TW202408811A - 樹脂薄片 - Google Patents

Abstract

本發明的課題是提供具備切割性和剝離性這兩者優異的樹脂組成物層的樹脂薄片。 本發明的解決手段是一種樹脂薄片，其是具備樹脂組成物層的樹脂薄片，其中，樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料，樹脂組成物層滿足下述式(1)， 0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3　　　(1) (在式(1)中，P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)；P(b)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的伸長率(%)；P(c)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的拉伸彈性模量(GPa)。)

Description

樹脂薄片

本發明關於具備樹脂組成物層的樹脂薄片。進一步地，本發明關於使用樹脂薄片製造的半導體晶片封裝及其製造方法、電路基板及其製造方法、以及具備該半導體晶片封裝或電路基板的半導體裝置。

晶圓級封裝等的半導體晶片封裝的製造方法通常包括在晶圓等的基材上，利用樹脂組成物的硬化物形成硬化物層的步驟。硬化物層例如能夠作為絕緣層或密封層發揮功能。這種硬化物層有時藉由用包含環氧樹脂和無機填充材料的樹脂組成物形成樹脂組成物層、使該樹脂組成物層硬化而形成。另外，樹脂組成物層有時藉由將具備該樹脂組成物層的樹脂薄片與基材進行層壓，而設置在基材上(參考專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2017-197656號公報

[發明所欲解決之課題]

使用了樹脂薄片的半導體晶片封裝的製造方法有時包括：與基材的形狀相適應而切割樹脂組成物層、將具備切割後的樹脂組成物層的樹脂薄片和基材進行層壓，和將樹脂組成物層進行硬化。

樹脂組成物層的切割通常使用刀刃進行。例如，將形成為所期望的形狀的沖切刀刃在樹脂組成物層的厚度方向上按壓，以將樹脂組成物層沖裁成該沖切刀刃的形狀的方式進行切割。根據該切割方法，能夠容易地將樹脂組成物層切割成與基材相符的形狀。例如，使用圓形的晶圓作為基材來製造晶圓級封裝的情況下，能夠容易地將樹脂組成物層切割成圓形。

可是，使用以往的樹脂薄片的情況下，有時由於前述的切割，導致該樹脂組成物層的一部產生缺口。因此，本發明人對於抑制切割時的樹脂組成物層的缺口進行了研究。作為研究的結果，本發明人發現藉由增多樹脂組成物層中的溶劑的量，可抑制樹脂組成物層的缺口。即，若溶劑較多，則樹脂組成物層中的無機填充材料與環氧樹脂等樹脂成分的相容變得良好，樹脂組成物層的柔韌性增加，因此能夠抑制缺口。

可是，包含環氧樹脂和無機填充材料的樹脂組成物層較多地包含溶劑的情況下，在具備與樹脂組成物層接合的膜層的樹脂薄片中，有時在剝離膜層時產生不良狀況。具體地，如下所述。為了保存時和搬運時的樹脂組成物層的保護和處理性的提高，樹脂薄片有時具備與樹脂組成物層接合的膜層。該膜層一般而言在半導體晶片封裝中不需要，因此在半導體晶片封裝的製造過程中被剝離。然而，增多樹脂組成物層中的溶劑的量的情況下，存在樹脂組成物層與膜層的密合強度變大的傾向。密合強度變得過大的情況下，有時不能順暢地進行膜層的剝離，產生樹脂組成物層的一部分與膜層一起被剝下的不良狀況。

這樣，在切割樹脂組成物層時抑制缺口的性質、與抑制樹脂組成物層和膜層的密合強度而順暢地進行膜層的剝離的性質存在權衡的關係。在以下的說明中，有時將在切割樹脂組成物層時抑制該樹脂組成物層的缺口的性質稱為「切割性」。另外，有時將抑制樹脂組成物層和膜層的密合強度而能夠順暢地進行膜層的剝離的性質稱為「剝離性」。

本發明是鑒於前述的課題而創造的發明，其目的在於提供具備切割性和剝離性這兩者均優異的樹脂組成物層的樹脂薄片；使用了該樹脂薄片的半導體晶片封裝的製造方法；具備將切割性和剝離性這兩者均優異的樹脂組成物層硬化而得的硬化物層的半導體晶片封裝；使用了該樹脂薄片的電路基板的製造方法；具備將切割性和剝離性這兩者均優異的樹脂組成物層硬化而得的硬化物層的電路基板；以及具備該半導體晶片封裝或電路基板的半導體裝置。 [用以解決課題之手段]

本發明人為了解決前述課題而進行了努力研究。作為其結果，第一，本發明人得到下述見解：包括包含環氧樹脂和無機填充材料的樹脂組成物層的基於特定條件下加熱的質量減少率P(a)、以及將樹脂組成物層在其他的特定條件下加熱後測得的伸長率P(b)和拉伸彈性模量P(c)的第一特定參數處於特定的範圍時，能夠解決前述的課題。另外，第二，本發明人得到下述見解：包括包含環氧樹脂和無機填充材料的樹脂組成物層的基於特定條件下加熱的質量減少率P(a)、以及將樹脂組成物層在其他的特定條件下加熱後測得的維氏硬度P(d)的第二特定參數處於特定的範圍時，能夠解決前述的課題。而且，本發明人基於這些見解，完成了本發明。 即，本發明包含下述的內容。

[1] 一種樹脂薄片，其具備樹脂組成物層，其中， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(1)， 0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3　　　(1) (在式(1)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(b)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後在測定溫度25℃下測得的伸長率(%)， P(c)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後在測定溫度25℃下測得的拉伸彈性模量(GPa))。 [2] 一種樹脂薄片，其是具備樹脂組成物層的樹脂薄片，其中， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(2)， 0.015≤P(a)/P(d)≤0.04　　　(2) (在式(2)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(d)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後在測定溫度25℃下測得的維氏硬度(HV))。 [3] 根據[1]或[2]所述的樹脂薄片，其中，樹脂組成物層包含(C)彈性體。 [4] 根據[1]～[3]中任一項所述的樹脂薄片，其中，樹脂組成物層包含(D)硬化劑。 [5] 根據[4]所述的樹脂薄片，其中，(D)硬化劑包含馬來醯亞胺系樹脂。 [6] 根據[4]或[5]所述的樹脂薄片，其中，(D)硬化劑包含碳二亞胺系樹脂。 [7] 根據[1]～[6]中任一項所述的樹脂薄片，其中，樹脂組成物層的厚度為1μm以上且150μm以下。 [8] 根據[1]～[7]中任一項所述的樹脂薄片，其中，具備與樹脂組成物層相接的膜層。 [9] 一種半導體晶片封裝的製造方法，其中，包括： 切割[1]～[8]中任一項所述的樹脂薄片的樹脂組成物層的步驟(I)、 將具備切割後的樹脂組成物層的樹脂薄片與基材進行層壓的步驟(II)，和 將樹脂組成物層硬化的步驟(III)。 [10] 根據[9]所述的半導體晶片封裝的製造方法，其中，基材包含晶圓。 [11] 根據[9]或[10]所述的半導體晶片封裝的製造方法，其中，步驟(I)包括在樹脂組成物層的厚度方向按壓刀刃而切割樹脂組成物層。 [12] 一種半導體晶片封裝，其中，具備將樹脂組成物層硬化而得的硬化物層， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(1)， 0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3　　　(1) (在式(1)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃30分鐘加熱的質量減少率(%)， P(b)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的伸長率(%)， P(c)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的拉伸彈性模量(GPa))。 [13] 一種半導體晶片封裝，其中，具備將樹脂組成物層硬化而得的硬化物層， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(2)， 0.015≤P(a)/P(d)≤0.04　　　(2) (在式(2)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(d)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的維氏硬度(HV))。 [14] 一種半導體裝置，其具備[12]或[13]所述的半導體晶片封裝。 [15] 一種電路基板的製造方法，其具備： 切割[1]～[8]中任一項所述的樹脂薄片的樹脂組成物層的步驟(I)、 將具備切割後的樹脂組成物層的樹脂薄片與基材進行層壓的步驟(II)，和 將樹脂組成物層硬化的步驟(III)。 [16] 一種電路基板，其中，具備將樹脂組成物層硬化而得的硬化物層， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(1)， 0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3　　　(1) (在式(1)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(b)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的伸長率(%)， P(c)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的拉伸彈性模量(GPa))。 [17] 一種電路基板，其中，具備將樹脂組成物層硬化而得的硬化物層， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(2)， 0.015≤P(a)/P(d)≤0.04　　　(2) (在式(2)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(d)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的維氏硬度(HV))。 [18] 一種半導體裝置，其具備[16]或[17]所述的電路基板。 [發明的效果]

根據本發明，能夠提供：具備切割性和剝離性這兩者均優異的樹脂組成物層的樹脂薄片；使用了該樹脂薄片的半導體晶片封裝的製造方法；具備將切割性和剝離性這兩者均優異的樹脂組成物層硬化而得的硬化物層的半導體晶片封裝；使用了該樹脂薄片的電路基板的製造方法；具備將切割性和剝離性這兩者均優異的樹脂組成物層硬化而得的硬化物層的電路基板；以及具備該半導體晶片封裝或電路基板的半導體裝置。

以下，示出實施方式和示例物對於本發明進行詳細說明。但是，本發明不受以下舉出的實施方式和示例物的限制，可在不超出申請專利範圍及其均等範圍的範圍內任意地進行變更來實施。

在以下的說明中，「平面形狀」只要沒有另外明示，表示從厚度方向觀察到的形狀。

在以下的說明中，樹脂組成物層中的「樹脂成分」只要沒有另外明示，表示在樹脂組成物層中的不揮發成分中除去了無機填充材料的成分。另外，樹脂組成物中的「樹脂成分」只要沒有另外明示，表示在樹脂組成物中的不揮發成分中除去了無機填充材料的成分。

[第一實施方式涉及的樹脂薄片的概要] 本發明的第一實施方式涉及的樹脂薄片具備樹脂組成物層。樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料。而且，該樹脂薄片滿足下述式(1)。 0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3　　　(1) (在式(1)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(b)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的伸長率(%)， P(c)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的拉伸彈性模量(GPa)。)

第一實施方式涉及的樹脂薄片的樹脂組成物層能夠使切割性和剝離性這兩者優異。因此，第一實施方式涉及的樹脂薄片的樹脂組成物層能夠抑制切割時樹脂組成物層的缺口。另外，第一實施方式涉及的樹脂薄片在具備與樹脂組成物層相接設置的膜層的情況下，能夠順暢地進行該膜層的剝離。以往，前述的切割性和剝離性存在權衡的關係，而根據第一實施方式涉及的樹脂薄片，可使其切割性和剝離性這兩者良好。另外，使第一實施方式涉及的樹脂薄片的樹脂組成物層硬化而得到硬化物層時，通常可抑制具備該硬化物層的半導體晶片封裝和電路基板等的構件的翹曲。

[式(1)所表示的關係的說明] 在以下的說明中，有時將式「P(a)×P(b)/P(c)」所表示的樹脂薄片的參數適當地稱為「第一特定參數」。樹脂薄片的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」滿足下述的式(1)的關係。 0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3　　　(1) (在式(1)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(b)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的伸長率(%)， P(c)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的拉伸彈性模量(GPa)。)

詳細而言，第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」的範圍通常是0.09以上，較好是0.10以上，更好是0.11以上，更好是0.14以上，進一步較好是0.16以上，通常是0.30以下，較好是0.25以下，更好是0.20以下。第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性這兩者良好。

P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)。因此，質量減少率P(a)表示藉由190℃30分鐘的加熱而從樹脂組成物層除去的成分的比例。通常，藉由190℃30分鐘的加熱除去的成分的全部或大部分是作為揮發性成分的溶劑。另外，通常藉由190℃30分鐘這樣的嚴苛條件下的加熱，樹脂組成物層中包含的溶劑的全部或大部分能夠揮發。因此，質量減少率P(a)表示加熱前的樹脂組成物層中包含的溶劑的量、或與該溶劑的量具有相關性。因此，根據質量減少率P(a)，可表示樹脂組成物層中的溶劑的量的程度。

一般而言，樹脂組成物層中的溶劑較多時，作為樹脂組成物層的硬度的一個原因的(B)無機填充材料與(A)環氧樹脂等樹脂成分的相容變得良好，樹脂組成物層的柔韌性提高。因此，切割時的樹脂組成物層的柔軟性提高，受到應力時的樹脂組成物層的破壞被抑制，因此能夠抑制缺口的產生。然而，若溶劑多，則存在樹脂組成物層與相接於該樹脂組成物層的膜層的密合強度變高的傾向。假設密合強度若過於大，則有時可在膜層的剝離時產生不良狀況。相對於此，第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」處於前述的範圍時，可抑制前述的不良狀況，改善切割性和剝離性這兩者。

從顯著發揮本發明的效果的觀點來看，質量減少率P(a)的範圍較好是0.6%以上，更好是0.8%以上，特別好是1.0%以上，較好是2.4%以下，更好是2.2%以下，特別好是2.0%以下。

質量減少率P(a)例如可藉由樹脂組成物包含的溶劑的種類和比率、以及樹脂組成物層的形成時的乾燥條件(乾燥溫度和乾燥時間等)進行調整。具體而言，選擇沸點不同的多種溶劑而適當地組合，調整乾燥條件，由此可進行質量減少率P(a)的調整。

質量減少率P(a)可以用基於190℃30分鐘的加熱的樹脂組成物層的質量減少量ΔM除以加熱前的該樹脂組成物層的質量m ₀而求得。質量減少量ΔM可作為加熱前的樹脂組成物層的質量與加熱後的樹脂組成物層的質量之差而求得。另外，樹脂薄片具備除樹脂組成物層以外的任意層(例如膜層)、且該任意層的基於加熱的質量變化小到可忽視的程度的情況下，前述的質量減少量ΔM可作為加熱前的樹脂薄片的質量與加熱後的樹脂薄片的質量之差而求得。質量減少率P(a)的具體測定方法可採用實施例中說明的方法。

P(b)表示在將樹脂組成物層於130℃加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測定的樹脂組成物層的伸長率(%)。通常，藉由基於在130℃下加熱30分鐘的乾燥，樹脂組成物層中包含的溶劑等的揮發性成分的大部分或全部進行乾燥，但(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料等的不揮發成分殘留於樹脂組成物層中。另外，藉由在130℃下30分鐘的加熱，一般而言，樹脂成分的反應不進行，或樹脂成分的反應幾乎不進行。因此，伸長率P(b)表示作為樹脂組成物層中包含的不揮發成分的物性的伸長率，或與該伸長率具有相關。因此，根據伸長率P(b)，能夠表示除去了溶劑等揮發性成分的樹脂組成物層的不揮發成分的柔軟性的程度。

不揮發成分的柔軟性高的樹脂組成物層能夠抑制由應力導致的破壞。因此，即使在樹脂組成物層的切割時受到應力，也可抑制樹脂組成物層的破壞，因此能夠抑制缺口的產生。另外，樹脂組成物層的不揮發成分的柔軟性能夠有助於抑制由膜層的剝離時的應力導致的樹脂組成物層的凝集破壞，因此能夠有助於抑制由該凝集破壞導致的樹脂組成物層的一部分(通常是表面附近的部分)的剝離。另一方面，不揮發成分柔軟的樹脂組成物層存在與膜層的密合強度變高的傾向，因此存在膜層的剝離時的應力變大的傾向，從這個意義上來說，易於產生樹脂組成物層的一部分的剝離。因此，僅伸長率P(b)的調整，不能改善切割性和剝離性這兩者。然而，第一特定參數「P(a)×P(b) /P(c)」處於前述的範圍時，可改善切割性和剝離性這兩者。

從顯著發揮本發明的效果的觀點來看，伸長率P(b)的範圍較好是0.8%以上，更好是0.9%以上，較好是1.6%以下，更好是1.5%以下，特別好是1.4%以下。

伸長率P(b)例如可藉由樹脂組成物包含的不揮發成分的種類和比率來進行調整。具體而言，選擇(A)環氧樹脂的種類和量、(B)無機填充材料的量、以及(C)彈性體和(D)硬化劑的種類和量並適當地組合，由此可進行伸長率(b)的調整。

伸長率P(b)可以使用將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘而得的評價用硬化物，在測定溫度25℃下進行測定。測定可按照JIS K7127來實施。伸長率P(b)的具體的測定方法可採用在實施例中說明的方法。

P(c)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測定的樹脂組成物層的拉伸彈性模量(GPa)。如前所述，藉由基於在130℃下加熱30分鐘的乾燥，樹脂組成物層中包含的溶劑等揮發性成分的大部分或全部乾燥，但(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料等的不揮發成分殘留於樹脂組成物層中。另外，藉由在130℃、30分鐘的加熱，一般而言，不進行樹脂成分的反應，或者幾乎不進行樹脂成分的反應。因此，拉伸彈性模量P(c)表示作為樹脂組成物層中包含的不揮發成分的物性的拉伸彈性模量，或與該拉伸彈性模量具有相關。因此，根據拉伸彈性模量P(c)，能夠表示除去了溶劑等揮發性成分的樹脂組成物層的不揮發成分的剛性的程度。

一般而言，不揮發成分的剛性高的樹脂組成物層具有與膜層的密合強度變低的傾向。因此，能夠減小在剝離膜層時施加到樹脂組成物層上的應力，因此能夠在膜層的剝離時抑制不良狀況。然而，若樹脂組成物層的不揮發成分的剛性高，則該樹脂組成物層的脆性變大，易於產生切割時的缺口。相對於此，第一特定參數「P(a)×P(b) /P(c)」處於前述的範圍時，可抑制前述的缺口，改善切割性和剝離性這兩者。

