TW202340542A - 改變光微影圖案以調整電鍍均勻性的方法及設備 - Google Patents

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Abstract

用於電鍍基板的方法和設備結合數位光微影和來自電鍍製程的反饋的態樣，以基於晶粒圖案改善電鍍材料的特性。在一些實施例中，一種電鍍基板的方法可包括以下步驟：接收一晶粒設計，基於該晶粒設計針對一第一基板形成一第一光微影圖案，使用一數位光微影製程以該第一光微影圖案來圖案化該第一基板，使用一電鍍製程以在該第一基板上沉積材料，使用一計量製程來決定該第一基板上的該沉積材料的至少一個參數，及針對第二基板至少部分地基於由該數位光微影製程從該第一基板上的該計量製程直接接收的沉積材料的該至少一個參數以針對第二基板從該第一光微影圖案形成一第二光微影圖案。

Description

改變光微影圖案以調整電鍍均勻性的方法及設備
本原理的實施例一般係關於半導體基板的半導體處理。
設計晶粒，以及接著將晶粒的多個圖案複製（copy）到基板。通常，晶粒圖案不會完全填滿基板的可用表面積。當基板進行電鍍製程時，沉積的電鍍材料的厚度可能會因基板上的下層（underlying）晶粒圖案而異。在傳統製程中，晶粒圖案或所謂的虛擬圖案的額外複本可放置在基板的未使用區域，以增加電鍍的均勻性。然而，發明人已經觀察到，虛擬圖案可能不會產生電鍍厚度的最佳均勻性，且對於傳統的基於步進機（stepper-based）的光微影製程來說生產成本很高。
因此，發明人提供了改善電鍍厚度均勻性的方法和設備。
本文提供用於基於計量資料改變電鍍厚度均勻性的方法和設備。
在一些實施例中，一種電鍍基板的方法可包括以下步驟：接收一晶粒設計，基於該晶粒設計針對一第一基板形成一第一光微影圖案，使用一數位光微影製程以該第一光微影圖案來圖案化該第一基板，使用一電鍍製程以一第一電鍍沉積均勻性在該第一基板上沉積材料，使用一計量製程來決定該第一基板上的沉積材料的至少一個參數，及至少部分地基於來自該第一基板上的該計量製程的沉積材料的該至少一個參數改變該第一光微影圖案以形成一第二光微影圖案，該第二光微影圖案針對第二基板將第一電鍍沉積均勻性調整為電鍍製程的第二電鍍沉積均勻性。
在一些實施例中，該方法可進一步包括以下步驟：使用基於與電鍍沉積相關聯的計量資料的一基板電鍍模型（model），以促進針對該第一基板形成該第一光微影圖案或針對該第二基板形成該第二光微影圖案，其中該基板電鍍模型包括在針對該第一基板形成該第一光微影圖案中或在針對該第二基板形成該第二光微影圖案中的該晶粒設計的圖案密度資料，在收到該晶粒設計之前，將來自電鍍製程的計量資料結合到該晶粒設計中，其中該第一光微影圖案包括主動式晶粒圖案（active die pattern）和一第一組虛擬圖案（dummy pattern），且該第二光微影圖案包括該等主動式晶粒圖案和一第二組虛擬圖案，該等主動式晶粒圖案和該第二組虛擬圖案相較於該第一基板改變該第二基板上的沉積材料的至少一個參數，其中該第一光微影圖案包括主動式晶粒圖案，且該第二光微影圖案包括具有在一不同定向上的至少一個主動式晶粒圖案的該等主動式晶粒圖案，該不同定向相較於該第一基板改變該第二基板上的沉積材料的至少一個參數，其中沉積材料的該至少一個參數是在該第一基板上的一特定位置處的沉積材料的一厚度，其中該第一光微影圖案或該第二光微影圖案具有與在該第一基板或該第二基板的一中心區域中使用的一圖案不同的一邊緣區域圖案，及/或基於該電鍍製程中使用的一電鍍浴的一電流來改變該第一光微影圖案或該第二光微影圖案。
