TW202308015A - 放置超小或超薄之離散組件 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 661
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 451
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 464
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 173
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 91
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 90
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 71
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 58
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 32
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 32
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 30
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 19
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 claims description 16
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 206010057040 Temperature intolerance Diseases 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 230000008543 heat sensitivity Effects 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 382
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 156
- 230000008569 process Effects 0.000 description 101
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 27
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 12
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 10
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 10
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008542 thermal sensitivity Effects 0.000 description 10
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 9
- 239000002085 irritant Substances 0.000 description 9
- 231100000021 irritant Toxicity 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 230000031070 response to heat Effects 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 4
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 3
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002716 delivery method Methods 0.000 description 2
- JJMDCOVWQOJGCB-UHFFFAOYSA-N delta-aminovaleric acid Natural products [NH3+]CCCCC([O-])=O JJMDCOVWQOJGCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- COFJBSXICYYSKG-FJFFLIEUSA-N vindesine sulfate Chemical compound OS(O)(=O)=O.C([N@]1C[C@@H](C[C@]2(C(=O)OC)C=3C(=CC4=C([C@]56[C@H]([C@@]([C@H](O)[C@]7(CC)C=CCN([C@H]67)CC5)(O)C(N)=O)N4C)C=3)OC)C[C@@](C1)(O)CC)CC1=C2NC2=CC=CC=C12 COFJBSXICYYSKG-FJFFLIEUSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000010062 adhesion mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000021 stimulant Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
- B32B37/26—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer which influences the bonding during the lamination process, e.g. release layers or pressure equalising layers
- B32B2037/268—Release layers
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- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
- B32B38/0012—Mechanical treatment, e.g. roughening, deforming, stretching
- B32B2038/0016—Abrading
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- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
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- B32B2038/045—Slitting
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
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- B32B2038/1891—Using a robot for handling the layers
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- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
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- B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
- B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
- B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B32B2310/0831—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
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- B32B2457/14—Semiconductor wafers
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- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
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- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29399—Coating material
- H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75261—Laser
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
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Abstract
本發明揭示一種方法，其包含：切割一晶圓以形成離散組件；將該等離散組件傳送至一透明載體上，包含將該離散組件黏附至該透明載體上之一載體釋放層；及從該透明載體釋放該等離散組件之一者，在該釋放之後將該等離散組件之該者沈積至一器件基板上。
Description
本描述大體上係關於放置超小或超薄離散組件。
已知總成使用機器人拾放系統、流體自組裝系統、光輔助組裝系統或其他系統處理從一個地方至另一地方之自動傳送物品。
考量如在以下申請案中所揭示之用於設置超小或超薄離散組件以在積體電路封裝中進行簡單拾放之方法：2014年8月5日申請之美國申請案第62/033,595號；及2015年8月4日申請之PCT申請案第PCT/US2015/043550號，該兩案之全文以引用方式併入本文中。
在一態樣中，一種方法包含：切割一晶圓以形成離散組件；將該等離散組件傳送至一透明載體上，包含將該離散組件黏附至該透明載體上之一載體釋放層；及從該透明載體釋放該等離散組件之一者，在該釋放之後將該等離散組件之該者沈積至一器件基板上。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該方法包含將該晶圓薄化至小於50 μm之一厚度。切割該晶圓包括切割該經薄化晶圓以形成該等離散組件。
切割該晶圓包括將該晶圓黏附至一切割載體。將該等離散組件傳送至該透明上包括將該等離散組件從該切割載體傳送至該透明載體。該切割載體包括一切割帶。
從該透明載體釋放該等離散組件之該者包括將一刺激物施加於該透明載體上之載體釋放層。該刺激物包括紫外(UV)光。
該透明載體對UV光至少部分透明。
該載體釋放層包括一動態釋放層(DRL)。
將該等離散組件之該者沈積至該器件基板上包括將該等離散組件之該者沈積至安置於該器件基板之一表面上之一附接元件上。該附接元件包括一可熱固化材料。該附接元件包括一可UV固化材料。該附接元件包括一傳導材料。該方法包含施加一刺激物以使該附接元件固化。施加一刺激物以使該附接元件固化致使該離散組件電連接至該器件基板。
該方法包含將該離散組件接合至該器件基板。
該方法包含將該晶圓附接至一處置基板以形成一晶圓處置總成。將該晶圓附接至該處置基板包括將該晶圓附接至形成於該處置基板之一表面上之一處置釋放層。該處置釋放層包括一熱敏感材料。該處置釋放層包括一紫外(UV)敏感材料。將該晶圓切割成離散組件包括將該晶圓處置總成切割成多個處置總成，各處置總成包括附接至該處置基板之一對應部分之一離散組件。將該等離散組件傳送至該透明載體上包括將該等處置總成傳送至該透明載體上。將該等離散組件之該者沈積至該器件基板上包括將該等處置總成之一者沈積至該透明載體上。該方法包含從沈積至該器件基板上之離散組件釋放該處置基板之對應部分。該方法包含同時從沈積至該器件基板上之離散組件釋放該處置基板之對應部分及將該離散組件接合至該器件基板。該方法包含施加一刺激物，該刺激物致使(i)該離散組件接合至該器件基板及致使(ii)該處置基板從該離散組件釋放。該方法包含施加致使該離散組件接合至該器件基板之一第一刺激物及致使該處置基板從該離散組件釋放之一第二刺激物。該方法包含將該晶圓薄化至小於50 μm之一厚度。該方法包含將該經薄化晶圓附接至該處置基板以形成該晶圓處置總成。
各離散組件係超薄的、超小的、或既超薄又超小的。各離散組件具有小於或等於50 μm之一厚度。各離散組件每側具有小於或等於300 μm之一最大長度。
在一態樣中，一種方法包含：從一透明載體釋放一處置總成，在該釋放之後將該處置總成沈積至一器件基板上，該處置總成包括可釋放地附接至一處置基板之一離散組件，該離散組件係超薄的、超小的、或既超薄又超小的。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該處置基板具有至少50 μm之一厚度。
該方法包含將該處置總成附接至該透明載體。將該處置總成附接至該透明載體包括將該處置總成從一切割載體傳送至該透明載體。
該方法包含將一晶圓附接至一處置基板以形成一晶圓處置總成，離散組件形成於該晶圓上。將該晶圓附接至該處置基板包括將該晶圓附接至形成於該處置基板之表面上之一處置釋放層。該處置釋放層包括一熱敏感材料。該處置釋放層包括一UV敏感材料。該方法包含切割該晶圓處置總成以形成處置總成。該方法包含將該等處置總成附接至該透明載體。該方法包含將該晶圓薄化至小於50 μm之一厚度。該方法包含將該經薄化晶圓附接至該處置基板以形成該晶圓處置基板。該方法包含將該晶圓處置總成附接至該透明載體。該方法包含將附接至該透明載體之晶圓處置總成切割成多個處置總成。該方法包含部分地切割該晶圓處置總成，包含切穿不及該晶圓處置總成之整個厚度。將該晶圓處置總成附接至該透明載體包括將該經部分切割之晶圓處置總成附接至該透明載體。該方法包含將附接至該透明載體之經部分切割之晶圓處置總成切割成處置總成。該方法包含將該晶圓薄化至小於50 μm之一厚度。該方法包含將該經薄化晶圓附接至該處置基板以形成該晶圓處置總成。該方法包含將該經附接之晶圓薄化至小於50 μm之一厚度。
該透明載體對紫外光至少部分透明。該透明載體包括玻璃。
從該透明載體釋放該處置總成包括將一刺激物施加於安置於該載體基板與該處置總成之間的一動態釋放層。該刺激物包括紫外光。將該刺激物施加於該動態釋放層致使該動態釋放層從該透明載體機械地釋放該處置總成。
將該處置總成沈積至該器件基板上包括將該處置總成沈積至安置於該器件基板上之一附接元件上。該附接元件包括一可熱固化材料。該附接元件包括一可UV固化材料。該附接元件包括一傳導材料。該方法包含施加一刺激物以使該附接元件固化。
該方法包含將該離散組件接合至該器件基板。該方法包含在將該處置總成沈積至該器件基板上之後從該離散組件釋放該處置基板。從該離散組件釋放該處置基板包括施加一刺激物以釋放安置於該處置基板與該離散組件之間的一處置釋放層。該方法包含同時將該晶圓處置總成接合至該器件基板及從該離散組件釋放該處置基板。該方法包含施加一刺激物，該刺激物致使(i)該離散組件接合至該器件基板及致使(ii)該處置基板從該離散組件釋放。該方法包含施加致使該離散組件接合至該器件基板之一第一刺激物及致使該處置基板從該離散組件釋放之一第二刺激物。
在一態樣中，一種裝置包含附接至一透明載體之一處置總成，該處置總成包括可釋放地附接至一處置基板之一離散組件，該離散組件係超薄的、超小的、或既超薄又超小的。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該裝置包含附接至該透明載體之多個處置總成。
該處置基板具有至少50 μm之一厚度。
該透明載體對紫外光至少部分透明。
該透明載體包括玻璃。
該透明載體包括安置於該透明載體之一表面上之一動態釋放層，該動態釋放層安置於該透明載體與該處置總成之間。該動態釋放層安置於該透明載體與該處置總成之間。該動態釋放層機械地回應於一經施加之刺激物。該經施加之刺激物包括紫外光。
該處置基板包含形成於該處置基板之一表面上之一處置釋放層，該處置釋放層安置於該處置基板與該離散組件之間。該處置釋放層包括一熱敏感材料。該處置釋放層包括一UV敏感材料。
該離散組件包括形成於一半導體基板上之一積體電路。
在一態樣中，一種裝置包含附接至一透明載體之一晶圓處置總成，該晶圓處置總成包括可釋放地附接至一處置基板之一晶圓，離散組件形成於該晶圓上，該晶圓處置總成經組態使得(i)形成於該晶圓上之離散組件係超小的或(ii)該晶圓係超薄的或(iii)既係(i)又係(ii)。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該處置基板具有至少50 μm之一厚度。
該透明載體對紫外光至少部分透明。
該透明載體包括玻璃。
該透明載體包括安置於該透明載體之一表面上之一動態釋放層，該動態釋放層安置於該透明載體與該晶圓處置總成之間。該動態釋放層安置於該透明載體與該晶圓處置總成之間。該動態釋放層機械地回應於一經施加之刺激物。該經施加之刺激物包括紫外光。
該處置基板包含形成於該處置基板之一表面上之一處置釋放層，該處置釋放層安置於該處置基板與該離散組件之間。該處置釋放層包括一熱敏感材料。該處置釋放層包括一UV敏感材料。
該晶圓包括一半導體晶圓。
在一態樣中，一種方法包含：將包含一離散組件之一總成嵌入於一可流動材料中，包含該離散組件之總成被附接至一第一處置基板；及將該經嵌入之離散組件薄化至小於50 μm之一厚度。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
包含一離散組件之該總成包括一處置總成。
將該總成嵌入於該可流動材料中包括將可流動材料之一層安置至該第一處置基板之一表面上。
