TW202332785A

TW202332785A - 電子材料用銅合金以及電子部件

Info

Publication number: TW202332785A
Application number: TW112102161A
Authority: TW
Inventors: 中村祐太
Original assignee: 日商Ｊｘ金屬股份有限公司
Priority date: 2022-02-01
Filing date: 2023-01-18
Publication date: 2023-08-16
Also published as: JP7311651B1; WO2023149312A1; TWI842346B; JP2023112550A; KR20240073113A; CN118176312A

Abstract

本發明提供一種適合用於電子材料用途，並且具有0.2%降伏強度（YS）以及導電率（EC），提高了彎曲加工性且可靠性高的電子材料用銅合金，和具有該電子材料用銅合金的電子部件。該電子材料用銅合金中，Ni的量爲1.0質量%以下，含有0.5～2.5質量%的Co，以按質量比例計（Ni＋Co）/Si爲3～5的方式含有Si，餘量由銅以及不可避免的雜質組成，在軋製垂直方向上伸長且板厚减少的平面應變下的平均Taylor因子爲3.5以下，結晶粒徑爲10μm以下，軋製方向的0.2%降伏強度爲700MPa以上，軋製方向的導電率爲50%IACS。

Description

電子材料用銅合金以及電子部件

本發明涉及一種電子材料用銅合金以及電子部件。

在電連接器、開關、繼電器、引脚、端子、引線框等各種電子部件中使用的電子材料用銅合金，作爲基本特性需要兼具高強度以及高導電性。伴隨著近年的電子設備的小型化，其中裝設的基板、電連接器等也不斷輕薄化、短小化，對銅合金的特性的要求程度也逐漸提高。特別地，爲了不讓電連接器大型化，作爲銅合金，期望其具有700MPa以上的軋製平行方向上的0.2%降伏強度和50%IACS以上的導電率。另外，爲了能夠將母材加工成各種各樣的電連接器形狀，還需要銅合金有高的彎曲加工性。

作爲兼具高的強度、導電性、彎曲加工性的代表性的銅合金，已知通常被稱作科森合金的Cu－Ni－Si系合金。該銅合金，是析出硬化型的銅合金，通過使得微細的Ni－Si系金屬間化合物粒子在銅基體中析出，從而實現強度和導電性的提高。另外，爲了得到更高的導電性，還提出了將Ni的一部分或全部置換成Co的Cu－Co－Ni－Si系合金或Cu－Co－Si系合金。

專利文獻1（日本特許第5391169號）中，公開了一種通過控制結晶粒徑和析出物的尺寸，從而兼具強度、導電性和彎曲加工性的技術。具體地，公開了一種電氣電子部件用銅合金材料，其特徵在於，含有：0.2～2質量%的Co、0.05～0.5質量%的Si，還含有0.01～0.4質量%從Fe、Ni、Cr以及P所構成的群組中選擇的1種或2種以上，餘量由Cu以及不可避免的雜質構成，其結晶粒徑爲3～35μm，含有Co和Si雙方的析出物的尺寸爲5～50nm。

在專利文獻2（日本特許第6228725號）中，公開了一種通過控制以Cube取向爲代表的結晶取向的比例，從而兼具強度和彎曲加工性的技術。具體地，公開了一種Cu－Co－Si系合金，其含有0.5～3.0質量%的Co以及0.1～1.0質量%的Si，餘量由銅以及不可避免的雜質構成，進行EBSD（Electron Back－Scatter Diffraction：電子背向散射繞射）測定並對結晶取向進行分析時，Cube取向｛001｝＜100＞的面積率爲5%以上，Brass取向｛110｝＜112＞的面積率爲20%以下，Copper取向｛112｝＜111＞的面積率爲20%以下，加工硬化指數爲0.2以下，具備優良的強度、彎曲加工性。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第5391169號

專利文獻2：日本特許第6228725號

發明內容

發明要解决的技術問題

然而，近年電連接器的形狀與現有相比進一步小型化・複雜化，對於銅合金，不僅僅是單純的彎曲加工，有時也需要實施切口彎曲加工、180°密接彎曲加工、叩擊彎曲加工等更嚴格的彎曲加工。上述那樣的現有的銅合金，對於應對這些多種多樣的複雜的加工的需求，仍有改善的餘地。

