TW202337563A - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

基板處理裝置具有：搬送裝置（20），可沿著搬送路徑而朝一方向以及與其逆行的反方向這兩方向來搬送基板；以及水刀（40），在基板的搬送路徑的上方，長邊方向沿著相對於所述搬送路徑在水平面內交叉的方向設置，從狹縫狀的開口朝向搬送路徑噴出處理液。水刀（40）包括：儲存部（41），在搬送路徑側具有開口，可儲存處理液；噴出方向引導板（42），以一端從所述開口突出且另一端進入儲存部的內部的方式而設，引導處理液的噴出方向；以及噴出方向變更部，使噴出方向引導板旋轉，以變更處理液的噴出方向。

Description

基板處理裝置

本發明的實施方式涉及一種基板處理裝置。

在液晶顯示裝置或半導體裝置的製造步驟中，具有對玻璃基板或半導體晶片等的基板供給處理液以進行清洗處理或藥液處理的處理步驟。在所述處理步驟中，有時採用逐片方式，即，使用純水或藥液等來作為處理液，對一片一片的基板噴射所述處理液來進行處理。

在通過逐片方式來處理基板的情況下，進行下述操作：在基板的搬送路徑的上方或下方配置具有狹縫狀開口的水刀（狹縫噴嘴），對於受到搬送的基板，從開口將處理液作為簾幕狀的處理液膜進行供給。水刀與淋浴噴頭相比較，能夠對基板均勻地供給處理液，因此適合於容易產生處理斑（處理不均）的基板或處理步驟。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-305930號公報

[發明所要解決的問題] 基板在其處理步驟中要多次接受處理液的供給，但每個處理都需要水刀等的處理液供給機構以及設置其的腔室。因此，基板的處理線整體變得龐大，從而造成基板處理裝置整體的大型化或製造成本的增加。

因此，本發明的目的在於提供一種能夠抑制基板的處理線變得龐大的基板處理裝置。 [解決問題的技術手段]

實施方式的基板處理裝置包括： 搬送裝置，能夠沿著搬送路徑朝一方向以及與其逆行的反方向這兩方向來搬送基板；以及 水刀(aqua knife)，在所述基板的搬送路徑的上方，長邊方向沿著相對於所述搬送路徑在水平面內交叉的方向設置，從狹縫狀的開口朝向所述搬送路徑噴出處理液， 所述水刀包括： 儲存部，在所述搬送路徑側具有開口，能夠儲存處理液； 噴出方向引導板，以一端從所述開口突出且另一端進入所述儲存部的內部的方式而設，引導所述處理液的噴出方向；以及 噴出方向變更部，使所述噴出方向引導板旋轉，以變更所述處理液的噴出方向。 [發明的效果]

根據本發明的實施方式，能夠抑制基板的處理線變得龐大。

＜第一實施方式＞ 參照圖1至圖3來說明第一實施方式。實施方式中的基板處理裝置1例如可設為基板的清洗處理裝置、或者在基板的表面形成光致抗蝕劑的覆膜的處理裝置、曝光處理裝置、顯影處理裝置、蝕刻處理裝置、剝離處理等的工藝處理裝置等。

（基本結構） 如圖1以及圖2所示，第一實施方式的基板處理裝置1包括處理室10、搬送裝置20、檢測部30a、檢測部30b、水刀40以及控制裝置50。作為處理物件的基板W，例如使用玻璃基板或液晶基板、半導體基板等的矩形狀的基板。

處理室10是在內部具有搬送基板W的搬送路徑H1的框體（腔室），且形成為，基板W可沿著搬送路徑H1在處理室10內移動。所述處理室10作為對在搬送路徑H1上移動的基板W進行處理的室（room）發揮功能。在處理室10中，在搬送基板W的搬送路徑H1的其中一側，具有用於將基板W搬入處理室10內的開口即搬入口11。而且，在搬送基板W的搬送路徑H1中的另一側，具有用於搬出處理室10內的基板W的開口即搬出口12。另外，在處理室10的底面，形成有排出液體的排出口（未圖示）。

搬送裝置20形成為，可沿著搬送路徑H1朝一方向以及與其逆行的反方向往復移動地搬送基板W。搬送裝置20具有多個搬送輥21，通過這些搬送輥21來搬送基板W。各搬送輥21以各自的長邊方向相對於基板W的搬送方向A1而在水平面內正交的方式進行定位，並以規定間隔排列，以形成搬送路徑H1。這些搬送輥21可正轉及反轉地設在處理室10內，且構成為通過驅動源（未圖示）來彼此同步地旋轉。搬送輥21分別具有多個輥21a與軸21b。各輥21a以規定間隔安裝於軸21b。當軸21b旋轉時，安裝於所述軸21b的各輥21a旋轉。載置於這樣的各搬送輥21上的基板W通過旋轉的各搬送輥21沿著搬送路徑H1受到搬送。

檢測部30a、檢測部30b為了掌握基板W的到來以及搬送位置，對基板W進行檢測，並將表示檢測到基板W的檢測信號輸出至控制裝置50。檢測部30a在處理室10內，在基板的搬送方向A1的上游側設在搬送路徑H1的上方。檢測部30b在處理室10內，在搬送方向A1的下游側設在搬送路徑H1的上方。檢測部30a、檢測部30b分別例如為光感測器，所述光感測器包括朝向搬送路徑H1照射光（例如鐳射）的投光部與對被基板W反射的反射光進行檢測的受光部。

在檢測部30a、檢測部30b被設在後述的水刀40附近的情況下，基板W的檢測有時會被從水刀40噴出的處理液妨礙。因此，優選的是，檢測部30a、檢測部30b被設在從水刀40噴出的處理液到達不了的位置。

