WO2024087444A1 - 一种开放式耳机 - Google Patents

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童珮耕
解国林
李永坚
徐江
招涛
武多多
戢澳
齐心
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Abstract

本说明书涉及一种开放式耳机，包括：发声部。发声部包括：换能器，包括振膜，用于在激励信号的作用下产生声音；以及壳体，壳体形成用于容纳换能器的腔体，其中，壳体朝向用户耳廓的内侧面上开设出声孔，用于将振膜前侧产生的声音导出壳体后传向耳道，壳体的其它侧壁上开设有至少两个泄压孔，至少两个泄压孔包括远离耳道的第一泄压孔和靠近耳道的第二泄压孔，第一泄压孔处的声压大于第二泄压孔处的声压。

Description

一种开放式耳机
交叉引用
本申请要求2022年10月28日提交的申请号为202211336918.4的中国申请，2022年12月1日提交的申请号为202223239628.6的中国申请，以及2022年12月30日提交的申请号为PCT/CN2022/144339的国际申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本申请涉及声学技术领域，具体是涉及一种开放式耳机。
背景技术
随着声学输出技术的发展，耳机已广泛地应用于人们的日常生活，其可以与手机、电脑等电子设备配合使用，以便于为用户提供听觉盛宴。按照用户佩戴的方式，声学装置一般可以分为头戴式、耳挂式和入耳式等。耳机的输出性对于用户的使用舒适度具有很大的影响。
因此，有必要提出一种开放式耳机，以提高开放式耳机的输出性能。
发明内容
本说明书实施例提供了一种开放式耳机，可以包括：发声部。所述发声部可以包括：换能器，可以包括振膜，用于在激励信号的作用下产生声音；以及壳体，所述壳体形成用于容纳所述换能器的腔体，其中，佩戴状态下，所述壳体朝向用户耳廓的内侧面上可以开设出声孔，用于将所述振膜前侧产生的声音导出所述壳体后传向所述耳道，所述壳体的其它侧壁上可以开设有至少两个泄压孔，所述至少两个泄压孔包括远离所述耳道的第一泄压孔和靠近所述耳道的第二泄压孔，所述第一泄压孔处的声压可以大于所述第二泄压孔处的声压。
在一些实施例中，所述第一泄压孔和所述第二泄压孔可以分别位于所述壳体的不同侧面上。
在一些实施例中，所述第一泄压孔的面积与所述第二泄压孔的面积之间的比值可以在1-5范围内。
在一些实施例中，所述第一泄压孔的长轴尺寸与短轴尺寸之间的比值可以在1.3-8范围内。
在一些实施例中，所述第二泄压孔的长轴尺寸与短轴尺寸之间的比值可以在1-6范围内。
在一些实施例中，所述第一泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值可以大于所述第二泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值。
在一些实施例中，所述第一泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值可以小于所述第二泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值。
在一些实施例中，所述第一泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值可以等于所述第二泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值。
在一些实施例中，所述出声孔的面积与所述第一泄压孔和所述第二泄压孔的总面积之间的比值可以在0.1-0.99范围内。
在一些实施例中，所述振膜将所述腔体分为分别与所述振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，所述后腔的体积与所述前腔的体积之间的比值可以在0.1-10范围内。
在一些实施例中，所述振膜将所述腔体分为分别与所述振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，所述前腔的谐振频率与所述后腔的谐振频率之间的比值可以在0.1-5范围内。
在一些实施例中，所述出声孔的面积与所述第一泄压孔和所述第二泄压孔的总面积之间的比值可以在1-10范围内。
在一些实施例中，所述振膜将所述腔体分为分别与所述振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，所述后腔的体积与所述前腔的体积之间的比值可以在0.1-10范围内。
在一些实施例中，所述振膜将所述腔体分为分别与所述振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，所述前腔的谐振频率与所述后腔的谐振频率之间的比值可以在0.5-10范围内。
在一些实施例中，所述出声孔的面积与所述出声孔的深度之间的比值可以在0.31-512.2范围内。
在一些实施例中，所述出声孔的长轴尺寸与短轴尺寸之间的比值可以在1-10范围内。
在一些实施例中，在3.5kHz-4.5kHz范围内，所述出声孔处的声压与所述第一泄压孔处和所述第二泄压孔处的总声压之间的比值可以在0.4-0.6范围内。
在一些实施例中，在3.5kHz-4.5kHz范围内，所述出声孔处的声压与所述第一泄压孔处的声压之间的比值可以在0.9-1.1范围内。
在一些实施例中，在3.5kHz-4.5kHz范围内，所述出声孔处的声压与所述第二泄压孔处的声压之间的比值可以在0.9-1.1范围内。
在一些实施例中，所述出声孔处和所述至少两个泄压孔处可以分别设置声阻网。
在一些实施例中，所述出声孔处的声阻网与所述至少两个泄压孔处的声阻网的声阻抗率可以相同。
在一些实施例中，所述出声孔处的声阻网与所述至少两个泄压孔处的声阻网的声阻抗率可以不同。
在一些实施例中，所述出声孔处或所述至少两个泄压孔处设置的声阻网可以包括纱网或钢网。
在一些实施例中，所述出声孔处的声阻网可以包括纱网和蚀刻钢网。
在一些实施例中，所述纱网的声阻抗率可以在2MKS rayls-50MKS rayls范围内。
在一些实施例中，所述钢网的声阻抗率可以在0.1MKS rayls-10MKS rayls范围内。
在一些实施例中，所述第一泄压孔处的声阻网的朝向所述壳体外部的上表面与所述壳体的外表面之间的距离可以在0.8mm-0.9mm范围内。
在一些实施例中，所述第二泄压孔处的声阻网的朝向所述壳体外部的上表面与所述壳体的外表面之间的距离可以在0.7mm-0.8mm范围内。
在一些实施例中，所述至少两个泄压孔处的所述声阻网的厚度可以在40μm-150μm范围内。
附图说明
本申请将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
图1是根据本申请的一些实施例所示的示例性耳部的示意图；
图2是根据本说明书一些实施例所示的开放式耳机的示例性结构图；
图3是根据本说明书一些实施例所示的开放式耳机的示例性佩戴示意图；
图4是是根据本说明书一些实施例所示的另一开放式耳机的示例性佩戴图；
图5是图4所示开放式耳机的另一示例性外部轮廓示意图；
图6是图4所示开放式耳机的另一示例性外部轮廓示意图；
图7是图4所示开放式耳机的另一示例性外部轮廓示意图；
图8是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源的其中一个声源周围设置腔体结构的示例性分布示意图；
图9是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源结构和偶极子声源的其中一个声源周围构建腔体结构的听音原理示意图；
图10是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源结构和偶极子声源的其中一个声源周围构建腔体结构的漏音原理示意图；
图11是根据本说明书一些实施例所示的发声部的示例性内部结构示意图；
图12是根据本说明书一些实施例所示的内壳的示例性结构示意图；
图13A是根据本说明书一些实施例所示的出声孔的示例性位置示意图；
图13B是根据本说明书一些实施例所示的不同位置的出声孔对应的频率响应曲线图；
图14A是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔的示例性位置示意图；
图14B是根据本说明书一些实施例所示的不同位置的第一泄压孔对应的频率响应曲线图；
图15A是根据本说明书一些实施例所示的第二泄压孔的示例性位置示意图；
图15B是根据本说明书一些实施例所示的不同位置的第二泄压孔对应的频率响应曲线图；
图16是根据本说明书一些实施例所示的出声孔不同长宽比对应的前腔的频率响应曲线图；
图17是根据本说明书一些实施例所示的不同长度的出声孔对应的前腔的频率响应曲线图；
图18是根据本说明书一些实施例所示的出声孔不同长宽比对应的频率响应曲线图；
图19是根据本说明书一些实施例所示的不同长度的出声孔对应的频率响应曲线图；
图20是根据本说明书一些实施例所示的不同长度的跑道形出声孔和圆形出声孔对应的频率响应曲线图；
图21是根据本说明书一些实施例所示的后腔的部分结构的示例性结构图；
图22是根据本说明书一些实施例所示的不同大小的夹角α对应的后腔的频率响应曲线图；
图23A是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔与第二泄压孔的不同面积比对应的声阻变化示意图；
图23B是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔与第二泄压孔的不同面积比对应的声质 量变化示意图；
图23C是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔与第二泄压孔的不同面积比对应的辐射声阻变化示意图；
图23D是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔与第二泄压孔的不同面积比对应的辐射声质量变化示意图；
图24A-图24E是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔与第二泄压孔的不同面积比对应的后腔的频率响应曲线图；
图25是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔不同长度取值时的频率响应曲线图；
图26是根据本说明书一些实施例所示的第二泄压孔不同长度取值时的频率响应曲线图；
图27是根据本说明书一些实施例所示的前后腔体积比、出声孔开口面积与声学孔开口面积之比的等值线图；
图28是根据本说明书一些实施例所示的出声孔处不同音量对应的频率响应曲线图；
图29是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔处不同音量对应的频率响应曲线图；
图30是根据本说明书一些实施例所示的第二泄压孔处处不同音量对应的频率响应曲线图；
图31A-图31F是根据本说明书一些实施例所示的前腔与后腔分别设置不同声阻网时对应的频率响应曲线图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本申请应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
应当理解，本文使用的“系统”、“装置”、“单元”和/或“模组”是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配的一种方法。然而，如果其他词语可实现相同的目的，则可通过其他表达来替换所述词语。
如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。
本申请中使用了流程图用来说明根据本申请的实施例的系统所执行的操作。应当理解的是，前面或后面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各个步骤。同时，也可以将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。
