TW202243903A - 波長轉換片材用之障壁膜、及使用其之波長轉換片材、背光及液晶顯示裝置、及波長轉換片材用之障壁膜之選定方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種應用於波長轉換片材時，可抑制波長轉換片材之面內之亮度不均的波長轉換片材用之障壁膜。 本發明之波長轉換片材用之障壁膜具有第1基材膜、第2基材膜、障壁層、底塗層、及位於上述第1基材膜與第2基材膜之間之接著劑層，且滿足下述條件1。 ＜條件1＞ 將以上述接著劑層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1。以1 mm間隔測定上述表面1之高程，獲取上述表面1之高程資料。將由上述高程資料所確定之上述表面1之輪廓曲線定義為輪廓曲線1。於特定方向之上述輪廓曲線1中，上述表面1之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1。在將上述凹凸1之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1)。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1)

Description

波長轉換片材用之障壁膜、及使用其之波長轉換片材、背光及液晶顯示裝置、及波長轉換片材用之障壁膜之選定方法

本發明係關於一種波長轉換片材用之障壁膜、及使用其之波長轉換片材、背光及液晶顯示裝置、及波長轉換片材用之障壁膜之選定方法。

隨著攜帶用個人電腦等個人電腦發展，液晶顯示裝置之需求不斷增加。又，最近家用液晶電視之普及率亦不斷提高，進而，智慧型手機、平板終端亦廣泛普及。因此，液晶顯示裝置之市場正在進一步擴大。 一般而言，此種液晶顯示裝置具有彩色濾光片、液晶單元及背光。液晶顯示裝置一般藉由液晶單元內之液晶層之快門功能來控制光之強弱，藉由彩色濾光片將各像素之顏色分為R(Red，紅色)、G(Green，綠色)、B(Blue，藍色)之三原色來顯示，藉此顯示圖像。

以往，液晶顯示裝置之背光光源使用有冷陰極管。然而，就低耗電及省空間之觀點而言，背光光源由冷陰極管更換為LED(Light Emitting Diode，發光二極體)。 通常用作背光光源之LED使用所謂白色LED，該白色LED係組合藍色LED與YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)系黃色螢光體而成。該白色LED之發光波長之光譜分佈較寬，被稱為偽白色。

另一方面，近年來使用量子點技術之背光亦不斷開發。所謂量子點係指半導體之奈米尺寸之微粒子。 使用量子點之背光之基本構成係組合產生一次光之光源(發出藍光之藍色LED等)與量子點而成者。

量子點例如為由包含核CdSe及殼ZnS之半導體微粒子、及覆蓋殼周邊之配體所構成的奈米尺寸之化合物半導體微粒子。量子點由於其粒徑小於化合物半導體之激子之波爾半徑，故而出現量子封閉效應。因此，量子點之發光效率高於先前所使用之以稀土類離子作為活化劑之螢光體，可實現90%以上之高發光效率。 量子點之發光波長取決於經如此量子化之化合物半導體微粒子之帶隙能，故而可藉由改變量子點之粒徑而獲得任意發光光譜。組合該等量子點與藍色LED等而成之背光可以高發光效率實現較高之色純度(例如參照專利文獻1～2)。 又，量子點除用於液晶顯示裝置之背光以外，還用於照明、量子點雷射等。

量子點具有上述優異之特徵，另一方面，存在容易因水分、氧氣等影響而發生劣化之問題。因此，含有量子點之層之兩側之面較佳為由障壁膜保護。 於專利文獻3及4中揭示有一種波長轉換片材，其藉由具有基材、無機氧化物層及有機被覆層之障壁膜保護含有量子點之層之兩側之面。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：國際公開第2012/132239號 專利文獻2：日本專利特開2015-18131號公報 專利文獻3：日本專利特開2019-126924號公報 專利文獻4：日本專利特開2020-19141號公報

[發明所欲解決之問題]

然而，應用專利文獻3及4之障壁膜之波長轉換片材有時在面內視認到亮度不均。 量子點之特徵在於，藉由提高液晶顯示裝置之色純度，而顯示鮮明之圖像。因此，於在波長轉換片材之面內視認到亮度不均之情形時，存在作為量子點之特徵之鮮明之圖像受損之問題。

本發明之目的在於鑒於上述問題而提供一種應用於波長轉換片材時，可抑制波長轉換片材之面內之亮度不均的波長轉換片材用之障壁膜。又，本發明之目的在於提供一種使用上述障壁膜之波長轉換片材、背光及液晶顯示裝置。又，本發明之目的在於提供一種可抑制波長轉換片材之面內之亮度不均的波長轉換片材用之障壁膜之選定方法。 [解決問題之技術手段]

本發明人等為了解決上述問題進行了銳意研究，結果發現，藉由使波長轉換片材用之障壁膜之表面滿足特定條件，可抑制應用障壁膜之波長轉換片材等之面內之亮度不均。

本發明提供以下之[1]～[19]。 [1]一種波長轉換片材用之障壁膜，其中上述障壁膜具有第1基材膜、第2基材膜、障壁層、底塗層、及位於上述第1基材膜與第2基材膜之間之接著劑層，且 滿足下述條件1： ＜條件1＞ 將以上述接著劑層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1；以1 mm間隔測定上述表面1之高程，獲取上述表面1之高程資料；將由上述高程資料所確定之上述表面1之輪廓曲線定義為輪廓曲線1；於特定方向之上述輪廓曲線1中，上述表面1之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1；在將上述凹凸1之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1)。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1) [2]如[1]中所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其中於上述條件1中，上述式(1)之H/W ²為0.1×10 ^-5以上1.5×10 ^-5以下。 [3]如[1]或[2]中所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其依序具有上述第2基材膜、上述接著劑層、上述第1基材膜、上述障壁層及上述底塗層。 [4]如[1]或[2]中所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其依序具有上述第2基材膜、上述接著劑層、上述障壁層、上述第1基材膜及上述底塗層。 [5]如[3]或[4]中所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其於上述第2基材膜之與上述接著劑層相反之側具有防貼附層。 [6]如[1]至[5]中任一項所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其中在將上述第1基材膜之厚度定義為T1，將上述第2基材膜之厚度定義為T2時，T1＜T2。 [7]如[6]中所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其中T2/T1為2.0以上10.0以下。 [8]如[1]至[7]中任一項所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其中在將上述第1基材膜之厚度定義為T1時，T1為5 μm以上100 μm以下。 [9]如[1]至[8]中任一項所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其中在將上述第2基材膜之厚度定義為T2時，T2為10 μm以上200 μm以下。 [10]如[1]至[9]中任一項所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其中上述障壁層包含無機氧化物層及有機被覆層。 [11]如[1]至[10]中任一項所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其中上述接著劑層含有包含異氰酸酯系硬化劑之接著劑層用組合物之硬化物。 [12]如[1]至[11]中任一項所記載之波長轉換片材用之障壁膜，其中不具有上述凹凸1之區域之全光線透過率相對於具有上述凹凸1之區域之全光線透過率的比為0.95以上1.05以下。

[13]一種波長轉換片材用之障壁膜，其中上述障壁膜依序具有基材膜、障壁層及底塗層，且 滿足下述條件1'： ＜條件1'＞ 將以上述障壁層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1'；以1 mm間隔測定上述表面1'之高程，獲取上述表面1'之高程資料；將由上述高程資料所確定之上述表面1'之輪廓曲線定義為輪廓曲線1'；於特定方向之上述輪廓曲線1'中，上述表面1'之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1'；在將上述凹凸1'之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1'之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1')。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1')

[14]一種波長轉換片材，其係依序積層第1障壁膜、包含量子點之含有量子點之層及第2障壁膜而成者，且上述第1障壁膜及上述第2障壁膜之至少任一障壁膜，係以如[1]至[13]中任一項所記載之波長轉換片材用之障壁膜之上述底塗層側之面朝向上述含有量子點之層側的方式積層。 [15]如[14]中所記載之波長轉換片材，其中上述含有量子點之層之厚度為10 μm以上200 μm以下。 [16]一種背光，其係具備發出一次光之至少1個光源、與上述光源相鄰配置之用於導光或擴散之光學板、及配置於上述光學板之光出射側之波長轉換片材者，且上述波長轉換片材為如[14]或[15]中所記載之波長轉換片材。 [17]一種液晶顯示裝置，其係具備背光及液晶面板者，且上述背光為如[16]中所記載之背光。

[18]一種波長轉換片材用之障壁膜之選定方法，該波長轉換片材用之障壁膜具有第1基材膜、第2基材膜、障壁層、底塗層、及位於上述第1基材膜與第2基材膜之間之接著劑層， 上述波長轉換片材用之障壁膜之選定方法係以滿足下述條件1作為判定條件： ＜條件1＞ 將以上述接著劑層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1；以1 mm間隔測定上述表面1之高程，獲取上述表面1之高程資料；將由上述高程資料所確定之上述表面1之輪廓曲線定義為輪廓曲線1；於特定方向之上述輪廓曲線1中，上述表面1之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1；在將上述凹凸1之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1)。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1)

[19] 一種波長轉換片材用之障壁膜之選定方法，該波長轉換片材用之障壁膜依序具有基材膜、障壁層及底塗層， 上述波長轉換片材用之障壁膜之選定方法以滿足下述條件1'作為判定條件： ＜條件1'＞ 將以上述障壁層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1'；以1 mm間隔測定上述表面1'之高程，獲取上述表面1'之高程資料；將由上述高程資料所確定之上述表面1'之輪廓曲線定義為輪廓曲線1'；於特定方向之上述輪廓曲線1'中，上述表面1'之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1'；在將上述凹凸1'之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1'之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1')。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1') [發明之效果]

本發明之波長轉換片材用之障壁膜、及使用其之波長轉換片材、背光及液晶顯示裝置可抑制面內之亮度不均。本發明之波長轉換片材用之障壁膜之選定方法可高效率地篩選出可抑制面內之亮度不均之波長轉換片材用之障壁膜。

以下，對本發明之實施方式進行說明。 [第1實施方式之波長轉換片材用之障壁膜] 本發明之第1實施方式之波長轉換片材用之障壁膜具有第1基材膜、第2基材膜、障壁層、底塗層、及位於上述第1基材膜與第2基材膜之間之接著劑層，且 滿足下述條件1。 ＜條件1＞ 將以上述障壁層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1。以1 mm間隔測定上述表面1之高程，獲取上述表面1之高程資料。將由上述高程資料所確定之上述表面1之輪廓曲線定義為輪廓曲線1。於特定方向之上述輪廓曲線1中，上述表面1之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1。在將上述凹凸1之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1)。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1)

圖1～圖3係表示本發明之第1實施方式之波長轉換片材用之障壁膜100之實施方式的剖視圖。圖1～圖3之波長轉換片材用之障壁膜100具有第1基材膜30、第2基材膜50、障壁層20、底塗層10、及位於第1基材膜與第2基材膜之間之接著劑層40。圖3之障壁膜100具有形成於第1基材膜上而成之第1障壁層21及形成於第2基材膜上而成之第2障壁層22作為障壁層20。 於圖1～圖3之波長轉換片材用之障壁膜100中，各圖之上側之面相當於本發明之條件1之表面1。 於本說明書中，有時將「本發明之波長轉換片材用之障壁膜」及「波長轉換片材用之障壁膜」稱為「本發明之障壁膜」及「障壁膜」。