從顯著發揮本發明的效果的觀點來看，拉伸彈性模量P(c)的範圍較好是8GPa以上，更好是9GPa以上，較好是16GPa以下，更好是15GPa以下，進一步較好是14GPa以下，進一步較好是13GPa以下。

拉伸彈性模量P(c)例如可以藉由樹脂組成物包含的不揮發成分的種類和比率來進行調整。具體地，藉由選擇(A)環氧樹脂的種類和量、(B)無機填充材料的量、以及(C)彈性體和(D)硬化劑的種類和量並適當地組合，可調整拉伸彈性模量P(c)。

拉伸彈性模量P(c)可以使用將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘而得的評價用硬化物、在測定溫度25℃下進行測定。測定可根據JIS K7127實施。拉伸彈性模量P(c)的具體測定方法可採用實施例中說明的方法。

[第二實施方式涉及的樹脂薄片的概要] 本發明的第二實施方式涉及的樹脂薄片具備樹脂組成物層。樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料。而且，該樹脂薄片滿足下述式(2)。 0.015≤P(a)/P(d)≤0.04　　　(2) (在式(2)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(d)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的維氏硬度(HV)。)

根據第二實施方式涉及的樹脂薄片，可得到與第一實施方式涉及的樹脂薄片相同的優點。因此，第二實施方式涉及的樹脂薄片的樹脂組成物層能夠使切割性和剝離性這兩者優異。因此，第二實施方式涉及的樹脂薄片的樹脂組成物層在切割時能夠抑制樹脂組成物層的缺口。另外，第二實施方式涉及的樹脂薄片具有與樹脂組成物層相接設置的膜層時，能夠順暢地進行該膜層的剝離。以往，前述的切割性和剝離性存在權衡的關係，而根據第二實施方式涉及的樹脂薄片，可使這些切割性和剝離性這兩者良好。另外，使第二實施方式涉及的樹脂薄片的樹脂組成物層硬化而得到硬化物層時，通常可抑制具備該硬化物層的半導體晶片封裝和電路基板等構件的翹曲。

[式(2)所表示的關係的說明] 在以下的說明中，有時將式「P(a)/P(d)」所表示的樹脂薄片的參數適當稱為「第二特定參數」。樹脂薄片的第二特定參數「P(a)/P(d)」滿足下述式(2)的關係。 0.015≤P(a)/P(d)≤0.04　　　(2) (在式(2)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(d)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的維氏硬度(HV)。)

詳細而言，第二特定參數「P(a)/P(d)」的範圍通常是0.015以上，較好是0.020以上，更好是0.024以上，進一步較好是0.025以上，通常是0.040以下，較好是0.033以下，進一步較好是0.030以下。第二特定參數「P(a)/P(d)」處於前述範圍的情況下，能夠使切割性和剝離性這兩者良好。

式(2)中的P(a)表示與式(1)中的P(a)相同的參數。因此，式(2)中的P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)。另外，式(2)中的質量減少率P(a)的技術意義、範圍、調整方法和測定方法可以與式(1)中的質量減少率P(a)相同。

P(d)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後，在測定溫度25℃下測得的維氏硬度(HV)。通常，藉由基於130℃30分鐘的加熱的乾燥，樹脂組成物層中包含的溶劑等揮發性成分的大部分或全部乾燥，但(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料等的不揮發成分殘留於樹脂組成物層中。另外，根據130℃、30分鐘的加熱，一般而言，不進行樹脂成分的反應，或者幾乎不進行樹脂成分的反應。因此，維氏硬度P(d)表示作為樹脂組成物層中包含的不揮發成分的物性的硬度，或者與該硬度具有相關性。因此，根據維氏硬度P(d)，能夠表示除去了溶劑等揮發性成分的樹脂組成物層的不揮發成分的硬度的程度。

一般而言，不揮發成分的硬度高的樹脂組成物層具有與膜層的密合強度變低的傾向。因此，能夠減小在膜層剝離時施加在樹脂組成物層上的應力，從而能夠在膜層剝離時抑制不良狀況。但是，若樹脂組成物層的不揮發成分的硬度高，則該樹脂組成物層的脆性變大，易於產生切割時的缺口。相對於此，第二特定參數「P(a)/P(d)」處於前述範圍的情況下，可抑制前述的缺口，改善切割性和剝離性這兩者。

從顯著發揮本發明的效果的觀點來看，維氏硬度P(d)的範圍較好是32HV以上，更好是34HV以上，進一步較好是36HV以上，較好是100HV以下，更好是95HV以下，進一步較好是90HV以下，特別好是68HV以下。

維氏硬度P(d)例如能夠藉由樹脂組成物包含的不揮發成分的種類和比率來調整。具體而言，藉由選擇(A)環氧樹脂的種類和量、(B)無機填充材料的量、以及(C)彈性體和(D)硬化劑的種類和量並適當地進行組合，可進行維氏硬度P(d)的調整。

維氏硬度P(d)可以使用將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘而得的評價用硬化物，在測定溫度25℃下進行測定。測定可使用維氏硬度計來實施。維氏硬度P(d)的具體的測定方法可採用在實施例中說明的方法。

[樹脂組成物層的組成] 本發明的第一實施方式涉及的樹脂薄片和第二實施方式涉及的樹脂薄片具備包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料的樹脂組成物層。在以下的說明中，包括第一實施方式涉及的樹脂薄片的樹脂組成物層和第二實施方式涉及的樹脂薄片的樹脂組成物層，有時簡稱為「樹脂組成物層」。樹脂組成物層通常包含前述的包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料的樹脂組成物，較好是僅包含該樹脂組成物。組合包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料的樹脂組成物的介電損耗角正切等的介電特性優異。另外，具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片可使切割性和剝離性這兩者良好。

((A)環氧樹脂) 作為(A)成分的(A)環氧樹脂是具有環氧基的硬化性樹脂。作為(A)環氧樹脂，可舉出例如聯二甲酚(bixylenol)型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆(naphthol novolac)型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆(phenol novolac)型環氧樹脂、叔丁基鄰苯二酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆(cresol novolac)型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線性脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯結構的環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含螺環的環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、伸萘基醚(naphthylene ether)型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂、異氰脲酸酯型環氧樹脂、脂肪族三縮水甘油醚型環氧樹脂、苯酚苯并吡咯酮(phenolphthalimidine)型環氧樹脂等。(A)環氧樹脂可以單獨使用1種，也可以組合2種以上使用。

從得到耐熱性優異的硬化物層的觀點來看，(A)環氧樹脂較好是包含含有芳族結構的環氧樹脂。芳族結構是通常被定義為芳族的化學結構，也包含多環芳族和芳族雜環。作為含有芳族結構的環氧樹脂，可舉出例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、叔丁基兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、聯二甲酚型環氧樹脂、具有芳族結構的縮水甘油胺型環氧樹脂、具有芳族結構的縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯酚苯并吡咯酮型環氧樹脂、具有芳族結構的線性脂肪族環氧樹脂、具有芳族結構的具有丁二烯結構的環氧樹脂、具有芳族結構的脂環族環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、具有芳族結構的含螺環的環氧樹脂、具有芳族結構的環己烷二甲醇型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、具有芳族結構的三羥甲基型環氧樹脂、具有芳族結構的四苯基乙烷型環氧樹脂等。

(A)環氧樹脂較好是包含在1分子中具有2個以上的環氧基的環氧樹脂。相對於(A)環氧樹脂的不揮發成分100質量%，在1分子中具有2個以上的環氧基的環氧樹脂的比例較好是50質量%以上，更好是60質量%以上，特別好是70質量%以上。

環氧樹脂包括溫度20℃時呈液態的環氧樹脂(以下有時稱為「液態環氧樹脂」)和溫度20℃時呈固態的環氧樹脂(以下有時稱為「固態環氧樹脂」)。(A)環氧樹脂可僅包含液態環氧樹脂，或者也可僅包含固態環氧樹脂，或者還可組合包含液態環氧樹脂和固態環氧樹脂。

作為液態環氧樹脂，較好是在1分子中具有2個以上的環氧基的液態環氧樹脂。作為液態環氧樹脂，較好是雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有酯骨架的脂環族環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、具有丁二烯結構的環氧樹脂、脂肪族三縮水甘油醚型環氧樹脂，特別好是脂肪族三縮水甘油醚型環氧樹脂。作為脂肪族三縮水甘油醚型環氧樹脂，可舉出例如聚羥甲基烷烴三縮水甘油醚，作為其具體例，可舉出三羥甲基丙烷三縮水甘油醚等。

作為液態環氧樹脂的具體例，可舉出DIC公司製的「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「828US」、「828EL」、「jER828EL」、「825」、「EPIKOTE 828EL」(雙酚A型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「jER807」、「1750」(雙酚F型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「jER152」(苯酚酚醛清漆型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「630」、「630LSD」、「604」(縮水甘油胺型環氧樹脂)；ADEKA公司製的「ED-523T」(甘草醇(Glycirol)型環氧樹脂)；ADEKA公司製的「EP-3950L」、「EP-3980S」(縮水甘油胺型環氧樹脂)；ADEKA公司製的「EP-4088S」(雙環戊二烯型環氧樹脂)；日鐵化學材料公司製的「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的混合品)；日鐵化學材料公司製的「ZX1658」、「ZX1658GS」(液態1,4-縮水甘油基環己烷型環氧樹脂)；Nagase ChemteX公司製的「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)；Nagase ChemteX公司製的「EX-321L」(脂肪族三縮水甘油醚型環氧樹脂)；大賽璐公司製的「Celloxide 2021P」(具有酯骨架的脂環族環氧樹脂)；大賽璐公司製的「PB-3600」、日本曹達公司製的「JP-100」、「JP-200」(具有丁二烯結構的環氧樹脂)等。它們可以單獨使用1種，也可以將2種以上組合使用。

作為固態環氧樹脂，較好是在1分子中具有3個以上環氧基的固態環氧樹脂，更好是在1分子中具有3個以上環氧基的芳族系的固態環氧樹脂。作為固態環氧樹脂，較好是聯二甲酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘型四官能環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂、苯酚苯并吡咯酮型環氧樹脂。

作為固態環氧樹脂的具體例子，可舉出DIC公司製的「HP4032H」(萘型環氧樹脂)；DIC公司製的「HP-4700」、「HP-4710」(萘型四官能環氧樹脂)；DIC公司製的「N-690」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)；DIC公司製的「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)；DIC公司製的「HP-7200」、「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「HP-7200L」(雙環戊二烯型環氧樹脂)；DIC公司製的「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」(伸萘基醚型環氧樹脂)；日本化藥公司製的「EPPN-502H」(三酚型環氧樹脂)；日本化藥公司製的「NC7000L」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)；日本化藥公司製的「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3000FH」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)；日鐵化學材料公司製的「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)、「ESN4100V」(萘型環氧樹脂)；日鐵化學材料公司製的「ESN485」(萘酚型環氧樹脂)；日鐵化學材料公司製的「ESN375」(二羥基萘型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「YX4000H」、「YX4000」、「YX4000HK」、「YL7890」(聯二甲酚型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「YX8800」(蒽型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「YX7700」(苯酚芳烷基型環氧樹脂)；大阪燃氣化學公司製的「PG-100」、「CG-500」；三菱化學公司製的「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「YL7800」(芴型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「jER1010」(雙酚A型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)；日本化藥公司製的「WHR991S」(苯酚苯并吡咯酮型環氧樹脂)等。它們可以單獨使用1種，也可以將2種以上組合使用。

作為(A)環氧樹脂，將液態環氧樹脂和固態環氧樹脂組合使用時，它們的質量比(液態環氧樹脂：固態環氧樹脂)較好是20：1～1：20，更好是10：1～1：10，特別好是7：1～1：7。

(A)環氧樹脂的環氧當量較好是50g/eq.～5000g/eq.，更好是60g/eq.～3000g/eq.，進一步較好是80g/eq.～2000g/eq.，特別好是110g/eq.～1000g/eq.。環氧當量表示每1當量環氧基的樹脂的質量。該環氧當量可以根據JIS K7236測定。

(A)環氧樹脂的重量平均分子量(Mw)較好是100～5000，更好是250～3000，進一步較好是400～1500。樹脂的重量平均分子量可以藉由凝膠滲透層析(GPC)法作為經聚苯乙烯換算的值而測定。

樹脂組成物層中的(A)環氧樹脂的量的範圍，相對於樹脂組成物層中的不揮發成分100質量%，較好是1質量%以上，更好是2質量%以上，進一步較好是3質量%以上，較好是20質量%以下，更好是15質量%以下，進一步較好是10質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%的樹脂組成物中的(A)環氧樹脂的量的範圍較好是與相對於樹脂組成物層中的不揮發成分100質量%的樹脂組成物層中的(A)環氧樹脂的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/ P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，(A)環氧樹脂的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

相對於樹脂組成物層中的樹脂成分100質量%，樹脂組成物層中的(A)環氧樹脂的量的範圍較好是5質量%以上，更好是10質量%以上，進一步較好是15質量%以上，較好是60質量%以下，更好是50質量%以下，進一步較好是40質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的樹脂成分100質量%的樹脂組成物中的(A)環氧樹脂的量的範圍較好是與相對於樹脂組成物層中的樹脂成分100質量%的樹脂組成物層中的(A)環氧樹脂的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，(A)環氧樹脂的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

((B)無機填充材料) 作為(B)成分的(B)無機填充材料通常以粒子的狀態包含在樹脂組成物和樹脂組成物層中。作為(B)無機填充材料的材料，使用無機化合物。作為(B)無機填充材料的材料，可舉出例如二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、勃姆石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯、和磷酸鎢酸鋯等。其中，優選是二氧化矽、氧化鋁，特別優選是二氧化矽。作為二氧化矽，可舉出例如無定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等。另外，作為二氧化矽，較好是球形二氧化矽。(B)無機填充材料可單獨使用一種，也可兩種以上組合使用。

作為(B)無機填充材料的市售品，可舉出例如日鐵化學材料公司製的「SP60-05」、「SP507-05」；雅都瑪公司製的「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」、「SC2500SQ」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」、「SC2050-SXF」；DENKA公司製的「UFP-30」、「DAW-03」、「FB-105FD」；德山(Tokuyama)公司製的「SILFIL NSS-3N」、「SILFIL NSS-4N」、「SILFIL NSS-5N」等。

從顯著獲得本發明所期望的效果的觀點來看，(B)無機填充材料的平均粒徑的範圍較好是0.01μm以上，更好是0.05μm以上，特別好是0.1μm以上，較好是10μm以下，更好是7μm以下，進一步較好是5μm以下。

(B)無機填充材料的平均粒徑可藉由基於米氏(Mie)散射理論的雷射繞射散射法進行測定。具體來說，可藉由雷射繞射散射式粒徑分佈測定裝置，以體積基準製成無機填充材料的粒徑分佈，將其中值粒徑作為平均粒徑來進行測定。測定樣品可使用將無機填充材料100mg、甲基乙基酮10g稱量至管瓶(vial)中並藉由超音波分散10分鐘而得的樣品。對於測定樣品，可使用雷射繞射式粒徑分佈測定裝置，使用光源波長採用藍色和紅色，以流動池(flow cell)方式測定無機填充材料的體積基準的粒徑分佈，根據所得的粒徑分佈作為中值粒徑算出平均粒徑。作為雷射繞射式粒徑分佈測定裝置，可舉出例如堀場製作所製「LA-960」等。

從顯著獲得本發明的所期望的效果的觀點來看，(B)無機填充材料的比表面積的範圍較好是1 m ²/g以上，更好是2 m ²/g以上，特別好是3 m ²/g以上。對上限無特別的限制，較好是60 m ²/g以下、50 m ²/g以下或40 m ²/g以下。比表面積可藉由根據BET法使用比表面積測定裝置(Mountech公司製Macsorb HM-1210)使氮氣吸附於試樣表面，用BET多點法算出比表面積來進行測定。

從提高耐濕性和分散性的觀點來看，(B)無機填充材料較好是藉由表面處理劑進行處理。作為表面處理劑，可舉出例如含氟矽烷偶合劑、胺基矽烷類偶合劑、環氧基矽烷類偶合劑、巰基矽烷類偶合劑、矽烷類偶合劑、烷氧基矽烷、聚矽氧氮烷化合物、鈦酸酯類偶合劑等。表面處理劑可單獨使用1種，也可將2種以上任意組合使用。

作為表面處理劑的市售品，可舉出例如信越化學工業公司製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業公司製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM-4803」(長鏈環氧型矽烷偶合劑)、信越化學工業公司製「KBM-7103」(3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷)等。

從(B)無機填充材料的分散性提高的觀點來看，藉由表面處理劑進行的表面處理的程度較好是在特定的範圍內。具體來說，100質量%無機填充材料較好是藉由0.2質量%～5質量%的表面處理劑進行了表面處理，更好是藉由0.2質量%～3質量%的表面處理劑進行了表面處理，進一步更好是藉由0.3質量%～2質量%的表面處理劑進行了表面處理。

藉由表面處理劑進行的表面處理的程度可藉由無機填充材料的每單位表面積的碳量進行評價。從無機填充材料的分散性提高的觀點來看，無機填充材料的每單位表面積的碳量較好是0.02 mg/m ²以上，更好是0.1 mg/m ²以上，進一步更好是0.2 mg/m ²以上。另一方面，從抑制樹脂組成物的熔融黏度的上升的觀點來看，較好是1.0 mg/m ²以下，更好是0.8 mg/m ²以下，進一步更好是0.5 mg/m ²以下。

