TW202327714A - 包括氣體冷卻裝置的氣體處理設備 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種包括一氣體冷卻裝置的氣體處理設備。根據本發明之一實施例，提供一種用於處理氣體之設備1，其包括：一流動通道100，其提供一廢氣流動通過之一通道；一熱分解單元200，其用於熱分解流動通過流動通道100之該廢氣；一淬滅劑300，其用於將通過熱分解單元200之該廢氣冷卻至一預定溫度；及一冷卻室500，其與流動通道100連通使得通過淬滅劑300之該廢氣被引入冷卻室500中，冷卻室500容納用於在其內冷卻之一固體材料。本發明可藉由允許該廢氣經歷使用一固體材料進行冷卻之一冷卻程序來防止一出口導管中出現露冷凝以實現該廢氣之降低相對濕度之一有利效應以導致用於操作一氣體處理設備之效率增加及一半導體製造程序之效率之改良。
Description
本發明係關於一種包括氣體冷卻裝置的氣體處理設備。
通常，在各種行業中之一製造程序(諸如一半導體製造程序、用於製造一顯示器(諸如LCD及OLED等)之一程序及太陽能電池製造程序)期間，產生包含VOC (揮發性有機化合物)、PFC (全氟化合物)及其他物質)之一廢氣。特定言之，在半導體製造程序期間，在一半導體蝕刻程序中產生大量廢氣。
同時，在半導體或顯示器製造程序期間產生之廢氣包含促進全球暖化之氣體，其不易分解且引起全球暖化及環境污染。例如，PFC係溫室效應之主要原因之一者且不易分解，且因此，在排放至大氣中之前，其等需要透過一氣體處理設備進行處理。
先前技術中已知之一氣體處理設備使用高溫中之電漿或火焰對廢氣進行熱分解以處理廢氣，且此經熱分解之廢氣經歷一特定冷卻程序以透過與大氣連通之一出口導管排放。另外，氣體處理設備包含用於減小冷卻廢氣與出口導管之間的一溫差之一熱交換器，以防止出口導管中出現露冷凝。
然而，當氣體處理設備之一氣體冷卻裝置用於半導體製造程序中時，在半導體製造程序期間亦產生一粉末。此粉末堵塞形成於熱交換器中之一通道，藉此阻擋通道中之廢氣之流動。因此，氣體處理設備執行用於清潔熱交換器之一額外程序使得熱交換器之通道可暢通而引起一半導體製造程序中之效率降低。
此外，使用電漿及火焰來熱分解廢氣之氣體處理設備引起酸性氣體之產生，且此所產生之酸性氣體腐蝕熱交換器。熱交換器可經塗佈以避免此腐蝕。然而，熱交換器之熱轉移速率歸因於塗佈而降低，且最終，廢氣之冷卻效率降低。
因此，需要一種包括一氣體冷卻裝置之改良氣體處理設備，其能夠防止出口導管中出現露冷凝及/或腐蝕、改良一半導體製造程序之效率且增強處理廢氣之效率。
已根據上述背景提出本發明之一實施例且提供一種包括一氣體冷卻裝置的氣體處理設備，其能夠減小經歷一冷卻程序之該廢氣與該出口導管之間的一溫差以防止該出口導管中出現露冷凝。
此外，本發明之一實施例提供一種包括一氣體冷卻裝置的氣體處理設備，其能夠防止該廢氣透過其排放之該出口導管之腐蝕且防止該管道被堵塞。
此外，本發明之一實施例提供一種包括一氣體冷卻裝置的氣體處理設備，對於該設備，不需要考量與粉末相關聯之一熱交換器之一額外清潔程序或耐腐蝕性。
此外，本發明之一實施例提供一種包括一氣體冷卻裝置的氣體處理設備，其能夠改良處理該廢氣之效率。
