TW202308795A - 矽晶圓的洗淨方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係藉由刷洗有效地去除矽晶圓的表面以及端面的粒子，並抑制原本附著於晶圓端面的粒子再次附著至晶圓表面，以提升矽晶圓的LPD品質。
矽晶圓的洗淨方法係用以使矽晶圓W旋轉，並一邊使由複數個刷子11的集合體所構成之洗淨構件3、4旋轉，一邊使洗淨構件3、4摩擦矽晶圓W的洗淨面，藉此清潔洗淨面；矽晶圓的洗淨方法係具有如下特徵：於使洗淨構件3、4摩擦矽晶圓W的表面的中心部之後，於維持摩擦洗淨構件3、4之狀態下，使洗淨構件3、4從中心部移動至使得洗淨構件3、4的一部分從矽晶圓W的外周緣外伸之位置，並且於洗淨構件3、4的一部分外伸之狀態下，使矽晶圓W的外周端部與複數個刷子11的端面外周之間的交叉點形成為四處以上至六處以下。
Description
本發明係關於一種矽晶圓的洗淨方法，尤其關於將旋轉的刷子壓靠至結束研磨之後的矽晶圓的表面以進行洗淨之矽晶圓的洗淨方法。
過去以來，於製造半導體用基板的各種製程中，於結束了研磨處理的矽晶圓(或簡稱為晶圓)的表面、端面係成為附著許多如二氧化矽等粒子(particle)之狀態。若不藉由研磨後的洗淨處理而充分去除粒子，則粒子將會被釋放至此後所進行的最終洗淨處理的藥液內。
雖然於洗淨處理中藥液係循環於含過濾器的循環路徑中，但當粒子的數量多時，於洗淨期間中不會充分地過濾，當從藥液槽中將晶圓撈起時，存在有粒子再次附著至晶圓之風險。因此，要求研磨後的晶圓在正反面以及端面兩方的粒子都很少。
於專利文獻1中，於研磨晶圓結束之後立即藉由臭氧水洗淨處理而於晶圓表面形成氧化膜，之後進行晶圓表面的刷洗。雖然藉由該刷洗處理能使得晶圓表面獲得一定程度的清潔度，但對於晶圓端面(側面)的洗淨效果低，存在有粒子殘留於晶圓端面之問題。
針對如此課題，於專利文獻2係揭示了設置晶圓端面專用的洗淨刷子。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-17454號公報。
[專利文獻2]日本特開2010-40943號公報。
[發明所欲解決之課題]
若如專利文獻2所揭示的晶圓洗淨裝置般形成為設置晶圓端面專用的刷子之構成，能以使得粒子不會殘留於晶圓端面的方式進行洗淨。
然而，於專利文獻2所揭示的晶圓洗淨裝置的構成中，由於是藉由晶圓端面專用的刷子僅洗淨晶圓端面，因此於洗淨時被刷子去除的粒子容易往晶圓表面飛散並再次附著。因此，存在如下課題：若不進一步設置因洗淨晶圓端面而附著至晶圓表面的粒子之洗淨製程，則會使得晶圓表面的亮點缺陷(Light Point Defect：LPD)增加(降低LPD品質)。
本案發明人發現藉由洗淨晶圓表面的刷子有效地在洗淨晶圓周緣的表面側的同時也洗淨晶圓端面(側面)的方法，進而完成本發明。
本發明的目的在於提供一種矽晶圓的洗淨方法，係能藉由刷洗有效地去除矽晶圓的表面以及端面的粒子，並抑制原本附著於晶圓端面的粒子再次附著至晶圓表面，大幅降低晶圓表面的LPD數量。
[用以解決課題之手段]
為了解決上述課題而完成的本發明的矽晶圓的洗淨方法使矽晶圓旋轉，並一邊使由複數個刷子的集合體所構成之洗淨構件旋轉，一邊使前述洗淨構件摩擦前述矽晶圓的洗淨面，藉此清潔前述洗淨面；前述矽晶圓的洗淨方法係具有如下特徵：於使前述洗淨構件摩擦前述矽晶圓的表面的中心部之後，於維持摩擦前述洗淨構件之狀態下，使前述洗淨構件從前述中心部移動至使得前述洗淨構件的一部分從前述矽晶圓的外周緣外伸(overhang)之位置，並且於前述洗淨構件的一部分外伸之狀態下，使前述矽晶圓的外周端部與複數個前述刷子的端面外周之間的交叉點形成為四處以上至六處以下，藉此清潔前述矽晶圓的表面以及端面。
