CN117957046A - 包括气体冷却装置的用于处理气体的设施 - Google Patents
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Abstract
提供一种包括气体冷却装置的用于处理气体的设施。根据本发明的一实施例，提供一种用于处理气体的设施1，其包括：流动通道100，流动通道100提供废气流过的通路；热分解单元200，用于热分解流过流动通道100的废气；冷却器300，用于将通过热分解单元200的废气冷却至预先确定的温度；以及冷却室500，其与流动通道100连通，使得通过冷却器300的废气被引入到冷却室500中，冷却室500在其内容纳用于冷却的固体材料。本发明可以通过允许废气使用用于冷却的固体材料经历冷却过程以防止在出口导管中发生结露来实现减小废气的相对湿度的有利效果，从而导致提高操作气体处理设施的效率并提高半导体制造工艺的效率。
Description
技术领域
本公开内容涉及一种包括气体冷却装置的用于处理气体的设施。
背景技术
通常，在各种行业中的制造工艺(诸如半导体制造工艺、用于制造如LCD和OLED等等显示器的工艺、以及太阳能电池制造工艺)期间，产生包括VOC(挥发性有机化合物)、PFC(全氟化合物)和其他物质的废气。特别地，在半导体制造工艺期间在半导体蚀刻过程中产生大量废气。
同时，在半导体或显示器制造工艺期间产生的废气包括促进全球变暖的气体，其不容易被分解，并且导致全球变暖和环境污染。例如，PFC是温室效应的主要原因之一，并且不容易被分解，并且因此，其需要在排出到大气之前通过气体处理设施加以处理。
在现有技术中已知的气体处理设施使用高温等离子体或火焰热分解废气来处理废气，并且这种经热分解的废气经历一定冷却过程，以便通过与大气连通的出口导管排出。另外，该气体处理设施包括热交换器，用于减小经冷却的废气与出口导管之间的温度差，以便防止在出口导管中发生结露。
然而，当在半导体制造工艺中使用气体处理设施的气体冷却装置时，在半导体制造工艺期间还产生粉末。此粉末堵塞形成在热交换器中的通路，从而阻挡废气在该通路中的流动。因此，该气体处理设施实施用于清洁热交换器的额外过程，使得可以疏通热交换器的通路，从而导致半导体制造工艺的效率降低。
此外，使用离子体和火焰来热分解废气的气体处理设施导致产生酸性气体，并且这种所产生的酸性气体腐蚀热交换器。可以对热交换器进行涂覆以避免这种腐蚀。然而，热交换器的传热速率因涂层而降低，并且最终，废气的冷却效率降低。
因此，需要一种包括气体冷却装置的经改进的气体处理设施，其能够防止在出口导管中发生结露和/或腐蚀，提高半导体制造工艺的效率，并且增强废气处理效率。
发明内容
已经鉴于如上所述的背景技术提出本发明的一实施例，并且所述实施例提供一种包括气体冷却装置的用于处理气体的设施，其能够减小经历冷却过程的废气与出口导管之间的温度差，以便防止在出口导管中发生结露。
进一步，本发明的一实施例提供一种包括气体冷却装置的用于处理气体的设施，其能够防止通过其排出废气的出口导管的腐蚀，并且防止所述导管被堵塞。
进一步，本发明的一实施例提供一种包括气体冷却装置的用于处理气体的设施，针对所述设施，不需要考虑与粉末相关联的热交换器的额外清洁过程或耐腐蚀性。
进一步，本发明的一实施例提供一种包括气体冷却装置的用于处理气体的设施，其能够提高废气处理效率。
根据本发明的一方面，提供一种用于处理气体的设施，其包括：流动通道，所述流动通道提供废气流过的通路；热分解单元，所述热分解单元用于热分解流过所述流动通道的所述废气；冷却器(quencher)，所述冷却器用于将通过所述热分解单元的所述废气冷却至预先确定的温度；以及冷却室，所述冷却室与所述流动通道连通，使得通过所述冷却器的所述废气被引入到所述冷却室中，所述冷却室在其内容纳用于冷却的固体材料。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其可以进一步包括用于将用于冷却的固体材料供应到所述冷却室中的供应单元，所述供应单元包括：存储隔室，所述存储隔室存储待供应到所述冷却室中的用于冷却的固体材料，并且包括与所述冷却室连通的至少一个连通孔；以及打开/关闭部分，所述打开/关闭部分被配置成选择性地允许所述存储隔室中容纳的用于冷却的固体材料移动到所述冷却室中。