TW202348760A - 熱固性接著劑組成物、積層膜、連接體及其製造方法 - Google Patents

熱固性接著劑組成物、積層膜、連接體及其製造方法 Download PDF

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Abstract

一種熱固性接著劑組成物，其包含：光裂解性化合物，藉由放射線的照射而裂解並產生胺化合物；及熱固性樹脂，在上述胺化合物的存在下藉由加熱而固化。一種積層膜，其具備：基材膜；及接著劑層，設置於基材膜的表面上，接著劑層由上述熱固性接著劑組成物構成。

Description

熱固性接著劑組成物、積層膜、連接體及其製造方法
本揭示有關一種熱固性接著劑組成物、積層膜、連接體及其製造方法。
以往，半導體裝置經由以下步驟來製造。首先，藉由在將半導體晶圓貼附於切割用黏著片之狀態下實施切割步驟而將半導體晶圓單片化為半導體晶片。其後，實施拾取步驟、晶粒接合步驟、引線接合步驟及成型步驟等。專利文獻1中揭示出兼具在切割步驟中固定半導體晶圓之功能和在晶粒接合步驟中使半導體晶片與基板接著之功能之黏著片（固晶切割片）。在專利文獻2中揭示出、在切割步驟中用作切割帶，在半導體元件與支撐構件的接合步驟中具有優異的連接可靠性，並且在引線接合的熱歷程後保持充分的流動性之黏著片。
[專利文獻1]日本特開2007-288170號公報 [專利文獻2]日本特開2009-209345號公報
然而，近年來，隨著以智慧型手機為代表之小型裝置用半導體模組的發展，半導體模組的製造製程亦與先前的製程相比發生了顯著的變化。例如，不實施切割步驟及晶粒接合步驟之製程正進入實際應用。相對於此，對半導體模組的製造製程中所使用之接著劑組成物亦要求具有與先前不同的性能。除了該種情況以外，本發明人等假設耐熱性較低的材料被使用於半導體模組，並且進行了固化反應在85℃以下的低溫條件下充分進行之接著劑組成物的開發。在先前的熱固性接著劑組成物且低溫固化性優異的組成物的基礎上進行改進，結果，雖然能夠實現關於低溫固化性的開發目標，但剪切黏度容易經時地上升，在製備後能夠使用的期間為3週左右，出現能夠使用的期間的長期化的問題。
本揭示的一方面提供一種熱固性樹脂組成物，該組成物充分抑制剪切黏度的經時上升，藉此在製備後可在相對較長期間內使用，並且對實現85℃以下的低溫條件下的熱固化處理有用。本揭示的一方面提供一種具備由該熱固性接著劑組成物構成之接著劑層之接著膜、連接體及其製造方法。
本揭示的一方面有關一種熱固性接著劑組成物。該組成物包含：光裂解性化合物，藉由放射線的照射而裂解，並產生胺化合物；及熱固性樹脂，在上述胺化合物的存在下藉由加熱而固化。另外，作為放射線，例如，可以舉出紫外線、電子束、紅外線等。
上述組成物藉由放射線的照射而顯現熱固性。因此，即使在製備後不立即使用並保管一段期間亦充分抑制在其期間內進行固化反應。因此，充分抑制剪切黏度的經時上升，並且能夠維持在製備後，在較長的期間（例如，四週以上）能夠使用之狀態。亦即，能夠實現充分長的工作壽命。除此之外，上述組成物在85℃以下的低溫條件下實現熱固化處理時亦有用。亦即，當低溫固化性優異的熱固性樹脂在與固化促進劑混合之狀態下保管時，具有容易進行固化反應之傾向。但是，由於上述光裂解性化合物為藉由使用時被照射放射線而顯現功能，因此在保管時上述熱固性樹脂的固化反應得到抑制。依據上述組成物，能夠充分高地兼顧長的工作壽命和低溫固化性這兩者。
本揭示的一方面有關一種積層膜。該積層膜具備：基材膜；及接著劑層，設置於基材膜的表面上，接著劑層由上述熱固性接著劑組成物構成。
本揭示的一方面有關一種連接體之製造方法。該製造方法依序包括：（A）準備具備第1電路構件、第2電路構件及配置在第1及第2電路構件之間之接著劑層之積層體之步驟；（B）在65～85℃下經30～240分鐘加熱上述積層體之步驟；及（C）將第1電路構件和第2電路構件進行引線接合之步驟，接著劑層由上述熱固性接著劑組成物構成，在上述（B）步驟之前，包括對接著劑層照射放射線之步驟。
藉由對熱固性樹脂組成物照射放射線而顯現熱固性之後，可以將其使用於連接體的製造。放射線照射後的該組成物包含：胺化合物，藉由光裂解性化合物的裂解而產生；及熱固性樹脂，在胺化合物的存在下藉由加熱而固化。使用該組成物來製造連接體之情況下，只要依序實施（A）步驟、（B）步驟及（C）步驟即可。
本揭示的一方面有關一種連接體。該連接體具備：第1電路構件；第2電路構件；及配置在第1及第2電路構件之間之接著劑層，接著劑層由上述熱固性接著劑組成物的固化物構成。在本揭示中，例如，第1電路構件為選自由印刷電路基板及半導體晶片組成的組中的一種，第2電路構件為撓性印刷電路基板。 [發明效果]
依據本揭示的一方面，提供一種熱固性樹脂組成物，剪切黏度的經時上升得到充分抑制，藉此在製備後能夠較長期間使用，並且對實現85℃以下的低溫條件下的熱固化處理有用。依據本揭示的一方面，提供一種具備由該熱固性接著劑組成物構成之接著劑層之接著膜、連接體及其製造方法。
以下，參閱圖式並對本揭示的實施方式進行詳細說明。其中，本發明並不限定於以下實施形態。在以下實施形態中，關於其構成要件（還包含步驟等），除了特別明確地指出之情況以外，並不是必須的。在以下說明中，對相同或相當的部分標註相同符號，並省略重複說明。又，關於上下左右等位置關係，只要沒有特別說明，則設為基於圖式中示出之位置關係。各圖中的構成要件的大小係概念性地表示者，圖式的尺寸比率並不限於圖示的比率。
本說明書中的數值及其範圍並不限制於本揭示。在本說明書中，使用「～」表示之數值範圍表示將記載於「～」前後之數值分別作為最小值及最大值而包含之範圍。在本說明書中階段性地記載之數值範圍中，在一個數值範圍中所記載之上限值或下限值可以替換為其他階段性記載之數值範圍的上限值或下限值。本說明書中的「（甲基）丙烯酸」的記載表示「丙烯酸」及與此對應之「甲基丙烯酸」。
＜積層膜＞ 圖1係示意性地表示本實施形態之積層膜之剖面圖。該圖中示出之積層膜10依序具備基材膜1、接著劑層3及覆蓋膜5。積層膜10例如寬度為300mm～500mm，總長為10m～400m，例如，卷取成輥狀來製作。以下，對積層膜10的構成進行說明。