(B)無機填充材料的每單位表面積的碳量可在將表面處理後的無機填充材料藉由溶劑(例如甲基乙基酮(MEK))進行清洗處理後進行測定。具體來說，向藉由表面處理劑進行了表面處理的無機填充材料中作為溶劑加入足量的MEK，在25℃超音波清洗5分鐘。除去上清液，使固體成分乾燥後，可使用碳分析儀測定無機填充材料的每單位表面積的碳量。作為碳分析儀，可使用堀場製作所製「EMIA-320V」等。

樹脂組成物層中的(B)無機填充材料的量的範圍，相對於樹脂組成物層中的不揮發成分100質量%，較好是50質量%以上，更好是60質量%以上，進一步較好是70質量%以上，特別好是77質量%以上，較好是90質量%以下，更好是86質量%以下，進一步較好是83質量%以下，特別好是81質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%之樹脂組成物中的(B)無機填充材料的量的範圍，較好是與相對於樹脂組成物層中的不揮發成分100質量%之樹脂組成物層中的(B)無機填充材料的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，(B)無機填充材料的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等構件的翹曲。

((C)彈性體) 第一和第二實施方式涉及的樹脂組成物層和樹脂組成物可包含(C)彈性體作為任意的成分。在作為該(C)成分的(C)彈性體中，不包含屬上述(A)～(B)成分的物質。

(C)彈性體為具有柔軟性的樹脂，較好是具有橡膠彈性的樹脂或與其他成分聚合而顯示橡膠彈性的樹脂。作為橡膠彈性，可舉出例如按照日本工業規格(JIS K7161)，在溫度25℃、濕度40%RH的條件下進行了拉伸試驗時，顯示1GPa以下的彈性模量的樹脂。(C)彈性體通常是可溶解於有機溶劑的無定形的樹脂成分。(C)彈性體可單獨使用1種，也可將2種以上以任意的比率組合使用。利用(C)彈性體，能夠調整樹脂組成物層的伸長率P(b)、拉伸彈性模量P(c)和維氏硬度P(d)，因此能夠容易地進行將樹脂薄片的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」收納於上述範圍的控制。

(C)彈性體較好是具有高分子量。(C)彈性體的數量平均分子量(Mn)的範圍較好是1000以上，更好是1500以上，進一步較好是2000以上，進一步較好是3000以上，特別好是5000以上。數量平均分子量的上限沒有特別限制，較好是1000000以下，更好是900000以下。數量平均分子量(Mn)是使用GPC(凝膠滲透層析法)測定的經聚苯乙烯換算的數量平均分子量。

(C)彈性體較好是選自玻璃轉移溫度(Tg)為25℃以下的樹脂和在25℃以下呈液態的樹脂中的1種以上。玻璃轉移溫度(Tg)為25℃以下的樹脂的玻璃轉移溫度較好是20℃以下，更好是15℃以下。玻璃轉移溫度的下限無特別限定，通常可為-15℃以上。此外，在25℃時呈液態的樹脂較好是在20℃以下呈液態的樹脂，更好是在15℃以下呈液態的樹脂。玻璃轉移溫度可藉由DSC(差示掃描量熱測定)以5℃/分鐘的升溫速度進行測定。

(C)彈性體較好是在分子內具有選自聚丁二烯結構、聚矽氧烷結構、聚(甲基)丙烯酸酯結構、聚伸烷基結構、聚伸烷基氧基結構、聚異戊二烯結構、聚異丁烯結構、聚碳酸酯結構、聚苯乙烯結構中的1種以上的結構的樹脂。「(甲基)丙烯酸酯」是包括甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯以及它們的組合的術語。這些結構可含於(C)彈性體的分子的主鏈，也可含於側鏈。

作為(C)彈性體，可舉出例如含有聚丁二烯結構的樹脂。聚丁二烯結構可含於主鏈，也可含於側鏈。此外，聚丁二烯結構可一部分或全部被氫化。有時將含有聚丁二烯結構的樹脂稱為「聚丁二烯樹脂」。作為聚丁二烯樹脂的具體例子，可舉出克雷威利(Cray Valley)公司製的「Ricon 130MA8」、「Ricon 130MA13」、「Ricon 130MA20」、「Ricon 131MA5」、「Ricon 131MA10」、「Ricon 131MA17」、「Ricon 131MA20」、「Ricon 184MA6」(含酸酐基的聚丁二烯)，日本曹達公司製的「GQ-1000」(引入了羥基、羧基的聚丁二烯)、「G-1000」、「G-2000」、「G-3000」(兩末端羥基聚丁二烯)、「GI-1000」、「GI-2000」、「GI-3000」(兩末端羥基氫化聚丁二烯)，Nagase ChemteX公司製的「FCA-061L」(氫化聚丁二烯骨架環氧樹脂)等。此外，作為聚丁二烯樹脂的具體例子，可舉出含酚式羥基的丁二烯樹脂；在分子內具有聚丁二烯結構、胺基甲酸酯結構和醯亞胺結構的聚醯亞胺樹脂。對於該聚醯亞胺樹脂，可將羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物和四元酸酐作為原料製成線性聚醯亞胺樹脂(日本特開2006-37083號公報、國際公開第2008/153208號公報中記載的聚醯亞胺)。該聚醯亞胺樹脂的丁二烯結構的含有率較好是60質量%～95質量%，更好是75質量%～85質量%。該聚醯亞胺樹脂的詳細情況可參考日本特開2006-37083號公報、國際公開第2008/153208號的記載，該內容引用至本說明書。

作為(C)彈性體，可舉出例如含有聚(甲基)丙烯酸酯結構的樹脂。有時將含有聚(甲基)丙烯酸酯結構的樹脂稱為「聚(甲基)丙烯酸類樹脂」。作為聚(甲基)丙烯酸類樹脂的具體例子，可舉出Nagase ChemteX公司製的TEISANRESIN，根上工業公司製的「ME-2000」、「W-116.3」、「W-197C」、「KG-25」、「KG-3000」，東亞合成公司製的「ARUFON UH-2000」等。

作為(C)彈性體，可舉出例如含有聚碳酸酯結構的樹脂。有時將含有聚碳酸酯結構的樹脂稱為「聚碳酸酯樹脂」。作為聚碳酸酯樹脂的具體例子，可舉出三菱瓦斯化學公司製的「FPC0220」、「FPC2136」，旭化成化學公司製的「T6002」、「T6001」(聚碳酸酯二醇)，可樂麗公司製的「C-1090」、「C-2090」、「C-3090」(聚碳酸酯二醇)等。此外，作為聚碳酸酯樹脂的具體例子，可舉出在分子內具有醯亞胺結構、胺基甲酸酯結構和聚碳酸酯結構的聚醯亞胺樹脂。對於該聚醯亞胺樹脂，可將羥基末端聚碳酸酯、二異氰酸酯化合物和四元酸酐作為原料製成線性聚醯亞胺樹脂。該聚醯亞胺樹脂的碳酸酯結構的含有率較好是60質量%～95質量%，更好是75質量%～85質量%。該聚醯亞胺樹脂的詳細情況可參考國際公開第2016/129541號的記載，該內容引用至本說明書。

作為(C)彈性體，可舉出例如含有聚矽氧烷結構的樹脂。有時將含有聚矽氧烷結構的樹脂稱為「矽氧烷樹脂」。作為矽氧烷樹脂的具體例子，可舉出信越矽利光公司製的「SMP-2006」、「SMP-2003PGMEA」、「SMP-5005PGMEA」，以胺基末端聚矽氧烷和四元酸酐為原料的線性聚醯亞胺(國際公開第2010/053185號、日本特開2002-12667號公報和日本特開2000-319386號公報等)等。

作為(C)彈性體，可舉出例如含有聚伸烷基結構或聚伸烷基氧基結構的樹脂。有時將含有聚伸烷基結構的樹脂稱為「伸烷基樹脂」。另外，有時將含有聚伸烷基氧基結構的樹脂稱為「伸烷基氧基樹脂」。聚伸烷基結構和聚伸烷基氧基結構的碳原子數各自較好是2～15，更好是3～10，特別好是5～6。作為伸烷基樹脂和伸烷基氧基樹脂的具體例，可舉出旭化成纖維公司製的「PTXG-1000」、「PTXG-1800」；DIC公司製「EXA-4850-150」、「EXA-4816」、「EXA-4822」；ADEKA公司製「EP-4000」、「EP-4003」、「EP-4010」、「EP-4011」；新日本理化公司製「BEO-60E」、「BPO-20E」；三菱化學公司製「YL7175」、「YL7410」等。

作為(C)彈性體，可舉出例如含有聚異戊二烯結構的樹脂。有時將含有聚異戊二烯結構的樹脂稱為「異戊二烯樹脂」。作為異戊二烯樹脂的具體例子，可舉出可樂麗公司製的「KL-610」、「KL613」等。

作為(C)彈性體，可舉出例如含有聚異丁烯結構的樹脂。有時將含有聚異丁烯結構的樹脂稱為「異丁烯樹脂」。作為異丁烯樹脂的具體例子，可舉出Kaneka公司製的「SIBSTAR-073T」(苯乙烯-異丁烯-苯乙烯三嵌段共聚物)、「SIBSTAR-042D」(苯乙烯-異丁烯二嵌段共聚物)等。

作為(C)彈性體，可舉出例如含有聚苯乙烯結構的樹脂。有時將含有聚苯乙烯結構的樹脂稱為「聚苯乙烯樹脂」。聚苯乙烯樹脂可以是與苯乙烯單元組合而包含與所述的苯乙烯單元不同的任意的重複單元的共聚物，也可以是氫化聚苯乙烯樹脂。作為聚苯乙烯樹脂，可舉出例如苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)、苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBBS)、苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物、氫化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯-丁二烯無規共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物等。作為聚苯乙烯樹脂的具體例子，可舉出氫化苯乙烯類熱塑性彈性體「H1041」、「Tuftec H1043」、「Tuftec P2000」、「Tuftec MP10」(旭化成公司製)，環氧化苯乙烯-丁二烯熱塑性彈性體「EPOFRIEND AT501」、「CT310」(大賽璐公司製)，具有羥基的改性苯乙烯類彈性體「SEPTON HG252」(可樂麗公司製)，具有羧基的改性苯乙烯類彈性體「Tuftec N503M」、具有胺基的改性苯乙烯類彈性體「Tuftec N501」、具有酸酐基的改性苯乙烯類彈性體「Tuftec M1913」(旭化成化學公司製)，未改性苯乙烯類彈性體「SEPTON S8104」(可樂麗公司製)，苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚物「FG1924」(Kraton公司製)、「EF-40」(CRAY VALLEY公司製)。

在上述中，作為(C)彈性體，從得到特別良好的剝離性的觀點來看，較好是在分子內含有選自由聚丁二烯結構和聚(甲基)丙烯酸酯結構所成群組中的至少一種結構的樹脂。進一步地，作為(C)彈性體，從得到特別良好的切割性的觀點來看，特別好是在分子內具有聚丁二烯結構的樹脂。

(C)彈性體可具有能夠與(A)環氧樹脂反應的官能基。(C)彈性體與(A)環氧樹脂反應的情況下，可提高將樹脂組成物層硬化而得的硬化物層的機械強度。能夠與(A)環氧樹脂反應的官能基中包含藉由加熱產生的官能基。能夠與(A)環氧樹脂反應的官能基可為選自由羥基、羧基、酸酐基、酚式羥基、環氧基、異氰酸酯基和胺基甲酸酯基所成群組中的1種以上的官能基。其中，作為該官能基，較好是羥基、酸酐基、酚式羥基、環氧基、異氰酸酯基和胺基甲酸酯基，更好是羥基、酸酐基、酚式羥基和環氧基，特別好是酚式羥基。含官能基的(C)彈性體的數量平均分子量(Mn)較好是大於5000，因此該(C)彈性體的重量平均分子量(Mw)也較好是大於5000。

樹脂組成物層中的(C)彈性體的量的範圍，相對於樹脂組成物層中的不揮發成分100質量%，較好是1質量%以上，更好是3質量%以上，進一步較好是5質量%以上，較好是20質量%以下，更好是18質量%以下，進一步較好是15質量%以下，特別好是11質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%的樹脂組成物中的(C)彈性體的量的範圍較好是與相對於樹脂組成物層中的不揮發成分100質量%的樹脂組成物層中的(C)彈性體的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，(C)彈性體的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

樹脂組成物層中的(C)彈性體的量的範圍，相對於樹脂組成物層中的樹脂成分100質量%，較好是10質量%以上，更好是20質量%以上，進一步較好是30質量%以上，較好是70質量%以下，更好是60質量%以下，進一步較好是55質量%以下，特別好是52質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的樹脂成分100質量%之樹脂組成物中的(C)彈性體的量的範圍，較好是與相對於樹脂組成物層中的樹脂成分100質量%之樹脂組成物層中的(C)彈性體的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，(C)彈性體的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

((D)硬化劑) 第一和第二實施方式涉及的樹脂組成物層和樹脂組成物可包含(D)硬化劑作為任意的成分。在作為該(D)成分的(D)硬化劑中，不包含屬上述(A)～(C)成分的物質。(D)硬化劑可具有與(A)環氧樹脂反應而使樹脂組成物硬化的功能。

作為(D)硬化劑，可舉出例如馬來醯亞胺系樹脂、碳二亞胺系樹脂、活性酯系樹脂、酚系樹脂、胺系樹脂、酸酐系樹脂、氰酸酯系樹脂、苯并噁嗪系樹脂、硫醇系樹脂等。其中，較好是馬來醯亞胺系樹脂、碳二亞胺系樹脂、活性酯系樹脂和酚系樹脂，更好是馬來醯亞胺系樹脂和碳二亞胺系樹脂。(D)硬化劑可單獨使用1種，也可將2種以上組合使用。

作為馬來醯亞胺系樹脂，可以使用在1分子中具有1個以上，較好是2個以上馬來醯亞胺基(2,5-二氫-2,5-二氧代-1H-吡咯-1-基)的化合物。馬來醯亞胺系樹脂能夠在咪唑系硬化促進劑等合適的催化劑的存在下與(A)環氧樹脂反應而形成鍵結。另外，馬來醯亞胺系樹脂由於可產生基於馬來醯亞胺基中包含的乙烯性碳-碳不飽和鍵的自由基聚合，因此即使在馬來醯亞胺系樹脂之間也可結合。使用馬來醯亞胺系樹脂的情況下，可使切割性和剝離性良好，同時能夠有效地抑制具備使用樹脂薄片而形成的硬化物層的半導體晶片封裝等構件的翹曲。

馬來醯亞胺系樹脂可以是包含脂肪族胺骨架的脂肪族馬來醯亞胺系樹脂，也可以是包含芳族胺骨架的芳族馬來醯亞胺系樹脂。作為馬來醯亞胺系樹脂的市售品，可舉出例如「BMI-3000J」、「BMI-5000」、「BMI-1400」、「BMI-1500」、「BMI-1700」、「BMI-689」(均為設計分子(Designer Molecules)公司製)等的、包含源於二聚體二胺的碳原子數36的脂肪族骨架的馬來醯亞胺樹脂；日本發明協會公開技報公技編號2020-500211號中記載的包含茚滿骨架的馬來醯亞胺樹脂；「MIR-3000-70MT」(日本化藥公司製)、「BMI-4000」(大和化成公司製)、「BMI-80」(KI化成公司製)等的、包含與馬來醯亞胺基的氮原子直接鍵結的芳環骨架的馬來醯亞胺樹脂。

樹脂組成物層中的馬來醯亞胺系樹脂的量的範圍，相對於樹脂組成物層中的不揮發成分100質量%，較好是1質量%以上，更好是2質量%以上，進一步較好是3質量%以上，較好是15質量%以下，更好是10質量%以下，進一步較好是5質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%的樹脂組成物中的馬來醯亞胺系樹脂的量的範圍較好是與相對於樹脂組成物層中的不揮發成分100質量%的樹脂組成物層中的馬來醯亞胺系樹脂的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/ P(d)」的樹脂薄片中，馬來醯亞胺系樹脂的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

樹脂組成物層中的馬來醯亞胺系樹脂的量的範圍，相對於樹脂組成物層中的樹脂成分100質量%，較好是5質量%以上，更好是10質量%以上，進一步較好是15質量%以上，較好是40質量%以下，更好是30質量%以下，進一步較好是20質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的樹脂成分100質量%之樹脂組成物中的馬來醯亞胺系樹脂的量的範圍，較好是與相對於樹脂組成物層中的樹脂成分100質量%的樹脂組成物層中的馬來醯亞胺系樹脂的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/ P(d)」的樹脂薄片中，馬來醯亞胺系樹脂的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

作為碳二亞胺系樹脂，可使用在1分子中具有1個以上、較好是2個以上的碳二亞胺基(-N=C=N-)的化合物。碳二亞胺系樹脂能夠與(A)環氧樹脂反應而形成鍵結。另外，碳二亞胺系樹脂也可與鍵結於芳環的羥基(酚式羥基)反應，因此也可與酚系樹脂鍵結。使用碳二亞胺系樹脂時，能夠使切割性和剝離性良好，同時能夠有效地抑制具備使用樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等構件的翹曲。

