TW202316573A - 基板處理方法 - Google Patents

基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202316573A
TW202316573A TW111129807A TW111129807A TW202316573A TW 202316573 A TW202316573 A TW 202316573A TW 111129807 A TW111129807 A TW 111129807A TW 111129807 A TW111129807 A TW 111129807A TW 202316573 A TW202316573 A TW 202316573A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
filler
substrate
coating device
coating
applying
Prior art date
Application number
TW111129807A
Other languages
English (en)
Inventor
佐竹正行
中西正行
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2022104232A external-priority patent/JP2023035844A/ja
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW202316573A publication Critical patent/TW202316573A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)

Abstract

本發明係關於抑制將多片基板接合所製造的積層基板之破裂及缺損的基板處理方法，特別是關於將填充劑塗布於構成積層基板的多片基板之邊緣部之間所形成之間隙的技術。本基板處理方法包含：將第1填充劑（F1）塗布於第1基板（W1）之邊緣部（E1）與第2基板（W2）之邊緣部（E2）的間隙（G）的步驟；及在塗布第1填充劑（F1）後將第2填充劑（F2）塗布於第1基板（W1）之邊緣部（E1）與第2基板（W2）之邊緣部（E2）的間隙（G）的步驟；第1填充劑（F1）的黏度低於第2填充劑（F2）。

Description

基板處理方法
本發明係關於一種基板處理方法，其抑制將多片基板接合所製造之積層基板的破裂及缺損，特別是關於一種將填充劑塗布於構成積層基板之多片基板之邊緣部之間所形成之間隙的技術。
近年來為了達成半導體元件進一步的高密度化及高功能化，正在開發一種將多片基板積層而三維積體化的三維安裝技術。三維安裝技術中，例如，將形成有積體電路及電氣配線的第1基板之元件面與形成有積體電路及電氣配線的第2基板之元件面接合。再者，在將第1基板接合於第2基板後，藉由研磨裝置或研削裝置將第2基板薄化。如此，可在與第1基板及第2基板的元件面垂直的方向上積層積體電路。
三維安裝技術中，亦可將3片以上的基板接合。例如，亦可在將已接合於第1基板的第2基板薄化後，將第3基板接合於第2基板，再將第3基板薄化。本說明書中，有時將已互相接合的多片基板之形態稱為「積層基板」。
通常為了防止破裂（裂縫）或缺損（剝落），會預先將基板之邊緣部研磨成圓弧狀或倒角狀。若對於具有這種形狀的第2基板進行研削，結果會在第2基板上形成銳利的端部。此銳利的端部（以下稱為刀緣部），係由經研削之第2基板的背面與第2基板的外周面所形成。這樣的刀緣部容易因為物理性接觸而缺損，在運送積層基板時，可能導致積層基板本身破損。又，若第1基板與第2基板未充分接合，亦可能導致第2基板在研削中破裂。
於是為了防止刀緣部的破裂（裂縫）及缺損（剝落），在對於第2基板進行研削之前，會將填充劑塗布於積層基板的邊緣部。填充劑係塗布於第1基板之邊緣部與第2基板之邊緣部之間的間隙。填充劑支撐在第2基板經研削後所形成之刀緣部，可防止刀緣部的破裂及缺損。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開平5-304062號公報
［發明所欲解決之課題］
然而，在將填充劑塗布於第1基板之邊緣部與第2基板之邊緣部的間隙時，尤其具有填充劑無法進入積層基板的接合面附近之微小間隙的情形。又，已填充的填充劑，可能會因為在研磨或清洗等後續處理步驟中所使用之處理液而溶解。若填充劑溶解，則有在後續處理步驟中積層基板損傷等而對於積層基板及製程性能產生不良影響的疑慮。
於是，本發明之目的在於提供一種基板處理方法，其可在短時間內確實地將填充劑填充至第1基板之邊緣部與第2基板之邊緣部之間隙，且在後續處理步驟中不會有不良影響，而可適當保護積層基板之邊緣部。 ［解決課題之手段］
在一態樣中，提供一種基板處理方法，其係將填充劑塗布於第1基板與第2基板接合而成的積層基板，該方法包含：將第1填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙的步驟；及在塗布前述第1填充劑之後將第2填充劑塗布於前述間隙的步驟；前述第1填充劑的黏度低於前述第2填充劑。 在一態樣中，前述基板處理方法更包含：在塗布前述第1填充劑後使前述已塗布之前述第1填充劑硬化的步驟；塗布前述第2填充劑的步驟係在前述第1填充劑硬化之後進行。 在一態樣中，前述第1填充劑包含粒子，前述粒子徑長為1μm以下。
在一態樣中，前述第2填充劑包含粒子，前述第2填充劑包含的前述粒子之徑長大於前述第1填充劑包含的前述粒子之徑長。 在一態樣中，前述第1填充劑不含粒子。 在一態樣中，前述第1填充劑的黏度為5Pa･s以下。 在一態樣中，已塗布之前述第1填充劑在半徑方向上的寬度小於已塗布之前述第2填充劑在半徑方向上的寬度。
在一態樣中，前述基板處理方法更包含：在塗布前述第2填充劑之後將第3填充劑塗布於前述間隙的步驟；及在塗布前述第3填充劑之後對於前述積層基板進行處理的後續處理步驟；前述第3填充劑具有不會因為前述後續處理步驟中所使用之處理液而溶解的耐化學藥品性。 在一態樣中，前述基板處理方法更包含：在塗布前述第2填充劑之後將第3填充劑塗布於前述間隙的步驟；前述第3填充劑的黏度高於前述第2填充劑。 在一態樣中，前述基板處理方法更包含：在塗布前述第2填充劑之後使前述已塗布之第2填充劑硬化的步驟；塗布前述第3填充劑的步驟係在前述第2填充劑的硬化後進行。 在一態樣中，已塗布之前述第2填充劑在半徑方向上的寬度大於已塗布之前述第3填充劑在半徑方向上的寬度。
在一態樣中，提供一種基板處理方法，其係將填充劑塗布於第1基板與第2基板接合而成之積層基板，其包含：將第1填充劑塗布於前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙的步驟；在塗布前述第1填充劑之後將第2填充劑塗布於前述間隙的步驟；在塗布前述第2填充劑之後對於前述積層基板進行處理的後續處理步驟；前述第2填充劑具有不會因為前述後續處理步驟中所使用之處理液而溶解的耐化學藥品性。 在一態樣中，前述基板處理方法更包含：在塗布前述第1填充劑之後使前述已塗布之前述第1填充劑硬化的步驟；塗布前述第2填充劑的步驟係在前述第1填充劑硬化之後進行。 在一態樣中，前述第1填充劑包含粒子，前述粒子徑長為1μm以下。 在一態樣中，前述第1填充劑不含粒子。