[基材膜] 基材膜1只要係能夠充分承受在接著劑層3的製造製程及半導體模組的製造製程中施加之張力者，則並無特別限制。關於基材膜1，從在其上配置之接著劑層3的視覺辨別性的觀點考慮，透明為較佳。作為基材膜1，能夠使用聚對酞酸乙二酯薄膜等聚酯系薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙酸乙烯酯薄膜、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯基共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等單獨共聚物或共聚物或者該等混合物等聚烯烴系薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚醯亞胺薄膜等塑膠薄膜等。基材膜1可以為單層結構，亦可以為多層結構。
基材膜1的厚度只要在不損害工作性之範圍內適當選擇即可，例如為10～200μm，可以為20～100μm或25～80μm。該等厚度的範圍在實際應用上沒有問題，並且在經濟上亦為有效的範圍。
為了提高接著劑層3對基材膜1的密接力，可以在基材膜1的表面實施電暈處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓衝擊暴露、離子化放射線處理等化學或物理表面處理。作為基材膜1，還能夠使用由氟樹脂組成之表面能低的薄膜。作為這種薄膜，例如，TOYOBO CO., LTD.製造之A-63（脫模處理劑：改質矽酮系）及TOYOBO CO., LTD.製造之A-31（脫模處理劑：Pt系矽酮系）等。
為了防止接著劑層3對基材膜1的密接力變得過高，可以在基材膜1的表面形成由矽酮系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等脫模劑構成之脫模層。
基材膜1與接著劑層3之間的密接力例如為0.5N/m以上。藉由該密接力為0.5N/m以上，容易防止在製造積層膜10之過程中，接著劑層3從基材膜1意外地剝離。另外，接著劑層3對基材膜1的密接力表示90°剝離強度，具體而言，表示準備在基材膜1上形成接著劑層3之寬度20mm的試樣，以90°的角度且以50mm/分鐘的剝離速度從基材膜剝離該接著劑層時所測定之剝離強度。
[接著劑層] 接著劑層3為用於電路構件彼此的接著者，例如，較佳地用於印刷電路基板與撓性印刷電路基板（以下，稱為「FPC基板」。）的前端部的接著，或者半導體晶片與FPC基板的前端部的接著者。圖2中示出之模組50A（連接體）包含半導體晶片C、印刷電路基板12（第1電路構件）、接著劑片3c及FPC基板15（第2電路構件）。接著劑片3c接著印刷電路基板12與FPC基板15的前端部15a。接著劑片3c由接著劑片3p（參閱圖4）的固化物構成。接著劑片3p係將圖1中示出之接著劑層3藉由拔模而加工成規定的形狀者。再者，接著劑層16接著印刷電路基板12與半導體晶片C。接著劑層16可以為與接著劑片3c相同的組成，亦可以為不同的組成。
圖3中示出之模組50B係對圖2中示出之模組50A實施引線接合而獲得者。導線W1將半導體晶片C與印刷電路基板12進行電連接，導線W2將印刷電路基板12與FPC基板15進行電連接。半導體晶片C例如為感測器晶片。印刷電路基板12用於處理源自半導體晶片C的訊號。源自印刷電路基板12的訊號被傳遞至FPC基板15的前端部15a。
接著劑片3p（接著劑層）由藉由放射線的照射而顯現熱固性之熱固性接著劑組成物構成。亦即，該組成物包含：光裂解性化合物，藉由放射線的照射而裂解，並產生胺化合物；及熱固性樹脂，在上述胺化合物的存在下藉由加熱而固化。
作為光裂解性化合物的一例，可以舉出具有α-胺基苯乙酮骨架之化合物。例如，以下化合物具有α-胺基苯乙酮骨架，當照射紫外線時，解封並產生具有自由基之胺化合物。從這種觀點考慮，光裂解性化合物可以為藉由紫外線的照射而產生自由基者。 [化1] [化2]
熱固性接著劑組成物例如滿足以下條件1。 ·條件1 在照度80mW/cm 2且累計光量600mJ/cm 2的條件下照射紫外線之後，在75℃下經3小時進行加熱之後，在75℃下的儲存彈性模數為3MPa以上。
滿足條件1之熱固性接著劑組成物能夠使低溫固化性優異。藉此，作為構成模組50B之構件，具有能夠採用耐熱性較低者之優點。為了獲得滿足條件1之熱固性接著劑組成物，例如，考慮到作為熱固性樹脂而使用環氧樹脂並使用酚樹脂。酚樹脂有助於提高低溫固化性之原因在於，與環氧樹脂彼此的反應性相比，酚樹脂與環氧樹脂的反應性更高，藉由使用酚樹脂而變得容易進行反應。
藉由使用滿足條件1之熱固性接著劑組成物，能夠降低引線接合步驟中的接著劑片3c的搖動，並且引線接合的實施變得容易。如上所述，條件1之儲存彈性模數為3MPa以上，可以為10MPa以上、15MPa以上或30MPa以上。條件1之儲存彈性模數的上限值例如為200MPa。條件1之儲存彈性模數越高，則越具有容易進行引線接合的實施之傾向。
熱固性接著劑組成物可以進一步滿足以下條件2。 ·條件2 在照度80mW/cm 2且累計光量600mJ/cm 2的條件下照射紫外線之後，在75℃下經3小時進行加熱之後，在35℃下的儲存彈性模數為700MPa以下。
藉由使用滿足條件2之熱固性接著劑組成物，容易緩和接著劑片3c的內部應力，並且能夠抑制模組50B的翹曲。如上所述，條件2之儲存彈性模數為700MPa以下，可以為50～700MPa，亦可以為100～500MPa或150～300MPa。
為了獲得滿足條件2之熱固性接著劑組成物，例如，考慮到以下方法。 ·方法1：將熱固性接著劑組成物中所包含之熱塑性樹脂（例如，丙烯酸橡膠）的量設得較多。 ·方法2：使用玻璃轉移溫度（Tg）較低的熱塑性樹脂。 ·方法3：使用具有柔軟骨架之熱固性樹脂。 依據本發明人等的研究，方法1、2比方法3有效。關於方法1，熱固性接著劑組成物進一步包含熱塑性樹脂之情況下，將該熱固性接著劑組成物的總質量設為100質量份時，熱塑性樹脂的含量例如為15～35質量份，可以為15～30質量份。關於方法2，熱塑性樹脂的Tg例如為-50℃～20℃。
熱固性接著劑組成物藉由在75℃下加熱處理3小時而進行一定程度的固化反應為較佳。反應進行的程度能夠藉由示差掃描熱量測定來量化。亦即，能夠藉由用下述式算出之反應率來量化，並且發熱量C1及發熱量C2由藉由升溫速度為10℃/分鐘的示差掃描熱量測定獲得之DSC曲線分別求出。該反應率的值例如為50%以上，可以為60%以上或70%以上。 反應率（%）=（C1-C2）/C1×100 發熱量C1為在照度為80mW/cm 2且累計光量為600mJ/cm 2的條件下對該熱固性接著劑組成物照射紫外線之後的樹脂組成物的發熱量。發熱量C2為在照度為80mW/cm 2且累計光量為600mJ/cm 2的條件下對該熱固性接著劑組成物照射紫外線之後在75℃下經3小時加熱之後的樹脂組成物的發熱量。另外，示差掃描熱量測定時的溫度範圍例如為30℃～300℃。從藉由測定而獲得之DSC曲線求出發熱量C1、C2之溫度範圍為50℃～200℃。藉由反應率為50%以上，能夠抑制製造步驟後的經時劣化，可靠性優異。
