TWI413164B - Heat transfer gas supply means and heat transfer gas supply method, and substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Heat transfer gas supply means and heat transfer gas supply method, and substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

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Description

傳熱氣體供給機構及傳熱氣體供給方法，以及基板處理裝置及基板處理方法
本發明是有關一種以載置在處理容器內的載置台之狀態下，以能調節施行既定處理的平板顯示器(FPD)用玻璃基板等的被處理基板之溫度的方式，將傳熱氣體供給到載置台與被處理基板之間的空間的傳熱氣體供給機構及傳熱氣體供給方法，以及包含此種的傳熱氣體供給機構及傳熱氣體供給方法的基板處理装置及基板處理方法。
在FPD之製造製程中，為了對被處理基板的FPD用之玻璃基板施行蝕刻處理或成膜處理等的既定處理，採用電漿蝕刻裝置或電漿CVD成膜裝置等的電漿處理裝置。在電漿處理裝置，一般是藉由以玻璃基板載置在處理容器內之載置台上的狀態，一邊將處理氣體供給到處理容器內、一邊產生高頻電場，以藉此所產生的處理氣體之電漿來處理。
在此種處理時，因所產生的電漿等引起玻璃基板的溫度變化，例如為了避免溫度上昇，因此藉由設置在載置台的調溫機構來調節玻璃基板溫度，例如進行冷卻，以調溫機構與玻璃基板的熱傳達能確實進行，而讓玻璃基板的面內溫度保持均勻之方式，將He氣體等的傳熱氣體供給到載置台與玻璃基板之間的空間來進行。傳熱氣體一般是以經由一端連接在傳熱氣體供給源、另一端連接在載置台與玻璃基板之空間的配管等之流路，藉由壓力控制閥(PCV)等的壓力檢測部及流量調整閥保持在既定壓力例如200~1330Pa(15~10 Torr)的方式來供給。
可是，近來FPD指向大型化，達到也出現像是一邊超過2m般的巨大玻璃基板，隨此而來會增大載置台與玻璃基板之間的空間或以流路等之傳熱氣體所填滿的空間容量(以下記載為傳熱氣體充滿空間)。又，為了更加提昇傳熱氣體的玻璃基板之面內溫度的均勻性，也採用上面經壓花加工的載置台，載置台與玻璃基板之間的空間有更大的傾向。因此，從開始供給傳熱氣體至達到設定壓力需要很長的時間，有所謂裝置之生產量降低的問題。
於是，提案一種為了讓傳熱氣體從供給開始快速的達到設定壓力，構成在流路的中間部設置可暫時填充傳熱氣體的貯槽，將來自供給源的傳熱氣體以對應設定壓力的壓力填充到該貯槽，打開貯槽藉此在瞬間以設定壓力或是近似於設定壓力的壓力之傳熱氣體來填滿的技術(例如參照日本專利文獻1)。
此種技術通常由於傳熱氣體會從載置台與玻璃基板的間隙漏出來等而產生壓力損耗，因此光是打開貯槽釋放所填充的傳熱氣體，是難以將傳熱氣體充滿空間調整到設定壓力，必需從供給源重新填補不足壓力份量的傳熱氣體。因而，以能夠一邊測定流路的壓力、一邊調整來自供給源之傳熱氣體的供給之方式，將PVC設置在與流路的供給源之間的情形為多。可是在此情形下，由於PVC之下流側存在著成為極大空間的貯槽，因此傳熱氣體填滿到傳熱體氣充滿空間時，無法檢測到PCV在玻璃基板之載置狀有異常之情形等所產生的微妙壓力變化，PCV的壓力應答性損失，有實際壓力產生誤差之虞。如果包含載置台與玻璃基板間的空間之傳熱氣體充滿空間的壓力產生誤差，會連帶降低玻璃基板的處理品質。
[專利文獻1]日本特開平7－321184號公報
本發明係有鑑於此種事情所完成的發明，其目的在於提供一種能以短時間來供給讓載置台與玻璃基板之間的空間成為設定壓力之量的傳熱氣體，且能將該空間正確保持在設定壓力的傳熱氣體供給機構以及傳熱氣體供給方法，具備此種傳熱氣體供給機構的基板處理裝置、包含此種傳熱氣體供給方法的基板處理方法，以及記憶著用以實行此種基板處理方法的控制程式的電腦可讀取記憶媒體。
為了解決上述課題，在本發明之第1觀點中，提供一種以載置在處理容器內的載置台之狀態下，將傳熱氣體以施行既定處理的被處理基板能進行溫度調節的方式，供給到前述載置台與被處理基板之間的空間的傳熱氣體供給機構，其特徵為：具備：用以將傳熱氣體供給到前述空間的傳熱氣體供給源、和用以暫時貯存來自前述傳熱氣體供給源之傳熱氣體的傳熱氣體貯槽、和一端連接到前述傳熱氣體供給源、另一端連接到前述空間，將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導入到前述空間的第1傳熱氣體流路、和從前述第1傳熱氣體流路分叉並連接到前述傳熱氣體貯槽，且將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽，將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的第2傳熱氣體流路，讓傳熱氣體從前述傳熱氣體供給源暫時貯存到前述傳熱氣體貯槽，貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體會供給到前述空間。
在本發明的第1觀點中，最好具備用來檢測設置在前述第1傳熱氣體流路的前述空間及前述傳熱氣體流路內之壓力的壓力檢測部，以藉由前述壓力檢測部之檢測值為既定值的方式，讓貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體供給到前述空間，配合需要最好從前述傳熱氣體供給源將傳熱氣體供給到前述空間，此情形下，最好前述壓力檢測部是設置在比前述第1傳熱氣體流路之前述第2傳熱氣體流路的分叉部更上流側。
又，在本發明之第2觀點中，提供一種具備：收容被處理基板的處理容器、和設置在前述處理容器內，載置有被處理基板的載置台、和對於被載置在前述載置台的被處理基板施行既定處理的處理機構、和至少在藉由前述處理機構的處理時，將傳熱氣體以調節被處理基板之溫度的方式，供給到形成在前述載置台與被處理基板之間的調溫空間的傳熱氣體供給機構之基板處理裝置，其特徵為：前述傳熱氣體供給機構具備：用以將傳熱氣體供給到前述空間的傳熱氣體供給源、和用以暫時貯存來自前述傳熱氣體供給源之傳熱氣體的傳熱氣體貯槽、和一端連接到前述傳熱氣體供給源、另一端連接到前述空間，將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導入到前述空間的第1傳熱氣體流路、和從前述第1傳熱氣體流路分叉並連接到前述傳熱氣體貯槽，將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽，且將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的第2傳熱氣體流路，讓傳熱氣體從前述傳熱氣體供給源暫時貯存到前述傳熱氣體貯槽，貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體會供給到前述空間。
