KR20100021135A - 폐가스 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폐가스 처리장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 수평으로 분리가능한 구조의 배플보드 및 충진제를 설계하여 충진제 안에 흡착된 파우더 및 부산물의 세척이 용이하며, 폐가스의 유로를 길게함으로써 폐가스의 접촉면적 및 접촉시간을 증가시켜 폐가스의 처리효율을 향상시킨 폐가스 처리장치에 관한 것이다.
본 발명의 폐가스 처리장치는 일체형의 폐가스 처리장치에 있어서, 가스 유입구로부터 유입되는 폐가스를 연소 또는 열분해시켜 파우더로 생성하는 가열챔버; 상기 가열챔버와 연결되어 상기 가열챔버를 통과한 파우더 및 폐가스의 유로에 수평으로 분리가능하도록 형성된 복수의 배플보드와 상기 배플보드 사이에 채워진 충진제를 구비한 습식챔버; 및 상기 가열챔버 및 습식챔버의 하부에 위치하여 상기 가열챔버 또는 습식챔버를 통과하면서 발생하는 파우더 또는 폐가스가 용해된 폐수를 포집하고 처리하는 드레인 탱크를 포함함에 기술적 특징이 있다.
폐가스 처리, 스크러버, 수평분리, 배플보드, 충진제, 습식

Description

폐가스 처리장치{The waste gas scrubber}
본 발명은 폐가스 처리장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 수평으로 분리가능한 구조의 배플보드 및 충진제를 설계하여 충진제 안에 흡착된 파우더 및 부산물의 세척이 용이하며, 폐가스의 유로를 길게함으로써 폐가스의 접촉면적 및 접촉시간을 증가시켜 폐가스의 처리효율을 향상시킨 폐가스 처리장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스는 산화, 식각, 증착 및 포토 공정 등 다양한 제조 공정을 거쳐서 제조된다. 이들 반도체 제조 공정에는 반응가스로 다양한 종류의 유독성 화공 약품 및 화학 가스 등이 사용되며, 반응가스들은 산화성분, 인화성분 및 유독성분 등을 갖고 있다.
따라서 반도체 제조 공정의 여러 단계에서 아르신, 포스핀, 디보란, 모노실란, 암모니아, 산화질소, 보론 트리 클로라이드 등으로 대표되는 가스상의 독성물질을 포함하는 폐가스가 발생하게 된다.
이러한 유독성 폐가스들은 독성이 강해서 공정에 이용된 후 그대로 대기중에 방출할 경우, 인체에 유해할 뿐만 아니라 환경 오염을 유발시키게 된다. 또한, 자연발화에 따른 화재가 발생할 가능성도 있다. 따라서, 이러한 폐가스는 대기중으로 방출하기에 앞서 폐가스에 포함된 독성물질들의 완벽한 제거가 반드시 이루어져야 한다.
이에 따라, 반도체 설비의 배기 라인에는 유해한 폐가스의 독성물질을 제거한 후 대기중으로 배출시키기 위한 다양한 형태의 가스 스크러버가 설치되고 있으며, 가스 스크러버는 크게 습식(wetting)방식과 건식(burning)방식으로 분류된다.
습식방식의 스크러버는 물을 이용하여 폐가스를 포집한 후, 세정 및 냉각하는 구조로써, 비교적 간단한 구성을 가지므로 제작이 용이하고 대용량화 할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 불수용성의 가스는 처리가 불가능하고, 특히 발화성이 강한 수소기를 포함하는 폐가스의 처리에는 부적절하다.
건식방식의 스크러버는 버너 속을 폐가스가 통과되도록 하여 직접 연소시키거나, 열원을 이용하여 고온의 챔버를 형성하고 그 속으로 폐가스가 통과되도록 하여 간접적으로 연소시키는 구조를 갖는다. 이러한 건식방식의 스크러버는 발화성(가연성) 가스의 처리에는 탁월한 효과가 있으나, 수용성 가스와 같이 잘 연소되지 않는 가스의 처리에는 부적절하다.
이에 따라, 습식방식과 건식방식의 스크러버를 결합한 혼합형 가스 스크러버를 사용 중에 있다.