將該總成嵌入於該可流動材料中包括將一第二處置基板安置至該第一處置基板之一表面上，該總成安置於該第一處置基板之表面上，該可流動材料之一層安置於該第二處置基板之一表面上。將該第二處置基板安置至該第一處置基板之表面上包括使安置於該第二處置基板之該表面上之該可流動材料之該層與該第一處置基板之表面接觸。將該總成嵌入於該可流動材料中包括致使該可流動材料之該層流動。致使該可流動材料之該層流動包括使該可流動材料之該層曝露於紫外(UV)光。致使該可流動材料之該層流動包括使該可流動材料之該層曝露於一熱刺激物。該第二處置基板對UV光至少部分透明。該第二處置基板包括玻璃。該方法包含移除該第二處置基板。
該可流動材料包括一光阻劑。
該方法包含在將該經嵌入之離散組件薄化之後移除該可流動材料。該第一處置基板包括一透明載體。該方法包含將該經薄化離散組件從該透明載體傳送至一器件基板。
該方法包含將該經薄化離散組件傳送至一第三處置基板。將該經薄化離散組件傳送至該第三處置基板包括將該經薄化離散組件附接至安置於該第三處置基板之一表面上之一處置釋放層。將該經薄化離散組件傳送至該第三處置基板包括釋放安置於該離散組件與該第一處置基板之間的一處置釋放層。釋放該處置釋放層包括將一刺激物施加於該釋放層。該刺激物包括UV光。該刺激物包括一熱刺激物。該方法包含切割該第三處置基板以形成一處置總成，該處置總成包含附接至該第三處置基板之一對應部分之一經薄化離散組件。切割該第三處置基板包括切割該第三處置基板及安置於該第三處置基板之一表面上之一處置釋放層，且其中該經形成之處置總成包含該經薄化離散組件，該經薄化離散組件附接至安置於該第三處置基板之該對應部分上之處置釋放層。該方法包含將該處置總成傳送至一器件基板。該方法包含使用一拾放方法將該處置總成傳送至該器件基板。該方法包含將該處置總成傳送至一透明載體。將該處置總成傳送至該透明載體包括將該處置總成黏附至安置於該透明載體上之一載體釋放層。該方法包含將該處置總成從該透明載體傳送至一器件基板。
該方法包含將該離散組件附接至該第一處置基板。
該方法包含將該離散組件附接至安置於該第一處置基板之一表面上之一處置釋放層。該方法包含使用一拾放方法將該離散組件附接至該第一處置基板。該方法包含將離散組件附接至該第一處置基板。該等離散組件之至少一者不同於該等離散組件中之其他離散組件之各者。
在一態樣中，一種方法包含：將一第一基板曝露於一第一刺激物，該第一基板與黏附至該第一基板之離散組件之間的一黏附力回應於該第一刺激物而減小；將該等離散組件從該第一基板傳送至一第二基板；將該第二基板曝露於一第二刺激物，該第一基板與該等離散組件之間的一黏附力回應於該第二刺激物而減小。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該方法包含將一晶圓附接至該第一基板，該等離散組件形成於該晶圓上。該方法包含切割附接至該第一基板之晶圓以形成該等離散組件。將一晶圓附接至該第一基板包括將一晶圓處置總成附接至該第一基板，該晶圓處置總成包括附接至一處置基板之晶圓。該方法包含切割附接至該第一基板之晶圓處置總成以形成處置總成，各處置總成包括一離散組件及該處置基板之一對應部分。
該第一基板包括一切割帶。
將該第一基板曝露於一第一刺激物包括將該第一基板曝露於紫外光。將該第一基板曝露於一第一刺激物包括將該第一基板曝露於熱。將該第二基板曝露於一第二刺激物包括將該第二基板曝露於紫外光。將該第二基板曝露於一第二刺激物包括將該第二基板曝露於熱。
該方法包含將該等離散組件從該第二基板傳送至一透明載體。
該第二基板包括安置於一真空夾盤上之一帶。該方法包含將一真空施加於該真空夾盤，該經施加之真空將該帶固定至該真空夾盤。
在一態樣中，一種方法包含：切割附接至安置於一透明載體上之一釋放層之一晶圓以形成離散組件；及將該釋放層曝露於一刺激物，該釋放層與該等離散組件之間的一黏附力回應於該刺激物而減小。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
將該釋放層曝露於一刺激物包括將該釋放層曝露於熱。將該釋放層曝露於一刺激物包括將該釋放層曝露於紫外光。
在曝露於該刺激物之後該釋放層與該等離散組件之間的黏附力足以致使該等離散組件黏附至該釋放層。
該釋放層包括一黏附層及一動態釋放層。曝露於該刺激物致使該黏附層之一黏附力減小。該方法包含將該釋放層曝露於一第二刺激物，該動態釋放層機械地回應於該第二刺激物。在將該釋放層曝露於該第二刺激物時，將該等離散組件之一或多者傳送至一器件基板。
切割該晶圓包括切割一晶圓處置總成以形成多個處置總成，該晶圓處置總成包括附接至一處置基板之一晶圓，各處置總成包括該等離散組件之一者及該處置基板之一對應部分。
在一態樣中，一種方法包含：藉由減小一臨時處置件上之一釋放層與一離散組件之間的黏附力，從該釋放層釋放該離散組件，該減小包括施加一刺激物以致使該釋放層之一表面形態之一變更。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
變更該釋放層之表面形態包括使該表面起泡。該刺激物包括熱或光。
在一態樣中，一種方法包含：藉由減小一臨時處置件上之一釋放層與一離散組件之間的黏附力，從該釋放層釋放該離散組件，該減小包括施加一刺激物以致使該釋放層之至少一部分之一相變。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該相變包括從固體至液體之一轉變或從固體至氣體之一轉變或兩者。該刺激物包括熱或壓力或兩者。
在一態樣中，一種方法包含：藉由減小一臨時處置件上之一釋放層與一離散組件之間的黏附力，從該釋放層釋放該離散組件，該減小包括施加一刺激物以變更該釋放層之至少一部分之一化學結構或一化學組合物或兩者。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該釋放層之該部分經歷熱分解。該釋放層之該部分經歷光致降解。
在一態樣中，一種方法包含：藉由減小一臨時處置件上之一釋放層與一離散組件之間的黏附力，從該釋放層釋放該離散組件，在該黏附力減小之後防止、抑制或延遲黏附力之一恢復。
在一態樣中，一種方法包含：藉由減小一臨時處置件上之一釋放層與一離散組件之間的黏附力，從該釋放層釋放該離散組件，該釋放包括釋放該離散組件而不會繼該釋放之後在該離散組件上留下來自該釋放層之一殘餘物。
在一態樣中，一種方法包含：從一臨時處置件之一釋放層釋放一離散組件及沈積該離散組件及一處置基板，該釋放層在該釋放之前具有小於10 µm之一厚度。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該釋放層包括單層。
該釋放層包括一第一層及一第二層。該釋放層包括附接至該處置件之一第一層及經定向用於離散組件沈積之一第二層。該第二層平行於該第一層。該第二層係UV敏感的。該第二層係熱敏感的。該第一層係一永久性黏附劑。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而減小。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之一施加而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之一施加而減小。
該方法包含將該離散組件傳送於該處置基板上以接觸一器件基板。該方法包含從該處置基板釋放該離散組件以將該離散組件沈積至該器件基板上。將該離散組件沈積至該器件基板上包括將該離散組件接合至該器件基板。從該處置件釋放該離散組件與將該離散組件接合至該器件基板同時發生。從該處置件釋放該離散組件係回應於將該離散組件接合至該器件基板。從該處置件釋放該離散組件係由將該離散組件接合至該器件基板所致。從該處置件釋放該離散組件係在將該離散組件接合至該器件基板之後完成。透過與該器件基板之接合，從該處置件釋放該離散組件。該接合進一步包括遞送熱能或UV光以既接合該離散組件與該基板又從該處置件釋放該離散組件。在從該處置基板釋放該離散組件時該處置基板保持與該器件基板接觸。該方法包含從該離散組件移除該處置基板。移除該處置基板包含施加以下項之至少一者：一刷子、一刀片、壓縮空氣、一真空力、一振動、或重力、或其等之兩者或更多者之任何組合。
該處置基板包含介於49微米與801微米之間的一厚度。該處置基板包含介於100微米與800微米之間的一厚度。該處置基板包含介於300微米與800微米之間的一厚度。該處置基板包含介於400微米長與600微米長之間的至少一個側。
在一態樣中，一種裝置包含經由一釋放層附接至一臨時處置件之一離散組件，該釋放層經組態以回應於一經施加之刺激物而經歷一表面形態之一變更。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該表面形態之變更包含一氣泡。該表面形態之變更包含橫跨該釋放層之表面之多個氣泡。
在一態樣中，一種裝置包含經由一釋放層附接至一臨時處置件之一離散組件，該釋放層之至少一部分經組態以回應於一經施加之刺激物而經歷一相變。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該相變包括從固體至液體之一轉變或從固體至氣體之一轉變或兩者。
在一態樣中，一種裝置包含經由一釋放層附接至一臨時處置件之一離散組件，該釋放層之至少一部分經組態以回應於一經施加之刺激物而經歷一化學結構或一化學組合物或兩者之一變更。
實施例可包含以下特徵之一或多者。
該變更包含熱分解。該變更包含光致降解。
在一態樣中，一種裝置包含經由一釋放層附接至一臨時處置件之一離散組件；其中該釋放層經組態使得在該釋放層與該離散組件之間的黏附力減小之後，防止、抑制或延遲該釋放層之一黏附力之一恢復。
在一態樣中，一種裝置包含經由一釋放層附接至一臨時處置件之一離散組件，該釋放層具有小於10 µm之一厚度。
一般而言，在一態樣中，一種方法包含從一載體釋放一離散組件及將一離散組件沈積於一處置基板上，該離散組件具有一超薄、一超小或一超薄且超小之組態，該處置基板具有至少50微米之一厚度及至少300微米之至少一個側長。
實施方案可包含以下特徵之一者或者任何兩者或更多者之一組合。該方法亦可包含將一釋放層附接至該處置基板使得該離散組件可釋放地附接至該釋放層。該釋放層係一熱敏感材料。該釋放層係一紫外(「UV」)光敏感材料。該釋放層包含一第一層及一第二層。該第一層附接至該處置件且一第二層經定向用於離散組件沈積。該第二層平行於該第一層。該第二層係UV敏感的。該第二層係熱敏感的。該第一層係一永久性黏附劑。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而減小。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之一施加而增大或致使黏附強度回應於UV光之一施加而減小。該方法包含將該離散組件傳送於該處置基板上以接觸一器件基板。該方法包含從該處置基板釋放該離散組件以將該離散組件沈積至該器件基板上。將該離散組件沈積至該器件基板上包含將該離散組件接合至該器件基板。從該處置件釋放該離散組件與將該離散組件接合至該器件基板同時發生。從該處置件釋放該離散組件係回應於將該離散組件接合至該器件基板。從該處置件釋放該離散組件係由將該離散組件接合至該器件基板所致。從該處置件釋放該離散組件係在將該離散組件接合至該器件基板之後完成。透過與該器件基板之接合，從該處置件釋放該離散組件。接合進一步包含遞送熱能或UV光能以既接合該離散組件與該基板又從該處置件釋放該離散組件。在從該離散組件釋放該處置基板時該處置基板保持與該器件基板接觸。該方法進一步包含從該離散組件移除該處置基板。移除該處置基板可包含施加以下項之至少一者：一刷子、一刀片、壓縮空氣、一真空力、一振動、或重力、或其等之兩者或更多者之任何組合。該處置基板包含介於49微米與801微米之間、介於100微米與800微米之間及/或介於300微米與800微米之間的一厚度。該處置基板包含介於400微米長與600微米長之間的至少一個側。
一般而言，在一態樣中，一種裝置包含：一離散組件，其具有一超薄、一超小或一超薄且超小之組態；及一處置基板，其可釋放地附接至該離散組件，該處置件及該離散組件具有厚於且寬於該離散組件之一組態。
實施方案可包含以下特徵之一者或者任何兩者或更多者之一組合。該裝置亦包含一釋放層，該釋放層附接至該處置基板使得該離散組件可釋放地附接至該釋放層。該釋放層係一熱敏感材料。該釋放層係一紫外光敏感材料。該釋放層包含一第一層及一第二層。該釋放層包含附接至該處置件之一第一層及經定向用於離散組件沈積之一第二層。該第二層平行於該第一層。該第二層係UV敏感的。該第二層係熱敏感的。該第一層係敏感型永久性黏附劑。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱超過該黏附劑之一熱參數而減小。該第二層之該熱敏感度致使一黏附強度回應於熱超過該黏附劑之一熱參數而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之一施加而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之該施加而減小。該處置基板包含介於49微米與801微米之間的一厚度。該處置基板包含介於100微米長與800微米長之間的至少一個側。該處置基板包含介於300微米長與800微米長之間的至少一個側。該處置基板包含介於400微米長與600微米長之間的至少一個側。
一般而言，在一態樣中，一種方法包含：應用一程序步驟以致使一超薄、一超小或一超薄且超小之離散組件之一表面與附接該超薄且超小之離散組件之一基板之間的一材料變更為其中該材料保持該超薄且超小之離散組件在該基板上之一狀態。該處理步驟同時致使暫時保持該超薄且超小之離散組件之一相對表面在由一拾放工具之一夾盤保持之一處置件上之一材料變更為其中該材料不再保持該超薄且超小之離散組件在處置件上之一狀態。該方法包含致使該狀態變更，包含遞送熱能、UV光或兩者。暫時保持該離散組件之一相對表面在一處置基板上之該材料包含一釋放層，該釋放層包含一第一層及一第二層。暫時保持該離散組件之一相對表面在一處置基板上之該材料包含一釋放層，該釋放層包含附接至該處置件之一第一層及暫時保持該離散組件之一第二層。該釋放層係一熱敏感材料。該釋放層係一UV光敏感材料。該第二層平行於該第一層。該第一層係永久性黏附劑且該第二層係熱敏感的。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而減小。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而增大。該UV光敏感度致使一黏附強度回應於一UV光之該施加而增大。該UV光敏感度致使一黏附強度回應於UV光之一施加而減小。該處置件包含介於49微米與801微米之間的一厚度。該處置件包含介於100微米長與600微米長之間的至少一個側。該處置件包含介於300微米長與800微米長之間的至少一個側。該處置件包含介於400微米長與600微米長之間的至少一個側。
一般而言，在一態樣中，一種方法包含：將一超薄晶圓沈積至一處置基板上；及從該超薄晶圓釋放一離散組件，該離散組件具有一超薄組態，處置基板具有至少50微米之一厚度。
實施方案可包含以下特徵之一者或者任何兩者或更多者之一組合。
該方法亦包含將一釋放層附接至該處置基板使得該超薄晶圓可釋放地附接至該釋放層。釋放該離散組件包含切割該超薄晶圓。切割該超晶圓進一步包含切割該處置基板以形成一經切割之處置基板使得該離散組件可釋放地附接至該處置基板。該離散組件經定大小以覆蓋該經切割之處置基板之表面。該釋放層係一熱敏感材料。該釋放層係一紫外光敏感材料。該釋放層包含一第一層及一第二層。該釋放層包含附接至處置件之一第一層及經定向用於離散組件沈積之一第二層。該第二層平行於該第一層。該第二層係UV敏感的。該第二層係熱敏感的。該第一層係永久性黏附劑。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而減小。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之一施加而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之一施加而減小。該方法亦包含將該離散組件傳送於該處置基板上以接觸一器件基板。該方法亦包含從該處置基板釋放該離散組件以將該離散組件沈積至該器件基板上。將該離散組件沈積至該器件基板上包含將該離散組件接合至該器件基板。從該處置件釋放該離散組件與將該離散組件接合至該器件基板同時發生。從該處置件釋放該離散組件係回應於將該離散組件接合至該器件基板。從該處置件釋放該離散組件係由將該離散組件接合至該器件基板所致。從該處置件釋放該離散組件係在將該離散組件接合至該器件基板之後完成。透過與該器件基板之接合，從該處置件釋放該離散組件。該接合進一步包含遞送熱能或UV光以既接合該離散組件與該基板又從該處置件釋放該離散組件。該處置基板包含介於49微米與801微米之間的一厚度。在從該離散組件釋放該處置基板時該處置基板保持與該器件基板接觸。該方法進一步包含從該離散組件移除該處置基板。移除該處置基板可包含施加以下項之至少一者：一刷子、一刀片、壓縮空氣、一真空力、一振動、液體噴射、靜電力、電磁力或重力、或其等之兩者或更多者之任何組合。該處置件包含介於100微米長與600微米長之間的至少一個側。該處置件包含介於300微米長與800微米長之間的至少一個側。該處置件包含介於400微米長與600微米長之間的至少一個側。
一般而言，在一態樣中，一種裝置包含：一離散組件，其具有一超薄組態；及一處置基板，其可釋放地附接至該離散組件，該處置件及該離散組件具有厚於該離散組件之一組態。
實施方案可包含以下特徵之一者或者任何兩者或更多者之一組合。該裝置亦包含一釋放層，該釋放層附接至該處置基板使得該離散組件可釋放地附接至該釋放層。該釋放層係一熱敏感材料。該釋放層係一UV光敏感材料。該釋放層包含一第一層及一第二層。該釋放層包含附接至該處置件之一第一層及經定向用於離散組件沈積之一第二層。該第二層平行於該第一層。該第二層係UV敏感的。該第二層係熱敏感的。該第一層係敏感型永久性黏附劑。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱超過該黏附劑之一熱參數而減小。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱超過該黏附劑之一熱參數而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之施加而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之該施加而減小。該處置基板包含介於49微米與801微米之間的一厚度。該處置基板包含介於100微米長與800微米長之間的至少一個側。該處置基板包含介於300微米長與800微米長之間的至少一個側。該處置基板包含介於400微米長與600微米長之間的至少一個側。
