TWI477929B - 用於藉由先進製程控制之控制策略來減少曝光場內之疊置誤差的方法及系統 - Google Patents

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Description

用於藉由先進製程控制之控制策略來減少曝光場內之疊置誤差的方法及系統
本發明係有關諸如積體電路的微結構(microstructure)之製造之領域，且尤係有關一種在形成及圖案化用於製造微結構特徵的堆疊材料層的微影(lithography)製程期間用於控制對準準確度(alignment accuracy)及圖案放置精確度(pattern placement precision)之技術。
諸如積體電路的微結構之製造需要在諸如矽基材、絕緣體上覆矽(Silicon On Insulator；簡稱SOI)基材、或其他適當的載體材料等適當的基材之材料層中形成被精確控制尺寸之微小區域。藉由執行微影、蝕刻、植入(implantation)、沉積、及氧化製程等的製程圖案化該材料層，而產生這些被精確控制尺寸之微小區域，其中典型地至少在圖案化製程的某一階段中，可在將被處理的該材料層之上形成遮罩層，以便界定這些微小區域。一般而言，遮罩層可包含光阻層或可藉由光阻層形成，該光阻層係藉由典型為光微影(photolithography)製程的微影製程來圖案化。在光微影製程期間，可以將阻劑(resist)旋轉塗佈(spin－coated)在基材表面上，然後經由對應的諸如光罩(reticle)的微影遮罩而選擇性地曝光於紫外線輻射中，因而將該光罩圖案成像在該阻劑層中，而在該阻劑層中形成潛影(latent image)。在將光阻顯影之後，將根據阻劑的類型是正阻劑或負阻劑而去除曝光部分或未曝光部分，以便在該光阻層中形成所需的圖案。根據此光阻圖案，可藉由諸如蝕刻、植入、及退火製程等的製程之進一步的製程形成實際的裝置圖案。因為複雜的整合式微結構裝置中之圖案的尺寸不斷地減小，所以用來圖案化裝置特徵之設備必須滿足與所涉及的製程的解析度及疊置(overlay)準確度有關之嚴格要求。在這一點上，解析度被視為在預定的製造變化之條件下用來規定印製最小尺寸的影像的一致性之衡量值。微影製程代表了改善解析度時的一個重要因素，其中係經由光學成像系統將光遮罩或光罩中所含的圖案以光學方式轉移到基材。因此，投入了相當多的工作，以便不斷地改善微影系統的光學特性，諸如數值孔徑(numerical aperture)、聚焦深度(depth of focus)、以及所使用之光源的波長。
在產生極小的特徵尺寸(feature size)時，微影成像的品質是極端重要的。然而，至少同樣重要的是可在基材表面上將影像定位之準確度。典型地，藉由相繼地圖案化材料層而製造諸如積體電路的微結構，其中在連續的材料層上的特徵具有相互的空間關係。在後續材料層中形成的每一圖案必須在指定的重合公差(registration tolerance)之內對準先前圖案化之材料層中形成之對應的圖案。由於諸如阻劑厚度、烘烤溫度、曝光劑量及時間、以及顯影條件此等參數之不一致，而產生基材上的光阻影像之變化，因而造成了這些重合公差。此外，蝕刻製程的不一致也可能導致被蝕刻的特徵之變化。此外，以光微影法將光遮罩的影像轉移到基材上時，存在了將現有材料層的圖案影像疊對於先前形成的材料層中被蝕刻的或以其他方式界定的圖案之不確定性。諸如一組遮罩內之瑕疵、不同曝光時間的溫度差異、對準工具的有限重合能力、以及係為對準誤差的主要來源的諸如透鏡變形的曝光工具本身之瑕疵(尤其在與各別的光罩瑕疵結合時)等的數種因素影響到成像系統使兩層完美地疊置之能力。當將不同曝光工具用來界定後續的裝置層時，上述的狀況甚至將更為惡化，這是因為曝光系統的曝光工具/光罩中原本就有的誤差可能隨著不同的工具及不同的光罩而有所變化。雖然可將相同的曝光工具用於使重要的裝置層成像，但是實際上，這些限制無法在複雜的製造環境中提供有效率的整體流程，這是因為複雜的製造環境通常包含用於同一裝置層的複數種微影工具及複數種光罩。因此，決定最後可得到的最小特徵尺寸之首要準則是用來產生個別基材層中之特徵的解析度、以及由上述因素(尤其是微影製程)造成的總疊置誤差(overlay error)。
因此，不斷地監視解析度(亦即，可靠地且可再現地產生最小特徵尺寸(也稱為特定材料層內之關鍵尺寸(Critical Dimension；簡稱CD))之能力)且不斷地決定已相繼形成的且必須相互對準的各材料層的圖案之疊置準確度是必要的。例如，當形成積體電路的佈線結構時，連接兩個堆疊金屬區的各別金屬線及通孔可能必須以嚴格的製程範圍(process margin)來相互對準，這是因為顯著的不對準可能造成實際上未連接的各線路間之短路，因而可能產生不可挽回的裝置缺陷。
在疊置量測技術中，典型地係以指定的製程形成兩個獨立的結構(亦即，將要被印製的每一層中一個結構)，並決定各對稱中心間之位移。經常使用所謂的對準測試標記(box－in－box mark)，該對準測試標記係在每一層中以同心方式圖案化且係以獨立的量測工具依據該等對準測試標記之位移而進行量測，其中通常量測一個曝光場(exposure field)內之4至5個位置，且該等位置較佳是在該曝光場的角落。然而，可觀察到單一晶粒或曝光場內的疊置特徵與通常位在基材的切割線(scribe line)中之疊置標記的大許多的結構間之差異，因而使自切割線中之目標得到的量測資料之可靠性較低，且因而使根據這些量測結果的任何控制策略之可靠性較低。此種差異的理由在於前文所述的微影工具以及用來將各別層成像的光罩之瑕疵，且其中可能以與通常被用來形成疊置標記的較大結構不同的一種成像方式將通常出現在晶粒內的諸如閘電極及淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation；簡稱STI)結構等的細微結構予以成像。此種不同疊置程度的圖案與尺寸之相依現象被稱為圖案放置誤差(Pattern Placement Error；簡稱PPE)。