此外，理想上，前述洗淨構件中的前述刷子的前端側中，將前述刷子的前端往根部側3mm以上長度的部分壓靠至前述矽晶圓的表面。
此外，理想上，前述洗淨構件相對於前述矽晶圓旋轉一周的轉速比為10以上。
根據上述方法，當洗淨構件從矽晶圓的外周端部外伸時，將晶圓的外周端部與複數個刷子的端面外周之間的交叉點控制為隨著洗淨構件的旋轉而處於四處以上至六處以下的範圍內。此時刷子係與晶圓的外周端部(側面)接觸，不僅有效地去除附著於晶圓的表面的粒子，同時也有效地去除附著於晶圓端面(側面)的粒子。結果能抑制原本附著於晶圓端面的粒子往晶圓表面飛散(再次附著)，並大幅地降低晶圓表面的LPD數量。
[發明功效]
根據本發明能提供一種矽晶圓的洗淨方法，係能藉由刷洗有效地去除矽晶圓的表面以及端面的粒子，並抑制原本附著於晶圓端面的粒子再次附著至晶圓表面，大幅降低晶圓表面的LPD數量。
以下，根據圖式對本發明的矽晶圓的洗淨方法的一實施形態進行說明。
此外，圖1係示意性顯示一實施形態的晶圓洗淨裝置之概略圖，圖2係顯示圖1所示的晶圓洗淨裝置的主要構成之概略俯視圖。
如圖1、圖2所示，晶圓洗淨裝置1係具有用於保持矽晶圓(半導體基板)W的外周緣之複數個(於此實施形態為四個)輥2。於該複數個輥2中，於一個輥2A設有輥用馬達M1，並構成為能夠旋轉驅動。另一方面，另一個輥2B係構成為並未被旋轉驅動，而是保持矽晶圓W的外周緣並隨著矽晶圓W的旋轉而旋轉。
亦即，該輥2A係藉由輥用馬達M1而沿箭頭A所示的方向旋轉，藉此使得由輥2A、2B所保持的矽晶圓W沿與箭頭A相反的方向(箭頭B所示的方向)旋轉。
此外，該晶圓洗淨裝置1係具備：洗淨構件3，係摩擦矽晶圓W的上表面(洗淨面)；以及洗淨構件4，係摩擦矽晶圓W的下表面(洗淨面)。圖3中的(a)為洗淨構件3(洗淨構件4)的俯視圖，圖3中的(b)為洗淨構件3(洗淨構件4)的側視圖。如圖3中的(a)、(b)所示，洗淨構件3、4中，複數個(於本實施形態中為八個)小直徑的刷子11係被保持於正圓形板狀的支撐部10的單側表面。
具體地說，例如圖3中的(a)所示，洗淨構件3(4)中將一把刷子11配置於支撐部10的一個表面的中心，並於該刷子11的周圍等間隔地配置七把刷子11。如圖3中的(a)、(b)所示，各刷子11的直徑k係形成為15mm以上至30mm以下(例如20mm)，有效長度L係形成為3mm以上。若刷子11的有效長度L比3mm還短，則當如後述般洗淨構件3(4)從矽晶圓W的外周端部外伸時，存在有刷子11碰不到矽晶圓W的側面整體而無法去除如粒子等汙染物質(異物)之風險，為不佳。
此外，支撐部10的直徑係形成為小於矽晶圓W的直徑。作為該洗淨構件3以及洗淨構件4所具有的刷子11的材料，例如能適當地使用PVA(Polyvinyl alcohol；聚乙烯醇)製的海綿。
另外，晶圓洗淨裝置1係具備驅動該洗淨構件3、4之洗淨構件驅動單元5。洗淨構件驅動單元5係以隔著矽晶圓W而呈對稱的方式分別配置於矽晶圓W的表面側以及背面側。
該洗淨構件驅動單元5係具備：馬達M2，係旋轉驅動該圓板狀的洗淨構件3、4的支撐部10；可動臂部5a，係於一端部裝設有該馬達M2；以及馬達M3，係裝設於該可動臂部5a的另一端部側，並旋轉驅動該可動臂部5a。
