TW202331816A - 具有由金屬棒形成的隔間屏蔽的半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體裝置，其具有一基板及設置於該基板上方之第一電性組件及第二電性組件。一第一金屬棒在該第一電性組件與該第二電性組件之間設置於該基板上方。藉由將一遮罩設置於一載體上方來形成該第一金屬棒。在該遮罩中形成一開口，且在該遮罩上方濺鍍一金屬層。移除該遮罩以在該開口內留下該金屬層作為該第一金屬棒。該第一金屬棒可儲存於一捲帶中。

Description

具有由金屬棒形成的隔間屏蔽的半導體裝置及其製造方法
本發明大體上關於半導體裝置，且更特定言之，關於具有由金屬棒形成之隔間屏蔽的半導體裝置及其製造方法。
半導體裝置通常見於現代電子產品。半導體裝置執行廣泛範圍之功能，諸如信號處理、高速計算、傳輸及接收電磁信號、控制電子裝置、將日光變換成電及產生電視顯示器之視覺影像。半導體裝置見於通信、功率轉換、網路、電腦、娛樂及消費產品領域。半導體裝置亦見於軍事應用、航空、汽車、工業控制器及辦公設備。
通常使用兩個複雜製造製程來製造半導體裝置：前段製造及後段製造。前段製造涉及在半導體晶圓之表面上形成複數個晶粒。晶圓上之各晶粒含有主動及被動電性組件，其電連接以形成功能性電路。諸如電晶體及二極體之主動電性組件具有控制電流之流動的能力。諸如電容器、電感器及電阻器之被動電性組件在執行電路功能所必需之電壓與電流之間建立關係。
後段製造指將成品晶圓切割或單體化成個別半導體晶粒且封裝半導體晶粒以用於結構支撐、電互連及環境隔離。為了使半導體晶粒單體化，沿著晶圓之非功能性區域刻劃及打破晶圓，該等非功能性區域稱作鋸切道或劃線。使用雷射切割工具或鋸片來使晶圓單體化。在單體化之後，將個別半導體晶粒安裝至封裝基板，其包括接腳或接觸襯墊以用於與其他系統組件互連。接著將形成於半導體晶粒上方之接觸襯墊連接至封裝內之接觸襯墊。可與導電層、凸塊、柱形凸塊、導電膏、接合線或其他適合之互連結構進行電連接。將密封體或其他模製化合物沈積於封裝上方以提供實體支撐及電隔離。接著將成品封裝插入至電氣系統中，且使半導體裝置之功能性可用於其他系統組件。
圖1a展示具有基底基板材料102之半導體晶圓100，該基底基板材料諸如矽、鍺、磷化鋁、砷化鋁、砷化鎵、氮化鎵、磷化銦、碳化矽或其他塊狀半導體材料。複數個半導體晶粒或組件104形成於藉由如上文所描述之非主動晶粒間晶圓區域或鋸切道106分離之晶圓100上。鋸切道106提供切割區域以將半導體晶圓100單體化成個別半導體晶粒104。在一個具體實例中，半導體晶圓100具有100至450毫米（mm）之寬度或直徑。
圖1b展示半導體晶圓100之一部分的橫截面圖。各半導體晶粒104具有背或非主動表面108及主動表面110，其含有實施為主動裝置、被動裝置、導電層及介電層之類比或數位電路，該等主動裝置、被動裝置、導電層及介電層形成於晶粒內或上方且根據晶粒之電氣設計及功能而電互連。舉例而言，電路可包括形成於主動表面110內之一或多個電晶體、二極體及其他電路元件以實施類比電路或數位電路，諸如數位信號處理器（digital signal processor；DSP）、ASIC、MEMS、記憶體或其他信號處理電路。半導體晶粒104亦可含有諸如電感器、電容器及電阻器之積體被動裝置（integrated passive device；IPD）以進行RF信號處理。半導體晶圓100之後表面108可藉由機械研磨或蝕刻製程進行視情況選用之背磨操作以移除基底材料102之一部分且減小半導體晶圓100及半導體晶粒104之厚度。
導電層112使用PVD、CVD、電解電鍍、無電極電鍍製程或其他合適之金屬沈積製程形成於主動表面110上方。導電層112包括鋁（Al）、銅（Cu）、錫（Sn）、鎳（Ni）、金（Au）、銀（Ag）或其他合適之導電材料之一或多個層。導電層112作為電連接至主動表面110上之電路的接觸襯墊操作。