根據本發明之一態樣，提供一種氣體處理設備，其包括：一流動通道，其提供一廢氣流動通過之一通道；一熱分解單元，其用於熱分解流動通過該流動通道之該廢氣；一淬滅劑，其用於將通過該熱分解單元之該廢氣冷卻至一預定溫度；及一冷卻室，其與該流動通道連通使得通過該淬滅劑之該廢氣被引入該冷卻室中，該冷卻室容納用於在其內冷卻之一固體材料。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其可進一步包括用於將用於冷卻之該固體材料供應至該冷卻室中之一供應單元，該供應單元包括：一儲存室，其儲存待供應至該冷卻室中之用於冷卻之該固體材料且包括與該冷卻室連通之至少一個連通孔；及一打開/閉合部分，其經構形以選擇性地允許容納於該儲存室中之用於冷卻之該固體材料移動至該冷卻室中。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其可進一步包括能夠將一沖洗氣體供應至該儲存室中以防止該廢氣經由該連通孔引入該儲存室中之一沖洗單元。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其可進一步包括用於控制該打開/閉合部分處於一打開位置及一閉合位置之任一者中之一控制器，在該打開位置中，該連通孔打開以允許用於冷卻之該固體材料容納於該儲存室中以通過該連通孔；在該閉合位置中時，該連通孔閉合，其中，當該打開/閉合部分位於該閉合位置中時，該控制器可控制該沖洗單元使得該沖洗氣體不供應至該儲存室中。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其中該供應單元可安置於該冷卻室上方，且該冷卻室安置於該流動通道下游。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其中，至少一個通孔可形成於該冷卻室之一下部分處，其中該通孔可與該流動通道連通且殘留於該冷卻室中之水可經由該通孔自該冷卻室排放。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其可進一步包括與該冷卻室連通之一出口使得通過該冷卻室之該廢氣引入該出口中。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其可進一步包括：一偵測單元，其用於量測該出口及流動通過該出口之該廢氣之溫度；及一控制器，若流動通過出口之該廢氣之一溫度大於該出口之一溫度且該出口及流動通過該出口之該廢氣之間的一溫差等於或大於一預定值，則該控制器用於控制該供應單元以將用於冷卻之該固體材料供應至該冷卻室中。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其可進一步包括：一偵測單元，其用於量測容納於該冷卻室中之用於冷卻之該固體材料之量；及一控制器，若由該偵測單元量測之用於冷卻之該固體材料之該量小於一預先輸入之臨限值，則該控制器用於控制該供應單元以將用於冷卻之該固體材料供應至該冷卻室中。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其可進一步包括將水容納於其中之一水箱，其中該流動通道之至少一部分可經由該水箱之內部延伸，且該淬滅劑及該冷卻室可分別安置於該水箱外部之該流動通道之一側及另一側上。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其中該水箱可在其中容納自該冷卻室排放之水，且該設備可進一步包括經構形以將容納於該水箱中之水導引至該淬滅劑之一泵。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其中該冷卻室可包括用於將該冷卻室內部與其外部絕緣之一絕緣物。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其中該廢氣透過其引入該冷卻室之該冷卻室之一部分之一溫度可在25°C至40°C之一範圍內，該冷卻室內部之一溫度可在0°C至15°C之一範圍內，且該廢氣透過其自該室排放之該冷卻室之一部分之一溫度可在15°C至25°C之一範圍內。