在本發明的第2觀點中，最好前述傳熱氣體供給機構，是具備用來檢測設置在前述第1傳熱氣體流路的前述空間及前述傳熱氣體流路內之壓力的壓力檢測部，且以因前述壓力檢測部的檢測值能成為既定值的方式，從前述傳熱氣體貯槽及前述傳熱氣體供給源的其中至少前述傳熱氣體貯槽來將傳熱氣體供給至前述空間，此情形下，最好前述壓力檢測部是設置在比前述第1傳熱氣體流路之與前述第2傳熱氣體流路的分叉部更上流側。
又，此情形下，再好是具備根據前述壓力檢測部的檢測值來控制前述處理機構及前述傳熱氣體供給機構的控制部，前述控制部在藉由前述處理機構之處理前，將設定成 前述壓力檢測部的檢測值低於前述既定值之值的量的傳熱氣體，藉由前述傳熱氣體供給機構來供給，並由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，在判斷載置狀態為正常的情形下，將前述壓力檢測部的檢測值成為前述既定值之量的傳熱氣體，藉由前述傳熱氣體供給機構來供給，並且藉由前述處理機構來處理被處理基板。進而，在此情形下，設置兩個前述傳熱氣體貯槽，前述控制部在藉由前述處理機構之處理前，供給貯存在前述一方之傳熱氣體貯槽的傳熱氣體，由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，在判斷載置狀態為正常的情形下，使來自前述另一方之傳熱氣體貯槽及前述傳熱氣體供給源的其中至少前述另一方之傳熱氣體貯槽的傳熱氣體供給，並且藉由前述處理機構來處理被處理基板，或者前述第2傳熱氣體流路個別具有：供將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽的流路、和供將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的流路，前述控制部在藉由前述處理機構之處理前，供給貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體，由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，並且再度將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體貯存到前述傳熱氣體貯槽，在判斷載置狀態為正常的情形下，使來自前述傳熱氣體貯槽及前述傳熱氣體供給源的其中至少前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體供給，並且藉由前述處理機構來處理被處理基 板。
又，在以上之本發明的第2觀點中，最佳前述處理機構具有：對前述處理容器內供給處理氣體的處理氣體供給機構、和在前述處理容器內進行排氣的排氣機構、和在前述處理容器內產生前述處理氣體之電漿的電漿產生機構，對被處理基板施行電漿處理。
又，在本發明之第3觀點中，提供一種以載置在處理容器內的載置台之狀態下，將傳熱氣體以施行既定處理的被處理基板能進行溫度調節的方式，供給到前述載置台與被處理基板之間的空間的傳熱氣體供給方法，其特徵為：準備：用以將傳熱氣體供給到前述空間的傳熱氣體供給源、和用以暫時貯存來自前述傳熱氣體供給源之傳熱氣體的傳熱氣體貯槽、和一端連接到前述傳熱氣體供給源、另一端連接到前述空間，將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導入到前述空間的第1傳熱氣體流路、和從前述第1傳熱氣體流路分叉並連接到前述傳熱氣體貯槽，且將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽，將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的第2傳熱氣體流路，讓傳熱氣體從前述傳熱氣體供給源暫時貯存到前述傳熱氣體貯槽，且將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體供給到前述空間。
在本發明之第3觀點中，最好在前述第1傳熱氣體流路設置檢測前述空間及前述傳熱氣體流路內之壓力的壓力檢測部，以前述壓力檢測部的檢測值能成為既定值的方 式，將來自前述傳熱氣體貯槽及前述傳熱氣體供給源的其中至少前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體供給至前述空間。
又，在本發明之第4觀點中，提供一種包含：將被處理基板收容到處理容器，且載置於設置在該處理容器內的載置台之製程、和對於被載置在前述載置台的被處理基板施行既定處理之製程、和至少在前述既定處理製程，將傳熱氣體以能調節被處理基板之溫度的方式，供給到前述載置台與被處理基板之間的空間之製程的基板處理方法，其特徵為：在前述傳熱氣體供給製程準備：用以將傳熱氣體供給到前述空間的傳熱氣體供給源、和用以暫時貯存來自前述傳熱氣體供給源之傳熱氣體的傳熱氣體貯槽、和一端連接到前述傳熱氣體供給源、另一端連接到前述空間，將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導入到前述空間的第1傳熱氣體流路、和從前述第1傳熱氣體流路分叉並連接到前述傳熱氣體貯槽，將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽，且將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的第2傳熱氣體流路，讓傳熱氣體從前述傳熱氣體供給源暫時貯存到前述傳熱氣體貯槽，將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體供給到前述空間。