因此，現代的先進製程控制(Advanced Process Control；簡稱APC)策略致力於根據自先前被量測的基材得到之量測結果(亦即，對應於位在基材的切割線中之疊置標記的量測結果)而減少各別的誤差，以便反饋(feed back)量測資料所指示的不匹配，而減少將被處理的下一基材之對準誤差。APC控制器可具有通常被稱為模式預測控制(Model Predictive Control；簡稱MPC)之預測行為，而當可取得的量測資料量因製程需求而受到限制時，該預測行為可能是方便的。例如，理想上是要將大量的疊置標記放置在整個曝光場，且將量測該等疊置標記，以便得到疊置誤差的代表性映射(map)。然而，該步驟需要極長的處理時間，這在製造狀況下可能無法取得。此外，提供分佈在整個曝光場(亦即，光罩)之對應的大量適當的疊置標記時，可能造成對實際產品圖案的各別設計限制。因此，許多傳統的APC機制有賴於自切割線標記取得的量測資料。
為了產生適當的操縱值，可將量測到的“疊置”分隔成諸如放大倍數、平移、基材旋轉、光罩旋轉、以及正交性(orthogonality)等的個別對準參數。因此，用來將光罩的影像對準基材的指定位置之對應的曝光工具配方(recipe)可包含與前文所述的疊置參數對應之各別的操縱變數。該等操縱變數可代表所謂的控制器輸入，亦即，該控制器可調整以便得到前文所述諸如放大倍數、x軸平移、及正交性等的疊置參數或控制變數的指定值之微影工具的任何製程參數。
然而，根據四個角的疊置標記而產生用來控制曝光工具的對準行動之各別的“最佳”值可能因前文所述的光罩瑕疵及不同曝光工具間之透鏡變形不匹配而無法代表整個曝光場。更確切地說，對該等角落疊置標記的最佳化甚至可能造成額外的放置誤差，這是因為根據角落量測結果而進行的控制器調整可能與曝光場內之各別的變動重疊，因而可能因前文所述之原因而有顯著不同的行為，甚至可能因而造成放置誤差的“放大”。因此，在某些傳統的策略中，提議將疊置量測分成兩個工作：(a)量測產品上的傳統疊置圖案；及(b)使用對應的測試光罩量測具有在測試基材上形成的如同設計規則圖案之晶粒內(in－die)圖案。因此，如前文所述，雖然這些技術可考慮到特殊的曝光場內部效應，但是這些技術無法應付產品光罩的特定瑕疵以及該等誤差與實際用來將特定裝置層成像的複數個曝光工具中之特定一個曝光工具的對應成像效能間之複雜相互影響所造成之誤差。
有鑑於此種狀況，需要一種用來減少疊置誤差同時避免或至少減少前文所述的一個或多個問題的影響之增進技術。
一般而言，本發明係有關一種用來增強提供了複數個光罩或光遮罩(photomask)且可配合複數個微影工具而使用該複數個光罩或光遮罩的複雜製造環境中之微影工具的對準效能之技術。為達到此一目的，係在以該等光遮罩或光罩界定的各別曝光場有較高程度的空間涵蓋之情形下產生量測資料，其中可為微影工具以及光罩或光遮罩的複數種組合產生各別組的量測資料，以便提供估計和工具有關的變形特徵記號(distortion signature)與各別光罩的因製造引發的重合或放置特性間之複雜相互影響的可能性。因此，可將和工具有關的特性與和光罩有關的特性間之複雜相互影響相關之各別資訊編碼成各別的量測資料，因而可在比用來估計各別裝置層的疊置特性的典型量測位置高的空間涵蓋之情形下提供該量測資料。因此，用來減少將一個裝置層對準下方裝置層之控制程序可根據可在有效率且快速的製程中收集之傳統的疊置量測資料，因而可應付與製程有關的變動，同時具有高空間涵蓋的各別量測資料可也考慮到通常在時間上較穩定的複雜之與光罩及工具有關的相互影響，而且該等量測資料可用於複數個基材，因而不會將實際產品製程期間的整體量測程序與製程過度複雜化。
根據本發明的一個例示實施例，一種方法包含下列步驟：產生微結構裝置的第一裝置層及第二裝置層的複數個不同組合之疊置修正資料，其中該第一裝置層係由一個或多個第一光遮罩(photomask)界定，且該第二裝置層係由一個或多個第二光遮罩界定。使用複數個微影工具以形成該第一及第二裝置層，其中係自該第一及第二光遮罩內之第一複數個量測位置得到該等疊置修正資料。該方法進一步包含下列步驟：使用該等第一光遮罩之其中一者以及該複數個微影工具之其中一者而在第一產品基材上形成第一裝置層。此外，使用該疊置修正資料以及自其上形成有該第一及第二層的先前被處理過的基材之第二複數個量測位置得到的疊置量測資料，而將用於該複數個微影工具之其中一者的該等第二光遮罩之其中一者對準在該第一產品基材上形成之該第一裝置層，其中該第二複數個量測位置少於該第一複數個量測位置。
根據本發明的另一例示實施例，一種方法包含下列步驟：界定用來形成微結構裝置的第一裝置層並將該第一裝置層對準該微結構裝置的第二裝置層的複數個微影工具/光罩組合之疊置資料映射(map of overlay data)，其中使用了該等微影工具/光罩組合中之各別兩個微影工具/光罩組合，且其中該映射係根據第一複數個在空間中分佈的量測位置。該方法進一步包含下列步驟：自其上形成有該第一及第二裝置層的第一產品基材得到疊置量測資料，其中係自第二複數個在空間中分佈的量測位置得到該疊置量測資料，其中該第二複數個量測位置少於該第一複數個量測位置。最後，該方法包含下列步驟：控制使用其中包含用於該第一裝置層的光罩的第一微影工具/光罩組合而在第二產品基材上形成的該第一裝置層與將被其中包含用於該第二裝置層的光罩的第二微影工具/光罩組合形成的該第二裝置層間之對準，其中該控制步驟係根據該疊置資料映射以及該疊置量測資料。
根據本發明的又一例示實施例，一種對準控制系統包含資料庫，該資料庫包含複數個微影工具/光罩組合之每一微影工具/光罩組合的各別組之疊置修正資料，其中至少一個第一光罩界定微結構之第一裝置層，且至少一個第二光罩界定將對準該第一裝置層之第二裝置層，其中每一組之疊置修正資料具有比在該第一及第二光罩之每一光罩中形成的疊置量測標記提供之空間涵蓋更高的曝光場空間涵蓋。該對準控制系統進一步包含在操作上被連接到該資料庫之控制器，用以選擇性地擷取特定組的疊置修正資料，且該控制器係組構成接收自先前被處理過的基材之該等疊置量測標記取得的疊置量測資料，其中該控制器進一步組構成根據該疊置量測資料以及該特定組的疊置修正資料而提供複數個對準參數值，其中該特定組對應於用來形成第一裝置層的該等組合的該等微影工具之其中一者、以及對應於用來形成在該第一裝置層之上的該第二裝置層的該等微影工具之其中一者。