在另一態樣中，提供一種氣體處理設備，其中用於冷卻之該固體材料可包括冰及乾冰之一或多者。
本發明之一實施例可實現減小經歷一冷卻程序之該廢氣與該出口之間的一溫差以防止該出口中出現露冷凝之一有利效應。
此外，本發明之一實施例可實現防止該廢氣之該出口被腐蝕及/或堵塞之一有利效應。
此外，本發明之一實施例可實現消除一額外清潔程序之需要及考量與在一先前製造程序期間產生之一粉末相關聯之耐腐蝕性之需要之一有利效應。
此外，本發明之一實施例可實現改良處理該廢氣之效率之一有利效應。
此外，本發明之一實施例可實現提高用於操作一氣體處理設備之效率以改良一半導體製造程序之效率之一有利效應。
下文中，參考附圖詳細描述用於實施本發明之技術概念之具體實施例。
此外，在描述本發明時，若本技術中已知之某些特徵或功能被視為使本發明之要旨模糊，則可省略對其等之詳細描述。
應瞭解，如本文所採用，一元件「流動通過」另一元件、自另一元件「排放」、「引入」另一元件中或「連接至」另一元件之陳述可意謂元件直接流動通過另一元件、自另一元件排放、引入另一元件中或連接至另一元件或在其等之間存在一或多個中間部分。
如本文中所此採用之術語僅意欲描述本發明之具體實施例，而非限制本發明之揭示概念。除非上下文另有解釋，否則一單數表達用於涵蓋對應複數表達。
如本文所採用，術語「包括」或「包含」應指定特定特性、區域、本質、步驟、操作、元件及/或組件，但不應排除存在或添加其他特徵、區性、本質、步驟、操作、元件、組件及/或地面。
此外，如本文所採用，參考圖式中所展示之定向來描述方向片語，諸如上、下及其衍生詞且若定向改變，則可不同地表達。同時，如本文所使用之上下方向可意謂圖1至圖5中所展示之上下方向。
根據本發明之一第一實施例之包括一氣體冷卻裝置之一氣體處理設備1執行氣體處理程序，諸如冷卻及分解在各種行業中之一製造程序(例如一半導體製造程序、用於產生一顯示器(諸如一LCD或OLED)之一程序及用於一FPD (平板顯示器)或一太陽能電池之一製造程序)期間產生之一廢氣。包括一氣體冷卻裝置之氣體處理設備1之使用不受限於此，且本發明之包括一氣體冷卻裝置之氣體處理設備1可用於產生腐蝕性氣體及灰塵之各種行業中。廢氣可為(例如)酸性氣體，諸如BCl
3、Cl
2、F
2、HBr、HCl、HF或其類似者或PFC氣體，諸如CF
4、CHF
3、C
2F
6、C
3F
8、C
4F
6、C
4F
8、C
5F
8、SF
6或其類似者，其等可用於在一半導體製造程序期間蝕刻一晶圓之一表面。此外，廢氣可為在化學氣相沈積(CVD)期間用於一清潔程序中之PFC氣體，諸如NF
3、C
2F
6、C
3F
8或其類似者。此外，廢氣可包含自用於化學氣相沈積中之氣體產生之灰塵，例如被氧化之SiH
4、WF
6、PH
3、SiH
4Cl
2、TEOS氣體或其類似者。如本文所採用，可瞭解行業中所產生之廢氣意謂包含灰塵、粉末及PFC氣體之一或多者之一氣體。
下文中，參考圖式詳細描述根據本發明之第一實施例之一氣體處理設備1。
參考圖1，氣體處理設備1在一高溫下熱分解廢氣，且冷卻經熱分解之廢氣以將其排放至外部。如本文所採用，包括一氣體冷卻裝置之氣體處理設備1可簡單地指稱一氣體處理設備1。氣體處理設備1可包括一洗滌器10及一出口20。
參考圖2，洗滌器10熱分解在蝕刻或化學氣相沈積期間產生之廢氣，且經由出口20將經熱分解之廢氣排放至外部。洗滌器10可包括一流動通道100、一熱分解單元200、一淬滅劑300、一清潔單元400、一冷卻室500、一供應單元600、一沖洗單元700、一水箱800、一偵測單元900及一控制器1000。