作為碳二亞胺系樹脂的具體例，可舉出四亞甲基-雙(叔丁基碳二亞胺)、環己烷雙(亞甲基-叔丁基碳二亞胺)等脂肪族雙碳二亞胺；伸苯基-雙(二甲苯基碳二亞胺)等芳族雙碳二亞胺等雙碳二亞胺；聚六亞甲基碳二亞胺、聚三甲基六亞甲基碳二亞胺、聚伸環己基碳二亞胺、聚(亞甲基雙伸環己基碳二亞胺)、聚(異佛爾酮碳二亞胺)等脂肪族聚碳二亞胺；聚(伸苯基碳二亞胺)、聚(伸萘基碳二亞胺)、聚(伸甲苯基碳二亞胺)、聚(甲基二異丙基伸苯基碳二亞胺)、聚(三乙基伸苯基碳二亞胺)、聚(二乙基伸苯基碳二亞胺)、聚(三異丙基伸苯基碳二亞胺)、聚(二異丙基伸苯基碳二亞胺)、聚(伸二甲苯基碳二亞胺)、聚(四甲基伸二甲苯基碳二亞胺)、聚(亞甲基二伸苯基碳二亞胺)、聚[亞甲基雙(甲基伸苯基)碳二亞胺]等芳族聚碳二亞胺等聚碳二亞胺。

作為碳二亞胺系樹脂的市售品，可舉出例如：日清紡化學公司製的「CARBODILITE V-02B」、「CARBODILITE V-03」、「CARBODILITE V-04K」、「CARBODILITE V-05」、「CARBODILITE V-07」和「CARBODILITE V-09」；Rhein-Chemie公司製的「Stabaxol P」、「Stabaxol P400」、「Hycasyl 510」等。

樹脂組成物層中的碳二亞胺系樹脂的量的範圍，相對於樹脂組成物層中的不揮發成分100質量%，較好是0.1質量%以上，更好是0.2質量%以上，進一步較好是0.5質量%以上，較好是10質量%以下，更好是7質量%以下，進一步較好是4質量%以下，特別好是2質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%之樹脂組成物中的碳二亞胺系樹脂的量的範圍，較好是與相對於樹脂組成物層中的不揮發成分100質量%的樹脂組成物層中的碳二亞胺系樹脂的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，碳二亞胺系樹脂的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，更通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

樹脂組成物層中的碳二亞胺系樹脂的量的範圍，相對於樹脂組成物層中的樹脂成分100質量%，較好是1質量%以上，更好是2質量%以上，進一步較好是3質量%以上，較好是30質量%以下，更好是25質量%以下，進一步較好是20質量%以下，特別好是12質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的樹脂成分100質量%之樹脂組成物中的碳二亞胺系樹脂的量的範圍，較好是與相對於樹脂組成物層中的樹脂成分100質量%的樹脂組成物層中的碳二亞胺系樹脂的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，碳二亞胺系樹脂的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

作為活性酯系樹脂，可以使用在1分子中具有1個以上活性酯基的化合物。其中，作為活性酯系樹脂，較好是酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物的酯類等的在1分子中具有2個以上的反應活性高的酯基的化合物。該活性酯系樹脂較好是藉由羧酸化合物和/或硫代羧酸化合物與羥基化合物和/或硫醇化合物的縮合反應而獲得的樹脂。特別是從耐熱性提高的觀點來看，較好是由羧酸化合物與羥基化合物獲得的活性酯系樹脂，更好是由羧酸化合物與苯酚化合物和/或萘酚化合物獲得的活性酯系樹脂。作為羧酸化合物，可舉出例如苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四甲酸等。作為苯酚化合物或萘酚化合物，可舉出例如氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞啉、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三酚、雙環戊二烯型二苯酚化合物、線型酚醛樹脂(Phenolic Novolac)等。此處，「雙環戊二烯型二苯酚化合物」是指1分子雙環戊二烯縮合2分子苯酚而得的二苯酚化合物。

作為活性酯系樹脂的較好的具體例，可舉出含雙環戊二烯型二苯酚結構的活性酯系樹脂、含萘結構的活性酯系樹脂、含線型酚醛樹脂的乙醯化物的活性酯系樹脂、含線型酚醛樹脂的苯甲醯化物的活性酯系樹脂。其中，更好是含萘結構的活性酯系樹脂、含雙環戊二烯型二苯酚結構的活性酯系樹脂。「雙環戊二烯型二苯酚結構」表示由伸苯基-二伸環戊基-伸苯基形成的二價結構單元。

作為活性酯系樹脂的市售品，例如包含雙環戊二烯型二苯酚結構的活性酯系樹脂可舉出「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「EXB-8000L」、「EXB-8000L-65M」、「EXB-8000L-65TM」、「HPC-8000L-65TM」、「HPC-8000」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H」、「HPC-8000H-65TM」(DIC公司製)；包含萘結構的活性酯系樹脂可舉出「HP-B-8151-62T」、「EXB-8100L-65T」、「EXB-8150-60T」、「EXB-8150-62T」、「EXB-9416-70BK」、「HPC-8150-60T」、「HPC-8150-62T」、「EXB-8」(DIC公司製)；含有磷的活性酯系樹脂可舉出「EXB9401」(DIC公司製)；作為線型酚醛樹脂的乙醯化物的活性酯系樹脂可舉出「DC808」(三菱化學公司製)；作為線型酚醛樹脂的苯甲醯化物的活性酯系樹脂可舉出「YLH1026」、「YLH1030」、「YLH1048」(三菱化學公司製)；包含苯乙烯基和萘結構的活性酯系樹脂可舉出「PC1300-02-65MA」(AIR WATER公司製)等。

作為酚系樹脂，可使用在1分子中具有1個以上、較好是2個以上的與苯環、萘環等芳環結合的羥基(酚式羥基)的化合物。從耐熱性和耐水性的觀點來看，較好是具有酚醛結構(novolac structure)的酚系樹脂。另外，從密合性的觀點來看，較好是含氮酚系樹脂，更好是含有三嗪骨架的酚系樹脂。其中，從高度滿足耐熱性、耐水性和密合性的觀點來看，較好是含有三嗪骨架的線型酚醛系樹脂。

作為酚系樹脂的具體例，可舉出例如明和化成公司製的「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥公司製的「NHN」、「CBN」、「GPH」、日鐵化學材料公司製的「SN-170」、「SN-180」、「SN-190」、「SN-475」、「SN-485」、「SN-495」、「SN-375」、「SN-395」、DIC公司製的「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-3018」、「LA-3018-50P」、「LA-1356」、「TD2090」、「TD-2090-60M」等。

作為胺系樹脂，可使用在1分子內具有1個以上、較好是2個以上胺基的化合物。作為胺系樹脂，可舉出例如脂肪族胺類、聚醚胺類、脂環族胺類、芳族胺類等。其中，較好是芳族胺類。胺系樹脂較好是伯胺或仲胺，更好是伯胺。作為胺系樹脂的具體例，可舉出4,4'-亞甲基雙(2,6-二甲基苯胺)、二苯基二胺基碸、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯基碸、間苯二胺、間苯二甲胺、二乙基甲苯二胺、4,4'-二胺基二苯基醚、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二羥基聯苯胺、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷、3,3-二甲基-5,5-二乙基-4,4-二苯基甲烷二胺、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)碸、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸等。胺系樹脂可使用市售品，可舉出例如SEIKA公司製「SEIKACURE-S」；日本化藥公司製的「KAYABOND C-200S」、「KAYABOND C-100」、「KAYAHARD A-A」、「KAYAHARD A-B」、「KAYAHARD A-S」、三菱化學公司製的「Epicure W」等。

作為酸酐系樹脂，可使用在1分子內具有1個以上、較好是2個以上酸酐基的化合物。作為酸酐系樹脂的具體例，可舉出鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基納迪克酸酐、氫化甲基納迪克酸酐、三烷基四氫鄰苯二甲酸酐、十二碳烯基琥珀酸酐、5-(2,5-二氧代四氫-3-呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四羧酸二酐、聯苯四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、氧二鄰苯二甲酸二酐、3,3'-4,4'-二苯基碸四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘并[1,2-C]呋喃-1,3-二酮、乙二醇雙(偏苯三甲酸酐酯)、苯乙烯與馬來酸進行共聚而得到的苯乙烯-馬來酸樹脂等聚合物型的酸酐等。作為酸酐系樹脂的市售品，可舉出例如新日本理化公司製的「HNA-100」、「MH-700」、「MTA-15」、「DDSA」、「OSA」；三菱化學公司製的「YH-306」、「YH-307」；日立化成公司製的「HN-2200」、「HN-5500」；克雷威利公司製「EF-30」、「EF-40」、「EF-60」、「EF-80」等。

作為氰酸酯系樹脂，可使用在1分子內中具有1個以上、較好是2個以上的氰酸酯基的化合物。作為氰酸酯系樹脂，可舉出例如：雙酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯、低聚(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4'-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4'-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯基)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯基苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯基-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯基苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯基苯基)硫醚和雙(4-氰酸酯基苯基)醚等二官能氰酸酯樹脂；由苯酚酚醛清漆樹脂和甲酚酚醛清漆樹脂等所衍生的多官能氰酸酯樹脂；這些氰酸酯樹脂的一部分三嗪化而得的預聚物等。作為氰酸酯系樹脂的具體例子，可舉出Lonza Japan公司製的「PT30」和「PT60」(均為苯酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)、「ULL-950S」(多官能氰酸酯樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯的一部分或全部被三嗪化而形成了三聚體的預聚物)等。

作為苯并噁嗪系樹脂的具體例子，可舉出：JFE化學公司製的「JBZ-OD100」、「JBZ-OP100D」、「ODA-BOZ」；四國化成工業公司製的「P-d」、「F-a」；昭和高分子公司製的「HFB2006M」等。

作為硫醇系樹脂的具體例，可舉出三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)、三(3-巰基丙基)異氰脲酸酯等。

(D)硬化劑的活性基團當量較好是50g/eq.～3000g/eq.，更好是100g/eq.～1000g/eq.，進一步較好是100g/eq.～500g/eq.，特別好是100g/eq.～300g/eq.。活性基團當量表示每1當量活性基團的樹脂的質量。

在一個例子中，(D)硬化劑的重量平均分子量(Mw)可以為100以上，可以為5000以下。

將(A)環氧樹脂的環氧基數設為1時，(D)硬化劑的活性基團數的範圍較好是0.01以上，更好是0.1以上，進一步較好是0.2以上，較好是10以下，更好是5以下，進一步較好是3以下。在樹脂組成物層或樹脂組成物中，「(A)環氧樹脂的環氧基數」表示將存在於樹脂組成物層或樹脂組成物中的(A)環氧樹脂的不揮發成分的質量除以環氧當量而得的值全部進行合計所得的值。另外，在樹脂組成物層或樹脂組成物中，「(D)硬化劑的活性基團數」表示將存在於樹脂組成物層或樹脂組成物中的(D)硬化劑的不揮發成分的質量除以活性基團當量而得的值全部進行合計所得的值。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/ P(d)」的樹脂薄片中，(D)硬化劑的活性基團數處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

樹脂組成物層中的(D)硬化劑的量的範圍，相對於樹脂組成物層的不揮發成分100質量%，較好是1質量%以上，更好是2質量%以上，進一步較好是3質量%以上，較好是40質量%以下，更好是30質量%以下，進一步較好是20質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%之樹脂組成物中的(D)硬化劑的量的範圍，較好是與相對於樹脂組成物層的不揮發成分100質量%的樹脂組成物層中的(D)硬化劑的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，(D)硬化劑的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

樹脂組成物層中的(D)硬化劑的量的範圍，相對於樹脂組成物層的樹脂成分100質量%，較好是5質量%以上，更好是10質量%以上，進一步較好是15質量%以上，較好是60質量%以下，更好是50質量%以下，進一步較好是40質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的樹脂成分100質量%之樹脂組成物中的(D)硬化劑的量的範圍，較好是與相對於樹脂組成物層的樹脂成分100質量%的樹脂組成物層中的(D)硬化劑的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，(D)硬化劑的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

((E)硬化促進劑) 第一和第二實施方式涉及的樹脂組成物層和樹脂組成物可包含(E)硬化促進劑作為任意的成分。在作為該(E)成分的(E)硬化促進劑中，不包含屬上述(A)～(D)成分的物質。(E)硬化促進劑具有作為促進(A)環氧樹脂的硬化的硬化催化劑的功能。

作為(E)硬化促進劑，可舉出例如磷系硬化促進劑、脲系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑、胺系硬化促進劑等。其中，較好是咪唑系硬化促進劑。(E)硬化促進劑可單獨使用1種，也可將2種以上組合使用。

作為磷系硬化促進劑，可舉出例如四丁基鏻溴化物、四丁基鏻氯化物、四丁基鏻乙酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、四丁基鏻月桂酸鹽、雙(四丁基鏻)均苯四甲酸鹽、四丁基鏻六氫鄰苯二甲酸氫鹽、四丁基鏻2,6-雙[(2-羥基-5-甲基苯基)甲基]-4-甲基苯酚鹽、二叔丁基二甲基鏻四苯基硼酸鹽等脂肪族鏻鹽；甲基三苯基鏻溴化物、乙基三苯基鏻溴化物、丙基三苯基鏻溴化物、丁基三苯基鏻溴化物、苄基三苯基鏻氯化物、四苯基鏻溴化物、對甲苯基三苯基鏻四對甲苯基硼酸鹽、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四苯基鏻四對甲苯基硼酸鹽、三苯基乙基鏻四苯基硼酸鹽、三(3-甲基苯基)乙基鏻四苯基硼酸鹽、三(2-甲氧基苯基)乙基鏻四苯基硼酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫氰酸鹽、四苯基鏻硫氰酸鹽、丁基三苯基鏻硫氰酸鹽等芳族鏻鹽；三苯基膦-三苯基硼烷等芳族膦-硼烷複合體；三苯基膦-對苯醌加成反應物等芳族膦-醌加成反應物；三丁基膦、三叔丁基膦、三辛基膦、二叔丁基(2-丁烯基)膦、二叔丁基(3-甲基-2-丁烯基)膦、三環己基膦等脂肪族膦；二丁基苯基膦、二叔丁基苯基膦、甲基二苯基膦、乙基二苯基膦、丁基二苯基膦、二苯基環己基膦、三苯基膦、三鄰甲苯基膦、三間甲苯基膦、三對甲苯基膦、三(4-乙基苯基)膦、三(4-丙基苯基)膦、三(4-異丙基苯基)膦、三(4-丁基苯基)膦、三(4-叔丁基苯基)膦、三(2,4-二甲基苯基)膦、三(2,5-二甲基苯基)膦、三(2,6-二甲基苯基)膦、三(3,5-二甲基苯基)膦、三(2,4,6-三甲基苯基)膦、三(2,6-二甲基-4-乙氧基苯基)膦、三(2-甲氧基苯基)膦、三(4-甲氧基苯基)膦、三(4-乙氧基苯基)膦、三(4-叔丁氧基苯基)膦、二苯基-2-吡啶基膦、1,2-雙(二苯基膦基)乙烷、1,3-雙(二苯基膦基)丙烷、1,4-雙(二苯基膦基)丁烷、1,2-雙(二苯基膦基)乙炔、2,2'-雙(二苯基膦基)二苯基醚等芳族膦等。

作為脲系硬化促進劑，可舉出例如1,1-二甲基脲；1,1,3-三甲基脲、3-乙基-1,1-二甲基脲、3-環己基-1,1-二甲基脲、3-環辛基-1,1-二甲基脲等脂肪族二甲基脲；3-苯基-1,1-二甲基脲、3-(4-氯苯基)-1,1-二甲基脲、3-(3,4-二氯苯基)-1,1-二甲基脲、3-(3-氯-4-甲基苯基)-1,1-二甲基脲、3-(2-甲基苯基)-1,1-二甲基脲、3-(4-甲基苯基)-1,1-二甲基脲、3-(3,4-二甲基苯基)-1,1-二甲基脲、3-(4-異丙基苯基)-1,1-二甲基脲、3-(4-甲氧基苯基)-1,1-二甲基脲、3-(4-硝基苯基)-1,1-二甲基脲、3-[4-(4-甲氧基苯氧基)苯基]-1,1-二甲基脲、3-[4-(4-氯苯氧基)苯基]-1,1-二甲基脲、3-[3-(三氟甲基)苯基]-1,1-二甲基脲、N,N-(1,4-伸苯基)雙(N',N'-二甲基脲)、N,N-(4-甲基-1,3-伸苯基)雙(N',N'-二甲基脲)〔甲苯雙二甲基脲〕等芳族二甲基脲等。

作為胍系硬化促進劑，可舉出例如雙氰胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(鄰甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-正丁基雙胍、1-正十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(鄰甲苯基)雙胍等。

作為咪唑系硬化促進劑，可舉出例如2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-均三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三嗪異氰脲酸加成物、2-苯基咪唑異氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂的加成物。作為咪唑系硬化促進劑的市售品，可舉出例如四國化成工業公司製的「1B2PZ」、「2E4MZ」、「2MZA-PW」、「2MZ-OK」、「2MA-OK」、「2MA-OK-PW」、「2PHZ」、「2PHZ-PW」、「C11Z」、「C11Z-CN」、「C11Z-CNS」、「C11Z-A」，三菱化學公司製的「P200-H50」等。

作為金屬系硬化促進劑，可舉出例如鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等金屬的有機金屬錯合物或有機金屬鹽。作為有機金屬錯合物的具體例，可舉出乙醯丙酮鈷(II)、乙醯丙酮鈷(III)等有機鈷錯合物、乙醯丙酮銅(II)等有機銅錯合物、乙醯丙酮鋅(II)等有機鋅錯合物、乙醯丙酮鐵(III)等有機鐵錯合物、乙醯丙酮鎳(II)等有機鎳錯合物、乙醯丙酮錳(II)等有機錳錯合物等。作為有機金屬鹽，可舉出例如辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。

作為胺系硬化促進劑，可舉出例如三乙基胺、三丁基胺等三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6-三(二甲基胺基甲基)苯酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯等。作為胺系硬化促進劑，可使用市售品，可舉出例如味之素精細化學公司製的「MY-25」等。

