JP3225350U - 圧力調整装置及び半導体製造システム - Google Patents

圧力調整装置及び半導体製造システム Download PDF

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Abstract

【課題】圧力調整装置及び半導体システムを提供する。【解決手段】圧力調整装置は、半導体製造システムにおける半導体製造台の管路内の圧力を調整し、吸引ポンプによって半導体機械内の管路圧力を低下させることで、管路が破損した時の液体漏れを予防でき、圧力調整装置は、管路の圧力変化を定期的に記録することで、操作者は管路が破損したかどうかを判断、又は製造歩留まりの低下原因を分析することができる。【選択図】図1

Description

本考案は、圧力調整装置及び半導体製造システム、特に半導体製造台の管路内圧力を調整する圧力調整装置及びその半導体製造システムに関する。
半導体素子のサイズは小さくなり続けているため、半導体素子のプロセスパラメータに対する要求もますます厳しくなっている。温度は重要なプロセスパラメータの1つであり、例えば、半導体機械の温度又は化学薬剤の温度が挙げられる。各温度パラメータを精度よく制御するために、特定の温度の液体を半導体機械又は化学薬剤に通して、半導体機械又は化学薬剤の温度の安定を維持しなければならない。しかし、特定の温度の液体を送液する管路は、破損によって液体漏れを生じる可能性があり、その漏れた液体が製造途中の半導体素子を汚染することで、製造歩留まりの低下を招く。また現在、管路の破損状況を適切に監視する対策が不足しているため、操作者は、系統的な方法によって製造歩留まりの低下原因を調べることができない。
それに鑑みて、液体漏れによる半導体素子の汚染を予防し、且つ漏れを検出して操作者に通知することは、今の努力目標である。
本考案の圧力調整装置及び半導体製造システムは、吸引ポンプによって半導体機械の作業エリア内の管路圧力を低下させることで、管路が破損した時の液体漏れを予防する。さらに管路の圧力変化を記録することで、操作者は製造歩留まりの低下原因を調べて改善ができる。
本考案の圧力調整装置は、半導体製造システムにおける半導体製造台の管路内の圧力を調整する。半導体製造システムは、管路に接続して液体を半導体製造台に供給する液体供給源を備える。圧力調整装置は、吸引ポンプ、圧力検出器、保存ユニット、及び制御ユニットを備える。吸引ポンプは、半導体製造台の下流側に設け、管路に接続して管路内の液体を吸引する。圧力検出器は、半導体製造台と吸引ポンプの間に設け、半導体製造台と吸引ポンプの間の管路の圧力値を検出する。保存ユニットは、圧力検出器で検出した圧力値を保存する。制御ユニットは、吸引ポンプ、圧力検出器、保存ユニット及び液体供給源と電気接続され、吸引ポンプの回転数を制御して管路内の圧力を調整し、圧力検出器で検出した圧力値及びその対応タイムスタンプを定期的に記録して保存ユニットに保存する。且つ圧力検出器で検出した圧力値が異常となる場合、液体供給源の液体出力量を調整して対応する警告信号を出力する。
本考案他の実施例の半導体製造システムは、半導体製造台、液体供給源及び圧力調整装置を備える。半導体製造台は、半導体製造プロセスを行う作業エリアを有する。液体供給源は、管路を介して半導体製造台に接続され、液体はその管路を介して半導体製造台の作業エリアに供給される。圧力調整装置は、吸引ポンプ、圧力検出器、保存ユニット、及び制御ユニットを備える。吸引ポンプは、半導体製造台の下流側に設け、管路に接続して管路内の液体を吸引する。圧力検出器は、半導体製造台と吸引ポンプの間に設け、半導体製造台と吸引ポンプの間の管路の圧力値を検出する。保存ユニットは、圧力検出器で検出した圧力値を保存する。制御ユニットは、吸引ポンプ、圧力検出器、保存ユニット及び液体供給源と電気接続され、吸引ポンプの回転数を制御して管路内の圧力を調整し、圧力検出器で検出した圧力値及びその対応タイムスタンプを定期的に記録して保存ユニットに保存する。且つ圧力検出器で検出した圧力値が異常となる場合、液体供給源の液体出力量を調整して対応する警告信号を出力する。
