TW202311186A - 支持玻璃基板及使用此之層積基板 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種支持玻璃基板及使用此之層積基板係其特徵為在30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數為30×10 -7/℃以上，且55×10 -7/℃以下，而楊氏模量則為80 GPa以上者。

Description

支持玻璃基板及使用此之層積基板
本發明係有關支持玻璃基板及使用此之層積基板，具體而言係有關在半導體封裝之製造工程，使用於鑄模半導體晶片於樹脂之加工基板的支持之支持玻璃基板及使用此之層積基板。
對於行動電話，筆記型電腦，PDA(Personal Data Assistance)等之攜帶型電子機器，係要求小型化及輕量化。伴隨於此，亦嚴格加以限制使用於此等電子機器之半導體晶片的安裝空間，而半導體晶片的高密度之安裝則成為課題。因此，在近年中，經由三次元安裝技術，即，層積半導體晶片彼此，配線連接各半導體晶片間之時，而謀求半導體封裝之高密度安裝。
另外，以往的晶圓級封裝(WLP)係在晶圓的狀態而形成凸塊之後，經由切割而個片化加以製作。但以往的WLP係加上於不易使銷數增加，在半導體晶片的背面露出之狀態加以安裝之故，而有容易產生有半導體晶片的缺陷等之問題。
因此，作為新的WLP係加以提案有fan out型之WLP。fan out型之WLP係可使銷數增加，另外，經由保護半導體晶片的端部之時，可防止半導體晶片之缺陷等。
對於fan out型之WLP係有著先晶片型與後晶片型之製造方法。在先晶片型中，例如，具有在以樹脂之封閉材而鑄模(封閉)複數之半導體晶片，形成加工基板之後，配線於加工基板之一方的表面之工程，形成焊錫凸塊之工程等。在後晶片型中，例如，具有在設置配線層於支持基板上之後，配列複數之半導體晶片，以樹脂的封閉材而鑄模形成加工基板之後，形成焊錫凸塊之工程等。
更且，在最近中，亦加以檢討有稱為面板級封裝(PLP)之半導體封裝。在PLP中，使支持基板每1片的半導體封裝之取得數增加同時，為了使製造成本降低，並非晶圓狀，而加以使用矩形狀的支持基板。
在此等之半導體封裝之製造工程中，為了伴隨約200℃之熱處理，而有封閉材產生變形，對於加工基板產生有彎曲之虞。當對於加工基板產生有彎曲時，對於加工基板之一方的表面而言，高密度地進行配線者則變為困難，另外，正確地形成焊錫凸塊者亦變為困難。
從如此之情事，為了抑制加工基板之彎曲，加以檢討使用支持加工基板之玻璃基板者(參照專利文獻1)。
玻璃基板係容易將表面平滑化，且具有剛性。因而，當作為支持基板而使用玻璃基板時，可成為將加工基板，堅固，且正確地支持者。另外，玻璃基板係容易透過紫外光，紅外光等之光線。因而，當作為支持基板而使用玻璃基板時，經由設置紫外線硬化型接著劑等之接著層等之時，可容易地固定加工基板者。更且，經由設置吸收紅外線的剝離層等之時，亦可容易地分離加工基板者。作為另外的方式而經由紫外線硬化型膠帶等而設置接著層等之時，亦可容易地固定，分離加工基板者。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-78113號公報
[發明欲解決之課題]
在fan out型之WLP和PLP中，具有以樹脂之封閉材而鑄模複數之半導體晶片，形成加工基板之後，配線於加工基板之一方的表面之工程，形成焊錫凸塊之工程等。
此等之工程係伴隨約200～300℃之熱處理之故，而封閉材產生變形，而有加工基板產生尺寸變化之虞。當對於加工基板產生有尺寸變化時，對於加工基板之一方的表面而言，高密度地進行配線者則變為困難，另外，正確地形成焊錫凸塊者亦變為困難。
為了抑制加工基板之尺寸變化，作為支持基板而使用玻璃基板者為有效。但，使用玻璃基板之情況，亦有產生有加工基板的尺寸變化之情況。
本發明係有鑑於上述情事所作為之構成，其技術性的課題係經由發明不易使加工基板的尺寸變化產生之玻璃基板之時，可貢獻於半導體封裝之高密度安裝者。 [為了解決課題之手段]
本發明者們係重複各種實驗之結果，嚴格限制支持玻璃基板之熱膨脹係數之同時，經營提高支持玻璃基板之楊氏模量之時，發現可解決上述技術的課題者，而作為發明者而提案者。即，本發明之支持玻璃基板係其特徵為在30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數為30×10 -7/℃以上，且55×10 -7/℃以下，而楊氏模量則為80GPa以上者。在此，「在30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數」 係可以熱膨脹儀測定。「楊氏模量」係可以周知之共振法進行測定。
