TW202347424A - 基板處理裝置及漏液偵測方法 - Google Patents

基板處理裝置及漏液偵測方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202347424A
TW202347424A TW112100523A TW112100523A TW202347424A TW 202347424 A TW202347424 A TW 202347424A TW 112100523 A TW112100523 A TW 112100523A TW 112100523 A TW112100523 A TW 112100523A TW 202347424 A TW202347424 A TW 202347424A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pressure
temperature control
substrate processing
control medium
processing device
Prior art date
Application number
TW112100523A
Other languages
English (en)
Inventor
並木未央
笠木智仁
濟藤晃至
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202347424A publication Critical patent/TW202347424A/zh

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M3/00Investigating fluid-tightness of structures
    • G01M3/02Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
    • G01M3/26Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0007Fluidic connecting means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/08Means for indicating or recording, e.g. for remote indication
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M3/00Investigating fluid-tightness of structures
    • G01M3/02Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
    • G01M3/26Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors
    • G01M3/28Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by measuring rate of loss or gain of fluid, e.g. by pressure-responsive devices, by flow detectors for pipes, cables or tubes; for pipe joints or seals; for valves ; for welds
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306Details
    • G02F1/1309Repairing; Testing
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06QINFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G06Q50/00Information and communication technology [ICT] specially adapted for implementation of business processes of specific business sectors, e.g. utilities or tourism
    • G06Q50/10Services
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Tourism & Hospitality (AREA)
  • Marketing (AREA)
  • Economics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Human Resources & Organizations (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Primary Health Care (AREA)
  • Strategic Management (AREA)
