TW202327164A - 配線基板、模組及圖像顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之配線基板具備基板與網狀配線層。配線基板具有電磁波收發功能。基板具有透明性。網狀配線層構成為天線，並且具有配線。藉由被配線包圍而形成有2個以上之開口部。開口部之平面形狀係對向之邊彼此平行之多邊形。將各開口部中之沿第1方向延伸之邊彼此之邊間距離設為d。將連續地相鄰之100個開口部或所有開口部中的沿第1方向延伸之邊彼此之邊間距離之平均值設為D。此時，100個開口部或所有開口部中的95%以上之開口部滿足 0.70D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.30D 之關係。

Description

配線基板、模組及圖像顯示裝置

本發明之實施方式係關於一種配線基板、模組及圖像顯示裝置。

目前，正在推進智慧型手機、平板等移動終端機器之高功能、小型化、薄型化及輕量化。該等移動終端機器使用複數個通訊頻帶。因此，需要與通訊頻帶對應之複數個天線。例如，於移動終端機器搭載有電話用天線、WiFi(Wireless Fidelity，無線局域網)用天線、3G(Generation)用天線、4G(Generation)用天線、LTE(Long Term Evolution，長期演進)用天線、Bluetooth(註冊商標)用天線、NFC(Near Field Communication，近場通訊)用天線等複數個天線。然而，隨著移動終端機器小型化，天線之搭載空間有限，天線設計之自由度縮小。又，由於將天線內置在有限之空間內，故電波感度未必能夠滿足。

因此，正開發一種能夠搭載於移動終端機器之顯示區域之薄膜天線。該薄膜天線係於透明基材上形成有天線圖案之透明天線。天線圖案由網狀之導電體網層形成。導電體網層包含作為不透明導電體層之形成部之導體部、及作為非形成部之多個開口部。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-66610號公報 [專利文獻2]日本專利第5636735號說明書 [專利文獻3]日本專利第5695947號說明書

且說，於先前之薄膜天線中，於透明基材上存在形成有天線圖案之區域、及未形成天線圖案之區域兩者。然而，於搭載有薄膜天線之移動終端機器等中，有可能導電體網層(天線圖案)之週期與像素之週期發生干擾而產生條紋狀圖案(水波紋、干擾條紋)。如此，產生水波紋之情形時，有於移動終端機器等中圖像之視認性降低之虞。

為了消除水波紋，亦考慮消除天線圖案之週期性。然而，於消除天線圖案之週期性之情形時，會出現各種配線方向，有因光反射而產生閃爍之虞。

本實施方式之目的之一在於提供一種能夠抑制水波紋之產生並且抑制反射光引起之閃爍的配線基板、模組及圖像顯示裝置。

又，本實施方式提供一種能夠抑制水波紋之產生及閃爍之產生該兩者之配線基板、模組及圖像顯示裝置。

本發明之第1態樣係一種配線基板，其具備：基板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；及網狀配線層，其配置於上述基板之上述第1面上；上述配線基板具有電磁波收發功能，上述基板具有透明性，上述網狀配線層構成為天線，並且具有配線，藉由被上述配線包圍而形成有2個以上之開口部，上述開口部之平面形狀係對向之邊彼此平行之多邊形，將各開口部中之沿第1方向延伸之邊彼此之邊間距離設為d，將連續地相鄰之100個上述開口部或所有上述開口部中之沿上述第1方向延伸之邊彼此之邊間距離之平均值設為D時，上述100個上述開口部或上述所有上述開口部中的95%以上之上述開口部滿足 0.70D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.30D 之關係。

本發明之第2態樣如上述第1態樣之配線基板，其中亦可為上述100個上述開口部或上述所有上述開口部中的95%以上之上述開口部滿足 0.85D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.15D 之關係。

本發明之第3態樣如上述第1態樣或上述第2態樣之配線基板，其中亦可為上述100個上述開口部或上述所有上述開口部中的95%以上之上述開口部滿足 0.90D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.10D 之關係。

本發明之第4態樣如上述第1態樣至上述第3態樣之各態樣之配線基板，其中上述多邊形亦可為四邊形。

本發明之第5態樣如上述第1態樣至上述第3態樣之各態樣之配線基板，其中上述多邊形亦可為六邊形。

本發明之第6態樣如上述第1態樣至上述第5態樣之各態樣之配線基板，其中上述平均值D可為50 μm以上500 μm以下。

本發明之第7態樣如上述第1態樣至上述第6態樣之各態樣之配線基板，其中上述配線之線寬可為0.5 μm以上3 μm以下。

本發明之第8態樣如上述第1態樣至上述第7態樣之各態樣之配線基板，其中上述網狀配線層之整體之開口率可為95%以上且未達100%。

本發明之第9態樣如上述第1態樣至上述第8態樣之各態樣之配線基板，其中上述網狀配線層之薄片電阻值可為4 Ω/□以下。

本發明之第10態樣如上述第1態樣至上述第9態樣之各態樣之配線基板，其中上述配線基板可具有毫米波收發功能，上述網狀配線層可構成為包含2個以上之天線元件之陣列天線。

本發明之第11態樣如上述第10態樣之配線基板，其中上述天線元件可設置有4個以上，上述天線元件彼此之距離可為1 mm以上5 mm以下。

本發明之第12態樣如上述第1態樣至上述第11態樣之各態樣之配線基板，其中可於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。

本發明之第13態樣如上述第12態樣之配線基板，其中上述虛設配線層可包含2根以上之虛設配線，上述虛設配線可與上述配線平行地延伸。

本發明之第14態樣如上述第12態樣或上述第13態樣之配線基板，其中可設置有2個以上之上述虛設配線層，上述網狀配線層及上述虛設配線層之開口率可自上述網狀配線層朝向遠離上述網狀配線層之上述虛設配線層階段性地增大。

本發明之第15態樣係一種配線基板，其具備：基板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；網狀配線層，其配置於上述基板之上述第1面上；及饋電部，其電性連接於上述網狀配線層；上述基板具有透明性，上述網狀配線層具有連接於上述饋電部之傳輸部、及連接於上述傳輸部之收發部，上述網狀配線層具有構成上述傳輸部與上述收發部之配線，藉由被上述配線包圍而形成有2個以上之開口部，上述開口部之平面形狀係對向之邊彼此平行之多邊形，將各開口部中之沿第1方向延伸之邊彼此之邊間距離設為d，將連續地相鄰之100個上述開口部或所有上述開口部中的沿上述第1方向延伸之邊彼此之邊間距離之平均值設為D時，上述100個上述開口部或上述所有上述開口部中的95%以上之上述開口部滿足 0.70D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.30D 之關係。

本發明之第16態樣係一種模組，其具備如上述第1態樣至上述第15態樣中任一態樣之配線基板、及電性連接於上述配線基板之饋電線。

本發明之第17態樣係一種圖像顯示裝置，其具備如上述第16態樣之模組、及積層於上述模組之上述配線基板之顯示裝置。

本發明之第18態樣係一種配線基板，其具備：基板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；及網狀配線層，其配置於上述基板之上述第1面上；上述配線基板具有電磁波收發功能，上述基板具有透明性，上述網狀配線層構成為天線，並且具有複數個第1配線、及與上述第1配線相交之複數個第2配線，將上述第1配線與上述第2配線之交點設為A，將由位於同一條上述第1配線上之複數個上述交點A求出之第1回歸直線與由位於同一條上述第2配線上之複數個上述交點A求出之第2回歸直線的交點設為B，將自上述交點A至最靠近之上述交點B的沿著上述網狀配線層之寬度方向之距離設為d _X，將自上述交點A至最靠近之上述交點B的沿著上述網狀配線層之長度方向之距離設為d _Y，將於上述寬度方向上連續地相鄰之10個上述交點B之間距之平均值設為D _X，將於上述長度方向上連續地相鄰之10個上述交點B之間距之平均值設為D _Y時，於分別最靠近上述10個交點B之各者之10個上述交點A中的9個以上之上述交點A處，滿足 0.02D _X≦d _X＜0.3D _X之關係、及 0.02D _Y≦d _Y＜0.3D _Y之關係之至少一者。

本發明之第19態樣如上述第18態樣之配線基板，其中亦可為於分別最靠近上述10個交點B之各者之10個上述交點A中的9個以上之上述交點A處，滿足 0.02D _X≦d _X＜0.3D _X之關係、及 0.02D _Y≦d _Y＜0.3D _Y之關係。

本發明之第20態樣如上述第18態樣或上述第19態樣之配線基板，其中上述平均值D _X及平均值D _Y可為50 μm以上500 μm以下。

本發明之第21態樣如上述第18態樣至上述第20態樣之各態樣之配線基板，其中上述第1配線之線寬及上述第2配線之線寬分別可為0.5 μm以上3 μm以下。

本發明之第22態樣如上述第18態樣至上述第21態樣之各態樣之配線基板，其中上述網狀配線層之整體之開口率可為95%以上且未達100%。

本發明之第23態樣如上述第18態樣至上述第22態樣之各態樣之配線基板，其中上述網狀配線層之薄片電阻值可為4 Ω/□以下。

本發明之第24態樣如上述第18態樣至上述第23態樣之各態樣之配線基板，其中上述第1回歸直線與上述第2回歸直線所成之角度可為30°以上150°以下。

本發明之第25態樣如上述第18態樣至上述第24態樣之各態樣之配線基板，其中上述配線基板可具有毫米波收發功能，上述網狀配線層可構成為包含2個以上之天線元件之陣列天線。

本發明之第26態樣如上述第25態樣之配線基板，其中上述天線元件可設置有4個以上，上述天線元件彼此之距離可為1 mm以上5 mm以下。

本發明之第27態樣如上述第18態樣至上述第26態樣之各態樣之配線基板，其中可於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。

本發明之第28態樣如上述第27態樣之配線基板，其中上述虛設配線層可包含複數個虛設配線，上述虛設配線可與上述第1配線或上述第2配線平行地延伸。

本發明之第29態樣如上述第27態樣或上述第28態樣之配線基板，其中可設置有複數個上述虛設配線層，上述網狀配線層及上述虛設配線層之開口率可自上述網狀配線層朝向遠離上述網狀配線層之上述虛設配線層階段性地增大。

本發明之第30態樣如上述第18態樣至上述第29態樣之各態樣之配線基板，其中可進而具備電性連接於上述網狀配線層之饋電部，上述網狀配線層可具有連接於上述饋電部之輸電部、及連接於上述輸電部之收發部，上述收發部可包含中央部分、及位於上述中央部分之周圍之周緣部分，上述周緣部分之上述距離d _X可小於上述中央部分之上述距離d _X，上述周緣部分之上述距離d _Y可小於上述中央部分之上述距離d _Y。

本發明之第31態樣如上述第30態樣之配線基板，其中上述周緣部分之上述距離d _X可為上述中央部分之上述距離d _X之20%以上80%以下，上述周緣部分之上述距離d _Y可為上述中央部分之上述距離d _Y之20%以上80%以下。

本發明之第32態樣如上述第30態樣或上述第31態樣之各態樣之配線基板，其中亦可為於上述長度方向上，上述中央部分中上述輸電部側之50%以上之區域被上述周緣部分包圍。

本發明之第33態樣如上述第30態樣至上述第32態樣之各態樣之配線基板，其中上述周緣部分之寬度可為上述中央部分之上述平均值D _X之2倍以上。

本發明之第34態樣係一種配線基板，其具備：基板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；及網狀配線層，其配置於上述基板之上述第1面上；上述基板具有透明性，上述網狀配線層具有連接於上述饋電部之傳輸部、及連接於上述傳輸部之收發部，上述網狀配線層具有構成上述傳輸部與上述收發部之第1配線及第2配線，將上述第1配線與上述第2配線之交點設為A，將由位於同一條上述第1配線上之複數個上述交點A求出之第1回歸直線與由位於同一條上述第2配線上之複數個上述交點A求出之第2回歸直線的交點設為B，將自上述交點A至最靠近之上述交點B的沿著上述網狀配線層之寬度方向之距離設為d _X，將自上述交點A至最靠近之上述交點B的沿著上述網狀配線層之長度方向之距離設為d _Y，將於上述寬度方向上連續地相鄰之10個上述交點B之間距之平均值設為D _X，將於上述長度方向上連續地相鄰之10個上述交點B之間距之平均值設為D _Y時，於分別最靠近上述10個交點B之各者之10個上述交點A中的9個以上之上述交點A處，滿足 0.02D _X≦d _X＜0.3D _X之關係、及 0.02D _Y≦d _Y＜0.3D _Y之關係之至少一者。

本發明之第35態樣係一種模組，其具備：如上述第18態樣至上述第34態樣中任一態樣之配線基板；及饋電線，其電性連接於上述配線基板。

本發明之第36態樣係一種圖像顯示裝置，其具備：如上述第35態樣之模組；及顯示裝置，其積層於上述模組之上述配線基板。

本發明之第37態樣如上述第36態樣之圖像顯示裝置，其中上述顯示裝置可具有沿著上述寬度方向及上述長度方向重複配列之複數個像素，上述平均值D _X可為上述寬度方向上之上述像素之間距之(N－0.05)倍(N為自然數)以下，並且為(N＋0.05)倍以上，上述平均值D _Y可為上述長度方向上之上述像素之間距之(M－0.05)倍(M為自然數)以下，並且為(M＋0.05)倍以上。

本發明之第38態樣如上述第37態樣之圖像顯示裝置，其中上述平均值D _X可為上述寬度方向上之上述像素之間距之(N－0.2)倍以上，並且為(N＋0.2)倍以下。

本發明之第39態樣如上述第37態樣或上述第38態樣之圖像顯示裝置，其中上述平均值D _Y可為上述長度方向上之上述像素之間距之(M－0.2)倍以上，並且為(M＋0.2)倍以下。

本發明之第40態樣如上述第37態樣至上述第39態樣之各態樣之圖像顯示裝置，其中N及M分別可為1以上6以下之自然數。

本發明之第41態樣係一種配線基板，其具備基板、及配置於上述基板上之網狀配線層，上述基板具有透明性，上述網狀配線層具有複數個交點、及位於各交點間之配線，藉由被複數個上述配線包圍而形成開口部，對包圍上述開口部之複數個上述配線之各者求出上述交點間之上述配線之長度相對於上述交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.01倍以上1.82倍以下。具有透明性係指波長400 nm以上700 nm以下之光線之透過率為85%以上。

本發明之第42態樣如上述第41態樣之配線基板，其中上述配線之線寬可為0.1 μm以上5.0 μm以下。

本發明之第43態樣如上述第41態樣或上述第42態樣之配線基板，其中上述配線之平面形狀可成為正弦曲線。

本發明之第44態樣如上述第41態樣至上述第43態樣之各態樣之配線基板，其中構成上述網狀配線層之非週期性平面構造可為沃羅諾伊圖案。

本發明之第45態樣如上述第41態樣至上述第43態樣之各態樣之配線基板，其中構成上述網狀配線層之非週期性平面構造可藉由使週期性地排列之交點以較規定距離小之距離朝各種方向隨機變位而構成。

本發明之第46態樣如上述第41態樣至上述第45態樣之各態樣之配線基板，其中上述網狀配線層之整體之開口率可為96%以上且未達100%。

本發明之第47態樣如上述第41態樣至上述第46態樣之各態樣之配線基板，其中可於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。

本發明之第48態樣係一種模組，其具備：如上述第41態樣至上述第47態樣中任一態樣之配線基板；及饋電線，其電性連接於上述配線基板。

本發明之第49態樣係一種圖像顯示裝置，其具備如上述第48態樣之模組。

本發明之第50態樣如上述第49態樣之圖像顯示裝置，其中上述網狀配線層可作為天線發揮功能。

本發明之第51態樣如上述第49態樣或上述第50態樣之圖像顯示裝置，其中上述配線基板可進而具有電性連接於上述網狀配線層之饋電部，上述網狀配線層可包含連接於上述饋電部之傳輸部、及連接於上述傳輸部之收發部。

根據本發明之實施方式，能夠抑制水波紋之產生，並且抑制反射光引起之閃爍。

又，根據本發明之實施方式，能夠抑制水波紋之產生及閃爍之產生該兩者。

(第1實施方式)  首先，利用圖1至圖9，對第1實施方式進行說明。圖1至圖9係表示本實施方式之圖。

以下所示之各圖係模式性地表示之圖。因此，為了易於理解，適當誇大各部之大小、形狀。又，能夠於不脫離技術思想之範圍內適當變更而實施。再者，於以下所示之各圖中，有時對相同部分標註相同符號，並省略一部分詳細說明。又，本說明書中記載之各構件之尺寸等之數值及材料名係作為實施方式之一例，並不限定於此，能夠適當選擇而使用。於本說明書中，關於特定出形狀或幾何學條件之用語、例如平行或正交、垂直等用語，除了嚴格之含義以外，亦包含實質上相同之狀態而進行解釋。

於以下之實施方式中，「X方向」係指相對於圖像顯示裝置之一邊平行之方向。「Y方向」係指與X方向垂直且相對於圖像顯示裝置之另一邊平行之方向。「Z方向」係指與X方向及Y方向兩者垂直且與圖像顯示裝置之厚度方向平行之方向。「正面」指Z方向正側之面且圖像顯示裝置之發光面側，且指朝向觀察者側之面。「背面」指Z方向負側之面，且與圖像顯示裝置之發光面及朝向觀察者側之面為相反側之面。再者，於本實施方式中，以網狀配線層20為具有電波收發功能(即，作為天線之功能)之網狀配線層之情形為例進行說明，但網狀配線層20亦可不具有電波收發功能。

參照圖1及圖2，對本實施方式之圖像顯示裝置之構成進行說明。

如圖1及圖2所示，本實施方式之圖像顯示裝置60具備配線基板10、及積層於配線基板10之顯示裝置61。

配線基板10具有基板11、網狀配線層20、及饋電部40。如圖2所示，基板11包含第1面11a及位於第1面11a之相反側之第2面11b。網狀配線層20係於基板11之第1面11a上配置有2個以上(複數個)。又，於各網狀配線層20電性連接有饋電部40。進而，於相對於顯示裝置61為Z方向負側配置有通訊模組63。圖像顯示裝置用積層體70、顯示裝置61、及通訊模組63收容於殼體62內。

於圖1及圖2所示之圖像顯示裝置60中，能夠經由通訊模組63收發規定頻率之電波，從而能夠進行通訊。通訊模組63亦可包含毫米波用天線、電話用天線、WiFi用天線、3G用天線、4G用天線、5G用天線、LTE用天線、Bluetooth(註冊商標)用天線、NFC用天線等中之任一者。作為此種圖像顯示裝置60，可列舉例如智慧型手機、平板等移動終端機器。

如圖2所示，圖像顯示裝置60具有發光面64。圖像顯示裝置60具備相對於顯示裝置61位於發光面64側(即，Z方向正側)之配線基板10、及相對於顯示裝置61位於發光面64之相反側(即，Z方向負側)之通訊模組63。

顯示裝置61例如包括有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置。該顯示裝置61具有沿著第1方向(例如，Y方向)及第2方向(例如，X方向)重複配列之複數個像素P(參照圖3)。關於像素P之詳情，將於下文進行敍述。

