TW202319239A - 波長轉換片材用膜、波長轉換片材、背光及顯示裝置 - Google Patents

波長轉換片材用膜、波長轉換片材、背光及顯示裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種形成為波長轉換片材時與螢光體層之密接性更優異之波長轉換片材用膜、具有該膜之波長轉換片材、具有該波長轉換片材之背光及顯示裝置。本發明之波長轉換片材用膜(10)於基材(20)上具有底塗層(30)，上述底塗層(30)含有包含聚胺基甲酸酯系樹脂之樹脂組合物之硬化物，上述硬化物之軟化點為250℃以上。

Description

波長轉換片材用膜、波長轉換片材、背光及顯示裝置
本發明係關於一種用於波長轉換片材之膜。又，本發明係關於一種具有該膜之波長轉換片材、以及具備該波長轉換片材之背光及顯示裝置。
近年來，隨著個人電腦之發展、尤其是攜帶用個人電腦之發展，液晶顯示裝置之需求不斷增加。又，最近，家用液晶電視之普及率亦提高，智慧型手機、平板終端亦正在廣泛普及，因此液晶顯示裝置之市場處於擴大之現狀。
此種液晶顯示裝置一般而言具有包括彩色濾光片、對向基板、及夾持於該等之間之液晶層之液晶單元部，進而具有稱為背光部之光源。
又，最近，使用量子點技術之背光構件之開發亦不斷推進。所謂量子點，係指半導體之奈米尺寸之微粒子。又，藉由將電子及激子封閉於奈米尺寸之小結晶內之量子封閉效應(量子尺寸效應)，量子點可於發光波長之整個可見光範圍內進行調整。由於量子點可於窄波段產生強螢光，因此顯示裝置可用色純度優異之三原色之光進行照明。因此，藉由使用量子點之背光，可製成具有優異之顏色再現性之顯示裝置。
用於該顯示裝置之背光光源之波長轉換片材具有使半導體之奈米尺寸之螢光體微粒子分散於樹脂層中而成之螢光體層、為了保護螢光體層而形成於螢光體層表面之膜、及LED(Light Emitting Diode，發光二極體)光源組合而成之構成。該膜為了抑制螢光體層之劣化而具有水蒸氣阻隔性。例如，開發出一種波長轉換片材及使用該波長轉換片材之背光單元，該波長轉換片材於含有螢光體之螢光體層上積層有障壁膜，且障壁膜係於特定之聚對苯二甲酸乙二酯膜之單面積層有障壁層(專利文獻1)。
為了進一步抑制水蒸氣滲入螢光體層，嘗試提昇螢光體層與障壁膜之密接性。例如，專利文獻2及專利文獻3中揭示有一種障壁膜，其藉由使用包含聚胺基甲酸酯系樹脂組合物之底塗層，即便於高溫高濕環境下，與螢光體層之密接性亦優異。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2015/037733號 專利文獻2：日本專利特開2018-13724號公報 專利文獻3：日本專利特開2019-126924號公報
[發明所欲解決之問題]
對於專利文獻2、3之波長轉換片材，即便於進行於60℃90%RH之環境下放置500小時之試驗後，其與螢光體層之密接性亦優異。然而，若進而持續放置於上述環境，則於波長轉換片材與螢光體層之間會產生剝離。該剝離之產生會導致氧及水蒸氣滲入波長轉換片材之內部，從而螢光體層劣化之問題。 本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種形成為波長轉換片材時與螢光體層之密接性更優異之波長轉換片材用膜、具有該膜之波長轉換片材、具有該波長轉換片材之背光及顯示裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人針對形成有各種成分之底塗層之膜，評估其物性與長期環境試驗後之與螢光體層之密接性之關係。其結果，發現於使用製成硬化物時之軟化點為特定值以上之聚胺基甲酸酯系樹脂組合物之情形時，即便於60℃90%RH之環境下長時間放置超過500小時，亦可確保與螢光體層之優異之密接性，從而完成本發明。 即，為了解決上述課題，本發明提供以下[1]～[10]。 [1]一種波長轉換片材用膜，其於基材上具有底塗層，上述底塗層含有包含聚胺基甲酸酯系樹脂之樹脂組合物之硬化物，上述硬化物之軟化點為250℃以上。 [2]如[1]所記載之波長轉換片材用膜，其中上述樹脂組合物中，異氰酸基相對於羥基之莫耳比(NCO/OH比)為1.1以上。 [3]如[1]或[2]所記載之波長轉換片材用膜，其中上述聚胺基甲酸酯系樹脂包含藉由具有(甲基)丙烯酸基之多官能異氰酸酯與含羥基化合物之反應而得之聚胺基甲酸酯系樹脂。 [4]如[1]至[3]中任一項所記載之波長轉換片材用膜，其中上述樹脂組合物包含矽烷偶合劑。 [5]如[1]至[4]中任一項所記載之波長轉換片材用膜，其於上述基材與上述底塗層之間進而包含障壁層。 [6]如[5]所記載之波長轉換片材用膜，其中上述障壁層包含無機氧化物層及有機被覆層，上述有機被覆層與上述底塗層接觸。 [7]如[5]所記載之波長轉換片材用膜，其中上述障壁層係含有包含金屬氧化物及磷化合物之組合物之反應物之層。 [8]一種波長轉換片材，其中以上述底塗層與上述螢光體層接觸之方式，於包含螢光體之螢光體層之至少一表面側設置如[1]至[7]中任一項所記載之膜。 [9]一種背光，其具備發射一次光之至少一個光源、與上述光源相鄰配置之用於導光或擴散之光學板、及配置於上述光學板之光出射側之波長轉換片材，且上述波長轉換片材係如[8]所記載之波長轉換片材。 [10]一種顯示裝置，其具備背光及液晶面板，且上述背光係如[9]所記載之背光。 [發明之效果]
根據本發明，可獲得一種即便長時間放置於高溫高濕環境下亦具有與螢光體層之優異之密接性，可抑制螢光體層之劣化之波長轉換片材。藉由使用該波長轉換片材，可獲得不易產生螢光體層之劣化之背光及顯示裝置。
以下，對本發明之波長轉換片材用膜進行詳細說明。再者，本說明書中「AA～BB」之數值範圍之表述係指「AA以上BB以下」。
[波長轉換片材用膜] 波長轉換片材用膜發揮如下作用，即，保護波長轉換片材之螢光體層，並且防止氧及水蒸氣自外部環境滲入波長轉換片材內部並到達螢光體層而導致該螢光體層劣化。 本發明之波長轉換片材用膜於基材上具有底塗層，上述底塗層含有包含聚胺基甲酸酯系樹脂之樹脂組合物之硬化物，上述硬化物之軟化點為250℃以上。
圖1係模式性地說明本發明之波長轉換片材用膜之一實施方式之剖面概略圖。波長轉換片材用膜10於基材層20上具有底塗層30。如圖1所示，波長轉換片材用膜10可於基材層20與底塗層30之間具有障壁層40。如圖1所示，可於基材層20中之與形成有底塗層30之面為相反側之面設置擴散層50。
本發明之波長轉換片材用膜為了於用作波長轉換片材時高效率地轉換來自光源之光，較佳為基於JIS K 7361-1:1997測定之全光線透過率較高。具體而言，本發明之波長轉換片材用膜基於JIS K 7361-1:1997測定之全光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上。
本發明之波長轉換片材用膜之阻氣性可考慮後述螢光體之劣化根據需求進行設定。具體而言，於用於波長轉換片材之螢光體具有易因氧、水蒸氣等劣化之性質之情形時，波長轉換片材用膜較佳為具有高阻氣性。另一方面，若螢光體不易劣化，則不要求波長轉換片材用膜具有高阻氣性。 波長轉換片材用膜根據JIS K 7129-2:2006之氧透過度之值較佳為20 cc/m 2・day・atm以下，更佳為10 cc/m 2・day・atm以下，進而較佳為5 cc/m 2・day・atm以下，尤佳為2 cc/m 2・day・atm以下。又，波長轉換片材用膜根據JIS K 7129:2008 B法之水蒸氣透過度之值較佳為20 g/m 2・day以下，更佳為10 g/m 2・day以下，進而較佳為5 g/m 2・day以下，尤佳為2 g/m 2・day以下。 氧透過度可利用例如MOCON公司製造之氧透過率測定裝置「OX-TRAN」測定(MOCON法)。又，水蒸氣透過度可利用例如MOCON公司製造之水蒸氣透過率測定裝置「PERMATRAN」測定。測定氧透過度時之條件設為溫度23℃、相對濕度90%。測定水蒸氣透過度時之條件設為溫度40℃、相對濕度90%。