在本發明之第4觀點中，最好在前述傳熱氣體供給製程，在前述第1傳熱氣體流路設置檢測前述空間及前述傳熱氣體流路內之壓力的壓力檢測部，以前述壓力檢測部的檢測值能成為既定值的方式，將來自前述傳熱氣體貯槽及 前述傳熱氣體供給源的其中至少前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體供給至前述空間。
此情形下，前述傳熱氣體供給製程，再好是前述既定處理製程前，供給設定成前述壓力檢測部的檢測值低於前述既定值之值的量的傳熱氣體，藉由前述傳熱氣體供給機構來供給，並由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，在判斷載置狀態為正常的情形下，在前述既定處理製程時，供給前述壓力檢測部的檢測值成為前述既定值之量的傳熱氣體。進而，在此情形下，在前述傳熱氣體供給製程，設置兩個前述傳熱氣體貯槽，在前述既定處理製程前，供給貯存在前述一方之傳熱氣體貯槽的傳熱氣體，由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，在判斷載置狀態為正常的情形下，在前述既定處理製程前，供給來自前述另一方之傳熱氣體貯槽及前述傳熱氣體供給槽的其中至少前述另一方之傳熱氣體貯槽的傳熱氣體，或者在前述傳熱氣體供給製程前，將前述第2傳熱氣體流路構成個別設有：供將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽的流路、和供將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的流路，在前述既定處理製程前，供給貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體，由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，並且再度將來自前述傳熱氣體供給源的 傳熱氣體貯存到前述傳熱氣體貯槽，在判斷載置狀態為正常的情形下，在前述既定處理製程時，供給來自前述傳熱氣體貯槽及前述傳熱氣體供給源的其中至少前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體。
進而，在本發明之第5觀點，提供一種電腦可讀取的記憶媒體，係記憶著在電腦執行動作的控制程式之電腦可讀取的記憶媒體，其特徵為：前述控制程式是在實行時，以執行前述基板處理方法的方式，讓電腦來控制處理裝置。
根據本發明，設置一端連接到前述傳熱氣體供給源、另一端連接到前述空間，且將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導入到前述空間的第1傳熱氣體流路、和從前述第1傳熱氣體流路分叉並連接到前述傳熱氣體貯槽，且將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽，由於將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的第2傳熱氣體流路，將傳熱氣體從前述傳熱氣體供給源暫時貯存到前述傳熱氣體貯槽，且將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體供給到載置台與被處理基板之間的空間，因此能以短時間來供給載置台與被處理基板之間的空間為設定壓力之量的傳熱氣體，且在來自傳熱氣貯槽的傳熱氣體供給後，由於可將大空間的傳熱氣體貯膜自第1傳熱氣體流路分離，因此可藉由在第1傳熱氣體流路設置PCV等的壓力檢測部，將載置台與被處理基板之間的空間迅速且正確保持在設定壓力。因而能達到縮短被處理基板的處理時間及提高處理品質。
 [用以實施發明的最佳形態]
以下，針對本發明之實施形態，邊參照所附圖面、邊做說明。
第1圖是有關本發明之基板處理裝置之一實施形態的電漿蝕刻裝置之概略剖面圖，第2圖是構成電漿蝕刻裝置之傳熱氣體供給機構的概略圖。
該電漿蝕刻裝置1，是作為對FPD用的玻璃基板(以下簡記為「基板」)G等施行蝕刻的電容耦合型平行板式電漿蝕刻裝置所構成。作為FPD舉例示範有液晶顯示器(LCD)、電激發光(Electro Luminescence；EL)顯示器、電漿顯示面板(PDP)等。電漿蝕刻裝置1具備作為收容基板G之處理容器的反應室2。反底室2，例如由表面為被陽極氧化處理(氧化鋁膜處理)的鋁所形成，且對應基板G的形成形成四角筒狀。
在反應室2內的底壁，設有作為載置基板G之載置台的晶座4。晶座4是對應基板G的形狀形成四角板狀或柱狀，具有：由金屬等之導電性材料所形成的基材4a、和由覆蓋基材4a之周緣的絕緣材料所形成的絕緣構件4b、和由設成覆蓋基材4a及絕緣構件4b的底部而支承該等的絕緣材料所成的絕緣構件4c。在基材4a連接有用以供給高頻電力的給電線23，在該給電線23連接有整合氣24及高頻電源25。由該高頻電源25將例如13.56MHz的高頻電力供給到晶座4，藉此讓晶座4構成作為下部電極的功能。又，在基材4a內裝有：用以吸附所載置的基板G之靜電吸附機構、和由用來調節所載置的基板G之溫度的冷媒流路等之冷卻手段等所形成的溫度調節機構(均未圖示)。
在基材4a的表面，係突起狀的形成有以介電質材料所形成的複數個凸部4d，該等凸部4d，成為周圍圍繞在絕緣構件4b的狀態。絕緣構件4b的上面與凸部4d的上端部是同高度，玻璃基板G被載置在晶座4上時，形成接觸到絕緣構件4b的上面與凸部4d的上端部之狀態。藉此，基板G載置在晶座4上時，在基板G與晶座4之間形成有空間D。
在前述反應室2的上部或上壁，與晶座4相對的方式設有將處理氣體供給到反應室2內並且作為上部電極功能的淋浴頭11。淋浴頭11在內部形成有使處理氣體擴散的氣體擴散空間12，並且在下面或與晶座4的相對面形成有用來吐出處理氣體的複數個吐出孔13。該淋浴頭11被接地，與晶座4一同構成一對平行板式電極。
在淋浴頭11的上面設有氣體導入口14，在該氣體導入口14連接有處理氣體供給管15，該處理氣體供給管15，經由閥16及質量流量控制器17而連接有處理氣體供給源18。由處理氣體供給源18供給為了蝕刻的處理氣體。作為處理氣體例如可使用鹵素系的氣體、O2 氣體、Ar氣體等，通常在此領域所用的氣體。
在前述反應室2的底壁連接有排氣管19，在該排氣管19連接有排氣裝置20，且設有未圖示的壓力調整閥。排氣裝置20具備渦輪分子幫浦等的真空幫浦，藉此構成在反應室2內進行排氣，並真空吸引至既定的減壓環境。在反應室2的側壁，形成有用來搬送基板G的搬出入口21，並且設有開閉該搬出入口21的柵閥22，構成在搬出入口21之打開時，藉由未圖示的搬送手段將基板G搬入/搬出到反應室內外。