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其可以进一步包括吹扫单元，所述吹扫单元能够将吹扫气体供应到所述存储隔室中，以防止所述废气经由所述连通孔引入到所述存储隔室中。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其可以进一步包括控制器，用于控制所述打开/关闭部分处于打开位置和关闭位置中的任一者中，在所述打开位置中，所述连通孔打开以允许所述存储隔室中容纳的用于冷却的固体材料通过所述连通孔；在所述关闭位置中，所述连通孔关闭，其中，当所述打开/关闭部分处于所述关闭位置中时，所述控制器可以控制所述吹扫单元，使得所述吹扫气体不被供应到所述存储隔室中。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其中所述供应单元可以设置在所述冷却室上方，并且所述冷却室设置在所述流动通道的下游。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其中，至少一个通孔可以形成在所述冷却室的下部部分处，其中所述通孔可以与所述流动通道连通，并且保留在所述冷却室中的水可以经由所述通孔从所述冷却室排出。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其可以进一步包括出口，所述出口与所述冷却室连通，使得通过所述冷却室的所述废气被引入到所述出口中。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其可以进一步包括：检测单元，所述检测单元用于测量所述出口和流过所述出口的所述废气的温度；以及控制器，所述控制器用于在流过所述出口的所述废气的温度大于所述出口的温度、并且所述出口与流过所述出口的所述废气之间的温度差等于或大于预先确定的值时控制所述供应单元将用于冷却的固体材料供应到所述冷却室中。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其可以进一步包括：检测单元，所述检测单元用于测量所述冷却室中容纳的用于冷却的固体材料的量；以及控制器，所述控制器用于在由所述检测单元测量的用于冷却的固体材料的所述量小于预先输入的阈值时控制所述供应单元将用于冷却的固体材料供应到所述冷却室中。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其可以进一步包括在其中容纳水的水箱，其中所述流动通道的至少一部分可以延伸经过所述水箱的内部，并且所述冷却器和所述冷却室可以分别设置在所述水箱外部的所述流动通道的一侧和另一侧上。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其中所述水箱可以在其中容纳从所述冷却室排出的所述水，并且所述设施可以进一步包括泵，所述泵被配置成将所述水箱中容纳的所述水引导到所述冷却器。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其中所述冷却室可以包括用于使所述冷却室的内部与其外部隔热的隔热体。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其中所述冷却室的通过其将所述废气引入到所述冷却室中的部分的温度可以在25℃至40℃的范围内，所述冷却室的内部的温度可以在0℃至15℃的范围内，并且所述冷却室的通过其将所述废气从所述室排出的部分的温度可以在15℃至25℃的范围内。
在另一方面中，提供一种用于处理气体的设施，其中用于冷却的固体材料可以包括冰和干冰中的一者或多者。
本发明的一实施例可以实现减小经历冷却过程的废气与出口之间的温度差、以便防止在出口中发生结露的有利效果。
进一步，本发明的一实施例可以实现防止用于废气的出口被腐蚀和/或堵塞的有利效果。
进一步，本发明的一实施例可以实现消除需要额外的清洁过程和需要考虑与在先前制造工艺期间产生的粉末相关联的耐腐蚀性的有利效果。
进一步，本发明的一实施例可以实现提高废气处理效率的有利效果。
