TW202339018A - 受體基板、受體基板的製造方法、移載方法、發光二極體面板的製造方法和壓模 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 238
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 166
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 72
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
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Abstract
本發明提供一種於使用壓模進行移載時可提高移載對象物的拾取成功率的受體基板、該受體基板的製造方法、以及使用該受體基板的移載方法及LED面板的製造方法。一種受體基板,配置有使用壓模向其他基板移載的多個移載對象物,所述受體基板具有多個配置有藉由利用所述壓模進行的一次移載動作而同時移載的一組所述移載對象物的分區,於所述分區外具有未配置所述移載對象物的非配置區域,所述多個分區分別被所述非配置區域包圍。
Description
本發明是有關於一種受體基板、受體基板的製造方法、移載方法、LED面板的製造方法和壓模。
近年來,氮化物半導體的光元件被用作液晶顯示器的背光(backlight)、或廣告牌(signage)用顯示器。該些用途中,一次使用大量的光元件,因而要求高速的移載技術。作為高速的移載技術,通常進行基於使用壓模的壓印(stamp)方式的一併移載,一次可移載1000個~幾萬個左右。
光元件例如是藉由半導體製程於藍寶石基板上大量製作。於藉由被稱為微型發光二極體(Light Emitting Diode,LED)的100 μm見方以下的LED來製作4英吋的顯示器基板的情況下,需要幾百萬個微型LED。作為幾十μm的微小元件的微型LED是自作為磊晶基板的藍寶石基板分離而利用。
作為分離方法,通常是對排列於藍寶石基板上的光元件貼合作為供體前驅基板的支撐基板,並藉由雷射剝離(laser lift-off)自藍寶石基板分離光元件。藉此,可獲得於表面上配置有多個光元件的供體基板。
此種方法並不限於與光元件相關者,亦可應用於製造於表面上配置有微細的半導體元件等多個移載對象物的供體基板。
另外,供體基板上的移載對象物例如以成為與製品的電路基板對應的配置的方式移載至受體基板上,並能藉由壓印方式自該受體基板移載至製品的電路基板等其他基板。
例如,於專利文獻1中提出了一種藉由雷射照射將供體基板上的移載對象物高精度地移載至受體基板的方法。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-4478號公報
[發明所欲解決之課題]
先前,於以壓印方式自受體基板向其他基板移載時,有時會產生漏拾取移載對象物的一部分或者誤拾取與移載對象物相鄰的元件等不良狀況。該些降低了包括多個移載對象物的製品的生產性。
本發明是為了解決所述問題而成者,其目的在於提供一種於使用壓模進行移載時可提高移載對象物的拾取成功率的受體基板、該受體基板的製造方法、使用該受體基板的移載方法及LED面板的製造方法、以及壓模。
[解決課題之手段]
為了解決所述課題,於本發明中,提供一種受體基板,所述受體基板配置有使用壓模向其他基板移載的多個移載對象物,其中,
所述受體基板具有多個配置有藉由利用所述壓模進行的一次移載動作而同時移載的一組所述移載對象物的分區,
於所述分區外具有未配置所述移載對象物的非配置區域,
所述多個分區分別被所述非配置區域包圍。
本發明的受體基板具有多個配置有藉由利用壓模進行的一次移載動作而同時移載的一組移載對象物的分區,因此可以每個分區為單位進行移載,無需使用大的壓模一併進行全部移載對象物的移載,其結果,可防止因所使用的壓模或受體基板的面方向上的翹曲而導致的拾取不良。
另外,本發明的受體基板的各分區被未配置移載對象物的非配置區域包圍,因此於利用壓模進行一次移載動作時,可防止誤拾取配置於相鄰的分區中的元件。
