TW202327172A - 模組、圖像顯示裝置用積層體、圖像顯示裝置、模組之製造方法及配線基板 - Google Patents

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Abstract

本發明之模組具備：配線基板，其具有基板、網狀配線層、饋電部及保護層；以及饋電線，其經由包含導電粒子之各向異性導電薄膜而電性連接於饋電部。基板具有透明性。保護層僅覆蓋饋電部之一部分。各向異性導電薄膜覆蓋饋電部中未被保護層覆蓋之區域。

Description

模組、圖像顯示裝置用積層體、圖像顯示裝置、模組之製造方法及配線基板
本發明之實施方式係關於一種模組、圖像顯示裝置用積層體、圖像顯示裝置、模組之製造方法及配線基板。
目前，智慧型手機、平板、智慧型眼鏡(AR(Augmented Reality，擴增實境)、MR(Mixed Reality，混合實鏡)等)等移動終端設備之高功能、小型化、薄型化及輕量化不斷發展。該等移動終端設備由於使用複數個通信頻帶，因此需要與通信頻帶相應之複數個天線。例如，於移動終端設備搭載有電話用天線、WiFi(Wireless Fidelity，無線保真)用天線、3G(Generation)用天線、4G(Generation)用天線、5G(Generation)用天線、LTE(Long Term Evolution，長期演進)用天線、Bluetooth(藍牙)(註冊商標)用天線、NFC(Near Field Communication，近距離無線通信)用天線等複數個天線。然而，隨著移動終端設備小型化，天線之搭載空間有限，天線設計之自由度變窄。又，由於天線內置在有限之空間內，因此電波感度未必能滿足要求。
為此，開發出一種能夠搭載於移動終端設備之顯示區域或智慧型眼鏡之透過區域之薄膜天線。該薄膜天線中，於透明基材上形成有天線圖案。天線圖案係由網狀之導電體網層形成，該導電體網層由作為不透明之導電體層之形成部的導體部及作為非形成部的多個開口部構成。  [先前技術文獻]  [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-66610號公報  [專利文獻2]日本專利第5636735號說明書  [專利文獻3]日本專利第5695947號說明書
然，於薄膜天線中，在用以使導電體網層電性連接於外部設備之饋電部連接有饋電線。於該情形時，要求抑制饋電部與饋電線之電性連接性降低，並且保護饋電部不受腐蝕等。
又，於薄膜天線中，為了保護導電體網層、及用以使導電體網層電性連接於外部設備之饋電部，較佳為以保護層覆蓋導電體網層及饋電部。然而，於利用保護層覆蓋導電體網層之情形時，因光相對於保護層發生反射，而有容易視認配線基板之虞。
本實施方式之目的在於提供一種能夠抑制饋電線與饋電部之間之電性連接性降低並且保護饋電部之模組、圖像顯示裝置用積層體及圖像顯示裝置。
本實施方式提供一種能夠保護不與圖像顯示裝置之顯示區域重疊之區域中存在之金屬層，並且使得與顯示區域重疊之區域中存在之配線基板不易被視認之配線基板、圖像顯示裝置用積層體及圖像顯示裝置。
本實施方式提供一種能夠保護金屬層並且使得配線基板不易被視認之配線基板、圖像顯示裝置用積層體及圖像顯示裝置。
本發明之第1態樣係一種模組，其具備：配線基板，其具有包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面的基板、配置於上述基板之上述第1面上之網狀配線層、電性連接於上述網狀配線層之饋電部、及配置於上述基板之上述第1面上且覆蓋上述網狀配線層及上述饋電部之保護層；以及饋電線，其經由包含導電粒子之各向異性導電薄膜而電性連接於上述饋電部；且上述基板具有透明性，上述保護層僅覆蓋上述饋電部之一部分，上述各向異性導電薄膜覆蓋上述饋電部中未被上述保護層覆蓋之區域。
本發明之第2態樣係於上述第1態樣之模組中，上述各向異性導電薄膜之一部分可配置於上述保護層上。
本發明之第3態樣係於上述第1態樣或上述第2態樣之模組中，上述饋電部中未被上述保護層及上述各向異性導電薄膜中之任一者覆蓋之區域可被包含具有耐蝕性之材料之被覆層覆蓋。
本發明之第4態樣係於上述第1態樣至上述第3態樣之各者之模組中，上述饋電線可藉由使上述導電粒子進入上述保護層內而電性連接於上述饋電部。
本發明之第5態樣係於上述第1態樣至上述第4態樣之各者之模組中，上述保護層之厚度可為4.0 μm以上8.0 μm以下。
本發明之第6態樣係於上述第1態樣至上述第5態樣之各者之模組中，可於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。
本發明之第7態樣係於上述第1態樣至上述第6態樣之各者之模組中，上述配線基板可具有電波收發功能。
本發明之第8態樣係於上述第1態樣至上述第7態樣之各者之模組中，上述網狀配線層可具有連接於上述饋電部之傳送部、及連接於上述傳送部之收發部。
本發明之第9態樣係一種圖像顯示裝置用積層體，其具備：上述第1態樣至上述第8態樣中任一態樣之模組；第1接著層，其位於上述基板之上述第1面側；及第2接著層，其位於上述基板之上述第2面側；且上述基板之一部分區域配置於上述第1接著層與上述第2接著層之間之一部分區域。
本發明之第10態樣係一種圖像顯示裝置，其具備：上述第9態樣之圖像顯示裝置用積層體；及顯示裝置，其積層於上述圖像顯示裝置用積層體。
本發明之第11態樣係一種模組之製造方法，其包括如下步驟：準備基板，上述基板包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；於上述基板之上述第1面上形成網狀配線層、及電性連接於上述網狀配線層之饋電部；於上述基板之上述第1面上，以覆蓋上述網狀配線層及上述饋電部之方式形成保護層；及經由包含導電粒子之各向異性導電薄膜將饋電線電性連接於上述饋電部；且上述基板具有透明性，上述保護層僅覆蓋上述饋電部之一部分，上述各向異性導電薄膜覆蓋上述饋電部中未被上述保護層覆蓋之區域。
本發明之第12態樣係一種配線基板，其係圖像顯示裝置用之配線基板，且具備：基板；金屬層，其配置於上述基板上；及保護層，其覆蓋上述金屬層之一部分；且上述基板具有透明性，上述金屬層包含網狀配線層，上述保護層存在於不與上述圖像顯示裝置之顯示區域重疊之第1區域，不存在於與上述圖像顯示裝置之顯示區域重疊之第2區域。再者，本說明書中，所謂具有透明性係指波長為400 nm以上700 nm以下之光線之透過率為85%以上。
本發明之第13態樣係於上述第12態樣之配線基板中，120℃、1小時後之上述保護層之熱收縮率與上述基板之熱收縮率之差可為1%以下。
本發明之第14態樣係於上述第12態樣或上述第13態樣之配線基板中，上述保護層之介電損耗正切可為0.002以下。
本發明之第15態樣係於上述第12態樣至上述第14態樣之各者之配線基板中，上述保護層之厚度T 12相對於上述基板之厚度T 1之比(T 12/T 1)可為0.02以上5.0以下。
本發明之第16態樣係於上述第12態樣至上述第15態樣之各者之配線基板中，上述基板之厚度可為10 μm以上50 μm以下。
本發明之第17態樣係於上述第12態樣至上述第16態樣之各者之配線基板中，可於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。
本發明之第18態樣係於上述第12態樣至上述第17態樣之各者之配線基板中，上述網狀配線層可作為天線發揮功能。
本發明之第19態樣係於上述第12態樣至上述第18態樣之各者之配線基板中，可進而具備電性連接於上述網狀配線層之饋電部，且上述網狀配線層具有連接於上述饋電部之傳送部、及連接於上述傳送部之收發部。
本發明之第20態樣係於上述第12態樣至上述第19態樣之各者之配線基板中，上述基板、上述金屬層及上述保護層可於上述第1區域彎曲。
本發明之第21態樣係一種模組，其具備：上述第12態樣至上述第19態樣中任一態樣之配線基板；及饋電線，其電性連接於上述配線基板。
本發明之第22態樣係一種圖像顯示裝置用積層體，其具備：上述第12態樣至上述第19態樣中任一態樣之配線基板；第3接著層，其具有較上述基板大之面積；及第4接著層，其具有較上述基板大之面積；且上述第3接著層具有透明性，上述第4接著層具有透明性，上述基板之一部分區域配置於上述第3接著層與上述第4接著層之間之一部分區域。
本發明之第23態樣係於上述第22態樣之圖像顯示裝置用積層體中，上述第3接著層之厚度及上述第4接著層之厚度中之至少一厚度可為上述基板之厚度之1.5倍以上。
本發明之第24態樣係於上述第22態樣或上述第23態樣之圖像顯示裝置用積層體中，上述第3接著層之材料可為丙烯酸系樹脂，上述第4接著層之材料可為丙烯酸系樹脂。
本發明之第25態樣係一種圖像顯示裝置，其具備：上述第22態樣至上述第24態樣中任一態樣之圖像顯示裝置用積層體；及顯示部，其積層於上述圖像顯示裝置用積層體，且具有顯示區域。
本發明之第26態樣係一種配線基板，其係圖像顯示裝置用之配線基板，且具備：基板；金屬層，其配置於上述基板上；及保護層，其覆蓋上述金屬層；且上述基板具有透明性，上述金屬層包含網狀配線層，上述基板之折射率與上述保護層之折射率之差為0.1以下。再者，本說明書中，所謂具有透明性係指波長為400 nm以上700 nm以下之光線之透過率為85%以上。
本發明之第27態樣係於上述第26態樣之配線基板中，120℃、1小時後之上述保護層之熱收縮率與上述基板之熱收縮率之差可為1%以下。
本發明之第28態樣係於上述第26態樣或上述第27態樣之配線基板中，上述保護層之介電損耗正切可為0.002以下。
本發明之第29態樣係於上述第26態樣至上述第28態樣之各者之配線基板中，上述保護層之厚度T 12相對於上述基板之厚度T 1之比(T 12/T 1)可為0.02以上5.0以下。
本發明之第30態樣係於上述第26態樣至上述第29態樣之各者之配線基板中，上述基板之厚度可為10 μm以上50 μm以下。
本發明之第31態樣係於上述第26態樣至上述第30態樣之各者之配線基板中，可於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。
本發明之第32態樣係於上述第26態樣至上述第31態樣之各者之配線基板中，上述網狀配線層可作為天線發揮功能。
本發明之第33態樣係於上述第26態樣至上述第32態樣之各者之配線基板中，進而具備電性連接於上述網狀配線層之饋電部，且上述網狀配線層具有連接於上述饋電部之傳送部、及連接於上述傳送部之收發部。
本發明之第34態樣係於上述第26態樣至上述第33態樣之各者之配線基板中，上述基板、上述金屬層及上述保護層之一部分可彎曲。
本發明之第35態樣係一種模組，其具備：上述第26態樣至上述第34態樣中任一態樣之配線基板；及饋電線，其電性連接於上述配線基板。
本發明之第36態樣係一種圖像顯示裝置用積層體，其具備：第3接著層；第4接著層；及配線基板，其配置於上述第3接著層與上述第4接著層之間；且上述配線基板具有基板、配置於上述基板上之金屬層、及覆蓋上述金屬層之保護層，上述基板具有透明性，上述第3接著層具有透明性，上述第4接著層具有透明性，上述金屬層包含網狀配線層，上述基板之折射率、上述保護層之折射率、上述第3接著層之折射率、及上述第4接著層之折射率中之最大值與最小值之差為0.1以下。
本發明之第37態樣係於上述第36態樣之圖像顯示裝置用積層體中，上述第3接著層之厚度及上述第4接著層之厚度中之至少一厚度可為上述基板之厚度之1.5倍以上。
本發明之第38態樣係於上述第36態樣或上述第37態樣之圖像顯示裝置用積層體中，上述第3接著層之材料可為丙烯酸系樹脂，上述第4接著層之材料可為丙烯酸系樹脂。
本發明之第39態樣係一種圖像顯示裝置，其具備：上述第36態樣至上述第38態樣中任一態樣之圖像顯示裝置用積層體；及顯示部，其積層於上述圖像顯示裝置用積層體。
根據本發明之實施方式，能夠抑制饋電線與饋電部之間之電性連接性降低，並且保護饋電部。
根據本發明之實施方式，能夠保護不與圖像顯示裝置之顯示區域重疊之區域中存在之金屬層，並且使得與顯示區域重疊之區域中存在之配線基板不易被視認。
根據本發明之實施方式，能夠保護金屬層，並且使得配線基板不易被視認。
(第1實施方式)  首先，利用圖1至圖12對第1實施方式進行說明。圖1至圖12係表示本實施方式之圖。
以下所示之各圖係模式性地表示之圖。因此，為了容易理解，而適當誇大了各部分之大小、形狀。又，可於不脫離技術思想之範圍內適當變更而實施。再者，於以下所示之各圖中，對相同部分標註相同之符號，有時省略一部分詳細說明。又，本說明書中記載之各構件之尺寸等數值及材料名係作為實施方式之一例，並不限定於此，可適當選擇而使用。本說明書中，關於特定出形狀或幾何學條件之用語，例如平行或正交、垂直等用語，除了嚴格意義上之含義以外，還應解釋為包含實質上相同之狀態。
又，以下之實施方式中，「X方向」係相對於圖像顯示裝置之一邊平行之方向。「Y方向」係與X方向垂直且相對於圖像顯示裝置之另一邊平行之方向。「Z方向」係與X方向及Y方向兩者垂直且與圖像顯示裝置之厚度方向平行之方向。又，「正面」係指Z方向正側之面且圖像顯示裝置之發光面側、朝向觀察者側之面。「背面」係指Z方向負側之面且與朝向圖像顯示裝置之發光面及觀察者側之面相反側之面。再者，本實施方式中，以網狀配線層20為具有電波收發功能(作為天線之功能)之網狀配線層20之情形為例進行說明，但網狀配線層20亦可不具有電波收發功能(作為天線之功能)。
[圖像顯示裝置之構成]  參照圖1及圖2，對本實施方式之圖像顯示裝置之構成進行說明。
如圖1及圖2所示，本實施方式之圖像顯示裝置60具備圖像顯示裝置用積層體70、及積層於圖像顯示裝置用積層體70之顯示裝置(顯示器)61。其中，圖像顯示裝置用積層體70具備第1透明接著層(第1接著層)95、第2透明接著層(第2接著層)96、及模組80A。圖像顯示裝置用積層體70之模組80A具備配線基板10、及電性連接於配線基板10之饋電線85。
模組80A之配線基板10具有基板11、網狀配線層20、饋電部40、及覆蓋網狀配線層20及饋電部40之保護層17。基板11包含第1面11a及位於第1面11a之相反側之第2面11b。網狀配線層20配置於基板11之第1面11a上。又，於網狀配線層20電性連接有饋電部40。進而，於相對於顯示裝置61之Z方向負側配置有通信模組63。圖像顯示裝置用積層體70、顯示裝置61、及通信模組63收容於殼體62內。
於圖1及圖2所示之圖像顯示裝置60中，可經由通信模組63收發規定頻率之電波，從而能夠進行通信。通信模組63可包含電話用天線、WiFi用天線、3G用天線、4G用天線、5G用天線、LTE用天線、Bluetooth(註冊商標)用天線、NFC用天線等中之任一者。作為此種圖像顯示裝置60，例如可例舉智慧型手機、平板等移動終端設備或智慧型眼鏡。
如圖2所示，圖像顯示裝置60具有發光面64。圖像顯示裝置60具備：配線基板10，其相對於顯示裝置61位於發光面64側(Z方向正側)；及通信模組63，其相對於顯示裝置61位於發光面64之相反側(Z方向負側)。
顯示裝置61例如包括有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置。顯示裝置61例如亦可包含未圖示之金屬層、支持基材、樹脂基材、薄膜電晶體(TFT)、及有機EL層。於顯示裝置61上亦可配置未圖示之觸控感測器。又，於顯示裝置61上，介隔第2透明接著層96配置有配線基板10。再者，顯示裝置61並不限定於有機EL顯示裝置。例如，顯示裝置61可為其本身具有發光功能之其他顯示裝置，亦可為包含微型LED(Light Emitting Diode，發光二極體)元件(發光體)之微型LED顯示裝置。又，顯示裝置61亦可為包含液晶之液晶顯示裝置。又，於配線基板10上，介隔第1透明接著層95配置有覆蓋玻璃(正面保護板)75。再者，於第1透明接著層95與覆蓋玻璃75之間，亦可配置有未圖示之加飾薄膜及偏光板。
