CN116779471A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够抑制基板的处理线变得庞大的基板处理装置。基板处理装置具有：搬送装置(20)，可沿着搬送路径而朝一方向以及与其逆行的反方向这两方向来搬送基板；以及水刀(40)，在基板的搬送路径的上方，长边方向沿着相对于所述搬送路径在水平面内交叉的方向设置，从狭缝状的开口朝向搬送路径喷出处理液。水刀(40)包括：存储部(41)，在搬送路径侧具有开口，可存储处理液；喷出方向引导板(42)，以一端从所述开口突出且另一端进入存储部的内部的方式而设，引导处理液的喷出方向；以及喷出方向变更部，使喷出方向引导板旋转，以变更处理液的喷出方向。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明的实施方式涉及一种基板处理装置。

背景技术

在液晶显示装置或半导体装置的制造工序中，具有对玻璃基板或半导体晶片等的基板供给处理液以进行清洗处理或药液处理的处理工序。在所述处理工序中，有时采用逐片方式，即，使用纯水或药液等来作为处理液，对一片一片的基板喷射所述处理液来进行处理。

在通过逐片方式来处理基板的情况下，进行下述操作：在基板的搬送路径的上方或下方配置具有狭缝状开口的水刀(狭缝喷嘴)，对于受到搬送的基板，从开口将处理液作为帘幕状的处理液膜进行供给。水刀与淋浴喷头相比较，能够对基板均匀地供给处理液，因此适合于容易产生处理斑(处理不均)的基板或处理工序。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2004-305930号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

基板在其处理工序中要多次接受处理液的供给，但每个处理都需要水刀等的处理液供给机构以及设置其的腔室。因此，基板的处理线整体变得庞大，从而造成基板处理装置整体的大型化或制造成本的增加。

因此，本发明的目的在于提供一种能够抑制基板的处理线变得庞大的基板处理装置。

[解决问题的技术手段]

实施方式的基板处理装置包括：

搬送装置，能够沿着搬送路径朝一方向以及与其逆行的反方向这两方向来搬送基板；以及

水刀(aqua knife)，在所述基板的搬送路径的上方，长边方向沿着相对于所述搬送路径在水平面内交叉的方向设置，从狭缝状的开口朝向所述搬送路径喷出处理液，

所述水刀包括：

存储部，在所述搬送路径侧具有开口，能够存储处理液；

喷出方向引导板，以一端从所述开口突出且另一端进入所述存储部的内部的方式而设，引导所述处理液的喷出方向；以及

喷出方向变更部，使所述喷出方向引导板旋转，以变更所述处理液的喷出方向。

[发明的效果]

根据本发明的实施方式，能够抑制基板的处理线变得庞大。

附图说明

图1是表示第一实施方式的基板处理装置的概略结构的侧面图。

图2是表示第一实施方式的基板处理装置的概略结构的平面图。

图3是表示在第一实施方式的基板处理装置中，水刀的喷出方向引导板位于第二旋转位置的状态的侧面图。

图4是表示第二实施方式的基板处理装置的概略结构的侧面图。

图5的(a)、图5的(b)是表示第三实施方式的水刀的概略结构的侧面图。

图6的(a)至图6的(c)是表示第四实施方式的水刀的概略结构的侧面图。

图7是表示在第五实施方式的基板处理装置中，水刀位于第一旋转位置，且检测部被定位于初始位置的状态的侧面图。

图8是表示在第五实施方式的基板处理装置中，水刀位于第一旋转位置，且检测部被定位于检测位置的状态的侧面图。

图9是表示在第五实施方式的基板处理装置中，水刀的喷出方向引导板位于第二旋转位置，且检测部被定位于初始位置的状态的侧面图。

图10是表示在第五实施方式的基板处理装置中，水刀的喷出方向引导板位于第二旋转位置，且检测部被定位于检测位置的状态的侧面图。

[符号的说明]

1：基板处理装置

10：处理室

11：搬入口

12：搬出口

20：搬送装置

21：搬送辊

21a：辊

21b：轴

30：检测装置

30a、30b、30c：检测部

30c1：摆锤构件

30c2：支轴

30c3：检测用辊

30c4：配重

30c5：磁铁

30c6：检测传感器

40、140、240：水刀

41、141、241：存储部

42、142、242：喷出方向引导板

42a、242a：前端部

42b、242b：后端部

43、143、243：旋转轴

50：控制装置

61：第一处理液供给源

62：第二处理液供给源

63：第一阀

64：第二阀

A1、A2：搬送方向

C：中央

H1：搬送路径

P1：初始位置

P2、P3：检测位置

R：旋转方向

R1：反转方向

S：旋转轴的中心

W：基板

具体实施方式

＜第一实施方式＞

参照图1至图3来说明第一实施方式。实施方式中的基板处理装置1例如可设为基板的清洗处理装置、或者在基板的表面形成光致抗蚀剂的覆膜的处理装置、曝光处理装置、显影处理装置、蚀刻处理装置、剥离处理等的工艺处理装置等。

(基本结构)

如图1以及图2所示，第一实施方式的基板处理装置1包括处理室10、搬送装置20、检测部30a、检测部30b、水刀40以及控制装置50。作为处理对象的基板W，例如使用玻璃基板或液晶基板、半导体基板等的矩形状的基板。