在一態樣中，前述塗布第1填充劑的步驟及前述塗布第2填充劑的步驟，係一邊使保持縱向放置的前述積層基板旋轉一邊進行。 在一態樣中，前述塗布第3填充劑的步驟，係一邊使保持縱向放置的前述積層基板旋轉一邊進行。 ［發明之效果］
根據本發明，藉由在第1基板之邊緣部與第2基板之邊緣部之間隙塗布多層黏度及填充劑所包含之粒子徑長不同的填充劑，可在短時間內確實將填充劑填充於上述間隙。再者，藉由塗布具有不會因為後續處理步驟中所使用之處理液而溶解的耐化學藥品性的填充劑，藉此在後續處理步驟中不會有不良的影響，可適當地保護積層基板之邊緣部。
以下，參照圖式說明本發明的實施型態。 圖1A及圖1B係基板W之邊緣部E的放大剖面圖。詳細而言，圖1A為所謂的斜角（straight）型基板W的剖面圖，圖1B為所謂的圓角（round）型基板W的剖面圖。邊緣部E係相對於基板W的平坦面（表面及背面）傾斜的最外側面，其具有圓弧形狀或倒角形狀。圖1A的基板W中，邊緣部E係由上側傾斜部（上側斜面部）B1、下側傾斜部（下側斜面部）B2，及側部（apex）B3所構成的基板W之最外周面。圖1B的基板W中，邊緣部E係構成基板W之最外周面的具有彎曲剖面的部分。邊緣部E有時亦稱為斜面部。
圖2係顯示積層基板Ws的放大剖面圖。積層基板Ws具有第1基板W1與第2基板W2在接合面P接合的結構。本實施型態中所使用之第1基板W1及第2基板W2為圓形。本實施型態的積層基板Ws具有圖1B所示的圓角型第1基板W1與第2基板W2接合而成之結構，但在一實施型態中，積層基板Ws亦可具有圖1A所示的斜角型第1基板W1與第2基板W2接合而成之結構。本說明書中，積層基板Ws之邊緣部係表示包含第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的積層基板Ws之外緣部。邊緣部E1、E2有時亦稱為斜面部。第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間形成有間隙G。此間隙G係形成於積層基板Ws的整周。
塗布於第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G的填充劑，主要係由黏結劑、溶劑及粒子構成，粒子分散在溶解於溶劑的黏結劑之中。粒子的使用目的係為了增加填充劑的體積以及調節填充劑的黏度。第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G，尤其在積層基板Ws的接合面P附近變得微小。圖3係顯示間隙G的微小內端未填充有填充劑F的積層基板Ws之邊緣部的放大剖面圖。若填充劑F的黏度高，則填充劑F不會進入間隙G的微小內端，而會產生未填充有填充劑F的區域Fn。
於是，本實施形態中，藉由塗布黏度不同的填充劑，即便是第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2的微小間隙G，亦可確實地將填充劑塗布於其中。
圖4係顯示基板處理裝置1的一實施型態的俯視圖，圖5係顯示基板處理裝置1的一實施型態的側視圖。基板處理裝置1係用以將第1填充劑F1及第2填充劑F2填充於由第1基板W1與第2基板W2接合而成之積層基板Ws的裝置。基板處理裝置1具備：填充劑塗布模組9，構成將第1填充劑F1及第2填充劑F2塗布於積層基板Ws的態樣；及動作控制部10，控制填充劑塗布模組9的動作。填充劑塗布模組9具備：基板保持部2，保持積層基板Ws；第1塗布裝置3A，用以塗布第1填充劑F1；第2塗布裝置3B，用以塗布第2填充劑F2；及硬化裝置4，使已塗布之第1填充劑F1及第2填充劑F2硬化。
基板保持部2係藉由真空吸附而保持積層基板Ws之背面的載台。填充劑塗布模組9更具備：旋轉軸7，與基板保持部2之中央部連結；及旋轉機構8，使基板保持部2及旋轉軸7旋轉。積層基板Ws係以積層基板Ws之中心與旋轉軸7之軸心一致的方式載置於基板保持部2之上。旋轉機構8具備馬達（圖中未顯示），如圖4所示，旋轉機構8構成下述態樣：以積層基板Ws之中心軸Cr為中心，使基板保持部2及積層基板Ws在箭號所示之方向上一體旋轉。
第1塗布裝置3A位於基板保持部2上的積層基板Ws之半徑方向外側，其構成下述態樣：將第1填充劑F1塗布於積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G。第2塗布裝置3B位於基板保持部2上的積層基板Ws之半徑方向外側，其構成下述態樣：將第2填充劑F2塗布於積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G。本實施形態中，第1塗布裝置3A係在積層基板Ws的旋轉方向上配置於第2塗布裝置3B的上游側，但在一實施型態中，第1塗布裝置3A亦可在積層基板Ws的旋轉方向上配置於第2塗布裝置3B的下游側。
圖6係顯示塗布裝置的一實施型態的示意圖。圖6中說明第1塗布裝置3A的構成。第1塗布裝置3A具備：注射器21，吐出第1填充劑F1；活塞22，可在注射器21內來回移動；及水平移動機構（圖中未顯示），使注射器21接近或遠離積層基板Ws。藉由此水平移動機構，可調整積層基板Ws與第1塗布裝置3A之填充劑噴出口21a的距離。一實施型態中，亦可省略水平移動機構。此情況中，為了適當地將第1填充劑F1注入積層基板Ws之間隙G而預先決定積層基板Ws與填充劑噴出口21a的距離。
注射器21具有中空結構，其構成內部填充第1填充劑F1的態樣。活塞22配置於注射器21內。注射器21，其前端具有用以吐出第1填充劑F1的填充劑噴出口21a。包含填充劑噴出口21a的注射器21之前端亦可構成可裝卸的態樣。填充劑噴出口21a的形狀可根據欲塗布之第1填充劑F1的物性（例如黏度等）而選擇適當形狀。填充劑噴出口21a係配置成與第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G對向的態樣。
第1塗布裝置3A透過氣體供給線25與氣體供給源連接。若從氣體供給源將氣體（例如乾燥空氣或氮氣）供給至注射器21，則活塞22在注射器21內前進。藉由活塞22的前進，注射器21內的第1填充劑F1從填充劑噴出口21a吐出。
氣體供給線25上配置有壓力調整裝置26與開閉閥27。開閉閥27係電動閥或電磁閥等致動器驅動型閥。若將開閉閥27開啟，則氣體從氣體供給源供給至第1塗布裝置3A，第1塗布裝置3A將第1填充劑F1塗布於積層基板Ws。若將開閉閥27關閉，則停止對於第1塗布裝置3A供給氣體，藉此停止第1填充劑F1的塗布。壓力調整裝置26，藉由調整從氣體供給源供給至第1塗布裝置3A的氣體壓力，可調整第1填充劑F1在單位時間內從填充劑噴出口21a吐出的量。壓力調整裝置26與開閉閥27的動作係由動作控制部10控制。