  • General Business, Economics & Management (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Examining Or Testing Airtightness (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

提供一種能夠高精度地偵測出從設置在真空容器內之結構物的流道的漏液之技術。 基板處理裝置係對基板進行處理。基板處理裝置具備:真空容器,係具有能減壓成真空環境的內部空間;結構物,係設置在該真空容器的內部,具備供液體狀控溫介質流通的流道;壓力測定器,係設置在與該流道連通的控溫介質路徑,會測定該控溫介質的壓力;以及通知裝置,當該壓力測定器所測定到的壓力值成為預設的閾值以下之情況,會通知與該壓力值的降低有關的資訊。

Description

基板處理裝置及漏液偵測方法
本揭露係關於一種基板處理裝置及漏液偵測方法。
基板處理裝置係在能減壓成真空環境的真空搬送模組內具備基板的搬送裝置(結構物)。另外,基板處理裝置為了調整搬送中之基板的溫度,使控溫介質(例如冷卻水)在形成於搬送裝置內部的流道中流通。若控溫介質從搬送裝置的流道洩漏之情況,有可能因真空搬送模組內腐蝕、壓力變化的發生而造成製程異常等不良情況。因此,要求基板處理裝置須能即早偵測出真空搬送模組內的漏液。
雖然不是真空搬送模組,例如專利文獻1揭示一種在配置於大氣環境下的冷卻單元中藉由漏液感測器來偵測出發生漏液的控溫介質之技術。
[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2020-190494號公報
本揭露係提供一種能夠高精度地偵測出來自設置在真空容器內之結構物的流道的漏液之技術。
依據本揭露之一樣態,提供一種基板處理裝置,係處理基板,具備:真空容器,係具有能減壓成真空環境的內部空間;結構物,係設置在該真空容器的內部,具備供液體狀控溫介質流通的流道;壓力測定器,係設置在與該流道連通的控溫介質路徑,測定該控溫介質的壓力;以及通知裝置,當該壓力測定器所測定到的壓力值成為預設的閾值以下之情況,通知與該壓力值的降低有關的資訊。
依據一樣態,便能高精度地偵測出來自設置在真空容器內之結構物的流道的漏液。
以下,參照圖式針對用於實施本揭露的型態做說明。在各圖式中,針對相同構成部分有標註相同符號而省略重復說明的情況。
圖1係顯示一實施型態相關的基板處理裝置1之概略俯視圖。如圖1所示,一實施型態相關的基板處理裝置1係構成為具有能在真空環境下處理基板的多個真空容器之多室型。例如,基板處理裝置1會對由玻璃材料形成的FPD用基板(以下簡稱為基板G)進行金屬膜或絕緣膜的蝕刻處理、光阻的灰化處理、成膜處理等基板處理。
加工基板G所製造出的FPD舉例有液晶顯示器(Liquid Crystal Display:LCD)、電激發光(Electro Luminescence:EL)、電漿顯示面板(Plasma Display Panel:PDP)等。另外,作為基板G的材料,除了玻璃以外還可使用合成樹脂等。基板G可為表面形成有電路圖案的基板或不具電路的支撐基板等中的任一者。基板G的平面尺寸未特別限制,例如可以是長邊為1800mm~3400mm左右的範圍且短邊為1500mm~3000mm左右的範圍。
具體地,基板處理裝置1係包含有一個真空搬送模組10、多個處理模組20和一個負載鎖定模組30。進而,基板處理裝置1係具有控制各模組的動作之控制部60。
真空搬送模組10係配置在基板處理裝置1的中心部,向多個處理模組20及負載鎖定模組30搬送基板G。該真空搬送模組10係具備搬送用真空容器(真空容器的例子之一)11和設置在搬送用真空容器11內以搬送基板G的真空搬送裝置(真空搬送機器人:以下簡稱為搬送裝置12。)。
搬送用真空容器11係形成為俯視下大致呈六角形的箱狀,在容器內具有內部空間11a。搬送用真空容器11能夠藉由減壓機構(未圖示)將內部空間11a減壓成真空環境。基板處理裝置1在該搬送用真空容器11的一邊連結有負載鎖定模組30,在搬送用真空容器11的其餘5邊分別連結有處理模組20。
在搬送用真空容器11與各處理模組20之間分別設置有和彼此的空間連通且能夠讓被搬入及搬出的基板G通過之閘閥21。在各閘閥21的內部設置有對處理模組20側的搬出入口進行開閉之閥體22。同樣地,在搬送用真空容器11與負載鎖定模組30之間設置有和彼此的空間連通且能夠讓基板G通過之閘閥31。在閘閥31的內部設置有對搬送用真空容器11側的搬出入口進行開閉之閥體32。
各處理模組20係具備具有內部空間23a的處理容器(真空容器的例子之一)23及在處理容器23內載置基板G的載置台24。各處理組件20在藉由真空搬送組件10將基板G搬送到載置台24上後,藉由減壓機構(未圖示)將內部空間23a減壓,生成電漿而進行基板處理。基板處理如上所述,舉例有蝕刻處理、灰化處理、成膜處理等。處理模組20也可以構成為在內部空間23a內進行未生成電漿的基板處理。另外,基板處理裝置1的5個處理模組20彼此可以進行相同的基板處理,也可以針對每個任意的處理模組20來進行不同種類的基板處理。