혼합형 가스 스크러버는 먼저, 폐가스를 연소실에서 1차로 연소시켜 발화성 가스 및 폭발성 가스를 제거한 후에, 2차적으로 수조에 수용시켜 수용성의 유독성 폐가스를 물에 용해시키는 구조를 갖는다.
이러한 가스 스크러버로는 국내공개특허 제2006-66299호 "폐가스 처리 장치"가 알려져 있다.
도 1은 종래의 혼합형 가스 스크러버를 나타낸 도면이다.
이러한 폐가스 처리장치는 버너(11), 매니폴드(12) 및 버닝챔버(13)로 이루어진 건식유닛(10)과 정제/냉각유닛(21), 응축유닛(22) 및 수처리탑(23)으로 이루어지는 습식유닛(20)을 포함한다.
그리고, 서로 분리된 수직형의 건식유닛(10)과 수직형의 습식유닛(20)이 연결관으로 접속되어 있는 형태로 구성된다.
그러나, 상기와 같은 종래의 가스 스크러버는, 폐가스에 의한 장치 내 부품들의 부식이 발생하고, 버닝챔버를 통과하여 물과 접촉되는 부위에서 다량의 파우더가 발생하게 됨에 따라 잦은 정비가 요구된다는 단점이 있다. 이러한 가스 스크러버의 잦은 정비는 곧바로 배기가스를 방출하는 주공정장치의 가동중단을 유발하게 되므로 생산성 측면에서 상당히 불리하다.
또한, 물과 접촉시에 화학적인 결합에 의해 폐가스와 결합된 물분자가 대기와 접촉되는 부위에서 배기관을 부식시키는 문제점이 있어, 내부식성을 갖는 고가의 배기관을 필요로 하기 때문에 비경제적이다. 그리고, 가스 스크러버가 일체형이 아니고, 작은 면적에 설치되어야 하기 때문에 크기가 제한되어 일시에 많은 양의 폐기가스를 처리하는데 한계가 있다.
또한, 습식유닛의 충진제 속에 파우더가 부착되면서 공극을 막아 정화기능을 현저하게 떨어뜨리고, 충진제를 위에서 꺼내야 하기 때문에 탈부착이 쉽지 않아 이를 세척하는데도 어려움이 존재한다.
따라서, 종래의 가스 스크러버에서의 파우더의 증착을 방지할 필요성과 수처리 효율의 향상이 여전히 필요하다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 수평으로 분리 가능한 구조의 배플보드 및 충진제를 설치하여 손쉽게 꺼낼 수 있어, 충진제 안에 흡착된 파우더 및 불순물을 세척하는데 용이하여 편리하게 사전정비를 할 수 있는 폐가스 처리장치를 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 배플보드 및 충진제를 설치해 폐가스의 유로를 길게함으로써 폐가스의 접촉면적 및 접촉시간을 증가시켜 수용성 폐가스와 파우더의 포집능력을 향상시키는 폐가스 처리장치를 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 폐가스를 연소시켜 파우더로 형성하기 위한 연소챔버와 용매분사 노즐을 구비하여 폐가스 및 파우더를 용해 또는 포집하기 위한 습식챔버 및 드레인 탱크를 일체형으로 설계함으로써 연결배관에 축적된 파우더에 의한 막힘 현상을 방지할 수 있도록 하는 폐가스 처리장치를 제공함에 다른 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 일체형의 폐가스 처리장치에 있어서, 가스 유입구로부터 유입되는 폐가스를 연소 또는 열분해시켜 파우더로 생성하는 가열챔버; 상기 가열챔버와 연결되어 상기 가열챔버를 통과한 파우더 및 폐가스의 유로에 수평으로 분리가능하도록 형성된 복수의 배플보드와 상기 배플보드 사이에 채워진 충진제를 구비한 습식챔버; 및 상기 가열챔버 및 습식챔버의 하부에 위치하여 상기 가열챔버 또는 습식챔버를 통과하면서 발생하는 파우더 또는 폐가스가 용해된 폐수를 포집하고 처리하는 드레인 탱크를 포함하는 폐가스 처리장치에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 가열챔버, 습식챔버 및 드레인 탱크를 일체형으로 연결하고, 폐가스 유입구와 배기구를 구비한 하우징을 더 포함함이 바람직하다.
또한, 본 발명의 상기 하우징의 소재는 PVC, 백금 PVC 및 HT PVC 중 선택된 어느 하나임이 바람직하다.