第1透明接著層95係將配線基板10直接或間接地接著於覆蓋玻璃75之接著層。該第1透明接著層95位於基板11之第1面11a側。第1透明接著層95具有光學透明性，可為OCA(Optical Clear Adhesive，光學透明膠)層。OCA層例如係以如下方式製作之層。首先，於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等離型薄膜上塗佈包含聚合性化合物之液狀之硬化性接著層用組合物，例如使用紫外線(UV)等使其硬化，而獲得OCA片材。將該OCA片材貼合於對象物之後，將離型薄膜剝離去除，藉此獲得上述OCA層。第1透明接著層95之材料可為丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂或胺基甲酸酯系樹脂等。尤其，第1透明接著層95可包含丙烯酸系樹脂。於該情形時，較佳為第2透明接著層96包含丙烯酸系樹脂。藉此，可實質上消除第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率差，更確實地抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B5上之可見光之反射。
又，第1透明接著層95之可見光線(波長400 nm以上700 nm以下之光線)之透過率可為85%以上，較佳為90%以上。再者，第1透明接著層95之可見光線之透過率之上限並無特別限制，亦可為例如100%以下。藉由將第1透明接著層95之可見光線之透過率設為上述範圍，可提高圖像顯示裝置用積層體70之透明性，使得圖像顯示裝置60之顯示裝置61容易被視認。
如上所述，配線基板10相對於顯示裝置61配置於發光面64側。於該情形時，配線基板10位於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間。更具體而言，配線基板10之基板11之一部分區域配置於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間之一部分區域。於該情形時，第1透明接著層95、第2透明接著層96、顯示裝置61及覆蓋玻璃75分別具有較配線基板10之基板11大之面積。藉由如此般將配線基板10之基板11於俯視下配置於圖像顯示裝置60之一部分區域而非整個面，可使圖像顯示裝置60整體之厚度變薄。
配線基板10具有：基板11，其具有透明性；網狀配線層20，其配置於基板11之第1面11a上；饋電部40，其電性連接於網狀配線層20；及保護層17，其配置於基板11之第1面11a上，且覆蓋網狀配線層20及饋電部40。於網狀配線層20電性連接有饋電部40。饋電部40經由饋電線85而電性連接於通信模組63。又，配線基板10之一部分未配置於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間，而是自第1透明接著層95與第2透明接著層96之間向外側(Y方向負側)突出。具體而言，配線基板10中設置有饋電部40之區域向外側突出。藉此，可容易地進行饋電部40與通信模組63之電性連接。另一方面，配線基板10中設置有網狀配線層20之區域位於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間。再者，關於配線基板10及饋電線85之詳情，將於下文中敍述。
第2透明接著層96係將顯示裝置61直接或間接地接著於配線基板10之接著層。該第2透明接著層96位於基板11之第2面11b側。第2透明接著層96係與第1透明接著層95同樣，具有光學透明性，可為OCA(Optical Clear Adhesive)層。第2透明接著層96之材料可為丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂或胺基甲酸酯系樹脂等。尤其，第2透明接著層96可包含丙烯酸系樹脂。藉此，可實質上消除第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率差，更確實地抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B5上之可見光之反射。
又，第2透明接著層96之可見光線(波長400 nm以上700 nm以下之光線)之透過率可為85%以上，較佳為90%以上。再者，第2透明接著層96之可見光線之透過率之上限並無特別限制，亦可為例如100%以下。藉由將第2透明接著層96之可見光線之透過率設為上述範圍，可提高圖像顯示裝置用積層體70之透明性，使得圖像顯示裝置60之顯示裝置61容易被視認。
此種圖像顯示裝置用積層體70中，第1透明接著層95之折射率與配線基板10之保護層17之折射率之差為0.1以下，較佳為0.05以下。又，保護層17之折射率與基板11之折射率之差為0.1以下，較佳為0.05以下。此處，折射率係指絕對折射率，可基於JIS K-7142之A法而求出。例如，於第1透明接著層95之材料為丙烯酸系樹脂(折射率1.49)之情形時，將保護層17之折射率設為1.39以上1.59以下。
如此，藉由將第1透明接著層95之折射率與保護層17之折射率之差抑制為0.1以下，可抑制第1透明接著層95與保護層17之界面B1上之可見光之反射，使得觀察者用肉眼不易視認設置有保護層17之基板11。又，藉由將保護層17之折射率與基板11之折射率之差抑制為0.1以下，可抑制保護層17與基板11之界面B2上之可見光之反射，使得觀察者用肉眼不易視認基板11。
又，圖像顯示裝置用積層體70中，基板11之折射率與第1透明接著層95之折射率之差為0.1以下，較佳為0.05以下。又，第2透明接著層96之折射率與基板11之折射率之差為0.1以下，較佳為0.05以下。進而，第1透明接著層95之折射率與第2透明接著層96之折射率之差較佳為0.1以下，更佳為0.05以下。例如，於第1透明接著層95之材料與第2透明接著層96之材料為丙烯酸系樹脂(折射率1.49)之情形時，將基板11之折射率設為1.39以上1.59以下。作為此種材料，例如可例舉氟樹脂、聚矽氧系樹脂、聚烯烴樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、纖維素系樹脂等。
如此，藉由將基板11之折射率與第1透明接著層95之折射率之差抑制為0.1以下，可抑制基板11與第1透明接著層95之界面B3上之可見光之反射，使得觀察者用肉眼不易視認基板11。又，藉由將第2透明接著層96之折射率與基板11之折射率之差抑制為0.1以下，可抑制第2透明接著層96與基板11之界面B4上之可見光之反射，使得觀察者用肉眼不易視認基板11。進而，藉由將第1透明接著層95之折射率與第2透明接著層96之折射率之差抑制為0.1以下，可抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B5上之可見光之反射，使得觀察者用肉眼不易視認第1透明接著層95與第2透明接著層96。
尤佳為第1透明接著層95之材料與第2透明接著層96之材料為彼此相同之材料。藉此，可使第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率差更小，可抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B5上之可見光之反射。
又，於圖2中，第1透明接著層95之厚度T 3與第2透明接著層96之厚度T 4中之至少一厚度可為基板11之厚度T 1之1.5倍以上，較佳為2倍以上，進而較佳為2.5倍以上。如此，藉由使第1透明接著層95之厚度T 3或第2透明接著層96之厚度T 4相對於基板11之厚度T 1足夠厚，而使與基板11重疊之區域的第1透明接著層95或第2透明接著層96於厚度方向上變形，吸收基板11之厚度。藉此，可抑制於基板11之周緣第1透明接著層95或第2透明接著層96產生階差，從而使得觀察者不易辨識基板11之存在。
又，第1透明接著層95之厚度T 3及第2透明接著層96之厚度T 4中之至少一厚度較佳為基板11之厚度T 1之10倍以下，進而較佳為5倍以下。藉此，第1透明接著層95之厚度T 3或第2透明接著層96之厚度T 4不會變得過於厚，可使圖像顯示裝置60整體之厚度變薄。
又，於圖2中，第1透明接著層95之厚度T 3與第2透明接著層96之厚度T 4可彼此相同。於該情形時，第1透明接著層95之厚度T 3及第2透明接著層96之厚度T 4可分別為基板11之厚度T 1之1.5倍以上，較佳為2.0倍以上。即，第1透明接著層95之厚度T 3及第2透明接著層96之厚度T 4之合計(T 3＋T 4)為基板11之厚度T 1之3倍以上。如此，藉由使第1透明接著層95及第2透明接著層96之厚度T 3、T 4之合計相對於基板11之厚度T 1足夠厚，而使與基板11重疊之區域的第1透明接著層95及第2透明接著層96於厚度方向上變形(收縮)，吸收基板11之厚度。藉此，可抑制於基板11之周緣第1透明接著層95或第2透明接著層96產生階差，從而使得觀察者不易辨識基板11之存在。
又，於第1透明接著層95之厚度T 3與第2透明接著層96之厚度T 4彼此相同之情形時，第1透明接著層95之厚度T 3及第2透明接著層96之厚度T 4可分別為基板11之厚度T 1之5倍以下，較佳為3倍以下。藉此，第1透明接著層95及第2透明接著層96兩者之厚度T 3、T 4不會變得過於厚，可使圖像顯示裝置60整體之厚度變薄。
具體而言，基板11之厚度T 1例如可為2 μm以上200 μm以下，亦可為2 μm以上50 μm以下，還可為10 μm以上50 μm以下，較佳為15 μm以上25 μm以下。藉由將基板11之厚度T 1設為2 μm以上，可保持配線基板10之強度，使得網狀配線層20之下述第1方向配線21及第2方向配線22不易變形。又，藉由將基板11之厚度T 1設為200 μm以下，可抑制於基板11之周緣第1透明接著層95及第2透明接著層96產生階差，從而使得觀察者不易辨識基板11之存在。又，藉由將基板11之厚度T 1設為50 μm以下，可進一步抑制於基板11之周緣第1透明接著層95及第2透明接著層96產生階差，從而使得觀察者更不易辨識基板11之存在。
第1透明接著層95之厚度T 3例如可為15 μm以上500 μm以下，較佳為15 μm以上300 μm以下，進而較佳為20 μm以上250 μm以下。第2透明接著層96之厚度T 4例如可為15 μm以上500 μm以下，較佳為15 μm以上300 μm以下，進而較佳為20 μm以上250 μm以下。
如上所述，藉由具備配線基板10之模組80A、具有較配線基板10之基板11大之面積之第1透明接著層95、及具有較基板11大之面積之第2透明接著層96，構成圖像顯示裝置用積層體70。本實施方式中，亦提供此種圖像顯示裝置用積層體70。又，如上所述，圖像顯示裝置用積層體70與顯示裝置61一起構成圖像顯示裝置60。再者，圖像顯示裝置用積層體70藉由安裝於未圖示之框架，亦可組裝至頭戴式顯示器(智慧型眼鏡)。
再次參照圖2，覆蓋玻璃(正面保護板)75直接或間接地配置於第1透明接著層95上。該覆蓋玻璃75係使光透過之玻璃製構件。覆蓋玻璃75為板狀，俯視下亦可為矩形狀。覆蓋玻璃75之厚度例如可為200 μm以上1000 μm以下，較佳為300 μm以上700 μm以下。覆蓋玻璃75之長邊方向(Y方向)之長度例如為20 mm以上500 mm以下，較理想可為100 mm以上200 mm以下，覆蓋玻璃75之短邊方向(X方向)之長度為20 mm以上500 mm以下，較理想可為50 mm以上100 mm以下。
如圖1所示，圖像顯示裝置60於俯視下整體為大致長方形狀，其長邊方向與Y方向平行，其短邊方向與X方向平行。圖像顯示裝置60之長邊方向(Y方向)之長度L 4例如為20 mm以上500 mm以下，較理想為可於100 mm以上200 mm以下之範圍內選擇，圖像顯示裝置60之短邊方向(X方向)之長度L 5例如為20 mm以上500 mm以下，較理想為可於50 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。再者，圖像顯示裝置60之角部亦可分別帶有弧度。
[配線基板之構成]  接下來，參照圖3至圖6，對配線基板之構成進行說明。圖3至圖6係表示本實施方式之配線基板之圖。
如圖3所示，本實施方式之配線基板10用於上述圖像顯示裝置60(參照圖1及圖2)，配置於較顯示裝置61更靠發光面64側且第1透明接著層95與第2透明接著層96之間。此種配線基板10具有：基板11，其具有透明性；網狀配線層20，其配置於基板11上；饋電部40，其電性連接於網狀配線層20；及保護層17，其配置於基板11上，且覆蓋網狀配線層20及饋電部40。又，於網狀配線層20電性連接有饋電部40。
其中，基板11於俯視下為大致長方形狀，其長邊方向與Y方向平行，其短邊方向與X方向平行。基板11具有透明性並且為大致平板狀，其厚度整體上大致均勻。基板11之長邊方向(Y方向)之長度L 1例如可於2 mm以上300 mm以下之範圍、10 mm以上200 mm以下之範圍、或100 mm以上200 mm以下之範圍內選擇。基板11之短邊方向(X方向)之長度L 2例如可於2 mm以上300 mm以下之範圍、3 mm以上100 mm以下之範圍、或50 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。再者，基板11之角部亦可分別帶有弧度。
基板11之材料只要為具有可見光線區域之透明性及電絕緣性之材料即可。本實施方式中，基板11之材料為聚對苯二甲酸乙二酯，但並不限定於此。作為基板11之材料，例如較佳為使用聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、或者環烯烴聚合物等聚烯烴系樹脂、三乙醯纖維素等纖維素系樹脂、PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)、PFA(Perfluoroalkoxy alkane，全氟烷氧基烷烴)等氟樹脂材料等有機絕緣性材料。或者，作為基板11之材料，亦可使用環烯烴聚合物(例如日本瑞翁公司製造之ZF-16)、聚降冰片烯聚合物(住友電木公司製造)等有機絕緣性材料。又，作為基板11之材料，亦可根據用途適當選擇玻璃、陶瓷等。再者，圖示了基板11係由單層構成之例，但並不限定於此，基板11亦可為複數個基材或層積層而成之結構。又，基板11可為薄膜狀，亦可為板狀。
又，基板11之介電損耗正切較佳為0.002以下。藉由基板11之介電損耗正切為上述範圍，尤其於網狀配線層20收發之電磁波(例如毫米波)為高頻之情形時，可減小伴隨著電磁波之收發之增益(感度)損失。
基板11之相對介電常數較佳為2以上10以下。藉由基板11之相對介電常數為2以上，可使基板11之材料之選項增多。又，藉由基板11之相對介電常數為10以下，可減小伴隨著電磁波之收發之增益(感度)損失。即，於基板11之相對介電常數變大之情形時，基板11之厚度對電磁波之傳播產生之影響變大。又，於對電磁波之傳播產生不良影響之情形時，基板11之介電損耗正切變大，伴隨著電磁波之收發之增益(感度)損失可能變大。相對於此，藉由使基板11之相對介電常數為10以下，可減小基板11之厚度對電磁波之傳播產生之影響。因此，可減小伴隨著電磁波之收發之增益(感度)損失。尤其於網狀配線層20收發之電磁波(例如毫米波)為高頻之情形時，可減小伴隨著電磁波之收發之增益(感度)損失。
基板11之介電損耗正切及相對介電常數可依據IEC 62562而測定。具體而言，首先，將未形成網狀配線層20之部分之基板11切下而準備試驗片。試驗片之尺寸係寬度設為10 mm至20 mm，長度設為50 mm至100 mm。其次，依據IEC 62562測定介電損耗正切或相對介電常數。
又，基板11具有透明性。本說明書中，所謂「具有透明性」係指可見光線(波長400 nm以上700 nm以下之光線)之透過率為85%以上。基板11之可見光線(波長400 nm以上700 nm以下之光線)之透過率可為85%以上，較佳為90%以上。再者，基板11之可見光線之透過率之上限並無特別限制，例如亦可為100%以下。藉由將基板11之可見光線之透過率設為上述範圍，可提高配線基板10之透明性，使得圖像顯示裝置60之顯示裝置61容易被視認。再者，所謂可見光線係指波長為400 nm以上700 nm以下之光線。又，可見光線之透過率為85%以上係指，使用公知之分光光度計(例如，日本分光股份有限公司製造之分光器：V-670)對基板11測定吸光度時，於400 nm以上700 nm以下之全波長區域內其透過率為85%以上。