处理室10是在内部具有搬送基板W的搬送路径H1的框体(腔室)，且形成为，基板W可沿着搬送路径H1在处理室10内移动。所述处理室10作为对在搬送路径H1上移动的基板W进行处理的室(room)发挥功能。在处理室10中，在搬送基板W的搬送路径H1的其中一侧，具有用于将基板W搬入处理室10内的开口即搬入口11。而且，在搬送基板W的搬送路径H1中的另一侧，具有用于搬出处理室10内的基板W的开口即搬出口12。另外，在处理室10的底面，形成有排出液体的排出口(未图示)。

搬送装置20形成为，可沿着搬送路径H1朝一方向以及与其逆行的反方向往复移动地搬送基板W。搬送装置20具有多个搬送辊21，通过这些搬送辊21来搬送基板W。各搬送辊21以各自的长边方向相对于基板W的搬送方向A1而在水平面内正交的方式进行定位，并以规定间隔排列，以形成搬送路径H1。这些搬送辊21可正转及反转地设在处理室10内，且构成为通过驱动源(未图示)来彼此同步地旋转。搬送辊21分别具有多个辊21a与轴21b。各辊21a以规定间隔安装于轴21b。当轴21b旋转时，安装于所述轴21b的各辊21a旋转。载置于这样的各搬送辊21上的基板W通过旋转的各搬送辊21沿着搬送路径H1受到搬送。

检测部30a、检测部30b为了掌握基板W的到来以及搬送位置，对基板W进行检测，并将表示检测到基板W的检测信号输出至控制装置50。检测部30a在处理室10内，在基板的搬送方向A1的上游侧设在搬送路径H1的上方。检测部30b在处理室10内，在搬送方向A1的下游侧设在搬送路径H1的上方。检测部30a、检测部30b分别例如为光传感器，所述光传感器包括朝向搬送路径H1照射光(例如激光)的投光部与对被基板W反射的反射光进行检测的受光部。

在检测部30a、检测部30b被设在后述的水刀40附近的情况下，基板W的检测有时会被从水刀40喷出的处理液妨碍。因此，优选的是，检测部30a、检测部30b被设在从水刀40喷出的处理液到达不了的位置。

水刀40被设在搬送路径H1的上方，对沿着搬送路径H1受到搬送的基板W供给处理液。水刀40在下方具有狭缝状的开口，且其长边方向沿着相对于搬送路径H1在水平面内交叉的方向(本实施方式中为正交的方向)设置。在水平面内与搬送方向A1正交的方向上，水刀40所具有的狭缝状开口的长度为受到搬送的基板W的长度以上。关于水刀40的详情将后述。另外，水刀40连接于未图示的处理液供给储液罐等的处理液供给源以及泵等的输液机构。输液机构例如可通过变更泵的输出来调整来自水刀40的处理液的喷出量(每单位时间的喷出量)。

控制装置50具有集中地控制各部的微计算机、以及存储与基板处理相关的处理信息或各种程序等的存储部。控制装置50基于基板处理信息或各种程序来控制搬送装置20或水刀40等的各部。而且，控制装置50接收从检测部30a、检测部30b输出的检测信号。控制装置50例如基于所收到的检测信号来判断基板W的搬送位置并变更搬送辊21的旋转方向。

(水刀)

接下来说明水刀40的结构。水刀40包括存储部41、喷出方向引导板42以及旋转轴43(喷出方向变更部)。

存储部41在搬送路径H1侧具有开口。所述开口是以随着接近搬送路径H1而开口面积变大的方式设置。并且，通过后述的喷出方向引导板42可存储处理液地设置，并且开口形成为狭缝状。

喷出方向引导板42是在存储部41的下方以一端从存储部41的开口突出，且另一端进入存储部41的内部的方式而设的板状构件。在水平面内与搬送方向A1正交的方向上，喷出方向引导板42的长度与存储部41的开口大致相同。以下，为了方便说明，将在喷出方向引导板42中靠近搬送路径H1的一侧设为前端部42a，将远离搬送路径H1的一侧且进入存储部41的内部的部分设为后端部42b。

在喷出方向引导板42的、在水平面内与搬送方向A1正交的方向上的端部分别设有旋转轴43。喷出方向引导板42被固定于旋转轴43，通过旋转轴43旋转，喷出方向引导板42旋转。而且，喷出方向引导板42的后端部42b抵接于存储部41的内部，其旋转受到限制。从处理液供给源输送并存储于存储部41的处理液从由存储部41的开口及喷出方向引导板42的前端部42a所形成的狭缝状的开口，以沿着前端部42a的方式受到引导而喷出。通过喷出方向引导板42的旋转位置，能够变更喷出处理液的方向。即，喷出方向引导板42引导处理液的喷出方向。

(基板处理工序)

接下来，对前述的基板处理装置1所进行的基板处理工序的一例进行说明。本例中，基板W在处理室内往复1.5次，接受3次借助水刀40的处理液供给。

图1以及图2所示的基板处理装置1中，搬送装置20的各搬送辊21正转。基板W在从搬入口11被搬入时，通过搬送辊21的旋转而沿着搬送路径H1移动。所搬入的基板W例如是在比第一实施方式的基板处理装置1为上游工序的装置(处理槽)中，从淋浴喷头等接受处理液(例如剥离液或显影液)的供给而在表面形成有液膜的基板。

当由检测部30a检测到基板W时，检测信号被发送至控制装置50。收到所述检测信号的控制装置50开始来自水刀40的处理液(例如纯水或CO2水等的清洗液)的喷出。此时，喷出方向引导板42被定位于前端部42a比后端部42b更处于搬送方向A1上的上游侧的旋转位置(以下称作第一旋转位置)。由此，从水刀40朝向搬送方向A1的上游侧对受到搬送的基板W喷出处理液。当朝向基板的搬送方向上游侧喷出处理液时，从水刀40喷出的处理液与受到搬送的基板的相对速度增加，因此能够效率良好地排除基板上的液体(液膜)，置换为从水刀40喷出的处理液。