熱固性接著劑組成物在75℃下的熔融黏度例如為3000～12000Pa·s，可以為3500～10000Pa·s或4000～8000Pa·s。藉由在75℃下的熔融黏度在上述範圍內，即使FPC基板15的前端部15a具有凹凸，亦能夠在前端部15a與接著對象的構件（印刷電路基板12）之間無間隙地配置熱固性接著劑組成物。即使在對熱固性接著劑組成物照射放射線且顯現該組成物的熱固性之後，熔融黏度在上述範圍內即可。藉此，能夠以高強度接著前端部15a與印刷電路基板12。在製備熱固性接著劑組成物之後，在溫度25℃及濕度55%的條件下保存4週之後，在75℃下的熔融黏度例如為20000Pa·s以下，可以為3000～16000Pa·s或4000～16000Pa·s。
積層膜10例如藉由以下方式製作。首先，準備將接著劑層3的原料樹脂組成物溶解於有機溶劑等溶劑並清漆化之塗敷液。藉由將該塗敷液塗敷於基材膜1上之後，去除溶劑除而形成接著劑層3。作為塗敷方法，可以舉出刮塗法、輥塗法、噴塗法、凹版印刷塗布法、棒塗法及簾塗法等。接著，以常溫～60℃的條件將覆蓋膜5貼合於接著劑層3的表面。藉此，能夠獲得積層膜10。另外，在寬度寬的基材膜上形成接著劑層3之後，可以以將其覆蓋之方式貼合覆蓋膜5來製作積層膜，並且將其切割（分切）成規定的寬度而獲得積層膜10。
＜衝孔加工品＞ 圖4係示意性地表示由積層膜10製造衝孔加工品之立體圖。圖5係沿圖4中示出之V-V線剖切的剖面圖。該等圖中示出之衝孔加工品20具備寬度100mm以下的帶狀的基材膜1、複數個接著劑片3p及複數個覆蓋膜5p。複數個接著劑片3p在基材膜1上配置成在其長度方向（圖4中示出之箭頭X的方向） 排列。覆蓋膜5p覆蓋接著劑片3p的上表面3f，並且與接著劑片3p的形狀相同。
接著劑片3p較佳地適用於電路構件（半導體晶片或印刷電路基板）與FPC基板的前端部的接著。在俯視接著劑片3p時的面積例如為1～100mm 2，可以為3～50mm 2或5～40mm 2。依據衝孔加工品20，依序拾取配置成沿基材膜1上排列之複數個接著劑片3p（參閱圖6），其後，能夠將各接著劑片3p配置在電路構件的規定的區域，能夠有效地實施電路構件與FPC構件的接著。
衝孔加工品20例如能夠藉由以下步驟來獲得。 （a）準備積層膜10之步驟。 （b）藉由將積層膜10中的接著劑層3及覆蓋膜5進行拔模而獲得在基材膜1上配置成沿基材膜1的長度方向排列之複數個接著劑片3p之步驟。
＜熱固性樹脂組成物＞ 對構成接著劑層3及接著劑片3p之熱固性接著劑組成物進行說明。如上所述，熱固性接著劑組成物包含：光裂解性化合物，藉由放射線的照射而裂解，並產生胺化合物；及熱固性樹脂，在上述胺化合物的存在下藉由加熱而固化。該組成物除了該等成分以外，例如可以包含熱塑性樹脂及填料。
（光裂解性化合物） 光裂解性化合物為藉由放射線的照射裂解而產生胺化合物者。如上所述，作為光裂解性化合物，例如，可以舉出具有α-胺基苯乙酮骨架之化合物。作為該種化合物，例如，可以舉出Omnirad907及Omnirad379EG（均為IGM Resins B.V.公司製造）。認為Omnirad379EG具有鹼性高的脂肪族胺，容易引起來自酚樹脂的質子脫離，並且容易進行固化反應。另外，Omnirad為註冊商標。作為光裂解性化合物，可以使用藉由放射線的照射而產生自由基之光自由基產生劑或者產生鹼之光鹼產生劑。作為光鹼產生劑，例如，可以舉出FUJIFILM Corporation製造之WPBG系列，更具體而言，可以舉出WPBG-027、WPBG-140、WPBG-165。
（熱固性樹脂） 作為熱固性樹脂，只要係藉由熱而固化之樹脂，則能夠並無特別限制地使用。作為熱固性樹脂，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚樹脂、熱固化型聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂等。該等能夠單獨使用一種或組合二種以上來使用。
環氧樹脂只要係藉由固化而具有耐熱效果者，則並無特別限定。環氧樹脂能夠使用雙酚A型環氧等的二官能環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂等。環氧樹脂又多官能環氧樹脂能夠使用環氧丙基胺型環氧樹脂、含有雜環之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等、先前公知者。
作為雙酚A型環氧樹脂，可以舉出Epikote807、Epikote815、Epikote825、Epikote827、Epikote828、Epikote834、Epikote1001、Epikote1004、Epikote1007、Epikote1009（均為Mitsubishi Chemical Corporation製造）、DER-330、DER-301、DER-361（均為Dow Chemical Company製造）、YD8125、YDF8170（均為Tohto Kasei Co., Ltd.製造）等。 作為苯酚酚醛清漆型環氧樹脂，可以舉出Epikote152、Epikote154（均為Mitsubishi Chemical Corporation製造）、EPPN-201（Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造）、DEN-438（Dow Chemical Company製造）等。 作為鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，YDCN-700-10（NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd.製造）、EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027（均為Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造）、YDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704（均為Tohto Kasei Co., Ltd.