在一些實施例中，一種非暫態電腦可讀取媒體，該非暫態電腦可讀取媒體具有儲存在其上的指令，當執行該等指令時，該等指令使得電鍍一基板的方法被施行，該方法可包括以下步驟：接收一晶粒設計，基於該晶粒設計針對一第一基板形成一第一光微影圖案，使用一數位光微影製程以該第一光微影圖案來圖案化該第一基板，使用一電鍍製程以一第一電鍍沉積均勻性在該第一基板上沉積材料，使用一計量製程來決定該第一基板上的沉積材料的至少一個參數，及至少部分地基於來自該第一基板上的該計量製程的沉積材料的該至少一個參數改變該第一光微影圖案以形成一第二光微影圖案，該第二光微影圖案針對第二基板將第一電鍍沉積均勻性調整為電鍍製程的第二電鍍沉積均勻性。
在一些實施例中，非暫態電腦可讀取媒體的方法可進一步包括以下步驟：使用基於與電鍍沉積相關聯的計量資料的一基板電鍍模型，以促進針對該第一基板形成該第一光微影圖案或針對該第二基板形成該第二光微影圖案，在收到該晶粒設計之前，將來自電鍍製程的計量資料結合到該晶粒設計中，其中該第一光微影圖案包括主動式晶粒圖案和一第一組虛擬圖案，且該第二光微影圖案包括該等主動式晶粒圖案和一第二組虛擬圖案，該等主動式晶粒圖案和該第二組虛擬圖案相較於該第一基板改變該第二基板上的沉積材料的至少一個參數，其中該第一光微影圖案包括主動式晶粒圖案，且該第二光微影圖案包括具有在一不同定向上的至少一個主動式晶粒圖案的該等主動式晶粒圖案，該不同定向相較於該第一基板改變該第二基板上的沉積材料的至少一個參數，其中沉積材料的該至少一個參數是在該第一基板上的一特定位置處的沉積材料的一厚度，其中該第一光微影圖案或該第二光微影圖案具有與在該第一基板或該第二基板的一中心區域中使用的一圖案不同的一邊緣區域圖案，及/或基於該電鍍製程中使用的一電鍍浴的一電流來改變該第一光微影圖案或該第二光微影圖案。
在一些實施例中，一種用於電鍍基板的設備包括以下各者：一基板電鍍模型，該基板電鍍模型在一處理單元上，該基板電鍍模型經配置基於一晶粒設計決定改變一電鍍製程的沉積特性的數位光微影圖案，一數位光微影圖案化工具，該數位光微影圖案化工具經配置至少與該基板電鍍模型交互作用，以基於該晶粒設計與該電鍍製程的沉積特性在一第一基板上形成主動式晶粒圖案和虛擬圖案的一光微影圖案（a lithographic pattern of active die patterns and dummy patterns），一電鍍工具，該電鍍工具經配置在該第一基板上沉積一第一電鍍材料，及一計量工具，該計量工具經配置決定該第一基板上的該第一電鍍材料的沉積參數，其中該計量工具與該基板電鍍模型或該數位光微影圖案化工具交互作用，以提供該等沉積參數以改變該等虛擬圖案以變化沉積在一第二基板上的一第二電鍍材料的至少一個參數。
在一些實施例中，該設備可進一步包括其中該處理單元是該數位光微影圖案化工具的部分，及/或其中該計量工具是該電鍍工具的一部分。
下面揭露了其他和進一步的實施例。
該等方法和設備提供用於針對改善沉積均勻性和膜品質的共同最佳化圖案化和電鍍製程的能力。這些方法和設備結合無遮罩數位光微影和產生（在主動式晶粒之外的）定制虛擬圖案的能力。電鍍均勻性模擬可接近即時地針對圖案化提供定制設計圖案檔案（如圖形資料系統 （GDS)檔案（file）等）。本原理能夠以非常快的學習循環時間從計量學為下一迭代提供反饋。在傳統製程中，產生虛擬圖案的能力限於生產遮罩圖案或其他經設計的虛擬遮罩。本原理的技術極大地改善基板圖案化的靈活性和速度。這些技術藉由將計量結果直接饋送到下一圖案迭代（例如，新遮罩構建需要數小時而不是數週）來提供非常快速的學習，同時藉由消除（eliminate）每個產品的多個遮罩組來顯著降低成本。這些技術亦具有藉由使用內部模擬能力來定義後續步驟（如圖案或工具參數等）來簡化新產品撥入（dial-in）的優勢。高水準的均勻性亦可在製造期間消除平面化製程。