一般而言，在一態樣中，一種方法包含：應用一程序步驟以致使一超薄離散組件之一表面與附接該超薄離散組件之一基板之間的一材料變更為其中該材料保持該離散組件在該基板上之一狀態。該處理步驟同時致使暫時保持該超薄離散組件之一相對表面在由一拾放工具之一夾盤保持之一處置件上之一材料變更為其中該材料不再保持該離散組件在處置件上之一狀態。
實施方案可包含以下特徵之一者或者任何兩者或更多者之一組合。該方法包含致使該狀態變更，包含遞送熱能、UV光或兩者。暫時保持該離散組件之一相對表面在一處置基板上之該材料包含一釋放層，該釋放層包含一第一層及一第二層。暫時保持該離散組件之一相對表面在一處置基板上之該材料包含一釋放層，該釋放層包含附接至該處置件之一第一層及暫時保持該離散組件之一第二層。該釋放層係一熱敏感材料。該釋放層係一UV光敏感材料。該第二層平行於該第一層。該第一層係永久性黏附劑，且該第二層係UV敏感的。該第二層係熱敏感的。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而減小。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而增大。該UV光敏感度致使一黏附強度回應於一UV光之該施加而增大。該UV光敏感度致使一黏附強度回應於UV光之一施加而減小。該處置件包含介於49微米與801微米之間的一厚度。該處置件包含介於100微米長與600微米長之間的至少一個側。該處置件包含介於300微米長與800微米長之間的至少一個側。該處置件包含介於400微米長與600微米長之間的至少一個側。
一般而言，在一態樣中，一種方法包含：使用一可釋放層以將一處置基板附接至一離散組件；及在該處置基板附接至該離散組件時，使用一工具以保持該處置基板且致使該離散組件接觸該器件基板上之一黏附層。該方法亦包含致使該可釋放層從該離散組件釋放該處置基板且致使該離散組件變成附接至該器件基板之該黏附層處；及從該處置基板撤回該工具，同時該處置基板透過該經釋放之可釋放層保持與該離散組件接觸。
實施方案可包含以下特徵之一者或者任何兩者或更多者之一組合。
該方法包含移除該處置基板而不與該離散組件接觸。移除該處置基板而不與該離散組件接觸包含施加以下項之至少一者：一刷子、一刀片、壓縮空氣、一真空力、一振動、或重力、或其等之任何兩者或更多者之組合。該可釋放層係一熱敏感材料。該可釋放層係一紫外光敏感材料。該可釋放層包括一第一層及一第二層。該可釋放層包括附接至處置件之一第一層及經定向用於離散組件沈積之一第二層。該第二層平行於該第一層。該第二層係UV敏感的。該第二層係熱敏感的。該第一層係永久性黏附劑。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而減小。該第二層之熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之一施加而增大。該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之一施加而減小。從該處置件釋放該離散組件與將該離散組件附接至該器件基板同時發生。從該處置件釋放該離散組件係對將該離散組件附接至該器件基板的回應。從該處置件釋放該離散組件係由將該離散組件附接至該器件基板所致。從該處置件釋放該離散組件係在將該離散組件附接至該器件基板之後完成。透過將該離散組件附接至該器件基板，從該處置件釋放該離散組件。
吾人在此尤其描述用來封裝超小及/或超薄離散組件之新方法，例如，包含積體電路之超小及/或超薄半導體晶粒，該等積體電路暫時附接至處置基板使得所得總成與標準電子封裝設備(例如，拾放晶粒接合器及其他晶片組裝設備)相容。此外，吾人所描述之方法及產品可相對較簡單、較廉價、較有效，且與當前系統相容。在該方面，此等方法及產品將為包含低成本電子器件之技術開拓新市場且擴大當前市場。
吾人廣泛地使用術語離散組件以包含例如將成為一產品或電子器件之部件之任何單元，例如，電子、機電或光電組件、模組或系統，例如在一部分半導體材料上形成有一電路之任何半導體材料。
吾人廣泛地使用術語器件基板以包含例如將收納離散組件或组装離散組件之任何物件，例如一較高級總成，例如，一產品或電子器件、機電或光電組件或系統。在一些實例中，一器件基板可係一撓性、有機基板。
吾人廣泛地使用術語處置件、處置基板、臨時處置件或臨時處置基板以包含例如任何剛性基板，諸如空白矽晶圓；玻璃或陶瓷基板；或由剛性聚合物或複合材料製成、具有超過離散組件之厚度或剛性或兩者之一厚度或剛性或兩者供暫時使用以將離散組件傳送至一器件基板及/或供暫時使用以支撐一或多個離散組件之基板。
吾人廣泛地使用術語載體或載體基板以包含例如包含一個或多個離散組件之任何材料，例如，由一製造商组装之一離散組件集合，諸如包含一或多個半導體晶粒之一晶圓。
吾人廣泛地使用術語透明載體以包含例如任何材料，諸如玻璃或一透明聚合物，一離散組件經由一載體釋放層附接至該材料且該材料對紫外、可見或紅外電磁光譜之至少一些波長至少部分透明。
關於一離散組件，吾人廣泛地使用術語超薄以包含例如具有與一般拾放技術不相容之一厚度(例如，具有小於或等於50 µm之一厚度)之一離散組件。
關於一離散組件，吾人廣泛地使用術語超小以包含例如具有與一般拾放技術不相容之一大小(例如，每側具有小於或等於300 µm之一最大長度)之一離散組件。
關於一晶圓，吾人廣泛地使用術語超薄以包含例如具有小於或等於50 µm之一最大厚度之一半導體晶圓。
此等及其他態樣、特徵、實施方案及優點可表示為用於執行功能之方法、裝置、系統、組件、構件或步驟，且依其他方式及其等組合進行表示。
從下文描述且從申請專利範圍，此等及其他態樣、特徵、實施方案及優點將變得顯而易見。
優先權主張本申請案主張2016年1月15日申請之美國專利申請案第62/279,143號之優先權，該案之全文以引用方式併入本文中。
吾人在本文中尤其描述用來封裝高度撓性及/或微小(例如，極細微)之離散組件之新方法。例如，離散組件可係包含積體電路之半導體晶粒。此等撓性且極細微之離散組件係超薄的及/或超小的且提供有益於大範圍應用之撓性及低成本，但當前亦與習知封裝技術(例如，拾放設備)不相容。此外，吾人在本文中所描述之方法及產品經最佳化以結合習知拾放設備處置此等超薄及/或超小離散組件。在該方面，此等方法及產品可導致在支援高於習知離散組件及拾放設備可能實現之封裝速率之封裝速率的同時降低電子產品生產成本。
離散組件係根據一序列程序步驟而封裝，各程序步驟具有一或多種可能方法。該等方法可在一混合匹配方案中組合以獲得用於封裝超小或超薄離散組件之各種程序。在此等程序之一些中，離散組件暫時附接至處置基板使得所得總成與標準電子封裝設備(諸如拾放晶粒接合器或其他晶片組裝設備)相容。在此等程序之一些中，使用一雷射輔助無接觸傳送方法來傳送與標準電子封裝設備不相容之離散組件。此外，吾人所描述之方法及產品可相對較簡單、較廉價、較有效，且與當前系統相容。在該方面，此等方法及產品將為包含低成本電子器件之技術開拓新市場且擴大當前市場。
本文所描述之程序可使得能夠封裝超小或超薄或既超小又超薄之離散組件，例如，對於標準積體電路封裝設備或方法而言過薄或過小或既過薄又過小之離散組件。離散組件被形成為超薄的，具有例如以下最大厚度：50 µm或更小、40 µm或更小、30 µm或更小、25 µm或更小、20 µm或更小、10 µm或更小、及5 µm及更小；形成為超小的，每側具有例如以下最大長度或寬度尺寸：小於或等於300 µm、250 µm、200 µm、150 µm及100 µm；或形成為既超薄又超小的。因而，若離散組件之尺寸完全無法封裝離散組件或類似大小之離散組件，則該等尺寸致使當前大量積體電路封裝技術(諸如機械拾放系統)無效(歸因於例如實體限制、高昂成本、無效性及/或低生產率)。
參考圖1A，可使用本文所描述之程序之一或多者以將超薄、超小或既超薄又超小之一離散組件10定位於一器件基板12上以封裝至一電子器件中。器件基板12可係與積體電路封裝(諸如一印刷電路板、塑膠外殼、陶瓷基板、撓性電路或另一器件基板)相容之一基板。離散組件10可經由一附接元件14 (諸如一可固化傳導或非傳導黏附劑(下文所論述))機械接合、電連接或既機械接合又電連接至器件基板12。
離散組件10包含上面形成有一或多個積體電路器件之一作用面102。在一些實例中，作用面102可包含一被動層(未展示)。在圖1A之實例中，離散組件10定位於器件基板12上使得離散組件10之作用面102遠離器件基板12而定向(吾人有時將其稱為「面朝上」位置)。以一面朝上位置定位於器件基板12上時，離散組件10可使用以下方法電連接至器件基板12上之其他組件，諸如導線接合、帶自動接合(TAB)、網版印刷、直接寫入或其他方法。該離散組件之背面使用以下方法接合至該器件基板，諸如共熔合金、焊料、黏附劑(諸如傳導或非傳導環氧樹脂、聚醯胺)、或其他材料或方法。
參考圖1B，在一些實例中，可使用本文所描述之程序之一或多者以將離散組件10定位於器件基板12上，使得離散組件10之作用面102朝向器件基板12而定向(吾人有時將其稱為「面朝下」位置或「覆晶」組態)。在封裝成一覆晶組態時，該離散組件可使用覆晶組裝方法(諸如傳導黏附劑或焊接)電連接至該器件基板上之其他組件。
如圖2及圖3中所展示，在一些實例中，包含離散組件10及一處置基板108之一處置總成100經操控以將離散組件10定位至該器件基板上。離散組件10包含一作用面102，該作用面102包含一積體電路器件。作用面102亦可包含一被動層(未展示)。離散組件10經由至一處置釋放層105之一附接可釋放地附接至處置基板108，該處置釋放層105具有曝露於離散組件10之一第一表面104及曝露於處置基板108之一第二表面106。處置釋放層105在下文中更詳細地作論述。
在圖2中，離散組件10被定向成使作用面102面對處置基板108。若該離散組件預期以一面朝上位置定位於該器件基板上且使用常用於此一連接之方式及材料(例如，導線接合、帶自動接合(TAB)、網版印刷、直接寫入或其他方法)電連接至該器件基板上之其他組件，則此一組態係有利的。該離散組件之背面使用常用於此一附接之方式及材料接合至該器件基板，例如與共熔合金、焊料、黏附劑(諸如傳導或非傳導環氧樹脂、聚醯胺)接合、或其他合適材料及方法。
替代地，如下文所描述之積體封裝方法能夠產生具有一替代作用面定向之一離散組件。例如，如圖3中所展示，一處置總成101可包含其中作用面102曝露或遠離處置基板108而定向之離散組件10。若離散組件10預期使用稱為覆晶組裝之方法電連接至組件(例如，一器件基板上之導體)(諸如例如圖24中所展示之組件)，則此一定向係有利的。
在一些實施方案中，處置基板108 (例如，一空白矽晶圓、玻璃、陶瓷、或其他無機或有機物質)延伸超出離散組件10，並且經定大小且經組態以與當前拾放系統相容。在一些情況下，一或多個電路被放置於極大處置基板上，且各個別處置件被切成一定大小。通常，處置基板108每側可具有大於或等於300 µm (較佳400 µm至600 µm)之一長度及超過50 µm之厚度，例如大於50 µm且介於100 µm與800 µm之間的一厚度。在此等情況下，雖然拾放系統無法有效地傳送離散組件10，但只要離散組件10附接至足夠大小之經組態處置基板，該拾放系統即能夠傳送離散組件10。然而，照此該拾放系統之標準部署構件(例如，一真空力之缺失)無法僅釋放該離散組件，而是將釋放該處置及離散組件總成。然而，除其他優點外，附接構件特性及其等彼此之相對關係(尤其係在該離散組件、該處置基板與該器件基板之間)亦係可選擇的且可經客製化以從該處置基板釋放該離散組件且將該離散組件附接至該器件基板，同時該拾放系統保持對該處置基板之控制。
在一些實施方案中，一離散組件30可具有一定大小但對於與當前封裝技術之相容性而言仍過薄。在此等情況下，如圖4中所展示，一處置總成103可包含附接至一處置基板308之超薄離散組件30，該處置基板308具有類似於該離散組件30之一長度。照此，處置總成103對於與拾放系統之相容性而言已足夠厚。包含一第二表面306及一第一表面304之一處置釋放層305之性質通常類似於參考圖2及圖3所描述之性質。
吾人在此描述可用來將超薄、超小或既超薄又超小之離散組件以面朝上或面朝下位置定位於器件基板之若干程序。在此所描述之程序遵循包含多個一般程序步驟之一般流程，其中各程序步驟可藉由一或多種不同方法完成。在此所描述之程序藉由一般程序步驟當中之一「混合與匹配」方法及用於一般程序步驟之各者之方法而建立。在此所描述之一些程序包含一般程序步驟之所有；一些程序不包含一般程序步驟之所有。
參考圖5，用於將超薄、超小或既超薄又超小之離散組件定位於一器件基板上之一般流程200包含以下一般程序步驟：晶圓處理(202)、晶圓製備(204)、晶圓傳送(206)、組件傳送(208)、組件互連(210)及處置件移除(212)。此等一般程序步驟之各者在此作簡要地描述且在本文件之後續部分中作更詳細地描述。在一些實例中，該等程序步驟可依與圖5中所展示之次序不同之一次序發生。例如，晶圓製備204可在晶圓傳送206之後發生。在一些實例中，該等程序步驟之一或多者可劃分成可在不同點依圖5中所展示之序列發生之多個子步驟。例如，晶圓製備204可劃分成在晶圓傳送206之前發生之一第一子步驟及在晶圓傳送206之後發生之一第二子步驟。
晶圓處理(202)包含製造或獲得承載上面製造有大量離散組件之晶圓。吾人有時將晶圓處理稱為離散組件製造。使用半導體處理技術(諸如在一半導體基板上進行之薄膜處理方法)將離散組件製造於晶圓上，諸如一塊狀矽基板、一絕緣體上矽基板、一鍺基板、一砷化鎵基板、一藍寶石基板或另一類型之半導體基板。
在一些實例中，製造於晶圓上之離散組件係凸起的使得離散組件與一覆晶組態相容。離散組件可藉由接線柱凸塊、無電鎳金電鍍、焊料球、焊料膏印刷、焊料電鍍或其他方法而凸起。在一些實例中，離散組件在一般程序中在一後續點凸起。
晶圓製備(204)包含以下態樣，諸如將晶圓薄化，將晶圓安裝於一處置基板上，將晶圓安裝於一切割帶上，將晶圓安裝於一透明載體上，將晶圓切割成個別離散組件，或此等態樣之任何兩者或更多者之一組合。一透明載體係諸如玻璃或一透明聚合物之一材料，一離散組件經由一載體釋放層附接至該材料且替代地該材料對紫外、可見或紅外電磁光譜之至少一些波長至少部分透明。在此所描述之一些程序中，不使用處置基板。
晶圓傳送(206)包含將經切割之晶圓傳送至一透明載體或將經切割之晶圓重新封裝於一晶粒載體中，諸如一疊片包裝、一凝膠包裝或另一類型之晶粒載體。在此所描述之一些程序中，不執行晶圓傳送程序步驟。
組件傳送(208)包含將個別離散組件傳送至一器件基板上之目標位置上。組件傳送可藉由以下方法來執行：一拾放方法、一雷射輔助無接觸傳送方法、另一傳送方法或多種傳送方法之一組合。
組件互連(210)包含將離散組件接合至器件基板，例如使得離散組件電連接至器件基板上之電路。
處置件移除(212)包含從經接合之離散組件釋放處置基板且從器件基板移除經拆卸之處置基板。在不使用一處置基板之程序中，不執行處置件移除程序步驟。
圖5中所展示之一般程序步驟之各者可具有一或多個態樣，可對在此所描述之各特定程序實行該等態樣之一或多者。
晶圓製備在晶圓製備程序步驟中，晶圓經薄化且經切割以獲得具有一所要大小及厚度之離散組件。在此所描述之程序之一些中，晶圓製備可包含將晶圓安裝至一處置基板上。在一些實例中，晶圓製備程序步驟可在晶圓傳送程序步驟(下文所描述)之前發生。在一些實例中。晶圓製備程序步驟可在晶圓傳送程序步驟之後發生。在一些實例中，晶圓製備程序步驟可包含多個子步驟，該等子步驟之一或多者可在晶圓傳送程序步驟之前發生且該等子步驟之一或多者可在晶圓傳送程序步驟之後發生。
晶圓製備可包含晶圓薄化。參考圖6A及圖6B，承載大量離散組件10之一晶圓300經薄化至一所要厚度。晶圓300可透過各種半導體處理技術之任何一種而薄化(意謂著晶圓300之厚度可減小)，該等技術諸如機械研磨、化學機械平坦化(CMP)、濕式蝕刻、下游大氣電漿蝕刻(ADP)、反應離子蝕刻(RIE)、乾式化學蝕刻(DCE)、氣相蝕刻(VPE)或其等之任何組合，例如機械研磨接著化學機械拋光。晶圓300在薄化之前的初始厚度可介於約0.1 mm與約1 mm之間，諸如介於約0.2 mm與約0.8 mm之間，諸如約0.2 mm、約0.3 mm、約0.4 mm、約0.5 mm、約0.6 mm、約0.7 mm、約0.8 mm或另一厚度；且可經薄化至以下厚度：約50 μm或更小、約40 μm或更小、約30 μm或更小、約20 μm或更小、約10 μm或更小、約5 μm或更小、或另一厚度。
在一些實例中，晶圓300可使用一機械研磨技術(諸如背面研磨)經薄化至近似50 μm之一厚度。然而，一般而言，隨著晶圓厚度減小，晶圓300歸因於薄晶圓之易碎性而變得更易受到一機械研磨之破壞。為了降低破壞晶圓之風險，可使用一無接觸材料移除程序來減小晶圓厚度，其無法藉由習知機械研磨程序實現。例如，為了實現25 μm或更小之一晶圓厚度，可使用一無接觸材料移除程序(諸如反應離子蝕刻(RIE)、氣相蝕刻或任何其他適當程序)來產生薄晶圓。
在一些實例中，至約50 μm之一厚度之晶圓薄化可藉由機械背面研磨接著拋光而實現。在薄化程序期間，晶圓暫時接合至一支撐基板302，諸如一較厚晶圓(例如，3M Wafer Support System®)。在一背面研磨及拋光程序中，上面形成有積體電路之晶圓300之頂部表面上之一作用層310向下面向支撐基板302。在晶圓薄化之後，從支撐基板304移除經經薄化之晶圓。
參考圖7，晶圓製備可包含將經薄化晶圓300安裝於一處置基板108上以形成一晶圓處置總成400。經薄化晶圓300可呈一面朝上組態(如圖7中所展示)或一面朝下組態安裝於處置基板108上。處置基板108可係例如一空白矽晶圓、玻璃、陶瓷、或其他無機或有機物質。該處置基板可經定大小以與標準積體電路處理技術(諸如拾放系統)相容。例如，處置基板108可具有大於約50 µm之一厚度，諸如介於約100 µm與約800 µm之間的一厚度，諸如約100 µm、約150 µm、約200 µm、約250 µm、約300 µm、約350 µm、約400 µm、約450 µm、約500 µm、約550 µm、約600 µm、約650 µm、約700 µm、約750 µm、約800 µm或另一厚度。