該些的結果,根據本發明的受體基板,可提高移載對象物的拾取成功率,結果可提高包括移載對象物的製品的生產性。
例如,所述移載對象物可為微型LED或半導體晶片。
移載對象物並無特別限定,例如可設為微型LED或半導體晶片。
另外,於本發明中,提供一種受體基板的製造方法,所述受體基板配置有使用壓模向其他基板移載的多個移載對象物,所述受體基板的製造方法包括下述步驟:
準備包括所述移載對象物的供體基板、及受體前驅基板;以及
藉由雷射剝離將所述移載對象物自所述供體基板移載至所述受體前驅基板,從而獲得受體基板,
於所述獲得受體基板的步驟中,以如下方式藉由所述雷射剝離來進行所述移載對象物的移載,即,於所述受體前驅基板上形成多個配置有藉由利用所述壓模進行的一次移載動作而同時移載的一組所述移載對象物的分區,於所述分區外形成未配置所述移載對象物的非配置區域,且所述多個分區分別被所述非配置區域包圍。
根據此種受體基板的製造方法,可製造本發明的受體基板,其可提高移載對象物的拾取成功率,結果可提高包括移載對象物的製品的生產性。
另外,於本發明中,提供一種移載方法,其使用壓模將多個移載對象物自本發明的受體基板移載至其他基板,所述移載方法包括:
壓印步驟,使用所述壓模並藉由一次移載動作,而自所述受體基板的所述多個分區的至少一個將所述一組移載對象物以每個所述分區為單位同時移載至所述其他基板。
若為此種移載方法,則由於使用本發明的受體基板,因此可提高移載對象物的拾取成功率,其結果,可實現優異的移載效率。
另外,於本發明中,提供一種LED面板的製造方法,其包括下述步驟:準備本發明中記載的受體基板且為所述移載對象物為微型LED的受體基板;
準備LED面板基板;以及
使用壓模並藉由一次移載動作,而自所述受體基板的所述多個分區的至少一個將所述一組移載對象物即微型LED以每個所述分區為單位同時移載至所述LED面板基板。
若為此種LED面板的製造方法,則由於使用本發明的受體基板進行移載,因此可提高微型LED的拾取成功率,其結果,可以高生產性製造LED面板。
另外,於本發明中,提供一種壓模,其於基板的其中一個面設置有壓模頭,所述壓模中,
所述基板的其中一個面上的未設置壓模頭的區域具有實施了脫模處理的區域。
若為此種壓模,則因存在實施了脫模處理的區域而即便於壓模接觸到與移載對象的分區相鄰的分區的一部分的情況下,亦可抑制意外的相鄰分區的拾取,提高移載對象物的拾取成功率。另外,此種實施了脫模處理的壓模並不限於以每個分區為單位進行拾取的用途,對於修補(移載對象物向排列有移載對象物的基板的去除了不良移載對象物的部分的再移載)而言特別有效。
例如,所述脫模處理可設為形成脫模膜。
脫模處理並無特別限定,例如可設為形成脫模膜。
例如,所述脫模膜可為氟樹脂膜或金屬膜。
脫模膜並無特別限定,例如可為氟樹脂膜或金屬膜。
例如,所述壓模頭的拾取移載對象物的面可具有突起。
藉由進行拾取的面具有突起,可發揮更優異的拾取性。
於該情況下,所述突起較佳為呈矩陣狀設置。
藉由具有呈矩陣狀設置的突起,可實現更穩定的拾取。
另外,所述突起的大小較佳為與突起外接的外接圓的直徑是與移載對象物外接的外接圓的直徑的0.5倍~1.5倍的大小。
藉由設為此種範圍,可更高精度地進行移載。
另外,所述壓模頭的拾取移載對象物的面亦可具有接著層。
本發明的壓模可藉由接著層來實現拾取。
另外,所述壓模頭的拾取移載對象物的面亦可由接著劑製作。
本發明的壓模可藉由接著劑來實現拾取。
所述壓模頭亦可由矽酮樹脂形成。
壓模頭例如可設為由矽酮樹脂形成的壓模頭。
本發明的壓模例如用於修補處理。
如上所述,本發明的壓模對於修補而言特別有效。
[發明的效果]
如以上所述,若為本發明的受體基板,則可提高移載對象物的拾取成功率,結果可提高包括移載對象物的製品的生產性。
另外,若為本發明的受體基板的製造方法,則可製造本發明的受體基板,其可提高移載對象物的拾取成功率,結果可提高包括移載對象物的製品的生產性。
另外,若為本發明的移載方法,則可提高移載對象物的拾取成功率,其結果,可實現優異的移載效率。
另外,若為本發明的LED面板的製造方法,則可以高生產性製造LED面板。
另外,若為本發明的壓模,則可提高移載對象物的拾取成功率。