相對於樹脂組成物層的不揮發成分100質量%，樹脂組成物層中的(E)硬化促進劑的量的範圍較好是0.01質量%以上，更好是0.02質量%以上，進一步較好是0.03質量%以上，較好是1.0質量%以下，更好是0.5質量%以下，進一步較好是0.1質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%的樹脂組成物中的(E)硬化促進劑的量的範圍較好是與相對於樹脂組成物層的不揮發成分100質量%的樹脂組成物層中的(E)硬化促進劑的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，(E)硬化促進劑的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

樹脂組成物層中的(E)硬化促進劑的量的範圍，相對於樹脂組成物層的樹脂成分100質量%，較好是0.01質量%以上，更好是0.05質量%以上，進一步較好是0.1質量%以上，較好是5質量%以下，更好是2質量%以下，進一步較好是1質量%以下。另外，相對於樹脂組成物中的樹脂成分100質量%之樹脂組成物中的(E)硬化促進劑的量的範圍，較好是與相對於樹脂組成物層的樹脂成分100質量%之樹脂組成物層中的(E)硬化促進劑的量的前述範圍相同。在具有上述範圍的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或上述範圍的第二特定參數「P(a)/P(d)」的樹脂薄片中，(E)硬化促進劑的量處於前述範圍時，能夠使切割性和剝離性特別良好，進而通常能夠有效地抑制具備使用該樹脂薄片形成的硬化物層的半導體晶片封裝等的構件的翹曲。

((F)任意的添加劑) 第一和第二實施方式涉及的樹脂組成物層和樹脂組成物可進一步包含與上述(A)～(E)成分組合的(F)任意的添加劑作為任意的不揮發成分。作為(F)任意的添加劑，可舉出例如：有機銅化合物、有機鋅化合物、有機鈷化合物等的有機金屬化合物；聚矽氧系流平劑、丙烯酸類聚合物系流平劑等流平劑；Benton、蒙脫石等增稠劑；聚矽氧系消泡劑、丙烯酸系消泡劑、氟系消泡劑、乙烯基樹脂系消泡劑等消泡劑；苯并三唑系紫外線吸收劑等紫外線吸收劑；脲矽烷等黏接性提高劑；三唑系密合性賦予劑、四唑系密合性賦予劑、三嗪系密合性賦予劑等密合性賦予劑；受阻酚系抗氧化劑等抗氧化劑；茋(stilbene)衍生物等螢光增白劑；氟系界面活性劑、聚矽氧系界面活性劑等界面活性劑；磷系阻燃劑(例如磷酸酯化合物、磷腈化合物、次膦酸化合物、紅磷)、氮系阻燃劑(例如硫酸三聚氰胺)、鹵素系阻燃劑、無機系阻燃劑(例如三氧化銻)等阻燃劑；磷酸酯系分散劑、聚氧化烯系分散劑、炔系分散劑、聚矽氧系分散劑、陰離子性分散劑、陽離子性分散劑等分散劑；硼酸酯系穩定劑、鈦酸酯系穩定劑、鋁酸酯系穩定劑、鋯酸酯系穩定劑、異氰酸酯系穩定劑、羧酸系穩定劑、羧酸酐系穩定劑等穩定劑。(F)任意的添加劑可以單獨使用1種，也可以將2種以上組合使用。

((G)溶劑) 第一和第二實施方式涉及的樹脂組成物層和樹脂組成物通常還包含與上述的(A)～(F)成分這樣的不揮發成分組合的(G)溶劑作為揮發性成分。作為(G)成分的(G)溶劑的量可反映為第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和第二特定參數「P(a)/P(d)」中的質量減少率P(a)。例如，樹脂組成物層有時藉由形成包含(A)環氧樹脂、(B)無機填充材料和(G)溶劑的液態的樹脂塗料的膜並使其乾燥而製造。藉由乾燥，除去大部分的(G)溶劑，但(G)溶劑的一部分可殘留在樹脂組成物層中。包含反映了這樣殘留的(G)溶劑的量的質量減少率P(a)的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」處於滿足式(1)的範圍的情況下、以及包含反映了這樣殘留的(G)溶劑的量的質量減少率P(a)的第二特定參數「P(a)/P(d)」處於滿足式(2)的範圍的情況下，能夠使切割性和剝離性這兩者良好。

作為(G)溶劑，通常使用有機溶劑。作為有機溶劑的具體例子，可舉出丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸異戊酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、γ-丁內酯等酯系溶劑；四氫吡喃、四氫呋喃、1,4-二噁烷、二乙醚、二異丙基醚、二丁基醚、二苯基醚、茴香醚等醚系溶劑；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇等醇系溶劑；乙酸2-乙氧基乙酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙基二乙二醇乙酸酯(ethyl diglycol acetate)、γ-丁內酯、甲氧基丙酸甲酯等醚酯系溶劑；乳酸甲酯、乳酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯等酯醇系溶劑；2-甲氧基丙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、丙二醇單甲基醚、二乙二醇單丁基醚(丁基卡必醇)等醚醇系溶劑；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮等醯胺系溶劑；二甲基亞碸等亞碸系溶劑；乙腈、丙腈等腈系溶劑；己烷、環戊烷、環己烷、甲基環己烷等脂肪族烴系溶劑；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、三甲基苯等芳烴系溶劑等。(G)溶劑可以單獨使用1種，也可以組合使用2種以上。

從將質量減少率P(a)控制為合適的範圍的觀點來看，(G)溶劑具有優選的沸點的範圍。詳細而言，從抑制來自樹脂組成物層的(G)溶劑的過度揮發、使質量減少率P(a)變大的觀點考慮，(G)溶劑的沸點較好是高的。另一方面，從縮短樹脂薄片的製造過程中的樹脂塗料的乾燥時間的觀點、和抑制樹脂組成物層硬化後的(G)溶劑的殘留的觀點考慮，(G)溶劑的沸點較好是低的。具體的(G)溶劑的沸點的範圍也可能受到使用的(G)溶劑的組合而影響，但較好是30℃以上，更好是40℃以上，進一步較好是50℃以上，較好是280℃以下，更好是260℃以下，特別好是240℃以下。沸點能夠藉由沸點上升計法或蒸餾法作為1個大氣壓下的沸點而測定。

可以設定(G)溶劑的量，以使第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」成為滿足式(1)的範圍和/或使第二特定參數「P(a)/P(d)」成為滿足式(2)的範圍。在一個例子中，相對於樹脂組成物層100質量%的(G)溶劑的具體量的範圍可與質量減少率P(a)的範圍相同。另外，在其他的例子中，相對於樹脂組成物100質量%的(G)溶劑的具體量的範圍可與質量減少率P(a)的範圍相同。

[樹脂組成物層的厚度] 樹脂組成物層的厚度可以根據其用途而設定。樹脂組成物層的厚度的具體範圍較好是1μm以上，更好是5μm以上，進一步較好是10μm以上，較好是150μm以下，更好是120μm以下，特別好是100μm以下。

[膜層] 第一和第二實施方式涉及的樹脂薄片可還具備與樹脂組成物層組合的任意的層。例如，樹脂薄片可具備與樹脂組成物層相接的膜層。通常，樹脂組成物層與膜層直接相接。樹脂組成物層與膜層「直接」相接，只要沒有另外明示，是指在樹脂組成物層與膜層之間沒有其他層。

圖1是示意性地表示本發明的第一和第二實施方式涉及的樹脂薄片的剖面圖。如圖1所示的那樣，本發明的第一和第二實施方式涉及的樹脂薄片100可具備與樹脂組成物層110組合的膜層120和130。這些膜層120和130例如可為了支承和保護樹脂組成物層110而設置。以下，有時將設置於樹脂組成物層110的一側的膜層120稱為「第一膜層」120，有時將設置於樹脂組成物層110的另一側的膜層130稱為「第二膜層」130。

作為第一膜層120，可舉出例如由塑膠材料形成的膜、金屬箔、脫模紙，較好是由塑膠材料形成的膜、金屬箔。

在使用由塑膠材料形成的膜作為第一膜層120的情況下，作為塑膠材料，可舉出例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(以下有時簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二醇酯(以下有時簡稱為「PEN」)等的聚酯；聚碳酸酯(以下有時簡稱為「PC」)；聚甲基丙烯酸甲酯(以下有時簡稱為「PMMA 」)等的丙烯酸系聚合物；聚丙烯等的聚烯烴；環狀聚烯烴；三乙醯纖維素(以下有時簡稱為「TAC」)、聚醚硫化物(以下有時簡稱為「PES」)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，較好是聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯，特別好是廉價的聚對苯二甲酸乙二醇酯。

在使用金屬箔作為第一膜層120的情況下，作為金屬箔，可舉出例如銅箔、鋁箔等。其中，較好是銅箔。作為銅箔，可使用由銅的單金屬形成的箔，也可使用由銅與其他金屬(例如，錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)的合金形成的箔。

可以對第一膜層120的與樹脂組成物層110接合的面實施消光處理、電暈處理、防靜電處理等的處理。

作為第一膜層120，可使用在與樹脂組成物層110接合的面上具有脫模層(未圖示)的帶有脫模層的膜層。作為用於脫模層的脫模劑，可舉出例如選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂和聚矽氧樹脂所成群組中的一種以上的脫模劑。作為脫模劑的市售品，可舉出例如作為醇酸樹脂系脫模劑的琳得科公司製的「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」等。另外，作為帶有脫模層的膜層，可舉出例如東麗公司製的「Lumirror T60」；帝人公司製的「Purex」；UNITIKA公司製的「Unipeel」等。

第一膜層120的厚度的範圍較好是5μm以上，更好是10μm以上，較好是75μm以下，更好是60μm以下。使用帶有脫模層的膜層的情況下，較好是帶有脫模層的膜層整體的厚度為上述範圍。

作為第二膜層130，例如可使用與第一膜層120相同的膜層。第二膜層130可以比第一膜層120更薄，例如第二膜層130的厚度的範圍可以為1μm～40μm。將第一膜層120與第二膜層130組合使用的情況下，第一膜層120和第二膜層130中的一者可作為支承樹脂組成物層110的支承體發揮功能，另一者可作為保護樹脂組成物層110的覆蓋膜層發揮功能。

[樹脂薄片的形狀] 第一和第二實施方式涉及的樹脂薄片的形狀沒有限制。樹脂薄片例如可以具有葉片的形狀，也可以具有長條的形狀。「長條」的形狀只要沒有另外明示，是指具有相對於寬度為10倍以上的長度的膜或片的形狀。前述的長度相對於寬度較好為20倍以上，具體而言，可以是可捲繞成卷狀來保管或搬運的程度的長度。長度的上限沒有特別限制，例如可以是相對於寬度為10萬倍以下。

[樹脂薄片的製造方法] 樹脂薄片例如能夠藉由包含準備樹脂組成物的步驟、和將該樹脂組成物塗布於合適的支承面的步驟的製造方法來製造。此時，作為支承面，例如可使用膜層的表面。其中，較好是包含將樹脂組成物溶解於(G)溶劑中而製造液態的樹脂塗料的步驟、和將該樹脂塗料塗布於支承面的步驟的製造方法。藉由使用(G)溶劑，能夠調整黏度、使塗布性提高。使用樹脂塗料的情況下，通常在塗布後使樹脂塗料乾燥，形成樹脂組成物層。

樹脂組成物例如可藉由將上述的成分進行混合而製造。上述的成分可以將一部分或全部同時混合，也可以依次混合。在將各成分混合的過程中，可以適當設定溫度，因此可以暫時地或始終地進行加熱和/或冷卻。另外，在將各成分混合的過程中，可以進行攪拌或振盪。

樹脂組成物和樹脂塗料的塗布例如可使用模塗機等的塗布裝置進行。

乾燥可藉由加熱、熱風吹拂等的方法實施。乾燥條件較好是以得到滿足式(1)的第一特定參數「P(a)×P(b)/P(c)」和/或滿足式(2)的第二特定參數「P(a)/P(d)」的方式設定。例如使用包含30質量%～60質量%的有機溶劑的樹脂塗料的情況下，藉由在50℃～150℃乾燥3分鐘～10分鐘，大多能夠形成所期望的樹脂組成物層。

樹脂薄片的製造方法還可包含在得到樹脂組成物層後，使該樹脂組成物層與膜層貼合的步驟。例如，樹脂薄片的製造方法可包含在第一膜層的表面形成樹脂組成物層的步驟、和使形成的樹脂組成物層與第二膜層貼合的步驟。

[樹脂薄片的特性] 第一和第二實施方式涉及的樹脂薄片能夠具有優異的切割性。因此，在切割樹脂薄片的樹脂組成物層時能夠抑制該樹脂組成物層的缺口。在一個例子中，在進行使用10cm見方切割工具來沖裁樹脂薄片的切割性評價試驗而得到具有正方形的平面形狀的試樣片的情況下，能夠減少該試樣片的樹脂組成物層的角落部分的缺口。具體而言，在試樣片的4個角落中，較好是能夠在1個以上的角落沒有樹脂組成物層的缺口，更好是能夠在全部4個角落沒有樹脂組成物層的缺口。切割性評價試驗具體而言可藉由後述的實施例中說明的方法進行。

第一和第二實施方式涉及的樹脂薄片能夠具有優異的剝離性。因此，樹脂薄片具備膜層時，能夠抑制樹脂組成物層和膜層的密合強度而順暢地進行膜層的剝離。在一個例子中，將具備樹脂組成物層和膜層的樹脂薄片與基材層壓後，進行將膜層以50mm/分鐘的速度沿垂直方向撕剝的剝離性評價試驗。進行該剝離性評價試驗時，能夠使為了剝離膜層所需要的力的大小(負載)較好為0.09 kgf/cm以下，更好為0.06kgf/cm以下。剝離性評價試驗具體而言可藉由後述的實施例中說明的方法進行。

藉由將樹脂薄片的樹脂組成物層硬化，可得到硬化物層。該硬化物層通常包含上述的樹脂組成物的硬化物，較好是僅包含上述樹脂組成物的硬化物。樹脂組成物層硬化時，通常對樹脂組成物層加熱。因此，在樹脂組成物層中包含的成分中，(G)溶劑等的揮發性成分可藉由硬化時的熱而揮發，而(A)～(F)成分這樣的不揮發成分不會由於硬化時的熱而揮發。因此，樹脂組成物的硬化物可包含樹脂組成物的不揮發成分或其反應產物。

前述的硬化物層能夠設置在半導體晶片封裝和電路基板等的構件中。此時，藉由由前述的樹脂薄片得到的硬化物層，通常能夠抑制前述的構件的翹曲。在一個例子中，使用樹脂薄片，在12英寸矽晶圓(厚度775μm)的單面整體上形成厚度140μm的硬化物層，製造試樣層合體，進行翹曲評價試驗。進行該翹曲評價試驗的情況下，能夠使該試樣層合體的翹曲量較好為1.0mm以下，更好為0.6mm以下。翹曲評價試驗具體而言可藉由後述的實施例中說明的方法進行。

將前述的樹脂組成物層硬化而得的硬化物層較好是具有優異的介電特性。例如，硬化物層的相對介電常數較好是4.0以下，更好是3.6以下，特別好是3.4以下。相對介電常數的下限沒有特別限制，例如可以為1.5以上、2.0以上等。另外，例如，硬化物層的介電損耗角正切較好是0.0100以下，更好是0.0090以下，進一步較好是0.0080以下，特別好是0.0070以下。介電損耗角正切的下限沒有特別限制，例如可以為0.0010以上。在一個例子中，前述的硬化物層的相對介電常數和介電損耗角正切可以使用將樹脂組成物層在190℃加熱90分鐘而得的硬化物層、藉由使用了安捷倫科技(Agilent Technologies)公司製「HP8362B」的共振腔微擾法，在測定頻率5.8GHz、測定溫度23℃的條件下進行測定。

上述的樹脂薄片例如可用作密封層形成用的樹脂薄片。該情況下，樹脂組成物層可適合用作密封層用的樹脂組成物層。其中，樹脂薄片的樹脂組成物層較好是用作用於密封半導體的樹脂組成物層(半導體密封用的樹脂組成物層)，進一步較好是用作用於密封半導體晶片的樹脂組成物層(半導體晶片密封用的樹脂組成物層)。

另外，樹脂薄片可用於除形成密封層用途以外的用途，例如可作為絕緣層形成用的樹脂薄片使用。該情況下，樹脂組成物層能夠適合作為用於形成半導體晶片封裝的絕緣層的樹脂組成物層(半導體晶片封裝的絕緣層形成用的樹脂組成物層)、和用於形成電路基板(包含印刷配線板)的絕緣層的樹脂組成物層(電路基板的絕緣層形成用的樹脂組成物層)使用。絕緣層可包括層間絕緣層和再配線形成層。

作為半導體晶片封裝，可舉出例如FC-CSP、MIS-BGA封裝、ETS-BGA封裝、扇出型WLP(晶圓級封裝，Wafer Level Package)、扇入型WLP、扇出型PLP(面板級封裝，Panel Level Package)、扇入型PLP。

進而，樹脂薄片的樹脂組成物層可用於阻焊劑、黏晶材料、填孔樹脂、部件埋入樹脂等採用樹脂組成物層的廣泛用途。

＜半導體晶片封裝的製造方法＞ 使用上述的樹脂薄片，能夠進行半導體晶片封裝的製造。以下，示出第三實施方式來說明該半導體晶片封裝的製造方法。本發明的第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法包含： 將樹脂薄片的樹脂組成物層切割的步驟(I)、 將具備切割後的樹脂組成物層的樹脂薄片與基材進行層壓的步驟(II)、和 將樹脂組成物層硬化的步驟(III)。

(步驟(I)：樹脂組成物層的切割步驟) 第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法包括切割樹脂薄片的樹脂組成物層的步驟(I)。