在本發明之支持玻璃基板中，30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數為30×10 -7/℃以上，且限制為55×10 -7/℃以下。如作為如此，成為容易使加工基板與支持玻璃基板的熱膨脹係數整合。並且，當兩者之熱膨脹係數整合時，成為在加工處理時，容易抑制加工基板的尺寸變化(特別是，彎曲變形)。作為結果，對於加工基板之一方的表面而言，成為可高密度地進行配線者，另外，亦成為可正確地形成焊錫凸塊者。
更且，在本發明之支持玻璃基板中，楊氏模量則限制為80GPa以上。如作為如此，層積基板之剛性則提升之故，成為容易抑制加工基板之尺寸變化(特別是彎曲變形)，而成為可堅固，且正確地支持加工基板者。
另外，本發明之支持玻璃基板係總厚度變異量(TTV)則不足2.0μm者為佳。如作為如此，成為容易提高加工處理的精確度。特別是可提高配線精確度之故，成為可進行高密度的配線。更且可增加支持玻璃基板之再利用次數者。在此，「總厚度變異量(TTV)」 係全體之最大板厚與最小板厚的差，例如，可經由KOBELCO research institute公司製之SBW-331ML/d而測定。
另外，本發明之支持玻璃基板係作為玻璃組成，以質量%，含有SiO 250～66%、Al 2O 37～34%、B 2O 30～8%、MgO 0～22%、CaO 1～15%、Y 2O 3+La 2O 3+ZrO 20～20%者為佳。在此，「Y 2O 3+La 2O 3+ZrO 2」 係指Y 2O 3、La 2O 3及ZrO 2之合量。
另外，在本發明之支持玻璃基板係在半導體封裝之製造工程，使用於鑄模(封閉)半導體晶片於樹脂之加工基板的支持者為佳。
另外，本發明之層積基板係至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板，支持玻璃基板則為上述之支持玻璃基板者為佳。
另外，本發明之層積基板係加工基板則為鑄模半導體晶片於樹脂之加工基板者為佳。
另外，本發明之半導體封裝之製造方法係具有：準備至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板的工程，和對於加工基板而言，進行加工處理之工程的同時，支持玻璃基板為上述之支持玻璃基板者為佳。
另外，本發明之半導體封裝之製造方法係加工處理則包含：於加工基板之一方的表面進行配線的工程者為佳。
另外，本發明之半導體封裝之製造方法係加工處理則包含：於加工基板之一方的表面形成焊錫凸塊的工程者為佳。
在本發明之支持玻璃基板中，30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數為30×10 -7/℃以上，且55×10 -7/℃以下，而理想為32×10 -7/℃以上、且52×10 -7/℃以下、理想為33×10 -7/℃以上、且49×10 -7/℃以下、特別理想為34×10 -7/℃以上、且44×10 -7/℃以下。當30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數則成為上述範圍外時，加工基板與支持玻璃基板的熱膨脹係數則成為不易整合。並且，當兩者之熱膨脹係數則成為不整合時，成為在加工處理時，容易產生加工基板的尺寸變化(特別是，彎曲變形)。
在本發明之支持玻璃基板中，楊氏模量係理想為80GPa以上、85GPa以上、90GPa以上、95GPa以上、特別是96～130GPa。楊氏模量過低時，成為不易維持層積體的剛性，成為容易產生加工基板的尺寸變化(特別是彎曲變形)。
在本發明之支持玻璃基板中，總厚度變異量(TTV)係理想為不足2.0μm，1.5μm以下、1.0μm以下、特別是不足0.1～1.0μm。總厚度變異量(TTV)則過大時，加工處理的精確度則成為容易降低。更且，成為不易再利用支持玻璃基板。
本發明之支持玻璃基板係表面全體為研磨面者為佳。如作為如此，成為容易將總厚度變異量(TTV)限制為不足2.0μm，1.5μm以下、1.0μm以下、特別是不足1.0μm。作為研磨處理的方法係可採用各種的方法，但以一對的研磨墊而夾入玻璃基板之兩面，使玻璃基板與一對的研磨墊同時旋轉之同時，研磨處理玻璃基板之方法為佳。更且，一對的研磨墊係外徑為不同者為佳，在研磨時，間歇性地，玻璃基板之一部分則呈從研磨墊溢出地進行研磨處理者為佳。經由此，成為容易降低總厚度變異量(TTV)則，另外，彎曲量亦成為容易降低。然而，在研磨處理中，研磨深度係未特別加以限定，但研磨深度係理想為50μm以下、30μm以下、20μm以下、特別是10μm以下。研磨深度越小，支持玻璃基板的生產性則提升。
