CN112180678A - 一种光罩工艺误差修正方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光罩工艺误差修正方法，涉及元器件制造技术领域。该方法包括：根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量。上述方法根据曝光处理后光罩图案的变化数据，对曝光光线的反射量进行预估，并对预设曝光强度进行调整，动态地修正光罩工艺中的参数，使得到的光罩图案的线宽在误差允许的范围内稳定波动，降低了光罩生产的成本，也使光罩的品质维持在较高的水平内。

Description

一种光罩工艺误差修正方法
技术领域
本发明涉及元器件制造技术领域，具体而言，涉及一种光罩工艺误差修正方法。
背景技术
曝光(exposure)过程是使用电子束与特定位置光刻胶发生曝光反应。光罩(Mask)在进行曝光操作会由于反射光的干扰程度不同，使曝光后的线宽(CD)值产生变化达不到预期理想的CD值。当图案周围其他图案过多，在曝光时光刻胶内部会存在反射光干扰使该图案曝光后CD值偏大，与预期发生偏差。同时，当曝光次数过多时，曝光设备PRX值(CD密区与CD疏区的差值)偏移量会逐渐增大。所以，曝光参数的设置成为光罩生产过程影响曝光质量的重要因素。
现有技术中，通常使用经验估算法或多次静态调整法，在生产的中长期后根据得到的反馈数据进行调整。上述方法通常需要寻找有经验的工程师根据经验进行多次调整曝光强度、光刻胶的厚度和对光源的灵敏度，需要不断改善光刻胶材料。多次的实验和研究导致时间、人力和材料成本耗费巨大，无法适应每次生产所产生的特异性问题，也无法长期将产品维持在高品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光罩工艺误差修正方法，以解决现有技术中，光罩生产成本高，品质无法保证的技术问题。
本发明的实施例是这样实现的：
本发明实施例提供一种光罩工艺误差修正方法，包括：根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各个区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量。
可选地，上述获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽包括：对应于每一个区域，分别获取区域内每个光罩图案的线宽；对多个线宽计算均值作为区域的线宽。
可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：若密区的线宽和疏区的线宽的差值大于零，则减小对应密区的预设曝光强度。
可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：若密区的线宽和疏区的线宽的差值小于零，则增大对应密区的预设曝光强度。
可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：依据公式E(x)＝eta*∫∫D(x’)g(x-x’)dx计算预设曝光强度的调整量，其中，E(x)为预设图案处预设曝光强度的调整量，eta为曝光处理使用的光刻胶的反射系数，D(x’)为相邻图案的光照强度，g(x-x’)为相邻图案反射至预设图案的光照强度。
可选地，上述根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：依据公式Δη＝A×B×ΔCD计算预设曝光强度的调整比值，其中，Δη为预设图案处预设曝光强度的调整量，A为曝光处理使用的光刻胶的灵敏度，B为制程参数，ΔCD为密区的线宽与疏区的线宽的差值。
可选地，上述根据预设曝光强度对器件进行曝光处理包括：设置曝光调整周期，一个曝光调整周期内依次曝光处理N个器件，N为大于等于1的整数；计算密区的预设曝光强度的调整量之后，方法还包括：计算N个器件对应密区的预设曝光强度的调整量的均值，作为密区的预设曝光强度的调整量。
可选地，上述设置曝光调整周期包括：确定器件的总产量；根据总产量确定器件的单次生产量；根据总产量和单次生产量的比值确定曝光调整周期。
可选地，在上述根据预设曝光强度对器件进行曝光处理之前，方法还包括：确定器件的曝光需求，根据曝光需求确定预设曝光强度。
可选地，上述曝光需求包括光罩图案的预设线宽。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明实施例提供的光罩工艺误差修正方法中，该方法包括：根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量。本发明的方法，根据曝光处理后光罩图案的变化数据，对曝光光线的反射量进行预估，并对预设曝光强度进行调整，动态地修正光罩工艺中的参数，使得到的光罩图案的线宽在误差允许的范围内稳定波动，降低了光罩生产的成本，也使光罩的品质维持在较高的水平内。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为对器件进行曝光处理时光线在光刻胶内部的分布示意图；
