於水準狀態時,長軸方向Y可以與矢狀軸的方向一致,均指向身體的前後方向,短軸方向Z可以與垂直軸的方向一致,均指向身體的上下方向,如圖3所示。在另一些實施例中,當佩戴狀態下發聲部11處於傾斜狀態時,長軸方向Y與短軸方向Z可以仍平行於或近似平行於矢狀面,長軸方向Y可以與矢狀軸的方向具有一定夾角,即長軸方向Y也相應傾斜設置,短軸方向Z可以與垂直軸的方向具有一定夾角,即短軸方向Z也傾斜設置,如圖4所示。
在一些實施例中,當用戶佩戴開放式耳機10時,發聲部11
可以位於用戶耳朵100的上方、下方、前側(例如,耳屏前側)或耳廓內(例如,耳甲腔中)。
在一些實施例中,開放式耳機10可以包括但不限於氣傳導耳機、骨氣導耳機等。在一些實施例中,當開放式耳機10處於佩戴狀態時,可以不堵塞用戶的外耳道101,如圖3與圖4所示。在一些實施例中,開放式耳機10在用戶耳平面上的投影可以部分或全部覆蓋但不堵塞用戶的外耳道101,如圖4所示。在一些實施例中,開放式耳機10在用戶耳平面上的投影也可以不覆蓋用戶的外耳道101,如圖3所示。
以下以圖4所示的開放式耳機10為例,對開放式耳機10進行詳細說明。需要知道的係,在不違背相應聲學原理的情況下,圖4的開放式耳機10的結構以及其對應的參數也可以同樣適用於上文中提到的其它構型的開放式耳機中。
請參照圖3與圖4,在一些實施例中,發聲部11可以具有與耳掛12連接的連接端CE和不與耳掛12連接的自由端FE。在一些實施例中,如圖4所示,在佩戴狀態下,發聲部11的自由端FE的至少一部分可以伸入耳甲腔內,在佩戴狀態下,沿人體冠狀軸所在方向觀察,連接端CE可以相較於自由端FE更靠近頭頂(如圖4與圖6所示),以便於自由端FE伸入耳甲腔內。在一些實施例中,如圖3所示,在佩戴狀態下,發聲部11的自由端FE可以不伸入耳甲腔內,在佩戴狀態下,沿人體冠狀軸所在方向觀察,連接端CE與頭頂的距離可以近似等於自由端FE與頭頂的距離,例如,連接端CE與自由端FE的連線可以與水平面平行(如圖3)。在一些實施例中,在佩戴狀態下,發聲部11的自由端FE可以不伸入耳甲腔內,沿人體冠狀軸所在方向觀察,連接端CE可以相較於自由端FE更遠離頭頂,以避免發聲部11遮擋用戶的外耳道與耳甲腔。
在一些實施例中,發聲部11和耳掛12可以設置成從耳甲腔所對應的耳部區域的前後兩側共同夾持前述耳部區域,從而增加開放式耳機10從耳部上脫落的阻力,進而改善開放式耳機10在佩戴狀態下的穩定
性。例如,自由端FE可以在厚度方向X上壓持在耳甲腔內。再例如,自由端FE在長軸方向Y和短軸方向Z上抵接在耳甲腔內。需要說明的係,在佩戴狀態下,發聲部11的自由端FE除了伸入耳甲腔內之外,也可以正投影落在對耳輪上,還可以正投影落在頭部的左右兩側且在人體矢狀軸上位於耳部前側的位置上。換言之,耳掛12可以支撐發聲部11佩戴至耳甲腔、對耳輪、耳部前側等佩戴位。
圖5係圖4所示開放式耳機的另一示例性外部輪廓示意圖,圖6係圖4所示開放式耳機的另一示例性外部輪廓示意圖,圖7係圖4所示開放式耳機的另一示例性外部輪廓示意圖。
如圖4-圖7所示,在一些實施例中,發聲部11可以具有在佩戴狀態下沿厚度方向X朝向耳部的內側面IS和背離耳部的外側面OS,以及連接內側面IS和外側面OS的連接面。在佩戴狀態下,沿冠狀軸所在方向(即厚度方向X)觀察,發聲部11可以設置成圓形、橢圓形、圓角正方形、圓角矩形等形狀。其中,當發聲部11設置成圓形、橢圓形等形狀時,上述連接面可以指發聲部11的弧形側面;而當發聲部11設置成圓角正方形、圓角矩形等形狀時,上述連接面可以包括後文中提及的下側面LS、上側面US和後側面RS。因此,為了便於描述,本實施例以發聲部11設置成圓角矩形為例進行示例性的說明。在一些實施例中,發聲部11可以具有沿短軸方向Z設置的上側面US和下側面LS,以及連接上側面US和下側面LS的後側面RS,其中,上側面US在佩戴狀態下位於沿短軸方向Z朝向頭頂的一端,後側面RS在佩戴狀態下位於長軸方向Y朝向腦後的一端,自由端FE位於後側面RS。在一些實施例中,長軸方向Y的正方向可以指向自由端FE,短軸方向Z的正方向可以指向上側面US,厚度方向X的正方向可以指向外側面OS。在一些實施例中,殼體111在佩戴狀態下朝向耳部的內側面IS設置有出聲孔111a,換能器112產生的聲波經由出聲孔111a傳播而出,以便於傳入外耳道101。值得注意的係:出聲孔111a也可以設置在殼體111的下側面LS,還可以設置在前述內側面IS與下側面LS之間
的拐角處。
在一些實施例中,第一泄壓孔和第二泄壓孔可以設置於殼體111上的不同側面上。例如,在Z方向上,第一泄壓孔可以設置於殼體111的上側面US,第二泄壓孔可以設置於殼體111的下側面LS。採用上述設置可以破壞後腔(即振膜後側對應的腔體)中駐波,使得兩個泄壓孔匯出至殼體111外部的聲音的諧振頻率盡可能地高,從而使得後腔的頻響具有較寬的平坦區域(例如,在諧振峰之前的區域),並在中高頻範圍內(例如2kHz-6kHz)獲得更好的降漏音效果。
由於耳甲腔具有一定的容積及深度,使得自由端FE伸入耳甲腔內之後,發聲部11的內側面IS與耳甲腔之間能夠具有一定的間距。換言之,發聲部11在佩戴狀態下與耳甲腔可以配合形成與外耳道連通的類腔體結構,殼體111上的出聲孔可以至少部分位於該類腔體結構內,第一泄壓孔與第二泄壓孔可以位於該類腔體結構外。如此,在佩戴狀態下,換能器112的振膜產生的並經由出聲孔傳播而出的聲波會受到前述類腔體結構的限製,也即該類腔體結構可以聚攏聲波,使得聲波能夠更多地傳播至外耳道內,從而提高用戶在近場聽到的聲音的音量和音質,有利於改善開放式耳機10的聲學效果。進一步地,由於發聲部11可以設置成在佩戴狀態下不堵住外耳道,使得該類腔體結構可以呈半開放式設置。如此,換能器112產生的並經由出聲孔傳播而出的聲波,可以經由發聲部11與耳部之間的縫隙(例如,耳甲腔未被發聲部11覆蓋的一部分)傳播至開放式耳機10及耳部的外部,從而在遠場形成第一漏音;另外,經由殼體111上的第一泄壓孔和/或第二泄壓孔傳播出去的聲波可以在遠場形成第二漏音,該第一漏音的相位和第二漏音的相位(接近)互為反相,使得兩者能夠在遠場反相相消,從而有利於降低開放式耳機10在遠場的漏音。
圖8係根據本說明書一些實施例所示的偶極子聲源的其中一個聲源周圍設置腔體結構的示例性分佈示意圖。如圖8所示,偶極子聲源之間設有腔體結構41時,使得其中一個偶極子聲源和聽音位置在腔體結構
41的內部,另外一個偶極子聲源在腔體結構41的外部。本說明書中,「腔體結構」可以理解為由發聲部11的側壁與耳甲腔結構共同圍成的半封閉結構,該半封閉結構使得內部與外部環境並非完全密閉隔絕,而係具有與外部環境聲學聯通的洩漏結構42(例如,開口、縫隙、管道等)。示例性的洩漏結構可以包括但不限於開口、縫隙、管道等,或其任意組合。
在一些實施例中,腔體結構41中可以包含聽音位置和至少一個聲源。這裡的「包含」可以表示聽音位置和聲源至少有一者在腔體內部,也可以表示聽音位置和聲源至少有一者在腔體內部邊緣處。在一些實施例中,聽音位置可以係耳道入口,也可以係耳朵聲學參考點。
圖9係根據本說明書一些實施例所示的偶極子聲源結構和偶極子聲源的其中一個聲源周圍構建腔體結構的聽音原理示意圖。圖10係根據本說明書一些實施例所示的偶極子聲源結構和偶極子聲源的其中一個聲源周圍構建腔體結構的漏音原理示意圖。
對於近場聽音來說,如圖9所示的其中一個聲源周圍構建有腔體結構的偶極子,由於其中一個聲源A被腔體結構包裹,其輻射出來的聲音大部分會透過直射或反射的方式到達聽音位置。相對地,在沒有腔體結構的情況,聲源輻射出的聲音大部分不會到達聽音位置。因此,腔體結構的設置使得到達聽音位置的聲音音量得到顯著提高。同時,腔體結構外的反相聲源B輻射出來的反相聲音只有較少的一部分會透過腔體結構的洩漏結構進入腔體結構。這相當於在洩漏結構處生成了一個次級聲源B’,其強度顯著小於反相聲源B,亦顯著小於聲源A。次級聲源B’產生的聲音在腔體內對聲源A產生相消的效果微弱,使聽音位置的聽音音量顯著提高。
對於漏音來說,如圖10所示,聲源A透過腔體的洩漏結構向外界輻射聲音相當於在洩漏結構處生成了一個次級聲源A’,由於聲源A輻射的幾乎所有聲音均從洩漏結構輸出,且腔體的結構尺度遠小於評價漏音的空間尺度(相差至少一個數量級),因此可認為次級聲源A’的強度與聲源A相當。對於外界空間來說,次級聲源A’與反相聲源B產生的聲音在
遠場的相消效果與聲源A與反相聲源B產生的聲音在遠場的相消效果相當。即該腔體結構下,仍然保持了相當的降漏音效果。
應當理解的係,上述一個開口的洩漏結構僅為示例,腔體結構的洩漏結構可以包含一個或一個以上的開口,其也能實現較優的聽音指數,其中,聽音指數可以指漏音指數α1的倒數1/α1。以設置兩個開口結構為例,下面分別分析等開孔和等開孔率的情況。以只開一個孔的結構作為對比,這裡的「等開孔」指設置兩個尺寸與只開一個孔的結構相同的開口,「等開孔率」指設置的兩個孔開口面積之和與只開一個孔的結構相同。等開孔相當於將只開一個孔的相對開口大小(即腔體結構上洩漏結構的開口面積S與腔體結構中受被包含的聲源直接作用的面積S0的比值)擴大了一倍,由之前該,其整體的聽音指數會下降。在等開孔率的情況,即使S/S0與只開一個孔的結構相同,但兩個開口至外部聲源的距離不同,因而也會造成不同的聽音指數。