另外，所谓通过检测部30a来检测基板W，是指通过检测部30a来检测基板W中的搬送方向下游侧的端部，或者通过检测部30a来检测基板W中的搬送方向上游侧的端部。检测部30a既可通过检测基板W中的搬送方向下游侧的端部来将检测信号发送至控制装置50，也可通过检测基板W中的搬送方向上游侧的端部来将检测信号发送至控制装置50。当检测部30a检测基板W中的搬送方向下游侧的端部时，检测部30a通过检测被基板W中的搬送方向下游侧的端部反射的反射光来将检测信号发送至控制装置50。而且，当检测部30a检测基板W中的搬送方向上游侧的端部时，检测部30a在检测到从基板W反射的反射光后，若无法再检测到反射光，则将检测信号发送至控制装置50。

当在从水刀40喷出有处理液的状态下，基板W通过与水刀40相向的位置时，对基板W的表面供给处理液，基板W通过处理液得到处理。此时，从基板W的表面掉落的处理液从设在处理室10内的底面的排出口排出。

通过水刀40接受处理液的供给的基板W被搬送至处理室10的搬送方向A1上的下游侧为止。当由检测部30b检测到基板W中的搬送方向下游侧的端部时，将检测信号发送至控制装置50。收到此检测信号的控制装置50暂时停止搬送装置20的驱动，来自水刀40的处理液的喷出也暂时停止。进而，使水刀40的旋转轴43旋转(图1中为逆时针方向旋转)，由此来变更喷出方向引导板42的旋转位置。

将此时的状态示于图3。如图3所示，喷出方向引导板42被定位于前端部42a比后端部42b更处于搬送方向A2上的上游侧的旋转位置(以下称作第二旋转位置)。另外，搬送方向A2是与搬送方向A1逆行的方向。而且，停止处理液供给时的基板W的搬送位置是基板W中的搬送方向下游侧的端部通过了水刀40的正下方的位置。

当喷出方向引导板42的旋转位置的变更完成时，控制装置50再次开始来自水刀40的处理液的喷出。而且，使搬送装置20的搬送辊21反转地驱动。由此，基板W沿搬送方向A2受到搬送，再次接受来自水刀40的处理液的供给。此时，来自水刀40的处理液也将相对于基板W而朝向基板的搬送方向的上游侧(搬送方向A2上的上游侧)喷出。并且，被搬送至处理室10的搬送方向A2上的下游侧(即，搬送方向A1上的上游侧)为止。

由检测部30a检测到被搬送至处理室10的搬送方向A2上的下游侧为止的基板W中的搬送方向下游侧的端部时，将检测信号发送至控制装置50。收到此检测信号的控制装置50暂时停止搬送装置20的驱动，来自水刀40的处理液的喷出也暂时停止。进而，使水刀40的旋转轴43旋转(图3中为顺时针方向旋转)，由此，将喷出方向引导板42的旋转位置再次变更为第一旋转位置。当喷出方向引导板42的旋转位置的变更完成时，控制装置50再次开始来自水刀40的处理液的喷出，搬送辊21也正转地驱动。

基板W与前述同样，一边被搬送至搬送方向A1的下游侧为止，一边接受来自水刀40的处理液的供给。然后，被搬送至搬送方向A1上的下游为止的基板W从搬出口12被搬出。

如以上所说明的那样，根据第一实施方式，通过具有可正转与反转的搬送辊21，沿着搬送路径H1朝一方向(搬送方向A1)以及与其逆行的反方向(搬送方向A2)这两方向来搬送基板W。通过以在处理室10内的搬送路径H1上往复的方式搬送基板W，从而能够多次从水刀40对基板W供给处理液。由此，即便水刀40为一个，也能够对基板W多次供给处理液。或者，即便水刀40为一个，也能够对基板W长时间或大量供给处理液。因此，能够抑制处理线变长，装置整体大型化的情况。

并且，对基板W供给处理液的水刀40可变更喷出处理液的方向。更具体而言，通过水刀40所具有的喷出方向引导板42旋转，从而无论在基板W朝哪个方向受到搬送时，均能够朝向基板的搬送方向的上游侧供给处理液。由此，即便在处理室10内以使基板W往复的方式来搬送基板并进行处理，不论基板的搬送方向如何，均能够效率良好地排除基板W上的液体(液膜)，而置换为从水刀40新供给的处理液。

此处，关于减小处理室10中的基板W的搬送方向的长度进行研讨。在通过检测部30a或者检测部30b来检测基板W中的搬送方向上游侧的端部的情况下，必须将检测部30a、检测部30b设在水刀40附近。但若如前述那样将检测部30a、检测部30b设在水刀40附近，则基板W的检测有可能被从水刀40喷出的处理液妨碍。

若通过检测部30a或者检测部30b来检测基板W中的搬送方向下游侧的端部，则可将检测部30a、检测部30b设在远离水刀40的位置。此时，为了使基板W在处理室10内往复而接受处理液的供给，沿着搬送方向A1将基板W搬送到从喷出方向引导板42位于第二旋转位置的水刀40对沿着搬送方向A2受到搬送的基板W中的搬送方向下游侧的端部供给处理液的位置。