經薄化晶圓300可經由至處置釋放層105之一附接可釋放地安裝於處置基板108上。該處置釋放層在晶圓300與處置基板108之間提供可在施加一刺激物時釋放之黏附力，該刺激物諸如紫外(UV)光、高溫、一正常或剪切機械力、或另一刺激物、或其等之任何兩者或更多者之一組合。
在一些實例中，處置釋放層105係由多個子層(例如，一第一層及一第二層)之一複合物形成之一雙面處置釋放層。雙面處置釋放層105及該等子層之一或多者(若有)可包含一或多個表面(諸如一內部表面或一外部表面)。雙面處置釋放層105包含曝露於離散組件10之一第一表面104及曝露於處置基板108之一第二表面106。在一些實例中，處置釋放層105係已知為與晶圓安裝相容以用於晶圓切割或薄化之一雙面熱或UV釋放帶。在此一帶中，第二表面106包含一壓力敏感黏附劑且第一表面104可包含一UV釋放材料或一熱釋放材料。與半導體材料相容之例示性釋放材料係已知的，且可基於所要黏附特性而選擇。
在一些實例中，處置釋放層105係單層使得第一表面104及第二表面106係相同材料。此等材料可包含例如用於進行暫時晶圓接合之旋塗熱釋放材料，例如，Valtech之Valtron®熱釋放環氧樹脂系統或Logitech之OCON-196薄膜接合蠟。熱釋放材料之其他實例包含乙烯醋酸乙烯酯(EVA)共聚物膜，諸如Dynatex之WaferGrip黏附膜。其他例示性材料包含UV釋放黏附劑，諸如具有容易在曝露於UV光能時變更其等化學結構之光官能團之聚合物。用於一單層處置釋放層105之材料之其他實例包含在刺激物之影響下經歷從固態直接至氣相而不經過一中間液相之一轉變之升華材料。
一般而言，處置釋放層105由機械地回應於一經施加之刺激物之一材料形成。在一些實例中，該處置釋放層回應於一刺激物而經歷一機械變更。例如，該處置釋放層可由於由施加刺激物致使之一表面形態變更而失去黏附力。例示性處置釋放層可由回應於熱、紫外光或另一類型之刺激物而從平滑且高黏附力轉變至粗糙且不良黏附力之材料形成。在一些實例中，該處置釋放層回應於一刺激物而經歷一相變，從而由於一實體狀態變更而失去黏附力。該轉變可從固相至液相(熔化)或從固相至氣相(升華)。在一些實例中，該處置釋放層回應於一刺激物而經歷一化學變更且由於其化學結構或組合物之一變更而失去黏附力。一些材料經歷熱分解或熱解，其係由熱致使之一化學分解。一些材料經歷光致降解，其係由光吸收引發之降解。
在一些實例中，處置釋放層105與晶圓300之間及處置釋放層105與處置基板108之間的接合強度例如各經挑選使得在晶圓300附接至第一表面104時，該附接之接合強度弱於第二表面106與處置基板108之間的接合強度。晶圓300與第一表面104之間的接合強度亦可選擇為弱於離散組件10與如下文所描述之一器件基板之間的接合強度。例如，在一些情況下，處置釋放層105可係具有低於接合離散組件10及如下文首次描述之一器件基板所需之溫度之一熔化溫度之一材料。實例包含蠟或類似材料。
在其他實例中，處置釋放層105經挑選使得第一表面104之黏附機構可獨立於第二表面106之附接機構而受控制。此配置有助於確保晶圓300 (或一個別離散組件10)可選擇性地從處置基板108釋放，而無需從處置基板108釋放處置釋放層105。
在其他情況下，例如處置釋放層105可替代地或額外地包含一雙塗佈熱釋放帶(諸如Nitto®之REVALPHA®雙塗佈熱釋放帶)，該雙塗佈熱釋放帶包含一壓力敏感黏附層及一熱釋放黏附層。在一些情況下，第一表面104可包含該熱釋放黏附層，而第二表面106可包含該壓力敏感黏附劑。至少在施加熱能時，與處置釋放層105與處置基板108之間的接合強度相比，晶圓300 (或一個別超薄或超小離散組件10)與處置釋放層105之間的接合強度更弱。照此，遠離該處置基板施加於晶圓300 (或一個別超薄或超小離散組件10)之一力(例如，遠離處置基板108之一拉力及/或剪切力)可自由地從處置基板108移除晶圓300或個別超薄或超小離散組件10，而同樣不移除處置釋放層105，該處置釋放層105保持附接至處置基板108。
雖然離散組件10與處置基板108之間的附接構件通常被描述為一黏附帶，但其他配置將係可能的。例如，真空或靜電力可用來暫時形成此附接。正如處置釋放層105，附接構件及特性(諸如接合強度)可經選擇使得在該離散組件與該基板接合時，該離散組件與該基板之間的接合強度大於該離散組件與該處置件之間的接合強度。
在一些情況下，需要將處置釋放層105配置成相對較薄，例如以具有小於20 µm、較佳小於10 µm且在一些情況下小於5 µm之一厚度。使用一薄處置釋放層使得能夠使用某些有利晶片切割方法且改良切割之後的晶片品質及至基板之傳送。較厚處置釋放層之使用可促進切割程序期間之晶粒碎裂或破裂。
參考圖8A及圖8B，晶圓製備可包含將晶圓處置總成400切割成處置總成500 (有時稱為單件化晶圓)，或將無處置基板之一晶圓切割成離散組件。一晶圓處置總成係附接至一處置基板之一晶圓。一處置總成係附接至一處置基板之一部分之一個別離散組件。該晶圓處置總成可藉由以下技術而完全地或部分地予以切割：乾式或濕式蝕刻、電漿切割、機械鋸切(如圖8A中所展示)、雷射燒蝕、隱形切割(如圖8B中所展示)、或另一切割技術。在一些實例中，晶圓處置總成400可藉由使一切割工具從晶圓處置總成400之正面(例如，上面安置有晶圓之面)接近晶圓處置總成400而予以切割。在圖8A之實例中，晶圓處置總成400藉由使用一刀片502進行機械鋸切而予以部分地直接切割。在一些實例中，晶圓處置總成400可藉由使一切割工具從晶圓處置總成400之背面(例如，上面安置有處置基板108之面)接近晶圓處置總成400而予以切割。在圖8B之實例中，晶圓處置總成400藉由使用入射於晶圓處置總成400之背面上之一雷射光束504進行雷射微加工(有時稱為雷射隱形切割)而予以間接切割。在一些實例中，循序地使用機械鋸切及雷射隱形切割以完全地切割一晶圓處置總成400。
在一些實例中(例如，如圖8A及圖8B中所展示)，可切割包含經薄化晶圓及處置基板之晶圓處置總成400。在一些實例中，經薄化晶圓在切割期間不附接至一處置基板。
在一些實例中(例如，如圖8A及圖8B中所展示)，晶圓處置總成400或晶圓可黏附至一切割帶506以用於切割。切割帶506可具有聚氯乙烯(PVC)、聚烯烴、聚乙烯之一背襯材料或另一材料及黏附該晶圓處置總成或該晶圓之一黏附表面。
在一些實例中(未展示)，晶圓傳送(下文所描述)可在晶圓切割之前發生。例如，可將該晶圓處置總成或該晶圓安裝於一透明載體上並切割該經安裝之晶圓處置總成或晶圓。該透明載體可由對紫外、可見或紅外電磁光譜之至少一些波長至少部分透明之一材料形成，諸如玻璃或一透明聚合物。該透明載體可具有諸如PCT WO2012/033147中所描述之安置於其之一表面上之一動態釋放層(DRL)之一層，該PCT WO2012/033147之全文以引用方式併入本文中。
在一些實例中，該晶圓可在晶圓傳送程序步驟之前予以部分地切割且切割可在晶圓傳送程序步驟(下文所描述)之後完成。
晶圓傳送在晶圓傳送程序步驟中，將經部分或完全切割之處置總成或者一未經切割之晶圓或晶圓處置總成從一切割帶傳送至一透明載體或一晶粒載體，諸如一疊片包裝、一凝膠包裝或另一類型之載體。可將各種方法用於晶圓傳送，有時結合切割程序。
透明載體600可由對紫外、可見或紅外電磁光譜之至少一些波長至少部分透明之一透明材料形成，諸如玻璃或一透明聚合物。該透明載體可具有安置於其之一表面上之一載體釋放層，該載體釋放層包含一動態釋放層(DRL) 604之一層、一黏附層(未展示)或兩者。
參考圖9，在一晶圓傳送方法501中，將經切割之處置總成500或離散組件從切割帶506傳送至透明載體600或一晶粒載體上。例如，使用由一真空夾盤602提供之吸力，從切割帶506移除經切割之處置總成500或離散組件。使一透明載體600或一晶粒載體與吸至真空夾盤602上之經切割處置總成500或者未經切割晶圓或晶圓處置總成接觸。移除吸力，從而致使處置總成500或者未經切割之晶圓或晶圓處置總成傳送至透明載體600或晶粒載體上。
參考圖10，在一晶圓傳送方法320中，將經切割之處置總成500或離散組件從切割帶506傳送至透明載體600或一晶粒載體上。將一晶圓或晶圓處置總成黏附至一切割帶並切割成處置總成500或離散組件。切割帶506由回應於一刺激物(諸如熱或光)而經歷一黏附力減小之一材料形成。例如，切割帶506可係在曝露於UV光時經歷一黏附力減小之一紫外(UV)釋放黏附劑。將該UV切割帶曝露於紫外光508，從而致使經切割之處置總成或離散組件之間的黏附力弱化。一真空夾盤510塗佈有回應於一刺激物(諸如熱或光)而經歷一黏附力減小之一材料512。例如，真空夾盤510可塗佈有一熱釋放帶512 (例如，諸如Nitto®之REVALPHA®雙塗佈熱釋放帶)且一真空經抽取以使熱釋放帶512保持於適當位置。經切割之處置總成500或離散組件藉由與帶覆蓋真空夾盤510之接觸而從UV切割帶506移除。在一些實例中，熱釋放帶512利用大於先前曝露之UV切割帶506與經切割之處置總成500或離散組件之間的弱化黏附力之一黏附力而黏附至經切割之處置總成500或離散組件，因此從切割帶506移除經切割之處置總成500或離散組件。剝離切割帶506，從而留下處置總成500或離散組件黏附至熱釋放帶512。
使在上面安置有一動態釋放層之一透明載體600與黏附至真空夾盤510上之熱釋放帶512之經切割處置總成500或離散組件接觸。例如，透明載體600可放置於經切割之處置總成500或離散組件之頂部上且經加權以用於強接觸。可將一正壓力施加於真空夾盤510以遠離夾盤510推動熱釋放帶512，因此抵著透明載體600之動態釋放層進一步加壓於經切割之處置總成或離散組件。
將包含透明載體600、經切割之處置總成500或離散組件及熱釋放帶512之堆疊從真空夾盤510移除並加熱至該熱釋放帶失去其之一些或所有黏附力之一溫度(稱為熱釋放帶之特性溫度)。接著，剝離熱釋放帶512，從而在透明載體600上留下經切割之處置總成500或離散組件。
只要熱釋放帶之特性溫度低於致使處置總成之處置釋放層105熔化、流動或降解之溫度，即可使用晶圓傳送方法320。損失亦可藉由以下步驟而減輕：在離散組件或處置總成與透明載體上之動態釋放層之間提供均勻接觸，例如，對該動態釋放層提供一平坦真空夾盤及平坦表面或從該真空夾盤提供正壓力以迫使一較佳接觸。在一些情況下，將離散組件或處置總成放置於該透明載體上之準確度可藉由在移除該熱釋放帶時筆直向上提起該熱釋放帶而提高。
參考圖11，在一晶圓傳送方法370中，經由一具有可控制黏附力之材料374將一晶圓300或晶圓處置總成黏附至透明載體600。例如，透明載體600可包含動態釋放層及一UV或熱釋放黏附劑兩者，或可僅包含一UV或熱釋放黏附劑。在透明載體600上直接切割(372)晶圓300或晶圓處置總成。具有可控制黏附力之材料374具有足夠強以允許在切割期間將晶圓300或晶圓處置總成牢牢地附接至透明載體600之一黏附力。
在切割完成之後，使具有可控制黏附力之材料374曝露於一刺激物(376) (諸如熱或紫外光)，從而致使材料374之黏附力減小。在曝露之後，可藉由控制刺激物參數(諸如曝露強度(例如，紫外光強度或溫度)、曝露時間或其他刺激物參數)來控制材料374之黏附力位準。例如，材料374之黏附力可減小至與下文所描述之雷射輔助無接觸傳送方法800相容之一位準。
晶圓傳送方法350消除組件傳送程序(下文所論述)，因此簡化程序流程。此外，在無一組件傳送程序之情況下，不存在於組件傳送期間損失離散組件或處置總成之可能性，且因此程序良率可使用晶圓傳送方法350而予以改良。
參考圖12，在一晶圓傳送方法550中，例如使用部分刀片切割(未展示)、雷射切割、濕式蝕刻或另一方法部分地切割(552)一晶圓或晶圓處置總成400。部分切割從晶圓或晶圓處置總成400上之離散組件之間的空間(有時稱為溝道)移除鈍化層及金屬，從而在各切割溝道之底部處留下少量材料(例如，小於約20 μm，諸如約5 μm、約10 μm、約15 μm、約20 μm或另一量)。部分切割促進後續無接觸切割，諸如電漿切割。
例如，使用一真空夾盤將經部分切割之晶圓或晶圓處置總成傳送(554)至透明載體600。使用一無接觸方法(諸如電漿切割或濕式蝕刻)，在透明載體600上完成切割(556)。在圖12之實例中，在一切割帶上部分地切割晶圓處置總成400，接著在該透明載體上進行完全切割；在一些實例中，晶圓處置總成400可予以部分地切割同時附接至透明載體600，接著使用一無接觸方法進行完全切割。在一些情況下，晶圓傳送方法500可更有效地用於晶圓而非晶圓處置總成或其他厚組件之切割及傳送。例如，可結合下文所描述之雷射啟用封裝程序150使用晶圓傳送方法550。
參考圖13，在一晶圓傳送方法570中，在切割帶上完全地切割晶圓或晶圓處置總成400。例如，可使用一兩步驟切割程序，其中運用一切割刀片部分地切割晶圓或晶圓處置總成400 (572)，接著使用一隱形切割方法進行完全切割(574)。將經切割之離散組件或處置總成傳送(576)至覆蓋有一熱釋放帶(例如，Revalpha)之一真空夾盤並釋放至一透明載體600 (578)，如上文對於晶圓傳送方法320所描述。
除動態釋放層外或取代動態釋放層的是，該透明載體亦包含一具有可控制黏附力之材料580。一旦經切割之離散組件黏附至該透明載體，隨即將具有可控制黏附力之材料580曝露於一刺激物(582) (如上文對於晶圓傳送方法370所描述)以將材料580之黏附力減小至與下文所描述之雷射輔助無接觸傳送方法800相容之一位準。
晶圓傳送方法570可實現降低離散組件或處置總成之損失且可使得能夠經由控制材料580之黏附力位準精確地控制雷射輔助無接觸傳送方法800。
在一晶圓傳送方法中，使用拾放工具以將處置總成或離散組件傳送至該透明載體。在此方法中，可根據一所要放置(例如，依一矩形陣列)將處置總成或離散組件重新配置於該透明載體上，從而實現放置演算法之簡化。此方法亦允許僅傳送「優良」處置總成或離散組件，因此改良下游良率。此晶圓傳送方法可限於具有與拾放設備相容之大小之處置總成或離散組件，且與其他晶圓傳送方法相比有時可具有低處理量。此晶圓傳送方法可用於原型設計中，例如，其中個別離散組件經薄化且經製備以用於雷射傳送之程序。
在此所描述之一些程序不包含晶圓傳送程序步驟。例如，其中晶圓在切割之前安裝於一透明載體上之程序不包含晶圓傳送程序步驟。
組件傳送在組件傳送程序步驟中，將個別離散組件放置至一器件基板上之目標位置上。
在將離散組件放置至器件基板上之前，器件基板或離散組件或兩者可具備促進離散組件與器件基板之間的附接(諸如黏附、電連接或兩者)之一附接元件。該附接元件可係回應於一經施加之刺激物而可固化之一材料，諸如可熱固化、曝露於紫外(UV)光時可固化、曝露於機械壓力時可固化或依其他方式可固化之一材料。該附接元件可係一傳導材料，諸如一傳導環氧樹脂，例如，在膏中包含金屬(例如，銀)或金屬塗佈顆粒之一傳導膏、一焊料膏或另一傳導材料。該附接元件可係一非傳導材料，諸如Ablebond 8008NC (加利福尼亞，尓灣之Henkel Electronic Materials, Irvine, CA)。該附接元件可係一膜，諸如一各向異性傳導膜或一非傳導晶粒附接膜。
在一些實例中，該附接元件可係一各向異性傳導材料，一旦固化，其隨即僅沿一個方向或並非沿所有方向傳導。例如，該附接元件可係一各向異性傳導膏，諸如Ablestik ACP-3122 (加利福尼亞，尓灣之Henkel Electronic Materials)，該各向異性傳導膏沿一離散組件與下層器件基板之間的一垂直方向傳導，但不沿平行於該器件基板之表面之一水平方向傳導。一各向異性傳導附接元件可橫跨器件基板均勻地安置，使得離散組件可傳送至器件基板而無需精確對準。
參考圖14，在一些實例中，經由一拾放方法700實現將離散組件傳送至器件基板上。該拾放方法可能無法有效傳送超薄或超小離散組件，但可在該等離散組件安裝於一較大或較厚處置基板上時(吾人將安裝於一處置基板上之一個別離散組件稱為一處置總成)使用。例如，可使用該拾放方法以傳送每側具有至少約300 μm之一長度之處置總成、每側具有一或多毫米或幾十毫米之一長度之處置總成。可使用該拾放方法以傳送具有大於約50 μm之一厚度(諸如介於約100 μm與約800 μm之間的一厚度)之處置總成。
拾放方法700包含將一處置總成500傳送至一器件基板704上之一工具702。工具702例如藉由將一吸力施加於處置總成500之處置基板108來拾取處置總成500。工具702將處置總成500直接定位於器件基板704上之一附接表面708上方。接著，工具702朝向器件基板704 (例如，沿由一箭頭710大體上展示之一方向)移動處置總成500，直至離散組件10接觸器件基板704上之附接表面708為止。
參考圖15，在一些實例中，組件傳送係藉由一雷射輔助無接觸傳送方法800 (吾人有時將其稱為tmSLADT (熱機械選擇性雷射輔助晶粒傳送))而完成。在tmSLADT方法中，藉由一黏附層802將處置總成500 (如所展示)或離散組件黏附至例如如上文所描述般上面安置有一動態釋放層(DRL) 604之一透明載體600。DRL 604及黏附層802之組合有時稱為載體釋放層。用來自一雷射之光804照明動態釋放層(DRL) 604。DRL 604吸收從雷射光804入射於其上之能量，從而升溫並部分蒸發，且導致一氣泡806之形成。氣泡806將處置總成500機械地推動至器件基板704之附接表面708上。tmSLADT方法在PCT WO2012/142177中予以描述，該PCT WO2012/142177之全文以引用方式併入本文中。
在tmSLADT程序800中，黏附層802之黏附力係一重要參數。tmSLADT期間之力平衡包含：由膨脹氣泡806之加速度致使之力，Fb = ma，其中a係該膨脹氣泡之加速度；重力，Fg = mg，其中g是重力常數；及處置總成500或離散組件與黏附層之間的黏附力Fa。
當處置總成500或離散組件在雷射照明之前附接至DRL 604時，Fb (膨脹氣泡之力)係零且Fg小於Fa (Fg ＜ Fa)。在起始傳送時(例如，在雷射照明開始時)，膨脹氣泡之力及重力之總和超過黏附力(Fb + Fg ＞ Fa)，從而致使傳送離散組件。組合兩個條件產生
Fg ＜ Fa ＜ Fg + Fb，
其意謂著黏附力必須足夠大以在傳送之前使處置總成保持於適當位置，但小於經組合之慣性力及重力以允許在傳送期間拆卸離散組件或處置總成。
離散組件之質量在Fb及Fg兩者中發揮作用，從而使此等條件難以實現超小或超薄離散組件之傳送。此外，傳送程序之成功通常與促進傳送之力(Fb及Fg)與對抗傳送之力(Fa)之間的差成比例。