圖6中說明第1塗布裝置3A的構成，但第2塗布裝置3B亦具有與第1塗布裝置3A相同的構成，因此省略其重複說明。第2塗布裝置3B構成下述態樣：在注射器21的內部填充有第2填充劑F2，並將第2填充劑F2塗布於積層基板Ws上。第2塗布裝置3B的動作係由動作控制部10所控制。一實施型態中，與第2塗布裝置3B連接的氣體供給源，亦可與連接於第1塗布裝置3A的氣體供給源相同。此情況中，氣體供給源亦可分別連接於第1塗布裝置3A的氣體供給線25及第2塗布裝置3B的氣體供給線25。
一實施型態中，第1塗布裝置3A及第2塗布裝置3B亦可具備螺桿進料機來代替注射器21與活塞22的組合。
如圖4及圖5所示，硬化裝置4位於基板保持部2上的積層基板Ws的半徑方向外側。硬化裝置4，在積層基板Ws的旋轉方向上，配置於第1塗布裝置3A及第2塗布裝置3B的下游側，其構成下述態樣：使藉由第1塗布裝置3A及第2塗布裝置3B塗布於積層基板Ws上的第1填充劑F1及第2填充劑F2硬化。可一邊使積層基板Ws旋轉，一邊以硬化裝置4使第1填充劑F1及第2填充劑F2硬化。在本實施形態中，第1填充劑F1及第2填充劑F2係具有熱硬化性的填充劑。作為這種填充劑的例子，可列舉熱硬化性的樹脂。
硬化裝置4為空氣加熱器，其構成朝向已塗布於積層基板Ws上的第1填充劑F1及第2填充劑F2吹出熱風的態樣。硬化裝置4構成可調整吹出之熱風的風壓及溫度的態樣。經由熱風加熱的第1填充劑F1及第2填充劑F2因為交聯反應而硬化。第1填充劑F1及第2填充劑F2含有溶劑時，溶劑會因為加熱而揮發。硬化裝置4只要是可將第1填充劑F1及第2填充劑F2加熱而使其硬化，則不限於空氣加熱器，亦可為燈具加熱器或其他構成。
本實施形態中，第1填充劑F1及第2填充劑F2係具有熱硬化性的填充劑，但在一實施型態中，第1填充劑F1及第2填充劑F2亦可為具有紫外線硬化性的填充劑。此情況中，硬化裝置4亦可為照射紫外線而使第1填充劑F1及第2填充劑F2硬化的UV照射裝置。第1填充劑F1及第2填充劑F2含有溶劑時，亦可併用空氣加熱器等進行加熱而使溶劑揮發。
包含第1塗布裝置3A、第2塗布裝置3B、硬化裝置4、旋轉機構8、壓力調整裝置26及開閉閥27的填充劑塗布模組9的動作係由動作控制部10控制。動作控制部10係由至少一台電腦所構成。動作控制部10具備：記憶裝置10a，儲存用以控制填充劑塗布模組9之動作的程式；及處理裝置10b，根據程式所包含的命令執行演算。記憶裝置10a具備隨機存取記憶體（RAM，random access memory）等主記憶裝置以及硬碟驅動器（HDD，hard disk drive）、固態硬碟（SSD，solid state drive）等輔助記憶裝置。作為處理裝置10b的例子，可列舉中央處理器（CPU，Central Processing Unit）、圖形處理器（GPU，Graphics Processing Unit）。然而，動作控制部10的具體構成不限於此等的例子。
圖7係顯示基板處理方法的一實施型態的流程圖。 步驟S101中，動作控制部10對於填充劑塗布模組9的旋轉機構8發出指令，以預定旋轉速度使基板保持部2及積層基板Ws旋轉。 步驟S102中，動作控制部10對於與第1塗布裝置3A連接的開閉閥27發出指令，使開閉閥27開啟，從氣體供給源對於第1塗布裝置3A供給氣體。藉由此動作，第1填充劑F1注入旋轉的積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G。亦可在塗布第1填充劑F1之後，使第1塗布裝置3A的注射器21遠離積層基板Ws。 步驟S103中，動作控制部10對於填充劑塗布模組9的硬化裝置4發出指令，將積層基板Ws加熱，以使已塗布之第1填充劑F1硬化。
步驟S104中，動作控制部10對於與第2塗布裝置3B連接的開閉閥27發出指令，使開閉閥27開啟，從氣體供給源對於第2塗布裝置3B供給氣體。藉由此動作，第2填充劑F2注入旋轉的積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G。第2填充劑F2係以重疊於已硬化之第1填充劑F1上的方式塗布。亦可在塗布第2填充劑F2之後，使第2塗布裝置3B的注射器21遠離積層基板Ws。 步驟S105中，動作控制部10對於填充劑塗布模組9的硬化裝置4發出指令，將積層基板Ws加熱，以使已塗布之第2填充劑F2硬化。
圖8係填充有第1填充劑F1與第2填充劑F2的積層基板Ws的放大剖面圖。第2填充劑F2係以位於第1填充劑F1的半徑方向外側而覆蓋第1填充劑F1的方式塗布。第1填充劑F1及第2填充劑F2係由黏結劑、溶劑及粒子所構成，粒子分散在溶解於溶劑的黏結劑中。
作為黏結劑的例子，可列舉含鹼金屬矽酸鹽的無機黏結劑、由聚矽氧樹脂或環氧樹脂所構成的有機黏結劑等。黏結劑中亦可含有溶劑。作為粒子的例子，可列舉二氧化矽、氧化鋁等的無機粒子。
第1填充劑F1的黏度低於第2填充劑F2。第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G，尤其在積層基板Ws的接合面P附近變得微小。黏度低的填充劑容易進入微小的間隙，因此第1填充劑F1亦可為5Pa･s以下的低黏度。第1填充劑F1及第2填充劑F2的黏度可藉由溶劑的量、粒子的量、粒子徑長的尺寸等來調整。一實施型態中，第1填充劑F1亦可不含粒子。
已塗布之第1填充劑F1在半徑方向上的寬度x1小於已塗布之第2填充劑F2在半徑方向上的寬度x2。一實施型態中，已塗布之第1填充劑F1的體積小於已塗布之第2填充劑F2的體積。就黏度低的填充劑而言，填充劑所包含的溶劑量多，因此硬化後，最終填充的填充劑之體積變小。因此，填充相同體積的填充劑時，黏度低的填充劑所需的塗布量比黏度高的填充劑更多。又，亦需要使大量的溶劑揮發。因此，填充相同體積的填充劑時，黏度低的填充劑其塗布及硬化所需的時間比黏度高的填充劑更長。於是，藉由將黏度比第1填充劑F1高的第2填充劑F2塗布成體積大於第1填充劑F1的體積，可在短時間內填充填充劑。
已塗布之第1填充劑F1的厚度（沿著積層基板Ws之厚度方向上的尺寸）可為10μm以下。一例中，第1填充劑F1包含的粒子之徑長為1μm以下。藉此，第1填充劑F1可無間隙地填充至接合面P的附近。第2填充劑F2包含的粒子之徑長大於第1填充劑F1包含的粒子之徑長。徑長大的粒子可有效率地增加第2填充劑F2的體積，並能夠提高第2填充劑F2的機械強度。
一實施型態中，第1填充劑F1及/或第2填充劑F2亦可不含粒子。
接著說明基板處理方法的另一實施型態。已填充第1填充劑F1及第2填充劑F2的積層基板Ws會經由研磨步驟（例如化學機械研磨）、清洗步驟等後續處理步驟進行處理。研磨步驟係一邊將研磨液供給至研磨面上一邊使積層基板Ws與研磨面滑接而藉此對於積層基板Ws的表面進行研磨的步驟。清洗步驟係對於經研磨之積層基板Ws供給清洗液而清洗積層基板Ws表面的步驟。