如上所述,要求開發一種於使用壓模進行移載時可提高移載對象物的拾取成功率的受體基板。
本發明者等人對所述課題反覆進行了銳意研究,結果發現,若為如下受體基板,即具有多個配置有藉由利用壓模進行的一次移載動作而同時移載的一組移載對象物的分區,所述多個分區分別被未配置移載對象物的非配置區域包圍的受體基板,則可防止漏拾取移載對象物的一部分或者誤拾取與移載對象物相鄰的元件,從而完成了本發明。
即,本發明是一種受體基板,所述受體基板配置有使用壓模向其他基板移載的多個移載對象物,其中,
所述受體基板具有多個配置有藉由利用所述壓模進行的一次移載動作而同時移載的一組所述移載對象物的分區,
於所述分區外具有未配置所述移載對象物的非配置區域,
所述多個分區分別被所述非配置區域包圍。
另外,本發明是一種受體基板的製造方法,所述受體基板配置有使用壓模向其他基板移載的多個移載對象物,所述受體基板的製造方法包括下述步驟:
準備包括所述移載對象物的供體基板、及受體前驅基板;以及
藉由雷射剝離將所述移載對象物自所述供體基板移載至所述受體前驅基板,從而獲得受體基板,
於所述獲得受體基板的步驟中,以如下方式藉由所述雷射剝離來進行所述移載對象物的移載,即,於所述受體前驅基板上形成多個配置有藉由利用所述壓模進行的一次移載動作而同時移載的一組所述移載對象物的分區,於所述分區外形成未配置所述移載對象物的非配置區域,且所述多個分區分別被所述非配置區域包圍。
另外,本發明是一種移載方法,其使用壓模將多個移載對象物自本發明的受體基板移載至其他基板,所述移載方法包括:
壓印步驟,使用所述壓模並藉由一次移載動作,而自所述受體基板的所述多個分區的至少一個將所述一組移載對象物以每個所述分區為單位同時移載至所述其他基板。
另外,本發明是一種LED面板製造方法,其包括下述步驟:準備本發明的受體基板且為所述移載對象物為微型LED的受體基板;
準備LED面板基板;以及
使用壓模並藉由一次移載動作,而自所述受體基板的所述多個分區的至少一個將所述一組移載對象物即微型LED以每個所述分區為單位同時移載至所述LED面板基板。
另外,本發明是一種壓模,其於基板的其中一個面設置有壓模頭,所述壓模中,
所述基板的其中一個面上的未設置壓模頭的區域具有實施了脫模處理的區域。
以下,對本發明進行詳細說明,但本發明並不限定於該些。
圖1中示出本發明的受體基板的概略平面圖。
於圖1的受體基板1配置有多個移載對象物4。另外,圖1的受體基板1具有多個配置有一組移載對象物4的分區2,於分區2外具有未配置移載對象物4的非配置區域3。多個分區2分別被非配置區域3包圍。
參照圖2的(A)~圖2的(C)對使用此種受體基板1的移載方法的例子進行說明。
首先,如圖2的(A)所示,於受體載台11上固定受體基板1,於基板載台91上固定其他基板9。
其次,使用壓模8並藉由一次移載動作,而自受體基板1的多個分區2的一個將配置於該處的一組移載對象物4同時移載至其他基板9。
具體而言,使於下端包括壓模頭81的壓模8如圖2的(A)中箭頭所示般下降,從而使壓模頭81與配置於一個分區2中的一組移載對象物4接觸。藉此,如圖2的(B)所示,壓模8可拾取位於一個分區中的一組移載對象物4。壓模8如圖2的(B)中箭頭所示般移動至其他基板9上,並如圖2的(C)所示般於其他基板9上留下一組移載對象物4後上升。
自至少一個分區以每個分區為單位進行以上所說明的移載。
若欲使用大的壓模一併拾取所有移載對象物,則會於壓模頭的拾取面產生翹曲,大幅受到其影響而會形成無法拾取的部位。另一方面,於本發明的受體基板1中,藉由利用壓模8進行的一次移載動作而同時移載的一組移載對象物4配置於多個分區2的各個中,因此無需使用將受體基板1上的所有移載對象物4一併拾取的大的壓模。若使用本發明的受體基板1,則由於可使用包括與各分區2的大小相符的大小的壓模頭81的壓模,因此不存在壓模頭81的拾取面翹曲的問題,可均勻且無殘留地拾取一個分區2內的一組移載對象物4,因此雖壓印次數增加,但結果可提高拾取成功率。另外,即便於受體基板具有翹曲的情況下,藉由如上所述般以每個分區為單位進行拾取,亦可減少受體基板翹曲的影響。