本實施方式中，網狀配線層20包含具有作為天線之功能之天線圖案。圖3中，網狀配線層20於基板11上形成有1個。又，如圖3所示，網狀配線層20亦可僅存在於基板11上之一部分區域，而非存在於基板11之整個面。該網狀配線層20對應於規定之頻帶。即，網狀配線層20之長度(Y方向之長度)L a成為與特定頻帶對應之長度。再者，對應之頻帶越低頻，則網狀配線層20之長度L a越長。網狀配線層20可對應於電話用天線、WiFi用天線、3G用天線、4G用天線、5G用天線、LTE用天線、Bluetooth(註冊商標)用天線、NFC用天線、毫米波用天線等中之任一者。再者，於基板11上亦可形成複數個網狀配線層20。於該情形時，複數個網狀配線層20之長度亦可互不相同，分別對應於不同之頻帶。或者，於配線基板10不具有電波收發功能之情形時，各網狀配線層20亦可發揮例如懸浮觸控(使用者即便不直接接觸顯示器亦能夠進行操作之功能)、指紋認證、加熱器、雜訊消除(屏蔽)等功能。
網狀配線層20具有饋電部40側之基端側部分(傳送部)20a、及連接於基端側部分20a之前端側部分(收發部)20b。基端側部分20a與前端側部分20b分別於俯視下具有大致長方形狀。於該情形時，前端側部分20b之長度(Y方向距離)長於基端側部分20a之長度(Y方向距離)，前端側部分20b之寬度(X方向距離)寬於基端側部分20a之寬度(X方向距離)。
網狀配線層20係其長邊方向與Y方向平行，其短邊方向與X方向平行。網狀配線層20之長邊方向(Y方向)之長度L a例如可於2 mm以上100 mm以下之範圍、或3 mm以上100 mm以下之範圍內選擇，網狀配線層20(前端側部分20b)之短邊方向(X方向)之寬度W a例如可於1 mm以上10 mm以下之範圍內選擇。尤其是於網狀配線層20為毫米波用天線之情形時，網狀配線層20之長度L a可於1 mm以上10 mm以下、更佳為1.5 mm以上5 mm以下之範圍內選擇。再者，於圖5中示出了網狀配線層20作為單極天線發揮功能之情形時之形狀，但並不限定於此，亦可設為偶極天線、環形天線、槽孔天線、微帶天線、貼片天線等形狀。
網狀配線層20係將金屬線分別形成為格子形狀或網格形狀，於X方向及Y方向上具有重複圖案。即，網狀配線層20具有包含沿X方向延伸之部分(第2方向配線22)及沿Y方向延伸之部分(第1方向配線21)的圖案形狀。
如圖4所示，網狀配線層20包含具有作為天線之功能之複數個第1方向配線(天線配線)21、及連結複數個第1方向配線21之複數個第2方向配線(天線連結配線)22。具體而言，複數個第1方向配線21與複數個第2方向配線22整體上成為一體，形成格子形狀或網格形狀。各第1方向配線21沿與天線之頻帶對應之方向(長邊方向、Y方向)延伸，各第2方向配線22沿與第1方向配線21正交之方向(寬度方向、X方向)延伸。第1方向配線21藉由具有與規定頻帶對應之長度L a(上述網狀配線層20之長度，參照圖3)，而發揮主要作為天線之功能。另一方面，第2方向配線22藉由連結該等第1方向配線21彼此，而發揮抑制第1方向配線21斷線、或第1方向配線21與饋電部40不繼續電性連接之異常之作用。
於網狀配線層20中，藉由被彼此相鄰之第1方向配線21與彼此相鄰之第2方向配線22包圍，而形成複數個開口部23。又，第1方向配線21與第2方向配線22係彼此等間隔地配置。即，複數個第1方向配線21彼此等間隔地配置，其間距P 1例如可為0.01 mm以上1 mm以下之範圍。又，複數個第2方向配線22彼此等間隔地配置，其間距P 2例如亦可為0.01 mm以上1 mm以下之範圍。如此，藉由將複數個第1方向配線21與複數個第2方向配線22分別等間隔地配置，而於網狀配線層20內開口部23之大小不存在偏差，可使得用肉眼不易視認網狀配線層20。又，第1方向配線21之間距P 1與第2方向配線22之間距P 2相等。因此，各開口部23分別於俯視下成為大致正方形狀，具有透明性之基板11自各開口部23露出。因此，藉由擴大各開口部23之面積，可提高配線基板10整體之透明性。再者，各開口部23之一邊之長度L 3例如可為0.01 mm以上1 mm以下之範圍。再者，各第1方向配線21與各第2方向配線22雖彼此正交，但並不限定於此，亦可彼此呈銳角或鈍角交叉。又，開口部23之形狀較佳為整個面設為相同形狀相同尺寸，但亦可根據位置而改變等，於整個面不均勻。
如圖5所示，各第1方向配線21之與其長邊方向垂直之剖面(X方向剖面)成為大致長方形形狀或大致正方形形狀。於該情形時，第1方向配線21之剖面形狀沿著第1方向配線21之長邊方向(Y方向)大致均勻。又，如圖6所示，各第2方向配線22之與長邊方向垂直之剖面(Y方向剖面)之形狀為大致長方形形狀或大致正方形形狀，與上述第1方向配線21之剖面(X方向剖面)形狀大致相同。於該情形時，第2方向配線22之剖面形狀沿著第2方向配線22之長邊方向(X方向)大致均勻。第1方向配線21與第2方向配線22之剖面形狀亦可不必為大致長方形形狀或大致正方形形狀，例如亦可為正面側(Z方向正側)較背面側(Z方向負側)窄之大致梯形形狀、或者位於長邊方向兩側之側面彎曲之形狀。
本實施方式中，第1方向配線21之線寬W 1(X方向之長度，參照圖5)及第2方向配線22之線寬W 2(Y方向之長度，參照圖6)並無特別限定，可根據用途適當選擇。例如，第1方向配線21之線寬W 1可於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳為0.2 μm以上2.0 μm以下。又，第2方向配線22之線寬W 2可於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳為0.2 μm以上2.0 μm以下。進而，第1方向配線21之高度H 1(Z方向之長度，參照圖5)及第2方向配線22之高度H 2(Z方向之長度，參照圖6)並無特別限定，可根據用途適當選擇。第1方向配線21之高度H 1及第2方向配線22之高度H 2可分別於例如0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳為0.2 μm以上2.0 μm以下。
第1方向配線21及第2方向配線22之材料只要為具有導電性之金屬材料即可。本實施方式中，第1方向配線21及第2方向配線22之材料為銅，但並不限定於此。第1方向配線21及第2方向配線22之材料例如可使用金、銀、銅、鉑、錫、鋁、鐵、鎳等金屬材料(包括合金)。又，第1方向配線21及第2方向配線22亦可為藉由電解鍍覆法而形成之鍍覆層。
網狀配線層20整體之開口率At例如可為87%以上且未達100%之範圍。藉由將網狀配線層20整體之開口率At設為該範圍，可確保配線基板10之導電性及透明性。再者，所謂開口率係指開口區域(不存在第1方向配線21、第2方向配線22等金屬部分且基板11露出之區域)之面積於規定區域(例如網狀配線層20之全域)之單位面積中所占之比率(%)。
再次參照圖3及圖4，饋電部40電性連接於網狀配線層20。該饋電部40由大致長方形狀之導電性薄板狀構件構成。饋電部40之長邊方向與X方向平行，饋電部40之短邊方向與Y方向平行。又，饋電部40配置於基板11之長邊方向端部(Y方向負側端部)。饋電部40之材料例如可使用金、銀、銅、鉑、錫、鋁、鐵、鎳等金屬材料(包括合金)。饋電部40與網狀配線層20不同，可為不具有開口之板狀構件。該饋電部40於將具備配線基板10之模組80A組裝至圖像顯示裝置60(參照圖1及圖2)時，經由饋電線85而與圖像顯示裝置60之通信模組63電性連接。再者，饋電部40係設置於基板11之第1面11a，但並不限定於此，饋電部40之一部分或全部亦可位於較基板11之周緣更靠外側。又，藉由將饋電部40形成得較為柔軟，亦可將饋電部40折入圖像顯示裝置60之側面或背面，可於側面或背面側電性連接。
如圖4所示，於饋電部40，在Y方向正側電性連接有複數個第1方向配線21。於該情形時，饋電部40與網狀配線層20形成為一體。饋電部40之厚度T 5(Z方向之長度，參照圖6)可設為與第1方向配線21之高度H 1(參照圖5)及第2方向配線22之高度H 2(參照圖6)相同，例如可於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇。
進而，如圖5及圖6所示，於基板11之第1面11a上，以覆蓋網狀配線層20及饋電部40之方式形成有保護層17。保護層17係保護網狀配線層20及饋電部40之層。如圖3、圖4及圖6所示，保護層17僅覆蓋饋電部40之一部分。即，於饋電部40形成有未被保護層17覆蓋之區域。具體而言，保護層17覆蓋網狀配線層20之全域、及饋電部40中之Y方向正側之一部分區域。而且，饋電部40中之Y方向負側之一部分區域未被保護層17覆蓋。換言之，於配線基板10形成有第1面11a被保護層17覆蓋之保護區域10a、及第1面11a未被保護層17覆蓋之非保護區域10b。
保護層17之厚度T 6(Z方向之長度，參照圖6)可為4.0 μm以上8.0 μm以下。藉由保護層17之厚度T 6為4.0 μm以上，可提高保護層17之耐摩擦性及耐候性。又，藉由保護層17之厚度T 6為8.0 μm以下，保護層17之厚度T 6不會變得過於厚，可使圖像顯示裝置60整體之厚度變薄。再者，本實施方式中，保護層17之厚度T 6係指饋電部40之正面至保護層17之正面之Z方向距離。
進而，保護層17之介電損耗正切較佳為0.005以下。藉此，可有效地抑制保護層17對網狀配線層20中之電波收發造成影響。因此，可抑制天線性能降低。再者，保護層17之介電損耗正切可藉由與測定基板11之相對介電常數之方法相同之方法，依據IEC 62562進行測定。此時，保護層17之介電損耗正切係於將保護層17自基板11剝離之狀態下測定。
作為保護層17之材料，可使用聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸系樹脂與其等之改性樹脂及共聚物、聚酯樹脂、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇縮乙醛、聚乙烯醇縮丁醛等聚乙烯樹脂及其等之共聚物、聚胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、聚醯胺樹脂、氯化聚烯烴等無色透明之絕緣性樹脂。
保護層17尤佳為包含丙烯酸系樹脂或聚酯樹脂。藉此，可進一步提昇第1方向配線21及第2方向配線22之間之密接性、以及與基板11之間之密接性。因此，可提高第1方向配線21及第2方向配線22之耐摩擦性及耐候性。進而可維持隱蔽性，並維持天線性能。
進而，保護層17較佳為包含二氧化矽。二氧化矽可以粉末形式添加至樹脂中。或者，亦可藉由蒸鍍法、濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法等方法形成為實質上不含樹脂之膜。藉此，可提昇保護層17之正面之順滑性及保護層17之抗反射性。
[模組之構成]  接下來，參照圖7至圖9，對模組之構成進行說明。圖7至圖9係表示本實施方式之模組之圖。
如圖7所示，模組80A具備：上述配線基板10；及饋電線85，其經由各向異性導電薄膜85c而電性連接於饋電部40。如上所述，於將模組80A組裝至具有顯示裝置61之圖像顯示裝置60時，配線基板10之饋電部40經由饋電線85而電性連接於圖像顯示裝置60之通信模組63。
饋電線85於俯視下具有大致長方形狀。於該情形時，饋電線85之寬度(X方向距離)可與饋電部40之寬度(X方向距離)大致相同。又，饋電線85之面積可與饋電部40之面積大致相同。藉此，可使饋電線85之電阻與饋電部40之電阻彼此接近。因此，可於饋電線85與饋電部40之間容易地取得阻抗匹配，從而可抑制饋電線85與饋電部40之間之電性連接性降低。
此處，如圖8(a)所示，亦可於饋電部40形成有貫通孔41。於圖示之例中，於饋電部40形成有複數個(6個)貫通孔41。即，於圖8(a)中，貫通孔41沿著X方向設置有3個，且具有該3個貫通孔41之行沿著Y方向設置有2行。再者，貫通孔41之配置數並不限定於此。如此，藉由在饋電部40形成貫通孔41，可容易地調整饋電部40之面積(存在金屬部分之區域之面積)。
又，如圖8(b)所示，饋電線85之饋電部40側之端部可形成為梳齒狀。即，饋電線85可具有：本體部88，其於俯視下具有大致長方形狀；及複數個(4個)突出部89，其等自本體部88向饋電部40側(Y方向正側)突出。藉此，可容易地調整饋電線85之面積。因此，可使饋電線85之面積與饋電部40之面積大致相同。再者，突出部89之個數亦可為1個以上3個以下，還可為5個以上。
再次參照圖7，饋電線85係經由各向異性導電薄膜(ACF)85c而壓接於配線基板10。各向異性導電薄膜85c包含丙烯酸系樹脂、環氧樹脂等樹脂材料及導電粒子85d(參照圖9)。各向異性導電薄膜85c覆蓋饋電部40中未被保護層17覆蓋之區域。藉此，可抑制饋電部40之腐蝕等。本實施方式中，各向異性導電薄膜85c覆蓋饋電部40中未被保護層17覆蓋之區域之全域。
又，如圖9所示，各向異性導電薄膜85c之一部分配置於保護層17上。藉此，各向異性導電薄膜85c可確實地覆蓋饋電部40中未被保護層17覆蓋之區域，從而能夠更有效地抑制饋電部40之腐蝕等。
各向異性導電薄膜85c係以與饋電部40對向之方式配置。而且，導電粒子85d之一部分與饋電部40接觸。藉此，使饋電線85電性連接於饋電部40。再者，於將饋電線85壓接於配線基板10時，各向異性導電薄膜85c之一部分亦可於饋電線85之周圍溶出。又，導電粒子85d之粒徑例如可為7 μm左右。
饋電線85例如可為軟性印刷基板。如圖9所示，饋電線85具有基材85a、及積層於基材85a之金屬配線部85b。其中，基材85a例如可包含聚醯亞胺等樹脂材料或液晶聚合物。又，金屬配線部85b例如可包含銅。該金屬配線部85b經由導電粒子85d而電性連接於饋電部40。
[配線基板之製造方法、模組之製造方法及圖像顯示裝置用積層體之製造方法]  接下來，參照圖10(a)-(f)、圖11(a)-(c)及圖12(a)-(c)，對本實施方式之配線基板10之製造方法、模組80A之製造方法及圖像顯示裝置用積層體70之製造方法進行說明。圖10(a)-(f)係表示本實施方式之配線基板10之製造方法之剖視圖。圖11(a)-(c)係表示本實施方式之模組80A之製造方法之剖視圖。圖12(a)-(c)係表示本實施方式之圖像顯示裝置用積層體70之製造方法之剖視圖。
首先，參照圖10(a)-(f)，對本實施方式之配線基板之製造方法進行說明。
首先，準備基板11，該基板11包含第1面11a及位於第1面11a之相反側之第2面11b。基板11具有透明性。
其次，於基板11之第1面11a上形成網狀配線層20、及電性連接於網狀配線層20之饋電部40。
此時，首先，如圖10(a)所示，於基板11之第1面11a之大致全域積層金屬箔51。本實施方式中，金屬箔51之厚度可為0.1 μm以上5.0 μm以下。本實施方式中，金屬箔51亦可包含銅。
其次，如圖10(b)所示，向金屬箔51之正面之大致全域供給光硬化性絕緣抗蝕劑52。作為該光硬化性絕緣抗蝕劑52，例如可例舉丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂等有機樹脂。
繼而，如圖10(c)所示，藉由光微影法形成絕緣層54。於該情形時，藉由光微影法使光硬化性絕緣抗蝕劑52圖案化，而形成絕緣層54(抗蝕圖案)。此時，以使與第1方向配線21及第2方向配線22對應之金屬箔51露出之方式形成絕緣層54。
其次，如圖10(d)所示，將位於基板11之第1面11a上之未被絕緣層54覆蓋之部分的金屬箔51去除。此時，藉由使用氯化鐵、氯化銅、硫酸、鹽酸等強酸、過硫酸鹽、過氧化氫或其等之水溶液、或者其等之組合等進行濕式處理，而以使基板11之第1面11a露出之方式對金屬箔51進行蝕刻。