圖11係根據本說明書一些實施例所示的發聲部的示例性內部結構示意圖。如圖11所示,在一些實施例中,換能器112可以包括振膜1121。振膜1121與殼體111之間可以形成第一聲學腔體,出聲孔111a可以設置於殼體111上包圍形成第一聲學腔體的區域,第一聲學腔體可以透過出聲孔111a與殼體111外部連通。在一些實施例中,第一聲學腔體可以位於振膜1121的前側,即第一聲學腔體可以作為前腔114。
在一些實施例中,殼體111的腔體內可以設置有支架115,支架115與換能器112之間可以圍設形成第二聲學腔體(第二聲學腔體可以作為後腔116),且使得第二聲學腔體與殼體111內的其他結構(例如,主控電路板等)隔開,這樣有利於改善發聲部11的聲學輸出。在一些實施例中,支架115與換能器112之間圍設形成的聲學腔體可以與換能器112內部的聲學腔體共同作為第二聲學腔體。在一些實施例中,第二聲學腔體可以位於振膜1121的後側。殼體111上可以設置有聲學孔(例如,第一泄壓孔111c和/或第二泄壓孔111d),支架115上可以設置有連通該聲學孔和
後腔116的聲學通道1151,以便於後腔116與外部環境連通,也即空氣可以自由地進出後腔116,從而有利於降低換能器112的振膜1121在低頻大振幅過程中的阻力,提高換能器的低頻輸出能力。
圖12係根據本說明書的一些實施例所示的開放式耳機的發聲部11的內殼的示例性結構示意圖。在一些實施例中,內殼1111可以包括底壁1113以及與底壁1113連接的第一側壁1114。其中,沿短軸方向Z觀察,在連接端CE指向自由端FE的參考方向(例如圖11及圖12中箭頭Y的反方向)上,第一側壁1114靠近自由端FE的部分在厚度方向X上逐漸靠近底壁1113,以使得分模面111b在靠近自由端FE的方向上向內殼1111所在一側傾斜。在一些實施例中,出聲孔111a可以設置在底壁1113上。在一些實施例中,出聲孔111a也可以設置在第一側壁1114對應於下側面LS的一側,還可以設置在第一側壁1114與底壁1113之間的拐角處。在圖12中的箭頭Z的方向上,第一泄壓孔111c設置在第一側壁1114對應殼體111的上側面US的一側,第二泄壓孔111d設置在第一側壁1114對應殼體111的下側面LS的一側。
在一些實施例中,第一泄壓孔111c具有第一中心,第二泄壓孔111d具有第二中心,出聲孔111a具有第三中心。在長軸方向Y上,第二中心可以相較於第一中心更遠離第三中心。在一些實施例中,出聲孔111a的第三中心可以位於第一泄壓孔111c的第一中心與第二泄壓孔111d的第二中心連線的中垂面上或者中垂面附近,以盡可能地拉大第一泄壓孔111c和第二泄壓孔111d與出聲孔111a之間的距離。需要知道的係,由於出聲孔111a、第一泄壓孔111c及第二泄壓孔111d等聲學孔設置在殼體111上,殼體111的各個側壁均具有一定厚度,因此,聲學孔均為具有一定深度的孔洞。此時,每個聲學孔均具有內開口和外開口。為便於描述,在本發明中,上述及下述出聲孔的中心可以指出聲孔的外開口的形心,上述及下述第一泄壓孔的中心可以指第一泄壓孔的外開口的形心,上述及下述第二泄壓孔的中心可以指第二泄壓孔的外開口的形心。
在一些實施例中,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d可以在Y方向上錯位設置,以使得第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d不被耳屏遮擋。在一些實施例中,第一泄壓孔111c可以相較於第二泄壓孔111d更遠離連接端CE。出聲孔111a的第三中心可以位於第一泄壓孔111c的第一中心與第二泄壓孔111d的第二中心連線的中垂面上,以使各個泄壓孔盡可能遠離出聲孔。在一些實施例中,為了使得出聲孔111a更靠近耳道,出聲孔111a在Z方向上可以位於殼體111靠近第二泄壓孔111d的一側而非中間位置,如圖12所示。
圖13A係根據本說明書一些實施例所示的出聲孔的示例性位置示意圖,圖13B係根據本說明書一些實施例所示的不同位置的出聲孔對應的頻率回應曲線圖。在一些實施例中,圖13B所示的各曲線為模擬曲線。請參照圖13A,在發聲部11的內側面IS中,以內側面IS的中心(即內側面IS在Y方向以及Z方向上的中點)為原點、Z方向的正方向為Px1軸正方向、Y方向的正方向為Py1軸正方向建立坐標系,則出聲孔111a的第三中心在內側面IS上的位置可以表示為(Px1,Py1),單位為mm。例如,(0,-4)表示在Px1軸正方向上,出聲孔111a的第三中心與內側面IS的中心距離為0mm,且在Py1軸反方向上,該第三中心與內側面IS的中心距離為4mm。在一些實施例中,基於出聲孔111a的第三中心的座標,可以確定出聲孔111a的第三中心與發聲部11的下側面LS(或上側面US)及自由端FE(或連接端CE)的距離。其中,該第三中心與下側面LS(或上側面US)的距離可以指在Px1軸方向上,第三中心與下側面LS(或上側面US)的最遠距離;該第三中心與自由端FE(或連接端CE)的距離可以指在Py1軸方向上,第三中心與自由端FE(或連接端CE)的最遠距離。
圖13B示出了當出聲孔111a位於內側面IS上的不同位置,當其他結構(例如,第一泄壓孔111c、第二泄壓孔111d等)固定時(例如,第一泄壓孔111c在上側面US的中心,第二泄壓孔111d在下側面LS上靠近連接端CE的位置(例如,在發聲部11的長軸方向Y上,第二泄壓孔
111d與連接端CE的距離不大於發聲部11總長度的1/3)),出聲孔111a正前方(即X方向的反方向)15mm處模擬得的頻率回應曲線。請參照圖13B,當出聲孔111a位於內側面IS上的不同位置時,發聲部11的頻率回應曲線在4kHz-6kHz範圍內具有第一諧振峰,且在4.5kHz左右具有第二諧振峰。其中,第一諧振峰由前腔114諧振產生,第二諧振峰由後腔116諧振產生。對比位置(0,0)、(0,5)以及(0,7)對應的頻率回應曲線可知,當出聲孔111a的位置向Py1軸正方向移動時,發聲部11的第一諧振峰由高頻向低頻移動,且對應的頻率回應曲線在中低頻(例如,100Hz-1500Hz)的幅值減小。而由於泄壓孔的位置和結構等參數不變,後腔116的振動特性基本不變,圖13B所示的第二諧振峰變化不大。另外,當出聲孔111a的位置向Py1軸正方向移動時,例如,當出聲孔111a的位置為(0,7)時,發聲部11的頻率回應曲線在4kHz-6kHz範圍還具有較低的諧振谷V0。由此,為了使得第一諧振峰的頻率盡可能高,並且前腔對應的頻率回應在中低頻有更高的幅值,出聲孔111a可以位於內側面IS的中心的背離Py1軸正方向的一側,例如,出聲孔111a可以更靠近發聲部11的自由端FE。透過設置出聲孔111a與發聲部11的自由端FE之間的距離,可以提升發聲部11在中低頻的幅值,且使得發聲部11在較寬的頻率範圍內具有平滑的頻率回應曲線,提高發聲部11的整體(例如,在100Hz-10000Hz範圍內)輸出效果。在一些實施例中,為了提升發聲部11在中低頻的幅值,且使得發聲部11在較寬的頻率範圍內具有平滑的頻率回應曲線,出聲孔111a的第三中心與後側面RS(或自由端FE)的距離可以在8mm-12mm範圍內。在一些實施例中,出聲孔111a的第三中心與後側面RS(自由端FE)的距離可以在10mm-11mm範圍內。在一些實施例中,為了提升耳機的美觀度及佩戴舒適度,發聲部11的後側面RS可以為弧面。當後側面RS為弧面時,某位置(例如,出聲孔111a的第三中心)到後側面RS的距離可以指該位置到後側面RS的距發聲部11的中心最遠且平行於發聲部11短軸的切面的距離。對比位置(0,0)、(2,0)以及(4,0)對應的頻率回應曲線可知,當出聲孔111a
的位置向Px1軸正方向移動時,發聲部11的諧振峰由高頻向低頻移動,且對應的頻率回應曲線在中低頻(例如,100Hz-1500Hz)的幅值減小。由此,為了使得第一諧振峰的頻率盡可能高,並且前腔對應的頻率回應在中低頻有更高的幅值,出聲孔111a可以位於內側面IS的中心的背離Px1軸正方向的一側,例如,出聲孔111a可以更靠近發聲部11的下側面LS。透過設置出聲孔111a與下側面LS的距離,可以提升發聲部11在中低頻的幅值,且使得發聲部11在較寬的頻率範圍內具有平滑的頻率回應曲線,提高發聲部11的整體(例如,在100Hz-10000Hz範圍內)輸出效果。在一些實施例中,為了提升發聲部11在中低頻的幅值,且使得發聲部11在較寬的頻率範圍內具有平滑的頻率回應曲線,出聲孔111a的第三中心與發聲部11的下側面LS的距離可以在3mm-8mm範圍內。在一些實施例中,出聲孔111a的第三中心與發聲部11的下側面LS的距離可以在4.5mm-5.5mm範圍內。