顯示裝置61例如亦可包含未圖示之金屬層、支持基材、樹脂基材、薄膜電晶體(TFT，Thin Film Transistor)、及有機EL層。亦可於顯示裝置61上配置有未圖示之觸控感測器。又，於顯示裝置61上經由第2透明接著層96配置有配線基板10。再者，顯示裝置61不限於有機EL顯示裝置。例如，顯示裝置61亦可為其自身具有發光功能之其他顯示裝置，亦可為包含微型LED(Light Emitting Diode，發光二極體)元件之微型LED顯示裝置。又，顯示裝置61亦可為包含液晶之液晶顯示裝置。

於配線基板10上經由第1透明接著層95配置有覆蓋玻璃75。再者，亦可於第1透明接著層95與覆蓋玻璃75之間配置有未圖示之加飾膜及偏光板。

第1透明接著層95係將配線基板10直接或間接地接著於覆蓋玻璃75之接著層。該第1透明接著層95位於基板11之第1面11a側。第1透明接著層95具有光學透明性，可為OCA(Optical Clear Adhesive，光學透明膠)層。OCA層例如係以如下方式製作之層。首先，於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等之離型膜上塗佈包含聚合性化合物之液狀之硬化性接著層用組合物。繼而，藉由使用例如紫外線(UV)等使其硬化而獲得OCA片材。將該OCA片材貼合於對象物之後，將離型膜剝離去除，藉此，獲得上述OCA層。第1透明接著層95之材料可為丙烯酸系樹脂、矽酮系樹脂或胺基甲酸酯系樹脂等。尤其是，第1透明接著層95亦可包含丙烯酸系樹脂。於該情形時，較佳為第2透明接著層96包含丙烯酸系樹脂。藉此，能夠實質上消除第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率之差，而更確實地抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B3處之可見光之反射。

第1透明接著層95之可見光線之透過率可為85%以上，較佳為90%以上。再者，第1透明接著層95之可見光線之透過率並無特別之上限，例如可為100%以下。藉由將第1透明接著層95之可見光線之透過率設為上述範圍，能夠提高圖像顯示裝置用積層體70之透明性而容易視認圖像顯示裝置60之顯示裝置61。再者，可見光線係指波長為400 nm以上700 nm以下之光線。又，可見光線之透過率為85%以上係指對要測定之構件(例如第1透明接著層95)進行吸光度之測定時，於400 nm以上700 nm以下之整個波長區域中，其透過率為85%以上。吸光度之測定可使用公知之分光光度計(例如，日本分光股份有限公司製造之分光器：V-670)來進行。

如上所述，配線基板10相對於顯示裝置61配置於發光面64側。於該情形時，配線基板10位於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間。更具體而言，於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間的一部分區域配置有配線基板10之基板11之一部分區域。於該情形時，第1透明接著層95、第2透明接著層96、顯示裝置61及覆蓋玻璃75分別具有較配線基板10之基板11大之面積。藉由如此將配線基板10之基板11於俯視下配置於一部分區域而並非圖像顯示裝置60之整面，能夠使圖像顯示裝置60之整體之厚度較薄。

如上所述，配線基板10具有：基板11，其具有透明性；及網狀配線層20，其配置於基板11之第1面11a上。網狀配線層20係於基板11之第1面11a上相互隔開地配置有2個以上(複數個)。於網狀配線層20電性連接有饋電部40。饋電部40經由未圖示之饋電線電性連接於通訊模組63。又，配線基板10之一部分不配置於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間，而自第1透明接著層95與第2透明接著層96之間向外側(即，Y方向負側)突出。具體而言，配線基板10中設置有饋電部40之區域向外側突出。藉此，能夠容易地進行饋電部40與通訊模組63之電性連接。另一方面，配線基板10中設置有網狀配線層20之區域位於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間。再者，關於配線基板10之詳情，將於下文進行敍述。

第2透明接著層96係將顯示裝置61直接或間接地接著於配線基板10之接著層。該第2透明接著層96位於基板11之第2面11b側。第2透明接著層96與第1透明接著層95同樣地，具有光學透明性，可為OCA(Optical Clear Adhesive)層。第2透明接著層96之材料可為丙烯酸系樹脂、矽酮系樹脂或胺基甲酸酯系樹脂等。尤其是，第2透明接著層96亦可包含丙烯酸系樹脂。藉此，能夠實質上消除第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率之差，而更確實地抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B3處之可見光之反射。

第2透明接著層96之可見光線(即，波長400 nm以上700 nm以下之光線)之透過率可為85%以上，較佳為90%以上。再者，第2透明接著層96之可見光線之透過率並無特別之上限，例如可為100%以下。藉由將第2透明接著層96之可見光線之透過率設為上述範圍，能夠提高圖像顯示裝置用積層體70之透明性而容易視認圖像顯示裝置60之顯示裝置61。

於此種圖像顯示裝置60中，基板11之折射率與第1透明接著層95之折射率之差為0.1以下，較佳為0.05以下。又，基板11之折射率與第2透明接著層96之折射率之差為0.1以下，較佳為0.05以下。進而，第1透明接著層95之折射率與第2透明接著層96之折射率之差較佳為0.1以下，更佳為0.05以下。例如，於第1透明接著層95之材料與第2透明接著層96之材料為折射率為1.49之丙烯酸系樹脂之情形時，將基板11之折射率設為1.39以上1.59以下。作為此種材料，例如可列舉氟樹脂、矽酮系樹脂、聚烯烴樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、纖維素系樹脂等。

藉由如此將基板11之折射率與第1透明接著層95之折射率之差控制在0.1以下，能夠抑制基板11與第1透明接著層95之界面B1處之可見光之反射而使觀察者不易用肉眼視認基板11。又，藉由將基板11之折射率與第2透明接著層96之折射率之差控制在0.1以下，能夠抑制基板11與第2透明接著層96之界面B2處之可見光之反射而使觀察者不易用肉眼視認基板11。進而，藉由將第1透明接著層95之折射率與第2透明接著層96之折射率之差控制在0.1以下，能夠抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B3處之可見光之反射。因此，能夠使觀察者不易用肉眼視認第1透明接著層95與第2透明接著層96。

尤其是，較佳為第1透明接著層95之材料與第2透明接著層96之材料為彼此相同之材料。藉此，能夠使第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率之差更小而抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B3處之可見光之反射。

於圖2中，第1透明接著層95之厚度T ₃與第2透明接著層96之厚度T ₄中之至少一者之厚度可為基板11之厚度T ₁之1.5倍以上，較佳為2倍以上，進而較佳為2.5倍以上。藉由如此相對於基板11之厚度T ₁充分增厚第1透明接著層95之厚度T ₃或第2透明接著層96之厚度T ₄，而於與基板11重疊之區域中第1透明接著層95或第2透明接著層96於厚度方向上發生變形，吸收基板11之厚度。藉此，能夠抑制在基板11之周緣於第1透明接著層95或第2透明接著層96產生階差，從而能夠使觀察者不易辨識基板11之存在。

第1透明接著層95之厚度T ₃及第2透明接著層96之厚度T ₄中之至少一者之厚度較佳為基板11之厚度T ₁之10倍以下，進而較佳為5倍以下。藉此，第1透明接著層95之厚度T ₃或第2透明接著層96之厚度T ₄不會變得過厚，能夠使圖像顯示裝置60之整體之厚度較薄。

於圖2中，第1透明接著層95之厚度T ₃與第2透明接著層96之厚度T ₄可彼此相同。於該情形時，第1透明接著層95之厚度T ₃及第2透明接著層96之厚度T ₄分別可為基板11之厚度T ₁之1.5倍以上，較佳為2.0倍以上。即，第1透明接著層95之厚度T ₃及第2透明接著層96之厚度T ₄之合計(即，T ₃＋T ₄)為基板11之厚度T ₁之3倍以上。藉由如此相對於基板11之厚度T ₁充分增厚第1透明接著層95及第2透明接著層96之厚度T ₃、T ₄之合計，而於與基板11重疊之區域中，第1透明接著層95及第2透明接著層96於厚度方向上發生變形(收縮)。藉此，第1透明接著層95及第2透明接著層96吸收基板11之厚度。因此，能夠抑制在基板11之周緣於第1透明接著層95或第2透明接著層96產生階差，從而使觀察者不易辨識基板11之存在。

於第1透明接著層95之厚度T ₃與第2透明接著層96之厚度T ₄彼此相同之情形時，第1透明接著層95之厚度T ₃及第2透明接著層96之厚度T ₄分別可為基板11之厚度T ₁之5倍以下，較佳為3倍以下。藉此，第1透明接著層95及第2透明接著層96兩者之厚度T ₃、T ₄不會變得過厚，能夠使圖像顯示裝置60之整體之厚度較薄。

具體而言，基板11之厚度T ₁例如可為2 μm以上，亦可為10 μm以上，較佳為15 μm以上。藉由將基板11之厚度T ₁設為2 μm以上，能夠保持配線基板10之強度而使網狀配線層20之下述之第1配線21及第2配線22不易變形。又，基板11之厚度T ₁例如可為200 μm以下，亦可為50 μm以下，較佳為25 μm以下。藉由將基板11之厚度T ₁設為200 μm以下，能夠抑制在基板11之周緣於第1透明接著層95及第2透明接著層96產生階差，從而使觀察者不易辨識基板11之存在。又，藉由將基板11之厚度T ₁設為50 μm以下，能夠進一步抑制在基板11之周緣於第1透明接著層95及第2透明接著層96產生階差，從而使觀察者更不易辨識基板11之存在。

第1透明接著層95之厚度T ₃例如可為15 μm以上，較佳為20 μm以上。第1透明接著層95之厚度T ₃例如可為500 μm以下，較佳為300 μm以下，進而較佳為250 μm以下。第2透明接著層96之厚度T ₄例如可為15 μm以上，較佳為20 μm以上。第2透明接著層96之厚度T ₄例如可為500 μm以下，較佳為300 μm以下，進而較佳為250 μm以下。

再次參照圖2，覆蓋玻璃75直接或間接地配置於第1透明接著層95上。該覆蓋玻璃75係使光透過之玻璃製構件。覆蓋玻璃75呈板狀，覆蓋玻璃75之形狀於俯視下可呈矩形。覆蓋玻璃75之厚度例如可為200 μm以上1000 μm以下，較佳為300 μm以上700 μm以下。覆蓋玻璃75之長度方向(即，Y方向)之長度例如可為20 mm以上500 mm以下，理想的是100 mm以上200 mm以下。覆蓋玻璃75之短邊方向(即，X方向)之長度可為20 mm以上500 mm以下，理想的是50 mm以上100 mm以下。

如圖1所示，圖像顯示裝置60之形狀於俯視下整體上呈大致長方形，其長度方向與Y方向平行，且其短邊方向與X方向平行。圖像顯示裝置60之長度方向(即，Y方向)之長度L ₄例如能夠於20 mm以上500 mm以下、理想的是100 mm以上200 mm以下之範圍內選擇。圖像顯示裝置60之短邊方向(即，X方向)之長度L ₅例如能夠於20 mm以上500 mm以下、理想的是50 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。再者，圖像顯示裝置60之平面形狀亦可為其角部分別帶弧度之長方形。

接下來，參照圖3，對顯示裝置61之像素P進行說明。

圖3係表示像素P及像素P中包含之子像素S之配置構成之一例之俯視圖。再者，圖3中附加有「R」之顯示之子像素S表示發出紅色光之子像素S。附加有「G」之顯示之子像素S表示發出綠色光之子像素S。附加有「B」之顯示之子像素S表示發出藍色光之子像素S。

顯示裝置61具有沿著網狀配線層20之寬度方向(即，X方向)及長度方向(即，Y方向)規則地配置之複數個像素P。複數個像素P係於X方向上以固定之間距P _X配置，其間距P _X例如可處於約50 μm以上200 μm以下之範圍。又，複數個像素P係於Y方向上以固定之間距P _Y配置，其間距P _Y例如可處於約50 μm以上200 μm以下之範圍。

各像素P包含複數個子像素S。各子像素S包含能夠發出對應顏色之光之OLED(有機發光二極體)。於圖3所示之例中，各像素P包含能夠發出3種顏色(即，紅色、綠色及藍色)之光之子像素S。各像素P所包含之子像素S排列於X方向及Y方向該兩個方向上。於圖3所示之例中，發出綠色光之子像素S係於X方向上，與發出紅色光之子像素S及發出藍色光之子像素S隔開而排列。又，發出紅色光之子像素S與發出藍色光之子像素S係於Y方向上相互隔開而排列。

再者，各像素P所包含之子像素S之種類(即發光色)及數量並無特別限定。例如，亦可於各像素P中包含能夠發出2種或4種以上之顏色之光之子像素S。又，各像素P內之子像素S間之相對位置關係亦無特別限定。例如，於各像素P內，子像素S亦可配置成僅沿X方向及Y方向中之任一個方向排列。各像素P內之子像素S彼此亦可靠近或密接地配置。

如此，各子像素S構成各發光元件。各像素P由構成重複單元之複數個子像素S之集合構成。再者，像素P及子像素S之配置並不限定於圖3所示之例。像素P及子像素S亦可以任意形態配置。例如，於圖3所示之例中，於正方形之各像素P之範圍內分別包含各色(即紅色、綠色及藍色)之一個子像素S。然而，各像素P之形狀並非必須限定於正方形。又，亦可於各像素P中包含各色之複數個子像素S。

接下來，參照圖4至圖7，對配線基板之構成進行說明。圖4至圖7係表示本實施方式之配線基板之圖。

如圖4所示，本實施方式之配線基板10係用於上述圖像顯示裝置60(參照圖1及圖2)之基板。配線基板10可配置於較顯示裝置61更靠發光面64側且第1透明接著層95與第2透明接著層96之間。如上所述，此種配線基板10具有：基板11，其具有透明性；及網狀配線層20，其配置於基板11上。又，於網狀配線層20電性連接有饋電部40。

基板11之形狀於俯視下呈大致長方形。於圖示之例中，其長度方向與X方向平行，且其短邊方向與Y方向平行。基板11具有透明性並且呈大致平板狀，且其厚度整體上大致均勻。圖像顯示裝置60之長度方向(即，Y方向)上之基板11之長度L ₁例如能夠於2 mm以上300 mm以下之範圍、10 mm以上200 mm以下之範圍或100 mm以上200 mm以下之範圍內選擇。圖像顯示裝置60之短邊方向(即，X方向)上之基板11之長度L ₂例如能夠於2 mm以上300 mm以下之範圍、3 mm以上100 mm以下之範圍或50 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。再者，基板11之平面形狀亦可為其角部分別帶弧度之長方形。

基板11之材料只要為具有可見光線區域中之透明性與電氣絕緣性之材料即可。作為基板11之材料，例如較佳為使用聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、纖維素系樹脂、或氟樹脂材料等有機絕緣性材料。聚酯系樹脂可為聚對苯二甲酸乙二酯等。丙烯酸系樹脂可為聚甲基丙烯酸甲酯等。聚烯烴系樹脂可為環烯烴聚合物等。纖維素系樹脂可為三乙醯纖維素等。氟樹脂材料可為PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)或PFA(Perfluoroalkoxy Alkanes，全氟烷氧基烷烴)等。例如，作為基板11之材料，亦可使用環烯烴聚合物(例如日本瑞翁公司製造ZF-16)、或聚降冰片烯聚合物(住友電木公司製造)等有機絕緣性材料。又，作為基板11之材料，亦可根據用途而適當選擇玻璃或陶瓷等。再者，圖示了基板11由單一層構成之例，但並不限定於此，亦可為由複數個基材或層積層所得之構造。又，基板11可為膜狀構件，亦可為板狀構件。

基板11之介電損耗因數可為0.002以下，較佳為0.001以下。再者，基板11之介電損耗因數並無特別之下限，可設為超過0。藉由基板11之介電損耗因數處於上述範圍，尤其於網狀配線層20收發之電磁波(例如毫米波)為高頻之情形時，能夠減小伴隨電磁波之收發產生之增益之損失(即，感度之降低)。

基板11之相對介電常數較佳為2以上10以下。藉由基板11之相對介電常數為2以上，能夠增加基板11之材料之選項。又，藉由基板11之相對介電常數為10以下，能夠減小伴隨電磁波之收發產生之增益(感度)之損失。即，於基板11之相對介電常數變大之情形時，基板11之厚度對電磁波傳播造成之影響變大。又，於電磁波傳播受到不良影響之情形時，基板11之介電損耗因數會變大，伴隨電磁波之收發產生之增益之損失會變大。相對於此，藉由基板11之相對介電常數為10以下，能夠減小基板11之厚度對電磁波傳播造成之影響。因此，能夠減小伴隨電磁波之收發產生之增益之損失。尤其是，於網狀配線層20收發之電磁波(例如毫米波)為高頻之情形時，能夠減小伴隨電磁波之收發產生之增益之損失。

基板11之介電損耗因數及相對介電常數可根據IEC 62562而測定。具體而言，首先，切出未形成網狀配線層20之部分之基板11而準備試驗片。試驗片之尺寸設為寬度10 mm以上20 mm以下且長度50 mm以上100 mm以下。繼而，根據IEC 62562，測定介電損耗因數或相對介電常數。

於本實施方式中，基板11具有透明性。於本說明書中，「具有透明性」係指可見光線(即，波長400 nm以上700 nm以下之光線)之透過率為85%以上。基板11之可見光線之透過率可為85%以上，較佳為90%以上。再者，基板11之可見光線之透過率並無特別之上限，例如可為100%以下。藉由將基板11之可見光線之透過率設為上述範圍，能夠提高配線基板10之透明性而容易視認圖像顯示裝置60之顯示裝置61。

於本實施方式中，網狀配線層20由具有作為天線之功能之天線圖案構成。該網狀配線層20亦可構成為包含2個以上之天線元件(輻射元件(下述之前端側部分20b))之陣列天線。如此將網狀配線層20構成為陣列天線之情形時，能夠提高收發直進性較高之毫米波之毫米波用天線性能。再者，陣列天線係指將複數個天線元件規則地配置而成之天線，且能夠獨立地控制元件之激勵振幅及相位之天線。

網狀配線層20係於基板11上形成有2個以上(複數個)。網狀配線層20較佳為設置有4個以上。於該情形時，於配線基板10中，天線元件(下述之前端側部分20b)設置有4個以上。於圖示之例中，網狀配線層20係於基板11上形成有4個(參照圖1)。又，如圖4所示，網狀配線層20亦可不存在於基板11之整面，而僅存在於基板11上之一部分區域。各網狀配線層20可具有彼此相同之形狀。於該情形時，各網狀配線層20較佳為下述之前端側部分20b之長度(即，Y方向之長度)L _a之誤差及寬度(X方向之長度)W _a之誤差分別在10%內。藉此，能夠有效地提高毫米波用天線性能。

網狀配線層20具有饋電部40側之基端側部分(即，輸電部)20a、及連接於基端側部分20a之前端側部分(即，收發部)20b。基端側部分20a連接於饋電部40。基端側部分20a之形狀與前端側部分20b之形狀分別於俯視下呈大致長方形。於該情形時，前端側部分20b之長度(即，Y方向距離)較基端側部分20a之長度(即，Y方向距離)長，前端側部分20b之寬度(即，X方向距離)較基端側部分20a之寬度(即，X方向距離)寬。