以下，對波長轉換片材用膜之各層進行說明。 [基材層] 基材層主要擔負作為底塗層之支持體之作用。基材層適宜為具有高透光性者。具體而言，基材層根據JIS K 7361-1:1997之全光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上。
基材層之材質並無特別限制，只要其為不損害波長轉換片材之功能之樹脂膜即可。作為基材層，例如可例舉聚醯亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丁酸乙二酯(PBT)、聚丙烯(PP)、尼龍樹脂、非晶聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚醚醯亞胺、氟樹脂、液晶聚合物等樹脂。為了獲得透明性、耐熱性等，較佳為使用聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)作為基材層。又，為了獲得上述氧透過度及水蒸氣透過度，較佳為使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚丙烯(PP)、尼龍樹脂作為基材層。
基材層可為包含單層之樹脂膜，亦可為複數層樹脂膜經由接著層接著而成者。圖1所示之例中，基材層20中，第1基材20-1與第2基材20-2經由接著層22接著。於此種情形時，第1基材20-1成為形成底塗層30時之支持體。第2基材20-2發揮增加基材層20整體之厚度，賦予波長轉換片材用膜10剛性之作用。
基材層整體之厚度並無特別限制，較佳為8 μm以上200 μm以下，更佳為8 μm以上150 μm以下。於以捲取方式製造波長轉換片材用膜之情形時，基材層整體之厚度較佳為125 μm以下。另一方面，藉由增加基材層整體之厚度，可藉由基材層獲得對氧及水蒸氣之阻氣性。於此種情形時，亦可省略障壁層。為了不設置障壁層而藉由基材層來確保所要求之阻氣性，基材層整體之厚度較佳為50 μm以上，更佳為75 μm以上。
於由複數層樹脂膜構成基材層之情形時，作為底塗層之支持體之第1基材之厚度較佳為8 μm以上50 μm以下，更佳為8 μm以上25 μm以下，進而較佳為8 μm以上20 μm以下。若第1基材為上述厚度，則以捲取方式製造底塗層時，操作性良好。又，第2基材之厚度較佳為8 μm以上150 μm以下，更佳為8 μm以上100 μm以下。若第2基材為上述厚度，則可賦予波長轉換片材用膜適度之剛性。進而，以捲取方式製造波長轉換片材用膜時，操作性良好。再者，於如上所述藉由基材層來確保阻氣性之情形時，第2基材之厚度較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上。
構成接著層22之接著劑只要為滿足基材層彼此之良好之接著性及對波長轉換片材所要求之光學性能者，則並無特別限制。例如，作為接著劑，可使用：聚乙酸乙烯酯系接著劑；包含丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯等之均聚物、或該等與甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、苯乙烯等之共聚物等之聚丙烯酸酯系接著劑；氰基丙烯酸酯系接著劑；包含乙酸乙烯酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等單體與乙烯之共聚物等之乙烯共聚物系接著劑；纖維素系接著劑；聚酯系接著劑；聚醯胺系接著劑；聚醯亞胺系接著劑；包含脲樹脂或三聚氰胺樹脂等之胺基樹脂系接著劑；酚樹脂系接著劑；環氧系接著劑；聚胺基甲酸酯系接著劑；反應型(甲基)丙烯酸系接著劑；包含氯丁二烯橡膠、腈橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠等之橡膠系接著劑；矽酮系接著劑；包含鹼金屬矽酸鹽、低熔點玻璃等之無機系接著劑等。