繼而，如圖10(e)所示，將絕緣層54去除。於該情形時，藉由進行使用過錳酸鹽溶液或N-甲基-2-吡咯啶酮、酸性或鹼性溶液等之濕式處理、或使用氧電漿之乾式處理，而將金屬箔51上之絕緣層54去除。
以此方式獲得基板11、及設置於基板11之第1面11a上之網狀配線層20。於該情形時，網狀配線層20包含第1方向配線21及第2方向配線22。此時，可藉由金屬箔之一部分形成饋電部40。或者，亦可另外準備平板狀之饋電部40，並將該饋電部40電性連接於網狀配線層20。
其後，如圖10(f)所示，於基板11之第1面11a上，以覆蓋網狀配線層20及饋電部40之方式形成保護層17。保護層17係以僅覆蓋饋電部40之一部分之方式形成(參照圖9)。作為形成保護層17之方法，可使用輥式塗佈、凹版塗佈、反向凹版塗佈、微型凹版塗佈、狹縫式模嘴塗佈、模嘴塗佈、刮刀塗佈、噴墨塗佈、分注器塗佈、接觸塗佈、噴塗、網版印刷、膠版印刷、軟版印刷。
以此方式獲得配線基板10，該配線基板10具有：基板11；網狀配線層20，其配置於基板11之第1面11a上；饋電部40，其電性連接於網狀配線層20；及保護層17，其配置於基板11之第1面11a上，且覆蓋網狀配線層20及饋電部40。
接下來，參照圖11(a)-(c)，對本實施方式之模組之製造方法進行說明。
首先，如圖11(a)所示，準備配線基板10。此時，例如藉由圖10(a)-(f)所示之方法製作配線基板10。
其次，經由包含導電粒子85d之各向異性導電薄膜85c將饋電線85電性連接於饋電部40。此時，首先，如圖11(b)所示，於配線基板10上配置各向異性導電薄膜85c。此時，各向異性導電薄膜85c係以與饋電部40對向之方式配置。
繼而，如圖11(c)所示，使饋電線85壓接於配線基板10。此時，藉由對饋電線85施加壓力及熱，而使饋電線85壓接於配線基板10。而且，導電粒子85d之一部分與饋電部40接觸。以此方式使饋電線85電性連接於饋電部40。於使饋電線85壓接於配線基板10時，以各向異性導電薄膜85c覆蓋饋電部40中未被保護層17覆蓋之區域之方式使饋電線85壓接於配線基板10。又，藉由使各向異性導電薄膜85c之一部分於饋電線85之周圍溶出，而將各向異性導電薄膜85c之一部分配置於保護層17上。
以此方式獲得模組80A，該模組80A具備：配線基板10；及饋電線85，其經由包含導電粒子85d之各向異性導電薄膜85c而電性連接於饋電部40。
接下來，參照圖12(a)-(c)，對本實施方式之圖像顯示裝置用積層體70之製造方法進行說明。
其次，將第1透明接著層95、模組80A之配線基板10、及第2透明接著層96彼此積層。此時，首先，如圖12(a)所示，例如準備OCA片材90a，該OCA片材90a包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之離型薄膜91、及積層於離型薄膜91上之OCA層92(第1透明接著層95或第2透明接著層96)。此時，OCA層92可為將包含聚合性化合物之液狀硬化性接著層用組合物塗佈於離型薄膜91上，並使用例如紫外線(UV)等使其硬化而成之層。該硬化性接著層用組合物包括含極性基之單體。
其次，如圖12(b)所示，將OCA片材90a之OCA層92貼合於配線基板10。藉此，利用OCA層92將配線基板10夾住。
其後，如圖12(c)所示，自貼合於配線基板10之OCA片材90a之OCA層92剝離去除離型薄膜91，藉此，獲得彼此積層之第1透明接著層95(OCA層92)、配線基板10及第2透明接著層96(OCA層92)。
以此方式獲得圖像顯示裝置用積層體70，該圖像顯示裝置用積層體70具備第1透明接著層95、第2透明接著層96、及具備配線基板10之模組80A。
其後，藉由在圖像顯示裝置用積層體70上積層顯示裝置61，而獲得具備圖像顯示裝置用積層體70、及積層於圖像顯示裝置用積層體70之顯示裝置61的圖像顯示裝置60。
[本實施方式之作用]  接下來，對包含此種構成之本實施方式之作用進行闡述。
如圖1及圖2所示，配線基板10係組裝至具有顯示裝置61之圖像顯示裝置60。此時，配線基板10配置於顯示裝置61上。配線基板10之網狀配線層20經由饋電部40及饋電線85而電性連接於圖像顯示裝置60之通信模組63。以此方式，可經由網狀配線層20收發規定頻率之電波，從而可使用圖像顯示裝置60進行通信。
根據本實施方式，保護層17僅覆蓋饋電部40之一部分，各向異性導電薄膜85c覆蓋饋電部40中未被保護層17覆蓋之區域。藉此，可抑制饋電線85與饋電部40之間之電性連接性降低，並且可抑制饋電部40之腐蝕等。
又，根據本實施方式，配線基板10具備基板11、及配置於基板11上之網狀配線層20。又，基板11具有透明性。進而，網狀配線層20具有由作為不透明之導電體層之形成部之導體部、及多個開口部構成之網狀圖案。因此，可確保配線基板10之透明性。藉此，於將配線基板10配置於顯示裝置61上時，可自網狀配線層20之開口部23視認顯示裝置61，顯示裝置61之視認性不會受到妨礙。
進而，根據本實施方式，各向異性導電薄膜85c之一部分配置於保護層17上。藉此，各向異性導電薄膜85c可確實地覆蓋饋電部40中未被保護層17覆蓋之區域，從而能夠更有效地抑制饋電部40之腐蝕等。
[變化例]  接下來，對模組之變化例進行說明。
(第1變化例)  圖13表示模組之第1變化例。圖13所示之變化例之不同點在於，配線基板10進而具有設置於網狀配線層20上之暗色層18，其他構成與上述圖1至圖12所示之形態大致相同。於圖13中，對與圖1至圖12所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖13所示之模組80A中，於配線基板10之網狀配線層20上形成有暗色層(黑化層)18。該暗色層18係用以藉由抑制網狀配線層20對可見光之反射而使得網狀配線層20不易被肉眼視認之層。如圖13所示，暗色層18覆蓋網狀配線層20之全域及饋電部40之全域。又，暗色層18由保護層17覆蓋。
暗色層18例如只要為可見光之反射率較保護層17低之層即可，例如可為黑色等暗色之層。又，暗色層18亦可為正面經粗化之層。
暗色層18例如可藉由對構成網狀配線層20或饋電部40之金屬材料之一部分實施暗色化處理(黑化處理)，而由構成網狀配線層20或饋電部40之一部分形成。於該情形時，暗色層18可形成為包含金屬氧化物或金屬硫化物之層。又，暗色層18亦可作為暗色材料之塗膜、或者鎳或鉻等鍍覆層而形成於網狀配線層20或饋電部40之正面上。進而，暗色層18亦可藉由將網狀配線層20或饋電部40之正面粗化而形成。
根據本變化例，配線基板10進而具有設置於網狀配線層20上之暗色層18。藉此，可抑制網狀配線層20對可見光之反射，從而可使得網狀配線層20更不易被肉眼所視認。
又，本變化例中，保護層17亦僅覆蓋饋電部40之一部分，各向異性導電薄膜85c(參照圖9)亦覆蓋饋電部40中未被保護層17覆蓋之區域。藉此，可抑制饋電線85與饋電部40之間之電性連接性降低，並且可抑制饋電部40之腐蝕等。此處，於為了抑制網狀配線層20對可見光之反射而於饋電部40上形成有暗色層18之情形時，饋電部40之耐蝕性可能會降低。對此，於本變化例中，如上所述，能夠抑制饋電部40之腐蝕等。因此，根據本變化例，可抑制饋電部40之腐蝕等，並且可抑制網狀配線層20對可見光之反射。
(第2變化例)  圖14及圖15表示模組之第2變化例。圖14及圖15所示之變化例之不同點在於，各向異性導電薄膜85c僅覆蓋饋電部40中未被保護層17覆蓋之區域之一部分，其他構成與上述圖1至圖13所示之形態大致相同。於圖14及圖15中，對與圖1至圖13所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖14所示之模組80A中，各向異性導電薄膜85c僅覆蓋饋電部40中未被保護層17覆蓋之區域之一部分。而且，饋電部40中未被保護層17及各向異性導電薄膜85c中之任一者覆蓋之區域被包含具有耐蝕性之材料之被覆層86覆蓋。於該情形時，作為被覆層86之材料，可使用金等金屬、或者環氧樹脂、醯亞胺樹脂或丙烯酸系樹脂等樹脂。
接下來，參照圖15(a)-(d)，對本變化例之模組之製造方法進行說明。
首先，如圖15(a)所示，準備配線基板10。此時，例如藉由圖10(a)-(f)所示之方法製作配線基板10。
其次，經由包含導電粒子85d之各向異性導電薄膜85c使饋電線85壓接於配線基板10。此時，首先，如圖15(b)所示，於配線基板10上配置各向異性導電薄膜85c。此時，各向異性導電薄膜85c係以與饋電部40對向之方式配置。
繼而，如圖15(c)所示，使饋電線85壓接於配線基板10。此時，以各向異性導電薄膜85c僅覆蓋饋電部40中未被保護層17覆蓋之區域之一部分之方式，使饋電線85壓接於配線基板10。
其次，如圖15(d)所示，於饋電部40中未被保護層17及各向異性導電薄膜85c中之任一者覆蓋之區域，以覆蓋饋電部40之方式形成被覆層86。此時，可藉由鍍覆而形成被覆層86，可使用例如金作為構成被覆層86之金屬。
以此方式獲得模組80A，該模組80A具備：配線基板10；及饋電線85，其經由包含導電粒子85d之各向異性導電薄膜85c而電性連接於饋電部40。
根據本變化例，饋電部40中未被保護層17及各向異性導電薄膜85c中之任一者覆蓋之區域被包含具有耐蝕性之材料之被覆層86覆蓋。於該情形時，亦能夠抑制饋電線85與饋電部40之間之電性連接性降低，並且亦能夠抑制饋電部40之腐蝕等。
(第3變化例)  圖16及圖17表示模組之第3變化例。圖16及圖17所示之變化例之不同點在於，導電粒子85d進入保護層17內，其他構成與上述圖1至圖15所示之形態大致相同。於圖16及圖17中，對與圖1至圖15所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖16所示之模組80A中，導電粒子85d進入保護層17內。而且，饋電線85係藉由導電粒子85d進入保護層17內而電性連接於饋電部40。即，各向異性導電薄膜85c之導電粒子85d於將饋電線85壓接於配線基板10時，穿破保護層17之正面而進入保護層17內。而且，導電粒子85d之一部分與饋電部40接觸。如此，藉由使導電粒子85d進入保護層17內，而將饋電線85電性連接於饋電部40。
本變化例中，保護層17之正面之鉛筆硬度較佳為B以上2 H以下。藉由保護層17之正面之鉛筆硬度為B以上，可提高保護層17之耐摩擦性及耐候性。又，藉由保護層17之正面之鉛筆硬度為2H以下，可使各向異性導電薄膜(ACF)85c之導電粒子85d容易進入保護層17內，可提昇饋電部40與饋電線85之間之電性連接性。再者，鉛筆硬度可依據JISK5600-5-4：1999中規定之鉛筆硬度試驗進行測定。
又，如上所述，保護層17之厚度T 6(參照圖6)可為4.0 μm以上8.0 μm以下。藉由保護層17之厚度T 6為8.0 μm以下，而於各向異性導電薄膜(ACF)85c之導電粒子85d進入保護層17內時，可使該導電粒子85d容易與饋電部40接觸。因此，可確保饋電部40與饋電線85之間之電性連接。
接下來，參照圖17(a)-(c)，對本變化例之模組之製造方法進行說明。
首先，如圖17(a)所示，準備配線基板10。此時，例如，藉由圖10(a)-(f)所示之方法製作配線基板10。此處，於本變化例中，保護層17亦可以覆蓋饋電部40之全域之方式形成(參照圖17(a))。
其次，經由包含導電粒子85d之各向異性導電薄膜85c使饋電線85壓接於配線基板10。此時，首先，如圖17(b)所示，於配線基板10上配置各向異性導電薄膜85c。此時，各向異性導電薄膜85c係以與饋電部40對向之方式配置。
繼而，如圖17(c)所示，使饋電線85壓接於配線基板10。此時，各向異性導電薄膜85c之導電粒子85d穿破保護層17之正面而進入保護層17內。而且，導電粒子85d之一部分與饋電部40接觸。如此，藉由使導電粒子85d進入保護層17內，而將饋電線85電性連接於饋電部40。
以此方式獲得模組80A，該模組80A具備：配線基板10；及饋電線85，其經由包含導電粒子85d之各向異性導電薄膜85c而電性連接於饋電部40。
根據本變化例，饋電線85係藉由使導電粒子85d進入保護層17內而電性連接於饋電部40。於該情形時，亦能夠抑制饋電線85與饋電部40之間之電性連接性降低，並且亦能夠抑制饋電部40之腐蝕等。
接下來，對配線基板之變化例進行說明。
(第1變化例)  圖18及圖19表示配線基板之第1變化例。圖18及圖19所示之變化例之不同點在於，於網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30，其他構成與上述圖1至圖17所示之形態大致相同。於圖18及圖19中，對與圖1至圖17所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖18所示之配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30。該虛設配線層30與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。
如圖19所示，虛設配線層30包含具有規定之單位圖案形狀之重複之虛設配線30a。即，虛設配線層30包含複數個相同形狀之虛設配線30a，各虛設配線30a分別與網狀配線層20(第1方向配線21及第2方向配線22)電性獨立。換言之，於水平方向上，各虛設配線30a分別與網狀配線層20相隔。又，複數個虛設配線30a係遍及虛設配線層30內之全域有規律地配置。複數個虛設配線30a彼此於平面方向上相隔，並且於基板11上突出配置。即，各虛設配線30a與網狀配線層20、饋電部40及其他虛設配線30a電性獨立。各虛設配線30a分別於俯視下呈大致L字狀。
於該情形時，虛設配線30a具有上述網狀配線層20之單位圖案形狀之一部分欠缺而成之形狀。藉此，可使得藉由目測不易辨識網狀配線層20與虛設配線層30之差異，從而可使配置於基板11上之網狀配線層20不易被看到。虛設配線層30之開口率可與網狀配線層20之開口率相同，亦可不同，較佳為接近於網狀配線層20之開口率。
如此，藉由在網狀配線層20之周圍配置與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30，可使網狀配線層20之外緣不清晰。藉此，可使得於圖像顯示裝置60之正面上不易看到網狀配線層20，從而可使圖像顯示裝置60之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。
(第2變化例)  圖20及圖21表示配線基板之第2變化例。圖20及圖21所示之變化例之不同點在於，於網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之複數個虛設配線層30A、30B，其他構成與上述圖1至圖19所示之形態大致相同。於圖20及圖21中，對與圖1至圖19所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖20所示之配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之複數個(於該情形時為2個)虛設配線層30A、30B(第1虛設配線層30A及第2虛設配線層30B)。具體而言，沿著網狀配線層20之周圍配置有第1虛設配線層30A，且沿著第1虛設配線層30A之周圍配置有第2虛設配線層30B。該虛設配線層30A、30B與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。
如圖21所示，第1虛設配線層30A包含具有規定之單位圖案形狀之重複之虛設配線30a1。又，第2虛設配線層30B包含具有規定之單位圖案形狀之重複之虛設配線30a2。即，虛設配線層30A、30B分別包含複數個相同形狀之虛設配線30a1、30a2，各虛設配線30a1、30a2分別與網狀配線層20電性獨立。又，虛設配線30a1、30a2分別係遍及虛設配線層30A、30B內之全域有規律地配置。各虛設配線30a1、30a2分別於平面方向上彼此相隔，並且於基板11上突出配置。各虛設配線30a1、30a2分別與網狀配線層20、饋電部40及其他虛設配線30a1、30a2電性獨立。又，各虛設配線30a1、30a2分別於俯視下呈大致L字狀。