後續處理步驟中會使用鹼性的研磨液及酸性的清洗液等處理液。第2填充劑F2位於積層基板Ws之間隙G的最外部，可能會因為後續處理步驟中所使用之處理液而溶解。若第2填充劑F2溶解，則有積層基板Ws損傷等而對於積層基板及製程性能造成不良影響的疑慮。
於是，本實施形態中，進一步在半徑方向外側的層上塗布具有不會因後續處理步驟中所使用之處理液而溶解之耐化學藥品性的填充劑，藉此有效保護積層基板Ws。
圖9係顯示基板處理裝置1的另一實施型態的俯視圖。未特別說明的本實施型態之基板處理裝置1的構成，與參照圖4及圖5所說明的上述實施型態之基板處理裝置1的構成相同，因此省略其重複說明。本實施形態中，填充劑塗布模組9更具備第3塗布裝置3C，其係用以將第3填充劑F3塗布於積層基板Ws。
第3塗布裝置3C位於基板保持部2上的積層基板Ws的半徑方向外側，其構成下述態樣：將第3填充劑F3塗布於積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G。本實施形態中，第3塗布裝置3C在積層基板Ws的旋轉方向上配置於第1塗布裝置3A、第2塗布裝置3B的下游側，但第1塗布裝置3A、第2塗布裝置3B及第3塗布裝置3C的位置關係不限於此。一實施型態中，第3塗布裝置3C亦可在積層基板Ws的旋轉方向上配置於第1塗布裝置3A、第2塗布裝置3B的上游側。
第3塗布裝置3C的構成具有與參照圖6說明的第1塗布裝置3A相同的構成，因此省略其重複說明。第3塗布裝置3C構成下述態樣：在注射器21的內部填充有第3填充劑F3，將第3填充劑F3塗布於積層基板Ws。第3塗布裝置3C的動作係由動作控制部10所控制。一實施型態中，與第3塗布裝置3C連接的氣體供給源，亦可與連接於第1塗布裝置3A的氣體供給源相同。此情況中，氣體供給源亦可分別連接於第1塗布裝置3A的氣體供給線25及第3塗布裝置3C的氣體供給線25。
一實施型態中，第1塗布裝置3A、第2塗布裝置3B及第3塗布裝置3C亦可具備螺桿進料機來代替注射器21與活塞22的組合。
圖10係顯示基板處理方法的另一實施型態的流程圖。 步驟S201中，動作控制部10對於填充劑塗布模組9的旋轉機構8發出指令，以預定的旋轉速度使基板保持部2及積層基板Ws旋轉。 步驟S202中，動作控制部10對於與第1塗布裝置3A連接的開閉閥27發出指令，使開閉閥27開啟，從氣體供給源對於第1塗布裝置3A供給氣體。藉由此動作，第1填充劑F1注入旋轉的積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G。亦可在塗布第1填充劑F1之後，使第1塗布裝置3A的注射器21遠離積層基板Ws。 步驟S203中，動作控制部10對於填充劑塗布模組9的硬化裝置4發出指令，將積層基板Ws加熱，以使已塗布之第1填充劑F1硬化。
步驟S204中，動作控制部10對於與第2塗布裝置3B連接的開閉閥27發出指令，使開閉閥27開啟，從氣體供給源對於第2塗布裝置3B供給氣體。藉由此動作，第2填充劑F2注入旋轉的積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G。第2填充劑F2係以重疊於已硬化之第1填充劑F1上的方式塗布。亦可在塗布第2填充劑F2之後，使第2塗布裝置3B的注射器21遠離積層基板Ws。 步驟S205中，動作控制部10對於填充劑塗布模組9的硬化裝置4發出指令，將積層基板Ws加熱，以使已塗布之第2填充劑F2硬化。
步驟S206中，對於與第3塗布裝置3C連接的開閉閥27發出指令，使開閉閥27開啟，從氣體供給源對於第3塗布裝置3C供給氣體。藉由此動作，第3填充劑F3注入旋轉的積層基板Ws的第1基板W1之邊緣部E1與第2基板W2之邊緣部E2之間隙G。第3填充劑F3係以重疊於已硬化之第2填充劑F2上的方式塗布。亦可在塗布第3填充劑F3之後，使第3塗布裝置3C的注射器21遠離積層基板Ws。 步驟S207中，動作控制部10對於填充劑塗布模組9的硬化裝置4發出指令，將積層基板Ws加熱，以使已塗布之第3填充劑F3硬化。
圖11係顯示填充有第1填充劑F1、第2填充劑F2及第3填充劑F3的積層基板Ws的放大剖面圖。第2填充劑F2位於第1填充劑F1的半徑方向外側，其係以覆蓋第1填充劑F1的方式塗布。第3填充劑F3位於第2填充劑F2的半徑方向外側，其係以覆蓋第2填充劑F2的方式塗布。第1填充劑F1及第2填充劑F2與參照圖8說明的實施型態相同，因此省略其重複說明。第3填充劑F3係由黏結劑、溶劑及粒子所構成，溶解於溶劑的黏結劑中分散有粒子。一實施型態中，第3填充劑F3亦可不含粒子。
作為黏結劑的例子，可列舉含鹼金屬矽酸鹽的無機黏結劑、由聚矽氧樹脂或環氧樹脂所構成的有機黏結劑等。黏結劑中亦可含有溶劑。作為粒子的例子，可列舉二氧化矽、氧化鋁等無機粒子。
第3填充劑F3具有不會因後續處理步驟中所使用之處理液而溶解的耐化學藥品性。此處所謂的「不會溶解」，不僅限於第3填充劑F3完全不會溶解，實質上亦包含第3填充劑F3不會崩塌。
已塗布之第1填充劑F1在半徑方向上的寬度x1小於已塗布之第2填充劑F2在半徑方向上的寬度x2。一實施型態中，已塗布之第1填充劑F1的體積小於已塗布之第2填充劑F2的體積。黏度低的填充劑中，填充劑包含的溶劑量多，因此在硬化後，最終填充的填充劑體積變小。因此，填充相同體積的填充劑時，黏度低的填充劑所需之塗布量比黏度高的填充劑更多。又，亦需要使大量的溶劑揮發。因此，填充相同體積的填充劑時，黏度低的填充劑其塗布及硬化所需的時間比黏度高的填充劑更長。於是，藉由將黏度比第1填充劑F1高的第2填充劑F2塗布成體積大於第1填充劑F1的體積，可在短時間內填充填充劑。
已塗布之第2填充劑F2在半徑方向上的寬度x2大於已塗布之第3填充劑F3在半徑方向上的寬度x3。一實施型態中，已塗布之第2填充劑F2的體積大於已塗布之第3填充劑F3的體積。若對於後續處理步驟中所使用之處理液的耐化學藥品性高的第3填充劑F3的體積大，則在後續步驟中，無法輕易將第3填充劑F3從積層基板Ws去除。於是，藉由將第3填充劑F3塗布成體積小於第2填充劑F2的體積，可在後續處理步驟中適當保護第2填充劑F2，並且可輕易將第3填充劑F3從積層基板Ws去除。
參照圖9至圖11所說明之實施型態，只要是使用3種不同的填充劑，則不特別限於具有上述物性的填充劑。一實施型態中，3種填充劑為黏度不同的填充劑，第2填充劑F2的黏度高於第1填充劑F1，第3填充劑F3的黏度高於第2填充劑F2。第1填充劑F1、第2填充劑F2及第3填充劑F3的黏度，可藉由黏結劑的種類、溶劑的量、粒子的量、粒子徑長的尺寸等來調整。
圖12係顯示填充有第1填充劑F1與第2填充劑F2的積層基板Ws之邊緣部的另一實施型態的放大剖面圖。本實施型態中，塗布參照圖11說明的具有耐化學藥品性之第3填充劑F3以作為第2填充劑F2。本實施型態的基板處理裝置1的構成與參照圖4及圖5說明的實施型態之基板處理裝置1的構成相同，因此省略其重複說明。
第2填充劑F2位於第1填充劑F1的半徑方向外側，其係以覆蓋第1填充劑F1的方式塗布。第1填充劑F1及第2填充劑F2，係由黏結劑、溶劑及粒子構成，溶解於溶劑的黏結劑中分散有粒子。