該網狀配線層20之前端側部分20b對應於規定之頻帶。即，前端側部分20b之長度(Y方向之長度)L _a成為與特定頻帶對應之長度。再者，對應之頻帶之頻率越低，前端側部分20b之長度L _a越長。網狀配線層20除了對應於毫米波用天線以外，亦可對應於電話用天線、WiFi用天線、3G用天線、4G用天線、5G用天線、LTE用天線、Bluetooth(註冊商標)用天線、NFC用天線等中之任一者。再者，亦可為複數個前端側部分20b之長度互不相同，分別對應於不同之頻帶。或者，於配線基板10不具有電波收發功能之情形時，各網狀配線層20例如亦可發揮懸停功能、指紋認證、加熱器、雜訊消除(屏蔽)等功能。再者，懸停功能係指即便使用者不直接觸摸顯示器，亦能夠進行操作之功能。

前端側部分20b之長度方向與X方向平行，其短邊方向與Y方向平行。前端側部分20b之Y方向之長度L _a例如能夠於1 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。前端側部分20b之X方向之寬度W _a例如能夠於1 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。尤其是，於網狀配線層20為毫米波用天線之情形時，前端側部分20b之長度L _a能夠於1 mm以上、更佳為1.5 mm以上之範圍內選擇。於網狀配線層20為毫米波用天線之情形時，前端側部分20b之長度L _a能夠於10 mm以下、更佳為5 mm以下之範圍內選擇。

於此種網狀配線層20中，天線元件彼此之距離較佳為1 mm以上5 mm以下。即，前端側部分20b彼此之距離D _20b(參照圖4)較佳為1 mm以上5 mm以下。藉由前端側部分20b彼此之距離D _20b為1 mm以上，能夠抑制天線元件間之電磁波之不希望之干擾。藉由前端側部分20b彼此之距離D _20b為5 mm以下，能夠減小網狀配線層20構成之陣列天線整體之大小。例如，於網狀配線層20為28 GHz之毫米波用天線之情形時，前端側部分20b彼此之距離D _20b可為3.5 mm。又，於網狀配線層20為60 GHz之毫米波用天線之情形時，前端側部分20b彼此之距離D _20b可為1.6 mm。

網狀配線層20具有金屬線分別呈格子狀或網格狀配置之圖案形狀。該圖案形狀係於X方向及Y方向上重複配置。即，網狀配線層20具有包括沿第1方向(例如，Y方向)延伸之部分(即，第1配線21)及沿第2方向(例如，X方向)延伸之部分(即，第2配線22)的圖案形狀。

如圖5A所示，網狀配線層20具有配線。於本實施方式中，網狀配線層20具有2條以上之配線。具體而言，網狀配線層20具有複數個第1配線(即，配線)21、及連結複數個第1配線21之複數個第2配線(即，配線)22。複數個第1配線21與複數個第2配線22整體上成為一體而形成格子狀或網格狀之形狀。各第1配線21沿Y方向呈直線狀延伸。各第2配線22沿與第1配線21正交之方向即X方向呈直線狀延伸。

於網狀配線層20中，藉由被第1配線21及第2配線22包圍而形成有2個以上之開口部23。具體而言，於網狀配線層20中，藉由被彼此相鄰之第1配線21與彼此相鄰之第2配線22包圍而形成有複數個開口部23。再者，於本說明書中，開口部係指被配線(第1配線21及第2配線22)包圍之區域中不存在連結構成該區域之配線彼此之配線的區域。具體而言，於圖5B所示之例中，開口部23A或開口部23E分別為1個開口部23。換言之，例如，將開口部23A及開口部23B合併所得之區域並非1個開口部23。

又，第1配線21與第2配線22係相互不規則地配置。具體而言，複數個第1配線21係相互平行地配置，其間距P ₁並不規則。間距P ₁例如可處於0.01 mm以上1 mm以下之範圍。複數個第2配線22係相互平行地配置，其間距P ₂並不規則。間距P ₂例如可處於0.01 mm以上1 mm以下之範圍。

如此，於本實施方式中，複數個第1配線21之間距P ₁與複數個第2配線22之間距P ₂分別不規則。藉此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與顯示裝置61之像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。又，如上所述，第1配線21相互平行地配置，第2配線22相互平行地配置。因此，即便於間距P ₁、P ₂並不規則之情形時，亦能夠抑制因網狀配線層20對可見光之反射引起之閃爍。

各開口部23之平面形狀分別為對向之邊彼此平行之多邊形。於本實施方式中，第1配線21相互平行地配置，第2配線22相互平行地配置，因此，各開口部23之平面形狀分別成為對向之邊彼此平行之四邊形(即，長方形)。具有透明性之基板11自各開口部23露出。藉此，能夠提高配線基板10整體之透明性。

如圖5A所示，將各開口部23中之沿規定方向(第1方向)延伸之邊彼此之邊間距離設為d。又，將連續地相鄰之100個開口部23中之沿規定方向延伸之邊彼此之邊間距離d之平均值設為D。於本實施方式中，100個開口部23中的95%以上之開口部23滿足 0.70D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.30D 之關係。此處，如上所述，於本實施方式中，複數個第1配線21之間距P ₁與複數個第2配線22之間距P ₂分別不規則。因此，連續地相鄰之100個開口部23中之邊間距離d可能互不相同。於該情形時，連續地相鄰之100個開口部23中之邊間距離d之值較佳為成為3種以上之值。再者，於本說明書中，「連續地相鄰之100個開口部」係指於所有100個開口部23中，開口部23與構成100個開口部23之其他開口部23中之至少1個相鄰。

「連續地相鄰之100個開口部」例如亦可以如下方式進行選擇。首先，例如，如圖5B所示，選擇任意之開口部23A。其次，選擇與開口部23A相鄰之任意之開口部23B。於圖示之例中，開口部23B於X方向正側與開口部23A相鄰。繼而，選擇與開口部23A、23B之至少一者相鄰之任意之開口部23C。於圖示之例中，開口部23C於Y方向正側與開口部23B相鄰。繼而，選擇與開口部23A、23B、23C中之至少任一個相鄰之任意之開口部23D。於圖示之例中，開口部23D於Y方向正側與開口部23A相鄰，並且於X方向負側與開口部23C相鄰。繼而，選擇與開口部23A、23B、23C、23D中之至少任一個相鄰之任意之開口部23E。於圖示之例中，開口部23E於X方向負側與開口部23D相鄰。亦可以此方式選擇100個開口部23。

又，於配線基板10中，開口部23之個數未達100個之情形時，亦可將所有開口部23中之沿規定方向延伸之邊彼此之邊間距離d之平均值設為D。於該情形時，所有開口部23中的95%以上之開口部23滿足 0.70D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.30D 之關係。

此處，如上所述，開口部23之平面形狀為四邊形。於該情形時，開口部23之平面形狀具有2組相互平行地延伸之一對邊。並且，第1組(即，一組)之邊沿第1方向(例如，X方向)延伸，第2組(即，另一組)之邊沿與第1方向不同之第2方向(例如，Y方向)延伸。換言之，於開口部23之平面形狀為2N邊形(其中，N為2以上之自然數)之情形時，開口部23之平面形狀具有N組相互平行地延伸之一對邊。並且，各組之邊於與不同組之邊不同之方向上延伸。即，第M組(M為1以上N以下之自然數)之邊於與其他組之邊延伸之方向不同之第M方向上延伸。

因此，於本實施方式中，將各開口部23中之沿第M方向延伸之邊彼此之邊間距離設為d _M，將連續地相鄰之100個開口部23中之邊間距離d _M之平均值設為D _M時，100個開口部23中的95%以上之開口部23滿足 0.70D _M≦d _M≦0.98D _M之關係，或者滿足 1.02D _M≦d _M≦1.30D _M之關係。

又，於配線基板10中，開口部23之個數未達100個之情形時，亦可將所有開口部23中之沿第M方向延伸之邊彼此之邊間距離d _M之平均值設為D _M。於該情形時，所有開口部23中的95%以上之開口部23亦滿足 0.70D _M≦d _M≦0.98D _M之關係，或者滿足 1.02D _M≦d _M≦1.30D _M之關係。

具體而言，例如，如圖5A所示，將沿第1配線21之長度方向(即，Y方向)延伸之邊彼此之邊間距離設為d ₁。又，將連續地相鄰之100個開口部23或所有開口部23中之邊間距離d ₁之平均值設為D ₁。於本實施方式中，100個開口部23或所有開口部23中的95%以上之開口部23滿足 0.70D ₁≦d ₁≦0.98D ₁之關係，或者滿足 1.02D ₁≦d ₁≦1.30D ₁之關係。藉此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與顯示裝置61之像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。

即，於上述圖像顯示裝置60中，配線基板10之網狀配線層20係以於Z方向上與顯示裝置61之像素P重疊之方式配置。因此，可能因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生水波紋。與此相對，於本實施方式中，上述之100個開口部23或所有開口部23中的95%以上之開口部23滿足0.70D ₁≦d ₁≦0.98D ₁之關係，或者滿足1.02D ₁≦d ₁≦1.30D ₁之關係。藉此，自Z方向觀察之情形時，於X方向上，第1配線21與像素P不規則地配置。因此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。又，藉由配線基板10滿足上述關係，於網狀配線層20內開口部23之大小不會產生偏差，從而能夠使得不易用肉眼視認網狀配線層20。

同樣地，例如，將沿第2配線22之長度方向(即，X方向)延伸之邊彼此之邊間距離設為d ₂。又，將連續地相鄰之100個開口部23或所有開口部23中之邊間距離d ₂之平均值設為D ₂。於本實施方式中，100個開口部23或所有開口部23中的95%以上之開口部23滿足 0.70D ₂≦d ₂≦0.98D ₂之關係，或者滿足 1.02D ₂≦d ₂≦1.30D ₂之關係。藉此，自Z方向觀察之情形時，於Y方向上，第2配線22與像素P不規則地配置。因此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。又，藉由配線基板10滿足上述關係，於網狀配線層20內開口部23之大小不會產生偏差，從而能夠使得不易用肉眼視認網狀配線層20。

又，於本實施方式中，較佳為上述之100個開口部23或所有開口部23中的95%以上之開口部23滿足0.85D≦d≦0.98D之關係，或者滿足1.02D≦d≦1.15D之關係。藉此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距更小。又，能夠減小網狀配線層20內之開口部23之大小之偏差，因此，能夠使得更不易視認網狀配線層20。

進而，於本實施方式中，進而較佳為上述之100個開口部23或所有開口部23中的95%以上之開口部23滿足0.90D≦d≦0.98D之關係，或者滿足1.02D≦d≦1.10D之關係。藉此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距更小。又，能夠進一步減小網狀配線層20內之開口部23之大小之偏差，因此，能夠使得更不易視認網狀配線層20。

再者，各開口部23之邊間距離d ₁、d ₂例如可處於35 μm以上650 μm以下之範圍。平均值D(即，平均值D ₁、D ₂)可為50 μm以上500 μm以下。藉由平均值D為50 μm以上，能夠抑制網狀配線層20之下述開口率At變小，從而能夠確保配線基板10之透明性。藉由平均值D為500 μm以下，能夠抑制網狀配線層20之薄片電阻值變得過大，從而能夠維持其天線特性。再者，各第1配線21與各第2配線22相互正交，但不限於此，亦可相互交叉成銳角或鈍角。

如圖6所示，各第1配線21具有與其長度方向垂直之剖面(即，X方向剖面)呈大致長方形或大致正方形的形狀。於該情形時，第1配線21之剖面形狀沿著第1配線21之長度方向(即，Y方向)大致均勻。如圖7所示，各第2配線22係與其長度方向垂直之剖面(即，Y方向剖面)呈大致長方形或大致正方形，具有與上述第1配線21之剖面(即，X方向剖面)形狀大致相同之形狀。於該情形時，第2配線22之剖面形狀沿著第2配線22之長度方向(即，X方向)大致均勻。第1配線21之剖面形狀與第2配線22之剖面形狀亦可並非必須呈大致長方形或大致正方形。例如，第1配線21之剖面形狀與第2配線22之剖面形狀亦可為正面側(即，Z方向正側)較背面側(即，Z方向負側)窄之大致梯形、或位於長度方向兩側之側面彎曲之形狀。

於本實施方式中，第1配線21之線寬W ₁(參照圖6)及第2配線22之線寬W ₂(參照圖7)並無特別限定，能夠根據用途適當選擇。此處，第1配線21之線寬W ₁係X方向之長度，第2配線22之線寬W ₂係Y方向之長度。例如，第1配線21之線寬W ₁可為0.5 μm以上3 μm以下。藉由第1配線21之線寬W ₁為0.5 μm以上，能夠提高配線基板10之導電性。藉由第1配線21之線寬W ₁為3.0 μm以下，即便於產生水波紋之情形時，亦能夠使水波紋之濃度較淡。第1配線21之線寬W ₁能夠於0.5 μm以上之範圍內選擇，較佳為1.0 μm以上。第1配線21之線寬W ₁能夠於3.0 μm以下之範圍內選擇，較佳為2.0 μm以下。又，第2配線22之線寬W ₂可為0.5 μm以上3 μm以下。藉由第2配線22之線寬W ₂為0.5 μm以上，能夠提高配線基板10之導電性。藉由第2配線22之線寬W ₂為3.0 μm以下，即便於產生水波紋之情形時，亦能夠使水波紋之濃度較淡。第2配線22之線寬W ₂能夠於0.5 μm以上之範圍內選擇，較佳為1.0 μm以上。第2配線22之線寬W ₂能夠於3.0 μm以下之範圍內選擇，較佳為2.0 μm以下。

第1配線21之高度H ₁(參照圖6)及第2配線22之高度H ₂(參照圖7)並無特別限定，能夠根據用途適當選擇。此處，第1配線21之高度H ₁及第2配線22之高度H ₂分別為Z方向之長度。第1配線21之高度H ₁及第2配線22之高度H ₂分別能夠於例如0.1 μm以上之範圍內選擇，較佳為0.2 μm以上。第1配線21之高度H ₁及第2配線22之高度H ₂分別能夠於例如5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳為2.0 μm以下。

第1配線21及第2配線22之材料只要為具有導電性之金屬材料即可。於本實施方式中，第1配線21及第2配線22之材料為銅，但並不限定於此。第1配線21及第2配線22之材料例如可使用金、銀、銅、鉑、錫、鋁、鐵或鎳等金屬材料、或包含該等金屬之合金。又，第1配線21及第2配線22可為利用電解鍍覆法形成之鍍覆層。

網狀配線層20之整體之開口率At例如可處於87%以上且未達100%之範圍。藉由將網狀配線層20之整體之開口率At設為該範圍，能夠確保配線基板10之導電性與透明性。網狀配線層20之整體之開口率At較佳為95%以上且未達100%、或96%以上且未達100%。藉此，能夠確保配線基板10之導電性並且提高配線基板10之透明性。再者，開口率係指開口區域之面積於規定區域(例如網狀配線層20之整個區域)之單位面積中所占之比率(%)。開口區域係指不存在第1配線21、第2配線22等金屬部分而基板11露出之區域。

網狀配線層20之薄片電阻值可為4 Ω/□以下。藉由將薄片電阻值設為4 Ω/□以下，能夠維持網狀配線層20之性能。具體而言，能夠提高作為天線之網狀配線層20之輻射效率。再者，輻射效率係指表示輸入至網狀配線層20之單體之電力被輻射多少的比率。

網狀配線層20之薄片電阻值(Ω/□)能夠以如下方式求出。即，實際測量網狀配線層20之長度方向(Y方向)兩端部20 _e1、20 _e2(參照圖8)間之電阻值R。繼而，藉由將該電阻值R除以網狀配線層20之長度L _a與寬度W _a之比(L _a/W _a)，能夠求出網狀配線層20之薄片電阻值R _s(Ω/□)。即，薄片電阻值R _s＝R×W _a/L _a。

藉由如此將網狀配線層20之薄片電阻值設為4 Ω/□以下，能夠提高以網狀配線層20單體之輻射效率，從而能夠提高網狀配線層20之作為天線之性能。又，能夠於滿足上述薄片電阻值之範圍內將網狀配線層20之寬度W _a及高度H ₁、H ₂儘可能控制為最小。因此，能夠提高網狀配線層20之開口率At，從而能夠使得不易視認網狀配線層20。

再者，雖未圖示，但亦可於基板11之表面上以覆蓋網狀配線層20之方式形成保護層。保護層係保護網狀配線層20者，形成為覆蓋基板11中之至少網狀配線層20。作為保護層之材料，可使用聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸樹脂、其等之改性樹脂及共聚物、聚酯、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇縮醛、聚乙烯醇縮丁醛等聚乙烯樹脂及其等之共聚物、聚胺基甲酸酯、環氧樹脂、聚醯胺、氯化聚烯烴等無色透明之絕緣性樹脂。

再次參照圖4，於網狀配線層20電性連接有饋電部40。該饋電部40由大致長方形之導電性之薄板狀構件構成。饋電部40之長度方向與X方向平行，饋電部40之短邊方向與Y方向平行。又，饋電部40配置於基板11之長度方向端部(即，Y方向負側端部)。饋電部40之材料例如可使用金、銀、銅、鉑、錫、鋁、鐵或鎳等金屬材料、或包含該等金屬之合金。該饋電部40係於配線基板10組入至圖像顯示裝置60(參照圖1及圖2)時，經由未圖示之饋電線與圖像顯示裝置60之通訊模組63電性連接。再者，饋電部40設置於基板11之第1面11a，但並不限於此，亦可為饋電部40之一部分或全部位於較基板11之周緣更靠外側。又，亦可藉由柔軟地形成饋電部40，而構成為饋電部40迴繞至圖像顯示裝置60之側面或背面。於該情形時，亦可為饋電部40能夠於圖像顯示裝置60之側面或背面側與通訊模組63電性連接。

接下來，參照圖9(a)－(f)，對本實施方式之配線基板10之製造方法進行說明。

首先，如圖9(a)所示，準備包含第1面11a及位於第1面11a之相反側之第2面11b之基板11。基板11具有透明性。

繼而，於基板11之第1面11a上形成網狀配線層20、及電性連接於網狀配線層20之饋電部40。

此時，首先，如圖9(b)所示，於基板11之第1面11a之大致整個區域積層金屬箔51。於本實施方式中，金屬箔51之厚度可為0.1 μm以上5.0 μm以下。於本實施方式中，金屬箔51可包含銅。

繼而，如圖9(c)所示，對金屬箔51之表面之大致整個區域供給光硬化性絕緣抗蝕劑52。作為該光硬化性絕緣抗蝕劑52，例如可列舉丙烯酸樹脂、環氧系樹脂等有機樹脂。

繼而，如圖9(d)所示，利用光微影法形成絕緣層54。於該情形時，利用光微影法將光硬化性絕緣抗蝕劑52圖案化，形成絕緣層54(即，抗蝕圖案)。此時，以與第1配線21及第2配線22對應之金屬箔51露出之方式形成絕緣層54。