於該情形時，虛設配線30a1、30a2具有上述網狀配線層20之單位圖案形狀之一部分欠缺而成之形狀。藉此，可使得藉由目測不易辨識網狀配線層20與第1虛設配線層30A之差異、及第1虛設配線層30A與第2虛設配線層30B之差異，從而可使配置於基板11上之網狀配線層20不易被看到。第1虛設配線層30A之開口率大於網狀配線層20之開口率，且第1虛設配線層30A之開口率大於第2虛設配線層30B之開口率。
再者，第1虛設配線層30A之各虛設配線30a1之面積大於第2虛設配線層30B之各虛設配線30a2之面積。於該情形時，各虛設配線30a1之線寬與各虛設配線30a2之線寬相同，但並不限定於此，各虛設配線30a1之線寬亦可較各虛設配線30a2之線寬粗。又，亦可設置開口率互不相同之3個以上虛設配線層。於該情形時，各虛設配線層之開口率較佳為自接近於網狀配線層20者向遠離網狀配線層20者逐漸變大。
如此，藉由配置與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30A、30B，可使網狀配線層20之外緣更不清晰。藉此，可使得於圖像顯示裝置60之正面上不易看到網狀配線層20，從而可使圖像顯示裝置60之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。
(第3變化例)  圖22表示配線基板之第3變化例。圖22所示之變化例中，網狀配線層20之平面形狀不同，其他構成與上述圖1至圖21所示之形態大致相同。於圖22中，對與圖1至圖21所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖22係表示一變化例之網狀配線層20之放大俯視圖。圖22中，第1方向配線21與第2方向配線22斜向(非直角)相交，各開口部23於俯視下形成為菱形。第1方向配線21及第2方向配線22分別不與X方向及Y方向中之任一者平行，但亦可為第1方向配線21及第2方向配線22中之任一者與X方向或Y方向平行。
(第2實施方式)  接下來，利用圖23至圖30對第2實施方式進行說明。圖23至圖30係表示本實施方式之圖。於圖23至圖30中，對與圖1至圖22所示之第1實施方式相同之部分標註相同之符號，有時省略詳細說明。
[圖像顯示裝置之構成]  參照圖23及圖24，對本實施方式之圖像顯示裝置之構成進行說明。
如圖23及圖24所示，本實施方式之圖像顯示裝置60具備：圖像顯示裝置用積層體70；及顯示部(顯示器)610，其積層於圖像顯示裝置用積層體70，且具有顯示區域61a。其中，圖像顯示裝置用積層體70具有第3接著層950、第4接著層960、及位於第3接著層950與第4接著層960之間之配線基板10。又，於相對於顯示部610之Z方向負側配置有通信模組63。圖像顯示裝置用積層體70、顯示部610、及通信模組63收容於殼體62內。
配線基板10具備具有透明性之基板11、金屬層90、及保護層17。金屬層90配置於基板11上。金屬層90具有網狀配線層20、及電性連接於網狀配線層20之饋電部40。保護層17覆蓋金屬層90之一部分。即，金屬層90之一部分未被保護層17覆蓋。換言之，金屬層90包含未被保護層17覆蓋之部分。保護層17存在於第1區域A1之至少一部分，不存在於第2區域A2。第1區域A1係不與圖像顯示裝置60之顯示區域61a重疊之區域。又，第2區域A2係與圖像顯示裝置60之顯示區域61a重疊之區域。
如圖24所示，圖像顯示裝置60具有發光面64。配線基板10相對於顯示部610位於發光面64側(Z方向正側)。通信模組63相對於顯示部610位於發光面64之相反側(Z方向負側)。
顯示部610例如包括有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置。顯示部610於配線基板10側具有顯示區域61a。顯示區域61a係指顯示部610之正面中與顯示圖像等之畫面對應之區域。顯示部610例如可包含未圖示之金屬層、支持基材、樹脂基材、薄膜電晶體(TFT)、及有機EL層。亦可於顯示部610上配置有未圖示之觸控感測器。又，於顯示部610上，介隔第3接著層950配置有配線基板10。再者，顯示部610並不限定於有機EL顯示裝置。例如，顯示部610可為其本身具有發光功能之其他顯示裝置，亦可為包含微型LED元件(發光體)之微型LED顯示裝置。又，顯示部610亦可為包含液晶之液晶顯示裝置。於配線基板10上，介隔第4接著層960而配置有覆蓋玻璃(正面保護板)75。在第4接著層960與覆蓋玻璃75之間配置有加飾薄膜74。加飾薄膜74可界定第2區域A2與第1區域A1之交界。即，加飾薄膜74之內周可位於上述交界上。再者，於第4接著層960與覆蓋玻璃75之間，亦可配置有未圖示之偏光板。
第3接著層950係將顯示部610直接或間接地接著於配線基板10之接著層。第3接著層950具有光學透明性。第3接著層950具有較配線基板10之基板11大之面積。第3接著層950之可見光線之透過率可為85%以上，較佳為90%以上。第3接著層950之可見光線之透過率之上限並無特別限定，例如可設為100%以下。再者，所謂可見光線係指波長為400 nm以上700 nm以下之光線。又，可見光線之透過率為85%以上係指，使用公知之分光光度計(例如，日本分光股份有限公司製造之分光器：V-670)對第3接著層950測定吸光度時，於400 nm～700 nm之全波長區域內其透過率為85%以上。
第3接著層950可為OCA(Optical Clear Adhesive)層。OCA層例如係以如下方式製作之層。首先，於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等離型薄膜上塗佈包含聚合性化合物之液狀之硬化性接著層用組合物。繼而，例如使用紫外線(UV)等使硬化性接著層用組合物硬化，而獲得OCA片材。將該OCA片材貼合於對象物之後，將離型薄膜剝離去除，藉此獲得上述OCA層。第3接著層950之材料可為丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂或胺基甲酸酯系樹脂等。
如上所述，配線基板10相對於顯示部610配置於發光面64側。於該情形時，配線基板10位於第3接著層950與第4接著層960之間。更具體而言，配線基板10之基板11之一部分區域配置於第3接著層950與第4接著層960之間之一部分區域。於該情形時，第3接著層950、第4接著層960、顯示部610及覆蓋玻璃75分別具有較配線基板10之基板11大之面積。藉由如此般將配線基板10之基板11於俯視下配置於圖像顯示裝置60之一部分區域而非整個面，可使圖像顯示裝置60整體之厚度變薄。
配線基板10具有：基板11，其具有透明性；金屬層90，其配置於基板11上；及保護層17，其覆蓋金屬層90之一部分。金屬層90包含網狀配線層20、及電性連接於網狀配線層20之饋電部40。饋電部40電性連接於通信模組63。又，於第1區域A1中，配線基板10之一部分並未配置於第3接著層950與第4接著層960之間，而是自第3接著層950與第4接著層960之間向外側(Y方向負側)突出。具體而言，配線基板10中設置有饋電部40之區域向外側突出。藉此，可容易地進行饋電部40與通信模組63之電性連接。另一方面，配線基板10中設置有網狀配線層20之區域位於第3接著層950與第4接著層960之間。再者，網狀配線層20之一部分亦可向外側突出。又，於第1區域A1中，配線基板10之一部分彎曲。再者，關於配線基板10之詳情，將於下文中敍述。
第4接著層960係將配線基板10直接或間接地接著於覆蓋玻璃75之接著層。第4接著層960具有較配線基板10之基板11大之面積。第4接著層960係與第3接著層950同樣地，具有光學透明性。第4接著層960之可見光線之透過率可為85%以上，較佳為90%以上。第4接著層960之可見光線之透過率之上限並無特別限定，例如可設為100%以下。第4接著層960可為OCA(Optical Clear Adhesive)層。第4接著層960之材料可為丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂或胺基甲酸酯系樹脂等。第4接著層960可包含與第3接著層950相同之材料。
又，於圖24中，第3接著層950之厚度T 13與第4接著層960之厚度T 14中之至少一厚度可為基板11之厚度T 1之1.5倍以上，較佳為2.0倍以上，進而較佳為2.5倍以上。如此，藉由使第3接著層950之厚度T 13或第4接著層960之厚度T 14相對於基板11之厚度T 1足夠厚，而使與基板11重疊之區域的第3接著層950或第4接著層960於厚度方向上變形，吸收基板11之厚度。藉此，可抑制於基板11之周緣第3接著層950或第4接著層960產生階差，從而使得觀察者不易辨識基板11之存在。
又，第3接著層950之厚度T 13及第4接著層960之厚度T 14中之至少一厚度可為基板11之厚度T 1之10倍以下，較佳為5倍以下。藉此，第3接著層950之厚度T 13或第4接著層960之厚度T 14不會變得過於厚，可使圖像顯示裝置60整體之厚度變薄。
第3接著層950之厚度T 13與第4接著層960之厚度T 14可彼此相同。於該情形時，第3接著層950之厚度T 13及第4接著層960之厚度T 14可分別為基板11之厚度T 1之1.2倍以上，較佳為1.5倍以上，進而較佳為2.0倍以上。即，第3接著層950之厚度T 13及第4接著層960之厚度T 14之合計(T 13＋T 14)為基板11之厚度T 1之3倍以上。如此，藉由使第3接著層950及第4接著層960之厚度T 13、T 14之合計相對於基板11之厚度T 1足夠厚，而使與基板11重疊之區域的第3接著層950及第4接著層960於厚度方向上變形，吸收基板11之厚度。藉此，可抑制於基板11之周緣第3接著層950或第4接著層960產生階差，從而可使得觀察者不易辨識基板11之存在。
又，於第3接著層950之厚度T 13與第4接著層960之厚度T 14彼此相同之情形時，第3接著層950之厚度T 13及第4接著層960之厚度T 14可分別為基板11之厚度T 1之5倍以下，較佳為3倍以下。藉此，第3接著層950及第4接著層960兩者之厚度T 13、T 14不會變得過於厚，可使圖像顯示裝置60整體之厚度變薄。
具體而言，基板11之厚度T 1例如可設為10 μm以上50 μm以下，較佳設為15 μm以上25 μm以下。藉由將基板11之厚度T 1設為10 μm以上，可保持配線基板10之強度，使下述網狀配線層20之第1方向配線21及第2方向配線22不易變形。又，藉由將基板11之厚度T 1設為50 μm以下，可抑制於基板11之周緣第3接著層950及第4接著層960產生階差，從而可使得觀察者不易辨識基板11之存在。
第3接著層950之厚度T 13例如可設為15 μm以上500 μm以下，較佳設為20 μm以上250 μm以下。第4接著層960之厚度T 14例如可設為15 μm以上500 μm以下，較佳設為20 μm以上250 μm以下。
如上所述，藉由配線基板10、第3接著層950、及第4接著層960構成圖像顯示裝置用積層體70。本實施方式中，亦提供此種圖像顯示裝置用積層體70。
加飾薄膜74配置於第4接著層960上。該加飾薄膜74之自觀察者側觀察時與第2區域A2(顯示區域61a)對應之部分可開口。加飾薄膜74將除第2區域A2(顯示區域61a)以外之第1區域A1遮蔽。即，加飾薄膜74可以自觀察者側觀察時遍及全周覆蓋顯示部610之端部之方式配置。
如圖23所示，圖像顯示裝置60於俯視下整體為大致長方形狀，其長邊方向與Y方向平行，其短邊方向與X方向平行。圖像顯示裝置60之長邊方向(Y方向)之長度L 4例如可於20 mm以上500 mm以下、較理想為100 mm以上200 mm以下之範圍內選擇。基板11之短邊方向(X方向)之長度L 5例如可於20 mm以上500 mm以下、較理想為50 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。再者，圖像顯示裝置60之角部亦可分別帶有弧度。
[配線基板之構成]  接下來，參照圖25至圖28，對配線基板之構成進行說明。圖25至圖28係表示本實施方式之配線基板之圖。
如圖25所示，本實施方式之配線基板10用於上述圖像顯示裝置60(參照圖23及圖24)。配線基板10配置於較顯示部610更靠發光面64側且第3接著層950與第4接著層960之間。此種配線基板10具備具有透明性之基板11、金屬層90、及保護層17。金屬層90配置於基板11上。保護層17覆蓋金屬層90之一部分。又，金屬層90包含網狀配線層20、及電性連接於網狀配線層20之饋電部40。
如圖26所示，本實施方式中，亦藉由被彼此相鄰之第1方向配線21與彼此相鄰之第2方向配線22包圍，而形成有複數個開口部23。本實施方式中，複數個第1方向配線21之間距P 1亦可設為例如0.01 mm以上1 mm以下之範圍。又，複數個第2方向配線22之間距P 2亦可設為例如0.01 mm以上1 mm以下之範圍。進而，各開口部23之一邊之長度L 3亦可設為例如0.01 mm以上1 mm以下之範圍。
如圖27所示，本實施方式中，各第1方向配線21之與其長邊方向垂直之剖面(X方向剖面)亦成為大致長方形形狀或大致正方形形狀。又，如圖28所示，本實施方式中，各第2方向配線22之與長邊方向垂直之剖面(Y方向剖面)之形狀亦為大致長方形形狀或大致正方形形狀，與上述第1方向配線21之剖面(X方向剖面)形狀大致相同。
保護層17係於基板11之正面上以覆蓋金屬層90之方式形成。即，於配線基板10中，保護層17以於俯視下與金屬層90重疊之方式形成。保護層17係保護金屬層90者。具體而言，保護層17覆蓋饋電部40中除進行電性連接之部分以外之全域。又，保護層17進而覆蓋網狀配線層20之一部分區域(饋電部40側之區域)。再者，並不限定於此，保護層17亦可僅覆蓋饋電部40之一部分區域。又，保護層17亦可不覆蓋網狀配線層20。於不存在金屬層90之區域，保護層17覆蓋基板11。保護層17係形成於基板11之寬度方向(X方向)之大致全域，但亦可僅形成於基板11之寬度方向之一部分區域。
如上所述，保護層17存在於不與顯示區域61a重疊之第1區域A1。保護層17於配線基板10中僅存在於第1區域A1。另一方面，保護層17不存在於與顯示區域61a重疊之第2區域A2。即，遍及第2區域A2之全域不存在保護層17。此處，第1區域A1係自發光面64側(Z方向正側)觀察時不與顯示區域61a重疊之區域(非顯示區域)。又，第2區域A2係自發光面64側(Z方向正側)觀察時與顯示區域61a重疊之區域(顯示區域)。保護層17之位於第2區域A2側(Y方向正側)之端緣17a(參照圖24)亦可與加飾薄膜74重疊。保護層17之端緣17a位於第3接著層950與第4接著層960之間。然而，並不限定於此，保護層17之端緣17a亦可自第3接著層950及第4接著層960向外側露出。如此，藉由不將保護層17設為於第2區域A2，保護層17實質上不會被觀察者之肉眼視認，從而使得觀察者不易辨識配線基板10之存在。
如圖24所示，於較第3接著層950及第4接著層960更靠外側，配線基板10之一部分彎曲。具體而言，配線基板10之基板11、金屬層90及保護層17朝向顯示部610側呈大致C字狀彎曲。基板11、金屬層90及保護層17朝向顯示部610側(Z方向負側)彎曲。然而，並不限定於此，基板11、金屬層90及保護層17亦可朝向顯示部610之相反側(Z方向正側)彎曲。再者，本說明書中，「彎曲」並不限定於彎曲成曲線狀之情形。亦包括平面以形成銳角、直角或鈍角之方式彎曲之情形。例如基板11、金屬層90及保護層17亦可彎曲成L字狀。
於如此般彎曲之部分，位於最外側之保護層17覆蓋基板11及金屬層90。藉此，例如於將配線基板10彎折以用於安裝，隨之金屬層90被彎曲時，金屬層90受保護層17保護。藉此，可抑制對金屬層90之拉伸力導致金屬層90開裂或剝離。