製造）、N-500P-10（DIC CORPORATION製造）等。 作為多官能環氧樹脂，可以舉出Epon 1031S、1032H60（均為Mitsubishi Chemical Corporation製造）、Araldite0163（BASF Japan Ltd.製造）、DENACOL EX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、EX-411、EX-321（均為Nagase Chemtex Corporation製造）等。 作為胺型環氧樹脂，可以舉出Epikote604（Mitsubishi Chemical Corporation製造）、YH-434（Tohto Kasei Co., Ltd.製造）、TETRAD-X、TETRAD-C（均為MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製造）、ELM-120（Sumitomo Chemical Co., Ltd.製造）等。 作為含有雜環之環氧樹脂，可以舉出AralditePT810（BASF Japan Ltd.製造）、ERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206（均為Union Carbide Corporation製造）等。該等環氧樹脂可以單獨使用一種或組合二種以上來使用。
作為環氧樹脂，適用官能基當量小且多官能的環氧樹脂為較佳。藉由適用環氧樹脂來提高接著膜在加熱處理之後的130℃下的儲存彈性模數，引線接合性優異。具體而言，可以舉出HP-4710（DIC CORPORATION製造）、Epon 1031S、1032H60（均為Mitsubishi Chemical Corporation製造）。
作為熱固化樹脂成分的一部分的環氧樹脂固化劑，能夠使用通常使用之公知的樹脂。具體而言，可以舉出胺類、聚醯胺、酸酐、聚硫化物、三氟化硼、在1個分子中具有2個以上的如雙酚A、雙酚F、雙酚S那樣的酚性羥基之雙酚類、苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂等酚樹脂等。作為環氧樹脂固化劑，尤其，從吸濕時的耐電解腐蝕性優異的觀點考慮，苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂等酚樹脂為較佳。 另外，環氧固化劑可以與環氧樹脂組合使用，亦可以單獨使用。
在上述酚樹脂固化劑中，使用Phenolite LF2882、Phenolite LF2822、Phenolite TD-2090、Phenolite TD-2149、Phenolite VH-4150、Phenolite VH4170（均為DIC CORPORATION製造、產品名稱）、H-1（Meiwa Plastic Industries, Ltd.製造、產品名稱）、Epicure MP402FPY、Epicure YL6065、Epicure YLH129B65、MillexXL、MillexXLC、MillexXLC-LL、MillexRN、MillexRS、MillexVR（均為Mitsubishi Chemical Corporation製造、產品名稱）為較佳。
熱固性接著劑組成物中的熱固性樹脂的含量相對於熱固性接著劑組成物100質量份，例如為20～60質量份，可以為20～50質量份。若熱固性樹脂的含量在上述範圍內，則能夠抑制伴隨接著劑層3的熱固化之收縮，並且容易實現熱固化後的優異的密合性。
（熱塑性樹脂） 作為熱塑性樹脂，能夠使用具有熱塑性之樹脂、或至少在未固化狀態下具有熱塑性、加熱後形成交聯結構之樹脂。作為熱塑性樹脂，從收縮性、耐熱性及剝離性優異之觀點考慮，具有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物（以下，有時稱為「含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物」）為較佳。
作為熱塑性樹脂，包含含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物之情況下，熱固性接著劑組成物可以為不包含熱固性樹脂之態樣。亦即，可以為包含含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物、固化促進劑及填料之態樣。熱塑性樹脂能夠單獨使用一種或組合二種以上來使用。
作為（甲基）丙烯酸共聚物，可以舉出丙烯酸玻璃、丙烯酸橡膠等（甲基）丙烯酸酯共聚物等，丙烯酸橡膠為較佳。丙烯酸橡膠係以丙烯酸酯作為主成分，並且藉由從（甲基）丙烯酸酯及丙烯腈中選擇之單體的共聚合而形成者為較佳。
作為（甲基）丙烯酸酯，可以舉出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸月桂酯等。作為（甲基）丙烯酸酯共聚物，作為共聚合成分而包含丙烯酸丁酯及丙烯腈之共聚物、作為共聚合成分而包含丙烯酸乙酯及丙烯腈之共聚物為較佳。
含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物為作為共聚合成分而包含具有反應性基之（甲基）丙烯酸單體之含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物為較佳。這種含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物能夠藉由將具有反應性基之（甲基）丙烯酸單體與包含有上述單體之單體組成物進行共聚合而獲得。
作為反應性基，從提高耐熱性之觀點考慮，環氧基、羧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基、環硫醚基為較佳，其中，從交聯性之觀點考慮，環氧基及羧基為更佳。
在本實施形態中，含有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物為作為共聚合成分而包含具有環氧基之（甲基）丙烯酸單體之含有環氧基之（甲基）丙烯酸共聚物為較佳。在該情況下，作為具有環氧基之（甲基）丙烯酸單體，可以為環氧丙基丙烯酸酯、4-羥丁基丙烯酸環氧丙醚、3,4-環氧環己基丙烯酸甲酯、環氧丙基甲基丙烯酸酯、4-羥丁基甲基丙烯酸環氧丙醚、3,4-環氧環己基甲基丙烯酸甲酯等。從耐熱性的觀點考慮，具有反應性基之（甲基）丙烯酸單體為環氧丙基丙烯酸酯、環氧丙基甲基丙烯酸酯為較佳。