為了形成再分佈層和其他結構，通常使用電鍍來為導電路徑提供基底材料。在電鍍期間，在基板上產生一個均勻的電場-圖案密度較低的區域與高圖案密度的區域具有相同的電流。圖案密度較低的區域比高圖案密度的區域電鍍更重（使用相同電流量去電鍍更多圖案意味著密集圖案上發生的電鍍較少）。傳統製程使用虛擬圖案來提高電鍍均勻性，是藉由使用相同產品遮罩的迭代或簡單的均勻陣列圖案來填充基板上的邊緣死區（dead space），從而在電鍍沉積期間因電流擁擠導致厚電鍍。本原理的方法和設備具有能夠產生適應基板上的密度變化和晶粒不對稱以增加電鍍厚度均勻性和品質的虛擬圖案的優點。不同於其中圖案化是預定義的並且很少在初始遮罩構建之後被校正的傳統製程，本原理具有靈活性和對觀察到的問題作簡單圖案校正的好處。本原理的方法和設備將光微影和電鍍作為一個整體利用，以允許製程的共同最佳化。將圖案模擬最佳化移到製程產線（process line）中可以加快學習循環，並在產生和驗證新解決方案時具有極大的靈活性。為下一個圖案化步驟輸入計量結果的能力比沒有這種能力的傳統製程極度具有優勢。
在一些實施例中，該製程從基底晶粒設計（如GDS檔案）開始，基板電鍍模型佈置主動式晶粒和虛擬圖案的基板配置以補償圖案密度變化、圖案不對稱、基板或晶粒佈局（layout）不對稱和/或邊緣死區。然後，數位光微影工具將主動式晶粒以規定的（prescribed）陣列暴露在基板上，並將虛擬圖案添加到由基板電鍍模型和/或另一輸入決定的基板。然後處理第一晶圓-顯影、電鍍、剝離（stripped），以及接著施行計量以決定電鍍沉積的品質和均勻性。然後將計量資料輸入回基板電鍍模型和/或數位光微影工具，並為後續基板進行後續的圖案化/佈局迭代。
圖1是根據一些實施例的調整電鍍均勻性的方法100。在框102中，接收主動式晶粒設計，其將用於光微影製程以將晶粒或「主動式晶粒」的圖案印（print）到第一基板上。如本文所用，「主動式晶粒（active die）」是在基板上形成的晶粒或晶粒圖案以產生實際的半導體元件、結構或導電路徑或類似物。虛擬晶粒或虛擬圖案是完整或部分晶粒模擬電路圖案，其不意味著是工作或主動式晶粒（working or active die）。在框104中，主動式晶粒設計204用於針對第一基板202形成第一光微影圖案206，如圖2的視圖200中所示。在框106中，以具有第一電鍍沉積均勻性的第一光微影圖案206圖案化第一基板202。在框108中，具有第一光微影圖案206的第一基板202在例如電鍍槽中使用電流和浴液電鍍。在框110中，在任何遮罩材料已經被剝離之後，來自電鍍製程的電鍍沉積經歷計量測試以決定電鍍沉積材料的至少一個計量資料點。在一些實施例中，計量資料可包括測量電鍍厚度所在的一個或多個位置。計量資料亦可包括在第一基板上的點處的特定表面區域上的電鍍材料的均值（average）或平均（mean）厚度及類似物。可與電鍍腔室一起原位測量計量資料和/或在分別的製程或腔室中測量計量資料。在框112中，改變第一光微影圖案以形成具有第二電鍍沉積均勻性的第二光微影圖案350、450、550、650（參見，例如圖3-6），從至少來自第一基板202獲得的一個計量資料點而在第二基板上形成第二光微影圖案350、450、550、650。