雖然將參照下文的詳細說明及各圖式中示出之實施例而說明本發明，但是應了解：下文中之詳細說明以及各圖式之用意並非在將本發明限制在所揭示之特定實施例，而是所述之例示實施例只是例示本發明的各種態樣，且係由最後的申請專利範圍界定本發明之範圍。
一般而言，本發明係有關一種用來控制對準製程之增進技術，其中係在可配合複數個光遮罩或光罩而使用複數個微影工具的複雜製造環境中形成微結構裝置。如前文所述，通常係以自動化方式執行非常複雜的對準程序，以便努力減少數個裝置層間之疊置誤差。因為在複雜的製造環境中，要滿足對高產出率的複雜需求，而通常後續的關鍵性裝置層需要有對準準確度有關的相當高之準確度，因而可能不必然能以相同的微影工具進行成像。因此，由於與工具及光罩有關的瑕疵，所以曝光場內之各別層部分之疊置準確度可能顯著地取決於用來形成該等各別的裝置層之對應的光罩/工具組合，其中可能無法以用來估計產品基材的疊置準確度的已確立之量測程序而有效率地呈現各別的隨著空間而改變之不準確，這是因為典型地只有少數的量測位置能在其上提供通常是在鄰接各別的曝光場的切割線內之各別的疊置標記，以便不會過度地干擾到分佈在整個曝光場上之各別的裝置圖案。因此，縱然使用了極複雜的APC(先進製程控制)策略，用來控制對準程序的各別程序仍然可能受困於降低之控制品質，這尤其是因為可能無法以自該等少數專用的疊置量測標記所得到的量測資料適當地呈現與光罩有關的及與工具有關的系統性偏差。本發明因而提供了影響增加的空間涵蓋的各別的工具/光罩組合之額外的量測資料，其中各別的量測資料在時間上顯得更為穩定，使得可配合根據該等專用的疊置量測標記之各別更新後之疊置量測值，而將該等各別的量測資料用於複數個產品基材。因此，例如可藉由重新調整對應的對準參數值之各別目標值，以便得到各別的經過修正之參數值，而有效率地將具有增加之空間涵蓋的對應的額外之量測資料適當地用來修改控制演算法，其中係以高空間涵蓋將與工具及光罩有關的相互影響之各別資訊編碼。因此，可顯著地改善各別曝光場內之疊置準確度，但是在實際的控制序列反饋期間，係自對應於該等專用疊置量測標記的少數量測位置上得到量測資料。
請參閱各附圖，現在將更詳細地說明本發明之進一步的例示實施例。
第1a圖係示意地圖示出製造環境(180)，該製造環境(180)包含複數個微影工具(183)，該複數個微影工具(183)可代表諸如步進機(stepper)以及步進及掃描裝置(step and scan device)等之任何先進的光微影裝置，且該等微影裝置係適當地組構成將指定的曝光場成像在先前形成的裝置層上。此外，可提供可代表特定裝置層之複數個第一光罩或光遮罩(181)，亦即，第一光罩或光遮罩(181)可在其中形成有各別的圖案，以便產生諸如導電線及閘電極等的各別的裝置特徵。此外，可提供至少第二複數個光罩或光遮罩(182)，該第二複數個光罩或光遮罩(182)可代表必須被精確地對準第一光罩或光遮罩(181)所代表的圖案之各別的圖案。應了解到，在製造環境(180)中，典型地提供了對應於各別裝置層的複數個不同之光罩或光遮罩，其中為了方便，並未示出任何另外類型的光罩及光遮罩。此外，製造環境(180)可包含在操作上被連接到微影工具(183)之對準控制系統(100)，該對準控制系統(100)進一步組構成自已被複數個微影工具(183)根據該等光罩或光遮罩(181)、(182)而處理過的基材(184)接收各別的疊置量測資料。請注意，術語“光罩”及“光遮罩”可在本說明書中被用來作為同義字，其中應了解到：在複雜的應用中，通常使用光罩，該等光罩代表已被重複地成像在各別基材(184)以便在該等基材上形成各別的微結構裝置之曝光場。因此，系統(100)可利用各別的介面(110)而得到自諸如實質上被定位在各別曝光場(185)的角落上之專用疊置量測標記(185a)得到的各別的量測資料。
此外，系統(100)可包含資料庫(120)，該資料庫(120)可包含疊置修正資料、或可用來得到各別疊置修正資料的任何其他與製程相關之資料，且已在該等疊置修正資料中編碼了和對應的光罩(181)、(182)與各別的微影工具(183)間之與特定內曝光場有關的相互影響相關之疊置資訊。因此，資料庫(120)中儲存的各別的資訊可包含與光罩有關的重合或放置特性與微影工具有關的變形特徵記號間之相關性。資料庫(120)及介面(110)係連接到各別的對準控制器(130)，該對準控制器(130)係組構成：根據自資料庫(120)擷取的資訊以及自介面(110)得到的資訊，而決定諸如放大倍數、旋轉、x軸平移、及y軸平移等適當的對準參數值。可將用於各別對準參數之對應地決定之參數值供應到各別的微影工具(183)，以便將在該微影工具(183)中執行的對準程序最佳化。
現在將進一步參照第1b至1d圖而說明製造環境(180)的作業。
第1b圖示意地圖示出複數個基材(184)，該複數個基材(184)將被複數個微影工具(183)處理以便在基材(184)上形成第一裝置層(186)。第一裝置層(186)可代表諸如包括其他接點(contact)將要精確地對準的金屬線或任何其他裝置區等的任何關鍵性之裝置層。在基材(184)的處理期間，可將個別的基材或基材組供應到一個或多個微影工具(183)，該一個或多個微影工具(183)也配備有指示為Ri 1－Ri y的該複數個光罩(181)中之各別的光罩，其中第一層(186)係代表特定的裝置層i。視製造環境(180)及對應的排程體制之複雜性而定，可將指示為S1－SX的複數個微影工具用來形成各別的第一層(186)，其中如前文所述，第一層(186)中之特徵的對應特性可能顯著地取決於諸如與製造有關的重合特性(亦即，各別光罩內的裝置圖案之實際位置)等的與工具及光罩有關的特性。可將與工具有關的變形特徵記號理解為一種各別微影工具的在空間中變化的成像行為，且此種成像行為可能隨著個別的微影工具而變化。應了解到：這些與工具及光罩有關的特性可能隨著時間而變化，然而，其中對應的漂移(drift)遠小於影響將在經由各別第一光罩(181)將各別基材(184)實際曝光之前執行的對準程序之其他組件。