繼而，如圖9(e)所示，將基板11之第1面11a上之位於未被絕緣層54覆蓋之部分之金屬箔51去除。此時，藉由進行使用氯化鐵、氯化銅、硫酸、鹽酸等強酸、過硫酸鹽、過氧化氫或其等之水溶液、或其等之組合等之濕式處理，以使基板11之第1面11a露出之方式對金屬箔51進行蝕刻。

繼而，如圖9(f)所示，去除絕緣層54。於該情形時，藉由進行使用過錳酸鹽溶液或N-甲基-2-吡咯啶酮、酸或鹼性溶液等之濕式處理、或使用氧電漿之乾式處理，將金屬箔51上之絕緣層54去除。

以此方式，能夠獲得具有基板11、及設置於基板11之第1面11a上之網狀配線層20之配線基板10。於該情形時，網狀配線層20包含第1配線21及第2配線22。此時，亦可由金屬箔之一部分形成饋電部40。或者，亦可另外準備平板狀之饋電部40，將該饋電部40電性連接於網狀配線層20。

其後，經由第1透明接著層95及第2透明接著層96將顯示裝置61積層於配線基板10，藉此，能夠獲得具備配線基板10、及積層於配線基板10之顯示裝置61之圖像顯示裝置60。

接下來，對包含此種構成之本實施方式之作用進行敍述。

如圖1及圖2所示，配線基板10組入至具有顯示裝置61之圖像顯示裝置60。此時，配線基板10配置於顯示裝置61上。配線基板10之網狀配線層20經由饋電部40電性連接於圖像顯示裝置60之通訊模組63。以此方式，能夠經由網狀配線層20收發規定頻率之電波，從而能夠使用圖像顯示裝置60進行通訊。

如上所述，於圖像顯示裝置60中，配線基板10之網狀配線層20係以於Z方向上與顯示裝置61之像素P重疊之方式配置。因此，可能會因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生水波紋。

與此相對，於本實施方式中，將各開口部23中之沿規定方向延伸之邊彼此之邊間距離設為d，將連續地相鄰之100個開口部23或所有開口部23中之沿規定方向延伸之邊彼此之邊間距離d之平均值設為D時，100個開口部23或所有開口部23中的95%以上之開口部23滿足 0.70D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.30D 之關係。藉此，自Z方向觀察之情形時，第1配線21及第2配線22與像素P不規則地配置。因此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。又，藉由配線基板10滿足上述關係，於網狀配線層20內開口部23之大小不會產生偏差，從而能夠使得不易用肉眼視認網狀配線層20。

又，根據本實施方式，藉由被第1配線21及第2配線22包圍而形成2個以上之開口部23，開口部23之平面形狀為對向之邊彼此平行之多邊形。換言之，第1配線21於俯視下呈直線狀延伸，並且相互平行地配置，第2配線22於俯視下呈直線狀延伸，並且相互平行地配置。因此，能夠抑制因網狀配線層20對可見光之反射引起之閃爍。又，藉由第1配線21等於俯視下呈直線狀延伸，並且相互平行地配置，例如與第1配線21等於俯視下彎曲之情形相比，能夠縮短第1配線21等之全長。因此，能夠減小網狀配線層20之薄片電阻值，從而能夠維持其天線特性。

進而，根據本實施方式，配線基板10具備基板11、及配置於基板11上之網狀配線層20。又，基板11具有透明性。進而，網狀配線層20具有由作為不透明導電體層之形成部之導體部與多個開口部23形成之網狀圖案。因此，確保了配線基板10之透明性。藉此，當配線基板10配置於顯示裝置61上時，能夠自網狀配線層20之開口部23視認顯示裝置61，不會妨礙顯示裝置61之視認性。

接下來，對配線基板之變化例進行說明。

圖10及圖11表示配線基板之第1變化例。圖10及圖11所示之變化例之不同之處在於，於網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30，其他構成與上述之圖1至圖9所示之形態大致相同。於圖10及圖11中，對與圖1至圖9所示之形態相同之部分標註相同符號，並省略詳細說明。

於圖10所示之配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30。該虛設配線層30與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。

如圖11所示，虛設配線層30由具有規定之圖案形狀之虛設配線30a之重複所構成。即，虛設配線層30包含複數個虛設配線30a，各虛設配線30a分別與網狀配線層20(即，第1配線21及第2配線22)電性獨立。又，複數個虛設配線30a係遍及虛設配線層30內之整個區域規則地配置。複數個虛設配線30a於平面方向上相互隔開，並且突出地配置於基板11上。即，各虛設配線30a與網狀配線層20、饋電部40及其他虛設配線30a電性獨立。各虛設配線30a之形狀分別於俯視下呈大致L字形。

於該情形時，虛設配線30a具有上述之網狀配線層20之圖案形狀之一部分缺失的形狀。藉此，能夠使得不易目視辨識網狀配線層20與虛設配線層30之差異，從而能夠使得不易看到配置於基板11上之網狀配線層20。如圖11所示，虛設配線30a與第1配線21或第2配線22平行地延伸。具體而言，虛設配線30a包含與第1配線21平行地延伸之第1部分31a、及與第2配線22平行地延伸之第2部分32a。藉由如此虛設配線30a與第1配線21或第2配線22平行地延伸，能夠使得更不易看到配置於基板11上之網狀配線層20。虛設配線層30之開口率可與網狀配線層20之開口率相同，亦可不同，但較佳為接近網狀配線層20之開口率。

於本變化例中，如圖11所示，將各虛設配線30a間之沿規定方向延伸之部分彼此之距離設為d _a。又，將連續地相鄰之100組虛設配線30a中之沿規定方向延伸之部分彼此之距離d _a之平均值設為D _a。於本變化例中，100組虛設配線30a中的95%以上之虛設配線30a可滿足 0.70D _a≦d _a≦0.98D _a之關係，或者滿足 1.02D _a≦d _a≦1.30D _a之關係。藉此，能夠使因虛設配線30a之規則性(週期性)與顯示裝置61之像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。再者，一方向可為X方向，亦可為Y方向。

又，於配線基板10中，虛設配線30a之組數未達100個之情形時，可將所有虛設配線30a中之沿規定方向延伸之部分彼此之距離d _a之平均值設為D _a。於該情形時，同樣地，所有虛設配線30a中的95%以上之虛設配線30a可滿足 0.70D _a≦d _a≦0.98D _a之關係，或者滿足 1.02D _a≦d _a≦1.30D _a之關係。

再者，於圖11所示之例中，將第1部分31a彼此之距離d _a設為d _a1。於該情形時，將連續地相鄰之100組虛設配線30a或所有虛設配線30a中之距離d _a1之平均值設為D _a1時，100組虛設配線30a或所有虛設配線30a中的95%以上之虛設配線30a可滿足 0.70D _a1≦d _a1≦0.98D _a1之關係，或者滿足 1.02D _a1≦d _a1≦1.30D _a1之關係。

同樣地，將第2部分32a彼此之距離d _a設為d _a2。於該情形時，將連續地相鄰之100組虛設配線30a或所有虛設配線30a中之距離d _a2之平均值設為D _a2時，100組虛設配線30a或所有虛設配線30a中的95%以上之虛設配線30a可滿足 0.70D _a2≦d _a2≦0.98D _a2之關係，或者滿足 1.02D _a2≦d _a2≦1.30D _a2之關係。

又，於本變化例中，較佳為上述之100組虛設配線30a或所有虛設配線30a中的95%以上之虛設配線30a滿足0.85D _a≦d _a≦0.98D _a之關係，或者滿足1.02D _a≦d _a≦1.15D _a之關係。進而，於本變化例中，更佳為上述之100組虛設配線30a或所有虛設配線30a中的95%以上之虛設配線30a滿足0.90D _a≦d _a≦0.98D _a之關係，或者滿足1.02D _a≦d _a≦1.10D _a之關係。

如本變化例般，藉由在網狀配線層20之周圍設置有與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30，能夠使網狀配線層20之外緣不清晰。藉此，能夠使得不易於圖像顯示裝置60之表面上看到網狀配線層20，從而能夠使圖像顯示裝置60之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。

圖12及圖13表示配線基板之第2變化例。圖12及圖13所示之變化例之不同之處在於，於網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之2個以上之虛設配線層30A、30B，其他構成與上述之圖1至圖11所示之形態大致相同。於圖12及圖13中，對與圖1至圖11所示之形態相同之部分標註相同符號，並省略詳細說明。

於圖12所示之配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之2個以上(於該情形時為2個)之虛設配線層30A、30B(即，第1虛設配線層30A及第2虛設配線層30B)。具體而言，沿著網狀配線層20之周圍配置有第1虛設配線層30A，沿著第1虛設配線層30A之周圍配置有第2虛設配線層30B。該虛設配線層30A、30B與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。

如圖13所示，第1虛設配線層30A由具有規定之圖案形狀之重複之虛設配線30a1所構成。又，第2虛設配線層30B由具有規定之圖案形狀之重複之虛設配線30a2所構成。即，虛設配線層30A、30B分別包含複數個虛設配線30a1、30a2，各虛設配線30a1、30a2分別與網狀配線層20電性獨立。又，虛設配線30a1、30a2分別遍及虛設配線層30A、30B內之整個區域規則地配置。各虛設配線30a1、30a2分別於平面方向上相互隔開，並且突出地配置於基板11上。各虛設配線30a1、30a2分別與網狀配線層20、饋電部40及其他虛設配線30a1、30a2電性獨立。各虛設配線30a1、30a2之形狀分別於俯視下呈大致L字。

於該情形時，虛設配線30a1、30a2具有上述之網狀配線層20之圖案形狀之一部分缺失的形狀。藉此，能夠使得不易目視辨識網狀配線層20與第1虛設配線層30A之差異、及第1虛設配線層30A與第2虛設配線層30B之差異，從而能夠使得不易看見配置於基板11上之網狀配線層20。如圖13所示，虛設配線30a1、30a2與第1配線21或第2配線22平行地延伸。具體而言，虛設配線30a1包含與第1配線21平行地延伸之第1部分31a1、及與第2配線22平行地延伸之第2部分32a1。虛設配線30a2包含與第1配線21平行地延伸之第1部分31a2、及與第2配線22平行地延伸之第2部分32a2。

再者，第1虛設配線層30A之各虛設配線30a1之面積大於第2虛設配線層30B之各虛設配線30a2之面積。於該情形時，各虛設配線30a1之線寬與各虛設配線30a2之線寬相同，但並不限於此，各虛設配線30a1之線寬亦可寬於各虛設配線30a2之線寬。再者，虛設配線30a1、30a2之其他構成與第1變化例中之虛設配線30a之構成相同，因此，此處，省略詳細說明。

於本變化例中，網狀配線層20及2個以上之虛設配線層30A、30B之開口率較佳為自網狀配線層20朝向遠離網狀配線層20之虛設配線層30A、30B階段性地增大。換言之，各虛設配線層之開口率較佳為自靠近網狀配線層20者朝向遠離網狀配線層20者而逐漸增大。於該情形時，第1虛設配線層30A之開口率較佳為大於網狀配線層20之開口率。第2虛設配線層30B之開口率較佳為大於第1虛設配線層30A之開口率。藉此，能夠使網狀配線層20及虛設配線層30A、30B之外緣更不清晰。因此，能夠使得更不易於圖像顯示裝置60之表面上看到網狀配線層20。

藉由如此配置有與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30A、30B，能夠使網狀配線層20之外緣更不清晰。藉此，能夠使得不易於圖像顯示裝置60之表面上看到網狀配線層20，從而能夠使圖像顯示裝置60之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。再者，亦可於網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之3個以上之虛設配線層。

圖14表示配線基板之第3變化例。圖14所示之變化例係網狀配線層20之平面形狀不同，其他構成與上述之圖1至圖13所示之形態大致相同。於圖14中，對與圖1至圖13所示之形態相同之部分標註相同符號，並省略詳細說明。

圖14係表示第3變化例之網狀配線層20之放大俯視圖。於圖14中，第1配線21與第2配線22傾斜(即，非直角)地相交，各開口部23之形狀於俯視下呈菱形。第1配線21及第2配線22各自與X方向及Y方向均不平行，但亦可為第1配線21及第2配線22中之任一者與X方向或Y方向平行。

圖15及圖16表示配線基板之第4變化例。圖15及圖16所示之變化例之不同之處在於網狀配線層20之平面形狀、及於網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之2個以上之虛設配線層30A、30B這一點，其他構成與上述之圖1至圖14所示之形態大致相同。於圖15及圖16中，對與圖1至圖14所示之形態相同之部分標註相同符號，並省略詳細說明。

圖15及圖16係表示第4變化例之網狀配線層20之放大俯視圖。於圖15及圖16中，與圖14所示之第3變化例之網狀配線層20同樣地，第1配線21與第2配線22傾斜(即，非直角)地相交，各開口部23之形狀於俯視下呈菱形。第1配線21及第2配線22各自與X方向及Y方向均不平行，但亦可為第1配線21及第2配線22中之任一者與X方向或Y方向平行。

又，於圖15及圖16所示之配線基板10中，與圖12及圖13所示之第2變化例之配線基板10同樣地，沿著網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之2個以上(於該情形時為2個)之虛設配線層30A、30B(即，第1虛設配線層30A及第2虛設配線層30B)。

如圖16所示，於本變化例中，虛設配線30a1、30a2亦與第1配線21或第2配線22平行地延伸。具體而言，虛設配線30a1包含與第1配線21平行地延伸之第1部分31a1、及與第2配線22平行地延伸之第2部分32a1。第1部分31a1與第2部分32a1傾斜(即，非直角)地相交。虛設配線30a2包含與第1配線21平行地延伸之第1部分31a2、及與第2配線22平行地延伸之第2部分32a2。第1部分31a2與第2部分32a2傾斜(即，非直角)地相交。第1虛設配線層30A及第2虛設配線層30B之其他構成與第2變化例中之第1虛設配線層30A及第2虛設配線層30B之構成相同，因此，此處省略詳細說明。

圖17表示配線基板之第5變化例。圖17所示之變化例係開口部23之平面形狀不同，其他構成與上述之圖1至圖16所示之形態大致相同。於圖17中，對與圖1至圖16所示之形態相同之部分標註相同符號，並省略詳細說明。

於圖17所示之配線基板10中，開口部23之平面形狀為六邊形。於本變化例中，第1配線21包含相互傾斜(即，非直角)地相交之第1部分24與第2部分25。第1部分24及第2部分25各自與X方向及Y方向均不平行。

第1部分24與第2部分25相互不規則地配置。具體而言，複數個第1部分24相互平行地配置，其間距P _1a並不規則。間距P _1a例如可處於0.01 mm以上1 mm以下之範圍。複數個第2部分25相互平行地配置，其間距P _1b並不規則。間距P _1b例如可處於0.01 mm以上1 mm以下之範圍。

如此，複數個第1部分24之間距P _1a與複數個第2部分25之間距P _1b分別不規則。藉此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與顯示裝置61之像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。又，如上所述，第1部分24相互平行地配置，第2部分25相互平行地配置。因此，即便於間距P _1a、P _1b並不規則之情形時，亦能夠抑制因網狀配線層20對可見光之反射引起之閃爍。

再者，於本變化例中，對開口部23之平面形狀為六邊形之例進行了說明，但開口部23之平面形狀亦可為八邊形，亦可為具有十個以上之角部之多邊形。

[實施例]  接下來，對本實施方式中之具體實施例進行說明。

(實施例A1) 製作具有圖5A所示之構成之配線基板10。即，製作第1配線21與第2配線22相互不規則地配置之配線基板10。於該情形時，作為配線基板10之基板，使用厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯製之基板。又，作為第1配線21及第2配線22，使用線寬1.0 μm、高度1.0 μm之銅配線。此時，網狀配線層20之前端側部分20b之長度L _a為3.5 mm，寬度W _a為4.2 mm。

於實施例A1之配線基板10中，將開口部23之邊中沿第1配線21之長度方向(即，Y方向)延伸之邊彼此之邊間距離設為d。於該情形時，於Y方向上連續地相鄰之100個開口部23中之邊間距離d之平均值D為100 μm。又，100個開口部23中，滿足 0.70D≦d≦0.98D 之關係(以下，亦簡單地記載為式1)，或者滿足 1.02D≦d≦1.30D 之關係(以下，亦簡單地記載為式2)之開口部23為100個。

於實施例A1之配線基板10中，相互連續之1000 μm見方之區域之開口率之差為0.5%以下。

其次，確認配線基板10之視認性。此時，首先，對有無水波紋進行確認。此時，首先，將配線基板10重疊於圖3所示之顯示裝置61而進行觀察。於顯示裝置61中，像素P之間距P _X為60 μm，像素P之間距P _Y為60 μm。並且，於使顯示裝置61發出白色光之狀態下，自距離300 mm之地方目視觀察配線基板10，確認有無水波紋。

又，對有無閃爍進行確認。此時，首先，於配線基板10之背面側(即，Z方向負側)配置黑板。繼而，利用高亮度燈，自配線基板10之正面側(即，Z方向正側)照射光。此時，自相對於基板11之第1面11a之法線方向傾斜之方向照射光。繼而，自距離300 mm之地方目視觀察配線基板10，確認有無閃爍。

繼而，測定配線基板10中之網狀配線層20之薄片電阻值(Ω/□)。此時，首先，測定網狀配線層20之長度方向(Y方向)兩端部20 _e1、20 _e2(參照圖8)間之電阻值R。作為測定器，使用數位萬用錶(CUSTOM公司製造、CDM-2000D)。繼而，藉由將該電阻值R除以網狀配線層20之長度L _a與寬度W _a之比(L _a/W _a)，而求出網狀配線層20之薄片電阻值R _s(Ω/□)。

(實施例A2) 製作具有圖15所示之構成之配線基板10。即，製作第1配線21與第2配線22相互不規則地配置之配線基板10。於該情形時，作為配線基板10之基板，使用厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯製之基板。又，作為第1配線21及第2配線22，使用線寬1.0 μm、高度1.0 μm之銅配線。此時，網狀配線層20之前端側部分20b之長度L _a為3.5 mm，寬度W _a為4.2 mm。

於實施例A2之配線基板10中，將開口部23之邊中沿第1配線21之長度方向延伸之邊彼此之邊間距離設為d。於該情形時，於Y方向上連續地相鄰之100個開口部23中之邊間距離d之平均值D為100 μm。又，100個開口部23中，滿足式1或式2之開口部23為100個。

於實施例A2之配線基板10中，相互連續之1000 μm見方之區域之開口率之差為0.5%以下。

繼而，以與實施例A1相同之方式，確認配線基板10之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

(比較例A1) 製作具有圖18所示之構成之配線基板100。即，製作第1配線21與第2配線22相互規則地配置之配線基板100。具體而言，製作第1配線21與第2配線22相互大致等間隔地配置之配線基板100。於該情形時，作為配線基板100之基板，使用厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯製之基板。又，作為第1配線21及第2配線22，使用線寬1.0 μm、高度1.0 μm之銅配線。此時，網狀配線層20之前端側部分20b之長度L _a為3.5 mm，寬度W _a為4.2 mm。

於比較例A1之配線基板100中，將開口部23之邊中沿第1配線21之長度方向延伸之邊彼此之邊間距離設為d。於該情形時，邊間距離d之平均值D為100 μm。又，100個開口部23中，滿足式1或式2之開口部23為0個。