以下、具体的な実施例及び図面を開示しながら本考案の目的、技術的な内容、特徴及びその効果を詳しく説明する。
本考案の実施例の半導体製造システム及び圧力調整装置を示す模式図である。 本考案の他の実施例の半導体製造システム及び圧力調整装置を示す模式図である。
以下、例示として図面を開示しながら本考案の各実施例を詳しく説明する。本考案は、その他の実施例によって実施できる。すべての実施例の簡単な置換、改良、及び均等的な変更は、本考案の範囲に含む。本考案の範囲は、請求の範囲によって決められる。明細書において、より理解しやすいように特定の詳細内容を多く開示したが、本考案は、その部分又は全部を省略した前提で実行できる。また、本考案の不必要な限定を避けるために、公知の工程又は素子に対して詳しく説明していない。図面において、同じ又は類似の素子は同じ又は類似の符号で示される。留意すべきことは、図面はあくまで例示として開示され、素子の実際のサイズ又は数量は図面に限定されていない。図面を簡潔にするために、一部の内容が詳しく描かれていない場合もある。
本考案の実施例の圧力調整装置は、調整半導体製造システムにおける半導体製造台の管路内の圧力を調整する。図1において、半導体製造システムは、半導体製造台10及び液体供給源20を備える。半導体製造台10は作業エリア11を有する。半導体素子は、作業エリア11内で露光、現像、及びエッチング等の半導体製造プロセスを行う。液体供給源20は、管路12を介して半導体製造台10に接続され、液体供給源20から送液された液体は管路12を介して半導体製造台10の作業エリア11に供給される。例えば、液体供給源20は、所定の温度の液体を提供することで、作業エリア11内の操作温度又は化学薬剤の温度を安定させる。
1つの実施例において、液体供給源20は、熱交換器21、出力ポンプ22及び液体貯蔵タンク23を備える。出力ポンプ22は、液体貯蔵タンク23と熱交換器21の間に設け、液体を液体貯蔵タンク23から熱交換器21に送液して熱交換を行う。例えば、熱交換器21は、冷却水入口CWI及び冷却水出口CWOを有する。熱交換器21に入った液体は冷却水と熱交換を行うことで、液体を所定の温度に制御して半導体製造台10に出力する。
圧力調整装置30は、吸引ポンプ31、圧力検出器32、保存ユニット33及び制御ユニット34を備える。吸引ポンプ31は、半導体製造台10の下流側に設ける。即ち、吸引ポンプ31は、管路12における半導体製造台10を通った管路出力端に接続され、管路12内の液体を吸引する。1つの実施例において、吸引ポンプ31によって吸引した液体は液体貯蔵タンク23に戻される。液体貯蔵タンク23内の液体は、出力ポンプ22によって熱交換器21に送液されて熱交換を行った後、半導体製造台10に出力される。そのようにして、閉鎖された循環管路を形成する。
そして、圧力検出器32は、半導体製造台10と吸引ポンプ31の間に設け、半導体製造台10と吸引ポンプ32の間の管路12の圧力値を検出する。制御ユニット34は、吸引ポンプ31、圧力検出器32、保存ユニット33及び液体供給源20と電気接続される。制御ユニット34は、吸引ポンプ31の回転数を制御することで、管路12内の圧力を調整する。制御ユニット34は、圧力検出器32で検出した管路12の圧力値及びその対応タイムスタンプを定期的に記録して、保存ユニット33に保存する。また、圧力検出器32で検出した圧力値が異常となる場合、例えば測定した圧力値が設定値より低い場合、制御ユニット34は、液体供給源20の液体出力量を調整して警告信号を出力する。
上記構造によれば、本考案の圧力調整装置30は、吸引ポンプ31の回転数を調整することで、管路12内の圧力、特に作業エリア11の管路区間の圧力を制御できる。そのため、管路12が破損した時の液体漏れによる製造中の半導体素子の汚染を予防できる。例えば、制御ユニット34は、液体供給源20の液体出力量より吸引ポンプ31の吸引量の方が大きくなるように調整することで、管路12内の圧力を低下させる。1つの実施例において、管路12内の圧力は管路外側の圧力より低い。このようにすると、管路12が破損した時に、管路12内の液体が圧力調整装置30の吸引ポンプ31によって吸引されて液体貯蔵タンク23に戻り、液体漏れを防止できる。