作為保護層17之材料，可使用聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸系樹脂與其等之改性樹脂及共聚物、聚酯、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇縮乙醛、聚乙烯醇縮丁醛等聚乙烯樹脂與其等之共聚物、聚胺基甲酸酯、環氧樹脂、聚醯胺、氯化聚烯烴等無色透明之絕緣性樹脂。
120℃、1小時後之保護層17之熱收縮率與基板11之熱收縮率之差可為0%以上1%以下，較佳為0%以上0.5%以下。藉由保護層17之熱收縮率與基板11之熱收縮率之差為上述範圍內，可抑制於將配線基板10長時間置於高溫環境下時金屬層90開裂或剝離。具體而言，120℃、1小時後之保護層17之熱收縮率可為0.01%以上2.0%以下，較佳為0.01%以上1.0%以下，進而較佳為0.05%以上0.3%以下。又，120℃、1小時後之基板11之熱收縮率可為0.01%以上2.0%以下，較佳為0.01%以上1.0%以下，進而較佳為0.05%以上0.3%以下。
此處，120℃、1小時後之保護層17或基板11之熱收縮率係表示保護層17或基板11受熱時之尺寸變化程度之數值，可藉由下述方法進行測定。首先，將保護層17或基板11以長度50 mm(MD)×寬度4 mm(TD)之尺寸切下作為試驗片。其次，利用精密自動二維座標測定機(SINTO S-PRECISION股份有限公司製造：AMIC 700)測量試驗片之長度M(mm)。再者，長度與寬度能夠根據保護層17或基板11之尺寸適當調整，亦可分別小於長度50 mm、寬度4 mm。其次，用膠帶將試驗片之長度方向之端部(約1 mm)固定於金屬絲網，使試驗片成為自金屬絲網垂下之狀態。於該狀態下，將試驗片置於加熱至120℃之烘箱內1小時後，將試驗片連同金屬絲網一起取出，於室溫(25℃)環境下自然冷卻。其次，利用精密自動二維座標測定機(SINTO S-PRECISION股份有限公司製造：AMIC 700)測定已自然冷卻至室溫之試驗片之長度N(mm)。此時，利用下式算出熱收縮率。  熱收縮率(%)＝(1－(長度N/長度M))×100
保護層17之介電損耗正切可為0.002以下，較佳為0.001以下。再者，保護層17之介電損耗正切之下限並無特別限定，亦可設為超過0。藉由保護層17之介電損耗正切為上述範圍，尤其於網狀配線層20收發之電磁波(例如毫米波)為高頻之情形時，可減小伴隨著電磁波之收發之增益(感度)損失。保護層17之介電常數並無特別限制，可為2.0以上、10.0以下。
保護層17之介電損耗正切可依據IEC 62562進行測定。具體而言，首先，切下基板11及保護層17，並且將保護層17自基板11剝離，從而準備試驗片。試驗片之尺寸設為寬度10 mm至20 mm、長度50 mm至100 mm。其次，依據IEC 62562，測定介電損耗正切。
保護層17之厚度T 12可設為1 μm以上100 μm以下，亦可設為1 μm以上50 μm以下，還可設為5 μm以上50 μm以下，較佳設為5 μm以上25 μm以下。藉由保護層17之厚度T 12為1 μm以上，可提高保護層17之耐摩擦性及耐候性。又，藉由保護層17之厚度T 12為100 μm以下，可使配線基板10之厚度變薄，能夠確保配線基板10之彎曲部之可撓性。又，藉由保護層17之厚度T 12為50 μm以下，可使配線基板10之厚度更薄，能夠進一步確保配線基板10之彎曲部之可撓性。再者，本實施方式中，保護層17之厚度T 12係指使配線基板10彎曲之狀態下自金屬層90之正面至保護層17之正面測定之距離。
保護層17之厚度T 12相對於基板11之厚度T 1之比(T 12/T 1)可為0.02以上5.0以下，較佳為0.2以上1.5以下。藉由上述比(T 12/T 1)為0.02以上，可提高保護層17之耐摩擦性及耐候性。又，藉由上述比(T 12/T 1)為5.0以下，可使配線基板10之厚度變薄，能夠確保配線基板10之彎曲部之可撓性。
本實施方式中，亦可經由各向異性導電薄膜85c將饋電線85電性連接於配線基板10之饋電部40。而且，亦可藉由配線基板10、及經由各向異性導電薄膜85c而電性連接於饋電部40之饋電線85構成模組80A(參照圖1、圖2及圖7等)。
[配線基板之製造方法]  接下來，參照圖29(a)-(g)，對本實施方式之配線基板之製造方法進行說明。圖29(a)-(g)係表示本實施方式之配線基板之製造方法之剖視圖。
如圖29(a)所示，準備具有透明性之基板11。
其次，於基板11上形成金屬層90。金屬層90包含網狀配線層20、及電性連接於網狀配線層20之饋電部40。
此時，首先，如圖29(b)所示，於基板11之正面之大致全域積層金屬箔51。本實施方式中，金屬箔51之厚度可為0.1 μm以上5.0 μm以下。本實施方式中，金屬箔51亦可包含銅。
其次，如圖29(c)所示，向金屬箔51之正面之大致全域供給光硬化性絕緣抗蝕劑52。作為該光硬化性絕緣抗蝕劑52，例如可例舉丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂等有機樹脂。
繼而，如圖29(d)所示，藉由光微影法形成絕緣層54。於該情形時，藉由光微影法使光硬化性絕緣抗蝕劑52圖案化，而形成絕緣層54(抗蝕圖案)。此時，以使與金屬層90對應之金屬箔51露出之方式形成絕緣層54。
其次，如圖29(e)所示，將位於基板11之正面上之未被絕緣層54覆蓋之部分的金屬箔51去除。此時，藉由使用氯化鐵、氯化銅、硫酸、鹽酸等強酸、過硫酸鹽、過氧化氫或其等之水溶液、或者以上之組合等進行濕式處理，而以使基板11之正面露出之方式對金屬箔51進行蝕刻。
繼而，如圖29(f)所示，將絕緣層54去除。於該情形時，藉由進行使用過錳酸鹽溶液或N-甲基-2-吡咯啶酮、酸性或鹼性溶液等之濕式處理、或使用氧電漿之乾式處理，而將金屬箔51上之絕緣層54去除。
以此方式獲得配線基板10，該配線基板10具有基板11、及設置於基板11上之金屬層90。金屬層90包含網狀配線層20、及電性連接於網狀配線層20之饋電部40。
其後，如圖29(g)所示，以覆蓋基板11上之位於第1區域A1之金屬層90之方式形成保護層17。此時，保護層17未形成於第2區域A2。作為形成保護層17之方法，可使用輥式塗佈、凹版塗佈、反向凹版塗佈、微型凹版塗佈、狹縫式模嘴塗佈、模嘴塗佈、刮刀塗佈、噴墨塗佈、分注器塗佈、接觸塗佈、噴塗、網版印刷、膠版印刷、軟版印刷。
[本實施方式之作用]  接下來，對包含此種構成之本實施方式之作用進行闡述。
如圖23及圖24所示，配線基板10係組裝至具有顯示部610之圖像顯示裝置60。此時，配線基板10配置於顯示部610上。配線基板10之網狀配線層20經由饋電部40而電性連接於圖像顯示裝置60之通信模組63。以此方式，可經由網狀配線層20收發規定頻率之電波，從而可使用圖像顯示裝置60進行通信。
根據本實施方式，保護層17存在於不與圖像顯示裝置60之顯示區域61a重疊之第1區域A1。保護層17不存在於與圖像顯示裝置60之顯示區域61a重疊之第2區域A2。藉此，於觀察者自發光面64側觀察圖像顯示裝置60時，不會視認到保護層17與基板11之界面、或保護層17與第4接著層960之界面上之反射光。因此，觀察者藉由肉眼不易視認配線基板10。尤其於第3接著層950與第4接著層960分別具有較基板11大之面積之情形時，可使得觀察者用肉眼不易視認基板11之外緣，從而可使觀察者辨識不到基板11之存在。
又，根據本實施方式，於第2區域A2中，保護層17不與第4接著層960重疊。藉此，第4接著層960中與基板11之外緣對應之位置不易產生階差。因此，可使得觀察者用肉眼不易視認基板11之外緣，從而可使觀察者辨識不到基板11之存在。
又，根據本實施方式，保護層17存在於位於第1區域A1之金屬層90上。藉此，可抑制於安裝配線基板10時金屬層90產生損傷或金屬層90斷裂。
尤其於配線基板10之一部分於第1區域A1中彎曲之情形時，抑制因配線基板10彎曲時之拉伸力而導致金屬層90開裂或剝離。即，如圖30所示，於配線基板10彎曲時，相對柔軟之基板11與保護層17分別向外側被拉伸。另一方面，位於基板11與保護層17之間的金屬層90受到朝相反方向(內側)之力。因此，金屬層90不會被明顯拉伸。藉此，由保護層17保護金屬層90，抑制金屬層90開裂或剝離。
又，根據本實施方式，配線基板10具備：基板11，其具有透明性；及網狀配線層20，其配置於基板11上。該網狀配線層20具有由作為不透明之導電體層之形成部之導體部、及多個開口部構成之網狀圖案，因此確保了配線基板10之透明性。藉此，於將配線基板10配置於顯示部610上時，可自網狀配線層20之開口部23視認顯示區域61a，顯示區域61a之視認性不會受到妨礙。
[實施例]  接下來，對上述實施方式中之具體實施例進行說明。
(實施例A1)  製作具備基板、金屬層及保護層之配線基板(實施例A1)。基板由聚對苯二甲酸乙二酯製造，厚度設為10 μm。金屬層由銅製造，厚度設為2 μm。網狀配線層之線寬均設為2 μm，開口部均設為一邊為100 μm之正方形。僅於金屬層中不與顯示區域重疊之第1區域形成有保護層。保護層由丙烯酸系樹脂製造，厚度設為10 μm。
(實施例A2)  將基板之厚度設為25 μm，保護層之厚度設為25 μm，除此以外，以與實施例A1相同之方式製作配線基板(實施例A2)。
(比較例A1)  除未設置保護層以外，以與實施例A1相同之方式製作配線基板(比較例A1)。
(比較例A2)  將保護層之厚度設為12 μm，不僅於第1區域形成有保護層，還於第2區域形成有保護層，除此以外，以與實施例A1相同之方式製作配線基板(比較例A2)。
其次，針對實施例A1-2及比較例A1-2之配線基板，分別評估其等被組裝至圖像顯示裝置內時之安裝耐受性、隱蔽性及耐可撓性。將其結果示於表1。
關於「安裝耐受性」，將安裝配線基板過程中施加了熱或壓力時，未出現斷線或褶皺、崩塌等損壞者判定為「高」；將安裝配線基板過程中施加了熱或壓力時，出現斷線或褶皺、崩塌等損壞者判定為「低」。
關於「隱蔽性」，將於一般目測檢查環境中以相對於基材之正面成30°、60°、90°之角度觀察時，藉由目測無法識別配線基板之外緣者判定為「高」；將於一般目測檢查環境中以相對於基材之正面成30°、60°、90°之角度觀察時，藉由目測能夠識別配線基板之外緣者判定為「低」。
關於「耐可撓性」，將使用圓筒形心軸可撓試驗器使配線基板沿著直徑2 mm之圓筒之周圍彎曲180°時，金屬層未發生剝離或斷線且電阻值之變動未達0.5 Ω/□者判定為「高」；將使用圓筒形心軸可撓試驗器使配線基板沿著直徑2 mm之圓筒之周圍彎曲180°時，金屬層發生剝離或斷線、或者電阻值之變動為0.5 Ω/□以上者判定為「低」。
[表1]
   保護層之厚度 基板之厚度 保護層之形成位置 安裝耐受性 隱蔽性 耐可撓性
實施例A1 10 μm 10 μm 第1區域 高 高 高
實施例A2 25 μm 25 μm 第1區域 高 高 高
比較例A3 無 10 μm 無 低 高 低
比較例A4 12 μm 10 μm 第1區域+第2區域 高 低 高
如此，可判明實施例A1-2之配線基板之安裝耐受性、隱蔽性及耐可撓性均較高。可判明比較例A1-2之配線基板之安裝耐受性、隱蔽性及耐可撓性均較低。
[變化例]  接下來，對配線基板之變化例進行說明。
(第1變化例)  圖31表示配線基板之第1變化例。圖31所示之變化例之不同點在於，於網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30，其他構成與上述圖1至圖30所示之實施方式大致相同。於圖31中，對與圖1至圖30所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖31所示之配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30。該虛設配線層30與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。於該情形時，金屬層90包含網狀配線層20、虛設配線層30、及饋電部40。保護層17存在於第1區域A1，不存在於第2區域A2。
如此，藉由在網狀配線層20之周圍配置與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30，可使網狀配線層20之外緣不清晰。藉此，可使得於圖像顯示裝置60之正面上不易看到網狀配線層20，從而可使圖像顯示裝置60之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。
(第2變化例)  圖32表示配線基板之第2變化例。圖32所示之變化例之不同點在於，於網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之複數個虛設配線層30A、30B，其他構成與上述圖1至圖31所示之實施方式大致相同。於圖32中，對與圖1至圖31所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖32所示之配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之複數個(於該情形時為2個)虛設配線層30A、30B(第1虛設配線層30A及第2虛設配線層30B)。具體而言，沿著網狀配線層20之周圍配置有第1虛設配線層30A，且沿著第1虛設配線層30A之周圍配置有第2虛設配線層30B。該虛設配線層30A、30B與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。金屬層90包含網狀配線層20、虛設配線層30A、30B、及饋電部40。保護層17存在於第1區域A1，不存在於第2區域A2。
如此，藉由配置與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30A、30B，可使網狀配線層20之外緣更不清晰。藉此，可使得於圖像顯示裝置60之正面上不易看到網狀配線層20，從而可使圖像顯示裝置60之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。
(第3變化例)  圖33表示配線基板之第3變化例。圖33所示之變化例之不同點在於，在基板11與網狀配線層20之間配置有底塗層15，其他構成與上述圖1至圖32所示之實施方式大致相同。於圖33中，對與圖1至圖32所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖33所示之配線基板10中，於基板11之上形成有底塗層15，且於底塗層15之上形成有網狀配線層20。底塗層15發揮提昇網狀配線層20與基板11之密接性之作用。於該情形時，底塗層15設置於基板11之正面之大致全域。再者，底塗層15亦可僅設置於基板11之正面中設置有網狀配線層20之區域。
底塗層15可包含高分子材料。藉此，可有效地提昇網狀配線層20與基板11之密接性。於該情形時，可使用無色透明之高分子材料作為底塗層15之材料。又，底塗層15較佳為包含丙烯酸系樹脂或聚酯系樹脂。藉此，可更有效地提昇與網狀配線層20之密接性。
底塗層15之厚度較佳為0.05 μm以上0.5 μm以下。藉由底塗層15之厚度為上述範圍，可提昇網狀配線層20與基板11之密接性，並且確保配線基板10之透明性。
(第4變化例)  圖34表示配線基板之第4變化例。圖34所示之變化例之不同點在於，第1方向配線21及第2方向配線22具有黑化層28，其他構成與上述圖1至圖33所示之實施方式大致相同。於圖34中，對與圖1至圖33所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖34所示之配線基板10中，第1方向配線21及第2方向配線22分別具有本體部27、及形成於本體部27之外周之黑化層28。其中，本體部27構成第1方向配線21及第2方向配線22各者之主要部分，位於第1方向配線21及第2方向配線22之中心。又，黑化層28位於第1方向配線21及第2方向配線22之最外表面。