圖14A係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔的示例性位置示意圖,圖14B係根據本說明書一些實施例所示的不同位置的第一泄壓孔對應的頻率回應曲線圖。在一些實施例中,圖14B所示的各曲線為模擬曲線。在一些實施例中,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d可以設置在殼體111上與後腔116對應的區域內。由此,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d在X方向上的位置與後腔116的尺寸相關。在一些實施例中,第一泄壓孔111c的第一中心(或第二泄壓孔111d的第二中心)與內側面IS的距離可以在4mm-8mm範圍內。在一些實施例中,第一泄壓孔111c的第一中心與內側面IS的距離可以在5mm-6mm範圍內。在一些實施例中,在X方向上,第一泄壓孔111c的第一中心與第二泄壓孔111d的第二中心的位置可以視為相對固定,僅考慮第一泄壓孔111c的第一中心與第二泄壓孔111d的第二中心在Y方向上的不同位置。相應地,圖14A和14B所述的第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的位置可以指第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d沿Y方向的不同位置。
請參照圖14A,在上側面US中,以上側面US在Y方向上
尺寸的中點為原點、Y方向的反方向為Px2軸正方向、X方向的反方向為Py2軸正方向建立坐標系。其中,第一泄壓孔111c的第一中心的Py2可以視為固定值,僅考慮不同Px2對應的不同位置。第一泄壓孔111c的第一中心在上側面US上的位置可以表示為(Px2,Py2),單位為mm。例如,(4,Py2)表示在Px2軸正方向上,第一泄壓孔111c的第一中心與原點距離為4mm。在一些實施例中,基於第一泄壓孔111c的第一中心的Px2,可以確定第一泄壓孔111c的第一中心與發聲部11的自由端FE的距離。
圖14B示出了當第一泄壓孔111c位於上側面US上的不同位置,當其他結構(例如,出聲孔111a、第二泄壓孔111d等)固定時(例如,出聲孔111a位於內側面IS的中心,第二泄壓孔111d位於下側面LS上靠近連接端CE的位置),出聲孔111a正前方(即X方向的反方向)15mm處模擬得的頻率回應曲線。如圖14B所示,當第一泄壓孔111c位於上側面US上的不同位置時,發聲部11的頻率回應曲線在4.5kHz左右具有第一諧振峰(如圖14B中虛線圈A1所示)且在5.5kHz左右具有第二諧振峰(如圖14B中虛線圈B1所示)。其中,第一諧振峰由後腔116諧振產生,第二諧振峰由前腔114諧振產生。當第一泄壓孔111c的Px2逐漸從-3.2mm增大至3.2mm時(即第一泄壓孔111c沿Y方向的反方向移動),發聲部11的頻率回應曲線的第一諧振峰由低頻向高頻有較小幅度的移動。而由於出聲孔111a的位置不變,前腔114的振動特性基本不變,第二諧振峰變化不大。由此,為了使得第一諧振峰的頻率盡可能高,第一泄壓孔111c可以位於上側面US的中心的朝向Px2軸正方向的一側,例如,第一泄壓孔111c可以位於上側面US在Y方向上尺寸的中點位置或更靠近發聲部11的自由端FE,從而可以使得發聲部11在較寬的頻率範圍內具有平滑的頻率回應曲線,提高發聲部11的整體(例如,在100Hz-10000Hz範圍內)輸出效果。在一些實施例中,為了使發聲部11在較寬的頻率範圍內具有平滑的頻率回應曲線,提高發聲部11的整體(例如,在100Hz-10000Hz範圍內)輸出效果,第一泄壓孔111c的第一中心與後側面RS(自由端FE)的距離
可以在11mm-15mm範圍內。在一些實施例中,第一泄壓孔111c的第一中心與後側面RS(自由端FE)的距離可以在13mm-14mm範圍內。
圖15A係根據本說明書一些實施例所示的第二泄壓孔的示例性位置示意圖,圖15B係根據本說明書一些實施例所示的不同位置的第二泄壓孔對應的頻率回應曲線圖。在一些實施例中,圖15B所示的各曲線為模擬曲線。
請參照圖15A,在下側面LS中,以下側面LS在Y方向上尺寸的中點為原點、Y方向的反方向為Px3軸正方向、X方向的反方向為Py3軸正方向建立坐標系。其中,第二泄壓孔111d的第二中心的Py3可以視為固定值,僅考慮不同Px3對應的不同位置。第二泄壓孔111d的第二中心在下側面LS上的位置可以表示為(Px3,Py3),單位為mm。例如,(-2,Py2)表示在Px3軸負方向上,第二泄壓孔111d的第二中心距離原點2mm。在一些實施例中,基於第二泄壓孔111d的第二中心的Px3,即可確定第二泄壓孔111d的第二中心與發聲部11的自由端FE的距離。
圖15B示出了當第二泄壓孔111d位於下側面LS上的不同位置,當其他結構(例如,出聲孔111a、第一泄壓孔111c等)固定時(例如,出聲孔111a位於內側面IS的中心,第一泄壓孔111c位於上側面US的中心),出聲孔111a正前方(即X方向的反方向)15mm處模擬得的頻率回應曲線。如圖15B所示,當第二泄壓孔111d位於下側面LS上的不同位置時,發聲部11的頻率回應曲線在4.5kHz左右具有第一諧振峰(如圖15B中虛線圈C所示)且在5.5kHz左右具有第二諧振峰(如圖15B中虛線圈D所示)。當第二泄壓孔111d的第二中心的Px3逐漸從-4.5mm增大至-1mm時(即第二泄壓孔111d沿Y方向的反方向移動),發聲部11的頻率回應曲線的第一諧振峰由低頻向高頻有較小幅度的移動,第二峰值變化不大。當第二泄壓孔111d的第二中心的Px3逐漸從-1mm增大至4.5mm時(即第二泄壓孔111d繼續沿Y方向的反方向移動),發聲部11的頻率回應曲線的第一諧振峰由高頻向低頻有較小幅度的移動,第二峰值變化不大。
在一些實施例中,結合圖11和圖12及其描述,第一泄壓孔111c可以相較於第二泄壓孔111d更遠離連接端CE。也就係說,相較於第一泄壓孔111c,第二泄壓孔111d可以更遠離自由端FE。由此,可以透過設置第二泄壓孔111d與自由端FE的距離,在滿足結構設計的基礎上,保證發聲部11的整體(例如,在100Hz-10000Hz範圍內)輸出效果。例如,第一泄壓孔111c可以位於上側面US在Y方向上尺寸的中點位置或更靠近發聲部11的連接端CE的位置。在一些實施例中,為了在滿足結構設計的基礎上,保證發聲部11的整體(例如,在100Hz-10000Hz範圍內)輸出效果,第二泄壓孔111d的第二中心與後側面RS(自由端FE)的距離可以在15mm-18mm範圍內。在在一些實施例中,第二泄壓孔111d的第二中心與後側面RS(自由端FE)的距離可以在16mm-17mm範圍內。
在一些實施例中,前腔114與出聲孔111a(或者後腔116與第一泄壓孔111c和/或第二泄壓孔111d)可以近似看作一個亥姆霍茲共振腔模型。以前腔114為例,前腔114可以為亥姆霍茲共振腔模型的腔體,出聲孔111a為亥姆霍茲共振腔模型的頸部。該亥姆霍茲共振腔模型的共振頻率為前腔114的諧振頻率f1。
在亥姆霍茲共振腔模型中,頸部(例如,出聲孔111a)的尺寸可以影響到腔體(例如,前腔114)的諧振頻率f,具體關係如公式(1)所示:
其中,c代表聲速,S代表頸部(例如出聲孔111a)的開口面積(或稱為橫截面積),V代表腔體(例如前腔114)的體積,L代表頸部(例如出聲孔111a)的深度。對於前腔114,其諧振頻率為f1,則出聲孔111a的開口面積可以為S1,前腔114的體積可以為V1,出聲孔111a的深度可以為L1。需要知道的係,殼體111的各個側壁均具有一定厚度,因此,聲學孔均為具有一定深度的孔洞。此時,每個聲學孔均具有內開口和外開口。為便於描述,在本說明書中,出聲孔的開口面積可以指出聲孔的內開口的面積,泄
壓孔的面積可以指泄壓孔的內開口的面積。
為了提升開放式耳機10的出聲效果,發聲部11的頻率回應曲線需要具有較寬的平坦區域,因此前腔114的諧振頻率f1可以設置較高,以增大前腔114的頻率回應曲線的平坦區域的範圍。在一些實施例中,為了增大前腔114的頻率回應曲線的平坦區域的範圍,前腔114的諧振頻率f1可以在1kHz-10kHz範圍內。在一些實施例中,前腔114的諧振頻率f1可以在6kHz以上。
由公式(1)可知,當增加出聲孔111a的開口面積S1或減小出聲孔111a的深度L1時,前腔114的諧振頻率f1向高頻移動。
在振膜1121振動過程中,前腔114中的空氣隨著振膜1121的振動而被壓縮或膨脹,該被壓縮或膨脹的空氣可以帶動出聲孔處的空氣柱來回運動,進而引起空氣柱向外輻射聲音。在一些實施例中,出聲孔111a內的空氣柱具有重量,該重量可以對應出聲孔111a的聲重量。該聲重量可以作為聲阻抗的一部分,從而影響發聲部11的聲學輸出。由此,出聲孔111a的尺寸也會對出聲孔111a的聲重量Ma造成影響,具體關係如公式(2)所示:
其中,ρ代表空氣密度。
由公式(2)可知,出聲孔111a的開口面積S1增加或深度L1減小,出聲孔111a的聲重量Ma減小。
圖16係根據本說明書一些實施例所示的不同橫截面積的出聲孔對應的發聲部11的頻率回應曲線圖。如圖16所示,當出聲孔111a的橫截面積S從2.875mm2增大至46mm2時,出聲孔111a的聲重量Ma從800kg/m4減小到50kg/m4,前腔114的諧振頻率f1從4kHz左右逐漸升高至8kHz左右。需要注意的係,圖16中所示的200kg/m4和800kg/m4等參數僅代表出聲孔111a的理論聲重量,與出聲孔111a的實際聲重量可能會存在誤差。