熱塑性樹脂的Tg例如為-50℃～20℃，可以為-40℃～10℃或-40℃～0℃。若熱塑性樹脂的Tg為-50℃以上，則容易抑制接著劑層3變得過軟，能夠實現優異的操作性及接著性。另一方面，若熱塑性樹脂的Tg為0℃以下，則容易確保接著劑層3的撓性，能夠實現優異的接著強度。此外，即使在接著體面存在凹凸，接著劑層3亦容易追隨凹凸，能夠顯現優異的接著性。
熱塑性樹脂的Tg係藉由示差掃描熱量測定（DSC）而獲得之中間的玻璃轉移溫度值。具體而言，熱塑性樹脂的Tg係在升溫速度10℃/分鐘、測定溫度：-80～80℃的條件下測定熱量變化，並且藉由依據JIS K7121：1987之方法算出之中間點玻璃轉移溫度。另外，熱塑性樹脂為市售品之情況下，可以採用產品目錄等中記載之值。
熱塑性樹脂的重平均分子量為10萬以上且200萬以下為較佳。若重平均分子量為10萬以上，則容易確保耐熱性。另一方面，若重平均分子量為200萬以下，則容易抑制流量的降低及貼附性的降低。熱塑性樹脂的重平均分子量可以為40萬以上且200萬以下或50萬以上且200萬以下。另外，重平均分子量係藉由凝膠滲透層析法（GPC）並使用基於標準聚苯乙烯之校準曲線之聚苯乙烯換算值。
具有反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物作為共聚合成分而包含環氧丙基丙烯酸酯或環氧丙基甲基丙烯酸酯之情況下，將接著膜整體的質量設為100質量份時，熱塑性樹脂的含量為20～40質量份為較佳。若含量在上述範圍內，則容易以更高水平實現接著劑層3的撓性、接著性。作為具有如上所述之反應性基之（甲基）丙烯酸共聚物，可以使用藉由珠狀聚合、溶液聚合等聚合方法而獲得者。或者，可以使用SG-P3（產品名稱、Nagase Chemtex Corporation製造）等市售品。
（無機填料） 熱固性接著劑組成物可以含有無機填料。作為無機填料，可以舉出銀粉、金粉、銅粉等金屬填料、二氧化矽、氧化鋁、氮化硼、二氧化鈦、玻璃、氧化鐵、陶瓷等非金屬無機填料等。無機填料能夠依據所希望之功能來選擇。
上述無機填料可以在表面具有有機基團。藉由無機填料的表面被有機基團修飾，能夠提高在製備用於形成接著劑層3之清漆時在有機溶劑中的分散性。此外，能夠抑制伴隨接著劑層3的熱固化之收縮，並且容易兼顧接著劑層3的高彈性模數和優異的剝離性。在表面具有有機基團之無機填料例如能夠藉由混合下述式（B-1）所表示之矽烷偶合劑和無機填料，並且在30℃以上的溫度下進行攪拌類而獲得。能夠藉由UV測定、IR測定、XPS測定等來確認無機填料的表面被有機基團修飾。
[化3] 式（B-1）中，X表示選自由苯基、環氧丙氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基、乙烯基、異氰酸酯基及甲基丙烯醯氧基組成的組中的有機基團，s表示0或1～10的整數，R 11、R 12及R 13各自獨立地表示碳數1～10的烷基。 作為碳數1～10的烷基，可以舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、異丙基、異丁基等。從容易獲得之觀點考慮，碳數1～10的烷基為甲基、乙基及戊基為較佳。 從耐熱性的觀點考慮，X為胺基、環氧丙氧基、巰基及異氰酸酯基為較佳，環氧丙氧基及巰基為更佳。從抑制高溫下的薄膜流動性、提高耐熱性之觀點考慮，式（B-1）中的s為0～5為較佳，0～4為更佳。
作為矽烷偶合劑，可以舉出三甲氧基苯基矽烷、二甲基二甲氧基苯基矽烷、三乙氧基苯基矽烷、二甲氧基甲基苯基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三（2-甲氧基乙氧基）矽烷、N-（2-胺基乙基）-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-（2-胺基乙基）-3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙醚丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙醚丙基甲基二甲氧基矽烷、2-（3,4-環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷、3-脲丙基三乙氧基矽烷、N-（1,3-二甲基伸丁基）-3-（三乙氧基甲矽烷基）-1-丙胺、N,N’-雙（3-（三甲氧基甲矽烷基）丙基）乙二胺、聚氧乙烯丙基三烷氧基矽烷、聚乙氧基二甲基矽氧烷等。 在該等中，3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙醚丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸基丙基三乙氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷為較佳，三甲氧基苯基矽烷、3-環氧丙醚丙基三甲氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷為更佳。矽烷偶合劑能夠單獨使用一種或組合二種以上來使用。
從實現耐熱性與保存穩定性的平衡之觀點考慮，上述偶合劑的含量相對於熱固性接著劑組成物100質量份，例如為0～10質量份，可以為0.1～5質量份，從保存穩定性的觀點考慮，上限值可以為3質量份。
無機填料的含量相對於熱固性接著劑組成物100質量份，例如為20～35質量份，可以為25～35質量份。熱固性接著劑組成物中的無機填料的含量相對於熱塑性樹脂100質量份，例如為300質量份以下，可以為200質量份以下或150質量份以下。無機填料的含量的下限並無特別限制，相對於熱塑性樹脂100質量份，例如為10質量份以上，可以為50質量份以上。藉由將無機填料的含量設為上述範圍內，能夠抑制伴隨熱固化之收縮，並且容易兼顧接著劑層3的高熔融黏度和優異的剝離性。
（有機填料） 熱固性接著劑組成物可以含有有機填料。作為有機填料，可以舉出碳、橡膠系填料、矽酮系微粒、聚醯胺微粒、聚醯亞胺微粒等。有機填料的含量相對於熱塑性樹脂100質量份，例如為450質量份以下，可以為400質量份以下或350質量份以下。有機填料的含量的下限並無特別限制，相對於熱塑性樹脂100質量份，例如為10質量份以上。