步驟(I)較好是包括在樹脂組成物層的厚度方向上按壓刀刃來切割樹脂組成物層。在一個例子中，可使用具備可沿圓周方向旋轉而設置的圓柱狀的輥、和設置於該輥的周面的刀刃的模切機(die cutter)，將樹脂組成物層進行切割。使用模切機的情況下，一邊使該模切機沿圓周方向旋轉，一邊以與模切機的刀刃接觸的方式、沿著與模切機的旋轉方向相同的方向搬運樹脂薄片。將搬運的樹脂薄片的樹脂組成物層在厚度方向上按壓，使模切機的刀刃進入樹脂組成物層內，能夠以沖裁該樹脂組成物層的方式進行切割。另外，在另一個例子中，可使用從樹脂組成物層的厚度方向觀察具有所期望的平面形狀的沖裁刀，將樹脂組成物層進行切割。使用沖裁刀的情況下，用該沖裁刀在厚度方向上按壓樹脂組成物層，能夠以沖裁該樹脂組成物層的方式進行切割。如這些例子中所示的那樣，上述的樹脂薄片在以藉由刀刃沖裁的方式切割樹脂組成物層的情況下，能夠有效地抑制樹脂組成物層的缺口。

圖2是在本發明的第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法中，示意性地表示將樹脂組成物層110切割後的樹脂薄片100的剖面圖。如圖2所示的那樣，藉由前述的切割，能夠得到具有與刀刃的形狀相對應的平面形狀的樹脂組成物層110。以下，在切割後的樹脂組成物層110的部分中，有時將與基材(沒有圖示)層壓的部分稱為「有效樹脂組成物層」111，有時將其以外的部分稱為「周邊樹脂組成物層」112。使用了上述樹脂薄片100的情況下，能夠抑制由於切割而在樹脂組成物層110生成缺口。因此，能夠以高的可靠性得到如意圖那樣的形狀的有效樹脂組成物層111。

另外，在圖2中，示出樹脂組成物層110的厚度方向的整體被切割的例子，但是樹脂組成物層110也可在厚度方向被部分切割。藉由將樹脂組成物層110的厚度方向的至少一部分被切割，在樹脂組成物層110的厚度方向的至少一部分形成切口時，可在後述的步驟(V)中順暢地除去周邊樹脂組成物層112。

樹脂薄片100具備膜層的情況下，在步驟(I)中，可切割膜層。例如，在樹脂組成物層110與刀刃(沒有圖示)之間具有第二膜層130的情況下，在步驟(I)中，通常不僅切割樹脂組成物層110，也切割第二膜層130。此時，第二膜層130可切割其厚度方向的整體。以下，如圖2所示的那樣，在切割的第二膜層130的部分中，有時將覆蓋有效樹脂組成物層111的部分稱為「主要部分」131，將其以外的部分稱為「周邊部分」132。

另外，在步驟(I)中，可不切割膜層。例如，對於樹脂組成物層110，在與刀刃(沒有圖)相反一側設置第一膜層120的情況下，該第一膜層120可不被切割。另外，如圖2所示的那樣，刀刃可部分地進入第一膜層120，在厚度方向部分地切割第一膜層120。

這裡，示出使用從刀刃側依次具備第二膜層130、樹脂組成物層110和第一膜層120的長條的樹脂薄片100的例子。該情況下，較好是切割樹脂組成物層110和第二膜層130。另外，第一膜層120可不被切割，也可沿厚度方向部分地被切割。但是，步驟(I)中的操作不限於該例中所示的情況。例如，可在後述的步驟(IV)中，在將第二膜層130剝離後進行步驟(I)，由此切割不具備第二膜層130的樹脂薄片的樹脂組成物層110。

在步驟(I)中切割樹脂組成物層110而得的有效樹脂組成物層111通常具有待與該有效樹脂組成物層111層壓的基材(沒有圖示)相對應的平面形狀。例如，有效樹脂組成物層111可具有與基材相同的平面形狀，也可具有比基材大的平面形狀，還可具有比基材小的平面形狀。舉出具體例時，使用具有圓形的平面形狀的晶圓作為基材的情況下，可切割樹脂組成物層110，以得到具有圓形的平面形狀的有效樹脂組成物層111。

(步驟(IV)：膜層的剝離步驟) 第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法可包含在步驟(II)之前將膜層剝離的步驟(IV)。例如，使用了具備第一膜層和第二膜層的樹脂薄片的半導體晶片封裝的製造方法通常包含在步驟(II)之前將第一樹脂薄片和第二膜層中的一者或兩者剝離的步驟(IV)。從搬運時支承和保護有效樹脂組成物層的觀點來看，步驟(IV)較好是僅剝離第一樹脂薄片和第二膜層中的一者。

將膜層剝離的步驟(IV)可在步驟(I)之前進行，也可在步驟(I)之後進行。藉由在用膜層支承樹脂組成物層的狀態下將樹脂組成物層進行切割，能夠有效地抑制樹脂組成物層的缺口，因此將膜層剝離的步驟(IV)較好是在步驟(I)之後進行。

作為將第一膜層剝離的方法，可舉出例如在用真空吸附機將第二膜層和樹脂組成物層吸附的狀態下，以將第一膜層從樹脂組成物層分離的方式進行拉伸而剝離的方法。

另一方面，作為將第二膜層剝離的方法，可舉出例如在用真空吸附機將第一膜層和樹脂組成物層吸附的狀態下，以將第二膜層從樹脂組成物層分離的方式進行拉伸而剝離的方法。

另外，如圖2所示的例子那樣，在步驟(I)中切割了第二膜層的情況下，切割後的第二膜層包含覆蓋有效樹脂組成物層的主要部分、和覆蓋周邊樹脂組成物層的周邊部分。因此，在步驟(I)之後進行步驟(IV)的情況下，步驟(IV)可以包含將第二膜層的主要部分剝離，也可以包含將第二膜層的周邊部分剝離。第二膜層的主要部分的剝離和周邊部分的剝離可以同時進行，也可以依次進行。

作為第二膜層的主要部分的剝離方法，可舉出例如膠帶法、真空吸附法等。例如，在膠帶法中，一般而言，在第二膜層的主要部分貼合膠帶，然後剝離該膠帶。此時，能夠與剝離的膠帶一起將第二膜層的主要部分剝離。

作為第二膜層的周邊部分的剝離方法，例如與主要部分同樣，可舉出膠帶法、真空吸附法等。另外，使用長條的樹脂薄片的情況下，第二膜層的周邊部分可在樹脂薄片的搬運方向連續形成。因此，對於第二膜層的周邊部分而言，可將該周邊部分機械地拉伸剝離。例如，藉由以從樹脂組成物層離開的方式拉伸第二膜層的周邊部分，能夠連續地剝離該周邊部分。

使用了上述樹脂薄片的情況下，樹脂組成物層與膜層的密合強度低，因此膜層能夠從樹脂組成物層順暢地分離。因此，可抑制有效樹脂組成物層的一部分或全部黏著於膜層。因此，可抑制有效樹脂組成物層的一部分或全部與膜層一起剝離的不良狀況的產生，能夠順暢地進行膜層的剝離。

(步驟(V)：周邊樹脂組成物層的剝離步驟) 第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法可以包含將周邊樹脂組成物層剝離的步驟(V)。半導體晶片封裝的製造方法通常在步驟(I)之後包含將周邊樹脂組成物層剝離的步驟(V)。

周邊樹脂組成物層的剝離可在步驟(IV)之後進行，也可與步驟(IV)的一部分或全部同時進行。例如，周邊樹脂組成物層可以與在步驟(IV)中將第一膜層剝離的同時進行剝離。舉出具體例時，可在用真空吸附機將第二膜層的主要部分和有效樹脂組成物層吸附的狀態下，以將第一膜層和周邊樹脂組成物層從有效樹脂組成物層分離的方式進行拉伸、剝離。

另外，例如，周邊樹脂組成物層可以與在步驟(IV)中將第二膜層的周邊部分剝離的同時進行剝離。舉出具體例時，可將第二膜層的周邊部分和周邊樹脂組成物層以從有效樹脂組成物層離開的方式拉伸而剝離第二膜層的周邊部分和周邊樹脂組成物層。

進一步地，例如，周邊樹脂組成物層可與第一膜層和第二膜層的周邊部分的剝離分開進行剝離。

使用了上述樹脂薄片的情況下，樹脂組成物層與膜層的密合強度低，因此周邊樹脂組成物層能夠從膜層順暢地分離。因此，可抑制周邊樹脂組成物層的一部分或全部黏著於膜層。因此，能夠順暢地進行周邊樹脂組成物層的剝離。

(步驟(II)：層壓步驟) 第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法包含將具備作為切割後的樹脂組成物層的有效樹脂組成物層的樹脂薄片、和基材進行層壓的步驟(II)。該層壓以使樹脂薄片的有效樹脂組成物層與基材接合的方式進行。藉由該層壓，能夠在基材上形成有效樹脂組成物層。

作為基材，較好是例如包含基板或晶圓。作為基板，可舉出例如：玻璃基板；銅、鈦、不鏽鋼、冷軋鋼板(SPCC)等的金屬基板；FR-4基板等使環氧樹脂等滲入玻璃纖維並熱硬化處理而得的基板；由BT樹脂等雙馬來醯亞胺三嗪樹脂形成的基板；聚醯亞胺基板等。另外，作為晶圓，可舉出矽晶圓、砷化鎵(GaAs)晶圓、銦磷(InP)晶圓、鎵磷(GaP)晶圓、氮化鎵(GaN)晶圓、碲化鎵(GaTe)晶圓、鋅硒(ZnSe)晶圓、碳化矽(SiC)晶圓等的半導體晶圓；玻璃晶圓；偽晶圓等。作為偽晶圓，可使用例如具備模塑樹脂、和埋入該模塑樹脂中的電子部件的板狀構件。

作為基材，可使用前述的基板或晶圓自身。另外，可以在基板或晶圓上組合任意的構件而作為基材使用。例如，可使用在前述的基板或晶圓上形成有臨時固定膜的複合構件作為基材。使用具備臨時固定膜的複合構件作為基材的情況下，能夠在後面的步驟中容易地進行基材的剝離。臨時固定膜較好是使用能夠從半導體晶片剝離且能夠將半導體晶片臨時固定的膜。作為市售的臨時固定膜，可舉出例如日東電工公司製「REVALPHA」等。

在基材上可設置半導體晶片。例如，基材具備臨時固定膜的情況下，可在該臨時固定膜上臨時固定半導體晶片。半導體晶片的臨時固定例如能夠使用覆晶接合機(flip chip bonder)、黏晶機(die bonder)等裝置進行。半導體晶片的配置的佈局(layout)和配置數可根據臨時固定膜的形狀、大小、作為目標的半導體晶片封裝的生產數等而適當設定。例如，可將半導體晶片排列成多行且多列的矩陣狀來進行臨時固定。在基材上設置半導體晶片的情況下，通常以將半導體晶片埋入有效樹脂組成物層的方式進行層壓。

樹脂薄片與基材的層壓例如可藉由將樹脂薄片加熱壓接於基材來進行。作為將樹脂薄片加熱壓接於基材的構件(以下有時稱為「加熱壓接構件」)，可舉出例如加熱後的金屬板(SUS端板等)或金屬輥(SUS輥等)。較好是不將加熱壓接構件直接壓於樹脂基材，而是隔著耐熱橡膠等彈性材料進行壓製，使得樹脂薄片充分順應基材的表面凹凸。

基材與樹脂薄片的層壓例如可藉由真空層壓法實施。層壓條件例如可以是如下所述的條件。加熱壓接溫度較好是60℃～160℃，更好是80℃～140℃的範圍。加熱壓接壓力較好是0.098MPa～1.77MPa，更好是0.29MPa～1.47MPa的範圍。加熱壓接時間較好是20秒～400秒，更好是30秒～300秒的範圍。層壓較好是在壓力13hPa以下的減壓條件下實施。

前述的層壓能夠藉由市售的真空層壓機進行。作為市售的真空層壓機，可舉出例如名機製作所製的真空加壓式層壓機、Nikko-Materials公司製的真空敷料器、分批式真空加壓層壓機、琳得科公司製的全自動LC帶式層壓機等。使用晶圓作為基材時，為了抑制晶圓的裂紋，較好是使用隔膜(diaphragm)方式的層壓機。

(步驟(VI)：平滑化步驟) 第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法可包括在步驟(II)中將樹脂薄片與基材進行層壓後、在步驟(III)中將有效樹脂組成物層硬化前，將有效樹脂組成物層進行平滑化的步驟(VI)。具體而言，可在常壓下(大氣壓下)進行將加熱壓接構件壓於樹脂薄片的平滑化處理而將有效樹脂組成物層平滑化。平滑化處理的壓製條件可與上述步驟(II)中的加熱壓接的條件相同。另外，步驟(II)中的層壓和步驟(VI)中的平滑化處理可使用真空層壓機連續地進行。

(步驟(VII)：膜層的剝離步驟) 在步驟(II)中與基材進行層壓的樹脂薄片具備膜層時，第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法可包括在步驟(II)之後將該膜層剝離的步驟(VII)。例如，如圖2所示的例子那樣，使用具備第一膜層和第二膜層的樹脂薄片時，與基材進行層壓的樹脂薄片在步驟(II)中可包含第一膜層和第二膜層的一者。因此，半導體晶片封裝的製造方法可包括步驟(VII)，該步驟(VII)包括將該第一膜層和第二膜層的一者剝離。剝離膜層的步驟(VII)可在步驟(III)之前進行，也可在步驟(III)之後進行。

步驟(VII)中的膜層的剝離方法沒有特別限制，例如可採用與步驟(IV)中的膜層的剝離方法相同的方法。使用上述的樹脂薄片時，樹脂組成物層與膜層的密合強度低，因此能夠抑制樹脂組成物層的一部分或全部與膜層一起剝離的不良狀況的產生，順暢地進行膜層的剝離。

(步驟(III)：硬化步驟) 第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法包括在步驟(II)中將樹脂薄片與基材進行層壓後，將作為層壓於基材的樹脂組成物層的有效樹脂組成物層硬化的步驟(III)。有效樹脂組成物層的硬化通常藉由熱硬化進行。

有效樹脂組成物層的熱硬化條件也可根據樹脂組成物的種類而不同，但硬化溫度通常在120℃～240℃的範圍(較好是150℃～220℃的範圍，更好是170℃～200℃的範圍)，硬化時間通常在5分鐘～120分鐘的範圍(較好是10分鐘～100分鐘的範圍，更好是15分鐘～90分鐘的範圍)。

可在使有效樹脂組成物層熱硬化之前，對於有效樹脂組成物層，實施以比硬化溫度低的溫度進行加熱的預加熱處理。例如，可在使有效樹脂組成物層熱硬化之前，通常在50℃以上且低於120℃(較好是60℃以上且110℃以下、更好是70℃以上且100℃以下)的溫度，將樹脂組成物層預加熱通常5分鐘以上(較好是5分鐘～150分鐘，更好是15分鐘～120分鐘)。

藉由使有效樹脂組成物層硬化，能夠在基材上形成包含樹脂組成物的硬化物的硬化物層。因此，藉由上述的製造方法，能夠得到具備硬化物層的半導體晶片封裝。通常，所得的半導體晶片封裝包含硬化物層和半導體晶片。而且，使用上述樹脂薄片製造的半導體晶片封裝通常可抑制翹曲。

在半導體晶片封裝中，硬化物層能夠作為例如密封層、絕緣層、阻焊層等發揮功能。在一個例子中，在基材上設置半導體晶片時，能夠得到具備半導體晶片、和作為密封該半導體晶片的密封層的硬化物層的半導體晶片封裝。作為這種半導體晶片封裝，可舉出例如扇出型WLP、扇入型WLP、扇出型PLP、扇入型PLP等。

(任意的步驟) 第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法可進一步包含與上述步驟組合的任意的步驟。

例如，上述半導體晶片封裝的製造方法可作為依次包括下述步驟的製造方法來實施： 將半導體晶片臨時固定在基材上的步驟、 在半導體晶片上形成密封層的步驟、 剝離基材的步驟、 在剝離了基材的半導體晶片的面上形成作為絕緣層的再配線形成層的步驟、和 在再配線形成層上形成作為導體層的再配線層的步驟。

另外，例如，半導體晶片封裝的製造方法可作為依次包括下述步驟的製造方法來實施： 在基材上形成作為絕緣層的再配線形成層的步驟、 在再配線形成層上形成作為導體層的再配線層的步驟、 在再配線形成層上以與再配線層電連接的方式搭載半導體晶片的步驟、和 在半導體晶片上形成密封層的步驟。

在這些例子涉及的製造方法中，上述的硬化物層較好是能夠適用於密封層和再配線形成層。因此，形成密封層的步驟和形成再配線形成層的步驟，可藉由包含上述的步驟(I)～(III)和根據需要包含的步驟(IV)～(VII)的方法來實施。該情況下，半導體晶片封裝的製造方法可進一步包含為了使上述的硬化體層作為密封層或再配線形成層發揮功能而要求的任意步驟。進而，半導體晶片封裝的製造方法可包含形成密封層和再配線形成層以外的任意步驟。以下，對於這些任意步驟進行說明。

半導體晶片封裝的製造方法中，作為任意步驟，可包含例如在硬化物層形成通孔、過孔等孔的步驟。舉出具體例時，在使用硬化物層作為再配線形成層等的絕緣層的情況下，為了在該硬化物層的一側設置的導體層與在另一側設置的導體層之間的層間連接，可在硬化物層形成孔。作為孔的形成方法，可舉出例如雷射照射、蝕刻、機械鑽孔等。另外，半導體晶片封裝的製造方法較好是在孔的形成後進行除去孔內的膠渣的除膠渣步驟。