另外,於本發明的受體基板1中,由於多個分區2分別被非配置區域3包圍,因此如圖2的(B)所示,於藉由壓模8自一個分區2拾取移載對象物4時,可防止配置於相鄰的分區2中的移載對象物4附著於壓模8,可防止誤拾取與目標移載對象物4相鄰的元件。
根據本發明的受體基板1,如以上所說明般,可防止漏拾取移載對象物4的一部分或者誤拾取與移載對象物4相鄰的元件,因此,該些的結果,可提高移載對象物的拾取成功率。
移載對象物4並無特別限定,例如可為微型LED或半導體晶片。
於圖1中概略性地示出配置有包含紅色微型發光二極體(LED)41、綠色微型LED 42及藍色微型LED 43的多個移載對象物4的例子。於圖1中,為了進行說明,將各微型LED 41~43顯示為可視認,但實際的微型LED是以肉眼不可視認的密度集積。
於圖1所示的多個分區2的各個中,例如可將能夠直接安裝於一個智慧型手錶的底板上的微型LED 41~微型LED 43作為一組移載對象物4並以畫素間距排列。於圖1的例子中,於受體基板1上以畫素間距配置有9個智慧型手錶的微型LED 41~微型LED 43。
然後,如圖3所示,使用受體基板1,自受體基板1的分區2的至少一個將作為移載對象物4的微型LED以每個分區2為單位移載至作為其他基板的LED面板基板9上並鋪滿於該基板9上,從而亦可製造一個LED面板10。此處,作為LED面板基板9,例如可列舉底板等。
如此,藉由使用本發明的受體基板1來進行移載對象物4的移載,不僅可以高生產性製造智慧型手錶等小製品,亦可以高生產性製造如大型LED面板般的大型元件。特別是,即便於製造大型元件的情況下,只要根據其大小來使用多張本發明的受體基板1,並利用壓模連續進行移載,則亦可於不變更所使用的壓模8的大小的情況下高效地製造大型元件。即,本發明的受體基板1可容易地適用於製品的尺寸變更,亦容易地適用於大型元件的製造。
於應用於大型元件時,可同時使用多個壓模。於該情況下,移載對象物4自多個分區2的至少一個的移載亦以每個分區2為單位藉由利用一個壓模進行的一次移載動作來同時進行。
可適應的元件的大小並無特別限定,例如可用於具有25 mm
2以上且100 mm
2以下的電路基板的元件的製造。
再者,於圖1所示的例子中,於各分區2配置有紅色微型LED 41、綠色微型LED 42及藍色微型LED 43,但配置有微型LED的受體基板1亦可於各分區2配置所述3色的LED中的1色或2色。
分區的形狀較佳為如圖1所示般為四邊形狀。藉由為四邊形狀,可提高生產性、對大型元件的適用容易性。另外,於在一分區製造一個元件等的情況下,分區的形狀並不限於四邊形狀,可設為圓形狀、橢圓形狀、四邊形狀以外的多邊形狀,藉此可擴大元件的設計的可能性。
非配置區域3的寬度並無特別限定,較佳為10 μm以上且50 mm以下。另一方面,非配置區域3的寬度較佳為各分區2的寬度的0.025倍以上且0.1倍以下。於配置有紅色微型LED 41、綠色微型LED 42及藍色微型LED 43的受體基板1的情況下,非配置區域3的寬度較佳為LED的最短距離的2倍以上且100倍以下。
另外,較佳為於非配置區域中不存在移載對象物,但有因製造精度的關係而意外地存在少量的移載對象物的情況、或者出於緩和應力等的目的而存在少量的移載對象物或虛擬的移載對象物的情況。於此種情況下,所存在的移載對象物的合計面積較佳為非配置區域的面積的10%以下,更佳為1%以下,特佳為0.1%以下,極佳為0.01%以下,最佳為0.001%以下。
受體基板1的本體(以下所說明的受體前驅基板6)並無特別限定,可使用通常用作受體基板的基板。例如,受體前驅基板為合成石英玻璃基板等玻璃基板,且可為於玻璃基板的表面具有接著層的基板。該接著層的接著力較佳為能夠利用後續步驟中的壓模拾取移載對象物的程度的大小。