水刀40被設在搬送路徑H1的上方，對沿著搬送路徑H1受到搬送的基板W供給處理液。水刀40在下方具有狹縫狀的開口，且其長邊方向沿著相對於搬送路徑H1在水平面內交叉的方向（本實施方式中為正交的方向）設置。在水平面內與搬送方向A1正交的方向上，水刀40所具有的狹縫狀開口的長度為受到搬送的基板W的長度以上。關於水刀40的詳情將後述。另外，水刀40連接於未圖示的處理液供給儲液罐等的處理液供給源以及泵等的輸液機構。輸液機構例如可通過變更泵的輸出來調整來自水刀40的處理液的噴出量（每單位時間的噴出量）。

控制裝置50具有集中地控制各部的微電腦、以及存儲與基板處理相關的處理資訊或各種程式等的存儲部。控制裝置50基於基板處理資訊或各種程式來控制搬送裝置20或水刀40等的各部。而且，控制裝置50接收從檢測部30a、檢測部30b輸出的檢測信號。控制裝置50例如基於所收到的檢測信號來判斷基板W的搬送位置並變更搬送輥21的旋轉方向。

（水刀） 接下來說明水刀40的結構。水刀40包括儲存部41、噴出方向引導板42以及旋轉軸43（噴出方向變更部）。

儲存部41在搬送路徑H1側具有開口。所述開口是以隨著接近搬送路徑H1而開口面積變大的方式設置。並且，通過後述的噴出方向引導板42可儲存處理液地設置，並且開口形成為狹縫狀。

噴出方向引導板42是在儲存部41的下方以一端從儲存部41的開口突出，且另一端進入儲存部41的內部的方式而設的板狀構件。在水平面內與搬送方向A1正交的方向上，噴出方向引導板42的長度與儲存部41的開口大致相同。以下，為了方便說明，將在噴出方向引導板42中靠近搬送路徑H1的一側設為前端部42a，將遠離搬送路徑H1的一側且進入儲存部41的內部的部分設為後端部42b。

在噴出方向引導板42的、在水平面內與搬送方向A1正交的方向上的端部分別設有旋轉軸43。噴出方向引導板42被固定於旋轉軸43，通過旋轉軸43旋轉，噴出方向引導板42旋轉。而且，噴出方向引導板42的後端部42b抵接於儲存部41的內部，其旋轉受到限制。從處理液供給源輸送並儲存於儲存部41的處理液從由儲存部41的開口及噴出方向引導板42的前端部42a所形成的狹縫狀的開口，以沿著前端部42a的方式受到引導而噴出。通過噴出方向引導板42的旋轉位置，能夠變更噴出處理液的方向。即，噴出方向引導板42引導處理液的噴出方向。

（基板處理步驟） 接下來，對前述的基板處理裝置1所進行的基板處理步驟的一例進行說明。本例中，基板W在處理室內往復1.5次，接受3次借助水刀40的處理液供給。

圖1以及圖2所示的基板處理裝置1中，搬送裝置20的各搬送輥21正轉。基板W在從搬入口11被搬入時，通過搬送輥21的旋轉而沿著搬送路徑H1移動。所搬入的基板W例如是在比第一實施方式的基板處理裝置1為上游步驟的裝置（處理槽）中，從淋浴噴頭等接受處理液（例如剝離液或顯影液）的供給而在表面形成有液膜的基板。

當由檢測部30a檢測到基板W時，檢測信號被發送至控制裝置50。收到所述檢測信號的控制裝置50開始來自水刀40的處理液（例如純水或CO2水等的清洗液）的噴出。此時，噴出方向引導板42被定位於前端部42a比後端部42b更處於搬送方向A1上的上游側的旋轉位置（以下稱作第一旋轉位置）。由此，從水刀40朝向搬送方向A1的上游側對受到搬送的基板W噴出處理液。當朝向基板的搬送方向上游側噴出處理液時，從水刀40噴出的處理液與受到搬送的基板的相對速度增加，因此能夠效率良好地排除基板上的液體（液膜），置換為從水刀40噴出的處理液。

另外，所謂通過檢測部30a來檢測基板W，是指通過檢測部30a來檢測基板W中的搬送方向下游側的端部，或者通過檢測部30a來檢測基板W中的搬送方向上游側的端部。檢測部30a既可通過檢測基板W中的搬送方向下游側的端部來將檢測信號發送至控制裝置50，也可通過檢測基板W中的搬送方向上游側的端部來將檢測信號發送至控制裝置50。當檢測部30a檢測基板W中的搬送方向下游側的端部時，檢測部30a通過檢測被基板W中的搬送方向下游側的端部反射的反射光來將檢測信號發送至控制裝置50。而且，當檢測部30a檢測基板W中的搬送方向上游側的端部時，檢測部30a在檢測到從基板W反射的反射光後，若無法再檢測到反射光，則將檢測信號發送至控制裝置50。

當在從水刀40噴出有處理液的狀態下，基板W通過與水刀40相向的位置時，對基板W的表面供給處理液，基板W通過處理液得到處理。此時，從基板W的表面掉落的處理液從設在處理室10內的底面的排出口排出。

通過水刀40接受處理液的供給的基板W被搬送至處理室10的搬送方向A1上的下游側為止。當由檢測部30b檢測到基板W中的搬送方向下游側的端部時，將檢測信號發送至控制裝置50。收到此檢測信號的控制裝置50暫時停止搬送裝置20的驅動，來自水刀40的處理液的噴出也暫時停止。進而，使水刀40的旋轉軸43旋轉（圖1中為逆時針方向旋轉），由此來變更噴出方向引導板42的旋轉位置。 將此時的狀態示於圖3。如圖3所示，噴出方向引導板42被定位於前端部42a比後端部42b更處於搬送方向A2上的上游側的旋轉位置（以下稱作第二旋轉位置）。另外，搬送方向A2是與搬送方向A1逆行的方向。而且，停止處理液供給時的基板W的搬送位置是基板W中的搬送方向下游側的端部通過了水刀40的正下方的位置。