負載鎖定模組30在大氣環境下的負載模組(未圖示)與真空環境下的真空搬送模組10之間進行基板G的接收和傳遞。於是,負載鎖定模組30係具有負載鎖定用容器33(真空容器的例子之一),該負載鎖定用容器係具有可切換成大氣環境與真空環境的內部空間。在負載鎖定模組30與載置模組之間設置有和彼此的空間連通且能夠讓基板G通過之閘閥34。在閘閥34的內部設置有對負載鎖定模組30側的搬出入口進行開閉之閥體35。另外,負載鎖定用容器33也可以在鉛直方向上個別地具備用於將基板G搬入至真空搬送模組10的搬入用內部空間及用於將基板G搬出到載置模組的搬出用內部空間。
圖2係顯示真空搬送模組10的搬送裝置12之概略側視圖。如圖1及圖2所示,真空搬送模組10的搬送裝置12係在對搬送用真空容器11內進行減壓後的真空環境的狀態下進行基板G的搬送。例如,搬送裝置12從真空搬送模組10相對於各處理模組20做進退,藉此在與各處理模組20之間進行基板G的搬出入。又,搬送裝置12從真空搬送模組10相對於負載鎖定模組30做進退,藉此在與負載鎖定模組30之間進行基板G的搬出入。
具體地,搬送裝置12係具有固定軸13、支軸14、旋轉動作部15、升降動作部16、基座17、滑塊單元18及末端效應器19。
固定軸13形成為在垂直方向上延伸的圓筒狀。固定軸13的上端部被插入在搬送用真空容器11內且被固定在該搬送用真空容器11。固定軸13被固定成在搬送用真空容器11的外部支撐著真空搬送模組10之適當的結構。在固定軸13的內側的軸心,沿著該固定軸13的軸向配置有支軸14。
支軸14在其上端部支撐著基座17並且相對於固定軸13可旋轉且可升降地設置。亦即,搬送裝置12係藉由使支軸14繞θ軸旋轉,來讓支軸14所支撐的結構(基座17、滑塊單元18、末端效應器19)旋轉。另外,搬送裝置12係藉由使支軸14在鉛直方向上升降,來讓支軸14所支撐的結構升降。
旋轉動作部15係具有馬達及驅動傳達機構(皆未圖示),且連接於控制部60。旋轉動作部15依據控制部60的指令使馬達旋轉,藉由驅動傳達機構將馬達的驅動力傳達至支軸14,以使支軸14繞軸旋轉。搬送裝置12藉由該支軸14的旋轉來調整末端效應器19繞θ軸的方位。藉此,搬送裝置12便能夠使末端效應器19的前端正對於各處理模組20或負載鎖定模組30。
升降動作部16係具有驅動源(氣缸、馬達等)及驅動傳達機構(皆未圖示),且連接於控制部60。升降動作部16依據控制部60的指令來使驅動源驅動,藉由驅動傳達機構將驅動力傳達至支軸14,從而使支軸14升降。搬送裝置12藉由該支軸14的升降來調整末端效應器19的高度。例如,搬送裝置12藉由使末端效應器19的高度配合負載鎖定模組30中位於不同高度的搬入用內部空間或搬出用內部空間,便能夠使末端效應器19向各空間進退。
基座17為一種支撐滑塊單元18及末端效應器19之構件,且沿著滑塊單元18的滑動方向延伸。基座17的內部收容有用於使滑塊單元18動作的電子零件、時規皮帶(皆未圖示)等。
滑塊單元18係具有1個以上的軌道181、可沿軌道181移動的可動體182、及使可動體182動作的動作部(未圖示,包含有時規皮帶)。又,可動體182支撐著末端效應器19。動作部係與控制部60連接,依據控制部60的指令使可動體182沿著軌道181滑動。
末端效應器19跟隨可動體182的滑動在水平方向上移動。藉此,末端效應器19便會相對於各處理模組20或負載鎖定模組30的內部進出及後退。
例如,末端效應器19係具有接觸於基板G的下表面來加以支撐之多個支撐拾取器191。搬送裝置12使各支撐拾取器191移動到各處理模組20的載置台24的上方,藉此在與各處理模組20的多個舉升銷(未圖示)之間進行基板G的傳遞或接收。另外,搬送裝置12使各支撐拾取器191進入至負載鎖定模組30的載置台(未圖示)上所形成之溝槽,藉此在與負載鎖定模組30之間進行基板G的傳遞或接收。
另外,真空搬送模組10係於搬送裝置12具備用於進行電子零件的冷卻等之內部控溫機構40。另外,本實施型態中的內部控溫機構40除了冷卻功能以外,為了進行基板G的加溫或保溫,也可以具備加溫功能。
詳細地說,內部控溫機構40包含有設置在基座17上的冷卻板(控溫板)41、形成在冷卻板41內部且能使冷卻水流通的連通道41a、及使冷卻水(控溫介質)在冷卻板41流通的流道42。另外,流道42係具有向冷卻板41供給冷卻水的內部供給流道43和從冷卻板41排出冷卻水的內部排出流道44。控溫介質只要是液態的流體(液體)即可,並不特別限定於水(H 2O),也可以是甲醇、乙醇、乙二醇等其他通常使用的冷媒的任一種。
內部供給流道43及內部排出流道44係由設置在支軸14內部和基座17內部的多個配管43a、44a構成。各配管43a彼此藉由接頭(未圖示)相互連結。各配管44a彼此也是藉由接頭(未圖示)相互連結。內部供給流道43的一端連通於入口側連接器141,該入口側連接器141係設置於在搬送用真空容器11的外部延伸之支軸14上。內部供給流道43的另一端則是透過配管43a連通於冷卻板41的連通道41a的入口側。另外,內部排出流道44的一端連通於出口側連接器142,該出口側連接器142係設置於在搬送用真空容器11的外部延伸之支軸14上。內部排出流道44的另一端則是透過配管44a連通於冷卻板41的連通道41a的出口側。
搬送裝置12的內部控溫機構40與設置在搬送用真空容器11外部(大氣環境)的外部控溫裝置50連接。外部控溫裝置50具備冷卻單元51和使冷卻水在冷卻單元51及搬送裝置12之間流通的控溫介質路徑52。控溫介質路徑52具備向搬送裝置12供給冷卻水的外部供給路徑52A和使在搬送裝置12內流通的冷卻水返回冷卻單元51的外部排出路徑52B。另外,外部控溫裝置50在外部供給路徑52A的中途位置具有用於調節冷卻水壓力的調節箱54。
