KR20240018380A - 수지 시트 - Google Patents

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KR20240018380A
KR20240018380A KR1020230098813A KR20230098813A KR20240018380A KR 20240018380 A KR20240018380 A KR 20240018380A KR 1020230098813 A KR1020230098813 A KR 1020230098813A KR 20230098813 A KR20230098813 A KR 20230098813A KR 20240018380 A KR20240018380 A KR 20240018380A
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resin
composition layer
layer
mass
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하나에 오쿠야마
히로유키 사카우치
슈 이케히라
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아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 커트성 및 박리성 모두가 뛰어난 수지 조성물층을 구비한 수지 시트를 제공한다.
[해결 수단] 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트로서, 수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고, 수지 조성물층이 하기 식 (1)을 만족하는, 수지 시트.
0.09P≤(a)×P(b)/P(c)≤0.3 (1)
(식 (1)에서, P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고; P(b)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 신장률(%)을 나타내고; P(c)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 인장 탄성률(GPa)을 나타낸다)

Description

수지 시트 {RESIN SHEET}
본 발명은 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 수지 시트를 사용하여 제조되는 반도체 칩 패키지 및 이의 제조 방법, 회로 기판 및 이의 제조 방법, 및 당해 반도체 칩 패키지 또는 회로 기판을 구비하는 반도체 장치에 관한 것이다.
웨이퍼 레벨 패키지 등의 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 일반적으로, 웨이퍼 등의 기재 위에, 수지 조성물의 경화물에 의해 경화물층을 형성하는 공정을 포함한다. 경화물층은, 예를 들어, 절연층 또는 밀봉층으로서 기능할 수 있다. 이러한 경화물층은, 에폭시 수지 및 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물로 수지 조성물층을 형성하고, 당해 수지 조성물층을 경화시켜 형성되는 경우가 있다. 또한, 수지 조성물층은, 당해 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트와 기재를 라미네이트함으로써, 기재 위에 마련되는 경우가 있다(특허문헌 1 참조).
일본 공개특허공보 특개2017-197656호
수지 시트를 사용한 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 기재의 형상에 맞추어 수지 조성물층을 커트하는 것, 커트된 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트와 기재를 라미네이트하는 것, 및 수지 조성물층을 경화하는 것을 포함하는 경우가 있다.
수지 조성물층의 커트는, 통상, 날(刃)을 사용하여 행한다. 예를 들어, 원하는 형상으로 형성된 다이 날(die blade)을 수지 조성물층의 두께 방향으로 닿게 하여, 당해 다이 날의 형상으로 수지 조성물층을 펀칭하듯이 커트한다. 이 커트 방법에 의해, 기재에 맞춘 형상으로 수지 조성물층을 용이하게 커트할 수 있다. 예를 들면, 원형의 웨이퍼를 기재로서 사용하여 웨이퍼 레벨 패키지를 제조하는 경우에, 수지 조성물층을 원형으로 용이하게 커트할 수 있다.
그러나, 종래의 수지 시트를 사용하는 경우, 상기 커트에 의해 당해 수지 조성물층의 일부가 결손되는 경우가 있었다. 그래서, 본 발명자는, 커트시의 수지 조성물층의 결손을 억제하는 것을 검토하였다. 검토 결과, 본 발명자는, 수지 조성물층 중의 용제의 양을 많게 함으로써, 수지 조성물층의 결손의 억제가 가능하다는 것을 발견하였다. 즉, 용제가 많으면, 수지 조성물층 중의 무기 충전재와 에폭시 수지 등의 수지 성분과의 친숙함이 양호해져, 수지 조성물층의 부드러움이 증가하기 때문에, 결손의 억제가 가능하다.
그런데, 에폭시 수지 및 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물층이 용제를 많이 포함하는 경우, 수지 조성물층에 접합하는 필름층을 구비하는 수지 시트에서, 필름층을 박리할 때에 불량이 생기는 경우가 있었다. 구체적으로는, 하기와 같았다. 보존시 및 운반시에서의 수지 조성물층의 보호 및 핸들링성 향상을 위해, 수지 시트는 수지 조성물층에 접합한 필름층을 구비하는 경우가 있다. 상기 필름층은 일반적으로 반도체 칩 패키지에서는 불필요하기 때문에, 반도체 칩 패키지의 제조 과정에서 박리된다. 그러나, 수지 조성물층 중의 용제의 양을 많게 하는 경우, 수지 조성물층과 필름층의 밀착 강도가 커지는 경향이 있다. 밀착 강도가 과대해진 경우에는, 필름층의 박리를 원활하게 행할 수 없고, 수지 조성물층의 일부가 필름층과 함께 박리되어 버리는 불량이 생기는 경우가 있었다.
이와 같이, 수지 조성물층의 커트시에 결손을 억제하는 성질과, 수지 조성물층 및 필름층의 밀착 강도를 억제하여 필름층의 박리를 원활하게 행하는 성질은 트레이드 오프의 관계에 있었다. 이하의 설명에서는, 수지 조성물층의 커트시에 당해 수지 조성물층의 결손을 억제하는 성질을 「커트성」이라고도 한다. 또한, 수지 조성물층 및 필름층의 밀착 강도를 억제하여 필름층의 박리를 원활하게 행할 수 있는 성질을 「박리성」이라고도 한다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 커트성 및 박리성 모두가 뛰어난 수지 조성물층을 구비한 수지 시트; 당해 수지 시트를 사용한 반도체 칩 패키지의 제조 방법; 커트성 및 박리성 모두가 뛰어난 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하는 반도체 칩 패키지; 당해 수지 시트를 사용한 회로 기판의 제조 방법; 커트성 및 박리성 모두가 뛰어난 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하는 회로 기판; 및, 당해 반도체 칩 패키지 또는 회로 기판을 구비한 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 본 발명자는, 우선, 에폭시 수지 및 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물층의 특정 조건의 가열에 의한 질량 감소율 P(a), 및 수지 조성물층을 다른 특정 조건으로 가열한 후에 측정되는 신장률 P(b), 및 인장 탄성률 P(c)를 포함하는 제1 특정 파라미터가 특정 범위에 있는 경우에 상기 과제를 해결할 수 있다는 지견을 얻었다. 또한, 본 발명자는, 둘째로, 에폭시 수지 및 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물층의 특정 조건의 가열에 의한 질량 감소율 P(a) 및 수지 조성물층을 다른 특정 조건으로 가열한 후에 측정되는 비커스 경도 P(d)를 포함하는 제2 특정 파라미터가 특정 범위ㅎ에 있는 경우에 상기 과제를 해결할 수 있다는 지견을 얻었다. 이에, 본 발명자는 이러한 지견에 근거하여 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은 하기의 것을 포함한다.
[1] 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트로서,
수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
수지 조성물층이 하기 식 (1)을 만족하는, 수지 시트.
0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3 (1)
(식 (1)에서,
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
P(b)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 신장률(%)을 나타내고,
P(c)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 인장 탄성률(GPa)을 나타낸다)
[2] 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트로서,
수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
수지 조성물층이 하기 식 (2)를 만족하는, 수지 시트.
0.015≤P(a)/P(d)≤0.04 (2)
(식 (2)에서,
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
P(d)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 비커스 경도(HV)를 나타낸다)
[3] 수지 조성물층이 (C) 엘라스토머를 포함하는, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 시트.
[4] 수지 조성물층이 (D) 경화제를 포함하는, [1] 내지 [3] 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트.
[5] (D) 경화제가, 말레이미드계 수지를 포함하는, [4]에 기재된 수지 시트.
[6] (D) 경화제가, 카보디이미드계 수지를 포함하는, [4] 또는 [5]에 기재된 수지 시트.
[7] 수지 조성물층의 두께가 1㎛ 이상 150㎛ 이하인, [1] 내지 [6] 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트.
[8] 수지 조성물층에 접하는 필름층을 구비하는, [1] 내지 [7] 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트.
[9] [1] 내지 [8] 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트의 수지 조성물층을 커트하는 공정 (I),
커트된 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트와, 기재를 라미네이트하는 공정 (II), 및
수지 조성물층을 경화하는 공정 (III)
을 포함하는, 반도체 칩 패키지의 제조 방법.
[10] 기재가 웨이퍼를 포함하는, [9]에 기재된 반도체 칩 패키지의 제조 방법.
[11] 공정 (I)이, 수지 조성물층의 두께 방향으로 날을 닿게 하여 수지 조성물층을 커트하는 것을 포함하는, [9] 또는 [10]에 기재된 반도체 칩 패키지의 제조 방법.
[12] 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하고,
수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
수지 조성물층이 하기 식 (1)을 만족하는, 반도체 칩 패키지.
0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3 (1)
(식 (1)에서,
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
P(b)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 신장률(%)을 나타내고,
P(c)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 인장 탄성률(GPa)을 나타낸다)
[13] 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하고,
수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
수지 조성물층이 하기 식 (2)를 만족하는, 반도체 칩 패키지.
0.015≤P(a)/P(d)≤0.04 (2)
(식 (2)에서,
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
P(d)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 비커스 경도(HV)를 나타낸다)
[14] [12] 또는 [13]에 기재된 반도체 칩 패키지를 구비하는, 반도체 장치.
[15] [1] 내지 [8] 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트의 수지 조성물층을 커트하는 공정 (I),
커트된 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트와, 기재를 라미네이트하는 공정 (II), 및
수지 조성물층을 경화하는 공정 (III)
을 구비하는, 회로 기판의 제조 방법.
[16] 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하고,
수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
수지 조성물층이 하기 식 (1)을 만족하는, 회로 기판.
0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3 (1)
(식 (1)에서,
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
P(b)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 신장률(%)을 나타내고,
P(c)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 인장 탄성률(GPa)을 나타낸다)
[17] 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하고,
수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
수지 조성물층이 하기 식 (2)를 만족하는, 회로 기판.
0.015≤P(a)/P(d)≤0.04 (2)
(식 (2)에서,
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
P(d)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 비커스 경도(HV)를 나타낸다)
[18] [16] 또는 [17]에 기재된 회로 기판을 구비하는, 반도체 장치.
본 발명에 의해, 커트성 및 박리성 모두가 뛰어난 수지 조성물층을 구비한 수지 시트; 당해 수지 시트를 사용한 반도체 칩 패키지의 제조 방법; 커트성 및 박리성 모두가 뛰어난 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하는 반도체 칩 패키지; 당해 수지 시트를 사용한 회로 기판의 제조 방법; 커트성 및 박리성 모두가 뛰어난 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하는 회로 기판; 및 당해 반도체 칩 패키지 또는 회로 기판을 구비한 반도체 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법에서, 수지 조성물층을 커트한 후의 수지 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 실시형태 및 예시물을 나타내어 본 발명에 대해 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태 및 예시물에 한정되지 않으며 특허청구의 범위 및 이의 균등의 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.
이하의 설명에서, 「평면 형상」이란, 달리 언급하지 않는 한, 두께 방향에서 본 형상을 나타낸다.
이하의 설명에서, 수지 조성물층 중의 「수지 성분」이란, 달리 언급하지 않는 한, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 중 무기 충전재를 제외한 성분을 나타낸다. 또한, 수지 조성물 중의 「수지 성분」이란, 달리 언급하지 않는 한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 중 무기 충전재를 제외한 성분을 나타낸다.
[제1 실시형태에 따른 수지 시트의 개요]
본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 시트는 수지 조성물층을 구비한다. 수지 조성물층은 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함한다. 또한, 이 수지 시트는 하기 식 (1)을 만족한다.
0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3 (1)
(식 (1)에서,
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
P(b)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 신장률(%)을 나타내고,
P(c)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 인장 탄성률(GPa)을 나타낸다)
제1 실시형태에 따른 수지 시트의 수지 조성물층은 커트성 및 박리성 모두가 뛰어날 수 있다. 따라서, 제1 실시형태에 따른 수지 시트의 수지 조성물층은, 커트시에 수지 조성물층의 결손을 억제할 수 있다. 또한, 제1 실시형태에 따른 수지 시트는, 수지 조성물층에 접하여 마련된 필름층을 구비하는 경우에, 상기 필름층의 박리를 원활하게 행할 수 있다. 종래, 상기 커트성 및 박리성은 트레이드 오프의 관계에 있었지만, 제1 실시형태에 따른 수지 시트에 의해 이들 커트성 및 박리성 모두를 양호하게 하는 것이 가능하다. 또한, 제1 실시형태에 따른 수지 시트의 수지 조성물층을 경화시켜 경화물층을 얻은 경우, 통상, 당해 경화물층을 구비하는 반도체 칩 패키지 및 회로 기판 등의 부재의 휨을 억제하는 것이 가능하다.
[식 (1)로 표시되는 관계의 설명]
이하의 설명에서는, 식 「P(a)×P(b)/P(c)」로 표시되는 수지 시트의 파라미터를 적절히 「제1 특정 파라미터」라고 부르는 경우가 있다. 수지 시트의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」는 하기의 식 (1)의 관계를 만족한다.
0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3 (1)
(식 (1)에서,
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
P(b)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 신장률(%)을 나타내고,
P(c)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 인장 탄성률(GPa)을 나타낸다)
상세하게는, 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」의 범위는, 통상 0.09 이상, 바람직하게는 0.10 이상, 보다 바람직하게는 0.11 이상, 보다 바람직하게는 0.14 이상, 더욱 바람직하게는 0.16 이상이며, 통상 0.30 이하, 바람직하게는 0.25 이하, 보다 바람직하게는 0.20 이하이다. 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」가 상기 범위에 있는 경우에, 커트성 및 박리성 모두를 양호하게 할 수 있다.
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타낸다. 따라서, 질량 감소율 P(a)는, 190℃ 및 30분의 가열에 의해 수지 조성물층으로부터 제거되는 성분의 비율을 나타낸다. 통상, 190℃ 및 30분의 가열에 의해 제거되는 성분의 전부 또는 대부분은 휘발성 성분으로서의 용제이다. 또한, 통상, 190℃ 및 30분이라는 과혹한 조건에서의 가열에 의하면, 수지 조성물층에 포함되는 용제의 전부 또는 대부분을 휘발할 수 있다. 따라서, 질량 감소율 P(a)는, 가열 전의 수지 조성물층에 포함되어 있던 용제의 양을 나타내거나, 당해 용제의 양에 상관을 갖는다. 따라서, 질량 감소율 P(a)에 의하면, 수지 조성물층 중의 용제의 양의 정도를 나타낼 수 있다.
일반적으로, 수지 조성물층 중의 용제가 많으면, 수지 조성물층의 경도의 한 원인인 (B) 무기 충전재와 (A) 에폭시 수지 등의 수지 성분의 친숙함이 양호해져, 수지 조성물층의 부드러움이 향상된다. 따라서, 커트시에서의 수지 조성물층의 유연성이 향상되어, 응력을 받은 경우의 수지 조성물층의 파괴가 억제되기 때문에, 결손의 발생을 억제할 수 있다. 그러나, 용제가 많으면, 수지 조성물층과 당해 수지 조성물층에 접한 필름층의 밀착 강도가 높아지는 경향이 있다. 만약 밀착 강도가 과잉하게 크면 필름층의 박리시에 불량이 생기는 경우가 있을 수 있다. 이에 대해, 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」가 상기의 범위에 있는 경우, 상기의 불량을 억제하여, 커트성 및 박리성 모두의 개선이 가능하다.
질량 감소율 P(a)의 범위는, 본 발명의 효과를 현저하게 발휘하는 관점에서, 바람직하게는 0.6% 이상, 보다 바람직하게는 0.8% 이상, 특히 바람직하게는 1.0% 이상이며, 바람직하게는 2.4% 이하, 보다 바람직하게는 2.2% 이하, 특히 바람직하게는 2.0% 이하이다.
질량 감소율 P(a)는, 예를 들면, 수지 조성물이 포함하는 용제의 종류 및 비율, 및 수지 조성물층의 형성시의 건조 조건(건조 온도 및 건조 시간 등)에 의해 조정할 수 있다. 구체적으로는, 비점이 상이한 복수 종류의 용제를 선택하여 적절히 조합하고, 건조 조건을 조정함으로써, 질량 감소율 P(a)의 조정이 가능하다.
질량 감소율 P(a)는, 190℃ 및 30분의 가열에 의한 수지 조성물층의 질량 감소량 ΔM을, 가열 전의 당해 수지 조성물층의 질량 m0로 나누어 구할 수 있다. 질량 감소량 ΔM은, 가열 전의 수지 조성물층의 질량과, 가열 후의 수지 조성물층의 질량의 차이로서 구할 수 있다. 또한, 수지 시트가 수지 조성물층 이외의 임의의 층(예를 들면, 필름층)을 구비하고, 또한, 상기 임의의 층의 가열에 의한 질량 변화가 무시할 수 있는 정도로 작은 경우에는, 상기 질량 감소량 ΔM은, 가열 전의 수지 시트의 질량과, 가열 후의 수지 시트의 질량의 차이로서 구해도 좋다. 질량 감소율 P(a)의 구체적인 측정 방법은 실시예에서 설명하는 방법을 채용할 수 있다.
P(b)는, 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 수지 조성물층의 신장률(%)을 나타낸다. 통상, 130℃ 및 30분에서의 가열에 의한 건조에 의해, 수지 조성물층에 포함되는 용제 등의 휘발성 성분의 대부분 또는 전부는 건조되지만 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재 등의 불휘발성 성분은 수지 조성물층에 잔류한다. 또한, 130℃ 및 30분에서의 가열에 의해, 일반적으로, 수지 성분의 반응은 진행되지 않거나 거의 진행되지 않는다. 따라서, 신장률 P(b)는, 수지 조성물층에 포함되는 불휘발 성분의 물성으로서의 신장률을 나타내거나 당해 신장률에 상관을 갖는다. 따라서, 신장률 P(b)에 의하면, 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 수지 조성물층의 불휘발 성분의 유연성의 정도를 나타낼 수 있다.
