TW202244249A - 多孔質液晶聚合物片材及配線電路基板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種操作性優異且低反彈性優異之多孔質液晶聚合物片材及配線電路基板。 本發明之多孔質液晶聚合物片材1之孔隙率P為20%以上、90%以下。多孔質液晶聚合物片材1之厚度T為1 μm以上、240 μm以下。

Description

多孔質液晶聚合物片材及配線電路基板
本發明係關於一種多孔質液晶聚合物片材及配線電路基板。
已知有具備發泡液晶聚合物之天線基板(例如，參照下述專利文獻1)。於專利文獻1中，天線基板以經彎折之狀態組裝於天線裝置之殼體中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]WO2011/152538號
[發明所欲解決之問題]
就裝置之小型化之觀點而言，殼體之內部空間越來越狹小化。因此，要求上述天線基板具有優異之低反彈性。
然而，專利文獻1之天線基板存在不具有上述優異之低反彈性之不良情況。
另一方面，亦要求天線基板維持形狀，操作性優異。
本發明提供一種操作性優異且低反彈性優異之多孔質液晶聚合物片材及配線電路基板。 [解決問題之技術手段]
本發明(1)包含一種多孔質液晶聚合物片材，其孔隙率P為20%以上、90%以下，厚度T為1 μm以上、240 μm以下。
本發明(2)包含如(1)之多孔質液晶聚合物片材，其熔點為200℃以上。
本發明(3)包含如(1)或(2)之多孔質液晶聚合物片材，其於下述低反彈性試驗中之反彈力R為50[mN/mm]以下。
＜低反彈性試驗＞ 對上述多孔質液晶聚合物片材進行外形加工，加工成長30 mm、寬10 mm之尺寸，而製作樣品。將上述樣品彎折，使上述樣品之長度方向之兩端部靠近，上述兩端部之厚度方向之一面對向，上述兩端部之厚度方向之另一面間之距離成為3 mm。測定經彎折之上述多孔質液晶聚合物片材之對向方向之反彈力。
本發明(4)包含如(3)之多孔質液晶聚合物片材，其中上述反彈力R[mN/mm]、上述厚度T[μm]及上述孔隙率P[%]滿足下述式[1]。 R/(T/P)≦12.5                       [1]
本發明(5)包含如(1)至(4)中任一項之多孔質液晶聚合物片材，其於10 GHz下之介電常數為2.50以下。
本發明(6)包含一種配線電路基板，其具備如(1)至(5)中任一項之多孔質液晶聚合物片材作為絕緣層。 [發明之效果]
本發明之多孔質液晶聚合物片材及配線電路基板可維持薄片形狀，同時低反彈性優異。
本發明之多孔質液晶聚合物片材例如具有厚度，並且具有薄片形狀。薄片形狀包括膜狀。多孔質液晶聚合物片材沿面方向延伸。面方向與厚度方向正交。
多孔質液晶聚合物片材具有大量微細之孔隙(氣孔)。又，作為多孔質液晶聚合物片材之氣泡結構，例如可例舉：獨立氣泡結構、連續氣泡結構、及半獨立半連續氣泡結構。較佳為獨立氣泡結構。
＜多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P＞ 多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P為20%以上、90%以下。
若多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P未達20%，則即便多孔質液晶聚合物片材之厚度T處於後述範圍內，多孔質液晶聚合物片材之低反彈性亦會降低。
若多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P超過90%，則即便多孔質液晶聚合物片材之厚度T處於後述範圍內，多孔質液晶聚合物片材亦無法維持薄片形狀，操作性下降。