為了在提高前腔114的諧振頻率f1的同時,保證出聲孔111a的聲重量Ma,出聲孔111a的開口面積S1需要具有合適的取值範圍內。另外,出聲孔111a的開口面積過大,可能對開放式耳機10的外觀、結構強度等其他方面產生一定的影響。由此,在一些實施例中,為了在提高前腔114的諧振頻率f1的同時,保證出聲孔111a的聲重量Ma,且不影響開放式耳機10的外觀、結構強度等,出聲孔111a的開口面積S1的取值範圍可以為2.875mm2-46mm2。僅作為示例,出聲孔111a的開口面積S1的取值可以為11mm2-15mm2(例如,11.49mm2)。再例如,出聲孔111a的開口面積S1的取值可以為25mm2-26mm2(例如,25.29mm2)。
圖17係根據本說明書一些實施例所示的不同深度的出聲孔對應的前腔114的頻率回應曲線圖。如圖17所示,出聲孔111a的深度L1從0.3mm增加至3mm時,出聲孔111a的聲重量Ma從100kg/m4增加到1000kg/m4,前腔114的諧振頻率f1從7kHz左右降低至3.7kHz左右。
為了保證前腔114具有足夠大的諧振頻率,出聲孔111a的深度L1的取值越小越好。然由於出聲孔111a設置於殼體111上,因此出聲孔111a的深度即為殼體111的厚度。殼體111的厚度過小時,可能會對開放式耳機10的結構強度造成影響,且相應的加工工藝難度較高。在一些實施例中,為了保證前腔114具有足夠大的諧振頻率,且不影響開放式耳機10的結構強度,出聲孔111a的深度L1的取值範圍可以為0.3mm-3mm。在一些實施例中,出聲孔111a的深度L1的取值可以為0.3mm-1mm。
在一些實施例中,為了在提高前腔114的諧振頻率f1的同時,保證出聲孔111a的聲重量Ma,且不影響開放式耳機100的外觀、結構強度等,出聲孔111a的橫截面積S1的取值範圍為2.875mm2-46mm2,出聲孔111a的深度L1的取值範圍可以為0.3mm-3mm時,對應的出聲孔111a的橫截面積S1與深度L1的平方之比S 1/L 1 2的取值範圍可以為0.31-512.2。在一些實施例中,出聲孔111a的橫截面積S1與深度L1的平方之比S 1/L 1 2的取值範圍可以為10-50。
在一些實施例中,出聲孔111a的形狀也會對出聲孔111a的聲阻造成影響。例如,出聲孔111a越狹長,出聲孔111a的聲阻也較大,不利於前腔114的聲學輸出。因此,為了保證出聲孔111a產生較好的低頻輸出,也為了提高出聲孔111a輸出的聲音音量,出聲孔111a的長軸尺寸(即出聲孔111a的橫截面的長度Lf)與短軸尺寸(即出聲孔111a的橫截面的寬度Wf)之比(或稱為出聲孔111a的長寬比)需要在預設的適當取值範圍內。在一些實施例中,出聲孔111a的形狀可以包括但不限於圓形、橢圓形、跑道形等。在一些實施例中,出聲孔111a可以採用跑道形(如圖12所示),其中,跑道形的兩端可以為劣弧形或半圓形。此時出聲孔111a的長軸尺寸可以係指出聲孔111a在Y方向上的最大尺寸,出聲孔111a的短軸尺寸可以係指出聲孔111a在Z方向上的最大尺寸。
圖18係根據本說明書一些實施例所示的出聲孔不同長寬比對應的頻率回應曲線圖。其中,圖18中示出的為出聲孔111a在同一橫截面積(例如,S1=22.5mm2)下的不同長寬比對應的頻率回應曲線。圖18所示的各曲線為模擬曲線。在一些實施例中,如圖18所示,對於出聲孔111a的長寬比(Lf/Wf)的不同取值,隨著長寬比從1逐漸增大至10,前腔114的頻響曲線在低頻和中高頻(例如,100Hz~3.5kHz)範圍內的聲壓逐漸降低(例如,出聲孔長寬比為10時在3kHz處的聲壓較出聲孔長寬比為1時在3kHz處的聲壓低2.3dB),其在高頻的諧振頻率逐漸向高頻移動,諧振峰的幅值逐漸降低。在一些實施例中,當出聲孔111a的橫截面積一定時,為了保證前腔114的頻響曲線在低頻的頻響較強,出聲孔111a的橫截面的長度Lf與寬度Wf之間的比值可以在1-10範圍內。在一些實施例中,出聲孔111a的橫截面的長度Lf與寬度Wf之間的比值可以為2-3。
圖19係根據本說明書一些實施例所示的不同長度的出聲孔對應的頻率回應曲線圖。為了方便說明,這裡將出聲孔111a的橫截面的長度Lf與寬度Wf之間的比值設為2,出聲孔111a的形狀為跑道形。出聲孔111a的寬度固定時,透過出聲孔111a的長度Lf可以確定相對應的開口面
積S1。由圖19可得,發聲部11的頻率回應曲線在4.5kHz左右具有第一諧振峰且在3.5kHz-10kHz範圍內有變化的第二諧振峰。其中,第一諧振峰對應後腔116產生的諧振峰,第二諧振峰對應前腔114產生的諧振峰。隨著出聲孔111a的長度Lf從3mm逐漸增大至11mm(出聲孔111a的開口面積S1也隨之增大),頻響曲線的第二諧振峰逐漸向高頻移動,第一諧振峰基本不變。其中,當出聲孔111a的長度Lf增加到4mm(出聲孔111a的開口面積S1增大至7.1416mm2)後,繼續增加出聲孔111a的長度Lf(出聲孔111a的開口面積S1的增大),頻響曲線的第二諧振峰的峰值降低,此時第一諧振峰的峰值仍在4.5kHz左右。在一些實施例中,諧振峰向高頻移動,可以增大頻響曲線平坦區域的範圍。同時峰值大的諧振峰也會使得開放式耳機10的高頻更加充足,使得開放式耳機10有更好的音質。在一些實施例中,為了使得第二諧振峰的頻率盡可能高,出聲孔111a的長度Lf可以具有相對較大的取值,但同時為了不降低第二諧振峰對應的高頻輸出且考慮發聲部11的結構穩定性,出聲孔111a的長度Lf可以不大於17mm,出聲孔111a的寬度Wf可以不大於10mm。在一些實施例中,為了使得第二諧振峰的頻率盡可能高,同時為了不降低第二諧振峰對應的高頻輸出且考慮發聲部11的結構穩定性,出聲孔111a的長度Lf可以為2mm-11mm。在一些實施例中,出聲孔111a的長度Lf可以為6mm-9mm。
在一些實施例中,基於長度Lf以及長度Lf與寬度Wf之間的比值,可以確定出聲孔111a的寬度Wf。例如,出聲孔111a的橫截面的長度Lf與寬度Wf之間的比值可以為2,則出聲孔111a的寬度Wf可以為1.5mm-5.5mm。對應的跑道形的出聲孔111a的面積可以為4.02mm2-54mm2。透過設置出聲孔111a的長度Lf的範圍,可以在增大頻響曲線平坦區域的範圍從而提升開放式耳機10音質的同時,兼顧發聲部11的結構設計。僅作為示例,跑道形的出聲孔111a的面積為11.5mm2左右,相應可以確定出聲孔111a的長度Lf為5mm-6mm,出聲孔111a的寬度Wf為2.5mm-3mm。結合圖19可知,在該尺寸範圍內,可以使得開放式耳機10在較寬頻率範
圍具有平坦的頻響曲線以及充足的高頻輸出;另外,該面積的取值相對較小,也有利於結構的穩定性。
圖20係根據本說明書一些實施例所示的不同長度的跑道形出聲孔和圓形出聲孔對應的頻率回應曲線圖。圖20所示的圓形出聲孔的長度可以指圓形的直徑。根據圖20可知,圓形出聲孔對應的頻響曲線的變化趨勢與跑道型出聲孔的頻響曲線相似。由此,為了增大頻響曲線平坦區域的範圍,同時考慮發聲部11的結構設計,圓形出聲孔的長度可以為2mm-17mm。在一些實施例中,圓形出聲孔的長度可以為6mm-9mm。繼續參照圖20,當長度相同時,相較於跑道型出聲孔,圓形出聲孔對應的頻響曲線向低頻移動,且圓形出聲孔對應的聲壓幅值略大於跑道型出聲孔對應的聲壓幅值。在一些實施例中,為了使開放式耳機10在較寬頻率範圍具有平坦的頻響曲線,出聲孔的形狀可以選擇跑道型。另外,跑道型出聲孔的寬度較圓形出聲孔更窄,更便於發聲部11的外觀和結構的設計。
圖21係根據本說明書一些實施例所示的後腔的部分結構的示例性結構圖。請參照圖11與圖21,在一些實施例中,支架115與換能器112之間可以圍設形成第二聲學腔體,該第二聲學腔體可以作為後腔116。
在一些實施例中,為了提升開放式耳機10的聲學輸出性能,後腔116的頻率回應曲線需要具有較寬的平坦區域,因此後腔116的諧振頻率f2可以設置地較大。在一些實施例中,後腔116的諧振頻率f2可以在2kHz-8kHz範圍內。在一些實施例中,後腔116的諧振頻率f2可以為4.5kHz。在一些實施例中,為了使得由前述聲學孔形成的第二漏音可以與出聲孔111a在遠場形成的第一漏音更好地相互抵消,後腔116的諧振頻率f2可以與前腔114的諧振頻率f1接近或相等。在一些實施例中,後腔116的諧振頻率f2可以與前腔114的諧振頻率f1的差值可以不大於2kHz。在一些實施例中,後腔116的諧振頻率f2可以與前腔114的諧振頻率f1的差值可以不大於200Hz。
在一些實施例中,後腔116和前述殼體111上設置的聲學孔
(例如第一泄壓孔111c和/或第二泄壓孔111d)的結合同樣可以看作一個亥姆霍茲共振腔模型。其中,後腔116可以作為亥姆霍茲共振腔模型的腔體,聲學孔可以作為亥姆霍茲共振腔模型的頸部。該亥姆霍茲共振腔模型的共振頻率為後腔116的諧振頻率f2,聲學孔的開口面積可以為S2,後腔的體積可以為V2,聲學孔的深度可以為L2。其中,S2可以與第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的開口面積相關,L2可以第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的深度相關。
由前文的公式(1)可知,當後腔116的體積V減小,後腔116的諧振頻率f2增大。因此為了使後腔116具有足夠大的諧振頻率f2,後腔116的體積可以足夠小。