半導體晶片封裝的製造方法中，作為任意步驟，可包含例如對於硬化物層進行粗糙化處理的步驟。藉由粗糙化處理，通常可將包括孔內的硬化物層的表面進行粗糙化。因此，藉由粗糙化處理，在使用硬化物層作為再配線形成層等的絕緣層的情況下，能夠提高硬化物層與導體層的密合強度。作為粗糙化處理，可進行乾式和濕式的任意的粗糙化處理。作為乾式的粗糙化處理的例子，可舉出電漿處理等。另外，作為濕式的粗糙化處理的例子，可舉出依次進行基於膨潤液的膨潤處理、基於氧化劑的粗糙化處理、和基於中和液的中和處理的方法。

半導體晶片封裝的製造方法可包含例如在硬化物層上形成導體層的步驟作為任意的步驟。導體層例如能夠作為配線使用。舉出具體例時，使用硬化物層作為再配線形成層的情況下，作為再配線層可形成導體層。導體層中使用的導體材料沒有特別限定。導體層中包含的導體材料可舉出例如包含選自由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫和銦所成群組中的一種以上的金屬的材料。作為導體材料，可以使用單金屬，也可以使用合金。作為合金，可舉出例如選自上述群組中的兩種以上的金屬的合金(例如，鎳-鉻合金、銅-鎳合金和銅-鈦合金)。其中，從導體層形成的通用性、成本、圖案形成的容易性的觀點來看，較好是作為單金屬的鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅；和作為合金的鎳-鉻合金、銅-鎳合金、銅-鈦合金的合金。其中，更好是鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅的單金屬；和鎳-鉻合金；特別好是銅的單金屬。導體層可具有單層結構，也可具有由不同種類的金屬或合金形成的單金屬層或合金層層合2層以上而成的多層結構。

關於導體層的形成方法，可舉出例如鍍覆法、濺射法、蒸鍍法等。例如利用半加成法、全加成法等適當的方法，在硬化物層的表面上進行鍍覆，可形成具有所期望的配線圖案的導體層。所形成的導體層的材料可以是單金屬，也可以是合金。另外，該導體層可以具有僅包含1層的單層結構，也可具有包含兩層以上不同種類的材料的層的多層結構。

此處，詳細說明在硬化物層上形成導體層的實施方式的例子。藉由無電解鍍覆，在硬化物層的表面上形成鍍敷種子層。接下來，對應所期望的配線圖案，在形成的鍍敷種子層上，形成使鍍敷種子層的一部分露出的遮罩圖案。藉由電解鍍覆，在露出的鍍敷種子層上形成電解鍍覆層，然後將遮罩圖案除去。然後，藉由蝕刻等處理將不需要的鍍敷種子層除去，能形成具有所期望的配線圖案的導體層。

另外，可反復進行上述的硬化物層的形成和導體層的形成，交替疊加(堆疊)硬化物層和導體層。

第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法可包含例如將硬化物層研磨的步驟作為任意的步驟。在一個例子中，半導體晶片封裝的製造方法可包含將與基材相反一側的硬化物層的面進行研磨的步驟。另外，在另一個例子中，如後述那樣將基材剝離的情況下，半導體晶片封裝的製造方法可包含將剝離基材而露出的硬化物層的面進行研磨的步驟。藉由研磨，能夠提高硬化物層的表面的平滑性。作為研磨方法的例子，可舉出利用了化學機械研磨裝置的化學機械研磨方法、拋光等的機械研磨方法、利用了磨石旋轉的平面磨削方法等。

半導體晶片封裝的製造方法可包含例如在硬化物層上搭載半導體晶片的步驟作為任意的步驟。舉出具體例時，半導體晶片封裝的製造方法可包含以能夠與在硬化物層上形成的再配線層等的導體層進行導體連接的方式在硬化物層上搭載半導體晶片的步驟。該步驟通常包含以能夠使半導體晶片的端子電極與導體層進行導體連接的方式在硬化物層上接合半導體晶片。接合方法可舉出例如在半導體晶片與硬化物層之間，經由絕緣性的黏接劑進行接合的方法、將半導體晶片壓接於硬化物層的方法、藉由回流焊(reflow)接合半導體晶片的方法等，也可以是這些方法以外的方法。

第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法例如可包含將基材剝離的步驟作為任意的步驟。舉出具體例時，在使用包含臨時固定膜的基材的情況下，可將基材剝離。作為基材的剝離方法，可舉出例如使臨時固定膜加熱、發泡或膨脹來進行剝離的方法。使臨時固定膜加熱、發泡或膨脹來進行剝離的方法中，加熱條件通常為在100℃～250℃加熱1秒～90秒或5分鐘～15分鐘。另外，作為基材的剝離方法，可舉出例如透過基材對臨時固定膜照射紫外線，使臨時固定膜的黏附力下降來進行剝離的方法。照射紫外線而使臨時固定膜的黏附力下降來進行剝離的方法中，紫外線的照射量通常為10mJ/cm ²～1000mJ/cm ²。

第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法例如可包括在再配線層等的導體層上形成阻焊層的步驟作為任意的步驟。阻焊層的材料可使用具有絕緣性的任意的材料。其中，從半導體晶片封裝的製造容易性的觀點來看，較好是感光性樹脂組成物和熱硬化性樹脂組成物。也可利用將上述樹脂薄片的樹脂組成物層硬化而得的硬化物層形成該阻焊層。

第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法例如可包括進行形成凸塊的凸塊加工的步驟作為任意的步驟。凸塊加工可利用焊料球、焊料鍍覆(solder plating)等方法進行。

第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法例如可包括切割成半導體晶片封裝而進行單片化的步驟作為任意的步驟。

這裡，對於半導體晶片封裝的製造方法的更具體的例子進行說明。在某具體例中，進行藉由包含上述步驟(I)～(III)的方法在基材上形成硬化物層來作為再配線形成層、和在硬化物層上形成導體層來作為再配線層。硬化物層和導體層可以分別僅形成1層，也可以為了堆疊而形成2層以上。然後，在硬化物層上搭載半導體晶片，形成密封層而進行密封。密封層可使用上述的樹脂薄片製造。而且，根據需要，可剝離基材，進行切片，得到半導體晶片封裝。

在其他的具體例中，在基材上設置半導體晶片，在該基材上，藉由包含上述步驟(I)～(III)的方法而形成硬化物層來作為密封層。然後，剝離基材。在剝離基材而露出的面上，形成再配線形成層和再配線層。再配線形成層可使用上述的樹脂薄片形成。另外，再配線形成層和再配線層可以分別僅形成1層，也可以為了堆疊而形成2層以上。然後，可進行切片，得到半導體晶片封裝。

另外，在這些具體例涉及的製造方法中，可將上述的1個或2個以上的步驟組合而實施。

(使用了電路基板的半導體晶片封裝的製造方法) 半導體晶片封裝可藉由包含利用後述的電路基板的製造方法製造電路基板的步驟、和在該電路基板上搭載半導體晶片的步驟的方法來製造。後述的電路基板的製造方法包含步驟(I)、(II)和(III)，因此即使藉由包含該電路基板的製造方法的方法，也可製造使用了上述樹脂薄片的半導體晶片封裝。所得的半導體晶片封裝通常包含硬化物層和半導體晶片。

在電路基板上搭載半導體晶片的步驟通常包含在電路基板上接合半導體晶片，以使半導體晶片的端子電極與電路基板的電路配線能夠導體連接。關於電路基板與半導體晶片的接合條件，例如可採用在半導體晶片的覆晶安裝中使用的條件。另外，例如，在半導體晶片與電路基板之間，可經由絕緣性的黏接劑進行接合。

作為接合方法的例子，可舉出將半導體晶片壓接於電路基板的方法。作為壓接條件，壓接溫度通常為120℃～240℃的範圍(較好是130℃～200℃的範圍，更好是140℃～180℃的範圍)，壓接時間通常為1秒～60秒的範圍(較好是5秒～30秒的範圍)。

另外，作為接合方法的其他例子，可舉出將半導體晶片藉由回流焊而接合於電路基板的方法。回流焊條件可以是120℃～300℃的範圍。

在將半導體晶片接合於電路基板後，可用模塑底部填充材料填充半導體晶片。

＜電路基板的製造方法＞ 能夠使用上述的樹脂薄片進行電路基板的製造。以下，示出第四實施方式來說明該電路基板的製造方法。本發明的第四實施方式涉及的電路基板的製造方法包括： 切割樹脂薄片的樹脂組成物層的步驟(I)、 將具備切割後的樹脂組成物層的樹脂薄片與基材進行層壓的步驟(II)、和 將樹脂組成物層硬化的步驟(III)。

在第四實施方式涉及的電路基板的製造方法中，切割樹脂薄片的樹脂組成物層的步驟(I)可與上述的半導體晶片封裝的製造方法的步驟(I)同樣地進行。根據第四實施方式涉及的電路基板的製造方法的步驟(I)，能夠得到與半導體晶片封裝的製造方法的步驟(I)同樣的優點。

第四實施方式涉及的電路基板的製造方法與上述的半導體晶片封裝的製造方法相同，也可包含剝離膜層的步驟(IV)、和剝離周邊樹脂組成物層的步驟(V)。電路基板的製造方法中的步驟(IV)和步驟(V)可分別與上述半導體晶片封裝的製造方法的步驟(IV)和步驟(V)同樣地進行。根據第四實施方式涉及的電路基板的製造方法的步驟(IV)和步驟(V)，能夠得到與半導體晶片封裝的製造方法的步驟(IV)和步驟(V)相同的優點。

第四實施方式涉及的電路基板的製造方法包括將具備作為切割後的樹脂組成物層的有效樹脂組成物層的樹脂薄片與基材進行層壓的步驟(II)。該層壓以樹脂薄片的有效樹脂組成物層與基材接合的方式進行。藉由該層壓，能夠在基材上形成有效樹脂組成物層。

作為基材，可舉出例如玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等基板。另外，對於基材而言，作為該基材的一部分，可以在表面上具有銅箔等金屬層。例如，也可使用在兩個表面上具有可剝離的金屬層(第一金屬層和第二金屬層)的基材。使用此種基材的情況下，通常，作為能夠作為電路配線起作用的配線層的導體層，可在第二金屬層的與第一金屬層相反一側的面上形成。作為金屬層的材料，可舉出銅箔、帶載體的銅箔、前述的導體層的材料等，較好是銅箔。作為具有金屬層的基材，可舉出例如三井金屬礦業公司製的帶載體銅箔的超薄銅箔「Micro Thin」。基材在其一面或兩面可具有導體層，該導體層可進行圖案加工。在製造電路基板時待進一步形成絕緣層和/或導體層的中間製造物也被包含在前述的「基材」中。製造部件內置電路板作為電路基板時，可使用內置有部件的基材。

樹脂薄片與基材的層壓例如可藉由將樹脂薄片加熱壓接於基材而進行。具體的層壓的方法和條件可以與上述的半導體晶片封裝的製造方法的步驟(II)相同。

第四實施方式涉及的電路基板的製造方法與上述的半導體晶片封裝的製造方法相同，也可包含將有效樹脂組成物層平滑化的步驟(VI)、和剝離膜層的步驟(VII)。電路基板的製造方法中的步驟(VI)和步驟(VII)可分別與上述的半導體晶片封裝的製造方法的步驟(VI)和步驟(VII)同樣地進行。根據第四實施方式涉及的電路基板的製造方法的步驟(VI)和步驟(VII)，能夠得到與半導體晶片封裝的製造方法的步驟(VI)和步驟(VII)相同的優點。

第四實施方式涉及的電路基板的製造方法包含在步驟(II)中將樹脂薄片與基材進行層壓後，將作為層壓於基材上的樹脂組成物層的有效樹脂組成物層硬化的步驟(III)。第四實施方式涉及的電路基板的製造方法的步驟(III)可與上述的半導體晶片封裝的製造方法的步驟(III)同樣地進行。藉由使有效樹脂組成物層硬化，能夠在基材上形成包含樹脂組成物的硬化物的硬化物層。因此，藉由上述的製造方法，能夠得到具備硬化物層的電路基板。使用上述的樹脂薄片製造的電路基板通常可抑制翹曲。

在電路基板中，硬化物層例如能夠作為絕緣層、密封層、阻焊層等發揮功能。

第四實施方式涉及的電路基板的製造方法可進一步包含與上述步驟組合的任意的步驟。

電路基板的製造方法例如可包含研磨硬化物層的步驟。電路基板的製造方法例如可包含在硬化物層形成通孔、過孔等的孔的步驟。另外，形成孔後，可進行除膠渣步驟。電路基板的製造方法例如可包含對硬化物層進行粗糙化處理的步驟。電路基板的製造方法例如可包含在硬化物層上形成導體層的步驟。這些任意的步驟可與上述半導體晶片封裝的製造方法中說明的步驟同樣地進行。

電路基板的製造方法例如可包含剝離基材的步驟。舉出具體例時，剝離基材的步驟能夠在使用具有可剝離的金屬層的基材的情況下進行。在除去了基材的情況下，可製造具有硬化物層和埋入到該硬化物層中的導體層的電路基板。

電路基板的製造方法例如可反復進行上述的步驟，製造具有多層印刷配線板等的多層結構的電路基板。

在電路基板的製造方法中，可進行與半導體晶片封裝的製造方法中說明的步驟相同的步驟。

＜半導體裝置＞ 半導體裝置具備上述的半導體晶片封裝或電路基板。作為半導體裝置，可舉出例如供於電氣製品(例如，電腦、行動電話、智慧型手機、平板型設備、可穿戴設備、數位相機、醫療儀器和電視機等)和交通工具(例如，摩托車、汽車、電車、船舶和飛機等)等的各種半導體裝置。 [實施例]

以下，對於本發明，示出實施例進行具體說明，但是，本發明不限於這些實施例。應予說明，在以下的記載中，表示量的「份」和「%」只要沒有另行明示，則分別是指「質量份」和「質量%」。另外，以下說明的操作只要沒有另行明示，則在常溫常壓(25℃、1個大氣壓)大氣中進行。

＜原料一覽＞ 下述的實施例和比較例中使用的樹脂組成物的原料如下所述。

(A)成分： 脂肪族三縮水甘油醚(Nagase ChemteX公司製「EX-321L」、環氧當量130g/eq.) 苯酚苯并吡咯酮型環氧樹脂(日本化藥公司製「WHR991S」、環氧當量265g/eq.)

(B)成分： 無機填充劑1：用胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)進行了表面處理的球形二氧化矽(平均粒徑1μm、比表面積4.5m ²/g、雅都瑪公司製「SO-C4」)

(C)成分： 含羥基的丙烯酸系聚合物(東亞合成公司製「ARUFON UH-2000」、重量平均分子量11000、玻璃轉移溫度-55℃)

(D)成分： 雙酚A二苯基醚雙馬來醯亞胺(大和化成工業公司製「BMI-4000」、馬來醯亞胺基當量285g/eq.、固體成分50質量%的甲苯溶液) 碳二亞胺系樹脂(日清紡化學公司製「V-03」、活性基團當量約216g/eq.、固體成分50質量%的甲苯溶液) 活性酯系樹脂(DIC公司製「HPC-8000-65T」、活性基團當量約223g/eq.、固體成分65質量%的甲苯溶液) 線型酚醛樹脂(DIC公司製「TD-2090-60M」、羥基當量約105g/eq.、固體成分60%的MEK溶液)

(E)成分： 咪唑系硬化促進劑(四國化成工業公司製「1B2PZ」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分5質量%的MEK溶液)

＜製造例1. 彈性體1的製造＞ 在反應容器中，將二官能性羥基末端聚丁二烯(數量平均分子量：5047(GPC法)、羥基當量=1800g/eq.、固體成分100質量%：日本曹達公司製「G-3000」)50g、芳族烴系混合溶劑(出光石油化學公司製「Ipzole 150」)23.5g、和二丁基錫月桂酸酯0.005g進行混合，使其均勻地溶解。變得均勻後，升溫至50℃，進而一邊攪拌一邊添加甲苯-2,4-二異氰酸酯(異氰酸酯基當量：87.08g/eq.)4.8g，進行約3小時的反應。接著，將該反應物冷卻至室溫後，向其中添加二苯酮四羧酸二酐(酸酐當量：161.1g/eq.)8.96g、三伸乙基二胺0.07g、和二乙二醇單乙基醚乙酸酯(ethyl diglycol acetate)(大賽璐公司製)40.4g，一邊攪拌一邊升溫至130℃，進行約4小時的反應。由FT-IR進行2250cm ^-1的NCO峰消失的確認。以NCO峰的消失的確認視為反應的終點，將反應物降溫至室溫後用100目的濾布過濾，得到具有醯亞胺結構、胺基甲酸酯結構、和聚丁二烯結構的彈性體1(不揮發成分50質量%)。所得的彈性體1的數量平均分子量為13700。