即，可認爲，像專利文獻1中公開的那樣僅僅控制結晶粒徑，或者像專利文獻2中的那樣僅僅控制具有特定取向的晶粒的比例，在需要更高程度的彎曲加工性的情况下，難以充分地加工。

本發明鑒於上述技術問題點而完成，在一實施方式中，要解决的技術問題在於，在提供一種適合用於電子材料用途，並且具有0.2%降伏強度（YS）以及導電率（EC），提高了彎曲加工性，且可靠性高的電子材料用銅合金，和具有該電子材料用銅合金的電子部件。

解决技術問題的方法

本發明人經過深入研究結果發現，將根據織構組織中所存在的全部的結晶取向計算出的、作爲表示材料整體的塑性變形的容易程度的參數之平均Taylor因子控制在3.5以下，並且將結晶粒徑控制在10μm以下，能夠提高彎曲加工性，以及通過使得0.2%降伏強度爲700MPa以上、導電率爲50%IACS以上，可得到強度、導電率、彎曲加工性均優良的電子材料用銅合金。本發明基於上述知識而完成，在下文中進行示例。

［1］

一種電子材料用銅合金，其中，Ni的量爲1.0質量%以下，含有0.5～2.5質量%的Co，以按質量比例計（Ni＋Co）/Si爲3～5的方式含有Si，餘量由銅以及不可避免的雜質組成，在沿軋製垂直方向伸長且板厚减少的平面應變下的平均Taylor因子爲3.5以下，結晶粒徑爲10μm以下，軋製方向的0.2%降伏強度爲700MPa以上，軋製方向的導電率爲50%IACS。

［2］

如［1］所述的電子材料用銅合金，其中，進一步含有合計爲1.0質量%以下的從Ag、Cr、Mn、Sn、P、B、Zr、Ti、Mg、Al、Fe以及Zn中選擇的至少1種以上。

［3］

一種電子部件，具備如［1］或［2］所述的電子材料用銅合金。

發明的效果

根據本發明的一實施方式，能夠提供一種適合用於電子材料用途，並且具有0.2%降伏強度以及導電率，提高了彎曲加工性且可靠性高的電子材料用銅合金，和具有該電子材料用銅合金的電子部件。

具體實施方式

接著，對本發明的實施方式進行詳細說明。本發明不限於以下的實施方式，應當理解的是，在不脫離本發明的趣旨的範圍內，基於本領域技術人員的通常技術知識，能適當地進行設計的改變、改良等。

本實施方式的電子材料用銅合金（下文中，也簡稱爲銅合金），Ni的量爲1.0質量%以下，含有0.5～2.5質量%的Co，以按質量比例計（Ni＋Co）/Si爲3～5的方式含有Si，餘量由銅以及不可避免的雜質組成，在沿軋製垂直方向伸長且板厚减少的平面應變下的平均Taylor因子爲3.5以下，結晶粒徑爲10μm以下，軋製方向的0.2%降伏強度爲700MPa以上，軋製方向的導電率爲50%IACS以上。需要說明的是，“軋製垂直方向”是指，與軋製時輥表面的旋轉方向相正交的方向。

（Co、Ni的添加量）

Co、Ni以及Si，通過實施適當的熱處理從而以Co ₂Si、Ni ₂Si的形式在母相中析出，能夠不降低導電率地實現高強度化。但是，在Co濃度小於0.5質量%的情况下，析出硬化不充分，即使添加其他的成分也無法得到所需的強度。另外，在Co濃度大於2.5質量%的情况下，或者在Ni濃度大於1.0質量%的情况下，雖然可得到充分的強度，但是導電性、彎曲加工性、熱加工性降低。作爲Ni以及Co的濃度，優選地，Co爲0.7～2.3質量%，Ni爲0.2～0.8質量%。Co的上限可以是2.2質量%以下，也可以是2.1質量%以下，還可以是2.0質量%以下，又可以是1.9質量%以下，又可以是1.8質量%以下，又可以是1.7質量%以下。需要說明的是，Ni的量可以是0質量%。

（Si的添加量）

Si，調節到按質量比例計（Ni＋Co）/Si爲3～5。若選用上述比例，則能夠同時提高析出硬化後的強度和導電率。若上述比例大於5，則時效處理中的Co ₂Si、Ni ₂Si的析出不充分，強度降低。當上述比例小於3時，沒有以Co ₂Si、Ni ₂Si的形式析出的Si會固溶於母相中，導電率會降低。