本發明之支持玻璃基板係作為玻璃組成，以質量%，含有SiO 250～66%、Al 2O 37～34%、B 2O 30～8%、MgO 0～22%、CaO 1～15%、Y 2O 3+La 2O 3+ZrO 20～20%者為更佳。如上述，限定各成分之含有量的理由，顯示於以下。然而，在各成分之含有量的說明中，%顯示係除了有特別註明之情況，而表示質量%。
SiO 2係形成玻璃的網絡之成分。SiO 2之含有量係理想為50～66%、51～65%、52～64%、53～63%、54～62.5%、56～62%、特別是58～61%。SiO 2之含有量過少時，成為不易玻璃化，另外，耐候性則成為容易降低。更且，熱膨脹係數則容易變為過高。另一方面，SiO 2之含有量過多時，熔融性或成形性則成為容易降低，另外，熱膨脹係數則成為過低。
Al 2O 3係提高楊氏模量或耐候性的成分。Al 2O 3之含有量係理想為7～34%、8～26%、9～24%、11～23%、12～22%、14～21%、特別是16～21%。Al 2O 3之含有量過少時，楊氏模量或耐候性則成為容易降低。另一方面，Al 2O 3之含有量過多時，熔融性，成形性及耐失透性則成為容易降低。
B 2O 3係形成玻璃之網絡的成分，但使楊氏模量或耐候性降低之成分。因而，B 2O 3之含有量係理想為0～8%、0.1～7%、1～6%、特別是3～5%。
MgO係大幅度地提高楊氏模量，另外，使高溫黏度降低而提高熔融性或成形性的成分。MgO的含有量係理想為0～22%、0.5～21%、1～20.5%、2～20%、4～19.5%、5～19%、7～19%、8～18%、8.5～16%、9～16%、9～14%、特別是9～12%。MgO之含有量過少時，成為不易得到上述效果。另一方面，MgO之含有量過多時，耐失透性則成為容易降低。
CaO係使高溫黏度降低而提高熔融性及成形性的成分。CaO之含有量係理想為1～15%、2～12%、3～10%、特別是5～8%。CaO之含有量過少時，成為不易得到上述效果。另一方面，CaO之含有量過多時，耐失透性則成為容易降低。
從提高楊氏模量之觀點，莫耳比MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)係理想為0以上、0.1以上、0.2以上、0.3以上、0.4以上、0.5以上、0.6以上、特別是0.7以上。然而，「MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)」係以MgO、CaO、SrO及BaO之合量除以MgO的含有量。
Y 2O 3、La 2O 3及ZrO 2係提高楊氏模量的成分。Y 2O 3、La 2O 3及ZrO 2的合量係理想為0～20%、0.1～18%、0.5～16%、1～15%、1～14%、1～12%、1.2～10%、1.3～8%、特別是1.5～5%。Y 2O 3、La 2O 3及ZrO 2之合量過多時，耐失透性則成為容易降低。Y 2O 3之含有量係理想為0～15%、0.1～14%、0.5～13%、0.5～12%、0.5～10%、0.5～8%、0.5～6%、特別是1～4%。La 2O 3之含有量係理想為0～6%、0～4%、特別是0～2%。ZrO 2之含有量係理想為0～10%、0.1～6%、0.5～4%、特別是1～3%。Y 2O 3之含有量過多時，耐失透性則成為容易降低，另外，原料成本則成為容易高漲。La 2O 3之含有量過多時，耐失透性則成為容易降低，另外，原料成本則成為容易高漲。ZrO 2之含有量過多時，耐失透性則成為容易降低。
除上述成分以外，例如，添加以下的成分亦可。
SrO及BaO係使高溫黏度降低而提高熔融性及成形性的成分。SrO及BaO係各為0～15%、0.1～12%、特別是0.5～10%。
ZnO係降低高溫黏性，顯著提高熔融性的成分。ZnO之含有量係理想為0～7%、0.1～5%、特別是0.5～3%。ZnO之含有量過少時，成為不易得到上述效果。然而，ZnO之含有量過多時，玻璃則成為容易失透。
Li 2O、Na 2O及K 2O係使高溫黏度降低而提高熔融性及成形性的成分，但使熱膨脹係數上升之成分。對於使高溫黏度降低而提高熔融性及成形性的同時，使熱膨脹係數上升，Li 2O、Na 2O及K 2O的合量係理想為0～15%、0.01～10%、0.05～8%、特別是0.1～5%。各Li 2O、Na 2O及K 2O之含有量係理想為0～10%、0.01～5%、0.05～4%、特別是不足0.1～3%。為了使熱膨脹係數降低，Li 2O、Na 2O及K 2O之合量係理想為0～15%、0～10%、0～5%、0～1%、0～0.1%、0～0.05%、特別是不足0～0.01%。各Li 2O、Na 2O及K 2O之含有量係理想為0～15%、0～10%、0～5%、0～1%、0～0.1%、0～0.05%、特別是不足0～0.01%。