또한, 본 발명의 상기 가열챔버를 통과한 폐가스에 물을 분사해 정제 및 냉각하는 제1분사노즐을 더 포함함이 바람직하다.
또한, 본 발명의 상기 습식챔버의 상부 또는 일측면에 위치해 물 또는 용매제를 분사하는 제2분사노즐을 더 포함함이 바람직하다.
또한, 본 발명의 상기 습식챔버의 말단과 연결되어 폐가스의 상대습도를 낮춰주는 외기 유입구를 구비한 건조구를 더 포함함이 바람직하다.
또한, 본 발명의 상기 배플보드는 용매제를 통과시키기 위한 다수 개의 구멍이 형성됨이 바람직하다.
또한, 본 발명의 상기 충진제는 폴리 프로필렌 또는 테프론으로 이루어짐이 바람직하다.
또한, 본 발명의 상기 습식챔버 내부에 파우더가 집중되어 뭉치지 않도록 하는 부유장치를 더 포함함이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 폐가스 처리장치는 수평으로 분리 가능한 구조의 배플보드 및 충진제를 설치함으로써, 분리가 가능하고, 손쉽게 꺼낼 수 있어 충진제 안에 흡착된 파우더 및 불순물을 세척하는데 용이하여 편리하게 사전정비를 할 수 있는 현저하고도 유리한 효과가 있다.
또한, 본 발명의 폐가스 처리장치는 배플보드 및 충진제를 설치해 폐가스의 유로를 길게함으로써 폐가스의 접촉면적 및 접촉시간을 증가시켜 수용성 폐가스와 파우더의 포집능력을 향상시켜 처리효율을 높일 수 있는 현저하고도 유리한 효과가 있다.
또한, 본 발명의 폐기가스 처리장치는 폐가스를 연소시켜 파우더로 형성하기 위한 연소챔버와 용매분사 노즐을 구비하여 폐가스 및 파우더를 용해 또는 포집하기 위한 습식챔버 및 드레인 탱크를 일체형으로 설계함으로써 연결배관에 축적된 파우더에 의한 막힘 현상을 방지하고 내부식성을 향상시킬 수 있는 현저하고도 유리한 효과가 있다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 일체형의 폐가스 처리장치를 나타낸 단면도이다.
본 발명에 따른 폐가스 처리장치는 가열챔버(100), 습식챔버(200), 건조부(300) 및 드레인 탱크(400)를 포함하는 하우징(500)으로 구성되고, 이러한 하우징(500)에 의해 모두 일체형으로 연결되어 하나의 장치를 이룬다.
본 발명의 하우징(500) 재질은 PVC, 백금 PVC 및 HT PVC 중 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다.
본 발명의 가열챔버(100)는 폐가스에 포함된 발화성(가연성) 가스성분을 제거하고, 습식챔버(200)는 폐가스에 포함된 수용성 가스성분을 제거한다.
본 발명의 가열챔버(100)는 가스유입구(110), 히터(120), 냉각라인(130), 기체채널(140) 및 격벽(150)을 포함한다.
가스유입구(110)로부터 유입되는 폐가스는 가열챔버(100)로 들어가 히터(120)로부터 발산되는 열에 의해 연소 또는 열분해된다. 본 발명의 도 2에서는 히터(120)를 막대 형태의 봉히터로 도시하였지만, 열을 가하는 수단은 이에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 어떠한 형태의 버너, 히터 및 플라즈마 중 어느 하나를 선택하여 사용해도 무방하다.
가열챔버(100)의 외측에는 냉각수가 흐르는 냉각라인(130)을 설치하여 냉각함으로써, 가열챔버(100) 내부의 높은 열이 옆의 다른 장치로 전달되는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
또한, 가열챔버(100)의 내벽과 소정의 거리만큼 이격되도록 격벽(150)을 설치하여 가열챔버(100)의 내벽과 격벽(150) 사이에 기체채널(140)을 형성한다. 기체채널(140)에 외부에서 단열공기를 주입해 단열공기가 흐르게 함으로써, 히터(120)에서 발산된 열이 가열챔버(100) 외부로 나가는 것을 막을 수 있어 단열효과를 기대할 수 있다. 그리고, 부식성 폐가스가 가열챔버(100)의 내벽에 접촉하는 것을 방지해 가열챔버 내벽이 부식되어 냉각수가 새어 들어오는 것을 예방할 수 있도록 설계하는 것이 바람직하다.