當噴出方向引導板42的旋轉位置的變更完成時，控制裝置50再次開始來自水刀40的處理液的噴出。而且，使搬送裝置20的搬送輥21反轉地驅動。由此，基板W沿搬送方向A2受到搬送，再次接受來自水刀40的處理液的供給。此時，來自水刀40的處理液也將相對於基板W而朝向基板的搬送方向的上游側（搬送方向A2上的上游側）噴出。並且，被搬送至處理室10的搬送方向A2上的下游側（即，搬送方向A1上的上游側）為止。

由檢測部30a檢測到被搬送至處理室10的搬送方向A2上的下游側為止的基板W中的搬送方向下游側的端部時，將檢測信號發送至控制裝置50。收到此檢測信號的控制裝置50暫時停止搬送裝置20的驅動，來自水刀40的處理液的噴出也暫時停止。進而，使水刀40的旋轉軸43旋轉（圖3中為順時針方向旋轉），由此，將噴出方向引導板42的旋轉位置再次變更為第一旋轉位置。當噴出方向引導板42的旋轉位置的變更完成時，控制裝置50再次開始來自水刀40的處理液的噴出，搬送輥21也正轉地驅動。

基板W與前述同樣，一邊被搬送至搬送方向A1的下游側為止，一邊接受來自水刀40的處理液的供給。然後，被搬送至搬送方向A1上的下游為止的基板W從搬出口12被搬出。

如以上所說明的那樣，根據第一實施方式，通過具有可正轉與反轉的搬送輥21，沿著搬送路徑H1朝一方向（搬送方向A1）以及與其逆行的反方向（搬送方向A2）這兩方向來搬送基板W。通過以在處理室10內的搬送路徑H1上往復的方式搬送基板W，從而能夠多次從水刀40對基板W供給處理液。由此，即便水刀40為一個，也能夠對基板W多次供給處理液。或者，即便水刀40為一個，也能夠對基板W長時間或大量供給處理液。因此，能夠抑制處理線變長，裝置整體大型化的情況。

並且，對基板W供給處理液的水刀40可變更噴出處理液的方向。更具體而言，通過水刀40所具有的噴出方向引導板42旋轉，從而無論在基板W朝哪個方向受到搬送時，均能夠朝向基板的搬送方向的上游側供給處理液。由此，即便在處理室10內以使基板W往復的方式來搬送基板並進行處理，不論基板的搬送方向如何，均能夠效率良好地排除基板W上的液體（液膜），而置換為從水刀40新供給的處理液。

此處，關於減小處理室10中的基板W的搬送方向的長度進行研討。在通過檢測部30a或者檢測部30b來檢測基板W中的搬送方向上游側的端部的情況下，必須將檢測部30a、檢測部30b設在水刀40附近。但若如前述那樣將檢測部30a、檢測部30b設在水刀40附近，則基板W的檢測有可能被從水刀40噴出的處理液妨礙。

若通過檢測部30a或者檢測部30b來檢測基板W中的搬送方向下游側的端部，則可將檢測部30a、檢測部30b設在遠離水刀40的位置。此時，為了使基板W在處理室10內往復而接受處理液的供給，沿著搬送方向A1將基板W搬送到從噴出方向引導板42位於第二旋轉位置的水刀40對沿著搬送方向A2受到搬送的基板W中的搬送方向下游側的端部供給處理液的位置。

因此，優選的是，通過檢測部30b或者檢測部30a來檢測在從水刀40對基板W中的搬送方向下游側的端部供給處理液的位置存在基板W的情況。進而，將基板W搬送至比從水刀40對基板W中的搬送方向下游側的端部供給處理液的位置更靠搬送方向下游側的位置，會導致處理室10中的基板W的搬送方向的長度的增大。

因此，檢測部30a優選被設在設有搬入口11的處理室10的內壁或其附近。檢測部30b優選被設在設有搬出口12的處理室10的內壁或其附近。通過如前述那樣設置檢測部30a、檢測部30b，從而能夠將處理室10中的基板W的搬送方向的長度形成得最小。因此，能夠抑制基板W的處理線變得龐大的情況。

另外，通過將檢測部30a（檢測部30b）設在搬入口11（搬出口12）而能夠抑制基板W的處理線變得龐大的情況是從搬入口11直至水刀40為止的長度與從水刀40直至搬出口12為止的長度相等的情況。而且，從搬入口11直至水刀40為止的長度以及從水刀40直至搬出口12為止的長度分別比基板W中的搬送方向的長度稍長。

而且，優選的是，通過檢測部30a或者檢測部30b來檢測基板W中的搬送方向下游側的端部，由此停止處理液的供給。進而，優選的是，在基板W中的搬送方向下游側的端部被檢測部30a或者檢測部30b檢測到的時機，使水刀40的旋轉軸43旋轉。進而，優選的是，當噴出方向引導板42的旋轉位置的變更完成時，再次開始來自水刀40的處理液的噴出，並切換搬送輥21的旋轉方向。

另外，所述的說明中，列舉了基板W在處理室內往復1.5次，從而接受3次來自水刀40的處理液的供給的示例，但並不限於此。通過變更往復的次數，從而能夠變更對基板W供給處理液的次數。也能夠根據此次數來調整所供給的處理液量或處理時間。而且，也可不在處理室10設置搬出口12，而共用搬入口與搬出口。即，從設於處理室10的開口搬入而接受了規定次數的處理的基板W也可從相同的開口被搬出。

＜第二實施方式＞ 接下來，參照圖4來說明第二實施方式。另外，第二實施方式中，對與第一實施方式的不同點（切換處理液方面）進行說明，而省略其他說明。

第二實施方式的水刀40與第一實施方式的不同之處在於，處理液供給儲液罐等的處理液供給源設有多個。多個處理液供給源經由用於進行切換的閥等連接於水刀40。由此設置為，能夠變更從水刀40噴出的處理液的種類。第二實施方式中，說明利用第一處理液（例如剝離液或顯影液）與第二處理液（例如純水或CO2水等的清洗液）這兩種處理液對基板進行處理的示例。處理物件基板例如可設為在表面形成有RGB抗蝕劑膜的基板、彩色濾光片步驟或形成電路圖案的成膜基板、薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）陣列步驟的基板。另外，基板的種類以及處理液的種類並不限於此。