作為黏結劑的例子，可列舉含鹼金屬矽酸鹽的無機黏結劑、由聚矽氧樹脂或環氧樹脂構成的有機黏結劑等。黏結劑亦可含有溶劑。作為粒子的例子，可列舉：二氧化矽、氧化鋁等的無機粒子。
已塗布之第1填充劑F1的厚度（沿著積層基板Ws之厚度方向的尺寸）可為10μm以下。一例中，第1填充劑F1所包含的粒子徑長為1μm以下。藉此，第1填充劑F1無間隙地填充至接合面P的附近。
第2填充劑F2具有不會因為後續處理步驟中所使用之處理液而溶解的耐化學藥品性。此處所謂的「不會溶解」，不僅限於第2填充劑F2完全溶解，亦包含第2填充劑F2未實質上崩壞。在後續步驟中進一步將填充劑從積層基板Ws去除的情況，已塗布之第2填充劑F2在半徑方向上的寬度x2亦可為不妨礙第2填充劑F2去除之程度的寬度。
一實施型態中，第1填充劑F1及/或第2填充劑F2亦可不含粒子。
圖13係顯示塗布裝置的另一實施型態的示意圖。本實施形態中，填充劑塗布模組9僅具備1個塗布裝置3。未特別說明的填充劑塗布模組9的構成，與參照圖6所說明的第1塗布裝置3A的構成相同，因此省略其重複說明。
塗布裝置3，如參照圖8所說明之實施型態，係用以塗布第1填充劑F1及第2填充劑F2的塗布裝置。塗布裝置3的注射器21內，從接近填充劑噴出口21a的一側開始，依序填充有第1填充劑F1、第2填充劑F2。
塗布裝置3透過氣體供給線25與氣體供給源連接。若從氣體供給源將氣體（例如乾燥空氣或氮氣）供給至注射器21，則活塞22在注射器21內前進。藉由活塞22的前進，注射器21內的第1填充劑F1首先從填充劑噴出口21a噴出。若第1填充劑F1已完全吐出，接著第2填充劑F2從填充劑噴出口21a噴出。
塗布裝置3，如參照圖11所說明之實施型態，亦可構成塗布第1填充劑F1、第2填充劑F2及第3填充劑F3的態樣。此情況中，塗布裝置3的注射器21內，從接近填充劑噴出口21a的一側開始，依序填充有第1填充劑F1、第2填充劑F2、第3填充劑F3。
根據本實施型態，只要具備一個塗布裝置3即可，因此裝置構成不複雜，亦不需要更換注射器21，因此可減少工序。
填充劑塗布模組9的再另一實施型態中，第1填充劑F1、第2填充劑F2及第3填充劑F3亦可填充於不同的注射器21內，藉由更換安裝於填充劑塗布模組9的注射器21，可變更欲塗布的填充劑。
圖14係顯示基板處理裝置1的另一實施型態的俯視圖。圖15係圖14所示的基板處理裝置1的側視圖。未特別說明的本實施型態的構成，與參照圖4及圖5說明的實施型態之構成相同，因此省略其重複說明。本實施形態中，填充劑塗布模組9具備基板保持裝置30以代替基板保持部2、旋轉軸7及旋轉機構8。
基板保持裝置30具備：3個以上的（本實施形態中為4個）滾軸31，可與積層基板Ws的周緣部接觸；滾軸旋轉機構（圖中未顯示），使各滾軸31以其軸心為中心而旋轉；及滾軸移動機構（圖中未顯示），使各滾軸31移動。本實施形態中，基板保持裝置30具備4個滾軸31，但基板保持裝置30亦可具備3個或5個以上的滾軸。
4個滾軸31配置於基板保持裝置30的基準中心點O周圍。滾軸31與積層基板Ws的周緣部接觸，構成水平保持積層基板Ws的態樣。亦即，積層基板Ws藉由基板保持裝置30的滾軸31而保持在橫向放置的狀態。如圖14所示，若藉由基板保持裝置30的滾軸31將積層基板Ws保持在橫向放置的狀態，則積層基板Ws的上表面及下表面分別位於在水平方向上延伸的虛擬面內。
滾軸旋轉機構與4個滾軸31連結，其構成使4個滾軸31在相同方向上以相同速度旋轉的態樣。滾軸旋轉機構的構成，只要可使3個以上的滾軸31在相同方向上以相同速度旋轉，則可為任意構成，可利用習知的旋轉機構作為滾軸旋轉機構。作為滾軸旋轉機構的例子，可列舉：馬達、滑輪（及/或齒輪）及旋轉皮帶的組合。
滾軸移動機構與4個滾軸31連結，構成使各滾軸31往基板保持裝置30之基準中心點O接近的方向以及從基準中心點O離開的方向移動的態樣。藉由滾軸移動機構，可使4個滾軸31在以滾軸31保持積層基板Ws之周緣部的保持位置（參照圖14的實線）與使積層基板Ws從滾軸31解放的解放位置（參照圖14的點線）之間移動。
滾軸移動機構的構成，只要可使4個滾軸31在保持位置與解放位置之間移動則可為任意，可利用習知的移動機構作為滾軸移動機構。作為滾軸移動機構的例子，可列舉：活塞汽缸機構及滾珠螺桿與馬達（步進馬達）的組合。
基板保持裝置30的滾軸旋轉機構及滾軸移動機構，與動作控制部10電連接。動作控制部10構成可控制基板保持裝置30的滾軸旋轉機構及滾軸移動機構之動作的態樣。
積層基板Ws，藉由圖中未顯示的運送裝置而被運送至積層基板Ws的軸心與基板保持裝置30之基準中心點O一致的位置。此時，滾軸31位於解放位置。接著，藉由滾軸移動機構，使4個滾軸31移動至保持位置，藉此將積層基板Ws的周緣部保持於4個滾軸31。藉由此動作，積層基板Ws以橫向放置的狀態保持於4個滾軸31上。藉由滾軸旋轉機構使已移動至保持位置的4個滾軸31旋轉，藉此積層基板Ws以其軸心為中心旋轉。
若藉由滾軸移動機構使位於保持位置的4個滾軸31移動至解放位置，4個滾軸31從積層基板Ws的周緣部離開，可使積層基板Ws從4個滾軸31解放。已解放之積層基板Ws，經由圖中未顯示的運送裝置進行運送，以進行下一個處理。
由第1塗布裝置3A所進行的第1填充劑F1之塗布、由第2塗布裝置3B所進行的第2填充劑F2之塗布及由硬化裝置4所進行的第1填充劑F1與第2填充劑F2之硬化，係一邊使由基板保持裝置30保持於橫向放置的積層基板Ws旋轉一邊進行。
一實施型態中，亦可構成滾軸旋轉機構僅使部分滾軸31旋轉的態樣。例如亦可構成下述態樣：滾軸旋轉機構與4個滾軸31之中的2個滾軸31連結，使2個滾軸31在相同方向上以相同速度旋轉。此情況中，其他2個滾軸31構成自由旋轉的態樣。4個滾軸31配置於保持位置上時，若與滾軸旋轉機構連結的2個滾軸31旋轉，則其他2個滾軸31透過積層基板Ws與連結於滾軸旋轉機構的滾軸31連動而旋轉。
一實施型態中，亦可構成滾軸移動機構僅使部分滾軸31移動的態樣。例如亦可構成下述態樣：滾軸移動機構與4個滾軸31之中的2個滾軸31連結，使此2個滾軸31在保持位置與解放位置之間移動。此情況中，其他2個滾軸31預先固定於保持位置。積層基板Ws，藉由運送裝置被運送至積層基板Ws的周緣部與固定的2個滾軸31接觸的位置。藉由滾軸移動機構，使與滾軸移動機構連結的2個滾軸31移動至保持位置，藉此可將積層基板Ws保持為橫向放置的態樣。藉由滾軸移動機構，使與滾軸移動機構連結的2個滾軸31移動至解放位置，藉此可解放積層基板Ws。
上述實施型態中，基板保持部2及基板保持裝置30的滾軸31構成水平保持積層基板Ws的態樣。亦即，積層基板Ws藉由基板保持部2或基板保持裝置30的滾軸31保持在橫向放置的狀態。以第1塗布裝置3A所進行的第1填充劑F1之塗布及以第2塗布裝置3B所進行的第2填充劑F2之塗布（及以第3塗布裝置3C所進行的第3填充劑F3之塗布），係一邊使藉由基板保持部2或基板保持裝置30的滾軸31保持於橫向放置的積層基板Ws旋轉一邊進行。然而，只要可將第1填充劑F1、第2填充劑F2（及第3填充劑F3）塗布於間隙G，則積層基板Ws的保持方法不限於上述實施型態。例如，填充劑塗布模組9亦可具有構成將積層基板Ws保持為垂直態樣的基板保持部或基板保持裝置。若積層基板Ws保持於縱向放置的狀態，則積層基板Ws的上表面及下表面分別位於與水平方向垂直的鉛直方向上延伸的虛擬面內。