图2为期望光罩图案与实际光罩图案的对比图；
图3为本发明实施例提供的一种光罩工艺误差修正方法的流程图；
图4为本发明实施例提供的另一种光罩工艺误差修正方法的流程图；
图5为本发明实施例提供的不同位置处光罩图案所受曝光强度的示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种光罩工艺误差修正方法的流程图；
图7为本发明实施例提供的再一种光罩工艺误差修正方法的流程图。
图标：100-器件；101-光刻胶层；102-曝光光线；103-反射光线；200-实际光罩图案；201-期望光罩图案；202-线宽误差；300-实际曝光强度；301-预设曝光强度；302-反射曝光强度；303-预设曝光强度的调整量。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
光罩又称光掩模版、掩膜版，光罩工艺是将石英玻璃作为衬底，在其上面镀上一层金属铬和光刻胶，成为一种感光材料，把已设计好的电路图案通过电子激光设备曝光在光刻胶上，被曝光的区域会被显影出来，在金属铬上形成电路图案，成为类似曝光后的底片的光掩模版，然后应用于对集成电路进行投影定位，通过集成电路光刻机对所投影的电路进行光蚀刻。
图1为对器件100进行曝光处理时光线在光刻胶内部的分布示意图，图2为期望光罩图案201与实际光罩图案200的对比图，如图1所示，在对器件100(可以为石英玻璃镀金属铬和光刻胶)进行曝光处理的过程中，通常采用曝光光线102垂直照射覆盖在器件100上层的光刻胶层101，进而在器件100上得出相应的光罩图案。但是，曝光光线102在进入光刻胶层101后，会出现反射现象，曝光光线102形成的反射光线103经光刻胶层101传送后会照射到相邻的光罩图案上，使得相邻的光罩图案处的实际曝光强度300大于预设曝光强度301，光罩图案的线宽受曝光强度的影响，因此，如图2所示，在器件100上光罩图案分布密集的区域内，经曝光处理后得到的光罩图案的实际线宽要大于期望光罩图案201的预设线宽，该现象会增加光罩工艺的误差值，随着曝光次数的增多，线宽的差值也存在严重的上漂现象，导致各个实际光罩图案200的线宽差异逐渐增大。
现有技术中，为了解决上述问题，通常寻找有经验的工程师进行根据经验估算进行多次曝光强度的调整，或者，采用多次静态调整法，在生产的中长期后根据反馈数据进行调整。但是，都需要耗费较多的时间成本和人力成本，且适应性差，无法长期将得到的产品维持在较高的品质。有鉴于此，特提出本申请。
图3为本发明实施例提供的一种光罩工艺误差修正方法的流程图，如图3所示，本实施例提供一种光罩工艺误差修正方法，包括：
S301：根据预设曝光强度对器件进行曝光处理。
采用预设光照强度的曝光光线102照射器件100，在器件100上形成光罩图案。具体的，预设光照强度可以根据期望光罩图案201的预设线宽确定，在确定曝光光线102的预设光照强度后，采用该曝光光线102垂直照射器件100上的光刻胶层101，在器件100上形成光罩图案。应理解，由于曝光光线102在光刻胶层101中的反射作用，不同光罩图案之间的线宽会有所差异。
S302：获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各个区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区。
由上述的分析可知，经曝光处理后得到的光罩图案的实际线宽会与期望光罩图案201的预设线宽之间会存在差值，该差值的大小受器件100表面光罩图案分布的疏密程度的影响，因此，为了进一步获取该差值，将器件100表面根据待形成图案的疏密程度划分为多个区域。示例地，将光罩图案分布较稀疏的区域定义为疏区，在疏区内，由于相邻两个光罩图案之间的距离较大，曝光光线102在一个光罩图案处形成的反射光线103对其相邻的光罩图案影响不大或者可以忽略不计，导致在疏区内，光罩图案的线宽误差202较小；将光罩图案分布较密集的区域定义为密区，在密区内，由于相邻两个光罩图案之间的距离较小，曝光光线102在一个光罩图案处形成的反射光线103对其相邻的光罩图案影响较大，导致在密区内，光罩图案的线宽误差202较大。
在将器件100表面光罩图案划分完成后，会得到疏区和至少一个密区，每个区域内都对应有一个光罩图案的线宽，得到的光罩图案的线宽与划分的区域数量相等。应理解，上述密区的数量可以为一个或多个，可以根据待形成图案的不同疏密程度划分出多个密区。上述密区的线宽可以为密区被多个光罩图案的线宽的平均值，也可以为密区被某一光罩图案的线宽值。示例地，若将器件100表面光罩图案划分为一个密区和一个疏区，相应地，会得到一个密区的线宽和一个疏区的线宽。