进一步，本发明的一实施例可以实现提高气体处理设施操作效率以提高半导体制造工艺的效率的有利效果。
附图说明
根据结合附图给出的对实施例的下述描述，本公开内容的目的和特征将变得显而易见，在附图中：
图1是示出根据本发明的第一实施例的用于处理气体的设施的示意性配置的透视图。
图2是示出图1中所示的用于处理气体的设施的正视图。
图3示出图2中所示的用于处理气体的设施中的废气的流动路径。
图4是示出图1中所示的用于处理气体的设施的气体冷却装置的示意性配置的透视图。
图5示出如图4中所示的打开/关闭部分移动到打开位置中。
图6是示出流过图3中所示的路径的废气的温度和湿度的曲线图。
图7示出示意性地图示根据本发明的第一实施例的用于处理气体的设施的框图。
图8是示出根据本发明的第二实施例的用于处理气体的设施的示意性配置的正视图。
具体实施方式
在下文中，参考附图详细描述用于实现本发明的技术构思的具体实施例。
此外，在描述本发明时，如果认为对本领域中已知的某些特征或功能的详细描述使本发明的主旨模糊不清，则可以省略这些详细描述。
应理解，如本文中所采用的，一元件“流过另一元件”、“从另一元件排出”、“引入到另一元件中”或“连接到另一元件”的表述可以意指，该元件直接流过另一元件、从另一元件排出、引入到另一元件中或连接到另一元件，或者在其间存在一个或多个中间部分。
如本文中所采用的术语仅旨在描述本发明的具体实施例，而不限制本发明的所公开的构思。除非上下文另有说明，否则单数表达用于涵盖对应的复数表达。
如本文中所采用的，术语“包括(comprise)”或“包括(include)”应该指定特定特性、区域、本质、步骤、操作、元件和/或部件，但是不应排除存在或添加其他特性、区域、本质、步骤、操作、元件、部件和/或基础。
进一步，如本文中所采用的，参考附图中所示的取向描述诸如上部、下部及其衍生词等方向短语，并且如果取向改变，则可以不同地表达这些方向短语。同时，如本文中所使用的上下方向可以意指如图1至图5中所示的上下方向。
根据本发明的第一实施例的包括气体冷却装置的用于处理气体的设施1实施气体处理过程，诸如冷却和分解在各种行业中的制造工艺(例如，半导体制造工艺、用于生产诸如LCD或OLED的显示器的工艺、以及用于FPD(平板显示器)或太阳能电池的制造工艺)期间产生的废气。包括气体冷却装置的用于处理气体的设施1的用途并不限于此，并且本发明的包括气体冷却装置的用于处理气体的设施1可以用于产生腐蚀性气体和灰尘的各种行业中。废气例如可以是酸性气体(诸如BCl3、Cl2、F2、HBr、HCl、HF或类似物)或PFC气体(诸如CF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4F6、C4F8、C5F8、SF6或类似物)，其可以用于在半导体制造工艺期间蚀刻晶片的表面。进一步，废气可以是在化学气相沉积(CVD)期间在清洁过程中使用的PFC气体，诸如NF3、C2F6、C3F8或类似物。此外，废气可以包括由在化学气相沉积中使用的气体(诸如SiH4、WF6、PH3、SiH4Cl2、TEOS气体或类似物)被氧化而产生的灰尘。如本文中所采用的，可以理解，在工业中产生的废气意指包括灰尘、粉末和PFC气体中的一者或多者的气体。
在下文中，参照附图详细描述根据本发明的第一实施例的气体处理设施1。
参考图1，气体处理设施1在高温下热分解废气，并且冷却经热分解的废气，以将其排出到外部。如本文中所采用的，包括气体冷却装置的气体处理设施1可以被简称为气体处理设施1。气体处理设施1可以包括洗涤器10和出口20。
参考图2，洗涤器10热分解在蚀刻或化学气相沉积期间产生的废气，并且经由出口20将经热分解的废气排出到外部。洗涤器10可以包括流动通道100、热分解单元200、冷却器300、清洁单元400、冷却室500、供应单元600、吹扫单元700、水箱800、检测单元900和控制器1000。
流动通道100提供废气流过的通路。流动通道100的一端连接到其中执行蚀刻或化学气相沉积的设备。如本文中所采用的，可以理解，流动通道100的上游是指流动通道100的连接到其中执行蚀刻或化学气相沉积的设备的一侧。进一步，流动通道100的另一端连接到冷却室500。如本文中所采用的，可以理解，流动通道100的下游是指流动通道100的连接到冷却室500的另一侧。流动通道100将在热分解单元200、冷却器300和清洁单元中处理过的废气引导到冷却室500中。