＜積層構成＞ 作為本發明之第1實施方式之障壁膜之積層構成，可例舉下述(A1)～(A5)。再者，本發明之第1實施方式之障壁膜並不限定於下述(A1)～(A5)之積層構成。於下述(A1)～(A5)之障壁膜進而具有防貼附層之情形時，較佳為於第2基材膜之與具有接著劑層之側相反之側具有防貼附層。 (A1)依序具有第2基材膜、接著劑層、第1基材膜、障壁層及底塗層之積層構成。 (A2)依序具有第2基材膜、接著劑層、障壁層、第1基材膜及底塗層之積層構成。 (A3)依序具有第2基材膜、障壁層、接著劑層、第1基材膜及底塗層之積層構成。 (A4)依序具有第2基材膜、第2障壁層、接著劑層、第1基材膜、第1障壁層及底塗層之積層構成。 (A5)依序具有第2基材膜、第2障壁層、接著劑層、第1障壁層、第1基材膜及底塗層之積層構成。

本發明之第1實施方式之障壁膜需要滿足下述條件1。於不滿足條件1之情形時，無法抑制波長轉換片材之面內之亮度不均。 ＜條件1＞ 將以上述接著劑層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1。以1 mm間隔測定上述表面1之高程，獲取上述表面1之高程資料。將由上述高程資料所確定之上述表面1之輪廓曲線定義為輪廓曲線1。於特定方向之上述輪廓曲線1中，上述表面1之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1。在將上述凹凸1之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1)。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1)

於條件1中，規定以接著劑層為基準具有底塗層之側之障壁膜之表面即表面1滿足特定條件。如圖4所示，於將障壁膜應用於波長轉換片材之情形時，含有量子點之層位於障壁膜之底塗層側之面。因此，認為障壁膜之底塗層側之表面會影響含有量子點之層之性能。認為本發明之障壁膜藉由使障壁膜之底塗層側之表面滿足條件1，可抑制於障壁膜形成含有量子點之層時的影響，可抑制波長轉換片材之面內之亮度不均。以下，進一步具體地說明條件1。

條件1之前提為以接著劑層為基準具有底塗層之側之障壁膜之表面即表面1具有特定凹凸。 認為表面1之凹凸係在經由接著劑層將第1基材膜與第2基材膜貼合之步驟及上述步驟後之加熱步驟中產生。 關於因上述步驟而產生凹凸之第1理由，認為係經由接著劑層將第1基材膜與第2基材膜貼合時施加於基材膜之行進方向之張力。即，認為若於行進方向上施加張力而拉伸基材膜，則於行進方向上產生微小條紋，該條紋可能成為凹凸起點。關於因上述步驟而產生凹凸之第2理由，認為原因在於構成障壁膜之層因加熱而收縮。作為會收縮之層，可例舉接著劑層、障壁層、第1基材膜及第2基材膜，其中，有接著劑層之收縮較大之趨勢。接著劑層主要在硬化時收縮。即，認為上述行進方向之微小條紋成為起點，因接著劑層等之收縮而沿上述條紋於行進方向上形成山部及谷部。特別是，認為於接著劑層用組合物包含會與空氣中之水分發生反應之硬化劑之情形時，因水分自障壁膜之端部浸入，導致容易沿上述條紋於行進方向上形成山部及谷部。再者，於捲繞為捲筒狀之障壁膜中，由於表面側較芯側更容易與水分接觸，故而亦存在更加容易在捲筒之表面側形成山部及谷部之情況。又，捲繞為捲筒狀之障壁膜由於寬度方向之相同位置所產生之山部及谷部逐漸堆積，故而有捲筒之表面側之山部及谷部增大之趨勢。根據上述現象認為，因於障壁膜形成沿行進方向延伸之山部及沿行進方向延伸之谷部，而於障壁膜之寬度方向之輪廓曲線形成凹凸。 再者，認為表面1之凹凸係因第1理由及第2理由之複合因素而產生，且認為不易單獨因第1理由及第2理由而產生。 製造障壁膜時，若調整張力等機械條件，則可抑制作為表面1之凹凸之原因之微小條紋，故而可抑制表面1之凹凸。然而，即便調整張力等機械條件，亦不易完全消除微小條紋，故而不易完全消除表面1之凹凸。本發明人等以於具有經由接著劑層將第1基材膜與第2基材膜貼合而成之構成之障壁膜中，在表面1產生凹凸為前提，對用於使亮度不均不明顯之條件進行研究，從而得出條件1。 認為表面1之凹凸係因上述因素而產生。因此，認為不具有2張基材膜之障壁膜不易產生凹凸問題。但是，即便是基材膜為1張之障壁膜，亦由於製造障壁膜時施加張力，故而存在若不調整張力則產生凹凸之情況。

於條件1中，以1 mm間隔測定表面1之高程，獲取表面1之高程資料。於圖1～圖3之波長轉換片材用之障壁膜100中，各圖之上側之面相當於本發明之條件1之表面1。 獲取表面1之高程資料之方法並無特別限制。高程資料之測定裝置可大致分為接觸式測定裝置、非接觸式測定裝置，較佳為容易測定微小區域之高程之非接觸式測定裝置。高程資料之測定裝置可使用通用之測定裝置。作為非接觸式高程資料之測定裝置，例如可例舉Hakko Automation公司之名稱為「LINE STRIPER [HIU-LS400]」之商品。 於使用Hakko Automation公司之上述商品之情形時，較佳為將以1次測定獲取高程之區域設為行進方向200 mm～300 mm×寬度方向200 mm～400 mm，更佳為設為行進方向200 mm×寬度方向200 mm。於障壁膜之大小大於上述區域之情形時，將高程之測定實施複數次即可。再者，可判斷是否因對表面1照射螢光燈等光源時光源變形而於表面1產生凹凸。因此，對於光源不變形之部分，可視為不具有凹凸，從而省略高程之測定。

於條件1中，規定於特定方向之輪廓曲線1中，表面1之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1。 對於凹凸1之高低差規定高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下係由於若表面1不存在高低差0.001 mm以上之凹凸，則不易產生亮度不均之問題。又，規定凹凸1之高低差為0.600 mm以下係由於在表面1具有高低差超過0.600 mm之凹凸之情形時，即便滿足條件1，亦不易消除亮度不均之問題。 特定方向之輪廓曲線1可具有高低差未達0.001 mm之凹凸，但不具有高低差超過0.600 mm之凹凸。

表面1可具有不具有相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1之部分。於本說明書中，有時將上述部分稱為「其他部分」。 其他部分可具有相鄰山部與谷部之高低差未達0.001 mm之凹凸，但不具有高低差超過0.600 mm之凹凸。

凹凸1包含於特定方向之輪廓曲線1中。「特定方向」於可辨別製造障壁膜時之行進方向及寬度方向之情形時，設為寬度方向即可。如上所述，其原因為凹凸之山部及谷部所延伸之方向為行進方向，故而藉由將寬度方向設為特定方向，可適當地辨別表面1之凹凸之高程及寬度。換言之，特定方向設為與凹凸之山部及谷部所延伸之方向大致正交之方向即可。於本說明書中，所謂「大致正交」意指90度±10度。 將障壁膜切割為片狀後，不易辨別障壁膜之行進方向及寬度方向。然而，片狀障壁膜通常為四角為直角之四邊形。又，切割為四角為直角之四邊形之障壁膜具有兩組對邊，可謂一組對邊之方向為行進方向，另一組對邊之方向為寬度方向。又，如上所述，凹凸之山部及谷部所延伸之方向為行進方向。因此，於四角為直角之四邊形之片狀障壁膜具有凹凸之情形時，行進方向及寬度方向容易辨別。因此，關於片狀障壁膜，於具有凹凸之情形時，特定方向亦設為寬度方向即可。又，關於片狀障壁膜，於具有凹凸之情形時，特定方向亦設為與凹凸之山部及谷部所延伸之方向大致正交之方向即可。 凹凸1之長度相對於障壁膜之特定方向之全長之比率並無特別限制，但通常為3%以上50%以下。

於條件1中，需要在將上述凹凸1之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1)。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1) H/W ²較大意指凹凸1之斜率陡峭。於將含有量子點之層用塗佈液塗佈於凹凸1之斜率陡峭之表面1上並使其乾燥，從而形成含有量子點之層之情形時，含有量子點之層產生厚度不均，且厚度容易急遽變化。波長轉換片材之亮度可謂與含有量子點之層之厚度成正比。因此，若H/W ²較大，則波長轉換片材之面內容易產生亮度不均。另一方面，藉由將H/W ²設為1.5×10 ^-5以下，可抑制含有量子點之層之厚度產生急遽變化，故而可容易地抑制波長轉換片材之面內產生亮度不均。 於式(1)中，將凹凸1之高低差H[mm]除以寬度W[mm]之平方。將高低差除以寬度之平方之理由係為了強調馬赫帶效應。所謂馬赫帶效應係「於明度階梯狀變化之圖像之交界附近，在較暗側可見更暗之帶，在明亮側可見更明亮之帶之視覺心理現象」。即，於本發明中，為了使馬赫帶效應容易產生，式(1)將高低差除以寬度之平方。於H/W ²超過1.5×10 ^-5而不滿足式(1)之情形時，波長轉換片材之面內產生條紋狀之急遽亮度變化，藉由馬赫帶效應，容易識別為波長轉換片材之面內之亮度不均。

於條件1中，特定出具有至少一個以上之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1。凹凸1之數量可為一個，亦可為兩個以上。於凹凸1之數量為兩個以上之情形時，所有凹凸1均滿足式(1)。

如上所述，凹凸之山部及谷部沿行進方向延伸。因此，於本發明中，較佳為在障壁膜之面內獲取複數個特定方向之輪廓曲線1。於獲取複數個輪廓曲線1之情形時，較佳為具有凹凸1之輪廓曲線1全部滿足式(1)。 複數個輪廓曲線較佳為以特定間隔獲取。獲取輪廓曲線之間隔較佳為10 mm以下，更佳為5 mm以下，最佳為1 mm。

於條件1中，H/W ²較佳為1.4×10 ^-5以下，更佳為1.3×10 ^-5以下。

於障壁膜之面內，具有凹凸1之部位及不具有凹凸1之部位之2處在障壁膜產生應力時所受應力不同。例如，障壁膜有時會因熱等而收縮，於此種情形時，對具有凹凸1之部位及不具有凹凸1之部位施加不同應力。並且，由於一次應力或經時性應力之堆積，障壁膜之具有凹凸1之部位有可能產生缺陷。 於條件1中，若H/W ²之值過小，則障壁膜包括「凹凸1之寬度W過寬者」。即，於條件1中，若H/W ²之值過小，則上述缺陷有可能在廣泛範圍內產生。因此，於條件1中，H/W ²較佳為0.1×10 ^-5以上，更佳為0.2×10 ^-5以上。

引用圖7對本說明書中之凹凸1之高低差H[mm]、凹凸1之寬度W[mm]之決定方法進行說明。於圖7中，縱軸為高程且單位為mm，橫軸為寬度且單位為mm。圖7之上下變動之線為表面1之輪廓曲線1之一例。 首先，決定輪廓曲線1之山部及谷部。於圖7中，「●」部位相當於山部，「▼」部位相當於谷部。山部係所謂波峰，谷部係所謂波谷。再者，於本說明書中，將高低差未達0.001 mm之凹凸除外而決定山部及谷部。例如，於圖7中，於正中之谷部之左側具有複數個高低差未達0.001 mm之微小凹凸，但將此種高低差未達0.001 mm之微小凹凸除外而決定山部及谷部。 一個凹凸由2個山部及1個谷部或2個谷部及1個山部形成。因此，由2個山部及1個谷部所形成之凹凸之相鄰山部之間隔為凹凸之間隔W。另一方面，由2個谷部及1個山部所形成之凹凸之相鄰谷部之間隔為凹凸之間隔W。於圖7中，W1、W2、W3分別表示凹凸之寬度。 又，如上所述，一個凹凸由2個山部及1個谷部或2個谷部及1個山部形成。因此，一個凹凸具有2個高低差。例如，圖7之左側之凹凸具有高低差H1及高低差H2。於本說明書中，於一個凹凸所具有之二個高低差不同之情形時，將較大之高低差視為該凹凸之高低差H。例如，圖7之左側之凹凸由於H1大於H2，故而H1為高低差H，正中之凹凸由於H2大於H3，故而H2為高低差H，右側之凹凸由於H3大於H4，故而H3為高低差H。