於比較例A1之配線基板100中，相互連續之1000 μm見方之區域之開口率之差為0.5%以下。

繼而，以與實施例A1相同之方式，確認配線基板100之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

(比較例A2) 製作具有圖19所示之構成之配線基板100。即，製作開口部23之平面形狀為對向之邊彼此不平行之四邊形之配線基板100。於該情形時，作為配線基板100之基板，使用厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯製之基板。又，作為第1配線21及第2配線22，使用線寬1.0 μm、高度1.0 μm之銅配線。此時，網狀配線層20之前端側部分20b之長度L _a為3.5 mm，寬度W _a為4.2 mm。

於比較例A2之配線基板100中，邊間距離之平均值為100 μm。此時，邊間距離係於沿著網狀配線層20之前端側部分20b(參照圖4)之長度方向(X方向)延伸之假想線且描繪至任意選擇之位置之假想線上測定。

於比較例A2之配線基板100中，相互連續之1000 μm見方之區域之開口率之差為0.5%以下。

繼而，以與實施例A1相同之方式，確認配線基板100之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

(比較例A3) 製作具有圖20所示之構成之配線基板100。即，製作網狀配線層20之配線200形成之平面構造為沃羅諾伊(Voronoi)圖案之配線基板100。於該情形時，作為配線基板100之基板，使用厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯製之基板。又，作為配線200，使用線寬1.0 μm、高度1.0 μm之銅配線。此時，網狀配線層20之前端側部分20b之長度L _a為3.5 mm，寬度W _a為4.2 mm。

於比較例A3之配線基板100中，邊間距離之平均值為100 μm。此時，邊間距離係於沿著網狀配線層20之前端側部分20b(參照圖4)之長度方向(X方向)延伸之假想線且描繪至任意選擇之位置之假想線上測定。

於比較例A3之配線基板100中，相互連續之1000 μm見方之區域之開口率之差為0.5%以下。

繼而，以與實施例A1相同之方式，確認配線基板100之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

將以上之結果示於表1中。

[表1]

	平面形狀(構造)	平均值D(μm)	個數	水波紋	閃爍	開口率	薄片電阻值
實施例A1	四邊形	100	100	A	A	A	A
實施例A2	六邊形	100	100	A	A	A	A
比較例A1	四邊形	100	0	B	A	A	A
比較例A2	四邊形	-	-	A	B	A	B
比較例A3	沃羅諾伊圖案	-	-	A	B	A	B

表1之「個數」之欄之數字係指100個開口部23中滿足式1或式2之開口部23之個數。

於表1中，「A」指結果非常好(excellent)，「B」指結果不良(poor)。具體而言，於表1之「水波紋」之欄中，「A」指未能確認到產生水波紋，「B」指產生水波紋。於表1之「閃爍」之欄中，「A」指未能確認到反射光引起之閃爍，「B」指因反射光而產生閃爍。於表1之「開口率」之欄中，「A」指開口率之差為0.5%以下。於表1之「薄片電阻值」之欄中，「A」指薄片電阻值為規定值以下，「B」指薄片電阻值大於規定值。

其結果，如表1所示，於比較例A1之配線基板100中，產生水波紋。與此相對，於實施例A1及實施例A2之配線基板10中，未能確認到產生水波紋。

如表1所示，於比較例A2及比較例A3之配線基板100中，因反射光而產生閃爍。與此相對，於實施例A1及實施例A2之配線基板10中，未能確認到反射光引起之閃爍。

如此，可知本實施方式之配線基板10能夠抑制水波紋之產生，並且能夠抑制反射光引起之閃爍。

如表1所示，實施例A1及實施例A2之配線基板10與比較例A1之配線基板100同樣地，能夠減少開口率之不均。即，即便於不規則地配置第1配線21等之情形時，亦與規則地配置第1配線21等之配線基板100同樣地，能夠減少開口率之不均。

如表1所示，實施例A1及實施例A2之配線基板10與比較例A1之配線基板100同樣地，能夠使網狀配線層20之薄片電阻值為規定值以下。於該情形時，實施例A1及實施例A2之配線基板10之網狀配線層20之薄片電阻值與比較例A1之配線基板100之網狀配線層20之薄片電阻值同等。即，於實施例A1及實施例A2之配線基板10中，雖然不規則地配置第1配線21等，但與規則地配置第1配線21等之情形相比，第1配線21等配線之長度並未發生變化。藉此，即便於不規則地配置第1配線21等之情形時，亦能夠使網狀配線層20之薄片電阻值與規則地配置有第1配線21等之配線基板100之網狀配線層20之薄片電阻值同等。因此，實施例A1及實施例A2之配線基板10與規則地配置有第1配線21等之配線基板100同樣地，能夠提高作為天線之網狀配線層20之輻射效率。

(第2實施方式)  接下來，利用圖21至圖24對一實施方式進行說明。圖21至圖24係表示本實施方式之圖。存在如下情況，即，於圖21至圖24中，對與圖1至圖20所示之第1實施方式相同之部分標註相同符號並省略詳細說明。

於本實施方式中，各第1配線21及第2配線22在與網狀配線層20之長度方向(即，Y方向)及網狀配線層20之寬度方向(即，X方向)均不平行之方向上呈直線狀延伸。即，第1配線21及第2配線22各自與X方向及Y方向均不平行。再者，亦可為第1配線21及第2配線22中之任一者與X方向或Y方向平行。

於本實施方式中，亦藉由被彼此相鄰之第1配線21與彼此相鄰之第2配線22包圍而形成有複數個開口部23。各開口部23之平面形狀分別於俯視下為大致菱形。具有透明性之基板11自各開口部23露出。藉此，能夠提高配線基板10整體之透明性。

如圖21及圖22所示，將第1配線21與第2配線22之交點設為A。於該情形時，第1配線21與第2配線22之交點A係不規則地配置。即，第1配線21之間距與第2配線22之間距分別不規則。具體而言，由於交點A不規則地配置，故於各交點A間延伸之第1配線21之方向相互不規則。同樣地，於各交點A間延伸之第2配線22之方向相互不規則。藉此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與顯示裝置61之像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。

即，於上述圖像顯示裝置60中，配線基板10之網狀配線層20係以於Z方向上與顯示裝置61之像素P重疊之方式配置。因此，可能會因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生水波紋。與此相對，於本實施方式中，交點A不規則地配置。藉此，第1配線21及第2配線22與像素P不規則地配置。因此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。

如圖21及圖22所示，將由位於同一條第1配線21上之複數個交點A求出之回歸直線設為第1回歸直線21x。同樣地，將由位於同一條第2配線22上之複數個交點A求出之回歸直線設為第2回歸直線22x。並且，將第1回歸直線21x與第2回歸直線22x之交點設為B。此處，回歸直線係指藉由使用最小平方法對位於同一條第1配線21上之各交點A之俯視下之位置資料進行近似而獲得的直線。

又，如圖22所示，將自交點A至最靠近之交點B之沿著網狀配線層20之寬度方向(即，X方向)之距離設為d _X。又，將自交點A至最靠近之交點B之沿著網狀配線層20之長度方向(即，Y方向)之距離設為d _Y。又，將於網狀配線層20之寬度方向上連續地相鄰之10個交點B之間距P _1X之平均值設為D _X。並且，將於網狀配線層20之長度方向上連續地相鄰之10個交點B之間距P _1Y之平均值設為D _Y。於本實施方式中，於分別最靠近10個交點B之各者之10個交點A中的9個以上之交點A處，滿足 0.02D _X≦d _X＜0.3D _X之關係、及 0.02D _Y≦d _Y＜0.3D _Y之關係之至少一者。藉此，能夠抑制第1配線21之間距之偏差及第2配線22之間距之偏差變得過大。因此，能夠抑制因網狀配線層20對可見光之反射引起之閃爍。又，藉由配線基板10滿足上述關係，於網狀配線層20內開口部23之大小不會產生偏差，能夠使得不易用肉眼視認網狀配線層20。此處，於分別最靠近10個交點B之各者之10個交點A處，距離d _X、d _y可互不相同。於該情形時，較佳為分別最靠近10個交點B之各者之10個交點A處之距離d _X、d _y之值為3種以上之值。

又，於分別最靠近10個交點B之各者之10個交點A中的9個以上之交點A處，滿足 0.02D _X≦d _X＜0.3D _X之關係、及 0.02D _Y≦d _Y＜0.3D _Y之關係。藉由滿足上述兩種關係，能夠更有效地抑制第1配線21之間距之偏差及第2配線22之間距之偏差變得過大。因此，能夠更有效地抑制因網狀配線層20對可見光之反射引起之閃爍。又，藉由配線基板10滿足上述兩種關係，能夠進一步減小開口部23之大小之偏差，從而能夠使得更不易用肉眼視認網狀配線層20。

交點B之間距P _1X之平均值D _X及交點B之間距P _1Y之平均值D _Y可為50 μm以上500 μm以下。藉由平均值D _X及平均值D _Y為50 μm以上，能夠抑制網狀配線層20之下述開口率At變小，從而能夠確保配線基板10之透明性。藉由平均值D _X及平均值D _Y為500 μm以下，能夠抑制網狀配線層20之薄片電阻值變得過大，從而能夠維持其天線特性。

交點B之間距P _1X之平均值D _X可為寬度方向上之像素P之間距P _X之(N－0.05)倍(N為自然數(不為0))以下，並且為(N＋0.05)倍以上。藉此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。即，自Z方向觀察之情形時，於X方向上，交點A與像素P不規則地配置。因此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。

交點B之間距P _1X之平均值D _X較佳為寬度方向上之像素P之間距P _X之(N－0.2)倍以上，並且為(N＋0.2)倍以下。藉此，即便於例如N變小之情形時，亦能夠抑制平均值D _X變得過小。因此，能夠抑制網狀配線層20之下述開口率At變小，從而能夠確保配線基板10之透明性。又，即便於例如N變大之情形時，亦能夠抑制平均值D _X變得過大。因此，能夠抑制網狀配線層20之薄片電阻值變得過大，從而能夠維持其天線特性。

交點B之間距P _1X之平均值D _X可為50 μm以上500 μm以下。藉由平均值D _X為50 μm以上，能夠抑制網狀配線層20之下述開口率At變小，從而能夠確保配線基板10之透明性。藉由平均值D _X為500 μm以下，能夠抑制網狀配線層20之薄片電阻值變得過大，從而能夠維持其天線特性。

交點B之間距P _1Y之平均值D _Y可為長度方向上之像素P之間距P _Y之(M－0.05)倍(M為自然數)以下，並且為(M＋0.05)倍以上。藉此，自Z方向觀察之情形時，於Y方向上，交點A與像素P不規則地配置。因此，能夠使因網狀配線層20之規則性與像素P之規則性而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。

交點B之間距P _1Y之平均值D _Y較佳為長度方向上之像素P之間距P _Y之(M－0.2)倍以上，並且為(M＋0.2)倍以下。藉此，即便於例如M變小之情形時，亦能夠抑制平均值D _Y變得過小。因此，能夠抑制網狀配線層20之下述開口率At變小，從而能夠確保配線基板10之透明性。又，即便於例如M變大之情形時，亦能夠抑制平均值D _Y變得過大。因此，能夠抑制網狀配線層20之薄片電阻值變得過大，從而能夠維持其天線特性。

交點B之間距P _1Y之平均值D _Y可為50 μm以上500 μm以下。藉由平均值D _Y為50 μm以上，能夠抑制網狀配線層20之下述開口率At變小，從而能夠確保配線基板10之透明性。藉由平均值D _Y為500 μm以下，能夠抑制網狀配線層20之薄片電阻值變得過大，從而能夠維持其天線特性。

N及M較佳為分別為1以上6以下之自然數。藉由N及M分別為6以下之自然數，能夠抑制交點B之間距P _1X之平均值D _X及交點B之間距P _1Y之平均值D _Y變得過大。因此，能夠抑制網狀配線層20之薄片電阻值變得過大，從而能夠維持其天線特性。

上述之第1回歸直線21x與第2回歸直線22x所成之角度θ較佳為30°以上150°以下。藉此，能夠抑制第1配線21與第2配線22所成之角度變得過小或變得過大。因此，形成網狀配線層20時，能夠容易形成第1配線21與第2配線22。

如圖23所示，於本實施方式中，各第1配線21亦具有與其長度方向垂直之剖面呈大致長方形或大致正方形的形狀。於該情形時，第1配線21之剖面形狀遍及整個第1配線21大致均勻。如圖24所示，於本實施方式中，各第2配線22之與其長度方向垂直之剖面亦呈大致長方形或大致正方形，具有與上述之第1配線21之剖面形狀大致相同之形狀。於該情形時，第2配線22之剖面形狀遍及整個第2配線22大致均勻。第1配線21之剖面形狀與第2配線22之剖面形狀亦可並非必須為大致長方形或大致正方形。例如，第1配線21之剖面形狀與第2配線22之剖面形狀亦可為正面側(即，Z方向正側)較背面側(即，Z方向負側)窄之大致梯形、或位於長度方向兩側之側面彎曲之形狀。

再者，於本實施方式中，第1配線21之線寬W ₁(參照圖23)係與其長度方向垂直之剖面中之寬度，第2配線22之線寬W ₂(參照圖24)係與其長度方向垂直之剖面中之寬度。

本實施方式之配線基板10例如能夠藉由圖9(a)－(f)所示之方法製作。

其後，經由第1透明接著層95及第2透明接著層96將顯示裝置61積層於配線基板10，藉此，能夠獲得具備配線基板10、及積層於配線基板10之顯示裝置61之圖像顯示裝置60。

接下來，對包含此種構成之本實施方式之作用進行敍述。

於本實施方式中，配線基板10亦組入至具有顯示裝置61之圖像顯示裝置60(參照圖1及圖2)。此時，配線基板10配置於顯示裝置61上。配線基板10之網狀配線層20經由饋電部40電性連接於圖像顯示裝置60之通訊模組63。以此方式，能夠經由網狀配線層20收發規定頻率之電波，從而能夠使用圖像顯示裝置60進行通訊。

如上所述，於圖像顯示裝置60中，配線基板10之網狀配線層20係以於Z方向上與顯示裝置61之像素P重疊之方式配置。因此，可能會因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生水波紋。

與此相對，於本實施方式中，將第1配線21與第2配線22之交點設為A，將由位於同一條第1配線21上之複數個交點A求出之第1回歸直線21x與由位於同一條第2配線22上之複數個交點A求出之第2回歸直線22x的交點設為B，將自交點A至最靠近之交點B之沿著網狀配線層20之寬度方向之距離設為d _X，將自交點A至最靠近之交點B之沿著網狀配線層20之長度方向之距離設為d _Y，將於網狀配線層20之寬度方向上連續地相鄰之10個交點B之間距P _1X之平均值設為D _X，將於網狀配線層20之長度方向上連續地相鄰之10個交點B之間距P _1Y之平均值設為D _Y時，於分別最靠近10個交點B之各者之10個交點A中的9個以上之交點A處，滿足 0.02D _X≦d _X＜0.3D _X之關係、及 0.02D _Y≦d _Y＜0.3D _Y之關係之至少一者。藉此，能夠不規則地配置交點A。即，能夠不規則地配置第1配線21及第2配線22與像素P。因此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。又，藉由配線基板10滿足上述關係，能夠抑制第1配線21之間距之偏差及第2配線22之間距之偏差變得過大。因此，能夠抑制因網狀配線層20對可見光之反射引起之閃爍。又，藉由配線基板10滿足上述關係，於網狀配線層20內開口部23之大小不會產生偏差，能夠使得不易用肉眼視認網狀配線層20。

又，根據本實施方式，如上所述，能夠不規則地配置交點A，因此，於交點A間延伸之第1配線21之方向、及於交點A間延伸之第2配線22之方向分別不規則。藉此，例如與第1配線21等於俯視下呈一直線狀延伸之情形相比，能夠使第1配線21及第2配線22之長度較長。因此，能夠提高網狀配線層20之第1配線21及第2配線22與基板11之密接性。於該情形時，保護網狀配線層20之保護層(未圖示)設置於網狀配線層20上時，能夠提高網狀配線層20與保護層之密接性。因此，即便於使配線基板10屈曲之情形等時，亦能夠抑制第1配線21及第2配線22自基板11剝落。又，亦能夠抑制第1配線21及第2配線22之斷線。

進而，根據本實施方式，配線基板10具備基板11、及配置於基板11上之網狀配線層20。又，基板11具有透明性。進而，網狀配線層20具有由作為不透明導電體層之形成部之導體部及多個開口部23形成的網狀圖案。因此，確保了配線基板10之透明性。藉此，當配線基板10配置於顯示裝置61上時，能夠自網狀配線層20之開口部23視認顯示裝置61，不會妨礙顯示裝置61之視認性。

接下來，對配線基板之變化例進行說明。

圖25及圖26表示配線基板之第1變化例。圖25及圖26所示之變化例之不同之處在於，於網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30，其他構成與上述之圖21至圖24所示之形態大致相同。於圖25及圖26中，對與圖21至圖24所示之形態相同之部分標註相同符號，並省略詳細說明。

於圖25所示之配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30。該虛設配線層30與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。

如圖26所示，虛設配線層30由具有規定之圖案形狀之虛設配線30a之重複所構成。即，虛設配線層30包含複數個虛設配線30a，各虛設配線30a分別與網狀配線層20(即，第1配線21及第2配線22)電性獨立。又，複數個虛設配線30a遍及虛設配線層30內之整個區域規則地配置。複數個虛設配線30a於平面方向上相互隔開，並且突出地配置於基板11上。即，各虛設配線30a與網狀配線層20、饋電部40及其他虛設配線30a電性獨立。各虛設配線30a之形狀分別於俯視下呈大致V字形倒置後之形狀。

於該情形時，虛設配線30a具有上述網狀配線層20之圖案形狀之一部分缺失的形狀。藉此，能夠使得不易目視辨識網狀配線層20與虛設配線層30之差異，從而能夠使得不易看到配置於基板11上之網狀配線層20。如圖26所示，虛設配線30a與第1配線21或第2配線22平行地延伸。具體而言，虛設配線30a包含與第1配線21平行地延伸之第1部分31a、及與第2配線22平行地延伸之第2部分32a。藉由如此虛設配線30a與第1配線21或第2配線22平行地延伸，能夠使得更不易看到配置於基板11上之網狀配線層20。虛設配線層30之開口率可與網狀配線層20之開口率相同，亦可不同，但較佳為接近網狀配線層20之開口率。此處，「與第1配線平行」係指第1部分31a與第1回歸直線21x所成之角度θ1為5°以下。又，「與第2配線平行」係指第2部分32a與第2回歸直線22x所成之角度θ2為5°以下。

藉由如本變化例般於網狀配線層20之周圍設置有與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30，能夠使網狀配線層20之外緣不清晰。藉此，能夠使得不易於圖像顯示裝置60之表面上看到網狀配線層20，從而能夠使圖像顯示裝置60之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。

圖27表示配線基板之第2變化例。圖27所示之變化例之不同之處在於，於網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之2個以上之虛設配線層30A、30B，其他構成與上述之圖21至圖26所示之形態大致相同。於圖27中，對與圖21至圖26所示之形態相同之部分標註相同符號，並省略詳細說明。