在一些實施例中，方法100可以是迭代的並且包括若干循環以將電鍍均勻性增加到預定水準。如此一來，第二光微影圖案350、450、550、650可變成初始或第一光微影圖案，從中收集計量資料並將其饋送到製程中。圖3-6中繪示圖案增強（pattern augmentation）的幾個實例，其被描述為「第二光微影圖案」。當施行數個迭代以最佳化電鍍均勻性時，為了方法100的緣故，第二光微影圖案也可以變成「第一光微影圖案」。該等實例是為了簡潔而選擇的，並不意味著以任何方式進行限制。在一些實施例中，基於來自透過方法100獲得的計量資料的反饋，第二基板330上的第二光微影圖案350可以如圖3的視圖300中所示使用翻轉（flipped）和/或旋轉的（rotated）主動式晶粒設計204以形成新定向的主動式晶粒設計306。藉由界定重新定向設計，可以平衡圖案密度的變化以針對主動式晶粒設計204最佳化電鍍均勻性。例如，但不旨在限制，晶粒設計的不同圖案密度區域可以彼此相鄰（高密度區域靠近低密度區域，以及低密度區域靠近高密度區域）以增加主動晶粒設計204上的電鍍均勻性。
在一些實施例中，基於來自透過方法100獲得的計量資料的反饋，第二光微影圖案450可以如圖4的視圖400中所繪示的。主動式晶粒設計204的虛擬複製（duplicate）圖案410與主動式晶粒設計204一起用於在第二基板330上形成第二光微影圖案450。添加的虛擬複製圖案410有助於在橫跨第二基板330的表面上保持相似的密度以改善電鍍均勻性。在一些實施例中，基於計量資料，重新定向的虛擬複製圖案512可與圖5的視圖500中所示的主動式晶粒設計204結合使用。如上所述，圖案（無論是主動式的還是虛擬的）都可以經重新定向到彼此相鄰的類似圖案密度區域或不同圖案密度區域的位置，以增加電鍍均勻性。在一些實施例中，第二基板330的表面區域可以被劃分為中心區域616和邊緣區域620，如圖6的視圖600中所示。第二基板330也可以分為兩個以上的區域。中心區域虛擬圖案618可以用在第二基板330的中心區域616中，邊緣區域虛擬圖案614可以用在第二基板330的邊緣區域620中。在基板的不同區域使用不同的虛擬圖案允許在微調電鍍均勻性方面具有更大的靈活性。
在圖7的視圖700中，繪示用於調整基板上的電鍍的整合式設備。主動式晶粒設計702（GDS格式檔案等）被引入數位光微影圖案化工具706和/或基板電鍍模型704中。主動式晶粒設計702亦可包括虛擬檔案及類似物以在製程開始時改變電鍍均勻性。基板電鍍模型704可駐留在處理單元712上，該處理單元712經配置基於晶粒設計和/或先前知識來決定改變電鍍製程的沉積特性的數位光微影圖案。基板電鍍模型704可利用機器學習和/或一組規則（rule）來幫助建立光微影圖案，該光微影圖案基於先前的電鍍計量資料和/或習得的經驗（lessons learned）等來最佳化基板上的電鍍。基板電鍍模型704亦可結合電鍍處理時間、沉積材料的類型、電鍍期間在電鍍槽中使用的溶液、電鍍硬體規格（電流值、電鍍速率等）及類似物以增強模擬過程。在一些實施例中，基板電鍍模型704可以是獨立的，具有駐留（residing）於數位光微影圖案化工具706中的部分，或完全在數位光微影圖案化工具706內。數位光微影圖案化工具706使用任何先前知識和/或規則集（如果可用的話）來形成第一光微影圖案，然後將圖案處理到第一基板202上。數位光微影圖案形成工具706也可接受使用者輸入以利於形成第一光微影圖案。在一些實施例中，數位光微影圖案化工具706經配置至少與該基板電鍍模型704交互作用，以基於該晶粒設計與該電鍍製程的沉積特性在第一基板上形成主動式晶粒圖案和虛擬圖案的光微影圖案（lithographic pattern of active die patterns and dummy patterns）。