TiO 2係提高耐候性的成分，但使玻璃著色之成分。因而，TiO 2之含有量係理想為0～0.5%、特別是不足0～0.1%。
作為澄清劑，添加0.05～0.5%選自SnO 2、Cl、SO 3、CeO 2的群(理想係SnO 2、SO 3的群)之一種或二種以上亦可。
Fe 2O 3係作為不純物而不可避免地混入於玻璃原料之成分，為著色成分。因而，Fe 2O 3之含有量係理想為0.5%以下、0.001～0.1%、0.005～0.07%、0.008～0.03%、特別是0.01～0.025%。
V 2O 5、Cr 2O 3、CoO 3及NiO係著色成分。因而，各V 2O 5、Cr 2O 3、CoO 3及NiO之含有量係理想為0.1%以下、特別是不足0.01%。
從環境的關懷，作為玻璃組成，實質上未含有As 2O 3、Sb 2O 3、PbO、Bi 2O 3及F者為佳。在此，「實質上未含有～」係指作為玻璃成分而未添加積極性明示之成分，但容許作為不純物而混入之情況的內容，而具體而言係指明示的成分之含有量為不足0.05%者。
本發明之支持玻璃基板係具有以下的特性者為佳。
應變點係理想為580℃以上、620℃以上、650℃以上、680℃以上、特別是700～850℃。應變點越高，在半導體封裝之製造工程中，成為越容易降低支持玻璃基板之熱收縮。作為結果，成為容易提高加工處理的精確度。然而，「應變點」係指依據ASTM C336之方法而測定的值。
液相溫度係理想為1300℃以下、1280℃以下、1250℃以下、1160℃以下、1130℃以下、特別是1100℃以下。如作為如此，成為容易成形為板狀之故，即使未研磨表面，或者經由少量的研磨，可將總厚度變異量(TTV)降低至不足2.0μm，特別是不足1.0μm者，作為結果，可將支持玻璃基板之製造成本作為低廉化者。更且，成為容易防止在成形時，產生失透結晶的事態。在此，「液相溫度」係通過標準篩30網目(500μm)，將殘留於50網目(300μm)之玻璃粉末，放入至白金皿之後，保持24小時於溫度梯度爐中，可經由測定結晶析出之溫度而算出。
液相黏度係理想為10 3.8dPa･s以上、10 4.0dPa･s以上、10 4.2dPa･s以上、10 4.4dPa･s以上、特別是10 4.6dPa･s以上。如作為如此，成為容易成形為板狀之故，即使未研磨表面，或者經由少量的研磨，可將總厚度變異量(TTV)降低至不足2.0μm，特別是不足1.0μm者，作為結果，可將支持玻璃基板之製造成本作為低廉化者。在此，「液相黏度」 係可以白金球提升法而測定。
在10 2.5dPa･s之溫度係理想為1550℃以下、1500℃以下、1480℃以下、1450℃以下、特別是1200～1400℃以下。在10 2.5dPa･s之溫度變高時，熔融性則降低，支持玻璃基板之製造成本則高漲。在此，「在10 2.5dPa･s之溫度」 係可以白金球提升法而測定。
板厚係理想為1.5mm以下、1.2mm以下、1.0mm以下、特別是0.9mm以下。另一方面，板厚過薄時，支持玻璃基板本身的強度則降低，成為不易達成作為支持基板之機能。因而，支持玻璃基板之板厚係理想為0.5mm以上、0.6mm以上、特別是超過0.7mm。
彎曲量係理想為60μm以下、55μm以下、50μm以下、1～45μm、特別是5～40μm。彎曲量越小，成為越容易提高加工處理的精確度。特別是可提高配線精確度之故，成為可進行高密度的配線。然而，對於為了降低彎曲量，使複數之玻璃基板層積而進行熱處理者為佳。然而，「彎曲量」係指在支持玻璃基板全體的最高位點與最小平方焦點面之間的最大距離之絕對值，和最低位點與最小平方焦點面之絕對值的合計，例如，可經由KOBELCO research institute公司製之SBW-331ML/d而測定。
本發明之支持玻璃基板係晶圓狀(略正圓狀)者為佳，其直徑係100mm以上500mm以下、特別是150mm以上450mm以下為佳，其正圓度(但，除了缺口部)係1mm以下、0.1mm以下、0.05mm以下、特別是0.03mm以下為佳。如作為如此，成為容易適用於半導體封裝之製造工程。然而，「正圓度」係自晶圓的外形之最大值減去最小值的值。
本發明之支持玻璃基板係具有缺口部(缺口形狀之位置調整部)者為佳，而缺口部的深部係以平面視為略圓形狀或略V溝形狀者為更佳。經由此，使定位銷等之定位的構件抵接於支持玻璃基板的缺口部，而成為容易固定支持玻璃基板的位置。作為結果，支持玻璃基板與加工基板的位置調整則成為容易。特別是對於加工基板，亦形成缺口部，使定位構件抵接時，層積體全體的位置調整則成為容易。