然,後腔116的體積也會對後腔116的聲容Ca造成影響,後腔116的聲容Ca變化,會導致後腔116的容抗特性發生改變,進而影響到後腔116的振動特性。後腔116的體積與後腔116的聲容Ca的具體關係如公式(3)所示:
其中,ρ代表空氣密度,c代表聲音速度,V代表後腔116的體積。
結合公式(1)與公式(3)可知,當後腔116的體積V增加,後腔116的聲容Ca增加,對應的後腔116的諧振頻率f2減小。為了使得後腔116的諧振頻率f2較大,後腔116的體積和聲容應該較小,也就係說,後腔116的體積V需要具有適當的取值範圍。
如圖21所示,在一些實施例中,後腔116的截面可以由兩個垂直的邊和一個曲邊構成,連接曲邊的兩個端點,可以將該截面(例如,截面ABC)近似看作一個三角形。其中,斜邊AC由支架115上形成的曲面與兩條直邊接觸形成的兩個端點的連線構成,兩個直邊AB與BC由換能器112的盆架1123構成,其中斜邊AC與直邊BC之間具有夾角α。在一些實施例中,由於換能器112的盆架1123在直邊BC所在區域上需要設置透聲孔(未示出),為保證聲學性能,直邊BC的長度可以視為不變,可以透過
調整直邊AB的長度,從而調節夾角α的大小,進而改變三角形ABC的面積以調節後腔116的體積。在一些實施例中,由於透聲孔的限製,直邊BC的長度不小於0.67mm。在一些實施例中,由於夾角α的取值具有範圍限製,因此後腔116的體積V的取值也具有範圍限製。
圖22係根據本說明書一些實施例所示的不同大小的夾角α對應的後腔的頻率回應曲線圖。如圖22所示,當減小直邊AB的長度以使夾角α從67.6°減小至45°時,後腔116的體積V減小,對應的後腔116的聲容Ca從7×10-12m3/Pa減小至2.88×10-12m3/Pa,然,後腔116的諧振頻率f2從4.5kHz左右增大至6kHz左右。當增大直邊AB的長度以使夾角α從67.6°增大至79.11°時,後腔116的體積V增大,對應的後腔116的聲容Ca從7×10-12m3/Pa增大至15×10-12m3/Pa,然,後腔116的諧振頻率f2從4.5kHz左右減小至3kHz左右。需要說明的係,圖22中所示的7×10-12m3/Pa、15×10-12m3/Pa等參數僅代表理論上後腔116的體積所對應的聲容值,與實際資料可能存在誤差。在一些實施例中,為了使後腔116具有相對較大的諧振頻率f2,後腔116中的夾角α的取值範圍可以為45°-80°。在一些實施例中,後腔116中的夾角α的取值範圍可以為67°-68°。
在一些實施例中,結合圖11和圖12及其描述,出聲孔111a的第三中心位於第一泄壓孔111c的第一中心與第二泄壓孔111d的第二中心連線的中垂面上或係中垂面的附近,出聲孔111a在Z方向上位於殼體111靠近第二泄壓孔111d的一側而非中間位置。而由於出聲孔111a靠近外耳道設置,因此第二泄壓孔111d距離外耳道更近,第一泄壓孔111c距離外耳道更遠。相較於第一泄壓孔111c,第二泄壓孔111d傳出的聲波更容易與出聲孔111a傳出的聲波在近場相消。因此,第二泄壓孔111d處的聲壓幅值可以小於第一泄壓孔111c處的聲壓幅值,進而增大耳道處的聽音音量。在一些實施例中,相較於第一泄壓孔111c,第二泄壓孔111d的聲阻可以較大。例如,第二泄壓孔111d的尺寸可以小於第一泄壓孔111c的尺寸,從而使第二泄壓孔111d的聲阻可以具有相對較大的聲阻。例如,第一泄壓孔111c
的面積可以大於第二泄壓孔111d的面積。
圖23A係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔與第二泄壓孔的不同面積比對應的聲阻變化示意圖,圖23B係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔與第二泄壓孔的不同面積比對應的聲重量變化示意圖,圖23C係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔與第二泄壓孔的不同面積比對應的輻射聲阻變化示意圖,圖23D係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔與第二泄壓孔的不同面積比對應的輻射聲重量變化示意圖,圖24A-圖24E係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔與第二泄壓孔的不同面積比對應的後腔的頻率回應曲線圖。需要說明的係,圖23A-圖23D中的聲阻、聲重量、輻射聲阻以及輻射聲重量還隨頻率發生變化,因此圖23A-圖23D中所示的取值均為1kHz處的聲阻、聲重量、輻射聲阻以及輻射聲重量。圖23A-圖23D以及圖24A-圖24E中,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積比改變,然第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的總面積不變。其中,輻射聲阻可以指聲源(例如,第一泄壓孔111c和/或第二泄壓孔111d)因向外輻射聲音而產生的阻抗,可以用於描述聲源的輻射特性。輻射聲阻可以包括輻射阻和輻射抗,其中,輻射阻加了聲源輻射聲音時的阻尼作用和能耗,輻射抗可以等效於在聲源表面重量上附加了一個輻射重量,即輻射聲重量。在一些實施例中,輻射聲阻和/或輻射聲重量越大,表示聲源在輻射聲音時克服的阻力和/或消耗的能量越大在一些實施例中,輻射聲阻和輻射聲重量可以如公式(5)和公式(6)所示:
其中,Z代表輻射聲阻,ρ代表空氣密度,c代表聲速,S代表聲源對應的面積(例如,第一泄壓孔111c和/或第二泄壓孔111d的面積),M代表輻射聲重量。由如公式(5)和公式(6)可知,輻射聲阻和輻射聲重量可以與聲源對應的面積相關(例如,負相關)。
由圖23A-圖23D可知,隨著第一泄壓孔111c與第二泄壓孔
111d的面積比從1逐漸增大至5,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的總聲阻(即第一泄壓孔111c的聲阻與第二泄壓孔111d的聲阻之和)、總聲重量、總輻射聲阻、總輻射聲重量均逐漸增大。且第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積比為5時的總聲阻遠大於第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積比為2時的總聲阻。
由圖24A-圖24E可知,當第一泄壓孔111c的面積大於第二泄壓孔111d的面積時(例如,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積比大於1時),第二泄壓孔111d處的聲壓幅值小於第一泄壓孔111c處的聲壓幅值。另外,隨著第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積比從1逐漸增大至5,第二泄壓孔111d處的頻率回應曲線逐漸整體下移,位於第一泄壓孔111c處的頻率回應曲線的下方,且兩條曲線的距離逐漸增大,即第二泄壓孔111d的聲壓幅值與第一泄壓孔111c的聲壓幅值的差值隨著第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積的比值的增大而逐漸增大,由此,可以透過調整第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積的比值來調整第二泄壓孔111d的聲壓幅值與第一泄壓孔111c的聲壓幅值的差值範圍。
結合圖23A-24E,可以透過設置第一泄壓孔111c的面積大於第二泄壓孔111d的面積,使得第二泄壓孔111d處的聲阻大於第一泄壓孔111c處的聲阻,第二泄壓孔111d處的聲壓幅值小於第一泄壓孔111c處的聲壓幅值,進而可以減小第二泄壓孔111d的漏音,增大耳道處的聽音音量。在一些實施例中,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的之間的聲阻差異過大時,可能使第二泄壓孔111d處的聲壓過小,從而影響第二泄壓孔111d傳播出的聲波遠場的降漏音效果。另外,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的之間的聲阻差異過大時,可能不利於破壞後腔中的駐波,從而不利於提高兩個泄壓孔匯出至殼體111外部的聲音的諧振頻率。因此,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積比不宜過大。在一些實施例中,為了使後腔116的頻率回應曲線具有較大範圍的平坦區域,同時保證耳道處的聽音音量,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積比可以小於5。例如,在一些實施
例中,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積比的取值範圍可以為1-5。再例如,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積比的取值範圍可以為1.4-1.7。