불휘발 성분의 유연성이 높은 수지 조성물층은 응력에 의한 파괴를 억제할 수 있다. 따라서, 수지 조성물층의 커트시에 응력을 받더라도 수지 조성물층의 파괴가 억제되기 때문에, 결손의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 수지 조성물층의 불휘발 성분의 유연함은, 필름층의 박리시의 응력에 의한 수지 조성물층의 응집 파괴의 억제에 공헌할 수 있기 때문에, 당해 응집 파괴에 의한 수지 조성물층의 일부(통상은, 표면 근방 부분)의 박리의 억제에 공헌할 수 있다. 한편, 불휘발 성분이 유연한 수지 조성물층은, 필름층과의 밀착 강도가 높아지는 경향이 있으므로 필름층의 박리시의 응력이 커지는 경향이 있기 때문에, 이러한 의미에서는, 수지 조성물층의 일부의 박리가 일어나기 쉬워진다. 따라서, 신장률 P(b)의 조정만으로는 커트성 및 박리성 모두의 개선은 할 수 없었다. 그러나, 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」가 상기 범위에 있는 경우 커트성 및 박리성 모두의 개선이 가능하다.
신장률 P(b)의 범위는, 본 발명의 효과를 현저하게 발휘하는 관점에서, 바람직하게는 0.8% 이상, 보다 바람직하게는 0.9% 이상이며, 바람직하게는 1.6% 이하, 보다 바람직하게는 1.5% 이하, 특히 바람직하게는 1.4% 이하이다.
신장률 P(b)는, 예를 들면, 수지 조성물이 포함하는 불휘발 성분의 종류 및 비율에 따라 조정할 수 있다. 구체적으로는, (A) 에폭시 수지의 종류 및 양, (B) 무기 충전재의 양, 및 (C) 엘라스토머 및 (D) 경화제의 종류 및 양을 선택하여 적절히 조합함으로써, 신장률 (b)의 조정이 가능하다.
신장률 P(b)는, 수지 조성물층을 130℃에서 30분 가열하여 얻어지는 평가용 경화물을 사용하여, 측정 온도 25℃에서 측정할 수 있다. 측정은 JIS K7127에 준거하여 실시할 수 있다. 신장률 P(b)의 구체적인 측정 방법은 실시예에서 설명하는 방법을 채용할 수 있다.
P(c)는, 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 수지 조성물층의 인장 탄성률(GPa)을 나타낸다. 전술한 바와 같이, 130℃ 및 30분에서의 가열에 의한 건조에 의하면, 수지 조성물층에 포함되는 용제 등의 휘발성 성분의 대부분 또는 전부는 건조되지만, (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재 등의 불휘발 성분은 수지 조성물층에 잔류한다. 또한, 130℃ 및 30분에서의 가열에 의하면, 일반적으로, 수지 성분의 반응은 진행되지 않거나, 거의 진행되지 않는다. 따라서, 인장 탄성률 P(c)는, 수지 조성물층에 포함되는 불휘발 성분의 물성으로서의 인장 탄성률을 나타내거나, 당해 인장 탄성률에 상관을 갖는다. 따라서, 인장 탄성률 P(c)에 의하면, 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 수지 조성물층의 불휘발 성분의 강성의 정도를 나타낼 수 있다.
일반적으로, 불휘발 성분의 강성이 높은 수지 조성물층은, 필름층과의 밀착 강도가 낮아지는 경향이 있다. 따라서, 필름층의 박리시에 수지 조성물층에 가해지는 응력을 작게 할 수 있기 때문에, 필름층의 박리시에 불량을 억제할 수 있다. 그러나, 수지 조성물층의 불휘발 성분의 강성이 높으면, 당해 수지 조성물층의 취성이 커져, 커트시에서의 결손이 발생하기 쉽다. 이에 대해, 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」가 상기 범위에 있는 경우, 상기의 결손을 억제하여, 커트성 및 박리성 모두의 개선이 가능하다.
인장 탄성률 P(c)의 범위는, 본 발명의 효과를 현저하게 발휘하는 관점에서, 바람직하게는 8GPa 이상, 보다 바람직하게는 9GPa 이상이며, 바람직하게는 16 이하, 보다 바람직하게는 15 이하, 더욱 바람직하게는 14GPa 이하, 더욱 바람직하게는 13GPa 이하이다.
인장 탄성률 P(c)는, 예를 들면, 수지 조성물이 포함하는 불휘발 성분의 종류 및 비율에 따라 조정할 수 있다. 구체적으로는, (A) 에폭시 수지의 종류 및 양, (B) 무기 충전재의 양, 및 (C) 엘라스토머 및 (D) 경화제의 종류 및 양을 선택하여 적절히 조합함으로써, 인장 탄성률 P(c)의 조정이 가능하다.
인장 탄성률 P(c)는, 수지 조성물층을 130℃에서 30분 가열하여 얻어지는 평가용 경화물을 사용하여, 측정 온도 25℃에서 측정할 수 있다. 측정은 JIS K7127에 준거하여 실시할 수 있다. 인장 탄성률 P(c)의 구체적인 측정 방법은 실시예에서 설명하는 방법을 채용할 수 있다.
[제2 실시형태에 따른 수지 시트의 개요]
본 발명의 제2 실시형태에 따른 수지 시트는 수지 조성물층을 구비한다. 수지 조성물층은 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함한다. 또한, 이 수지 시트는 하기 식 (2)를 만족한다.
0.015≤P(a)/P(d)≤0.04 (2)
(식 (2)에서,
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
P(d)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 비커스 경도(HV)를 나타낸다)
제2 실시형태에 따른 수지 시트에 의하면, 제1 실시형태에 따른 수지 시트와 동일한 이점을 얻을 수 있다. 따라서, 제2 실시형태에 따른 수지 시트의 수지 조성물층은 커트성 및 박리성 모두가 뛰어날 수 있다. 따라서, 제2 실시형태에 따른 수지 시트의 수지 조성물층은 커트시에 수지 조성물층의 결손을 억제할 수 있다. 또한, 제2 실시형태에 따른 수지 시트는, 수지 조성물층에 접하여 마련된 필름층을 구비하는 경우에, 상기 필름층의 박리를 원활하게 행할 수 있다. 종래, 상기의 커트성 및 박리성은 트레이드 오프의 관계에 있었지만, 제2 실시형태에 따른 수지 시트에 의하면, 이들 커트성 및 박리성 모두를 양호하게 하는 것이 가능하다. 또한, 제2 실시형태에 따른 수지 시트의 수지 조성물층을 경화시켜 경화물층을 얻은 경우, 통상은, 당해 경화물층을 구비하는 반도체 칩 패키지 및 회로 기판 등의 부재의 휨을 억제하는 것이 가능하다
[식 (2)로 표시되는 관계의 설명]
이하의 설명에서는, 식 「P(a)/P(d)」로 표시되는 수지 시트의 파라미터를 적절히 「제2 특정 파라미터」라고 부르는 경우가 있다. 수지 시트의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」는 하기의 식 (2)의 관계를 만족한다.
0.015≤P(a)/P(d)≤0.04 (2)
(식 (2)에서,
P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
P(d)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 비커스 경도(HV)를 나타낸다)
상세하게는, 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」의 범위는, 통상 0.015 이상, 바람직하게는 0.020 이상, 보다 바람직하게는 0.024 이상, 더욱 바람직하게는 0.025 이상이며, 통상 0.040 이하, 바람직하게는 0.033 이하, 더욱 바람직하게는 0.030 이하이다. 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」가 상기 범위에 있는 경우에, 커트성 및 박리성 모두를 양호하게 할 수 있다.
식 (2)에서의 P(a)는 식 (1)에서의 P(a)와 동일한 것을 나타낸다. 따라서, 식 (2)에서의 P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타낸다. 또한, 식 (2)에서의 질량 감소율 P(a)의 기술적 의의, 범위, 조정 방법 및 측정 방법은 식 (1)에서의 질량 감소율 P(a)와 동일할 수 있다.
P(d)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 비커스 경도(HV)를 나타낸다. 통상, 130℃ 및 30분에서의 가열에 의한 건조에 의해, 수지 조성물층에 포함되는 용제 등의 휘발성 성분의 대부분 또는 전부는 건조되지만, (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재 등의 불휘발 성분은 수지 조성물층에 잔류한다. 또한, 130℃ 및 30분에서의 가열에 의하면, 일반적으로, 수지 성분의 반응은 진행되지 않거나, 거의 진행되지 않는다. 따라서, 비커스 경도 P(d)는, 수지 조성물층에 포함되는 불휘발 성분의 물성으로서의 경도를 나타내거나, 당해 경도에 상관을 갖는다. 따라서, 비커스 경도 P(d)에 의하면, 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 수지 조성물층의 불휘발 성분의 경도의 정도를 나타낼 수 있다.
일반적으로, 불휘발 성분의 경도가 높은 수지 조성물층은, 필름층과의 밀착 강도가 낮아지는 경향이 있다. 따라서, 필름층의 박리시에 수지 조성물층에 가해지는 응력을 작게 할 수 있기 때문에, 필름층의 박리시에 불량을 억제할 수 있다. 그러나, 수지 조성물층의 불휘발 성분의 경도가 높으면, 당해 수지 조성물층의 취성이 커져, 커트시에서의 결손이 발생하기 쉽다. 이에 대해, 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」가 상기 범위에 있는 경우, 상기 결손을 억제하여, 커트성 및 박리성 모두의 개선이 가능하다.
비커스 경도 P(d)의 범위는, 본 발명의 효과를 현저하게 발휘하는 관점에서, 바람직하게는 32HV 이상, 보다 바람직하게는 34HV 이상, 더욱 바람직하게는 36HV이고, 바람직하게는 100HV 이하, 보다 바람직하게는 95HV 이하, 더욱 바람직하게는 90HV 이하, 특히 바람직하게는 68HV 이하이다.
비커스 경도 P(d)는, 예를 들면, 수지 조성물이 포함하는 불휘발 성분의 종류 및 비율에 의해 조정할 수 있다. 구체적으로는, (A) 에폭시 수지의 종류 및 양, (B) 무기 충전재의 양, 및 (C) 엘라스토머 및 (D) 경화제의 종류 및 양을 선택하여 적절히 조합함으로써, 비커스 경도 P(d)의 조정이 가능하다.
비커스 경도 P(d)는, 수지 조성물층을 130℃에서 30분 가열하여 얻어지는 평가용 경화물을 사용하여 측정 온도 25℃에서 측정할 수 있다. 측정은 비커스 경도계를 사용하여 실행할 수 있다. 비커스 경도 P(d)의 구체적인 측정 방법은 실시예에서 설명하는 방법을 채용할 수 있다.
[수지 조성물층의 조성]
본 발명의 제1 실시형태에 따른 수지 시트 및 제2 실시형태에 따른 수지 시트는 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물층을 구비한다. 이하의 설명에서, 제1 실시형태에 따른 수지 시트의 수지 조성물층 및 제2 실시형태에 따른 수지 시트의 수지 조성물층을 포괄하여, 단순히 「수지 조성물층」이라고도 한다. 수지 조성물층은 통상 상기 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물을 포함하고, 바람직하게는 당해 수지 조성물만을 포함한다. (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 조합하여 포함하는 수지 조성물은 유전 정접 등의 유전 특성이 뛰어나다. 또한, 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트는 커트성 및 박리성 모두를 양호하게 할 수 있다.
((A) 에폭시 수지)
(A) 성분으로서의 (A) 에폭시 수지는 에폭시기를 갖는 경화성 수지이다. (A) 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지, 지방족 트리글리시딜에테르형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. (A) 에폭시 수지는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
(A) 에폭시 수지는, 내열성이 뛰어난 경화물층을 얻는 관점에서, 방향족 구조를 함유하는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 방향족 구조란, 일반적으로 방향족으로 정의되는 화학 구조이며, 다환 방향족 및 방향족 복소환도 포함한다. 방향족 구조를 함유하는 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 선상 지방족 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 스피로환 함유 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 트리메틸올형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
(A) 에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.
에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상의 에폭시 수지(이하 「액상 에폭시 수지」라고도 한다)와 온도 20℃에서 고체상의 에폭시 수지(이하 「고체상 에폭시 수지」라고도 한다)가 있다. (A) 에폭시 수지는, 액상 에폭시 수지만을 포함해도 좋고 또는 고체상 에폭시 수지만을 포함해도 좋고 또는 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함해도 좋다.
액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다. 액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지방족 트리글리시딜에테르형 에폭시 수지가 바람직하고, 지방족 트리글리시딜에테르형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 지방족 트리글리시딜에테르형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 폴리메틸올알칸트리글리시딜에테르를 들 수 있고, 그 구체예로서는, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「828EL」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」, 「604」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「ED-523T」(글리시롤형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-3950L」, 「EP-3980S」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-4088S」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 닛테츠 케미컬&머테리얼 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-321L」(지방족 트리글리시딜에테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」, 니혼 소다사 제조의 「JP-100」, 「JP-200」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지가 바람직하다.
고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「HP-7200L」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3000FH」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ESN475V」(나프톨형 에폭시 수지), 「ESN4100V」(나프탈렌형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ESN485」(나프톨형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ESN375」(디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YX4000HK」, 「YL7890」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX7700」(페놀아랄킬형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「WHR991S」(페놀프탈이미딘형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
(A) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 이들의 질량비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는 바람직하게는 20:1 내지 1:20, 보다 바람직하게는 10:1 내지 1:10, 특히 바람직하게는 7:1 내지 1:7이다.
(A) 에폭시 수지의 에폭시 당량은 바람직하게는 50g/eq. 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 60g/eq. 내지 3,000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 2,000g/eq., 특히 바람직하게는 110g/eq. 내지 1,000g/eq.이다. 에폭시 당량은 에폭시기 1당량당의 수지의 질량을 나타낸다. 이 에폭시 당량은 JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.
(A) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 바람직하게는 100 내지 5,000, 보다 바람직하게는 250 내지 3,000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1,500이다. 수지의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.
수지 조성물층 중의 (A) 에폭시 수지의 양의 범위는, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 (A) 에폭시 수지의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 (A) 에폭시 수지의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 (A) 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 추가로 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
수지 조성물층 중의 (A) 에폭시 수지의 양의 범위는, 수지 조성물층 중의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상이고, 바람직하게는 60질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하, 더욱 바람직하게는 40질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 (A) 에폭시 수지의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층 중의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 (A) 에폭시 수지의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 (A) 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 추가로 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
((B) 무기 충전재)
(B) 성분으로서의 (B) 무기 충전재는, 통상, 입자 상태로 수지 조성물 및 수지 조성물층에 포함된다. (B) 무기 충전재의 재료로서는 무기 화합물을 사용한다. (B) 무기 충전재의 재료로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무트, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카, 알루미나가 적합하고, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. (B) 무기 충전재는 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
(B) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」, 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」, 「SC2050-SXF」; 덴카사 제조의 「UFP-30」, 「DAW-03」, 「FB-105FD」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」 등을 들 수 있다.
(B) 무기 충전재의 평균 입자 직경의 범위는, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.1㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이하이다.
(B) 무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 상기 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알 병에서 측정하여 취하고, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치를 사용하여, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우 셀 방식으로 무기 충전재의 체적 기준의 입자 직경 분포를 측정하고, 얻어진 입자 직경 분포로부터 메디안 직경으로서 평균 입자 직경을 산출할 수 있다. 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치로서는 예를 들면 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「LA-960」 등을 들 수 있다.
(B) 무기 충전재의 비표면적의 범위는, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 2㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 3㎡/g 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 비표면적은, BET법에 따라, 비표면적 측정 장치(마운테크사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시켜, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 측정할 수 있다.
(B) 무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리된 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 불소 함유 실란 커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 표면 처리제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.
표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.
표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, (B) 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 특정 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량%는, 0.2질량% 내지 5질량%의 표면 처리제로 표면 처리된 것이 바람직하고, 0.2질량% 내지 3질량%의 표면 처리제로 표면 처리된 것이 보다 바람직하고, 0.3질량% 내지 2질량%의 표면 처리제로 표면 처리된 것이 더욱 바람직하다.
표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량에 따라 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 조성물의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1.0mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.
(B) 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 첨가하고 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.
수지 조성물층 중의 (B) 무기 충전재의 양의 범위는, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상, 특히 바람직하게는 77질량% 이상이며, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 86질량% 이하, 더욱 바람직하게는 83질량% 이하, 특히 바람직하게는 81질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 (B) 무기 충전재의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 (B) 무기 충전재의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고 또한 통상 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
((C) 엘라스토머)
제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 조성물층 및 수지 조성물은 임의의 성분으로서 (C) 엘라스토머를 포함해도 좋다. (C) 성분으로서의 (C) 엘라스토머에는 상술한 (A) 내지 (B) 성분에 해당하는 것은 포함하지 않는다.
(C) 엘라스토머는 유연성을 갖는 수지이며, 바람직하게는, 고무 탄성을 갖는 수지 또는 다른 성분과 중합하여 고무 탄성을 나타내는 수지이다. 고무 탄성으로서는, 예를 들어, 일본 공업 규격(JIS K7161)에 준거하여 온도 25℃, 습도 40% RH에서 인장 시험을 행하는 경우에 1GPa 이하의 탄성률을 나타내는 수지를 들 수 있다. (C) 엘라스토머는, 통상, 유기 용제에 용해될 수 있는 부정형의 수지 성분이다. (C) 엘라스토머는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. (C) 엘라스토머에 의하면, 수지 조성물층의 신장률 P(b), 인장 탄성률 P(c) 및 비커스 경도 P(d)를 조정할 수 있으므로, 수지 시트의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 상술한 범위에 들어가게 하는 제어를 용이하게 행할 수 있다.