また、圧力検出器32は検出した圧力値を定期的に記録するだけでなく、それに基づいて管路12が漏れているかどうかを判断できる。例えば、圧力検出器32で検出した圧力値が設定値より低い場合、制御ユニット34は、管路12が破損して液体漏れがあると判断する。その場合、制御ユニット34によって出力ポンプ22、即ち液体供給源20の出力を停止させ、警告信号を出力して、操作者に対応するように通知する。1つの実施例において、本考案の半導体製造システムは、保存ユニット33と電気接続されるコンピューター統合製造(Computer−Integrated Manufacturing、CIM)システム40を備える。コンピューター統合製造システム40は、保存ユニット33に保存された前記圧力値及びその対応タイムスタンプにアクセスし、それをデバッグ及びプロセスの改善の参考とする。例えば、コンピューター統合製造システム40は、制御ユニット34を介して保存ユニット33にアクセス、又は、その他の適切なアプリケーションプログラムインターフェイス(Application Programming Interface、API)によって直接に保存ユニット33にアクセスする。コンピューター統合製造システムは公知であるため、説明を省略する。
図1を参考しながら説明する。1つの実施例において、液体供給源20及び圧力調整装置30、並びに半導体製造台10の設置位置は、空間的に分離されている。例えば、半導体製造台10を相対的に清潔な空間内に設置し、液体供給源20及び圧力調整装置30を相対的に清潔ではない空間、又は異なる階に設置できる。コンピューター統合製造システム40は、操作者が容易に操作できる空間に設ける。
図2を参考しながら説明する。1つの実施例において、本考案の圧力調整装置30は、制御ユニット34と電気接続され、圧力検出器32で検出した圧力値及び警告信号を表示する表示パネル35をさらに備える。前記のように、圧力調整装置30は、半導体製造台10と空間的に分離されている位置に設けるため、好ましい実施例において、表示パネル35は、半導体製造台10端に設ける。即ち、表示パネル35は半導体製造台10に隣接する。このような設置にすると、操作者が半導体製造台10を操作する時に、圧力調整装置30の表示パネル35によって半導体製造台10内の管路12の圧力変化及び漏れているかどうかを確認できる。1つの実施例において、表示パネル35は、操作者が圧力調整装置30を操作する又は設定するためのタッチパネルである。
1つの実施例において、本考案の圧力調整装置30は、制御ユニット34と電気接続される警告ユニット36をさらに備える。警告ユニット36は、制御ユニット34から出力した電性警告信号を操作者が識別可能な警告信号に変換する。例えば、警告ユニット36は警報機又は警告灯等である。同様に、有効な警告効果を達成するために、警告ユニット36は半導体製造台10端に設ける。即ち、警告ユニット36は半導体製造台10に隣接してもよい。
1つの実施例において、本考案の圧力調整装置30から出力した警告信号は第1サブ警告信号及び第2サブ警告信号であり、それぞれ管路12内の異なる圧力範囲に対応する。例えば、過去のプロセス経験に基づいて、圧力検出器32が測定した圧力値が第1デフォルト値より低い場合、管路12の圧力が不安定、又は軽微な破損があるがプロセスに影響を与えないことを示す。即ち、管路12の圧力変化は、プロセスでは許容の範囲である。圧力調整装置30は、実行しているバッチプロセスが完了した後に液体供給源20の出力ポンプ22を停止すればよい。それによって、プロセス内の機械中止による大きな損失を避ける。前記時圧力調整装置30は、第1サブ警告信号、例えば黄色信号又はより低い音量の警告音を出力して、管路12の圧力が低下したがプロセスに影響は与えないことを操作者に通知する。圧力検出器32が測定した圧力値が持続的に低下して第2デフォルト値より低い場合、管路12に重度の破損があり直ちにプロセスに影響することを示す。圧力調整装置30は、直ちにプロセスを停止し、例えば液体供給源20の出力ポンプ22を停止することで、より大きな損失を予防できる。その場合、圧力調整装置30は、出力第2サブ警告信号、例えば赤色信号又はより大きい音量の警告音を出力して、適切な操作、例えば管路12のメンテナンスを行うべきことを操作者に通知する。