因此，优选的是，通过检测部30b或者检测部30a来检测在从水刀40对基板W中的搬送方向下游侧的端部供给处理液的位置存在基板W的情况。进而，将基板W搬送至比从水刀40对基板W中的搬送方向下游侧的端部供给处理液的位置更靠搬送方向下游侧的位置，会导致处理室10中的基板W的搬送方向的长度的增大。

因此，检测部30a优选被设在设有搬入口11的处理室10的内壁或其附近。检测部30b优选被设在设有搬出口12的处理室10的内壁或其附近。通过如前述那样设置检测部30a、检测部30b，从而能够将处理室10中的基板W的搬送方向的长度形成得最小。因此，能够抑制基板W的处理线变得庞大的情况。

另外，通过将检测部30a(检测部30b)设在搬入口11(搬出口12)而能够抑制基板W的处理线变得庞大的情况是从搬入口11直至水刀40为止的长度与从水刀40直至搬出口12为止的长度相等的情况。而且，从搬入口11直至水刀40为止的长度以及从水刀40直至搬出口12为止的长度分别比基板W中的搬送方向的长度稍长。

而且，优选的是，通过检测部30a或者检测部30b来检测基板W中的搬送方向下游侧的端部，由此停止处理液的供给。进而，优选的是，在基板W中的搬送方向下游侧的端部被检测部30a或者检测部30b检测到的时机，使水刀40的旋转轴43旋转。进而，优选的是，当喷出方向引导板42的旋转位置的变更完成时，再次开始来自水刀40的处理液的喷出，并切换搬送辊21的旋转方向。

另外，所述的说明中，列举了基板W在处理室内往复1.5次，从而接受3次来自水刀40的处理液的供给的示例，但并不限于此。通过变更往复的次数，从而能够变更对基板W供给处理液的次数。也能够根据此次数来调整所供给的处理液量或处理时间。而且，也可不在处理室10设置搬出口12，而共用搬入口与搬出口。即，从设于处理室10的开口搬入而接受了规定次数的处理的基板W也可从相同的开口被搬出。

＜第二实施方式＞

接下来，参照图4来说明第二实施方式。另外，第二实施方式中，对与第一实施方式的不同点(切换处理液方面)进行说明，而省略其他说明。

第二实施方式的水刀40与第一实施方式的不同之处在于，处理液供给储液罐等的处理液供给源设有多个。多个处理液供给源经由用于进行切换的阀等连接于水刀40。由此设置为，能够变更从水刀40喷出的处理液的种类。第二实施方式中，说明利用第一处理液(例如剥离液或显影液)与第二处理液(例如纯水或CO2水等的清洗液)这两种处理液对基板进行处理的示例。处理对象基板例如可设为在表面形成有RGB抗蚀剂膜的基板、彩色滤光片工序或形成电路图案的成膜基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列工序的基板。另外，基板的种类以及处理液的种类并不限于此。

在水刀40，经由在中途分支的配管而连接有第一处理液供给源61与第二处理液供给源62。在水刀40与第一处理液供给源61之间设有第一阀63。在水刀40与第二处理液供给源62之间设有第二阀64。第一阀63以及第二阀64的开闭由控制装置50予以控制。控制装置50通过控制第一阀63以及第二阀64的开闭与未图示的泵等的输液机构，从而从水刀40喷出任一处理液。

当由检测部30a检测到从搬入口11搬入的基板W时，将检测信号发送至控制装置50。收到此检测信号的控制装置50将第一阀63设为开状态，将第二阀64设为闭状态，从水刀40开始第一处理液(例如剥离液)的喷出。此时，喷出方向引导板42处于第一旋转位置。基板W一边沿搬送方向A1受到搬送，一边从水刀40接受第一处理液的供给。

当接受第一处理液的供给的基板W被搬送至处理室10的搬送方向A1上的下游侧为止时，基板W中的搬送方向下游侧的端部被检测部30b检测到，而向控制装置50发送检测信号。收到此检测信号的控制装置50暂时停止搬送装置20的驱动。

接下来，控制装置50将第一阀63设为闭状态，停止第一处理液的喷出。在第一处理液的喷出停止后，使旋转轴43旋转，将喷出方向引导板42变更到第二旋转位置。并且，将第二阀64设为开状态，从水刀40喷出第二处理液(例如纯水)。即，在朝一方向搬送基板W时和在朝与一方向逆行的反方向搬送基板W时，切换从水刀40喷出的处理液。在位于存储部41内部的第一处理液被置换为第二处理液后，再次开始搬送装置20的驱动，沿搬送方向A2搬送基板W。基板W一边沿搬送方向A2受到搬送，一边从水刀40接受第二处理液的供给。另外，只要预先通过实验等求出直至存储部41内部的液体被完全置换为止的规定时间，在从开始第二处理液的喷出经过了规定时间后，视为已被置换为第二处理液，而再次开始搬送装置20的驱动即可。

当由检测部30a检测到基板W已接受了第二处理液的供给并被搬送至搬送方向A2上的下游侧为止时，将第二阀64设为闭状态，停止来自水刀40的处理液的喷出。并且，使搬送辊21正转，沿搬送方向A1搬送基板W。被搬送至搬送方向A1上的下游为止的基板W从搬出口12被搬出。

如以上所说明的那样，根据第二实施方式，与第一实施方式同样，能够抑制处理线变长而装置整体大型化的情况。而且，通过具有喷出方向引导板42，从而无论在沿哪个方向搬送基板W时，均能够朝向基板的搬送方向上游侧供给处理液，因此能够效率良好地置换基板W上的液体。