在一些實施例中,第一泄壓孔111c的面積也可以等於第二泄壓孔111d的面積。例如,如圖3所示,在佩戴狀態下,發聲部11的自由端FE可以不伸入耳甲腔內。該發聲部11的第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的面積比可以為1。
在一些實施例中,泄壓孔(例如,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d)的形狀也會對泄壓孔的聲重量造成影響。另一方面,狹長形狀的泄壓孔的聲阻也較大,不利於後腔116的聲學輸出。因此,泄壓孔的長軸尺寸與短軸尺寸之比需要在預設的適當取值範圍內。在一些實施例中,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的形狀可以包括但不限於圓形、橢圓形、跑道形等。在一些實施例中,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d可以採用跑道形(如圖12所示),其中,跑道形的兩端可以為劣弧形或半圓形。此時第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的長軸尺寸(即各自對應橫截面的長度)可以係指第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d在Y方向上的尺寸,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d的短軸尺寸(即各自對應橫截面的寬度)可以係指第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d在Z方向上的尺寸。
在一些實施例中,由於第一泄壓孔111c以及第二泄壓孔111d與後腔116連通。根據公式(1)可知,後腔116的體積過大時不利於提高後腔116的諧振頻率。而由於後腔116體積的限製,泄壓孔的寬度不宜過大。在一些實施例中,第一泄壓孔111c的寬度Wm的取值範圍可以為1mm-3mm,第二泄壓孔111d的寬度Wn的取值範圍可以為1mm-3mm。
圖25係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓孔不同長度取值時的頻率回應曲線圖。如圖25所示,當第一泄壓孔111c的長度Lm為0mm時,表示第一泄壓孔111c堵塞,發聲部11對應的頻率回應曲線的第一諧振峰(如圖25中虛線圈G所示)的頻率在3kHz左右,頻率回應曲
線的平坦區域範圍較小,且平坦區域(例如,300Hz-2500Hz)對應的幅值較小,第二諧振峰(如圖25中虛線圈H所示)在5.5kHz附近。其中,第一諧振峰由後腔116諧振產生,第二諧振峰由前腔114諧振產生。當第一泄壓孔111c的長度Lm從2mm逐漸增大至8mm時,第一諧振峰逐漸向高頻移動,例如從3.8kHz左右逐漸增大至4.7kHz左右,第二諧振峰位置基本不變。
在一些實施例中,可以使後腔116的諧振頻率f2具有較大的取值,從而使頻響曲線具有較大範圍的平坦區域,提升開放式耳機10的輸出性能。在一些實施例中,第一泄壓孔111c的長度Lm可以大於4mm。由於當第一泄壓孔111c的長度Lm增加至8mm後,頻率回應曲線的諧振頻率向高頻變化較為緩慢,變化不明顯。在一些實施例中,為了提高殼體111的穩定性以及第一泄壓孔的防水性和防塵性,第一泄壓孔111c的長度Lm可以小於8mm。例如,第一泄壓孔111c的長度Lm可以在4mm-8mm的範圍內。再例如,第一泄壓孔111c的長度Lm可以在5mm-6mm的範圍內。在一些實施例中,透過使後腔116的諧振頻率f2(即圖25中的第一諧振峰對應的頻率)有較大的取值,還可以使後腔116諧振頻率f2與前腔的諧振頻率f1(即圖25中的第二諧振峰對應的頻率)相接近,一方面可以實現更好地遠場降漏音的效果,另一方面也可以避免發聲部11的頻率回應出現較多的峰谷,從而提升開放式耳機10的聲音輸出性能。
結合上述的第一泄壓孔111c的長度Lm以及寬度Wm的取值範圍,可以確定第一泄壓孔111c的長度Lm與寬度Wm之間的比值,使後腔116對應的頻響曲線具有較大範圍的平坦區域,提升開放式耳機10的聲音輸出性能。在一些實施例中,為了使後腔116對應的頻響曲線具有較大範圍的平坦區域,提升開放式耳機10的聲音輸出性能,第一泄壓孔111c的長度Lm與寬度Wm之間的比值可以在1.3-8範圍內。在一些實施例中,第一泄壓孔111c的長度Lm與寬度Wm之間的比值可以在3-6範圍內。
在一些實施例中,基於第一泄壓孔111c的長度Lm以及寬度
Wm的取值範圍,可以確定第一泄壓孔111c的開口面積範圍。在一些實施例中,第一泄壓孔111c的開口面積範圍可以為3.7mm2-23mm2。在一些實施例中,第一泄壓孔111c的開口面積範圍可以為10mm2-20mm2。
圖26係根據本說明書一些實施例所示的第二泄壓孔不同長度取值時的頻率回應曲線圖。如圖26所示,當第二泄壓孔111d的長度Ln為0mm時,表示第二泄壓孔111d堵塞,發聲部11對應的頻率回應曲線的第一諧振峰(如圖26中虛線圈I所示)頻率在2.4kHz左右,頻率回應曲線的平坦區域範圍較小,且平坦區域(例如,300Hz-2500Hz)對應的幅值較小,第二諧振峰(如圖26中虛線圈J1所示)在5.5kHz附近。其中,第一諧振峰由後腔116諧振產生,第二諧振峰由前腔114諧振產生。當第二泄壓孔111d的長度Ln從3mm逐漸增大至6mm時,第一諧振峰逐漸向高頻移動,從4.4kHz左右逐漸增大至4.9kHz左右,第二諧振峰位置基本不變。
為了使第一諧振頻率具有較大的取值,從而使頻率回應曲線具有較大範圍的平坦區域,提升開放式耳機10的輸出性能,在一些實施例中,第二泄壓孔111d的長度Ln可以大於3mm。由於當第二泄壓孔111d的長度Ln增加至6mm後,頻率回應曲線的諧振頻率向高頻變化較為緩慢,變化不明顯。在一些實施例中,為了提高殼體111的穩定性以及第二泄壓孔的防水性和防塵性,第二泄壓孔111d的長度Ln可以小於6mm。在一些實施例中,為了使頻率回應曲線具有較大範圍的平坦區域,提升開放式耳機10的輸出性能,同時提高殼體111的穩定性以及第二泄壓孔的防水性和防塵性,第二泄壓孔111d的長度Ln可以在3mm-6mm的範圍內。在一些實施例中,第二泄壓孔111d的長度Ln可以在4mm-5mm的範圍內。在一些實施例中,透過使後腔116的諧振頻率f2(即圖26中的第一諧振峰對應的頻率)有較大的取值,還可以使後腔116諧振頻率f2與前腔的諧振頻率f1(即圖26中的第二諧振峰對應的頻率)相接近,一方面可以實現更好地遠場降漏音的效果,另一方面也以避免發聲部11的頻率回應出現較多的峰谷,
從而提升開放式耳機10的聲音輸出性能。
結合上述的第二泄壓孔111d的長度Ln以及寬度Wn的取值範圍,可以確定第二泄壓孔111d的長度Ln與寬度Wn之間的比值,使後腔116對應的頻響曲線具有較大範圍的平坦區域,提升開放式耳機10的聲音輸出性能。在一些實施例中,第二泄壓孔111d的長度Ln與寬度Wn之間的比值可以在1-6範圍內。在一些實施例中,第二泄壓孔111d的長度Ln與寬度Wn之間的比值可以在3-4範圍內。
在一些實施例中,基於第二泄壓孔111d的長度Ln以及寬度Wn的取值範圍,可以確定第二泄壓孔111d的開口面積範圍。在一些實施例中,第二泄壓孔111d的開口面積範圍可以為2.5mm2-17mm2。在一些實施例中,第二泄壓孔111d的開口面積範圍可以為6mm2-10mm2。
在一些實施例中,第一泄壓孔111c的長度Lm與寬度Wm之間的比值可以大於第二泄壓孔111d的長度Ln與寬度Wn之間的比值。例如,在第一泄壓孔111c的寬度Wm與第二泄壓孔111d的寬度Wn接近的情況下,第一泄壓孔111c的長度Lm與寬度Wm之間的比值大於第二泄壓孔111d的長度Ln與寬度Wn之間的比值可以使得第一泄壓孔111c的面積大於第二泄壓孔111d的面積,從而使第一泄壓孔111c的聲阻相對較小。相應地,第二泄壓孔111d處的聲壓幅值可以小於第一泄壓孔111c處的聲壓幅值,從而以減小第二泄壓孔111d的漏音,增大耳道處的聽音音量。
在一些實施例中,第一泄壓孔111c的長度Lm與寬度Wm之間的比值可以小於第二泄壓孔111d的長度Ln與寬度Wn之間的比值。例如,在第一泄壓孔111c的長度Lm與第二泄壓孔111d的長度Ln接近的情況下,第一泄壓孔111c的長度Lm與寬度Wm之間的比值小於第二泄壓孔111d的長度Ln與寬度Wn之間的比值可以使得第一泄壓孔111c的面積大於第二泄壓孔111d的面積,從而使第一泄壓孔111c的聲阻相對較小。相應地,第二泄壓孔111d處的聲壓幅值可以小於第一泄壓孔111c處的聲壓幅值,從而以減小第二泄壓孔111d的漏音,增大耳道處的聽音音量。
在一些實施例中,第一泄壓孔111c的長度Lm與寬度Wm之間的比值可以等於第二泄壓孔111d的長度Ln與寬度Wn之間的比值。例如,如圖3所示,在佩戴狀態下,發聲部11的自由端FE可以不伸入耳甲腔內。該發聲部11第一泄壓孔111c的長度Lm與寬度Wm之間的比值可以等於第二泄壓孔111d的長度Ln與寬度Wn之間的比值。相應地,第一泄壓孔111c的聲阻可以等於第二泄壓孔111d的聲阻。