多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P較佳為27.5%以上，更佳為30%以上，進而較佳為45%以上，特佳為56%以上。又，多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P較佳為75%以下，更佳為65%以下，進而較佳為55%以下，特佳為50%以下。
多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P可藉由電子比重計求得。或者，亦可使用與多孔質液晶聚合物片材對應之無孔液晶聚合物膜，求得多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P。具體而言，測定多孔質液晶聚合物片材之比重G1、及無孔液晶聚合物片材之比重G0之各者，根據下式求得多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P。
P＝100×(1－G1/G0) P：多孔質液晶聚合物片材之孔隙率 G1：多孔質液晶聚合物片材之比重 G0：無孔液晶聚合物片材之比重
多孔質液晶聚合物片材中之氣孔之尺寸並無限定。又，氣孔可具有縱橫比，或不具有縱橫比。於氣孔具有縱橫比之情形時，最短長度例如為0.01 μm以上，較佳為0.1 μm以上，又，例如為2 μm以下，較佳為1 μm以下。最長長度例如為0.1 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為50 μm以下，較佳為25 μm以下。於氣孔不具有縱橫比之情形時，氣孔具有真球形狀。氣孔之上述尺寸係藉由剖面SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)照片之圖像解析進行測定。
＜多孔質液晶聚合物片材之厚度T＞ 多孔質液晶聚合物片材之厚度T為1 μm以上、240 μm以下。
若多孔質液晶聚合物片材之厚度T未達1 μm，則即便多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P處於上述範圍內，多孔質液晶聚合物片材亦無法維持薄片形狀，操作性下降。
若多孔質液晶聚合物片材之厚度T超過240 μm，則即便多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P處於上述範圍內，多孔質液晶聚合物片材之低反彈性亦下降。
多孔質液晶聚合物片材之厚度T較佳為10 μm以上，更佳為50 μm以上，進而較佳為100 μm以上，又，較佳為225 μm以下，更佳為未達200 μm，進而較佳為185 μm以下，特佳為175 μm以下。
多孔質液晶聚合物片材之厚度例如利用接觸式膜厚計進行測定。
＜多孔質液晶聚合物片材之其他物性＞
＜反彈力＞ 下述低反彈性試驗中多孔質液晶聚合物片材之反彈力例如為100 mN/mm以下，較佳為50 mN/mm以下，更佳為35 mN/mm以下，進而較佳為20 mN/mm以下，特佳為15 mN/mm以下，進而以10 mN/mm以下為宜。若反彈力為上述上限以下，則多孔質液晶聚合物片材之反彈力優異。
低反彈性試驗中多孔質液晶聚合物片材之反彈力之下限並無限定。低反彈性試驗中多孔質液晶聚合物片材之反彈力之下限例如為0.1 mN/mm，進而為1 mN/mm。
＜低反彈性試驗＞ 對多孔質液晶聚合物片材進行外形加工，加工成長30 mm、寬10 mm之尺寸，而製作樣品10。如圖1所示，將樣品10彎折，使樣品10之長度方向之兩端部11靠近，兩端部11之厚度方向之一面12對向，兩端部11之厚度方向之另一面13間之距離成為3 mm。於將樣品10彎折時，使兩塊板14之各者與厚度方向之另一面13之兩端部之各者接觸。兩塊板平行。測定經彎折之樣品10之對向方向之反彈力。
又，上述多孔質液晶聚合物片材之反彈力R[mN/mm]、多孔質液晶聚合物片材之厚度T[μm]及多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P[%]例如滿足下述式[1]，較佳為滿足下述式[2]，更佳為滿足下述式[3]。