상기 격벽(150)은 스테인레스(SUS) 재질로 이루어짐이 바람직하다.
또한, 가열챔버(100)의 하부에는 순환수공급수단(160)을 설계해 외부에서 순환수를 주입해 선회류를 형성시킨다. 이를 통해, 가열챔버에서 고온의 열분해 반응을 거친 고온의 폐가스를 순환수로 급냉시켜 폐가스의 온도를 100℃ 이하로 낮춘다. 또한, 순환수는 물 보호막을 균일하게 형성해 부식을 방지하고, 파우더가 뭉치는 것을 방지한다. 따라서, 수용성 폐가스를 집중시켜 처리 효율을 증대시킬 수 있다.
열분해 가능한 가스로는 H2, SiH4, O3, TEOS[(C2H5O)4Si], TEB[B(C2H5)3], TEPO[P(OC2H5)3], TiCl4, TDMAT(Ti[N(CH3)2]4), TCE(C2HCl3), DCS(SiH2Cl2), NH3, NF3, NO, N2O, PH3, WF6, AsH3, As, VOCs 등이 있다. 또한, LPG 또는 LNG에 의해 연소 가능한 가스로는 NF3, CF4, C2F6, C3F8, CHF3, SF6, VOCs(Volatile organic compounds) 등이 있다. 이러한, 열분해 또는 연소 가능한 가연성 가스는 주로 가열챔버를 통과하면서 제거된다.
수용성 가스로는 HCl, DCS(SiH2Cl2), NH3, ClF3, SiF4, F2, HF, SiCl4, WF6, TiCl4, NH4Cl, TDMAT(Ti[N(CH3)2]4), AlCl3, Cl2, TCA(C10H4Cl6O4), BCl3, HBr, SO2, B, BF3, TEOS((C2H5O)4Si), TiF4 등이 있으며, 이러한 수용성 가스는 주로 습식챔버를 통과하면서 제거된다.
가열챔버(100)를 통과하면서 폐가스 속의 발화성 가스성분은 열에 의해 연소 또는 열분해되어 파우더가 형성된다.
본 발명의 습식챔버(200)는 소정 크기의 칸막이에 의하여 다수의 영역으로 구분되고, 제1분사노즐(210), 배플보드(220), 충진제(230) 및 제2분사노즐(240)을 포함한다.
가열챔버(100)를 거치면서 형성된 파우더 및 열에 분해되지 않은 수용성 폐가스는 가열챔버(100) 하부의 일측면에 위치한 제1분사노즐(210)을 지나면서 한번 더 정제 및 냉각과정을 거치게 된다. 이때, 파우더는 제1분사노즐(210)에서 분사된 미세한 물입자에 포집되어 정제되며, 수용성 폐가스도 상기 물입자에 용해되어 드레인 탱크(400)로 유입된다. 이 과정에서 파우더의 대부분이 제거되고, 제1분사노 즐(210)에서 분사된 물에 용해되지 않고 남은 소정의 폐가스만이 다음 단계의 처리과정을 거친다.
제1분사노즐(210)을 통과한 소정의 폐가스는 칸막이에 의해 다수 개의 영역으로 구획되어 형성된 습식챔버(200)를 거치면서 처리된다. 이때, 폐가스는 수용성 가스성분이 주를 이룬다.
습식챔버(200)는 칸막이에 의해 다수 개의 영역으로 구분되고, 각 영역의 소정의 위치에는 폐가스의 이동경로를 연장하여 처리효율을 높이는 배플보드(220) 및 충진제(230)가 설치된다.
그리고, 습식챔버(200)의 상부 또는 일측면에는 제2분사노즐(240)이 설치된다. 제2분사노즐(240)은 물 또는 용매제를 분사해 수용성 폐가스를 포집하거나 용해해 처리한다.
배플보드(220)는 서랍식 구조로 설계되어 수평으로 분리가 가능하고, 손 쉽게 빼고 넣을 수 있어 사전유지보수(preventive maintenance) 관리가 용이하다는 특징이 있다. 또한, 배플보드(220)는 폐가스의 유로를 길게 하기 위해 다중으로 설치하고, 물 또는 용매제를 통과시키기 위한 다수 개의 구멍이 형성되는 것이 바람직하다.