亦即構成為：洗淨構件3、4藉由該馬達M2而旋轉，且可動臂部5a係以該馬達M3的旋轉軸為中心而轉動。
此外，該馬達M3係裝設於支撐台5b，該支撐台5b係可滑動地安裝於載置台5c。活塞暨氣缸5d係安裝於該載置台5c，該支撐台5b係與活塞暨氣缸5d連接。
亦即，於該晶圓洗淨裝置1中係構成為藉由活塞暨氣缸5d伸縮使得該支撐台5b滑動，且洗淨構件3、4與洗淨面滑動接觸或是脫離。
此外，如圖3中的(b)所示，當將矽晶圓W的厚度設為厚度h1(例如0.8mm)時，洗淨構件3、4中的刷子11的前端側中，將從刷子11的前端往根部側之長度h2的部分(例如0.4mm)從矽晶圓W的表面往下方壓靠。
此外，晶圓洗淨裝置1中設有控制部6，控制部6係控制上述輥用馬達M1、馬達M2、馬達M3以及活塞暨氣缸5d的動作。此控制係藉由所謂的順序控制(sequence control)來控制。
藉由該控制部6的控制，使得該圓板狀的洗淨構件3、4以下述方式動作：一邊旋轉一邊在摩擦之下從該矽晶圓W的洗淨面Wa、Wb的中心部O1移動至矽晶圓W的外周側，並且於預定的位置脫離洗淨面。
亦即，該洗淨構件3藉由可動臂部5a的下降且洗淨構件4藉由可動臂部5a的上升而如圖1所示般與矽晶圓W的洗淨面Wa、Wb接觸。並且，如圖2所示，藉由馬達M2而旋轉的洗淨構件3、4係在與矽晶圓W的表面滑動接觸之下，於通過矽晶圓W的中心O1之一點鏈線D所示的圓弧上從矽晶圓W的洗淨面Wa、Wb的中心部O1往矽晶圓W的外周側移動。然後，當洗淨構件3、4抵達預定位置(外伸距離)時，洗淨構件3、4的一部分係從矽晶圓W的洗淨面脫離。
此外，雖未圖示，但該晶圓洗淨裝置1係具備洗淨液供給機構，該洗淨液供給機構係對該矽晶圓W供給洗淨液。
該洗淨液供給機構能使用從過去就使用的洗淨液供給機構。具體地說，將洗淨液供給至矽晶圓W的上表面之洗淨液供給機構係構成為將洗淨液滴落至該矽晶圓W的上表面(洗淨面)的中心部。此外，將洗淨液供給至該矽晶圓W的下表面(洗淨面)之洗淨液供給機構係構成為將洗淨液噴射至該矽晶圓W下表面(洗淨面)整體。
接著說明使用晶圓洗淨裝置1的刷洗方法。此外，由於洗淨構件4的動作與洗淨構件3的動作相同，因此省略說明。
首先，藉由輥2來保持矽晶圓W的外周端部Wc。接著，在藉由該洗淨液供給機構將洗淨液(未圖示)供給至矽晶圓W的表面Wa上之情況下，藉由用於該輥2之馬達M2，使輥2沿箭頭A所示的方向旋轉，並使矽晶圓W沿箭頭B所示的方向旋轉。此時的矽晶圓W的轉速係例如20rpm。
此時，於矽晶圓W的外周端部Wc係伴隨著輥2的旋轉而產生沿箭頭E所示的方向的洗淨液的逆流。而且，洗淨液係逆流至虛線F所示的位置而形成環狀的積液X。
然後，藉由該洗淨構件驅動單元5，將沿與矽晶圓W的旋轉方向相同方向(箭頭C所示的方向)旋轉的洗淨構件3一邊按壓一邊移動至而處於旋轉中的矽晶圓W的表面Wa。
在將該洗淨構件3維持在旋轉狀態之下(也就是在處於洗淨矽晶圓W的表面Wa之情況下)，使洗淨構件3如圖2一點鏈線所示從矽晶圓W的中心O1移向外周緣部，並於預定的位置使洗淨構件3從矽晶圓W的表面Wa離開。具體地說，如圖4中的(a)所示般，當將洗淨構件3的半徑設為r，將洗淨構件3的前述外伸距離設為d，將洗淨液的輥2所形成的逆流距離設為t時，於洗淨構件3的外伸距離為0＜d ≤ r－t的位置處使洗淨構件3從矽晶圓W的表面Wa離開。此時，較佳為於洗淨構件3的外伸距離為0＜d ≤ r－t的位置處使洗淨構件3停止移動。停止該移動至使洗淨構件3從矽晶圓W的表面Wa離開的時間為例如一秒鐘至一分鐘。