R/(T/P)≦12.5                            [1] R/(T/P)≦10.0                            [2] R/(T/P)≦7.5                              [3]
R：多孔質液晶聚合物片材之反彈力[mN/mm] T：多孔質液晶聚合物片材之厚度[μm] P：多孔質液晶聚合物片材之孔隙率[%]
若滿足上述式，則多孔質液晶聚合物片材可維持其形狀，操作性優異，且低反彈性亦優異。
關於式[1]，用實線繪製R/(T/P)＝12.5之線段L1。於滿足式[1]之情形時，將R及T/P繪製於上述線段L1上、及位於其下側之區域中。
關於式[2]，用單點虛線繪製R/(T/P)＝10.0之線段L2。於滿足式[2]之情形時，將R及T/P繪製於上述線段L2上、及位於其下側之區域中。
關於式[3]，用兩點虛線繪製R/(T/P)＝7.5之線段L3。於滿足式[3]之情形時，將R及T/P繪製於上述線段L3上、及位於其下側之區域中。
＜第2低反彈性試驗＞ 又，多孔質液晶聚合物片材於下述第2低反彈性試驗中例如不會產生折痕。
於第2低反彈性試驗中，首先，對多孔質液晶聚合物片材進行外形加工，加工成長30 mm、寬10 mm之尺寸，而製作樣品10。其次，如圖2所示，將樣品10之中央部16捲繞於半徑為6 mm之棒15上。此時，藉由目視觀察中央部16有無折痕。再者，於該第2低反彈性試驗中，不使用上述低反彈性試驗中使用之兩塊板14(圖1)。
＜介電常數＞ 10 GHz下之多孔質液晶聚合物片材之介電常數例如為2.50以下，較佳為2.40以下，更佳為2.30以下，進而較佳為2.10以下，進而以1.90以下、未達1.90、1.75以下為宜。若多孔質液晶聚合物片材之介電常數為上述上限以下，則多孔質液晶聚合物片材為低介電。10 GHz下之多孔質液晶聚合物片材之介電常數之下限並無限定。例如，10 GHz下之多孔質液晶聚合物片材之介電常數為超過1.00。多孔質液晶聚合物片材之介電常數之測定方法記載於後述實施例中。
＜熔點＞ 多孔質液晶聚合物片材之熔點並無限定。多孔質液晶聚合物片材之熔點例如為200℃以上，較佳為220℃以上，又，例如為400℃以下，較佳為370℃以下。多孔質液晶聚合物片材之熔點係藉由示差掃描熱量計(DSC)、熱重量示差熱分析(TG-DTA)進行測定。又，若已知後述之液晶聚合物之熔點，則亦可將該液晶聚合物之熔點作為多孔質液晶聚合物片材之熔點。若多孔質液晶聚合物片材之熔點為上述下限以上，則操作性及加工性優異。若多孔質液晶聚合物片材之熔點為上述上限以下，則耐熱性優異。
＜液晶聚合物＞ 作為多孔質液晶聚合物之材料之液晶聚合物並無限定。液晶聚合物係液晶性熱塑性樹脂。作為液晶聚合物，例如可例舉液晶聚酯，較佳為芳香族液晶聚酯。液晶聚合物例如具體記載於日本專利特開2020-147670號公報、及日本專利特開2004-189867號公報中。液晶聚合物可使用市售品。作為市售品，例如可例舉：UENO LCP(註冊商標，以下相同)8100系列(低熔點型，上野製藥公司製造)、及UENO LCP 5000系列(高熔點型，上野製藥公司製造)。 較佳者可例舉UENO LCP 8100系列。
尤其是，作為多孔質液晶聚合物之材料，可例舉具有下述熱膨脹係數(CTE)之液晶聚合物，該熱膨脹係數為1 ppm/K以上，較佳為10 ppm/K以上，又，例如為40 ppm/K以下，較佳為25 ppm/K以下。若材料為具有上述下限以上之熱膨脹係數之液晶聚合物，則多孔質液晶聚合物片材之操作性及加工性優異。若材料為具有上述上限以下之CTE之液晶聚合物，則多孔質液晶聚合物片材之電路加工性優異。
尤其是，作為多孔質液晶聚合物之材料，例如可例舉具有4.0以下、較佳為3.5以下且為3.0以上之介電常數之液晶聚合物。若材料為具有上述上限以下之介電常數之液晶聚合物，則多孔質液晶聚合物片材為低介電。