壓模8亦並無特別限定,可使用通常用作壓模8者。再者,壓模的設置有壓模頭的面的未設置壓模頭的區域較佳為藉由氟樹脂膜、金屬膜等脫模膜來實施脫模處理。此處,所述金屬膜例如可藉由蒸鍍、濺鍍、鍍敷等來形成。藉由此種脫模膜,即便於壓模接觸到與移載對象的分區相鄰的分區的一部分的情況下,亦可抑制意外的相鄰分區的拾取。另外,實施了此種脫模處理的壓模並不限於以每個分區為單位進行拾取的用途,對於修補(移載對象物向排列有移載對象物的基板的去除了不良移載對象物的部分的再移載)而言特別有效。於在修補中利用實施了脫模處理的壓模的情況下,壓模頭能夠應對相當於1個~3個移載對象物的尺寸、或相當於分區的尺寸等各種尺寸下的修補。所述壓模頭的拾取移載對象物的面例如可具有接著層或由接著劑製作。另外,於壓模頭的拾取移載對象物的面可設置突起,藉由設置突起而可提高拾取性。特別是於如拾取一個移載對象物般的情況下,若使用具有一個突起的壓模頭,則能夠高精度地進行移載。該突起的大小並無特別限制,與突起外接的外接圓的直徑較佳為和移載對象物外接的外接圓的直徑的0.5倍~1.5倍,更佳為0.7倍~1.3倍,特佳為0.9倍~1.1倍。藉由設為此種範圍,可高精度地進行移載。
此種壓模例如可藉由利用矽酮樹脂等於圓形狀、橢圓形狀、四邊形狀、四邊形以外的多邊形狀的基板形成壓模頭來製造。壓模的尺寸可根據移載對象物、或所適用的製程而變更,當所述基板的直徑(圓形狀的情況)、長徑(橢圓形狀的情況)及最長邊(四邊形狀、四邊形以外的多邊形狀的情況)的長度為10 mm~200 mm,厚度為0.5 mm~3 mm時,可應對很多的移載對象物或製程,因此較佳。另外,於適用於大量的移載對象物或尺寸大的移載對象物的情況下,所述基板的長度較佳為200 mm~1000 mm,厚度較佳為0.5 mm~6 mm。壓模頭較佳為較所述基板小,就壓模頭形成性或有效面積的確保的方面而言,其長度較佳為較所述基板的長度小2 mm~20 mm左右的長度。所述突起較佳為如其外接圓的直徑成為1 μm~150 μm般的大小,突起的高度較佳為1 μm~500 μm。於將很多突起設置於壓模頭的情況下,較佳為設置成矩陣狀。此時,於壓模頭的外緣部分亦可不設置突起。再者,於呈矩陣狀設置突起的情況下,突起與突起的間距較佳為5 μm~1000 μm左右。
其他基板9並不限定於LED面板基板等製品基板,亦可為用於將移載對象物4移載至製品基板的其他受體前驅基板。
自本發明的受體基板1移載的移載對象物4例如可藉由倒裝晶片接合法而與電路基板連接。
其次,參照圖4的(R1)~圖4的(R6)至圖10的(B11)及圖10的(B12)對本發明的受體基板1的製造方法的例子進行說明。再者,本發明的受體基板1亦可利用以下所說明的方法以外的方法來製造。
首先,如圖4的(R1)所示,準備受體前驅基板6、及配置有多個紅色微型LED 41的供體基板5。於圖4的(R1)中,於供體基板5的朝上的面配置有紅色微型LED 41。
其次,如圖4的(R2)所示,將供體基板5翻轉,如圖4的(R3)所示,使配置有紅色微型LED 41的面與受體前驅基板6相向。另外,準備雷射光源7,並進行對位。
其次,如圖4的(R4)所示,自雷射光源7朝向供體基板5射出線型雷射光束。雷射光束的線型雷射的光閃爍。如圖4的(R4)所示,被照射了雷射光束的紅色微型LED 41飛向受體前驅基板6,並附著於受體前驅基板6的預先設定的位置。於如此以與供體基板上的微型LED的間距不同的間距向受體基板移載微型LED的情況下,可並非是於使供體基板與受體基板接觸的同時進行雷射剝離,而是例如藉由使供體基板與受體基板隔開一定距離而設為非接觸狀態,且於改變供體基板與受體基板的移動速度的同時進行雷射剝離。
如圖4的(R5)所示,於固定了雷射光源7的狀態下移動受體前驅基板6與供體基板5,藉此多個紅色微型LED 41根據雷射的閃爍而依次飛向受體前驅基板6,並於預先設定的位置附著於圖案上。
隨後,如圖4的(R6)、及圖5的(R7)~圖5的(R12)所示,反覆進行對位及雷射照射。藉此,可將多個紅色微型LED 41以所期望的圖案移載至受體前驅基板6。
繼而,如圖6的(R13)所示,使各者返回至最初的位置(圖4的(R3)),如圖6的(R14)所示,取出供體基板5。
繼而,如圖6的(G1)所示,準備配置有多個綠色微型LED 42的供體基板5,如圖6的(G2)~圖6的(G4)、及圖7的(G5)~圖7的(G10)所示,與紅色微型LED 41的情況同樣地反覆進行對位及雷射照射。藉此,可將多個綠色微型LED 42以所期望的圖案移載至受體前驅基板6。