另一方面，於支持玻璃基板之缺口部，抵接定位構件時，應力則容易集中於缺口部，而將缺口部作為起點，支持玻璃基板則成為容易破損。特別是經由外力而彎曲支持玻璃基板時，其傾向則變為顯著。因而，缺口部的表面與端面所交叉之端緣範圍的全部或一部分作為倒角者為佳。經由此，可有效地迴避缺口部作為起點之破損。
缺口部的表面與端面所交叉之端緣範圍的50%以上作為倒角者為更佳，而缺口部的表面與端面所交叉之端緣範圍的90%以上作為倒角者為特別理想，缺口部的表面與端面所交叉之端緣範圍的全部作為倒角者為最佳。在缺口部作為倒角之範圍越大，越可降低缺口部作為起點之破損的機率。
缺口部之表面方向之倒角寬度(背面方向之倒角寬度亦同樣)係理想為50～900μm、200～800μm、300～700μm、400～650μm、特別是500～600μm。缺口部之表面方向之倒角寬度過小時，缺口部作為起點，支持玻璃基板則成為容易破損。另一方面，缺口部之表面方向之倒角寬度過大時，倒角效率則降低，而支持玻璃基板之製造成本則成為容易高漲。
缺口部之板厚方向的倒角寬度(表面與背面之倒角寬度的合計)係理想為板厚的5～80%、20～75%、30～70%、35～65%、特別是40～60%。缺口部之板厚方向之倒角寬度過小時，缺口部作為起點，支持玻璃基板則成為容易破損。另一方面，缺口部之板厚方向之倒角寬度過大時，外力則成為容易集中於缺口部之端面，缺口部的端面作為起點，支持玻璃基板則成為容易破損。
本發明之支持玻璃基板係從降低總厚度變異量(TTV)之觀點，未進行化學強化處理者為佳。也就是，於表面未具有壓縮應力層者為佳。
作為支持玻璃基板之形成方法，可採取各種的方法。例如，可採取槽向下法，捲出法，重繪法，浮法，鑄錠成型法者。
本發明之層積基板係至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板，支持玻璃基板則為上述之支持玻璃基板者為特徵。在此，本發明之層積基板之技術性特徵(最佳的構成，效果)係與本發明之支持玻璃基板的技術性特徵重複。因而，在本說明書中，對於其重複部分，省略詳細之記載。
本發明之層積基板係於加工基板與支持玻璃基板之間，具有接著層者為佳。接著層係為樹脂者為佳，例如，熱硬化性樹脂，光硬化性樹脂(特別是紫外線硬化樹脂)等為佳。另外，在半導體封裝之製造工程中，具有可承受熱處理之耐熱性之構成為佳。經由此，在半導體封裝之製造工程，接著層則成為不易熔解，而可提高加工處理之精確度。
本發明之層積基板係更於加工基板與支持玻璃基板之間，更具體而言係於加工基板與接著層之間，具有剝離層者，或者於支持玻璃基板與接著層之間，具有剝離層者為佳。如作為如此，對於加工基板而言，進行特定之加工處理之後，成為自支持玻璃基板容易剝離加工基板。加工基板之剝離係從生產性的觀點，經由雷射光等之照射光而進行者為佳。
剝離層係以經由雷射光等之照射光而產生「層內剝離」或「界面剝離」之材料而加以構成。也就是當照射一定強度的光時，以在原子或分子中之原子間或分子間的結合力消失或減少，產生消融(ablation)等，使剝離產生之材料而加以構成。然而，有著經由照射光的照射，含於剝離層之成分則成為氣體而加以釋放至分離之情況，和剝離層則吸收光而成為氣體，釋放其蒸氣而至分離之情況。
在本發明之層積基板中，支持玻璃基板係較加工基板為大者為佳。經由此，在支持加工基板與支持玻璃基板時，兩者之中心位置則即使在稍微離間之情況，成為不易自支持玻璃基板溢出有加工基板之緣部。
本發明之半導體封裝之製造方法係具有：準備至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板的工程，和對於加工基板而言，進行加工處理之工程的同時，支持玻璃基板為上述之支持玻璃基板者為特徵。在此，本發明之半導體封裝之製造方法之技術性特徵(最佳的構成，效果)係與本發明之支持玻璃基板及層積基板的技術性特徵重複。因而，在本說明書中，對於其重複部分，省略詳細之記載。
本發明之半導體封裝之製造方法係具有準備至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板的工程。至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板係具有上述之材料構成。然而，作為玻璃基板之成形方法，可採取上述成形方法者。
本發明之半導體封裝之製造方法係更具有搬送層積基板之工程者為佳。經由此，可提高加工處理之處理效率者。然而，「搬送層積基板之工程」和「對於加工基板而言，進行加工處理之工程」係無須另外進行，而同時進行亦可。