第1c圖示意地圖示出在進一步的先進製程階段中之基材(184)，其中於其上已形成第一裝置層186之基材184係根據第二光罩182或至少一些該第二光罩182(指示為Rj 1－Rj Z)而將被處理以接受第二裝置層187。因此，以所需的高度疊置準確度在各別的第一層(186)上將形成各別的第二層(187)。而且，在此例子中，對應的與光罩有關的重合特性與對應的工具變形特徵記號間之各別的相互影響可能導致第二層(187)與第一層(186)間之各別的特性疊置及放置誤差，這是因為由各別的微影工具/光罩對所產生的對應之圖案變形係重疊在用來形成第二層(187)(一般也指示為層j)的各別的微影工具/光罩對所產生的對應之圖案變形。在前文所述的本例子中，可假設層i及j(亦即，層(186)及(187))可代表關鍵性的裝置層，使得必須在高精確度下執行將第二層(187)對準第一層(186)。因此，根據本發明，可藉由提供用來提供對各別曝光場(185)的高空間涵蓋程度之各別量測資料，以便得到由各別的微影工具/光罩對所產生的圖案變形程度之有關資訊，而得到各別之與工具有關的及與光罩有關的特性。因此，於系統(100)在根據第1c圖而處理基材(184)期間所控制的對準程序期間，可將此額外的資訊用來建立該對準程序的各別參數值，以便增加整個曝光場(185)上的疊置準確度。
第1d圖係示意地圖示出對應的曝光場(185)，亦即，於其上已形成有層i及j的各別基材184之一部分，該層i及j係根據製造環境180中之流程藉由各別的微影工具/光罩對而產生。如前文所述，可根據自先前被處理過的基材的對應之專用疊置量測標記(185a)得到的各別量測資料而完成對準控制，因而有效率地提供與可根據疊置量測標記(185a)而“被偵測到”的製程特性有關之製程資訊。此外，在所示之例子中，可藉由使用第一層(186)的光罩1之微影工具S1以及使用形成第二層(187)的光罩R3之微影工具S1形成曝光場(185)，亦即，所考慮的基材的層(186)及(187)之堆疊層部分。因此，可自資料庫(120)擷取這些工具/光罩組合的對應組之修正資料，以便提供第1d圖所示的基材的對準程序之適當的參數值。
第1e圖係示意地圖示出根據本發明的例示實施例的光罩(181)、(182)，光罩(181)、(182)被組構成提供具有高空間涵蓋度之各別與光罩有關的資訊。光罩(181)可包含可以經適當設計的標記呈現之各別的量測位置(181a)，且該等量測位置可具有與專用疊置量測標記(185a)明顯不同的尺寸及不同的組構。例如，可在整個曝光場(185)的複數個位置上提供具有比量測標記(185a)尺寸小許多的尺寸之各別的標記，其中可實質上避免與由光罩(181)所呈現的各別層的實際裝置圖案間之過度干擾。在其他例示實施例中，當有決定這些專用裝置圖案的各別放置或重合特性之適當的量測機制可使用時，可根據實際裝置圖案而界定各別複數個量測位置(181a)。在此例子中，可配合本發明而使用標準設計的光罩。可得到所有相關光罩(181)(亦即，可實際用於製造環境(180)的所有光罩(181))的基於該複數個量測位置(181a)之各別量測資料。只是以舉例方式提供量測位置(181a)的例示圖案，這是因為位置(181a)的數目及圖案可根據特定的應用而改變。
同樣地，可界定該複數個第二光罩(182)之各別量測位置(182a)，以便得到每一光罩(182)之各別重合特性。此外，在此例子中，如前文所述，經過特別設計的標記可代表該等位置(182a)，且可配合用來估計光罩的重合特性之標準量測技術而有效率地使用該等標記，且(或)可使用專用裝置圖案。
第1f圖示意地圖示出在產生各別變形特徵記號或任何其他與工具有關的特性的製程期間之微影工具(183)。為達到此一目的，可準備專用的測試基材或特定的產品基材，且可量測該等基材上形成的各別圖案之變形，以便得到各別曝光工具的成像效能之對應的特徵記號(亦即，特性行為)。然而，亦可使用可決定該各別曝光工具在該曝光工具產生的對應的曝光場內之複數個特定量測位置上的成像特性之任何其他的量測技術。如同諸如前文中參照第1e及1f圖所述，以獨立於各別工具資料之方式收集各別的光罩資料，而產生具有各別曝光場的高空間涵蓋度之各別量測資料時，可提供對資料庫(120)的對應的疊置修正資料的適當之更新或調整時之高彈性程度。例如，當在製造環境(180)中取得新光罩時，可根據前文所述之技術而適當地量測各別的光罩，且可根據新收集的光罩資料及先前取得的工具資料而建立曝光工具/光罩的任何所需組合的對應組之修正資料。上述原則同樣適用於微影工具(183)，其中也可在新的安裝、維修等事件之後收集各別的工具資料，或在其他的例子中，在製造環境(180)的各別閒置時間期間，可產生各別的工具資料，以便更新對應的資料庫條目。
在其他例示實施例中，可形成各別的光罩/微影工具對，並決定各別曝光場內之諸如位置(181a)、(182a)(請參閱第1c圖)等的複數個位置上之各別疊置資料，而得到高空間涵蓋度的各別量測資料，因而可提高各別量測資料的可靠性。在另外的例示實施例中，可針對相關光罩及微影工具之任何組合，而根據諸如前文所述的層i及j等實際形成的第一及第二裝置區，而在高空間涵蓋度下決定曝光場內之各別的疊置誤差。雖然可能必須投入更多的量測工作，以便針對微影工具/光罩及光罩層對的任何所需組合而建立各別的疊置誤差資料，但是可甚至進一步增強各別量測資料的準確度及可靠性。
請參閱第1g至1k圖，現在將參照本發明的進一步之例示實施例而更詳細地說明第1a圖所示之控制系統(100)所執行的各別控制策略。