然後第一基板202移動到電鍍工具708，該電鍍工具708經配置在第一基板202上沉積電鍍材料。在一些實施例中，電鍍工具708可與基板電鍍模型704和/或數位光微影圖案化工具706通訊以揭露操作參數及類似物，諸如沉積材料、電流設置、使用的溶液等。在電鍍製程之後，第一基板202經歷計量測試。在一些實施例中，計量測試可在電鍍腔室或工具內原位完成。計量工具710經配置決定第一基板202上的電鍍材料的沉積參數。在一些實施例中，計量工具710可與基板電鍍模型704和/或數位光微影圖案化工具交互作用以提供沉積參數以改變虛擬圖案和/或主動式圖案以變化沉積在第二基板（未圖示）上的後續電鍍材料的至少一個參數。數位光微影的使用允許幾乎即時地將電鍍製程品質反饋回基板電鍍模型704和/或數位光微影圖案化工具706以允許快速變化後續基板的圖案化而無需昂貴且耗時的遮罩的成本。
可使用單一數位圖案代替主動式晶粒遮罩和虛擬遮罩，從而消除遮罩對準錯誤和與多個遮罩相關的成本。此外，隨著每次運行或迭代增強基板電鍍模型704的能力，允許將電鍍均勻性提高到傳統製程不容易實現的高水準。本原理的設備和方法亦允許增強的電鍍均勻性，而不僅僅是將計量資料反饋到基板電鍍模型704和數位光微影圖案化工具706。從模擬和學習的經驗中收集的資訊也可以用於藉由改變主動式晶粒設計來增強電鍍，從而提高電鍍均勻性。晶粒設計人員亦可以使用獲取的計量資料，不僅可以為GDS檔案設計主動式晶粒，還可以為整個基板設計圖案，以在此處描述的方法的第一迭代中提供最佳的電鍍均勻性。亦可以將改變基板上的電鍍接觸位置等結合到製程中以進一步改善電鍍均勻性。在一些實施例中，接觸位置可對準以基於光微影圖案的密度增強橫跨過基板的電流。
根據本原理的實施例可以以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實現。實施例亦可實施為使用一個或多個電腦可讀取媒體儲存的指令，其可由一個或多個處理器讀取和執行。電腦可讀取媒體可包括用於可用機器（如計算平臺或在一個或多個計算平臺上運行的「虛擬機器」）讀取的形式儲存或傳輸資訊的任何機制。例如，電腦可讀取媒體可包括任何合適形式的揮發性或非揮發性記憶體。在一些實施例中，電腦可讀取媒體可包括非暫態電腦可讀取媒體。
雖然前面所述係針對本原理的實施例，但在不背離本原理基本範圍下，可設計本原理揭露的其他與進一步的實施例。
102:框 104:框 106:框 108:框 110:框 112:框 200:視圖 202:第一基板 204:晶粒設計 206:光微影圖案 300:視圖 306:晶粒設計 330:第二基板 350:圖案 400:視圖 410:複製圖案 450:光微影圖案 500:視圖 512:圖案 550:光微影圖案 600:視圖 614:中心區域虛擬圖案 616:中心區域 618:圖案中心區域 620:邊緣區域 650:光微影圖案 700:視圖 702:主動式晶粒設計 704:電鍍模型 706:數位光微影圖案化工具 708:電鍍工具 710:計量工具 712:處理單元
本原理之實施例已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考所附圖式中繪示之本原理的示例性實施例以作瞭解。然而，所附圖式僅繪示了本原理的典型實施例，而由於本原理可允許其他等效之實施例，因此所附圖式並不會視為本揭示範圍之限制。
圖1是根據本原理的一些實施例的調整電鍍均勻性的方法。
圖2繪示根據本原理的一些實施例的基板上的主動式晶粒圖案的由上至下的視圖（top-down view）。
圖3繪示根據本原理的一些實施例的在基板上具有重新定向（re-oriented）的主動式晶粒圖案的主動式晶粒圖案的由上至下的視圖。
圖4繪示根據本原理的一些實施例的基板上的主動式晶粒圖案和虛擬晶粒圖案的由上至下的視圖。
圖5繪示根據本原理的一些實施例的基板上的主動式晶粒圖案和具有重新定向的虛擬晶粒圖案的虛擬晶粒圖案的由上至下的視圖。
圖6繪示根據本原理的一些實施例的基於基板上的中心區域或邊緣區域而不同的主動式晶粒圖案和虛擬晶粒圖案的由上至下的視圖。