图1是根据本申请的一些实施例所示的示例性耳部的示意图。参见图1，耳部100(也可以称为耳廓)可以包括外耳道101、耳甲腔102、耳甲艇103、三角窝104、对耳轮105、耳舟106、耳轮107、耳垂108、耳屏109以及耳轮脚1071。在一些实施例中，可以借助耳部100的一个或多个部位对声学装置的支撑，实现声学装置佩戴的稳定。在一些实施例中，外耳道101、耳甲腔102、耳甲艇103、三角窝104等部位在三维空间中具有一定的深度及容积，可以用于实现声学装置的佩戴需求。例如，声学装置(例如，入耳式耳机)可以佩戴于外耳道101中。在一些实施例中，可以借助耳部100中除外耳道101外的其他部位，实现声学装置(例如，开放式耳机)的佩戴。例如，可以借助耳甲艇103、三角窝104、对耳轮105、耳舟106、耳轮107等部位或其组合实现声学装置的佩戴。在一些实施例中，为了改善声学装置在佩戴方面的舒适度及可靠性，也可以进一步借助用户的耳垂108等部位。通过借助耳部100中除外耳道101之外的其他部位，实现声学装置的佩戴和声音的传播，可以“解放”用户的外耳道101。当用户佩戴声学装置(例如，开放式耳机)时，声学装置不会堵塞用户外耳道101(或耳道、耳道口)，用户既可以接收来自声学装置的声音又可以接收来自环境中的声音(例如，鸣笛声、车铃声、周围人声、交通指挥声等)，从而能够降低交通意外的发生概率。在一些实施例中，可以根据耳部100的构造，将声学装置设计成与耳部100适配的结构，以实现声学装置的发声部在耳部各个不同位置的佩戴。例如，声学装置为开放式耳机时，开放式耳机可以包括悬挂结构(例如，耳挂)和发声部，发声部与悬挂结构通过物理方式进行连接，悬挂结构可以与耳廓的形状相适配，以将发声部的整体或者部分结构置于耳屏109的前侧(例如，图1中虚线围成的区域J)。又例如，在用户佩戴开放式耳机时，发声部的整体或者部分结构可以与外耳道101的上部(例如，耳甲艇103、三角窝104、对耳轮105、耳舟106、耳轮107、耳轮脚1071等一个或多个部位所在的位置)接触。再例如，在用户佩戴开放式耳机时，发声部的整体或者部分结构可以位于耳部100的一个或多个部位(例如，耳甲腔102、耳甲艇103、三角窝104等)所形成的腔体内(例如，图1中虚线围成的至少包含耳甲艇103、三角窝104的区域M1和与至少 包含耳甲腔102的区域M2)。
不同的用户可能存在个体差异，导致耳部存在不同的形状、大小等尺寸差异。为了便于描述和理解，如果没有特别说明，本说明书将主要以具有“标准”形状和尺寸的耳部模型作为参考，进一步描述不同实施例中的声学装置在该耳部模型上的佩戴方式。例如，可以以基于ANSI：S3.36，S3.25和IEC：60318-7标准制得一含头部及其(左、右)耳部的模拟器，例如GRAS45BCKEMAR，作为佩戴声学装置的参照物，以此呈现出大多数用户正常佩戴声学装置的情景。仅仅作为示例，作为参考的耳部可以具有如下相关特征：耳廓在矢状面上的投影在垂直轴方向的尺寸可以在49.5mm-74.3mm的范围内，耳廓在矢状面上的投影在矢状轴方向的尺寸可以在36.6mm-55mm的范围内。因此，本申请中，诸如“用户佩戴”、“处于佩戴状态”及“在佩戴状态下”等描述可以指本申请所述的声学装置佩戴于前述模拟器的耳部。当然，考虑到不同的用户存在个体差异，耳部100中一个或多个部位的结构、形状、大小、厚度等可以具有一定区别，为了满足不同用户的需求，可以对声学装置进行差异化设计，这些差异化设计可以表现为声学装置中一个或多个部位(例如，下文中的发声部、耳挂等)的特征参数可以具有不同范围的数值，以此适应不同的耳部。
需要说明的是：在医学、解剖学等领域中，可以定义人体的矢状面(Sagittal Plane)、冠状面(Coronal Plane)和水平面(Horizontal Plane)三个基本切面以及矢状轴(Sagittal Axis)、冠状轴(Coronal Axis)和垂直轴(Vertical Axis)三个基本轴。其中，矢状面是指沿身体前后方向所作的与地面垂直的切面，它将人体分为左右两部分；冠状面是指沿身体左右方向所作的与地面垂直的切面，它将人体分为前后两部分；水平面是指沿垂直于身体的上下方向所作的与地面平行的切面，它将人体分为上下两部分。相应地，矢状轴是指沿身体前后方向且垂直于冠状面的轴，冠状轴是指沿身体左右方向且垂直于矢状面的轴，垂直轴是指沿身体上下方向且垂直于水平面的轴。进一步地，本申请所述的“耳部的前侧”是一个相对于“耳部的后侧”的概念，前者指耳部背离头部的一侧，后者指耳部朝向头部的一侧。其中，沿人体冠状轴所在方向观察上述模拟器的耳部，可以得到图1所示的耳部的前侧轮廓示意图。
图2是根据本说明书一些实施例所示的开放式耳机的示例性结构图，图3是根据本说明书一些实施例所示的开放式耳机的示例性佩戴示意图，图4是是根据本说明书一些实施例所示的另一开放式耳机的示例性佩戴图。如图2-图4所示，开放式耳机10可以包括发声部11和耳挂12。在一些实施例中，开放式耳机10可以通过耳挂12将发声部11佩戴在用户身体上(例如，人体的头部、颈部或者上部躯干)。
在一些实施例中，开放式耳机10在佩戴状态下，耳挂12的第一部分挂设在用户耳廓和头部之间，第二部分向耳廓背离头部的一侧延伸并连接发声部11，用于将发声部11固定于耳道附近但不堵塞耳道的位置。在一些实施例中，耳挂12可以为与用户耳廓相适配的弧结构，以使耳挂12可以悬挂于用户上耳廓处。在一些实施例中，耳挂12也可以为与用户耳廓相适配的夹持结构，以使耳挂12可以夹持于用户耳廓处。在一些实施例中，耳挂12可以包括但不限于挂钩结构、弹性带等，使得开放式耳机10可以更好地固定在用户身上，防止用户在使用时发生掉落。
在一些实施例中，为了改善开放式耳机10在佩戴状态下的稳定性，开放式耳机10可以采用以下几种方式中的任何一种或其组合。其一，耳挂12的至少部分设置成与耳部的后侧和头部中的至少一者贴合的仿形结构，以增加耳挂12与耳部和/或头部的接触面积，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力。其二，耳挂12的至少部分设置成弹性结构，使之在佩戴状态下具有一定的形变量，以增加耳挂12对耳部和/或头部的正压力，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力。其三，耳挂12至少部分设置成在佩戴状态下抵靠在头部上，使之形成压持耳部的反作用力，以使得发声部11压持在耳部的前侧，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力。其四，发声部11和耳挂12设置成在佩戴状态下从耳部的前后两侧夹持对耳轮所在区域、耳甲腔所在区域等生理部位，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力。其五，发声部11或者与之连接的辅助结构设置成至少部分伸入耳甲腔、耳甲艇、三角窝及耳舟等生理部位内，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力。
在一些实施例中，如图2所示，发声部11可以用于佩戴在用户的身体上，用于产生输入用户耳朵100的声音。在一些实施例中，发声部11可以包括换能器112。换能器112可以包括振膜(例如，如图11所示的振膜1121)，用于在激励信号的作用下产生声音。在一些实施例中，发声部11还可以包括壳体111。壳体111可以形成用于容纳换能器112的腔体。在一些实施例中，壳体111朝向耳廓的内侧面(例如，图6所示的内侧面IS)上可以开设出声孔(例如，如图6所示的出声孔111a)，用于将振膜前侧产生的声音导出壳体111后传向耳道。在一些实施例中，壳体111的其它侧壁上还可以开设有至少两个泄压孔，用于将振膜后侧产生的声音导出壳体111后与出声孔111a导出的声音(例如，远场声音)相消。示例性地，发声部11可以通过出声孔以及两个泄压孔发出具有相位差(例如，相位相 反)的声音，所述具有相位差的声音可以在远场相互干涉，形成降低漏音的效果。在一些实施例中，至少两个泄压孔可以包括第一泄压孔(例如，图12所示的第一泄压孔111c)和第二泄压孔(例如，图12所示的第二泄压孔111d)。当用户佩戴开放式耳机10时，第二泄压孔可以较第一泄压孔更靠近耳道。在一些实施例中，相较于远离耳道的第一泄压孔，靠近耳道的第二泄压孔传出的声波更容易与出声孔传出的声波在近场(例如，耳道)相消。因此，相较于第一泄压孔，第二泄压孔的声压可以较小，以减小第二泄压孔导出的声音与出声孔导出的声音在近场的干涉相消，从而提升开放式耳机10的听音效果。
在一些实施例中，开放式耳机10可以与眼镜、头戴式耳机、头戴式显示装置、AR/VR头盔等产品相结合。在这种情况下，发声部11可以采用悬挂或夹持的方式固定在用户的耳朵100的附近。在一些实施例中，壳体111可以为具有人体耳朵100适配形状的壳体结构，例如，圆环形、椭圆形、多边形(规则或不规则)、U型、V型、半圆形，以便发声部11可以直接挂靠在用户的耳朵100处。在一些实施例中，发声部11可以具有垂直于厚度方向X且彼此正交的长轴方向Y和短轴(或宽度)方向Z。其中，长轴方向Y可以定义为发声部11的二维投影面(例如，发声部11在其外侧面所在平面上的投影，或在矢状面上的投影)的形状中具有最大延伸尺寸的方向(例如，当投影形状为长方形或近似长方形时，长轴方向即长方形或近似长方形的长度方向)。短轴方向Z可以定义为发声部11的二维投影面的形状中垂直于长轴方向Y的方向(例如，当投影形状为长方形或近似长方形时，短轴方向即长方形或近似长方形的宽度方向)。厚度方向X可以定义为垂直于二维投影面的方向(例如，与冠状轴的方向一致，均指向身体左右的方向)。在一些实施例中，当佩戴状态下发声部11处于水平状态时，长轴方向Y可以与矢状轴的方向一致，均指向身体的前后方向，短轴方向Z可以与垂直轴的方向一致，均指向身体的上下方向，如图3所示。在另一些实施例中，当佩戴状态下发声部11处于倾斜状态时，长轴方向Y与短轴方向Z可以仍平行于或近似平行于矢状面，长轴方向Y可以与矢状轴的方向具有一定夹角，即长轴方向Y也相应倾斜设置，短轴方向Z可以与垂直轴的方向具有一定夹角，即短轴方向Z也倾斜设置，如图4所示。
在一些实施例中，当用户佩戴开放式耳机10时，发声部11可以位于用户耳朵100的上方、下方、前侧(例如，耳屏前侧)或耳廓内(例如，耳甲腔中)。
在一些实施例中，开放式耳机10可以包括但不限于气传导耳机、骨气导耳机等。在一些实施例中，当开放式耳机10处于佩戴状态时，可以不堵塞用户的外耳道101，如图3与图4所示。在一些实施例中，开放式耳机10在用户耳平面上的投影可以部分或全部覆盖但不堵塞用户的外耳道101，如图4所示。在一些实施例中，开放式耳机10在用户耳平面上的投影也可以不覆盖用户的外耳道101，如图3所示。
以下以图4所示的开放式耳机10为例，对开放式耳机10进行详细说明。需要知道的是，在不违背相应声学原理的情况下，图4的开放式耳机10的结构以及其对应的参数也可以同样适用于上文中提到的其它构型的开放式耳机中。
请参照图3与图4，在一些实施例中，发声部11可以具有与耳挂12连接的连接端CE和不与耳挂12连接的自由端FE。在一些实施例中，如图4所示，在佩戴状态下，发声部11的自由端FE的至少一部分可以伸入耳甲腔内，在佩戴状态下，沿人体冠状轴所在方向观察，连接端CE可以相较于自由端FE更靠近头顶(如图4与图6所示)，以便于自由端FE伸入耳甲腔内。在一些实施例中，如图3所示，在佩戴状态下，发声部11的自由端FE可以不伸入耳甲腔内，在佩戴状态下，沿人体冠状轴所在方向观察，连接端CE与头顶的距离可以近似等于自由端FE与头顶的距离，例如，连接端CE与自由端FE的连线可以与水平面平行(如图3)。在一些实施例中，在佩戴状态下，发声部11的自由端FE可以不伸入耳甲腔内，沿人体冠状轴所在方向观察，连接端CE可以相较于自由端FE更远离头顶，以避免发声部11遮挡用户的外耳道与耳甲腔。
在一些实施例中，发声部11和耳挂12可以设置成从耳甲腔所对应的耳部区域的前后两侧共同夹持前述耳部区域，从而增加开放式耳机10从耳部上脱落的阻力，进而改善开放式耳机10在佩戴状态下的稳定性。例如，自由端FE可以在厚度方向X上压持在耳甲腔内。再例如，自由端FE在长轴方向Y和短轴方向Z上抵接在耳甲腔内。需要说明的是，在佩戴状态下，发声部11的自由端FE除了伸入耳甲腔内之外，也可以正投影落在对耳轮上，还可以正投影落在头部的左右两侧且在人体矢状轴上位于耳部前侧的位置上。换言之，耳挂12可以支撑发声部11佩戴至耳甲腔、对耳轮、耳部前侧等佩戴位。
图5是图4所示开放式耳机的另一示例性外部轮廓示意图，图6是图4所示开放式耳机的另一示例性外部轮廓示意图，图7是图4所示开放式耳机的另一示例性外部轮廓示意图。
如图4-图7所示，在一些实施例中，发声部11可以具有在佩戴状态下沿厚度方向X朝向耳部 的内侧面IS和背离耳部的外侧面OS，以及连接内侧面IS和外侧面OS的连接面。在佩戴状态下，沿冠状轴所在方向(即厚度方向X)观察，发声部11可以设置成圆形、椭圆形、圆角正方形、圆角矩形等形状。其中，当发声部11设置成圆形、椭圆形等形状时，上述连接面可以指发声部11的弧形侧面；而当发声部11设置成圆角正方形、圆角矩形等形状时，上述连接面可以包括后文中提及的下侧面LS、上侧面US和后侧面RS。因此，为了便于描述，本实施例以发声部11设置成圆角矩形为例进行示例性的说明。在一些实施例中，发声部11可以具有沿短轴方向Z设置的上侧面US和下侧面LS，以及连接上侧面US和下侧面LS的后侧面RS，其中，上侧面US在佩戴状态下位于沿短轴方向Z朝向头顶的一端，后侧面RS在佩戴状态下位于长轴方向Y朝向脑后的一端，自由端FE位于后侧面RS。在一些实施例中，长轴方向Y的正方向可以指向自由端FE，短轴方向Z的正方向可以指向上侧面US，厚度方向X的正方向可以指向外侧面OS。在一些实施例中，壳体111在佩戴状态下朝向耳部的内侧面IS设置有出声孔111a，换能器112产生的声波经由出声孔111a传播而出，以便于传入外耳道101。值得注意的是：出声孔111a也可以设置在壳体111的下侧面LS，还可以设置在前述内侧面IS与下侧面LS之间的拐角处。