構成接著劑層之接著劑之組成體系可為水性型、溶液型、乳液型、分散型等任意組合物形態，又，其性狀可為膜狀、片狀、粉末狀、固體狀等任意形態，進而，關於接著機制，可為化學反應型、溶劑揮發型、熱熔融型、熱壓型等任意形態。 再者，可代替上述接著劑，例如藉由於熱硬化性樹脂或熱塑性樹脂中含有交聯劑等之樹脂而形成接著層。或者，可藉由擠出層壓將EVA(Ethylene Vinyl Acetate，乙烯-乙酸乙烯酯)、離子聚合物、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、聚乙烯系樹脂等熱塑性樹脂擠壓於基材間而形成接著層。
為了提昇與底塗層或障壁層之密接性等，可預先於基材層之設置底塗層之側之表面實施所需之表面處理。作為表面處理，例如可例舉電暈放電處理、臭氧處理、使用氧氣或氮氣等之低溫電漿處理、輝光放電處理、使用化學藥品等進行處理之氧化處理等。
又，作為改善與底塗層或障壁層之密接性之方法，可預先形成增黏塗劑層、接著劑層等基底層。 作為基底層，例如可使用以下述樹脂為媒劑之主成分之樹脂組合物：聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、酚系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、聚乙烯或聚丙烯等聚烯烴系樹脂或者其共聚物或改性樹脂、纖維素系樹脂、其他等。
[障壁層] 障壁層係賦予波長轉換片材用膜阻氣性之層。障壁層係根據對波長轉換片材用膜所要求之阻氣性而任意設置之層。障壁層可設置於基材層之底塗層之相反側、或基材層與底塗層之間。為了防止障壁層於波長轉換片材用膜之製造過程及波長轉換片材之製造過程中受損，又，為了抑制形成為波長轉換片材時螢光體層自片材端部開始劣化，障壁層較佳為設置於基材層與底塗層之間。 圖1所示之例中，障壁層40係自基材層20側依次積層無機氧化物層42及有機被覆層44而構成。有機被覆層44與底塗層30接觸。 再者，本發明之障壁層並不限定於圖1之積層構成。作為構成障壁層之層，有如下層：「藉由蒸鍍無機氧化物而形成之無機氧化物層」、「藉由溶膠-凝膠法形成之無機氧化物層」、「塗佈包含聚乙烯醇等水溶性高分子等之塗佈劑而形成之有機被覆層」、及「含有包含金屬氧化物及磷化合物之組合物之反應物之層(以下，稱為「金屬磷酸鹽反應物層」)」。作為本發明中之障壁層之構成，可例舉選自由該等層所組成之群中之單一種類之單層、將選自上述群中之單一種類積層複數層而成之層、將選自上述群中之兩種以上交替積層而成之層等。該等之中，較佳為如圖1所示將無機氧化物層與有機被覆層積層而成之構成、或金屬磷酸鹽反應物層之單層構成。
＜無機氧化物層＞ 作為無機氧化物層，可例示包含氧化鋁、氧化矽、氧化鎂或該等之混合物之層。就阻氣性、透明性、生產性等觀點而言，無機氧化物層較佳為以氧化鋁或氧化矽為主成分之薄膜層。
作為形成無機氧化物層之方法，可例舉藉由蒸鍍無機氧化物而形成之方法、藉由溶膠-凝膠法而形成之方法。作為蒸鍍膜之形成方法，例如可例舉真空蒸鍍法、濺鍍法、及離子鍍覆法等物理氣相沈積法(Physical Vapor Deposition法，PVD法)、或電漿化學氣相沈積法、熱化學氣相沈積法、及光化學氣相沈積法等化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition法，CVD法)等。