導電層112可形成為與半導體晶粒104之邊緣相距第一距離而並列設置之接觸襯墊，如圖1b中所展示。替代地，導電層112可形成為接觸襯墊，該等接觸襯墊在多個列中偏移以使得第一列接觸襯墊設置成距晶粒之邊緣第一距離，且第二列接觸襯墊與第一列交替設置成距晶粒之邊緣第二距離。導電層112表示形成於具有用於後續電互連至較大系統之接觸襯墊的半導體晶粒104上方之最後導電層。然而，可存在形成於主動表面110上之實際半導體裝置與接觸襯墊112之間的一或多個中間導電層及絕緣層以用於信號路由。
使用蒸鍍、電解電鍍、無電極電鍍、落球或網版列印製程將導電凸塊材料沈積於導電層112上方。凸塊材料可為Al、Sn、Ni、Au、Ag、鉛（Pb）、鉍（Bi）、Cu、焊料及其組合，其具有視情況選用之焊劑溶液。舉例而言，凸塊材料可為共晶Sn/Pb、高鉛焊料或不含鉛焊料。使用合適附接或接合製程將凸塊材料接合至導電層112。可藉由將材料加熱至其熔點以上來回焊凸塊材料以形成導電球或凸塊114。在一個具體實例中，導電凸塊114形成於具有潤濕層、障壁層及黏著層之凸塊下金屬化物（under-bump metallization；UBM）上方。導電凸塊114亦可壓縮接合或熱壓縮接合至導電層112。導電凸塊114表示可形成於導電層112上方以用於電連接至基板之一種類型的互連結構。互連結構亦可使用接合線、導電膏、柱形凸塊、微型凸塊、導電柱或其他電互連件。
在圖1c中，使用鋸片或雷射切割工具118經由鋸切道106將半導體晶圓100單體化成個別半導體晶粒104。可檢測及電測試個別半導體晶粒104以用於KGD後單體化之識別。
半導體裝置常常易受可能干擾其操作之電磁干擾（electromagnetic interference；EMI）、射頻干擾（radio frequency interference；RFI）、諧波失真或其他裝置間干擾（諸如電容式、電感式或電導式耦合，亦稱為串擾）影響。高速類比電路，例如射頻（radio frequency；RF）濾波器，或數位電路亦產生干擾。屏蔽層通常形成為使封裝內之電子部件免受EMI及其他干擾之影響。
干擾亦可在裝置內部。半導體封裝將通常具有隔間屏蔽以將一或多個組件與封裝內之其他組件屏蔽。圖2a展示可經形成以分隔封裝之蓋或罩120之範例。罩120具有四個連接之側面以圍繞四邊半導體晶粒104完全且連續地延伸。
圖2b展示可將罩120添加至封裝124，作為製造製程之部分。罩120坐落於基板126上且圍繞半導體晶粒104a。半導體晶粒104a因罩120之導電材料而免受由半導體晶粒104b產生之EMI的影響，且反之亦然。罩120可經由基板126耦接至接地以改良屏蔽。在圖2c及圖2d中將密封體130沈積於封裝124上方以完成封裝。圖2c展示橫截面圖，同時圖2d展示俯視平面圖。
罩120對屏蔽起良好作用，且亦呈現顯著問題。罩120經安裝，作為表面安裝製程之部分，但除用於安裝其他組件之機器以外，需要額外機器來安裝該罩。額外機器降低生產率且增加成本。此外，必須針對需要罩之各不同情形（例如，通常，不同大小之晶粒或不同組件）設計及製造不同罩120。因此，存在對經改良之隔間屏蔽製造製程及裝置的需要。
本發明之態樣為一種製造半導體裝置之方法，其包含：提供基板；將第一電性組件設置於該基板上方；將第二電性組件設置於該基板上方；及在該第一電性組件與該第二電性組件之間將第一金屬棒設置於該基板上方。
本發明之另一態樣為一種製造半導體裝置之方法，其包含：提供電性組件；及鄰近於該電性組件設置第一金屬棒。
本發明之另一態樣為一種半導體裝置，其包含：電性組件；及第一金屬棒，其被設置鄰近於該電性組件。
在以下描述中參考圖式於一或多個具體實例中描述本發明，在圖式中，相同編號表示相同或類似元件。儘管本發明係依據用於達成本發明目標之最佳模式來描述，但所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解，其意欲涵蓋如可包括於如由所附申請專利範圍及如由以下揭示內容及附圖支援之其等效物所界定的本發明之精神及範圍內的替代方案、修改及等效物。如本文中所使用之術語「半導體晶粒」係指詞之單數形式及複數形式兩者，且因此，可指單個半導體裝置及多個半導體裝置兩者。