上記をまとめると、本考案の圧力調整装置及び半導体製造システムは、吸引ポンプによって半導体機械の作業エリア内の管路圧力を低下させることで、管路が破損した時の液体漏れを防止する。また、本考案の圧力調整装置は、管路の圧力変化を定期的に記録できるため、操作者は、管路の圧力変化データを分析することで、管路が破損したかどうかを判断でき、更に製造歩留まりの低下原因を調べてプロセスの改善ができる。
当業者が本考案の内容を理解及び実施できるように、上記実施例を開示して本考案の技術的な思想及び特徴を説明した。本考案は、それらに限定されていない。本考案の精神に基づいてなされた均等的な変更又は改良は、いずれも本考案の範囲に含む。
10 半導体製造台
11 作業エリア
12 管路
20 液体供給源
21 熱交換器
22 出力ポンプ
23 液体貯蔵タンク
30 圧力調整装置
31 吸引ポンプ
32 圧力検出器
33 保存ユニット
34 制御ユニット
35 表示パネル
36 警告ユニット
40 コンピューター統合製造システム
CWI 冷却水入口
CWO 冷却水出口

Claims (18)

  1. 半導体製造システムにおける半導体製造台の管路内の圧力を調整する圧力調整装置であって、
    前記半導体製造システムは、前記管路に接続して液体を前記半導体製造台に供給する液体供給源を備え、
    前記圧力調整装置は、吸引ポンプ、圧力検出器、保存ユニット、及び制御ユニットを備え、
    前記吸引ポンプは、前記半導体製造台の下流側に設け、前記管路に接続して前記管路内の前記液体を吸引し、
    前記圧力検出器は、前記半導体製造台と前記吸引ポンプの間に設け、前記半導体製造台と前記吸引ポンプの間の前記管路の圧力値を検出し、
    前記保存ユニットは、前記圧力検出器で検出した前記圧力値を保存し、
    前記制御ユニットは、前記吸引ポンプ、前記圧力検出器、前記保存ユニット、及び前記液体供給源と電気接続され、前記吸引ポンプの回転数を制御して前記管路内の前記圧力を調整し、前記圧力検出器で検出した前記圧力値及びその対応タイムスタンプを定期的に記録して前記保存ユニットに保存し、且つ前記圧力検出器で検出した前記圧力値が異常となる場合、前記液体供給源の液体出力量を調整して対応する警告信号を出力することを特徴とする、圧力調整装置。
  2. 前記保存ユニットは、コンピューター統合製造(Computer−Integrated Manufacturing、CIM)システムと電気接続され、
    前記コンピューターシステムは、前記圧力検出器で検出した前記圧力値及びその対応タイムスタンプにアクセスすることを特徴とする、請求項1に記載の圧力調整装置。
  3. 前記管路は閉鎖循環管路であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の圧力調整装置。
  4. 前記圧力調整装置及び前記半導体製造台の設置位置は空間的に分離されていることを特徴とする、請求項1から3何れかの一項に記載の圧力調整装置。
  5. 表示パネルをさらに備え、
    前記表示パネルは、前記半導体製造台端に設け、前記制御ユニットと電気接続され、前記圧力検出器で検出した前記圧力値及び前記警告信号を表示することを特徴とする、請求項1から4何れかの一項に記載の圧力調整装置。
  6. 前記表示パネルはタッチパネルを含むことを特徴とする、請求項5に記載の圧力調整装置。
  7. 警告ユニットをさらに備え、
    前記警告ユニットは、前記半導体製造台端に設け、前記制御ユニットと電気接続され、操作者識別可能な前記警告信号を生成することを特徴とする、請求項1から6何れかの一項に記載の圧力調整装置。
  8. 前記警告信号は第1サブ警告信号又は第2サブ警告信号であり、
    前記第1サブ警告信号は、前記圧力値が第1デフォルト値より低いことを示し、