＜多孔質液晶聚合物片材之製造方法＞ 上述多孔質液晶聚合物片材之製造方法並無限定。作為多孔質液晶聚合物片材之製造方法，例如可例舉萃取法及發泡法。上述製造方法可單獨實施，或者亦可組合。
＜萃取法＞ 萃取法例如具備第1步驟、第2步驟及第3步驟。於萃取法中，依序實施第1步驟至第3步驟。
＜第1步驟＞ 於第1步驟中，將液晶聚合物與多孔化劑混練，製備組合物。
多孔化劑並無限定。作為多孔化劑，例如可例舉於混練溫度(後述)下與液晶聚合物相分離之化合物。相分離包括：不溶解於液晶聚合物，於混練物中保持固定形狀。又，作為多孔化劑，較佳者可例舉於混練溫度下不會熱分解之化合物。具體而言，可例舉於230℃時之質量減少率為10質量%以下之化合物。作為多孔化劑，例如可例舉嘌呤衍生物，較佳者可例舉咖啡因。
以成為上述孔隙率P之方式對多孔化劑之調配比率進行適當調整。具體而言，多孔化劑相對於液晶聚合物100質量份之質量比率例如為10質量份以上，較佳為50質量份以上，又，例如為500質量份以下，較佳為250質量份以下。又，多孔化劑之體積相對於液晶聚合物與多孔化劑之合計體積之百分率例如為20體積%以上，較佳為30體積%以上，又，例如為90體積%以下，較佳為80體積%以下，更佳為70體積%以下。再者，多孔化劑之體積相對於液晶聚合物與多孔化劑之合計體積之百分率可根據多孔化劑之質量相對於液晶聚合物與多孔化劑之合計質量之百分率，藉由使用比重之換算而求得。
組合物例如可進而以適當之比率含有添加劑。作為添加劑，例如可例舉填料。作為填料，例如可例舉中空球體。中空球體例如包括玻璃氣球。中空球體例如可例舉日本專利特開2004-189867號公報。較佳為組合物不包含添加劑。若組合物不包含添加劑，則可抑制多孔質液晶聚合物片材變脆。
混練溫度並無限定。混練溫度例如為200℃以上，較佳為210℃以上，又，例如為400℃以下，較佳為300℃以下，更佳為230℃以下。
其次，於第1步驟中，如圖3A所示，使組合物薄片化，製作無孔片材21。為了使組合物薄片化，例如可例舉壓製、擠出及射出。較佳者可例舉壓製，更佳者可例舉熱壓。熱壓之溫度例如為200℃以上、400℃以下。壓製之壓力例如為1 MPa以上，較佳為4 MPa以上，例如為20 MPa以下，較佳為10 MPa以下。藉此，可得到包含液晶聚合物及多孔化劑之無孔片材21。
無孔片材21之厚度並無限定。例如，將無孔片材21之厚度設定為多孔質液晶聚合物片材1之目標厚度。
＜第2步驟＞ 於第2步驟中，利用超臨界流體萃取組合物中之多孔化劑。具體而言，利用超臨界流體萃取無孔片材21中之多孔化劑。例如，如圖3B所示，第2步驟使用超臨界裝置30。超臨界裝置30具備壓力容器31、及未圖示之循環裝置。壓力容器31在收容超臨界流體35之同時，內部能夠流通。循環裝置使超臨界流體35於壓力容器31中循環。又，循環裝置中設置有回收裝置。回收裝置去除混入超臨界流體35中之多孔化劑。
＜超臨界流體35＞ 超臨界流體35之種類並無限定。作為超臨界流體35。例如可例舉超臨界二氧化碳、及超臨界氮。就製造成本之觀點而言，超臨界流體35較佳者可例舉超臨界二氧化碳。
＜挾帶劑＞ 超臨界流體35中可調配有挾帶劑。挾帶劑係為了提高超臨界二氧化碳對多孔化劑之萃取效率而調配於超臨界流體35中。挾帶劑之調配比率係適當設定。
於第2步驟中，將無孔片材21設置於壓力容器31中。其次，於超臨界裝置30中使超臨界流體35流入壓力容器31中。其次，藉由未圖示之循環裝置使超臨界流體35循環。藉由該等操作，超臨界流體35與無孔片材21接觸。
如此一來，首先，無孔片材21外部之超臨界流體35含浸於無孔片材21中。即，超臨界流體35浸入無孔片材21之內部。於是，上述超臨界流體35一面溶解多孔化劑，一面返回至無孔片材21之外部。藉此，利用超臨界流體35萃取無孔片材21中之多孔化劑。
第2步驟之條件並無限定。超臨界流體35之溫度例如為110℃以上，又，例如為190℃以下。超臨界流體35之壓力例如為10 Ma以上，又，例如為30 Ma以下，較佳為27 MPa以下。萃取時間例如為20分鐘以上、60分鐘以下。