流動通道100提供廢氣流動通過之一通道。流動通道100之一個端連接至其中實施蝕刻或化學氣相沈積之一器件。如本文所採用，可瞭解流動通道100之上游係指連接至其中實施蝕刻或化學氣相沈積之器件之流動通道100之一側。此外，另一端流動通道100連接至冷卻室500。如本文所採用，可瞭解流動通道100之下游係指連接至冷卻室500之流動通道100之另一側。流動通道100將在熱分解單元200、淬滅劑300及清潔單元中處理之廢氣導引至冷卻室500中。
同時，流動通道100可延伸使得其至少一部分經由水箱800之內部延伸。再者，流動通道100之兩端放置於水箱800之外部。在流動通道100安置於水箱800內之部分中，可形成複數個孔(圖中未展示)。例如，引入流動通道100中之水可透過複數個孔排放至水箱800。根據實施例之圖式繪示具有一U形之流動通道100之一實例，但本發明不受限於此。
此外，流動通道100可包含一熱分解區域S1、一淬滅區域S2及一清潔區域S3。
在流動通道100之若干內部區域中，熱分解區域S1被界定為其中廢氣由熱分解單元200熱分解之一區域。
在流動通道100之內部區域中，淬滅區域S2被界定為其中廢氣由淬滅劑300冷卻之一區域。另外，通過淬滅劑300之廢氣具有一第一冷卻溫度。
在流動通道100之內部區域中，清潔區域S3被界定為其中廢氣由清潔單元400清潔之一區域。此外，通過清潔區域S3之廢氣具有低於第一冷卻溫度之一第二冷卻溫度。
參考圖3，熱分解區域S1、淬滅區域S2及清潔區域S3可沿其中流動通道100延伸之方向依序形成。例如，引入流動通道100中之廢氣可依序通過熱分解區域S1、淬滅區域S2及清潔區域S3以流動至冷卻室500。
熱分解單元200對通過熱分解區域S1之廢氣實施熱分解。熱分解單元200使用高溫中之電漿或高溫中之火焰熱分解廢氣。已由熱分解單元200熱分解之廢氣朝向淬滅區域S2流動。
淬滅劑300將通過淬滅區域S2之廢氣冷卻至一特定溫度。淬滅劑300可將水噴射至淬滅區域S2中以冷卻廢氣。換言之，淬滅劑300可藉由將水噴射至熱廢氣來快速冷卻廢氣。例如，淬滅劑300可使用一噴嘴朝向廢氣噴射具有低溫及高壓之水。另外，淬滅劑300可自水箱800供應水。例如，自冷卻室500中之一固體材料融化之水可排放至水箱800，且淬滅劑300可使用容納於水箱800中之水來冷卻廢氣。已由淬滅劑300冷卻至一特定溫度之廢氣朝向清潔區域S3流動。再者，淬滅劑300可安置於放置於水箱800外部之流動通道100之部分處。
清潔單元400清潔通過清潔區域S3之廢氣且進一步冷卻廢氣。為清潔廢氣，清潔單元400可使廢氣與一清潔液體接觸使得包含於廢氣中之水溶性氣體可吸收於清潔液體中。例如，水溶性氣體可包含H
2SO
4、HF及HCl之一或多者，且清潔液體可為水及NaOH、KOH及H
2SO
4之一或多者之一混合液體。已由清潔單元400清潔之廢氣流向冷卻室500。
冷卻室500將用於冷卻之一固體材料容納於其中使得引入冷卻室500中之廢氣被冷卻。如本文所採用，用於冷卻之固體材料被描述為冰，但不受限於此。用於冷卻之固體材料可為低溫下之任何固體材料，諸如能夠冷卻廢氣之冰、乾冰或其類似者。此外，冰可以一通常已知形狀(例如球體、立方體、切片或多面體)提供。冷卻室500可包括用於將其內部與其外部絕緣之一絕緣物。換言之，冷卻室500可經由絕緣物與外部絕緣，以防止容納於其中之冰融化。冰可自供應單元600供應至冷卻室500。