在一些实施例中，第一泄压孔和第二泄压孔可以设置于壳体111上的不同侧面上。例如，在Z方向上，第一泄压孔可以设置于壳体111的上侧面US，第二泄压孔可以设置于壳体111的下侧面LS。采用上述设置可以破坏后腔(即振膜后侧对应的腔体)中驻波，使得两个泄压孔导出至壳体111外部的声音的谐振频率尽可能地高，从而使得后腔的频响具有较宽的平坦区域(例如，在谐振峰之前的区域)，并在中高频范围内(例如2kHz-6kHz)获得更好的降漏音效果。
由于耳甲腔具有一定的容积及深度，使得自由端FE伸入耳甲腔内之后，发声部11的内侧面IS与耳甲腔之间能够具有一定的间距。换言之，发声部11在佩戴状态下与耳甲腔可以配合形成与外耳道连通的类腔体结构，壳体111上的出声孔可以至少部分位于所述类腔体结构内，第一泄压孔与第二泄压孔可以位于所述类腔体结构外。如此，在佩戴状态下，换能器112的振膜产生的并经由出声孔传播而出的声波会受到前述类腔体结构的限制，也即所述类腔体结构可以聚拢声波，使得声波能够更多地传播至外耳道内，从而提高用户在近场听到的声音的音量和音质，有利于改善开放式耳机10的声学效果。进一步地，由于发声部11可以设置成在佩戴状态下不堵住外耳道，使得所述类腔体结构可以呈半开放式设置。如此，换能器112产生的并经由出声孔传播而出的声波，可以经由发声部11与耳部之间的缝隙(例如，耳甲腔未被发声部11覆盖的一部分)传播至开放式耳机10及耳部的外部，从而在远场形成第一漏音；另外，经由壳体111上的第一泄压孔和/或第二泄压孔传播出去的声波可以在远场形成第二漏音，所述第一漏音的相位和第二漏音的相位(接近)互为反相，使得两者能够在远场反相相消，从而有利于降低开放式耳机10在远场的漏音。
图8是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源的其中一个声源周围设置腔体结构的示例性分布示意图。如图8所示，偶极子声源之间设有腔体结构41时，使得其中一个偶极子声源和听音位置在腔体结构41的内部，另外一个偶极子声源在腔体结构41的外部。本说明书中，“腔体结构”可以理解为由发声部11的侧壁与耳甲腔结构共同围成的半封闭结构，该半封闭结构使得内部与外部环境并非完全密闭隔绝，而是具有与外部环境声学联通的泄漏结构42(例如，开口、缝隙、管道等)。示例性的泄漏结构可以包括但不限于开口、缝隙、管道等，或其任意组合。
在一些实施例中，腔体结构41中可以包含听音位置和至少一个声源。这里的“包含”可以表示听音位置和声源至少有一者在腔体内部，也可以表示听音位置和声源至少有一者在腔体内部边缘处。在一些实施例中，听音位置可以是耳道入口，也可以是耳朵声学参考点。
图9是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源结构和偶极子声源的其中一个声源周围构建腔体结构的听音原理示意图。图10是根据本说明书一些实施例所示的偶极子声源结构和偶极子声源的其中一个声源周围构建腔体结构的漏音原理示意图。
对于近场听音来说，如图9所示的其中一个声源周围构建有腔体结构的偶极子，由于其中一个声源A被腔体结构包裹，其辐射出来的声音大部分会通过直射或反射的方式到达听音位置。相对地，在没有腔体结构的情况，声源辐射出的声音大部分不会到达听音位置。因此，腔体结构的设置使得到达听音位置的声音音量得到显著提高。同时，腔体结构外的反相声源B辐射出来的反相声音只有较少的一部分会通过腔体结构的泄漏结构进入腔体结构。这相当于在泄漏结构处生成了一个次级声源B’，其强度显著小于声源B，亦显著小于声源A。次级声源B’产生的声音在腔体内对声源A产生相消的效果微弱，使听音位置的听音音量显著提高。
对于漏音来说，如图10所示，声源A通过腔体的泄漏结构向外界辐射声音相当于在泄漏结构处生成了一个次级声源A’，由于声源A辐射的几乎所有声音均从泄漏结构输出，且腔体的结构尺度远 小于评价漏音的空间尺度(相差至少一个数量级)，因此可认为次级声源A’的强度与声源A相当。对于外界空间来说，次级声源A’与声源B产生的声音在远场的相消效果与声源A与声源B产生的声音在远场的相消效果相当。即该腔体结构下，仍然保持了相当的降漏音效果。
应当理解的是，上述一个开口的泄漏结构仅为示例，腔体结构的泄漏结构可以包含一个或一个以上的开口，其也能实现较优的听音指数，其中，听音指数可以指漏音指数α的倒数1/α。以设置两个开口结构为例，下面分别分析等开孔和等开孔率的情况。以只开一个孔的结构作为对比，这里的“等开孔”指设置两个尺寸与只开一个孔的结构相同的开口，“等开孔率”指设置的两个孔开口面积之和与只开一个孔的结构相同。等开孔相当于将只开一个孔的相对开口大小(即腔体结构上泄漏结构的开口面积S与腔体结构中受被包含的声源直接作用的面积S0的比值)扩大了一倍，由之前所述，其整体的听音指数会下降。在等开孔率的情况，即使S/S0与只开一个孔的结构相同，但两个开口至外部声源的距离不同，因而也会造成不同的听音指数。
图11是根据本说明书一些实施例所示的发声部的示例性内部结构示意图。如图11所示，在一些实施例中，换能器112可以包括振膜1121。振膜1121与壳体111之间可以形成第一声学腔体，出声孔111a可以设置于壳体111上包围形成第一声学腔体的区域，第一声学腔体可以通过出声孔111a与壳体111外部连通。在一些实施例中，第一声学腔体可以位于振膜1121的前侧，即第一声学腔体可以作为前腔114。
在一些实施例中，壳体111的腔体内可以设置有支架115，支架115与换能器112之间可以围设形成第二声学腔体(第二声学腔体可以作为后腔116)，且使得第二声学腔体与壳体111内的其他结构(例如，主控电路板等)隔开，这样有利于改善发声部11的声学输出。在一些实施例中，支架115与换能器112之间围设形成的声学腔体可以与换能器112内部的声学腔体共同作为第二声学腔体。在一些实施例中，第二声学腔体可以位于振膜1121的后侧。壳体111上可以设置有声学孔(例如，第一泄压孔111c和/或第二泄压孔111d)，支架115上可以设置有连通所述声学孔和后腔116的声学通道1151，以便于后腔116与外部环境连通，也即空气可以自由地进出后腔116，从而有利于降低换能器112的振膜1121在低频大振幅过程中的阻力，提高换能器的低频输出能力。
图12是根据本说明书的一些实施例所示的开放式耳机的发声部11的内壳的示例性结构示意图。在一些实施例中，内壳1111可以包括底壁1113以及与底壁1113连接的第一侧壁1114。其中，沿短轴方向Z观察，在连接端CE指向自由端FE的参考方向(例如图11及图12中箭头Y的反方向)上，第一侧壁1114靠近自由端FE的部分在厚度方向X上逐渐靠近底壁1113，以使得分模面111b在靠近自由端FE的方向上向内壳1111所在一侧倾斜。在一些实施例中，出声孔111a可以设置在底壁1113上。在一些实施例中，出声孔111a也可以设置在第一侧壁1114对应于下侧面LS的一侧，还可以设置在第一侧壁1114与底壁1113之间的拐角处。在图12中的箭头Z的方向上，第一泄压孔111c设置在第一侧壁1114对应壳体111的上侧面US的一侧，第二泄压孔111d设置在第一侧壁1114对应壳体111的下侧面LS的一侧。
在一些实施例中，第一泄压孔111c具有第一中心，第二泄压孔111d具有第二中心，出声孔111a具有第三中心。在长轴方向Y上，第二中心可以相较于第一中心更远离第三中心。在一些实施例中，出声孔111a的第三中心可以位于第一泄压孔111c的第一中心与第二泄压孔111d的第二中心连线的中垂面上或者中垂面附近，以尽可能地拉大第一泄压孔111c和第二泄压孔111d与出声孔111a之间的距离。需要知道的是，由于出声孔111a、第一泄压孔111c及第二泄压孔111d等声学孔设置在壳体111上，壳体111的各个侧壁均具有一定厚度，因此，声学孔均为具有一定深度的孔洞。此时，每个声学孔均具有内开口和外开口。为便于描述，在本申请中，上述及下述出声孔的中心可以指出声孔的外开口的形心，上述及下述第一泄压孔的中心可以指第一泄压孔的外开口的形心，上述及下述第二泄压孔的中心可以指第二泄压孔的外开口的形心。
在一些实施例中，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d可以在Y方向上错位设置，以使得第一泄压孔111c与第二泄压孔111d不被耳屏遮挡。在一些实施例中，第一泄压孔111c可以相较于第二泄压孔111d更远离连接端CE。出声孔111a的第三中心可以位于第一泄压孔111c的第一中心与第二泄压孔111d的第二中心连线的中垂面上，以使各个泄压孔尽可能远离出声孔。在一些实施例中，为了使得出声孔111a更靠近耳道，出声孔111a在Z方向上可以位于壳体111靠近第二泄压孔111d的一侧而非中间位置，如图12所示。
图13A是根据本说明书一些实施例所示的出声孔的示例性位置示意图，图13B是根据本说明书一些实施例所示的不同位置的出声孔对应的频率响应曲线图。在一些实施例中，图13B所示的各曲线为仿真曲线。请参照图13A，在发声部11的内侧面IS中，以内侧面IS的中心(即内侧面IS在Y方 向以及Z方向上的中点)为原点、Z方向的正方向为Px1轴正方向、Y方向的正方向为Py1轴正方向建立坐标系，则出声孔111a的第三中心在内侧面IS上的位置可以表示为(Px1，Py1)，单位为mm。例如，(0，-4)表示在Px1轴正方向上，出声孔111a的第三中心与内侧面IS的中心距离为0mm，且在Py1轴反方向上，所述第三中心与内侧面IS的中心距离为4mm。在一些实施例中，基于出声孔111a的第三中心的坐标，可以确定出声孔111a的第三中心与发声部11的下侧面LS(或上侧面US)及自由端FE(或连接端CE)的距离。其中，所述第三中心与下侧面LS(或上侧面US)的距离可以指在Px1轴方向上，第三中心与下侧面LS(或上侧面US)的最远距离；所述第三中心与自由端FE(或连接端CE)的距离可以指在Py1轴方向上，第三中心与自由端FE(或连接端CE)的最远距离。
图13B示出了当出声孔111a位于内侧面IS上的不同位置，当其他结构(例如，第一泄压孔111c、第二泄压孔111d等)固定时(例如，第一泄压孔111c在上侧面US的中心，第二泄压孔111d在下侧面LS上靠近连接端CE的位置(例如，在发声部11的长轴方向Y上，第二泄压孔111d与连接端CE的距离不大于发声部11总长度的1/3))，出声孔111a正前方(即X方向的反方向)15mm处仿真得的频率响应曲线。请参照图13B，当出声孔111a位于内侧面IS上的不同位置时，发声部11的频率响应曲线在4kHz-6kHz范围内具有第一谐振峰，且在4.5kHz左右具有第二谐振峰。其中，第一谐振峰由前腔114谐振产生，第二谐振峰由后腔116谐振产生。对比位置(0，0)、(0，5)以及(0，7)对应的频率响应曲线可知，当出声孔111a的位置向Py1轴正方向移动时，发声部11的第一谐振峰由高频向低频移动，且对应的频率响应曲线在中低频(例如，100Hz-1500Hz)的幅值减小。而由于泄压孔的位置和结构等参数不变，后腔116的振动特性基本不变，图13B所示的第二谐振峰变化不大。另外，当出声孔111a的位置向Py1轴正方向移动时，例如，当出声孔111a的位置为(0，7)时，发声部11的频率响应曲线在4kHz-6kHz范围还具有较低的谐振谷V。由此，为了使得第一谐振峰的频率尽可能高，并且前腔对应的频率响应在中低频有更高的幅值，出声孔111a可以位于内侧面IS的中心的背离Py1轴正方向的一侧，例如，出声孔111a可以更靠近发声部11的自由端FE。通过设置出声孔111a与发声部11的自由端FE之间的距离，可以提升发声部11在中低频的幅值，且使得发声部11在较宽的频率范围内具有平滑的频率响应曲线，提高发声部11的整体(例如，在100Hz-10000Hz范围内)输出效果。在一些实施例中，出声孔111a的第三中心与后侧面RS(或自由端FE)的距离可以在8mm-12mm范围内。在一些实施例中，出声孔111a的第三中心与后侧面RS(自由端FE)的距离可以在9mm-11mm范围内。在一些实施例中，出声孔111a的第三中心与后侧面RS(自由端FE)的距离可以在10mm-11mm范围内。在一些实施例中，为了提升耳机的美观度及佩戴舒适度，发声部11的后侧面RS可以为弧面。当后侧面RS为弧面时，某位置(例如，出声孔112的第三中心)到后侧面RS的距离可以指该位置到后侧面RS的距发声部11的中心最远且平行于发声部11短轴的切面的距离。对比位置(0，0)、(2，0)以及(4，0)对应的频率响应曲线可知，当出声孔111a的位置向Px1轴正方向移动时，发声部11的谐振峰由高频向低频移动，且对应的频率响应曲线在中低频(例如，100Hz-1500Hz)的幅值减小。由此，为了使得第一谐振峰的频率尽可能高，并且前腔对应的频率响应在中低频有更高的幅值，出声孔111a可以位于内侧面IS的中心的背离Px1轴正方向的一侧，例如，出声孔111a可以更靠近发声部11的下侧面LS。通过设置出声孔111a与下侧面LS的距离，可以提升发声部11在中低频的幅值，且使得发声部11在较宽的频率范围内具有平滑的频率响应曲线，提高发声部11的整体(例如，在100Hz-10000Hz范围内)输出效果。在一些实施例中，出声孔111a的第三中心与发声部11的下侧面LS的距离可以在3mm-8mm范围内。在一些实施例中，出声孔111a的第三中心与发声部11的下侧面LS的距离可以在4mm-6mm范围内。在一些实施例中，出声孔111a的第三中心与发声部11的下侧面LS的距离可以在4.5mm-5.5mm范围内。