於本變化例中，與圖15所示之例同樣地，於配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之複數個(於該情形時為2個)虛設配線層30A、30B(即，第1虛設配線層30A及第2虛設配線層30B)。具體而言，沿著網狀配線層20之周圍配置有第1虛設配線層30A，沿著第1虛設配線層30A之周圍配置有第2虛設配線層30B。該虛設配線層30A、30B與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。

如圖27所示，第1虛設配線層30A由具有規定之圖案形狀之重複之虛設配線30a1所構成。又，第2虛設配線層30B由具有規定之圖案形狀之重複之虛設配線30a2所構成。即，虛設配線層30A、30B分別包含複數個虛設配線30a1、30a2，各虛設配線30a1、30a2分別與網狀配線層20電性獨立。又，虛設配線30a1、30a2分別遍及虛設配線層30A、30B內之整個區域規則地配置。各虛設配線30a1、30a2分別於平面方向上相互隔開，並且突出地配置於基板11上。各虛設配線30a1、30a2分別與網狀配線層20、饋電部40及其他虛設配線30a1、30a2電性獨立。各虛設配線30a1、30a2之形狀分別於俯視下呈大致V字形倒置後之形狀。

於該情形時，虛設配線30a1、30a2具有上述網狀配線層20之圖案形狀之一部分缺失的形狀。藉此，能夠使得不易目視辨識網狀配線層20與第1虛設配線層30A之差異、及第1虛設配線層30A與第2虛設配線層30B之差異，從而能夠使得不易看到配置於基板11上之網狀配線層20。如圖27所示，虛設配線30a1、30a2與第1配線21或第2配線22平行地延伸。具體而言，虛設配線30a1包含與第1配線21平行地延伸之第1部分31a1、及與第2配線22平行地延伸之第2部分32a1。虛設配線30a2包含與第1配線21平行地延伸之第1部分31a2、及與第2配線22平行地延伸之第2部分32a2。

再者，第1虛設配線層30A之各虛設配線30a1之面積大於第2虛設配線層30B之各虛設配線30a2之面積。於該情形時，各虛設配線30a1之線寬與各虛設配線30a2之線寬相同，但並不限於此，各虛設配線30a1之線寬亦可寬於各虛設配線30a2之線寬。再者，虛設配線30a1、30a2之其他構成與第1變化例中之虛設配線30a之構成相同，因此，此處省略詳細說明。

於本變化例中，網狀配線層20及2個以上之虛設配線層30A、30B之開口率較佳為自網狀配線層20朝向遠離網狀配線層20之虛設配線層30A、30B階段性地增大。換言之，各虛設配線層之開口率較佳為自靠近網狀配線層20者朝向遠離網狀配線層20者而逐漸增大。於該情形時，第1虛設配線層30A之開口率較佳為大於網狀配線層20之開口率。第2虛設配線層30B之開口率較佳為大於第1虛設配線層30A之開口率。藉此，能夠使網狀配線層20及虛設配線層30A、30B之外緣更不清晰。因此，能夠使得更不易於圖像顯示裝置60之表面上看到網狀配線層20。

藉由如此配置有與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30A、30B，能夠使網狀配線層20之外緣更不清晰。藉此，能夠使得不易於圖像顯示裝置60之表面上看到網狀配線層20，從而能夠使圖像顯示裝置60之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。再者，亦可於網狀配線層20之周圍設置有開口率互不相同之3個以上之虛設配線層。

圖28表示配線基板之第3變化例。圖28所示之變化例之不同之處在於，前端側部分20b包含中央部分20c、及位於中央部分20c之周圍之周緣部分20d，其他構成與上述之圖21至圖27所示之形態大致相同。於圖28中，對與圖21至圖27所示之形態相同之部分標註相同符號，並省略詳細說明。

於圖28所示之配線基板10中，前端側部分(即，收發部)20b包含中央部分20c、及位於中央部分20c之周圍之周緣部分20d。此處，於周緣部分20d，上述距離d _X(參照圖22)小於中央部分20c處之距離d _X。又，於周緣部分20d，上述距離d _Y(參照圖22)小於中央部分20c處之距離d _Y。藉此，能夠減小周緣部分20d處之薄片電阻值。因此，能夠有效地提高作為天線之網狀配線層20之輻射效率。即，周緣部分20d位於較中央部分20c更靠基端側部分20a側，因此，周緣部分20d處之電流密度高於中央部分20c處之電流密度。因此，藉由減小電流密度變高之周緣部分20d處之薄片電阻值，能夠有效地提高作為天線之網狀配線層20之輻射效率。

於本變化例中，周緣部分20d處之距離d _X較佳為中央部分20c處之距離d _X之20%以上80%以下。又，周緣部分20d處之距離d _Y較佳為中央部分20c處之距離d _Y之20%以上80%以下。藉由周緣部分20d處之距離d _X、d _Y為中央部分20c處之距離d _X、d _Y之20%以上，能夠不規則地配置交點A。因此，能夠使因網狀配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之水波紋之間距減小至無法用肉眼視認之程度。又，能夠使中央部分20c與周緣部分20d之邊界不清晰。藉由周緣部分20d處之距離d _X、d _Y為中央部分20c處之距離d _X、d _Y之80%以下，能夠有效地減小周緣部分20d處之薄片電阻值。

於圖示之例中，中央部分20c中，僅基端側部分20a側之區域被周緣部分20d包圍。於該情形時，亦可為於網狀配線層20之長度方向(即，Y方向)上，中央部分20c中基端側部分20a側之50%以上之區域被周緣部分20d包圍。藉此，能夠有效地提高作為天線之網狀配線層20之輻射效率。再者，亦可為中央部分20c之全周被周緣部分20d包圍。

周緣部分20d之寬度W ₃較佳為中央部分20c中之交點B之間距P _1X(參照圖22)之平均值D _X之2倍以上。藉此，可擴大能夠減小薄片電阻值之區域。因此，能夠有效地減小電流密度變高之區域之薄片電阻值。再者，所謂周緣部分20d之寬度W ₃，於周緣部分20d中沿Y方向延伸之部分，指X方向距離，於周緣部分20d中沿X方向延伸之部分，指Y方向距離。

藉由如本變化例般使周緣部分20d中之距離d _X、d _Y小於中央部分20c中之距離d _X、d _Y，能夠減小周緣部分20d中之薄片電阻值。藉此，能夠有效地提高作為天線之網狀配線層20之輻射效率。

[實施例]  接下來，對本實施方式中之具體實施例進行說明。

(實施例B1)  製作具有圖21所示之構成之配線基板10。即，製作第1配線21與第2配線22彼此不規則地配置之配線基板10。於該情形時，作為配線基板10之基板，使用厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯製之基板。又，作為第1配線21及第2配線22，使用線寬1.0 μm、高度1.0 μm之銅配線。此時，網狀配線層20之前端側部分20b之長度L _a為3.5 mm，寬度W _a為4.2 mm。

於實施例B1之配線基板10中，於網狀配線層20之寬度方向(即，X方向)上連續地相鄰之10個交點B之間距P _1X之平均值D _X為70 μm。又，於網狀配線層20之長度方向(即，Y方向)上連續地相鄰之10個交點B之間距P _1Y之平均值D _Y為130 μm。

將自交點A至最靠近之交點B之沿著網狀配線層20之寬度方向之距離設為d _X時，於分別最靠近10個交點B之各者之10個交點A中的9個以上之交點A(以下，亦簡單地記載為「9個以上之交點A」)處，滿足 0.02D _X≦d _X≦0.1D _X之關係。

又，將自交點A至最靠近之交點B之沿著網狀配線層20之長度方向之距離設為d _Y時，於9個以上之交點A處，滿足 0.02D _Y≦d _Y≦0.1D _Y之關係。

於實施例B1之配線基板10中，相互連續之1000 μm見方之區域之開口率之差為0.5%以下。

繼而，確認配線基板10之視認性。此時，首先，對有無水波紋進行確認。此時，首先，將配線基板10重疊於圖3所示之顯示裝置61而進行觀察。於顯示裝置61中，像素P之間距P _X為60 μm，像素P之間距P _Y為60 μm。並且，於使顯示裝置61發出白色光之狀態下，自相距300 mm之地方目視觀察配線基板10，確認有無水波紋。

又，對有無閃爍進行確認。此時，首先，於配線基板10之背面側(即，Z方向負側)配置黑板。繼而，利用高亮度燈，自配線基板10之正面側(即，Z方向正側)照射光。此時，自相對於基板11之第1面11a之法線方向傾斜之方向照射光。繼而，自相距300 mm之地方目視觀察配線基板10，確認有無閃爍。

繼而，測定配線基板10中之網狀配線層20之薄片電阻值(Ω/□)。此時，首先，測定網狀配線層20之長度方向(Y方向)兩端部20 _e1、20 _e2(參照圖8)間之電阻值R。作為測定器，使用數位萬用錶(CUSTOM公司製造、CDM-2000D)。繼而，藉由將該電阻值R除以網狀配線層20之長度L _a與寬度W _a之比(L _a/W _a)，而求出網狀配線層20之薄片電阻值R _s(Ω/□)。

(實施例B2)  除了平均值D _X為130 μm且平均值D _Y為270 μm以外，以與實施例B1相同之方式，確認配線基板10之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

(實施例B3) 於9個以上之交點A處，滿足 0.02D _X≦d _X≦0.05D _X之關係， 於9個以上之交點A處，滿足 0.02D _Y≦d _Y≦0.05D _Y之關係，除此以外，以與實施例B1相同之方式，確認配線基板10之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

(實施例B4) 於9個以上之交點A處，滿足 0.25D _X≦d _X≦0.29D _X之關係， 於9個以上之交點A處，滿足 0.25D _Y≦d _Y≦0.29D _Y之關係，除此以外，以與實施例B1相同之方式，確認配線基板10之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

(比較例B1)  於9個以上之交點A處d _X＝0，於9個以上之交點A處d _Y＝0，平均值D _X為100 μm，且平均值D _Y為100 μm，除此以外，以與實施例B1相同之方式，確認配線基板10之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

(比較例B2)  於9個以上之交點A處，滿足 0.00D _X≦d _X≦0.02D _X之關係， 於9個以上之交點A處，滿足 0.00D _Y≦d _Y≦0.02D _Y之關係，除此以外，以與實施例B1相同之方式，確認配線基板10之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

(比較例B3)  於9個以上之交點A處，滿足 0.30D _X≦d _X之關係， 於9個以上之交點A處，滿足 0.30D _Y≦d _Y之關係，除此以外，以與實施例B1相同之方式，確認配線基板10之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

(比較例B4)  製作具有圖20所示之構成之配線基板100。即，製作網狀配線層20之配線200形成之平面構造為沃羅諾伊圖案之配線基板100。於該情形時，作為配線基板100之基板，使用厚度100 μm之聚對苯二甲酸乙二酯製之基板。又，作為配線200，使用線寬1.0 μm、高度1.0 μm之銅配線。此時，網狀配線層20之前端側部分20b之長度L _a為3.5 mm，寬度W _a為4.2 mm。

於比較例B4之配線基板100中，邊間距離之平均值為100 μm。此時，邊間距離係於沿著網狀配線層20之前端側部分20b(參照圖4)之長度方向(X方向)延伸之假想線且描繪至任意選擇之位置之假想線上測定。

於比較例B4之配線基板100中，相互連續之1000 μm見方之區域之開口率之差為0.5%以下。

繼而，以與實施例B1相同之方式，確認配線基板100之視認性，並且測定網狀配線層20之薄片電阻值。

將以上之結果示於表2至表4中。

[表2]

	平面形狀(構造)	平均值D X(μm)	平均值D Y(μm)
實施例B1	四邊形	70	130
實施例B2	四邊形	130	270
實施例B3	四邊形	70	130
實施例B4	四邊形	70	130
比較例B1	四邊形	100	100
比較例B2	四邊形	70	130
比較例B3	四邊形	70	130
比較例B4	沃羅諾伊圖案	100(邊間距離)	100(邊間距離)

[表3]

	關於9個以上之交點A之「d X」與「D X」之關係	關於9個以上之交點A之「d Y」與「D Y」之關係
實施例B1	0.02D X≦d X≦0.1D X	0.02D Y≦d Y≦0.1D Y
實施例B2	0.02D X≦d X≦0.1D X	0.02D Y≦d Y≦0.1D Y
實施例B3	0.02D X≦d X≦0.05D X	0.02D Y≦d Y≦0.05D Y
實施例B4	0.25D X≦d X≦0.29D X	0.25D Y≦d Y≦0.29D Y
比較例B1	d X＝0	d Y＝0
比較例B2	0.00D X≦d X≦0.02D X	0.00D Y≦d Y≦0.02D Y
比較例B3	0.30D X≦d X	0.30D≦d Y
比較例B4	-	-

[表4]

	水波紋	閃爍	開口率	薄片電阻值
實施例B1	A	A	A	A
實施例B2	A	A	A	A
實施例B3	A	A	A	A
實施例B4	A	A	A	A
比較例B1	B	A	A	A
比較例B2	B	A	A	A
比較例B3	A	B	A	C
比較例B4	A	B	A	B

於表4中，「A」指結果非常好(excellent)，「B」指結果良好(good)，「C」指結果不良(poor)。具體而言，於表4之「水波紋」之欄中，「A」指未能確認到產生水波紋，「B」指產生水波紋。於表4之「閃爍」之欄中，「A」指未能確認到反射光引起之閃爍，「B」指因反射光而產生閃爍。於表4之「開口率」之欄中，「A」指開口率之差為0.5%以下。於表4之「薄片電阻值」之欄中，「A」指薄片電阻值為規定值以下，「B」指薄片電阻值大於規定值，「C」指薄片電阻值明顯大於規定值。

其結果，如表4所示，於比較例B1及比較例B2之配線基板100中，產生水波紋。與此相對，於實施例B1至實施例B4之配線基板10中，未能確認到產生水波紋。

如表4所示，於比較例B3及比較例B4之配線基板100中，因反射光而產生閃爍。與此相對，於實施例B1至實施例B4之配線基板10中，未能確認到反射光引起之閃爍。

如此，可知於本實施方式之配線基板10中，能夠抑制水波紋之產生，並且能夠抑制反射光引起之閃爍。

如表4所示，實施例B1至實施例B4之配線基板10與比較例B1之配線基板100同樣地，能夠減少開口率之不均。即，即便於不規則地配置第1配線21等之情形時，亦與規則地配置第1配線21等之配線基板100同樣地，能夠減少開口率之不均。

如表4所示，實施例B1至實施例B4之配線基板10與比較例B1之配線基板100同樣地，能夠使網狀配線層20之薄片電阻值為規定值以下。於該情形時，實施例B1至實施例B4之配線基板10之網狀配線層20之薄片電阻值與比較例B1之配線基板100之網狀配線層20之薄片電阻值同等。即，於實施例B1至實施例B4之配線基板10中，雖然不規則地配置第1配線21等，但與規則地配置第1配線21等之情形相比，第1配線21等配線之長度並未發生變化。藉此，即便於不規則地配置第1配線21等之情形時，亦能夠使網狀配線層20之薄片電阻值與規則地配置有第1配線21等之配線基板100之網狀配線層20之薄片電阻值同等。因此，實施例B1至實施例B4之配線基板10與規則地配置有第1配線21等之配線基板100同樣地，能夠提高作為天線之網狀配線層20之輻射效率。

(第3實施方式)  接下來，利用圖29至圖34對第3實施方式進行說明。圖29至圖34係表示本實施方式之圖。存在如下情況，即，於圖29至圖34中，對與圖1至圖20所示之第1實施方式相同之部分或與圖21至圖28所示之第2實施方式相同之部分標註相同符號並省略詳細說明。

於以下之實施方式中，「X方向」係相對於基板之一邊平行之方向。「Y方向」係與X方向垂直且相對於基板之另一邊平行之方向。「Z方向」係與X方向及Y方向兩個方向垂直且與配線基板之厚度方向平行之方向。又，「正面」係指Z方向正側之面且相對於基板設置有配線之面。「背面」係指Z方向負側之面且與相對於基板設置有配線之面為相反側之面。

[配線基板之構成] 參照圖29至圖32，對本實施方式之配線基板之構成進行說明。圖29至圖32係表示本實施方式之配線基板之圖。

如圖29所示，本實施方式之配線基板10例如配置於下述圖像顯示裝置90之顯示裝置91上。此種配線基板10具備具有透明性之基板11、及配置於基板11上之網狀配線層20。又，於網狀配線層20電性連接有饋電部40。

於本實施方式中，網狀配線層20包含具有作為天線之功能之天線圖案區域。於圖29中，網狀配線層20係於基板11上形成有複數個(3個)，分別對應於不同之頻帶。即，複數個網狀配線層20之長度(Y方向之長度)L _a1互不相同，分別具有與特定頻帶對應之長度。再者，對應之頻帶之頻率越低，網狀配線層20之長度L _a1越長。於配線基板10例如配置於圖像顯示裝置90之顯示裝置91(參照下述圖34)上之情形時，各網狀配線層20可對應於電話用天線、WiFi用天線、3G用天線、4G用天線、5G用天線、毫米波用天線、LTE用天線、Bluetooth(註冊商標)用天線、NFC用天線等之任一者。於配線基板10不具有電波收發功能之情形時，各網狀配線層20例如亦可發揮懸停(即便使用者不直接觸摸顯示器，亦能夠進行操作之功能)、指紋認證、加熱器、雜訊消除(屏蔽)等功能。又，網狀配線層20亦可不存在於基板11之整面，而僅存在於基板11上之一部分區域。

各網狀配線層20分別於俯視下呈大致長方形。各網狀配線層20之長度方向與Y方向平行，其短邊方向與X方向平行。各網狀配線層20之長度方向(Y方向)之長度L _a1例如能夠於2 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。各網狀配線層20之短邊方向(X方向)之寬度W _a1例如能夠於1 mm以上10 mm以下之範圍內選擇。尤其是，網狀配線層20亦可為毫米波用天線。於網狀配線層20為毫米波用天線之情形時，網狀配線層20之長度L _a1能夠於1 mm以上10 mm以下、更佳為1.5 mm以上5 mm以下之範圍內選擇。再者，於圖29中，示出了網狀配線層20作為單極天線發揮功能時之形狀，但並不限於此，亦可設為偶極天線、環形天線、槽孔天線、微帶天線、貼片天線等之形狀。

於本實施方式中，網狀配線層20具有非週期性平面構造。於網狀配線層20中，金屬線形成為不規則之格子形狀或不規則之網格形狀。

如圖30所示，各網狀配線層20包括複數個交點240與複數個配線210。配線210位於各交點240間。配線210將一對交點240彼此連接。交點240分別配置於各配線210之長度方向兩端。複數個交點240與複數個配線210整體上成為一體，形成不規則之格子形狀或不規則之網格形狀。各配線210於不具有固定之規則性之不規則方向上延伸。又，亦可於1個交點240連接有3根以上5根以下之配線210。