(C) 엘라스토머는 고분자량을 갖는 것이 바람직하다. (C) 엘라스토머의 수 평균 분자량(Mn)의 범위는 바람직하게는 1,000 이상, 보다 바람직하게는 1500 이상, 더욱 바람직하게는 2000 이상, 더욱 바람직하게는 3000 이상, 특히 바람직하게는 5000 이상이다. 수 평균 분자량의 상한은 특단의 제한은 없지만 바람직하게는 1,000,000 이하, 보다 바람직하게는 900,000 이하이다. 수 평균 분자량(Mn)은 GPC(겔 침투 크로마토그래피)를 사용하여 측정되는 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이다.
(C) 엘라스토머는, 유리 전이 온도(Tg)가 25℃ 이하의 수지 및 25℃ 이하에서 액상인 수지로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다. 유리 전이 온도(Tg)가 25℃ 이하인 수지의 유리 전이 온도는 바람직하게는 20℃ 이하, 보다 바람직하게는 15℃ 이하이다. 유리 전이 온도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상 -15℃ 이상일 수 있다. 또한, 25℃에서 액상인 수지는 바람직하게는 20℃ 이하에서 액상인 수지, 보다 바람직하게는 15℃ 이하에서 액상인 수지이다. 유리 전이 온도는 DSC(시차 주사 열량 측정)에 의해 5℃/분의 승온 속도로 측정할 수 있다.
(C) 엘라스토머는, 분자 내에, 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리(메타)아크릴레이트 구조, 폴리알킬렌 구조, 폴리알킬렌옥시 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 폴리카보네이트 구조, 폴리스티렌 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 수지인 것이 바람직하다. 「(메타)아크릴레이트」란 메타크릴레이트 및 아크릴레이트 및 이들의 조합을 포함하는 용어이다. 이러한 구조는 (C) 엘라스토머 분자의 주쇄에 포함되어 있어도 측쇄에 포함되어 있어도 좋다.
(C) 엘라스토머로서는, 예를 들어, 폴리부타디엔 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리부타디엔 구조는, 주쇄에 포함되어 있어도 좋고, 측쇄에 포함되어 있어도 좋다. 또한, 폴리부타디엔 구조는, 일부 또는 전부가, 수소 첨가되어 있어도 좋다. 폴리부타디엔 구조를 함유하는 수지를 「폴리부타디엔 수지」라고도 한다. 폴리부타디엔 수지의 구체예로서는, 클레이밸리사 제조의 「Ricon 130MA8」, 「Ricon 130MA13」, 「Ricon 130MA20」, 「Ricon 131MA5」, 「Ricon 131MA10」, 「Ricon 131MA17」, 「Ricon 131MA20」, 「Ricon 184MA6」(산 무수물기 함유 폴리부타디엔), 니혼 소다사 제조의 「GQ-1000」(수산기, 카복실기 도입 폴리부타디엔), 「G-1000」, 「G-2000」, 「G-3000」(양 말단 수산기 폴리부타디엔), 「GI-1000」, 「GI-2000」, 「GI-3000」(양 말단 수산기 수소화 폴리부타디엔), 나가세 켐텍스사 제조의 「FCA-061L」(수소화 폴리부타디엔 골격 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 또한, 폴리부타디엔 수지의 구체예로서는, 페놀성 수산기 함유 부타디엔 수지; 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 우레탄 구조 및 이미드 구조를 갖는 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 당해 폴리이미드 수지는, 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 사염기산 무수물을 원료로 하여 선상 폴리이미드 수지(특개2006-37083호 공보, 국제공개 제2008/153208호에 기재된 폴리이미드)로서 제조할 수 있다. 당해 폴리이미드 수지의 부타디엔 구조의 함유율은 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 당해 폴리이미드 수지의 상세는 특개2006-37083호 공보, 국제공개 제2008/153208호의 기재를 참작할 수 있으며 이 내용은 본 명세서에 편입된다.
(C) 엘라스토머로서는, 예를 들면, 폴리(메타)아크릴레이트 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리(메타)아크릴레이트 구조를 함유하는 수지를 「폴리(메타)아크릴 수지」라고도 한다. 폴리(메타)아크릴 수지의 구체예로서는, 나가세 켐텍스사 제조의 테이산 레진; 네가미 코교사 제조의 「ME-2000」, 「W-116.3」, 「W-197C」, 「KG-25」, 「KG-3000」; 토아 고세이사 제조의 「ARUFON UH-2000」 등을 들 수 있다.
(C) 엘라스토머로서는, 예를 들면, 폴리카보네이트 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리카보네이트 구조를 함유하는 수지를 「폴리카보네이트 수지」라고도 한다. 폴리카보네이트 수지의 구체예로서는, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조의 「FPC0220」, 「FPC2136」, 아사히 카세이 케미컬즈사 제조의 「T6002」, 「T6001」(폴리카보네이트디올), 쿠라레사 제조의 「C-1090」, 「C-2090」, 「C-3090」(폴리카보네이트디올) 등을 들 수 있다. 또한, 폴리카보네이트 수지의 구체예로서는, 분자 내에 이미드 구조, 우레탄 구조 및 폴리카보네이트 구조를 갖는 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 당해 폴리이미드 수지는, 하이드록실기 말단 폴리카보네이트, 디이소시아네이트 화합물 및 사염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드 수지로서 제조할 수 있다. 당해 폴리이미드 수지의 카보네이트 구조의 함유율은 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 당해 폴리이미드 수지의 상세는 국제공개 제2016/129541호의 기재를 참작할 수 있으며 이 내용은 본 명세서에 편입된다.
(C) 엘라스토머로서는, 예를 들면, 폴리실록산 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리실록산 구조를 함유하는 수지를 「실록산 수지」라고도 한다. 실록산 수지의 구체예로서는, 신에츠 실리콘사 제조의 「SMP-2006」, 「SMP-2003PGMEA」, 「SMP-5005PGMEA」, 아민기 말단 폴리실록산 및 사염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드(국제공개 제2010/053185호, 특개2002-12667호 공보 및 특개2000-319386호 공보 등) 등을 들 수 있다.
(C) 엘라스토머로서는, 예를 들면, 폴리알킬렌 구조 또는 폴리알킬렌옥시 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리알킬렌 구조를 함유하는 수지를 「알킬렌 수지」라고도 한다. 또한, 폴리알킬렌옥시 구조를 함유하는 수지를 「알킬렌옥시 수지」라고도 한다. 폴리알킬렌 구조 및 폴리알킬렌옥시 구조의 탄소 원자수는, 각각, 2 내지 15가 바람직하고, 3 내지 10이 보다 바람직하고, 5 내지 6이 특히 바람직하다. 알킬렌 수지 및 알킬렌옥시 수지의 구체예로서는, 아사히 카세이 센이사 제조의 「PTXG-1000」, 「PTXG-1800」; DIC사 제조 「EXA-4850-150」 「EXA-4816」 「EXA-4822」; ADEKA사 제조 「EP-4000」, 「EP-4003」, 「EP-4010」, 「EP-4011」; 신니혼 리카사 제조 「BEO-60E」, 「BPO-20E」; 미츠비시 케미컬사 제조 「YL7175」, 「YL7410」 등을 들 수 있다.
(C) 엘라스토머로서는, 예를 들면, 폴리이소프렌 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리이소프렌 구조를 함유하는 수지를 「이소프렌 수지」라고도 한다. 이소프렌 수지의 구체예로서는, 쿠라레사 제조의 「KL-610」, 「KL613」 등을 들 수 있다.
(C) 엘라스토머로서는, 예를 들면, 폴리이소부틸렌 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리이소부틸렌 구조를 함유하는 수지를 「이소부틸렌 수지」라고도 한다. 이소부틸렌 수지의 구체예로서는, 카네카사 제조의 「SIBSTAR-073T」(스티렌-이소부틸렌-스티렌 트리 블록 공중합체), 「SIBSTAR-042D」(스티렌-이소부틸렌 디블록 공중합체) 등을 들 수 있다.
(C) 엘라스토머로서는, 예를 들면, 폴리스티렌 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리스티렌 구조를 함유하는 수지를 「폴리스티렌 수지」라고도 한다. 폴리스티렌 수지는, 스티렌 단위에 조합하여, 상기 스티렌 단위와는 상이한 임의의 반복 단위를 포함하는 공중합체라도 좋고, 수첨 폴리스티렌 수지라도 좋다. 폴리스티렌 수지로서는, 예를 들면, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체(SBS), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체(SIS), 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 공중합체(SEBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 공중합체(SEPS), 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 공중합체(SEEPS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 블록 공중합체(SBBS), 스티렌-부타디엔 디블록 공중합체, 수소화스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 수소화스티렌-이소프렌 블록 공중합체, 수소화스티렌-부타디엔 랜덤 공중합체, 스티렌-무수 말레산 공중합체 등을 들 수 있다. 폴리스티렌 수지의 구체예로서는, 수첨 스티렌계 열가소성 엘라스토머 「H1041」, 「터프텍 H1043」, 「터프텍 P2000」, 「터프텍 MP10」(아사히 카세이사 제조); 에폭시화스티렌-부타디엔 열가소성 엘라스토머 「에포프렌드 AT501」, 「CT310」(다이셀사 제조); 하이드록실기를 갖는 변성 스티렌계 엘라스토머 「세프톤 HG252」(쿠라레사 제조); 카복실기를 갖는 변성 스티렌계 엘라스토머 「터프텍 N503M」, 아미노기를 갖는 변성 스티렌계 엘라스토머 「터프텍 N501」, 산 무수물기를 갖는 변성 스티렌계 엘라스토머 「터프텍 M1913」(아사히 카세이 케미컬즈사 제조); 미변성 스티렌계 엘라스토머 「셉톤 S8104」(쿠라레사 제조); 스티렌-에틸렌/부틸렌-스티렌 블록 공중합체 「FG1924」(Kraton사 제조), 「EF-40」(CRAY VALLEY사 제조)을 들 수 있다.
상술한 것 중에서도, (C) 엘라스토머로서는, 특히 양호한 박리성을 얻는 관점에서, 분자 내에 폴리부타디엔 구조 및 폴리(메타)아크릴레이트 구조로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 구조를 함유하는 수지가 바람직하다. 또한, (C) 엘라스토머로서는, 특히 양호한 커트성을 얻는 관점에서, 분자 내에 폴리부타디엔 구조를 갖는 수지가 특히 바람직하다.
(C) 엘라스토머는, (A) 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 갖고 있어도 좋다. (C) 엘라스토머가 (A) 에폭시 수지와 반응하는 경우, 수지 조성물층을 경화하여 얻어지는 경화물층의 기계적 강도를 높일 수 있다. (A) 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기에는, 가열에 의해 나타나는 관능기가 포함된다. (A) 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기는, 하이드록시기, 카복시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 관능기일 수 있다. 그 중에서도, 당해 관능기로서는, 하이드록시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기가 바람직하고, 하이드록시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기 및 에폭시기가 보다 바람직하고, 페놀성 수산기가 특히 바람직하다. 관능기를 포함하는 (C) 엘라스토머의 수 평균 분자량(Mn)은 5,000보다 큰 것이 바람직하고, 따라서 (C) 엘라스토머의 중량 평균 분자량(Mw)도 5,000보다 큰 것이 바람직하다.
수지 조성물층 중의 (C) 엘라스토머의 양의 범위는, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 18질량% 이하, 더욱 바람직하게는 15질량% 이하, 특히 바람직하게는 11질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 (C) 엘라스토머의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 (C) 엘라스토머의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 (C) 엘라스토머의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
수지 조성물층 중의 (C) 엘라스토머의 양의 범위는, 수지 조성물층 중의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상이며, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 더욱 바람직하게는 55질량% 이하, 특히 바람직하게는 52질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 (C) 엘라스토머의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층 중의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 (C) 엘라스토머의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 (C) 엘라스토머의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
((D) 경화제)
제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 조성물층 및 수지 조성물은 임의의 성분으로서 (D) 경화제를 포함해도 좋다. (D) 성분으로서의 (D) 경화제에는, 상술한 (A) 내지 (C) 성분에 해당하는 것은 포함하지 않는다. (D) 경화제는, (A) 에폭시 수지와 반응하여, 수지 조성물을 경화시키는 기능을 가질 수 있다.
(D) 경화제로서는, 예를 들면, 말레이미드계 수지, 카보디이미드계 수지, 활성 에스테르계 수지, 페놀계 수지, 아민계 수지, 산 무수물계 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 벤조옥사진계 수지, 티올계 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 말레이미드계 수지, 카보디이미드계 수지, 활성 에스테르계 수지 및 페놀계 수지가 바람직하고, 말레이미드계 수지 및 카보디이미드계 수지가 보다 바람직하다. (D) 경화제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
말레이미드계 수지로서는, 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 말레이미드 기(2,5-디하이드로-2,5-디옥소-1H-피롤-1-일 기)를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 말레이미드계 수지는, 이미다졸계 경화 촉진제 등의 적절한 촉매의 존재하에 (A) 에폭시 수지와 반응하여 결합을 형성할 수 있다. 또한, 말레이미드계 수지는, 말레이미드 기에 포함되는 에틸렌성의 탄소-탄소 불포화 결합에 의한 라디칼 중합을 일으킬 수 있으므로, 말레이미드계 수지끼리라도 결합할 수 있다. 말레이미드계 수지를 사용하는 경우, 커트성 및 박리성을 양호하게 하면서, 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
말레이미드계 수지는, 지방족 아민 골격을 포함하는 지방족 말레이미드계 수지라도 좋고, 방향족 아민 골격을 포함하는 방향족 말레이미드계 수지라도 좋다. 말레이미드계 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 「BMI-3000J」, 「BMI-5000」, 「BMI-1400」, 「BMI-1500」, 「BMI-1700」, 「BMI-689」(모두 디지쿠너 몰레큘즈사 제조) 등의, 다이머디아민 유래의 탄소 원자수 36의 지방족 골격을 포함하는 말레이미드 수지; 발명 협회 공개 기보 공기 번호 2020-500211호에 기재된, 인단 골격을 포함하는 말레이미드 수지; 「MIR-3000-70MT」(니혼 카야쿠사 제조), 「BMI-4000」(다이와 카세이사 제조), 「BMI-80」(케이 아이 카세이사 제조) 등의, 말레이미드 기의 질소 원자와 직접 결합하고 있는 방향환 골격을 포함하는 말레이미드 수지를 들 수 있다.
수지 조성물층 중의 말레이미드계 수지의 양의 범위는, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이며, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 더욱 바람직하게는 5질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 말레이미드계 수지의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 말레이미드계 수지의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 말레이미드계 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
수지 조성물층 중의 말레이미드계 수지의 양의 범위는, 수지 조성물층 중의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상이며, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 말레이미드계 수지의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층 중의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 말레이미드계 수지의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 말레이미드계 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
카보디이미드계 수지로서는, 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 카보디이미드 기(-N=C=N-)를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 카보디이미드계 수지는, (A) 에폭시 수지와 반응하여 결합을 형성할 수 있다. 또한, 카보디이미드계 수지는, 방향환에 결합한 수산기(페놀성 수산기)와도 반응을 일으킬 수 있으므로, 페놀계 수지와도 결합할 수 있다. 카보디이미드계 수지를 사용하는 경우, 커트성 및 박리성을 양호하게 하면서, 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
카보디이미드계 수지의 구체예로서는, 테트라메틸렌-비스(t-부틸카보디이미드), 사이클로헥산비스(메틸렌-t-부틸카보디이미드) 등의 지방족 비스카보디이미드; 페닐렌-비스(크실릴카보디이미드) 등의 방향족 비스카보디이미드 등의 비스카보디이미드; 폴리헥사메틸렌카보디이미드, 폴리트리메틸헥사메틸렌카보디이미드, 폴리사이클로헥실렌카보디이미드, 폴리(메틸렌비스사이클로헥실렌카보디이미드), 폴리(이소포론카보디이미드) 등의 지방족 폴리카보디이미드; 폴리(페닐렌카보디이미드), 폴리(나프틸렌카보디이미드), 폴리(톨릴렌카보디이미드), 폴리(메틸디이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(트리에틸페닐렌카보디이미드), 폴리(디에틸페닐렌카보디이미드), 폴리(트리이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(디이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(크실릴렌카보디이미드), 폴리(테트라메틸크실릴렌카보디이미드), 폴리(메틸렌디페닐렌카보디이미드), 폴리[메틸렌비스(메틸페닐렌)카보디이미드] 등의 방향족 폴리카보디이미드 등의 폴리카보디이미드를 들 수 있다.
카보디이미드계 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 닛신보 케미컬사 제조의 「카보디라이트 V-02B」, 「카보디라이트 V-03」, 「카보디라이트 V-04K」, 「카보디라이트 V-05」 「카보디라이트 V-07」 및 「카보디라이트 V-09」; 라인 케미사 제조의 「스타박졸 P」, 「스타박졸 P400」, 「하이카질 510」 등을 들 수 있다.
수지 조성물층 중의 카보디이미드계 수지의 양의 범위는, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이상이고, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 7질량% 이하, 더욱 바람직하게는 4질량% 이하, 특히 바람직하게는 2질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 카보디이미드계 수지의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 카보디이미드계 수지의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 카보디이미드계 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
수지 조성물층 중의 카보디이미드계 수지의 양의 범위는, 수지 조성물층 중의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이며, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 25질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하, 특히 바람직하게는 12질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 카보디이미드계 수지의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층 중의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 카보디이미드계 수지의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 카보디이미드계 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
활성 에스테르계 수지로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 수지로서는, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 당해 활성 에스테르 수지는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 수지가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 수지가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들면, 벤조산, 아세트산, 숙신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화비스페놀 A, 메틸화비스페놀 F, 메틸화비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.
활성 에스테르계 수지의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지가 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.