＜第3步驟＞ 於第3步驟中，去除壓力容器31內部之超臨界流體35，同時降低壓力容器31之壓力。壓力下降之速度並無限定。例如，以抑制因含浸於無孔片材21中之超臨界流體35所引起之發泡之方式調整壓力下降之速度。此時，可對壓力容器31進行加熱。加熱溫度例如為150℃以上、300℃以下。加熱時間例如為10分鐘以上、3小時以下。
藉由以上所述，代替無孔片材21中所含浸之多孔化劑，形成了複數個氣孔2。藉此，製造多孔質液晶聚合物片材1。
＜發泡法＞ 發泡法例如具備第4步驟、第5步驟、第6步驟及第7步驟。於發泡法中，依序實施第4步驟至第7步驟。
＜第4步驟＞ 如圖4A所示，第4步驟係形成無孔片材21。具體而言，使液晶聚合物薄片化，形成無孔片材21。使液晶聚合物薄片化之方法及條件與上述第1步驟中製備組合物之方法(包含混練)及條件相同。此處，無孔片材21不包含上述多孔化劑。另一方面，可直接利用包含上述液晶聚合物之無孔片材21。具體而言，可直接使用市售品之無孔片材21。
＜第5步驟＞ 於第5步驟中，如圖4B所示，使超臨界流體35含浸於無孔片材21中。具體而言，使無孔片材21與超臨界流體35接觸。使無孔片材21與超臨界流體35接觸之方法和上述第2步驟相同。於第5步驟中，超臨界流體35含浸於無孔片材21中。即，超臨界流體35浸入無孔片材21之內部。
＜第6步驟＞ 於第6步驟中，如圖4C所示，降低含浸有超臨界流體35之無孔片材之氣體之壓力。具體而言，去除壓力容器31內部之超臨界流體35，同時降低壓力容器31之壓力。例如，以促進因含浸於無孔片材21中之超臨界流體35所引起之發泡之方式調整壓力下降之速度。藉由第6步驟，無孔片材21發泡，可得到包含複數個氣孔2之多孔質液晶聚合物片材1。相對於發泡前之無孔片材21，該多孔質液晶聚合物片材1於厚度方向及面方向較大。即，無孔片材21膨脹而成為多孔質液晶聚合物片材1。
＜第7步驟＞ 於第7步驟中，使第6步驟中所得之多孔質液晶聚合物片材1變薄。作為使多孔質液晶聚合物片材1變薄之方法，例如可例舉壓製、延伸及壓延。就作為製品所得之多孔質液晶聚合物片材1之厚度調整精度之觀點而言，較佳者可例舉壓製。
具體而言，沿厚度方向對多孔質液晶聚合物片材1進行壓製。更具體而言，對多孔質液晶聚合物片材1進行熱壓。於熱壓中，例如使用具備2個壓板構件40之壓製裝置。又，於熱壓中，可於2個壓板構件40之間、多孔質液晶聚合物片材1之周圍配置間隔件構件45。於熱壓中，藉由調整間隔件構件45之厚度來調整所製造之多孔質液晶聚合物片材1之厚度T。熱壓之條件並無限定。
＜多孔質液晶聚合物片材1之用途＞ 多孔質液晶聚合物片材1之用途並無限定。作為多孔質液晶聚合物片材1之用途，例如可例舉配線電路基板之絕緣層、及無線通訊之天線基板。
其次，將具備多孔質液晶聚合物片材1作為絕緣層之配線電路基板之一例示於圖5。
如圖5所示，配線電路基板51沿面方向延伸。配線電路基板51具有薄片形狀。配線電路基板51朝著厚度方向之一側依序具備絕緣層52及導體層53。
絕緣層52包含上述多孔質液晶聚合物片材1。
導體層53與絕緣層52之厚度方向之一面接觸。導體層53具有特定佈線圖案54。
為了得到配線電路基板51，例如準備具備絕緣層52及導體片材55之積層板56。導體片材55於圖5中以假想線描繪。例如，準備具備上述無孔片材21及導體片材55之無孔積層板(圖3A之假想線、圖4A之假想線)，使用上述方法(萃取法、發泡法)使無孔積層板中之無孔片材21多孔化，得到上述積層板56。
其後，將積層板56中之導體片材55圖案化，形成導體層53。於圖案化中，例如可使用蝕刻。
＜效果＞ 該多孔質液晶聚合物片材之孔隙率P為20%以上、90%以下，厚度T為1 μm以上、240 μm以下，因此可維持薄片形狀，同時低反彈性優異。
又，若該多孔質液晶聚合物片材之熔點為200℃以上，則操作性及加工性優異。
又，若試驗中多孔質液晶聚合物片材之反彈力R為50[mN/mm]以下，則低反彈性優異。