以下揭示內容教示由使用垂直面安裝技術（normal surface mount technology；SMT）製程置放之個別金屬棒形成隔間屏蔽，而非如在先前技術中使用預成型罩進行隔間屏蔽。圖3a至圖3h說明形成金屬棒以用於隔間屏蔽之製程。金屬棒之形成在圖3a及圖3b中開始於基底膜、基板或載體200及形成於載體上方之遮罩層202。圖3a展示俯視圖且圖3b展示同一製程步驟之橫截面圖。遮罩202可為設置於載體200上方之黏著帶，或作為液體噴塗或以其他方式塗覆至載體200上且接著固化之絕緣或光阻層。
在圖3c及圖3d中，開口210形成於遮罩202中。圖3c展示俯視圖且圖3d展示同一製程步驟之橫截面圖。開口210將界定所形成之金屬棒的大小及形狀。開口210可視所形成之金屬棒需要而具有任何合適之長度及寬度。若開口完全填充有金屬，則開口210之覆蓋面積界定金屬棒之長度及寬度，同時遮罩202之厚度界定金屬棒之高度。使用雷射切割工具212燒掉遮罩202之需要開口的部分來形成開口210。在其他具體實例中，使用光微影製程來形成開口210。開口210完全延伸穿過遮罩202以曝露遮罩下方之載體200。根據載體200之大小及所使用之設備的能力而定，可形成任何數目及大小之開口210。
在圖3e及圖3f中，導電層220形成於載體200及遮罩202上方，包括延伸至開口210中及完全填充該開口。圖3e展示俯視橫截面圖且圖3f展示同一製程步驟之自側面看的橫截面圖。使用任何合適之金屬沈積技術，例如化學氣相沈積、物理氣相沈積、其他濺鍍法、噴塗或電鍍來形成導電層220。箭頭222指示自上而下發生至載體200及遮罩202上之金屬濺鍍。濺鍍材料可為銅、鋼、鋁、金、鈦、其組合或任何其他合適之導電材料。在一些實施例中，導電層220可藉由濺鍍於不同材料之多個層，例如不鏽鋼-銅-不鏽鋼或鈦-銅上而製得。
在圖3g及圖3h中，遮罩202連同導電層220之形成於遮罩上之部分一起被移除。圖3g展示俯視圖且圖3h展示同一製程步驟之橫截面圖。藉由溶解遮罩之化學溶劑來移除遮罩202。在其他具體實例中，藉由剝離或其他合適方式來移除遮罩202。移除遮罩202在載體200上留下呈與所形成之開口210實質上相同的大小及形狀的金屬棒230。在一些具體實例中，導電層220經濺鍍以具有實質上平坦之頂部表面，使得剩餘棒230具有實質上均勻之厚度與所要高度。在其他具體實例中，在移除遮罩202之前或之後背磨導電層220以產生具有均勻厚度之棒230。金屬棒230未必需要具有所有平坦表面。與具有約200 μm之最小壁厚度的習知金屬沈積技術相比，藉由濺鍍形成金屬棒230允許形成較小棒。濺鍍允許棒230形成有80 μm或更小之厚度。
圖4a至圖4d說明將金屬棒230裝填至捲帶中。圖4a及圖4b說明分離棒230以使取放操作更容易之視情況選用之初始步驟。在圖4a中，將具有棒230之載體200切割成多個條帶240。在圖4b中，視情況將載體200進一步切割成個別單元242。使用鋸片、雷射或其他適當之切割工具來切割載體200。條帶240或單元242使用膨脹台或其他合適之方式彼此分散開，以使得棒230更容易抓握取放設備。
圖4c展示自條帶240抓走棒230之取放噴嘴250。噴嘴250附接至真空軟管且經由噴嘴之底部中的開口抽吸空氣。當噴嘴250接近棒230時，藉由自環境至噴嘴內之氣壓差將棒附接至噴嘴。儘管噴嘴250固持棒230，但噴嘴可移動及旋轉棒以根據需要來置放棒。
圖4d展示經移動以將棒230置放至捲帶儲存器260中之噴嘴250。捲帶儲存器260包括具有複數個凹穴264之承載帶262。各凹穴264經設計以容納單一棒230。覆蓋帶置放於承載帶262上方以將棒230保持於凹穴264中，且接著將承載帶纏繞於盤266周圍。一旦用帶262纏繞至所要數目個單位後，便可將盤266運送至消費者以用於製造半導體封裝。將棒230設置至捲帶儲存器260上是根據情況而選用的。在其他具體實例中，半導體封裝之同一製造商製備棒230且接著將棒230自條帶240直接設置至正在製造之半導體封裝。