在本發明之半導體封裝之製造方法中，加工處理係於加工基板之一方的表面進行配線的處理，或者於加工基板之一方的表面形成焊錫凸塊之處理為佳。在本發明之半導體封裝之製造方法中，在此等之處理時，加工基板則不易產生尺寸變化之故，可適當地進行此等之工程者。
作為加工處理，除上述以外，亦可為機械性地研磨加工基板之一方的表面(通常，與支持玻璃基板相反側的表面)之處理，乾蝕刻加工基板之一方的表面(通常，與支持玻璃基板相反側的表面)之處理，濕蝕刻加工基板之一方的表面(通常，與支持玻璃基板相反側的表面)之處理之任一。然而，在本發明之半導體封裝之製造方法中，不易於加工基板產生彎曲之同時，可維持層積基板之剛性者。作為結果，可適當地進行上述加工處理者。
參酌圖面同時，更加以說明本發明。
圖1係顯示本發明之層積基板1之一例的概念斜視圖。在圖1中，層積基板1係具備：支持玻璃基板10與加工基板11。支持玻璃基板10係為了防止加工基板11之尺寸變化，而加以貼著於加工基板11。並且，支持玻璃基板10係其特徵為在30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數為32×10 -7/℃以上，且55×10 -7/℃以下，而楊氏模量則為80GPa以上者。另外，對於支持玻璃基板10與加工基板11之間，係加以配置有剝離層12與接著層13。剝離層12係與支持玻璃基板10接觸，而接著層13係與加工基板11接觸。
如自圖1了解到，層積基板1係依支持玻璃基板10，剝離層12，接著層13，加工基板11之順序加以層積配置。支持玻璃基板10之形狀係因應加工基板11而加以決定，但在圖1中，支持玻璃基板10及加工基板11之形狀係均為晶圓形狀。剝離層12係除了非晶質矽(a-Si)以外，亦加以使用氧化矽，矽氧化合物，氮化矽，氮化鋁，氮化鈦等。剝離層12係經由電漿CVD，經由溶膠-凝膠法之旋塗法等而加以形成。接著層13係以樹脂加以構成，例如，經由各種印刷法，噴墨法，旋塗法，滾輪塗佈法等而加以塗佈形成。接著層13係經由剝離層12而自加工基板11加以剝離支持玻璃基板10之後，經由溶劑等而加以溶解除去。
圖2係顯示fan out型之WLP的先晶片型之製造工程的概念剖面圖。圖2(a)係顯示形成接著層21於支持構件20之一方的表面上之狀態。因應必要，形成剝離層於支持構件20與接著層21之間亦可。接著，如圖2(b)所示，於接著層21上貼上複數之半導體晶片22。此時，使半導體晶片22之有效側的面接觸於接著層21。接著，如圖2(c)所示，以樹脂之封閉材23鑄模半導體晶片22。封閉材23係使用壓縮成形後的尺寸變化，成形配線時之尺寸變化少之材料。接著，如圖2(d)、(e)所示，自支持構件20，分離鑄模半導體晶片22之加工基板24之後，藉由接著層25而與支持玻璃基板26接著固定。此時，加工基板24之表面之中，與埋入有半導體晶片22側的表面相反側的表面則加以配置於支持玻璃基板26側。如此作為，可得到層積基板27。然而，因應必要，形成剝離層於接著層25與支持玻璃基板26之間亦可。更且，在搬送所得到之層積基板27之後，如圖2(f)所示，於埋入有加工基板24之半導體晶片22側的表面，形成配線28之後，形成複數之焊錫凸塊29。最後，自支持玻璃基板26分離加工基板24之後，將加工基板24切斷為各半導體晶片22，再供給至之後的封裝工程(圖2(g))。
圖3係顯示將支持玻璃基板使用於背照光基板，將加工基板作為薄型化之工程的概念剖面圖。圖3(a)係顯示層積基板30。層積基板30係依支持玻璃基板31，剝離層32，接著層33，加工基板(矽晶圓)34之順序而加以層積配置。對於接觸於加工基板之接著層33側的表面，係經由光微影法等而加以複數形成半導體晶片35。圖3(b)係顯示經由研磨裝置36而將加工基板34作為薄型化之工程。經由此工程，加工基板34係機械性地加以研磨，例如，薄型化至數十μm為止。圖3(c)係顯示通過支持玻璃基板31，照射紫外光37於剝離層32之工程。當歷經此工程時，如圖3(d)所示，成為可分離支持玻璃基板31者。所分離之支持玻璃基板31係因應必要而加以再利用。圖3(e)係顯示自加工基板34除去接著層33之工程。當歷經此工程時，可採取薄型化之加工基板34者。 [實施例]
以下，依據實施例而加以說明本發明。然而，以下的實施例係單純的例示。本發明係對於以下之實施例未加以任何限定。
表1～9係顯示本發明之實施例(試料No.1～86)及比較例(試料No.87)。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
Figure 02_image005
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Figure 02_image009