图14A是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔的示例性位置示意图，图14B是根据本说明书一些实施例所示的不同位置的第一泄压孔对应的频率响应曲线图。在一些实施例中，图14B所示的各曲线为仿真曲线。在一些实施例中，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d可以设置在壳体111上与后腔116对应的区域内。由此，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d在X方向上的位置与后腔116的尺寸相关。在一些实施例中，第一泄压孔111c的第一中心(或第二泄压孔111d的第二中心)与内侧面IS的距离可以在4mm-8mm范围内。在一些实施例中，第一泄压孔111c的第一中心与内侧面IS的距离可以在5mm-7mm范围内。在一些实施例中，第一泄压孔111c的第一中心与内侧面IS的距离可以在5mm-6mm范围内。在一些实施例中，在X方向上，第一泄压孔111c的第一中心与第二泄压孔111d的第二中心的位置可以视为相对固定，仅考虑第一泄压孔111c的第一中心与第二泄压孔111d的第二中心在Y方向上的不同位置。相应地，图14A和14B所述的第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的位置可以指第一泄压孔111c与第二泄压孔111d沿Y方向的不同位置。
请参照图14A，在上侧面US中，以上侧面US在Y方向上尺寸的中点为原点、Y方向的反方向为Px2轴正方向、X方向的反方向为Py2轴正方向建立坐标系。其中，第一泄压孔111c的第一中心的Py2可以视为固定值，仅考虑不同Px2对应的不同位置。第一泄压孔111c的第一中心在上侧面US上的位置可以表示为(Px2，Py2)，单位为mm。例如，(4，Py2)表示在Px2轴正方向上，第一泄压孔111c的第一中心与原点距离为4mm。在一些实施例中，基于第一泄压孔111c的第一中心的Px2，可以确定第一泄压孔111c的第一中心与发声部11的自由端FE的距离。
图14B示出了当第一泄压孔111c位于上侧面US上的不同位置，当其他结构(例如，出声孔111a、第二泄压孔111d等)固定时(例如，出声孔111a位于内侧面IS的中心，第二泄压孔111d位于下侧面LS上靠近连接端CE的位置)，出声孔111a正前方(即X方向的反方向)15mm处仿真得的频率响应曲线。如图14B所示，当第一泄压孔111c位于上侧面US上的不同位置时，发声部11的频率响应曲线在4.5kHz左右具有第一谐振峰(如图14B中虚线圈A所示)且在5.5kHz左右具有第二谐振峰(如图14B中虚线圈B所示)。其中，第一谐振峰由后腔116谐振产生，第二谐振峰由前腔114谐振产生。当第一泄压孔111c的Px2逐渐从-3.2mm增大至3.2mm时(即第一泄压孔111c沿Y方向的反方向移动)，发声部11的频率响应曲线的第一谐振峰由低频向高频有较小幅度的移动。而由于出声孔111a的位置不变，前腔114的振动特性基本不变，第二谐振峰变化不大。由此，为了使得第一谐振峰的频率尽可能高，第一泄压孔111c可以位于上侧面US的中心的朝向Px2正方向的一侧，例如，第一泄压孔111c可以位于上侧面US在Y方向上尺寸的中点位置或更靠近发声部11的自由端FE，从而可以使得发声部11在较宽的频率范围内具有平滑的频率响应曲线，提高发声部11的整体(例如，在100Hz-10000Hz范围内)输出效果。在一些实施例中，第一泄压孔111c的第一中心与后侧面RS(自由端FE)的距离可以在11mm-15mm范围内。在一些实施例中，第一泄压孔111c的第一中心与后侧面RS(自由端FE)的距离可以在12mm-14mm范围内。在一些实施例中，第一泄压孔111c的第一中心与后侧面RS(自由端FE)的距离可以在13mm-14mm范围内。
图15A是根据本说明书一些实施例所示的第二泄压孔的示例性位置示意图，图15B是根据本说明书一些实施例所示的不同位置的第二泄压孔对应的频率响应曲线图。在一些实施例中，图15B所示的各曲线为仿真曲线。
请参照图15A，在下侧面LS中，以下侧面LS在Y方向上尺寸的中点为原点、Y方向的反方向为Px3轴正方向、X方向的反方向为Py3轴正方向建立坐标系。其中，第二泄压孔111d的第二中心的Py3可以视为固定值，仅考虑不同Px3对应的不同位置。第二泄压孔111d的第二中心在下侧面LS上的位置可以表示为(Px3，Py3)，单位为mm。例如，(-2，Py2)表示在Px3轴负方向上，第二泄压孔111d的第二中心距离原点2mm。在一些实施例中，基于第二泄压孔111d的第二中心的Px3，即可确定第二泄压孔111d的第二中心与发声部11的自由端FE的距离。
图15B示出了当第二泄压孔111d位于下侧面LS上的不同位置，当其他结构(例如，出声孔111a、第一泄压孔111c等)固定时(例如，出声孔111a位于内侧面IS的中心，第一泄压孔111c位于上侧面US的中心)，出声孔111a正前方(即X方向的反方向)15mm处仿真得的频率响应曲线。如图15B所示，当第二泄压孔111d位于下侧面LS上的不同位置时，发声部11的频率响应曲线在4.5kHz左右具有第一谐振峰(如图15B中虚线圈C所示)且在5.5kHz左右具有第二谐振峰(如图15B中虚线圈D所示)。当第二泄压孔111d的第二中心的Px3逐渐从-4.5mm增大至-1mm时(即第二泄压孔111d沿Y方向的反方向移动)，发声部11的频率响应曲线的第一谐振峰由低频向高频有较小幅度的移动，第二峰值变化不大。当第二泄压孔111d的第二中心的Px3逐渐从-1mm增大至4.5mm时(即第二泄压孔111d继续沿Y方向的反方向移动)，发声部11的频率响应曲线的第一谐振峰由高频向低频有较小幅度的移动，第二峰值变化不大。在一些实施例中，结合图11和图12及其描述，第一泄压孔111c可以相较于第二泄压孔111d更远离连接端CE。也就是说，相较于第一泄压孔111c，第二泄压孔111d可以更远离自由端FE。由此，可以通过设置第二泄压孔111d与自由端FE的距离，在满足结构设计的基础上，保证发声部11的整体(例如，在100Hz-10000Hz范围内)输出效果。例如，第一泄压孔111c可以位于上侧面US在Y方向上尺寸的中点位置或更靠近发声部11的连接端CE的位置。在一些实施例中，第二泄压孔111d的第二中心与后侧面RS(自由端FE)的距离可以在15mm-18mm范围内。在一些实施例中，第二泄压孔111d的第二中心与后侧面RS(自由端FE)的距离可以在16mm-17.5mm范围内。在一些实施例中，第二泄压孔111d的第二中心与后侧面RS(自由端FE)的距离可以在16mm-17mm范围内。
在一些实施例中，前腔114与出声孔111a(或者后腔116与第一泄压孔111c和/或第二泄压孔111d)可以近似看作一个亥姆霍兹共振腔模型。以前腔114为例，前腔114可以为亥姆霍兹共振腔模型 的腔体，出声孔111a为亥姆霍兹共振腔模型的颈部。该亥姆霍兹共振腔模型的共振频率为前腔114的谐振频率f1。
在亥姆霍兹共振腔模型中，颈部(例如，出声孔111a)的尺寸可以影响到腔体(例如，前腔114)的谐振频率f，具体关系如公式(1)所示：
其中，c代表声速，S代表颈部(例如出声孔111a)的开口面积(或称为横截面积)，V代表腔体(例如前腔114)的体积，L代表颈部(例如出声孔111a)的深度。对于前腔114，其谐振频率为f1，则出声孔111a的开口面积可以为S1，前腔114的体积可以为V1，出声孔111a的深度可以为L1。需要知道的是，壳体111的各个侧壁均具有一定厚度，因此，声学孔均为具有一定深度的孔洞。此时，每个声学孔均具有内开口和外开口。为便于描述，在本说明书中，出声孔的开口面积可以指出声孔的内开口的面积，泄压孔的面积可以指泄压孔的内开口的面积。
为了提升开放式耳机10的出声效果，发声部11的频率响应曲线需要具有较宽的平坦区域，因此前腔114的谐振频率f1可以设置较高，以增大前腔114的频率响应曲线的平坦区域的范围。在一些实施例中，前腔114的谐振频率f1可以在1kHz-10kHz范围内。在一些实施例中，前腔114的谐振频率f1可以在4kHz-7kHz范围内。在一些实施例中，前腔114的谐振频率f1可以在6kHz以上。
由公式(1)可知，当增加出声孔111a的开口面积S1或减小出声孔111a的深度L1时，前腔114的谐振频率f1向高频移动。
在振膜1121振动过程中，前腔114中的空气随着振膜1121的振动而被压缩或膨胀，所述被压缩或膨胀的空气可以带动出声孔处的空气柱来回运动，进而引起空气柱向外辐射声音。在一些实施例中，出声孔111a内的空气柱具有质量，所述质量可以对应出声孔111a的声质量。所述声质量可以作为声阻抗的一部分，从而影响发声部11的声学输出。由此，出声孔111a的尺寸也会对出声孔111a的声质量Ma造成影响，具体关系如公式(2)所示：
其中，ρ代表空气密度。
由公式(2)可知，出声孔111a的开口面积S1增加或深度L1减小，出声孔111a的声质量Ma减小。
图16是根据本说明书一些实施例所示的不同横截面积的出声孔对应的发声部11的频率响应曲线图。如图16所示，当出声孔111a的横截面积S从2.875mm2增大至46mm2时，出声孔111a的声质量Ma从800kg/m4减小到50kg/m4，前腔114的谐振频率f1从4kHz左右逐渐升高至8kHz左右。需要注意的是，图16中所示的200kg/m4和800kg/m4等参数仅代表出声孔111a的理论声质量，与出声孔111a的实际声质量可能会存在误差。
为了在提高前腔114的谐振频率f1的同时，保证出声孔111a的声质量Ma，出声孔111a的开口面积S1需要具有合适的取值范围内。另外，出声孔111a的开口面积过大，可能对开放式耳机100的外观、结构强度等其他方面产生一定的影响。由此，在一些实施例中，出声孔111a的开口面积S1的取值范围可以为2.875mm2-46mm2。在一些实施例中，出声孔111a的开口面积S1的取值范围可以为8mm2-30mm2。在一些实施例中，出声孔111a的开口面积S1的取值范围可以为10mm2-26mm2。仅作为示例，出声孔111a的开口面积S1的取值可以为11mm2-15mm2(例如，11.49mm2)。再例如，出声孔111a的开口面积S1的取值可以为25mm2-26mm2(例如，25.29mm2)。
图17是根据本说明书一些实施例所示的不同深度的出声孔对应的前腔114的频率响应曲线图。如图17所示，出声孔111a的深度L1从0.3mm增加至3mm时，出声孔111a的声质量Ma从100kg/m4增加到1000kg/m4，前腔114的谐振频率f1从7kHz左右降低至3.7kHz左右。
为了保证前腔114具有足够大的谐振频率，出声孔111a的深度L1的取值越小越好。但是由于出声孔111a设置于壳体111上，因此出声孔111a的深度即为壳体111的厚度。壳体111的厚度过小时，可能会对开放式耳机10的结构强度造成影响，且相应的加工工艺难度较高。在一些实施例中，出声孔111a的深度L1的取值范围可以为0.3mm-3mm。在一些实施例中，出声孔111a的深度L1的取值范围可以为0.3mm-2mm。在一些实施例中，出声孔111a的深度L1的取值可以为0.3mm-1mm。