수평으로 분리 가능한 배플보드(220)의 내부에는 충진제(230)가 패키징되어 채워져 있다. 충진제(230)는 내부에 다수의 구멍이 형성된 다공성 물질이다. 충진제의 재질은 폴리 프로필렌 또는 테프론으로 이루어지며, 부식성 가스에 의한 부식을 방지하기 위해서는 테프론으로 이루어지는 것이 가장 바람직하다.
또한, 충진제(230)는 다면체 구조물로서 대략 수㎜ 내지 수㎝ 크기의 구형, 원통형, 사면체, 육면체, 팔면체, 이십면체 등의 형상으로 이루어질 수 있으나, 그 크기나 형태에 제한이 있는 것은 아니다.
충진제(230)의 구멍으로 수용성 폐가스와 제2분사노즐(240)에서 분사된 물 또는 용매제가 통과하게 되므로, 수용성 폐가스와 용매제의 접촉면적, 접촉시간이 증가되어 수용성 폐가스 및 파우더의 포집능력이 향상된다. 용매제와 폐가스의 접촉면적을 높여 처리 효율을 극대화시키기 위해 수백 개의 충진제(230)를 패키징하여 설치하는 것이 바람직하다.
이와 같은, 배플보드(220)와 충진제(230)의 구조로 인해, 폐가스의 유로를 연장함으로써 고유량 고효율의 수처리가 가능하게 된다.
이러한 습식가스처리 과정에서 충진제(230) 내부의 공간에 파우더 및 기타 부유물질이 흡착되어 오염이 되며, 구멍이 막혀 가스 처리 효율이 떨어지게 되므로 주기적인 세척이 필요하게 된다. 이 경우, 종래에는 장비를 분해한 후 충진제를 위에서 꺼내서 세척을 하므로 세척을 하는데 있어서 용이하지 않았으나, 본 발명에서는 배플보드(220)를 수평으로 분리가 가능하게 설계함으로써, 꺼내고 넣는 것을 장비를 분해하지 않고도 손쉽게 할 수 있어 세척을 하는데 있어서 더 편리하다는 장점이 있다.
본 발명의 습식챔버(200)는 도 2에 도시한 것과 같이 복수 개의 영역을 직렬형이 아닌 병렬형으로 배치하여 장비의 부피를 늘리지 않고서도 폐가스의 유로를 길게 할 수 있다.
또한, 부식방지를 위해 습식챔버(200)의 내벽은 테프론으로 코팅하는 것이 바람직하다.
또한, 습식챔버(200) 내부 벽에 파우더가 집중되어 뭉치치 않도록 부유장치를 더 설치할 수 있다.
상기에서 설명한 바와 같이 가스유입구(110)를 통해 유입된 폐가스는 가열챔버(100), 습식챔버(200)를 통과하면서 정제처리과정을 거치게 되므로 폐가스의 대부분이 제거되고, 정제처리된 폐가스 중 극소량만이 배기구로 빠져나간다.
이때, 배기구로 빠져나가는 폐가스는 제1분사노즐(210) 또는 제2분사노즐(240)에서 분사된 물 또는 용매제에 의해 습도가 높은 상태이다. 이러한 습도가 높은 폐가스는 배기구의 주변에서 응결되어 수분이 형성되고, 이 수분은 배기구를 부식시킨다.
이러한 현상을 막기 위하여 배기구 앞에 외기를 유입할 수 있는 외기 유입구(310)를 형성하고, 이를 통해 건조한 바깥 공기를 유입시켜 상대습도를 낮춰준다. 이런 과정은 본 발명의 건조부(300)에서 일어난다.
즉, 본 발명의 건조부(300)는 습식챔버를 통과한 가스에 외부 공기를 공급하여 수분 응축을 방지함으로써 부식성 폐가스에 의한 배기 덕트나 배관의 부식을 방지한다.
또한, 배기압력이 강하될 경우를 대비하여 안전 설정 제한치를 감지하여 자동적으로 클로징이 가능한 액츄에이터(actuator)밸브(미도시)를 장착하여 만일의 위험에 대비하도록 한다.