繼而,如圖8的(G11)所示,使各者返回至最初的位置(圖6的(G2)),如圖8的(G12)所示,取出供體基板5。
繼而,如圖8的(B1)所示,準備配置有多個藍色微型LED 43的供體基板5,如圖8的(B2)~圖8的(B4)、及圖9的(B5)~圖9的(B10)所示,與紅色微型LED 41的情況同樣地反覆進行對位及雷射照射。藉此,可將藍色微型LED 43以所期望的圖案移載至受體前驅基板6。
繼而,如圖10的(B11)所示,使各者返回至最初的位置(圖8的(B2)),如圖10的(B12)所示,取出供體基板5。
以形成多個配置有一組微型LED 41~43的分區2,於分區2外形成未配置微型LED 41~微型LED 43的非配置區域3,且多個分區2分別被非配置區域3包圍的方式進行所述對位,並進行各微型LED 41~43的移載(選擇性地進行雷射剝離),藉此可製造本發明的受體基板1。
所使用的供體基板5及光源7並無特別限定,可使用雷射剝離中通常使用的基板。具體而言,供體基板意指用於進行雷射剝離的包括移載對象物的基板(供給基板),除了可使用與所述受體基板相同的基板以外,亦可使用在合成石英玻璃基板等玻璃基板的表面具有聚醯亞胺層等剝蝕層的基板。藉由具有該剝蝕層,雷射剝離變得容易。
另外,就作為所述供給基板的觀點而言,亦可藉由雷射剝離將移載對象物自形成有微型LED或半導體晶片的晶圓移載至受體前驅基板而獲得受體基板來代替供體基板。
再者,本發明並不限定於所述實施方式。所述實施方式為示例,具有與本發明的申請專利範圍中記載的技術性思想實質上相同的結構並發揮同樣作用效果的任意實施方式均包含於本發明的技術性範圍內。
1:受體基板
2:分區
3:非配置區域
4:移載對象物
5:供體基板
6:受體前驅基板
7:雷射光源/光源
8:壓模
9:LED面板基板/其他基板/基板
10:LED面板
11:受體載台
41:紅色微型LED/微型LED
42:綠色微型LED/微型LED
43:藍色微型LED/微型LED
81:壓模頭
91:基板載台
圖1是表示本發明的受體基板的一例的概略平面圖。
圖2的(A)~圖2的(C)是表示使用本發明的受體基板的一例的移載方法的一例的概略流程圖。
圖3是表示使用本發明的受體基板的一例的LED面板的製造方法的一部分的概略流程圖。
圖4的(R1)~圖4的(R6)是表示本發明的受體基板的製造方法的一例的一部分的概略流程圖。
圖5的(R7)~圖5的(R12)是表示本發明的受體基板的製造方法的一例的另一部分的概略流程圖。
圖6的(R13)~圖6的(G4)是表示本發明的受體基板的製造方法的一例的另一部分的概略流程圖。
圖7的(G5)~圖7的(G10)是表示本發明的受體基板的製造方法的一例的另一部分的概略流程圖。
圖8的(G11)~圖8的(B4)是表示本發明的受體基板的製造方法的一例的另一部分的概略流程圖。
圖9的(B5)~圖9的(B10)是表示本發明的受體基板的製造方法的一例的另一部分的概略流程圖。
圖10的(B11)及圖10的(B12)是表示本發明的受體基板的製造方法的一例的另一部分的概略流程圖。
1:受體基板
2:分區
3:非配置區域
4:移載對象物
41:紅色微型LED/微型LED
42:綠色微型LED/微型LED
43:藍色微型LED/微型LED
Claims (15)
- 一種受體基板,配置有使用壓模向其他基板移載的多個移載對象物, 所述受體基板具有多個配置有藉由利用所述壓模進行的一次移載動作而同時移載的一組所述移載對象物的分區, 於所述分區外具有未配置所述移載對象物的非配置區域, 所述多個分區分別被所述非配置區域包圍。
- 如請求項1所述的受體基板,其中,所述移載對象物是微型發光二極體或半導體晶片。
- 一種受體基板的製造方法,所述受體基板配置有使用壓模向其他基板移載的多個移載對象物,所述受體基板的製造方法包括下述步驟: 準備包括所述移載對象物的供體基板、及受體前驅基板;以及 藉由雷射剝離將所述移載對象物自所述供體基板移載至所述受體前驅基板,從而獲得受體基板, 於所述獲得受體基板的步驟中,以如下方式藉由所述雷射剝離來進行所述移載對象物的移載:於所述受體前驅基板上形成多個配置有藉由利用所述壓模進行的一次移載動作而同時移載的一組所述移載對象物的分區,於所述分區外形成未配置所述移載對象物的非配置區域,且所述多個分區分別被所述非配置區域包圍。