进而，根据第二实施方式，在水刀40连接有多个处理液供给源，从而可切换所喷出的处理液，因此能够在一个处理室中进行使用不同的处理液的处理。由此，即便在通过多个处理液来处理基板W的情况下，也可不设置多个处理室，因此能够抑制处理线变长而装置大型化的情况。

＜第三实施方式＞

接下来，参照图5的(a)、图5的(b)来说明第三实施方式。第三实施方式是所述的第一实施方式或第二实施方式的变形例，因此对与第一实施方式或第二实施方式的不同点(根据来自水刀的处理液的喷出方向而喷出压力不同方面)进行说明，而省略其他说明。

第三实施方式的水刀140中，旋转轴143的中心S(旋转轴)被设在相对于存储部141的开口的宽度(为与水刀140所延伸的方向正交的方向的长度且为图5的(a)、图5的(b)中的左右方向的长度)的中央C而朝搬送方向A1的下游侧偏离的位置。由此，比起被固定于旋转轴143的喷出方向引导板142位于第一旋转位置时(图5的(a))，当喷出方向引导板142位于第二旋转位置时(图5的(b))，由存储部141的开口与喷出方向引导板142所形成的狭缝的宽度变窄。即，水刀140可变更存储部141的狭缝状的开口的宽度。当狭缝的宽度变窄时，即便每单位时间的喷出量相同，也能够加强处理液对基板W的喷出压力。

如以上所说明的那样，根据第三实施方式，比起朝向搬送方向A1的上游侧喷出处理液时，当朝向搬送方向A2的上游侧喷出处理液时，能够加强对基板W的喷出压力。

例如能够在一边沿搬送方向A1进行搬送一边以弱的喷出压力对基板进行粗清洗后，一边沿搬送方向A2进行搬送一边以强的喷出压力来进行精清洗。由此，即便在容易产生处理斑(处理不均)的基板中，也能够抑制处理斑的产生，从而能够提高基板的品质。

进而，若如作为所述的第二实施方式所说明的那样，可切换多个处理液地设置，则可根据处理液的种类来选择喷出压力。更详细而言，通过根据所喷出的处理液的种类(即，根据处理工序)，来选择基板W的搬送方向与喷出方向引导板142的旋转位置，从而能够变更喷出压力。由此，能够设为适合于处理工序的喷出压力。

例如，在表面形成有RGB抗蚀剂膜的基板或者各种蚀刻工序后的抗蚀剂基板的处理中，能够在一边沿搬送方向A1进行搬送一边以弱的喷出压力供给剥离液后，一边沿搬送方向A2进行搬送一边以强的喷出压力来供给处理液(例如纯水)。在对液晶基板供给剥离液的情况下，通过减弱对基板的喷出压力，从而能够形成厚的液膜而使基板表面的膜充分膨润。随后，在处理液的供给中，比剥离液的供给时加强对基板的喷出压力，由此，基板表面的液流变快，因此能够均匀地去除经膨润的膜。

＜第四实施方式＞

接下来，参照图6的(a)至图6的(c)来说明第四实施方式。第四实施方式是所述的第一实施方式或第二实施方式的变形例，因此对与第一实施方式或第二实施方式的不同点(来自水刀的处理液的喷出压力可调整方面)进行说明，而省略其他说明。

第四实施方式的水刀240的喷出方向引导板242的后端部242b由弹性构件所形成，当受到按压时挠曲(弯曲)。弹性构件例如为树脂。

当使图6的(a)所示的水刀240的旋转轴243旋转时，喷出方向引导板242的后端部242b抵接于存储部241的内部。由此，如图6的(b)所示，可朝向搬送方向上游侧(图6的(a)至图6的(c)中为左侧)喷出处理液地，在前端部242a侧形成狭缝。此处，当进一步使旋转轴243旋转时，如图6的(c)所示，喷出方向引导板242也旋转，但由于后端部242b抵接于存储部241的内部，因此挠曲进一步变大。这样，通过后端部242b挠曲，从而可减小喷出处理液的狭缝的宽度。

这样，根据第四实施方式，通过由弹性构件形成水刀240的后端部242b，从而可通过喷出方向引导板242的旋转量来调整喷出处理液的狭缝宽度。通过调整狭缝宽度，可根据作为处理对象的基板W的种类或者处理液的种类、处理工序来调整为优选的喷出压力，从而可提高基板的品质。

＜第五实施方式＞

接下来，参照图7至图10来说明第五实施方式。另外，第五实施方式中，对与第一实施方式的不同点(进而设置用于停止处理液的供给的检测器方面)进行说明，而省略其他说明。

第五实施方式的检测部30c检测基板W的有无，以供控制装置50掌握停止处理液的供给的时机。当检测部30c检测基板W的有无时，将表示检测到基板W的有无的检测信号发送至控制装置50。即，检测部30c检测基板W的有无，并将供控制装置50掌握停止处理液的供给的时机的检测信号发送至控制装置50。

检测部30c如图7所示，设在邻接的两个搬送辊21之间。检测部30c优选设在如下所述的位置，即，在处理液不再喷到基板W的瞬间，送往控制装置50的检测信号便发生变化。例如，检测部30c优选设在位于水刀40附近且彼此邻接的两个搬送辊21之间。检测部30c具有摆锤构件30c1、支轴30c2、检测用辊30c3、配重30c4、磁铁30c5以及检测传感器30c6。