在一些实施例中，出声孔111a的横截面积S1的取值范围为2.875mm2-46mm2，出声孔111a的深度L1的取值范围可以为0.3mm-3mm时，对应的出声孔111a的横截面积S1与深度L1的平方之比S1/L1 2的取值范围可以为0.31-512.2。在一些实施例中，出声孔111a的横截面积S1与深度L1的平方之比S1/L1 2的取值范围可以为1-400。在一些实施例中，出声孔111a的横截面积S1与深度L1的平方之比 S1/L1 2的取值范围可以为3-300。在一些实施例中，出声孔111a的横截面积S1与深度L1的平方之比S1/L1 2的取值范围可以为5-200。在一些实施例中，出声孔111a的横截面积S1与深度L1的平方之比S1/L1 2的取值范围可以为10-50。
在一些实施例中，出声孔111a的形状也会对出声孔111a的声阻造成影响。例如，出声孔111a越狭长，出声孔111a的声阻也较大，不利于前腔114的声学输出。因此，为了保证出声孔111a产生较好的低频输出，也为了提高出声孔111a输出的声音音量，出声孔111a的长轴尺寸(即出声孔111a的横截面的长度Lf)与短轴尺寸(即出声孔111a的横截面的宽度Wf)之比(或称为出声孔111a的长宽比)需要在预设的适当取值范围内。在一些实施例中，出声孔111a的形状可以包括但不限于圆形、椭圆形、跑道形等。在一些实施例中，出声孔111a可以采用跑道形(如图12所示)，其中，跑道形的两端可以为劣弧形或半圆形。此时出声孔111a的长轴尺寸可以是指出声孔111a在Y方向上的最大尺寸，出声孔111a的短轴尺寸可以是指出声孔111a在Z方向上的最大尺寸。
图18是根据本说明书一些实施例所示的出声孔不同长宽比对应的频率响应曲线图。其中，图18中示出的为出声孔111a在同一横截面积(例如，S1＝22.5mm2)下的不同长宽比对应的频率响应曲线。图18所示的各曲线为仿真曲线。在一些实施例中，如图18所示，对于出声孔111a的长宽比(Lf/Wf)的不同取值，随着长宽比从1逐渐增大至10，前腔114的频响曲线在低频和中高频(例如，100Hz～3.5kHz)范围内的声压逐渐降低(例如，出声孔长宽比为10时在3kHz处的声压较出声孔长宽比为1时在3kHz处的声压低2.3dB)，其在高频的谐振频率逐渐向高频移动，谐振峰的幅值逐渐降低。在一些实施例中，当出声孔111a的横截面积一定时，为了保证前腔114的频响曲线在低频的频响较强，出声孔111a的横截面的长度Lf与宽度Wf之间的比值可以在1-10范围内。在一些实施例中，出声孔111a的横截面的长度Lf与宽度Wf之间的比值可以为2-7。在一些实施例中，出声孔111a的横截面的长度Lf与宽度Wf之间的比值可以为2-3。在一些实施例中，出声孔111a的横截面的长度Lf与宽度Wf之间的比值可以为2。
图19是根据本说明书一些实施例所示的不同长度的出声孔对应的频率响应曲线图。为了方便说明，这里将出声孔111a的横截面的长度Lf与宽度Wf之间的比值设为2，出声孔111a的形状为跑道形。出声孔111a的宽度固定时，通过出声孔111a的长度Lf可以确定相对应的开口面积S1。由图19可得，发声部11的频率响应曲线在4.5kHz左右具有第一谐振峰且在3.5kHz-10kHz范围内有变化的第二谐振峰。其中，第一谐振峰对应后腔116产生的谐振峰，第二谐振峰对应前腔114产生的谐振峰。随着出声孔111a的长度Lf从3mm逐渐增大至11mm(出声孔111a的开口面积S1也随之增大)，频响曲线的第二谐振峰逐渐向高频移动，第一谐振峰基本不变。其中，当出声孔111a的长度Lf增加到4mm(出声孔111a的开口面积S1增大至7.1416mm2)后，继续增加出声孔111a的长度Lf(出声孔111a的开口面积S1的增大)，频响曲线的第二谐振峰的峰值降低，此时第一谐振峰的峰值仍在4.5kHz左右。在一些实施例中，谐振峰向高频移动，可以增大频响曲线平坦区域的范围。同时峰值大的谐振峰也会使得开放式耳机10的高频更加充足，使得开放式耳机10有更好的音质。在一些实施例中，为了使得第二谐振峰的频率尽可能高，出声孔111a的长度Lf可以具有相对较大的取值，但同时为了不降低第二谐振峰对应的高频输出且考虑发声部11的结构稳定性，出声孔111a的长度Lf可以不大于17mm，出声孔111a的宽度Wf可以不大于10mm。在一些实施例中，出声孔111a的长度Lf可以为2mm-11mm。在一些实施例中，出声孔111a的长度Lf可以为3mm-11mm。在一些实施例中，出声孔111a的长度Lf可以为3mm-16mm。在一些实施例中，出声孔111a的长度Lf可以为5mm-13mm。在一些实施例中，出声孔111a的长度Lf可以为6mm-9mm。
在一些实施例中，基于长度Lf以及长度Lf与宽度Wf之间的比值，可以确定出声孔111a的宽度Wf。例如，出声孔111a的横截面的长度Lf与宽度Wf之间的比值可以为2，则出声孔111a的宽度Wf可以为1.5mm-5.5mm。对应的跑道形的出声孔111a的面积可以为4.02mm2-54mm2。通过设置出声孔111a的长度Lf的范围，可以在增大频响曲线平坦区域的范围从而提升开放式耳机10音质的同时，兼顾发声部11的结构设计。仅作为示例，跑道形的出声孔111a的面积为11.5mm2左右，相应可以确定出声孔111a的长度Lf为5mm-6mm，出声孔111a的宽度Wf为2.5mm-3mm。结合图19可知，在该尺寸范围内，可以使得开放式耳机10在较宽频率范围具有平坦的频响曲线以及充足的高频输出；另外，该面积的取值相对较小，也有利于结构的稳定性。
图20是根据本说明书一些实施例所示的不同长度的跑道形出声孔和圆形出声孔对应的频率响应曲线图。图20所示的圆形出声孔的长度可以指圆形的直径。根据图20可知，圆形出声孔对应的频响曲线的变化趋势与跑道型出声孔的频响曲线相似。由此，为了增大频响曲线平坦区域的范围，同时考虑发声部11的结构设计，圆形出声孔的长度可以为2mm-17mm。在一些实施例中，圆形出声孔的长度 可以为3mm-16mm。在一些实施例中，圆形出声孔的长度可以为5mm-13mm。在一些实施例中，圆形出声孔的长度可以为6mm-9mm。继续参照图20，当长度相同时，相较于跑道型出声孔，圆形出声孔对应的频响曲线向低频移动，且圆形出声孔对应的声压幅值略大于跑道型出声孔对应的声压幅值。在一些实施例中，为了使开放式耳机10在较宽频率范围具有平坦的频响曲线，出声孔的形状可以选择跑道型。另外，跑道型出声孔的宽度较圆形出声孔更窄，更便于发声部11的外观和结构的设计。
图21是根据本说明书一些实施例所示的后腔的部分结构的示例性结构图。请参照图11与图21，在一些实施例中，支架115与换能器112之间可以围设形成第二声学腔体，所述第二声学腔体可以作为后腔116。
在一些实施例中，为了提升开放式耳机10的声学输出性能，后腔116的频率响应曲线需要具有较宽的平坦区域，因此后腔116的谐振频率f2可以设置地较大。在一些实施例中，后腔116的谐振频率f2可以在2kHz-8kHz范围内。在一些实施例中，后腔116的谐振频率f2可以在2kHz-6kHz范围内。在一些实施例中，后腔116的谐振频率f2可以在3kHz-5kHz范围内。在一些实施例中，后腔116的谐振频率f2可以为4.5kHz。在一些实施例中，为了使得由前述声学孔形成的第二漏音可以与出声孔111a在远场形成的第一漏音更好地相互抵消，后腔116的谐振频率f2可以与前腔114的谐振频率f1接近或相等。在一些实施例中，后腔116的谐振频率f2可以与前腔114的谐振频率f1的差值可以不大于2kHz。在一些实施例中，后腔116的谐振频率f2可以与前腔114的谐振频率f1的差值可以不大于1kHz。在一些实施例中，后腔116的谐振频率f2可以与前腔114的谐振频率f1的差值可以不大于500Hz。在一些实施例中，后腔116的谐振频率f2可以与前腔114的谐振频率f1的差值可以不大于200Hz。
在一些实施例中，后腔116和前述壳体111上设置的声学孔(例如第一泄压孔111c和/或第二泄压孔111d)的结合同样可以看作一个亥姆霍兹共振腔模型。其中，后腔116可以作为亥姆霍兹共振腔模型的腔体，声学孔可以作为亥姆霍兹共振腔模型的颈部。所述亥姆霍兹共振腔模型的共振频率为后腔116的谐振频率f2，声学孔的开口面积可以为S2，后腔的体积可以为V2，声学孔的深度可以为L2。其中，S2可以与第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的开口面积相关，L2可以第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的深度相关。
由前文的公式(1)可知，当后腔116的体积V减小，后腔116的谐振频率f2增大。因此为了使后腔116具有足够大的谐振频率f2，后腔116的体积可以足够小。
但是后腔116的体积也会对后腔116的声容Ca造成影响，后腔116的声容Ca变化，会导致后腔116的容抗特性发生改变，进而影响到后腔116的振动特性。后腔116的体积与后腔116的声容Ca的具体关系如公式(3)所示：
其中，ρ代表空气密度，c代表声音速度，V代表后腔116的体积。
结合公式(1)与公式(3)可知，当后腔116的体积V增加，后腔116的声容Ca增加，对应的后腔116的谐振频率f2减小。为了使得后腔116的谐振频率f2较大，后腔116的体积和声容应该较小，也就是说，后腔116的体积V需要具有适当的取值范围。
如图21所示，在一些实施例中，后腔116的截面可以由两个垂直的边和一个曲边构成，连接曲边的两个端点，可以将该截面(例如，截面ABC)近似看作一个三角形。其中，斜边AC由支架115上形成的曲面与两条直边接触形成的两个端点的连线构成，两个直边AB与BC由换能器112的盆架1123构成，其中斜边AC与直边BC之间具有夹角α。在一些实施例中，由于换能器112的盆架1123在直边BC所在区域上需要设置透声孔(未示出)，为保证声学性能，直边BC的长度可以视为不变，可以通过调整直边AB的长度，从而调节夹角α的大小，进而改变三角形ABC的面积以调节后腔116的体积。在一些实施例中，由于透声孔的限制，直边BC的长度不小于0.67mm。在一些实施例中，直边BC的长度可以不小于0.7mm。在一些实施例中，由于夹角α的取值具有范围限制，因此后腔116的体积V的取值也具有范围限制。
图22是根据本说明书一些实施例所示的不同大小的夹角α对应的后腔的频率响应曲线图。如图22所示，当减小直边AB的长度以使夹角α从67.6°减小至45°时，后腔116的体积V减小，对应的后腔116的声容Ca从7×10-12m3/Pa减小至2.88×10-12m3/Pa，但是后腔116的谐振频率f2从4.5kHz左右增大至6kHz左右。当增大直边AB的长度以使夹角α从67.6°增大至79.11°时，后腔116的体积V增大，对应的后腔116的声容Ca从7×10-12m3/Pa增大至15×10-12m3/Pa，但是后腔116的谐振频率f2从4.5kHz左右减小至3kHz左右。需要说明的是，图22中所示的7×10-12m3/Pa、15×10-12m3/Pa等参数仅代表理论上后腔116的体积所对应的声容值，与实际数据可能存在误差。在一些实施例中，为了使后腔116具有相对较大的谐振频率f2，后腔116中的夹角α的取值范围可以为45°-80°。在一些实施例中， 后腔116中的夹角α的取值范围可以为60°-70°。在一些实施例中，后腔116中的夹角α的取值范围可以为67°-68°。
在一些实施例中，结合图11和图12及其描述，出声孔111a的第三中心位于第一泄压孔111c的第一中心与第二泄压孔111d的第二中心连线的中垂面上或是中垂面的附近，出声孔111a在Z方向上位于壳体111靠近第二泄压孔111d的一侧而非中间位置。而由于出声孔111a靠近外耳道设置，因此第二泄压孔111d距离外耳道更近，第一泄压孔111c距离外耳道更远。相较于第一泄压孔111c，第二泄压孔111d传出的声波更容易与出声孔111a传出的声波在近场相消。因此，第二泄压孔111d处的声压幅值可以小于第一泄压孔111c处的声压幅值，进而增大耳道处的听音音量。在一些实施例中，相较于第一泄压孔111c，第二泄压孔111d的声阻可以较大。例如，第二泄压孔111d的尺寸可以小于第一泄压孔111c的尺寸，从而使第二泄压孔111d的声阻可以具有相对较大的声阻。例如，第一泄压孔111c的面积可以大于第二泄压孔111d的面积。