無機氧化物層之厚度並無特別限定，較佳為5 nm以上500 nm以下。藉由無機氧化物層之厚度為5 nm以上，無機氧化物層變得均勻，可賦予波長轉換片材用膜充分之阻氣性。若考慮阻氣性，則無機氧化物層更佳為8 nm以上，進而較佳為10 nm以上。又，藉由無機氧化物層之厚度為500 nm以下，可賦予無機氧化物層充分之可撓性，可減少於各無機氧化物層中產生劃傷或破裂。若考慮透明性及生產性等，則無機氧化物層更佳為100 nm以下，進而較佳為50 nm以下，尤佳為20 nm以下。於設置複數層無機氧化物層之情形時，各無機氧化物層較佳為上述厚度範圍。
＜有機被覆層＞ 有機被覆層係防止後續步驟中之各種二次損傷，並且賦予波長轉換片材用膜高阻氣性之層。又，藉由無機氧化物層位於基材層與有機被覆層之間，可減少於無機氧化物層中產生劃傷或破裂。又，藉由以與底塗層接觸之方式設置有機被覆層，可使本發明之底塗層與障壁層之密接性良好。
有機被覆層係以包含例如水溶性高分子、及含有1種以上之金屬烷氧化物及水解物或氯化錫之至少一者之水溶液或水/醇混合溶液之阻氣性組合物為塗佈液，塗佈該塗佈液而形成。有機被覆層較佳為含有選自由含羥基之高分子化合物、金屬烷氧化物、金屬烷氧化物水解物及金屬烷氧化物聚合物所組成之群中之至少1種作為成分。作為用於有機被覆層之水溶性高分子，可例舉聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、乙烯-乙烯醇共聚物等。尤其是，於使用聚乙烯醇及/或乙烯-乙烯醇共聚物之情形時，可獲得優異之阻氣性。相對於上述烷氧化物之總量100質量份，聚乙烯醇系樹脂及/或乙烯-乙烯醇共聚物之含量較佳為5質量份以上500質量份以下之範圍，更佳為20質量份以上200質量份以下之範圍。
阻氣性組合物中亦可添加矽烷偶合劑等。作為矽烷偶合劑，可使用已知之含有機反應性基之有機烷氧基矽烷。本發明中，尤其適宜為具有環氧基之有機烷氧基矽烷，其中，例如可使用γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、或β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等。如上所述之矽烷偶合劑可使用1種，或混合使用2種以上。本發明中，相對於上述烷氧基矽烷100質量份，上述矽烷偶合劑之使用量較佳為1質量份以上20質量份以下。
有機被覆層之厚度並無特別限定，較佳為100 nm以上500 nm以下。藉由有機被覆層之厚度為100 nm以上，可賦予波長轉換片材用膜充分之阻氣性。若考慮阻氣性，則有機被覆層更佳為120 nm以上，進而較佳為150 nm以上。又，藉由有機被覆層之厚度為500 nm以下，可確保充分之透明性。若考慮透明性及生產性等，則有機被覆層更佳為300 nm以下，進而較佳為200 nm以下。於設置複數層有機被覆層之情形時，各有機被覆層較佳為上述厚度範圍。
＜金屬磷酸鹽反應物層＞ 作為含有包含金屬氧化物及磷化合物之組合物之反應物之層(金屬磷酸鹽反應物層)，例如可例舉國際公開WO2011/122036中記載之層。作為上述金屬，較佳為鋁。 金屬磷酸鹽反應物層之厚度並無特別限定，較佳為100 nm以上2000 nm以下。藉由金屬磷酸鹽反應物層之厚度為100 nm以上，可賦予波長轉換片材用膜充分之阻氣性。若考慮阻氣性，則金屬磷酸鹽反應物層更佳為200 nm以上，進而較佳為300 nm以上。又，藉由金屬磷酸鹽反應物層之厚度為2,000 nm以下，可抑制成膜時之膜破裂。若考慮耐彎曲性等，則金屬磷酸鹽反應物層更佳為1,000 nm以下，進而較佳為900 nm以下。
[底塗層] 底塗層發揮如下作用，即，確保形成為波長轉換片材時與螢光體層之良好密接性，即便於高溫高濕環境下亦防止波長轉換片材用膜與螢光體層之剝離，並防止螢光體層劣化。