활성 에스테르계 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서의 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「EXB-8000L」, 「EXB-8000L-65M」, 「EXB-8000L-65TM」, 「HPC-8000L-65TM」, 「HPC-8000」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H」, 「HPC-8000H-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서의 「HP-B-8151-62T」, 「EXB-8100L-65T」, 「EXB-8150-60T」, 「EXB-8150-62T」, 「EXB-9416-70BK」, 「HPC-8150-60T」, 「HPC-8150-62T」, 「EXB-8」(DIC사 제조); 인 함유 활성 에스테르계 수지로서의 「EXB9401」(DIC사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 수지로서의 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 수지로서의 「YLH1026」, 「YLH1030」, 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조); 스티릴기 및 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서의 「PC1300-02-65MA」(에어 워터사 제조) 등을 들 수 있다.
페놀계 수지로서는, 벤젠환, 나프탈렌환 등의 방향환에 결합한 수산기(페놀성 수산기)를 1분자 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 내열성 및 내수성의 관점에서는, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 수지가 바람직하다. 또한, 밀착성의 관점에서는, 함질소 페놀계 수지가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 수지가 보다 바람직하다. 그 중에서도, 내열성, 내수성, 및 밀착성을 고도로 만족시키는 관점에서, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락계 수지가 바람직하다.
페놀계 수지의 구체예로서는, 예를 들면, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 니혼 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「SN-170」, 「SN-180」, 「SN-190」, 「SN-475」, 「SN-485」, 「SN-495」, 「SN-375」, 「SN-395」, DIC사 제조의 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-3018」, 「LA-3018-50P」, 「LA-1356」, 「TD2090」, 「TD-2090-60M」 등을 들 수 있다.
아민계 수지로서는, 1분자 내 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 아미노기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 아민계 수지로서는, 예를 들면, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 방향족 아민류가 바람직하다. 아민계 수지는, 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하고, 제1급 아민이 보다 바람직하다. 아민계 수지의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 디페닐디아미노설폰, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, m-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰 등을 들 수 있다. 아민계 수지는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 세이카사 제조 「SEIKACURE-S」; 니혼 카야쿠사 제조의 「KAYABOND C-200S」, 「KAYABOND C-100」, 「카야하드 A-A」, 「카야하드 A-B」, 「카야하드 A-S」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「에피큐어 W」 등을 들 수 있다.
산 무수물계 수지로서는, 1분자 내 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 산 무수물기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 산 무수물계 수지의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 숙신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형의 산 무수물 등을 들 수 있다. 산 무수물계 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, 신니혼 리카사 제조의 「HNA-100」, 「MH-700」, 「MTA-15」, 「DDSA」, 「OSA」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YH-306」, 「YH-307」; 히타치 카세이사 제조의 「HN-2200」, 「HN-5500」; 클레이 밸리사 제조 「EF-30」, 「EF-40」「EF-60」, 「EF-80」 등을 들 수 있다.
시아네이트에스테르계 수지로서는, 1분자 내 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 시아네이트기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 시아네이트에스테르계 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화한 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 수지의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되고 삼량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.
벤조옥사진계 수지의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OD100」, 「JBZ-OP100D」, 「ODA-BOZ」; 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」; 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」 등을 들 수 있다.
티올계 수지의 구체예로서는, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부틸레이트), 트리스(3-머캅토프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.
(D) 경화제의 활성기 당량은 바람직하게는 50g/eq. 내지 3000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 1000g/eq., 더욱 바람직하게는 100g/eq. 내지 500g/eq., 특히 바람직하게는 100g/eq. 내지 300g/eq.이다. 활성기 당량은, 활성기 1당량당의 수지의 질량을 나타낸다.
일례에서, (D) 경화제의 중량 평균 분자량(Mw)은 100 이상이라도 좋고 5,000 이하라도 좋다.
(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 하는 경우, (D) 경화제의 활성기 수의 범위는 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.1 이상, 더욱 바람직하게는 0.2 이상이고, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 5 이하, 더욱 바람직하게는 3 이하이다. 수지 조성물층 또는 수지 조성물에서 「(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수」란, 수지 조성물층 또는 수지 조성물 중에 존재하는 (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값을 나타낸다. 또한, 수지 조성물층 또는 수지 조성물에서 「(D) 경화제의 활성기 수」란, 수지 조성물층 또는 수지 조성물 중에 존재하는 (D) 경화제의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값을 나타낸다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 (D) 경화제의 활성기 수가 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
수지 조성물층 중의 (D) 경화제의 양의 범위는, 수지 조성물층의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이며, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 (D) 경화제의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 (D) 경화제의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 (D) 경화제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
수지 조성물층 중의 (D) 경화제의 양의 범위는, 수지 조성물층의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상이며, 바람직하게는 60질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하, 더욱 바람직하게는 40질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 (D) 경화제의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 (D) 경화제의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 (D) 경화제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
((E) 경화 촉진제)
제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 조성물층 및 수지 조성물은, 임의의 성분으로서, (E) 경화 촉진제를 포함해도 좋다. (E) 성분으로서의 (E) 경화 촉진제에는, 상술한 (A) 내지 (D) 성분에 해당하는 것은 포함하지 않는다. (E) 경화 촉진제는, (A) 에폭시 수지의 경화를 촉진시키는 경화 촉매로서의 기능을 갖는다.
(E) 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 우레아계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하다. (E) 경화 촉진제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라부틸포스포늄클로라이드, 테트라부틸포스포늄아세테이트, 테트라부틸포스포늄데카노에이트, 테트라부틸포스포늄라우레이트, 비스(테트라부틸포스포늄)피로멜리테이트, 테트라부틸포스포늄하이드로젠헥사하이드로프탈레이트, 테트라부틸포스포늄2,6-비스[(2-하이드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페놀레이트, 디-tert-부틸디메틸포스포늄테트라페닐보레이트 등의 지방족 포스포늄염; 메틸트리페닐포스포늄브로마이드, 에틸트리페닐포스포늄브로마이드, 프로필트리페닐포스포늄브로마이드, 부틸트리페닐포스포늄브로마이드, 벤질트리페닐포스포늄클로라이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, p-톨릴트리페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라p-톨릴보레이트, 트리페닐에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(3-메틸페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(2-메톡시페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등의 방향족 포스포늄염; 트리페닐포스핀·트리페닐보란 등의 방향족 포스핀·보란 복합체; 트리페닐포스핀·p-벤조퀴논 부가 반응물 등의 방향족 포스핀·퀴논 부가 반응물; 트리부틸포스핀, 트리-tert-부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 디-tert-부틸(2-부테닐)포스핀, 디-tert-부틸(3-메틸-2-부테닐)포스핀, 트리사이클로헥실포스핀 등의 지방족 포스핀; 디부틸페닐포스핀, 디-tert-부틸페닐포스핀, 메틸디페닐포스핀, 에틸디페닐포스핀, 부틸디페닐포스핀, 디페닐사이클로헥실포스핀, 트리페닐포스핀, 트리-o-톨릴포스핀, 트리-m-톨릴포스핀, 트리-p-톨릴포스핀, 트리스(4-에틸페닐)포스핀, 트리스(4-프로필페닐)포스핀, 트리스(4-이소프로필페닐)포스핀, 트리스(4-부틸페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부틸페닐)포스핀, 트리스(2,4-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸페닐)포스핀, 트리스(3,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,4,6-트리메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸-4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(2-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부톡시페닐)포스핀, 디페닐-2-피리딜포스핀, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄, 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판, 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄, 1,2-비스(디페닐포스피노)아세틸렌, 2,2'-비스(디페닐포스피노)디페닐에테르 등의 방향족 포스핀 등을 들 수 있다.
우레아계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 1,1-디메틸요소; 1,1,3-트리메틸요소, 3-에틸-1,1-디메틸요소, 3-사이클로헥실-1,1-디메틸요소, 3-사이클로옥틸-1,1-디메틸요소 등의 지방족 디메틸우레아; 3-페닐-1,1-디메틸요소, 3-(4-클로로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3-클로로-4-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(2-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3,4-디메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-이소프로필페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-메톡시페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-니트로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-[4-(4-메톡시페녹시)페닐]-1,1-디메틸요소, 3-[4-(4-클로로페녹시)페닐]-1,1-디메틸요소, 3-[3-(트리플루오로메틸)페닐]-1,1-디메틸요소, N,N-(1,4-페닐렌)비스(N',N'-디메틸요소), N,N-(4-메틸-1,3-페닐렌)비스(N',N'-디메틸요소)〔톨루엔비스디메틸우레아〕 등의 방향족 디메틸우레아 등을 들 수 있다.
구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있다.
이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있다. 이미다졸계 경화 촉진제의 시판품으로서는, 예를 들면, 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「1B2PZ」, 「2E4MZ」, 「2MZA-PW」, 「2MZ-OK」, 「2MA-OK」, 「2MA-OK-PW」, 「2PHZ」, 「2PHZ-PW」, 「Cl1Z」, 「Cl1Z-CN」, 「Cl1Z-CNS」, 「C11Z-A」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.
금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II) 아세틸아세토네이트, 코발트(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다.
아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있다. 아민계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 아지노모토 파인 테크노사 제조의 「MY-25」 등을 들 수 있다.
수지 조성물층 중의 (E) 경화 촉진제의 양의 범위는, 수지 조성물층의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.02질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.03질량% 이상이고, 바람직하게는 1질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 (E) 경화 촉진제의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층의 불휘발 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 (E) 경화 촉진제의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 (E) 경화 촉진제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있고, 또한 통상은 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
수지 조성물층 중의 (E) 경화 촉진제의 양의 범위는, 수지 조성물층의 수지 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이상이고, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 2질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1질량% 이하이다. 또한, 수지 조성물 중의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물 중의 (E) 경화 촉진제의 양의 범위는 바람직하게는, 수지 조성물층의 수지 성분 100질량%에 대한 수지 조성물층 중의 (E) 경화 촉진제의 양의 상기 범위와 동일하다. 상술한 범위의 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 상술한 범위의 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」를 갖는 수지 시트에서 (E) 경화 촉진제의 양이 상기 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성을 특히 양호하게 할 수 있으며, 통상, 당해 수지 시트를 사용하여 형성되는 경화물층을 구비한 반도체 칩 패키지 등의 부재의 휨을 효과적으로 억제할 수 있다.
((F) 임의의 첨가제)
제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 조성물층 및 수지 조성물은, 상술한 (A) 내지 (E) 성분과 조합하여, 추가로 임의의 불휘발 성분으로서, (F) 임의의 첨가제를 포함해도 좋다. (F) 임의의 첨가제로서는, 예를 들어, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물, 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 실리콘계 레벨링제, 아크릴 폴리머계 레벨링제 등의 레벨링제; 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제; 실리콘계 소포제, 아크릴계 소포제, 불소계 소포제, 비닐 수지계 소포제 등의 소포제; 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 등의 자외선 흡수제; 요소실란 등의 접착성 향상제; 트리아졸계 밀착성 부여제, 테트라졸계 밀착성 부여제, 트리아진계 밀착성 부여제 등의 밀착성 부여제; 힌더드페놀계 산화 방지제 등의 산화 방지제; 스틸벤 유도체 등의 형광 증백제; 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 계면활성제; 인계 난연제(예를 들어 인산에스테르 화합물, 포스파젠 화합물, 포스핀산 화합물, 적린), 질소계 난연제(예를 들어 황산멜라민), 할로겐계 난연제, 무기계 난연제(예를 들어 삼산화안티몬) 등의 난연제; 인산에스테르계 분산제, 폴리옥시알킬렌계 분산제, 아세틸렌계 분산제, 실리콘계 분산제, 음이온성 분산제, 양이온성 분산제 등의 분산제; 보레이트계 안정제, 티타네이트계 안정제, 알루미네이트계 안정제, 지르코네이트계 안정제, 이소시아네이트계 안정제, 카복실산계 안정제, 카복실산 무수물계 안정제 등의 안정제를 들 수 있다. (F) 임의의 첨가제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
((G) 용제)
제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 조성물층 및 수지 조성물은, 통상, 상술한 (A) 내지 (F) 성분과 같은 불휘발 성분과 조합하여, 추가로 휘발성 성분으로서 (G) 용제를 포함한다. (G) 성분으로서의 (G) 용제의 양은, 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」에서의 질량 감소율 P(a)에 반영될 수 있다. 예를 들면, 수지 조성물층은, (A) 에폭시 수지, (B) 무기 충전재 및 (G) 용제를 포함하는 액상의 수지 바니시의 막을 형성하고, 건조시켜, 제조되는 경우가 있다. 건조에 의해, (G) 용제의 대부분은 제거되지만, (G) 용제의 일부는 수지 조성물층에 남을 수 있다. 이와 같이 남은 (G) 용제의 양을 반영한 질량 감소율 P(a)를 포함하는 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」가 식 (1)을 만족하는 범위에 있는 경우, 및 이와 같이 남은 (G) 용제의 양을 반영한 질량 감소율 P(a)를 포함하는 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」가 식 (2)를 만족하는 범위에 있는 경우, 커트성 및 박리성 모두를 양호하게 할 수 있다.
(G) 용제로서는, 통상, 유기 용제를 사용한다. 유기 용제의 구체예로서는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥사논 등의 케톤계 용제; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산이소아밀, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용제; 테트라하이드로피란, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르, 아니솔 등의 에테르계 용제; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜 등의 알코올계 용제; 아세트산2-에톡시에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸디글리콜아세테이트, γ-부티로락톤, 메톡시프로피온산메틸 등의 에테르에스테르계 용제; 락트산메틸, 락트산에틸, 2-하이드록시이소부티르산메틸 등의 에스테르알코올계 용제; 2-메톡시프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(부틸카비톨) 등의 에테르알코올계 용제; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드계 용제; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용제; 아세토니트릴, 프로피오니트릴 등의 니트릴계 용제; 헥산, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용제; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. (G) 용제는 1종류를 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.
질량 감소율 P(a)를 적절한 범위에 들어가게 하는 관점에서, (G) 용제에는, 바람직한 비점의 범위가 있다. 상세하게는, 수지 조성물층으로부터의 (G) 용제의 과잉 휘발을 억제하여 질량 감소율 P(a)를 크게 하는 관점에서는 (G) 용제의 비점은 높은 것이 바람직하다. 한편, 수지 시트의 제조 과정에서의 수지 바니시의 건조 시간을 단축하는 관점, 및 수지 조성물층의 경화 후에서의 (G) 용제의 잔류를 억제하는 관점에서는 (G) 용제의 비점은 낮은 것이 바람직하다. 구체적인 (G) 용제의 비점의 범위는, 사용하는 (G) 용제의 조합에도 영향을 받을 수 있지만, 바람직하게는 30℃ 이상, 보다 바람직하게는 40℃ 이상, 더욱 바람직하게는 50℃ 이상이며, 바람직하게는 280℃ 이하, 보다 바람직하게는 260℃ 이하, 특히 바람직하게는 240℃ 이하이다. 비점은 비점 상승 계법 또는 증류법에 의해 1기압에서의 비점으로서 측정할 수 있다.
(G) 용제의 양은, 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」가 식 (1)을 만족하는 범위가 되도록 및/또는 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」가 식 (2)를 만족하는 범위가 되도록 설정할 수 있다. 일례에서, 수지 조성물층 100질량%에 대한 (G) 용제의 구체적인 양의 범위는 질량 감소율 P(a)의 범위와 동일할 수 있다. 또한, 다른 일례에서, 수지 조성물 100질량%에 대한 (G) 용제의 구체적인 양의 범위는 질량 감소율 P(a)의 범위와 동일할 수 있다.
[수지 조성물층의 두께]
수지 조성물층의 두께는 이의 용도에 따라 설정할 수 있다. 수지 조성물층의 두께의 구체적인 범위는 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이상이며, 바람직하게는 150㎛ 이하, 보다 바람직하게는 120㎛ 이하, 특히 바람직하게는 100㎛ 이하이다.
[필름층]
제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 시트는, 수지 조성물층과 조합하여, 추가로 임의의 층을 구비해도 좋다. 예를 들어, 수지 시트는 수지 조성물층에 접하는 필름층을 구비해도 좋다. 통상, 수지 조성물층과 필름층은 직접 접하고 있다. 수지 조성물층과 필름층이 「직접」 접한다는 것은, 달리 언급하지 않는 한, 수지 조성물층과 필름층 사이에 다른 층이 없는 것을 말한다.
도 1은, 본 발명의 제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 시트(100)는, 수지 조성물층(110)과 조합하여, 필름층(120 및 130)을 구비해도 좋다. 이들 필름층(120 및 130)은, 예를 들면, 수지 조성물층(110)의 지지 및 보호를 위해 마련될 수 있다. 이하, 수지 조성물층(110)의 일측에 마련된 필름층(120)을 「제1 필름층」(120)으로 부르는 경우가 있고, 수지 조성물층(110)의 다른 일측에 마련된 필름층(130)을 「제2 필름층」(130)으로 부르는 경우가 있다.
제1 필름층(120)으로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.
제1 필름층(120)으로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」로도 약칭한다), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」으로도 약칭한다) 등의 폴리에스테르; 폴리카보네이트(이하 「PC」로도 약칭한다); 폴리메틸메타크릴레이트(이하 「PMMA」로도 약칭한다) 등의 아크릴 폴리머; 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀; 환상 폴리올레핀; 트리아세틸셀룰로오스(이하, 「TAC」로도 약칭한다); 폴리에테르설파이드(이하, 「PES」로도 약칭한다); 폴리에테르케톤; 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.
제1 필름층(120)으로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.
제1 필름층(120)은, 수지 조성물층(110)과 접합하는 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다.
제1 필름층(120)으로서는, 수지 조성물층(110)과 접합하는 면에 이형층(도시하지 않음)을 갖는 이형층 부착 필름층을 사용해도 좋다. 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」 등을 들 수 있다. 또한, 이형층 부착 필름층으로서는, 예를 들면, 토레사 제조의 「루미라 T60」; 테이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니티카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.
제1 필름층(120)의 두께의 범위는 바람직하게는 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상이며, 바람직하게는 75㎛ 이하, 보다 바람직하게는 60㎛ 이하이다. 이형층 부착 필름층을 사용하는 경우, 이형층 부착 필름층 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.