图23A是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔与第二泄压孔的不同面积比对应的声阻变化示意图，图23B是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔与第二泄压孔的不同面积比对应的声质量变化示意图，图23C是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔与第二泄压孔的不同面积比对应的辐射声阻变化示意图，图23D是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔与第二泄压孔的不同面积比对应的辐射声质量变化示意图，图24A-图24E是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔与第二泄压孔的不同面积比对应的后腔的频率响应曲线图。需要说明的是，图23A-图23D中的声阻、声质量、辐射声阻以及辐射声质量还随频率发生变化，因此图23A-图23D中所示的取值均为1kHz处的声阻、声质量、辐射声阻以及辐射声质量。图23A-图23D以及图24A-图24E中，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比改变，但是第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的总面积不变。其中，辐射声阻可以指声源(例如，第一泄压孔111c和/或第二泄压孔111d)因向外辐射声音而产生的阻抗，可以用于描述声源的辐射特性。辐射声阻可以包括辐射阻和辐射抗，其中，辐射阻加了声源辐射声音时的阻尼作用和能耗，辐射抗可以等效于在声源表面质量上附加了一个辐射质量，即辐射声质量。在一些实施例中，辐射声阻和/或辐射声质量越大，表示声源在辐射声音时克服的阻力和/或消耗的能量越大在一些实施例中，辐射声阻和辐射声质量可以如公式(5)和公式(6)所示：

其中，Z代表辐射声阻，ρ代表空气密度，c代表声速，S代表声源对应的面积(例如，第一泄压孔111c和/或第二泄压孔111d的面积)，M代表辐射声质量。由如公式(5)和公式(6)可知，辐射声阻和辐射声质量可以与声源对应的面积相关(例如，负相关)。
由图23A-图23D可知，随着第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比从1逐渐增大至5，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的总声阻(即第一泄压孔111c的声阻与第二泄压孔111d1的声阻之和)、总声质量、总辐射声阻、总辐射声质量均逐渐增大。且第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比为5时的总声阻远大于第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比为2时的总声阻。
由图24A-图24E可知，当第一泄压孔111c的面积大于第二泄压孔111d的面积时(例如，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比大于1时)，第二泄压孔111d处的声压幅值小于第一泄压孔111c处的声压幅值。另外，随着第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比从1逐渐增大至5，第二泄压孔111d处的频率响应曲线逐渐整体下移，位于第一泄压孔111c处的频率响应曲线的下方，且两条曲线的距离逐渐增大，即第二泄压孔111d的声压幅值与第一泄压孔111c的声压幅值的差值随着第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积的比值的增大而逐渐增大，由此，可以通过调整第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积的比值来调整第二泄压孔111d的声压幅值与第一泄压孔111c的声压幅值的差值范围。
结合图23A-24E，可以通过设置第一泄压孔111c的面积大于第二泄压孔111d的面积，使得第二泄压孔111d处的声阻大于第一泄压孔111c处的声阻，第二泄压孔111d处的声压幅值小于第一泄压孔111c处的声压幅值，进而可以减小第二泄压孔111d的漏音，增大耳道处的听音音量。在一些实施例中，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的之间的声阻差异过大时，可能使第二泄压孔111d处的声压过小，从而影响第二泄压孔111d传播出的声波远场的降漏音效果。另外，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的之间的声阻差异过大时，可能不利于破坏后腔中的驻波，从而不利于提高两个泄压孔导出至壳体111外部的声音的谐振频率。因此，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比不宜过大。在一些实施例中，为了使后腔116的频率响应曲线具有较大范围的平坦区域，同时保证耳道处的听音音量， 第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比可以小于5。在一些实施例中，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比的取值范围可以为1-4。在一些实施例中，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比的取值范围可以为1-3。在一些实施例中，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比的取值范围可以为1.2-1.9。在一些实施例中，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比的取值范围可以为1.4-1.7。
在一些实施例中，第一泄压孔111c的面积也可以等于第二泄压孔111d的面积。例如，如图3所示，在佩戴状态下，发声部11的自由端FE可以不伸入耳甲腔内。所述发声部11的第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的面积比可以为1。
在一些实施例中，泄压孔(例如，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d)的形状也会对泄压孔的声质量造成影响。另一方面，狭长形状的泄压孔的声阻也较大，不利于后腔116的声学输出。因此，泄压孔的长轴尺寸与短轴尺寸之比需要在预设的适当取值范围内。在一些实施例中，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的形状可以包括但不限于圆形、椭圆形、跑道形等。在一些实施例中，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d可以采用跑道形(如图12所示)，其中，跑道形的两端可以为劣弧形或半圆形。此时第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的长轴尺寸(即各自对应横截面的长度)可以是指第一泄压孔111c与第二泄压孔111d在Y方向上的尺寸，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d的短轴尺寸(即各自对应横截面的宽度)可以是指第一泄压孔111c与第二泄压孔111d在Z方向上的尺寸。
在一些实施例中，由于第一泄压孔111c以及第二泄压孔111d与后腔116连通。根据公式(1)可知，后腔116的体积过大时不利于提高后腔116的谐振频率。而由于后腔116体积的限制，泄压孔的宽度不宜过大。在一些实施例中，第一泄压孔111c的宽度Wm的取值范围可以为1mm-3mm，第二泄压孔111d的宽度Wn的取值范围可以为1mm-3mm。
图25是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔不同长度取值时的频率响应曲线图。如图25所示，当第一泄压孔111c的长度Lm为0mm时，表示第一泄压孔111c堵塞，发声部11对应的频率响应曲线的第一谐振峰(如图25中虚线圈G所示)的频率在3kHz左右，频率响应曲线的平坦区域范围较小，且平坦区域(例如，300Hz-2500Hz)对应的幅值较小，第二谐振峰(如图25中虚线圈H所示)在5.5kHz附近。其中，第一谐振峰由后腔116谐振产生，第二谐振峰由前腔114谐振产生。当第一泄压孔111c的长度Lm从2mm逐渐增大至8mm时，第一谐振峰逐渐向高频移动，例如从3.8kHz左右逐渐增大至4.7kHz左右，第二谐振峰位置基本不变。
在一些实施例中，可以使后腔116的谐振频率f2具有较大的取值，从而使频响曲线具有较大范围的平坦区域，提升开放式耳机10的输出性能。在一些实施例中，第一泄压孔111c的长度Lm可以大于4mm。由于当第一泄压孔111c的长度Lm增加至8mm后，频率响应曲线的谐振频率向高频变化较为缓慢，变化不明显。在一些实施例中，为了提高壳体111的稳定性以及第一泄压孔的防水性和防尘性，第一泄压孔111c的长度Lm可以小于8mm。在一些实施例中，第一泄压孔111c的长度Lm可以在4mm-8mm的范围内。在一些实施例中，第一泄压孔111c的长度Lm可以在5mm-7mm的范围内。在一些实施例中，第一泄压孔111c的长度Lm可以在5mm-6mm的范围内。在一些实施例中，通过使后腔116的谐振频率f2(即图25中的第一谐振峰对应的频率)有较大的取值，还可以使后腔116谐振频率f2与前腔的谐振频率f1(即图25中的第二谐振峰对应的频率)相接近，一方面可以实现更好地远场降漏音的效果，另一方面也可以避免发声部11的频率响应出现较多的峰谷，从而提升开放式耳机10的声音输出性能。
结合上述的第一泄压孔111c的长度Lm以及宽度Wm的取值范围，可以确定第一泄压孔111c的长度Lm与宽度Wm之间的比值，使后腔116对应的频响曲线具有较大范围的平坦区域，提升开放式耳机10的声音输出性能。在一些实施例中，第一泄压孔111c的长度Lm与宽度Wm之间的比值可以在1.3-8范围内。在一些实施例中，第一泄压孔111c的长度Lm与宽度Wm之间的比值可以在2-7范围内。在一些实施例中，第一泄压孔111c的长度Lm与宽度Wm之间的比值可以在3-6范围内。
在一些实施例中，基于第一泄压孔111c的长度Lm以及宽度Wm的取值范围，可以确定第一泄压孔111c的开口面积范围。在一些实施例中，第一泄压孔111c的开口面积范围可以为3.7mm2-23mm2。在一些实施例中，第一泄压孔111c的开口面积范围可以为4mm2-22mm2。在一些实施例中，第一泄压孔111c的开口面积范围可以为10mm2-20mm2。
图26是根据本说明书一些实施例所示的第二泄压孔不同长度取值时的频率响应曲线图。如图26所示，当第二泄压孔111d的长度Ln为0mm时，表示第二泄压孔111d堵塞，发声部11对应的频率响应曲线的第一谐振峰(如图26中虚线圈I所示)频率在2.4kHz左右，频率响应曲线的平坦区域范围较小，且平坦区域(例如，300Hz-2500Hz)对应的幅值较小，第二谐振峰(如图26中虚线圈J所示) 在5.5kHz附近。其中，第一谐振峰由后腔116谐振产生，第二谐振峰由前腔114谐振产生。当第二泄压孔111d的长度Ln从3mm逐渐增大至6mm时，第一谐振峰逐渐向高频移动，从4.4kHz左右逐渐增大至4.9kHz左右，第二谐振峰位置基本不变。
为了使第一谐振频率具有较大的取值，从而使频率响应曲线具有较大范围的平坦区域，提升开放式耳机10的输出性能，在一些实施例中，第二泄压孔111d的长度Ln可以大于3mm。由于当第二泄压孔111d的长度Ln增加至6mm后，频率响应曲线的谐振频率向高频变化较为缓慢，变化不明显。在一些实施例中，为了提高壳体111的稳定性以及第二泄压孔的防水性和防尘性，第二泄压孔111d的长度Ln可以小于6mm。在一些实施例中，第二泄压孔111d的长度Ln可以在2mm-6mm的范围内。在一些实施例中，第二泄压孔111d的长度Ln可以在3mm-6mm的范围内。在一些实施例中，第二泄压孔111d的长度Ln可以在4mm-5mm的范围内。在一些实施例中，通过使后腔116的谐振频率f2(即图26中的第一谐振峰对应的频率)有较大的取值，还可以使后腔116谐振频率f2与前腔的谐振频率f1(即图26中的第二谐振峰对应的频率)相接近，一方面可以实现更好地远场降漏音的效果，另一方面也以避免发声部11的频率响应出现较多的峰谷，从而提升开放式耳机10的声音输出性能。
结合上述的第二泄压孔111d的长度Ln以及宽度Wn的取值范围，可以确定第二泄压孔111d的长度Ln与宽度Wn之间的比值，使后腔116对应的频响曲线具有较大范围的平坦区域，提升开放式耳机10的声音输出性能。在一些实施例中，第二泄压孔111d的长度Ln与宽度Wn之间的比值可以在1-6范围内。在一些实施例中，第二泄压孔111d的长度Ln与宽度Wn之间的比值可以在2-5范围内。在一些实施例中，第二泄压孔111d的长度Ln与宽度Wn之间的比值可以在3-4范围内。
在一些实施例中，基于第二泄压孔111d的长度Ln以及宽度Wn的取值范围，可以确定第二泄压孔111d的开口面积范围。在一些实施例中，第二泄压孔111d的开口面积范围可以为2.5mm2-17mm2。在一些实施例中，第二泄压孔111d的开口面积范围可以为2mm2-16mm2。在一些实施例中，第二泄压孔111d的开口面积范围可以为4mm2-14mm2。在一些实施例中，第二泄压孔111d的开口面积范围可以为6mm2-10mm2。