離散組件或處置總成與DRL 604之間的黏附力可保持處於一低位準，例如，剛好足以防止重力使離散組件或處置總成掉落。然而，在將晶圓、晶圓處置總成、離散組件或處置總成從切割帶傳送至透明載體600上期間，對DRL 604之一較大黏附力可係有幫助的。因此，該傳送涉及該切割帶及DRL 604之黏附力與傳送器件(例如，真空夾盤)之吸力之間的一平衡。上文所描述之晶圓傳送方法可在對DRL 604之各種黏附力位準下操作，從而對成功tmSLADT傳送提供靈活度。
在一些實例中，組件傳送可包含tmSLADT方法及拾放方法兩者。例如，離散組件可經由一tmSLADT方法傳送至一處置基板以形成處置總成，該等處置總成可藉由一拾放方法傳送至器件基板。相反地，處置總成可使用一拾放方法傳送至一透明載體且接著經由一tmSLADT方法傳送至器件基板。
離散組件可呈一面朝上定向傳送至器件基板上使得離散組件之作用面面朝上(諸如圖1A中所展示)例如用於導線接合應用。離散組件可呈一面朝下定向傳送至器件基板上使得離散組件之作用面面朝下(諸如圖1B中所展示)例如用於覆晶組裝。
組件互連在組件互連程序步驟中，將離散組件接合(例如，機械接合或電接合或既機械接合又電接合)至器件基板。再次參考圖14，器件基板上之附接表面708包含促進離散組件與器件基板之間的附接(諸如黏附、電連接或兩者)之一附接元件。該附接元件可係回應於一經施加之刺激物而可固化之一材料，諸如可熱固化、曝露於紫外光時可固化、曝露於機械壓力時可固化、或回應於另一類型之刺激物可固化、其等之任何兩者或更多者之一組合之一材料。
為了使附接元件固化，一接合工具將一刺激物施加於附接元件，諸如一高溫、紫外光、機械壓力、或另一刺激物、或其等之任何兩者或更多者之一組合。該接合工具可透過離散組件(如圖14中所展示)、透過器件基板或兩者施加該刺激物。在一些實例中，該接合工具係與以用於組件傳送之拾放方法將一處置總成傳送至器件基板上之工具相同之工具。在足以允許附接元件固化從而在離散組件與器件基板之間形成一機械接合、一電接合或兩者之一時間之後移除該刺激物。
在一些實例中，組件互連程序步驟可包含導線接合。在一些實例中，組件互連程序步驟可包含呈一面朝上組態將離散組件放置至器件基板上及將一傳導材料印刷至基板及離散組件之作用面上。
處置件移除在處置件移除程序步驟中，從離散組件拆卸並移除處置基板，從而僅留下離散組件接合至器件基板。經由一處置釋放層將處置基板附接至離散組件，此在離散組件與處置基板之間提供可回應於一經施加之刺激物(諸如溫度、紫外光、一正常或剪切機械力、或另一類型之刺激物、或其等之任何兩者或更多者之一組合)釋放之黏附力。
為了從離散組件拆卸處置基板，一釋放工具將一刺激物(諸如高溫、紫外光、正常或剪切力、或另一刺激物、或其等之任何兩者或更多者之一組合)施加於處置釋放層。該釋放工具可透過離散組件、透過器件基板或兩者施加該刺激物。在一些實例中，該釋放工具與將一刺激物施加於附接元件之接合工具相同。在足以允許釋放處置釋放層之一時間之後移除該刺激物。例如，藉由一吸力、加壓空氣、釋放工具之一作用力或依另一方式移除處置基板。
在一些實例中，處置釋放層及附接元件係回應於相同刺激物。可施加單個刺激物，同時使附接元件固化且致使釋放處置釋放層。例如，在處置釋放層及附接元件係回應於相同刺激物時，可使用單個釋放工具以使附接元件固化，釋放處置層且移除處置件。在一些實例中，處置釋放層及附接元件回應於同時地或循序地施加之不同刺激物。
在此所描述之程序之一些中，不使用一處置基板，且因此不實行處置件移除程序步驟。
如上文所論述，藉由依各種組合來組合此等步驟，吾人可進行用於將離散組件放置至器件基板上之各種程序。五個例示性程序在表格1中作概述且各程序在此作論述。
表格 1. 用於封裝一超薄或超小離散組件之程序
處置件輔助超小晶片組裝處置件輔助超小晶片組裝程序使得能夠組裝過小(在一橫向尺寸上)而無法使用一拾放方法移動之離散組件。如圖16中所展示，用於封裝超小且超薄之離散組件之一程序410通常可包含離散組件製造(412)、晶圓製備(414至422)、離散組件傳送(424至430)、離散組件互連(430)及處置件移除。程序410中之離散組件傳送包含離散組件至一處置基板上之傳送(424)、處置基板切割(416至426)、附接位點製備(428)及離散組件至器件基板上之傳送(430)。
一般而言，可使用已知半導體技術製造承載大量離散組件之晶圓，諸如在一半導體材料上(例如，在一塊狀矽基板上或在層狀矽-絕緣體-矽基板上)進行之薄膜方法(412)。
程序410中之晶圓製備可包含使用已知半導體技術對晶圓之部分切割(404)。例如，離散組件可藉由以下技術而予以部分地切割：乾式或濕式蝕刻、機械鋸切(如圖16中所展示)或雷射微加工。可利用一光罩膜及/或一鈍化層防止晶圓表面受破壞。例如，可使用微影術或模版/網版印刷之方法施加並圖案化光阻劑、聚合物、UV可固化聚醯亞胺、層壓膜或另一合適材料之一層。
光罩膜可根據已知半導體技術及材料而形成，諸如藉由將光阻劑施加於晶圓。光罩膜之厚度及組合物鑑於來自晶圓製造下游之預期程序步驟而選擇。例如，光罩膜之厚度及組合物經選擇使得例如在一蝕刻程序期間(420) (如下文所描述)、在溝道打開之後移除光罩膜。
經移除之材料在晶圓溝道中之深度可基於預期附接程序及經組裝之離散組件之所要最終厚度而選擇。例如，在用來形成如圖2中所展示之處置總成100之一離散組件面朝上程序中，晶圓溝道之深度小於所要最終離散組件厚度，較佳大於1 µm且小於最終離散組件厚度之½。溝道寬度可基於切割方法而選擇，例如，鑑於切割方法之準確度及精度。
程序410中之晶圓製備可包含形成一薄晶圓(416至418)，例如，具有以下厚度之一薄晶圓：50 µm或更小、40 µm或更小、30 µm或更小、20 µm或更小、10 µm或更小及5 µm或更小。晶圓厚度可基於所要最終離散組件尺寸透過已知半導體薄化技術而減小或薄化，例如機械研磨、化學機械平坦化(CMP)、濕式蝕刻、下游大氣電漿蝕刻(ADP)、乾式化學腐蝕(DCE)、氣相蝕刻或其等之任何組合，例如機械研磨接著化學機械拋光。
在一些例項中，晶圓可使用一機械研磨技術(諸如背面研磨)薄化至近似50 μm之一厚度。然而，一般而言，隨著晶圓厚度減小，晶圓歸因於薄晶圓之易碎性而變得更易受到一機械研磨之破壞。為了降低破壞晶圓之風險，可使用一無接觸材料移除程序來減小晶圓厚度，其無法藉由習知機械研磨程序實現。例如，為了實現20 μm或更小之一晶圓厚度，可使用一已知無接觸材料移除程序(諸如反應離子蝕刻(RIE)、氣相蝕刻或任何其他適當程序)來產生薄晶圓。
在晶圓薄化之前及期間，可將晶圓附接至一暫時處置基板(416至418)。該暫時處置基板可釋放地黏附至晶圓且係可移除的而不破壞晶圓。例如，該暫時處置基板可包含一半導體帶(諸如一熱釋放帶(例如，Nitto之ELEP Holder®)或紫外光釋放帶)，或可包含一晶圓處置固定具，該晶圓處置固定具經組態以使用一真空力、靜電力或處置薄晶圓之其他適當方式可釋放地連接至晶圓。該熱釋放帶或紫外光釋放帶可經選擇使得帶黏附至晶圓，但可分別藉由施加熱或UV而移除。在一些情況下，該暫時處置基板可係一雷射透明臨時處置件(420至422)，例如，在PCT WO2012/033147中所揭示之使用一動態釋放層(吾人將其稱為DRL)之一玻璃臨時處置件，該PCT WO2012/033147之全文以引用方式併入本文中。
如上文所論述，離散組件係藉由例如沿形成於晶圓中之溝道分開半導體材料之部分與晶圓而形成。如圖16中所展示，可使用一乾式蝕刻技術(例如，使用RIE)從晶圓釋放個別離散組件(420至422)。如上文所描述，參數及電漿氣體組合物經選擇使得在蝕刻或移除任何其他光罩材料之前完全地蝕刻或移除溝道中之矽(422)。例如，若使用一RIE，則一光阻劑材料及厚度可取決於程序參數及電漿氣體組合物而選擇。在此情況下，參數及電漿氣體組合物經選擇使得在蝕刻或移除任何其他光罩材料之前完全地蝕刻或移除溝道中之矽。在一些情況下，程序參數包含作為一電漿氣體之SF
6及O
2之一混合物、壓力13至14 Pa、功率135 W及DC偏壓150 V。在此實例中，在溝道打開之後，蝕刻繼續進行直至從離散組件表面完全地移除光罩層為止。
程序410中之組件傳送(包含從處置基板釋放個別離散組件)將取決於所使用之處置基板材料及/或黏附材料。如上文所描述，例如使用一DRL層將離散組件安裝至一玻璃臨時處置件。在此情況下，可使用一雷射傳送方法從DRL釋放離散組件(424)，而不接觸超薄離散組件。可使用可處置超薄離散組件之其他方法以將離散組件傳送至處置基板。
在圖16之實例中，組件傳送包含一雷射傳送方法及拾放兩者。使用一雷射傳送方法將離散組件從DRL傳送至一處置基板上。處置基板提供在大小上與用於組件傳送之一拾放方法相容之一較大處置件，因此使得能夠藉由一拾放方法將處置總成傳送至器件基板。
參考圖16及圖17，可藉由使用在PCT WO2012142177中所揭示之用於超薄晶片組裝之一雷射無接觸技術(吾人將其稱為tmSLADT)從DRL層釋放離散組件並將其等附接至一處置基板(424)，該PCT WO2012142177之全文以引用方式併入本文中。各離散組件10之間的一距離508可基於晶圓切割工具之能力而選擇，例如超小且超薄之離散組件10之切口及精度、尺寸以及處置件108之尺寸。合適晶圓切割工具及/或方法包含鋸切、雷射切削、刻劃、隱形切割及其他已知合適方法。在一些實例中，距離502大於50 µm，例如包含50 µm及200 µm及介於50 µm與200 µm之間。在形成個別處置總成之前，例如將處置總成100、一或多個離散組件10釋放至一極大處置基板108a上以形成一極大處置總成510。在一些情況下，該極大處置總成定位於玻璃臨時處置件下方(使用雷射傳送方法從該玻璃臨時處置件釋放離散組件)使得在從該玻璃臨時處置件釋放離散組件時，各離散組件沿由箭頭512大體上指示之一方向朝向一處置釋放層105a行進，例如，使用任何合適程序(諸如層壓或旋塗)將該處置釋放層105a預先塗佈至處置基板108a上。處置基板108a、包含一第二表面106a及一第一表面104a之處置釋放層105a之性質通常類似於參考處置總成100所描述之性質，但處置基板108a及相關聯處置釋放層105a之大小增大。
在一些實例中，第二表面106a包含用於將處置釋放層105a附接至處置基板108a之一壓力活化黏附劑，且第一表面104a包含例如用於將離散組件10附接至處置釋放層105a之一熱釋放表面或一UV釋放表面，例如，一熱釋放層或一UV釋放層。因此，隨著離散組件與處置釋放層105a接觸，離散組件可釋放地附接至處置基板108a，直至例如施加熱或UV光為止。在一些實例中，處置釋放層105a係單層使得第一表面104a及第二表面106a係相同材料，例如，一熱釋放黏附劑或一UV釋放黏附劑。
程序410中之組件傳送包含將處置總成100傳送至器件基板上。如別處所描述，使用本文中所描述之方法以將超薄及/或超小之裸離散組件附接至用於積體電路封裝中之任何器件基板，諸如印刷電路板、塑膠外殼、陶瓷基板、撓性電路或其他器件基板。在將離散組件附接至一器件基板之前(例如，一器件基板614)，可提供用於離散組件之附接構件。例如，如圖18中所展示，一熱固化非傳導離散組件附接材料(諸如Henkel之Ablebond 8008NC)可經施配以形成用於使離散組件附接至器件基板614之一黏附表面618 (418)。
參考圖16及圖18，至一器件基板之一傳送610可包含例如一離散組件接合工具612、一處置總成100及一器件基板614。在一些實施方案中，離散組件接合工具612附接至處置基板總成100之處置基板108。離散組件接合工具612朝向該器件基板移動且將離散組件10直接定位於器件基板614上之附接表面618上方。接著，離散組件接合工具612例如沿由一箭頭620大體上展示之一方向朝向該器件基板移動處置總成100，直至離散組件10接觸黏附表面618為止。一旦進行接觸，隨即執行離散組件互連及處置件移除。該離散組件接合工具施加一力及可使黏附表面618上之黏附劑固化之溫度分佈。由於離散組件10透過一熱釋放層附接至處置基板總成，故遞送至黏附表面618上之黏附劑之溫度分佈快速地或同時地弱化離散組件10與處置基板108之間的黏附力。處置基板108與離散組件10之間的任何剩餘接合強度不足以克服離散組件10與器件基板614之間的接合強度。因此，在離散組件接合工具612及處置基板遠離該器件基板移動時，離散組件10保持附接至器件表面。處置基板可從離散組件接合工具循序地釋放以藉由透過離散組件接合工具施加一正壓力而安置於一不同位置處。
若處置基板包含一UV可釋放層(104)而非一熱釋放層，則傳送構件(例如，離散組件接合工具612)可運用能夠發射UV光之一器件而予以促進。正如熱釋放離散組件接合工具，UV釋放離散組件接合工具可發射具有足夠強度以使離散組件與處置件去接合之UV光。在此情況下，需要一額外熱源來將離散組件接合至器件基板。此一熱源可與保持器件基板之工作台整合在一起。
在某些實施方案中，離散組件可藉由一UV可釋放層接合至處置基板，同時器件基板上之黏附劑可係一UV固化黏附材料。在此情況下，基於經挑選之黏附劑發射一足夠強度之一UV光可弱化離散組件與處置基板之間的接合力且將離散組件接合至器件基板上之黏附劑。
在一些實例中，熱敏感或UV敏感黏附劑之各種組合經使用使得離散組件與處置基板之間的接合力弱化，而離散組件與器件基板之間的接合力強化。
在一些情況下，此外或替代地，透過器件基板施加熱或UV光以使器件基板上之黏附劑固化。
在某些實施方案中，將離散組件傳送至一器件基板可包含如下步驟。
如圖19中所展示，用於以一面朝上組態封裝超小及/或超薄離散組件之一程序720通常可包含：獲得或製造一晶圓(722)；部分地切割晶圓(724)；將晶圓薄化(726)；分開離散組件與晶圓(728)；將離散組件從晶圓傳送至一臨時處置基板(730)；將離散組件從臨時處置基板傳送至處置基板(732)；將離散組件接合至處置基板同時弱化臨時處置基板與離散組件之間的接合力(732)；將處置基板劃分成各包含一離散組件之複數個個別處置基板(734)；製備器件基板以用於與離散組件附接(736)；使用一離散組件接合工具拾取處置總成且將處置總成定位於器件基板上方以對準離散組件與器件基板上之附接黏附劑(738)；移動離散組件使其與器件基板上之附接黏附劑接觸(738)；發射能量使得離散組件與處置基板之間的接合力弱化而離散組件與器件基板之間的接合力強化(738)；遠離器件基板移動離散組件接合工具同時離散組件保持接合至器件基板(738)；及從離散組件接合工具釋放處置基板(739)。
一般而言，可使用已知半導體技術製造承載大量離散組件之晶圓，諸如在一半導體材料上(例如，在一塊狀矽基板上或在層狀矽-絕緣體-矽基板上)進行之薄膜方法(722)。
在切割期間(724)，晶圓可經歷使用已知半導體技術進行部分切割。例如，離散組件可藉由以下技術而部分分開：乾式或濕式蝕刻、機械鋸切(如圖19中所展示)或雷射切割。在某些情況下，晶圓經切割以形成等於或稍大於最終離散組件厚度之溝道深度。
在一些實施方案中，晶圓薄化、離散組件分開通常類似於參考程序410所描述之晶圓薄化及離散組件分開，但與一光罩膜有關之任何論述除外。例如，程序720省略一光罩膜，因此簡單地實行乾式蝕刻(728)直至溝道暢通無阻為止。
雖然從晶圓傳送離散組件之程序(730)通常類似於參考程序410所描述之程序，但在此首先沿一方向822將離散組件傳送至一臨時基板處置件818，其中各離散組件10分開一距離812。參考圖20，一極大處置總成810通常類似於極大處置總成510，但作用離散組件面102之位置及處置釋放層815之類型除外。在此，該作用離散組件面係遠離臨時基板818而定向。此外，臨時基板818塗佈有一低溫黏附劑熱釋放帶使得在該帶曝露於某一溫度時，該帶失去其黏附性質。例如，Nitto®之REVALPHA 319Y-4L具有90℃之一釋放溫度。
參考圖21，為了將離散組件從臨時處置基板818傳送至處置基板108，將臨時處置基板818放置於或堆疊於處置基板108上。在此情況下，處置基板108包含處置釋放層105，該處置釋放層105包含在高於該臨時處置基板之釋放溫度之一釋放溫度下熱敏感之一層104，例如，具有150℃之一釋放溫度之Nitto®之REVALPHA 319Y-4H。為了弱化離散組件與臨時處置基板之間的接合力，該堆疊被加熱至高於低溫帶之釋放溫度但低於高溫帶之釋放溫度之一溫度。該等條件導致臨時處置基板818失去黏附力。照此，臨時處置基板係可自由移除的。在一些情況下，臨時基板總成亦可再用。
儘管吾人將加熱提及為致使臨時處置基板失去黏附力之一模式，但可將各種技術用於該目的。
例如，可使用機械技術。在該等方法中，處置釋放層可被製造成藉由施加一刺激物以致使處置釋放層之表面形態之一變更而失去黏附力。在一些實施方案中，該刺激物可係熱或UV光且處置釋放層之表面形態之對應變更可包含在表面上形成小氣泡。表面形態從平滑至起泡之此一變更將致使黏附力從足夠高黏附力至極粗糙(具有極低黏附力)之一轉變。在一些情況下，用於處置釋放層之材料可經挑選以藉由變更其表面形態而回應於此一刺激物。
在一些實例中，黏附力減小藉由一相變而實現，其中處置釋放層因由施加一刺激物所致之一實體狀態變更而失去黏附力。該相變可從一固相至一液相(例如，熔化)或從一固相至一氣相(升華)或其等之一組合。該刺激物可係光、熱、壓力、或其等之任何兩者或更多者之一組合。
在一些例項中，黏附力失去可由一化學程序所致。例如，化學觸發之黏附力失去可基於處置釋放層或其組件之化學結構或組合物之一變更。在一些情況下，處置釋放層或其組件可係在曝露於刺激物時變更其等之化學結構之材料。在一些實例中，該等材料可係在施加刺激物時變更其等之化學組合物(例如，降解)之材料。此等材料可包含：i)經歷熱分解或熱解(其係由熱所致之一化學分解)之材料；及ii)經歷光致降解(其係由光吸收所致之降解)之材料。用於化學程序之刺激物可係光或熱或兩者。
因此，在一些實例中，釋放機制不涉及處置釋放層材料之熔化。無處置層熔化之釋放允許藉由一垂直運動而非一橫向滑移運動移除處置基板。例如，在藉由一習知晶粒接合器移除處置基板時，處置基板之垂直移除可係有利的。在其中處置基板形成一連續板片之部分的環境(諸如捲軸式組裝線) 中，藉由一橫向滑移運動移除處置基板可係有利的。無處置釋放層材料熔化之釋放可幫助避免繼處置移除之後在離散組件之表面上留下一殘餘物。
在一些實施方案中，處置釋放層或其黏附力減小程序或兩者可經選擇使得黏附力失去係永久性的，或使得防止、抑制或延遲黏附力恢復。此方法具有減小或消除關於必須移除處置件之一時間約束之優點。例如，在黏附力減小之後，此等材料可在約10秒、約30秒、1分鐘、5分鐘、10分鐘或另一時間內經歷一黏附力恢復。使一蠟熔化例如以減小處置釋放層之黏附力將留下極少時間用於在致使蠟熔化之熱減少之後移除處置件，此係因為蠟將相對較快速地重新凝固。強加處置件必須在處置釋放層之材料凝固之前快速地移除之一要求對製程強加一非所要約束。其中黏附力失去係永久性的或者防止、抑制或延遲黏附力恢復之例示性材料包含降解、分解或升華之材料；或黏附帶，諸如Nitto®之REVALPHA®雙塗佈熱釋放帶。