同时，流动通道100可以延伸，使得其至少一部分延伸经过水箱800的内部。此外，流动通道100的两端都放置在水箱800的外部。在流动通道100的设置在水箱800内的部分中，可以形成多个孔(未示出)。例如，引入到流动通道100中的水可以通过这多个孔排出到水箱800。根据实施例的附图图示具有U形状的流动通道100的实例，但是本发明并不限于此。
此外，流动通道100可以包括热分解区域S1、冷却区域S2和清洁区域S3。
热分解区域S1被定义为流动通道100的数个内部区域之中废气被热分解单元200热分解的区域。
冷却区域S2被定义为流动通道100的内部区域之中废气被冷却器300冷却的区域。另外，通过冷却器300的废气具有第一经冷却的温度。
清洁区域S3被定义为流动通道100的内部区域之中废气被清洁单元400清洁的区域。进一步，通过清洁区域S3的废气具有低于第一经冷却的温度的第二经冷却的温度。
参考图3，热分解区域S1、冷却区域S2和清洁区域S3可以沿着流动通道100延伸的方向顺序地形成。例如，引入到流动通道100中的废气可以顺序地通过热分解区域S1、冷却区域S2和清洁区域S3，以便流到冷却室500。
热分解单元200对通过热分解区域S1的废气执行热分解。热分解单元200使用高温等离子体或高温火焰热分解废气。已经被热分解单元200热分解的废气流向冷却区域S2。
冷却器300将通过冷却区域S2的废气冷却至一定温度。冷却器300可以向冷却区域S2中喷洒水以冷却废气。换句话说，冷却器300可以通过向热废气喷洒水来快速冷却废气。例如，冷却器300可以使用喷嘴朝向废气喷洒低温高压水。另外，可以从水箱800向冷却器300供应水。例如，由冷却室500中的固体材料融化而成的水可以排出到水箱800，并且冷却器300可以使用水箱800中容纳的水来冷却废气。已经被冷却器300冷却至一定温度的废气流向清洁区域S3。此外，冷却器300可以设置在流动通道100的放置在水箱800外部的部分处。
清洁单元400清洁通过清洁区域S3的废气，并且进一步冷却废气。为清洁废气，清洁单元400可以使废气与清洁液体接触，使得废气中包括的水溶性气体可以被吸收在清洁液体中。例如，水溶性气体可以包括H2SO4、HF和HCl中的一者或多者，并且清洁液体可以是NaOH、KOH和H2SO4中的一者或多者与水的混合液体。已经被清洁单元400清洁的废气流向冷却室500。
冷却室500在其中容纳用于冷却的固体材料，使得引入到冷却室500中的废气被冷却。如本文中所采用的，用于冷却的固体材料被描述为冰，但并不限于此。用于冷却的固体材料可以是能够冷却废气的任何低温固体材料，诸如冰、干冰或类似物。进一步，冰可以以通常已知的形状提供，例如，球体、立方体、切片或多面体。冷却室500可以包括用于使其内部与其外部隔热的隔热体。即，冷却室500可以经由该隔热体与外部隔热，从而防止其中容纳的冰融化。冰可以从供应单元600供应到冷却室500。
冷却室500可以与流动通道100连通，使得废气被引入到冷却室500中。冷却室500可以在流动通道100的上侧上连接到流动通道100，并且设置在流动通道100的下游。换句话说，流动通道100可以在冷却室500的下侧上连接到冷却室500。同时，冷却室500和冷却器300可以分别设置在流动通道100的相对侧上。例如，冷却室500和冷却器300可以分别设置在流动通道100的放置在水箱800外部的不同端部上。在冷却室500的下部处可以形成至少一个通孔510。
通孔510可以与流动通道100连通，并且形成在冷却室500上，使得保留在冷却室500中的水通过其从冷却室500排出。例如，通过流动通道100的废气可以经由通孔510引入到冷却室500中。另外，当冷却室500中容纳的冰融化时，由冰融化而成的水可以经由通孔510引入到流动通道100中。
同时，冷却室500可以被配置成使得废气以低于或等于60℃的流入温度引入到冷却室500中，并且废气以低于该流入温度的流出温度从冷却室500排出。例如，冷却室500可以被配置成使得冷却室500的废气通过其从清洁单元400引入到冷却室500中的部分的温度在25℃至40℃的范围内，冷却室500的内部的温度在0℃至15℃的范围内，并且冷却室500的废气通过其从冷却室500排出到出口20的部分的温度在15℃至25℃的范围内。进一步，已经通过冷却室500的废气具有低于第二经冷却的温度的第三经冷却的温度。