- 一種移載方法,使用壓模將多個移載對象物自如請求項1所述的受體基板移載至其他基板,所述移載方法包括: 壓印步驟,使用所述壓模並藉由一次移載動作,而自所述受體基板的所述多個分區的至少一個中將所述一組移載對象物以每個所述分區為單位同時移載至所述其他基板。
- 一種發光二極體面板的製造方法,包括下述步驟: 準備移載對象物為微型發光二極體的受體基板,且所述受體基板為如請求項1所述的受體基板; 準備發光二極體面板基板;以及 使用壓模並藉由一次移載動作,而自所述受體基板的所述多個分區的至少一個將所述一組移載對象物即微型發光二極體以每個所述分區為單位同時移載至所述發光二極體面板基板。
- 一種壓模,於基板的其中一個面設置有壓模頭,所述壓模中, 所述基板的其中一個面上的未設置壓模頭的區域具有實施了脫模處理的區域。
- 如請求項6所述的壓模,其中,所述脫模處理是形成脫模膜。
- 如請求項7所述的壓模,其中,所述脫模膜是氟樹脂膜或金屬膜。
- 如請求項6所述的壓模,其中,所述壓模頭的拾取移載對象物的面具有突起。
- 如請求項9所述的壓模,其中,所述突起呈矩陣狀設置。
- 如請求項9所述的壓模,其中,所述突起的大小為與突起外接的外接圓的直徑是與移載對象物外接的外接圓的直徑的0.5倍~1.5倍的大小。
- 如請求項6所述的壓模,其中,所述壓模頭的拾取移載對象物的面具有接著層。
- 如請求項6所述的壓模,其中,所述壓模頭的拾取移載對象物的面由接著劑製作。
- 如請求項6所述的壓模,其中,所述壓模頭由矽酮樹脂形成。
- 如請求項6至請求項14中任一項所述的壓模,其用於修補處理。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-168927 | 2021-10-14 | ||
JP2021168927 | 2021-10-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202339018A true TW202339018A (zh) | 2023-10-01 |
Family
ID=85988668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111138851A TW202339018A (zh) | 2021-10-14 | 2022-10-13 | 受體基板、受體基板的製造方法、移載方法、發光二極體面板的製造方法和壓模 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN118103964A (zh) |
TW (1) | TW202339018A (zh) |
WO (1) | WO2023063358A1 (zh) |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006093368A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ固定用粘着テープおよびダイシング方法 |
US11472171B2 (en) * | 2014-07-20 | 2022-10-18 | X Display Company Technology Limited | Apparatus and methods for micro-transfer-printing |
JP6716391B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2020-07-01 | 東レエンジニアリング株式会社 | 実装方法および実装装置 |
TWI624929B (zh) * | 2016-12-02 | 2018-05-21 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 顯示器的製作方法 |
JP7094162B2 (ja) | 2017-06-28 | 2022-07-01 | 信越化学工業株式会社 | リフト装置及び使用方法 |