제2 필름층(130)으로서는, 예를 들면, 제1 필름층(120)과 동일한 필름층을 사용할 수 있다. 제2 필름층(130)은, 제1 필름층(120)보다 얇아도 좋고, 예를 들어 제2 필름층(130)의 두께 범위는 1㎛ 내지 40㎛라도 좋다. 제1 필름층(120)과 제2 필름층(130)을 조합하여 사용하는 경우, 제1 필름층(120) 및 제2 필름층(130) 중 한쪽은 수지 조성물층(110)을 지지하는 지지체로서 기능해도 좋고, 다른 쪽은 수지 조성물층(110)을 보호하는 커버 필름층으로서 기능해도 좋다.
[수지 시트의 형상]
제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 시트의 형상에 제한은 없다. 수지 시트는, 예를 들면, 매엽(枚葉)의 형상을 갖고 있어도 좋고, 장척 형상을 갖고 있어도 좋다. 「장척」의 형상이란, 달리 언급하지 않는 한, 폭에 대해, 10배 이상의 길이를 갖는 필름 또는 시트의 형상을 말한다. 상기 길이는, 폭에 대해, 바람직하게는 20배 이상이며, 구체적으로는 롤 상으로 권취되어 보관 또는 운반되는 정도의 길이일 수 있다. 길이의 상한은 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 폭에 대해 10만배 이하일 수 있다.
[수지 시트의 제조 방법]
수지 시트는, 예를 들면, 수지 조성물을 준비하는 공정과, 상기 수지 조성물을 적절한 지지면에 도포하는 공정을 포함하는 제조 방법으로 제조할 수 있다. 이 때, 지지면으로서는, 예를 들면, 필름층의 표면을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 수지 조성물을 (G) 용제에 용해하여 액상의 수지 바니시를 제조하는 공정과, 상기 수지 바니시를 지지면에 도포하는 공정을 포함하는 제조 방법이 바람직하다. (G) 용제를 사용함으로써, 점도를 조정하여 도포성을 향상시킬 수 있다. 수지 바니시를 사용하는 경우, 통상, 도포 후에 수지 바니시를 건조시켜 수지 조성물층을 형성한다.
수지 조성물은, 예를 들면, 상술한 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 상술한 성분은 일부 또는 전부를 동시에 혼합해도 좋고 순서대로 혼합해도 좋다. 각 성분을 혼합하는 과정에서, 온도를 적절히 설정해도 좋고, 따라서, 일시적으로 또는 종시에 걸쳐 가열 및/또는 냉각해도 좋다. 또한, 각 성분을 혼합하는 과정에서 교반 또는 진탕을 행해도 좋다.
수지 조성물 및 수지 바니시의 도포는, 예를 들면, 다이 코터 등의 도포 장치를 사용하여 행할 수 있다.
건조는, 가열, 열풍 분사 등의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은, 식 (1)을 만족하는 제1 특정 파라미터 「P(a)×P(b)/P(c)」 및/또는 식 (2)를 만족하는 제2 특정 파라미터 「P(a)/P(d)」가 얻어지도록 설정하는 것이 바람직하다. 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분 내지 10분간 건조시킴으로써, 원하는 수지 조성물층을 형성할 수 있는 경우가 많다.
수지 시트의 제조 방법은, 수지 조성물층을 얻은 후에, 상기 수지 조성물층과 필름층을 첩합하는 공정을 포함해도 좋다. 예를 들어, 수지 시트의 제조 방법은, 제1 필름층의 표면에 수지 조성물층을 형성하는 공정과, 형성된 수지 조성물층과 제2 필름층을 첩합하는 공정을 포함해도 좋다.
[수지 시트의 특성]
제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 시트는 뛰어난 커트성을 가질 수 있다. 따라서, 수지 시트의 수지 조성물층의 커트시에 당해 수지 조성물층의 결손을 억제할 수 있다. 일례에서, 가로 10cm×세로 10cm 커터를 사용하여 수지 시트를 펀칭하는 커트성 평가 시험을 행하여 정사각형의 평면 형상을 갖는 시료 시트를 얻은 경우에, 상기 시료 시트의 수지 조성물층의 모퉁이 부분에서의 결손을 적게 할 수 있다. 구체적으로는, 시료 시트의 4개의 모퉁이 중, 바람직하게는 1개 이상의 모퉁이에서 수지 조성물층의 결손을 없앨 수 있고, 보다 바람직하게는 4개의 모퉁이 전체에서 수지 조성물층의 결손을 없앨 수 있다. 커트성 평가 시험은, 구체적으로는, 후술하는 실시예에서 설명하는 방법에 의해 행할 수 있다.
제1 및 제2 실시형태에 따른 수지 시트는 뛰어난 박리성을 가질 수 있다. 따라서, 수지 시트가 필름층을 구비하는 경우에, 수지 조성물층 및 필름층의 밀착 강도를 억제하여 필름층의 박리를 원활하게 행할 수 있다. 일례에서, 수지 조성물층 및 필름층을 구비하는 수지 시트를 기재와 라미네이트한 후, 필름층을 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 떼어내는 박리성 평가 시험을 행한다. 이 박리성 평가 시험을 행하는 경우, 필름층을 박리하기 위해 요하는 힘의 크기(하중)를, 바람직하게는 0.09kgf/cm 이하로 할 수 있고, 보다 바람직하게는 0.06kgf/cm 이하로 할 수 있다. 박리성 평가 시험은, 구체적으로는, 후술하는 실시예에서 설명하는 방법에 의해 행할 수 있다.
수지 시트의 수지 조성물층을 경화함으로써, 경화물층이 얻어진다. 이 경화물층은, 통상 상술한 수지 조성물의 경화물을 포함하고, 바람직하게는 상술한 수지 조성물의 경화물만을 포함한다. 수지 조성물층의 경화시, 통상은, 수지 조성물층에는 열이 가해진다. 따라서, 수지 조성물층에 포함되는 성분 중, (G) 용제 등의 휘발성 성분은 경화시의 열에 의해 휘발될 수 있지만, (A) 내지 (F) 성분과 같은 불휘발 성분은, 경화시의 열에 의해서는 휘발되지 않는다. 따라서, 수지 조성물의 경화물은, 수지 조성물의 불휘발성 성분 또는 이의 반응 생성물을 포함할 수 있다.
상기 경화물층은, 반도체 칩 패키지 및 회로 기판 등의 부재에 마련할 수 있다. 그때, 상기 수지 시트로부터 얻어지는 경화물층에 의하면, 통상, 상기 부재의 휨을 억제할 수 있다. 일례에서, 수지 시트를 사용하여, 12인치 실리콘 웨이퍼(두께 775㎛)의 편면 전체에 두께 140㎛의 경화물층을 형성하여 시료 적층체를 제조하는 휨 평가 시험을 행한다. 이 휨 평가 시험을 행하는 경우, 당해 시료 적층체의 휨량을, 바람직하게는 1.0mm 이하로 할 수 있고, 보다 바람직하게는 0.6mm 이하로 할 수 있다. 휨 평가 시험은, 구체적으로는, 후술하는 실시예에서 설명하는 방법에 의해 행할 수 있다.
상기 수지 조성물층을 경화하여 얻어지는 경화물층은, 뛰어난 유전 특성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 경화물층의 비유전율은 바람직하게는 4.0 이하, 보다 바람직하게는 3.6 이하, 특히 바람직하게는 3.4 이하이다. 비유전율의 하한은, 특단의 제한은 없고, 예를 들어, 1.5 이상, 2.0 이상 등일 수 있다. 또한, 예를 들면, 경화물층의 유전 정접은 바람직하게는 0.0100 이하, 보다 바람직하게는 0.0090 이하, 더욱 바람직하게는 0.0080 이하, 특히 바람직하게는 0.0070 이하이다. 유전 정접의 하한은, 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 0.0010 이상일 수 있다. 일례에서, 상기 경화물층의 비유전율 및 유전 정접은, 수지 조성물층을 190℃에서 90분간 가열하여 얻어지는 경화물층을 사용하여, 애질런트 테크놀로지즈사 제조 「HP8362B」를 사용한 공동 공진 섭동법에 의해, 측정 주파수 5.8GHz, 측정 온도 23℃의 조건으로 측정할 수 있다.
상술한 수지 시트는, 예를 들면, 밀봉층 형성용의 수지 시트로서 사용할 수 있다. 이 경우, 수지 조성물층은, 밀봉층용의 수지 조성물층으로서 적합하게 사용할 수 있다. 그 중에서도, 수지 시트의 수지 조성물층은, 반도체를 밀봉하기 위한 수지 조성물층(반도체 밀봉용의 수지 조성물층)으로서 사용하는 것이 바람직하고, 반도체 칩을 밀봉하기 위한 수지 조성물층(반도체 칩 밀봉용의 수지 조성물층)으로서 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 수지 시트는 밀봉층 형성 용도 이외의 용도로 사용해도 좋고, 예를 들면, 절연층 형성용의 수지 시트로서 사용해도 좋다. 이 경우, 수지 조성물층은, 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물층(반도체 칩 패키지의 절연층 형성용의 수지 조성물층) 및 회로 기판(프린트 배선판을 포함한다)의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물층(회로 기판의 절연층 형성용의 수지 조성물층)으로서 적합하게 사용할 수 있다. 절연층은 층간 절연층 및 재배선 형성층을 포함할 수 있다.
반도체 칩 패키지로서는, 예를 들면, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지, Fan-out형 WLP(Wafer Level Package), Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP(Panel Level Package), Fan-in형 PLP를 들 수 있다.
또한, 수지 시트의 수지 조성물층은, 솔더 레지스트, 다이 본딩재, 구멍 메우기 수지, 부품 매립 수지 등, 수지 조성물층이 사용되는 광범위한 용도에 사용할 수 있다.
<반도체 칩 패키지의 제조 방법>
상술한 수지 시트를 사용하여, 반도체 칩 패키지의 제조를 행할 수 있다. 이하, 상기 반도체 칩 패키지의 제조 방법을, 제3 실시형태를 나타내어 설명한다. 본 발명의 제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은
수지 시트의 수지 조성물층을 커트하는 공정 (I),
커트된 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트와, 기재를 라미네이트하는 공정 (II), 및
수지 조성물층을 경화하는 공정 (III)
을 포함한다.
(공정 (I): 수지 조성물층의 커트 공정)
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은 수지 시트의 수지 조성물층을 커트하는 공정 (I)을 포함한다.
공정 (I)은 바람직하게는, 수지 조성물층의 두께 방향으로 날을 닿게 하여, 수지 조성물층을 커트하는 것을 포함한다. 일례에서, 둘레 방향으로 회전 가능하게 마련된 원주상의 롤과, 이 롤의 둘레면에 마련된 날을 구비하는 다이 커터를 사용하여 수지 조성물층을 커트해도 좋다. 다이 커터를 사용하는 경우, 당해 다이 커터를 둘레 방향으로 회전시키면서, 다이 커터의 날에 접촉하도록, 다이 커터의 회전 방향과 동일한 방향으로 수지 시트를 반송한다. 다이 커터의 날은, 반송되는 수지 시트의 수지 조성물층을 두께 방향에서 압압하여, 수지 조성물층 내로 진입하여, 당해 수지 조성물층을 펀칭하듯이 커트할 수 있다. 또한, 다른 일례에서, 수지 조성물층의 두께 방향에서 보아 원하는 평면 형상을 갖는 펀칭 날을 사용하여, 수지 조성물층을 커트해도 좋다. 펀칭 날을 사용하는 경우, 당해 펀칭 날로 수지 조성물층을 두께 방향에서 압압하여, 당해 수지 조성물층을 펀칭하듯이 커트할 수 있다. 이러한 예에 나타내는 바와 같이, 상술한 수지 시트는, 날에 의해 펀칭하듯이 수지 조성물층이 커트되는 경우에, 수지 조성물층의 결손을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 2는, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법에서, 수지 조성물층(110)을 커트한 후의 수지 시트(100)를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 상기 커트에 의해, 날의 형상에 대응한 평면 형상을 갖는 수지 조성물층(110)을 얻을 수 있다. 이하, 커트된 수지 조성물층(110)의 부분 중, 기재(도시하지 않음)와 라미네이트되는 부분을 「유효 수지 조성물층」(111)으로 부르는 경우가 있고, 그 이외의 부분을 「주변 수지 조성물층」(112)이라고도 한다. 상술한 수지 시트(100)를 사용하는 경우, 커트에 의해 수지 조성물층(110)에 결손이 생성되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 의도한대로의 형상의 유효 수지 조성물층(111)을 높은 확실성으로 얻을 수 있다.
또한, 도 2에서는, 수지 조성물층(110)의 두께 방향의 전체가 커트된 예를 나타냈지만, 수지 조성물층(110)은 두께 방향에서 부분적으로 커트되어 있어도 좋다. 수지 조성물층(110)의 두께 방향 중 적어도 일부가 커트됨으로써, 수지 조성물층(110)의 두께 방향 중 적어도 일부에 절개가 형성되면, 후술하는 공정 (V)에서 주변 수지 조성물층(112)을 원활하게 제거하는 것이 가능하다.
수지 시트(100)가 필름층을 구비하는 경우, 공정 (I)에서, 필름층이 커트되어도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층(110)과 날(도시하지 않음) 사이에 제2 필름층(130)이 있는 경우, 공정 (I)에서, 통상은, 수지 조성물층(110)뿐만 아니라 제2 필름층(130)도 커트된다. 이때, 제2 필름층(130)은, 이의 두께 방향 전체가 커트될 수 있다. 이하, 도 2에 나타내는 바와 같이, 커트된 제2 필름층(130)의 부분 중, 유효 수지 조성물층(111)을 덮는 부분을 「주(主) 부분」(131)이라고 부르는 경우가 있고, 그 이외의 부분을 「주변 부분」(132)이라고도 한다.
또한, 공정 (I)에서는 필름층이 커트되지 않아도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층(110)에 대해 날(도시하지 않음)과는 반대 측에 제1 필름층(120)이 마련되어 있는 경우, 제1 필름층(120)은, 커트되지 않아도 좋다. 또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 날은, 제1 필름(120)에 부분적으로 진입하여, 두께 방향에서 제1 필름층(120)을 부분적으로 커트해도 좋다.
여기서, 제2 필름층(130), 수지 조성물층(110) 및 제1 필름층(120)을, 날 측으로부터 이 순으로 구비하는 장척의 수지 시트(100)를 사용하는 예를 나타낸다. 이 경우, 바람직하게는, 수지 조성물층(110) 및 제2 필름층(130)이 커트된다. 또한, 제1 필름층(120)은, 커트되지 않아도 좋고, 두께 방향으로 부분적으로 커트되어도 좋다. 단, 공정 (I)에서의 조작은, 이 예에 나타내는 것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 후술하는 공정 (IV)에서 제2 필름층(130)이 박리된 후에 공정 (I)을 행함으로써, 제2 필름층(130)을 구비하지 않은 수지 시트의 수지 조성물층(110)을 커트해도 좋다.
공정 (I)에서, 수지 조성물층(110)을 커트하여 얻어지는 유효 수지 조성물층(111)은, 통상, 당해 유효 수지 조성물층(111)과 라미네이트되어야 할 기재(도시하지 않음)에 대응한 평면 형상을 갖는다. 예를 들어, 유효 수지 조성물층(111)은, 기재와 동일한 평면 형상을 갖고 있어도 좋고, 기재보다도 큰 평면 형상을 갖고 있어도 좋고, 기재보다도 작은 평면 형상을 갖고 있어도 좋다. 구체예를 들면, 원형의 평면 형상을 갖는 웨이퍼를 기재로서 사용하는 경우, 원형의 평면 형상을 갖는 유효 수지 조성물층(111)이 얻어지도록 수지 조성물층(110)을 커트해도 좋다.
(공정 (IV): 필름층의 박리 공정)
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 공정 (II) 이전에, 필름층을 박리하는 공정 (IV)를 포함해도 좋다. 예를 들어, 제1 필름층 및 제2 필름층을 구비하는 수지 시트를 사용한 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 통상, 공정 (II) 이전에, 제1 수지 시트 및 제2 필름층의 한쪽 또는 양쪽을 박리하는 공정 (IV)를 포함한다. 반송시에 유효 수지 조성물층을 지지 및 보호하는 관점에서, 공정 (IV)는 제1 수지 시트 및 제2 필름층의 한쪽만을 박리하는 것이 바람직하다.
필름층을 박리하는 공정 (IV)는, 공정 (I) 이전에 행해도 좋고 공정 (I) 이후에 행해도 좋다. 필름층으로 수지 조성물층을 지지한 상태로 수지 조성물층을 커트함으로써, 수지 조성물층의 결손을 효과적으로 억제할 수 있으므로, 필름층을 박리하는 공정 (IV)는 공정 (I) 이후에 행하는 것이 바람직하다.
제1 필름층을 박리하는 방법으로서는, 예를 들어, 진공 흡착기로 제2 필름층 및 수지 조성물층을 흡착한 상태에서, 제1 필름층을 수지 조성물층으로부터 떨어지도록 잡아당겨서 박리하는 방법을 들 수 있다.
한편, 제2 필름층을 박리하는 방법으로서는, 예를 들어, 진공 흡착기로 제1 필름층 및 수지 조성물층을 흡착한 상태에서, 제2 필름층을 수지 조성물층으로부터 떨어지도록 잡아당겨서 박리하는 방법을 들 수 있다.
또한, 도 2에 나타낸 예와 같이, 공정 (I)에서 제2 필름층이 커트된 경우, 커트 후의 제2 필름층은, 유효 수지 조성물층을 덮는 주부분과, 주변 수지 조성물층을 덮는 주변 부분을 포함한다. 따라서, 공정 (I) 이후에 공정 (IV)를 행하는 경우, 공정 (IV)는, 제2 필름층의 주부분을 박리하는 것을 포함해도 좋고, 제2 필름층의 주변 부분을 박리하는 것을 포함해도 좋다. 제2 필름층의 주부분의 박리와 주변 부분의 박리는, 동시에 행해도 좋고, 순서대로 행해도 좋다.