條件1例如可藉由下述(1)～(6)而容易地滿足。於下述(1)～(6)中，重要的是下述(1)及(5)，最重要的是下述(1)。 (1)藉由將搬送第1基材膜及第2基材膜時之張力設定為較低，而抑制第1基材膜及第2基材膜之行進方向上所產生之微小條紋。若張力過強，則於基材膜之寬度方向上張力容易產生不均，故而容易產生微小條紋。因此，較佳為將搬送第1基材膜及第2基材膜時之張力設定得稍低。於以任意張力製造時，表面1之凹凸均不滿足條件1之情形時，以10%逐次降低張力來實施試驗製造即可。張力之具體值根據裝置之長度等而有所不同，故而不可一概而論。再者，為了降低張力，第1基材膜及第2基材膜較佳為延伸膜。延伸膜由於容易改善塑性，故而即便降低搬送膜時之張力亦可容易地維持膜之平面性。 (2)作為構成障壁膜之材料，選定收縮較小之材料。 (3)使障壁膜老化時，抑制水分混入。例如，利用具有防濕性之材料包裝障壁膜。 (4)於捲繞為捲筒狀之障壁膜之捲芯安裝被稱為襯墊之擋板，抑制水分自障壁膜之端部混入。 (5)增厚第1基材膜及第2基材膜之厚度。 (6)於將障壁膜捲繞為捲筒狀之情形時，障壁膜之捲繞長度不宜過長，以免山部及谷部逐漸堆積。

於本說明書中，條件1及測定層之厚度等各種參數時，除非特別說明，否則於溫度23℃±5℃、相對濕度40%以上65%以下之氛圍下進行測定。進而，測定各種參數之前，將樣品於上述氛圍下暴露30分鐘以上。

＜底塗層＞ 於本發明之第1實施方式之障壁膜中，底塗層之位置較佳為障壁膜之最外層。上述最外層意指以接著劑層為基準具有底塗層之側之最外層。藉由於上述位置具有底塗層，可改善障壁膜與含有量子點之層之密接性，就該方面而言較佳。上述最外層較佳為以接著劑層為基準具有第1基材膜之側之最外層。

底塗層較佳為包含樹脂成分。作為樹脂成分，可例舉：聚酯系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂等。該等中，較佳為聚胺基甲酸酯系樹脂。即，底塗層較佳為包含聚胺基甲酸酯系樹脂 聚胺基甲酸酯系樹脂容易改善與含有量子點之層之密接性。又，聚胺基甲酸酯系樹脂可容易地緩和對含有量子點之層進行游離輻射硬化或熱硬化時所產生之應力。

作為聚胺基甲酸酯系樹脂，可例舉藉由多官能異氰酸酯與含有羥基之化合物之反應而獲得之單液或二液型聚胺基甲酸酯系樹脂組合物之反應物。多官能異氰酸酯及含有羥基之化合物可分別僅使用一種，亦可使用複數種。 具體而言，作為多官能異氰酸酯，可例舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、聚亞甲基聚伸苯基聚異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯；或六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂肪族聚異氰酸酯等。 又，作為含有羥基之化合物，可例舉：聚醚多元醇、聚酯多元醇、聚酯聚胺基甲酸酯多元醇、聚丙烯酸酯多元醇等。於本發明中，就與含有量子點之層之密接性、及耐久性之觀點而言，特佳為聚酯聚胺基甲酸酯多元醇。聚酯聚胺基甲酸酯多元醇例如可藉由日本專利特開2001-288408號公報、日本專利特開2003-26996號公報中所記載之方法來製造。

聚胺基甲酸酯系樹脂之含量以底塗層之總量為基準，較佳為40質量%以上，更佳為70質量%以上。

底塗層可進而含有矽烷偶合劑。矽烷偶合劑係處於其分子之一端之官能基(通常為氯基、烷氧基或乙醯氧基等)經水解而形成矽烷醇基(Si-OH)。藉此，底塗層之樹脂組合物被共價鍵等修飾，形成牢固之鍵。又，可藉由矽烷偶合劑之處於另一端之乙烯基、甲基丙烯醯氧基、胺基系、環氧基系或巰基等有機官能基，而容易地改善底塗層與含有量子點之層之密接性。

作為矽烷偶合劑，例如可例舉γ-氯丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三氯矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基-三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、γ-巰丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、雙(β-羥乙基)-γ-胺基丙基三乙氧基矽烷及γ-胺基丙基聚矽氧等，可使用該等之一種或兩種以上。

矽烷偶合劑之含量以底塗層之總量為基準，較佳為1質量%以上，更佳為3質量%以上。若矽烷偶合劑之含量處於上述範圍，則可更容易地提昇底塗層與含有量子點之層之密接性。 再者，為了改善底塗層之伸長性，並且抑制底塗層產生龜裂，矽烷偶合劑之含量以底塗層之總量為基準，較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下。

底塗層可進而包含填充劑。填充劑具有調整用於形成底塗層之塗佈液之黏度等，提高塗佈適應性等之作用。填充材料例如可使用碳酸鈣、硫酸鋇、鋁白、二氧化矽、滑石、玻璃料、樹脂粉末等。

底塗層進而視需要可包含穩定劑、交聯劑、潤滑劑、紫外線吸收劑、其他等之添加劑。

若底塗層之厚度t ₁過薄，則存在底塗層與含有量子點之層之密接性降低，或無法充分緩和含有量子點之層之應力之情況。又，即便厚度t ₁過厚，密接性之效果亦飽和。 因此，厚度t ₁之下限較佳為100 nm以上，更佳為150 nm以上，進而較佳為200 nm以上。厚度t ₁之上限較佳為900 nm以下，更佳為600 nm以下，進而較佳為500 nm以下，進而更佳為450 nm以下。

於本說明書所示之構成要件中，於分別示出複數個數值上限選項及下限選項之情形時，可組合選自上限選項中之一個與選自下限選項中之一個，實現數值範圍之實施方式。 例如，於上述底塗層之厚度之情形時，可例舉100 nm以上900 nm以下、100 nm以上600 nm以下、100 nm以上500 nm以下、100 nm以上450 nm以下、150 nm以上900 nm以下、150 nm以上600 nm以下、150 nm以上500 nm以下、150 nm以上450 nm以下、200 nm以上900 nm以下、200 nm以上600 nm以下、200 nm以上500 nm以下、200 nm以上450 nm以下等數值範圍之實施方式。

於本說明書中，構成障壁膜之各層之厚度、以及含有量子點之層之厚度例如可自使用掃描穿透式電子顯微鏡拍攝之截面圖像中測定20處之厚度，根據20處之值之平均值來算出。

＜基材膜＞ 本發明之第1實施方式之障壁膜具有第1基材膜及第2基材膜作為基材膜。如此，藉由具有2個基材膜，可改善形成障壁層時之效率，並且改善障壁膜之塑性及強度。

第1基材膜及第2基材膜為不損害波長轉換片材之功能之樹脂膜即可，並無特別限制。 作為第1基材膜及第2基材膜，可例舉由選自聚酯、三乙醯纖維素(TAC)、二乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚碸、聚碸、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚胺基甲酸酯及非晶質烯烴(環烯烴聚合物(Cyclo-Olefin-Polymer：COP))等中之一種以上之樹脂所形成之樹脂膜。為了賦予特定塑性，該等樹脂膜較佳為延伸膜，更佳為雙軸延伸膜。 該等樹脂膜中，就機械強度、尺寸穩定性及耐熱性之觀點而言，較佳為經延伸加工之聚酯膜，更佳為經雙軸延伸加工之聚酯膜。作為聚酯膜，可例舉聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜。 第1基材膜及第2基材膜可為同一種樹脂膜，亦可為不同種樹脂膜。

第1基材膜及第2基材膜之JIS K7361-1：1997之全光線透過率較佳為80%以上，更佳為85%以上，進而較佳為87%以上。

為了提昇密接性等，可對第1基材膜及第2基材膜中設置障壁層之側之表面實施表面處理。作為表面處理，例如可例舉：電暈放電處理、臭氧處理、使用氧氣或氮氣等之低溫電漿處理、輝光放電處理、使用化學藥品等進行處理之氧化處理等。

在將第1基材膜之厚度定義為T1，將第2基材膜之厚度為T2時，較佳為T1＜T2。藉由設為T1＜T2，可改善形成障壁層時之效率，並且改善障壁膜之塑性及強度。上述效果於上述積層構成(A1)及(A2)中特別有效。 再者，藉由設為T1＜T2，有因T1較薄而容易於表面1產生凹凸之趨勢。然而，本發明之障壁膜由於滿足條件1，從而即便表面1產生凹凸，亦可容易地抑制波長轉換片材之面內產生亮度不均。

第1基材膜之厚度T1較佳為5 μm以上，更佳為8 μm以上，進而較佳為10 μm以上。藉由將第1基材膜之厚度設為5 μm以上，可容易地滿足條件1，並且可容易地改善障壁膜之處理性。 為了易於薄膜化及抑制水蒸氣及氧氣自端部浸入，第1基材膜之厚度較佳為100 μm以下，更佳為75 μm以下，進而較佳為50 μm以下，進而更佳為27 μm以下。又，藉由將第1基材膜之厚度設為上述範圍，可容易地改善形成障壁層時之效率。

第2基材膜之厚度較佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上，進而較佳為30 μm以上。藉由將第2基材膜之厚度設為10 μm以上，可容易地滿足條件1，並且可容易地改善障壁膜之處理性。 為了易於薄膜化及抑制水蒸氣及氧氣自端部浸入，第2基材膜之厚度較佳為200 μm以下，更佳為150 μm以下，進而較佳為100 μm以下，進而更佳為75 μm以下。

T2/T1之下限較佳為2.0以上，更佳為3.0以上，進而較佳為3.5以上，且上限較佳為10.0以下，更佳為9.0以下，進而較佳為8.5以下。 藉由將T2/T1設為2.0以上，容易藉由厚度較厚之第2基材膜支持整個障壁膜，故而可容易地抑制障壁膜產生凹凸。藉由將T2/T1設為10.0以下，容易抑制應力集中於厚度較薄之第1基材膜，故而可容易地抑制障壁膜產生凹凸。

＜障壁層＞ 於第1實施方式之障壁膜中，障壁層例如可形成於接著劑層與底塗層之間之任意部位及接著劑層之與底塗層為相反側之任意部位之至少任一部位。障壁層較佳為形成於第1基材膜上或第2基材膜上。 障壁層例如可藉由如下方式等形成：將構成障壁層之成分蒸鍍或塗佈於第1基材膜及第2基材膜之至少一者上。 障壁層可如圖1及圖2般形成於第1基材膜及第2基材膜之一者。又，障壁層亦可如圖3般形成於第1基材膜及第2基材膜之兩者。

於第1實施方式之障壁膜中，作為障壁層，可例舉：選自由「藉由蒸鍍無機氧化物而形成之無機氧化物層」、「塗佈包含聚乙烯醇等水溶性高分子等之塗佈劑而形成之有機被覆層」、「含有包含金屬氧化物及磷化合物之組合物之反應物之層」所組成之群中之單種之單層；將選自上述群中之單種積層而成之層；將選自上述群中之兩種以上積層而成之層等。該等中，較佳為將無機氧化物層與有機被覆層積層而成者。即，障壁層較佳為包含無機氧化物層及有機被覆層。 作為含有包含金屬氧化物及磷化合物之組合物之反應物之層，例如可例舉國際公開WO2011/122036中所記載之層。 以下，對無機氧化物層及有機被覆層之實施方式進行說明。