参考图4和图5，供应单元600产生冰，并且将所产生的冰供应到冷却室500中。供应单元600可以设置在冷却室500的上侧上。进一步，供应单元600的操作可以由控制器1000控制。如本文中所采用的，供应单元600可以是指针对用于冷却的固体材料的供应单元600。结合冷却室500，供应单元600可以形成气体冷却装置(500、600)。供应单元600可以包括固体材料产生部分610、存储隔室620和打开/关闭部分630。
参考图7，固体材料产生部分610通过与制冷剂交换热而产生冰。例如，固体材料产生部分610可以是气冷式或水冷式制冰机，并且可以包括压缩机611、冷凝器612、膨胀阀613和热交换器614。进一步，固体材料产生部分610可以利用在压缩机611、冷凝器612、膨胀阀613和热交换器614中循环的制冷剂来产生冰。可以从外部向固体材料产生部分610供应水以产生冰。此外，在固体材料产生部分610中产生的冰可以被传送到存储隔室620。
存储隔室620预存储待供应到冷却室500的冰。换句话说，一旦产生冰，存储隔室620便在冰被传送到冷却室500之前临时存储该冰。此外，存储隔室620可以形成有至少一个连通孔621，存储隔室620中容纳的冰通过所述连通孔621。如本文中所采用的，存储隔室620可以是指用于冷却的固体材料的存储隔室。连通孔621可以通过打开/关闭部分630而被选择性地打开和关闭。
打开/关闭部分630被配置成选择性地允许存储隔室620中容纳的冰移动到冷却室500中。打开/关闭部分630被配置成处于关闭位置和打开位置中的任一者中。如本文中所采用的，关闭位置意指这种位置，在所述位置中，打开/关闭部分630关闭连通孔621、使得存储隔室620中容纳的冰无法通过连通孔621(参见图4)。进一步，如本文中所采用的，打开位置意指这种位置，在所述位置中，打开/关闭部分630打开连通孔621、从而允许存储隔室620中容纳的冰通过连通孔621(参见图5)。
吹扫单元700防止废气经由连通孔621引入到存储隔室620中。吹扫单元700可以将吹扫气体供应到存储隔室620，以便防止废气流入存储隔室620。例如，吹扫气体可以包括氮气(N2)、氩气(Ar)和氖气(Ne)中的一者或多者。
水箱800在其中容纳从流动通道100排出的水。例如，由冷却室500中的融化的冰形成的水可以经由流动通道100从冷却室500排出到水箱800中。另外，通过冷却器300和清洁单元400引入到流动通道100中的水可以经由流动通道100排出到水箱800中。
同时，洗涤器10可以进一步包括泵810，用于将水箱800中容纳的水引导到冷却器300。存储在水箱800中的水可以经由泵810传送到冷却器300。
检测单元900测量冷却室500中容纳的冰的量。例如，检测单元900可以测量冷却室500中容纳的冰的体积、高度、重量等等中的一者或多者。由检测单元900测量到的此冰量可以传输到控制器1000。再如，检测单元900可以测量出口20和流过出口20的废气的温度。即，检测单元900可以测量流过出口20的废气的温度和出口20的温度中的每一者。由检测单元900测量到的这些温度值可以传输到控制器1000。同时，检测单元900可以包括例如称重传感器、距离测量传感器、体积计和温度传感器中的一者或多者。
控制器1000控制热分解单元200、冷却器300、清洁单元400、供应单元600和吹扫单元700。控制器1000可以由包括微处理器、诸如传感器或类似物的测量设备和存储器的操作设备来实现，并且由于其实现方法对本领域技术人员来说是显而易见的，因此在本文中省略其详细描述。
控制器1000可以基于冷却室500中容纳的冰的量来控制供应单元600的操作。例如，控制器1000可以在冷却室500中容纳的冰的量小于预先输入的阈值时控制固体材料产生部分610产生冰。此外，控制器1000可以在冷却室500中容纳的冰的量小于预先确定的阈值时控制打开/关闭部分630处于打开位置中。控制器1000可以从检测单元900接收冷却室500中容纳的冰的量。