本發明中，底塗層含有包含聚胺基甲酸酯系樹脂之樹脂組合物之硬化物。再者，底塗層包含聚胺基甲酸酯系樹脂之情況可藉由利用X射線光電子光譜法(XPS)、紅外光譜法(IR)、核磁共振法(NMR)、氣相層析質譜法(GCMS)等檢測胺基甲酸酯鍵來確認。
本發明中，構成底塗層之樹脂組合物之硬化物之軟化點為250℃以上。硬化物之軟化點係藉由使用熱探針之局部熱分析測定之值。 使用熱探針之局部熱分析中，於熱探針接觸底塗層之表面之狀態下，一面升溫一面測量熱探針相對於加熱前之位移，獲得熱膨脹曲線。具體而言，加熱會使底塗層之樹脂膨脹，從而將熱探針推高。若底塗層之樹脂軟化，則熱探針之前端進入樹脂內，熱探針下降。熱探針之位移自上升轉為下降之點與熱膨脹曲線之峰值相當。熱膨脹曲線之峰值之溫度定義為構成底塗層之樹脂組合物之硬化物之軟化點。再者，本發明中，軟化點係於底塗層表面任意10處測定之值之平均值。
藉由底塗層含有包含聚胺基甲酸酯系樹脂之樹脂組合物之硬化物，形成為波長轉換片材時底塗層與螢光體層間之剝離強度高，於高溫高濕環境下暴露之前之密接性(有時稱為「初期密接性」)良好。 於構成底塗層之樹脂組合物之硬化物之軟化點未達250℃之情形時，即便初期密接性良好，若放置於高溫高濕環境(例如，60℃ 90%RH)下，則底塗層與螢光體層之間亦會產生剝離。即，因放置於高溫高濕環境下，而導致密接性(有時稱為「經時性密接性」、「經時密接性」等)降低。藉由構成底塗層之樹脂組合物之硬化物之軟化點為250℃以上，即便於高溫高濕環境下長時間放置超過500小時，亦可抑制剝離強度降低，即，抑制經時密接性降低。該軟化點較佳為270℃以上，更佳為280℃以上。
關於構成底塗層之樹脂組合物之硬化物之軟化點對暴露於高溫高濕環境時之底塗層與螢光體層之剝離狀態(密接性)所造成之影響，推測如下。 首先，關於初期密接性，推測如下。如後所述，波長轉換片材之螢光體層係藉由於波長轉換片材用膜之底塗層表面塗佈作為螢光體層之前驅物之樹脂組合物，並使該樹脂組合物硬化而形成。於底塗層之螢光體層側，伴隨著螢光體層之收縮，會產生收縮應力。另一方面，由於底塗層之與螢光體層相反側與基材層或障壁層接觸，因此螢光體層硬化時不產生收縮應力。即，因形成螢光體層，而導致於底塗層之厚度方向存在應力分佈，於底塗層內部產生應變。於螢光體層與底塗層間之初期密接性較弱之情形時，受底塗層內部之應變之影響，螢光體層與底塗層之間產生剝離。 若將波長轉換片材長時間放置於高溫高濕環境下，則即便軟化點高於環境溫度，構成底塗層之樹脂組合物亦會受到熱及水蒸氣之影響。於硬化物之軟化點未達250℃之情形時，樹脂之性質易因熱及水蒸氣而變化。作為樹脂之性質之變化，認為有聚胺基甲酸酯系樹脂之水解及軟化。因此，認為即便初期密接性良好，底塗層內部之應力平衡發生變化、或與螢光體層之界面處之底塗層發生劣化等，亦會導致密接性降低，從而產生剝離。另一方面，若硬化物之軟化點為250℃以上，則由於樹脂之性質不易變化，因此抑制應力平衡之變化及底塗層之劣化。其結果，認為即便放置於高溫高濕環境下，亦可維持螢光體層與底塗層間之高密接性。
聚胺基甲酸酯系樹脂組合物包含藉由多官能異氰酸酯與含羥基化合物之反應而得之一液或二液型聚胺基甲酸酯系樹脂。 藉由改變多官能異氰酸酯及含羥基化合物之組合、多官能異氰酸酯及含羥基化合物之調配比、軟化點不同之複數個含羥基化合物之組合及其調配比、聚胺基甲酸酯系樹脂中之NCO/OH比、聚胺基甲酸酯系樹脂之分子量等，可改變構成底塗層之樹脂組合物之硬化物之軟化點。又，藉由添加軟化點與聚胺基甲酸酯系樹脂不同之黏著賦予樹脂(增黏劑)，亦可改變構成底塗層之樹脂組合物之硬化物之軟化點。