在水刀40，經由在中途分支的配管而連接有第一處理液供給源61與第二處理液供給源62。在水刀40與第一處理液供給源61之間設有第一閥63。在水刀40與第二處理液供給源62之間設有第二閥64。第一閥63以及第二閥64的開閉由控制裝置50予以控制。控制裝置50通過控制第一閥63以及第二閥64的開閉與未圖示的泵等的輸液機構，從而從水刀40噴出任一處理液。

當由檢測部30a檢測到從搬入口11搬入的基板W時，將檢測信號發送至控制裝置50。收到此檢測信號的控制裝置50將第一閥63設為開狀態，將第二閥64設為閉狀態，從水刀40開始第一處理液（例如剝離液）的噴出。此時，噴出方向引導板42處於第一旋轉位置。基板W一邊沿搬送方向A1受到搬送，一邊從水刀40接受第一處理液的供給。

當接受第一處理液的供給的基板W被搬送至處理室10的搬送方向A1上的下游側為止時，基板W中的搬送方向下游側的端部被檢測部30b檢測到，而向控制裝置50發送檢測信號。收到此檢測信號的控制裝置50暫時停止搬送裝置20的驅動。

接下來，控制裝置50將第一閥63設為閉狀態，停止第一處理液的噴出。在第一處理液的噴出停止後，使旋轉軸43旋轉，將噴出方向引導板42變更到第二旋轉位置。並且，將第二閥64設為開狀態，從水刀40噴出第二處理液（例如純水）。即，在朝一方向搬送基板W時和在朝與一方向逆行的反方向搬送基板W時，切換從水刀40噴出的處理液。在位於儲存部41內部的第一處理液被置換為第二處理液後，再次開始搬送裝置20的驅動，沿搬送方向A2搬送基板W。基板W一邊沿搬送方向A2受到搬送，一邊從水刀40接受第二處理液的供給。另外，只要預先通過實驗等求出直至儲存部41內部的液體被完全置換為止的規定時間，在從開始第二處理液的噴出經過了規定時間後，視為已被置換為第二處理液，而再次開始搬送裝置20的驅動即可。

當由檢測部30a檢測到基板W已接受了第二處理液的供給並被搬送至搬送方向A2上的下游側為止時，將第二閥64設為閉狀態，停止來自水刀40的處理液的噴出。並且，使搬送輥21正轉，沿搬送方向A1搬送基板W。被搬送至搬送方向A1上的下游為止的基板W從搬出口12被搬出。

如以上所說明的那樣，根據第二實施方式，與第一實施方式同樣，能夠抑制處理線變長而裝置整體大型化的情況。而且，通過具有噴出方向引導板42，從而無論在沿哪個方向搬送基板W時，均能夠朝向基板的搬送方向上游側供給處理液，因此能夠效率良好地置換基板W上的液體。

進而，根據第二實施方式，在水刀40連接有多個處理液供給源，從而可切換所噴出的處理液，因此能夠在一個處理室中進行使用不同的處理液的處理。由此，即便在通過多個處理液來處理基板W的情況下，也可不設置多個處理室，因此能夠抑制處理線變長而裝置大型化的情況。

＜第三實施方式＞ 接下來，參照圖5的（a）、圖5的（b）來說明第三實施方式。第三實施方式是所述的第一實施方式或第二實施方式的變形例，因此對與第一實施方式或第二實施方式的不同點（根據來自水刀的處理液的噴出方向而噴出壓力不同方面）進行說明，而省略其他說明。

第三實施方式的水刀140中，旋轉軸143的中心S（旋轉軸）被設在相對於儲存部141的開口的寬度（為與水刀140所延伸的方向正交的方向的長度且為圖5的（a）、圖5的（b）中的左右方向的長度）的中央C而朝搬送方向A1的下游側偏離的位置。由此，比起被固定於旋轉軸143的噴出方向引導板142位於第一旋轉位置時（圖5的（a）），當噴出方向引導板142位於第二旋轉位置時（圖5的（b）），由儲存部141的開口與噴出方向引導板142所形成的狹縫的寬度變窄。即，水刀140可變更儲存部141的狹縫狀的開口的寬度。當狹縫的寬度變窄時，即便每單位時間的噴出量相同，也能夠加強處理液對基板W的噴出壓力。

如以上所說明的那樣，根據第三實施方式，比起朝向搬送方向A1的上游側噴出處理液時，當朝向搬送方向A2的上游側噴出處理液時，能夠加強對基板W的噴出壓力。

例如能夠在一邊沿搬送方向A1進行搬送一邊以弱的噴出壓力對基板進行粗清洗後，一邊沿搬送方向A2進行搬送一邊以強的噴出壓力來進行精清洗。由此，即便在容易產生處理斑（處理不均）的基板中，也能夠抑制處理斑的產生，從而能夠提高基板的品質。

進而，若如作為所述的第二實施方式所說明的那樣，可切換多個處理液地設置，則可根據處理液的種類來選擇噴出壓力。更詳細而言，通過根據所噴出的處理液的種類（即，根據處理步驟），來選擇基板W的搬送方向與噴出方向引導板142的旋轉位置，從而能夠變更噴出壓力。由此，能夠設為適合於處理步驟的噴出壓力。