KR102236769B1 (ko) * | 2017-07-18 | 2021-04-06 | 삼성전자주식회사 | 엘이디 모듈 제조장치 및 엘이디 모듈 제조방법 |
TW201911457A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-03-16 | 優顯科技股份有限公司 | 用於批量移轉微半導體結構之方法 |
JP6839143B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-03-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 素子実装装置、素子実装方法及び素子実装基板製造方法 |
JP7117615B2 (ja) * | 2017-12-08 | 2022-08-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7325965B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2023-08-15 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 素子実装装置、素子実装装置の調整方法、及び素子実装方法 |
JP7154074B2 (ja) * | 2018-09-13 | 2022-10-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 素子実装装置及び素子実装基板の製造方法 |
JP7335085B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-08-29 | 東レエンジニアリング株式会社 | 転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法 |
TWI727428B (zh) * | 2019-09-20 | 2021-05-11 | 東貝光電科技股份有限公司 | 微型led面板之製造方法及其微型led面板 |
JP7465197B2 (ja) * | 2019-12-17 | 2024-04-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 素子実装装置 |
US11574895B2 (en) * | 2019-12-19 | 2023-02-07 | Innolux Corporation | Method of manufacturing electronic device |
JP7463153B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2024-04-08 | 東レエンジニアリング株式会社 | 実装方法および実装装置 |
JP7469937B2 (ja) * | 2020-03-30 | 2024-04-17 | Tdk株式会社 | スタンプツール保持装置および素子アレイの製造方法 |
-
2022
- 2022-10-12 WO PCT/JP2022/038067 patent/WO2023063358A1/ja active Application Filing
- 2022-10-12 CN CN202280068301.0A patent/CN118103964A/zh active Pending
- 2022-10-13 TW TW111138851A patent/TW202339018A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN118103964A (zh) | 2024-05-28 |
WO2023063358A1 (ja) | 2023-04-20 |
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