（有機溶劑） 熱固性接著劑組成物可以依據需要使用有機溶劑來稀釋。有機溶劑並無特別限定，能夠從沸點考慮來決定製膜時的揮發性等。具體而言，從製膜時不易進行薄膜的固化之觀點考慮，甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲乙酮、丙酮、甲基異丁基酮、甲苯、二甲苯等沸點較低的溶劑為較佳。又，以提高製膜性等為目的，使用二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、環己酮等比較高沸點的溶劑為較佳。該等溶劑能夠單獨使用一種或組合二種以上來使用。
接著劑層3的厚度只要在不損害工作性的範圍內適當選擇即可，例如為1～200μm，可以為5～150μm或10～150μm。藉由接著劑層3的厚度為1μm以上而容易確保充分的接著性，另一方面，藉由厚度為200μm以下而容易抑制構成接著劑層3之熱固性接著劑組成物從基材膜1或覆蓋膜5溢出。
[覆蓋膜] 覆蓋膜5只要為能夠容易從接著劑層3剝離則即可。作為覆蓋膜5，能夠使用聚對酞酸乙二酯薄膜等聚酯系薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙酸乙烯酯薄膜、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等單獨共聚物或共聚物或者該等混合物等聚烯烴系薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚醯亞胺薄膜等塑膠薄膜等。覆蓋膜5可以為單層結構，亦可以為多層結構。多層結構之情況下，可以為黏著膜，具體而言，切割用黏著膜（Maxell, Ltd.,製造）為較佳。黏著膜可以具有黏著層及基材層。在該情況下，黏著層可以構成為與接著劑層3接觸。作為黏著層，能夠使用光固化型黏著層或壓敏接著層，作為基材層能夠使用前述塑膠薄膜等。
接著劑層3與覆蓋膜5之間的密接力例如為70N/m以下，可以為50N/m以下，亦可以為20N/m以下。尤其，接著劑層3由具有熱固性之樹脂組成物組成之情況下，在75℃下進行1秒鐘的熱處理之後，覆蓋膜5對接著劑層3的密接力在上述範圍內為較佳。藉由該密接力為70N/m以下，從而在75℃且0.5秒鐘的條件下，使被覆蓋膜5覆蓋之狀態的接著劑層3臨時壓接於接著體（例如，基板）之後，能夠用膠帶等從半固化之接著劑層3容易地剝離覆蓋膜5。另外，覆蓋膜5對接著劑層3的密接力表示90°剝離強度，具體而言，表示準備在由與接著劑層3相同的組成構成之寬度20mm的接著劑層上配置相同寬度的覆蓋膜之試樣，以90°的角度且50mm/分鐘的剝離速度從接著劑層剝離該覆蓋膜時測定之剝離強度。覆蓋膜5為具有光固化型黏著層之黏著膜之情況下，密接力可以係光照射後的值。
覆蓋膜5的厚度只要在不損害工作性之範圍內適當選擇即可，例如為10～200μm，可以為10～180μm或15～140μm。該等厚度的範圍在實際應用上沒有問題，並且在經濟上亦為有效的範圍。
＜半導體模組之製造方法＞ 對使用衝孔加工品20來製作圖3中示出之模組50B（連接體）之方法進行說明。圖6係示意性地表示從基材膜1拾取接著劑片3p及覆蓋該接著劑片3p之覆蓋膜5p的狀態之剖面圖。在對衝孔加工品20賦予一定張力之狀態下，使衝孔加工品20的基材膜1側的面抵接於楔型構件60，並且使衝孔加工品20沿圖6中示之箭頭方向移動。藉此，如同圖所示，接著劑片3p及覆蓋膜5p的前方成為從基材膜1浮起之狀態。在該狀態時，例如，在具有吸引力之拾取裝置65拾取接著劑片3p及覆蓋膜5p。
接著，將被覆蓋膜5p覆蓋之狀態的接著劑片3p配置於印刷電路基板12的表面（參閱圖7）。例如，在該狀態下，對接著劑片3p照射紫外線。紫外線的照度例如設為10～200mW/cm 2即可。紫外線的累計光量例如設為300～900mJ/cm 2即可。其後，進行接著劑片3p對印刷電路基板12的臨時壓接。關於臨時壓接，例如，只要在溫度60～85℃、按壓力0.1～2Mpa的條件下，經0.1～10秒鐘進行即可。藉由臨時壓接而接著劑片3p半固化，從而提高對印刷電路基板12的表面的接著力。其後，使用膠帶等而從接著劑片3p剝離覆蓋膜5p。藉此，成為接著劑片3p的表面露出之狀態。
將FPC基板15的前端部15a對印刷電路基板12進行接著時，包括將前端部15a壓接於接著劑片3p之步驟和在其後藉由加熱接著劑片3p而固化之步驟。亦即，首先，在接著劑片3p的上表面3f配置FPC基板15的前端部15a之後，將前端部15a壓接於接著劑片3p。藉此，獲得包含印刷電路基板12、FPC基板15及接著劑片3p之積層體（（A）步驟）。關於壓接，例如，只要在溫度60～85℃、按壓力0.1～3Mpa的條件下，經0.1～10秒鐘進行即可。
接著，實施接著劑片3p的固化處理。關於固化處理，例如，只要在溫度65～85℃下，經30～240分鐘進行即可。藉此，獲得圖2中示出之模組50A（（B）步驟）。另外，從構成模組50A之構件的耐熱性的觀點考慮，上述條件1，2中的加熱條件設定為75℃下3小時。藉由將加熱模組50A之溫度設得較低，具有擴大材料的選擇範圍的優點。
對模組50A實施引線接合（（C）步驟）。藉此，獲得圖3中示出之模組50B。其後，藉由用樹脂材料保護模組50B的導線W1、W2的加工、進行接著劑片3c的固化反應之加熱處理等而完成半導體模組。另外，可以將已經照射了放射線之接著劑片使用於連接體的製造。藉由使用該接著劑片來製造連接體之情況下，只要依序實施（A）步驟、（B）步驟及（C）步驟即可。
以上，對本揭示的實施形態進行了詳細說明，但本揭示並不限定於上述實施形態。例如，在上述實施形態中，雖然例示出藉由拔模而預先準備由接著劑組成物組成之接著劑片3p之情況，但可以藉由準備包含接著劑組成物之塗布液，將其塗敷於印刷電路基板12的表面上而形成接著劑層。 [實施例]
以下，基於實施例對本揭示進行說明。本揭示並不限定於以下實施例。