圖7繪示根據本原理的一些實施例的用於調整電鍍均勻性的整合式工具組的截面圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的數字編號代表圖示中相同的元件。為求清楚，圖式未依比例繪示且可能被簡化。一個實施例的元件和特徵可以有益地結合在其他實施例中而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
202:第一基板
700:視圖
702:主動式晶粒設計
704:電鍍模型
706:數位光微影圖案化工具
708:電鍍工具
710:計量工具
712:處理單元

Claims (20)

  1. 一種電鍍一基板的方法，包括以下步驟： 接收一晶粒設計； 基於該晶粒設計針對一第一基板形成一第一光微影圖案； 使用一數位光微影製程以該第一光微影圖案來圖案化該第一基板； 使用一電鍍製程以一第一電鍍沉積均勻性在該第一基板上沉積材料； 使用一計量製程來決定該第一基板上的沉積材料的至少一個參數；及 至少部分地基於由該數位光微影製程從該第一基板上的該計量製程直接接收的沉積材料的該至少一個參數用該數位光微影製程改變該第一光微影圖案以針對一第二基板形成一第二光微影圖案，該第二光微影圖案針對該第二基板將該第一電鍍沉積均勻性調整為該電鍍製程的一第二電鍍沉積均勻性。
  2. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟： 使用基於與電鍍沉積相關聯的計量資料的一基板電鍍模型，以促進針對該第一基板形成該第一光微影圖案或針對該第二基板形成該第二光微影圖案。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該基板電鍍模型包括在針對該第一基板形成該第一光微影圖案中或在針對該第二基板形成該第二光微影圖案中的該晶粒設計的圖案密度資料。
  4. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟： 在收到該晶粒設計之前，將來自電鍍製程的計量資料結合到該晶粒設計中。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該第一光微影圖案包括主動式晶粒圖案（active die pattern）和一第一組虛擬圖案，且該第二光微影圖案包括該等主動式晶粒圖案和一第二組虛擬圖案，該等主動式晶粒圖案和該第二組虛擬圖案相較於該第一基板改變該第二基板上的沉積材料的至少一個參數。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該第一光微影圖案包括主動式晶粒圖案，且該第二光微影圖案包括具有在一不同定向上的至少一個主動式晶粒圖案的該等主動式晶粒圖案，該不同定向相較於該第一基板改變該第二基板上的沉積材料的至少一個參數。
  7. 如請求項1所述之方法，其中沉積材料的該至少一個參數是在該第一基板上的一特定位置處的沉積材料的一厚度。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該第一光微影圖案或該第二光微影圖案具有與在該第一基板或該第二基板的一中心區域中使用的一圖案不同的一邊緣區域圖案。
  9. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟： 基於該電鍍製程中使用的一電鍍浴的一電流來改變該第一光微影圖案或該第二光微影圖案。