在反應室2的底壁及晶座4，是例如在晶座4之周緣部位置隔著間隔形成複數個貫通該等的插通孔7。各插通孔7，是相對於晶座4的基板載置面可突出沉沒的插入有從下方支承基板G而昇降的頂料銷8。在各頂料銷8的下部形成有凸緣26，在各凸緣26連接有設成圍繞頂料銷8之可伸縮的軟管27之一端部(下端部)，該軟管27的另一端部(上端部)是連接在反應室2的底壁。藉此，軟管27是隨著頂料銷8的昇降而伸縮，並且加以密封插通孔7與頂料銷8的間隙。
在晶座4連接有確實的在所載置的基板G與調溫機構之間施行熱傳達，以該基板G調節到所要的溫度，將傳熱氣體供給到基板G與晶座4之空間的傳熱氣體供給機構3。傳熱氣體供給機構3具備：用以將傳熱氣體供給到空間D的傳熱氣體供給源30、和用以暫時貯存或填充來自傳熱氣體供給源30之傳熱氣體的兩個傳熱氣體貯槽31、32、和用以將傳熱氣體供給源30的傳熱氣體導入到傳熱氣體貯槽31、32，並且將傳熱氣體供給源30的傳熱氣體及傳熱氣體貯槽31、32的傳熱氣體導入到空間D的傳熱氣體管線33(傳熱氣體流路)。傳熱氣體供給源30及傳熱氣體貯槽31、32，是配置在反應室2外，傳熱氣體管線33，是以與空間D連通的方式，來貫通反應室2之底壁及晶座4而連接到該等。
傳熱氣體管線33具有：一端部連接到傳熱氣體供給源30、另一端部連通到空間D的第1傳熱氣體管線34(第1傳熱氣體流路)、和從第1傳熱氣體管線34分叉，各別連接到傳熱氣體貯槽31、32的第2傳熱氣體管線35、36(第2傳熱氣體流路)、和從第1傳熱氣體管線34分叉，用以排出第1傳熱氣體管線34內之傳熱氣體的傳熱氣體排出管線37。傳熱氣體排出管線37例如連接到排氣管19，構成將第1傳熱氣體管線34內的傳熱氣體輸送到排氣管19內。
在第1傳熱氣體管線34係在與第2傳熱氣體管線35、36之連接部(分叉部)更上流側設有壓力控制閥(PCV)38，且與第2傳熱氣體管線35、36之連接部更下流側設有閥34a。又，第2傳熱氣體管線35、36及傳熱氣體排出管線37，也各別設有閥35a、36a、37a。壓力控制閥38係具有用來檢測空間D及傳熱氣體管線33內之壓力的壓力檢測部，且構成根據藉由該壓力檢測部所檢測的檢測值，來調整傳熱氣體的流量。
電漿蝕刻裝置1的各構成部，係藉由具備微程式感測器(電腦)的製程控制器50來控制。在該製程控制器50連接有：由製程管理者用來管理電漿蝕刻裝置1，進行指令之輸入操作等的鍵盤或以可視化來顯示電漿蝕刻裝置1之作業狀況的顯示器等所形成的使用者介面51、和儲存有記憶著利用製程控制器50的控制來實現在電漿蝕刻裝置1所實行之處理的控制程式或處理條件資料等的記憶部52。而且配合需要，以來自使用者介面51的指示等，從記憶部52叫出任意的配方(recipe)，於製程控制器50來實行，並在製程控制器50的控制下，施行在電漿蝕刻裝置1的處理。又，前述配方例如利用儲存在CD－ROM、硬碟、快閃記憶體等之電腦可讀取的記憶媒體之狀態，或者也可利用由其他裝置，例如經由租用線(leased line)隨時進行傳送。
又，更具體是傳熱氣體供給機構3的壓力控制閥38及各閥34a、35a、36a、37a，係如第2圖所示，藉由連接到製程控制器50的使用者介面53來控制的構成。而且配合需要，以來自使用者介面51的指示等，讓製程控制器50從記憶部52叫出任意的配方，於元件控制器53來控制。
在此種構成的電漿蝕刻裝置1，首先藉由排氣裝置20在反應室2內進行排氣，在減壓的狀態下，基板G從打開的搬出入口21，利用未圖式的搬送手段被搬入的話，讓各頂料銷8上昇，藉由各頂料銷8從搬送手段來受取並支承基板G。搬送手段從搬出入口21退出到反應室2外的話，藉由柵閥22來閉塞搬出入口21，並且使各頂料銷8下降，使其沉入到晶座4的基板載置面，將基板G載置到晶座4。
閉塞搬出入口21，將基板G載置到晶座4的話，藉由質流量控制器17來調整，來自處理氣體供給源18之處理氣體的流量，同時經由處理氣體供給管15、氣體導入口14及淋浴頭11供給到反應室2內，並且藉由設置排氣管19的壓力調整閥，將反應室2內調整到既定的壓力，在此狀態下，將直流電壓施加在靜電吸附機構，使基板G吸附在晶座4。
此時，以藉由預先作動之內裝在晶座4的調溫機構，效率良好的對基板G進行溫度調節的方式，藉由傳熱氣體供給機構3將傳熱氣體供給到基板G與晶座4的空間D。在此的傳熱氣體之供給，是藉由打開閥34a及閥35a，在基板G之搬出入時事先釋放出從傳熱氣體供給源30填充到傳熱氣體貯槽31的傳熱氣體來進行。事先填充到傳熱氣體貯槽31的傳熱氣體之壓力P1 ，最好是傳熱氣體貯槽31的容量為a、由空間D以及傳熱氣體供給時在傳熱氣體管線33形成與空間D同壓的部分(主要是第1傳熱氣體供給管線34)所形成的傳熱氣體充滿空間的容量為x、所供給的傳熱氣體的設定壓力為P0 的話，滿足P1 ×a＝P0 ×(x＋a)之關係式的值。藉此，打開閥34a及閥35a時，可讓包含空間D的傳熱氣體充滿空間的傳熱氣體之壓力，瞬間達到設定壓力P0 或接近設定壓力P0 。在此之傳熱氣體的設定壓力P0 ，可設定為低於後述之電漿蝕刻處理時所供給的傳熱氣體之設定壓力P3 (例如400Pa(3 Torr))的壓力例如200Pa(1.5 Torr)。作為此情形的具體例，如果傳熱氣體充滿空間的容量x為0.91弱，傳熱氣體貯槽31的容量a為0.11，填充到傳熱氣體貯槽31的傳熱氣體之壓力P1 就可設定在1870Pa(14 Torr)左右。再者，只填充在傳熱氣體貯槽31的傳熱氣體，未達到設定壓力P0 的情形下，也可從傳熱氣體供給源30來供給填補傳熱氣體。包含空間D的傳熱氣體充滿空間的傳熱氣體之壓力以及填充到傳熱氣體貯槽31的傳熱氣體之壓力，可藉由壓力控制閥38來檢測。釋放出填充到傳熱氣體貯槽31的傳熱氣體之後，關上閥35a，藉此由於在設有壓力控制閥38的第1傳熱氣體管線34上，並不具有如傳熱氣體貯槽31、32那樣大的空間，因此壓力控制閥38可正確的檢測出傳熱氣體之壓力的微妙變化，而且可立刻根據該檢測值來調整來自傳熱氣體供給源30之傳熱氣體的供給量。
將傳熱氣體貯槽31的傳熱氣體供給到空間D之後，引起基板G缺損或位移，無法正常載置在晶座4的情形下，由於傳熱氣體會從基板G與晶座4的間隙漏出來，因此壓力檢測部的檢測值，係低於設定壓力例如200Pa(1.5 Torr)，或者來自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體之填補供給量比正常時還多。於是，從傳熱氣體貯槽31供給傳熱氣體之後，即可由壓力控制閥38的壓力檢測部之檢測值來判斷基板G載置到晶座4的狀態是否正常。