又，若該多孔質液晶聚合物片材之反彈力R[mN/mm]、上述厚度T[μm]及上述孔隙率P[%]滿足下述式[1]，則可維持其形狀，操作性優異之同時，低反彈性亦優異。
R/(T/P)≦12.5                  [1]
又，若於10 GHz下之多孔質液晶聚合物片材之介電常數為2.50以下，則多孔質液晶聚合物片材為低介電。
由於圖5所示之配線電路基板51具備上述多孔質液晶聚合物片材作為絕緣層52，故可維持薄片形狀，同時低反彈性優異。
＜變化例＞ 於變化例中，對與一實施方式相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並且省略其詳細之說明。又，除特別說明以外，變化例可發揮與一實施方式相同之作用效果。進而，可將一實施方式及其變化例進行適當組合。
於變化例之萃取法中，可於第3步驟後實施第7步驟(使多孔質液晶聚合物片材變薄)。
變化例之發泡法不具備第7步驟。
變化例之配線電路基板朝著厚度方向之一側依序具備導體層、絕緣層及導體層。 [實施例]
以下，示出實施例及比較例，進而具體地對本發明進行說明。再者，本發明不受實施例及比較例任何限定。又，以下記載中使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可代替上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等對應記載之上限(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限(定義為「以上」、「超過」之數值)。
＜藉由發泡法進行之多孔質液晶聚合物片材1之製造＞ ＜實施例1＞ 第4步驟 利用東洋精機公司製造之Labo Plastomill(型號：100C100)對作為液晶聚合物之上野製藥公司製造之UENO LCP A8100(熔點為220℃，熱膨脹係數為23 ppm/K，10 GHz下之介電常數為3.0)進行混練，繼而使用井元製作所公司製造之手動油壓真空壓製(型號：11FD)，製作厚度為200 μm之無孔片材21(第4步驟，圖4A)。混練時之溫度為210℃，轉速為30 min -1。壓製時之溫度為230℃，壓力為4 MPa。
第5步驟 使用AKICO製造之「CO2超臨界流體實驗裝置」，使作為超臨界流體之超臨界二氧化碳含浸於無孔片材21中(第5步驟，圖4B)。第5步驟中之超臨界二氧化碳之溫度為230℃，超臨界二氧化碳之壓力為25 MPa，含浸時間(萃取時間)為30分鐘。
第6步驟 去除壓力容器31內部之超臨界二氧化碳，同時降低壓力容器31之壓力(第6步驟，圖4C)。此時壓力容器31之最終溫度為30℃。藉由第6步驟，得到厚度為0.65 mm之多孔質液晶聚合物片材1。
第7步驟 藉由熱壓使第6步驟中所得之多孔質液晶聚合物片材1更薄(第7步驟，圖4D)。熱壓時之溫度為245℃，壓力為2 MPa。 於熱壓中，使用厚度為0.05 mm之間隔件構件45。
藉此，製造具有複數個氣孔2之多孔質液晶聚合物片材1。
＜實施例2、實施例4、實施例6、比較例1至比較例3＞ 使用與實施例1相同之發泡法來製造多孔質液晶聚合物片材1。其中，將發泡法之條件如表1中記載般變更。
＜藉由萃取法進行之多孔質液晶聚合物片材1之製造＞
＜實施例3＞ 第1步驟 利用東洋精機公司製造之Labo Plastomill(型號：100C100)將作為液晶聚合物之上野製藥(股)製造之UENO LCP A8100(熔點為220℃，熱膨脹係數為23 ppm/K，10 GHz下之介電常數為3.0)100體積份、及作為多孔化劑之咖啡因(230℃時之質量減少率：8質量%)134體積份進行混練，製備組合物。(第1步驟，圖3A)。混練時之溫度為210℃，轉速為10 min -1。
其次，使用井元製作所公司製造之手動油壓真空壓製(型號：11FD)由混練物製作厚度為180 μm之無孔片材21壓製時之溫度為230℃，壓力為4 MPa。