於第1基材膜上之障壁層具有無機氧化物層及有機被覆層之情形時，較佳為依序具有第1基材膜、無機氧化物層及有機被覆層。於第2基材膜上之障壁層具有無機氧化物層及有機被覆層之情形時，較佳為依序具有第2基材膜、無機氧化物層及有機被覆層。

又，為了改善阻隔性，障壁層更佳為依序具有第1無機氧化物層、第1有機被覆層、第2無機氧化物層、第2有機被覆層。於第1基材膜上之障壁層具有上述構成之情形時，較佳為依序具有第1基材膜、第1無機氧化物層、第1有機被覆層、第2無機氧化物層、第2有機被覆層。於第2基材膜上之障壁層具有上述構成之情形時，較佳為依序具有第2基材膜、第1無機氧化物層、第1有機被覆層、第2無機氧化物層、第2有機被覆層。

《無機氧化物層》 作為構成無機氧化物層之無機氧化物，可例舉選自氧化鋁、氧化矽及氧化鎂中之一種或兩種以上。為了對障壁膜賦予充分之阻隔性及為了障壁膜之生產效率，較佳為氧化鋁或氧化矽。又，為了抑制色調，更佳為氧化鋁。

無機氧化物層例如可藉由真空蒸鍍法、濺鍍法及離子鍍覆法等物理氣相沈積法、或電漿輔助化學氣相沈積法、熱化學氣相沈積法及光化學氣相沈積法等化學氣相沈積法等來形成。該等中，較佳為蒸鍍速度較快且生產性良好之真空蒸鍍法。

於無機氧化物層包含氧化矽之情形時，各層中之氧化矽之含有比率以質量為基準較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，進而較佳為95質量%以上。 於無機氧化物層包含氧化鋁之情形時，各層中之氧化鋁之含有比率以質量為基準較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，進而較佳為95質量%以上。

無機氧化物層之較佳之厚度根據無機氧化物之種類而有所不同，故而不可一概而論。於無機氧化物層包含氧化矽或氧化鋁之情形時，無機氧化物層之厚度較佳為處於以下範圍。

於無機氧化物層包含氧化矽之情形時，為了改善阻隔性，無機氧化物層之厚度較佳為20 nm以上，更佳為50 nm以上，進而較佳為70 nm以上。 又，於無機氧化物層包含氧化矽之情形時，無機氧化物層之厚度較佳為220 nm以下，更佳為180 nm以下，進而較佳為160 nm以下，進而更佳為140 nm以下，尤佳為100 nm以下。藉由將厚度設為220 nm以下，可抑制無機氧化物層產生損傷及龜裂，並且容易抑制因氧化矽所導致之色調。

於無機氧化物層包含氧化鋁之情形時，為了改善阻隔性，無機氧化物層之厚度較佳為6 nm以上，更佳為7 nm以上。 又，於無機氧化物層包含氧化鋁之情形時，無機氧化物層之厚度較佳為25 nm以下，更佳為20 nm以下，進而較佳為15 nm以下，進而更佳為12 nm以下，尤佳為10 nm以下。藉由將厚度設為25 nm以下，可容易地抑制無機氧化物層產生損傷及龜裂。

《有機被覆層》 有機被覆層較佳為包含選自水溶性高分子及金屬烷氧化物系化合物中之一種以上。又，於水溶性高分子及金屬烷氧化物系化合物中，有機被覆層更佳為包含選自水溶性高分子中之一種以上，進而較佳為包含選自水溶性高分子中之一種以上及選自金屬烷氧化物系化合物中之一種以上。 與無機氧化物層相比，有機被覆層之可撓性良好。因此，藉由除具有無機氧化物層以外還具有有機被覆層，可容易地抑制無機氧化物層產生損傷及龜裂，可容易地改善障壁膜之阻隔性。

作為水溶性高分子，可例舉聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮及乙烯-乙烯醇共聚物等。該等中，就阻隔性之觀點而言，較佳為聚乙烯醇及乙烯-乙烯醇共聚物，更佳為聚乙烯醇。即，有機被覆層較佳為包含選自聚乙烯醇及乙烯-乙烯醇共聚物中之一種以上，更佳為包含聚乙烯醇。

於有機被覆層含有水溶性高分子及金屬烷氧化物系化合物之情形時，相對於金屬烷氧化物系化合物之合計量100質量份，水溶性高分子之含量較佳為5質量份以上500質量份以下，更佳為7質量份以上100質量份以下，進而較佳為8質量份以上50質量份以下。

作為金屬烷氧化物系化合物，可例舉：金屬烷氧化物、金屬烷氧化物水解物及金屬烷氧化物聚合物。 金屬烷氧化物為通式M(OR) _n所表示之化合物。式中，M表示Si、Ti、Al及Zr等金屬，R表示甲基及乙基等烷基。作為金屬烷氧化物之具體例，可例舉：四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷及異丙醇鋁等。

有機被覆層例如可藉由如下方式形成：將包含構成有機被覆層之成分之塗佈液塗佈於無機氧化物層上並使其乾燥。上述塗佈液中可含有矽烷偶合劑、硬化劑及分散劑等添加劑。

為了改善阻隔性，有機被覆層之厚度較佳為70 nm以上，更佳為100 nm以上，進而較佳為150 nm以上。 又，有機被覆層之厚度較佳為600 nm以下，更佳為480 nm以下，進而較佳為370 nm以下，進而更佳為300 nm以下。藉由將厚度設為600 nm以下，可使障壁膜薄膜化。又，若有機被覆層之厚度過厚，則存在塗佈有機被覆層並使其乾燥時所產生之應力增大，無機氧化物層因上述應力而產生龜裂，阻隔性降低之情況。因此，藉由將厚度設為600 nm以下，可容易地改善初始阻隔性。

＜接著劑層＞ 於第1實施方式之障壁膜中，接著劑層位於第1基材膜與第2基材膜之間。接著劑層用於使構成障壁膜之各層一體化。

關於接著劑層，可例舉感壓接著劑層、硬化系接著劑層及感熱接著劑層。該等中，較佳為容易改善密接性之硬化系接著劑層。

於接著劑層為硬化系接著劑層之情形時，較佳為於接著劑層包含熱硬化性接著劑。熱硬化型接著劑係具有因熱而產生化學反應並進行交聯之性質之組合物。上述組合物較佳為包含主劑及硬化劑。又，硬化劑較佳為容易改善與聚酯膜之密接性之異氰酸酯系硬化劑。即，接著劑層較佳為含有包含異氰酸酯系硬化劑之接著劑層用組合物之硬化物。

作為熱硬化型接著劑，可例示：二液硬化型胺基甲酸酯系接著劑、聚酯胺基甲酸酯系接著劑、聚醚胺基甲酸酯系接著劑、丙烯酸系接著劑、聚酯系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚乙酸乙烯酯系接著劑、環氧系接著劑、橡膠系接著劑等。該等中，就容易改善與聚酯膜之密接性之方面而言，較佳為二液硬化型胺基甲酸酯系接著劑。構成二液硬化型胺基甲酸酯系接著劑之胺基甲酸酯系樹脂係以多元醇為主劑且以異氰酸酯為交聯劑之聚胺基甲酸酯。

作為異氰酸酯系硬化劑，可例舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、聚亞甲基聚伸苯基聚異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯；或六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂肪族聚異氰酸酯等。

接著劑層之厚度較佳為3 μm以上30 μm以下，更佳為3 μm以上20 μm以下，進而較佳為4 μm以上8 μm以下。 藉由將接著劑層之厚度設為3 μm以上，可容易地改善第1基材膜與第2基材膜之接著性。藉由將接著劑層之厚度設為30 μm以下，可抑制接著劑層之硬化收縮，容易滿足條件1。

＜其他層＞ 第1實施方式之障壁膜可於不阻礙障壁膜之效果之範圍內具有「除第1基材膜、第2基材膜、障壁層、底塗層及接著劑層以外之層(其他層)」。

作為其他層，可例舉防貼附層。防貼附層例如較佳為位於與以接著劑層為基準具有底塗層之側為相反側之最外層。

《防貼附層》 防貼附層較佳為包含填料及黏合劑樹脂。 作為黏合劑樹脂，可例舉：丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚酯系樹脂、聚酯丙烯酸酯系樹脂、聚胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂、環氧丙烯酸酯系樹脂等。

關於填料，可例舉無機填料及有機填料，較佳為容易改善光學性能之有機填料。作為構成有機填料之樹脂，可例舉丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂等。 填料之折射率與黏合劑樹脂之折射率之折射率差較佳為0.5以下，更佳為0.3以下，進而較佳為0.1以下。

填料之平均粒徑較佳為1.0 μm以上50 μm以下，更佳為1.5 μm以上10 μm以下。藉由使填料之平均粒徑為1.0 μm以上，可有效抑制貼附。藉由使填料之平均粒徑為50 μm以下，可使填料不易脫離防貼附層。平均粒徑意指利用雷射光繞射法所進行之粒度分佈測定中之體積平均值d50。

相對於防貼附層總量，填料之含量較佳為5質量%以上50質量%以下，更佳為10質量%以上40質量%以下。 防貼附層之厚度較佳為1.0 μm以上50.0 μm以下，更佳為1.5 μm以上10.0 μm以下。

＜物性＞ 《水蒸氣透過度》 第1實施方式及第2實施方式之障壁膜之利用JIS K7129-2：2019所得之水蒸氣透過度之值較佳為0.20 g/m ²･day以下，更佳為0.15 g/m ²･day以下。測定水蒸氣透過度時之條件設為溫度40℃、相對濕度90%。 水蒸氣透過度例如可利用MOCON公司製造之水蒸氣透過度測定裝置(商品名：PERMATRAN)來測定。

《氧透過度》 第1實施方式及第2實施方式之障壁膜之利用JIS K7126-2：2006所得之氧透過度之值較佳為0.5 cc/m ²･day･atm以下。測定氧透過度時之條件設為溫度23℃、相對濕度90%。 氧透過度例如可利用MOCON公司製造之氧透過度測定裝置(商品名：OX-TRAN)來測定(MOCON法)。

《b*值》 第1實施方式及第2實施方式之障壁膜之L*a*b*表色系統之b*值較佳為1.0以下，更佳為-2.5以上1.0以下，進而較佳為-2.0以上0.8以下。 L*a*b*表色系統係基於1976年被國際照明委員會(CIE)標準化之L*a*b*表色系統者，被JIS Z8781-4：2013採用。

《全光線透過率》 第1實施方式及第2實施方式之障壁膜之JIS K7361-1：1997之全光線透過率較佳為80%以上，更佳為85%以上，進而較佳為87%以上。 《霧度》 第1實施方式及第2實施方式之障壁膜之JISK7136：2000之霧度較佳為10%以上，更佳為20%以上，進而較佳為40%以上，進而更佳為60%以上。 《分光透過率》 第1實施方式及第2實施方式之障壁膜之波長450 nm下之分光透過率較佳為75%以上，更佳為80%以上，進而較佳為85%以上。

《光學特性之比》 第1實施方式及第2實施方式之障壁膜之不具有上述凹凸1之區域之全光線透過率相對於具有上述凹凸1之區域之全光線透過率的比較佳為0.95以上1.05以下。 藉由將上述比設為0.95以上1.05以下，可更容易地抑制波長轉換片材之面內之亮度不均。

第1實施方式及第2實施方式之障壁膜之不具有上述凹凸1之區域之霧度相對於具有上述凹凸1之區域之霧度之比較佳為0.90以上1.10以下。 藉由將上述比設為0.90以上1.10以下，可更容易地抑制波長轉換片材之面內之亮度不均。