而且例如判斷壓力檢測部的檢測值在設定壓力或接近設定壓力很穩定，且基板G載置到晶座4的狀態為正常的情形下，從高頻電源25經由整合器24對晶座4施加高頻電力，使作為下部電極的晶座4與作為上部電極的淋浴頭11之間產生高頻電場，讓反應室2內的處理氣體電漿化。又此時打開閥36a，進一步釋放出事先從傳熱氣體供給源30填充到傳熱氣體貯槽32的傳熱氣體。事先填充到傳熱氣體貯槽32的傳熱氣體之壓力P2 ，最好是傳熱氣體貯槽32的容量為b、傳熱氣體的設定壓力為P3 的話，滿足P2 ×b＝(P3 －P0 )×(x＋b)之關係式的值。藉此，打開閥36a時，可讓包含空間D的傳熱氣體充滿空間的傳熱氣體之壓力，瞬間達到設定壓力P3 (例如400Pa(3 Torr))或接近設定壓力P3 。作為具體範例，如果包含空間D的傳熱氣體充滿空間的容量x為0.91弱，傳熱氣體貯槽32的容量b為0.11的話，填充到傳熱氣體貯槽32的傳熱氣體之壓力P2 就可設定在1870Pa(14 Torr)左右。再者，釋放出填充到傳熱氣體貯槽32的傳熱氣體，關上閥36a之後，包含空間D的傳熱氣體充滿空間的傳熱氣體之壓力並未達到設定壓力P3 的情形下，以形成設定壓力P3 的方式，從傳熱氣供給源30來供給傳熱氣體。在該狀態下，藉由處理氣體的電漿對基板G施行蝕刻處理。
另一方面，壓力檢測部的檢測值慢慢下降到比設定壓力還低，或者來自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體比正常時還要多，在判斷對基板G載置到晶座4的狀態為異常時，在經由使用者介面51提出警告等的訊息之後，將基板G載置到晶座4的狀態修正到正常之後，對晶座4施加高頻電力以及從傳熱氣體貯槽32進行傳熱氣體的供給。
對基板G施行蝕刻處理的話，即停止從高頻電源25施加高頻電力，並且停止處理氣體及傳熱氣體的供給，打開閥37a將傳熱氣體經由傳熱氣體排出管線37來排出。進而，解除靜電吸附機構的基板G的吸附，且對基板G施行除電處理。其次，藉由柵閥22打開搬出入口21，並且使頂料銷8上昇，讓基板G從晶座4離開上方。然後，未圖示的搬送機構從搬入出口21進入到反應室2內的話，使頂料銷8下降，將基板G移換到搬送機構。然後，基板G藉由搬送機構從搬出入口21被搬出到反應室2外。在基板G搬出入之際，將來自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體，以既定的壓力填充到傳熱氣體貯槽31、32。
再者，在本實施形態，雖然應用於在電漿蝕處理前，對空間D供給比所要的設定壓力還低的傳熱氣體的傳熱氣體貯槽為符號31，其次，應用於在電漿蝕處理時，對空間D供給所要的設定壓力的傳熱氣體的傳熱氣體貯槽為符號32，但該等可以替換使用。
在本實施形態是由：將供來自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體導入到事先貯存的傳熱氣體貯槽31、32，並且將來自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體以及貯存在傳熱氣體貯槽31、32的傳熱氣體導入到晶座4與基板G之間的空間D的傳熱氣體管線33，一端連接到傳熱氣體供給源30、另一端連接到空間D的第1傳熱氣體管線34、和從第1傳熱氣體管線34分叉各別連接到傳熱氣體貯槽31、32的第2傳熱氣體管線35、36所構成，且即使為了將經由第1傳熱氣體管線34及第2傳熱氣體管線35、36，從傳熱氣體供給源30填充到傳熱氣體貯槽31、32的傳熱氣體供給到空間D，且配合需要，經由第1傳熱氣體管線34將來自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體供給到空間D，藉由設置在晶座4之上面的凸部4d，在晶座4與基板G之間形成有較大空間D的情形下，亦能在短時間來供給該空間D為設定壓力之量的傳熱氣體。而且，由於能關上設置在第2傳熱氣體管線35、36的閥35a、36a，就大空間的傳熱氣體貯槽31、32，自第1傳熱氣體管線34隔絕，因此可藉由設置在第1傳熱氣體管線的壓力控制閥38，正確的保持傳熱氣體的壓力。因而能縮短基板G的處理時間，並且提高基板G的處理品質。
又，在本實施形態，由於將壓力控制閥38設置在比與第1傳熱氣體管線34之第2傳熱氣體管線35、36之連接部更上流側，因此可藉由該壓力檢測閥38，來檢測空間D及包含第1傳熱氣體管線34的傳熱氣體充滿空間的壓力，並且檢測事先填充在傳熱氣體貯槽31、32的傳熱氣體的壓力。
又，在本實施形態，於電漿蝕刻處理前，供給壓力控制御閥38之壓力檢測部的檢測值成為低於電漿蝕刻處理時之設定壓力值例如400Pa(3 Torr)的值例如200Pa(1.5 Torr)之量的傳熱氣體，由壓力檢測部的檢測值來判斷基板G載置到晶座4的狀態是否正常，在判斷載置狀態為正常的情形下，由於供給壓力檢測部的檢測值成為設定壓力值例如400Pa(3 Torr)之量的傳熱氣體，並且進行電漿蝕刻處理，因此基板G載置到晶座4的狀態依然是異常，還是能防止基板G進行電漿蝕刻處理的事態，且可防止裝置內零件例如晶座4的破損，並提高基板G的處理效率。進而，在本實施形態，由於設置兩個傳熱氣體貯槽31、32，利用傳熱氣體貯槽31來進行供給用以判斷電漿蝕刻處理前之基板G的載置狀態之傳熱氣體，且利用傳熱氣體貯槽32來進行供給電漿蝕刻處理時的傳熱氣體，因此電漿蝕刻處理前之傳熱氣體的供給以及電漿蝕刻處理時之傳熱氣體的供給都能迅速的進行。
其次，使用本實施形態的電漿蝕刻裝置1，在基板G載置在晶座4的狀態，自對內裝在晶座4內的靜電吸附機構施加直流電壓的時點起，將填充到傳熱氣體供給機構3的傳熱氣體貯槽31之傳熱氣體供給到基板G與晶座4之間的空間D，且測定至供給的傳熱氣體之壓力穩定於設定壓力程度之時點止的時間(以下記載為穩定時間)。在傳熱氣體供給時充滿傳熱氣體的空間D以及傳熱氣體管線33內的合計容量x為0.91弱，傳熱氣體的設定壓力P1 為200Pa(1.5 Torr)。而且，根據P1 ×a＝P0 ×(x＋a)的關係式，針對傳熱氣體貯槽31的容量a為0.251，且傳熱氣體貯槽31之傳熱氣體的填充壓P1 為930Pa(7 Torr)的情形和傳熱氣體貯槽31的容量a為0.11，且傳熱氣體貯槽31之傳熱氣體的填充壓P1 為1870Pa(14 Torr)的情形分別來進行測定。又，作為比較例，如第3圖所示，將來自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體，利用經由供給管線A供給到空間D的傳熱氣體供給機構B來進行計測。再者，供給管線A大致等於第1供給管線34的空量。測定結果分別表示在第4圖(a)~(c)。