圖16係顯示基板處理裝置1的再另一實施型態的側視圖。圖17係從圖16的箭號A所示之方向觀看的圖。未特別說明的本實施型態之構成，與參照圖4及圖5說明的實施型態之構成相同，因此省略其重複說明。圖16係從積層基板Ws的背面側觀看的圖。本實施形態中，填充劑塗布模組9具備基板保持部35、旋轉軸36及旋轉機構38以代替基板保持部2、旋轉軸7及旋轉機構8。
基板保持部35構成以真空吸附保持積層基板Ws背面的態樣。如圖17所示，保持積層基板Ws背面的基板保持部35之保持面35a係相對水平面垂直的面。積層基板Ws保持於相對水平面垂直的態樣。亦即，積層基板Ws藉由基板保持部35而保持在縱向放置的狀態。
旋轉軸36與基板保持部35之中央部連結。積層基板Ws以積層基板Ws之中心與旋轉軸36之軸心一致的方式保持於基板保持部35上。旋轉機構38具備馬達（圖中未顯示），如圖16所示，旋轉機構38構成使基板保持部35及積層基板Ws以積層基板Ws之中心軸Cr為中心而在箭號所示之方向上一體旋轉的態樣。
填充劑塗布模組9具備：第1塗布裝置移動機構（圖中未顯示），使第1塗布裝置3A移動；及第2塗布裝置移動機構（圖中未顯示），使第2塗布裝置3B移動。第1塗布裝置移動機構及第2塗布裝置移動機構分別與第1塗布裝置3A及第2塗布裝置3B連結，其構成使第1塗布裝置3A及第2塗布裝置3B在進行填充劑之塗布的位置與停止填充劑之塗布的待機位置之間移動的態樣。例如，第1塗布裝置3A及第2塗布裝置3B的待機位置，為了避免干擾積層基板Ws之運送等其他設備的動作，而設定於比塗布位置更遠離積層基板Ws的位置。
本實施形態中，第1塗布裝置3A及第2塗布裝置3B的塗布位置，係在保持於基板保持部35上的積層基板Ws之上方與積層基板Ws之間隙G對向的位置。若位於塗布位置的第1塗布裝置3A或第2塗布裝置3B吐出填充劑，則填充劑朝向積層基板Ws之間隙G落下，結果將填充劑塗布於積層基板Ws之間隙G。本實施形態中，待機位置係設定於比塗布位置更遠離積層基板Ws的半徑方向外側的位置。圖16及圖17係顯示第1塗布裝置3A配置於塗布位置的狀態。
基板保持部35、旋轉機構38、第1塗布裝置移動機構及第2塗布裝置移動機構與動作控制部10電連接，基板保持部35、旋轉機構38、第1塗布裝置移動機構及第2塗布裝置移動機構的動作係由動作控制部10控制。
藉由第1塗布裝置3A塗布第1填充劑F1時，第1塗布裝置移動機構使第1塗布裝置3A移動至塗布位置。第1塗布裝置3A塗布第1填充劑F1的期間，第2塗布裝置3B配置於待機位置。第1塗布裝置移動機構亦可構成可調整第1塗布裝置3A與積層基板Ws之間的距離的態樣。例如，為了將第1填充劑F1適當注入積層基板Ws之間隙G，動作控制部10亦可因應第1填充劑F1之黏度等的物性，藉由第1塗布裝置移動機構調整第1塗布裝置3A與積層基板Ws的距離。
以第1塗布裝置3A塗布第1填充劑F1之後，欲藉由第2塗布裝置3B塗布第2填充劑F2時，第1塗布裝置移動機構使第1塗布裝置3A移動至待機位置，第2塗布裝置移動機構使第2塗布裝置3B移動至塗布位置。第2塗布裝置移動機構亦可構成可調整第2塗布裝置3B與積層基板Ws之間的距離的態樣。例如，為了使第2填充劑F2適當注入積層基板Ws之間隙G，動作控制部10亦可因應第2填充劑F2的黏度等物性，藉由第2塗布裝置移動機構調整第2塗布裝置3B與積層基板Ws的距離。
以第1塗布裝置3A所進行的第1填充劑F1之塗布、以第2塗布裝置3B所進行的第2填充劑F2之塗布及以硬化裝置4所進行的第1填充劑F1與第2填充劑F2之硬化，係一邊藉由基板保持部35使保持縱向放置的積層基板Ws旋轉一邊進行。
一實施型態中，填充劑塗布模組9亦可不具備第1塗布裝置移動機構及第2塗布裝置移動機構，而是第1塗布裝置3A及第2塗布裝置3B在保持於基板保持部35上的積層基板Ws之上方相鄰配置。此情況中，第1塗布裝置3A與第2塗布裝置3B，為了使第1填充劑F1及第2填充劑F2適當注入積層基板Ws之間隙G，亦可預先決定第1塗布裝置3A與積層基板Ws的距離及第2塗布裝置3B與積層基板Ws的距離。
如圖16所示，硬化裝置4位於保持在基板保持部35上的積層基板Ws之半徑方向外側。硬化裝置4，在積層基板Ws的旋轉方向上，配置於第1塗布裝置3A及第2塗布裝置3B的塗布位置的下游側，其構成使藉由第1塗布裝置3A及第2塗布裝置3B塗布於積層基板Ws上的第1填充劑F1及第2填充劑F2硬化的態樣。
圖18係顯示基板處理裝置1的再另一實施型態的側視圖。圖19係從圖18的箭號B所示之方向觀看的圖。未特別說明的本實施型態之構成，與參照圖16及圖17所說明之實施型態的構成相同，因此省略其重複說明。本實施形態中，填充劑塗布模組9具備基板保持裝置40以代替基板保持部35、旋轉軸36及旋轉機構38。
基板保持裝置40具備：3個以上的（本實施形態中為4個）滾軸41，可與積層基板Ws的周緣部接觸；滾軸旋轉機構（圖中未顯示），使各滾軸41以其軸心為中心而旋轉；及滾軸移動機構（圖中未顯示），使各滾軸41移動。本實施形態中，基板保持裝置40具備4個滾軸41，但基板保持裝置40亦可具備3個或5個以上的滾軸。
4個滾軸41配置於基板保持裝置40的基準中心點O周圍。滾軸41與積層基板Ws的周緣部接觸，構成垂直保持積層基板Ws的態樣。亦即，積層基板Ws，係藉由基板保持裝置40的滾軸41保持於縱向放置的狀態。如圖18所示，若積層基板Ws藉由基板保持裝置40的滾軸41保持在縱向放置的狀態，則積層基板Ws的上表面及下表面分別位於在鉛直方向上延伸的虛擬面內。
滾軸旋轉機構與4個滾軸41連結，其構成使4個滾軸41在相同方向上以相同速度旋轉的態樣。滾軸旋轉機構的構成，只要使3個以上的滾軸41在相同方向上以相同速度旋轉，則可為任意構成，可利用習知的旋轉機構作為滾軸旋轉機構。作為滾軸旋轉機構的例子，可列舉：馬達、滑輪（及/或齒輪）及旋轉皮帶的組合。
滾軸移動機構與4個滾軸41連結，其構成使各滾軸41在朝向基板保持裝置40之基準中心點O靠近的方向及從基準中心點O離開的方向上移動的態樣。藉由滾軸移動機構，可使4個滾軸41在以滾軸41保持積層基板Ws之周緣部的保持位置（參照圖18的實線）與積層基板Ws從滾軸41解放的解放位置（參照圖18的點線）之間移動。滾軸移動機構的構成，只要可使4個滾軸41在保持位置與解放位置之間移動，即可為任意構成，可利用習知的移動機構作為滾軸移動機構。作為滾軸移動機構的例子，可列舉：活塞汽缸機構及滾珠螺桿與馬達（步進馬達）的組合。
基板保持裝置40的滾軸旋轉機構及滾軸移動機構與動作控制部10電連接，基板保持裝置40的滾軸旋轉機構及滾軸移動機構的動作係由動作控制部10控制。