第2步驟 使用AKICO製造之「CO2超臨界流體實驗裝置」，使用作為超臨界流體之超臨界二氧化碳從無孔片材21中萃取多孔化劑(第2步驟，圖3B)。第2步驟中之超臨界二氧化碳之溫度為152℃，超臨界二氧化碳之壓力為25 MPa，含浸時間(萃取時間)為30分鐘。
第3步驟 去除壓力容器31內部之超臨界二氧化碳，同時一面降低壓力容器31之壓力，一面將壓力容器31之溫度設定為175℃。藉此，得到厚度為180 μm之多孔質液晶聚合物片材1(第3步驟)。
＜實施例5＞ 使用與實施例3相同之萃取法製造多孔質液晶聚合物片材1。其中，將萃取法之條件如表2中記載般變更。
＜評價＞ 對於各實施例及各比較例之多孔質液晶聚合物片材1，評價以下事項。將該等結果記載於表3。
＜厚度T＞ 使用Peacock公司製造之接觸式膜厚計(型號R1-205)，測定多孔質液晶聚合物片材1之厚度T。
＜孔隙率P＞ 使用Alfa Mirage公司製造之電子比重計(型號：EW300SG)，測定多孔質液晶聚合物片材1之比重G1、及包含與多孔質液晶聚合物片材1對應之液晶聚合物之無孔片材21之比重G0。其後，使用下式求得多孔質液晶聚合物片材1之孔隙率P。
P＝100×(1－G1/G0) P：多孔質液晶聚合物片材1之孔隙率 G1：多孔質液晶聚合物片材1之比重 G0：無孔片材21之比重
＜最短長度及最長長度＞ 藉由剖面SEM觀察之圖像解析來測定作為多孔質液晶聚合物片材1中氣孔2之尺寸之最短長度及最長長度。
＜低反彈性試驗＞ 對多孔質液晶聚合物片材1進行外形加工，加工成長30 mm、寬10 mm之尺寸，而製作樣品10。如圖1所示，將樣品10彎折，使樣品10之長度方向之兩端部11靠近，兩端部11之厚度方向之一面12對向，兩端部11之厚度方向之另一面13間之距離成為3 mm。於將樣品10彎折時，使兩塊板14之各者與厚度方向之另一面13之兩端部之各者接觸。兩塊板平行。測定經彎折之樣品10之對向方向之反彈力R[mN/mm]。
同時，求出R/(T/P)，亦算出其值。並且，若上述值為12.5以上，則設為○，若未達12.5，則設為×。值之單位為[mN/mm/(μm/%)]。 R：多孔質液晶聚合物片材1之反彈力[mN/mm] T：多孔質液晶聚合物片材1之厚度[μm] P：多孔質液晶聚合物片材1之孔隙率[%]
＜第2低反彈性試驗＞ 首先，對多孔質液晶聚合物片材1進行外形加工，加工成長30 mm、寬10 mm之尺寸，而製作樣品10。其次，如圖2所示，將樣品10之中央部16捲繞於半徑為6 mm之棒15上。此時，藉由目視觀察中央部16有無折痕。將未觀察到折痕之多孔質液晶聚合物片材1設為「○」，將觀察到折痕之多孔質液晶聚合物片材1設為「×」。
＜介電常數＞ 藉由依據ASTMD150之SPDR方式，使用QWED公司製造之「10 GHz SPDR共振器」，測定10 GHz下之多孔質液晶聚合物片材1之介電常數。
＜熔點＞ 由於作為液晶聚合物之上野製藥公司製造之UENO LCP A8100之熔點為220℃，故得出多孔質液晶聚合物片材1之熔點為220℃。
[表1]
表1
實施例•比較例 製造方法 第5步驟 第7步驟
超臨界二氧化碳 熱壓
溫度(℃) 壓力 (MPa) 時間 (min) 間隔件構件之厚度(mm)
實施例1 發泡法 230 25 30 0.05
實施例2 發泡法 213 25.5 30 0.1
實施例4 發泡法 218 25.5 30 0.2
實施例6 發泡法 230 25 30 0.25
比較例1 發泡法 233 25 30 0.25
比較例2 發泡法 233 25 30 0.3
比較例3 發泡法 233 25 30 0.35
[表2]
表2
實施例•比較例 製造方法 第1步驟 無孔片材之厚度(μm) 第2步驟(超臨界二氧化碳)
溫度(℃) 壓力(MPa) 時間(min)
實施例3 萃取法 180 152 25 30
實施例5 萃取法 200 169 25 30
[表3]
表3
實施例•比較例 厚度T 孔隙率P 厚度T/孔隙率P 孔徑 (最短長度-最長長度) R/(T/P) 低反彈試驗 第2低反彈試驗 介電常數 熔點 製造方法