冷卻室500可與流動通道100連通使得將廢氣引入冷卻室500中。冷卻室500可在流動通道100之一上側上連接至流動通道100，且安置於流動通道100之下游。換言之，流動通道100可在冷卻室500之一下側上連接至冷卻室500。同時，冷卻室500及淬滅劑300可分別安置於流動通道100之相對側上。例如，冷卻室500及淬滅劑300可分別安置於放置於水箱800外部之流動通道100之不同端上。冷卻室500之下部可形成至少一個通孔510。
通孔510可與流動通道100連通，且形成於冷卻室500上使得殘留於冷卻室500中之水貫穿其間自冷卻室500排放。例如，通過流動通道100之廢氣可經由通孔510引入冷卻室500中。另外，當容納於冷卻室500中之冰融化時，自冰融化之水可經由通口510引入流動通道100中。
同時，冷卻室500可經構形使得廢氣在低於或等於60°C之一流入溫度下引入冷卻室500中且廢氣在低於流入溫度之一流出溫度下自冷卻室500排放。例如，冷卻室500可經構形使得廢氣透過其自清潔單元400引入冷卻室500中之冷卻室500之一部分之一溫度在25°C至40°C之一範圍內，冷卻室500之內部之一溫度在0°C至15°C之一範圍內，且廢氣透過其自冷卻室500排放至出口20之冷卻室500之一部分之一溫度在15°C至25°C之一範圍內。此外，已通過冷卻室500之廢氣具有低於第二冷卻溫度之一第三冷卻溫度。
參考圖4及圖5，供應單元600產生冰且將所產生之冰供應至冷卻室500中。供應單元600可安置於冷卻室500之一上側上。此外，供應單元600之操作可由控制器1000控制。如本文所採用，供應單元600可係指用於冷卻之固體材料之一供應單元600。供應單元600可與冷卻室500組合形成一氣體冷卻裝置(500，600)。供應單元600可包括一固體材料產生部分610、一儲存室620及一打開/閉合部分630。
參考圖7，固體材料產生部分610藉由與一製冷劑進行熱交換來產生冰。例如，固體材料產生部分610可為一氣冷式或水冷式制冰機且可包含一壓縮機611、一冷凝器612、一膨脹閥613及一熱交換器614。此外，固體材料產生部分610可利用使壓縮機611、冷凝器612、膨脹閥613及熱交換器614循環之一製冷劑來產生冰。固體材料產生部分610可自外部供應水以產生冰。再者，在固體材料產生部分610中產生之冰可轉移至儲存室620。
儲存室620預儲存待供應至冷卻室500之冰。換言之，一旦產生冰，儲存室620即在冰轉移至冷卻室500之前暫時儲存冰。此外，儲存室620可經形成具有容納於儲存室620中之冰通過其之至少一個連通孔621。如本文所採用，儲存室620可係指用於冷卻之固體材料之一儲存室。連通孔621可由打開/閉合部分630選擇性地打開及閉合。
打開/閉合部分630經構形以選擇性地允許容納於儲存室620中之冰移動至冷卻室500中。打開/閉合部分630經構形以處於一閉合位置及一打開位置之任一者中。如本文所採用，閉合位置意謂打開/閉合部分630閉合連通孔621使得容納於儲存室620中之冰無法通過連通孔621之位置(參閱圖4)。此外，如本文所採用，打開位置意謂打開/閉合部分630打開連通孔621以允許容納於儲存室620中之冰通過連通孔621之位置(參閱圖5)。
沖洗單元700防止廢氣經由連通孔621引入儲存室620中。沖洗單元700可將一沖洗氣體供應至儲存室620以防止廢氣流入儲存室620中。例如，沖洗氣體可包含氮氣(N
2)、氬氣(Ar)及氖氣(Ne)之一或多者。
水箱800將自流動通道100排放之水容納於其中。例如，來自冷卻室500中之融化冰之水可經由流動通道100自冷卻室500排放至水箱800中。另外，由淬滅劑300及清潔單元400引入流動通道100中之水可經由流動通道100排放至水箱800中。