積層基板Ws，藉由圖中未顯示的運送裝置被運送至積層基板Ws的軸心與基板保持裝置40的基準中心點O一致的位置。此時，滾軸41位於解放位置。接著，藉由滾軸移動機構使4個滾軸41移動至保持位置，藉此使積層基板Ws的周緣部保持於4個滾軸41。藉由此動作，積層基板Ws以縱向放置的狀態被保持在4個滾軸41上。藉由滾軸旋轉機構使已移動至保持位置的4個滾軸41旋轉，藉此積層基板Ws以其軸心為中心旋轉。
若藉由滾軸移動機構使位於保持位置的4個滾軸41移動至解放位置，4個滾軸41從積層基板Ws的周緣部離開，可將積層基板Ws從4個滾軸41解放。已解放的積層基板Ws經由圖中未顯示的運送裝置進行運送，以進行下一個處理。
以第1塗布裝置3A所進行的第1填充劑F1之塗布、以第2塗布裝置3B所進行的第2填充劑F2之塗布及以硬化裝置4所進行的第1填充劑F1與第2填充劑F2之硬化，係一邊使藉由基板保持裝置40保持於縱向放置的積層基板Ws旋轉一邊進行。
一實施型態中，滾軸旋轉機構亦可構成僅使部分的滾軸41旋轉的態樣。例如，滾軸旋轉機構亦可與4個滾軸41之中的2個滾軸41連結，使2個滾軸在相同方向上以相同速度旋轉。此情況中，其他2個滾軸41構成自由旋轉的態樣。4個滾軸41配置於保持位置時，若與滾軸旋轉機構連結的2個滾軸41旋轉，其他2個滾軸41透過積層基板Ws與連結於滾軸旋轉機構上的2個滾軸41連動而旋轉。
一實施型態中，滾軸移動機構亦可構成僅使部分滾軸41移動的態樣。例如，滾軸移動機構亦可與4個滾軸41之中的2個滾軸41連結，使此2個滾軸41移動至保持位置與解放位置之間。此情況中，其他2個滾軸41預先固定於保持位置。積層基板Ws經由運送裝置被運送至積層基板Ws的周緣部與固定的2個滾軸41接觸的位置。藉由滾軸移動機構，使與滾軸移動機構連結的2個滾軸41移動至保持位置，可使積層基板Ws保持在縱向放置的態樣。藉由滾軸移動機構使與滾軸移動機構連結的2個滾軸41移動至解放位置，藉此可解放積層基板Ws。
參照圖14至圖19所說明的各實施型態亦可適用於參照圖9及圖13所說明的各實施型態。例如，在參照圖9所說明的實施型態中，應用參照圖16及圖17所說明的實施型態，以第1塗布裝置3A所進行的第1填充劑F1之塗布、以第2塗布裝置3B所進行的第2填充劑F2之塗布、以第3填充裝置3C所進行的第3填充劑F3之塗布及以硬化裝置4所進行的第1填充劑F1、第2填充劑F2、第3填充劑F3的硬化，亦可一邊使由基板保持部35保持於縱向放置的積層基板Ws旋轉一邊進行。
上述實施型態之記載目的係使本發明所屬技術領域中具有通常知識者可實施本發明。只要是本領域從業者，當然可完成上述實施型態的各種變形例，本發明的技術思想亦可應用於其他實施型態。因此，本發明不限於所記載之實施型態，其係解釋為依照根據申請專利範圍所定義之技術思想的最大範圍。 ［產業上的可利用性］
本發明可利用於抑制將多片基板接合所製造之積層基板的破裂及缺損的基板處理方法，尤其可利用於將填充劑塗布於構成積層基板的多片基板之邊緣部之間所形成的間隙。
1:基板處理裝置 2:基板保持部 3:塗布裝置 3A:第1塗布裝置 3B:第2塗布裝置 3C:第3塗布裝置 4:硬化裝置 7:旋轉軸 8:旋轉機構 9:填充劑塗布模組 10:動作控制部 10a:記憶裝置 10b:處理裝置 21:注射器 21a:填充劑噴出口 22:活塞 25:氣體供給線 26:壓力調整裝置 27:開閉閥 30:基板保持裝置 31:滾軸 35:基板保持部 35a:保持面 36:旋轉軸 38:旋轉機構 40:基板保持裝置 41:滾軸 A:箭頭 B:箭頭 B1:上側傾斜部 B2:下側傾斜部 B3:側部 Cr:中心軸 E:邊緣部 E1:邊緣部 E2:邊緣部 F:填充劑 F1:第1填充劑 F2:第2填充劑 F3:第3填充劑 Fn:區域 G:間隙 P:接合面 x1:寬度 x2:寬度 x3:寬度 W:基板 W1:第1基板 W2:第2基板 Ws:積層基板
圖1A係顯示基板之邊緣部的放大剖面圖。 圖1B係顯示基板之邊緣部的放大剖面圖。 圖2係顯示積層基板之邊緣部的放大剖面圖。 圖3係顯示微小間隙中未塗有填充劑的積層基板之邊緣部的放大剖面圖。 圖4係顯示基板處理裝置的一實施型態的俯視圖。 圖5係顯示基板處理裝置的一實施型態的側視圖。 圖6係顯示塗布裝置的一實施型態的示意圖。 圖7係顯示基板處理方法的一實施型態的流程圖。 圖8係顯示已填充第1填充劑與第2填充劑的積層基板之邊緣部的放大剖面圖。 圖9係顯示基板處理裝置的另一實施型態的俯視圖。 圖10係顯示基板處理方法的另一實施型態的流程圖。 圖11係顯示已填充第1填充劑、第2填充劑及第3填充劑的積層基板之邊緣部的放大剖面圖。 圖12係顯示已填充第1填充劑與第2填充劑的積層基板之邊緣部的另一實施型態的放大剖面圖。 圖13係顯示填充劑塗布模組的另一實施型態的示意圖。 圖14係顯示基板處理裝置的另一實施型態的俯視圖。 圖15係圖14所示的基板處理裝置的側視圖。 圖16係顯示基板處理裝置的再另一實施型態的側視圖。 圖17係從圖16的箭號A所示之方向觀看的圖。 圖18係顯示基板處理裝置的再另一實施型態的側視圖。 圖19係從圖18之箭號B所示之方向觀看的圖。
E1:邊緣部
E2:邊緣部
F1:第1填充劑
F2:第2填充劑
F3:第3填充劑
G:間隙
P:接合面
x1:寬度
x2:寬度
x3:寬度
W1:第1基板
W2:第2基板
Ws:積層基板

Claims (17)

  1. 一種基板處理方法，其係將填充劑塗布於由第1基板與第2基板接合而成的積層基板，該方法包含： 在前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙塗布第1填充劑的步驟；及 在塗布前述第1填充劑之後將第2填充劑塗布於前述間隙的步驟； 前述第1填充劑的黏度低於前述第2填充劑。
  2. 如請求項1之基板處理方法，更包含：在塗布前述第1填充劑之後使前述已塗布之前述第1填充劑硬化的步驟； 前述塗布第2填充劑的步驟係在前述第1填充劑硬化之後進行。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中前述第1填充劑包含粒子，前述粒子徑長為1μm以下。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中前述第2填充劑包含粒子，前述第2填充劑包含的前述粒子之徑長大於前述第1填充劑包含的前述粒子之徑長。
  5. 如請求項1或2之基板處理方法，其中前述第1填充劑不含粒子。
  6. 如請求項1之基板處理方法，其中前述第1填充劑的黏度為5Pa･s以下。
  7. 如請求項1之基板處理方法，其中已塗布之前述第1填充劑在半徑方向上的寬度小於已塗布之前述第2填充劑在半徑方向上的寬度。
  8. 如請求項1或2之基板處理方法，更包含： 在塗布前述第2填充劑之後將第3填充劑塗布於前述間隙的步驟；及 在塗布前述第3填充劑後對於前述積層基板進行處理的後續處理步驟； 前述第3填充劑具有不會因為前述後續處理步驟中所使用之處理液而溶解的耐化學藥品性。