冷卻單元51調節冷卻水的溫度且使冷卻水在與搬送裝置12之間循環。冷卻單元51在外殼內具備用於儲存冷卻水的槽、將冷卻水壓送到外部供給路徑52A的泵、對從搬送裝置12回收的冷卻水進行冷卻的熱交換器等(皆未圖示)。
控溫介質路徑52由例如具有可撓性和耐壓性的多個軟管構成。藉此,即使基座17旋轉,也能夠向冷卻板41供給控溫介質。在外部供給路徑52A的一端設置有與入口側連接器141連接的連結連接器53a。同樣,在外部排出路徑52B的一端設置有與出口側連接器142連接的連結連接器53b。
圖3係顯示外部控溫裝置50的調節箱54的結構之說明圖。如圖3所示,調節箱54係具有殼體541和連接有外部供給路徑52A的各軟管之入口側接頭542及出口側接頭543。被固定在入口側接頭542之外部供給路徑52A的軟管與冷卻單元51連接,被固定在出口側接頭543之外部供給路徑52A的軟管則與搬送裝置12連接。
調節箱54在殼體541的內部具備遍佈於入口接頭542和出口接頭543之間而延伸的內部路徑544。內部路徑544由例如多個金屬配管構成。進而,調節箱54從內部路徑544的上游(入口側接頭542)側往下游(出口側接頭543)依序具備截止閥545、調節器546及壓力開關547。基板處理裝置1的使用者藉由拆下構成殼體541的蓋部(未圖示),便能夠操作截止閥545或調節器546。壓力開關547可安裝在外部排放路徑52B之間。
截止閥545係與控制部60連接,可應用於在控制部60的控制下能夠開閉內部路徑544的流道之開閉閥。例如,截止閥545在真空搬送模組10的通常運轉時會打開,在搬送裝置12發生漏液等真空搬送模組10異常時則是會關閉。藉此,外部控溫裝置50能夠切斷冷卻水流入至搬送用真空容器11。
調節器546係與控制部60連接,將調節器546的下游側的壓力調整為從控制部60指示的設定壓力Pr(參照圖5(B))並維持該設定壓力Pr。設定壓力P未特別限制,可設定成例如0.1MPa~1MPa左右的範圍。本實施型態的調節器546使設定壓力Pr為0.3MPa。另外,調節器546也可以藉由使用者的手動操作來調整設定壓力Pr。
壓力開關547藉由設置在調節器546的下游側(二次側),可作為能夠測定被調節器546調節成固定壓力的下游側的壓力之壓力測定器發揮作用。壓力開關547係與控制部60連接,將所測定到的壓力的資訊(壓力降低的訊號)發送到控制部60。壓力開關547的壓力測定的精度雖取決於調節器546的設定壓力Pr,但較佳宜設定成例如0.01MPa左右的單位。另外,壓力開關547最好使用壓力測定的測定誤差小於±0.05MPa左右的開關。
本實施型態的壓力開關547具有當冷卻水的壓力值成為特定值以下的情況會向控制部60發送壓力降低的訊號之功能。藉由接收該壓力降低的訊號,控制部60便能發出警報,使冷卻單元51的冷卻水流量改變或採取停止外部控溫裝置50的動作等應對措施。
圖4係概略顯示真空搬送模組10與調節箱54的設置狀態之局部側視圖。如圖4所示,真空搬送模組10的搬送用真空容器11在設置於工廠內的狀態下,係藉由從地面立起的框架結構55被加以支撐。框架結構55包括多個縱向框架56和連結多個縱向框架56之間的多個橫向框架57。
調節箱54例如在該搬送用真空容器11的鉛直方向下側被固定在橫向框架57上。亦即,調節箱54是設置在搬送用真空容器11的外部使用者容易目視辨認和接近的位置。外部控溫裝置50的外部供給路徑52A、外部排出路徑52B及調節箱54可由使用者目視辨認,藉此,假設在搬送用真空容器11的外部有冷卻水漏出(漏液),使用者仍可容易地辨識出。
回到圖1,基板處理裝置1的控制部60係具有控制器本體61和與控制器本體61連接的使用者介面65。控制器本體61可應用一個以上的處理器62、記憶體63、及具有輸出入介面和電子電路的控制用電腦(未圖示)。另外,本實施型態中雖例示了控制器本體61會控制真空搬送模組10、各處理模組20、負載鎖定模組30的結構,但各模組的控制也可以藉由設置在各個模組中的控制機器(未圖示)來進行。
處理器62為CPU、GPU、ASIC、FPGA、由多個離散式半導體構成的電路等當中的一個或多個的組合。記憶體63包含有揮發性記憶體、非揮發性記憶體(例如CD、DVD、硬碟、快閃記憶體等),且記憶有使基板處理裝置1動作的程式、基板處理的處理條件等配方。
使用者界面65可應用使用者為了管理基板處理裝置1而進行指令的輸入操作等之鍵盤、可視化地顯示基板處理裝置1的運轉狀況之顯示器、或具有顯示和輸入兩種功能的觸碰面板等。另外,使用者介面65也可以具備能夠通知基板處理裝置1的警報之燈具、揚聲器等結構。亦即,使用者介面65會作用為基板處理裝置1的通知裝置。
控制部60控制真空搬送模組10的基板G的搬送。此時,如圖2所示,控制部60會使外部控溫裝置50動作來從冷卻單元51向搬送裝置12供給冷卻水。藉此,基座17的冷卻板41便會在真空搬送模組10的內部被冷卻。
另外,控制部60在使冷卻水循環於外部控溫裝置50和搬送裝置12之間時,會依據從壓力開關547所接收到之壓力降低的訊號來偵測出冷卻水在真空搬送模組10內的漏液。冷卻水從搬送裝置12的流道42漏液的原因舉例有構成內部供給流道43或內部排出流道44的配管破損、老化、與接頭的鎖固鬆弛等。例如,基座17內的流道42長長地在水平方向上延伸(亦參照圖2),運轉時冷卻水的漏液部位會成為未知數。另外,若搬送裝置12在冷卻水發生漏液的狀態下旋轉,則冷卻水的滴下部位也會改變。