此外，外伸距離d係洗淨構件3、4的一部分從矽晶圓W的外周端部Wc突出時的突出尺寸，且指如圖4所示般的以下兩者間的距離，一為連接矽晶圓W的中心O1與洗淨構件3的中心O2之線段L1與矽晶圓W的外周端部Wc相交的點P1處之矽晶圓W的切線L2；二為連接矽晶圓W的中心O1與洗淨構件3的中心O2之線段L1與洗淨構件3的外周端部相交的點P2處之與該切線L2平行的線段L3。
此外，洗淨液的輥2所形成的逆流距離t係指由於輥2的存在並且由於輥2旋轉而產生的積液X中的矽晶圓W的徑向的距離。
由於該逆流距離t會隨著離開該輥2而受矽晶圓W旋轉的離心力影響而減少，因此於此如圖4所示，將逆流距離t設為連接矽晶圓W的中心O1與輥2的中心O3的線段L4所橫切過的積液X的長度尺寸。
如圖4中的(a)所示，當使洗淨構件3從矽晶圓W的表面Wa離開的位置(外伸距離d)處於0＜d ≤ r－t範圍內時，經污染的洗淨液的積液係被去除，經污染的含有粒子等的洗淨水會從矽晶圓W的外周端部Wc排放至外側，能達成更高程度的清潔。
另外，於本發明中，當洗淨構件3從矽晶圓W的外周端部Wc外伸時，將矽晶圓W的外周端部Wc與複數個刷子11的端面外周之間的交叉點Is控制為隨著洗淨構件3的旋轉而處於四處(圖4中的(a))以上至六處(圖4中的(b))以下的範圍內。此時，由於刷子11的有效長度L(圖3中的(b))係形成為3mm以上，因此刷子11係如圖5所示般地與矽晶圓W的外周端部Wc(側面)接觸，有效地不僅去除附著於矽晶圓W的表面Wa的粒子，同時也去除附著於矽晶圓W的外周端部Wc(側面)的粒子。
結果能抑制附著於矽晶圓W的外周端面Wc的粒子往矽晶圓W表面Wa、Wb飛散(再次附著)，並大幅地降低矽晶圓W的表面Wa、Wb的LPD數量。
此外，當洗淨構件3從矽晶圓W的外周端部Wc外伸之際，矽晶圓W的外周端部Wc與複數個刷子11的端面外周之間的交叉點Is在伴隨洗淨構件3的旋轉下為三個以下時，由於無法獲得所期待的洗淨效果，因此為不佳。另一方面，當該交叉點Is為七個以上時，必須將刷子11形成地較小，且刷子11的磨耗變快使得壽命降低或是從刷子11產生的粉塵變多，因此為不佳。
此外，較佳地，洗淨構件3相對於矽晶圓W的轉速比至少為10以上。
亦即，若洗淨構件3相對於矽晶圓W一次旋轉係旋轉十次以上(例如600rpm)，由於刷子11係於矽晶圓W的整個表面滑動，因此能獲得良適的洗淨性能。另一方面，當洗淨構件3相對於矽晶圓W一次旋轉係旋轉小於十次時，由於刷子11相對於矽晶圓W的滑動變得不均勻，因此無法獲得良適的洗淨性能，且存在有無法去除粒子等汙染物質(異物)之風險，為不佳。
此外，於上述實施形態中，以於洗淨構件3(4)中將一把刷子11配置於支撐部10的一個表面的中心，並於該刷子11的周圍等間隔地配置七把刷子11之構成為例而進行了說明，惟本發明並不限於此。
例如，亦可為如圖7中的(a)所示般，於洗淨構件3(4)中，將一把刷子11a(11)配置於支撐部10中的一個表面的中心，並於該刷子11a(11)的周圍等間隔地且以各自不同的偏心率配置七把刷子11b(11)之構成。
或者，如圖7中的(b)所示，將一把刷子11配置於支撐部10中的一個表面的中心，並於該刷子11的周圍等間隔地配置八把刷子11。於此情況下，亦可將中心的刷子11之外的刷子11的偏心率設為各自不同。