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Figure 02_image013
Figure 02_image015
Figure 02_image017
首先，呈成為表中之玻璃組成地，將調合玻璃原料之玻璃批放入至白金坩堝之後，以1500～1700℃進行24小時熔融，澄清，均質化。在玻璃批之熔解時，使用白金攪拌器進行攪拌，進行均質化。接著，將熔融玻璃流出於碳板上，成形為板狀之後，以緩冷卻點附近之溫度進行30分鐘緩冷卻。對於所得到之各玻璃基板，評估密度，在30～380℃溫度範圍的平均線熱膨漲係數CTE 30 ～ 380 ℃、楊氏模量，應變點Ps、緩冷卻點Ta、軟化點Ts、在高溫黏度10 4.0dPa･s之溫度，在高溫黏度10 3.0dPa･s之溫度、在高溫黏度10 2.5dPa･s之溫度。然而，在表中的「N.A.」係表示未測定。
密度係經由阿基米德法而測定的值。
在30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數CTE 30 ～ 380 ℃係由熱膨脹儀而測定的值。
楊氏模量係指經由共振法而測定的值。
應變點Ps、緩冷卻點Ta、軟化點Ts係依據ASTM C336及C338之方法而測定的值。
在高溫黏度10 4.0dPa･s、10 3.0dPa･s、10 2.5dPa･s之溫度係以白金球提升法而測定的值。
自表1～9了解到，試料No.1～86係在30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數CTE 30 ～ 380 ℃為33.2×10 -7/℃～48.0×10 -7/℃、楊氏模量為80.0～101.2GPa之故，認為作為支持玻璃基板而為最佳。另一方面，試料No.87係在在30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數CTE 30 ～ 380 ℃為35×10 -7/℃，但楊氏模量為76GPa之故，認為作為支持玻璃基板而並非最佳。
接著，將有關試料No.1～86之玻璃基板加工為φ300mm×0.8mm厚之後，經由研磨裝置而研磨處理其兩表面。具體而言，以外徑不同之一對之研磨墊而夾入玻璃基板之兩表面，同時使玻璃基板與一對之研磨墊旋轉之同時，研磨處理玻璃基板之兩表面。研磨處理時，時而玻璃基板之一部分則呈自研磨墊溢出地加以控制。然而，研磨墊係胺甲酸乙酯製，在研磨處理時使用之研磨漿料的平均粒徑係2.5μm、研磨速度係15m/分。對於所得到之各研磨處理完成之玻璃基板，經由KOBELCO research institute公司製之SBW-331ML/d而測定總厚度變異量(TTV)與彎曲量。其結果，總厚度變異量(TTV)則各為0.45μm，彎曲量則各為35μm。
1,27,30:層積基板 10,26,31:支持玻璃基板 11,24,34:加工基板 12,32:剝離層 13,21,25,33:接著層 20:支持構件 22,35:半導體晶片 23:封閉材 28:配線 29:焊錫凸塊 36:研磨裝置 37:紫外光
[圖1]係顯示本發明之層積基板之一例的概念斜視圖。 [圖2]係顯示fan out型之WLP的先晶片型之製造工程的概念剖面圖。 [圖3]係顯示將支持玻璃基板使用於背照光基板，將加工基板作為薄型化之工程的概念剖面圖。
1:層積基板
10:支持玻璃基板
11:加工基板
12:剝離層
13:接著層

Claims (9)

  1. 一種支持玻璃基板，其特徵為在30～380℃之溫度範圍的平均線熱膨脹係數為30×10 -7/℃以上，且55×10 -7/℃以下，而楊氏模量為83.3Gpa以上，且作為玻璃組成，以質量%，含有CaO 1～12%者。
  2. 如請求項1記載之支持玻璃基板，其中，總厚度變異量(TTV)不足2.0μm者。
  3. 如請求項1或2記載之支持玻璃基板，其中，作為玻璃組成，以質量%，含有SiO 250～66%、Al 2O 37～34%、B 2O 30～8%、MgO 0～22%、CaO 1～12%、Y 2O 3+La 2O 3+ZrO 20～20%者。
  4. 如請求項1或2記載之支持玻璃基板，其中，在半導體封裝件之製造步驟，用以鑄模半導體晶片於樹脂之加工基板的支持者。
  5. 一種層積基板，至少具備加工基板與用以支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板，其特徵為支持玻璃基板則為如請求項1至4任一項記載之支持玻璃基板者。
  6. 如請求項5記載之層積基板，其中，加工基板則為鑄模半導體晶片於樹脂之加工基板者。