此外，控制器1000可以基于出口20与流过出口20的废气之间的温度差来控制供应单元600。例如，控制器1000可以在流过出口20的废气的温度高于出口的温度、并且其间的温度差等于或大于预先确定的值时控制供应单元600产生冰。另外，控制器1000可以在流过出口20的废气的温度高于出口的温度、并且其间的温度差等于或大于预先确定的值时控制打开/关闭部分630处于打开位置中。控制器1000可以从检测单元900接收出口20和流过出口20的废气的相应温度。
同时，控制器1000控制吹扫单元700将吹扫气体供应到存储隔室620中。例如，控制器1000可以致动吹扫单元700，以便防止废气引入到存储隔室620中。再如，当打开/关闭部分630处于关闭位置中时，控制器1000可以停止吹扫单元700的致动，使得吹扫气体不被供应到存储隔室。
在下文中，参考图3、图6和图7描述根据本发明的第一实施例的气体处理设施1的操作和效果。
气体处理设施1对在工业过程期间产生的废气执行热分解。进一步，气体处理设施1将经热分解的废气冷却至一定温度，并且然后将其排出到外部。气体处理设施1使用高温等离子体或高温火焰热分解通过热分解区域S1(参见图3中的①)的废气。在此阶段，通过热分解区域S1的废气温度高，并且是具有低相对湿度(参见图6中的①)的干燥气体。
然后，气体处理设施1使用被冷却至一定温度的气体将通过冷却区域S2的废气冷却至第一经冷却的温度。进一步，气体处理设施1向清洁区域S3中喷洒水以清洁通过清洁区域S3(参见图3中的②)的废气，并且将废气冷却至第二经冷却的温度。在此阶段，通过清洁区域S3的废气温度高，并且是过饱和气体(参见图6中的②)。
同时，气体处理设施1使用冰来将通过冷却室500(参见图3中的③)的废气冷却至第三经冷却的温度。在此阶段，通过冷却室500的废气温度低，并且是过饱和气体(参见图6中的③)。因此，在冷却室500中发生结露，并且通过冷却室500的废气冷凝。即，在冷却室500内、而不在出口20中发生结露。
已经通过冷却室500的废气通过出口20(参见图3中的④)排出到外部。在此阶段，经由出口20排出到外部的废气温度低，并且是具有低相对湿度(参见图6中的④)的干燥气体。
在根据本发明的第一实施例的气体处理设施1中，已经通过清洁单元400的废气400并不直接流到出口20，而是经由冷却室500流到出口20。
当废气在冷却室500中被冷却时，已经通过冷却室500的废气的温度与出口20的温度之间的差小于已经通过清洁单元400的废气与出口20之间的温度差。即，废气在冷却室500中、而非在出口20中冷凝产生防止出口20被腐蚀的效果。进一步，还可以防止因出口20中因其中的结露而产生的冷凝水与出口20处的粉末一起絮凝而发生的出口20的堵塞。
另外，根据本发明的第一实施例的气体处理设施1包括冷却室500、而非热交换器。因此，在设计该设施时，无需考虑针对热交换器和/或耐腐蚀热交换器的清洁过程。
因此，气体处理设施1实现提高废气处理效率的效果。
同时，根据本发明的第二实施例，气体处理设施1可以进一步包括电除尘器1100和气液分离单元1200。在下文中，参考图8，描述本发明的第二实施例。主要聚焦于与上述实施例的差异来描述该第二实施例，并且相同元件和附图标记可以参考上述实施例的描述。
电除尘器1100去除已经在清洁单元400中清洁的废气中包括的粉末和灰尘。例如，电除尘器1100可以引发电晕放电，并且使废气中的粉末和灰尘带电以对其进行捕获。
气液分离单元1200防止从冷却室500排出的水被引入到电除尘器1100中。进一步，气液分离单元1200在其中容纳从冷却室500排出的水，同时允许流向冷却室500的废气从中通过。气液分离单元1200可以包括一个或多个贮存器1210以及一个或多个分离器1220。
贮存器1210在其中容纳从冷却室500排出的水。可以提供多个贮存器1210，并且贮存器1210可以在垂直于上下方向的方向上彼此分开设置。
分离器1220将从冷却室500排出的水引导到贮存器1210。此外，分离器1220防止从冷却室500排出的水被引入到电除尘器1100中。分离器1220可以定位在贮存器1210的上部处。
当前公开的实施例在所有方面都被认为是说明性的而非限制性的，并且应该被解释成具有根据本文中公开的技术构思的最广泛范围。上述实施例可以以各种形式实施。进一步，可以以各种形式省略、替换或改变上述实施例、而不背离所附权利要求及其主旨的范围，并且显而易见的是，对所公开的实施例的这各种修改和替代物应该落入本发明的范围内。