제2 필름층의 주부분의 박리 방법으로서는, 예를 들면, 점착 테이프법, 진공 흡착법 등을 들 수 있다. 예를 들면, 점착 테이프법에서는, 일반적으로, 제2 필름층의 주부분에 점착 테이프를 첩합하고, 그 후, 당해 점착 테이프를 박리한다. 이때, 박리되는 점착 테이프와 함께, 제2 필름층의 주부분을 박리할 수 있다.
제2 필름층의 주변 부분의 박리 방법으로서는, 예를 들면, 주부분과 동일하게, 점착 테이프법, 진공 흡착법 등을 들 수 있다. 또한, 장척의 수지 시트를 사용하는 경우, 제2 필름층의 주변 부분은, 수지 시트의 반송 방향으로 연속하여 형성될 수 있다. 따라서, 제2 필름층의 주변 부분은, 당해 주변 부분을 기계적으로 잡아당겨서 박리해도 좋다. 예를 들면, 수지 조성물층으로부터 떨어지도록 제2 필름층의 주변 부분을 잡아당김으로써, 당해 주변 부분을 연속으로 박리할 수 있다.
상술한 수지 시트를 사용하는 경우, 수지 조성물층과 필름층의 밀착 강도가 낮기 때문에, 필름층은, 수지 조성물층으로부터 원활하게 떨어질 수 있다. 따라서, 유효 수지 조성물층의 일부 또는 전부가 필름층에 고착되는 것이 억제된다. 따라서, 유효 수지 조성물층의 일부 또는 전부가 필름층과 함께 벗겨져 버리는 불량의 발생이 억제되어, 필름층의 박리를 원활하게 행할 수 있다.
(공정 (V): 주변 수지 조성물층의 박리 공정)
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 주변 수지 조성물층을 박리하는 공정 (V)를 포함해도 좋다. 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 통상, 공정 (I) 이후에, 주변 수지 조성물층을 박리하는 공정 (V)를 포함한다.
주변 수지 조성물층의 박리는, 공정 (IV) 이후에 행해도 좋고, 공정 (IV)의 일부 또는 전부와 동시에 행해도 좋다. 예를 들어, 주변 수지 조성물층은, 공정 (IV)에서 제1 필름층을 박리하는 것과 동시에 박리되어도 좋다. 구체예를 들면, 진공 흡착기로 제2 필름층의 주부분 및 유효 수지 조성물층을 흡착한 상태에서, 제1 필름층 및 주변 수지 조성물층을 유효 수지 조성물층으로부터 떨어지도록 잡아당겨서 박리해도 좋다.
또한, 예를 들면, 주변 수지 조성물층은, 공정 (IV)에서 제2 필름층의 주변 부분을 박리하는 것과 동시에, 박리되어도 좋다. 구체예를 들면, 제2 필름층의 주변 부분 및 주변 수지 조성물층을, 유효 수지 조성물층으로부터 떨어지도록 잡아당겨, 제2 필름층의 주변 부분 및 주변 수지 조성물층을 박리해도 좋다.
또한, 예를 들면, 주변 수지 조성물층은, 제1 필름층 및 제2 필름층의 주변 부분의 박리와는 별도로 박리되어도 좋다.
상술한 수지 시트를 사용하는 경우, 수지 조성물층과 필름층의 밀착 강도가 낮기 때문에, 주변 수지 조성물층은, 필름층으로부터 원활하게 떨어질 수 있다. 따라서, 주변 수지 조성물층의 일부 또는 전부가 필름층에 고착되는 것이 억제된다. 따라서, 주변 수지 조성물층의 박리를 원활하게 행할 수 있다.
(공정 (II): 라미네이트 공정)
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 커트된 수지 조성물층으로서의 유효 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트와, 기재를 라미네이트하는 공정 (II)를 포함한다. 이 라미네이트는, 수지 시트의 유효 수지 조성물층과 기재가 접합하도록 행한다. 이 라미네이트에 의해, 기재 위에 유효 수지 조성물층을 형성할 수 있다.
기재로서는, 예를 들면, 기판 또는 웨이퍼를 포함하는 것이 바람직하다. 기판으로서는, 예를 들면, 유리 기판; 구리, 티탄, 스테인리스, 냉간 압연 강판(SPCC) 등의 금속 기판; FR-4 기판 등의, 유리 섬유에 에폭시 수지 등을 스며들게 하여 열경화 처리한 기판; BT 수지 등의 비스말레이미드트리아진 수지로 이루어진 기판; 폴리이미드 기판 등을 들 수 있다. 또한, 웨이퍼로서는, 실리콘 웨이퍼, 갈륨비소(GaAs) 웨이퍼, 인듐린(InP) 웨이퍼, 갈륨인(GaP) 웨이퍼, 갈륨나이트라이드(GaN) 웨이퍼, 갈륨텔루르(GaTe) 웨이퍼, 아연셀렌(ZnSe) 웨이퍼, 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼; 유리 웨이퍼; 의사(疑似) 웨이퍼 등을 들 수 있다. 의사 웨이퍼로서는, 예를 들면, 몰드 수지와, 상기 몰드 수지에 매립된 전자 부품을 구비하는 판상 부재를 사용할 수 있다.
기재로서 상기 기판 또는 웨이퍼 자체를 사용해도 좋다. 또한, 기판 또는 웨이퍼에 임의의 부재를 조합하여 기재로서 사용해도 좋다. 예를 들면, 상기 기판 또는 웨이퍼 위에 가고정 필름을 형성한 복합 부재를 기재로서 사용해도 좋다. 가고정 필름을 구비하는 복합 부재를 기재로서 사용하는 경우, 후의 공정에서 기재의 박리를 용이하게 행할 수 있다. 가고정 필름은, 반도체 칩으로부터 박리할 수 있고, 또한, 반도체 칩을 가고정할 수 있는 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 시판의 가고정 필름으로서는, 예를 들면, 닛토 덴코사 제조 「리바 알파」 등을 들 수 있다.
기재 위에, 반도체 칩이 마련되어 있어도 좋다. 예를 들어, 기재가 가고정 필름을 구비하는 경우에, 당해 가고정 필름 위에 반도체 칩이 가고정되어 있어도 좋다. 반도체 칩의 가고정은, 예를 들면, 플립 칩 본더, 다이 본더 등의 장치를 사용하여 행할 수 있다. 반도체 칩의 배치 레이아웃 및 배치수는, 가고정 필름의 형상, 크기, 목적으로 하는 반도체 칩 패키지의 생산수 등에 따라 적절하게 설정할 수 있다. 예를 들면, 복수 행으로, 또한 복수 열의 매트릭스상으로 반도체 칩을 정렬시켜, 가고정해도 좋다. 기재 위에 반도체 칩이 마련되어 있는 경우, 통상은, 반도체 칩을 유효 수지 조성물층에 매립하도록 라미네이트를 행한다.
수지 시트와 기재의 라미네이트는, 예를 들면, 수지 시트를 기재에 가열 압착함으로써, 행할 수 있다. 수지 시트를 기재에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 한다)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤 등)을 들 수 있다. 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니라, 기재의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 사이에 두고 프레스하는 것이 바람직하다.
기재와 수지 시트의 라미네이트는, 예를 들면, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 라미네이트 조건은 예를 들면 하기와 같을 수 있다. 가열 압착 온도는 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이다. 가열 압착 압력은 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이다. 가열 압착 시간은 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 라미네이트는 바람직하게는 압력 13hPa 이하의 감압 조건하에 실시한다.
상기 라미네이트는 시판의 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, 메이키 세이사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코 머테리얼즈사 제조의 베큠 어플리케이터, 배치식 진공 가압 라미네이터, 린텍사 제조의 풀 오토 LC 테이프 라미네이터 등을 들 수 있다. 기재로서 웨이퍼를 사용하는 경우, 웨이퍼의 균열을 억제하기 위해, 다이어프램 방식의 라미네이터를 사용하는 것이 바람직하다.
(공정 (VI): 평활화 공정)
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 공정 (II)에서 수지 시트와 기재를 라미네이트한 후, 공정 (III)에서 유효 수지 조성물층을 경화하기 전에, 유효 수지 조성물층을 평활화하는 공정 (VI)를 포함해도 좋다. 구체적으로는, 상압 하(대기압 하), 가열 압착 부재를 수지 시트에 프레스하는 평활화 처리를 행하여, 유효 수지 조성물층을 평활화해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은 상기 공정 (II)에서의 가열 압착의 조건과 동일할 수 있다. 또한, 공정 (II)에서의 라미네이트와 공정 (VI)에서의 평활화 처리는 진공 라미네이터를 사용하여 연속으로 행해도 좋다.
(공정 (VII): 필름층의 박리 공정)
공정 (II)에서 기재와 라미네이트되는 수지 시트가 필름층을 구비하는 경우, 제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 공정 (II) 이후에 상기 필름층을 박리하는 공정 (VII)을 포함해도 좋다. 예를 들어, 도 2에 나타낸 예와 같이 제1 필름층 및 제2 필름층을 구비하는 수지 시트를 사용하는 경우, 기재와 라미네이트되는 수지 시트는, 공정 (II)에서, 제1 필름층 및 제2 필름층 중 한쪽을 포함할 수 있다. 따라서, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 제1 필름층 및 제2 필름층 중 한쪽을 박리하는 것을 포함하는 공정 (VII)을 포함해도 좋다. 필름층을 박리하는 공정 (VII)은 공정 (III) 이전에 행해도 좋고 공정 (III) 이후에 행해도 좋다.
공정 (VII)에서의 필름층의 박리 방법은, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 공정 (IV)에서의 필름층의 박리 방법과 동일한 방법을 채용해도 좋다. 상술한 수지 시트를 사용하는 경우, 수지 조성물층과 필름층의 밀착 강도가 낮기 때문에, 수지 조성물층의 일부 또는 전부가 필름층과 함께 박리되어 버리는 불량의 발생이 억제되어, 필름층의 박리를 원활하게 행할 수 있다.
(공정 (III): 경화 공정)
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 공정 (II)에서 수지 시트와 기재를 라미네이트한 후에, 기재에 라미네이트된 수지 조성물층으로서의 유효 수지 조성물층을 경화하는 공정 (III)을 포함한다. 유효 수지 조성물층의 경화는, 통상, 열경화에 의해 행한다.
유효 수지 조성물층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류에 따라서도 상이할 수 있지만, 경화 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위), 경화 시간은 통상 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간의 범위, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간의 범위)이다.
유효 수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 유효 수지 조성물층에 대해, 경화 온도보다도 낮은 온도에서 가열하는 예비 가열 처리를 실시해도 좋다. 예를 들어, 유효 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물층을, 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간), 예비 가열해도 좋다.
유효 수지 조성물층을 경화시킴으로써, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 경화물층을 기재 위에 형성할 수 있다. 따라서, 상술한 제조 방법에 의해, 경화물층을 구비하는 반도체 칩 패키지를 얻을 수 있다. 통상, 얻어지는 반도체 칩 패키지는, 경화물층 및 반도체 칩을 포함한다. 또한, 상술한 수지 시트를 사용하여 제조된 반도체 칩 패키지는, 통상, 휨의 억제가 가능하다.
반도체 칩 패키지에서 경화물층은, 예를 들면, 밀봉층, 절연층, 솔더 레지스트층 등으로서 기능할 수 있다. 일례에서, 기재 위에 반도체 칩이 마련되어 있던 경우, 반도체 칩과, 이 반도체 칩을 밀봉하는 밀봉층으로서의 경화물층을 구비하는 반도체 칩 패키지를 얻을 수 있다. 이러한 반도체 칩 패키지로서는 예를 들면 Fan-out형 WLP, Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP, Fan-in형 PLP 등을 들 수 있다.
(임의의 공정)
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 상술한 공정에 조합하여, 추가로 임의의 공정을 포함해도 좋다.
예를 들면, 상술한 반도체 칩 패키지의 제조 방법은
반도체 칩을, 기재 위에 가고정하는 공정,
반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정,
기재를 박리하는 공정,
기재를 박리한 반도체 칩의 면에, 절연층으로서의 재배선 형성층을 형성하는 공정, 및
재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정
을 이 순으로 포함하는 제조 방법으로서 실시할 수 있다.
또한, 예를 들면, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은,
기재 위에, 절연층으로서의 재배선 형성층을 형성하는 공정
재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정,
재배선 형성층 위에, 재배선층과 전기적으로 접속되도록, 반도체 칩을 탑재하는 공정, 및
반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정
을 이 순으로 포함하는 제조 방법으로서 실시할 수 있다.
이러한 예에 따른 제조 방법에서, 상술한 경화물층은, 밀봉층 및 재배선 형성층에 바람직하게 적용할 수 있다. 따라서, 밀봉층을 형성하는 공정, 및 재배선 형성층을 형성하는 공정은, 상술한 공정 (I) 내지 (III) 및 필요에 따라 공정 (IV) 내지 (VII)을 포함하는 방법에 의해 실시해도 좋다. 그 경우, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 상술한 경화체층을 밀봉층 또는 재배선 형성층으로서 기능시키기 위해 요구되는 임의의 공정을 추가로 포함해도 좋다. 또한, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 밀봉층 및 재배선 형성층을 형성하는 것 이외의 임의의 공정을 포함해도 좋다. 이하, 이들 임의의 공정에 대해 설명한다.
반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 임의의 공정으로서, 예를 들어, 경화물층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성하는 공정을 포함해도 좋다. 구체예를 들면, 경화물층을 재배선 형성층 등의 절연층으로서 사용하는 경우에, 상기 경화물층의 일측에 마련되는 도체층과 타측에 마련되는 도체층 사이의 층간 접속을 위해, 경화물층에 홀을 형성해도 좋다. 홀의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 레이저 조사, 에칭, 메커니컬 드릴링 등을 들 수 있다. 또한, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 홀의 형성 후, 홀 내의 스미어를 제거하는 디스미어 공정을 행하는 것이 바람직하다.
반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 임의의 공정으로서, 예를 들어, 경화물층에 대해 조화 처리를 행하는 공정을 포함해도 좋다. 조화 처리에 의하면, 통상, 홀 내를 포함한 경화물층의 표면이 조화된다. 따라서, 조화 처리에 의하면, 경화물층을 재배선 형성층 등의 절연층으로서 사용하는 경우에, 경화물층과 도체층의 밀착 강도를 높일 수 있다. 조화 처리로서는, 건식 및 습식 중 어느 조화 처리를 행해도 좋다. 건식 조화 처리의 예로서는, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 또한, 습식 조화 처리의 예로서는, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 및 중화액에 의한 중화 처리를 이 순으로 행하는 방법을 들 수 있다.
반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 임의의 공정으로서, 예를 들어, 경화물층 위에 도체층을 형성하는 공정을 포함해도 좋다. 도체층은, 예를 들면, 배선으로서 사용할 수 있다. 구체예를 들면, 경화물층을 재배선 형성층으로서 사용하는 경우, 재배선층으로서 도체층을 형성해도 좋다. 도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 도체층에 포함되는 도체 재료는, 예를 들면, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 재료를 들 수 있다. 도체 재료로서는, 단금속을 사용해도 좋고, 합금을 사용해도 좋다. 합금으로서는, 예를 들면, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성의 관점에서, 단금속으로서의 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리; 및, 합금으로서의 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금;이 바람직하다. 그 중에서도, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속; 및, 니켈·크롬 합금;이 보다 바람직하고, 구리의 단금속이 특히 바람직하다. 도체층은, 단층 구조를 갖고 있어도 좋고, 상이한 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조를 갖고 있어도 좋다.
도체층의 형성 방법은, 예를 들어, 도금법, 스퍼터법, 증착법 등을 들 수 있다. 예를 들어, 세미 애디티브법, 풀 애디티브법 등의 적절한 방법에 의해 경화물층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성해도 좋다. 형성되는 도체층의 재료는, 단금속이라도 좋고, 합금이라도 좋다. 또한, 이 도체층은, 1층만을 포함하는 단층 구조를 갖고 있어도 좋고, 상이한 종류의 재료의 층을 2층 이상 포함하는 복층 구조를 갖고 있어도 좋다.
여기서, 경화물층 위에 도체층을 형성하는 실시형태의 예를 상세히 설명한다. 경화물층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여, 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성한 후 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등의 처리에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.
또한, 상술한 경화물층의 형성과 도체층의 형성을 반복해서 행하여, 경화물층과 도체층을 교대로 쌓아 올려(빌드업)도 좋다.
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 임의의 공정으로서, 예를 들어, 경화물층을 연마하는 공정을 포함해도 좋다. 일례에서, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 기재와는 반대 측의 경화물층의 면을 연마하는 공정을 포함해도 좋다. 또한, 다른 일례에서, 후술하는 바와 같이 기재를 박리하는 경우, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 기재를 박리하여 노출된 경화물층의 면을 연마하는 공정을 포함해도 좋다. 연마에 의해, 경화물층의 표면의 평활성을 향상시킬 수 있다. 연마 방법의 예로서는, 화학 기계 연마 장치에 의한 화학 기계 연마 방법, 버프 등의 기계 연마 방법, 숫돌 회전에 의한 평면 연삭 방법 등을 들 수 있다.
반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 임의의 공정으로서, 예를 들어, 경화물층 위에 반도체 칩을 탑재하는 공정을 포함해도 좋다. 구체예를 들면, 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 경화물층 위에 형성된 재배선층 등의 도체층과 도체 접속할 수 있도록, 경화물층 위에 반도체 칩을 탑재하는 공정을 포함해도 좋다. 이 공정은, 통상, 반도체 칩의 단자 전극과 도체층이 도체 접속할 수 있도록, 경화물층에 반도체 칩을 접합하는 것을 포함한다. 접합 방법은, 예를 들면, 반도체 칩과 경화물층 사이에, 절연성의 접착제를 통해 접합하는 방법, 반도체 칩을 경화물층에 압착하는 방법, 리플로우에 의해 반도체 칩을 접합하는 방법 등을 들 수 있지만, 이들 이외의 방법이라도 좋다.