＜製造方法＞ 本發明之第1實施方式之障壁膜之製造方法並無特別限制。下述步驟1～4為本發明之第1實施方式之障壁膜之製造方法之一實施方式。

步驟1：於第1基材膜及第2基材膜之至少任一者形成障壁層。 步驟2：於第1基材膜上形成底塗層。底塗層可形成於步驟1中所形成之障壁層上。 步驟3：獲得經由接著劑層將第1基材膜之與具有底塗層之側相反之側與第2基材膜積層而成之積層體1。於步驟1中在第2基材膜形成障壁層之情形時，較佳為經由接著劑層將第2基材膜之與具有障壁層之側相反之側與第1基材膜之與具有底塗層之側相反之側積層。 步驟4：對上述積層體1進行老化處理，從而進行接著劑層之硬化。

步驟4之老化溫度及時間為進行硬化反應之溫度及時間即可，並無特別限制，但較佳為溫度為30℃以上50℃以下，時間為48小時以上168小時以下。又，步驟4之老化時，如上所述，較佳為抑制水分浸入。

＜用途＞ 本發明之第1實施方式及第2實施方式之波長轉換片材用之障壁膜例如可用於面光源之波長轉換片材用之障壁膜。作為面光源，可例舉液晶顯示裝置之背光光源、檢查機器之背光光源等。即，本發明之波長轉換片材用之障壁膜可用於「液晶顯示裝置之背光光源之波長轉換片材用之障壁膜」、「檢查機器之背光光源之波長轉換片材用之障壁膜」等。 進而，本發明之波長轉換片材用之障壁膜亦可用於「園藝之波長轉換片材用之障壁膜」。作為園藝之波長轉換片材，例如可例舉具有將紫外線轉換為適於植物生長之波長之功能的片材。作為適於植物生長之波長，可例舉適於光合成之波長。園藝之波長轉換片材例如可設置於塑膠棚及玻璃室之園藝設施之頂棚等。

[第2實施方式之波長轉換片材用之障壁膜] 本發明之第2實施方式之波長轉換片材用之障壁膜依序具有基材膜、障壁層及底塗層，且 滿足下述條件1'。 ＜條件1'＞ 將以上述障壁層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1'。以1 mm間隔測定上述表面1'之高程，獲取上述表面1'之高程資料。將由上述高程資料所確定之上述表面1'之輪廓曲線定義為輪廓曲線1'。於特定方向之上述輪廓曲線1'中，上述表面1'之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1'。在將上述凹凸1'之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1'之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1')。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1')

＜積層構成＞ 作為本發明之第2實施方式之障壁膜之積層構成，可例舉下述(B1)。再者，本發明之障壁膜並不限定於下述(B1)之積層構成。於下述(B1)之障壁膜進而具有防貼附層之情形時，較佳為於基材膜之與具有障壁層之側相反之側具有防貼附層。 (B1)依序具有基材膜、障壁層及底塗層之積層構成。

本發明之第2實施方式之障壁膜需要滿足下述條件1'。於不滿足條件1'之情形時，無法抑制波長轉換片材之面內之亮度不均。 ＜條件1'＞ 將以上述障壁層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1'。以1 mm間隔測定上述表面1'之高程，獲取上述表面1'之高程資料。將由上述高程資料所確定之上述表面1'之輪廓曲線定義為輪廓曲線1'。於特定方向之上述輪廓曲線1'中，上述表面1'之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1'。在將上述凹凸1'之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1'之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1')。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1')

於條件1'中，規定以障壁層為基準具有底塗層之側之障壁膜之表面即表面1'滿足特定條件。於將障壁膜應用於波長轉換片材之情形時，含有量子點之層位於障壁膜之底塗層側之面。因此，認為障壁膜之底塗層側之表面會影響含有量子點之層之性能。認為本發明之障壁膜藉由使障壁膜之底塗層側之表面滿足條件1'，可抑制於障壁膜形成含有量子點之層時的影響，可抑制波長轉換片材之面內之亮度不均。以下，進一步具體地說明條件1'。

條件1'之前提為以障壁層為基準具有底塗層之側之障壁膜之表面即表面1'具有特定凹凸。 認為表面1'之凹凸係在於基材膜上形成障壁層及底塗層等功能層之步驟及上述步驟後之加熱步驟中產生。 關於因上述步驟而產生凹凸之第1理由，認為係於基材膜上形成功能層時施加於基材膜之行進方向之張力。即，認為若於行進方向上施加張力而拉伸基材膜，則於行進方向上產生微小條紋，該條紋可能成為凹凸起點。關於因上述步驟而產生凹凸之第2理由，認為原因在於構成障壁膜之層因加熱而收縮。作為會收縮之層，可例舉障壁層等功能層及基材膜。即，認為上述行進方向之微小條紋成為起點，因功能層等之收縮而沿上述條紋於行進方向上形成山部及谷部。捲繞為捲筒狀之障壁膜由於寬度方向之相同位置所產生之山部及谷部逐漸堆積，故而有捲筒之表面側之山部及谷部增大之趨勢。根據上述現象認為，因於障壁膜形成沿行進方向延伸之山部及沿行進方向延伸之谷部，而於障壁膜之寬度方向之輪廓曲線形成凹凸。

再者，認為表面1'之凹凸係因第1理由及第2理由之複合因素而產生，且認為不易單獨因第1理由及第2理由而產生。 製造障壁膜時，若調整張力等機械條件，則可抑制作為表面1'之凹凸之原因之微小條紋，故而可抑制表面1'之凹凸。然而，即便調整張力等機械條件，亦不易完全消除微小條紋，故而不易完全消除表面1'之凹凸。本發明人等以於第2實施方式之障壁膜之表面1'產生凹凸為前提，對用於使亮度不均不明顯之條件進行研究，從而得出條件1'。

條件1'之測定方法依據上述第1實施方式之障壁膜之條件1之測定方法。又，表面1'之較佳實施方式依據上述第1實施方式之障壁膜之表面1之較佳實施方式。

＜底塗層＞ 於本發明之第2實施方式之障壁膜中，底塗層之位置較佳為障壁膜之最外層。上述最外層意指以障壁層為基準具有底塗層之側之最外層。藉由於上述位置具有底塗層，可改善障壁膜與含有量子點之層之密接性，就該方面而言較佳。

關於第2實施方式之障壁膜之底塗層之實施方式，可例舉與上述第1實施方式之障壁膜之底塗層之實施方式相同之實施方式。

＜基材膜＞ 本發明之第2實施方式之障壁膜具有基材膜。 關於第2實施方式之障壁膜之基材膜之實施方式，可例舉與上述第1實施方式之障壁膜之第2基材膜相同之實施方式。

＜障壁層＞ 於第2實施方式之障壁膜中，障壁層例如可形成於基材膜與底塗層之間。 障壁層例如可藉由如下方式等形成：將構成障壁層之成分蒸鍍或塗佈於基材膜之至少一者上。

於第2實施方式之障壁膜中，作為障壁層，可例舉：選自由「藉由蒸鍍無機氧化物而形成之無機氧化物層」、「塗佈包含聚乙烯醇等水溶性高分子等之塗佈劑而形成之有機被覆層」、「含有包含金屬氧化物及磷化合物之組合物之反應物之層」所組成之群中之單種之單層；將選自上述群中之單種積層而成之層；將選自上述群中之兩種以上積層而成之層等。該等中，較佳為將無機氧化物層與有機被覆層積層而成者。即，障壁層較佳為包含無機氧化物層及有機被覆層。 無機氧化物層較佳為形成於相較於有機被覆層而言更靠基材膜側。即，第2實施方式之障壁膜較佳為依序具有基材膜、無機氧化物層、有機被覆層及底塗層。

關於第2實施方式之障壁膜之無機氧化物層及有機被覆層之實施方式，可例舉與上述第1實施方式之障壁膜之無機氧化物層及有機被覆層之實施方式相同之實施方式。

＜其他層＞ 第2實施方式之障壁膜可於不阻礙障壁膜之效果之範圍內具有「除基材膜、障壁層及底塗層以外之層(其他層)」。

作為其他層，可例舉防貼附層。防貼附層例如較佳為位於與以障壁層為基準具有底塗層之側為相反側之最外層。 防貼附層較佳為包含填料及黏合劑樹脂。關於第2實施方式之障壁膜之防貼附層之實施方式，可例舉與上述第1實施方式之障壁膜之防貼附層之實施方式相同之實施方式。

[波長轉換片材] 本發明之波長轉換片材係依序積層第1障壁膜、包含量子點之含有量子點之層及第2障壁膜而成者，且上述第1障壁膜及上述第2障壁膜之至少任一障壁膜，係以上述本發明之波長轉換片材用之障壁膜之上述底塗層側之面朝向上述含有量子點之層側的方式積層。

圖4係表示本發明之波長轉換片材200之實施方式之剖視圖。圖4之波長轉換片材200依序積層有第1障壁膜100b、包含量子點之含有量子點之層80及第2障壁膜100a。又，以圖4之波長轉換片材200之第1障壁膜及第2障壁膜之底塗層10側之面朝向含有量子點之層80側的方式積層。

波長轉換片材較佳為如圖4般以含有量子點之層為中心具有上下對稱之層構成。換言之，積層於含有量子點之層之兩側而成之障壁膜較佳為使用相同構成之障壁膜。藉由具有上述構成，可使應變均勻地分散，容易改善波長轉換片材之平面性，並且可容易地改善波長轉換片材之各界面之密接性。

＜含有量子點之層＞ 含有量子點之層包含量子點及黏合劑樹脂。

量子點(Quantum dot)為半導體之奈米尺寸之微粒子，藉由將電子或激子封閉至奈米尺寸之小結晶內之量子封閉效應(量子尺寸效應)，而顯示出特異性光學性質、電性質，亦被稱為半導體奈米粒子或半導體奈米結晶。 量子點為半導體之奈米尺寸之微粒子，為產生量子封閉效應(量子尺寸效應)之材料即可，並無特別限定。作為量子點，可例舉藉由自身粒徑而限制發光色之半導體微粒子及具有摻雜劑之半導體微粒子。

量子點藉由其粒徑而使發光色不同，例如，於僅由包含CdSe之核所構成之量子點之情形時，粒徑為2.3 nm、3.0 nm、3.8 nm、4.6 nm時之螢光光譜之峰值波長為528 nm、570 nm、592 nm、637 nm。即，發出峰值波長637 nm之二次光之量子點之粒徑為4.6 nm，發出峰值波長528 nm之二次光之量子點之粒徑為2.3 nm。 量子點較佳為包含選自發出與紅色相當之波長之二次光之量子點及發出與綠色相當之波長之二次光之量子點中之一種以上，更佳為包含發出與紅色相當之波長之二次光之量子點及發出與綠色相當之波長之二次光之量子點。量子點亦可含有除發出與紅色相當之波長之二次光之量子點及發出與綠色相當之波長之二次光之量子點以外之量子點。

量子點之含量根據含有量子點之層之厚度、背光中之光之循環率、目標色調等適宜地調整。若含有量子點之層之厚度處於下述範圍，則量子點之含量較佳為相對於含有量子點之層之黏合劑樹脂100質量份為0.010質量份以上1.0質量份以下。

關於作為量子點之核之材料，具體而言，可例示：如MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe及HgTe之II-VI族半導體化合物、如AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaAs、GaP、GaN、GaSb、InN、InAs、InP、InSb、TiN、TiP、TiAs及TiSb之III-V族半導體化合物、如Si、Ge及Pb之IV族半導體等半導體化合物或含有半導體之半導體結晶。又，亦可使用含有包含如InGaP之三種元素以上之半導體化合物之半導體結晶。 進而，包含具有摻雜劑之半導體微粒子之量子點亦可使用向上述半導體化合物中摻雜如Eu ³⁺、Tb ³⁺、Ag ⁺、Cu ⁺之稀土類金屬之陽離子或過渡金屬之陽離子而成之半導體結晶。 關於作為量子點之核之材料，就製作之容易性、可獲得可見光範圍內之發光之粒徑之控制性、螢光量子產率之觀點而言，宜為CdS、CdSe、CdTe、InP、InGaP等半導體結晶。