（Ag、Cr、Mn、Sn、P、B、Zr、Ti、Mg、Al、Fe以及Zn的添加量）

Ag、Cr、Mn、Sn、Zr、Ti、Mg、Al、Fe以及Zn，以微量添加，就能夠不損失導電率地提高強度、應力鬆弛特性等産品特性。P具有脫氧效果，B具有使鑄造組織微細化的效果，Mn具有提高熱加工性的效果。添加的效果，雖然主要通過固溶至母相來發揮，但是通過在第二相粒子中含有，能夠發揮進一步的效果。

在本發明的一部分的實施方式中，雖然能以濃度合計大於1.0質量%的添加量來添加Ag、Cr、Mn、Sn、P、B、Zr、Ti、Mg、Al、Fe以及Zn，但是基於防止導電率以及彎曲特性的降低，並維持製造性的觀點，作爲本發明的優選的實施方式，銅合金，合計含有1.0質量%以下的從Ag、Cr、Mn、Sn、P、B、Zr、Ti、Mg、Al、Fe以及Zn中選擇的至少1種以上。

另外，Ag、Cr、Mn、Sn、P、B、Zr、Ti、Mg、Al、Fe以及Zn的添加量的合計，更優選爲0.7質量%以下，進一步優選爲0.5質量%以下。但是，在Ag、Cr、Mn、Sn、P、B、Zr、Ti、Mg、Al、Fe以及Zn的合計小於0.01質量%的情况下存在其效果較小的傾向，因此Ag、Cr、Mn、Sn、P、B、Zr、Ti、Mg、Al、Fe以及Zn的添加量，優選合計爲0.01質量%以上。另外，0.05質量%以上更優選，0.1質量%以上進一步優選。

需要說明的是，在本實施方式中，作爲上述之外的成分的餘量，由Cu以及不可避免的雜質構成。這裏，不可避免的雜質的意思是指，在製造步驟中，不可避免地混入材料中的雜質元素。作爲該不可避免的雜質的濃度，例如能夠爲0.10質量%以下，優選爲0.05質量%以下。

（平均Taylor因子）

Taylor因子是表示考慮了多晶體的多個滑移系的塑性變形的容易程度的指標，是由應力方向和結晶取向分布决定的值。將多晶體的屈服應力記做σ _y，將結晶的臨界分切應力記做τ _CRSS時，Taylor因子M表示爲σ _y＝M・τ _CRSS。該Taylor因子越小，爲了使滑移變形發生所需要的降伏應力越小，能夠容易地塑性變形。本發明人發現，通過將Bad way方向（在軋製平行方向上具有彎曲的中心軸的彎曲方向）的彎曲加工，當做是以軋製垂直方向爲主應變方向的平面應變變形，並且將計算出的Taylor因子的值控制在規定的範圍內，能夠得到具有優選的彎曲加工性的材料。在本發明中，平均Taylor因子的測定方法如下所示。

使用將軋製面表面在磷酸67%＋硫酸10%的溶液中，對表面進行10μm電解拋光後的試料，進行EBSD（Electron Back Scatter Diffraction：電子背向散射繞射）測定。將試料的軋製面法線方向（ND方向）相對於入射電子束傾斜70°，選用加速電壓：15.0kV，照射電流量：1.5×10-8A，工作距離：15mm，以1μm的步長對500μm×500μm的區域進行測量。作爲測定裝置，使用日本電子株式會社製造的JSM－IT500HR。作爲解析軟件使用TSLSolution公司製造的OIM Analysis 8，並對表示沿軋製垂直方向伸長且板厚减少這樣的變形狀態的應變張量進行設定，算出測定視野內的Taylor因子的平均值。

在本發明中，爲了得到優選的彎曲加工性，需要將在沿軋製垂直方向伸長且板厚减少的平面應變下的平均Taylor因子控制在3.5以下。基於進一步提高彎曲加工性的觀點，在沿軋製垂直方向伸長且板厚减少的平面應變下的平均Taylor因子，優選爲3.45以下，更優選爲3.4以下，還更優選爲3.35以下，進一步優選爲3.3以下，更進一步優選爲3.25以下。