例如，在表面形成有RGB抗蝕劑膜的基板或者各種蝕刻步驟後的抗蝕劑基板的處理中，能夠在一邊沿搬送方向A1進行搬送一邊以弱的噴出壓力供給剝離液後，一邊沿搬送方向A2進行搬送一邊以強的噴出壓力來供給處理液（例如純水）。在對液晶基板供給剝離液的情況下，通過減弱對基板的噴出壓力，從而能夠形成厚的液膜而使基板表面的膜充分膨潤。隨後，在處理液的供給中，比剝離液的供給時加強對基板的噴出壓力，由此，基板表面的液流變快，因此能夠均勻地去除經膨潤的膜。

＜第四實施方式＞ 接下來，參照圖6的（a）至圖6的（c）來說明第四實施方式。第四實施方式是所述的第一實施方式或第二實施方式的變形例，因此對與第一實施方式或第二實施方式的不同點（來自水刀的處理液的噴出壓力可調整方面）進行說明，而省略其他說明。

第四實施方式的水刀240的噴出方向引導板242的後端部242b由彈性構件所形成，當受到按壓時撓曲（彎曲）。彈性構件例如為樹脂。

當使圖6的（a）所示的水刀240的旋轉軸243旋轉時，噴出方向引導板242的後端部242b抵接於儲存部241的內部。由此，如圖6的（b）所示，可朝向搬送方向上游側（圖6的（a）至圖6的（c）中為左側）噴出處理液地，在前端部242a側形成狹縫。此處，當進一步使旋轉軸243旋轉時，如圖6的（c）所示，噴出方向引導板242也旋轉，但由於後端部242b抵接於儲存部241的內部，因此撓曲進一步變大。這樣，通過後端部242b撓曲，從而可減小噴出處理液的狹縫的寬度。

這樣，根據第四實施方式，通過由彈性構件形成水刀240的後端部242b，從而可通過噴出方向引導板242的旋轉量來調整噴出處理液的狹縫寬度。通過調整狹縫寬度，可根據作為處理物件的基板W的種類或者處理液的種類、處理步驟來調整為優選的噴出壓力，從而可提高基板的品質。

＜第五實施方式＞ 接下來，參照圖7至圖10來說明第五實施方式。另外，第五實施方式中，對與第一實施方式的不同點（進而設置用於停止處理液的供給的檢測器方面）進行說明，而省略其他說明。

第五實施方式的檢測部30c檢測基板W的有無，以供控制裝置50掌握停止處理液的供給的時機。當檢測部30c檢測基板W的有無時，將表示檢測到基板W的有無的檢測信號發送至控制裝置50。即，檢測部30c檢測基板W的有無，並將供控制裝置50掌握停止處理液的供給的時機的檢測信號發送至控制裝置50。

檢測部30c如圖7所示，設在鄰接的兩個搬送輥21之間。檢測部30c優選設在如下所述的位置，即，在處理液不再噴到基板W的瞬間，送往控制裝置50的檢測信號便發生變化。例如，檢測部30c優選設在位於水刀40附近且彼此鄰接的兩個搬送輥21之間。檢測部30c具有擺錘構件30c1、支軸30c2、檢測用輥30c3、配重30c4、磁鐵30c5以及檢測感測器30c6。

擺錘構件30c1以成為支點的支軸30c2為中心可擺動地安裝於被設在處理室10的內壁的未圖示的安裝部。擺錘構件30c1是具有一端與另一端的直線狀的板構件。擺錘構件30c1能夠以支軸30c2為中心，沿著未圖示的安裝部而在由與基板W的搬送方向垂直的方向和基板W的搬送方向所形成的面內，沿著旋轉方向R與反轉方向R1而擺動。

檢測用輥30c3使用未圖示的安裝軸部而可旋轉地安裝於擺錘構件30c1的一端。在擺錘構件30c1的另一端固定有金屬制的配重30c4。配重30c4是為了取得與檢測用輥30c3的重量平衡而設。在配重30c4中安裝有磁鐵30c5。

檢測感測器30c6以下述方式安裝於未圖示的安裝部，即，在擺錘構件30c1位於後述的初始位置P1的狀態下，以隔開微小的間隔的狀態與磁鐵30c5對置。檢測感測器30c6經由未圖示的電配線而與控制裝置50連接。檢測感測器30c6在擺錘構件30c1處於後述的檢測位置P2或者後述的檢測位置P3時，即，在基板W下按檢測用輥30c3時，檢測磁鐵30c5所產生的磁場的變化。通過對基板W下按檢測用輥30c3時所產生的磁鐵30c5的磁場的變化進行檢測，從而檢測感測器30c6將檢測到基板W的信號送往控制裝置50。

擺錘構件30c1在不與基板W接觸的狀態下，如圖7所示，被定位於初始位置P1。通過擺錘構件30c1定位於初始位置P1，擺錘構件30c1的長邊方向與跟基板W的搬送方向垂直的方向平行。在初始位置P1，檢測用輥30c3位於由搬送裝置20所搬送的基板W的高度。並且，基板W沿搬送方向A1移動時接觸至檢測用輥30c3，擺錘構件30c1以支軸30c2為中心而朝旋轉方向R轉動。朝旋轉方向R轉動的擺錘構件30c1如圖8所示被設置於檢測位置P2。

檢測位置P2是沿著搬送方向A1受到搬送的基板W下按檢測用輥30c3時的檢測部30c的位置。如圖8所示，當擺錘構件30c1旋轉到檢測位置P2時，即，當基板W下按檢測用輥30c3時，擺錘構件30c1的長邊方向相對於與基板W的搬送方向垂直的方向，以支軸30c2為中心而朝旋轉方向R旋轉規定的角度。由此，磁鐵30c5朝旋轉方向R離開檢測感測器30c6。

而且，檢測位置P3是沿著搬送方向A2受到搬送的基板W下按檢測用輥30c3時的檢測部30c的位置。沿著搬送方向A2移動的基板W接觸到檢測用輥30c3時，擺錘構件30c1以支軸30c2為中心朝反轉方向R1轉動規定的角度。並且，擺錘構件30c1如圖10所示那樣旋轉到檢測位置P3的位置。由此，磁鐵30c5從檢測感測器30c6朝反轉方向R1遠離。