同時，洗滌器10可進一步包括用於將容納於水箱800中之水導引至淬滅劑300之一泵810。儲存於水箱800內之水可經由泵810轉移至淬滅劑300。
偵測單元900量測容納於冷卻室500中之冰之量。例如，偵測單元900可量測容納於冷卻室500中冰之一體積、高度、重量等之一或多者。由偵測單元900量測之冰之此量可傳輸至控制器1000，例如，偵測單元900可量測出口20及流動通過出口20之廢氣之溫度。即，偵測單元900可量測流動通過出口20之廢氣之一溫度及出口20之一溫度之各者。由偵測單元900量測之此等溫度值可傳輸至控制器1000。同時，偵測單元900可包括(例如)一測力計、距離量測感測器、體積計及溫度感測器之一或多者。
控制器1000控制熱分解單元200、淬滅劑300、清潔單元400、供應單元600及沖洗單元700。控制器1000可由包括一微處理器、量測器件(諸如一感測器或其類似者)及記憶體之一操作器件實施，且由於對熟習技術者而言係顯而易見，因此在本文中省略對其之一實施方法之詳細描述。
控制器1000可基於容納於冷卻室500中之冰之量來控制供應單元600之操作。例如，若容納於冷卻室500內之冰之量小於一預先輸入之臨限值，則控制器1000可控制固體材料生產部分610以生產冰。此外，若容納於冷卻室500中之冰之量小於一預定臨限值，則控制器1000可控制打開/閉合部分630處於打開位置中。控制器1000可自偵測單元900接收容納於冷卻室500中之冰之量。
再者，控制器1000可基於出口20與流動通過出口20之廢氣之間的一溫差來控制供應單元600。例如，若流動通過出口20之廢氣之溫度高於出口之溫度且其間之溫差等於或大於一預定值，則控制器1000可控制供應單元600以產生冰。另外，若流動通過出口20之廢氣之溫度高於出口之溫度且其間之溫差等於或大於一預定值，則控制器1000可控制打開/閉合部分630處於打開位置中。控制器1000可自偵測單元900接收出口20及流動通過出口20之廢氣之各自溫度。
同時，控制器1000控制沖洗單元700以將沖洗氣體供應至儲存室620中。例如，控制器1000可致動沖洗單元70以防止廢氣引入儲存室620中。例如，當打開/閉合部分630處於閉合位置中時，控制器1000可停止沖洗單元700之致動使得沖洗氣體不供應至儲存室。
在下文中，參考圖3、圖6及圖7描述根據本發明之第一實施例之氣體處理設備1之操作及效應。
氣體處理設備1對在一工業程序期間產生之廢氣實施熱分解。此外，氣體處理設備1將經熱分解之廢氣冷卻至一特定溫度且接著將其排放至外部。氣體處理設備1使用高溫中之電漿或高溫中之火焰對通過熱分解區域S1之廢氣進行熱分解(參閱圖3中之①)。在此階段，通過熱分解區域S1之廢氣之溫度較高，且係具有低相對濕度之一乾燥氣體(參閱圖6中之①)。
之後，氣體處理設備1使用冷卻至一特定溫度之一氣體將通過淬滅區域S2之廢氣冷卻至第一冷卻溫度。此外，氣體處理設備1將水噴射至清潔區域S3中以清潔通過清潔區域S3之廢氣(參閱圖3中之②)，且將廢氣冷卻至第二冷卻溫度。在此階段，通過清潔區域S3之廢氣之溫度較高，且係一過飽和氣體(參閱圖6中之②)。
同時，氣體處理設備1使用冰將通過冷卻室500之廢氣冷卻(參閱圖3中之③)至第三冷卻溫度。在此階段，通過冷卻室500之廢氣之溫度較低，且係一過飽和氣體(參閱圖6中之③)。因此，在冷卻室500中發生露冷凝，且通過冷卻室500之廢氣被冷凝。即，露冷凝發生在冷卻室500內，而非出口20中。