如上所述,基板處理裝置1在搬送用真空容器11的外部發生冷卻水漏液的情況,使用者能夠立即目視辨認。但在搬送用真空容器11的內部發生冷卻水漏液的情況,則使用者無法進行目視辨認。因此,本實施型態的基板處理裝置1係藉由利用壓力開關547的壓力值來高精度地偵測出冷卻水的漏液。
以下,參照圖5說明基於壓力值的冷卻水的漏液偵測方法。圖5為漏液偵測方法的說明圖,(A)係顯示伴隨冷卻水從搬送裝置12的流道42內漏液之壓力測定,(B)係顯示從流道42的洩漏量與壓力開關547的壓力值的關係之圖表。
當冷卻水從搬送裝置12的流道42發生漏液時,在流道42中流通之冷卻水的壓力(流道內壓力)會對應於該洩漏量而降低。該流道內壓力的降低經由外部供給路徑52A傳達到冷卻水的流通方向上游側的壓力開關547。於是,壓力開關547便會檢測低於設定壓力Pr的壓力值。例如,參照圖5(B),可知隨著冷卻水從流道42的洩漏量增加,壓力值也逐漸降低。
當壓力開關547辨識出壓力開關547的壓力值相對於由調節器546調壓的設定壓力Pr降低了特定的壓力降低量Pd時,會將壓力降低的訊號發送到控制部60。該壓力降低量Pd較佳是基於設定壓力Pr或冷卻水的流量來被預先設定成適當的值。壓力降低量Pd相對於設定壓力Pr的比率(Pd/Pr)考量到壓力開關547的誤差,例如可以設定成設定壓力的7%~20%。若比率小於7%,則包含壓力開關547的測定誤差的可能性提高,另一方面,若比率大於20%,則無法即早偵測出冷卻水發生漏液,導致洩漏量增加。
本實施型態中,由於設定壓力Pr為0.3MPa,壓力開關547的誤差為±0.02MPa,因此包含了針對誤差的安全裕度在內而將壓力降低量Pd設定成0.05MPa。於是,壓力降低量Pd相對於設定壓力Pr的比率(Pd/Pr)便成為16.7%。
壓力開關547能夠設定基於設定壓力Pr和壓力降低量Pd所計算出的壓力判定閾值Th。亦即,當設定壓力Pr為0.3MPa且壓力降低量Pd為0.05MPa的情況,壓力判定閾值Th係設定成從設定壓力Pr減去壓力降低量Pd後得到的0.25MPa。如圖5(B)所示,當已設定壓力判定閾值Th為0.25MPa的情況,控制部60可依據從壓力開關547發送的壓力降低訊號來偵測出以約0.98L/min的洩漏量從流道42洩漏的冷卻水。
這裡,假設也可以考慮在外部供給路徑52A和外部排出路徑52B上設置流量計(未圖示),藉由檢測出冷卻水流量的差值來計算出冷卻水的洩漏量之結構。這種情況下冷卻水的洩漏量雖依流量計的檢測精度而異,但流量計的檢測精度一般不那麽高。例如,在應用流量計的情況,可偵測出之流量的變化量為2.0L/min左右。
相對於此,基板處理裝置1藉由使用由壓力開關547(壓力測定器)得到的冷卻水的壓力值,能在洩漏量少的階段(例如0.98L/min)偵測出漏液。藉由在洩漏量少的階段進行偵測,便能盡可能地降低洩漏到搬送用真空容器11之冷卻水的影響。特別是,基板處理裝置1在配管外部的壓力比大氣環境低之搬送用真空容器11的真空環境中會監視搬送裝置12的冷卻水的漏液。由於流道內壓力會取決於經由成為漏液原因的孔的流道42與配管外部的壓力差而更大幅降低,故在真空環境下能夠更靈敏地偵測出漏液。
本實施型態的基板處理裝置1基本上係構成為以上所述,以下對其動作(漏液偵測方法)進行說明。
圖6係顯示漏液偵測方法的處理流程之流程圖。如圖6所示,基板處理裝置1的控制部60在真空搬送模組10運轉時,會控制外部控溫裝置50的動作來進行搬送裝置12的控溫(冷卻)。此時,控制部60會使冷卻單元51動作來讓冷卻水在該冷卻單元51和搬送裝置12之間循環(步驟S1)。在向搬送裝置12供給冷卻水時,調節器546藉由控制部60的指令或使用者的手動操作,將二次側的冷卻水的壓力調節成預先設定的設定壓力Pr。
另外,在冷卻水循環的期間內,設置在調節器546的二次側的壓力開關547會持續取得壓力值(步驟S2)。
然後,壓力開關547將基於設定壓力Pr所計算出並設定的壓力判定閾值Th與壓力值進行比較(步驟S3),判定來自搬送裝置12的流道的冷卻水的壓力降低。在判定為有壓力降低的情況,壓力開關547向控制部60發送壓力降低的訊號。控制部60在壓力值大於壓力判定閾值Th的情況(步驟S3:YES),不會接收到壓力降低的訊號,因此便會視作無冷卻水漏液的正常流通來讓冷卻水持續流通,另一方面,在壓力值為壓力判定閾值Th以下的情況(步驟S3:NO),則是會接收到壓力降低的訊號而判定為冷卻水發生漏液。
進而,在無冷卻水漏液的情況,控制部60會判定真空搬送模組10的運轉是否已結束(步驟S4)。當持續真空搬送模組10的運轉的情況(步驟S4:NO),便會返回步驟S3來重復以下同樣的處理。另一方面,當已結束真空搬送模組10的運轉的情況(步驟S4:YES)則是前進至步驟S5。
在步驟S5中,控制部60會進行包含外部控溫裝置50之真空搬送模組10的通常停止處理。例如,在通常停止處理中,停止搬送裝置12的動作,且停止冷卻單元51的動作來停止冷卻水往搬送裝置12的循環。
另外,當因壓力值成為壓力判定閾值Th以下而判定為冷卻水發生漏液的情況,控制部60會透過使用者介面65來通知與冷卻水漏液有關的警報(步驟S6)。使用者藉由從使用者界面65辨識出警報,便能立即掌握搬送用真空容器11內冷卻水發生漏液的情況。