優選的是，檢測用輥30c3（未圖示的安裝軸部）與支軸30c2之間的距離設定得比支軸30c2與磁鐵30c5（配重30c4）之間的距離短。由此，擺錘構件30c1能夠從檢測位置P2（檢測位置P3）朝反轉方向R1（旋轉方向R）旋轉而恢復到初始位置P1。

首先，對水刀40的噴出方向引導板42位於第一旋轉位置時的、停止來自水刀40的處理液的供給的方法進行說明。如圖7所示，當水刀40的噴出方向引導板42位於第一旋轉位置時，在基板W沿著搬送方向A1受到搬送的中途，檢測用輥30c3被基板W的背面按壓。因此，擺錘構件30c1從圖7所示的初始位置P1以支軸30c2為中心而朝旋轉方向R旋轉至圖8所示的檢測位置P2。

通過擺錘構件30c1以支軸30c2為中心朝旋轉方向R旋轉，磁鐵30c5也以支軸30c2為中心朝旋轉方向R旋轉。當磁鐵30c5旋轉時，磁鐵30c5從圖7所示的與檢測感測器30c6相向的狀態移動到圖8所示的遠離檢測感測器30c6的位置。因此，從磁鐵30c5產生的磁場無法再被檢測感測器30c6檢測到。檢測感測器30c6將表示無法再檢測到磁場的檢測信號送往控制裝置50。收到檢測信號的控制裝置50判斷為檢測到了基板W。

控制裝置50確認基板W的搬送方向。控制裝置50在確認基板W沿著搬送方向A1受到搬送時，判斷為基板W的搬送位置並非基板W中的搬送方向下游側的端部通過了水刀40的正下方的位置。此時，控制裝置50與進行跟基板W的搬送位置相關的判斷之前同樣地，維持搬送裝置20或水刀40等的各部的控制。

當基板W進一步沿搬送方向A1受到搬送而基板W離開檢測用輥30c3時，擺錘構件30c1利用重力的力朝反轉方向R1旋轉而從檢測位置P2恢復為初始位置P1。當擺錘構件30c1恢復為初始位置P1時，磁鐵30c5從遠離檢測感測器30c6的狀態恢復為相向的狀態。當磁鐵30c5恢復為與檢測感測器30c6相向的狀態時，由檢測感測器30c6檢測到磁鐵30c5的磁場。當檢測感測器30c6檢測到磁鐵30c5的磁場時，檢測感測器30c6停止向控制裝置50發送表示無法再檢測到磁場的檢測信號。於是，控制裝置50認識到已檢測到磁鐵30c5的磁場，而判斷為未檢測到基板W。

控制裝置50確認基板W的搬送方向。控制裝置50在確認基板W沿著搬送方向A1受到搬送時，判斷為基板W的搬送位置為基板W中的搬送方向下游側的端部通過了水刀40的正下方的位置。此時，控制裝置50從判斷為基板W的搬送位置為基板W中的搬送方向下游側的端部通過了水刀40的正下方的位置起經過數秒後，停止來自水刀40的處理液的供給。借此，與從由檢測部30b檢測到基板W後停止處理液的供給的情況相比，能夠在處理液不再噴到基板W後立即停止處理液的供給。因此，能夠抑制處理液的消耗。

接下來，對水刀40的噴出方向引導板42位於第二旋轉位置時的、停止來自水刀40的處理液的供給的方法進行說明。如圖9所示，當水刀40的噴出方向引導板42位於第二旋轉位置時，在基板W沿著搬送方向A2受到搬送的中途，檢測用輥30c3被基板W的背面按壓。因此，擺錘構件30c1從圖9所示的初始位置P1，以支軸30c2為中心而朝反轉方向R1旋轉至圖10所示的檢測位置P3。

通過擺錘構件30c1以支軸30c2為中心朝反轉方向R1旋轉，磁鐵30c5也以支軸30c2為中心朝反轉方向R1旋轉。當磁鐵30c5旋轉時，磁鐵30c5從圖9所示的與檢測感測器30c6相向的狀態移動到圖10所示的遠離檢測感測器30c6的位置。因此，從磁鐵30c5產生的磁場無法再被檢測感測器30c6檢測到。檢測感測器30c6將表示無法再檢測到磁場的檢測信號送往控制裝置50。收到檢測信號的控制裝置50判斷為檢測到了基板W。

控制裝置50確認基板W的搬送方向。控制裝置50在確認基板W沿著搬送方向A2受到搬送時，判斷為基板W的搬送位置為基板W中的搬送方向下游側的端部通過了水刀40的正下方的位置。此時，控制裝置50在從判斷為基板W的搬送位置為基板W中的搬送方向下游側的端部通過了水刀40的正下方的位置起經過數秒後，停止來自水刀40的處理液的供給。借此，與從由檢測部30a檢測到基板W後停止處理液的供給的情況相比，能夠在處理液不再噴到基板W後立即停止處理液的供給。因此，能夠抑制處理液的消耗。

如以上所說明的那樣，根據第五實施方式，與第一實施方式同樣，能夠抑制處理線變長而裝置整體大型化的情況。而且，能夠抑制處理液的消耗量。

基板處理裝置1一邊使基板W在搬送路徑H1上往復，一邊將處理液從基板W的端部供給至端部為止。因此，在搬送輥21正轉的情況與反轉的情況下，處理液噴到基板W中的搬送方向下游側的端部的位置不同。與在搬送輥21的正轉與反轉時處理液一開始噴到基板W的位置不同相應地，必須加長處理室10的搬送方向的長度。因此，從處理液不再噴到基板W直至基板W中的搬送方向下游側的端部被檢測部30a或者檢測部30b檢測到為止耗費時間。