（結晶粒徑）

通過减小結晶粒徑，能夠得到具備優選的彎曲加工性的材料。在本發明中，爲了得到優選的彎曲加工性，需要將結晶粒徑控制在10μm以下。基於進一步提高彎曲加工性的觀點，結晶粒徑，優選爲9.5μm以下，更優選爲9.0μm以下，還更優選爲8.5μm以下，進一步優選爲8.0μm以下，更進一步優選爲7.5μm以下。

平均結晶粒徑，使用通過上文所述的軋製面的EBSD測定得到的數據，使用解析軟件的Intercept Lengths（切片長度）模式計算出。具體地，計算出軋製平行方向和軋製垂直方向各自的平均切片長度，並將兩者的平均值用作平均結晶粒徑。需要說明的是，此時將取向差15°以上的粒界當做是結晶晶界，從結晶晶界中排除Σ3對應粒界。

（0.2%降伏強度）

爲了滿足電連接器等規定的電子材料所需要的特性，軋製平行方向的0.2%降伏強度爲700MPa以上，更優選爲710MPa以上，還更優選爲720MPa以上，進一步優選爲730MPa以上，更進一步優選爲740MPa以上，又進一步優選爲750MPa以上。0.2%降伏強度的上限值，沒有特別限定，但是爲了得到50%IACS以上的導電率，典型地爲850MPa以下。

0.2%降伏強度，能夠以拉伸方向平行於軋製方向的方式製作JIS13B號試驗片，遵照JIS Z 2241（2011），通過拉伸試驗機與軋製方向平行地進行拉伸試驗，由此進行測定。

（導電率）

軋製方向的導電率爲50%IACS（International Annealed Copper Standard）以上。由此，能夠有效地用作電子材料。導電率，能夠以長度方向平行於軋製方向的方式採取試驗片，遵照JIS H 0505（1975），通過4端子法進行測定。軋製方向的導電率，優選爲51%IACS以上，更優選爲52%IACS以上，還更優選爲53%IACS以上，進一步優選爲54%IACS以上，更進一步優選爲55%IACS以上。

（製造方法）

對本發明的Cu－Co－Ni－Si系合金的優選的製造方法的示例的每個步驟進行說明。

上述那樣的Cu－Co－Ni－Si系合金，能夠通過依次進行製造鑄錠的步驟、均質化退火步驟、熱軋制步驟、第1中間冷軋制步驟、中間退火步驟、第2中間冷軋制步驟、固溶化處理步驟、時效處理步驟、最終冷軋制步驟，由此製造。需要說明的是，軋製後，能夠根據需要進行表面切削。

＜鑄錠製造＞

熔解鑄造通常在大氣熔解爐中進行，也能夠在真空中或者惰性氣體氣氛中進行。熔解電銅之後，根據Co，Ni，Si等各試料的組分添加原料，在攪拌後保溫一定時間，得到所需的組分的熔液。然後，將該熔液調節到1250℃以上之後，鑄造成鑄錠。除了Co、Ni、Si以外，能夠以總量爲1.0質量%以下的方式添加從Ag、Cr、Mn、Sn、P、B、Zr、Ti、Mg、Al、Fe以及Zn中選擇的至少1種以上。

＜均質化退火・熱軋制＞

在鑄造時的凝固過程中，粗大的結晶物，會在其冷卻過程中生成粗大的析出物。通過在以合適的溫度和時間進行均質化退火之後進行熱軋制，可使這些第二相粒子再次固溶於母相。在均質化退火溫度過高的情况下，存在材料熔解的可能性，因此是不優選的。具體地，均質化退火溫度優選爲950～1025℃，均質化退火時間優選爲1～24小時。熱軋制結束後的冷卻過程中盡可能地加快冷卻速度，有利於抑制第二相粒子的析出。

＜第1中間冷軋制＞

對熱軋制步驟後的銅合金材料進行第1中間冷軋制。這裏，第1中間冷軋制的加工度能夠是30～98%。加工度是指，將軋製前後的材料的板厚分別記做h ₁、h ₂時，由（h ₁－h ₂）/h ₁×100%計算出的量。

＜中間退火・第2中間冷軋制＞

通過中間退火，合金中的第二相粒子會以一定量析出，通過第2中間冷軋制，施加了成爲之後的再結晶的驅動力的應變。使得第二相粒子的析出狀態和應變量變化，在之後的固溶化處理中形成的再結晶織構組織也會變化。通過對中間退火溫度在500～1000℃的範圍內，並且對第2中間冷軋制在50～99%的範圍內進行適當調節，能夠控制平均Taylor因子以及控制結晶粒徑，能夠形成有利於彎曲加工的再結晶織構組織。