在設置在本實施形態之電漿處理裝置1的傳熱氣體供給機構3，在傳熱氣體貯槽31的容量a為0.251，且傳熱氣體貯槽31之傳熱氣體的填充壓P1 為930Pa(7 Torr)的情形下，如第4圖(a)所示，穩定時時約為10.5秒，傳熱氣體貯槽31的容量a為0.11，且傳熱氣體貯槽31之傳熱氣體的填充壓P1 為1870Pa(14 Torr)的情形下，如第4圖(b)所示，穩定時時約為8.5秒。對此，在比較例的傳熱氣體供給機構B，如第4圖(c)所示，穩定時間為16秒。亦即，藉由使用傳熱氣體供給機構3，與使用習知型的傳熱氣體供給機構B的情形做比較，確認可大幅縮短傳熱氣體之供給壓保持在設定壓力為止的時間，亦即基板G的處理時間。又，藉由傳熱氣體貯槽31的容量變得更小，並提高傳熱氣體的填充壓力，確認能進一步縮短傳熱氣體之供給壓保持在設定壓力為止的時間。
其次，針對傳熱氣體供給機構3的變形例做說明。
第5圖是表示傳熱氣體供給機構3的第1變形例之圖。
在傳熱氣體供給機構3，如前述，雖然將從第1傳熱氣體管線34分叉的第2傳熱氣體管線35、36，設置成一端連接到傳熱氣體貯槽31、32，但並不限於此，如第5圖所示，也可將第2傳熱氣體管線35、36，設置成兩端從第1傳熱氣體管線34分叉，在中間部連接有傳熱氣體貯槽31、32。此情形下，分別在比第2傳熱氣體管線35(36)的傳熱氣體貯槽31更上流側及下流側設有閥35d(36d)、35e(36e)，分別在傳熱氣體貯槽31、32設有用來計測填充於該傳熱氣體貯槽31、32的傳熱氣體之壓力的壓力計等之壓力檢測手段31a、32a。又，壓力控制閥38，是以能定位在第2傳熱氣體管線35、36的上流側端部與下流側端部之間的方式，設置在第1傳熱氣體管線34。此情形下，由於第2傳熱氣體管線35、36各別具有分別將第1傳熱氣體管線34的傳熱氣體導入到傳熱氣體貯槽31、32的上流側管線35b、36b(上流側流路)、和將填充到傳熱氣體貯槽31、32的傳熱氣體導入到第1傳熱氣體管線34的下流側管線35c、36c(下流側流路)，因此將填充到傳熱氣體貯槽31、32的傳熱氣體經由下流側管線35c、36c供給到空間D之後，可在關上閥35e、36e，藉由壓力控制閥38保持空間D之壓力的期間，將來自傳熱氣體供給源30的傳熱氣體經由上流側管線35b、36b填充到傳熱氣體貯槽31、32。亦即，即使在基板G之處理時，亦可再度對傳熱氣體貯槽31、32填充傳熱氣體。因而，不必在基板G之搬出入時對傳熱氣體貯槽31、32進行傳熱氣體的填充，可縮短處理基板間的間隔(interval)，進一步提高生產量。再者，在此，雖然是讓上流側管線35b、36b合流而連接到第1傳熱氣體管線34，但可各自連接到第1傳熱氣體管線34。又，也可讓下流側管線35c、36c合流而連接到第1傳熱氣體管線34。
第6圖是表示傳熱氣體供給機構3的第2變形例之圖。
又，在傳熱氣體供給機構3，如第6圖所示，亦可只一個傳熱氣體貯槽31及一條第2傳熱氣體管線35，且將第2傳熱氣體管線35，設置成兩端從第1傳熱氣體管線34分叉，在中間部連接有傳熱氣體貯槽31。此情形下亦個別具有將第1傳熱氣體管線34的傳熱氣體導入到傳熱氣體貯槽31的上流側管線35b、和將填充到傳熱氣體貯槽31的傳熱氣體導入到第1傳熱氣體管線34的下流側管線35c。因而，能藉由一個傳熱氣體貯槽31來進行電漿蝕刻處理前之傳熱氣體的供給及電漿蝕刻處理時之傳熱氣體的供給，藉此可達到裝置簡化，並進一步提高生產量。
以上，雖是說明本發明之最佳實施形態，但本發明並不限於上述實施形態，可為各種變形。在上實施形態，雖是將檢測基板與晶座之間的空間及傳熱氣體管線內的壓力之壓力檢測部，設置在比與第1傳熱氣體管線的第2傳熱氣體管線或下流側管線之分叉部更上流側，但並不限於此，也可將壓力檢測部設置比與第1傳熱氣體管線的第2傳熱氣體管線或下流側管線之分叉部更上流側又，在上實施形態，雖是針對適用於對下部電極施加高頻電力的RIE型之電容耦合型平板電漿蝕刻裝置的範例做說明，但並不限於此，可適用於灰化、CVD成膜等的其他電漿處理裝置，進而也可適用於將基板載置在載置台來進行處理的電漿刻處理裝置以外的整個基板處理裝置。又，在上述實施形態，雖是針對應用於FPD用的玻璃基板之範例做說明，但並不限於此，可適用於半導體基板等的整個基板。
1．．．電漿蝕刻裝置(基板處理裝置、電漿處理裝置)
2．．．反應室(處理容器)
3．．．傳熱氣體供給機構
4．．．晶座(載置台)
15．．．處理氣體供給管
18．．．處理氣體供給源
19．．．排氣管
20．．．排氣裝置
25．．．高頻電源
30．．．傳熱氣體供給源
31、32．．．傳熱氣體貯槽
33．．．傳熱氣體管線(傳熱氣體流路)
34．．．第1傳熱氣體管線(第1傳熱氣體流路)
35、36．．．第2傳熱氣體管線(第2傳熱氣體流路)
35b、36b．．．上流側管線(上流側流路)
35c、36c．．．下流側管線(下流側流路)
38．．．壓力控制閥
50．．．製程控制器
51．．．使用者介面
52．．．記憶部
53．．．元件控制器
G．．．玻璃基板(被處理基板)
第1圖是有關本發明的基板處理裝置之一實施形態的電漿蝕刻處理裝置之概略剖面圖。
第2圖是構成電漿蝕刻處理裝置之傳熱氣體供給機構的概略圖。
第3圖是習知型的傳熱氣體供給機構的概略圖。
第4圖是表示藉由本實施形態之傳熱氣體供給機構及習知型的傳熱氣體供給機構來供給傳熱氣體時，保持到既定壓力為止的間時之計測結果的圖。
第5圖是表示傳熱氣體供給機構的第1變形例之圖。
第6圖是表示傳熱氣體供給機構的第2變形例之圖。
2．．．反應室(處理容器)
3．．．傳熱氣體供給機構
4．．．晶座(載置台)
4a．．．基材
4b、4c．．．絕緣構件
4d．．．凸部
30．．．傳熱氣體供給源
31、32．．．傳熱氣體貯槽
33．．．傳熱氣體管線(傳熱氣體流路)
34．．．第1傳熱氣體管線(第1傳熱氣體流路)
35、36．．．第2傳熱氣體管線(第2傳熱氣體流路)
34a~37a．．．閥
37．．．傳熱氣體排出管線
38．．．壓力控制閥
50．．．製程控制器
53．．．元件控制器
D．．．空間
G．．．玻璃基板(被處理基板)

Claims (12)