  7. 一種半導體封裝之製造方法，其特徵為具有： 準備至少具備加工基板與為了支持加工基板之支持玻璃基板的層積基板之工程， 和對於加工基板而言，進行加工處理之工程，並且，支持玻璃基板則為如請求項1至4任一項記載之支持玻璃基板者。
  8. 如請求項7記載之半導體封裝之製造方法，其中，加工處理則包含：於加工基板之一方的表面進行配線的工程者。
  9. 如請求項7或8記載之半導體封裝之製造方法，其中，加工處理則包含：於加工基板之一方的表面形成焊錫凸塊的工程者。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230212061A1 (en) * 2020-05-28 2023-07-06 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Support glass substrate and laminated substrate using same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1207086A (zh) * 1996-09-04 1999-02-03 保谷株式会社 信息记录介质基片用玻璃及玻璃基片
JP2001348247A (ja) 2000-05-31 2001-12-18 Asahi Glass Co Ltd 無アルカリガラス
DE10114581C2 (de) * 2001-03-24 2003-03-27 Schott Glas Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und Verwendungen
JP4165703B2 (ja) * 2003-09-01 2008-10-15 Ｈｏｙａ株式会社 精密プレス成形用プリフォームの製造方法および光学素子の製造方法
JP4537092B2 (ja) 2004-03-01 2010-09-01 パナソニック株式会社 ガラス組成物及び磁気ヘッド
US8187715B2 (en) 2008-05-13 2012-05-29 Corning Incorporated Rare-earth-containing glass material and substrate and device comprising such substrate
JP5292028B2 (ja) 2008-09-10 2013-09-18 株式会社オハラ ガラス
CN103201228B (zh) * 2010-11-08 2015-11-25 日本电气硝子株式会社 无碱玻璃
JP5831838B2 (ja) * 2011-03-08 2015-12-09 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
TWI641573B (zh) * 2014-04-07 2018-11-21 日本電氣硝子股份有限公司 支撐玻璃基板及使用其的積層體、半導體封裝及其製造方法以及電子設備
JP2016028000A (ja) * 2014-07-10 2016-02-25 日本電気硝子株式会社 強化ガラス及びその製造方法
CN115108719A (zh) * 2014-09-03 2022-09-27 日本电气硝子株式会社 支承玻璃基板及使用其的层叠体
JP6802966B2 (ja) * 2014-12-17 2020-12-23 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
JP6763124B2 (ja) * 2015-03-10 2020-09-30 日本電気硝子株式会社 積層体及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法
JP6601493B2 (ja) * 2015-05-28 2019-11-06 Ａｇｃ株式会社 ガラス基板、および積層基板
WO2017006801A1 (ja) * 2015-07-03 2017-01-12 旭硝子株式会社 キャリア基板、積層体、電子デバイスの製造方法
KR102584795B1 (ko) 2015-12-16 2023-10-05 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 지지 결정화 유리 기판 및 이것을 사용한 적층체

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