본 발명의 드레인 탱크(400)는 가열챔버(100) 및 습식챔버(200)의 하부에 위치하며 폐기가스가 이들 장치를 통과하면서 발생하는 폐수 및 파우더를 포집하고 드레인하는 역할을 한다. 이를 위해, 드레인 펌프(410) 및 순환 펌프(420)를 포함하는 것이 바람직하다.
드레인 탱크(400)는 스테인레스 스틸 재질로 제작될 수 있으며, 부식 방지를 위해 탱크의 내벽을 테프론으로 코팅하는 것이 바람직하다.
본 발명의 폐가스 처리장치는 반도체 FAB환경에 맞추어 장비 사이즈를 축소하고 공간 활용율을 높이기 위해 장비를 구성하는 유닛을 단순화할 수도 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
도 1은 종래의 혼합형 가스 스크러버를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 일체형의 폐가스 처리장치를 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 가열챔버 200 : 습식챔버
210 : 제1분사노즐 220 : 배플보드
230 : 충진제 240 : 제1분사노즐
300 : 배기구 310 : 외기 유입구
400 : 드레인 탱크

Claims (9)

  1. 일체형의 폐가스 처리장치에 있어서,
    가스 유입구로부터 유입되는 폐가스를 연소 또는 열분해시켜 파우더로 생성하는 가열챔버;
    상기 가열챔버와 연결되어 상기 가열챔버를 통과한 파우더 및 폐가스의 유로에 수평으로 분리가능하도록 형성된 복수의 배플보드와 상기 배플보드 사이에 채워진 충진제를 구비한 습식챔버; 및
    상기 가열챔버 및 습식챔버의 하부에 위치하여 상기 가열챔버 또는 습식챔버를 통과하면서 발생하는 파우더 또는 폐가스가 용해된 폐수를 포집하고 처리하는 드레인 탱크
    를 포함하는 폐가스 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 가열챔버, 습식챔버 및 드레인 탱크를 일체형으로 연결하고, 폐가스 유입구와 배기구를 구비한 하우징을 더 포함하는 폐가스 처리장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 하우징의 소재는 PVC, 백금 PVC 및 HT PVC 중 선택된 어느 하나인 폐가스 처리장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 가열챔버를 통과한 폐가스에 물을 분사해 정제 및 냉각하는 제1분사노즐을 더 포함하는 폐가스 처리장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 습식챔버의 상부 또는 일측면에 위치해 물 또는 용매제를 분사하는 제2분사노즐을 더 포함하는 폐가스 처리장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 습식챔버의 말단과 연결되어 폐가스의 상대습도를 낮춰주는 외기 유입구를 구비한 건조구를 더 포함하는 폐가스 처리장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 배플보드는 용매제를 통과시키기 위한 다수 개의 구멍이 형성되는 폐가스 처리장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 충진제는 폴리 프로필렌 또는 테프론으로 이루어지는 폐가스 처리장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 습식챔버 내부에 파우더가 집중되어 뭉치지 않도록 하는 부유장치를 더 포함하는 폐가스 처리장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102023950B1 (ko) * 2018-10-23 2019-09-23 엠에이티플러스 주식회사 폐가스 처리 장치
KR102203404B1 (ko) * 2019-08-14 2021-01-15 권명오 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치
KR20220136738A (ko) 2021-04-01 2022-10-11 주식회사 제이앤미 습식세정유닛의 수분 또는 분진 제거장치
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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006150281A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Kanken Techno Co Ltd 半導体製造装置の排ガス除害装置
KR100717730B1 (ko) * 2005-07-07 2007-05-11 주식회사 엠아이 다중 폐가스 처리장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102023950B1 (ko) * 2018-10-23 2019-09-23 엠에이티플러스 주식회사 폐가스 처리 장치
KR102203404B1 (ko) * 2019-08-14 2021-01-15 권명오 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치
KR20220136738A (ko) 2021-04-01 2022-10-11 주식회사 제이앤미 습식세정유닛의 수분 또는 분진 제거장치
EP4104940A1 (en) 2021-06-16 2022-12-21 Jong Min Park Rotative screw cylinder powder scrapping apparatus for gas processing facility
US11759832B2 (en) 2021-06-16 2023-09-19 Global Standard Technology Co., Ltd Powder removing apparatus using screw cylinder for gas processing facility

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