在一些实施例中，第一泄压孔111c的长度Lm与宽度Wx之间的比值可以大于第二泄压孔111d的长度Ln与宽度Wn之间的比值。例如，在第一泄压孔111c的宽度Wm与第二泄压孔111d的宽度Wn接近的情况下，第一泄压孔111c的长度Lm与宽度Wm之间的比值大于第二泄压孔111d的长度Ln与宽度Wn之间的比值可以使得第一泄压孔111c的面积大于第二泄压孔111d的面积，从而使第一泄压孔111c的声阻相对较小。相应地，第二泄压孔111d处的声压幅值可以小于第一泄压孔111c处的声压幅值，从而以减小第二泄压孔111d的漏音，增大耳道处的听音音量。
在一些实施例中，第一泄压孔111c的长度Lm与宽度Wm之间的比值可以小于第二泄压孔111d的长度Ln与宽度Wn之间的比值。例如，在第一泄压孔111c的长度Lm与第二泄压孔111d的长度Ln接近的情况下，第一泄压孔111c的长度Lm与宽度Wm之间的比值小于第二泄压孔111d的长度Ln与宽度Wn之间的比值可以使得第一泄压孔111c的面积大于第二泄压孔111d的面积，从而使第一泄压孔111c的声阻相对较小。相应地，第二泄压孔111d处的声压幅值可以小于第一泄压孔111c处的声压幅值，从而以减小第二泄压孔111d的漏音，增大耳道处的听音音量。
在一些实施例中，第一泄压孔111c的长度Lm与宽度Wm之间的比值可以等于第二泄压孔111d的长度Ln与宽度Wn之间的比值。例如，如图3所示，在佩戴状态下，发声部11的自由端FE可以不伸入耳甲腔内。所述发声部11第一泄压孔111c的长度Lm与宽度Wm之间的比值可以等于第二泄压孔111d的长度Ln与宽度Wn之间的比值。相应地，第一泄压孔111c的声阻可以等于第二泄压孔111d的声阻。
在一些实施例中，为了使得由声学孔形成的第二漏音可以与出声孔111a在远场形成的第一漏音更好地相互抵消，后腔116的谐振频率f2可以与前腔114的谐振频率f1接近或相等。根据公式(1)，前腔114的谐振频率f1与后腔116的谐振频率f2的比值为：
根据公式(4)，前腔114的谐振频率f1与后腔116的谐振频率f2之间的比值可以与前后腔的体积之比、出声孔开口面积与声学孔开口面积之比、以及出声孔深度与声学孔深度之比相关。可以基于其中部分参数(例如，出声孔开口面积与声学孔开口面积之比)设置其他参数(例如，前后腔的体积之比)的范围，使得声学孔形成的第二漏音可以与出声孔111a在远场形成的第一漏音更好地相互抵消，改善开放式耳机10的输出效果。
图27是根据本说明书一些实施例所示的前后腔体积比、出声孔开口面积与声学孔开口面积之 比的等值线图。在一些实施例中，如图27所示，前后腔体的谐振频率之间的比值的范围可以与出声孔的面积与泄压孔的面积之间的比值以及前后腔体的体积之间的比值相关。由此，可以通过设置出声孔的面积与泄压孔的面积之间的比值以及前后腔体的体积之间的比值，使得前后腔体的谐振频率之间的比值在目标范围内。例如，请参照图27，如果使前腔114的谐振频率f1与后腔116的谐振频率f2的比值f1/f2的取值范围为0.1-3，出声孔111a的开口面积S1可以小于第一泄压孔111c和第二泄压孔111d的总开口面积，例如，出声孔111a的开口面积S1与第一泄压孔111c和第二泄压孔111d的总开口面积S2之间的比值S1/S2可以在0.1-0.99范围内，后腔116的体积V2与前腔114的体积V1的比值V2/V1的取值范围可以为0.1-10。再例如，如果使前腔114的谐振频率f1与后腔116的谐振频率f2的比值f1/f2的取值范围可以为0.5-2，则出声孔111a的开口面积S1与第一泄压孔111c和第二泄压孔111d的总开口面积S2之间的比值S1/S2可以在0.2-0.7之间，后腔116的体积V2与前腔114的体积V1的比值V2/V1的取值范围可以为1-7。
在一些实施例中，出声孔111a的开口面积S1可以大于第一泄压孔111c和第二泄压孔111d的总开口面积。例如，出声孔111a的开口面积S1与第一泄压孔111c和第二泄压孔111d的总开口面积S2之间的比值S1/S2可以在1-10范围内，后腔116的体积V2与前腔114的体积V1的比值V2/V1的取值范围可以为0.1-10，根据图27，对应的前腔114的谐振频率f1与后腔116的谐振频率f2的比值f1/f2的取值范围可以为0.5-10。再例如，出声孔111a的开口面积S1与第一泄压孔111c和第二泄压孔111d的总开口面积S2之间的比值S1/S2可以在3-9之间，后腔116的体积V2与前腔114的体积V1的比值V2/V1的取值范围可以为2-6，根据图27，前腔114的谐振频率f1与后腔116的谐振频率f2的比值f1/f2的取值范围可以为1-8。
在一些实施例中，参考图27所示的等值线，可以基于V2/V1确定S1/S2的取值范围，或者，可以基于S1/S2确定V2/V1的取值范围，使得后腔116的谐振频率f2可以与前腔114的谐振频率f1接近或相等，进而使得声学孔形成的第二漏音可以与出声孔111a在远场形成的第一漏音更好地相互抵消，改善开放式耳机10的输出效果。例如，根据公式(1)可知，为了使后腔116具有足够大的谐振频率f2，后腔116的体积V2可以相对较小，例如，V2/V1可以小于1。结合图27，如果使后腔116的谐振频率f2可以与前腔114的谐振频率f1接近或相等(例如，f1/f2值约为1)，S1/S2的取值范围可以为1-2.5。
仅作为示例，前腔114的体积V1可以在190mm3-220mm3范围内；后腔116的体积V2可以在60mm3-80mm3范围内。相应地，在一些实施例中，V2/V1的值可以在0.2-0.4范围内。在一些实施例中，V2/V1的值可以在0.25-0.45范围内。
在一些实施例中，结合图16-图26的相关的描述，可以调整出声孔111a的开口面积S1与第一泄压孔111c和第二泄压孔111d的总开口面积S2之间的比值S1/S2的范围，使得开放式耳机具有较好的输出效果。例如，出声孔111a的长度Lf可以3mm-11mm，出声孔111a的横截面的长度Lf与宽度Wf之间的比值为2，对应的跑道形的出声孔111a的面积可以为4.02mm2-54mm2。第一泄压孔111c的长度Lm可以为6mm，宽度Wm可以为1.5mm，对应的第一泄压孔111c的面积可以为8.51mm2，第二泄压孔111d的长度Ln可以为3mm，宽度Wn可以为1.5mm，对应的第二泄压孔111d的面积可以为4.02mm2。由此，出声孔a的开口面积S1与第一泄压孔111c和第二泄压孔111d的总开口面积S2之间的比值S1/S2可以为0.32-4.31。再例如，第一泄压孔111c的长度Lm可以为2mm-8mm，宽度Wm可以为1.5mm，第一泄压孔111c的面积为2.517mm2-11.5171mm2；第二泄压孔111d的长度Ln可以为3mm-6mm，宽度Wn可以为1.5mm，第二泄压孔111d的面积为4.017mm2-8.5171mm2。出声孔111a的长度Lf可以为5mm，宽度Wf可以为2.5mm，对应的面积S1为11.16mm2。由此，出声孔a的开口面积S1与第一泄压孔111c和第二泄压孔111d的总开口面积S2之间的比值为0.56-1.71。
结合图27，当V2/V1在0.25-0.45范围内，S1/S2在0.32-4.31范围内时，f1/f2在0.5-1.5范围内；当V2/V1在0.25-0.45范围内，S2/S2在0.56-1.71范围内时，f1/f2值在0.5-0.9范围内。可以看出，可以基于上述范围确定体积比和/或面积比，使得后腔116的谐振频率f2可以与前腔114的谐振频率f1接近或相等。
图28是根据本说明书一些实施例所示的出声孔处不同音量对应的频率响应曲线图，图29是根据本说明书一些实施例所示的第一泄压孔处不同音量对应的频率响应曲线图，图30是根据本说明书一些实施例所示的第二泄压孔处处不同音量对应的频率响应曲线图。如图28-图30所示，随着音量从最大音量逐渐减小，出声孔111a处的声压、第一泄压孔111c处的声压、第二泄压孔111d处的声压均逐渐降低。
需要说明的是，出声孔111a处的声压、第一泄压孔111c处的声压、第二泄压孔111d处的声压，分别指与出声孔111a距离4mm处、与第一泄压孔111c距离4mm处、与第二泄压孔111d距离4 mm处的声压。在对各孔的声压进行测量的过程中，不对其他孔造成堵塞。例如，在测量出声孔111a处的声压时，第一泄压孔111c与第二泄压孔111d未被遮挡或堵塞。
在一些实施例中，结合图8-图10及其描述，通过设置类腔体结构，可以使泄压孔(第一泄压孔111c或第二泄压孔111d)发出的声波与出声孔111a产生的漏音在远场相消，从而有利于降低远场漏音，并且泄压孔发出的声波对近场听音影响较小。由此，在一些实施例中，可以使泄压孔(第一泄压孔111c或第二泄压孔111d)处的声压幅值与出声孔111a处的声压幅值接近，从而在有效降低远场漏音的同时不影响近场听音。在一些实施例中，为了有效降低远场漏音，在特定频率范围内(例如，在3.5kHz-4.5kHz范围内)，出声孔111a处的声压与第一泄压孔111c处声压之间的比值可以在0.8-1.2范围内。在一些实施例中，出声孔111a处的声压与第一泄压孔111c处声压之间的比值可以在0.9-1.1范围内。在一些实施例中，出声孔111a处的声压与第一泄压孔111c处的声压之间的比值可以在0.95-1.05范围内。在一些实施例中，为了有效降低远场漏音，出声孔111a处的声压与第二泄压孔111d处的声压之间的比值可以在0.8-1.2范围内。在一些实施例中，出声孔111a处的声压与第二泄压孔111d处的声压之间的比值可以在0.9-1.1范围内。在一些实施例中，出声孔111a处的声压与第二泄压孔111d处的声压之间的比值可以在0.95-1.05范围内。在一些实施例中，为了有效降低远场漏音，出声孔111a处的声压与第一泄压孔111c处和第二泄压孔111d处的总声压之间的比值可以在0.4-0.6范围内。在一些实施例中，出声孔111a处的声压与第一泄压孔111c处和第二泄压孔111d处的总声压之间的比值可以在0.45-0.55范围内。需要知道的是，所述的出声孔111a处的声压以及第一泄压孔111c处的声压、第二泄压孔111d处的声压，是指同一音量下对应频率处各自对应的声压。
结合图28-图30，在最大音量下，4000Hz时，出声孔111a的声压为103.54dB，第一泄压孔111c的声压为104.5dB，第二泄压孔111d的声压为100.74dB。此时，出声孔111a处的声压分别与第一泄压孔111c处的声压以及第二泄压孔111d处的声压接近，从而可以有效降低远场漏音。
请参照图11与图12，在一些实施例中，壳体111的内侧可以设置有一个或多个凹陷区1119，第一泄压孔111c和/或第二泄压孔111d和/或出声孔111a可以分别设置在凹陷区1119的底部。在一些实施例中，凹陷区1119内可以设置有声阻网118。设置于前腔114的声阻网118(即设置于与出声孔111a对应的凹陷区1119处的声阻网118)可以用于调节前腔114对应谐振峰的幅值，设置于后腔116的声阻网118(即设置于与第一泄压孔111c以及第二泄压孔111d对应的凹陷区1119处的声阻网118)可以用于调节后腔116的谐振峰的幅值。在一些实施例中，声阻网118也可以起到防水防尘作用。对于设置于后腔116的声阻网118，支架115可以将声阻网118压持在凹陷区1119的底部上，不仅有利于避免支架115在组装过程中刮到声阻网118，还有利于缩小支架115、声阻网118和壳体111之间的装配间隙，避免声阻网118晃动。在一些实施例中，声阻网118可以包括纱网、钢网或其组合。在一些实施例中，声阻网118可以通过胶粘等方式预固定在凹陷区1119的底部。在一些实施例中，前腔114设置的声阻网118与后腔116设置的声阻抗率可以相同，即出声孔111a处设置的声阻网118与至少两个泄压孔(例如第一泄压孔111c与第二泄压孔111d)处设置的声阻网118的声阻抗率可以相同。例如，为了便于结构装配(例如，降低物料种类和/或避免混料)，增加外观一致性，出声孔111a处与至少两个泄压孔处可以设置相同的声阻网118。在一些实施例中，前腔114设置的声阻网118与后腔116设置的声阻网118的声阻抗率也可以不同，即出声孔111a处设置的声阻网118与至少两个泄压孔(例如第一泄压孔111c与第二泄压孔111d)处设置的声阻网118的声阻抗率可以不同。例如，可以基于前腔114与后腔116的其他参数(例如，出声孔111a和/或泄压孔的面积(或面积比)、每个孔部的深度、长宽比等)，通过在前腔114和后腔116设置不同声阻抗率的声阻网118，达到预设的输出效果(例如，通过设置不同声阻抗率的声阻网118，使出声孔111a和泄压孔处输出的声压接近，从而可以有效降低远场漏音)。