圖5a至圖5h說明使用棒230形成隔間屏蔽，作為半導體封裝270之部分。圖5a展示封裝270之平面圖，其中半導體晶粒104a及104b安裝於基板272上。半導體晶粒104a及104b僅為例示性組件以彼此屏蔽。代替半導體晶粒104中之一者或除半導體晶粒104中之一者以外，基板272上之組件可包括離散主動及被動組件或任何其他電性組件。舉例而言，半導體晶粒104a可能需要與由表面安裝被動組件形成之RF濾波器屏蔽。
圖5b展示在半導體晶粒104a與104b之間設置於基板272上方之棒230a的橫截面圖。噴嘴250可與如圖4c中所展示之噴嘴相同或不同。噴嘴250用於自條帶240或捲帶儲存器260拾取個別棒230且將其移動至封裝基板272上方之所要位置中。噴嘴250可經程式化以在將棒230置放至基板272上之前將該棒浸入至焊錫膏中。替代地，可在置放棒230之前將焊錫膏列印至基板272上。焊錫膏稍後經回焊以將棒230機械式附接至基板272。在其他具體實例中，在棒230與基板272之間使用其他附接機制。圖5c展示置放於平面圖中之棒230a。
在圖5d中，使用噴嘴250拾取第二棒230b且將其置放於半導體晶粒104a之與棒230a相對的側面上。圖5e展示置放於平面圖中之棒230a及230b。圖5f展示置放之第三棒230c。除在x、y及z方向上移動以外，亦可旋轉噴嘴250。圖5f展示已使用噴嘴250將棒230c轉動90度。棒230c置放於半導體晶粒104a之垂直側上的棒230a與230b之間。
圖5g展示四個棒230a至230d置放成在所有四個側面上圍繞半導體晶粒104a之平面圖。按任何合適次序置放棒230a至230d。在一個具體實例中，以順時針或逆時針方式（例如，按棒230d、230b、230c及最後230a之次序）置放棒230，而非首先將棒置放於彼此相對之側面上。
在圖5h中，將密封體280沈積於封裝270上方。必要時，密封體280視情況經背磨以曝露棒230。在一些實施例中，在沈積密封體280之後，封裝270形成為面板且接著單體化成圖5h中所展示之個別單元。屏蔽層可形成於密封體280上方。屏蔽層可濺鍍於封裝270上方以接觸棒230之頂部表面，且視情況沿封裝之側面向下延伸以接觸包括形成於基板內之導電層的基板272之側面。
棒230a至230d圍繞半導體晶粒104a且具有與先前技術中所使用之罩類似的效果。然而，棒230更易於使用且允許可改變之可撓性佈局而不必製造不同棒。藉由將金屬濺鍍或噴塗至遮罩開口210中來形成金屬棒230使得能夠形成小於200 μm之棒230，此在先前技術中不可行。使用傳統取放設備來置放棒230，例如，亦用於將半導體晶粒104及其他離散電性組件置放至基板272上之同一噴嘴250，且因此可用於較便宜且較簡單之生產線中。
圖6a及圖6b說明替代性金屬棒具體實例。圖6a展示形成有較小棒290之封裝270a。棒290具有與棒230相同之厚度及高度，但具有較短長度。較短長度之棒290允許在較廣泛各種情形下使用單一長度之棒且使壁形狀更多樣。舉例而言，圖6a中之半導體晶粒104a之頂側及底側上具有三個棒290允許該等棒之長度比單一棒230更接近地對應於半導體晶粒之長度。使用具有較短長度之棒290將允許經分隔路徑符合較緊密之轉動或彎曲。
在圖6b中，較短棒290與較長棒230組合使用以形成半導體封裝270b。可使用棒230及棒290之任何合適組合在封裝270內產生各種隔間。視特定封裝或屏蔽形狀之所需可撓性的需要，可以任何合適之長度、寬度及高度形成金屬棒。在圖6b中，較短棒290用於在半導體晶粒104a與104b之間形成將封裝270拆分成兩個區域的隔間壁292。壁294自壁292沿著半導體晶粒104a之側面延伸。兩個較長棒230將在壁292與封裝270之側面之間不適配，因此利用較短棒290與較長棒230之組合提供較完整屏蔽。隔間296藉由壁292及294與半導體晶粒104a及104b兩者完全分離，且可包括安裝至基板272上之額外主動或被動組件。