第1g圖示意地圖示出系統(100)之控制機制。在此機制中，如前文所述，可假設可將對準控制器(130)可得到的量測資料(101)分成兩個來源。亦即，量測資料(101)可包含根據諸如標記(185a)等各別的專用疊置量測標記(也指示為“四角(four corner)”量測結果)而以標準方式得到的各別之“線上”(“in－line”)量測資料。這些量測結果可代表可能會以一種與各別曝光場的任何中心部分實質上類似之方式影響到該曝光場的角落部分之諸如晶圓變形及溫度變化等製程的各別變動。與上述部分不同，量測資料(101)之另一部分可包含可指示為在時間上“穩定的”之較不隨著時間而變化的各別成分，其中應了解到：雖然決定對應的“穩定”量測資料的作用之變化仍可能發生，然而，其發生的機率將遠低於“四角”量測資料。由於該等各別量測資料的較穩定之行為，所以可在延伸的製程期間使用該等資料，因而不會過度地增加整體的量測工作，同時仍然可顯著地增強各別對準製程的製程品質。根據對應的“穩定”量測資料，可建立適當的疊置修正資料，且可將該等疊置修正資料儲存在資料庫(120)中。為了方便，可將此種資料稱為“全場(full field)”疊置資料，以便指示對應的量測資料提供了比“四角”量測資料更高的曝光場空間涵蓋度。因此，在某些例示實施例中，各別的“全場”疊置資料可包含指示為OVLi,j(X,Y；k,l)140之各別的映射，該映射可包含用於特定裝置層i,j以及工具/光罩對(k,l)的各別與工具及光罩有關的特性。可以將特定疊置性質特徵化的資料值的對應的“網格(grid)”之形式(例如，在特定位置(x,y)上之疊置誤差)提供疊置資料的各別映射，其中如果各別的值需要高空間解析度，以便諸如在控制製程期間執行各別的計算，則可根據實際的量測結果並配合內插法(interpolation)而建立該等各別的資料值。在其他例示實施例中，可根據諸如將於下文中更詳細說明的製程等的任何適當之技術而處理對應的“全場”量測資料，以便得到可儲存在資料庫(120)內之適當的修正值，且該等修正值可直接用來作為在對準控制器(130)中實施的對應的控制演算法之各別目標偏移值(target offset value)。
因此，在系統(100)的作業期間，可以精密APC系統的形式提供之對準控制器(130)可自介面(110)接收對應的“四角”量測資料，並可自資料庫(120)擷取諸如形式為前文所述的疊置資料映射、或形式為任何其他被進一步操作過的資料、或形式甚至為具有高空間涵蓋度的起始產生的量測資料之適當的資料，其中可使資料庫(120)的資料與層i,j所使用的工具/光罩組合相關。控制器(130)可根據這兩個資料組而提供用於對準參數之適當的參數值，其中在一個例示實施例中，各別的目標值等同於自“四角”量測資料得到的實際量測疊置誤差間之對應的差異，且可根據由“穩定的”量測資料決定的偏移值而調整“四角”量測資料之對應的目標值，因而將被編碼到其中之資訊加入到由對準控制器(130)所執行的各別控制演算法中。
第1h圖示意地圖示出根據本發明的一個例示實施例而得到疊置資料之映射(140)之流程。在此實施例中，如同諸如前文中參照第1c圖所述的，可獨立地得到光罩及微影工具的“穩定的”量測資訊(亦即，量測資料(101)中與工具及與光罩有關的特性相關之部分)。因此，在步驟(141)中，可決定任何所需關鍵性的光罩(例如，製造環境(180)中將被用於特定裝置層之每一光罩)之光罩放置特性。有關取得具有對應的光罩之所需空間涵蓋度的所需資訊之適當技術，可參考前文中參照第1c圖所述之實施例。在步驟(142)中，可得到用於特定裝置層i的每一光罩l之“全場”表示法(也指示為RETi(x,y；l))，其中應了解到：該“全場”表示法可代表間隔緊密的資料點之映射，該映射可呈現可取得對應的許多量測值時之量測值，或者該映射可呈現對應的被計算出的或以內插法插入的資料點，其中可根據製程要求而選擇對應的映射之解析度。同樣地，在步驟(143)中，如同前文中參照第1d圖所述的，可決定相關曝光工具之對應的透鏡變形特徵記號或任何其他特性。在步驟(144)中，可決定每一相關曝光工具k之“全場”變形表示法D(x,y；k)，其中在一個例示實施例中，可根據對準製程的可用模型而得到映射D的變形表示法。例如，方程式1dx ＝Tx ＋Mx x－Rx y＋ex dy ＝Ty ＋My y－Ry y＋ey (1)描述了步進及掃描系統之場內模型(intra field model)，其中各別的對準參數描述了在各別量測位置(x,y)處之一組疊置量測資料，其中對應的參數T、M、R、及e代表沿著下標所示的對應方向的對應之參數：平移、放大倍數、旋轉、及殘餘誤差(residual error)。因此，可根據對應的量測資料dx 、dy ，並使用諸如最小平方技術(least square technique)等適當的最佳化技術，而決定殘餘放置誤差ex 、ey ，且該等殘餘放置誤差ex 、ey 可代表曝光工具k在量測位置(x,y)上的對應之變形D。根據一個例示實施例，可合併該等對應的“全場”表示法RET及D，以便得到各別的總內域疊置資料，其中可根據下列方程式而將兩個成分相加：RETi(x,y；l)M＋D(x,y；k)＝OVLi(x,y；l,k) (2)其中OVLi(x,y；l,k)指示由光罩l及曝光工具k形成的層i中之總內域疊置誤差。為了方便，可藉由索引Ci指示曝光工具/光罩之對應的組合(l,k)，其中Ci對應於C1,...,CN，其中N指示相關組合的總數。根據每一層的各別總放置誤差，可得到“不可修正的”疊置誤差，以便決定第1g圖所示之映射(140)。為達到此一目的，在一個例示實施例中，可將相關之兩個接續層的根據方程式(2)之各別總放置誤差相減。例如，可將示為層i的起始形成之層視為具有對應的映射OVLi(x,y；Ci)所描述的某一程度的放置誤差之參考層，這是因為當次一層j可在特定位置(x,y)上沿著相同的方向產生各別的放置誤差時，原則上可減少該“參考”層的放置誤差。因此，界定兩層i,j的這兩種誤差來源間之對應的差異，即可界定對應的“不可修正的”放置誤差，且可以映射(140)之形式提供該“不可修正的”放置誤差。如前文所述，第1e及1f圖所示之流程提供了分別地得到相關光罩及任何相關曝光工具的各別變形特性的各別“全場”表示法之高度彈性。此外，因為可以高度去耦合(highly decoupled)之方式執行對各別量測資料的各別收集，所以可易於針對製造環境(180)中之整體製程要求而協調對應的量測活動。例如，如果需要更新“穩定的”疊置修正資料，則可執行工具使用率及光罩可得性等的對應之量測製程，且不會過度地影響到環境(180)中之整體流程。