在一些实施例中，不同声阻网118可能具有不同的厚度。在一些实施例中，声阻网118可以具有一定的厚度以维持其与发声部11之间的结构稳定性。而当声阻网118的厚度过大时，对应的声阻较大，相应的声学孔(例如出声孔111a、第一泄压孔111c、第二泄压孔111d)的声学输出性能会受到较大的影响。因此，声阻网118的厚度需要设置在一定范围内。以后腔116为例，在一些实施例中，设置于第一泄压孔111c处和第二泄压孔111d处的声阻网118的厚度范围可以为35μm-300μm。在一些实施例中，设置于第一泄压孔111c处和第二泄压孔111d处的声阻网118的厚度范围可以为40μm-150μm。在一些实施例中，设置于第一泄压孔111c处和第二泄压孔111d处的声阻网118的厚度范围可以为50μm-65μm。在一些实施例中，设置于第一泄压孔111c处和第二泄压孔111d处的声阻网118的厚度范围可以为55μm-62μm。在一些实施例中，设置于第一泄压孔111c处的声阻网118的上表面与壳体1111的外表面之间的距离可以为0.8mm-0.9mm，设置于第二泄压孔111d处的声阻网118的上表面与壳体 1111的外表面之间的距离可以为0.7mm-0.8mm。在一些实施例中，设置于第一泄压孔111c处的声阻网118的上表面与壳体1111的外表面之间的距离可以为0.82mm-0.88mm，设置于第二泄压孔111d处的声阻网118的上表面与壳体1111的外表面之间的距离可以为0.72mm-0.76mm。在一些实施例中，设置于第一泄压孔111c处的声阻网118的上表面与壳体1111的外表面之间的距离可以为0.86mm，设置于第二泄压孔111d处的声阻网118的上表面与壳体1111的外表面之间的距离可以为0.73mm。在一些实施例中，不同类型的声阻网118的网孔密度也可能不一样，导致对应声学孔的声阻不同，从而对对应声学腔体的输出造成影响。因此需要对声阻网118的组成及类型进行设计。
在一些实施例中，为了在防水、防尘的同时提高结构稳定性，可以在第一泄压孔111c和/或第二泄压孔111d和/或出声孔111a处使用钢网，也可以使用纱网和钢网的组合。图31A-图31F是根据本说明书一些实施例所示的前腔与后腔分别设置不同声阻网时对应的频率响应曲线图。其中，图31A所示为前腔仅设置不同钢网时的频率响应曲线图，图31B所示为前腔设置006纱网以及不同钢网时的频率响应曲线图，图31C所示为前腔设置010纱网以及不同钢网时的频率响应曲线图，图31D所示为前腔设置蚀刻钢网以及不同纱网时的频率响应曲线图，图31E所示为前腔设置006纱网与蚀刻钢网、后腔设置010纱网以及不同钢网时的频率响应曲线图，图31F所示为前腔设置006纱网与蚀刻钢网、后腔设置蚀刻钢网以及不同纱网时的频率响应曲线图。其中，对于不同的纱网，其对应的标称声阻抗率由小到大排序为：006纱网、010纱网；对于目数相同、类型不同的钢网，其对应的标称声阻抗率由小到大排序为：蚀刻钢网、钢网12、钢网14。其中，006、010为声阻参数，例如，006可以表示声阻抗率在6MKS rayls左右；目数可以指单位面积的声阻网上的孔眼数目，对于类型相同的声阻网，目数越大，对应的声阻抗率越大。
如图31A-图31E所示，随着声阻网118整体的声阻抗率增大，频率响应曲线逐渐下移，即对应输出声压减小，但是减小的幅度不明显。当前腔114设置蚀刻钢网时，对应的低频范围的频率响应曲线的起伏程度较小，峰谷较少，曲线较平滑。另外，如图31C或31D所示，当前腔114采用蚀刻钢网并设置010纱网或006纱网时，对应的低频范围的频率响应曲线的起伏程度相对较小，峰谷相对较少，曲线较为平滑。在一些实施例中，为了提高发声部11的频率响应曲线的平滑程度，同时使发声部11具有较大的输出声压，前腔114设置的声阻网118可以包括钢网(例如，蚀刻钢网)，所述钢网的目数可以在60-100范围内。在一些实施例中，前腔114设置的声阻网118可以包括钢网，所述钢网的目数可以在70-90范围内。在一些实施例中，为了提高发声部11的频率响应曲线的平滑程度，同时使发声部11具有较大的输出声压，前腔114设置的声阻网118可以包括纱网与钢网(例如，蚀刻钢网)，所述纱网的声阻抗率可以在2MKS rayls-50MKS rayls范围内，所述钢网的目数可以在60-100范围内。在一些实施例中，为了提高发声部11的频率响应曲线的平滑程度，同时使发声部11具有较大的输出声压，前腔114设置的声阻网118可以包括纱网与钢网，所述纱网的声阻抗率可以在5MKS rayls-20MKS rayls范围内，所述钢网的目数可以在70-90范围内。在一些实施例中，为了提高发声部11的频率响应曲线的平滑程度，同时使发声部11具有较大的输出声压，前腔114设置的声阻网118可以包括纱网与钢网，所述纱网的声阻抗率可以在6MKS rayls-10MKS rayls范围内，所述钢网的目数可以在75-85范围内。在一些实施例中，当前腔114设置的声阻网118包括钢网(例如，蚀刻钢网)或者纱网与钢网的组合时，所述钢网的声阻抗率可以在0.1MKS rayls-10MKS rayls范围内。在一些实施例中，所述钢网的声阻抗率可以在0.1MKS rayls-5MKS rayls范围内。在一些实施例中，所述钢网的声阻抗率可以在0.1MKS rayls-3 MKS rayls范围内。
本说明书使用仿真获得的频率响应曲线来说明发声部11具有不同配置时的发声特性。需要知道的是，在一些实施例中，频率响应曲线还可以通过测试设备(例如，电声测试仪)测得。所述测试设备可以包括信号激励设备和声音采集设备(例如，麦克风)。测试设备可以通过有线或无线(例如，蓝牙、WiFi等)的方式与耳机连接，其中的声音采集设备可以设置在发声部11附近(例如，出声孔111a正前方15mm处)。在测量时，测试设备可以向耳机发出激励信号从而使耳机产生声音耳机，并通过声音采集设备采集所述声音。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。
同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是 指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
此外，本领域技术人员可以理解，本申请的各方面可以通过若干具有可专利性的种类或情况进行说明和描述，包括任何新的和有用的工序、机器、产品或物质的组合，或对他们的任何新的和有用的改进。相应地，本申请的各个方面可以完全由硬件执行、可以完全由软件(包括固件、常驻软件、微码等)执行、也可以由硬件和软件组合执行。以上硬件或软件均可被称为“数据块”、“模块”、“引擎”、“单元”、“组件”或“系统”。此外，本申请的各方面可能表现为位于一个或多个计算机可读介质中的计算机产品，该产品包括计算机可读程序编码。

Claims (29)

  1. 一种开放式耳机，其特征在于，包括：
    发声部，包括：
    换能器，包括振膜，用于在激励信号的作用下产生声音；以及
    壳体，所述壳体形成用于容纳所述换能器的腔体，其中，
    佩戴状态下，所述壳体朝向用户耳廓的内侧面上开设出声孔，用于将所述振膜前侧产生的声音导出所述壳体后传向所述耳道，
    所述壳体的其它侧壁上开设有至少两个泄压孔，所述至少两个泄压孔包括远离所述耳道的第一泄压孔和靠近所述耳道的第二泄压孔，所述第一泄压孔处的声压大于所述第二泄压孔处的声压。
  2. 根据权利要求1所述的开放式耳机，其特征在于，所述第一泄压孔和所述第二泄压孔分别位于所述壳体的不同侧面上。
  3. 根据权利要求2所述的开放式耳机，其特征在于，所述第一泄压孔的面积与所述第二泄压孔的面积之间的比值在1-5范围内。
  4. 根据权利要求2所述的开放式耳机，其特征在于，所述第一泄压孔的长轴尺寸与短轴尺寸之间的比值在1.3-8范围内。
  5. 根据权利要求4所述的开放式耳机，其特征在于，所述第二泄压孔的长轴尺寸与短轴尺寸之间的比值在1-6范围内。
  6. 根据权利要求5所述的开放式耳机，其特征在于，所述第一泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值大于所述第二泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值。
  7. 根据权利要求5所述的开放式耳机，其特征在于，所述第一泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值小于所述第二泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值。
  8. 根据权利要求5所述的开放式耳机，其特征在于，所述第一泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值等于所述第二泄压孔的横截面的长度与宽度之间的比值。
  9. 根据权利要求2所述的开放式耳机，其特征在于，所述出声孔的面积与所述第一泄压孔和所述第二泄压孔的总面积之间的比值在0.1-0.99范围内。
  10. 根据权利要求9所述的开放式耳机，其特征在于，所述振膜将所述腔体分为分别与所述振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，所述后腔的体积与所述前腔的体积之间的比值在0.1-10范围内。
  11. 根据权利要求9所述的开放式耳机，其特征在于，所述振膜将所述腔体分为分别与所述振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，所述前腔的谐振频率与所述后腔的谐振频率之间的比值在0.1-5范围内。
  12. 根据权利要求2所述的开放式耳机，其特征在于，所述出声孔的面积与所述第一泄压孔和所述第二泄压孔的总面积之间的比值在1-10范围内。
  13. 根据权利要求12所述的开放式耳机，其特征在于，所述振膜将所述腔体分为分别与所述振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，所述后腔的体积与所述前腔的体积之间的比值在0.1-10范围内。
  14. 根据权利要求13所述的开放式耳机，其特征在于，所述振膜将所述腔体分为分别与所述振膜前侧和后侧对应的前腔和后腔，其中，所述前腔的谐振频率与所述后腔的谐振频率之间的比值在0.5-10范围内。
  15. 根据权利要求2所述的开放式耳机，其特征在于，所述出声孔的面积与所述出声孔的深度的平方之间的比值在0.31-512.2范围内。
  16. 根据权利要求2所述的开放式耳机，其特征在于，所述出声孔的长轴尺寸与短轴尺寸之间的比值在1-10范围内。
  17. 根据权利要求2所述的开放式耳机，其特征在于，在3.5kHz-4.5kHz范围内，所述出声孔处的声压与所述第一泄压孔处和所述第二泄压孔处的总声压之间的比值在0.4-0.6范围内。
  18. 根据权利要求2所述的开放式耳机，其特征在于，在3.5kHz-4.5kHz范围内，所述出声孔处的声压与所述第一泄压孔处的声压之间的比值在0.9-1.1范围内。
  19. 根据权利要求2所述的开放式耳机，其特征在于，在3.5kHz-4.5kHz范围内，所述出声孔处的声压与所述第二泄压孔处的声压之间的比值在0.9-1.1范围内。
  20. 根据权利要求1所述的开放式耳机，其特征在于，所述出声孔处和所述至少两个泄压孔处分别设置声阻网。
  21. 根据权利要求20所述的开放式耳机，其特征在于，其中，所述出声孔处的声阻网与所述至少两个泄压孔处的声阻网的声阻抗率相同。
  22. 根据权利要求20所述的开放式耳机，其特征在于，所述出声孔处的声阻网与所述至少两个泄压孔处的声阻网的声阻抗率不同。
  23. 根据权利要求20所述的开放式耳机，其特征在于，所述出声孔处或所述至少两个泄压孔处设置的声阻网包括纱网或钢网。
  24. 根据权利要求23所述的开放式耳机，其特征在于，所述出声孔处的声阻网包括纱网和蚀刻钢网。
  25. 根据权利要求24所述的开放式耳机，其特征在于，所述纱网的声阻抗率在2MKS rayls-50MKS rayls范围内。
  26. 根据权利要求24所述的开放式耳机，其特征在于，所述钢网的声阻抗率在0.1MKS rayls-10MKS rayls范围内。
  27. 根据权利要求20所述的开放式耳机，其特征在于，所述第一泄压孔处的声阻网的朝向所述壳体外部的上表面与所述壳体的外表面之间的距离在0.8mm-0.9mm范围内。
  28. 根据权利要求20所述的开放式耳机，其特征在于，所述第二泄压孔处的声阻网的朝向所述壳体外部的上表面与所述壳体的外表面之间的距离在0.7mm-0.8mm范围内。
  29. 根据权利要求20所述的开放式耳机，其特征在于，所述至少两个泄压孔处的所述声阻网的厚度在40μm-150μm范围内。
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