圖7a及圖7b說明將上述半導體封裝，例如封裝270併入至電子裝置340中。圖7a說明作為電子裝置340之部分安裝至印刷電路板（printed circuit board；PCB）或另一基板342上的封裝270之部分橫截面。凸塊346在製造期間以與凸塊112形成於晶粒104上類似之製程形成於基板262之底部上，且接著回焊至PCB 342之導電層344上以將封裝270實體附接且電連接至PCB。在其他具體實例中，使用熱壓縮或其他合適之附接及連接方法。在一些具體實例中，在封裝270與PCB 342之間使用黏著劑或底部填充層。半導體晶粒104經由基板262電耦接至導電層344。
圖7b說明包括PCB 342之電子裝置340，其中複數個半導體封裝（包括封裝270）安裝於PCB之表面上。取決於應用，電子裝置340可具有一種類型之半導體封裝或多種類型之半導體封裝。電子裝置340可為使用半導體封裝執行一或多個電氣功能之獨立系統。替代地，電子裝置340可為較大系統之子組件。舉例而言，電子裝置340可為平板電腦、蜂巢式電話、數位攝影機、通信系統或其他電子裝置之部分。電子裝置340亦可為圖形卡、網路介面卡或插入至電腦中之另一信號處理卡。半導體封裝可包括微處理器、記憶體、ASIC、邏輯電路、類比電路、RF電路、離散主動或被動裝置或其他半導體晶粒或電性組件。
在圖7b中，PCB 342提供通用基板以用於安裝於PCB上之半導體封裝的結構支撐及電互連。使用蒸鍍、電解電鍍、無電極電鍍、網版印刷或其他合適之金屬沈積製程在PCB 342之表面上方或層內形成導電信號跡線344。信號跡線344提供半導體封裝、經安裝組件及其他外部系統或組件之間的電通信。視需要，跡線344亦提供至半導體封裝之電力連接及接地連接。
在一些具體實例中，半導體裝置具有兩個封裝層級。第一層級封裝係用於將半導體晶粒機械及電附接至中間基板之技術。第二層級封裝涉及將中間基板機械及電附接至PCB 342。在其他具體實例中，半導體裝置僅可具有第一層級封裝，其中晶粒以機械方式及以電氣方式直接安裝至PCB 342。
出於說明之目的，包括接合線封裝346及倒裝晶片348之若干類型的第一層級封裝展示於PCB 342上。另外，包括球狀柵格陣列（ball grid array；BGA）350、凸塊晶片載體（bump chip carrier；BCC）352、平台柵格陣列（land grid array；LGA）356、多晶片模組（multi-chip module；MCM）358、四邊扁平無引腳封裝（quad flat non-leaded；QFN）360、四邊扁平封裝362及嵌入式晶圓級球狀柵格陣列（embedded wafer level ball grid array；eWLB）366之若干類型的第二層級封裝經展示為連同封裝270一起安裝於PCB 342上。導電跡線344將設置於PCB 342上之各種封裝及組件電耦接至封裝270，從而使封裝270內之組件用於PCB上之其他組件。
根據系統要求而定，經配置以具有第一及第二層級封裝式樣以及其他電子組件之任何組合的半導體封裝之任何組合可連接至PCB 342。在一些具體實例中，電子裝置340包括單一附接之半導體封裝，而其他具體實例需要多個互連之封裝。藉由在單一基板上方組合一或多個半導體封裝，製造商可將預製組件併入至電子裝置及系統中。由於半導體封裝包括複雜功能性，因此可使用較不昂貴組件及流線型的製造製程來製造電子裝置。所得裝置不大可能失效且製造較不昂貴，從而為消費者帶來較低成本。
儘管已詳細說明本發明之一或多個具體實例，但所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解，可在不脫離如以下申請專利範圍中所闡述之本發明之範圍的情況下對彼等具體實例作出修改及調適。