摆锤构件30c1以成为支点的支轴30c2为中心可摆动地安装于被设在处理室10的内壁的未图示的安装部。摆锤构件30c1是具有一端与另一端的直线状的板构件。摆锤构件30c1能够以支轴30c2为中心，沿着未图示的安装部而在由与基板W的搬送方向垂直的方向和基板W的搬送方向所形成的面内，沿着旋转方向R与反转方向R1而摆动。

检测用辊30c3使用未图示的安装轴部而可旋转地安装于摆锤构件30c1的一端。在摆锤构件30c1的另一端固定有金属制的配重30c4。配重30c4是为了取得与检测用辊30c3的重量平衡而设。在配重30c4中安装有磁铁30c5。

检测传感器30c6以下述方式安装于未图示的安装部，即，在摆锤构件30c1位于后述的初始位置P1的状态下，以隔开微小的间隔的状态与磁铁30c5对置。检测传感器30c6经由未图示的电配线而与控制装置50连接。检测传感器30c6在摆锤构件30c1处于后述的检测位置P2或者后述的检测位置P3时，即，在基板W下按检测用辊30c3时，检测磁铁30c5所产生的磁场的变化。通过对基板W下按检测用辊30c3时所产生的磁铁30c5的磁场的变化进行检测，从而检测传感器30c6将检测到基板W的信号送往控制装置50。

摆锤构件30c1在不与基板W接触的状态下，如图7所示，被定位于初始位置P1。通过摆锤构件30c1定位于初始位置P1，摆锤构件30c1的长边方向与跟基板W的搬送方向垂直的方向平行。在初始位置P1，检测用辊30c3位于由搬送装置20所搬送的基板W的高度。并且，基板W沿搬送方向A1移动时接触至检测用辊30c3，摆锤构件30c1以支轴30c2为中心而朝旋转方向R转动。朝旋转方向R转动的摆锤构件30c1如图8所示被设置于检测位置P2。

检测位置P2是沿着搬送方向A1受到搬送的基板W下按检测用辊30c3时的检测部30c的位置。如图8所示，当摆锤构件30c1旋转到检测位置P2时，即，当基板W下按检测用辊30c3时，摆锤构件30c1的长边方向相对于与基板W的搬送方向垂直的方向，以支轴30c2为中心而朝旋转方向R旋转规定的角度。由此，磁铁30c5朝旋转方向R离开检测传感器30c6。

而且，检测位置P3是沿着搬送方向A2受到搬送的基板W下按检测用辊30c3时的检测部30c的位置。沿着搬送方向A2移动的基板W接触到检测用辊30c3时，摆锤构件30c1以支轴30c2为中心朝反转方向R1转动规定的角度。并且，摆锤构件30c1如图10所示那样旋转到检测位置P3的位置。由此，磁铁30c5从检测传感器30c6朝反转方向R1远离。

优选的是，检测用辊30c3(未图示的安装轴部)与支轴30c2之间的距离设定得比支轴30c2与磁铁30c5(配重30c4)之间的距离短。由此，摆锤构件30c1能够从检测位置P2(检测位置P3)朝反转方向R1(旋转方向R)旋转而恢复到初始位置P1。

首先，对水刀40的喷出方向引导板42位于第一旋转位置时的、停止来自水刀40的处理液的供给的方法进行说明。如图7所示，当水刀40的喷出方向引导板42位于第一旋转位置时，在基板W沿着搬送方向A1受到搬送的中途，检测用辊30c3被基板W的背面按压。因此，摆锤构件30c1从图7所示的初始位置P1以支轴30c2为中心而朝旋转方向R旋转至图8所示的检测位置P2。

通过摆锤构件30c1以支轴30c2为中心朝旋转方向R旋转，磁铁30c5也以支轴30c2为中心朝旋转方向R旋转。当磁铁30c5旋转时，磁铁30c5从图7所示的与检测传感器30c6相向的状态移动到图8所示的远离检测传感器30c6的位置。因此，从磁铁30c5产生的磁场无法再被检测传感器30c6检测到。检测传感器30c6将表示无法再检测到磁场的检测信号送往控制装置50。收到检测信号的控制装置50判断为检测到了基板W。

控制装置50确认基板W的搬送方向。控制装置50在确认基板W沿着搬送方向A1受到搬送时，判断为基板W的搬送位置并非基板W中的搬送方向下游侧的端部通过了水刀40的正下方的位置。此时，控制装置50与进行跟基板W的搬送位置相关的判断之前同样地，维持搬送装置20或水刀40等的各部的控制。

当基板W进一步沿搬送方向A1受到搬送而基板W离开检测用辊30c3时，摆锤构件30c1利用重力的力朝反转方向R1旋转而从检测位置P2恢复为初始位置P1。当摆锤构件30c1恢复为初始位置P1时，磁铁30c5从远离检测传感器30c6的状态恢复为相向的状态。当磁铁30c5恢复为与检测传感器30c6相向的状态时，由检测传感器30c6检测到磁铁30c5的磁场。当检测传感器30c6检测到磁铁30c5的磁场时，检测传感器30c6停止向控制装置50发送表示无法再检测到磁场的检测信号。于是，控制装置50认识到已检测到磁铁30c5的磁场，而判断为未检测到基板W。

控制装置50确认基板W的搬送方向。控制装置50在确认基板W沿着搬送方向A1受到搬送时，判断为基板W的搬送位置为基板W中的搬送方向下游侧的端部通过了水刀40的正下方的位置。此时，控制装置50从判断为基板W的搬送位置为基板W中的搬送方向下游侧的端部通过了水刀40的正下方的位置起经过数秒后，停止来自水刀40的处理液的供给。借此，与从由检测部30b检测到基板W后停止处理液的供给的情况相比，能够在处理液不再喷到基板W后立即停止处理液的供给。因此，能够抑制处理液的消耗。