進而,控制部60會進行暫時停止基板處理裝置1的動作之異常時停止處理(步驟S7)。在該異常時停止處理中,當真空搬送模組10、各處理模組20、負載鎖定模組30等中正在實施的動作完成後,便會停止各模組的動作。另外,控制部60會進行使冷卻單元51停止的控制,來防止冷卻水被供給至搬送裝置12。
如上所述,漏液偵測方法藉由監視壓力開關547的壓力值,能夠高精度地偵測出冷卻水的漏液。另外,基板處理裝置1的使用者能夠即早掌握搬送用真空容器11內的冷卻水發生漏液,從而便能迅速地進行維護等應對措施。
另外,在以上的實施型態中,雖是偵測出真空搬送模組10中的冷卻水的漏液,但基板處理裝置1和漏液偵測方法可應用於使用液體狀控溫介質的各種結構。例如,基板處理裝置1和漏液偵測方法能夠判定在配置於處理模組20的處理容器23內之結構物(載置台24、噴淋頭(未圖示)等)的控溫機構中所流通之控溫介質的漏液。或者,當負載鎖定模組30具有控溫機構的情況,當然也可以採用同樣的結構。
以下描述在以上實施型態中所說明之本揭露的技術思想和效果。
本發明第1樣態為一種處理基板之基板處理裝置1,係具備具有能減壓成真空環境的內部空間11a之真空容器(搬送用真空容器11)、設置在真空容器內部且具備供液體狀控溫介質(冷卻水)流通的流道42之結構物(搬送裝置12)、設置在與流道42連通的控溫介質路徑52來測定控溫介質的壓力之壓力測定器(壓力開關547)、及當壓力測定器所測定到的壓力值成為預先設定的閾值(壓力判定閾值Th)以下之情況會通知與壓力值降低有關的資訊之通知裝置(使用者介面65)。
依據上述,基板處理裝置1可高精度地偵測出來自被減壓成真空環境的真空容器(搬送用真空容器11)內所設置之結構物(搬送裝置12)的流道42的漏液。藉此,基板處理裝置1可針對因控溫介質漏液而造成真空容器內腐蝕、壓力變化所致之製程異常等不良情況來迅速地促使必要的對應。
又,在較控溫介質路徑52的壓力測定器(壓力開關547)更上游側具備將控溫介質路徑52內的控溫介質的壓力調壓成設定壓力Pr之調節器546,壓力測定器會測定調節器546的二次側的壓力。藉此,基板處理裝置1便可藉由壓力測定器來測定出藉由調節器546被調壓成設定壓力Pr後的壓力,從而可穩定地監視來自流道42的漏液所伴隨之控溫介質的壓力降低。
又,具備控制基板處理裝置1之控制部60,控制部60從壓力測定器(壓力開關547)取得壓力降低的訊號。壓力測定器依據設定壓力Pr設定閾值(壓力判定閾值Th),當壓力測定器的壓力值大於閾值的情況,便判定控溫介質是正常流通,另一方面,當壓力測定器的壓力值為閾值以下的情況,則向控制部60發送壓力降低的訊號,控制部60會判定控溫介質發生漏液。藉此,基板處理裝置1便可依據壓力測定器的壓力值來更高精度地判定控溫介質的漏液。
又,具有包含真空容器(搬送用真空容器11)及結構物(搬送裝置12)之模組(真空搬送模組10),控制部60在判定控溫介質的漏出時,會切斷對結構物供給冷卻水,並且在模組當下進行的動作完成後會停止該模組的動作。藉此,基板處理裝置1便不會浪費當下正在處理的基板G,可即早抑制控溫介質的漏液對基板G造成的影響。
又,結構物為搬送裝置12,該搬送裝置12係構成為會搬送基板G。藉此,基板處理裝置1在控溫介質從搬送裝置12漏液時,便能容易地偵測出此漏液。
又,搬送裝置12係包含有支撐基板G之末端效應器19、和末端效應器19呈對向配置且於內部具有供控溫介質流通的連通道41a之控溫板(冷卻板41)、及連通於控溫板的連通道41a之流道42。藉此,基板處理裝置1在使控溫介質流通於控溫板時,可高精度地偵測出控溫介質的漏液。
又,搬送裝置12能使末端效應器19及控溫板(冷卻板41)旋轉。藉此,基板處理裝置1即使是搬送用真空容器11內控溫介質的流道42隨著控溫板的旋轉而移動之情況,仍可迅速地辨識出控溫介質的漏液,從而可降低漏液的影響。
又,控溫介質為冷卻水。藉此,基板處理裝置1即使是真空環境下的搬送用真空容器11內也能穩定地偵測出冷卻水的漏液。
又,本揭露第2樣態為一種基板處理裝置1的漏液偵測方法,該基板處理裝置1係具備具有能減壓成真空環境的內部空間11a之真空容器(搬送用真空容器11),及設置在真空容器內部且具備供液體狀控溫介質流通的流道42之結構物(搬送裝置12),具有以下工序:取得藉由與流道42連通的控溫介質路徑52所設置之壓力測定器(壓力開關547)所測定到的控溫介質的壓力值之工序,以及,當所取得的壓力值成為預先設定的閾值以下之情況,藉由通知裝置(使用者介面65)來通知與壓力值降低有關的資訊之工序。在此情況下,漏液偵測方法也能高精度地偵測出來自被減壓成真空環境的真空容器內所設置之結構物的流道42的漏液。
又,在較控溫介質路徑52的壓力測定器(壓力開關547)更上游側具備將控溫介質路徑52內的控溫介質的壓力調壓成設定壓力Pr之調節器546,在取得控溫介質的壓力值之工序中,取得調節器546的二次側的壓力。又,具備控制基板處理裝置1之控制部60,藉由控制部60取得來自壓力測定器之壓力降低的訊號。壓力測定器依據設定壓力Pr設定閾值,當壓力測定器的壓力值大於閾值的情況,便判定控溫介質是正常流通,另一方面,當壓力測定器的壓力值為閾值以下的情況,則向控制部60發送壓力降低的訊號,控制部60會判定控溫介質發生漏液。又,具有包含真空容器(搬送用真空容器11)及結構物(搬送裝置12)之模組(真空搬送模組10),當判定控溫介質發生漏液時,會切斷對結構物供給冷卻水,且停止模組的動作。結構物為搬送裝置12,該搬送裝置12係構成為會搬送基板G。又,控溫介質為冷卻水。