在一些情況下，處置釋放層之材料或其釋放程序或兩者可經選擇使得繼釋放之後在離散組件上不留下殘餘物。例如，繼釋放之後在離散組件不留下殘餘物之材料可包含變更表面形態之材料(例如，諸如Nitto®之REVALPHA®雙塗佈熱釋放帶)或升華材料。
包含製備器件基板(736)及將離散組件傳送至器件基板(738)之離散組件封裝程序通常類似於關於圖16所描述之離散組件封裝程序。
如圖22中所展示，用於以一覆晶組態封裝超小且超薄之離散組件之一程序1000通常可包含：獲得或製造一晶圓(1002)；部分地切割晶圓(1004)；將晶圓薄化(1006)；分開離散組件與晶圓(1008)；將離散組件傳送至一處置基板(1010)；將處置基板劃分成各包含一離散組件之複數個個別處置基板(1012)；製備器件基板以用於與離散組件附接(1014)；使用一離散組件接合工具拾取處置總成且將處置總成定位於器件基板上方以對準離散組件與器件基板上之附接黏合劑(1016)；移動離散組件使其與器件基板上之附接黏附劑接觸(1016)；發射能量使得離散組件與處置基板之間的接合力弱化而離散組件與器件基板之間的接合力強化(1016)；遠離器件基板移動離散組件接合工具同時離散組件保持接合至器件基板；及從離散組件接合工具釋放處置基板(1016)。
一般而言，具有凸出離散組件之晶圓(如由一覆晶組態所需)通常係已知的。用於晶圓凸塊之常見方法包含接線柱凸塊、無電鎳金電鍍、焊料球、焊料膏印刷、焊料電鍍等。雖然具有一低輪廓無電鎳金電鍍之一初始晶圓與在此所描述之程序相容，但凸塊之產生可在從玻璃基板傳送離散組件(1010)之後且在將離散組件放置於處置基板上(1012)之前發生。
晶圓切割程序(1004)、晶圓薄化程序(1006)、離散組件分開(1008)、離散組件傳送(1010)、形成個別處置基板(1012)及離散組件接合(1016)通常類似於上文所論述之其他方法。例如，依相同方式將離散組件10放置於處置基板108上(如圖17及圖23中所展示)，但作用面102在離散組件10上之定向不同。在此，離散組件10之各者分開一距離1202且沿一方向1204行進。
參考圖22至圖23，使用導電材料1106及一黏附材料1108將離散組件10附接至器件基板618。
黏附材料及施加方法之類型取決於經選擇以將離散組件電連接至器件基板上之導體跡線之方法。例如，可使用呈一液體形式之傳導黏附劑(例如，各向異性傳導黏附劑(ACP)，例如創新材料類型115-29)或其他常用方法及材料(例如，各向異性傳導膜及膏、各向同性傳導膜及膏、及焊料)。離散組件接合通常包含使用一離散組件接合工具拾取處置總成及將處置總成定位於器件基板上方以對準離散組件與器件基板上之附接黏合劑(1016)；移動離散組件使其與器件基板上之附接黏附劑接觸(1016)；發射能量使得離散組件與處置基板之間的接合力弱化而離散組件與器件基板之間的接合力強化(1016)；遠離器件基板移動離散組件接合工具同時離散組件保持接合至器件基板；及從離散組件接合工具釋放處置基板(1016)。
在某些實施方案中，若使用除ACP接合外之黏附方法，則需要客製化位點製備機制及/或程序(1014)以適應新材料。
處置件輔助封裝程序如圖25中所展示，一處置件輔助封裝程序1300使得能夠使用一處置基板以一覆晶組態封裝一超薄離散組件。獲得或製造承載大量離散組件之一晶圓(1302)。
程序1300中之晶圓製備包含晶圓薄化、處置件附接及切割。晶圓例如經薄化至小於50 μm之一厚度，諸如約25 μm之一厚度。例如，可使用一機械薄化程序或使用一機械薄化程序接著使用一無接觸薄化程序將晶圓薄化(1304)。將超薄晶圓安裝至一處置基板(1306)。在圖25之實例中，經由一20 μm厚之處置釋放層將晶圓之背面接合至一350 μm厚之處置基板，從而曝露晶圓之作用層。在一些實例中，晶圓之作用層可接合至處置基板，從而曝露晶圓之背面。
晶圓及處置基板之總成黏附至一切割帶且切割成個別離散組件。例如，晶圓及處置基板之總成可藉由機械鋸切(1308)接著雷射隱形切割(1309)或兩者而予以切割以形成附接至處置基板之一經切割部分之離散組件。吾人有時將處置基板之一經切割部分上之離散組件稱為處置總成。
通常，晶圓形成(1302)及藉由接觸或無接觸材料移除程序實現之晶圓薄化(1304)通常類似於別處所描述之程序。然而，在某些情況下，個別離散組件之單件化及處置基板之定大小(1308、1309)係略流線型的。例如，參考圖26，沿處置基板施加包含一第二表面306及一第一表面304之處置釋放層305，其中一熱或UV釋放層曝露於超薄晶圓之背面且壓力敏感層附接至處置基板(1306)。在此情況下，處置基板308之長度及寬度可等於超薄離散組件30之尺寸。照此，可同時將處置基板及晶圓切割成個別處置總成300 (1308)。
程序1300中之組件傳送包含製備器件基板以附接離散組件(1310)及使用一拾放方法將處置總成傳送至經製備之器件基板上(1312)。亦參考圖26，在一拾放方法中，處置總成300使用一離散組件接合工具612而予以拾取且定位於器件基板614上方以對準離散組件30與器件基板614上之附接黏附劑618。移動離散組件使其與器件基板614上之附接黏附劑618接觸。
程序1300中之組件互連及處置件移除包含發射能量使得離散組件30與處置基板618之間的接合力弱化而離散組件30與器件基板614之間的接合力強化(1312)。遠離器件基板614移動離散組件接合工具612同時離散組件30保持接合至器件基板614。從離散組件接合工具612釋放處置基板618 (1312)。
正如其他覆晶組態，使用導電材料1106將離散組件附接至器件基板618。
雷射啟用封裝程序參考圖27，一雷射啟用封裝程序150使得能夠在不使用一處置基板之情況下封裝一超薄、超小離散組件。製造或獲得承載大量離散組件之一晶圓(152)。
程序150中之晶圓處理可視需要包含晶圓薄化(未展示)。使用諸如上文所描述之方法之方法將晶圓(其可經薄化)黏附至一切割帶且切割成個別離散組件(154)。在一些實例中，在使晶圓薄化內實行程序150。
程序150中之晶圓傳送(155)可包含例如在一真空輔助傳送中將經切割之離散組件從切割帶傳送至一透明載體，諸如一玻璃載體。此傳送使得程序150能夠用於覆晶組裝。亦可在程序150中使用用來切割及晶圓傳送之其他方法。
程序150中之組件傳送包含使用上文所描述之雷射輔助無接觸傳送方法從透明載體釋放離散組件(156)。將離散組件傳送至上面形成有附接元件之一器件基板。離散組件互連(158)藉由施加壓力、溫度或紫外光來執行，如上文所描述。處置件移除不是必需的，此係因為程序150不使用一處置基板。
程序150可具有優點。例如，使用雷射輔助無接觸傳送方法來執行組件傳送允許該程序應用於大範圍大小及類型之組件之傳送，諸如對於一拾放方法而言過小之組件或不適合安裝於一處置基板上之組件。程序150可在高於其他非雷射輔助程序之一處理量下操作，此係因為雷射可經電掃描以迅速地傳送連續離散組件而需較少或無需透明載體之重新對準。
直接雷射啟用封裝程序參考圖28，一雷射啟用封裝程序(160)使得能夠在不使用一處置基板之情況下封裝一超小離散組件。製造或獲得承載大量離散組件之一晶圓(162)。
程序160中之晶圓處理可視需要包含晶圓薄化(未展示)。使用諸如上文所描述之方法之方法將晶圓(其可經薄化)黏附至上面安置有一動態釋放層之一透明載體(諸如一玻璃載體)且切割(166)成個別離散組件同時黏附至該透明載體。儘管晶圓被展示為黏附至透明載體上之一UV釋放黏附材料，但晶圓亦可黏附至無UV釋放材料之動態釋放層。
由於晶圓及處置基板之總成經引導黏附至透明載體(而非一切割帶)以用於切割，故可避開晶圓傳送程序。亦可在程序160中使用用來晶圓傳送及切割之其他方法。
程序160中之組件傳送包含使用上文所描述之雷射輔助無接觸傳送方法從透明載體釋放離散組件(168)。將離散組件傳送至上面形成有附接元件之一器件基板。離散組件互連(170)藉由施加壓力、溫度或紫外光來執行，如上文所描述。處置件移除不是必需的，此係因為程序160不使用一處置基板。
在程序160中，使用雷射輔助無接觸傳送方法來執行組件傳送允許該程序應用於大範圍大小及類型之組件之傳送，諸如對於一拾放方法而言過小之組件或不適合安裝於一處置基板上之組件。
程序160可具有優點。例如，程序160因消除經切割之晶圓傳送步驟而相對於其他雷射輔助程序具有一簡化程序流程。程序良率可因為不存在於傳送經切割之離散組件期間損失晶粒之機會而予以改良。此外，在傳送經切割之離散組件期間晶粒相對於其等在晶圓中之原始位置之偏移或旋轉之可能性因為晶圓作為一完整單元進行傳送而予以消除。
雷射啟用、處置件輔助封裝程序參考圖29，一雷射啟用、處置輔助封裝程序180使得能夠使用一處置基板封裝超薄離散組件。製造或獲得承載大量離散組件之一晶圓(182)。
程序180中之晶圓製備包含晶圓薄化、處置件附接及切割。使用上文所描述之晶圓薄化方法之一或多者將晶圓例如薄化(184)至小於50 μm之一厚度。在圖29之實例中，使用背面研磨、乾式蝕刻或化學機械拋光及一支撐基板之使用之一組合將晶圓薄化至小於約25 μm之一厚度。將一處置基板附接至經薄化晶圓(186)。在圖29之實例中，經由一20 μm厚之處置釋放層將晶圓之背面接合至一350 μm厚之處置基板，從而曝露晶圓之作用層。在一些實例中，可將晶圓之作用層接合至處置基板，從而曝露晶圓之背面。將晶圓及處置基板之總成黏附至一切割帶且切割成個別離散組件。例如，晶圓及處置基板之總成可藉由機械鋸切(188)而予以直接切割且藉由雷射微加工(有時稱為雷射隱形切割)予以間接切割(190)，以形成附接至處置基板(吾人將其統稱為處置總成)之一經切割部分之離散組件。亦可使用用來切割晶圓及處置基板之總成之其他方法，諸如上文所描述之方法。
程序180中之晶圓傳送包含將處置總成從切割帶傳送至一透明載體(192)，諸如一玻璃載體。例如，藉由從一真空夾盤提供之吸力，從切割帶移除黏附至切割帶之處置總成。使在上面安置有一動態釋放層之一透明載體(諸如一玻璃載體)與吸入至真空夾盤上之處置總成接觸，從而致使處置總成傳送至該載體。移除吸力且取走真空夾盤。亦可在程序180中使用用來切割及晶圓傳送之其他方法。
程序180中之組件傳送包含例如使用上文所描述之雷射輔助無接觸傳送方法從透明載體釋放處置總成(194)。將處置總成傳送至上面形成有附接元件之一器件基板。離散組件互連(196)及處置件移除(198)藉由施加壓力、溫度或紫外光來執行，如上文所描述。
在程序180中，使用雷射輔助無接觸傳送方法來執行組件傳送允許該程序應用於大範圍大小及類型之組件之傳送，諸如對於一拾放方法而言過小或過薄之組件。
在程序180中，使用雷射輔助無接觸傳送方法來傳送處置總成而非僅離散組件。由於經傳送物品之質量與雷射輔助無接觸傳送方法之傳送精度相關，故處置總成而非僅離散組件之傳送使得能夠將處置總成更準確地定位於器件基板上。
在程序180中，執行離散組件互連，同時仍將離散組件附接至處置基板之相關聯部分。在離散組件互連期間於使器件基板上之附接元件固化期間(例如，在一傳導環氧樹脂固化期間)，一離散組件及一處置基板之厚總成比未安裝於一處置基板上之一離散組件較不易於破裂。
程序180可具有優點。例如，組件傳送準確度可予以改良。此外，可使用程序180來傳送可難以依其他方式操控之超薄晶片。
直接雷射啟用、處置輔助封裝程序參考圖30，一雷射啟用、處置件輔助封裝程序250使得能夠封裝超薄離散組件。製造或獲得承載大量離散組件之一晶圓(252)。
程序250中之晶圓製備包含晶圓薄化、處置件附接及切割。使用上文所描述之晶圓薄化方法之一或多者將晶圓薄化(254)至小於50 μm之一厚度。在圖30之實例中，使用背面研磨、乾式蝕刻或化學機械拋光及3M Wafer Support System®之使用之一組合將晶圓薄化至約25 μm之一厚度。將經薄化晶圓安裝至一處置基板上以形成一處置總成(256)。在圖30之實例中，可經由一20 μm厚之處置釋放層將晶圓之背面接合至一350 μm厚之處置基板，從而曝露晶圓之作用層。在一些實例中，可將晶圓之作用層接合至處置基板，從而曝露晶圓之背面。
在一些實例中，部分地預先切割晶圓(258)，同時晶圓仍將附接至一切割帶且接著傳送至一透明載體(260)以進行完全切割(262)。在一些實例中，將晶圓及處置基板之總成黏附至在上面安置有一動態釋放層之一透明載體(258)，諸如一玻璃載體，且使用諸如上文所描述之方法之方法切割(259)成個別離散組件。由於晶圓及處置基板之總成經引導黏附至該透明載體(而非一切割帶)以用於切割，故可避開晶圓傳送程序。亦可在程序250中應用用來晶圓傳送及切割之其他方法。
程序250中之組件傳送包含使用上文所描述之雷射輔助無接觸傳送方法從透明載體釋放離散組件(264)。將離散組件傳送至上面形成有附接元件之一器件基板。離散組件互連(266)及處置件移除(268)藉由施加壓力、溫度或紫外光來執行，如上文所描述。
在程序250中，使用雷射輔助無接觸傳送方法來執行組件傳送允許該程序應用於大範圍大小及類型之組件之傳送，諸如對於一拾放方法而言過薄之組件。
程序250可具有優點。例如，程序250因消除經切割之晶圓傳送步驟而相對於其他雷射輔助程序具有一簡化程序流程。程序良率可因為不存在於傳送經切割之離散組件期間損失晶粒之機會而予以改良。此外，在傳送經切割之離散組件期間晶粒相對於其等在晶圓中之原始位置之偏移或旋轉之可能性因為晶圓作為一完整單元進行傳送而予以消除。
如圖31中所展示，用於封裝一離散組件之程序(如上文所描述)可被修改為如在用於將一離散組件1501附接至一器件基板1502之一程序1500中所繪示般。例如，首先製備器件基板1502 (1310)，以藉由在其中待附接離散位置之器件基板1502之一位置1515處透過一施配管1507將一定量之黏附劑1505施配至器件基板表面1509(包含導體1511)上而附接至離散組件1501。
接著，程序1500通常可包含藉由透過一離散組件傳送工具1508之一真空管1516施加一真空1513來拾取(1502)處置總成1552 (其包含離散組件1501、處置基板108、處置釋放層105)。接著，將該傳送工具與該處置總成定位於該器件基板之位置1515上方(亦如圖25及圖26中所展示)，對準離散組件與器件基板1502上之附接黏附劑(圖18中之614)。接著，移動離散組件使其與器件基板1502上之附接黏附劑1505 (圖18中之618)接觸。
在離散組件接觸器件基板1502上之附接黏附劑1505之後(圖18中之618) (在該時刻其可或可不處於一略流體狀態)，真空管中之真空可經破壞以從處置件釋放傳送工具1508且可移開該傳送工具。接著，可移動一單獨離散組件接合工具1510使其與離散組件接觸。接著，可透過接合工具1510之一接觸表面1519將壓力1550或能量1551 (例如，熱或UV能量)或兩者施加1517於離散組件1501、處置基板108、處置釋放層105至處置件中，並且亦透過處置件至接合劑1521，透過該接合劑至離散組件1501，且透過離散組件1501至接合劑1523與器件基板。壓力或能量或兩者可同時地或循序地致使離散組件與處置基板之間的接合劑1521弱化且致使離散組件與器件基板之間的接合劑1523強化(1504)。在施加壓力時，壓力可起作用以同時弱化接合劑1521且強化接合劑1523。在施加能量時，在一些情況下，能量必須流經系統之連續元件使得接合劑1521之弱化可在接合劑1523之強化開始或完成之前開始或完成，或弱化及強化可循序地發生。
在一些情況下，處置釋放層105及附接黏附劑經選擇使得離散組件1501與器件基板1502之間的接合劑1523在接合劑1521形成於處置與離散組件1501之間之前形成，或接合劑1523及接合劑1521之形成可在時間上與完全重疊同時發生，或該形成可與接合劑1523或接合劑1521部分地重疊、部分早於或遲於重疊週期而發生。接合劑1523或接合劑1521之形成可包含一材料之一硬化或軟化，例如，一蠟材料。例如，在一些情況下，處置釋放層105、附接黏附劑1505或處置釋放層105及附接黏附劑1505兩者可包含回應於一能量施加而軟化或硬化之一或多種材料。在此情況下，接合劑1523之軟化可在接合劑1521之硬化之前發生，或接合劑1523之軟化可在接合劑1521之硬化之後發生，或兩個事件可在時間上與完全重疊同時發生，或其等可重疊但一者或另一者部分地早於或遲於重疊週期而發生。
一旦在諸進展之後弱化及強化至適當程度，隨即可移除離散組件接合工具1510，從而留下處置總成(包含離散組件1501、處置基板108、處置釋放層105)與接合至器件基板1502之離散組件接觸。雖然未接合至離散組件(由於接合劑1523弱化)，但處置件例如歸因於重力、表面吸引力、或在去接合程序之後留有之殘餘黏附力、或此等力之兩者或更多者之一組合而保持與離散組件接觸。接著，可使用各種分開技術之任何一種(例如，刷塗、壓縮空氣、真空、振動、液體噴射、使器件基板再定向使得重力分開處置與離散組件之靜電、電磁力或該等技術之兩個或更多者之任何組合)從離散組件移除(1506)處置基板。一般而言，考量用來分開處置基板與離散組件(只要不破壞離散組件及/或處置基板)之各種分開技術，例如，施加力、能量、接觸或此等之兩者或更多者之任何組合之技術。
在一些實例中，離散傳送工具1508可經組態以將一真空力施加於處置總成，其類似於使用圖18中之離散組件傳送工具612。在一些實例中，離散傳送工具1508可經組態以將壓力、熱、或UV光、或其等之一組合施加於處置總成，其類似於使用圖18中之離散組件傳送工具602。
儘管圖31展示一個處置總成之移除；但可使用相同分開技術以同時移除兩個或更多個處置總成。例如，可將多個處置基板配置成彼此近接，使得一刷子、一刀片、壓縮空氣之一施加、一真空之一施加、一振動力之一施加、或其等之兩者或更多者之任何組合可從其等對應離散組件移除兩個或更多個處置總成。
在一些實例中，可使用從具有規則厚度之個別離散組件開始而非從一晶圓開始之本文所描述程序之一或多者以將薄離散組件定位至一器件基板上。可使用從個別離散組件開始之程序以將多個不同離散組件放置於單個器件基板上。可使用拾放方法或雷射輔助無接觸傳送方法以將個別離散組件定位於器件基板中之目標位置中。在一些實例中，器件基板可保持靜止且各離散組件可相對於器件基板移動直至到達其目標位置為止。在一些實例中，器件基板可相對於離散組件移動直至一特定離散組件之目標位置定位於該離散組件下方為止。將多個不同離散組件放置於單個器件基板上之能力可應用於研究與開發中，例如以便促進多種類型之離散組件之測試。