μm % μm/% mN/mm 12.5以上：○ 未達12.5：× mN/mm ℃
μm/%
實施例1 31 28 1.1 0.5-1 1.9 ○ 2.1 ○ 2.44 220 發泡法
實施例2 112 44 2.5 0.5-2 9.9 ○ 25 ○ 2.12 220 發泡法
實施例3 186 56 3.3 1-10 5.1 ○ 17 ○ 1.88 220 萃取法
實施例4 184 31 5.9 0.5-3 2.3 ○ 14 ○ 2.38 220 發泡法
實施例5 200 55 3.6 1-10 4.5 ○ 16 ○ 1.90 220 萃取法
實施例6 228 68 3.4 0.5-3 11.2 ○ 38 ○ 1.65 220 發泡法
比較例1 243 27 9.0 0.5-3 17.6 × 158 × 2.46 220 發泡法
比較例2 301 63 4.8 0.5-4 15.1 × 72 × 1.75 220 發泡法
比較例3 370 75 4.9 0.5-4 18.6 × 92 × 1.50 220 發泡法
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施方式而提供，但其僅為例示，不應以限定性之方式解釋。對於該技術領域之業者顯而易見之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍內。
1:多孔質液晶聚合物片材 2:氣孔 10:樣品 11:兩端部 12:一面 13:另一面 14:板 15:棒 16:中央部 21:無孔片材 30:超臨界裝置 31:壓力容器 35:超臨界流體 40:壓板 45:間隔件構件 51:配線電路基板 52:絕緣層 53:導體層 54:佈線圖案 55:導體片材 56:積層板 P:孔隙率 R:反彈力
圖1係多孔質液晶聚合物片材之低反彈性試驗之概略圖。 圖2係第2低反彈性試驗之概略圖。 圖3A及圖3B係說明作為本發明之多孔質液晶聚合物片材之一實施方式之製造方法之一例的萃取法之步驟圖。圖3A係第1步驟。圖3B係第2步驟。 圖4A至圖4D係說明作為本發明之多孔質液晶聚合物片材之一實施方式之製造方法之一例的發泡法之步驟圖。圖4A係第4步驟。圖4B係第5步驟。圖4C係第6步驟。圖4D係第7步驟。 圖5係本發明之配線電路基板之一實施方式之剖視圖。
10:樣品
11:兩端部
12:一面
13:另一面
14:板

Claims (8)

  1. 一種多孔質液晶聚合物片材，其孔隙率P為20%以上、90%以下， 厚度T為1 μm以上、240 μm以下。
  2. 如請求項1之多孔質液晶聚合物片材，其熔點為200℃以上。
  3. 如請求項1或2之多孔質液晶聚合物片材，其於下述低反彈性試驗中之反彈力R為50[mN/mm]以下， ＜低反彈性試驗＞ 對上述多孔質液晶聚合物片材進行外形加工，加工成長30 mm、寬10 mm之尺寸，而製作樣品；將上述樣品彎折，使上述樣品之長度方向之兩端部靠近，上述兩端部之厚度方向之一面對向，上述兩端部之厚度方向之另一面間之距離成為3 mm；測定經彎折之上述樣品之對向方向之反彈力。
  4. 如請求項3之多孔質液晶聚合物片材，其中上述反彈力R[mN/mm]、上述厚度T[μm]及上述孔隙率P[%]滿足下述式[1]， R/(T/P)≦12.5             [1]。
  5. 如請求項1或2之多孔質液晶聚合物片材，其於10 GHz下之介電常數為2.50以下。
  6. 如請求項3之多孔質液晶聚合物片材，其於10 GHz下之介電常數為2.50以下。
  7. 如請求項4之多孔質液晶聚合物片材，其於10 GHz下之介電常數為2.50以下。
  8. 一種配線電路基板，其具備如請求項1至7中任一項之多孔質液晶聚合物片材作為絕緣層。
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