量子點可包含一種半導體化合物，亦可包含兩種以上之半導體化合物，例如，可具有核殼型結構，該核殼型結構具有包含半導體化合物之核及包含與上述核不同之半導體化合物之殼。 於使用核殼型量子點之情形時，構成殼之半導體使用帶隙比形成核之半導體化合物高之材料，以便將激子封閉至核中，藉此可提高量子點之發光效率。 作為具有此種帶隙之大小關係之核殼結構(核/殼)，例如可例舉：CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdTe/CdS、InP/ZnS、Gap/ZnS、Si/ZnS、InN/GaN、InP/CdSSe、InP/ZnSeTe、InGaP/ZnSe、InGaP/ZnS、Si/AlP、InP/ZnSTe、InGaP/ZnSTe、InGaP/ZnSSe等。

量子點之尺寸只要以獲得所需波長之光之方式根據構成量子點之材料適宜地控制即可。量子點係隨著粒徑變小，能帶隙變大。即，隨著結晶尺寸變小，量子點之發光向藍色側即向高能量側偏移。因此，藉由改變量子點之尺寸，於紫外區域、可見區域、紅外區域之光譜之波長全域均可調節其發光波長。 一般而言，量子點之粒徑(直徑)較佳為處於0.5 nm以上20 nm以下之範圍，更佳為處於1 nm以上10 nm以下之範圍。再者，量子點之尺寸分佈越狹窄，越可獲得更鮮明之發光色。 量子點之形狀並無特別限定，例如可為球狀、棒狀、圓盤狀、其他形狀。於量子點不為球狀之情形時，量子點之粒徑可設為具有相同體積之真球狀之值。 量子點可由樹脂被覆。

作為含有量子點之層之黏合劑樹脂，可例舉：熱塑性樹脂、熱固性樹脂組合物之硬化物、游離輻射硬化性樹脂組合物之硬化物。該等中，就耐久性之觀點而言，較佳為熱固性樹脂組合物之硬化物、游離輻射硬化性樹脂組合物之硬化物，更佳為游離輻射硬化性樹脂組合物之硬化物。

熱固性樹脂組合物為至少包含熱固性樹脂之組合物，為藉由加熱而硬化之樹脂組合物。熱固性樹脂組合物較佳為除包含熱固性樹脂以外，還包含下述硫醇化合物，更佳為還包含多官能硫醇化合物。 作為熱固性樹脂，可例舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、酚系樹脂、尿素三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚矽氧樹脂等。於熱固性樹脂組合物中，視需要向該等硬化性樹脂中添加硬化劑。

游離輻射硬化性樹脂組合物為包含具有游離輻射硬化性官能基之化合物(以下，亦稱為「游離輻射硬化性化合物」)之組合物。游離輻射硬化性樹脂組合物較佳為除包含游離輻射硬化性化合物以外，還包含下述硫醇化合物，更佳為還包含多官能硫醇化合物。

作為游離輻射硬化性官能基，可例舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等乙烯性不飽和鍵結基、及環氧基、氧雜環丁基等，其中，較佳為乙烯性不飽和鍵結基。又，乙烯性不飽和鍵結基中，較佳為(甲基)丙烯醯基。以下，將具有(甲基)丙烯醯基之游離輻射硬化性化合物稱為(甲基)丙烯酸酯系化合物。即，黏合劑樹脂較佳為含有包含(甲基)丙烯酸酯系化合物之組合物之硬化物。 再者，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」係指甲基丙烯酸酯及丙烯酸酯。又，於本說明書中，「游離輻射」意指具有電磁波或帶電粒子束中可使分子聚合或交聯之能量量子，通常使用紫外線或電子束，此外，亦可使用X射線、γ射線等電磁波、α射線、離子束等帶電粒子束。

游離輻射硬化性化合物可為僅具有1個上述官能基之單官能游離輻射硬化性化合物，亦可為具有2個以上之上述官能基之多官能游離輻射硬化性化合物，還可為該等之混合物。該等中，較佳為多官能游離輻射硬化性化合物，更佳為具有2個以上之(甲基)丙烯醯基而成之多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物。即，黏合劑樹脂較佳為包含多官能之游離輻射硬化性化合物之硬化物，更佳為包含多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物之硬化物。進而，黏合劑樹脂較佳為含有包含多官能游離輻射硬化性化合物及硫醇化合物之組合物之硬化物，更佳為含有包含多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物及硫醇化合物之組合物之硬化物。

多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物可具有伸烷氧基。 作為伸烷氧基，例如較佳為碳數為2以上4以下之伸烷氧基，更佳為碳數為2或3之伸烷氧基，進而較佳為碳數為2之伸烷氧基。

具有伸烷氧基之多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物可為具有包含複數個伸烷氧基之聚伸烷氧基之多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物。 於多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物具有伸烷氧基之情形時，一個分子中之伸烷氧基之數量較佳為2個以上30個以下，更佳為2個以上20個以下，進而較佳為3個以上10個以下，進而更佳為3個以上5個以下。

於多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物具有伸烷氧基之情形時，較佳為具有雙酚結構。藉此，硬化物之耐熱性有提昇之趨勢。作為雙酚結構，例如可例舉雙酚A結構及雙酚F結構，其中，較佳為雙酚A結構。 作為具有伸烷氧基之多官能(甲基)丙烯酸酯化合物，其中，較佳為乙氧化雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯、丙氧化雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯及丙氧化乙氧化雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯，更佳為乙氧化雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯。

又，游離輻射硬化性化合物可為單體，亦可為低聚物，還可為低分子量之聚合物，還可為該等之混合物。

如上所述，熱固性樹脂組合物及游離輻射硬化性樹脂組合物較佳為包含硫醇化合物。 硫醇化合物為具有一個以上之R-SH所表示之單元(R為有機基)之化合物。於本說明書中，將具有一個R-SH所表示之單元之化合物稱為單官能硫醇化合物，將具有兩個以上之R-SH所表示之單元之化合物稱為多官能硫醇化合物。

硫醇化合物可為單官能硫醇化合物，但就改善含有量子點之層之強度之觀點而言，較佳為多官能硫醇化合物。又，多官能硫醇化合物中，更佳為三官能硫醇化合物或四官能硫醇化合物。

硫醇化合物於自由基聚合起始劑之存在下與具有自由基聚合性官能基之化合物發生下述式之硫醇-烯反應。硫醇-烯反應可抑制聚合收縮，故而緩和含有量子點之層硬化時所產生之應力，結果，容易進一步提昇波長轉換片材之層間密接性，就該方面而言較佳。又，藉由硫醇-烯反應而獲得之硬化物就容易改善耐熱性之方面而言較佳。進而，硫醇化合物之折射率(約1.53)高於多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物之折射率(約1.45)，故而可提高含有量子點之層之折射率之調整自由度。 再者，下述反應為單官能硫醇化合物與具有一個自由基聚合性官能基之化合物之反應例。認為多官能硫醇化合物與具有兩個以上之自由基聚合性官能基之化合物之反應物容易形成樹枝狀聚合物結構。並且，認為於形成樹枝狀聚合物結構之情形時，含有量子點之層之柔軟性增加，含有量子點之層本身容易發揮優異之應力緩和性。作為自由基聚合性官能基，可例舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等含有乙烯性不飽和鍵之基。

[化1]

[式中，R ¹及R ²為有機基]

作為單官能硫醇化合物之具體例，可例舉：己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-壬硫醇、1-癸硫醇、3-巰基丙酸、巰基丙酸甲酯、巰基丙酸甲氧基丁酯、巰基丙酸辛酯、巰基丙酸十三烷基酯、3-巰基丙酸2-乙基己酯、3-巰基丙酸正辛酯等。

作為多官能硫醇化合物之具體例，可例舉：乙二醇雙(3-巰基丙酸酯)、二乙二醇雙(3-巰基丙酸酯)、四乙二醇雙(3-巰基丙酸酯)、1,2-丙二醇雙(3-巰基丙酸酯)、二乙二醇雙(3-巰基丁酸酯)、1,4-丁二醇雙(3-巰基丙酸酯)、1,4-丁二醇雙(3-巰基丁酸酯)、1,8-辛二醇雙(3-巰基丙酸酯)、1,8-辛二醇雙(3-巰基丁酸酯)、己二醇雙巰基乙酸酯、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基丁酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基異丁酸酯)、三羥甲基丙烷三(2-巰基異丁酸酯)、三羥甲基丙烷三巰基乙酸酯、三-[(3-巰基丙醯氧基)-乙基]-異氰尿酸酯、三羥甲基乙烷三(3-巰基丁酸酯)、季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)、季戊四醇四(3-巰基異丁酸酯)、季戊四醇四(2-巰基異丁酸酯)、二季戊四醇六(3-巰基丙酸酯)、二季戊四醇六(2-巰基丙酸酯)、二季戊四醇六(3-巰基丁酸酯)、二季戊四醇六(3-巰基異丁酸酯)、二季戊四醇六(2-巰基異丁酸酯)、季戊四醇四巰基乙酸酯、二季戊四醇六巰基乙酸酯等。

於游離輻射硬化性樹脂組合物(或熱固性樹脂樹脂組合物)中，游離輻射硬化性化合物(或熱固性樹脂)與硫醇化合物之質量比較佳為80：20～35：65，更佳為70：30～40：60。

於游離輻射硬化性化合物為紫外線硬化性化合物之情形時，游離輻射硬化性組合物較佳為包含光聚合起始劑或光聚合促進劑等添加劑。

含有量子點之層中可包含內部擴散粒子。 內部擴散粒子可使用有機粒子及無機粒子之任一者。作為有機粒子，可例舉包含聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-苯乙烯共聚物、三聚氰胺樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、苯并胍胺-三聚氰胺-甲醛縮合物、聚矽氧樹脂、氟系樹脂及聚酯等之粒子。作為無機微粒子，可例舉包含二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯及二氧化鈦等之微粒子。 關於內部擴散粒子之形狀，可例舉球形、圓盤狀、橄欖球狀、不定形等形狀。又，內部擴散粒子可為中空粒子、多孔質粒子及實心粒子之任一者。

相對於黏合劑樹脂100質量份，內部擴散粒子之含量較佳為1質量份以上40質量份以下，更佳為3質量份以上30質量份以下。

內部擴散粒子之平均粒徑較佳為1 μm以上7 μm以下，更佳為1 μm以上3 μm以下。

含有量子點之層之厚度較佳為10 μm以上200 μm以下，更佳為20 μm以上150 μm以下，進而較佳為30 μm以上100 μm以下，進而更佳為40 μm以上90 μm以下。 若含有量子點之層之厚度較薄，則有障壁膜之表面1之凹凸之影響增大之趨勢。本發明之波長轉換片材係即便含有量子點之層之厚度處於上述範圍，障壁膜亦滿足條件1，故而可容易地抑制波長轉換片材之面內產生亮度不均。

[背光] 本發明之背光係具備發出一次光之至少1個光源、與上述光源相鄰配置之用於導光或擴散之光學板、及配置於上述光學板之光出射側之波長轉換片材者，且上述波長轉換片材為上述本發明之波長轉換片材。

關於本發明之背光300，作為一例，可例舉如圖5所示之邊緣照明型背光301或如圖6所示之直下式背光302。

圖5之邊緣照明型背光301所使用之光學板220為用於對由光源210所發出之一次光進行導光之光學構件，即所謂之導光板221。導光板221例如包括以將至少一面作為光入射面、將與其大致正交之另一面作為光出射面之方式成形之大致平板狀之形狀。

導光板主要包含選自聚甲基丙烯酸甲酯等高透明樹脂中之基質樹脂。導光板亦可視需要添加折射率與基質樹脂不同之樹脂粒子。導光板之各面可形成複雜之表面形狀而非均勻之平面，亦可設置點圖案等。