參考圖32，在一程序450中，經由一處置釋放層456將個別離散組件452收納並安裝(440)於一第一處置基板454上。可藉由一拾放方法或用於定位離散組件之另一方法將離散組件452安裝至第一處置基板454上。離散組件可具有與一拾放方法相容之各種大小及厚度。
使上面安置有一處置釋放層458及可流動材料460之一層之一第二處置基板456與第一處置基板454上之離散組件452接觸(441)。吾人廣泛地使用術語「可流動材料」以包含例如具有使得可流動材料能夠回應於一刺激物(諸如在使第二處置基板456與第一處置基板454上之離散組件452接觸時施加之壓力及真空層壓)而流動之一黏度之任何材料。例示性可流動材料可包含回應於施加一刺激物(諸如熱或光(例如，紫外光))而經歷從液體至固體之一相變之材料。例如，可流動材料可包含正性光阻劑(例如，德國，達姆施塔特市，默克公司之AZ電子材料之AZ® 40XT)、負性光阻劑(例如，馬薩諸塞州，牛頓之MicroChem Corp之SU-8)、可熱固化熱固性聚醯亞胺或其他材料。施加(442)一刺激物以使可流動材料固化，使可流動材料凝固於離散組件452周圍。在一些實例中，可流動材料460係一光阻劑，第二處置基板456係一透明基板(例如，玻璃或一透明塑膠)且該刺激物係足以使光阻劑固化之光或熱。移除(443)第二處置基板456，例如使用上文所描述之方法之一或多種使離散組件452薄化至所要厚度(444)，且藉由濕式或乾式蝕刻移除(445)經固化之可流動材料460。
將經薄化離散組件452安裝(446)至塗佈有一處置釋放層464之一第三處置基板462。釋放(447)第一處置基板454上之處置釋放層456，因此使離散組件與第一處置基板454去接合。在清潔之後，第三處置基板462上之離散組件452可進入上文所描述之處置輔助程序之任何一者之晶圓傳送程序步驟處(448)。
可在離散組件452面朝下安裝於第一處置基板454時使用程序450。在面朝上組裝之情況下，省略步驟447及447，且第一處置晶圓454充當用於如上文所描述之後續處置件輔助離散組件組裝之處置晶圓。
在一些實例中，可使用本文所描述之程序之一或多者以組裝三維積體電路(有時稱為堆疊式晶片)。藉由堆疊及垂直地連接離散組件(諸如積體電路)製造堆疊式晶片，使得堆疊式離散組件一起充當單個器件。堆疊式晶片可有助於增大電路密度，因此增強計算功率或記憶。
| 程序 | 晶圓製備 | 晶圓傳送 | 組件傳送 | 組件互連 | 處置 件 移除 |
| 處置 件 輔助封裝 (900) | 晶圓薄化；處置件附接；在切割帶上切割 | 至晶粒載體(選用) | 拾放 | 附接元件之固化 | 處置件拆卸及移除 |
| 雷射啟用封裝 (150) | 晶圓薄化；在切割帶上切割 | 至透明載體 | 雷射輔助無接觸傳送 | 附接元件之固化 | 不適用 |
| 直接雷射啟用封裝 (160) | 晶圓薄化；在透明載體上切割 | 不適用 | 雷射輔助無接觸傳送 | 附接元件之固化 | 不適用 |
| 雷射啟用、處置件輔助封裝 (180) | 晶圓薄化；處置件附接；在切割帶上切割 | 至透明載體 | 雷射輔助無接觸傳送 | 附接元件之固化 | 處置件拆卸及移除 |
| 直接雷射啟用、處置件輔助封裝 (250) | 晶圓薄化；處置件附接；在透明載體上切割 | 不適用 | 雷射輔助無接觸傳送 | 附接元件之固化 | 處置件拆卸及移除 |
| 處置件輔助超小晶片組裝 (350 、 380) | 晶圓薄化；在切割帶及透明載體上切割 | 不適用 | 至處置件上之雷射輔助無接觸傳送；拾放 | 附接元件之固化 | 處置件拆卸及移除 |
10:離散組件
12:器件基板
14:附接元件
30:離散組件
100:處置總成/處置基板總成
101:處置總成
102:作用面/作用離散組件面
103:處置總成
104:第一表面/層/紫外(UV)可釋放層
104a:第一表面
105:處置釋放層
105a:處置釋放層
106:第二表面
106a:第二表面
108:處置基板
108a:極大處置基板
150:雷射啟用封裝程序
152:步驟
154:步驟
155:步驟
156:步驟
158:步驟
160:雷射啟用封裝程序
162:步驟
166:步驟
168:步驟
170:步驟
180:處置件輔助封裝程序
182:步驟
184:步驟
186:步驟
188:步驟
190:步驟
192:步驟
194:步驟
196:步驟
198:步驟
250:直接雷射啟用、處置件輔助封裝程序
252:步驟
254:步驟
256:步驟
258:步驟
260:步驟
262:步驟
264:步驟
266:步驟
268:步驟
300:晶圓
302:支撐基板
304:第一表面
305:處置釋放層
306:第二表面
308:處置基板
310:作用層
320:晶圓傳送方法
370:晶圓傳送方法
372:步驟
374:具有可控制黏附力之材料
376:步驟
400:晶圓處置總成
410:程序
412:步驟
412:步驟
414:步驟
416:步驟
418:步驟
420:步驟
422:步驟
424:步驟
426:步驟
428:步驟
430:步驟
440:步驟
441:步驟
442:步驟
443:步驟
444:步驟
445:步驟
446:步驟
447:步驟
448:步驟
450:程序
452:離散組件
454:第一處置基板
456:第二處置基板
458:處置釋放層
460:可流動材料
462:第三處置基板
464:處置釋放層
500:處置總成
501:晶圓傳送方法
502:刀片/距離
504:雷射光束
506:切割帶
508:紫外光/距離
510:真空夾盤/極大處置總成
512:方向/材料/熱釋放帶
550:晶圓傳送方法
552:步驟
554:步驟
556:步驟
570:晶圓傳送方法
572:步驟
574:步驟
576:步驟
578:步驟
580:具有可控制黏附力之材料
582:步驟
600:透明載體
602:真空夾盤
604:動態釋放層(DRL)
610:傳送
612:離散組件接合工具
614:器件基板
618:黏附表面
620:方向
700:拾放方法
702:工具
704:器件基板
708:附接表面
710:方向
720:程序
722:步驟
724:步驟
726:步驟
728:步驟
730:步驟
732:步驟
734:步驟
736:步驟
738:步驟
800:雷射輔助無接觸傳送方法/熱機械選擇性雷射輔助晶粒傳送(tmSLADT)程序
802:黏附層
804:光/雷射光
806:氣泡
810:極大處置總成
812:距離
815:處置釋放層
818:臨時基板處置
822:方向
900:處置件輔助封裝程序
1000:程序
1002:步驟
1004:步驟
1006:步驟
1008:步驟
1010:步驟
1012:步驟
1014:步驟
1016:步驟
1106:導電材料
1202:距離
1204:方向
1300:處置件輔助封裝程序
1302:步驟
1304:步驟
1306:步驟
1308:步驟
1309:步驟
1310:步驟
1312:步驟
1500:程序
1501:離散組件
1502:器件基板/步驟
1504:步驟
1505:附接黏附劑
1506:步驟
1507:施配管
1508:離散組件傳送工具
1509:器件基板表面
1510:離散組件接合工具
1511:導體
1513:真空
1515:位置
1516:真空管
1517:步驟
1519:接觸表面
1521:接合劑
1523:接合劑
1550:壓力
1551:能量
1552:處置總成
圖1A及圖1B係一器件基板上之一離散組件之圖。
圖2係包含一超小且超薄之裸離散組件及一處置基板之一處置總成之一示意側視圖。
圖3係包含一超小且超薄之裸離散組件及一處置基板之一處置總成之一示意側視圖。
圖4係包含一超薄之裸離散組件及一處置基板之一處置總成之一示意側視圖。
圖5係一流程圖。
圖6A及圖6B係晶圓薄化之圖。
圖7係安裝於一處置基板上之一超薄晶圓之一圖。
圖8A及圖8B係超薄晶圓切割之圖。
圖9至圖13係經切割之超薄晶圓傳送之圖。
圖14係一離散組件之一拾放總成之一圖。
圖15係用於傳送一超薄或超小或既超薄又超小之離散組件之一雷射輔助無接觸方法之一圖。
圖16係展示使用圖2之處置總成之一離散組件封裝程序之一實例之一示意視圖。該超小且超薄之裸離散組件之作用面背對器件基板。
圖17係一處置基板在與一離散組件附接之前的一示意側視圖。
圖18係傳送總成及器件基板總成之一示意側視圖。
圖19係展示使用圖2之處置總成之一離散組件封裝程序之另一實例之一示意視圖。該超小且超薄之裸離散組件之作用面背對器件基板。
圖20係一處置基板在與一離散組件附接之前的一示意側視圖。
圖21係一多處置基板總成之一示意側視圖。
圖22係展示使用圖3之處置總成之離散組件封裝程序之一實例之一示意視圖。該超小且超薄之裸離散組件之作用面面向器件基板。
圖23係一傳送總成及器件基板總成之一示意側視圖。
圖24係一處置基板在與一離散組件附接之前的一示意側視圖。
圖25係展示使用圖4之處置總成之一離散組件封裝程序之一實例之一示意視圖。該超薄之裸離散組件之作用面面向器件基板。
圖26係一傳送總成及器件基板總成之一示意側視圖。
圖27至圖30係程序之流程圖。
圖31係展示結合圖25之離散組件封裝程序使用之一程序之一實例之一示意視圖。
圖32係一程序之一流程圖。
10:離散組件
12:器件基板
14:附接元件
102:作用面/作用離散組件面
Claims (51)
- 一種放置超小或超薄之離散組件之裝置，其包括： 一總成，其附接至一透明第一基板，該總成包括可釋放地附接至一第二基板之一離散組件，該離散組件具有：（i）小於或等於50 μm之一厚度，（ii）每側具有小於或等於300 μm之一長度，或（iii）小於或等於50 μm之一厚度而且每側具有小於或等於300 μm之一長度。
- 如請求項1之裝置，其中該透明第一基板包括安置於該透明第一基板之一表面上之一動態釋放層，該動態釋放層安置於該透明第一基板與該總成之間，該動態釋放層經組態以機械地回應於一經施加之刺激物。
- 如請求項1之裝置，其中該第二基板包含形成於該第二基板之一表面上之一釋放層，該釋放層安置於該第二基板與該離散組件之間。
- 如請求項1之裝置，其中傳送該離散組件的陣列包括傳送該離散組件的陣列的每一個離散組件至該透明第一基板。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之裝置，其包括： 一總成，其附接至一透明第一基板，該總成包括可釋放地附接至一第二基板之一晶圓，多個離散組件形成於該晶圓上，該總成經組態使得(i)形成於該晶圓上之該等離散組件每側具有小於或等於300 μm之一長度或(ii)該晶圓具有小於或等於50 μm之一厚度或(iii)既係(i)又係(ii)。
- 如請求項5之裝置，其中該透明第一基板包括安置於該透明載體之一表面上之一動態釋放層，該動態釋放層安置於該透明第一基板與該總成之間，該動態釋放層經組態以機械地回應於一經施加之刺激物。
- 如請求項5之裝置，其中該第二基板包含形成於該第二基板之一表面上之一釋放層，該釋放層安置於該第二基板與該等離散組件之間。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之方法，其包括： 將一第一基板曝露於一第一刺激物，該第一基板與黏附至該第一基板之多個離散組件之間的一黏附力回應於該第一刺激物而減小； 將該等離散組件從該第一基板傳送至一第二基板； 將該第二基板曝露於一第二刺激物，該第一基板與該等離散組件之間的一黏附力回應於該第二刺激物而減小。
- 如請求項8之方法，其包括： 將一第一總成附接至該第一基板，該第一總成包括附接至一第三基板之一晶圓；及 切割附接至該第三基板之該第一總成以形成多個第二總成，各第二總成包括一離散組件及該第三基板之一對應部分。
- 如請求項8之方法，其包括將該等離散組件從該第三基板傳送至一透明第四基板。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之方法，其包括： 切割附接至安置於一透明第一基板上之一釋放層之一晶圓以形成多個離散組件； 將該釋放層曝露於一刺激物，該釋放層與該等離散組件之間的一黏附力回應於該刺激物而減小，其中在曝露於該刺激物之後該釋放層與該等離散組件之間的該黏附力足以致使該等離散組件黏附至該釋放層。
- 如請求項11之方法，其中該釋放層包括一黏附層及一動態釋放層，且其中曝露於該刺激物致使該黏附層之一黏附力減小。
- 如請求項12之方法，其包括將該釋放層曝露於一第二刺激物，該動態釋放層機械地回應於該第二刺激物，其中在將該釋放層曝露於該第二刺激物時，將該等離散組件之一或多者傳送至一第二基板。
- 如請求項11之方法，其中切割該晶圓包括切割一第一總成以形成多個第二總成，該第一總成包括附接至一第二基板之一晶圓，各第二總成包括該等離散組件之一者及該第二基板之一對應部分。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之方法，其包括： 藉由減小一釋放層與一離散組件之間的黏附力，從一臨時基板上的該釋放層釋放該離散組件，該減小包括施加一刺激物以致使該釋放層中之自一第一狀態至一第二狀態之一狀態變更，該狀態變更包括該釋放層之一表面形態之一變更。
- 如請求項15之方法，其中致使一狀態變更包括致使該釋放層之至少一部分之一相變，該相變包括從固體至液體之一轉變或從固體至氣體之一轉變或兩者。
- 如請求項15之方法，其中致使一狀態變更包括致使該釋放層之至少一部分之一化學結構或一化學組合物或兩者之一變更。
- 如請求項15之方法，該離散組件之該釋放包括：釋放該離散組件而不會繼該釋放之後在該離散組件上留下來自該釋放層之一殘餘物。
- 一種放置離散組件之方法，其包括： 藉由引起一釋放層的表面形態之一變更來從一臨時基板之一釋放層釋放一離散組件及沈積該離散組件至一第一基板，該釋放層在該釋放之前具有小於20 µm之一厚度。
- 如請求項19之方法，其中該釋放層包括附接至該臨時基板之一第一層及經定向用於離散組件沈積之一第二層，該第一層平行於該第二層。
- 如請求項20之方法，其中該第二層係熱敏感的，且其中該第二層之該熱敏感度致使一黏附強度回應於熱能之一施加而減小。
- 如請求項20之方法，其中該第二層係UV敏感的，且其中該UV光敏感度致使黏附強度回應於UV光之一施加而減小。
- 如請求項19之方法，其進一步包括： 將該離散組件傳送於該第一基板上以接觸一第二基板；及 從該第一基板釋放該離散組件以將該離散組件沈積至該第二基板上，其包括將該離散組件接合至該第二基板。
- 如請求項23之方法，其中在從該第一基板釋放該離散組件時該第一基板保持與該離散組件接觸，且其中該方法包括從該離散組件移除該第一基板。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之裝置，其包括： 一離散組件，其經由一釋放層附接至一臨時基板，該釋放層經組態以回應於一經施加之刺激物而經歷自一第一狀態至一第二狀態之一狀態變更，其中當該釋放層在該第一狀態時，該釋放層對該離散組件具有一第一黏附力，以及當該釋放層在該第二狀態時，該釋放層對該離散組件具有比該第一黏附力還低的一第二黏附力。
- 如請求項25之裝置，其中該狀態變更包括： 自一第一狀態至一第二狀態之一相變。
- 如請求項25之裝置，其中該第二黏附力足以使該離散組件黏附至該釋放層。
- 如請求項25之裝置，其中該釋放層經組態以回應於一第二經施加之刺激物而經歷自一第二狀態至一第三狀態之一狀態變更，其中該第二經施加之刺激物使該離散組件自該釋放層釋放。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之裝置，其包括： 一基板；及 安置於該基板之一表面上之一釋放層，該釋放層經組態以回應於一經施加之刺激物而經歷自一第一狀態至一第二狀態之一狀態變更， 其中該釋放層之一表面經組態以自該釋放層係在該第一狀態中時對一離散組件具有一第一黏附力變更為在該釋放層係在該第二狀態中時對該離散組件具有一第二黏附力，該第二黏附力低於該第一黏附力而且使得該離散組件被釋放。
- 如請求項29之裝置，其中該狀態變更包括表面形態之一變更。
- 如請求項29之裝置，其中該狀態變發生於鄰接該基板之該釋放層之一層中。
- 如請求項29之裝置，其中該狀態變更包括自一第一狀態至一第二狀態之一相變。
- 如請求項29之裝置，其中該狀態變更包括在化學結構中之一變更。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之裝置，其包括： 一基板；及 安置於該基板上之一釋放層，該釋放層經組態以具有一第一黏附力，其足以使得一離散組件能夠黏附至該釋放層， 其中當施加一第一刺激物至該釋放層時，該釋放層經組態以經歷自該第一黏附力至一第二黏附力之黏附力中之一減少，該第二黏附力足以保持該離散組件黏附至該釋放層。
- 如請求項34之裝置，其中具有該第二黏附力之該釋放層經組態以回應於一第二刺激物之施加而經歷自一第一狀態至一第二狀態之狀態中之一變更，該第二狀態係能夠使該離散組件被釋放的一狀態。
- 如請求項35之裝置，其中當施加該第一刺激物至該釋放層時，該釋放層之一第一層經組態以經歷黏附力之減少，且當施加該第二刺激物至該釋放層時，該釋放層之一第二層經組態以經歷自該第一狀態至該第二狀態之該變更。
- 如請求項36之裝置，其中該第二層係安置於該第一層與該基板之間。
- 如請求項35之裝置，其中狀態中之該變更包括一表面形態中之一變更。
- 如請求項34之裝置，其包括黏附至該釋放層之該離散組件，其中具有該第二黏附力之該釋放層經組態以回應於該第二刺激物之施加而經歷自一第一狀態至一第二狀態之狀態中之一變更，該第二狀態係使得該離散組件能夠被釋放之一狀態。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之裝置，其包括： 一可控制黏附材料，其經組態以於一基板上形成一薄膜，該可控制黏附材料經組態以回應於一刺激物之施加而經歷自一第一黏附力至一第二黏附力之黏附力中之一減少，該第一黏附力及該第二黏附力二者足以使得一離散組件黏附至該可控制黏附材料之該薄膜。
- 如請求項40之裝置，其中具有該第二黏附力之該可控制黏附材料經組態以回應於第二刺激物之施加而經歷自一第一狀態至一第二狀態之狀態中之一變更，該第二狀態係使得該離散組件能夠自該可控制黏附材料之該薄膜被釋放之一狀態。