本說明書所揭示之實施型態相關的基板處理裝置1及漏液偵測方法應被認為在所有方面僅為例示而非用以限制本發明之內容。實施型態可在未背離申請專利範圍及其要旨的範圍內,以各種型態做變形及改良。上述多個實施型態中記載的事項可在未矛盾的範圍內亦採用其他結構,另外,可在未矛盾的範圍內加以組合。
1:基板處理裝置 11:搬送用真空容器 11a:內部空間 12:搬送裝置 52:控溫介質路徑 547:壓力開關 65:使用者界面 Th:壓力判定閾值
圖1係顯示一實施型態相關的基板處理裝置之概略俯視圖。 圖2係顯示真空搬送模組的搬送裝置之概略側視圖。 圖3係顯示外部控溫裝置的調節箱的結構之說明圖。 圖4係示意顯示真空搬送模組與調節箱的設置狀態之局部側視圖。 圖5為漏液偵測方法之說明圖,(A)係顯示伴隨來自搬送裝置的流道內之冷卻水的漏液之壓力測定,(B)係顯示從流道的洩漏量與壓力開關的壓力值的關係之圖表。 圖6係顯示漏液偵測方法的處理流程之流程圖。
12:搬送裝置
50:外部控溫裝置
51:冷卻單元
52:控溫介質路徑
52A:外部供給路徑
52B:外部排出路徑
53a:連結連接器
53b:連結連接器
54:調節箱
60:控制部
141:入口側連接器
142:出口側連接器
541:殼體
542:入口側接頭
543:出口側接頭
544:內部路徑
545:截止閥
546:調節器
547:壓力開關
Pr:設定壓力

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置,係處理基板,具備: 真空容器,係具有能減壓成真空環境的內部空間; 結構物,係設置在該真空容器的內部,具備供液體狀控溫介質流通的流道; 壓力測定器,係設置在與該流道連通的控溫介質路徑,會測定該控溫介質的壓力;以及 通知裝置,當該壓力測定器所測定到的壓力值成為預設的閾值以下之情況,會通知與該壓力值的降低有關的資訊。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其係在較該控溫介質路徑的該壓力測定器更上游側,具備將該控溫介質路徑內的該控溫介質的壓力調壓成設定壓力之調節器; 該壓力測定器係測定該調節器的二次測的壓力。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置,其具備用於控制該基板處理裝置之控制部; 該壓力測定器會取得該壓力值; 基於該設定壓力設定該閾值; 當該壓力值成為該閾值以下的情況,會向該控制部發送壓力降低的訊號; 該控制部在接收到該壓力降低的訊號的情況,會判定該控溫介質發生洩漏。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置,其具有包含有該真空容器及該結構物之模組; 該控制部在判定該控溫介質發生洩漏時,會切斷對該結構物供給該控溫介質,並在該模組當下進行的動作完成後,會停止該模組的動作。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置,其中該結構物係構成為會搬送該基板之搬送裝置。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置,其中該搬送裝置包含有: 末端效應器,係支撐該基板; 控溫板,係與該末端效應器呈對向配置,且於內部具有供該控溫介質流通的連通道;以及 該流道,係連通於該控溫板的該連通道。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置,其中該搬送裝置係能使該末端效應器及該控溫板旋轉。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之基板處理裝置,該控溫介質為冷卻水。
  9. 一種基板處理裝置之漏液偵測方法,該基板處理裝置具備: 真空容器,係具有能減壓成真空環境的內部空間;以及 結構物,係設置在該真空容器的內部,具備供液體狀控溫介質流通的流道; 該漏液偵測方法具有以下工序: 取得藉由在與該流道連通的控溫介質路徑上所設置之壓力測定器所測定到的該控溫介質的壓力值之工序;以及 當所取得的該壓力值成為預設的閾值以下之情況,會藉由通知裝置來通知與該壓力值的降低有關的資訊之工序。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置之漏液偵測方法,其係在較該控溫介質路徑的該壓力測定器更上游側具備調節器,該調節器會將該控溫介質路徑內的該控溫介質的壓力調壓成設定壓力; 在取得該控溫介質的該壓力值之工序中,會取得該調節器的二次測的壓力。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置之漏液偵測方法,其具備會控制該基板處理裝置之控制部; 藉由該壓力測定器取得該壓力值並基於該設定壓力設定該閾值,當該壓力值成為該閾值以下的情況,向該控制部發送壓力降低的訊號,該控制部會判定該控溫介質發生洩漏。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置之漏液偵測方法,其具有包含該真空容器及該結構物的模組; 在判定該控溫介質發生洩漏時,切斷對該結構物供給該控溫介質且停止該模組的動作。