  9. 如請求項1或2之基板處理方法，更包含： 在塗布前述第2填充劑之後將第3填充劑塗布於前述間隙的步驟； 前述第3填充劑的黏度高於前述第2填充劑。
  10. 如請求項8之基板處理方法，更包含： 在塗布前述第2填充劑之後使前述已塗布之第2填充劑硬化的步驟； 前述塗布第3填充劑的步驟係在前述第2填充劑硬化之後進行。
  11. 如請求項8之基板處理方法，其中已塗布之前述第2填充劑在半徑方向上的寬度大於已塗布之前述第3填充劑在半徑方向上的寬度。
  12. 一種基板處理方法，係將填充劑塗布於由第1基板與第2基板接合而成的積層基板，該方法包含： 在前述第1基板之邊緣部與前述第2基板之邊緣部的間隙塗布第1填充劑的步驟； 在塗布前述第1填充劑之後將第2填充劑塗布於前述間隙的步驟；及 在塗布前述第2填充劑之後對於前述積層基板進行處理的後續處理步驟； 前述第2填充劑具有不會因為前述後續處理步驟中所使用之處理液而溶解的耐化學藥品性。
  13. 如請求項12之基板處理方法，更包含： 在塗布前述第1填充劑之後使前述已塗布之前述第1填充劑硬化的步驟； 前述塗布第2填充劑的步驟係在前述第1填充劑硬化之後進行。
  14. 如請求項12或13之基板處理方法，其中前述第1填充劑包含粒子，前述粒子徑長為1μm以下。
  15. 如請求項12或13之基板處理方法，其中前述第1填充劑不含粒子。
  16. 如請求項1或12之基板處理方法，其中前述塗布第1填充劑的步驟及前述塗布第2填充劑的步驟，係一邊使保持縱向放置的前述積層基板旋轉一邊進行。
  17. 如請求項8之基板處理方法，其中前述塗布第3填充劑的步驟係一邊使保持縱向放置的前述積層基板旋轉一邊進行。
TW111129807A 2021-09-01 2022-08-09 基板處理方法 TW202316573A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-142273 2021-09-01
JP2021142273 2021-09-01
JP2022-104232 2022-06-29
JP2022104232A JP2023035844A (ja) 2021-09-01 2022-06-29 基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202316573A true TW202316573A (zh) 2023-04-16

Family

ID=85410983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111129807A TW202316573A (zh) 2021-09-01 2022-08-09 基板處理方法

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20240046827A (zh)
TW (1) TW202316573A (zh)
WO (1) WO2023032552A1 (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02202024A (ja) * 1989-01-31 1990-08-10 Fujitsu Ltd 貼り合わせ基板の薄膜化方法
JP2678218B2 (ja) * 1991-08-07 1997-11-17 株式会社日立製作所 貼りあわせ基体とその製造方法
JPH05304062A (ja) 1992-04-27 1993-11-16 Rohm Co Ltd 接合ウェーハ及びその製造方法
US8119500B2 (en) * 2007-04-25 2012-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer bonding
JP5784658B2 (ja) * 2013-02-28 2015-09-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び製造装置
CN110854039A (zh) * 2019-09-30 2020-02-28 芯盟科技有限公司 堆叠键合晶圆处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240046827A (ko) 2024-04-09
WO2023032552A1 (ja) 2023-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6200135B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、および、物品製造方法
WO2022044522A1 (ja) 基板処理方法、および基板処理装置
TW202316573A (zh) 基板處理方法
WO2018008325A1 (ja) 塗布方法
WO2023026719A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2023035844A (ja) 基板処理方法
CN117916859A (zh) 基板处理方法
JP2023034515A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2024014221A1 (ja) 基板製造方法および基板製造装置
JP2011110523A (ja) 液状樹脂の塗布装置および研削機
WO2024135195A1 (ja) 積層構造体製造装置および積層構造体の製造方法
WO2023026806A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2024014223A1 (ja) 基板保持装置、基板製造装置、および基板製造方法
WO2024029244A1 (ja) 充填剤塗布装置
JP2023033127A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6139440B2 (ja) 塗布方法、塗布装置および接合システム
WO2023042547A1 (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
WO2024085061A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5744486B2 (ja) 保護膜剥離装置
JP2018056466A (ja) 基板処理方法
JP2023042561A (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
JP2019212754A (ja) 樹脂被覆方法及び樹脂被覆装置
JP2016064453A (ja) 加工装置及びウエーハの加工方法
JP2007105701A (ja) 回転塗布装置、回転塗布方法