本體部27之材料只要為具有導電性之金屬材料即可。於本變化例中，本體部27之材料為銅，但並不限定於此。本體部27之材料例如可使用金、銀、銅、鉑、錫、鋁、鐵、鎳等金屬材料(包括合金)。
黑化層28係以覆蓋本體部27之外表面之方式形成。黑化層28分別形成於本體部27中之正面(Z方向正側之面)與側面(與Z方向正交之面)。黑化層28較佳為形成於本體部27之正面及側面之全域。另一方面，黑化層28可不形成於本體部27之背面(Z方向負側之面)。黑化層28係整體上呈黑色外觀且相較於本體部27更不易反射可見光之層。再者，所謂黑色，並非僅包括無色彩之黑色，還包括深灰色、帶有顏色之黑色或深灰色。
黑化層28之材料較佳為黑色之金屬材料，例如可包含鈀或碲。鈀或碲可藉由對本體部27進行取代處理而形成。具體而言，可藉由將本體部27之外表面之金屬原子由鈀或碲之原子取代之取代處理而形成。或者，黑化層28亦可為對本體部27進行氧化處理而得之層。具體而言，可藉由利用黑化處理液對本體部27之外表面進行氧化處理，而於本體部27之外表面形成本體部27氧化而成之氧化膜即黑化層28。例如於本體部27之材料為銅之情形時，黑化層28可包含氧化銅。
黑化層28之厚度可設為10 nm以上，較佳設為20 nm以上。藉由將黑化層28之厚度設為10 nm以上，從而本體部27被黑化層28充分覆蓋，因此黑化層28可充分吸收可見光線。藉此，可抑制黑化層28對可見光之反射，使得網狀配線層20不易被肉眼視認。黑化層28之厚度可設為100 nm以下，較佳設為60 nm以下。藉由將黑化層28之厚度設為100 nm以下，可抑制網狀配線層20之導電率因黑化層28之存在而降低，從而於收發電波時，電流不難於網狀配線層20中流通。關於黑化層28之厚度，可使用STEM-EDS(Scanning Transmission Electron Microscopy-Energy Dispersive X-ray Spectroscopy：掃描型穿透式電子顯微鏡-能量分散型X射線光譜分析)法進行測定。
根據本變化例，第1方向配線21及第2方向配線22分別具有本體部27、及形成於本體部27之外周之黑化層28。藉此，由於黑化層28吸收可見光，故可抑制本體部27對可見光之反射。其結果，可使得於圖像顯示裝置60之正面上不易看到網狀配線層20，從而可使觀察者用肉眼不易辨識網狀配線層20。
(第3實施方式)  接下來，利用圖35至圖37對第3實施方式進行說明。圖35至圖37係表示本實施方式之圖。於圖35至圖37中，對與圖1至圖22所示之第1實施方式相同之部分、或與圖23至圖34所示之第2實施方式相同之部分標註相同之符號，有時省略詳細說明。
[圖像顯示裝置之構成]  參照圖35，對本實施方式之圖像顯示裝置之構成進行說明。
如圖35所示，本實施方式之圖像顯示裝置60具備：圖像顯示裝置用積層體70；及顯示部(顯示器)610，其積層於圖像顯示裝置用積層體70，且具有顯示區域61a。本實施方式中，保護層17覆蓋金屬層90。基板11之折射率與保護層17之折射率之差為0.1以下。
本實施方式中，基板11之折射率、保護層17之折射率、第3接著層950之折射率、及第4接著層960之折射率中之最大值與最小值之差為0.1以下，較佳為0.07以下，進而較佳為0.05以下。上述折射率之最大值與最小值之差之下限並無特別限定，可設為0以上。此處，折射率係指絕對折射率，可基於JIS K-7142之A法而求出。例如，於第3接著層950之材料與第4接著層960之材料為丙烯酸系樹脂(折射率1.49)之情形時，基板11及保護層17之折射率分別為1.39以上1.59以下，且將基板11之折射率與保護層17之折射率之差設為0.1以下。
如此，將基板11之折射率、保護層17之折射率、第3接著層950之折射率、及第4接著層960之折射率中之最大值與最小值之差設為0.1以下。藉此，可分別抑制第3接著層950與基板11之界面B10、基板11與保護層17之界面B20及保護層17與第4接著層960之界面B30上之可見光之反射，使觀察者用肉眼不易視認配線基板10。
進而，較佳為使第3接著層950之材料與第4接著層960之材料彼此相同。藉此，可使第3接著層950與第4接著層960之折射率差更小，從而抑制第3接著層950與第4接著層960之界面B40上之可見光之反射。
[配線基板之構成]  接下來，參照圖36，對配線基板之構成進行說明。圖36係表示本實施方式之配線基板之圖。
如圖36所示，本實施方式之配線基板10用於上述圖像顯示裝置60(參照圖35)。配線基板10配置於較顯示部610更靠發光面64側且第3接著層950與第4接著層960之間。此種配線基板10具備具有透明性之基板11、金屬層90、及保護層17。金屬層90配置於基板11上。保護層17覆蓋金屬層90。又，金屬層90包含網狀配線層20、及電性連接於網狀配線層20之饋電部40。
基板11之材料為具有可見光線區域之透明性及電絕緣性之材料。本實施方式中，如上所述，基板11之材料係使用與保護層17之折射率之差為0.1以下者。又，作為基板11之材料，較佳為使用基板11之折射率、保護層17之折射率、第3接著層950之折射率、及第4接著層960之折射率中之最大值與最小值之差為0.1以下者。
保護層17係於基板11之正面上以覆蓋金屬層90之方式形成。保護層17係保護金屬層90者。保護層17可覆蓋網狀配線層20之全域及饋電部40之全域。或者，保護層17亦可僅覆蓋饋電部40之一部分區域。又，於不存在金屬層90之區域中，保護層17覆蓋基板11。於該情形時，保護層17係遍及基板11之全域而形成。具體而言，保護層17形成於基板11之寬度方向(X方向)及長邊方向(Y方向)之大致全域。再者，並不限定於此，保護層17亦可僅設置於基板11之一部分區域。例如，保護層17亦可僅形成於基板11之寬度方向之一部分區域。
基板11之折射率與保護層17之折射率之差為0.1以下，較佳為0.07以下，進而較佳為0.05以下。上述折射率之差之下限並無特別限定，可設為0以上。藉由將基板11之折射率與保護層17之折射率之差抑制為0.1以下，可抑制基板11與保護層17之界面B20上之可見光之反射，從而使觀察者用肉眼不易視認配線基板10。
如圖35所示，於較第3接著層950及第4接著層960更靠外側，配線基板10之一部分彎曲。具體而言，配線基板10之基板11、金屬層90及保護層17朝向顯示部610側(Z方向負側)呈大致C字狀彎曲。然而，並不限定於此，基板11、金屬層90及保護層17亦可朝向顯示部610之相反側(Z方向正側)彎曲。再者，本說明書中，「彎曲」並不限定於彎曲成曲線狀之情形。亦包括平面以形成銳角、直角或鈍角之方式彎曲之情形。例如基板11、金屬層90及保護層17亦可彎曲成L字狀。
於如此般彎曲之部分，位於最外側之保護層17覆蓋基板11及金屬層90。藉此，例如於將配線基板10彎折以用於安裝，隨之金屬層90被彎曲時，金屬層90受保護層17保護。藉此，可抑制對金屬層90之拉伸力導致金屬層90開裂或剝離。
作為保護層17之材料，可使用與基板11之折射率之差為0.1以下者。又，作為保護層17之材料，較佳為使用基板11之折射率、保護層17之折射率、第3接著層950之折射率、及第4接著層960之折射率中之最大值與最小值之差為0.1以下者。作為保護層17之材料，例如可使用聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸系樹脂與其等之改性樹脂及共聚物、聚酯、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇縮乙醛、聚乙烯醇縮丁醛等聚乙烯樹脂與其等之共聚物、聚胺基甲酸酯、環氧樹脂、聚醯胺、氯化聚烯烴等無色透明之絕緣性樹脂。
本實施方式中，亦可經由各向異性導電薄膜85c將饋電線85電性連接於配線基板10之饋電部40。而且，亦可藉由配線基板10、及經由各向異性導電薄膜85c而電性連接於饋電部40之饋電線85構成模組80A(參照圖1、圖2及圖7等)。
[配線基板之製造方法]  接下來，參照圖37(a)-(g)，對本實施方式之配線基板之製造方法進行說明。圖37(a)-(g)係表示本實施方式之配線基板之製造方法之剖視圖。
如圖37(a)所示，準備具有透明性之基板11。
其次，於基板11上形成金屬層90。金屬層90包含網狀配線層20、及電性連接於網狀配線層20之饋電部40。
此時，首先，如圖37(b)所示，於基板11之正面之大致全域積層金屬箔51。本實施方式中，金屬箔51之厚度可為0.1 μm以上5.0 μm以下。本實施方式中，金屬箔51亦可包含銅。
其次，如圖37(c)所示，向金屬箔51之正面之大致全域供給光硬化性絕緣抗蝕劑52。作為該光硬化性絕緣抗蝕劑52，例如可例舉丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂等有機樹脂。
繼而，如圖37(d)所示，藉由光微影法形成絕緣層54。於該情形時，藉由光微影法使光硬化性絕緣抗蝕劑52圖案化，而形成絕緣層54(抗蝕圖案)。此時，以使與金屬層90對應之金屬箔51露出之方式形成絕緣層54。
其次，如圖37(e)所示，將位於基板11之正面上之未被絕緣層54覆蓋之部分的金屬箔51去除。此時，藉由使用氯化鐵、氯化銅、硫酸、鹽酸等強酸、過硫酸鹽、過氧化氫或其等之水溶液、或者以上之組合等進行濕式處理，而以使基板11之正面露出之方式對金屬箔51進行蝕刻。
繼而，如圖37(f)所示，將絕緣層54去除。於該情形時，藉由進行使用過錳酸鹽溶液或N-甲基-2-吡咯啶酮、酸性或鹼性溶液等之濕式處理、或使用氧電漿之乾式處理，而將金屬箔51上之絕緣層54去除。
以此方式獲得配線基板10，該配線基板10具有基板11、及設置於基板11上之金屬層90。金屬層90包含網狀配線層20、及電性連接於網狀配線層20之饋電部40。
其後，如圖37(g)所示，以覆蓋位於基板11上之金屬層90之方式形成保護層17。此時，保護層17可形成於基板11之大致全域。作為形成保護層17之方法，可使用輥式塗佈、凹版塗佈、反向凹版塗佈、微型凹版塗佈、狹縫式模嘴塗佈、模嘴塗佈、刮刀塗佈、噴墨塗佈、分注器塗佈、接觸塗佈、噴塗、網版印刷、膠版印刷、軟版印刷。
[本實施方式之作用]  接下來，對包含此種構成之本實施方式之作用進行闡述。
如圖35所示，配線基板10係組裝至具有顯示部610之圖像顯示裝置60。此時，配線基板10配置於顯示部610上。配線基板10之網狀配線層20經由饋電部40而電性連接於圖像顯示裝置60之通信模組63。以此方式，可經由網狀配線層20收發規定頻率之電波，從而可使用圖像顯示裝置60進行通信。
根據本實施方式，基板11之折射率與保護層17之折射率之差為0.1以下。藉此，可抑制基板11與保護層17之界面B20上之可見光之反射。其結果，可使得觀察者自發光面64側觀察圖像顯示裝置60時，用肉眼不易視認配線基板10之基板11。
又，根據本實施方式，基板11之折射率、保護層17之折射率、第3接著層950之折射率、及第4接著層960之折射率中之最大值與最小值之差為0.1以下。藉此，可分別抑制第3接著層950與基板11之界面B10、基板11與保護層17之界面B20、及保護層17與第4接著層960之界面B30上之可見光之反射。其結果，可使得觀察者自發光面64側觀察圖像顯示裝置60時，用肉眼不易視認配線基板10之基板11。尤其於第3接著層950與第4接著層960分別具有較基板11大之面積之情形時，可使得觀察者用肉眼不易視認基板11之外緣，從而可使觀察者辨識不到基板11之存在。
又，根據本實施方式，以覆蓋金屬層90之方式形成有保護層17。藉此，可保護金屬層90不受來自外部之衝擊等影響。又，可抑制於安裝配線基板10時金屬層90產生損傷或金屬層90斷裂。
尤其於配線基板10之一部分在第3接著層950及第4接著層960之外側彎曲之情形時，可抑制因配線基板10彎曲時之拉伸力而導致金屬層90開裂或剝離。即，如圖30所示，於配線基板10彎曲時，相對柔軟之基板11與保護層17分別向外側被拉伸。另一方面，位於基板11與保護層17之間的金屬層90受到朝相反方向(內側)之力。因此，金屬層90不會被明顯拉伸。藉此，由保護層17保護金屬層90，抑制金屬層90開裂或剝離。
又，根據本實施方式，配線基板10具備：基板11，其具有透明性；及網狀配線層20，其配置於基板11上。該網狀配線層20具有由作為不透明之導電體層之形成部之導體部、及多個開口部構成之網狀圖案，因此確保了配線基板10之透明性。藉此，於將配線基板10配置於顯示區域61a上時，可自網狀配線層20之開口部23視認顯示區域61a，顯示區域61a之視認性不會受到妨礙。
[實施例]  接下來，對上述實施方式中之具體實施例進行說明。
(實施例B1)  製作具備第3接著層、第4接著層及配線基板之圖像顯示裝置用積層體(實施例B1)。配線基板包含基板、金屬層及保護層。基板由聚對苯二甲酸乙二酯製造，厚度設為10 μm。基板之折射率為1.57。金屬層由銅製造，厚度設為2 μm。網狀配線層之線寬均設為2 μm，開口部均設為一邊為100 μm之正方形。保護層形成於基板上之全域。保護層由丙烯酸系樹脂製造，厚度設為10 μm。保護層之折射率為1.53。使用厚度25 μm之丙烯酸系樹脂製之OCA薄膜作為第3接著層。第3接著層之折射率為1.55。使用厚度25 μm之丙烯酸系樹脂製之OCA薄膜作為第4接著層。第4接著層之折射率為1.55。於該情形時，基板之折射率與保護層之折射率之差為0.04。又，基板之折射率、保護層之折射率、第3接著層之折射率、及第4接著層之折射率中之最大值與最小值之差為0.04。
(實施例B2)  作為基板，使用厚度25 μm、折射率1.51者，作為保護層，使用厚度25 μm、折射率1.57者，作為第3接著層，使用厚度50 μm、折射率1.54者，作為第4接著層，使用厚度75 μm、折射率1.54者，除此以外，以與實施例B1相同之方式製作圖像顯示裝置用積層體(實施例B2)。於該情形時，基板之折射率與保護層之折射率之差為0.06。又，基板之折射率、保護層之折射率、第3接著層之折射率、及第4接著層之折射率中之最大值與最小值之差為0.06。
(實施例B3)  作為基板，使用厚度12 μm、折射率1.53者，作為保護層，使用厚度0.2 μm、折射率1.55者，除此以外，以與實施例B1相同之方式製作圖像顯示裝置用積層體(實施例B3)。於該情形時，基板之折射率與保護層之折射率之差為0.02。又，基板之折射率、保護層之折射率、第3接著層之折射率、及第4接著層之折射率中之最大值與最小值之差為0.02。
(比較例B1)  作為基板，使用厚度25 μm、折射率1.51者，作為保護層，使用厚度50 μm、折射率1.65者，作為第3接著層，使用厚度50 μm、折射率1.54者，作為第4接著層，使用厚度75 μm、折射率1.54者，除此以外，以與實施例B1相同之方式製作圖像顯示裝置用積層體(比較例B1)。於該情形時，基板之折射率與保護層之折射率之差為0.14。又，基板之折射率、保護層之折射率、第3接著層之折射率、及第4接著層之折射率中之最大值與最小值之差為0.14。
(比較例B2)  除未設置保護層以外，以與實施例B1相同之方式製作圖像顯示裝置用積層體(比較例B2)。
其次，針對實施例B1-3及比較例B1-2之配線基板，分別評估其等被組裝至圖像顯示裝置內時之安裝耐受性、隱蔽性及耐可撓性。將其結果示於表2。
關於「安裝耐受性」，將安裝配線基板過程中施加了熱或壓力時，未出現斷線或褶皺、崩塌等損壞者判定為「高」；將安裝配線基板過程中施加了熱或壓力時，出現斷線或褶皺、崩塌等損壞者判定為「低」。
關於「隱蔽性」，將於一般目測檢查環境中以相對於基材之正面成30°、60°、90°之角度觀察時，藉由目測無法識別配線基板之外緣者判定為「高」；將於一般目測檢查環境中以相對於基材之正面成30°、60°、90°之角度觀察時，藉由目測能夠識別配線基板之外緣者判定為「低」。
關於「耐可撓性」，將使用圓筒形心軸可撓試驗器使配線基板沿著直徑2 mm之圓筒之周圍彎曲180°時，金屬層未發生剝離或斷線且電阻值之變動未達0.5 Ω/□者判定為「高」；將使用圓筒形心軸可撓試驗器使配線基板沿著直徑2 mm之圓筒之周圍彎曲180°時，金屬層發生剝離或斷線、或者電阻值之變動為0.5 Ω/□以上者判定為「低」。