圖6之直下式背光302所使用之光學板220為具有光擴散性之光學構件(光擴散板222)，該光擴散性使得光源210之圖案不易被看見。作為光擴散板222，例如可例舉厚度1 mm以上3 mm以下之乳白色樹脂板。

邊緣照明型及直下式背光除具備上述光源、光學板及障壁膜以外，還可視目的具備選自反射板、光擴散膜、稜鏡片材、增亮膜(BEF)及反射型偏光膜(DBEF)等中之一種以上之構件。 反射板配置於光學板之與光出射面側相反之側。光擴散膜、稜鏡片材、增亮膜及反射型偏光膜配置於光學板之光出射面側。藉由製成具備選自反射板、光擴散膜、稜鏡片材、增亮膜及反射型偏光膜等中之一種以上之構件之構成，可製成正面亮度、視角等之平衡優異之背光。

於邊緣照明型及直下式背光中，光源210為發出一次光之發光體，較佳為使用發出與藍色相當之波長之一次光之發光體。與藍色相當之波長之一次光之峰值波長較佳為處於380 nm以上480 nm以下之範圍。峰值波長之範圍較佳為450 nm±7 nm，更佳為450 nm±5 nm，進而較佳為450 nm±3 nm，進而更佳為450 nm±1 nm。 作為光源210，就可使設置背光之裝置簡化及小型化之觀點而言，較佳為LED光源，更佳為藍色單色之LED光源。光源210至少為1個，就發出充分之一次光之觀點而言，較佳為複數個。

[液晶顯示裝置] 本發明之液晶顯示裝置係具備背光及液晶面板者，且上述背光為上述本發明之背光。

液晶面板並無特別限定，可使用通用之液晶顯示裝置之液晶面板。例如，可使用具有利用玻璃板夾住液晶層上下之一般構造之液晶面板，具體而言，可使用TN(Twisted Nematic，扭轉向列)、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)、VA(Vertical Aligned，垂直配向)、IPS(In-Plane Switching，橫向電場效應)及OCB(optically compensated bend，光學補償彎曲)等顯示方式之液晶面板。

液晶顯示裝置進而具備偏光板及彩色濾光片等。偏光板及彩色濾光片可使通用者。

液晶顯示裝置之顯示圖像藉由使由背光所照射之白色光透過彩色濾光片而顯示為彩色。液晶顯示裝置使用與利用量子點所得之背光之光譜適配之彩色濾光片，藉此可實現明度及效率優異，生成非常鮮明之顏色之顯示器。

[第1實施方式之波長轉換片材用之障壁膜之選定方法] 本發明之第1實施方式之波長轉換片材用之障壁膜之選定方法係具有第1基材膜、第2基材膜、障壁層、底塗層、及位於上述第1基材膜與第2基材膜之間之接著劑層的波長轉換片材用之障壁膜之選定方法，且 以滿足下述條件1作為判定條件。 ＜條件1＞ 將以上述接著劑層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1。以1 mm間隔測定上述表面1之高程，獲取上述表面1之高程資料。將由上述高程資料所確定之上述表面1之輪廓曲線定義為輪廓曲線1。於特定方向之上述輪廓曲線1中，上述表面1之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1。在將上述凹凸1之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1)。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1)

藉由選定滿足條件1之障壁膜，可高效率地選定可抑制波長轉換片材之面內之亮度不均之波長轉換片材用之障壁膜。

於本發明之第1實施方式之障壁膜之選定方法中，障壁膜之較佳實施方式依據上述本發明之第1實施方式之障壁膜之較佳實施方式。例如，障壁膜較佳為依序具有上述第2基材膜、上述接著劑層、上述第1基材膜、上述障壁層及上述底塗層。或者，障壁膜較佳為在將上述第1基材膜之厚度定義為T1，將上述第2基材膜之厚度定義為T2時，T1＜T2。

[第2實施方式之波長轉換片材用之障壁膜之選定方法] 本發明之第2實施方式之波長轉換片材用之障壁膜之選定方法係依序具有基材膜、障壁層及底塗層之波長轉換片材用之障壁膜之選定方法，且 以滿足下述條件1'作為判定條件。 ＜條件1'＞ 將以上述障壁層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1'。以1 mm間隔測定上述表面1'之高程，獲取上述表面1'之高程資料。將由上述高程資料所確定之上述表面1'之輪廓曲線定義為輪廓曲線1'。於特定方向之上述輪廓曲線1'中，上述表面1'之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1'。在將上述凹凸1'之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1'之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1')。 H/W ²≦1.5×10 ^-5(1')

藉由選定滿足條件1'之障壁膜，可高效率地選定可抑制波長轉換片材之面內之亮度不均之波長轉換片材用之障壁膜。

於本發明之第2實施方式之障壁膜之選定方法中，障壁膜之較佳實施方式依據上述本發明之第2實施方式之障壁膜之較佳實施方式。 [實施例]

繼而，藉由實施例進一步對本發明進行詳細說明，但本發明不受該等例子任何限定。再者，「份」及「%」除非特別說明，否則以質量為基準。

1.測定及評價 對實施例及比較例之障壁膜或波長轉換片材進行下述測定及評價。將結果示於表1。

1-1.表面1之凹凸之測定 對實施例及比較例之障壁膜1之具有底塗層之側之表面即表面1之高程進行測定。測定裝置使用Hakko Automation公司之名稱為「LINE STRIPER [HIU-LS400]」之商品。 於表面1之寬度方向之輪廓曲線1中，抽選出具有相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1之區域。根據穿過上述區域之行進方向之正中之寬度方向之輪廓曲線1，算出凹凸1之高低差H[mm]及凹凸1之寬度W[mm]。於具有複數個凹凸1之情形時，根據凹凸1之數量計算高低差H[mm]及寬度W[mm]。並且，根據凹凸1之數量計算H/W ²。於圖8中，D1表示行進方向，D2表示寬度方向，A1表示具有凹凸1之區域，S1表示穿過具有凹凸1之區域之行進方向之正中的寬度方向之輪廓曲線1之方向。 再者，利用上述測定裝置測定高程時，設為下述測定條件。

＜測定條件＞ 測定區域：200 mm×200 mm ･曲率(角度)範圍：0.8/m(deg) 偏移：0.00/m(deg) ･簡易位移範圍：0.01 mm 偏移：0.00 mm ･簡易位移近似次數：6 ･平滑化(線寬)：1.0 mm ･平滑化(線)：5.0 mm ･平滑化(移動方向)：3.0 mm ･微分寬度：10.0 mm ･圖像處理模式：標準

1-2.亮度不均 將具有直下式背光之市售液晶電視(VIZIO公司製造之PQ65-F1)解體，取出直下式背光。上述直下式背光中搭載有發光中心波長為450 nm、半峰全幅值為20 nm之直下式藍色LED作為光源。又，上述光源之光出射側依序配置有光擴散板、具有含有量子點之層之波長轉換片材、稜鏡片材及反射偏光板(增亮膜，3M公司製造，DBEF(註冊商標))。又，光源之與光出射側相反之側具備反射片材。 將上述直下式背光中之波長轉換片材變更為實施例及比較例之波長轉換片材，獲得亮度不均評價用之直下式背光。再者，實施例及比較例之波長轉換片材在組裝於直下式背光之前，於溫度23℃±5℃、相對濕度40%以上65%以下之氛圍下暴露30分鐘以上。 點亮亮度不均評價用之直下式背光，於暗室環境下，自距離500 mm之正面方向，以目視觀察直下式背光之面內之亮度不均，以下述基準進行評價。評價者為視力在0.8以上之三十幾歲之健康人。 A：即便仔細觀察，亦未視認到亮度不均。 B：若仔細觀察，則視認到亮度不均，但不可謂亮度不均明顯。 C：亮度不均明顯。

2.量子點分散液之製作 於以氧氣濃度成為300 ppm以下之方式進行了氮氣沖洗之手套式操作箱內，將量子點及胺基改性聚矽氧以下述所示之組成比加以混合，一面於90℃下進行隔水加熱，一面利用磁力攪拌器攪拌4小時。其後，利用孔徑0.2 μm之聚丙烯性過濾器進行過濾，獲得CdSe/ZnS核殼型量子點分散液。 ･0.9質量份之量子點 (發光波峰：540 nm；製造編號：748056；Sigma-Aldrich公司製造) ･0.9質量份之量子點 (發光波峰：630 nm；製造編號：790206；Sigma-Aldrich公司製造) ･99質量份之胺基改性聚矽氧 (Genesee公司製造；商品號：GP-344；黏度：670 mPa･s)

3.障壁膜之製作及波長轉換片材之製作 [實施例1] 於第1基材膜(雙軸延伸PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜，厚度為12 μm)之一面上，藉由真空蒸鍍法蒸鍍氧化鋁，形成厚度10 nm之無機氧化物層。 繼而，於無機氧化物層上，藉由凹版印刷塗佈下述有機被覆層用塗佈液，於90℃下加熱處理60秒，形成厚度400 nm之有機被覆層。 繼而，於第1基材膜之與形成有無機氧化物層之面為相反側之面，藉由凹版印刷塗佈下述底塗層用塗佈液，於80℃下加熱處理60秒，形成底塗層(厚度：215 nm)，獲得依序具有底塗層、第1基材膜、無機氧化物層、有機被覆層之積層體A。 繼而，於第2基材膜(雙軸延伸PET膜，厚度為100 μm)之一面，藉由凹版印刷塗佈包含異氰酸酯系硬化劑之二液硬化型聚胺基甲酸酯系接著劑層用組合物，於80℃下乾燥60秒，形成厚度6 μm之接著劑層，獲得於第2基材膜上具有接著劑層之積層體B。 繼而，一面對積層體A及積層體B施加張力，一面於積層體A之有機被覆層側之面重疊積層體B之接著劑層側之面，對積層體A及積層體B進行乾式層壓，獲得積層體C。積層體C捲繞為捲筒狀(捲繞長度為600 m)。 繼而，將積層體C於40℃下老化72小時。 自老化後之捲筒狀積層體C之表面側起至2 m以內之區域中切割出200 mm×300 mm之片材，獲得實施例1之障壁膜。 藉由上述作業，獲得依序具有第2基材膜、接著劑層、第1基材膜、無機氧化物層、有機被覆層及底塗層之實施例1之障壁膜1。 又，自捲筒狀積層體C之芯側切割出200 mm×300 mm之片材作為波長轉換片材所使用之另1張障壁膜，準備障壁膜2。障壁膜2之表面1不具有高低差為0.001 mm以上之凹凸。

＜有機被覆層用塗佈液之製備＞ 於混合有水、異丙醇及0.5 N鹽酸之溶液(pH值為2.2)中，一面將四乙氧基矽烷冷卻至10℃一面進行混合，從而製備溶液A。另外，製備混合有皂化值99%以上之聚乙烯醇、異丙醇之溶液B。將溶液A及溶液B加以混合，製備有機被覆層用塗佈液(固形物成分：5質量%)。於有機被覆層用塗佈液中，四乙氧基矽烷與聚乙烯醇之質量比為29：4。

＜底塗層用塗佈液＞ ･50質量份之聚酯聚胺基甲酸酯多元醇 (羥值：62 mgKOH/g；固形物成分為20質量%) ･1質量份之矽烷偶合劑 (3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷) ･1質量份之二氧化矽填料 (平均粒徑為5 μm) ･1質量份之硬化劑 (1,6-六亞甲基二異氰酸酯，固形物成分為35%) ･50質量份之溶劑 (甲基乙基酮)