S303：根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量。
由于光罩图案的线宽受该光罩图案处的曝光强度和反射光强度的影响，而反射光强度又与相邻的光罩图案处的曝光强度有关，因此，可以根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及密区所在的位置，对应调整该密区内的预设曝光强度301。
综上，本发明实施例提供的光罩工艺误差修正方法中，该方法包括：根据预设曝光强度301对器件100进行曝光处理；获取曝光处理后的器件100表面光罩图案的各区域的多个线宽，区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量303。本发明的方法，根据曝光处理后光罩图案的变化数据，对曝光光线102的反射量进行预估，并对预设曝光强度301进行调整，动态地修正光罩工艺中的参数，使得到的光罩图案的线宽在误差允许的范围内稳定波动，降低了光罩生产的成本，也使光罩的品质维持在较高的水平内。
图4为本发明实施例提供的另一种光罩工艺误差修正方法的流程图，如图4所示，可选地，获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽包括：
S401：对应于每一个区域，分别获取区域内每个光罩图案的线宽。
若该区域内具有多个光罩图案(光罩图案的数量大于或等于2)，则需要获取该区域内全部光罩图案的线宽。示例地，若该区域内有3个光罩图案，则获取3个光罩图案的线宽，得到3个线宽值。当然，若该区域内只有1个光罩图案，就只需要获取1个光罩图案的线宽，得到1个线宽值。
S402：对多个线宽计算均值作为区域的线宽。
若得到多个线宽，则可以对多个线宽计算均值，以得到一个该区域内的平均线宽，采用该平均线宽作为调整预设曝光强度301的依据。同样，若该区域内只有1个光罩图案，就只能得到1个线宽值，则无需计算均值。
可选地，根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：
若密区的线宽和疏区的线宽的差值大于零，则减小对应密区的预设曝光强度301。
光罩图案的线宽与预设曝光强度301之间存在对应关系，即预设曝光强度301越大，在密区内光罩图案的线宽会越大。密区的光罩图案受反射光线103的影响较大，在曝光光线102与反射光线103的双重作用下，密区的光罩图案线宽存在较大的误差，密区的线宽和疏区的线宽的差值大于零说明密区的预设光罩强度过大，可以适当减小密区内光罩图案的预设曝光强度301，通过控制预设曝光强度301同时控制曝光光线102和反射光线103，以降低密区的光罩图案线宽的误差。
可选地，根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：
若密区的线宽和疏区的线宽的差值小于零，则增大对应密区的预设曝光强度。
同理，密区的线宽和疏区的线宽的差值小于零说明密区的预设光罩强度过小，可以适当增大密区内光罩图案的预设曝光强度301，通过控制预设曝光强度301同时控制曝光光线102和反射光线103，以降低密区的光罩图案线宽的误差。
图5为本发明实施例提供的不同位置处光罩图案所受曝光强度的示意图，如图5所示，图中，x表示光罩图案的位置，y表示光罩图案在某一位置处的实际曝光强度300。
器件100表面某一光罩图案处受到的曝光强度的来源有两个，一个是该光罩图案处的预设曝光强度301，另一个是相邻的光罩图案的反射光线103在该图案位置处形成的反射曝光强度302，该光罩图案处的预设曝光强度301与其收到的反射曝光强度302之和即为该光罩图案处的实际曝光强度300。
可选地，根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：
依据公式E(x)＝eta*∫∫D(x’)g(x-x’)dx计算预设曝光强度的调整量303，其中，E(x)为预设图案处预设曝光强度的调整量303，eta为曝光处理使用的光刻胶的反射系数，D(x’)为相邻图案的光照强度，g(x-x’)为相邻图案反射至预设图案的光照强度。
依据上述公式，可以精确地计算出器件100表面不同位置处的光罩图案所对应的预设曝光强度的调整量303，通过对预设曝光强度301的调整，使得器件100表面不同位置处形成的光罩图案的线宽趋于一致且与预设线宽之间的误差保持在允许的误差范围内。但是，上述公式的计算过程较为复杂，因此，在实际生产过程中，根据生产经验和实际生产数据对上述公式进行了简化。
可选地，根据密区的线宽与疏区的线宽的差值，以及每个密区所在的位置，计算密区的预设曝光强度的调整量包括：
依据公式Δη＝A×B×ΔCD计算预设曝光强度的调整比值，其中，Δη为预设图案处预设曝光强度的调整量，A为曝光处理使用的光刻胶的灵敏度，B为制程参数，ΔCD为密区的线宽与疏区的线宽的差值。