已通過冷卻室500之廢氣透過出口20排放至外部(參閱圖3中之④)。在此階段，經由出口20排放至外部之廢氣之溫度較低，且係具有低相對濕度之一乾燥氣體(參閱圖6中之④)。
在根據本發明之第一實施例之氣體處理設備1中，已通過清潔單元400之廢氣400不直接流動至出口20，而經由冷卻室500流動至出口20。
當廢氣在冷卻室500中冷卻時，已通過冷卻室500之廢氣之溫度與出口20之溫度之間的差小於已通過清潔單元400之廢氣與出口20之間的差。即，冷卻室500而非出口20中冷凝之廢氣導致防止出口20被腐蝕之效應。此外，亦可防止歸因於出口20中之露冷凝而在出口20中產生之冷凝水與出口20處之粉末絮凝化而發生之出口20之堵塞。
另外，根據本發明之第一實施例之氣體處理設備1包含冷卻室500而非一熱交換器。因此，當設計設備時，不必須考量一熱交換器及/或一耐腐蝕熱交換器之一清潔程序。
因此，氣體處理設備1實現改良廢氣之處理效率之效應。
同時，根據本發明之一第二實施例，氣體處理設備1可進一步包括一電除塵器1100及一氣液分離單元1200。下文中，參考圖8，描述本發明之第二實施例。第二實施例主要專注於與前述實施例之不同之處進行描述，且相同元件及元件符號可參考前述實施例之描述。
電除塵器1100移除包含於已在清潔單元400中清潔之廢氣中之粉末及灰塵。例如，電除塵器110可誘發電暈放電且使廢氣中之粉末及灰塵起電以捕獲其等。
氣液分離單元1200防止自冷卻室500排放之水引入電除塵器1100中。此外，氣液分離單元1200在其中容納自冷卻室500排放之水，同時允許流向冷卻室500之廢氣通過。氣液分離單元1200可包括一或多個儲液器1210及一或更多個分離器1220。
儲液器1210將自冷卻室500排放之水容納於其中。可提供複數個儲液器1210且儲液器1210可在垂直於該上下方向之一方向上彼此隔開安置。
分離器1220將自冷卻室500排放之水導引至儲液器1210。再者，分離器1220防止自冷卻室500排放之水引入電除塵器1100中。分離器1220可定位於儲液器1210之上部。
所揭示之實施例在所有方面被視為係說明性之而非限制性，且應被解釋為具有根據本文所揭示之技術概念之最廣泛範疇。上述實施例可以各種形式體現。此外，可在不背離隨附申請專利範圍之範疇及其要旨之情況下省略、替換或以各種形式改變上述實施例，且顯然，所揭示之實施例之此等各種修改及替代方案應落入本發明之範疇內。
1:氣體處理設備
10:洗滌器
20:出口
100:流動通道
200:熱分解單元
300:淬滅劑
400:清潔單元
500:冷卻室
510:通孔
600:供應單元
610:固體材料產生部分
620:儲存室
621:連通孔
630:打開/閉合部分
700:沖洗單元
800:水箱
900:偵測單元
1000:控制器
1100:電除塵器
1200:氣液分離單元
1210:儲液器
1220:分離器
S1:熱分解區域
S2:淬滅區域
S3:清潔區域
本發明之目的及特徵將自結合附圖給出之實施例之以下描述變得明顯，其中：
圖1係展示根據本發明之一第一實施例之一氣體處理設備之一示意性構形之一立體圖。
圖2係表示圖1中所展示之氣體處理設備之一正視圖。
圖3展示圖2中所展示之氣體處理設備中之一廢氣之一流動路徑。
圖4係表示圖1中所展示之氣體處理設備之一氣體冷卻裝置之一示意性構形之一立體圖。
圖5展示移動至一打開位置中之如圖4中所展示之一打開/閉合部分。
圖6係展示流動通過圖3中所展示之路徑之一廢氣之溫度及濕度之一圖表。
圖7展示根據本發明之第一實施例之氣體處理設備之一方塊圖。
圖8係展示示意性地繪示根據本發明之一第二實施例之一氣體處理設備之一示意性構形之一正視圖。