第1i圖示意地圖示出可產生更多數量的各別疊置資料而以一種更“直接的”方式得到疊置資料的各別映射(140)之流程。在第1i圖所示之例示實施例中，可針對所有相關層組合以及所有相關工具/光罩對而直接量測各別的縮減映射圖OVL＊ i,j(x,y；Cn)。為達到此一目的，可將各別的光罩及工具用來形成各別的裝置層i,j，且可決定在複數個場內位置(x,y)上之對應的疊置誤差，其中視量測點的密度而定，可執行諸如內插法等的適當之資料操縱，以便得到具有所需空間解析度之“全場”映射(140)。如前文中參照第1d圖所述，在其他例示實施例中，可直接量測每一相關層i,j的所形成之總放置誤差OVLi(x,y；Cn)、OVLj(x,y；Cn)，而得到映射(145)，且可如前文中參照映射(140)所述，將各別的層誤差來源(亦即，OVLj(x,y；Cn)、OVLi(x,y；Cn))相減，而得到對應的映射圖(145)。在此種方式下，可獲得對應的疊置資料(140)之更高之準確度，且只需要適度增加量測活動的數量。
請參閱第1j及1k圖，現在將說明可根據“全場”疊置資料(140)而得到對準控制器(130)所提供的對準參數的各別修正值的根據進一步的例示實施例之各別的流程。
在第1j圖中，可將步驟(150)的“全場”疊置資料(140)(例如，映射OVLi,j(x,y；Cn)，其中Cn代表光罩1及工具k的組合之其中一者)用於步驟(151)，以便決定在各別量測位置處之各別“四角”疊置誤差值，且亦可根據諸如標記(185a)等的各別專用疊置量測標記而得到該等量測位置處之各別“四角”量測資料。可將各別的量測位置稱為(x角,y角)。然而，應了解到：可根據各別的專用疊置量測標記之位置而改變對應的實際量測位置。在步驟(152)中，可根據各別的模型以及在步驟(151)中決定的對應之疊置誤差值，而得到對應的對準參數之各別參數值。例如，可使用在對準控制器(130)中通常被用來決定各別參數的更新後的參數值之對應的模型，其中可以步驟(151)中產生的對應之“四角”資料代表對應的“量測值”。例如，可使用前文中參照方程式(1)所述之對應的模型及各別的最佳化技術，以便得到對應的參數值。
在步驟(153)中，可執行用來得到適當的參數值之對應的製程，其中模型化(modelling)可基於“全場”疊置誤差值(140)，以便得到代表場內特性對用來得到更新後的參數值的對應製程之影響之對應的參數值。例如，可計算複數個場內位置之各別參數值，且可以任何適當的方式計算該等對應的參數值之平均值。在其他的例子中，可執行對輸入的“量測資料”的所需之平均值計算，亦即，可在整個曝光場或其指定部分上計算映射(140)之平均值，因而產生了該模型化製程的輸入“量測資料”，然後可根據輸入資料的平均值而執行該模型化製程。無論如何，在步驟(152)及步驟(153)中得到的對應之參數值可能互不相同，這是因為在步驟(152)中得到的參數值只反映了諸如四角位置等的少數位置上的對應之疊置特性，而在步驟(153)中得到的參數值則考慮到了被編碼到本身係基於複數個場內量測資料的映射(140)的資訊之大部分。因此，步驟(152)中得到的該等“四角”參數值與步驟(153)中得到的該等“全場”參數值間之差異描述了考慮到與工具及光罩有關的特性對係根據數目減少的量測位置(亦即，該等“四角”位置)而執行的該控制演算法之影響。因此，根據該等各別的參數值，可建立實際控制製程的適當偏移值，以便補償實際對準控制製程期間沒有考慮到的場內影響。因此，在步驟(154)中，建立了對準控制器(130)使用的每一參數之適當的偏移值。例如，在一個例示實施例中，可將步驟(152)及(153)中得到的該等各別參數值間之差異用來作為對應的修正值。方程式(3)示出諸如x軸平移等的一個對準參數之代表性例子，其中係根據步驟(153)中得到的對應參數值(亦即，在方程式(3)中，右端的第一項)以及步驟(152)中得到的對應參數值(亦即，方程式(3)中之第二項)而計算出對應之偏移值Tx CORR。
Tx Corr＝Tx (OVLj,i(x,y)－Tx (OVLj,i(x－corner,y－corner) (3)
因此，在對準系統(100)的作業期間，控制器(130)可自資料庫(120)擷取對應的經過修正之參數值，或控制器(130)可在任何適當的時間點上根據諸如疊置映射(140)等的具有高空間涵蓋度之適當的疊置資料，而執行步驟(151)至(154)中之各別的步驟。應了解到：當可取得具有高空間涵蓋度的各別量測資料時，可在任何時間執行用來得到適當的參數修正值之對應的行動。因此，可將對應的修正值本身或修正值的任何中間資料(intermediate data)儲存在資料庫(120)中，且需要執行對應的控制行動時，由控制器(130)擷取該等資料。
第1k圖示意地圖示出根據本發明的又一例示實施例而取得對準參數的適當的修正值之流程。並且，在此例子中，該程序可基於諸如參照第1g、1h及1j圖所述的映射(140)的適當的疊置資料映射。在步驟(155)中，如同諸如前文中亦參照第1j圖的步驟(153)所述的，可根據對應的“全場”疊置映射(140)，而將對應的值用來作為決定各別參數值的對應模型之輸入值。例如，可配合用來得到對準參數的對應值之適當的最佳化技術而使用前文中參照方程式(1)所述之該模型。
在步驟(156)中，可根據步驟(155)中得到的參數值以及對應的“全場”疊置資料(140)而決定諸如參照方程式(1)所述的殘餘值ex 、ey 等的對應疊置誤差殘餘值。因此，步驟(156)中得到的各別殘餘值可代表在根據代表所使用的對應光罩及微影工具的作用之對應的輸入“量測資料”而選擇“最佳”參數值之後仍然可能存在的對應之疊置誤差。因此，在步驟(157)中，可諸如以對應的四角疊置值(如同諸如參照第1j圖中之步驟(151)所述的，可根據疊置映射(140)而得到該等四角疊置值)減掉對應的殘餘值，而將疊置誤差的該“不可修正的”基線重疊在對應的“四角”量測位置上。因此，得到了考慮到對應的場內作用之經過修改的“四角”疊置值。在實質上對應於第1j圖所示的步驟(152)之步驟(152A)中，可根據步驟(157)中得到的對應之經過修改的“四角”值而得到各別的參數值，然而，其中使用了經過修改的“四角”資料。因此，步驟(152A)中得到的對應之參數值可能不同於步驟(152)中得到的對應之參數值，這是因為對應的場內作用已被加入成比步驟(152)中得到的參數值更高之程度。然後，可執行前文中已參照第1j圖而述及之步驟(154)，以便得到諸如步驟(152A)與步驟(155)中得到的對應的參數值間之各別差異等的適當之修正值。因此，在此實施例中，可考慮到場內成分，以便在對於對應的控制演算法(亦即，對應的最佳化技術)具有較低相依性之情形下決定各別的修正值。