接下来，对水刀40的喷出方向引导板42位于第二旋转位置时的、停止来自水刀40的处理液的供给的方法进行说明。如图9所示，当水刀40的喷出方向引导板42位于第二旋转位置时，在基板W沿着搬送方向A2受到搬送的中途，检测用辊30c3被基板W的背面按压。因此，摆锤构件30c1从图9所示的初始位置P1，以支轴30c2为中心而朝反转方向R1旋转至图10所示的检测位置P3。

通过摆锤构件30c1以支轴30c2为中心朝反转方向R1旋转，磁铁30c5也以支轴30c2为中心朝反转方向R1旋转。当磁铁30c5旋转时，磁铁30c5从图9所示的与检测传感器30c6相向的状态移动到图10所示的远离检测传感器30c6的位置。因此，从磁铁30c5产生的磁场无法再被检测传感器30c6检测到。检测传感器30c6将表示无法再检测到磁场的检测信号送往控制装置50。收到检测信号的控制装置50判断为检测到了基板W。

控制装置50确认基板W的搬送方向。控制装置50在确认基板W沿着搬送方向A2受到搬送时，判断为基板W的搬送位置为基板W中的搬送方向下游侧的端部通过了水刀40的正下方的位置。此时，控制装置50在从判断为基板W的搬送位置为基板W中的搬送方向下游侧的端部通过了水刀40的正下方的位置起经过数秒后，停止来自水刀40的处理液的供给。借此，与从由检测部30a检测到基板W后停止处理液的供给的情况相比，能够在处理液不再喷到基板W后立即停止处理液的供给。因此，能够抑制处理液的消耗。

如以上所说明的那样，根据第五实施方式，与第一实施方式同样，能够抑制处理线变长而装置整体大型化的情况。而且，能够抑制处理液的消耗量。

基板处理装置1一边使基板W在搬送路径H1上往复，一边将处理液从基板W的端部供给至端部为止。因此，在搬送辊21正转的情况与反转的情况下，处理液喷到基板W中的搬送方向下游侧的端部的位置不同。与在搬送辊21的正转与反转时处理液一开始喷到基板W的位置不同相应地，必须加长处理室10的搬送方向的长度。因此，从处理液不再喷到基板W直至基板W中的搬送方向下游侧的端部被检测部30a或者检测部30b检测到为止耗费时间。

因此，通过利用检测部30c来检测基板W的有无，能够削减白费地供给处理液的时间。其结果，能够抑制处理液的消耗量。为了削减白费地供给处理液的时间，检测部30c优选设在下述位置，即，在处理液不再喷到基板W的瞬间，送往控制装置50的检测信号便发生变化。例如，检测部30c优选设在水刀40附近且彼此邻接的两个搬送辊21之间。另外，关于在控制装置50判断为检测到基板W起经过几秒后停止来自水刀40的处理液的供给，只要预先通过实验或模拟等来求出即可。

而且，通过检测部30c来停止处理液的喷出，在基板处理装置1对与搬送方向平行的方向的长度不同的多种基板W进行清洗的情况下优选。例如，基板处理装置1形成为，对于与搬送方向平行的方向的长度为最长的基板W，处理室10中的基板W的搬送方向的长度为最小。此时，对于与搬送方向平行的方向的长度为最长的基板W，可抑制基板W的处理线变得庞大。

但对于其他种类的基板W，基板W的处理线会变得庞大。此种情况下，通过检测部30c来停止处理液的喷出，由此也能够削减白费地供给处理液的时间。其结果，能够抑制处理液的消耗量。

另外，关于第五实施方式，对与第一实施方式的不同点进行了说明，但也可将第二实施方式至第四实施方式的至少一个实施方式加以组合而实施。

＜其他实施方式＞

所述的说明中，水刀40(140、240)是其长边方向沿着在水平面内与搬送方向A1正交的方向而设，但并不限于此。也可将水刀40(140、240)的长边方向设为在水平面内与搬送方向A1倾斜地交叉的方向。

而且，所述的说明中，说明了下述内容，即，通过使喷出方向引导板42(142、242)旋转而朝向基板W的搬送方向的上游侧供给处理液，但并不限于此。例如也可通过使喷出方向引导板42旋转而朝向搬送方向的下游侧供给处理液。若朝向搬送方向的下游侧供给处理液，则可抑制被供给至基板W的处理液在基板W上流向搬送方向上游侧。由此，在对表面干燥的基板W进行处理的情况下，能够抑制从水刀40(140、240)供给的处理液在基板W上流至搬送方向上游侧的干燥面。从水刀40(140、240)喷出的处理液伴随基板W的搬送而依次被供给至基板W的干燥面，因此能够均匀地进行处理。

而且，所述的说明中，说明了下述内容，即，通过检测部30a或者检测部30b来检测基板W，但也可取代检测部30a或者检测部30b而通过检测部30c来检测基板W。

而且，所述的说明中，说明了下述内容，即，在搬送路径H1中的搬送方向下游侧存在基板W的情况下，当基板W中的搬送方向下游侧的端部被检测部30a或者检测部30b检测到时，将检测信号发送至控制装置50而暂时停止来自水刀40的处理液的喷出，但并不限于此。也可为，当在搬送路径H1中的搬送方向上游侧存在基板W时，在从基板W中的搬送方向下游侧的端部被检测部30a或者检测部30b检测到起经过了规定时间后，暂时停止来自水刀40的处理液的喷出。