- 如請求項41之裝置，其中狀態中之該變更包括一表面形態中之一變更。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之裝置，其包括： 一基板；及 安置於該基板上之一釋放層，該釋放層包括一第一層及一第二層，該第二層安置於該第一層與該基板之間，且該第一層具有足以使得一離散組件能夠黏附至該釋放層之一第一黏附力， 其中當施加一第一刺激物至該釋放層時，該釋放層之該第一層經組態以經歷自該第一黏附力至一第二黏附力之黏附力中之一減少，該第二黏附力足以保持該離散組件黏附至該釋放層，及 其中當施加一第二刺激物至該釋放層時，該釋放層之該第二層經組態以經歷自一第一狀態至一第二狀態之一狀態變更，該第二狀態使得該離散組件能夠自該釋放層被釋放，該狀態變更包括一表面形態變更、一相變、化學結構之一變更、及化學組合物之一變更中之一或多者。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之方法，其包括： 切割附接至安置在一透明載體上之一釋放層之一晶圓以形成多個離散組件，該釋放層包括一黏附層及一動態釋放層；及 將該釋放層曝露至一刺激物，該動態釋放層機械地回應於該刺激物，使得該釋放層的黏附力降低以回應該刺激物，其中在將該釋放層曝露於該刺激物時，將該等離散組件之一或多者傳送至一第一基板。
- 如請求項44之方法，其中該釋放層藉由進行一表面形態中之一變更來回應該刺激物。
- 如請求項44之方法，其中該釋放層藉由進行一相變來回應該刺激物。
- 如請求項44之方法，其中該釋放層藉由進行一化學結構中之一變更來回應該刺激物。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之裝置，其包括： 一可控制黏附材料，其經組態以於一基板上形成一薄膜，該可控制黏附材料經組態以回應於一刺激物之施加而經歷自一第一狀態至一第二狀態之狀態中之一變更，其中當該可控制黏附材料在該第一狀態時，該薄膜的一表面具有一第一黏附力，以及當該可控制黏附材料在該第二狀態時，該薄膜的該表面具有一第二黏附力，該第二黏附力低於該第一黏附力，使得黏附於可控制黏附材料的一離散組件能夠自該薄膜被釋放。
- 如請求項48之裝置，其中該可控制黏附材料之該狀態變包括該可控制黏附材料之相變。
- 如請求項48之裝置，其中該可控制黏附材料之該狀態變包括該可控制黏附材料之化學結構中之一變更。
- 一種放置超小或超薄之離散組件之裝置，其包括： 一基板；及 安置於該基板上之一釋放層，該釋放層包括一第一層及一第二層，該第二層安置於該第一層與該基板之間，且該第一層具有足以使得一離散組件能夠黏附至該釋放層之一第一黏附力， 其中當施加一刺激物至該釋放層時，該釋放層之該第二層經組態以經歷自一第一狀態至一第二狀態之一狀態變更，該第二狀態使得該離散組件能夠自該釋放層被釋放，該狀態變更包括一表面形態變更、一相變、化學結構之一變更、及化學組合物之一變更中之一或多者。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662279143P | 2016-01-15 | 2016-01-15 | |
| US62/279,143 | 2016-01-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202308015A true TW202308015A (zh) | 2023-02-16 |
Family
ID=59311412
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105102254A TWI783910B (zh) | 2016-01-15 | 2016-01-25 | 放置超小或超薄之離散組件 |
| TW111124992A TW202308015A (zh) | 2016-01-15 | 2016-01-25 | 放置超小或超薄之離散組件 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105102254A TWI783910B (zh) | 2016-01-15 | 2016-01-25 | 放置超小或超薄之離散組件 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10748802B2 (zh) |
| EP (2) | EP4360877A2 (zh) |
| JP (3) | JP6759343B2 (zh) |
| KR (3) | KR102203790B1 (zh) |
| CN (2) | CN108778737B (zh) |
| TW (2) | TWI783910B (zh) |
| WO (1) | WO2017123780A1 (zh) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9929121B2 (en) * | 2015-08-31 | 2018-03-27 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Bonding machines for bonding semiconductor elements, methods of operating bonding machines, and techniques for improving UPH on such bonding machines |
| KR102445450B1 (ko) | 2017-06-12 | 2022-09-20 | 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. | 개별 부품들의 기판 상으로의 병렬적 조립 |
| US11201077B2 (en) | 2017-06-12 | 2021-12-14 | Kulicke & Soffa Netherlands B.V. | Parallel assembly of discrete components onto a substrate |
| DE102017130929A1 (de) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | RF360 Europe GmbH | Verfahren zum Produzieren einer funktionalen Dünnfilmschicht |
| CN109994413A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 南昌欧菲显示科技有限公司 | 微型元件巨量转移方法 |
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| DE102019112546B4 (de) | 2018-05-14 | 2023-09-28 | Epistar Corporation | Herstellungsverfahren für eine lichtemittierende Vorrichtung |
| EP3806157A4 (en) * | 2018-05-31 | 2022-07-06 | Institute of Flexible Electronics Technology of Thu, Zhejiang | TRANSITION DEVICE FOR FLEXIBLE DEVICE AND METHOD FOR PREPARING IT, AND METHOD FOR MANUFACTURING FOR FLEXIBLE DEVICE |
| US10818551B2 (en) * | 2019-01-09 | 2020-10-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Plasma die singulation systems and related methods |
| TW202039261A (zh) * | 2019-02-15 | 2020-11-01 | 美商優尼卡塔股份有限公司 | 用於組裝離散組件之動態剝離帶 |
| KR20210004324A (ko) | 2019-07-04 | 2021-01-13 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 led 디스플레이 모듈 및 이를 제조하는 방법 |
| DE102019120955B8 (de) * | 2019-08-02 | 2021-03-18 | Asm Amicra Microtechnologies Gmbh | Bondtool, Bondvorrichtung und Bondverfahren |
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| EP4078662A4 (en) * | 2019-12-17 | 2024-05-29 | Kulicke & Soffa Netherlands B V | ADHESIVE STRIPS FOR RECEIVING DISCREET COMPONENTS |
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| WO2022063431A1 (en) | 2020-09-22 | 2022-03-31 | Kulicke & Soffa Netherlands B.V. | Reusable die catch materials, reusable die release materials, related die transfer systems, and methods of using the same |
| JP6978129B1 (ja) * | 2021-03-18 | 2021-12-08 | 株式会社写真化学 | デバイスチップの移載機構 |
| WO2023044308A1 (en) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Method of bonding thin substrates |
| US20230107245A1 (en) | 2021-10-01 | 2023-04-06 | Kulicke & Soffa Netherlands B.V. | Methods of transferring a die from a carrier to a receive substrate, and related systems and materials |
| US20230144598A1 (en) * | 2021-11-11 | 2023-05-11 | Terecircuits Corporation | Photochemical and thermal release layer processes and uses in device manufacturing |
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| JP2023144223A (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-11 | 東レエンジニアリング株式会社 | 転写装置および転写方法 |
| EP4358121A1 (en) * | 2022-10-18 | 2024-04-24 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Method and device for depositing components on a target surface of a target as well as donor plate for use therewith |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100853410B1 (ko) | 2001-04-11 | 2008-08-21 | 소니 가부시키가이샤 | 소자의 전사방법 및 이를 이용한 소자의 배열방법,화상표시장치의 제조방법 |
| JP4137471B2 (ja) | 2002-03-04 | 2008-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置 |
| WO2006105782A2 (de) * | 2005-04-08 | 2006-10-12 | Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur übertragung eines chips auf ein kontaktsubstrat |
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| EP2257608A1 (en) * | 2008-03-07 | 2010-12-08 | 3M Innovative Properties Company | Dicing tape and die attach adhesive with patterned backing |
| TWI472882B (zh) * | 2008-05-06 | 2015-02-11 | Novellus Systems Inc | 光阻剝離方法及設備 |
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| US20100072490A1 (en) * | 2008-09-24 | 2010-03-25 | Kerr Roger S | Low cost flexible display sheet |
| JP5888747B2 (ja) | 2010-09-09 | 2016-03-22 | 学校法人東北学院 | 特定ガス濃度センサ |
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-
2016
- 2016-01-25 TW TW105102254A patent/TWI783910B/zh active
- 2016-01-25 TW TW111124992A patent/TW202308015A/zh unknown
-
2017
- 2017-01-12 CN CN201780017238.7A patent/CN108778737B/zh active Active
- 2017-01-12 KR KR1020187023450A patent/KR102203790B1/ko active IP Right Grant
- 2017-01-12 EP EP23218338.4A patent/EP4360877A2/en active Pending
- 2017-01-12 JP JP2018536735A patent/JP6759343B2/ja active Active
- 2017-01-12 CN CN202111319183.XA patent/CN114188275A/zh active Pending
- 2017-01-12 EP EP17738950.9A patent/EP3402676B1/en active Active
- 2017-01-12 US US16/069,801 patent/US10748802B2/en active Active
- 2017-01-12 KR KR1020237025649A patent/KR20230118701A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-01-12 KR KR1020217000730A patent/KR102561688B1/ko active IP Right Grant
- 2017-01-12 WO PCT/US2017/013216 patent/WO2017123780A1/en active Application Filing
-
2020
- 2020-09-01 JP JP2020146643A patent/JP7390996B2/ja active Active
-
2022
- 2022-10-06 JP JP2022161795A patent/JP2023010701A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114188275A (zh) | 2022-03-15 |
| EP3402676A1 (en) | 2018-11-21 |
| JP7390996B2 (ja) | 2023-12-04 |
| CN108778737B (zh) | 2021-11-26 |
| TWI783910B (zh) | 2022-11-21 |
| US20190057891A1 (en) | 2019-02-21 |
| JP2020194980A (ja) | 2020-12-03 |
| EP4360877A2 (en) | 2024-05-01 |
| EP3402676A4 (en) | 2019-09-11 |
| EP3402676B1 (en) | 2023-12-20 |
| KR20180101541A (ko) | 2018-09-12 |
| CN108778737A (zh) | 2018-11-09 |
| KR20210007037A (ko) | 2021-01-19 |
| KR102561688B1 (ko) | 2023-07-31 |
| JP2023010701A (ja) | 2023-01-20 |
| TW201725642A (zh) | 2017-07-16 |
| JP6759343B2 (ja) | 2020-09-23 |
| JP2019503081A (ja) | 2019-01-31 |
| KR102203790B1 (ko) | 2021-01-18 |
| US10748802B2 (en) | 2020-08-18 |
| WO2017123780A1 (en) | 2017-07-20 |
| KR20230118701A (ko) | 2023-08-11 |
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