因此，本發明提供了一種於根據複數個曝光工具及複數個光罩而形成微結構裝置的接續的裝置層時用來控制要被執行的對準程序之增強技術，其中可將相同類型的一個或多個光罩用於各別的第一裝置層，且其中可將一個或多個同等的光罩用於第二裝置層。而在傳統的技術中，典型地係根據具有適度低的對應曝光場空間涵蓋度之疊置量測資料而執行先進的APC策略，這是因為例如曝光場內只有少數位置可接受量測，其中使用阻尼移動平均(damped moving average)來嘗試將實際使用的參數值與各別目標值間之差異最小化。本發明藉由提供了每一對準參數之適當的修正值，而考慮到與工具及光罩有關的作用所造成之場內效應。因為對應的與工具及光罩有關之作用可以是在時間上較穩定的，所以可能必須在低頻度下執行各別的量測，因而不會過度地增加得到所需場內量測資料的整體量測工作。在某些例示實施例中，可針對所考慮的曝光工具及各別的光罩而分別地得到具有比根據傳統疊置標記的標準量測資料更高的空間涵蓋度之各別的量測資料，因而提供了在工具可得性、光罩可得性、新光罩及工具的導入以及工具組構的改變等方面之與製程內部要求有關的高彈性度。在其他的例子中，可直接量測工具變形特徵記號與對應的本質光罩特性間之相互影響，而實現各別場內量測資料的高準確度及可靠性。因此，可在高準確度下呈現各別的相互影響，因而也提供了各別對準參數的高可靠性之修正。在對準程序期間，對應的控制器可接收標準量測資料，且該控制器可根據本發明而額外地存取對應的資料庫，以便得到涉及對應的裝置層之形成的各別工具/光罩對之對應的修正值。因為可取得任何所需組合之對應的修正值，所以具有高彈性度之該等對應的資料庫條目可涵蓋甚至非常複雜的製程情況，這是因為可易於針對任何新的製程情況而延伸該對應的資料庫，例如，可能在將額外的光罩以及新的曝光裝置等的因素導入各別的製造環境時，發生該新的製程情況。因為在生產狀況期間，可將對各別參數修正值的對應之決定實質上從實際的控制製程去耦合，所以可實質上避免對與工作速度有關的控制製程效能之不利影響。因此，根據個別的對準參數之各別修正值，可藉由變動對應的目標值，而修改各別的控制演算法，其中該對應的變動或偏移可代表場內誤差來源對疊置誤差及放置誤差的影響。
熟悉此項技術者在參閱本說明之後，本發明之進一步的修改及變化將變得明顯。因此，應將本說明理解為只具有例示性，且本說明之目的在於向熟悉此項技術者揭示實施本發明之一般方式。應了解到：在此所示出及說明的本發明之形式係視為目前較佳之實施例。
100．．．對準控制系統
101．．．量測資料
110．．．介面
120．．．資料庫
130．．．對準控制器
140．．．映射
141、142、143、144、145、150、151、152、152A、153、154、155、156、157．．．步驟
180．．．製造環境
181．．．第一光罩或光遮罩
181a、182a．．．量測位置
182．．．第二複數個光罩或光遮罩
183．．．微影工具
184．．．基材
185．．．曝光場
185a．．．疊置量測標記
186．．．第一裝置層
187．．．第二裝置層
本發明之其他優點、目的及實施例係界定於所附之申請專利範圍及先前敘述中，且藉由參照各附圖而參閱前文中之詳細說明將變得更加明顯，其中：第1a圖示意地圖示出根據本發明的例示實施例之控制系統，該控制系統包含資料庫，該資料庫包含各別組之疊置修正資料；第1b及1c圖示意地圖示出用來形成特定裝置層之複數個微影工具/光罩組合；第1d圖是兩個接續的裝置層的組合的複數個曝光場之俯視圖；第1e及1f圖示意地圖示出根據例示實施例而在高空間涵蓋度下估計與光罩有關的重合或放置特性以及微影工具變形特徵記號之在空間中分佈的量測位置；第1g圖示意地圖示出根據本發明的一個例示實施例的控制機制；第1h圖示意地圖示出根據一個例示實施例而決定疊置資料的二維映射之控制機制；第1i圖示意地圖示出根據其中包括額外的量測行動的其他例示實施例而產生疊置資料的二維映射；以及第1j及1k圖是根據本發明各種例示實施例而用來得到修正係數的製程之流程圖。
100．．．對準控制系統
110．．．介面
120．．．資料庫
130．．．對準控制器
180．．．製造環境
181．．．第一光罩或光遮罩
182．．．第二複數個光罩或光遮罩
183．．．微影工具
184．．．基材
185．．．曝光場
185a．．．疊置量測標記

Claims (19)

  1. 一種用以製造積體電路之方法，包括下列步驟：產生微結構裝置的第一裝置層及第二裝置層的複數個不同組合之疊置修正資料，該第一裝置層係由一個或多個第一光遮罩界定，該第二裝置層係由一個或多個第二光遮罩界定，該第一及第二裝置層係藉由使用複數個微影工具而形成，該疊置修正資料表示量測資料係自該第一及第二光遮罩內之第一複數個場內量測位置得到，用於每一該第一遮罩與該微影工具的組合，以及用於每一該第二遮罩與該微影工具的組合；使用該等第一光罩之其中一者以及該複數個微影工具之其中一者而在第一產品基材上形成該第一裝置層；以及使用該疊置修正資料以及自其上形成有該第一及第二層的先前被處理過的基材之第二複數個量測位置所得到的疊置量測資料，而將用於該複數個微影工具之其中一者的該等第二光遮罩之其中一者對準在該第一產品基材上形成之該第一裝置層，該第二複數個量測位置少於該第一複數個場內量測位置；其中，產生該疊置修正資料包括：藉由使用不同的微影工具和光遮罩對形成該第一及第二裝置層的該複數個不同組合；以及量測每一組合的該第一複數個場內量測位置中之每一量測位置之疊置資料。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，產生該疊置修正 資料之該步驟包括下列步驟：產生該第一及第二光遮罩中之每一光罩的各別放置資料組；以及產生該複數個微影工具中之每一微影工具的成像變形資料組。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，產生該等各別放置資料組之該步驟包括下列步驟：在該第一複數個場內量測位置中之每一量測位置提供放置量測標記。