如前所述，从处理液不再喷到基板W直至基板W中的搬送方向下游侧的端部被检测部30a或者检测部30b检测到为止耗费时间。因此，预先求出当在搬送路径H1中的搬送方向上游侧存在基板W时，从基板W中的搬送方向下游侧的端部被检测部30a或者检测部30b检测到直至处理液不再喷到基板W为止的时间，并将此时间作为规定的时间而存储至控制装置50中。借此，能够削减白费地供给处理液的时间。其结果，能够抑制处理液的消耗量。另外，规定的时间只要预先通过实验或模拟等来求出即可。

而且，当在搬送路径H1中的搬送方向上游侧存在基板W时，从基板W中的搬送方向下游侧的端部被检测部30a或者检测部30b检测到起经过规定的时间后停止处理液的喷出，与检测部30c同样，在基板处理装置1对与搬送方向平行的方向的长度不同的多种基板W进行清洗的情况下优选。

而且，所述的说明中，检测部30a、检测部30b以及检测部30c是检测基板W的规定部位(例如基板W中的搬送方向下游侧的端部)，但并不限于此。例如，以由检测部30a、检测部30b以及检测部30c检测到基板W的时间点作为基准来判断基板W的搬送位置的控制装置50也包含在检测部中。即，控制装置50基于由检测部30a、检测部30b以及检测部30c检测到基板W的时间或基板W的搬送速度来检测基板W的搬送位置。

而且，所述的第二实施方式的说明中，对于基板W，一边沿搬送方向A1予以搬送一边供给第一处理液，一边沿搬送方向A2予以搬送一边供给第二处理液，但并不限于此。例如也可在一边沿搬送方向A1与搬送方向A2予以搬送，一边将第一处理液供给两次以上之后，切换成第二处理液。同样地，也可将第二处理液供给两次以上。

而且，例示了第一处理液、第二处理液这两种进行了说明，但也可在水刀40连接三种以上的处理液供给源，以使得能够进行借助三种以上的处理液的处理。在此情况下，借助各处理液的处理既可各为一次，也可各为多次。

而且，所述的第三实施方式的说明中，旋转轴143的中心S(旋转轴)是设在相对于存储部141的开口的宽度的中央C而朝搬送方向A1的下游侧偏离的位置，但也可设在朝搬送方向A1的上游侧偏离的位置。此时，朝向搬送方向A1的上游侧喷出处理液时比起朝向搬送方向A2的上游侧喷出处理液时，狭缝宽度变窄，因此喷出压力变强。

而且，所述的第四实施方式的说明中，后端部242b是由弹性构件所形成，但也可使喷出方向引导板242整体由具有弹性的同一材料所形成，还可使前端部242a与后端部242b由不同的材料所形成。只要至少使后端部242b由弹性构件所形成，便可调整狭缝宽度。而且，若使前端部242a由具有刚性的材料(刚性比后端部242b高的材料)所形成，则可抑制狭缝宽度因所喷出的处理液的重量而改变的现象。

而且，所述的第五实施方式的说明中，是通过一个检测传感器30c6来停止处理液的供给，但也可在处理室10内设置多个检测传感器30c6。例如也可在水刀40与搬出口12之间设置检测传感器30c6。

而且，所述的第五实施方式的说明中，检测传感器30c6是对从磁铁30c5产生的磁场进行检测，但也可对检测光或载荷进行检测，还可检测摆锤构件30c1与检测传感器30c6接触而导通的情况。

以上，对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而提示，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他的各种形态来实施，可在不脱离发明主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式或其变形包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求所记载的发明及其均等的范围内。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

搬送装置，能够沿着搬送路径朝一方向以及与其逆行的反方向这两方向来搬送基板；以及

水刀，在所述基板的搬送路径的上方，长边方向沿着相对于所述搬送路径在水平面内交叉的方向设置，从狭缝状的开口朝向所述搬送路径喷出处理液，

所述水刀包括：

存储部，在所述搬送路径侧具有开口，能够存储处理液；

喷出方向引导板，以一端从所述开口突出且另一端进入所述存储部的内部的方式而设，引导所述处理液的喷出方向；以及

喷出方向变更部，使所述喷出方向引导板旋转，以变更所述处理液的喷出方向。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括：检测部，检测所述基板的搬送位置，

基于由所述检测部所检测的所述搬送位置，通过所述喷出方向变更部使所述喷出方向引导板旋转，从所述水刀朝向所述基板的搬送方向上游喷出所述处理液。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述水刀连接于多个处理液供给源，

在朝所述一方向搬送所述基板时与朝所述反方向搬送所述基板时，切换从所述水刀喷出的处理液。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，所述水刀能够变更所述狭缝状的开口的宽度。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述喷出方向变更部是所述喷出方向引导板被固定的旋转轴，

所述旋转轴设在从所述开口的宽度的中央偏离的位置。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述喷出方向引导板的、抵接于所述存储部的内部的后端部是利用弹性构件而设。

7.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，

停止所述处理液的供给时的所述基板的搬送位置是所述基板中的搬送方向下游侧的端部通过了所述水刀的正下方的位置。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，还包括：控制装置，控制所述搬送装置或所述水刀；以及

检测部，检测所述基板的有无，并将供所述控制装置掌握停止所述处理液的供给的时机的检测信号发送至所述控制装置。