  10. 一種非暫態電腦可讀取媒體，該非暫態電腦可讀取媒體具有儲存在其上的指令，當執行該等指令時，該等指令使得電鍍一基板的方法被施行，該方法包括以下步驟： 接收一晶粒設計； 基於該晶粒設計針對一第一基板形成一第一光微影圖案； 使用一數位光微影製程以該第一光微影圖案來圖案化該第一基板； 使用一電鍍製程以一第一電鍍沉積均勻性在該第一基板上沉積材料； 使用一計量製程來決定該第一基板上的沉積材料的至少一個參數；及 至少部分地基於由該數位光微影製程從該第一基板上的該計量製程直接接收的沉積材料的該至少一個參數用該數位光微影製程改變該第一光微影圖案以針對一第二基板形成一第二光微影圖案，該第二光微影圖案針對該第二基板將該第一電鍍沉積均勻性調整為該電鍍製程的一第二電鍍沉積均勻性。
  11. 如請求項10所述之非暫態電腦可讀取媒體，該方法進一步包括以下步驟： 使用基於與電鍍沉積相關聯的計量資料的一基板電鍍模型，以促進針對該第一基板形成該第一光微影圖案或針對該第二基板形成該第二光微影圖案。
  12. 如請求項10所述之非暫態電腦可讀取媒體，該方法進一步包括以下步驟： 在收到該晶粒設計之前，將來自電鍍製程的計量資料結合到該晶粒設計中。
  13. 如請求項10所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該第一光微影圖案包括主動式晶粒圖案和一第一組虛擬圖案，且該第二光微影圖案包括該等主動式晶粒圖案和一第二組虛擬圖案，該等主動式晶粒圖案和該第二組虛擬圖案相較於該第一基板改變該第二基板上的沉積材料的至少一個參數。
  14. 如請求項10所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該第一光微影圖案包括主動式晶粒圖案，且該第二光微影圖案包括具有在一不同定向上的至少一個主動式晶粒圖案的該等主動式晶粒圖案，該不同定向相較於該第一基板改變該第二基板上的沉積材料的該至少一個參數。
  15. 如請求項10所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中沉積材料的該至少一個參數是在該第一基板上的一特定位置處的沉積材料的一厚度。
  16. 如請求項10所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該第一光微影圖案或該第二光微影圖案具有與在該第一基板或該第二基板的一中心區域中使用的一圖案不同的一邊緣區域圖案。
  17. 如請求項10所述之非暫態電腦可讀取媒體，該方法進一步包括以下步驟： 基於該電鍍製程中使用的一電鍍浴的一電流來改變該第一光微影圖案或該第二光微影圖案。
  18. 一種用於電鍍一基板之設備，包括： 一基板電鍍模型，該基板電鍍模型在一處理單元上，該基板電鍍模型經配置基於一晶粒設計決定改變一電鍍製程的沉積特性的數位光微影圖案； 一數位光微影圖案化工具，該數位光微影圖案化工具經配置至少與該基板電鍍模型交互作用，以基於該晶粒設計與該電鍍製程的沉積特性在一第一基板上形成主動式晶粒圖案和虛擬圖案的一光微影圖案（a lithographic pattern of active die patterns and dummy patterns）； 一電鍍工具，該電鍍工具經配置在該第一基板上沉積一第一電鍍材料；及 一計量工具，該計量工具經配置決定該第一基板上的該第一電鍍材料的沉積參數，其中該計量工具直接與該基板電鍍模型或該數位光微影圖案化工具交互作用，以提供該等沉積參數以改變該等虛擬圖案以變化沉積在一第二基板上的一第二電鍍材料的至少一個參數。
  19. 如請求項18所述之設備，其中該處理單元是該數位光微影圖案化工具的部分。
  20. 如請求項18所述之設備，其中該計量工具是該電鍍工具的一部分。
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