100:半導體晶圓 102:基底基板材料 104:半導體晶粒 104a:半導體晶粒 104b:半導體晶粒 106:鋸切道 108:背表面 110:主動表面 112:導電層/接觸襯墊 114:導電球/凸塊 118:鋸片/雷射切割工具 120:蓋/罩 124:封裝 126:基板 130:密封體 200:載體 202:遮罩層/遮罩 210:開口 212:雷射切割工具 220:導電層 222:箭頭 230:金屬棒 230a:棒 230b:第二棒 230c:第三棒 230d:棒 240:條帶 242:單元 250:取放噴嘴 260:捲帶儲存器 262:承載帶 264:凹穴 266:盤 270:半導體封裝 270a:封裝 270b:半導體封裝 272:基板 280:密封體 290:棒 292:隔間壁 294:壁 296:隔間 340:電子裝置 342:PCB/基板 344:導電層/導電信號跡線 346:接合線封裝 346:凸塊 348:倒裝晶片 350:球狀柵格陣列 352:凸塊晶片載體 356:平台柵格陣列 358:多晶片模組 360:四邊扁平無引腳封裝 362:四邊扁平封裝 366:嵌入式晶圓級球狀柵格陣列 x:方向 y:方向 z:方向
[圖1a]至[圖1c]說明具有藉由鋸切道分離之複數個半導體晶粒的半導體晶圓； [圖2a]至[圖2d]說明使用屏蔽罩進行隔間屏蔽； [圖3a]至[圖3h]說明形成用於屏蔽用途之金屬棒； [圖4a]至[圖4d]說明將金屬棒裝填至捲帶中； [圖5a]至[圖5h]說明使用金屬棒來形成隔間屏蔽； [圖6a]及[圖6b]說明其他具體實例；且 [圖7a]及[圖7b]說明將屏蔽式半導體封裝整合至電子裝置中。
104a:半導體晶粒
104b:半導體晶粒
230a:棒
250:取放噴嘴
270:半導體封裝
272:基板

Claims (15)

  1. 一種製造半導體裝置之方法，其包含： 提供基板； 將第一電性組件設置於該基板上方； 將第二電性組件設置於該基板上方；及 在該第一電性組件與該第二電性組件之間將第一金屬棒設置於該基板上方。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括藉由以下操作來形成該第一金屬棒： 提供載體； 將遮罩設置於該載體上方； 在該遮罩中形成一開口； 在該遮罩上方濺鍍金屬層；及 移除該遮罩以在該載體上留下該金屬棒。
  3. 如請求項2之方法，其進一步包括使用取放製程或裝置將該第一金屬棒自該載體移動至捲帶儲存器。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包括將第二金屬棒設置於該基板上方，其中該第一電性組件位於該第一金屬棒與該第二金屬棒之間。
  5. 如請求項4之方法，其進一步包括將第三金屬棒及第四金屬棒設置於該基板上方，其中該第一電性組件位於該第三金屬棒與該第四金屬棒之間。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包括將第二金屬棒設置於該基板上方，其中該第二金屬棒之長度不同於該第一金屬棒之長度。
  7. 一種製造半導體裝置之方法，其包含： 提供電性組件；及 鄰近於該電性組件設置第一金屬棒。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包括設置第二金屬棒、第三金屬棒及第四金屬棒鄰近於該電性組件，其中該第一金屬棒、該第二金屬棒、該第三金屬棒及該第四金屬棒之組合實質上圍繞該電性組件。
  9. 如請求項7之方法，其進一步包括在設置該第一金屬棒鄰近於該電性組件之前，從捲帶儲存器移除該第一金屬棒。
  10. 如請求項7之方法，其進一步包括使用取放噴嘴來設置該第一金屬棒。
  11. 一種半導體裝置，其包含： 電性組件；及 第一金屬棒，其被設置鄰近於該電性組件。
  12. 如請求項11之半導體裝置，其進一步包括第二金屬棒，其被設置鄰近於該電性組件於基板上方之。
  13. 如請求項12之半導體裝置，其中該第二金屬棒之長度不同於該第一金屬棒之長度。
  14. 如請求項12之半導體裝置，其進一步包括設置於該基板上方之第三金屬棒及第四金屬棒，其中該第一金屬棒、該第二金屬棒、該第三金屬棒及該第四金屬棒之組合實質上圍繞該電性組件。
  15. 如請求項11之半導體裝置，其進一步包括沈積於該基板、該電性組件及該第一金屬棒上方之密封體。
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