因此，通過利用檢測部30c來檢測基板W的有無，能夠削減白費地供給處理液的時間。其結果，能夠抑制處理液的消耗量。為了削減白費地供給處理液的時間，檢測部30c優選設在下述位置，即，在處理液不再噴到基板W的瞬間，送往控制裝置50的檢測信號便發生變化。例如，檢測部30c優選設在水刀40附近且彼此鄰接的兩個搬送輥21之間。另外，關於在控制裝置50判斷為檢測到基板W起經過幾秒後停止來自水刀40的處理液的供給，只要預先通過實驗或模擬等來求出即可。

而且，通過檢測部30c來停止處理液的噴出，在基板處理裝置1對與搬送方向平行的方向的長度不同的多種基板W進行清洗的情況下優選。例如，基板處理裝置1形成為，對於與搬送方向平行的方向的長度為最長的基板W，處理室10中的基板W的搬送方向的長度為最小。此時，對於與搬送方向平行的方向的長度為最長的基板W，可抑制基板W的處理線變得龐大。

但對於其他種類的基板W，基板W的處理線會變得龐大。此種情況下，通過檢測部30c來停止處理液的噴出，由此也能夠削減白費地供給處理液的時間。其結果，能夠抑制處理液的消耗量。

另外，關於第五實施方式，對與第一實施方式的不同點進行了說明，但也可將第二實施方式至第四實施方式的至少一個實施方式加以組合而實施。

＜其他實施方式＞ 所述的說明中，水刀40（140、240）是其長邊方向沿著在水平面內與搬送方向A1正交的方向而設，但並不限於此。也可將水刀40（140、240）的長邊方向設為在水平面內與搬送方向A1傾斜地交叉的方向。

而且，所述的說明中，說明了下述內容，即，通過使噴出方向引導板42（142、242）旋轉而朝向基板W的搬送方向的上游側供給處理液，但並不限於此。例如也可通過使噴出方向引導板42旋轉而朝向搬送方向的下游側供給處理液。若朝向搬送方向的下游側供給處理液，則可抑制被供給至基板W的處理液在基板W上流向搬送方向上游側。由此，在對表面乾燥的基板W進行處理的情況下，能夠抑制從水刀40（140、240）供給的處理液在基板W上流至搬送方向上游側的乾燥面。從水刀40（140、240）噴出的處理液伴隨基板W的搬送而依次被供給至基板W的乾燥面，因此能夠均勻地進行處理。

而且，所述的說明中，說明了下述內容，即，通過檢測部30a或者檢測部30b來檢測基板W，但也可取代檢測部30a或者檢測部30b而通過檢測部30c來檢測基板W。

而且，所述的說明中，說明了下述內容，即，在搬送路徑H1中的搬送方向下游側存在基板W的情況下，當基板W中的搬送方向下游側的端部被檢測部30a或者檢測部30b檢測到時，將檢測信號發送至控制裝置50而暫時停止來自水刀40的處理液的噴出，但並不限於此。也可為，當在搬送路徑H1中的搬送方向上游側存在基板W時，在從基板W中的搬送方向下游側的端部被檢測部30a或者檢測部30b檢測到起經過了規定時間後，暫時停止來自水刀40的處理液的噴出。

如前所述，從處理液不再噴到基板W直至基板W中的搬送方向下游側的端部被檢測部30a或者檢測部30b檢測到為止耗費時間。因此，預先求出當在搬送路徑H1中的搬送方向上游側存在基板W時，從基板W中的搬送方向下游側的端部被檢測部30a或者檢測部30b檢測到直至處理液不再噴到基板W為止的時間，並將此時間作為規定的時間而存儲至控制裝置50中。借此，能夠削減白費地供給處理液的時間。其結果，能夠抑制處理液的消耗量。另外，規定的時間只要預先通過實驗或模擬等來求出即可。

而且，當在搬送路徑H1中的搬送方向上游側存在基板W時，從基板W中的搬送方向下游側的端部被檢測部30a或者檢測部30b檢測到起經過規定的時間後停止處理液的噴出，與檢測部30c同樣，在基板處理裝置1對與搬送方向平行的方向的長度不同的多種基板W進行清洗的情況下優選。

而且，所述的說明中，檢測部30a、檢測部30b以及檢測部30c是檢測基板W的規定部位（例如基板W中的搬送方向下游側的端部），但並不限於此。例如，以由檢測部30a、檢測部30b以及檢測部30c檢測到基板W的時間點作為基準來判斷基板W的搬送位置的控制裝置50也包含在檢測部中。即，控制裝置50基於由檢測部30a、檢測部30b以及檢測部30c檢測到基板W的時間或基板W的搬送速度來檢測基板W的搬送位置。

而且，所述的第二實施方式的說明中，對於基板W，一邊沿搬送方向A1予以搬送一邊供給第一處理液，一邊沿搬送方向A2予以搬送一邊供給第二處理液，但並不限於此。例如也可在一邊沿搬送方向A1與搬送方向A2予以搬送，一邊將第一處理液供給兩次以上之後，切換成第二處理液。同樣地，也可將第二處理液供給兩次以上。

而且，例示了第一處理液、第二處理液這兩種進行了說明，但也可在水刀40連接三種以上的處理液供給源，以使得能夠進行借助三種以上的處理液的處理。在此情況下，借助各處理液的處理既可各為一次，也可各為多次。

而且，所述的第三實施方式的說明中，旋轉軸143的中心S（旋轉軸）是設在相對於儲存部141的開口的寬度的中央C而朝搬送方向A1的下游側偏離的位置，但也可設在朝搬送方向A1的上游側偏離的位置。此時，朝向搬送方向A1的上游側噴出處理液時比起朝向搬送方向A2的上游側噴出處理液時，狹縫寬度變窄，因此噴出壓力變強。