此外，亦可為如圖8中的(a)所示般，例如於支撐部10的一個表面整體形成刷子11A之後，切割並形成花瓣狀(橢圓形)的空隙部11B，並沿著周向等間隔地設置複數個空隙部11B (於圖中為八個，惟不限於此數量)之構成。或者，亦可為如圖8中的(b)所示般，例如於支撐部10的一個表面整體形成刷子11C之後，沿著通過支撐部10的中心之複數個分割線11D(放射狀的線)進行切割，並將刷子11C等分為複數個(於圖中為等分為八個的情況，惟並不限於此數量)之構成。
此外，於上述實施形態中，係設為對矽晶圓W的兩個表面進行洗淨之構成，惟本發明亦可適用對矽晶圓W的一個表面進行洗淨之構成。
此外，於上述實施形態中，係將刷子的材質設為PVA，惟於本發明中並不限定刷子的材質。
[實施例]
根據實施例對本發明的矽晶圓的洗淨方法進行說明。
對φ300mm的矽晶圓進行化學機械研磨(CMP；chemical mechanical planarization)。並且藉由使用圖1以及圖2所說明的晶圓洗淨裝置，進行CMP之後的矽晶圓的表面的洗淨。洗淨條件係如下所示。
將矽晶圓的轉速設為20rpm，此外使用純水作為洗淨液，並將流量設為1.0L／min。此時，逆流距離t為10mm。此外，圓板狀的洗淨構件的半徑r為30mm，洗淨構件的移動速度(可動臂部的轉動速度)為4mm／s，洗淨構件相對於晶圓的轉速比為約17.1，洗淨構件的轉速為600rpm，關於洗淨構件，於實施例1中係使用將吸水率為1000%的PVA(聚乙烯醇)製的海綿所構成的八把小直徑的刷子(有效長度3mm)以圖3所示般配置而成的洗淨構件；於比較例1中係使用配置了如圖6所示般由PVA所構成的一把大直徑的刷子11(有效長度3mm)而成的洗淨構件。
於此條件下，使洗淨構件從晶圓的中心移動(摩擦)至外周緣的預定位置(外伸距離)一次。並且，於移動中，將外伸距離d設為逆流距離t、洗淨構件的半徑r之間，並滿足0＜d＜r－t的+15mm。
於實施例1中，當洗淨構件從晶圓的外周端部外伸達至外伸距離d時，晶圓的外周端部與複數個刷子的端面外周之間的交叉點Is係於四處至六處範圍內變化。
另一方面，於比較例1中，當洗淨構件從晶圓的外周端部外伸達至該外伸距離d時，晶圓的外周端部Wc與刷子11的端面外周之間的交叉點Is為兩處。
於實施例1、比較例1中，測量各自的晶圓端面缺陷數量以及晶圓表面的LPD數量。此外，將樣品(矽晶圓)的數量設為各15片，對所有的樣品計算晶圓端面缺陷數量以及晶圓表面的LPD數量。
此外，於預定位置(外伸距離)中，洗淨構件在可動臂部停止移動之狀態下，摩擦晶圓並洗淨一秒鐘之後，從晶圓表面脫離。
此後，測量各個情況中的洗淨之後的晶圓端面的總缺陷數量以及晶圓表面的26nm以上的LPD數量。使用暗場雷射散射異物檢查裝置(KLATencor公司製，Surfscan SP3)來測量晶圓端面的總缺陷數量以及晶圓表面的26nm以上的LPD數量。
將晶圓端面的總缺陷數量的測量結果顯示於圖9，並將晶圓表面的26nm以上的LPD數量的測量結果顯示於圖10。另外，於圖9、10中，各個曲線係顯示樣品(15片)中的晶圓端面的缺陷數量的平均值以及晶圓表面的LPD數量的平均值。
如圖9所示，於比較例1中，晶圓端面的總缺陷數量為過量的數量而無法測量。另一方面，於實施例1中，晶圓端面的總缺陷數量為平均500個左右，大幅地降低。