在一些實施例中,為了使得由聲學孔形成的第二漏音可以與出聲孔111a在遠場形成的第一漏音更好地相互抵消,後腔116的諧振頻率f2可以與前腔114的諧振頻率f1接近或相等。根據公式(1),前腔114的諧振頻率f1與後腔116的諧振頻率f2的比值為:
根據公式(4),前腔114的諧振頻率f1與後腔116的諧振頻率f2之間的比值可以與前後腔的體積之比、出聲孔開口面積與聲學孔開口面積之比、以及出聲孔深度與聲學孔深度之比相關。可以基於其中部分參數(例如,出聲孔開口面積與聲學孔開口面積之比)設置其他參數(例如,前後腔的體積之比)的範圍,使得聲學孔形成的第二漏音可以與出聲孔111a在遠場形成的第一漏音更好地相互抵消,改善開放式耳機10的輸出效果。
圖27係根據本說明書一些實施例所示的前後腔體積比、出聲孔開口面積與聲學孔開口面積之比的等值線圖。在一些實施例中,如圖27所示,前後腔體的諧振頻率之間的比值的範圍可以與出聲孔的面積與泄壓孔的面積之間的比值以及前後腔體的體積之間的比值相關。由此,可以透過設置出聲孔的面積與泄壓孔的面積之間的比值以及前後腔體的體積之間的比值,使得前後腔體的諧振頻率之間的比值在目標範圍內。例如,請參照圖27,如果使前腔114的諧振頻率f1與後腔116的諧振頻率f2的比值f1/f2的取值範圍為0.1-3,出聲孔111a的開口面積S1可以小於第一泄壓孔111c和第二泄壓孔111d的總開口面積,例如,出聲孔111a的開口面積S1與第一
泄壓孔111c和第二泄壓孔111d的總開口面積S2之間的比值S1/S2可以在0.1-0.99範圍內,後腔116的體積V2與前腔114的體積V1的比值V2/V1的取值範圍可以為0.1-10。再例如,如果使前腔114的諧振頻率f1與後腔116的諧振頻率f2的比值f1/f2的取值範圍可以為0.5-2,則出聲孔111a的開口面積S1與第一泄壓孔111c和第二泄壓孔111d的總開口面積S2之間的比值S1/S2可以在0.2-0.7之間,後腔116的體積V2與前腔114的體積V1的比值V2/V1的取值範圍可以為1-7。
在一些實施例中,出聲孔111a的開口面積S1可以大於第一泄壓孔111c和第二泄壓孔111d的總開口面積。例如,出聲孔111a的開口面積S1與第一泄壓孔111c和第二泄壓孔111d的總開口面積S2之間的比值S1/S2可以在1-10範圍內,後腔116的體積V2與前腔114的體積V1的比值V2/V1的取值範圍可以為0.1-10,根據圖27,對應的前腔114的諧振頻率f1與後腔116的諧振頻率f2的比值f1/f2的取值範圍可以為0.5-10。再例如,出聲孔111a的開口面積S1與第一泄壓孔111c和第二泄壓孔111d的總開口面積S2之間的比值S1/S2可以在3-9之間,後腔116的體積V2與前腔114的體積V1的比值V2/V1的取值範圍可以為2-6,根據圖27,前腔114的諧振頻率f1與後腔116的諧振頻率f2的比值f1/f2的取值範圍可以為1-8。
在一些實施例中,參考圖27所示的等值線,可以基於V2/V1確定S1/S2的取值範圍,或者,可以基於S1/S2確定V2/V1的取值範圍,使得後腔116的諧振頻率f2可以與前腔114的諧振頻率f1接近或相等,進而使得聲學孔形成的第二漏音可以與出聲孔111a在遠場形成的第一漏音更好地相互抵消,改善開放式耳機10的輸出效果。例如,根據公式(1)可知,為了使後腔116具有足夠大的諧振頻率f2,後腔116的體積V2可以相對較小,例如,V2/V1可以小於1。結合圖27,如果使後腔116的諧振頻率f2可以與前腔114的諧振頻率f1接近或相等(例如,f1/f2值約為1),S1/S2的取值範圍可以為1-2.5。
僅作為示例,前腔114的體積V1可以在190mm3-220mm3範
圍內;後腔116的體積V2可以在60mm3-80mm3範圍內。相應地,在一些實施例中,V2/V1的值可以在0.2-0.4範圍內。在一些實施例中,V2/V1的值可以在0.25-0.45範圍內。
在一些實施例中,結合圖16-圖26的相關的描述,可以調整出聲孔111a的開口面積S1與第一泄壓孔111c和第二泄壓孔111d的總開口面積S2之間的比值S1/S2的範圍,使得開放式耳機具有較好的輸出效果。例如,出聲孔111a的長度Lf可以3mm-11mm,出聲孔111a的橫截面的長度Lf與寬度Wf之間的比值為2,對應的跑道形的出聲孔111a的面積可以為4.02mm2-54mm2。第一泄壓孔111c的長度Lm可以為6mm,寬度Wm可以為1.5mm,對應的第一泄壓孔111c的面積可以為8.51mm2,第二泄壓孔111d的長度Ln可以為3mm,寬度Wn可以為1.5mm,對應的第二泄壓孔111d的面積可以為4.02mm2。由此,出聲孔111a的開口面積S1與第一泄壓孔111c和第二泄壓孔111d的總開口面積S2之間的比值S1/S2可以為0.32-4.31。再例如,第一泄壓孔111c的長度Lm可以為2mm-8mm,寬度Wm可以為1.5mm,第一泄壓孔111c的面積為2.517mm2-11.5171mm2;第二泄壓孔111d的長度Ln可以為3mm-6mm,寬度Wn可以為1.5mm,第二泄壓孔111d的面積為4.017mm2-8.5171mm2。出聲孔111a的長度Lf可以為5mm,寬度Wf可以為2.5mm,對應的面積S1為11.16mm2。由此,出聲孔111a的開口面積S1與第一泄壓孔111c和第二泄壓孔111d的總開口面積S2之間的比值為0.56-1.71。
結合圖27,當V2/V1在0.25-0.45範圍內,S1/S2在0.32-4.31範圍內時,f1/f2在0.5-1.5範圍內;當V2/V1在0.25-0.45範圍內,S1/S2在0.56-1.71範圍內時,f1/f2值在0.5-0.9範圍內。可以看出,可以基於上述範圍確定體積比和/或面積比,使得後腔116的諧振頻率f2可以與前腔114的諧振頻率f1接近或相等。
圖28係根據本說明書一些實施例所示的出聲孔處不同音量對應的頻率回應曲線圖,圖29係根據本說明書一些實施例所示的第一泄壓
孔處不同音量對應的頻率回應曲線圖,圖30係根據本說明書一些實施例所示的第二泄壓孔處處不同音量對應的頻率回應曲線圖。如圖28-圖30所示,隨著音量從最大音量逐漸減小,出聲孔111a處的聲壓、第一泄壓孔111c處的聲壓、第二泄壓孔111d處的聲壓均逐漸降低。
需要說明的係,出聲孔111a處的聲壓、第一泄壓孔111c處的聲壓、第二泄壓孔111d處的聲壓,分別指與出聲孔111a距離4mm處、與第一泄壓孔111c距離4mm處、與第二泄壓孔111d距離4mm處的聲壓。在對各孔的聲壓進行測量的過程中,不對其他孔造成堵塞。例如,在測量出聲孔111a處的聲壓時,第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d未被遮擋或堵塞。
在一些實施例中,結合圖8-圖10及其描述,透過設置類腔體結構,可以使泄壓孔(第一泄壓孔111c或第二泄壓孔111d)發出的聲波與出聲孔111a產生的漏音在遠場相消,從而有利於降低遠場漏音,並且泄壓孔發出的聲波對近場聽音影響較小。由此,在一些實施例中,可以使泄壓孔(第一泄壓孔111c或第二泄壓孔111d)處的聲壓幅值與出聲孔111a處的聲壓幅值接近,從而在有效降低遠場漏音的同時不影響近場聽音。在一些實施例中,為了有效降低遠場漏音,在特定頻率範圍內(例如,在3.5kHz-4.5kHz範圍內),出聲孔111a處的聲壓與第一泄壓孔111c處聲壓之間的比值可以在0.8-1.2範圍內。在一些實施例中,出聲孔111a處的聲壓與第一泄壓孔111c處的聲壓之間的比值可以在0.95-1.05範圍內。在一些實施例中,為了有效降低遠場漏音,出聲孔111a處的聲壓與第二泄壓孔111d處的聲壓之間的比值可以在0.8-1.2範圍內。在一些實施例中,出聲孔111a處的聲壓與第二泄壓孔111d處的聲壓之間的比值可以在0.95-1.05範圍內。在一些實施例中,為了有效降低遠場漏音,出聲孔111a處的聲壓與第一泄壓孔111c處和第二泄壓孔111d處的總聲壓之間的比值可以在0.4-0.6範圍內。需要知道的係,所述的出聲孔111a處的聲壓以及第一泄壓孔111c處的聲壓、第二泄壓孔111d處的聲壓,係指同一音量下對應頻率處各自對應的聲
壓。
結合圖28-圖30,在最大音量下,4000Hz時,出聲孔111a的聲壓為103.54dB,第一泄壓孔111c的聲壓為104.5dB,第二泄壓孔111d的聲壓為100.74dB。此時,出聲孔111a處的聲壓分別與第一泄壓孔111c處的聲壓以及第二泄壓孔111d處的聲壓接近,從而可以有效降低遠場漏音。