各網狀配線層20具有複數個開口部23。各開口部23係藉由被複數個配線210包圍而形成。各開口部23亦可被3根以上10根以下之配線210包圍。於該情形時，開口部23之配置圖案成為隨機圖案。於該隨機圖案中不存在以具有固定之規則性之重複週期排列之方向。又，複數個交點240配置成不具有固定之規則性之不規則圖案。各交點240彼此之間距P ₁₁於網狀配線層20內並不均勻，採用各種距離。各交點240彼此之間距P ₁₁例如可於0.01 mm以上1 mm以下之範圍內設為各種距離。具有透明性之基板11自各開口部23露出。

網狀配線層20中，不存在開口部23具有重複週期之方向。藉由如此不存在網狀配線層20之開口部23以具有固定之規則性之重複週期排列之方向，能夠使配線基板10與例如圖像顯示裝置90之顯示裝置91重疊時可能產生之水波紋不明顯。再者，為了更有效地抑制水波紋，較佳為遍及網狀配線層20之整個區域，不存在開口部23具有重複週期之方向。

於圖30中，構成網狀配線層20之非週期性平面構造可為沃羅諾伊圖案。此處，沃羅諾伊(Voronoi)圖案(沃羅諾伊圖)係指於平面上配置有複數個任意之點(母點)時，將該平面內之點根據最靠近哪個點進行分割而形成的圖案。再者，如以下所說明般，嚴格地說，各配線210並非將交點240彼此呈直線狀連結。然而，於本說明書中，將假設配線210將交點240彼此呈直線狀連結時成為沃羅諾伊圖案稱為「非週期性平面構造為沃羅諾伊圖案」。

圖31(a)係表示將一對交點240彼此連結之1條配線210之放大圖。如圖31(a)所示，配線210並未將一對交點240間呈直線狀(以最短距離)連結。當對包圍各開口部23之複數個配線210之各者求出交點240間之配線210之長度相對於交點240間之最短距離L _min之倍率時，其平均值為1.01倍以上1.82倍以下。該平均值較佳為1.05倍以上1.30倍以下。此處，配線210之長度係指沿著配線210之長度方向測量連結配線210之寬度方向中心之線所得之長度。配線210之平面形狀可為波浪形曲線。即，配線210相對於將一對交點240彼此連結之線段L _s，於交點240彼此之間的至少1個部位交叉，較佳為於2個部位以上10個部位以下交叉。再者，配線210較佳為不與其他配線210交叉。

例如，設1個開口部23被N根配線210包圍。此處，N可如上所述設為3根以上10根以下。此時，對N根配線210之各者求出交點240間之配線210之長度L _c相對於交點240間之最短距離L _min之倍率(L _c/L _min)。以此方式求出之N根之倍率(M ₁、M ₂、…M _N)之平均值((M ₁＋M ₂＋…＋M _N)/N)為1.01倍以上1.82倍以下。再者，關於包圍1個開口部23之N根配線210之各者，上述倍率(L _c/L _min)較佳為1.01倍以上1.82倍以下。然而，即便N根配線210中之一部分配線210之上述倍率(L _c/L _min)並非為1.01倍以上1.82倍以下，只要N根之倍率之平均值為1.01倍以上1.82倍以下即可。又，較佳為網狀配線層20所包含之所有開口部23之上述平均值為1.01倍以上1.82倍以下。然而，並不限於此，關於網狀配線層20所包含之一部分開口部23，上述平均值亦可不為1.01倍以上1.82倍以下。具體而言，較佳為關於網狀配線層20所包含之複數個開口部23中的80%以上、90%以上、95%以上或99%以上之數量之開口部23，上述平均值為1.01倍以上1.82倍以下。

於圖31(a)中，配線210之平面形狀成為正弦曲線。於該情形時，構成配線210之正弦曲線之振幅A ₁可為交點240間之最短距離L _min之0.02倍以上0.06倍以下，較佳為0.03倍以上0.05倍以下。構成配線210之正弦曲線之波長λ ₁可為交點240間之最短距離L _min之0.16倍以上0.5倍以下，較佳為0.2倍以上0.33倍以下。再者，最短距離L _min/波長λ ₁之值可設為於網狀配線層20內之複數個配線210間均勻。最短距離L _min/波長λ ₁之值可設為2以上10以下之自然數。再者，於圖31(a)中，最短距離L _min/波長λ ₁之值為3。又，配線210之振幅A ₁可設為於網狀配線層20內之複數個配線210間均勻。或者，可將配線210之振幅A ₁及波長λ ₁兩者設為於網狀配線層20內之複數個配線210間分別均勻。

如圖31(b)所示，配線210之平面形狀可為振幅及波長不固定之波浪形曲線。再者，亦可為振幅及波長之一者固定且振幅及波長之另一者不固定之波浪形曲線。又，如圖31(c)所示，配線210之平面形狀亦可為不存在曲線部分之鋸齒狀或參差不齊狀之線。或者，雖未圖示，但配線210之平面形狀亦可為貝塞爾曲線，亦可為將複數個圓弧拼接而成之曲線。

如此，對包圍各開口部23之複數個配線210之各者求出交點240間之配線210之長度相對於交點240間之最短距離L _min之倍率時，其平均值為1.01倍以上1.82倍以下。藉此，能夠抑制網狀配線層20反射光時之閃爍。

如圖32所示，各配線210之與其長度方向垂直之剖面呈大致長方形形狀或大致正方形形狀。於該情形時，配線210之剖面形狀沿著配線210之長度方向大致均勻。配線210之剖面形狀可於網狀配線層20所包含之複數個配線210間相同。配線210之剖面形狀亦可並非必須為大致長方形形狀或大致正方形形狀，例如亦可為正面側(Z方向正側)較背面側(Z方向負側)窄之大致梯形形狀、或位於寬度方向兩側之側面彎曲之形狀。

於本實施方式中，配線210之線寬W ₁₁(參照圖32)並無特別限定，能夠根據用途適當選擇。例如，配線210之線寬W ₁₁能夠於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，可設為0.5 μm以上3.0 μm以下。配線210之高度H ₁₁(Z方向之長度，參照圖32)並無特別限定，能夠根據用途適當選擇。配線210之高度H ₁₁例如可設為0.1 μm以上5.0 μm以下，亦可設為0.2 μm以上2.0 μm以下。

配線210之材料只要為具有導電性之金屬材料即可。於本實施方式中，配線210之材料為銅，但並不限定於此。配線210之材料例如可使用金、銀、銅、鉑、錫、鋁、鐵、鎳等金屬材料(包含上述金屬材料之合金)。又，配線210可為利用電解鍍覆法形成之鍍覆層。

再次參照圖29，饋電部40電性連接於網狀配線層20。該饋電部40係於配線基板10組入至圖像顯示裝置90(參照圖34)時，與圖像顯示裝置90之無線通訊用電路92電性連接。再者，饋電部40設置於基板11之表面，但並不限於此，亦可為饋電部40之一部分或全部位於較基板11之周緣更靠外側。又，亦可藉由柔軟地形成饋電部40，而使饋電部40能夠迴繞至圖像顯示裝置90之側面或背面，並於側面或背面側電性連接。

[配線基板之製造方法] 接下來，參照圖33(a)－(f)，對本實施方式之配線基板之製造方法進行說明。圖33(a)－(f)係表示本實施方式之配線基板之製造方法之剖視圖。

如圖33(a)所示，準備具有透明性之基板11。

繼而，於基板11上形成具有非週期性平面構造且包含複數個配線210之網狀配線層20。

此時，首先，如圖33(b)所示，於基板11之表面之大致整個區域積層金屬箔51。於本實施方式中，金屬箔51之厚度可為0.1 μm以上5.0 μm以下。於本實施方式中，金屬箔51可包含銅。

繼而，如圖33(c)所示，對金屬箔51之表面之大致整個區域供給光硬化性絕緣抗蝕劑52。作為該光硬化性絕緣抗蝕劑52，例如可列舉丙烯酸樹脂、環氧系樹脂等有機樹脂。

繼而，如圖33(d)所示，藉由光微影法形成絕緣層54。於該情形時，藉由光微影法將光硬化性絕緣抗蝕劑52圖案化，形成絕緣層54(抗蝕圖案)。此時，以使對應配線210之金屬箔51露出之方式形成絕緣層54。

繼而，如圖33(e)所示，將基板11之表面上之位於未被絕緣層54覆蓋之部分之金屬箔51去除。此時，藉由進行使用氯化鐵、氯化銅、硫酸、鹽酸等強酸、過硫酸鹽、過氧化氫或其等之水溶液、或以上之組合等的濕式處理，而以使基板11之表面露出之方式對金屬箔51進行蝕刻。

繼而，如圖33(f)所示，去除絕緣層54。於該情形時，藉由進行使用過錳酸鹽溶液或N-甲基-2-吡咯啶酮、酸或鹼性溶液等之濕式處理、或使用氧電漿之乾式處理，而將金屬箔51上之絕緣層54去除。

以此方式，能夠獲得具有基板11、及設置於基板11上之網狀配線層20之配線基板10。於該情形時，網狀配線層20具有非週期性平面構造。又，網狀配線層20包含複數個配線210。此時，亦可藉由導電體55之一部分形成饋電部40。或者，亦可另外準備平板狀之饋電部40，將該饋電部40電性連接於網狀配線層20。

[本實施方式之作用] 接下來，對包含此種構成之配線基板之作用進行敍述。

如圖34所示，配線基板10組入至具有顯示裝置(顯示器)91之圖像顯示裝置90。顯示裝置91例如可為有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置。顯示裝置91例如可包含未圖示之金屬層、支持基材、樹脂基材、薄膜電晶體(TFT)、及有機EL層。可於顯示裝置91上配置有未圖示之觸控感測器。再者，顯示裝置91並不限於有機EL顯示裝置。例如，顯示裝置91亦可為其自身具有發光功能之其他顯示裝置。顯示裝置91亦可為包含微型LED元件(發光體)之微型LED顯示裝置。又，顯示裝置91亦可為包含液晶之液晶顯示裝置。配線基板10直接或間接地配置於顯示裝置91上。作為此種圖像顯示裝置90，例如可列舉智慧型手機、平板等移動終端機器。配線基板10之網狀配線層20經由饋電部40電性連接於圖像顯示裝置90之無線通訊用電路92。以此方式，能夠經由網狀配線層20收發規定頻率之電波，從而能夠使用圖像顯示裝置90進行通訊。於本實施方式中，亦提供具備顯示裝置91、及配置於顯示裝置91上之配線基板10之此種圖像顯示裝置90。

且說，於此種圖像顯示裝置90中，配線基板10之網狀配線層20係以於Z方向上與圖像顯示裝置90之顯示裝置91之像素(未圖示)重疊之方式配置。於該情形時，若網狀配線層20之配線210具有規則性(具有週期性)，則有因配線210之規則性(週期性)與顯示裝置91之像素之規則性(週期性)而產生條紋狀圖案(水波紋、干擾條紋)之虞。

與此相對，本實施方式中，網狀配線層20具有非週期性平面構造。藉此，自Z方向觀察之情形時，網狀配線層20之配線210與顯示裝置91之像素不規則地配置。因此，可抑制因配線210之規則性(週期性)與像素之規則性(週期性)而產生水波紋。

尤其是，於本實施方式中，構成網狀配線層20之非週期性平面構造可設為沃羅諾伊圖案。藉此，能夠更有效地抑制當將配線基板10重疊於規則地(週期性地)排列有像素之顯示裝置91時產生水波紋。

另一方面，藉由網狀配線層20具有非週期性平面構造，而配線210朝向各種方向。於該情形時，有因照射至配線基板10之光發生反射而導致產生稱為閃爍之現象之虞。認為該閃爍係因如下原因而產生，即，當具有固定以上之長度之直線狀配線210配置有複數個時，於配線210上反射之光之方向朝向若干個方向。

與此相對，於本實施方式中，配線210未將網狀配線層20之交點240彼此呈直線狀連結。即，對包圍各開口部23之複數個配線210之各者求出交點240間之配線210之長度相對於交點240間之最短距離L _min之倍率時，其平均值為1.01倍以上1.82倍以下。藉由如此使交點240間之配線210之長度長於最短距離L _min，而使反射方向分散得更細。藉此，能夠減少上述閃爍。

尤其是，於本實施方式中，配線210之平面形狀可成為正弦曲線。於該情形時，能夠使配線210對光之反射之方向分散得更細，能夠進一步減少閃爍。

如以上所說明般，根據本實施方式，網狀配線層20具有非週期性平面構造。又，對包圍各開口部23之複數個配線210之各者求出交點240間之配線210之長度相對於交點240間之最短距離L _min之倍率時，其平均值為1.01倍以上1.82倍以下。藉此，可獲得水波紋之產生及閃爍之產生兩者均得以抑制之配線基板10。

又，於本實施方式中，配線210之線寬可為0.1 μm以上5.0 μm以下。藉此，能夠使得不易用肉眼看到配線210而抑制顯示裝置91之視認性降低。

又，於本實施方式中，網狀配線層20可具有作為天線之功能。於該情形時，能夠將作為天線之網狀配線層20配置於圖像顯示裝置90之正面側。因此，與使天線內置於圖像顯示裝置90之情形相比，能夠提高通訊性能。又，能夠於圖像顯示裝置90之面內配置複數個作為天線之網狀配線層20，因此，能夠進一步提高通訊性能。

再者，於本實施方式中，以網狀配線層20具有作為天線之功能之情形為例進行了說明，但並不限於此。網狀配線層20例如亦可發揮懸停(即便使用者不直接觸摸顯示器，亦能夠進行操作之功能)、指紋認證、加熱器、雜訊消除(屏蔽)等功能。

[變化例] 接下來，對配線基板之變化例進行說明。

(第1變化例) 圖35表示配線基板之第1變化例。圖35所示之變化例係構成網狀配線層20之非週期性平面構造不同，其他構成與上述之圖29至圖34所示之實施方式大致相同。於圖35中，對與圖29至圖34所示之形態相同之部分標註相同符號，並省略詳細說明。

於圖35所示之配線基板10中，網狀配線層20具有非週期性平面構造(隨機交點網)。該非週期性平面構造係藉由使週期性地排列之交點以較規定距離小之距離朝各種方向隨機變位而構成。又，對包圍各開口部23之複數根(4根)配線210之各者求出交點240間之配線210之長度相對於交點240間之最短距離L _min之倍率時，其平均值為1.01倍以上1.82倍以下。

圖35所示之網狀配線層20之圖案能夠以如下方式獲得。首先，例如，以複數個臨時交點24a分別沿著規定方向(例如X方向及Y方向)週期性地排列之方式配置臨時之配線210a。繼而，使各臨時交點24a以較規定距離(例如相鄰之臨時交點24a間之最短距離)小之距離朝各種方向隨機變位。再者，使各臨時交點24a變位之距離亦隨機變化。

藉此，製作圖35所示之網狀配線層20之圖案。於圖35中，網狀配線層20具有複數個交點240、及位於各交點240間之配線210。對包圍各開口部23之複數根(4根)配線210之各者求出交點240間之配線210之長度相對於交點240間之最短距離L _min之倍率時，其平均值為1.01倍以上1.82倍以下。再者，於本變化例中，配線210之平面形狀成為正弦曲線，但配線210之平面形狀亦可呈上述之各種形狀。藉由如此以複數個交點240不規則地排列之方式配置配線210，能夠獲得減少水波紋之效果。

於本變化例中，網狀配線層20具有非週期性平面構造。又，對包圍各開口部23之複數根(4根)配線210之各者求出交點240間之配線210之長度相對於交點240間之最短距離L _min之倍率時，其平均值為1.01倍以上1.82倍以下。藉此，能夠獲得水波紋之產生及閃爍之產生兩者均得以抑制之配線基板10。

(第2變化例) 圖36及圖37表示配線基板之第2變化例。圖36及圖37所示之變化例之不同之處在於，於網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30，其他構成與上述之圖29至圖34所示之實施方式大致相同。於圖36及圖37中，對與圖29至圖34所示之形態相同之部分標註相同符號並省略詳細說明。

於圖36所示之配線基板10中，沿著網狀配線層20之周圍設置有虛設配線層30。虛設配線層30設置於網狀配線層20中除饋電部40側以外之周圍。再者，虛設配線層30亦可遍及網狀配線層20之全周而設置。該虛設配線層30與網狀配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。

如圖37所示，虛設配線層30具有與網狀配線層20大致相同之非週期性平面構造，具有其平面構造之一部分缺失之形狀。例如於圖37中，虛設配線層30具有與網狀配線層20相同之沃羅諾伊圖案。該虛設配線層30具有複數個交點34、及位於各交點34間之配線31。於該情形時，與網狀配線層20之配線210不同，各配線31未將交點34間連續地連結，而是各配線31之一部分缺失。藉此，各配線31分別與網狀配線層20、饋電部40及其他配線31電性獨立。再者，當假設不存在上述缺失部分時，對包圍各開口部之複數個配線31之各者求出交點34間之配線31之長度相對於交點34間之最短距離之倍率時，其平均值為1.01倍以上1.82倍以下。再者，亦可為各交點34之部分缺失。

藉由虛設配線層30具有與網狀配線層20大致相同之非週期性平面構造之一部分缺失之形狀，而使得不易目視辨識網狀配線層20與虛設配線層30之差異。藉此，能夠使得不易看到配置於基板11上之網狀配線層20。虛設配線層30之開口率可大於網狀配線層20之開口率。

藉由如此配置有與網狀配線層20電性獨立之虛設配線層30，能夠使網狀配線層20之外緣更不清晰。藉此，能夠使得不易於圖像顯示裝置90之表面上看到網狀配線層20，而使圖像顯示裝置90之使用者不易用肉眼辨識網狀配線層20。

[實施例]  接下來，對上述實施方式中之具體實施例進行說明。

(實施例C1) 製作具備基板與網狀配線層之配線基板(實施例C1)。網狀配線層之非週期性平面構造設為隨機交點網。網狀配線層之交點間之最短距離之平均值設為100 μm。配線之平面形狀設為正弦曲線。將配線之正弦曲線之平均振幅設為2 μm，將平均波長設為50 μm。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.016倍。

(實施例C2) 除了將配線之正弦曲線之平均振幅設為4 μm以外，以與實施例C1相同之方式製作配線基板(實施例C2)。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.060倍。

(實施例C3) 除了將配線之正弦曲線之平均波長設為25 μm以外，以與實施例C1相同之方式製作配線基板(實施例C3)。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.060倍。

(實施例C4) 除了將配線之正弦曲線之平均振幅設為4 μm，且將平均波長設為25 μm以外，以與實施例C1相同之方式製作配線基板(實施例C4)。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.217倍。

(實施例C5) 除了將配線之正弦曲線之平均振幅設為6 μm，且將平均波長設為16.7 μm以外，以與實施例C1相同之方式製作配線基板(實施例C5)。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.811倍。

(實施例C6) 除了將網狀配線層之交點間之最短距離之平均值設為200 μm，且將配線之正弦曲線之平均振幅設為4 μm以外，以與實施例C1相同之方式製作配線基板(實施例C6)。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.016倍。

(實施例C7) 將網狀配線層之非週期性平面構造設為沃羅諾伊圖案，將網狀配線層之交點間之最短距離之平均值設為200 μm，且將配線之正弦曲線之平均振幅設為4 μm，除此以外，以與實施例C1相同之方式製作配線基板(實施例C7)。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.016倍。