参数A和B均是通过实验进行确定，应理解，使用不同的光刻胶会导致A的具体数值不同，经过不同的工艺后，例如烘烤、显影、蚀刻后，B的数值也会不同。
上述公式计算过程简单且得出的数据精度符合光罩生产的要求，因此，可以将上述公式应用于实际的光罩生产过程中，以降低光罩生产的难度。
本发明实施例提供的光罩工艺误差修正方法属于一种动态光罩工艺误差修正的方法，在进行光罩批量生产的过程中，为了及时对光罩工艺误差进行修正，以提高光罩批量生产的整体质量，需要在生产中间多次对曝光强度进行调整。
图6为本发明实施例提供的又一种光罩工艺误差修正方法的流程图，如图6所示，可选地，根据预设曝光强度对器件进行曝光处理包括：
S601：设置曝光调整周期，一个曝光调整周期内依次曝光处理N个器件，N为大于等于1的整数。
在光罩生产前，先确定生产周期以及每个周期内的光罩数量，在实际生产时，先对第一周期内的N个器件100进行曝光处理，根据N个器件100中的密区的线宽与疏区的线宽的差值确定预设曝光强度的调整量303，预设曝光强度的调整量303对第一周期内采用的预设曝光强度301进行调整，得到新的预设曝光强度301，使用新的预设曝光强度301对第二周期内的N个器件100进行曝光处理。重复上述过程，直至所有周期内的N个器件100均曝光处理完毕。
相应地，计算密区的预设曝光强度的调整量之后，方法还包括：
S602：计算N个器件对应密区的预设曝光强度的调整量的均值，作为密区的预设曝光强度的调整量。
每一周期生产完毕后，都会得到N个预设曝光强度的调整量303，为了降低误差，对N个预设曝光强度的调整量303计算均值，将得到的均值作为密区的预设曝光强度的调整量303。
图7为本发明实施例提供的再一种光罩工艺误差修正方法的流程图，如图7所示，可选地，上述设置曝光调整周期包括：
S701：确定器件的总产量。
S702：根据总产量确定器件的单次生产量。
S703：根据总产量和单次生产量的比值确定曝光调整周期。
具体的，确定器件100的总产量，根据器件100的总产量再结合生产时间，精度要求等因素确定器件100的单次生产量，总产量与单次生产量的比值即为曝光调整周期。示例地，器件100的总产量为100件，单次生产量为10件，则曝光调整周期为10，将器件100分为10个周期进行生产，每生产完一个周期，调整一次预设曝光强度301。
可选地，在上述根据预设曝光强度301对器件100进行曝光处理之前，方法还包括：
确定器件的曝光需求，根据曝光需求确定预设曝光强度301。
器件100的曝光需求反应了器件100表面光罩图案的相关参数，而光罩图案的形成受预设曝光强度301的影响，故需要根据曝光需求确定预设曝光强度301。
可选地，曝光需求包括光罩图案的预设线宽。
光罩图案的预设线宽即理想状态下器件100表面光罩图案的线宽，根据光罩图案的预设线宽确定初始的预设曝光强度301，然后再根据实际生产中密区的线宽与疏区的线宽的差值对预设曝光强度301进行调整，以使后序周期成产出的器件100表面的光罩图案的线宽尽可能与预设线宽接近。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种光罩工艺误差修正方法，其特征在于，包括：
根据预设曝光强度对器件进行曝光处理；
获取曝光处理后的所述器件表面光罩图案的各个区域的多个线宽，所述区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区；
根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量。
2.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述获取曝光处理后的所述器件表面光罩图案的各区域的多个线宽包括：
对应于每一个所述区域，分别获取所述区域内每个所述光罩图案的线宽；
对多个所述线宽计算均值作为所述区域的线宽。
3.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：
若所述密区的线宽和所述疏区的线宽的差值大于零，则减小对应所述密区的所述预设曝光强度。
4.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：
若所述密区的线宽和所述的疏区的线宽的差值小于零，则增大对应所述密区的所述预设曝光强度。
5.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：
依据公式E(x)＝eta*∫∫D(x’)g(x-x’)dx计算所述预设曝光强度的调整量，其中，E(x)为预设图案处所述预设曝光强度的调整量，eta为所述曝光处理使用的光刻胶的反射系数，D(x’)为相邻图案的光照强度，g(x-x’)为所述相邻图案反射至所述预设图案的光照强度。