1:氣體處理設備
10:洗滌器
20:出口
100:流動通道
200:熱分解單元
300:淬滅劑
400:清潔單元
500:冷卻室
600:供應單元
610:固體材料產生部分
700:沖洗單元
800:水箱
900:偵測單元
1000:控制器
S1:熱分解區域
S2:淬滅區域
S3:清潔區域
Claims (14)
- 一種氣體處理設備，其包括： 一流動通道，其提供一廢氣流動通過之一通道； 一熱分解單元，其用於熱分解流動通過該流動通道之該廢氣； 一淬滅劑，其用於將通過該熱分解單元之該廢氣冷卻至一預定溫度；及 一冷卻室，其與該流動通道連通使得通過該淬滅劑之該廢氣被引入該冷卻室中，該冷卻室容納用於在其內冷卻之一固體材料。
- 如請求項1之設備，其進一步包括用於將用於冷卻之該固體材料供應至該冷卻室中之一供應單元，該供應單元包括： 一儲存室，其儲存待供應至該冷卻室中之用於冷卻之該固體材料且包括與該冷卻室連通之至少一個連通孔；及 一打開/閉合部分，其經構形以選擇性地允許容納於該儲存室中之用於冷卻之該固體材料移動至該冷卻室中。
- 如請求項2之設備，其進一步包括能夠將一沖洗氣體供應至該儲存室中以防止該廢氣經由該連通孔引入該儲存室中之一沖洗單元。
- 如請求項3之設備，其進一步包括用於控制該打開/閉合部分處於一打開位置及一閉合位置之任一位置中之一控制器，在該打開位置中，該連通孔打開以允許用於冷卻之該固體材料容納於該儲存室中以通過該連通孔；在該閉合位置中，該連通孔閉合， 其中，當該打開/閉合部分位於該閉合位置中時，該控制器控制該沖洗單元使得該沖洗氣體不供應至該儲存室中。
- 如請求項2之設備，其中該供應單元安置於該冷卻室上方，且 該冷卻室安置於該流動通道下游。
- 如請求項5之設備，其中，至少一個通孔形成於該冷卻室之一下部分處，其中該通孔與該流動通道連通且殘留於該冷卻室中之水經由該通孔自該冷卻室排放。
- 如請求項2之設備，其進一步包括與該冷卻室之一上部分連通之一出口使得通過該冷卻室之該廢氣引入該出口中。
- 如請求項7之設備，其進一步包括： 一偵測單元，其用於量測該出口及流動通過該出口之該廢氣之溫度；及 一控制器，若流動通過出口之該廢氣之一溫度大於該出口之一溫度且該出口及流動通過該出口之該廢氣之間的一溫差等於或大於一預定值，則該控制器用於控制該供應單元以將用於冷卻之該固體材料供應至該冷卻室中。
- 如請求項2之設備，其進一步包括： 一偵測單元，其用於量測容納於該冷卻室中之用於冷卻之該固體材料之量；及 一控制器，若由該偵測單元量測之用於冷卻之該固體材料之該量小於一預先輸入之臨限值，則該控制器用於控制該供應單元以將用於冷卻之該固體材料供應至該冷卻室中。
- 如請求項1之設備，其進一步包括將水容納於其中之一水箱， 其中該流動通道之至少一部分經由該水箱之內部延伸，且 該淬滅劑及該冷卻室分別安置於該水箱外部之該流動通道之一側及另一側上。
- 如請求項10之設備，其中該水箱在其中容納自該冷卻室排放之水， 該設備進一步包括經構形以將容納於該水箱中之水導引至該淬滅劑之一泵。
- 如請求項1之設備，其中該冷卻室包括用於將該冷卻室內部與其外部絕緣之一絕緣物。
- 如請求項1之設備，其中該廢氣透過其引入該冷卻室之該冷卻室之一部分之一溫度在25°C至40°C之一範圍內，該冷卻室內部之一溫度在0°C至15°C之一範圍內，且該廢氣透過其自該冷卻室排放之該冷卻室之一部分之一溫度在15°C至25°C之一範圍內。
- 如請求項1之設備，其中用於冷卻之該固體材料包括冰及乾冰之一或多者。
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