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 임의의 공정으로서, 예를 들면, 기재를 박리하는 공정을 포함해도 좋다. 구체예를 들면, 가고정 필름을 포함하는 기재를 사용하는 경우에, 기재를 박리할 수 있다. 기재의 박리 방법으로서는, 예를 들면, 가고정 필름을 가열, 발포 또는 팽창시켜 박리하는 방법을 들 수 있다. 가고정 필름을 가열, 발포 또는 팽창시켜 박리하는 방법에서, 가열 조건은, 통상, 100℃ 내지 250℃에서 1초간 내지 90초간 또는 5분간 내지 15분간이다. 또한, 기재의 박리 방법으로서는, 예를 들어, 기재를 통해서 가고정 필름에 자외선을 조사하여, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜 박리하는 방법을 들 수 있다. 자외선을 조사하여 가고정 필름의 점착력을 저하시켜 박리하는 방법에서, 자외선의 조사량은, 통상, 10mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠이다.
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 임의의 공정으로서, 예를 들면, 재배선층 등의 도체층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정을 포함해도 좋다. 솔더 레지스트층의 재료는, 절연성을 갖는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 반도체 칩 패키지의 제조 용이성의 관점에서, 감광성 수지 조성물 및 열경화성 수지 조성물이 바람직하다. 이 솔더 레지스트층은, 상술한 수지 시트의 수지 조성물층을 경화하여 얻어지는 경화물층에 의해 형성해도 좋다.
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 임의의 공정으로서, 예를 들면, 범프를 형성하는 범핑 가공을 행하는 공정을 포함해도 좋다. 범핑 가공은, 땜납 볼, 땜납 도금 등의 방법으로 행할 수 있다.
제3 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 제조 방법은, 임의의 공정으로서, 예를 들면, 반도체 칩 패키지로 다이싱하여 개편화(個片化)하는 공정을 포함해도 좋다.
여기서, 반도체 칩 패키지의 제조 방법의 보다 구체적인 예를 설명한다. 특정 구체예에서는, 기재 위에, 상술한 공정 (I) 내지 (III)을 포함하는 방법에 의해 경화물층을 재배선 형성층으로서 형성하는 것과, 경화물층 위에 도체층을 재배선층으로서 형성하는 것을 행한다. 경화물층 및 도체층은, 각각 1층만 형성해도 좋고, 빌드업을 위해 2층 이상 형성해도 좋다. 그 후, 경화물층 위에 반도체 칩을 탑재하고, 밀봉층을 형성하여 밀봉한다. 밀봉층은, 상술한 수지 시트를 사용하여 제조해도 좋다. 또한, 필요에 따라 기재를 박리하고, 다이싱하여, 반도체 칩 패키지를 얻어도 좋다.
다른 구체예에서는, 기재 위에 반도체 칩을 마련하고, 그 기재 위에, 상술한 공정 (I) 내지 (III)을 포함하는 방법에 의해 경화물층을 밀봉층으로서 형성한다. 그 후, 기재를 박리한다. 기재를 박리하여 노출된 면에, 재배선 형성층 및 재배선층을 형성한다. 재배선 형성층은, 상술한 수지 시트를 사용하여 형성해도 좋다. 또한, 재배선 형성층 및 재배선층은, 각각 1층만 형성해도 좋고, 빌드업을 위해 2층 이상 형성해도 좋다. 그 후, 다이싱하여, 반도체 칩 패키지를 얻어도 좋다.
또한, 이러한 구체예에 따른 제조 방법에서, 상술한 1 또는 2 이상의 공정을 조합하여 실시해도 좋다.
(회로 기판을 사용한 반도체 칩 패키지의 제조 방법)
반도체 칩 패키지는, 후술하는 회로 기판의 제조 방법에 의해 회로 기판을 제조하는 공정과, 이 회로 기판에 반도체 칩을 탑재하는 공정을 포함하는 방법에 의해 제조해도 좋다. 후술하는 회로 기판의 제조 방법이 공정 (I), (II) 및 (III)을 포함하기 때문에, 이 회로 기판의 제조 방법을 포함하는 방법에 의해서도, 상술한 수지 시트를 사용한 반도체 칩 패키지의 제조가 가능하다. 얻어진 반도체 칩 패키지는, 통상, 경화물층 및 반도체 칩을 포함한다.
회로 기판에 반도체 칩을 탑재하는 공정은, 통상, 반도체 칩의 단자 전극과 회로 기판의 회로 배선이 도체 접속할 수 있도록, 회로 기판에 반도체 칩을 접합하는 것을 포함한다. 회로 기판과 반도체 칩의 접합 조건은, 예를 들면, 반도체 칩의 플립 칩 실장에서 사용되는 조건을 채용할 수 있다. 또한, 예를 들면, 반도체 칩과 회로 기판 사이에, 절연성의 접착제를 통해 접합해도 좋다.
접합 방법의 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 압착하는 방법을 들 수 있다. 압착 조건으로서는, 압착 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 130℃ 내지 200℃의 범위, 보다 바람직하게는 140℃ 내지 180℃의 범위), 압착 시간은 통상 1초간 내지 60초간의 범위(바람직하게는 5초간 내지 30초간의 범위)이다.
또한, 접합 방법의 다른 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 리플로우하여 접합하는 방법을 들 수 있다. 리플로우 조건은 120℃ 내지 300℃의 범위로 해도 좋다.
반도체 칩을 회로 기판에 접합한 후, 반도체 칩을 몰드 언더필재로 충전해도 좋다.
<회로 기판의 제조 방법>
상술한 수지 시트를 사용하여, 회로 기판의 제조를 행할 수 있다. 이하, 상기 회로 기판의 제조 방법을, 제4 실시형태를 나타내어 설명한다. 본 발명의 제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법은
수지 시트의 수지 조성물층을 커트하는 공정 (I),
커트된 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트와, 기재를 라미네이트하는 공정 (II), 및
수지 조성물층을 경화하는 공정 (III)
을 포함한다.
제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법에서, 수지 시트의 수지 조성물층을 커트하는 공정 (I)은, 상술한 반도체 칩 패키지의 제조 방법의 공정 (I)과 동일하게 행할 수 있다. 제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법의 공정 (I)에 의하면, 반도체 칩 패키지의 제조 방법의 공정 (I)과 동일한 이점을 얻을 수 있다.
제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법은, 상술한 반도체 칩 패키지의 제조 방법과 동일하게, 필름층을 박리하는 공정 (IV), 및 주변 수지 조성물층을 박리하는 공정 (V)를 포함해도 좋다. 회로 기판의 제조 방법에서의 공정 (IV) 및 공정 (V)는, 상술한 반도체 칩 패키지의 제조 방법의 공정 (IV) 및 공정 (V)와 각각 동일하게 행할 수 있다. 제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법의 공정 (IV) 및 공정 (V)에 의하면, 반도체 칩 패키지의 제조 방법의 공정 (IV) 및 공정 (V)와 동일한 이점을 얻을 수 있다.
제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법은, 커트된 수지 조성물층으로서의 유효 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트와, 기재를 라미네이트하는 공정 (II)를 포함한다. 이 라미네이트는, 수지 시트의 유효 수지 조성물층과 기재가 접합하도록 행한다. 이 라미네이트에 의해, 기재 위에 유효 수지 조성물층을 형성할 수 있다.
기재로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판을 들 수 있다. 또한, 기재는, 당해 기재의 일부로서 표면에 동박 등의 금속층을 갖고 있어도 좋다. 예를 들면, 양쪽 표면에 박리 가능한 금속층(제1 금속층 및 제2 금속층)을 갖는 기재를 사용해도 좋다. 이러한 기재를 사용하는 경우, 통상, 회로 배선으로서 기능할 수 있는 배선층으로서의 도체층이, 제2 금속층의 제1 금속층과는 반대 측의 면에 형성된다. 금속층의 재료로서는, 동박, 캐리어 부착 동박, 전술한 도체층의 재료 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 금속층을 갖는 기재로서는, 예를 들면, 미츠이 킨조쿠 코교사 제조의 캐리어 동박 부착 극박 동박 「Micro Thin」을 들 수 있다. 기재는, 이의 편면 또는 양면에 도체층을 갖고 있어도 좋고, 이러한 도체층은 패턴 가공되어 있어도 좋다. 회로 기판을 제조할 때에, 추가로 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 하는 중간 제조물도, 상기 「기재」에 포함된다. 회로 기판으로서 부품 내장 회로판을 제조하는 경우, 부품을 내장한 기재를 사용해도 좋다.
수지 시트와 기재의 라미네이트는, 예를 들면, 수지 시트를 기재에 가열 압착함으로써, 행할 수 있다. 구체적인 라미네이트의 방법 및 조건은, 상술한 반도체 칩 패키지의 제조 방법의 공정 (II)와 동일할 수 있다.
제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법은, 상술한 반도체 칩 패키지의 제조 방법과 동일하게, 유효 수지 조성물층을 평활화하는 공정 (VI), 및 필름층을 박리하는 공정 (VII)을 포함해도 좋다. 회로 기판의 제조 방법에서의 공정 (VI) 및 공정 (VII)은, 상술한 반도체 칩 패키지의 제조 방법의 공정 (VI) 및 공정 (VII)과 각각 동일하게 행할 수 있다. 제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법의 공정 (VI) 및 공정 (VII)에 의하면, 반도체 칩 패키지의 제조 방법의 공정 (VI) 및 공정 (VII)과 동일한 이점을 얻을 수 있다.
제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법은, 공정 (II)에서 수지 시트와 기재를 라미네이트한 후에, 기재에 라미네이트된 수지 조성물층으로서의 유효 수지 조성물층을 경화하는 공정 (III)을 포함한다. 제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법의 공정 (III)은, 상술한 반도체 칩 패키지의 제조 방법의 공정 (III)과 동일하게 행할 수 있다. 유효 수지 조성물층을 경화시킴으로써, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 경화물층을 기재 위에 형성할 수 있다. 따라서, 상술한 제조 방법에 의해, 경화물층을 구비하는 회로 기판을 얻을 수 있다. 상술한 수지 시트를 사용하여 제조된 회로 기판은, 통상, 휨의 억제가 가능하다.
회로 기판에서, 경화물층은, 예를 들면, 절연층, 밀봉층, 솔더 레지스트층 등으로서 기능할 수 있다.
제4 실시형태에 따른 회로 기판의 제조 방법은, 상술한 공정과 조합하여, 추가로 임의의 공정을 포함해도 좋다.
회로 기판의 제조 방법은, 예를 들면, 경화물층을 연마하는 공정을 포함해도 좋다. 회로 기판의 제조 방법은, 예를 들어, 경화물층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성하는 공정을 포함해도 좋다. 또한, 홀의 형성 후, 디스미어 공정을 행해도 좋다. 회로 기판의 제조 방법은, 예를 들어, 경화물층에 대해 조화 처리를 행하는 공정을 포함해도 좋다. 회로 기판의 제조 방법은, 예를 들어, 경화물층 위에 도체층을 형성하는 공정을 포함해도 좋다. 이러한 임의의 공정은, 상술한 반도체 칩 패키지의 제조 방법에서 설명한 것과 동일하게 행해도 좋다.
회로 기판의 제조 방법은, 예를 들면, 기재를 박리하는 공정을 포함해도 좋다. 구체예를 들면, 기재를 박리하는 공정은, 박리 가능한 금속층을 갖는 기재를 사용하는 경우에, 행할 수 있다. 기재를 제거하는 경우, 경화물층과, 이 경화물층에 매립된 도체층을 갖는 회로 기판을 제조하는 것이 가능하다.
회로 기판의 제조 방법은, 예를 들면, 상술한 공정을 반복해서 행하여, 다층 프린트 배선판 등의 다층 구조를 갖는 회로 기판을 제조해도 좋다.
회로 기판의 제조 방법에서, 반도체 칩 패키지의 제조 방법에서 설명한 것과 동일한 공정을 행해도 좋다.
<반도체 장치>
반도체 장치는, 상술한 반도체 칩 패키지 또는 회로 기판을 구비한다. 반도체 장치로서는, 예를 들면, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 스마트폰, 태블릿형 디바이스, 웨어러블 디바이스, 디지털 카메라, 의료 기기, 및 텔레비전 등) 및 탈 것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예를 나타내어 본 발명에 대해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 기재에서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 이하에 설명하는 조작은, 별도 명시가 없는 한, 상온 상압(25℃ 1기압) 대기 중에서 행하였다.
<원료 일람>
하기의 실시예 및 비교예에서 사용한 수지 조성물의 원료는 하기와 같다.
(A) 성분:
지방족 트리글리시딜에테르(나가세 켐텍스사 제조 「EX-321L」, 에폭시 당량 130g/eq.)
페놀프탈이미딘형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「WHR991S」, 에폭시 당량 265g/eq.)
(B) 성분:
무기 충전제 1: 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 1㎛, 비표면적 4.5㎡/g, 아도마텍스사 제조 「SO-C4」)
(C) 성분:
수산기 함유 아크릴 폴리머(토아 고세이사 제조 「ARUFON UH-2000」, 중량 평균 분자량 11,000, 유리 전이 온도 -55℃)
(D) 성분:
비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드(다이와 카세이 코교사 제조 「BMI-4000」, 말레이미드 기 당량 285g/eq., 고형분 50질량%의 톨루엔 용액)
카보디이미드계 수지(닛신보 케미컬사 제조 「V-03」, 활성기 당량 약 216g/eq., 고형분 50질량%의 톨루엔 용액)
활성 에스테르계 수지(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액)
페놀노볼락 수지(DIC사 제조 「TD-2090-60M」, 수산기 당량 약 105g/eq., 고형분 60%의 MEK 용액)
(E) 성분:
이미다졸계 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조 「1B2PZ」, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액)
<제조예 1. 엘라스토머 1의 제조>
반응 용기에서, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔(수 평균 분자량: 5047(GPC법), 하이드록실기 당량=1800g/eq., 고형분 100질량%: 니혼 소다사 제조 「G-3000」) 50g과, 방향족 탄화수소계 혼합 용제(이데미츠 세키유 카가쿠사 제조 「입졸 150」) 23.5g과, 디부틸주석라우레이트 0.005g을 혼합하고, 균일하게 용해시켰다. 균일하게 되었을 때 50℃로 승온하고, 추가로 교반하면서, 톨루엔-2,4-디이소시아네이트(이소시아네이트기 당량: 87.08g/eq.) 4.8g을 첨가하고, 약 3시간 반응을 행하였다. 이어서, 이 반응물을 실온까지 냉각하고 나서, 여기에 벤조페논테트라카복실산 2무수물(산 무수물 당량: 161.1g/eq.) 8.96g과, 트리에틸렌디아민 0.07g과, 에틸디글리콜아세테이트(다이셀사 제조) 40.4g을 첨가하고, 교반하면서 130℃까지 승온하고, 약 4시간 반응을 행하였다. FT-IR로부터 2250cm-1의 NCO 피크의 소실의 확인을 행하였다. NCO 피크 소실의 확인으로써 반응의 종점으로 간주하고, 반응물을 실온까지 강온하고 나서 100메쉬의 여과포로 여과하여, 이미드 구조, 우레탄 구조, 및 폴리부타디엔 구조를 갖는 엘라스토머 1(불휘발분 50질량%)을 얻었다. 얻어진 엘라스토머 1의 수 평균 분자량은 13700이었다.
[제1 특정 파라미터에 대응한 실시예 1-1 내지 1-11 및 비교예 1-1 내지 1-6의 설명]
<실시예 1-1>
지방족 트리글리시딜에테르(나가세 켐텍스사 제조 「EX-321L」, 에폭시 당량 130g/eq.) 4부, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지(니혼 카야쿠사 제조 「WHR991S」, 에폭시 당량 265g/eq.) 2부를, MEK 8부에 교반하면서 가열 용해시켜, 수지 용액을 얻었다. 이 수지 용액을 실온까지 냉각하였다. 그 후, 상기의 수지 용액에, 엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%)을 20부, 활성 에스테르계 수지(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 2부, 페놀노볼락 수지(DIC사 제조 「TD-2090-60M」, 수산기 당량 약 105g/eq., 고형분 60%의 MEK 용액) 1.5부, 비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드(다이와 카세이 코교사 제조 「BMI-4000」, 말레이미드 기 당량 285g/eq., 고형분 50질량%의 톨루엔 용액) 8부, 카보디이미드계 수지(닛신보 케미컬사 제조 「V-03」, 활성기 당량 약 216g/eq., 고형분 50질량%의 톨루엔 용액) 2부, 이미다졸계 경화 촉진제(시코쿠 카세이 코교사 제조 「1B2PZ」, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 1부, 무기 충전제 1을 85부, 및 MEK 10부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 혼합물을 얻었다. 그 후, 상기 혼합물을 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP020」)로 여과하여, 수지 바니시를 제조하였다.
제1 필름층으로서, 알키드 수지계 이형제(린텍사 제조 「AL-5」)로 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레사 제조 「루미라 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃)을 준비하였다. 이 제1 필름층 위에, 수지 바니시를, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 70㎛가 되도록 다이 코터로 도포하고, 85℃ 내지 100℃에서 건조하여, 제1 필름층 및 수지 조성물층을 포함하는 수지 시트를 얻었다. 건조 시간은, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 설정하였다.