(比較例C1) 除了將配線之正弦曲線之平均振幅設為1 μm以外，以與實施例C1相同之方式製作配線基板(比較例C1)。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.004倍。

(比較例C2) 除了將配線之正弦曲線之平均波長設為100 μm以外，以與實施例C1相同之方式製作配線基板(比較例C2)。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.004倍。

(比較例C3) 除了將網狀配線層之交點間之最短距離之平均值設為200 μm，且將配線之正弦曲線之平均波長設為100 μm以外，以與實施例C1相同之方式製作配線基板(比較例C3)。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.004倍。

(比較例C4) 除了將網狀配線層之非週期性平面構造設為沃羅諾伊圖案，且將配線之正弦曲線之平均波長設為100 μm以外，以與實施例C1相同之方式製作配線基板(比較例C4)。對包圍各開口部之複數個配線之各者求出交點間之配線之長度(線長)相對於交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.004倍。

接下來，對實施例C1－7及比較例C1－4之配線基板分別目視確認是否獲得了減少水波紋之產生及閃爍之產生該兩者之效果。將減少水波紋之產生及閃爍之產生該兩者之效果較高之配線基板設為「高」，將上述效果較低之配線基板設為「低」。將該結果示於表5中。

[表5]

實施例	類型	平均交點間最短距離(μm)	平均振幅(μm)	平均波長(μm)	平均振幅/平均交點間最短距離	平均波長/平均交點間最短距離	平均線長/平均交點間最短距離	水波紋及閃爍減少效果
實施例C1	隨機交點	100	2	50	0.02	0.50	1.016	高
實施例C2	隨機交點	100	4	50	0.04	0.50	1.060	高
實施例C3	隨機交點	100	2	25	0.02	0.25	1.060	高
實施例C4	隨機交點	100	4	25	0.04	0.25	1.217	高
實施例C5	隨機交點	100	6	16.7	0.06	0.17	1.811	高
實施例C6	隨機交點	200	4	50	0.02	0.25	1.016	高
實施例C7	沃羅諾伊	200	4	50	0.02	0.25	1.016	高
比較例C1	隨機交點	100	1	50	0.01	0.50	1.004	低
比較例C2	隨機交點	100	2	100	0.02	1.00	1.004	低
比較例C3	隨機交點	200	2	100	0.01	0.50	1.004	低
比較例C4	沃羅諾伊	200	2	100	0.01	0.50	1.004	低

如此判明到實施例C1－7之配線基板與比較例C1－4之配線基板相比，減少水波紋之產生及閃爍之產生該兩者之效果較高。

亦能夠視需要將上述各實施方式及各變化例所揭示之複數個構成要素適當組合。或者，亦可自上述各實施方式及各變化例所示之所有構成要素中刪除若干個構成要素。

10:配線基板 11:基板 11a:第1面 11b:第2面 20:網狀配線層 20a:基端側部分 20b:前端側部分 20c:中央部分 20d:周緣部分 20 _e1:端部 20 _e2:端部 21:第1配線 21x:第1回歸直線 22:第2配線 22x:第2回歸直線 23:開口部 23A:開口部 23B:開口部 23C:開口部 23D:開口部 23E:開口部 24:第1部分 24a:交點 25:第2部分 30:虛設配線層 30A:虛設配線層 30B:虛設配線層 30a:虛設配線 30a1:虛設配線 30a2:虛設配線 31:配線 31a:第1部分 31a1:第1部分 31a2:第1部分 32a:第2部分 32a1:第2部分 32a2:第2部分 34:交點 40:饋電部 51:金屬箔 52:光硬化性絕緣抗蝕劑 54:絕緣層 60:圖像顯示裝置 61:顯示裝置 62:殼體 63:通訊模組 64:發光面 75:覆蓋玻璃 90:圖像顯示裝置 91:顯示裝置 92:無線通訊用電路 95:第1透明接著層 96:第2透明接著層 100:配線基板 200:配線 210:配線 240:交點 A:交點 A ₁:振幅 B:交點 B1:界面 B2:界面 B3:界面 D _20b:距離 d:邊間距離 d ₁:邊間距離 d ₂:邊間距離 d _a:距離 d _a1:距離 d _a2:距離 d _X:距離 d _Y:距離 d _y:距離 H ₁:高度 H ₂:高度 H ₁₁:高度 L ₁:長度 L ₂:長度 L ₄:長度 L ₅:長度 L _a:長度 L _a1:長度 L _min:最短距離 L _s:線段 P:像素 P ₁:間距 P _1a:間距 P _1b:間距 P _1X:間距 P _1Y:間距 P ₂:間距 P ₁₁:間距 P _X:間距 P _Y:間距 S:子像素 T ₁:厚度 T ₃:厚度 T ₄:厚度 W ₁:線寬 W ₂:線寬 W ₃:寬度 W ₁₁:線寬 W _a:寬度 W _a1:寬度 θ:角度 θ1:角度 θ2:角度 λ ₁:波長

圖1係表示第1實施方式之圖像顯示裝置之俯視圖。 圖2係表示第1實施方式之圖像顯示裝置之剖視圖(圖1之II-II線剖視圖)。 圖3係表示第1實施方式之圖像顯示裝置之像素之俯視圖。 圖4係表示第1實施方式之配線基板之俯視圖。 圖5A係表示第1實施方式之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。 圖5B係表示第1實施方式之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。 圖6係表示第1實施方式之配線基板之剖視圖(圖5A之VI-VI線剖視圖)。 圖7係表示第1實施方式之配線基板之剖視圖(圖5A之VII-VII線剖視圖)。 圖8係表示第1實施方式之配線基板之網狀配線層之立體圖。 圖9(a)－(f)係表示第1實施方式之配線基板之製造方法之剖視圖。 圖10係表示第1變化例之配線基板之俯視圖。 圖11係表示第1變化例之配線基板之放大俯視圖。 圖12係表示第2變化例之配線基板之俯視圖。 圖13係表示第2變化例之配線基板之放大俯視圖。 圖14係表示第3變化例之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。 圖15係表示第4變化例之配線基板之俯視圖。 圖16係表示第4變化例之配線基板之放大俯視圖。 圖17係表示第5變化例之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。 圖18係表示比較例A1之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。 圖19係表示比較例A2之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。 圖20係表示比較例A3之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。 圖21係表示第2實施方式之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。 圖22係表示第2實施方式之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖(圖21之XXII部放大圖)。 圖23係表示第2實施方式之配線基板之剖視圖(圖21之XXIII-XXIII線剖視圖)。 圖24係表示第2實施方式之配線基板之剖視圖(圖21之XXIV-XXIV線剖視圖)。 圖25係表示第1變化例之配線基板之俯視圖。 圖26係表示第1變化例之配線基板之放大俯視圖。 圖27係表示第2變化例之配線基板之放大俯視圖。 圖28係表示第3變化例之配線基板之俯視圖。 圖29係表示第3實施方式之配線基板之俯視圖。 圖30係表示第3實施方式之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖(圖29之XXX部放大圖)。 圖31(a)－(c)分別係表示配線之放大俯視圖。 圖32係表示第3實施方式之配線基板之剖視圖(圖30之XXXII-XXXII線剖視圖)。 圖33(a)－(f)係表示第3實施方式之配線基板之製造方法之剖視圖。 圖34係表示第3實施方式之圖像顯示裝置之俯視圖。 圖35係表示第1變化例之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖。 圖36係表示第2變化例之配線基板之俯視圖。 圖37係表示第2變化例之配線基板之網狀配線層之放大俯視圖(圖36之XXXVII部放大圖)。

11:基板

11a:第1面

11b:第2面

20:網狀配線層

21:第1配線

22:第2配線

23:開口部

d:邊間距離

d₁:邊間距離

d₂:邊間距離

P₁:間距

P₂:間距

Claims (51)

1. 一種配線基板，其具備： 基板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；及 網狀配線層，其配置於上述基板之上述第1面上； 上述配線基板具有電磁波收發功能， 上述基板具有透明性， 上述網狀配線層構成為天線，並且具有配線， 藉由被上述配線包圍而形成2個以上之開口部， 上述開口部之平面形狀為對向之邊彼此平行之多邊形， 將各開口部中之沿第1方向延伸之邊彼此之邊間距離設為d， 將連續地相鄰之100個上述開口部或所有上述開口部中的沿上述第1方向延伸之邊彼此之邊間距離之平均值設為D時， 上述100個上述開口部或上述所有上述開口部中的95%以上之上述開口部滿足 0.70D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.30D 之關係。
2. 如請求項1之配線基板，其中上述100個上述開口部或上述所有上述開口部中的95%以上之上述開口部滿足 0.85D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.15D 之關係。
3. 如請求項1之配線基板，其中上述100個上述開口部或上述所有上述開口部中的95%以上之上述開口部滿足 0.90D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.10D 之關係。
4. 如請求項1之配線基板，其中上述多邊形為四邊形。
5. 如請求項1之配線基板，其中上述多邊形為六邊形。
6. 如請求項1之配線基板，其中上述平均值D為50 μm以上500 μm以下。
7. 如請求項1之配線基板，其中上述配線之線寬為0.5 μm以上3 μm以下。
8. 如請求項1之配線基板，其中上述網狀配線層之整體之開口率為95%以上且未達100%。
9. 如請求項1之配線基板，其中上述網狀配線層之薄片電阻值為4 Ω/□以下。
10. 如請求項1之配線基板，其中上述配線基板具有毫米波收發功能，上述網狀配線層構成為包含2個以上之天線元件之陣列天線。
11. 如請求項10之配線基板，其中上述天線元件設置有4個以上，上述天線元件彼此之距離為1 mm以上5 mm以下。
12. 如請求項1之配線基板，其中於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。
13. 如請求項12之配線基板，其中上述虛設配線層包含2根以上之虛設配線，上述虛設配線係與上述配線平行地延伸。
14. 如請求項12之配線基板，其中設置有2個以上之上述虛設配線層，上述網狀配線層及上述虛設配線層之開口率係自上述網狀配線層朝向遠離上述網狀配線層之上述虛設配線層階段性地增大。
15. 一種配線基板，其具備： 基板，其具有第1面及位於上述第1面之相反側之第2面； 網狀配線層，其配置於上述基板之上述第1面上；及 饋電部，其電性連接於上述網狀配線層； 上述基板具有透明性， 上述網狀配線層具有連接於上述饋電部之傳輸部、及連接於上述傳輸部之收發部， 上述網狀配線層具有構成上述傳輸部與上述收發部之配線， 藉由被上述配線包圍而形成2個以上之開口部， 上述開口部之平面形狀為對向之邊彼此平行之多邊形， 將各開口部中之沿第1方向延伸之邊彼此之邊間距離設為d， 將連續地相鄰之100個上述開口部或所有上述開口部中的沿上述第1方向延伸之邊彼此之邊間距離之平均值設為D時， 上述100個上述開口部或上述所有上述開口部中的95%以上之上述開口部滿足 0.70D≦d≦0.98D 之關係，或者滿足 1.02D≦d≦1.30D 之關係。
16. 一種模組，其具備： 如請求項1至15中任一項之配線基板；及 饋電線，其電性連接於上述配線基板。
17. 一種圖像顯示裝置，其具備： 如請求項16之模組；及 顯示裝置，其積層於上述模組之上述配線基板。
18. 一種配線基板，其具備： 基板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；及 網狀配線層，其配置於上述基板之上述第1面上； 上述配線基板具有電磁波收發功能， 上述基板具有透明性， 上述網狀配線層構成為天線，並且具有複數個第1配線、及與上述第1配線相交之複數個第2配線， 將上述第1配線與上述第2配線之交點設為A， 將由位於同一條上述第1配線上之複數個上述交點A求出之第1回歸直線與由位於同一條上述第2配線上之複數個上述交點A求出之第2回歸直線的交點設為B， 將自上述交點A至最靠近之上述交點B的沿著上述網狀配線層之寬度方向之距離設為d _X， 將自上述交點A至最靠近之上述交點B的沿著上述網狀配線層之長度方向之距離設為d _Y， 將於上述寬度方向上連續地相鄰之10個上述交點B之間距之平均值設為D _X， 將於上述長度方向上連續地相鄰之10個上述交點B之間距之平均值設為D _Y時， 於分別最靠近上述10個交點B之各者之10個上述交點A中的9個以上之上述交點A處，滿足 0.02D _X≦d _X＜0.3D _X之關係、及 0.02D _Y≦d _Y＜0.3D _Y之關係之至少一者。
19. 如請求項18之配線基板，其中於分別最靠近上述10個交點B之各者之10個上述交點A中的9個以上之上述交點A處，滿足 0.02D _X≦d _X＜0.3D _X之關係、及 0.02D _Y≦d _Y＜0.3D _Y之關係。
20. 如請求項18之配線基板，其中上述平均值D _X及平均值D _Y為50 μm以上500 μm以下。
21. 如請求項18之配線基板，其中上述第1配線之線寬及上述第2配線之線寬分別為0.5 μm以上3 μm以下。
22. 如請求項18之配線基板，其中上述網狀配線層之整體之開口率為95%以上且未達100%。
23. 如請求項18之配線基板，其中上述網狀配線層之薄片電阻值為4 Ω/□以下。
24. 如請求項18之配線基板，其中上述第1回歸直線與上述第2回歸直線所成之角度為30°以上150°以下。
25. 如請求項18之配線基板，其中上述配線基板具有毫米波收發功能，上述網狀配線層構成為包含2個以上之天線元件之陣列天線。
26. 如請求項25之配線基板，其中上述天線元件係設置有4個以上，上述天線元件彼此之距離為1 mm以上5 mm以下。
27. 如請求項18之配線基板，其中於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。
28. 如請求項27之配線基板，其中上述虛設配線層包含複數個虛設配線，上述虛設配線係與上述第1配線或上述第2配線平行地延伸。
29. 如請求項27之配線基板，其中設置有複數個上述虛設配線層，上述網狀配線層及上述虛設配線層之開口率係自上述網狀配線層朝向遠離上述網狀配線層之上述虛設配線層階段性地增大。
30. 如請求項18之配線基板，其進而具備電性連接於上述網狀配線層之饋電部， 上述網狀配線層具有連接於上述饋電部之輸電部、及連接於上述輸電部之收發部， 上述收發部包含中央部分、及位於上述中央部分之周圍之周緣部分， 上述周緣部分之上述距離d _X小於上述中央部分之上述距離d _X，且 上述周緣部分之上述距離d _Y小於上述中央部分之上述距離d _Y。
31. 如請求項30之配線基板，其中上述周緣部分之上述距離d _X為上述中央部分之上述距離d _X之20%以上80%以下，且 上述周緣部分之上述距離d _Y為上述中央部分之上述距離d _Y之20%以上80%以下。
32. 如請求項30之配線基板，其中於上述長度方向上，上述中央部分中上述輸電部側之50%以上之區域被上述周緣部分包圍。
33. 如請求項30之配線基板，其中上述周緣部分之寬度為上述中央部分之上述平均值D _X之2倍以上。
34. 一種配線基板，其具備： 基板，其包含第1面及位於上述第1面之相反側之第2面；及 網狀配線層，其配置於上述基板之上述第1面上； 上述基板具有透明性， 上述網狀配線層具有連接於上述饋電部之傳輸部、及連接於上述傳輸部之收發部， 上述網狀配線層具有構成上述傳輸部與上述收發部之第1配線及第2配線， 將上述第1配線與上述第2配線之交點設為A， 將由位於同一條上述第1配線上之複數個上述交點A求出之第1回歸直線與由位於同一條上述第2配線上之複數個上述交點A求出之第2回歸直線的交點設為B， 將自上述交點A至最靠近之上述交點B的沿著上述網狀配線層之寬度方向之距離設為d _X， 將自上述交點A至最靠近之上述交點B的沿著上述網狀配線層之長度方向之距離設為d _Y， 將於上述寬度方向上連續地相鄰之10個上述交點B之間距之平均值設為D _X， 將於上述長度方向上連續地相鄰之10個上述交點B之間距之平均值設為D _Y時， 於分別最靠近上述10個交點B之各者之10個上述交點A中的9個以上之上述交點A處，滿足 0.02D _X≦d _X＜0.3D _X之關係、及 0.02D _Y≦d _Y＜0.3D _Y之關係之至少一者。
35. 一種模組，其具備： 如請求項18至34中任一項之配線基板；及 饋電線，其電性連接於上述配線基板。
36. 一種圖像顯示裝置，其具備： 如請求項35之模組；及 顯示裝置，其積層於上述模組之上述配線基板。
37. 如請求項36之圖像顯示裝置，其中上述顯示裝置具有沿著上述寬度方向及上述長度方向重複配列之複數個像素， 上述平均值D _X為上述寬度方向上之上述像素之間距之(N－0.05)倍(N為自然數)以下，並且為(N＋0.05)倍以上， 上述平均值D _Y為上述長度方向上之上述像素之間距之(M－0.05)倍(M為自然數)以下，並且為(M＋0.05)倍以上。
38. 如請求項37之圖像顯示裝置，其中上述平均值D _X為上述寬度方向上之上述像素之間距之(N－0.2)倍以上，並且為(N＋0.2)倍以下。
39. 如請求項37之圖像顯示裝置，其中上述平均值D _Y為上述長度方向上之上述像素之間距之(M－0.2)倍以上，並且為(M＋0.2)倍以下。
40. 如請求項37之圖像顯示裝置，其中N及M分別為1以上6以下之自然數。
41. 一種配線基板，其具備： 基板；及 網狀配線層，其配置於上述基板上； 上述基板具有透明性， 上述網狀配線層具有複數個交點、及位於各交點間之配線， 藉由被上述配線包圍而形成開口部， 對包圍上述開口部之複數個上述配線之各者求出上述交點間之上述配線之長度相對於上述交點間之最短距離之倍率時，其平均值為1.01倍以上1.82倍以下。
42. 如請求項41之配線基板，其中上述配線之線寬為0.1 μm以上5.0 μm以下。
43. 如請求項41之配線基板，其中上述配線之平面形狀成為正弦曲線。
44. 如請求項41之配線基板，其中構成上述網狀配線層之非週期性平面構造係沃羅諾伊圖案。
45. 如請求項41之配線基板，其中構成上述網狀配線層之非週期性平面構造係藉由使週期性地排列之交點以較規定距離小之距離朝各種方向隨機變位而構成。
46. 如請求項41之配線基板，其中上述網狀配線層之整體之開口率為96%以上且未達100%。
47. 如請求項41之配線基板，其中於上述網狀配線層之周圍設置有與上述網狀配線層電性獨立之虛設配線層。
48. 一種模組，其具備： 如請求項41至47中任一項之配線基板；及 饋電線，其電性連接於上述配線基板。
49. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項48之模組。
50. 如請求項49之圖像顯示裝置，其中上述網狀配線層作為天線發揮功能。
51. 如請求項49之圖像顯示裝置，其中上述配線基板進而具有電性連接於上述網狀配線層之饋電部，上述網狀配線層包含連接於上述饋電部之傳輸部、及連接於上述傳輸部之收發部。