6.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值，以及每个所述密区所在的位置，计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量包括：
依据公式Δη＝A×B×ΔCD计算所述预设曝光强度的调整比值，其中，Δη为预设图案处所述预设曝光强度的调整量，A为所述曝光处理使用的光刻胶的灵敏度，B为制程参数，ΔCD为所述密区的线宽与所述疏区的线宽的差值。
7.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述根据预设曝光强度对器件进行曝光处理包括：
设置所述曝光调整周期，一个所述曝光调整周期内依次曝光处理N个所述器件，N为大于等于1的整数；
所述计算所述密区的所述预设曝光强度的调整量之后，所述方法还包括：
计算N个所述器件对应所述密区的预设曝光强度的调整量的均值，作为所述密区的所述预设曝光强度的调整量。
8.根据权利要求7所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述设置所述曝光调整周期包括：
确定所述器件的总产量；
根据所述总产量确定所述器件的单次生产量；
根据所述总产量和所述单次生产量的比值确定所述曝光调整周期。
9.根据权利要求1所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，在所述根据预设曝光强度对器件进行曝光处理之前，所述方法还包括：
确定所述器件的曝光需求，根据所述曝光需求确定所述预设曝光强度。
10.根据权利要求9所述的光罩工艺误差修正方法，其特征在于，所述曝光需求包括所述光罩图案的预设线宽。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5449578A (en) * 1993-06-10 1995-09-12 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method of manufacturing a mask for forming a pattern in a semiconductor device
TW526535B (en) * 2000-01-18 2003-04-01 Promos Technologies Inc Method and device to eliminate the deviation between the dense pattern and sparse pattern
US20180173108A1 (en) * 2016-12-20 2018-06-21 Genisys Gmbh Process dose and process bias determination for beam lithography
CN109188867A (zh) * 2018-09-11 2019-01-11 惠科股份有限公司 曝光补偿表的生成方法、光阻曝光补偿的方法及曝光机台
CN109634067A (zh) * 2019-01-14 2019-04-16 云谷（固安）科技有限公司 曝光方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5449578A (en) * 1993-06-10 1995-09-12 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method of manufacturing a mask for forming a pattern in a semiconductor device
TW526535B (en) * 2000-01-18 2003-04-01 Promos Technologies Inc Method and device to eliminate the deviation between the dense pattern and sparse pattern
US20180173108A1 (en) * 2016-12-20 2018-06-21 Genisys Gmbh Process dose and process bias determination for beam lithography
CN109188867A (zh) * 2018-09-11 2019-01-11 惠科股份有限公司 曝光补偿表的生成方法、光阻曝光补偿的方法及曝光机台
CN109634067A (zh) * 2019-01-14 2019-04-16 云谷（固安）科技有限公司 曝光方法

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