＜固溶化處理＞

接著，進行固溶化處理。固溶化處理的目的，是再結晶織構組織的形成以及添加元素的固溶。當固溶化處理溫度過低時，難以得到所需的再結晶織構組織，另外由於添加元素的固溶量减少，因此無法得到充分的時效硬化量且産品強度降低。另外，當固溶化處理溫度過高時，晶粒會粗大化且産品的強度會降低。因此，優選將固溶化處理溫度設爲850～1000℃，將保溫時間設爲5～300秒。

＜時效處理＞

接著，進行時效處理。通過進行時效處理，合適大小的析出物會均勻地分布，且可得到所需的強度以及導電率。時效處理溫度，當最高到達溫度低於400℃時導電率會降低，當最高到達溫度高於550℃時強度會降低，因此最高到達溫度優選設爲400～550℃。另外，時效處理的合計時間優選爲1～24小時。時效處理，爲了抑制氧化膜的産生，優選在Ar、N ₂、H ₂等惰性氣氛下進行。

＜最終冷軋制＞

通過在時效處理後接著進行最終冷軋制，能夠在合金中引入位移並實現強度提高。雖然軋製加工度越高越可得到高強度的材料，但是在軋製加工度過高的情况下存在彎曲加工性受損的傾向。因此，爲了得到強度與彎曲加工性的良好的平衡，軋製加工度能夠爲10～50%，優選爲20～40%。

需要說明的是，在上述步驟之間，能夠適當地進行用於除去表面的酸化皮膜的磨削、研磨、噴丸酸洗等步驟。

本發明的Cu－Co－Ni－Si系合金，能夠加工成各種各樣的伸銅品，例如加工成板、條、管、棒以及線，進一步，該Cu－Co－Ni－Si系合金，能夠在引線框、電連接器、引脚、端子、繼電器、開關、二次電池用箔材等電子部件等中使用。

實施例

以下，將本發明的實施例與比較例一起示出，但這些實施例是爲了更好地理解本發明及其優點而提供的，並不意圖限定發明。

將如表1所示的各成分組成（單位：質量%）的銅合金，使用高頻率熔解爐在1300℃下進行熔融製造，鑄造成厚度30mm的鑄錠。接著，對該鑄錠在980℃下進行3小時均質化退火之後，進行軋製直到厚度爲10mm爲止，並且快速地進行水冷。然後，進行第1中間冷軋制後，進行中間退火、第2中間冷軋制。在表2中示出了發明例1、比較例1的中間退火、第2中間冷軋制的條件。對於發明例2～4、比較例2～7，以平均Taylor因子以及結晶粒徑成爲規定的值的方式，基於以下的知識，對於中間退火溫度在500～1000℃，對於第2中間冷軋制加工度在50～99%的範圍內進行調節。

中間退火：

在中間退火溫度高的情况下，合金中的第二相粒子的個數密度增大，因此第二相粒子對結晶晶界的錨定效果有效地發揮，結晶粒徑减小。另一方面，有利於BW方向（Bad Way，彎曲軸相對於軋製方向平行的方向）的彎曲加工的再結晶織構組織（例如，Cube取向｛100｝＜001＞、BR取向｛236｝＜385＞）的生長受到阻礙，因此平均Taylor因子變高。在中間退火溫度低的情况下，合金中的第二相粒子的數量密度减小，因此第二相粒子對結晶晶界的錨定效果不充分，結晶粒徑變大。另一方面，由於有利於BW方向的彎曲加工的再結晶織構組織發達，因此平均Taylor因子變低。

第2中間冷軋制：

在第2中間冷軋制加工度低的情况下，沒有充分地賦予加工應變，因此再結晶晶核的生成頻度减少，結晶粒徑變大。在第2中間冷軋制加工度高的情况下，有利於BW方向的彎曲加工的再結晶織構組織的生長受到阻礙，平均Taylor因子變高。

之後，以950℃×160秒的條件進行固溶化處理，將最高到達溫度設爲520℃進行合計24小時的時效處理。接著，在時效處理後，進行軋製加工度25%的最終冷軋制，製作厚度爲0.2mm的試料。