[與第一特定參數對應的實施例1-1至1-11和比較例1-1至1-6的說明] ＜實施例1-1＞ 一邊攪拌一邊使脂肪族三縮水甘油醚(Nagase ChemteX公司製「EX-321L」、環氧當量130g/eq.)4份、苯酚苯并吡咯酮型環氧樹脂(日本化藥公司製「WHR991S」、環氧當量265g/eq.)2份加熱溶解於MEK 8份中，得到樹脂溶液。將該樹脂溶液冷卻至室溫。然後，在前述的樹脂溶液中，混合彈性體1(不揮發成分50質量%) 20份、活性酯系樹脂(DIC公司製「HPC-8000-65T」、活性基團當量約223g/eq.、固體成分65質量%的甲苯溶液)2份、線型酚醛樹脂(DIC公司製「TD-2090-60M」、羥基當量約105g/eq.、固體成分60%的MEK溶液)1.5份、雙酚A二苯基醚雙馬來醯亞胺(大和化成工業公司製「BMI-4000」、馬來醯亞胺基當量285g/eq.、固體成分50質量%的甲苯溶液)8份、碳二亞胺系樹脂(日清紡化學公司製「V-03」、活性基團當量約216g/eq.、固體成分50質量%的甲苯溶液)2份、咪唑系硬化促進劑(四國化成工業公司製「1B2PZ」、1-苄基-2-苯基咪唑、固體成分5質量%的MEK溶液)1份、85份的無機填充劑1和MEK 10份，利用高速旋轉混合機均勻地分散，得到混合物。然後，將前述的混合物用筒式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP020」)過濾，製造樹脂塗料。

作為第一膜層，準備用醇酸樹脂系脫模劑(琳得科公司製「AL-5」)進行了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(東麗公司製「LUMIRROR R80」、厚度38μm、軟化點130℃)。在該第一膜層上，利用模塗機(die coater)塗布樹脂塗料，以使乾燥後的樹脂組成物層的厚度成為70μm，在85℃～100℃乾燥，得到包含第一膜層和樹脂組成物層的樹脂薄片。設定乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。

＜實施例1-2＞ 將無機填充劑1的量改變為93份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例1-3＞ 將無機填充劑1的量改變為110份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例1-4＞ 將無機填充劑1的量改變為75份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例1-5＞ 將脂肪族三縮水甘油醚「EXL-321L」的量改變為2份。另外，將彈性體1(不揮發成分50質量%)的量改變為26份。進一步地，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例1-6＞ 將苯酚苯并吡咯酮型環氧樹脂「WHR991S」的量改變為3份。另外，將彈性體1(不揮發成分50質量%)的量改變為14份。進一步地，將線型酚醛樹脂「TD-2090-60M」(固體成分60%)的量改變為2份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例1-7＞ 將彈性體1(不揮發成分50質量%)20份改變為含羥基的丙烯酸系聚合物(東亞合成公司製「ARUFON UH-2000」、重量平均分子量11000、玻璃轉移溫度-55℃)8份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例1-8＞ 將活性酯系樹脂「HPC-8000-65T」(固體成分65質量%)的量改變為1.2份。另外，將碳二亞胺系樹脂「V-03」(固體成分50質量%)的量改變為3份。進而，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例1-9＞ 不使用線型酚醛樹脂「TD-2090-60M」，並將碳二亞胺系樹脂「V-03」(固體成分50質量%)的量改變為8份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例1-10＞ 將活性酯系樹脂「HPC-8000-65T」(固體成分65質量%)的量改變為3份，不使用碳二亞胺系樹脂「V-03」。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例1-11＞ 不使用雙酚A二苯基醚雙馬來醯亞胺「BMI-4000」，並將最後混合的MEK的量改變為14份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表1的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例1-1＞ 將彈性體1(不揮發成分50質量%)的量改變為36份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表2的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例1-2＞ 將彈性體1(不揮發成分50質量%)的量改變為4份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表2的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例1-3＞ 將無機填充劑1的量改變為120份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表2的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例1-4＞ 將無機填充劑1的量改變為63份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表2的值。除了以上事項以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例1-5＞ 除了改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表2的值以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例1-6＞ 除了改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由後述的＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表2的值以外，與實施例1-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞ 將樹脂薄片切割成10cm見方，與充分乾燥後的矽膠(silica gel)一起放入乾燥器(desiccator)中，放置30分鐘後，測定質量M ₀。從該質量M ₀中減去該樹脂薄片中所含的第一膜層的質量，求得加熱前的樹脂組成物層的質量m ₀(=M ₀-第一膜層的質量)。將樹脂薄片在190℃下加熱30分鐘，和剛才同樣與矽膠一起在乾燥器中放冷30分鐘後，再次測定質量M ₁。從質量M ₀中減去質量M ₁，求得基於加熱的質量減少量ΔM。上述實施例和比較例中使用的第一膜層不含藉由190℃30分鐘的加熱而揮發的溶劑等的成分，因此，質量減少量ΔM不僅表示樹脂薄片的質量減少量，還表示樹脂組成物層的質量減少量。用該質量減少量ΔM除以加熱前的樹脂組成物層的質量m ₀，計算出樹脂組成物層的質量減少率P(a)[%]。

＜130℃加熱後的伸長率和彈性模量的測定＞ 將樹脂薄片在130℃下加熱30分鐘，將第一膜層剝離，得到評價用硬化物。將該評價用硬化物切成啞鈴狀1號形，得到試片。對於該試片，使用Orientec公司製拉伸試驗機「RTC-1250A」進行拉伸強度測定，求得25℃時的伸長率[%]和拉伸彈性模量[GPa]。測定根據JIS K7127來實施。進行3次該操作，算出其平均值。將伸長率[%]的平均值作為參數P(b)、將拉伸彈性模量的平均值作為參數P(c)採用。

＜切割性評價試驗＞ 作為第二膜層，準備OPP膜(雙軸拉伸聚丙烯膜、Oji F-Tex公司製「MA-411」、厚度15μm)。使用輥層壓機在40℃將樹脂薄片和第二膜層以樹脂組成物層與第二膜層接合的方式進行貼合，得到具有第一膜層/樹脂組成物層/第二膜層的層結構的多層試樣片。使用DUMBBELL公司製的10cm見方的切割工具沖裁該多層試樣片。觀察利用沖裁得到的正方形的多層試樣片，進行該樹脂組成物層的缺口容易性(切割性)的評價。由沖裁導致的樹脂組成物層的缺口容易在切割工具的刀刃接觸的角落部分產生，因此樹脂組成物層的角落部分的缺口越少，則表示切割性越優異。

切割性的評價基準： 「〇」：多層試樣片的4個角落均沒有樹脂組成物層的缺口。 「△」：在多層試樣片的1～3個角落，具有樹脂組成物層的缺口。 「×」：多層試樣片的4個角落均具有樹脂組成物層的缺口。

＜剝離性評價試驗＞ 準備在表面具有銅箔的玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板(銅箔的厚度為18μm，基板的厚度為0.8mm，松下公司製「R-1766」)。使用微蝕刻劑(MEC公司製「CZ8101」)，以銅蝕刻量成為2μm的方式進行蝕刻，進行了兩面的粗糙化處理。將這樣得到的覆銅層合板稱為「粗糙化覆銅層合板」。

使用分批式真空加壓層壓機(Nikko-Materials公司製的2階段堆疊(build-up)層壓機「CVP700」)，在粗糙化覆銅層合板上層合樹脂薄片。該層合以樹脂薄片的樹脂組成物層與粗糙化覆銅層合板接合的方式進行。另外，該層合藉由下述方式進行：減壓30秒使氣壓成為13hPa以下，然後以100℃、壓力0.74MPa的條件壓接30秒。

在樹脂薄片的第一膜層上切開包圍寬度10mm、長度100mm的部分的切痕。將該部分的一端剝離並用夾具(TSE公司製的AUTO COM型試驗機「AC-50C-SL」)夾持，測定在室溫中以50mm/分鐘的速度沿垂直方向剝下20mm時的負載(kgf/cm)，求得作為第一膜層與樹脂組成物層的密合強度的剝離強度。

前述的剝離強度表示為了將樹脂組成物層與第一膜層撕剝所需要的力的大小。因此，剝離強度越小，則表示樹脂組成物層與膜層的密合強度越小，因此能夠順暢地進行膜層的剝離。因此，剝離強度越小，則表示越能夠有效地抑制由膜層剝離導致的樹脂組成物層的不良狀況，從而剝離性越優異。

剝離性的評價基準： 「〇」：剝離強度為0.06kgf/cm以下。 「△」：剝離強度為0.07kgf/cm～0.09kgf/cm。 「×」：剝離強度為0.1kgf/cm以上。

＜翹曲評價試驗＞ 使用分批式真空加壓層壓機將樹脂薄片層合於12英寸矽晶圓(厚度775μm)的整個單面上。該層合以樹脂組成物層與矽晶圓接合的方式進行。將樹脂薄片的第一膜層剝離，使樹脂組成物層露出。在該露出的樹脂組成物層的表面，進而同樣地層合樹脂薄片，將第一膜層剝離。藉由前述的層合，在12英寸矽晶圓的單面形成了2層的樹脂組成物層(總計厚度140μm)。應予說明，層合藉由以下方式進行：進行30秒減壓，使氣壓成為13hPa以下，然後於100℃以0.74MPa的壓力進行30秒壓接。

在烘箱中於100℃加熱30分鐘，緊接著於190℃進而加熱90分鐘，使樹脂組成物層硬化，得到具有「矽晶圓/硬化物層」的層結構的試樣層合體。在水平的底座的上表面放置所得的試樣層合體。將試樣層合體的端部按壓在底座的上表面。將「與按壓的端部相反一側的矽晶圓的端部」與「底座的上表面」的距離作為翹曲量進行測定。而且，按照以下的基準評價翹曲量。翹曲量越小，則表示越能夠有效地抑制翹曲。

翹曲的評價基準： 「〇」：翹曲量為0mm以上且0.6mm以下。 「△」：翹曲量為大於0.6mm且為1.0mm以下。 「×」：翹曲量大於1.0mm。

＜結果＞ 將前述的實施例和比較例的結果示於下述表中。在下述表中，各成分的量表示不揮發成分的質量份。

[與第二特定參數對應的實施例2-1至2-11和比較例2-1至2-6的說明] ＜實施例2-1＞ 除了設定樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值以外，藉由與實施例1-1相同的方法製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例2-2＞ 將無機填充劑1的量改變為93份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例2-3＞ 將無機填充劑1的量改變為110份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例2-4＞ 將無機填充劑1的量改變為75份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例2-5＞ 將脂肪族三縮水甘油醚「EXL-321L」的量改變為2份。另外，將彈性體1(不揮發成分50質量%)的量改變為26份。進一步地，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例2-6＞ 將苯酚苯并吡咯酮型環氧樹脂「WHR991S」的量改變為3份。另外，將彈性體1(不揮發成分50質量%)的量改變為14份。進一步地，將線型酚醛樹脂「TD-2090-60M」(固體成分60%)的量改變為2份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例2-7＞ 將彈性體1(不揮發成分50質量%)20份改變為含羥基的丙烯酸系聚合物(東亞合成公司製「ARUFON UH-2000」、重量平均分子量11000、玻璃轉移溫度-55℃)8份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例2-8＞ 將活性酯系樹脂「HPC-8000-65T」(固體成分65質量%)的量改變為1.2份。另外，將碳二亞胺系樹脂「V-03」(固體成分50質量%)的量改變為3份。進一步地，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例2-9＞ 不使用線型酚醛樹脂「TD-2090-60M」，將碳二亞胺系樹脂「V-03」(固體成分50質量%)的量改變為8份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例2-10＞ 將活性酯系樹脂「HPC-8000-65T」(固體成分65質量%)的量改變為3份，不使用碳二亞胺系樹脂「V-03」。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜實施例2-11＞ 不使用雙酚A二苯基醚雙馬來醯亞胺「BMI-4000」，將最後混合的MEK的量改變為14份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表3的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例2-1＞ 將彈性體1(不揮發成分50質量%)的量改變為36份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表4的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例2-2＞ 將彈性體1(不揮發成分50質量%)的量改變為4份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表4的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例2-3＞ 將無機填充劑1的量改變為120份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表4的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例2-4＞ 將無機填充劑1的量改變為63份。另外，改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表4的值。除了以上事項以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例2-5＞ 除了改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率成為表4的值以外，與實施例2-1同樣地製作樹脂塗料和樹脂薄片。

＜比較例2-6＞ 除了改變樹脂塗料的塗布後的乾燥時間，以使藉由＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞中所示的方法測定的樹脂組成物層的質量減少率P(a)成為表4的值以外，與實施例2-1同樣地製造樹脂塗料和樹脂薄片。

＜基於190℃加熱的質量減少率的測定＞ 樹脂組成物層的質量減少率P(a)[%]藉由與實施例1-1至1-11和比較例1-1至1-6中的測定方法相同的方法進行測定。

＜130℃加熱後的維氏硬度的測定＞ 將樹脂薄片在130℃下加熱30分鐘，將第一膜層剝離，得到評價用硬化物。使用維氏硬度計(三豐公司製、產品名HM200)在測定負載0.1kgf的條件下測定該評價用硬化物的維氏硬度P(d) [HV]。

＜切割性評價試驗＞ 藉由與實施例1-1至1-11和比較例1-1至1-6中的切割性評價試驗相同的方法評價切割性。

＜剝離性評價試驗＞ 藉由與實施例1-1至1-11和比較例1-1至1-6中的剝離性評價試驗相同的方法評價剝離性。

＜翹曲評價試驗＞ 藉由與實施例1-1至1-11和比較例1-1至1-6中的翹曲評價試驗相同的方法評價翹曲。

＜結果＞ 將前述的實施例和比較例的結果示於下述表中。在下述表中，各成分的量表示不揮發成分的質量份。

將樹脂組成物層的厚度在1μm～150μm的範圍改變，進行與上述的實施例1-1至1-11和實施例2-1至2-11相同的實驗，在這些實驗中確認了，雖然程度存在差異，但也歸結為與實施例1-1至1-11和實施例2-1至2-11同樣的結果。 另外，確認了在實施例1-1至1-11和實施例2-1至2-11中，即使在不含有(C)成分～(G)成分的情況下，雖然程度存在差異，但也歸結為與實施例1-1至1-11和實施例2-1至2-11同樣的結果。

100:樹脂薄片 110:樹脂組成物層 111:有效樹脂組成物層 112:周邊樹脂組成物層 120:第一膜層 130:第二膜層 131:第二膜層的主要部分 132:第二膜層的周邊部分

[圖1]是示意性表示本發明的第一和第二實施方式涉及的樹脂薄片的剖面圖。 [圖2]是在本發明的第三實施方式涉及的半導體晶片封裝的製造方法中，示意性表示切割樹脂組成物層後的樹脂薄片的剖面圖。

100:樹脂薄片

110:樹脂組成物層

120:第一膜層

130:第二膜層

Claims (18)

1. 一種樹脂薄片，其是具備樹脂組成物層的樹脂薄片，其中， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(1)， 0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3　　　(1) 在式(1)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(b)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的伸長率(%)， P(c)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的拉伸彈性模量(GPa)。
2. 一種樹脂薄片，其是具備樹脂組成物層的樹脂薄片，其中， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(2)， 0.015≤P(a)/P(d)≤0.04　　　(2) 在式(2)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(d)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的維氏硬度(HV)。
3. 如請求項1或2之樹脂薄片，其中，樹脂組成物層包含(C)彈性體。
4. 如請求項1或2之樹脂薄片，其中，樹脂組成物層包含(D)硬化劑。
5. 如請求項4之樹脂薄片，其中，(D)硬化劑包含馬來醯亞胺系樹脂。
6. 如請求項4之樹脂薄片，其中，(D)硬化劑包含碳二亞胺系樹脂。
7. 如請求項1或2之樹脂薄片，其中，樹脂組成物層的厚度為1μm以上且150μm以下。
8. 如請求項1或2之樹脂薄片，其中，具備與樹脂組成物層相接的膜層。
9. 一種半導體晶片封裝的製造方法，其中，包括： 切割如請求項1～8中任一項之樹脂薄片的樹脂組成物層的步驟(I)、 將具備切割後的樹脂組成物層的樹脂薄片與基材進行層壓的步驟(II)，和 將樹脂組成物層硬化的步驟(III)。
10. 如請求項9之半導體晶片封裝的製造方法，其中，基材包含晶圓。
11. 如請求項9或10之半導體晶片封裝的製造方法，其中，步驟(I)包括在樹脂組成物層的厚度方向按壓刀刃來切割樹脂組成物層。
12. 一種半導體晶片封裝，其中， 具備將樹脂組成物層硬化而得的硬化物層， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(1)， 0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3　　　(1) 在式(1)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(b)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的伸長率(%)， P(c)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的拉伸彈性模量(GPa)。
13. 一種半導體晶片封裝，其中， 具備將樹脂組成物層硬化而得的硬化物層， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(2)， 0.015≤P(a)/P(d)≤0.04　　　(2) 在式(2)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(d)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的維氏硬度(HV)。
14. 一種半導體裝置，其中，具備如請求項12或13之半導體晶片封裝。
15. 一種電路基板的製造方法，其中，具備： 切割如請求項1～8中任一項之樹脂薄片的樹脂組成物層的步驟(I)、 將具備切割後的樹脂組成物層的樹脂薄片與基材進行層壓的步驟(II)，和 將樹脂組成物層硬化的步驟(III)。
16. 一種電路基板，其中， 具備將樹脂組成物層硬化而得的硬化物層， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(1)， 0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3　　　(1) 在式(1)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(b)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的伸長率(%)， P(c)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的拉伸彈性模量(GPa)。
17. 一種電路基板，其中， 具備將樹脂組成物層硬化而得的硬化物層， 樹脂組成物層包含(A)環氧樹脂和(B)無機填充材料， 樹脂組成物層滿足下述式(2)， 0.015≤P(a)/P(d)≤0.04　　　(2) 在式(2)中， P(a)表示樹脂組成物層的基於在190℃下加熱30分鐘的質量減少率(%)， P(d)表示將樹脂組成物層在130℃下加熱30分鐘後、在測定溫度25℃下測得的維氏硬度(HV)。
18. 一種半導體裝置，其中，具備如請求項16或17之電路基板。

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