請參照圖11與圖12,在一些實施例中,殼體111的內側可以設置有一個或複數個凹陷區1119,第一泄壓孔111c和/或第二泄壓孔111d和/或出聲孔111a可以分別設置在凹陷區1119的底部。在一些實施例中,凹陷區1119內可以設置有聲阻網118。設置於前腔114的聲阻網118(即設置於與出聲孔111a對應的凹陷區1119處的聲阻網118)可以用於調節前腔114對應諧振峰的幅值,設置於後腔116的聲阻網118(即設置於與第一泄壓孔111c以及第二泄壓孔111d對應的凹陷區1119處的聲阻網118)可以用於調節後腔116的諧振峰的幅值。在一些實施例中,聲阻網118也可以起到防水防塵作用。對於設置於後腔116的聲阻網118,支架115可以將聲阻網118壓持在凹陷區1119的底部上,不僅有利於避免支架115在組裝過程中刮到聲阻網118,還有利於縮小支架115、聲阻網118和殼體111之間的裝配間隙,避免聲阻網118晃動。在一些實施例中,聲阻網118可以包括紗網、鋼網或其組合。在一些實施例中,聲阻網118可以透過膠黏等方式預固定在凹陷區1119的底部。在一些實施例中,前腔114設置的聲阻網118與後腔116設置的聲阻抗率可以相同,即出聲孔111a處設置的聲阻網118與至少兩個泄壓孔(例如第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d)處設置的聲阻網118的聲阻抗率可以相同。例如,為了便於結構裝配(例如,降低物料種類和/或避免混料),增加外觀一致性,出聲孔111a處與至少兩個泄壓孔處可以設置相同的聲阻網118。在一些實施例中,前腔114設置的聲阻網118與後腔116設置的聲阻網118的聲阻抗率也可以不同,即出聲孔111a處設置的聲阻網118與至少兩個泄壓孔(例如第一泄壓孔111c與第二泄壓孔111d)處設置的聲阻網118的聲阻抗率可以不同。例如,可以基於前腔
114與後腔116的其他參數(例如,出聲孔111a和/或泄壓孔的面積(或面積比)、每個孔部的深度、長寬比等),透過在前腔114和後腔116設置不同聲阻抗率的聲阻網118,達到預設的輸出效果(例如,透過設置不同聲阻抗率的聲阻網118,使出聲孔111a和泄壓孔處輸出的聲壓接近,從而可以有效降低遠場漏音)。
在一些實施例中,不同聲阻網118可能具有不同的厚度。在一些實施例中,聲阻網118可以具有一定的厚度以維持其與發聲部11之間的結構穩定性。而當聲阻網118的厚度過大時,對應的聲阻較大,相應的聲學孔(例如出聲孔111a、第一泄壓孔111c、第二泄壓孔111d)的聲學輸出性能會受到較大的影響。因此,聲阻網118的厚度需要設置在一定範圍內。以後腔116為例,在一些實施例中,為了維持聲阻網118與發聲部11之間的結構穩定性,並減少對聲學輸出性能的影響,設置於第一泄壓孔111c處和第二泄壓孔111d處的聲阻網118的厚度範圍可以為40μm-150μm。在一些實施例中,設置於第一泄壓孔111c處和第二泄壓孔111d處的聲阻網118的厚度範圍可以為55μm-62μm。在一些實施例中,設置於第一泄壓孔111c處的聲阻網118的上表面與內殼1111的外表面之間的距離可以為0.8mm-0.9mm,設置於第二泄壓孔111d處的聲阻網118的上表面與內殼1111的外表面之間的距離可以為0.7mm-0.8mm。在一些實施例中,不同類型的聲阻網118的網孔密度也可能不一樣,導致對應聲學孔的聲阻不同,從而對對應聲學腔體的輸出造成影響。因此需要對聲阻網118的組成及類型進行設計。
在一些實施例中,為了在防水、防塵的同時提高結構穩定性,可以在第一泄壓孔111c和/或第二泄壓孔111d和/或出聲孔111a處使用鋼網,也可以使用紗網和鋼網的組合。圖31A-圖31F係根據本說明書一些實施例所示的前腔與後腔分別設置不同聲阻網時對應的頻率回應曲線圖。其中,圖31A所示為前腔僅設置不同鋼網時的頻率回應曲線圖,圖31B所示為前腔設置006紗網以及不同鋼網時的頻率回應曲線圖,圖31C所示為前
腔設置010紗網以及不同鋼網時的頻率回應曲線圖,圖31D所示為前腔設置蝕刻鋼網以及不同紗網時的頻率回應曲線圖,圖31E所示為前腔設置006紗網與蝕刻鋼網、後腔設置010紗網以及不同鋼網時的頻率回應曲線圖,圖31F所示為前腔設置006紗網與蝕刻鋼網、後腔設置蝕刻鋼網以及不同紗網時的頻率回應曲線圖。其中,對於不同的紗網,其對應的標稱聲阻抗率由小到大排序為:006紗網、010紗網;對於目數相同、類型不同的鋼網,其對應的標稱聲阻抗率由小到大排序為:蝕刻鋼網、鋼網012、鋼網14。其中,006、010為聲阻參數,例如,006可以表示聲阻抗率在6MKS rayls左右;目數可以指單位面積的聲阻網上的孔眼數目,對於類型相同的聲阻網,目數越大,對應的聲阻抗率越大。
如圖31A-圖31E所示,隨著聲阻網118整體的聲阻抗率增大,頻率回應曲線逐漸下移,即對應輸出聲壓減小,然減小的幅度不明顯。當前腔114設置蝕刻鋼網時,對應的低頻範圍的頻率回應曲線的起伏程度較小,峰谷較少,曲線較平滑。另外,如圖31C或31D所示,當前腔114採用蝕刻鋼網並設置010紗網或006紗網時,對應的低頻範圍的頻率回應曲線的起伏程度相對較小,峰谷相對較少,曲線較為平滑。在一些實施例中,為了提高發聲部11的頻率回應曲線的平滑程度,同時使發聲部11具有較大的輸出聲壓,前腔114設置的聲阻網118可以包括鋼網(例如,蝕刻鋼網),該鋼網的目數可以在60-100範圍內。在一些實施例中,前腔114設置的聲阻網118可以包括鋼網,該鋼網的目數可以在70-90範圍內。在一些實施例中,為了提高發聲部11的頻率回應曲線的平滑程度,同時使發聲部11具有較大的輸出聲壓,前腔114設置的聲阻網118可以包括紗網與鋼網(例如,蝕刻鋼網),該紗網的聲阻抗率可以在2MKS rayls-50MKS rayls範圍內,該鋼網的目數可以在60-100範圍內。在一些實施例中,為了提高發聲部11的頻率回應曲線的平滑程度,同時使發聲部11具有較大的輸出聲壓,前腔114設置的聲阻網118可以包括紗網與鋼網,該紗網的聲阻抗率可以在6MKS rayls-10MKS rayls範圍內,該鋼網的目數可以在75-85範
圍內。在一些實施例中,當前腔114設置的聲阻網118包括鋼網(例如,蝕刻鋼網)或者紗網與鋼網的組合時,該鋼網的聲阻抗率可以在0.1MKS rayls-10MKS rayls範圍內。在一些實施例中,該鋼網的聲阻抗率可以在0.1MKS rayls-3MKS rayls範圍內。
本說明書使用模擬獲得的頻率回應曲線來說明發聲部11具有不同配置時的發聲特性。需要知道的係,在一些實施例中,頻率回應曲線還可以透過測試設備(例如,電聲測試儀)測得。該測試設備可以包括信號激勵設備和聲音採集設備(例如,麥克風)。測試設備可以透過有線或無線(例如,藍牙、WiFi等)的方式與耳機連接,其中的聲音採集設備可以設置在發聲部11附近(例如,出聲孔111a正前方15mm處)。在測量時,測試設備可以向耳機發出激勵信號從而使耳機產生聲音耳機,並透過聲音採集設備採集該聲音。
上文已對基本概念做了描述,顯然,對於本領域通常知識者來說,上述詳細披露僅僅作為示例,而並不構成對本發明的限定。雖然此處並沒有明確說明,本領域通常知識者可能會對本發明進行各種修改、改進和修正。該類修改、改進和修正在本發明中被建議,所以該類修改、改進、修正仍屬於本發明示範實施例的精神和範圍。
11:發聲部
12:耳掛
CE:連接端
FE:自由端
X:厚度方向
Y:長軸方向
Z:短軸方向
Claims (12)
- 一種開放式耳機,其特徵在於,包括:發聲部,包括:換能器,包括振膜,用於在激勵信號的作用下產生聲音;以及殼體,該殼體形成用於容納該換能器的腔體,其中,佩戴狀態下,該殼體朝向用戶耳廓的內側面上開設出聲孔,用於將該振膜前側產生的聲音匯出該殼體後傳向該耳道,該殼體的其它側壁上開設有至少兩個泄壓孔,該至少兩個泄壓孔包括遠離該耳道的第一泄壓孔和靠近該耳道的第二泄壓孔,該第一泄壓孔處的聲壓大於該第二泄壓孔處的聲壓。
- 如請求項1所述的開放式耳機,其中,該第一泄壓孔和該第二泄壓孔分別位於該殼體的不同側面上。
- 如請求項2所述的開放式耳機,其中,該第一泄壓孔的面積與該第二泄壓孔的面積之間的比值在1-5範圍內。
- 如請求項2所述的開放式耳機,其中,該第一泄壓孔的長軸尺寸與短軸尺寸之間的比值在1.3-8範圍內。
- 如請求項4所述的開放式耳機,其中,該第二泄壓孔的長軸尺寸與短軸尺寸之間的比值在1-6範圍內。
- 如請求項2所述的開放式耳機,其中,該出聲孔的面積與該第一泄壓孔和該第二泄壓孔的總面積之間的比值在0.1-0.99範圍內。
- 如請求項6所述的開放式耳機,其中,該振膜將該腔體分為分別與該振膜前側和後側對應的前腔和後腔,其中,該後腔的體積與該前腔的體積之間的比值在0.1-10範圍內,該前腔的諧振頻率與該後腔的諧振頻率之間的比值在0.1-5範圍內。
- 如請求項2所述的開放式耳機,其中,該出聲孔的面積與該第一泄壓孔和該第二泄壓孔的總面積之間的比值在1-10範圍內。
- 如請求項8所述的開放式耳機,其中,該振膜將該腔體分為分別與該振膜前側和後側對應的前腔和後腔,其中,該後腔的體積與該前腔的 體積之間的比值在0.1-10範圍內,該前腔的諧振頻率與該後腔的諧振頻率之間的比值在0.5-10範圍內。
- 如請求項2所述的開放式耳機,其中,該出聲孔的面積與該出聲孔的深度之間的比值在0.31-512.2範圍內。
- 如請求項2所述的開放式耳機,其中,該出聲孔的長軸尺寸與短軸尺寸之間的比值在1-10範圍內。
- 如請求項2所述的開放式耳機,其中,在3.5kHz-4.5kHz範圍內,該出聲孔處的聲壓與該第一泄壓孔處和該第二泄壓孔處的總聲壓之間的比值在0.4-0.6範圍內。
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