  1. 一種傳熱氣體供給機構，係以載置在處理容器內的載置台之狀態下，將傳熱氣體以施行既定處理的被處理基板能進行溫度調節的方式，供給到前述載置台與被處理基板之間的空間的傳熱氣體供給機構，其特徵為：具備：用以將傳熱氣體供給到前述空間的傳熱氣體供給源、和用以暫時貯存來自前述傳熱氣體供給源之傳熱氣體的傳熱氣體貯槽、和一端連接到前述傳熱氣體供給源、另一端連接到前述空間，且將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導入到前述空間的第1傳熱氣體流路、和從前述第1傳熱氣體流路分叉並連接到前述傳熱氣體貯槽，且將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽，將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的第2傳熱氣體流路、和設在前述第2傳熱氣體流路，可隔絕前述第1傳熱氣體流路與前述傳熱氣體貯槽的閥、和設在比前述第1傳熱氣體流路與前述第2傳熱氣體流路的分歧部更上流側，檢測出前述空間及前述傳熱氣體流路內的壓力的壓力檢測部、和根據前述壓力檢測部的檢測值來調整流量的流量調整閥，讓傳熱氣體從前述傳熱氣體供給源暫時貯存到前述傳熱氣體貯槽，貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體會供給 到前述空間之後，關閉設在前述第2傳熱氣體流路的前述閥，隔絕前述第1傳熱氣體流路及前述傳熱氣體貯槽，藉此不經由前述傳熱氣體貯槽，從前述傳熱氣體供給源至前述空間，根據前述壓力檢測部的檢測值，藉由前述流量調整閥來一面調整流量一面供給前述傳熱氣體。
  2. 一種基板處理裝置，係具備：收容被處理基板的處理容器、和設置在前述處理容器內，載置有被處理基板的載置台、和對於被載置在前述載置台的被處理基板施行既定處理的處理機構、和至少在藉由前述處理機構的處理時，將傳熱氣體以調節被處理基板之溫度的方式，供給到形成在前述載置台與被處理基板之間的調溫空間的傳熱氣體供給機構之基板處理裝置，其特徵為：前述傳熱氣體供給機構具備：用以將傳熱氣體供給到前述空間的傳熱氣體供給源、和用以暫時貯存來自前述傳熱氣體供給源之傳熱氣體的傳熱氣體貯槽、和一端連接到前述傳熱氣體供給源、另一端連接到前述空間，將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導入到前述空間的第1傳熱氣體流路、和從前述第1傳熱氣體流路分叉並連接到前述傳熱氣體貯槽，將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽，且將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的第2傳熱氣體流路、和 設在前述第2傳熱氣體流路，可隔絕前述第1傳熱氣體流路與前述傳熱氣體貯槽的閥、和設在比前述第1傳熱氣體流路與前述第2傳熱氣體流路的分歧部更上流側，檢測出前述空間及前述傳熱氣體流路內的壓力的壓力檢測部、和根據前述壓力檢測部的檢測值來調整流量的流量調整閥，讓傳熱氣體從前述傳熱氣體供給源暫時貯存到前述傳熱氣體貯槽，貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體會供給到前述空間之後，關閉設在前述第2傳熱氣體流路的前述閥，隔絕前述第1傳熱氣體流路及前述傳熱氣體貯槽，藉此不經由前述傳熱氣體貯槽，從前述傳熱氣體供給源至前述空間，根據前述壓力檢測部的檢測值，藉由前述流量調整閥來一面調整流量一面供給前述傳熱氣體。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載的基板處理裝置，其中，具備根據前述壓力檢測部的檢測值來控制前述處理機構及前述傳熱氣體供給機構的控制部，前述控制部在藉由前述處理機構之處理前，將設定成前述壓力檢測部的檢測值低於前述既定值之值的量的傳熱氣體，藉由前述傳熱氣體供給機構來供給，並由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，在判斷載置狀態為正常的情形下，將前述壓力檢測部的檢測值成為前述既定值之量的傳熱氣體，藉由前述傳熱 氣體供給機構來供給，並且藉由前述處理機構來處理被處理基板。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載的基板處理裝置，其中，設置兩個前述傳熱氣體貯槽，前述控制部在藉由前述處理機構之處理前，供給貯存在前述一方之傳熱氣體貯槽的傳熱氣體，由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，在判斷載置狀態為正常的情形下，使供給被貯存於前述另一方的傳熱氣體貯槽的傳熱氣體之後，使供給來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體，且藉由前述處理機構來使處理被處理基板。
  5. 如申請專利範圍第3項所記載的基板處理裝置，其中，前述第2傳熱氣體流路個別具有：供將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽的流路、和供將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的流路，前述閥係分別設在用以將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體引導至前述傳熱氣體貯槽的流路及用以將被貯存於前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體引導至前述第1傳熱氣體流路的流路，前述控制部在藉由前述處理機構之處理前，供給貯存 在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體，由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，並且再度將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體貯存到前述傳熱氣體貯槽，在判斷載置狀態為正常的情形下，使供給再度被貯存於前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體之後，使供給來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體，且藉由前述處理機構來使處理被處理基板。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載的基板處理裝置，其中，前述處理機構具有：對前述處理容器內供給處理氣體的處理氣體供給機構、和在前述處理容器內進行排氣的排氣機構、和在前述處理容器內產生前述處理氣體之電漿的電漿產生機構，對被處理基板施行電漿處理。