  13. 如申請專利範圍第9至12項中任一項之基板處理裝置之漏液偵測方法,其中該結構物係構成為會搬送基板之搬送裝置。
  14. 如申請專利範圍第9至13項中任一項之基板處理裝置之漏液偵測方法,其中該控溫介質為冷卻水。
TW112100523A 2022-01-17 2023-01-06 基板處理裝置及漏液偵測方法 TW202347424A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-005125 2022-01-17
JP2022005125A JP2023104250A (ja) 2022-01-17 2022-01-17 基板処理装置、および漏液検知方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202347424A true TW202347424A (zh) 2023-12-01

Family

ID=87126173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112100523A TW202347424A (zh) 2022-01-17 2023-01-06 基板處理裝置及漏液偵測方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023104250A (zh)
KR (1) KR20230111143A (zh)
CN (1) CN116453971A (zh)
TW (1) TW202347424A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020190494A (ja) 2019-05-22 2020-11-26 東京エレクトロン株式会社 温調装置、基板処理装置及び漏れ検知方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230111143A (ko) 2023-07-25
JP2023104250A (ja) 2023-07-28
CN116453971A (zh) 2023-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102507943B1 (ko) Efem 가스 재순환
KR101412095B1 (ko) 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 기판 처리 장치
JP6059087B2 (ja) 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP2009182235A (ja) ロードロック装置および基板冷却方法
US20090159105A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
JP4700536B2 (ja) 液処理装置並びに液処理装置の処理液供給方法及び処理液供給プログラム。
JP6484601B2 (ja) 処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2007311603A (ja) 処理液供給装置及び処理液供給方法並びに処理液供給用制御プログラム
JP6553353B2 (ja) 基板処理方法及びその装置
TW201303269A (zh) 液體循環供應裝置
TW202347424A (zh) 基板處理裝置及漏液偵測方法
CN103187338B (zh) 模块化半导体处理设备
KR20070093696A (ko) 반도체 제조설비의 진공 시스템
TWI413164B (zh) Heat transfer gas supply means and heat transfer gas supply method, and substrate processing apparatus and substrate processing method
US11289351B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP7165771B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20200398318A1 (en) Liquid supplying device and method for draining liquid thereof
KR100440750B1 (ko) 밸브 개폐상태 감시 장치
TWI679718B (zh) 基板處理系統
JP6328738B2 (ja) 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP2017028112A (ja) 基板処理装置
KR20210019200A (ko) 반도체 제조 장비의 에어 밸브 누설 감지 시스템
JP6546425B2 (ja) 流量制御方法及び基板処理装置
JP4014573B2 (ja) 洗浄処理装置
JP3225350U (ja) 圧力調整装置及び半導体製造システム