  4. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，產生該等成像變形資料組之該步驟包括下列步驟：決定該複數個微影工具中之每一微影工具的透鏡變形特徵記號；以及根據對準模型而決定該透鏡變形特徵記號之殘餘放置誤差。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，產生該疊置修正資料之該步驟包括下列步驟：根據該第一複數個場內量測位置而決定疊置映射(overlay map)；自該疊置映射決定該第二複數個量測位置之估計疊置資料；根據該估計疊置資料而決定第一組的對準參數值；根據該疊置映射的至少一部分而決定第二組的對準參數值，該部分提供比該估計疊置資料更高的空間涵蓋度；以及根據該第一及第二組的對準參數值而得到該疊置修正資料。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，進一步包括下列步驟：根據來自該第一組的值與來自該第二組的值之差異，而產生每一對準參數之修正值。
  7. 如申請專利範圍第5項之方法，進一步包括下列步驟：根據該估計疊置資料的差異以及根據該疊置映射而決定的殘餘疊置誤差，而產生每一對準參數的修正值，其 中，係根據該差異而決定該第一組的對準參數值。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該疊置修正資料決定被用來作為控制該第二層的該對準的被操縱變數的對準參數的目標值之偏移值(offset)。
  9. 一種用以製造積體電路之方法，包括下列步驟：界定用來形成微結構裝置的第一裝置層並與該第一裝置層對準的第二裝置層的複數個微影工具/光罩組合之疊置資料映射，其中使用了該等微影工具/光罩組合中之各別兩個微影工具/光罩組合，該映射係根據第一複數個在空間中分佈的場內量測位置；自其上形成有該第一及第二裝置層的第一產品基材得到疊置量測資料，其中係自第二複數個在空間中分佈的量測位置得到該疊置量測資料，該第二複數個量測位置少於該第一複數個量測位置；以及控制使用包括用於該第一裝置層的光罩的第一微影工具/光罩組合而在第二產品基材上形成的該第一裝置層與將由包括用於該第二裝置層的光罩的第二微影工具/光罩組合形成的該第二裝置層間之對準，該控制步驟係根據該疊置資料映射以及該疊置量測資料。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，界定該疊置修正資料映射之該步驟包括下列步驟：根據提供了比該第二複數個量測位置更高的空間涵蓋度之放置量測位置，而決定該複數個微影工具/光罩組合中之每一光罩之放置資料；以及決定所使用的每一微影工具之透鏡變形特 徵記號。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，進一步包括下列步驟：根據該放置資料而決定該等光罩中之每一光罩的重合映射(registration map)。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，進一步包括下列步驟：根據對準模型以及該等透鏡變形特徵記號而決定殘餘放置誤差；以及根據該等殘餘放置誤差而決定變形映射。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，進一步包括下列步驟：合併該等微影工具/光罩組合中之每一微影工具/光罩組合的該變形映射及該重合映射，以便界定該疊置資料映射。
  14. 如申請專利範圍第9項之方法，進一步包括下列步驟：形成該複數個微影工具/光罩組合中之每一可能的微影工具/光罩組合的該第一及第二裝置層；量測至少在該第一複數個在空間中分佈的場內量測位置之疊置資料；以及根據該等被量測的疊置資料而界定該疊置資料映射。
  15. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，控制該對準之該步驟包括下列步驟：自該疊置資料映射決定該第二複數個量測位置之估計疊置資料；根據該估計疊置資料而決定第一組的對準參數值；根據該疊置映射的至少一部分而決定第二組的對準參數值，該部分提供比該估計疊置資料更高的空間涵蓋度；以及根據該第一及第二組的對 準參數值而得到疊置修正資料。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，進一步包括下列步驟：根據來自該第一組的值與來自該第二組的值之差異，而產生每一對準參數之修正值。
  17. 如申請專利範圍第15項之方法，進一步包括下列步驟：根據該估計疊置資料的差異以及根據該疊置資料映射而決定的殘餘疊置誤差，而產生每一對準參數的修正值，其中，係根據該差異而決定該第一組的對準參數值。
  18. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，係使用該第一微影工具/光罩組合以形成該第一基材之該第一裝置層，且係使用該第二微影工具/光罩組合以形成該第一基材之該第二裝置層。
  19. 一種對準控制系統，包括：資料庫，該資料庫包含複數個微影工具/光罩組合之各別組之疊置修正資料，至少一個第一光罩界定微結構之第一裝置層，且至少一個第二光罩界定將對準該第一裝置層之第二裝置層，每一組之該疊置修正資料具有比在該第一及第二光罩中之每一光罩中形成的疊置量測標記提供之空間涵蓋度更高的曝光場空間涵蓋度；以及控制器，在操作上被連接到該資料庫，用以選擇性地擷取特定組的疊置修正資料，且該控制器組構成接收自先前被處理過的基材之該等疊置量測標記取得的疊置量測資料，該控制器進一步組構成根據該疊置量測資 料以及該特定組的該疊置修正資料而提供複數個對準參數值，該特定組對應於被用來形成第一裝置層的該等組合的該等微影工具之其中一者、以及對應於被用來形成在該第一裝置層之上的該第二裝置層的該等微影工具之其中一者。
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