    前記第2サブ警告信号は、前記圧力値が第2デフォルト値より低いことを示し、
    前記第2デフォルト値は、前記第1デフォルト値より低いことを特徴とする、請求項1から7何れかの一項に記載の圧力調整装置。
  9. 半導体製造台、液体供給源、及び圧力調整装置を備える半導体製造システムであって、
    前記半導体製造台は、半導体製造プロセスを行う作業エリアを有し、
    前記液体供給源は、管路を介して前記半導体製造台に接続され、液体は前記管路を介して前記半導体製造台の前記作業エリアに供給され、
    前記圧力調整装置は、吸引ポンプ、圧力検出器、保存ユニット、及び制御ユニットを備え、
    前記吸引ポンプは、前記半導体製造台の下流側に設け、前記管路に接続して前記管路内の前記液体を吸引し、
    前記圧力検出器は、前記半導体製造台と前記吸引ポンプの間に設け、前記半導体製造台と前記吸引ポンプの間の前記管路の圧力値を検出し、
    前記保存ユニットは、前記圧力検出器で検出した前記圧力値を保存し、
    前記制御ユニットは、前記吸引ポンプ、前記圧力検出器、前記保存ユニット及び前記液体供給源と電気接続され、前記吸引ポンプの回転数を制御して前記管路内の前記圧力を調整し、前記圧力検出器で検出した前記圧力値及びその対応タイムスタンプを定期的に記録して前記保存ユニットに保存し、且つ前記圧力検出器で検出した前記圧力値が異常となる場合、前記液体供給源の液体出力量を調整して警告信号を出力することを特徴とする、半導体製造システム。
  10. コンピューター統合製造システムをさらに備え、
    前記コンピューター統合製造システムは、前記保存ユニットと電気接続され、前記圧力検出器で検出した前記圧力値及びその対応タイムスタンプにアクセスすることを特徴とする、請求項9に記載の半導体製造システム。
  11. 前記圧力調整装置及び前記半導体製造台の設置位置は空間的に分離されていることを特徴とする、請求項9又は10に記載の半導体製造システム。
  12. 前記圧力調整装置は、表示パネルをさらに備え、
    前記表示パネルは、前記半導体製造台端に設け、前記制御ユニットと電気接続され、前記圧力検出器で検出した前記圧力値及び前記警告信号を表示することを特徴とする、請求項9から11何れかの一項に記載の半導体製造システム。
  13. 前記表示パネルはタッチパネルを含むことを特徴とする、請求項12に記載の半導体製造システム。
  14. 前記圧力調整装置は、警告ユニットを更に備え、
    前記警告ユニットは、前記半導体製造台端に設け、前記制御ユニットと電気接続され、操作者識別可能な前記警告信号を生成することを特徴とする、請求項9から13何れかの一項に記載の半導体製造システム。
  15. 前記警告信号は第1サブ警告信号又は第2サブ警告信号であり、
    前記第1サブ警告信号は、前記圧力値が第1デフォルト値より低いことを示し、
    前記第2サブ警告信号は、前記圧力値が第2デフォルト値より低いことを示し、
    前記第2デフォルト値は、前記第1デフォルト値より低いことを特徴とする、請求項9から14何れかの一項に記載の半導体製造システム。
  16. 前記管路は閉鎖循環管路であることを特徴とする、請求項9から15何れかの一項に記載の半導体製造システム。
  17. 前記液体供給源は、熱交換器、液体貯蔵タンク、及び出力ポンプを備え、
    前記熱交換器は、前記液体を所定の温度に制御し、
    前記液体貯蔵タンクは、前記圧力調整装置及び前記熱交換器に接続され、前記圧力調整装置によって吸引した前記液体を前記液体貯蔵タンクに戻し、
    前記出力ポンプは、前記液体貯蔵タンクと前記熱交換器の間に設け、前記液体を前記熱交換器に供給して熱交換を行った後、前記半導体製造台に供給することを特徴とする、請求項9から16何れかの一項に記載の半導体製造システム。
  18. 前記液体供給源及び前記半導体製造台の設置位置は空間的に分離されていることを特徴とする、請求項9から17何れかの一項に記載の半導体製造システム。
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