為了製備實施例及比較例的接著劑清漆，準備了以下材料。 ＜環氧樹脂（熱固性樹脂）＞ ·EXA-830CRP（產品名稱、DIC CORPORATION製造、雙酚F型環氧樹脂、環氧當量：160g/eq、液態） ＜酚樹脂（熱固性樹脂）＞ ·MEH-7800-4S（產品名稱、MEIWA KAGAKU KOUGYOU CO.,LTD製造、二甲苯型酚樹脂、羥基當量：170g/eq） ＜熱塑性樹脂＞ ·HTR-860P-3CSP（產品名稱、Nagase ChemteX Corporation製造、丙烯酸樹脂、重量平均分子量：80萬、Tg：12℃） ＜光裂解性化合物＞ ·Omnirad379EG（產品名稱、IGM Resins B.V.製造） ＜固化促進劑＞ ·Curesol2PZ-CN（產品名稱、SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製造、1-乙基-2-苯基咪唑，「Curesol」為註冊商標）） ＜填料＞ ·SC-2050-HLG（產品名稱、Admatechs Co., Ltd.製造、表面處理填料） ＜溶劑＞ ·環己酮
（實施例1） 藉由將表1的實施例1中示出之材料和溶劑進行混合並進行真空脫氣而獲得了接著劑清漆。將該接著劑清漆塗敷於厚度38μm的表面脫模處理PET薄膜（基材膜）上。經乾燥步驟在上述PET薄膜的一個表面形成了厚度25μm的膜狀接著劑（接著劑層）。藉由將切割用黏著膜（Maxell, Ltd.,製造）貼附於膜狀接著劑的表面而獲得了積層膜。
（實施例2～5及比較例1～4） 除了使用表1及表2的實施例2～5及比較例1～4中示出之組成的接著劑清漆以外，以與實施例1相同的方式，分別製作了積層膜。
對實施例及比較例之膜狀接著劑進行了以下項目的評價。
（剝離強度的測定） 藉由如下方法測定了膜狀接著劑的剝離強度。首先，將積層膜沖壓成3.2mm×3.2mm的尺寸。從積層膜剝離基材膜之後，將膜狀接著劑貼附於有機基團板，在75℃的工作台上以1.0N的壓力臨時壓接了0.5秒鐘。接著，從膜狀接著劑剝離覆蓋膜，將尺寸5mm×100mm的聚醯亞胺薄膜（Upilex 50S（產品名稱）、UBE Corporation製造）貼附於膜狀接著劑，在75℃的工作台上以15N的力正式壓接了1秒鐘。其後，藉由在75℃下加熱3小時而使膜狀接著劑固化，獲得了測定試樣。藉由90度剝離試驗機（TESTER SANGYO CO,. LTD.製造）以50mm/分鐘的試驗速度測定了剝離強度。將結果示於表1，2中。
（發熱量的測定） 藉由如下方法測定了膜狀接著劑的反應率。亦即，在照度為80mW/cm 2且累計光量為600mJ/cm 2的條件下，對膜狀接著劑照射了紫外線。在鋁盤（Epolead Service Co., Ltd.製造）上稱量10mg照射紫外線後的膜狀接著劑，蓋上鋁蓋，使用壓接器將評價樣品密封在樣品盤內。使用示差掃描熱量儀（Thermo plus DSC8235E、Rigaku Corporation製造），在氮氛圍氣下，以10℃/分鐘的升溫速度、30～300℃的測定溫度範圍測定了DSC。作為發熱量的分析機構，使用了局部面積的分析方法。藉由DSC曲線的50℃～200℃的溫度範圍內的分析指示，指定分析溫度範圍內的基線及進行峰表面積的積分，從而算出了總發熱量（單位：J/g）。將其設為初始發熱量C1。
將在實施例及比較例中獲得之膜狀接著劑（初始樣品）放入設定為75℃之烘箱中，加熱處理了3小時。使用加熱處理後的樣品，以與加熱處理前相同的步驟算出了50℃～200℃的發熱量（單位：J/g）。將其設為加熱處理後的發熱量C2。使用所獲得之2個發熱量C1、C2的值，藉由下述式算出了反應率。將結果示於表1，2中。 反應率（%）=（C1-C2）/C1×100
（熔融黏度的測定） 在照度為80mW/cm 2且累計光量為600mJ/cm 2的條件下，對膜狀接著劑照射了紫外線。藉由以下方法測量了紫外線照射後的膜狀接著劑（在75℃下加熱3小時前的B工作台狀態）在75℃下的熔融黏度。亦即，藉由積層複數個厚度25μm的膜狀接著劑而將厚度設為約300μm，將用φ9mm的沖頭沖壓該積層體而製作了試樣。在動態黏彈性裝置ARES（TA instruments公司製造）中設置直徑8mm的圓形鋁板夾具，進一步在其上安裝了上述試樣。其後，在35℃下施加5%的變形，並且以5℃/分鐘的升溫速度升溫至100℃進行了測定。頻率設為1Hz且恆定，初始負載保持在300g，軸力保持在100g。將75℃下的熔融黏度的值記載於表1，2中。
（儲存彈性模數的測定） 在照度為80mW/cm 2且累計光量為600mJ/cm 2的條件下，對膜狀接著劑照射了紫外線。在75℃下經3小時加熱紫外線照射後的膜狀接著劑之後，藉由如下方法測定了膜狀接著劑的儲存彈性模數。亦即，藉由積層複數個厚度25μm的膜狀接著劑而將厚度設為約300μm、將其設為寬度4mm×33mm的尺寸，並且藉由在75℃下進行3小時的固化處理而獲得了測定用試樣。將試樣以夾頭間的距離20mm安裝於動態黏彈性裝置（產品名稱：Rheogel E-4000、Universal Building Materials Co.,Ltd.製造），施加拉伸負載，以頻率10Hz、升溫速度3℃/分鐘進行測定，並且測定了35℃及75℃下的儲存彈性模數。將結果示於表1，2中。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5
樹脂成分 [質量份] 環氧樹脂 EXA-830CRP 110 110 90 100 90
酚樹脂 MEH-7800-4S 100 100 90 90 80
熱塑性樹脂 HTR-860P-3CSP 100 100 100 100 100
光裂解性化合物 [質量份] Omnirad 379EQ 1.5 0.7 0.7 0.7 0.8
填料[質量份] SC-2050-HLG 130 130 120 110 90
剝離強度[N/m] 120 60 350 330 370
反應率[%] 80 60 60 70 70
75℃下的熔融黏度[Pa·s] 4500 3900 6500 5800 6700
35℃下的固化後的彈性模數[MPa] 1100 900 500 400 300
75℃下的固化後的彈性模數[MPa] 160 20 40 30 20
[表2]
   比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
樹脂成分 [質量份] 環氧樹脂 EXA-830CRP 110 110 80 110
酚樹脂 MEH-7800-4S 100 100 70 100
熱塑性樹脂 HTR-860P-3CSP 100 100 100 100
固化促進劑[質量份] 2PZ-CN 0.3 0.2 0.2 0.1
填料[質量份] SC-2050-HLG 130 130 110 130
剝離強度[N/m] 250 150 440 170
反應率[%] 70 60 60 30
75℃下的熔融黏度[Pa·s] 4300 3800 6800 4900