  7. 一種傳熱氣體供給方法，係以載置在處理容器內的載置台之狀態下，將傳熱氣體以施行既定處理的被處理基板能進行溫度調節的方式，供給到前述載置台與被處理基板之間的空間的傳熱氣體供給方法，其特徵為：準備：用以將傳熱氣體供給到前述空間的傳熱氣體供給源、和用以暫時貯存來自前述傳熱氣體供給源之傳熱氣體的傳熱氣體貯槽、和一端連接到前述傳熱氣體供給源、另一端連接到前述空間，且將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導入到前 述空間的第1傳熱氣體流路、和從前述第1傳熱氣體流路分叉並連接到前述傳熱氣體貯槽，且將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽，將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的第2傳熱氣體流路、和設在前述第2傳熱氣體流路，可隔絕前述第1傳熱氣體流路與前述傳熱氣體貯槽的閥、和設在比前述第1傳熱氣體流路與前述第2傳熱氣體流路的分歧部更上流側，檢測出前述空間及前述傳熱氣體流路內的壓力的壓力檢測部、和根據前述壓力檢測部的檢測值來調整流量的流量調整閥，讓傳熱氣體從前述傳熱氣體供給源暫時貯存到前述傳熱氣體貯槽，貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體會供給到前述空間之後，關閉設在前述第2傳熱氣體流路的前述閥，隔絕前述第1傳熱氣體流路及前述傳熱氣體貯槽，藉此不經由前述傳熱氣體貯槽，從前述傳熱氣體供給源至前述空間，根據前述壓力檢測部的檢測值，藉由前述流量調整閥來一面調整流量一面供給前述傳熱氣體。
  8. 一種基板處理方法，係包含：將被處理基板收容到處理容器，且載置於設置在該處理容器內的載置台之製程、和對於被載置在前述載置台的被處理基板施行既定處理之製程、和至少在前述既定處理製程，將傳熱氣體以能調節被處理基板之溫度的方式，供給到前述載置台與被處理基板之間的空間之製程的基板處理方法，其特徵為： 在前述傳熱氣體供給製程準備：用以將傳熱氣體供給到前述空間的傳熱氣體供給源、和用以暫時貯存來自前述傳熱氣體供給源之傳熱氣體的傳熱氣體貯槽、和一端連接到前述傳熱氣體供給源、另一端連接到前述空間，將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體導入到前述空間的第1傳熱氣體流路、和從前述第1傳熱氣體流路分叉並連接到前述傳熱氣體貯槽，將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽，且將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的第2傳熱氣體流路、和設在前述第2傳熱氣體流路，可隔絕前述第1傳熱氣體流路與前述傳熱氣體貯槽的閥、和設在比前述第1傳熱氣體流路與前述第2傳熱氣體流路的分歧部更上流側，檢測出前述空間及前述傳熱氣體流路內的壓力的壓力檢測部、和根據前述壓力檢測部的檢測值來調整流量的流量調整閥，讓傳熱氣體從前述傳熱氣體供給源暫時貯存到前述傳熱氣體貯槽，將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體供給到前述空間之後，關閉設在前述第2傳熱氣體流路的前述閥，隔絕前述第1傳熱氣體流路及前述傳熱氣體貯槽，藉此不經由前述傳熱氣體貯槽，從前述傳熱氣體供給源至前述空間，根據前述壓力檢測部的檢測值，藉由前述流量調整閥來一面調整流量一面供給前述傳熱氣體。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載的基板處理方法，其中， 前述傳熱氣體供給製程，在前述既定處理製程前，供給設定成前述壓力檢測部的檢測值低於前述既定值之值的量的傳熱氣體，並由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，在判斷載置狀態為正常的情形下，在前述既定處理製程時，供給因前述壓力檢測部所致的檢測值為前述既定值之量的傳熱氣體。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載的基板處理方法，其中，在前述傳熱氣體供給製程，設置兩個前述傳熱氣體貯槽，在前述既定處理製程前，供給貯存在前述一方之傳熱氣體貯槽的傳熱氣體，由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，在判斷載置狀態為正常的情形下，在前述既定處理製程時，供給被貯存於前述另一方的傳熱氣體貯槽的傳熱氣體之後，供給來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體。
  11. 如申請專利範圍第9項所記載的基板處理方法，其中，在前述傳熱氣體供給製程，前述第2傳熱氣體流路個別具有：供將前述第1傳熱氣體流路的傳熱氣體導入到前述傳熱氣體貯槽的流路、和供將貯存在前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體導入到前述第1傳熱氣體流路的流路，在前述既定處理製程前，供給貯存在前述傳熱氣體貯 槽的傳熱氣體，由前述壓力檢測部的檢測值來判斷基板載置到前述載置台的狀態是否正常，並且再度將來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體貯存到前述傳熱氣體貯槽，在判斷載置狀態為正常的情形下，在前述既定處理製程時，供給再度被貯存於前述傳熱氣體貯槽的傳熱氣體之後，供給來自前述傳熱氣體供給源的傳熱氣體。
  12. 一種電腦可讀取的記憶媒體，係記憶著在電腦執行動作的控制程式之電腦可讀取的記憶媒體，其特徵為：前述控制程式是在實行時，以執行如申請專利範圍第8項至第11項中任一項所記載的基板處理方法的方式，讓電腦來控制處理裝置。
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