<실시예 1-2>
무기 충전제 1의 양을 93부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 1-3>
무기 충전제 1의 양을 110부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 1-4>
무기 충전제 1의 양을 75부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 1-5>
지방족 트리글리시딜에테르 「EXL-321L」의 양을 2부로 변경하였다. 또한, 엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%)의 양을 26부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 1-6>
페놀프탈이미딘형 에폭시 수지 「WHR991S」의 양을 3부로 변경하였다. 또한, 엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%)의 양을 14부로 변경하였다. 또한, 페놀노볼락 수지 「TD-2090-60M」(고형분 60%)의 양을 2부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 1-7>
엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%) 20부를 수산기 함유 아크릴 폴리머(토아 고세이사 제조 「ARUFON UH-2000」, 중량 평균 분자량 11,000, 유리 전이 온도 -55℃) 8부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 1-8>
활성 에스테르계 수지 「HPC-8000-65T」(고형분 65질량%)의 양을 1.2부로 변경하였다. 또한, 카보디이미드계 수지 「V-03」(고형분 50질량%)의 양을 3부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 1-9>
페놀노볼락 수지 「TD-2090-60M」을 사용하지 않고, 카보디이미드계 수지 「V-03」(고형분 50질량%)의 양을 8부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 1-10>
활성 에스테르계 수지 「HPC-8000-65T」(고형분 65질량%)의 양을 3부로 변경하고, 카보디이미드계 수지 「V-03」을 사용하지 않았다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 1-11>
비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드 「BMI-4000」을 사용하지 않고, 마지막에 혼합하는 MEK의 양을 14부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 1의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 1-1>
엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%)의 양을 36부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 2의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 1-2>
엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%)의 양을 4부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 2의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 1-3>
무기 충전제 1의 양을 120부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 2의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 1-4>
무기 충전제 1의 양을 63부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 2의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 1-5>
수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 2의 값이 되도록 변경한 것 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 1-6>
수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, 후술하는 <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 2의 값이 되도록 변경한 것 이외에는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>
수지 시트를 가로 10cm×세로 10cm로 커트하고, 충분히 건조한 실리카겔과 함께 데시케이터에 넣고, 30분 방치한 후, 질량 M0을 측정하였다. 이 질량 M0으로부터, 당해 수지 시트에 포함되는 제1 필름층의 질량을 빼서, 가열 전의 수지 조성물층의 질량 m0(= M0 - 제1 필름층의 질량)을 구하였다. 수지 시트를 190℃ 및 30분으로 가열하고, 방금 전과 동일하게 실리카겔과 함께 데시케이터 중에서 30분 방냉 후에 다시 질량 M1을 측정하였다. 질량 M0으로부터 질량 M1을 빼서, 가열에 의한 질량 감소량 ΔM을 구하였다. 상술한 실시예 및 비교예에서 사용한 제1 필름층은, 190℃ 및 30분의 가열에 의해 휘발하는 용제 등의 성분을 포함하지 않기 때문에, 질량 감소량 ΔM은, 수지 시트의 질량 감소량뿐 아니라, 수지 조성물층의 질량 감소량도 나타낸다. 이 질량 감소량 ΔM을, 가열 전의 수지 조성물층의 질량 m0으로 나누어, 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)[%]를 계산하였다.
<130℃ 가열 후의 신장률 및 탄성률의 측정>
수지 시트를 130℃ 및 30분으로 가열하고, 제1 필름층을 박리하여, 평가용 경화물을 얻었다. 이 평가용 경화물을 덤벨상 1호형으로 잘라 내어, 시험편을 얻었다. 당해 시험편에 대해, 오리엔텍사 제조 인장 시험기 「RTC-1250A」를 사용하여 인장 강도 측정을 행하고, 25℃에서의 신장률[%] 및 인장 탄성률[GPa]을 구하였다. 측정은, JIS K7127에 준거하여 실시하였다. 이 조작을 3회 행하여, 이의 평균값을 산출하였다. 신장률[%]의 평균값을 파라미터 P(b), 인장 탄성률의 평균값을 파라미터 P(c)로 하여 채용하였다.
<커트성 평가 시험>
제2 필름층으로서 OPP 필름(2축 연신 폴리프로필렌 필름, 오지 에프텍스사 제조 「MA-411」, 두께 15㎛)을 준비하였다. 수지 시트와 제2 필름층을, 수지 조성물층과 제2 필름층이 접합하도록, 롤 라미네이터를 사용하여 40℃에서 첩합하여, 제1 필름층/수지 조성물층/제2 필름층의 층 구성을 갖는 복층 시료 시트를 얻었다. 이 복층 시료 시트를, 덤벨사 제조의 가로 10cm×세로 10cm 커터를 사용하여 펀칭하였다. 펀칭으로 얻은 정사각형의 복층 시료 시트를 관찰하여, 상기 수지 조성물층의 결손의 용이함(커트성)의 평가를 행하였다. 펀칭에 의한 수지 조성물층의 결손은, 커터의 날이 접촉한 모퉁이 부분에서 발생하기 쉽기 때문에, 수지 조성물층의 모퉁이 부분에서의 결손이 적을수록, 커트성이 뛰어남을 나타낸다.
커트성의 평가 기준:
「○」: 복층 시료 시트의 4개 모퉁이 모두, 수지 조성물층의 결손 없음.
「△」: 복층 시료 시트의 1 내지 3개 모퉁이에서, 수지 조성물층의 결손 있음.
「×」: 복층 시료 시트의 4개 모퉁이 모두, 수지 조성물층의 결손 있음.
<박리성 평가 시험>
표면에 동박을 갖는 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판의 두께 0.8mm, 파나소닉사 제조 「R-1766」)을 준비하였다. 마이크로 에칭제(멕사 제조 「CZ8101」)를 사용하여, 구리 에칭량 2㎛가 되도록 에칭하여, 양면의 조화 처리를 행하였다. 이렇게 하여 얻어진 동장 적층판을 「조화 동장 적층판」으로 한다.
수지 시트를 배치식 진공 가압 라미네이터(닛코 머테리얼즈사 제조 2스테이지 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여 조화 동장 적층판에 적층하였다. 이 적층은, 수지 시트의 수지 조성물층과 조화 동장 적층판이 접합되도록 행하였다. 또한, 이 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa에서 압착함으로써 행하였다.
수지 시트의 제1 필름층에, 폭 10mm, 길이 100mm의 부분을 둘러싸는 절개를 넣었다. 이 부분의 일단을 벗겨 집기 도구(티 에스 이사 제조의 오토컴형 시험기 「AC-50C-SL」)로 집어, 실온 중에서, 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 20mm를 떼어냈을 때의 하중(kgf/cm)을 측정하고, 제1 필름층과 수지 조성물층의 밀착 강도로서의 필 강도를 구하였다.
상기의 필 강도는, 수지 조성물층과 제1 필름층을 떼어내기 위해 요하는 힘의 크기를 나타낸다. 따라서, 필 강도가 작을수록, 수지 조성물층과 필름층의 밀착 강도가 작고, 따라서 필름층의 박리를 원활하게 행할 수 있음을 나타낸다. 따라서, 필 강도가 작을수록, 필름층의 박리에 의한 수지 조성물층의 불량을 효과적으로 억제할 수 있기 때문에, 박리성이 뛰어난 것을 나타낸다.
박리성의 평가 기준:
「○」: 필 강도가 0.06kgf/cm 이하.
「△」: 필 강도가 0.07kgf/cm 내지 0.09kgf/cm.
「×」: 필 강도가 0.1kgf/cm 이상.
<휨 평가 시험>
수지 시트를, 배치식 진공 가압 라미네이터를 사용하여, 12인치 실리콘 웨이퍼(두께 775㎛)의 편면 전체에 적층하였다. 이 적층은, 수지 조성물층과 실리콘 웨이퍼가 접합하도록 행하였다. 수지 시트의 제1 필름층을 박리하여, 수지 조성물층을 노출시켰다. 이 노출된 수지 조성물층의 표면에, 추가로 수지 시트를 동일하게 적층하여, 제1 필름층을 박리하였다. 상기 적층에 의해, 12인치 실리콘 웨이퍼의 편면에, 2층의 수지 조성물층(합계 두께 140㎛)을 형성하였다. 또한, 적층은 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 압착함으로써 행하였다.
오븐에서 100℃에서 30분 가열하고, 계속해서 190℃에서 90분간 더 가열하여 수지 조성물층을 경화시켜, 「실리콘 웨이퍼/경화물층」의 층 구성을 갖는 시료 적층체를 얻었다. 수평인 대(臺)의 상면에, 얻어진 시료 적층체를 놓았다. 시료 적층체의 단부를, 대의 상면으로 단단히 눌렀다. 누른 단부와는 반대 측의 실리콘 웨이퍼의 단부와, 대의 상면의 거리를, 휨량으로서 측정하였다. 또한, 이하의 기준으로 휨량을 평가하였다. 휨량이 작을수록, 휨을 효과적으로 억제할 수 있음을 나타낸다.
휨의 평가 기준:
「○」: 휨량이 0mm 이상 0.6mm 이하.
「△」: 휨량이 0.6mm보다 크고, 1.0mm 이하.
「×」: 휨량이 1.0mm보다 크다.
<결과>
상기 실시예 및 비교예의 결과를 하기 표에 나타낸다. 하기 표에서, 각 성분의 양은 불휘발 성분의 질량부를 나타낸다.
Figure pat00001
Figure pat00002
[제2 특정 파라미터에 대응한 실시예 2-1 내지 2-11 및 비교예 2-1 내지 2-6의 설명]
<실시예 2-1>
수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 설정한 것 이외에는 실시예 1-1과 동일한 방법에 의해, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 2-2>
무기 충전제 1의 양을 93부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 2-3>
무기 충전제 1의 양을 110부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 2-4>
무기 충전제 1의 양을 75부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 2-5>
지방족 트리글리시딜에테르 「EXL-321L」의 양을 2부로 변경하였다. 또한, 엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%)의 양을 26부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 2-6>
페놀프탈이미딘형 에폭시 수지 「WHR991S」의 양을 3부로 변경하였다. 또한, 엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%)의 양을 14부로 변경하였다. 또한, 페놀노볼락 수지 「TD-2090-60M」(고형분 60%)의 양을 2부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 2-7>
엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%) 20부를 수산기 함유 아크릴 폴리머(토아 고세이사 제조 「ARUFON UH-2000」, 중량 평균 분자량 11,000, 유리 전이 온도 -55℃) 8부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 2-8>
활성 에스테르계 수지 「HPC-8000-65T」(고형분 65질량%)의 양을 1.2부로 변경하였다. 또한, 카보디이미드계 수지 「V-03」(고형분 50질량%)의 양을 3부로 변경하였다. 추가로, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 2-9>
페놀노볼락 수지 「TD-2090-60M」을 사용하지 않고, 카보디이미드계 수지 「V-03」(고형분 50질량%)의 양을 8부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 2-10>
활성 에스테르계 수지 「HPC-8000-65T」(고형분 65질량%)의 양을 3부로 변경하고, 카보디이미드계 수지 「V-03」을 사용하지 않았다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<실시예 2-11>
비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드 「BMI-4000」을 사용하지 않고, 마지막에 혼합하는 MEK의 양을 14부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 3의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 2-1>
엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%)의 양을 36부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 4의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 2-2>
엘라스토머 1(불휘발 성분 50질량%)의 양을 4부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 4의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 2-3>
무기 충전제 1의 양을 120부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 4의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 2-4>
무기 충전제 1의 양을 63부로 변경하였다. 또한, 수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 4의 값이 되도록 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 2-5>
수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율이 표 4의 값이 되도록 변경한 것 이외는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<비교예 2-6>
수지 바니시의 도포 후의 건조 시간을, <190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>에 나타내는 방법에 의해 측정되는 수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)가 표 4의 값이 되도록 변경한 것 이외에는 실시예 2-1과 동일하게 하여, 수지 바니시 및 수지 시트를 제조하였다.
<190℃ 가열에 의한 질량 감소율의 측정>
수지 조성물층의 질량 감소율 P(a)[%]는, 실시예 1-1 내지 1-11 및 비교예 1-1 내지 1-6에서의 측정 방법과 동일한 방법에 의해 측정하였다.
<130℃ 가열 후의 비커스 경도의 측정>
수지 시트를 130℃ 및 30분으로 가열하고 제1 필름층을 박리하여, 평가용 경화물을 얻었다. 이 평가용 경화물의 비커즈 경도 P(d)[HV]를, 비커스 경도계(미츠토요사 제조, 제품명 HM200)를 사용하여, 측정 하중 0.1kgf로 측정하였다.
<커트성 평가 시험>
실시예 1-1 내지 1-11 및 비교예 1-1 내지 1-6에서의 커트성 평가 시험과 동일한 방법에 의해, 커트성을 평가하였다.
<박리성 평가 시험>
실시예 1-1 내지 1-11 및 비교예 1-1 내지 1-6에서의 박리성 평가 시험과 동일한 방법에 의해, 박리성을 평가하였다.
<휨 평가 시험>
실시예 1-1 내지 1-11 및 비교예 1-1 내지 1-6에서의 휨 평가 시험과 동일한 방법에 의해, 휨을 평가하였다.
<결과>
상기 실시예 및 비교예의 결과를 하기 표에 나타낸다. 하기 표에서, 각 성분의 양은 불휘발 성분의 질량부를 나타낸다.
Figure pat00003
Figure pat00004
수지 조성물층의 두께를 1㎛ 내지 150㎛의 범위에서 변경하여 상술한 실시예 1-1 내지 1-11 및 실시예 2-1 내지 2-11과 동일한 실험을 행하여, 이러한 실험에서도, 정도에 차이는 있지만, 실시예 1-1 내지 1-11 및 실시예 2-1 내지 2-11과 동일한 결과에 귀착하는 것을 확인하고 있다.
또한, 실시예 1-1 내지 1-11 및 실시예 2-1 내지 2-11에서, (C) 성분 내지 (G) 성분을 함유하지 않는 경우라도, 정도에 차이는 있지만, 실시예 1-1 내지 1-11 및 실시예 2-1 내지 2-11과 동일한 결과에 귀착하는 것을 확인하고 있다.
100 수지 시트
110 수지 조성물층
111 유효 수지 조성물층
112 주변 수지 조성물층
120 제1 필름층
130 제2 필름층
131 제2 필름층의 주부분
132 제2 필름층의 주변 부분

Claims (18)

  1. 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트로서,
    수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
    수지 조성물층이 하기 식 (1)을 만족하는, 수지 시트.
    0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3 (1)
    (식 (1)에서,
    P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
    P(b)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 신장률(%)을 나타내고,
    P(c)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 인장 탄성률(GPa)을 나타낸다)
  2. 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트로서,
    수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
    수지 조성물층이 하기 식 (2)를 만족하는, 수지 시트.
    0.015≤P(a)/P(d)≤0.04 (2)
    (식 (2)에서,
    P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
    P(d)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 비커스 경도(HV)를 나타낸다)
  3. 제1항 또는 제2항에서, 수지 조성물층이 (C) 엘라스토머를 포함하는, 수지 시트.
  4. 제1항 또는 제2항에서, 수지 조성물층이 (D) 경화제를 포함하는, 수지 시트.
  5. 제4항에서, (D) 경화제가 말레이미드계 수지를 포함하는, 수지 시트.
  6. 제4항에서, (D) 경화제가 카보디이미드계 수지를 포함하는, 수지 시트.
  7. 제1항 또는 제2항에서, 수지 조성물층의 두께가 1㎛ 이상 150㎛ 이하인, 수지 시트.
  8. 제1항 또는 제2항에서, 수지 조성물층에 접하는 필름층을 구비하는, 수지 시트.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트의 수지 조성물층을 커트하는 공정 (I),
    커트된 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트와, 기재를 라미네이트하는 공정 (II), 및
    수지 조성물층을 경화하는 공정 (III)
    을 포함하는, 반도체 칩 패키지의 제조 방법.
  10. 제9항에서, 기재가 웨이퍼를 포함하는, 반도체 칩 패키지의 제조 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에서, 공정 (I)이, 수지 조성물층의 두께 방향으로 날을 닿게 하여 수지 조성물층을 커트하는 것을 포함하는, 반도체 칩 패키지의 제조 방법.
  12. 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하고,
    수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
    수지 조성물층이 하기 식 (1)을 만족하는, 반도체 칩 패키지.
    0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3 (1)
    (식 (1)에서,
    P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
    P(b)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 신장률(%)을 나타내고,
    P(c)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 인장 탄성률(GPa)을 나타낸다)
  13. 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하고,
    수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
    수지 조성물층이 하기 식 (2)를 만족하는, 반도체 칩 패키지.
    0.015≤P(a)/P(d)≤0.04 (2)
    (식 (2)에서,
    P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
    P(d)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 비커스 경도(HV)를 나타낸다)
  14. 제12항 또는 제13항에 기재된 반도체 칩 패키지를 구비하는, 반도체 장치.
  15. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트의 수지 조성물층을 커트하는 공정 (I),
    커트된 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트와, 기재를 라미네이트하는 공정 (II), 및,
    수지 조성물층을 경화하는 공정 (III)
    을 구비하는, 회로 기판의 제조 방법.
  16. 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하고,
    수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
    수지 조성물층이 하기 식 (1)을 만족하는, 회로 기판.
    0.09≤P(a)×P(b)/P(c)≤0.3 (1)
    (식 (1)에서,
    P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
    P(b)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 신장률(%)을 나타내고,
    P(c)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 인장 탄성률(GPa)을 나타낸다)
  17. 수지 조성물층을 경화시킨 경화물층을 구비하고,
    수지 조성물층이 (A) 에폭시 수지 및 (B) 무기 충전재를 포함하고,
    수지 조성물층이 하기 식 (2)를 만족하는, 회로 기판.
    0.015≤P(a)/P(d)≤0.04 (2)
    (식 (2)에서,
    P(a)는 수지 조성물층의 190℃ 및 30분의 가열에 의한 질량 감소율(%)을 나타내고,
    P(d)는 수지 조성물층을 130℃ 및 30분 가열한 후에 측정 온도 25℃에서 측정되는 비커스 경도(HV)를 나타낸다)
  18. 제16항 또는 제17항에 기재된 회로 기판을 구비하는, 반도체 장치.
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