35℃下的固化後的彈性模數[MPa] 1100 900 400 40
75℃下的固化後的彈性模數[MPa] 370 20 20 0.2
（剪切黏度的經時變化的評價） 對於實施例1，2，4及比較例1，2，4之膜狀接著劑，每經過一週測定一次75℃下的剪切黏度。亦即，準備了具有從薄膜接著劑切出的規定尺寸的8張試驗片。使用橡膠輥並在70℃的加熱板上積層它們，準備了厚度300μm的積層體。用φ9mm的沖頭沖壓該積層體，製作了試樣。將試樣安裝於旋轉式黏彈性測定裝置（TA Instruments.公司製造、產品名稱：ARES-RDA）的測定夾具。在該時刻調節了測定夾具的間隙以使施加於試樣的該種負載成為10～15g。接著，在以下條件下測定了試樣的黏彈性。 測定條件： 圓盤：鋁製、圓形（8mmφ） 測定頻率：1Hz 升溫速度：5℃/分鐘 應變：5% 測定溫度：35～100℃ 初始負載：300g 測定持續到經過6週，並且在剪切黏度達到20000Pa·s的時刻結束了測定。將結果示於圖8。另外，在未照射紫外線的狀態下保管實施例之膜狀接著劑直至實施測定為止，對剛要測定之前膜狀接著劑照射了紫外線。在照度為80mW/cm 2且累計光量為600mJ/cm 2的條件下照射了紫外線。
1:基材膜 3:接著劑層 3c,3p:接著劑片 5,5p:覆蓋膜 10:積層膜 12:印刷電路基板 15:撓性印刷電路基板 15a:前端部 20:衝孔加工品 50A,50B:模組（連接體） C:半導體晶片 W1,W2:導線
圖1係示意性地表示本揭示之積層膜的一實施形態之剖面圖。 圖2係示意性地表示半導體模組的製造過程的狀態之剖面圖。 圖3係示意性地表示半導體模組的製造過程的狀態之剖面圖。 圖4係示意性地表示本揭示之衝孔加工品的一例之立體圖。 圖5係沿圖4中示出之V-V線剖切的剖面圖。 圖6係示意性地表示從基材膜拾取接著劑片及覆蓋該接著劑片之覆蓋膜的狀態之剖面圖。 圖7係示意性地表示半導體模組的製造過程的狀態之剖面圖。 圖8係表示實施例及比較例的熱固性樹脂組成物的剪切黏度的經時變化之圖。
3c:接著劑片
12:印刷電路基板
15:撓性印刷電路基板
15a:前端部
16:接著劑層
50B:模組(連接體)
W1,W2:導線
C:半導體晶片

Claims (16)

  1. 一種熱固性接著劑組成物，其包含： 光裂解性化合物，藉由放射線的照射而裂解，並產生胺化合物；及 熱固性樹脂，在前述胺化合物的存在下藉由加熱而固化。
  2. 如請求項1所述之熱固性接著劑組成物，其中 前述光裂解性化合物具有α-胺基苯乙酮骨架。
  3. 如請求項1或請求項2所述之熱固性接著劑組成物，其中 在照度80mW/cm 2且累計光量600mJ/cm 2的條件下照射紫外線之後，在75℃下經3小時進行加熱之後，在75℃下的儲存彈性模數為3MPa以上。
  4. 如請求項1至請求項3之任一項所述之熱固性接著劑組成物，其中 在照度80mW/cm 2且累計光量600mJ/cm 2的條件下照射紫外線之後，在75℃下經3小時進行加熱之後，在35℃下的儲存彈性模數為700MPa以下。
  5. 如請求項1至請求項4之任一項所述之熱固性接著劑組成物，其中 將由升溫速度為10℃/分鐘的示差掃描熱量測定獲得之DSC曲線分別求出之溫度範圍50～200℃的發熱量C1、C2代入下述式而算出之反應率為50%以上， 反應率（%）=（C1-C2）/C1×100 式中，C1表示在照度為80mW/cm 2且累計光量為600mJ/cm 2的條件下對該熱固性接著劑組成物照射紫外線之後的樹脂組成物的發熱量， C2表示將對該熱固性接著劑組成物在照度為80mW/cm 2且累計光量為600mJ/cm 2的條件下照射紫外線之後在75℃下經3小時進行加熱之後的樹脂組成物作為測定對象之發熱量。
  6. 如請求項1至請求項5之任一項所述之熱固性接著劑組成物，其在75℃下的熔融黏度為3000～12000Pa·s。
  7. 如請求項1至請求項6之任一項所述之熱固性接著劑組成物，其在溫度25℃及濕度55%的條件下保存4週之後，在75℃下的熔融黏度為20000Pa·s以下。
  8. 如請求項1至請求項7之任一項所述之熱固性接著劑組成物，其進一步包含熱塑性樹脂， 將該熱固性接著劑組成物的總質量設為100質量份時，前述熱塑性樹脂的含量為15～35質量份。
  9. 如請求項8所述之熱固性接著劑組成物，其中 前述熱塑性樹脂在-50℃～20℃的範圍內具有玻璃轉移溫度。
  10. 如請求項1至請求項9之任一項所述之熱固性接著劑組成物，其進一步包含無機填料， 將該熱固性接著劑組成物的總質量設為100質量份時，前述無機填料的含量為20～35質量份。
  11. 一種熱固性接著劑組成物，其為對請求項1至請求項10之任一項所述之熱固性接著劑組成物照射放射線而獲得的熱固性接著劑組成物，其包含前述胺化合物及前述熱固性樹脂。
  12. 一種積層膜，其具備： 基材膜；及 接著劑層，設置於前述基材膜的表面上， 前述接著劑層由請求項1至請求項11之任一項所述之熱固性接著劑組成物構成。
  13. 一種連接體之製造方法，其依序包括： （A）準備具備第1電路構件、第2電路構件及配置在前述第1及第2電路構件之間之接著劑層之積層體之步驟； （B）在65～85℃下經30～240分鐘加熱前述積層體之步驟；及 （C）將前述第1電路構件和前述第2電路構件進行引線接合之步驟， 前述接著劑層由請求項1至請求項10之任一項所述之熱固性接著劑組成物構成， 在（B）步驟之前，包括對前述接著劑層照射放射線之步驟。
  14. 一種連接體之製造方法，其依序包括： （A）準備具備第1電路構件、第2電路構件及配置在前述第1及第2電路構件之間之接著劑層之積層體之步驟； （B）在65～85℃下經30～240分鐘加熱前述積層體之步驟；及 （C）將前述第1電路構件和前述第2電路構件進行引線接合之步驟， 前述接著劑層由請求項11所述之熱固性接著劑組成物構成。
  15. 如請求項13或請求項14所述之連接體之製造方法，其中 前述第1電路構件為選自由印刷電路基板及半導體晶片組成的組中的一種，前述第2電路構件為撓性印刷電路基板。
  16. 一種連接體，其具備： 第1電路構件； 第2電路構件；及 配置在前述第1及第2電路構件之間之接著劑層， 前述接著劑層由請求項1至請求項11之任一項所述之熱固性接著劑組成物的固化物構成。
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