於上述所製作之障壁膜1之底塗層側之面塗佈下述配方之含有量子點之層用塗佈液，獲得形成有未照射游離輻射之含有量子點之層之積層體D。 繼而，將積層體D之未照射游離輻射之含有量子點之層側之面與上述所製作之障壁膜2之底塗層側之面以相對向之方式積層後，照射紫外線(照射量：1000 mJ/cm ²)，使含有量子點之層之游離輻射硬化性樹脂組合物硬化，獲得實施例1之波長轉換片材。含有量子點之層之厚度為100 μm。 實施例1之波長轉換片材依序具有第2基材膜、接著劑層、第1基材膜、無機氧化物層、有機被覆層、底塗層、含有量子點之層、底塗層、有機被覆層、無機氧化物層、第1基材膜、接著劑層、第2基材膜。

＜含有量子點之層用塗佈液＞ ･58.11質量份之多官能丙烯酸酯系化合物 (乙氧化雙酚A二丙烯酸酯；新中村化學工業公司之名稱為「ABE-300」之商品) ･38.74質量份之多官能硫醇化合物 (季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)；SC有機化學公司之名稱為「PEMP」之商品) ･0.5質量份之光聚合起始劑 (IGM Resins B.V.公司之名稱為「Omnirad TPO H」之商品) ･1.61質量份之上述「2」中製作之量子點分散液 ･0.79質量份之乙酸 ･0.25質量份之氧化鈦 (Chemours公司之名稱為「Ti-Pure R-706」之商品；粒徑為0.36 μm)

[實施例2] 除變更下述條件以外，以與實施例1相同之方式，獲得實施例2之障壁膜1、障壁膜2及波長轉換片材。 ＜所變更之條件＞ ･將第2基材膜變更為厚度50 μm之雙軸延伸PET膜。 ･獲得積層體C時施加於積層體A及積層體B之張力比實施例1之張力低30%。 ･積層體C之捲繞長度為實施例1之1.5倍。

[實施例3] 除變更下述條件以外，以與實施例1相同之方式，獲得實施例3之障壁膜1、障壁膜2及波長轉換片材。 ＜所變更之條件＞ ･將第2基材膜變更為厚度50 μm之雙軸延伸PET膜。 ･獲得積層體C時施加於積層體A及積層體B之張力比實施例1之張力低30%。

[比較例1] 除變更下述條件以外，以與實施例1相同之方式，獲得比較例1之障壁膜1、障壁膜2及波長轉換片材。 ＜所變更之條件＞ ･獲得積層體C時施加於積層體A及積層體B之張力比實施例1之張力高20%。

[比較例2] 除變更下述條件以外，以與實施例1相同之方式，獲得比較例2之障壁膜1、障壁膜2及波長轉換片材。 ＜所變更之條件＞ ･獲得積層體C時施加於積層體A及積層體B之張力比實施例1之張力高20%。 ･積層體C之捲繞長度為實施例1之1.5倍。

[比較例3] 除變更下述條件以外，以與實施例1相同之方式，獲得比較例3之障壁膜1、障壁膜2及波長轉換片材。 ＜所變更之條件＞ ･將第2基材膜變更為厚度50 μm之雙軸延伸PET膜。 ･獲得積層體C時施加於積層體A及積層體B之張力比實施例1之張力低20%。

[比較例4] 除變更下述條件以外，以與實施例1相同之方式，獲得比較例4之障壁膜1、障壁膜2及波長轉換片材。 ＜所變更之條件＞ ･將第2基材膜變更為厚度50 μm之雙軸延伸PET膜。 ･獲得積層體C時施加於積層體A及積層體B之張力比實施例1之張力低20%。 ･積層體C之捲繞長度為實施例1之1.5倍。

[表1]

表1
	第1個凹凸1	第2個凹凸1	第3個凹凸1	亮度不均
H[mm]	W[mm]	H/W 2(×10 -5)	是否滿足條件1	H[mm]	W[mm]	H/W 2[×10 -5]	是否滿足條件1	H[mm]	W[mm]	H/W 2[×10 -5]	是否滿足條件1
實施例1	0.0021	23	0.40	滿足	0.0021	24	0.36	滿足	0.0019	27	0.26	滿足	A
實施例2	0.0071	24	1.23	滿足	0.0071	28	0.91	滿足	0.0071	27	0.97	滿足	A
實施例3	0.0035	19	0.97	滿足	0.0032	20	0.80	滿足	0.0020	16	0.78	滿足	A
比較例1	0.0037	15	1.64	不滿足	0.0053	15	2.36	不滿足	0.0053	16	2.07	不滿足	C
比較例2	0.0053	14	2.70	不滿足	0.0068	17	2.35	不滿足	0.0068	16	2.66	不滿足	C
比較例3	0.0051	18	1.57	不滿足	0.0051	16	1.99	不滿足	0.0039	15	1.73	不滿足	C
比較例4	0.0075	18	2.31	不滿足	0.0080	24	1.39	滿足	0.0083	24	1.44	滿足	C

由表1可確認，滿足條件1之實施例1～3之障壁膜可抑制波長轉換片材之面內之亮度不均。 再者，於上述1-1中，提取具有高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1之區域後，根據穿過上述區域之行進方向之正中之寬度方向之輪廓曲線1，計算H/W ²。雖於表1中未記載，但於上述區域中，在穿過行進方向之正中以外之寬度方向之輪廓曲線1中，實施例之障壁膜亦滿足條件1。 又，實施例及比較例之障壁膜之表面1不具有高低差超過0.600 mm之凹凸。

10:底塗層 20:障壁層 21:第1障壁層 22:第2障壁層 30:第1基材膜 40:接著劑層 50:第2基材膜 80:含有量子點之層 100:波長轉換片材用之障壁膜 100a:第2障壁膜 100b:第1障壁膜 200:波長轉換片材 210:光源 220:光學板 221:導光板 222:擴散板 230:反射板 240:稜鏡片材 300:背光 301:邊緣照明型背光 302:直下式背光

圖1係表示本發明之障壁膜之一實施方式之剖視圖。 圖2係表示本發明之障壁膜之另一實施方式之剖視圖。 圖3係表示本發明之障壁膜之又一實施方式之剖視圖。 圖4係表示本發明之波長轉換片材之一實施方式之剖視圖。 圖5係表示本發明之背光之一實施方式之剖視圖。 圖6係表示本發明之背光之另一實施方式之剖視圖。 圖7係說明凹凸1之高低差H及凹凸1之寬度W之決定方法之圖。 圖8係說明於實施例之表1中計算出H/W ²之位置之圖。

Claims (19)

1. 一種波長轉換片材用之障壁膜，其中上述障壁膜具有第1基材膜、第2基材膜、障壁層、底塗層、及位於上述第1基材膜與第2基材膜之間之接著劑層，且 滿足下述條件1： ＜條件1＞ 將以上述接著劑層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1；以1 mm間隔測定上述表面1之高程，獲取上述表面1之高程資料；將由上述高程資料所確定之上述表面1之輪廓曲線定義為輪廓曲線1；於特定方向之上述輪廓曲線1中，上述表面1之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1；在將上述凹凸1之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1)， H/W ²≦1.5×10 ^-5(1)。
2. 如請求項1之波長轉換片材用之障壁膜，其中於上述條件1中，上述式(1)之H/W ²為0.1×10 ^-5以上1.5×10 ^-5以下。
3. 如請求項1之波長轉換片材用之障壁膜，其依序具有上述第2基材膜、上述接著劑層、上述第1基材膜、上述障壁層及上述底塗層。
4. 如請求項1之波長轉換片材用之障壁膜，其依序具有上述第2基材膜、上述接著劑層、上述障壁層、上述第1基材膜及上述底塗層。
5. 如請求項3或4之波長轉換片材用之障壁膜，其於上述第2基材膜之與上述接著劑層相反之側具有防貼附層。
6. 如請求項1或2之波長轉換片材用之障壁膜，其中在將上述第1基材膜之厚度定義為T1，將上述第2基材膜之厚度定義為T2時，T1＜T2。
7. 如請求項6之波長轉換片材用之障壁膜，其中T2/T1為2.0以上10.0以下。
8. 如請求項1或2之波長轉換片材用之障壁膜，其中在將上述第1基材膜之厚度定義為T1時，T1為5 μm以上100 μm以下。
9. 如請求項1或2之波長轉換片材用之障壁膜，其中在將上述第2基材膜之厚度定義為T2時，T2為10 μm以上200 μm以下。
10. 如請求項1或2之波長轉換片材用之障壁膜，其中上述障壁層包含無機氧化物層及有機被覆層。
11. 如請求項1或2之波長轉換片材用之障壁膜，其中上述接著劑層含有包含異氰酸酯系硬化劑之接著劑層用組合物之硬化物。
12. 如請求項1或2之波長轉換片材用之障壁膜，其中不具有上述凹凸1之區域之全光線透過率相對於具有上述凹凸1之區域之全光線透過率的比為0.95以上1.05以下。
13. 一種波長轉換片材用之障壁膜，其中上述障壁膜依序具有基材膜、障壁層及底塗層，且 滿足下述條件1'： ＜條件1'＞ 將以上述障壁層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1'；以1 mm間隔測定上述表面1'之高程，獲取上述表面1'之高程資料；將由上述高程資料所確定之上述表面1'之輪廓曲線定義為輪廓曲線1'；於特定方向之上述輪廓曲線1'中，上述表面1'之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1'；在將上述凹凸1'之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1'之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1')， H/W ²≦1.5×10 ^-5(1')。
14. 一種波長轉換片材，其係依序積層第1障壁膜、包含量子點之含有量子點之層及第2障壁膜而成者，且上述第1障壁膜及上述第2障壁膜之至少任一障壁膜，係以如請求項1或13之波長轉換片材用之障壁膜之上述底塗層側之面朝向上述含有量子點之層側的方式積層。
15. 如請求項14之波長轉換片材，其中上述含有量子點之層之厚度為10 μm以上200 μm以下。
16. 一種背光，其係具備發出一次光之至少1個光源、與上述光源相鄰配置之用於導光或擴散之光學板、及配置於上述光學板之光出射側之波長轉換片材者，且上述波長轉換片材為如請求項14之波長轉換片材。
17. 一種液晶顯示裝置，其係具備背光及液晶面板者，且上述背光為如請求項16之背光。
18. 一種波長轉換片材用之障壁膜之選定方法，該波長轉換片材用之障壁膜具有第1基材膜、第2基材膜、障壁層、底塗層、及位於上述第1基材膜與第2基材膜之間之接著劑層， 上述波長轉換片材用之障壁膜之選定方法係以滿足下述條件1作為判定條件： ＜條件1＞ 將以上述接著劑層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1；以1 mm間隔測定上述表面1之高程，獲取上述表面1之高程資料；將由上述高程資料所確定之上述表面1之輪廓曲線定義為輪廓曲線1；於特定方向之上述輪廓曲線1中，上述表面1之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1；在將上述凹凸1之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1)， H/W ²≦1.5×10 ^-5(1)。
19. 一種波長轉換片材用之障壁膜之選定方法，該波長轉換片材用之障壁膜依序具有基材膜、障壁層及底塗層之波長轉換片材用之障壁膜，且 上述波長轉換片材用之障壁膜之選定方法係以滿足下述條件1'作為判定條件： ＜條件1'＞ 將以上述障壁層為基準具有上述底塗層之側之上述障壁膜之表面定義為表面1'；以1 mm間隔測定上述表面1'之高程，獲取上述表面1'之高程資料；將由上述高程資料所確定之上述表面1'之輪廓曲線定義為輪廓曲線1'；於特定方向之上述輪廓曲線1'中，上述表面1'之至少一部分具有至少一個以上之相鄰山部與谷部之高低差為0.001 mm以上0.600 mm以下之凹凸1'；在將上述凹凸1'之高低差定義為H[mm]，將上述凹凸1'之寬度定義為W[mm]時，滿足下述式(1')， H/W ²≦1.5×10 ^-5(1')。

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