而且，所述的第四實施方式的說明中，後端部242b是由彈性構件所形成，但也可使噴出方向引導板242整體由具有彈性的同一材料所形成，還可使前端部242a與後端部242b由不同的材料所形成。只要至少使後端部242b由彈性構件所形成，便可調整狹縫寬度。而且，若使前端部242a由具有剛性的材料（剛性比後端部242b高的材料）所形成，則可抑制狹縫寬度因所噴出的處理液的重量而改變的現象。

而且，所述的第五實施方式的說明中，是通過一個檢測感測器30c6來停止處理液的供給，但也可在處理室10內設置多個檢測感測器30c6。例如也可在水刀40與搬出口12之間設置檢測感測器30c6。

而且，所述的第五實施方式的說明中，檢測感測器30c6是對從磁鐵30c5產生的磁場進行檢測，但也可對檢測光或載荷進行檢測，還可檢測擺錘構件30c1與檢測感測器30c6接觸而導通的情況。

以上，對本發明的若干實施方式進行了說明，但這些實施方式是作為示例而提示，並不意圖限定發明的範圍。這些新穎的實施方式能夠以其他的各種形態來實施，可在不脫離發明主旨的範圍內進行各種省略、置換、變更。這些實施方式或其變形包含在發明的範圍或主旨中，並且包含在請求項書所記載的發明及其均等的範圍內。

1:基板處理裝置 10:處理室 11:搬入口 12:搬出口 20:搬送裝置 21:搬送輥 21a:輥 21b:軸 30:檢測裝置 30a、30b、30c:檢測部 30c1:擺錘構件 30c2:支軸 30c3:檢測用輥 30c4:配重 30c5:磁鐵 30c6:檢測感測器 40、140、240:水刀 41、141、241:儲存部 42、142、242:噴出方向引導板 42a、242a:前端部 42b、242b:後端部 43、143、243:旋轉軸 50:控制裝置 61:第一處理液供給源 62:第二處理液供給源 63:第一閥 64:第二閥 A1、A2:搬送方向 C:中央 H1:搬送路徑 P1:初始位置 P2、P3:檢測位置 R:旋轉方向 R1:反轉方向 S:旋轉軸的中心 W:基板

圖1是表示第一實施方式的基板處理裝置的概略結構的側面圖。 圖2是表示第一實施方式的基板處理裝置的概略結構的平面圖。 圖3是表示在第一實施方式的基板處理裝置中，水刀的噴出方向引導板位於第二旋轉位置的狀態的側面圖。 圖4是表示第二實施方式的基板處理裝置的概略結構的側面圖。 圖5的（a）、圖5的（b）是表示第三實施方式的水刀的概略結構的側面圖。 圖6的（a）至圖6的（c）是表示第四實施方式的水刀的概略結構的側面圖。 圖7是表示在第五實施方式的基板處理裝置中，水刀位於第一旋轉位置，且檢測部被定位於初始位置的狀態的側面圖。 圖8是表示在第五實施方式的基板處理裝置中，水刀位於第一旋轉位置，且檢測部被定位於檢測位置的狀態的側面圖。 圖9是表示在第五實施方式的基板處理裝置中，水刀的噴出方向引導板位於第二旋轉位置，且檢測部被定位於初始位置的狀態的側面圖。 圖10是表示在第五實施方式的基板處理裝置中，水刀的噴出方向引導板位於第二旋轉位置，且檢測部被定位於檢測位置的狀態的側面圖。

1:基板處理裝置

10:處理室

11:搬入口

12:搬出口

20:搬送裝置

21:搬送輥

21a:輥

21b:軸

30a、30b:檢測部

40:水刀

41:儲存部

42:噴出方向引導板

42a:前端部

42b:後端部

43:旋轉軸

50:控制裝置

A1:搬送方向

H1:搬送路徑

W:基板

Claims (8)

1. 一種基板處理裝置，包括： 搬送裝置，能夠沿著搬送路徑朝一方向以及與其逆行的反方向這兩方向來搬送基板；以及 水刀，在所述基板的搬送路徑的上方，長邊方向沿著相對於所述搬送路徑在水平面內交叉的方向設置，從狹縫狀的開口朝向所述搬送路徑噴出處理液， 所述水刀包括： 儲存部，在所述搬送路徑側具有開口，能夠儲存處理液； 噴出方向引導板，以一端從所述開口突出且另一端進入所述儲存部的內部的方式而設，引導所述處理液的噴出方向；以及 噴出方向變更部，使所述噴出方向引導板旋轉，以變更所述處理液的噴出方向。
2. 如請求項1所述的基板處理裝置，更包括： 檢測部，檢測所述基板的搬送位置， 基於由所述檢測部所檢測的所述搬送位置，通過所述噴出方向變更部使所述噴出方向引導板旋轉，從所述水刀朝向所述基板的搬送方向上游噴出所述處理液。
3. 如請求項2所述的基板處理裝置，其中，所述水刀連接於多個處理液供給源， 在朝所述一方向搬送所述基板時與朝所述反方向搬送所述基板時，切換從所述水刀噴出的處理液。
4. 如請求項1至3中任一項所述的基板處理裝置，其中，所述水刀能夠變更所述狹縫狀的開口的寬度。
5. 如請求項4所述的基板處理裝置，其中所述噴出方向變更部是所述噴出方向引導板被固定的旋轉軸， 所述旋轉軸設在從所述開口的寬度的中央偏離的位置。
6. 如請求項4所述的基板處理裝置，其中所述噴出方向引導板的、抵接於所述儲存部的內部的後端部是利用彈性構件而設。
7. 如請求項2或3所述的基板處理裝置，其中， 停止所述處理液的供給時的所述基板的搬送位置是所述基板中的搬送方向下游側的端部通過了所述水刀的正下方的位置。
8. 如請求項1至3中任一項所述的基板處理裝置，更包括： 控制裝置，控制所述搬送裝置或所述水刀；以及 檢測部，檢測所述基板的有無，並將供所述控制裝置掌握停止所述處理液的供給的時機的檢測信號發送至所述控制裝置。