此外，如圖10所示，於比較例1中，檢測到80個以上的LPD。據推測，此乃由於原本存在於晶圓外周的粒子並未被刷子去除的緣故。
相對於此，於實施例1中LPD係減少到50個左右。
由以上的實施例的結果確認到，根據本發明的矽晶圓的洗淨方法，能有效地去除晶圓端面的粒子，結果能大幅地減少晶圓表面的LPD。
[產業可利用性]
如上所述，本發明的矽晶圓的洗淨方法作為矽晶圓的製造工序中研磨結束後的矽晶圓的洗淨方法係為有用，尤其適用於改善矽晶圓的表面以及端面的缺陷之晶圓洗淨裝置。
1:晶圓洗淨裝置
2:輥
2A:輥
2B:輥
3:洗淨構件
4:洗淨構件
5:洗淨構件驅動單元
5a:可動臂部
5b:支撐台
5c:載置台
5d:活塞暨氣缸
6:控制部
10:支撐部
11:刷子
11a:刷子
11b:刷子
11A:刷子
11B:空隙部
11C:刷子
11D:分割線
A:箭頭
B:箭頭
C:箭頭
D:圓弧
d:外伸距離
E:箭頭
F:虛線
h1:厚度
h2:長度
Is:交叉點
k:(刷子的)直徑
L:有效長度
L1:線段
L2:切線
L3:線段
L4:線段
M1:輥用馬達
M2:馬達
M3:馬達
O1:(晶圓的)中心
O2:(晶圓的)中心
O3:(晶圓的)中心
P1:點
P2:點
r:(洗淨構件的)半徑
t:逆流距離
X:積液
W:矽晶圓
Wa:洗淨面
Wb:洗淨面
Wc:外周端部
[圖1]係示意性顯示一實施形態的晶圓洗淨裝置之概略圖。
[圖2]係顯示圖1所示的晶圓洗淨裝置的主要構成之概略俯視圖。
[圖3]圖3中的(a)為洗淨構件的俯視圖，圖3中的(b)為洗淨構件的側視圖。
[圖4]圖4中的(a)、(b)為顯示洗淨構件從晶圓表面離開的位置之概略圖，圖4中的(a)為顯示複數個刷子與晶圓外周之間的交叉點為四個之情況，而圖4中的(b)為顯示複數個刷子與晶圓外周之間的交叉點為六個之情況之概略圖。
[圖5]係顯示晶圓端面與刷子之間的接觸狀態之側視圖。
[圖6]係顯示比較例1的刷子與晶圓之間的關係之俯視圖。
[圖7]圖7中的(a)、(b)係顯示洗淨構件的變形例之俯視圖。
[圖8]圖8中的(a)、(b)係顯示洗淨構件的其他變形例之俯視圖。
[圖9]係顯示實施例的結果之圖表。
[圖10]係顯示實施例的其他結果之圖表。
3,4:洗淨構件
10:支撐部
11:刷子
h1:厚度
h2:長度
k:(刷子的)直徑
L:有效長度
W:矽晶圓
Wa:洗淨面
Claims (3)
- 一種矽晶圓的洗淨方法，係用以使矽晶圓旋轉，並一邊使由複數個刷子的集合體所構成之洗淨構件旋轉，一邊使前述洗淨構件摩擦前述矽晶圓的洗淨面，藉此清潔前述洗淨面； 前述矽晶圓的洗淨方法係具有如下特徵： 於使前述洗淨構件摩擦前述矽晶圓的表面的中心部之後，於維持摩擦前述洗淨構件之狀態下，使前述洗淨構件從前述中心部移動至使得前述洗淨構件的一部分從前述矽晶圓的外周緣外伸之位置，並且於前述洗淨構件的一部分外伸之狀態下，使前述矽晶圓的外周端部與複數個前述刷子的端面外周之間的交叉點形成為四處以上至六處以下，藉此清潔前述矽晶圓的表面以及端面。
- 如請求項1所記載之矽晶圓的洗淨方法，其中前述洗淨構件中的前述刷子的前端側中，將前述刷子的前端往根部側3mm以上長度的部分壓靠至前述矽晶圓的表面。
- 如請求項1或2所記載之矽晶圓的洗淨方法，其中前述洗淨構件相對於前述矽晶圓旋轉一周的轉速比為10以上。
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