附图标记
1：用于处理气体的设施
10：洗涤器 20：出口
100：流动通道 200：热分解单元
300：冷却器 400：清洁单元
500：冷却室 510：通孔
600：供应单元 610：固体材料产生部分
620：存储隔室 621：连通孔
630：打开/关闭部分 700：吹扫单元
800：水箱 900：检测单元
1000：控制器 1100：电除尘器
1200：气液分离单元 1210：贮存器
1220：分离器
Claims (14)
1.一种用于处理气体的设施，其包括：
流动通道，所述流动通道提供废气流过的通路；
热分解单元，用于热分解流过所述流动通道的所述废气；
冷却器，用于将通过所述热分解单元的所述废气冷却至预先确定的温度；以及
冷却室，所述冷却室与所述流动通道连通，使得通过所述冷却器的所述废气被引入到所述冷却室中，所述冷却室在其内容纳用于冷却的固体材料。
2.根据权利要求1所述的设施，其进一步包括用于将用于冷却的固体材料供应到所述冷却室中的供应单元，所述供应单元包括：
存储隔室，所述存储隔室存储待供应到所述冷却室中的用于冷却的固体材料，并且包括与所述冷却室连通的至少一个连通孔；以及
打开/关闭部分，所述打开/关闭部分被配置成选择性地允许所述存储隔室中容纳的用于冷却的固体材料移动到所述冷却室中。
3.根据权利要求2所述的设施，其进一步包括吹扫单元，所述吹扫单元能够将吹扫气体供应到所述存储隔室中，以防止所述废气经由所述连通孔引入到所述存储隔室中。
4.根据权利要求3所述的设施，其进一步包括控制器，用于控制所述打开/关闭部分处于打开位置和关闭位置中的任一者中，在所述打开位置中，所述连通孔打开以允许所述存储隔室中容纳的用于冷却的固体材料通过所述连通孔；在所述关闭位置中，所述连通孔关闭，
其中，当所述打开/关闭部分处于所述关闭位置中时，所述控制器控制所述吹扫单元，使得所述吹扫气体不被供应到所述存储隔室中。
5.根据权利要求2所述的设施，其中所述供应单元设置在所述冷却室上方，并且
所述冷却室设置在所述流动通道的下游。
6.根据权利要求5所述的设施，其中，至少一个通孔形成在所述冷却室的下部部分处，其中所述通孔与所述流动通道连通，并且保留在所述冷却室中的水经由所述通孔从所述冷却室排出。
7.根据权利要求2所述的设施，其进一步包括出口，所述出口与所述冷却室的上部部分连通，使得通过所述冷却室的所述废气被引入到所述出口中。
8.根据权利要求7所述的设施，其进一步包括：
检测单元，用于测量所述出口和流过所述出口的所述废气的温度；以及
控制器，用于在流过所述出口的所述废气的温度大于所述出口的温度、并且所述出口与流过所述出口的所述废气之间的温度差等于或大于预先确定的值时控制所述供应单元将用于冷却的固体材料供应到所述冷却室中。
9.根据权利要求2所述的设施，其进一步包括：
检测单元，用于测量所述冷却室中容纳的用于冷却的固体材料的量；以及
控制器，用于在由所述检测单元测量的用于冷却的固体材料的所述量小于预先输入的阈值时控制所述供应单元将用于冷却的固体材料供应到所述冷却室中。
10.根据权利要求1所述的设施，其进一步包括在其中容纳水的水箱，
其中所述流动通道的至少一部分延伸经过所述水箱的内部，并且
所述冷却器和所述冷却室分别设置在所述水箱外部的所述流动通道的一侧和另一侧上。
11.根据权利要求10所述的设施，其中所述水箱在其中容纳从所述冷却室排出的所述水，
所述设施进一步包括泵，所述泵被配置成将所述水箱中容纳的所述水引导到所述冷却器。
12.根据权利要求1所述的设施，其中所述冷却室包括用于使所述冷却室的内部与其外部隔热的隔热体。
13.根据权利要求1所述的设施，其中所述冷却室的所述废气通过其引入到所述冷却室中的部分的温度在25℃至40℃的范围内，所述冷却室的内部的温度在0℃至15℃的范围内，并且所述冷却室的所述废气通过其从所述冷却室排出的部分的温度在15℃至25℃的范围内。
14.根据权利要求1所述的设施，其中用于冷却的固体材料包括冰和干冰中的一者或多者。
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