〔表1〕

〔表2〕

對於如此得到的各個試驗片，進行以下的特性評價。評級結果在表1中示出。

（平均Taylor因子）

對於各發明例以及比較例的銅合金試料，將軋製面表面在磷酸67%＋硫酸10%的溶液中，進行10μm電解拋光後，進行EBSD（Electron Back Scatter Diffraction：電子背向散射繞射）測定。將試料的軋製面法線方向（ND方向）相對於入射電子束傾斜70°，選用加速電壓：15.0kV，照射電流量：1.5×10 ^-8A，工作距離：15mm，以1μm的步長對500μm×500μm的區域進行測量。作爲測定裝置，使用日本電子株式會社製造的JSM－IT500HR。作爲解析軟件使用TSLSolution公司製造的OIM Analysis 8，並設定表示沿軋製垂直方向伸長且板厚减少這樣的變形狀態的應變張量，算出測定視野內的Taylor因子的平均值。

（結晶粒徑）

使用通過上文所述的軋製面的EBSD測定得到的數據，使用解析軟件的Intercept Lengths（切片長度）模式計算出平均結晶粒徑。具體地，分別計算出軋製平行方向和軋製垂直方向的平均切片長度，並將兩者的平均值用作平均結晶粒徑。需要說明的是，此時將取向差15°以上的粒界當做是結晶晶界，從結晶晶界中排除Σ3對應粒界。

（0.2%降伏強度）

0.2%降伏強度，能夠以拉伸方向平行於軋製方向的方式製作JIS13B號試驗片，對於各試驗片，基於JIS Z 2241（2011）進行軋製平行方向上的拉伸試驗，測定0.2%降伏強度（YS：MPa）。

（導電率）

對於導電率（EC：%IACS），以長度方向與軋製方向平行的方式採取試驗片，遵照JIS H 0505（1975），通過4端子法進行測定。

（彎曲加工性）

按照JIS H 3130（2018）對於BW方向（Bad Way，彎曲軸相對於軋製方向平行的方向）進行W彎曲試驗，求出沒有發生破裂的最小彎曲半徑（MBR，單位：mm），並測定與板厚（t，單位：mm）之比（MBR/t）。MBR/t的數值越小，越能承受更小的彎曲半徑，因此是優選的。MBR/t爲0，表示即使彎曲半徑爲0mm，也沒有産生破裂。

如表1所示，各發明例中的任一者，由於進行規定的條件的中間退火、第2中間冷軋制，因而在沿軋製垂直方向伸長且板厚减少的平面應變下的平均Taylor因子爲3.5以下，結晶粒徑爲10μm以下，軋製方向的0.2%降伏強度爲700MPa以上，軋製方向的導電率爲50%IACS。

比較例2～4、7，平均Taylor因子大於3.5，彎曲加工性降低。

比較例1、5～7，所得到的銅合金的結晶粒徑大於10μm，彎曲加工性降低。

如此，根據本發明，可得到一種適合用於電子材料用途，並且具有0.2%降伏強度、導電率，提高了彎曲加工性且可靠性高的電子材料用銅合金。

産業上的利用可能性

根據本發明，能夠提供一種適合用於電子材料用途，並且具有0.2%降伏強度以及導電率，提高了彎曲加工性且可靠性高的電子材料用銅合金，以及具有該電子材料用銅合金的電子部件。

以上所述僅為本發明較佳可行實施例而已，舉凡應用本發明說明書及申請專利範圍所爲之等效變化，理應包含在本發明之專利範圍內。

無

無。

Claims

一種電子材料用銅合金，其中，Ni的量爲1.0質量%以下，含有0.5～2.5質量%的Co，以按質量比例計（Ni＋Co）/Si爲3～5的方式含有Si，餘量由銅以及不可避免的雜質組成，在沿軋製垂直方向伸長且板厚减少的平面應變下的平均Taylor因子爲3.5以下，結晶粒徑爲10μm以下，軋製方向的0.2%降伏強度爲700MPa以上，軋製方向的導電率爲50%IACS。
如請求項1所述之電子材料用銅合金，其中，進一步含有合計爲1.0質量%以下的從Ag、Cr、Mn、Sn、P、B、Zr、Ti、Mg、Al、Fe以及Zn中選擇的至少1種以上。
一種電子部件，具備如請求項1或2所述的電子材料用銅合金。