[表2]
   基板 保護層 第1接著層 第2接著層 安裝 耐受性 隱蔽性 耐可撓性
厚度 折射率 厚度 折射率 厚度 折射率 厚度 折射率
實施例B1 10 μm 1.57 10 μm 1.53 25 μm 1.55 25 μm 1.55 高 高 高
實施例B2 25 μm 1.51 25 μm 1.57 50 μm 1.54 75 μm 1.54 高 高 高
實施例B3 12 μm 1.53 0.2 μm 1.55 25 μm 1.55 25 μm 1.55 高 高 高
比較例B1 25 μm 1.51 25 μm 1.65 50 μm 1.54 75 μm 1.54 高 低 高
比較例B2 10 μm 1.53 無 無 25 μm 1.55 25 μm 1.55 低 高 低
如此，可判明實施例B1-3之配線基板之安裝耐受性、隱蔽性及耐可撓性均較高。可判明比較例B1-2之配線基板之安裝耐受性、隱蔽性及耐可撓性均較低。
[變化例]  接下來，對配線基板之變化例進行說明。
(第1變化例)  圖38表示配線基板之第1變化例。圖38所示之變化例之不同的在於，於網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30，其他構成與上述圖1至圖37所示之實施方式大致相同。於圖38中，對與圖1至圖37所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖38所示之配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30。該虛設配線層30與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。於該情形時，金屬層90包含網狀配線層20、虛設配線層30、及饋電部40。
如此，藉由在網狀配線層20之周圍配置與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30，可使網狀配線層20之外緣不清晰。藉此，可使得於圖像顯示裝置60之正面上不易看到網狀配線層20，從而可使圖像顯示裝置60之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。
(第2變化例)  圖39表示配線基板之第2變化例。圖39所示之變化例之不同的在於，於網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之複數個虛設配線層30A、30B，其他構成與上述圖1至圖38所示之實施方式大致相同。於圖39中，對與圖1至圖38所示之形態相同之部分標註相同之符號並省略詳細說明。
圖39所示之配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之複數個(於該情形時為2個)虛設配線層30A、30B(第1虛設配線層30A及第2虛設配線層30B)。具體而言，沿著網狀配線層20之周圍配置有第1虛設配線層30A，且沿著第1虛設配線層30A之周圍配置有第2虛設配線層30B。該虛設配線層30A、30B與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。金屬層90包含網狀配線層20、虛設配線層30A、30B、及饋電部40。
如此，藉由配置與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30A、30B，可使網狀配線層20之外緣更不清晰。藉此，可使得於圖像顯示裝置60之正面上不易看到網狀配線層20，從而可使圖像顯示裝置60之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。
亦能夠視需要將上述實施方式及變化例中揭示之複數個構成要素適當組合。或者，亦可自上述實施方式及變化例所示之所有構成要素中刪除若干構成要素。
10:配線基板 10a:保護區域 10b:非保護區域 11:基板 11a:第1面 11b:第2面 15:底塗層 17:保護層 17a:保護層17之端緣 18:暗色層 20:網狀配線層 20a:基端側部分(傳送部) 20b:前端側部分(收發部) 21:第1方向配線 22:第2方向配線 23:開口部 27:本體部 28:黑化層 30:虛設配線層 30A:第1虛設配線層 30a:虛設配線 30a1:虛設配線 30a2:虛設配線 30B:第2虛設配線層 40:饋電部 41:貫通孔 51:金屬箔 52:光硬化性絕緣抗蝕劑 54:絕緣層 60:圖像顯示裝置 61:顯示裝置 61a:顯示區域 62:殼體 63:通信模組 64:發光面 70:圖像顯示裝置用積層體 74:加飾薄膜 75:覆蓋玻璃 80A:模組 85:饋電線 85a:基材 85b:金屬配線部 85c:各向異性導電薄膜 85d:導電粒子 86:被覆層 88:本體部 89:突出部 90:金屬層 90a:OCA片材 91:離型薄膜 92:OCA層 95:第1透明接著層 96:第2透明接著層 610:顯示部(顯示器) 950:第3接著層 960:第4接著層 A1:第1區域 A2:第2區域 B1:界面 B2:界面 B3:界面 B4:界面 B5:界面 B10:界面 B20:界面 B30:界面 B40:界面
圖1係表示第1實施方式之圖像顯示裝置之俯視圖。  圖2係表示第1實施方式之圖像顯示裝置之剖視圖(圖1之II-II線剖視圖)。  圖3係表示第1實施方式之配線基板之俯視圖。  圖4係表示第1實施方式之配線基板之網狀配線層及饋電部之放大俯視圖。  圖5係表示第1實施方式之配線基板之剖視圖(圖4之V-V線剖視圖)。  圖6係表示第1實施方式之配線基板之剖視圖(圖4之VI-VI線剖視圖)。  圖7係表示第1實施方式之模組之俯視圖。  圖8(a)係表示第1實施方式之模組之饋電部之放大俯視圖，圖8(b)係表示第1實施方式之模組之饋電線之放大俯視圖。  圖9係表示第1實施方式之模組之剖視圖(圖7之IX-IX線剖視圖)。  圖10(a)-(f)係表示第1實施方式之配線基板之製造方法之剖視圖。  圖11(a)-(c)係表示第1實施方式之模組之製造方法之剖視圖。  圖12(a)-(c)係表示第1實施方式之圖像顯示裝置用積層體之製造方法之剖視圖。  圖13係表示第1變化例之模組之剖視圖。  圖14係表示第2變化例之模組之剖視圖。  圖15(a)-(d)係表示第2變化例之模組之製造方法之剖視圖。  圖16係表示第3變化例之模組之剖視圖。  圖17(a)-(c)係表示第3變化例之模組之製造方法之剖視圖。  圖18係表示第1變化例之配線基板之俯視圖。  圖19係表示第1變化例之配線基板之放大俯視圖。  圖20係表示第2變化例之配線基板之俯視圖。  圖21係表示第2變化例之配線基板之放大俯視圖。  圖22係表示第3變化例之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。  圖23係表示第2實施方式之圖像顯示裝置之俯視圖。  圖24係表示第2實施方式之圖像顯示裝置之剖視圖(圖23之XXIV-XXIV線剖視圖)。  圖25係表示配線基板之俯視圖。  圖26係表示配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。  圖27係表示配線基板之剖視圖(圖26之XXVII-XXVII線剖視圖)。  圖28係表示配線基板之剖視圖(圖26之XXVIII-XXVIII線剖視圖)。  圖29(a)-(g)係表示第2實施方式之配線基板之製造方法之剖視圖。  圖30係表示將配線基板彎曲後之狀態之剖視圖。  圖31係表示第1變化例之配線基板之俯視圖。  圖32係表示第2變化例之配線基板之俯視圖。  圖33係表示第3變化例之配線基板之剖視圖。  圖34係表示第4變化例之配線基板之剖視圖。  圖35係表示第3實施方式之圖像顯示裝置之剖視圖(與圖24對應之剖視圖)。  圖36係表示配線基板之俯視圖。  圖37(a)-(g)係表示第3實施方式之配線基板之製造方法之剖視圖。  圖38係表示第1變化例之配線基板之俯視圖。  圖39係表示第2變化例之配線基板之俯視圖。
10:配線基板
10a:保護區域
10b:非保護區域
11:基板
11a:第1面
11b:第2面
17:保護層
20:網狀配線層
20a:基端側部分(傳送部)
20b:前端側部分(收發部)
40:饋電部
80A:模組
85:饋電線
85c:各向異性導電薄膜

Claims (39)

  1. 一種模組，其具備：  配線基板，其具有包含第1面及位於上述第1面之相反側的第2面之基板、配置於上述基板之上述第1面上之網狀配線層、電性連接於上述網狀配線層之饋電部、及配置於上述基板之上述第1面上且覆蓋上述網狀配線層及上述饋電部之保護層；以及  饋電線，其經由包含導電粒子之各向異性導電薄膜而電性連接於上述饋電部；且  上述基板具有透明性，  上述保護層僅覆蓋上述饋電部之一部分，  上述各向異性導電薄膜覆蓋上述饋電部中未被上述保護層覆蓋之區域。
  2. 如請求項1之模組，其中上述各向異性導電薄膜之一部分配置於上述保護層上。
  3. 如請求項1之模組，其中上述饋電部中未被上述保護層及上述各向異性導電薄膜中之任一者覆蓋之區域被包含具有耐蝕性之材料之被覆層覆蓋。
  4. 如請求項1之模組，其中上述饋電線係藉由使上述導電粒子進入上述保護層內而電性連接於上述饋電部。
  5. 如請求項1之模組，其中上述保護層之厚度為4.0 μm以上8.0 μm以下。
  6. 如請求項1之模組，其中於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。
  7. 如請求項1之模組，其中上述配線基板具有電波收發功能。
  8. 如請求項1之模組，其中上述網狀配線層具有連接於上述饋電部之傳送部、及連接於上述傳送部之收發部。
  9. 一種圖像顯示裝置用積層體，其具備：  如請求項1至8中任一項之模組；  第1接著層，其位於上述基板之上述第1面側；及  第2接著層，其位於上述基板之上述第2面側；且  上述基板之一部分區域配置於上述第1接著層與上述第2接著層之間之一部分區域。
  10. 一種圖像顯示裝置，其具備：  如請求項9之圖像顯示裝置用積層體；及  顯示裝置，其積層於上述圖像顯示裝置用積層體。
  11. 一種模組之製造方法，其包括如下步驟：  準備基板，上述基板包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；  於上述基板之上述第1面上形成網狀配線層、及電性連接於上述網狀配線層之饋電部；  於上述基板之上述第1面上，以覆蓋上述網狀配線層及上述饋電部之方式形成保護層；及  經由包含導電粒子之各向異性導電薄膜將饋電線電性連接於上述饋電部；且  上述基板具有透明性，  上述保護層僅覆蓋上述饋電部之一部分，  上述各向異性導電薄膜覆蓋上述饋電部中未被上述保護層覆蓋之區域。
  12. 一種配線基板，其係圖像顯示裝置用之配線基板，且具備：  基板；  金屬層，其配置於上述基板上；及  保護層，其覆蓋上述金屬層之一部分；且  上述基板具有透明性，  上述金屬層包含網狀配線層，  上述保護層存在於不與上述圖像顯示裝置之顯示區域重疊之第1區域，不存在於與上述圖像顯示裝置之顯示區域重疊之第2區域。
  13. 如請求項12之配線基板，其中120℃、1小時後之上述保護層之熱收縮率與上述基板之熱收縮率之差為1%以下。
  14. 如請求項12之配線基板，其中上述保護層之介電損耗正切為0.002以下。
  15. 如請求項12之配線基板，其中上述保護層之厚度T 12相對於上述基板之厚度T 1之比(T 12/T 1)為0.02以上5.0以下。
  16. 如請求項12之配線基板，其中上述基板之厚度為10 μm以上50 μm以下。
  17. 如請求項12之配線基板，其中於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。
  18. 如請求項12之配線基板，其中上述網狀配線層作為天線發揮功能。
  19. 如請求項12之配線基板，其進而具備電性連接於上述網狀配線層之饋電部，上述網狀配線層具有連接於上述饋電部之傳送部、及連接於上述傳送部之收發部。
  20. 如請求項12之配線基板，其中上述基板、上述金屬層及上述保護層於上述第1區域彎曲。
  21. 一種模組，其具備：  如請求項12至20中任一項之配線基板；及  饋電線，其電性連接於上述配線基板。
  22. 一種圖像顯示裝置用積層體，其具備：  如請求項12之配線基板；  第3接著層，其具有較上述基板大之面積；及  第4接著層，其具有較上述基板大之面積；且  上述第3接著層具有透明性，  上述第4接著層具有透明性，  上述基板之一部分區域配置於上述第3接著層與上述第4接著層之間之一部分區域。
  23. 如請求項22之圖像顯示裝置用積層體，其中上述第3接著層之厚度及上述第4接著層之厚度中之至少一厚度為上述基板之厚度之1.5倍以上。
  24. 如請求項22之圖像顯示裝置用積層體，其中上述第3接著層之材料為丙烯酸系樹脂，上述第4接著層之材料為丙烯酸系樹脂。
  25. 一種圖像顯示裝置，其具備：  如請求項22至24中任一項之圖像顯示裝置用積層體；及  顯示部，其積層於上述圖像顯示裝置用積層體，且具有顯示區域。
  26. 一種配線基板，其係圖像顯示裝置用之配線基板，且具備：  基板；  金屬層，其配置於上述基板上；及  保護層，其覆蓋上述金屬層；且  上述基板具有透明性，  上述金屬層包含網狀配線層，  上述基板之折射率與上述保護層之折射率之差為0.1以下。
  27. 如請求項26之配線基板，其中120℃、1小時後之上述保護層之熱收縮率與上述基板之熱收縮率之差為1%以下。
  28. 如請求項26之配線基板，其中上述保護層之介電損耗正切為0.002以下。
  29. 如請求項26之配線基板，其中上述保護層之厚度T 12相對於上述基板之厚度T 1之比(T 12/T 1)為0.02以上5.0以下。
  30. 如請求項26之配線基板，其中上述基板之厚度為10 μm以上50 μm以下。
  31. 如請求項26之配線基板，其中於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。
  32. 如請求項26之配線基板，其中上述網狀配線層作為天線發揮功能。
  33. 如請求項26之配線基板，其進而具備電性連接於上述網狀配線層之饋電部，上述網狀配線層具有連接於上述饋電部之傳送部、及連接於上述傳送部之收發部。
  34. 如請求項26之配線基板，其中上述基板、上述金屬層及上述保護層之一部分彎曲。
  35. 一種模組，其具備：  如請求項26至34中任一項之配線基板；及  饋電線，其電性連接於上述配線基板。
  36. 一種圖像顯示裝置用積層體，其具備：  第3接著層；  第4接著層；及  配線基板，其配置於上述第3接著層與上述第4接著層之間；且  上述配線基板具有基板、配置於上述基板上之金屬層、及覆蓋上述金屬層之保護層，  上述基板具有透明性，  上述第3接著層具有透明性，  上述第4接著層具有透明性，  上述金屬層包含網狀配線層，  上述基板之折射率、上述保護層之折射率、上述第3接著層之折射率、及上述第4接著層之折射率中之最大值與最小值之差為0.1以下。
  37. 如請求項36之圖像顯示裝置用積層體，其中上述第3接著層之厚度及上述第4接著層之厚度中之至少一厚度為上述基板之厚度之1.5倍以上。
  38. 如請求項36之圖像顯示裝置用積層體，其中上述第3接著層之材料為丙烯酸系樹脂，上述第4接著層之材料為丙烯酸系樹脂。
  39. 一種圖像顯示裝置，其具備：  如請求項36至38中任一項之圖像顯示裝置用積層體；及  顯示部，其積層於上述圖像顯示裝置用積層體。
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