多官能異氰酸酯及含羥基化合物分別可僅使用1種，亦可使用複數種。 作為多官能異氰酸酯，可例舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、聚亞甲基聚伸苯基聚異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂肪族聚異氰酸酯等。多官能異氰酸酯可以加成體、縮二脲體、異氰尿酸酯體等高分子量化而成之改性體之形式使用，亦可以封端體之形式使用。改性體及封端體亦可具有羥基、羧基、環氧基、胺基、巰基、乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基等官能基。其中，較佳為使用含(甲基)丙烯酸基之聚異氰酸酯。即，本發明之聚胺基甲酸酯系樹脂包含藉由具有(甲基)丙烯酸基之多官能異氰酸酯與含羥基化合物之反應而得之聚胺基甲酸酯系樹脂。 又，作為含羥基化合物，可例舉聚醚多元醇、聚酯多元醇、聚酯聚胺基甲酸酯多元醇、聚丙烯酸酯多元醇等。
NCO/OH比較佳為1.1以上，更佳為1.2以上，進而較佳為1.3以上。藉由NCO/OH比為1.1以上，初期密接性優異，且軟化點易為250℃以上。再者，若NCO/OH比較高，則底塗層具有黏性。因此，NCO/OH比較佳為4.0以下，更佳為3.0以下。 雖亦取決於多官能異氰酸酯及含羥基化合物之種類，但聚胺基甲酸酯系樹脂之分子量越大，聚胺基甲酸酯系樹脂之軟化點越高，其結果，樹脂組合物之硬化物之軟化點易為250℃以上。作為聚胺基甲酸酯系樹脂之分子量(重量平均分子量)，較佳為100以上100,000以下。
上述聚胺基甲酸酯系樹脂組合物之硬化物較佳為於底塗層總量中含有40質量%以上，更佳為含有70質量%以上。藉由含有40質量%以上之聚胺基甲酸酯系樹脂，可提昇底塗層與螢光體層之初期密接性及經時密接性。
本發明中，底塗層較佳為進而含有矽烷偶合劑。藉由含有矽烷偶合劑，具有如下效果：於長時間放置於高溫高濕環境下之情形時，抑制因聚胺基甲酸酯系樹脂中之胺基甲酸酯鍵水解而導致經時密接性降低。又，於設置有障壁層之構成中，可提昇底塗層與障壁層(尤其是有機被覆層)之密接性。
存在於矽烷偶合劑之分子之一端之官能基、通常為氯、烷氧基、或乙醯氧基等發生水解而形成矽烷醇基(Si-OH)。藉此，底塗層之樹脂組合物經共價鍵等改質而形成強鍵。因此，認為可抑制胺基甲酸酯鍵於高溫高濕環境下水解，從而可抑制經時性密接性降低。又，藉由存在於矽烷偶合劑之另一端之乙烯基、甲基丙烯醯氧基、胺系、環氧系、或巰基等有機官能基，可提高底塗層與螢光體層之密接性、及障壁層與底塗層之密接性。
作為矽烷偶合劑，可使用具有二元反應性之有機官能性矽烷單體類，例如可使用γ-氯丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三氯矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基-三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、γ-巰丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、雙(β-羥基乙基)-γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基矽酮之水溶液等之1種或1種以上。
上述矽烷偶合劑較佳為於底塗層總量中含有1質量%以上，更佳為含有2質量%以上。若矽烷偶合劑之含量為上述範圍，則可進一步提昇底塗層與螢光體層間之初期密接性、及障壁層與底塗層間之密接性。又，可維持底塗層與螢光體層間良好之經時性密接性。再者，為了使底塗層之伸長性良好，且抑制底塗層產生龜裂，矽烷偶合劑較佳為於底塗層總量中含有30質量%以下，更佳為含有20質量%以下。
又，本發明中，形成底塗層後，亦可進而於底塗層之表面(與螢光體層之接觸面)實施電暈放電處理、臭氧處理、使用氧氣或氮氣等之低溫電漿處理、輝光放電處理、使用化學藥品等進行處理之氧化處理等表面處理。
本發明中，底塗層可進而含有填充劑。填充劑具有調整用於形成底塗層之塗佈液之黏度等，以提高塗佈適性等之作用。作為填充劑，例如可使用碳酸鈣、硫酸鋇、鋁白、二氧化矽、滑石、玻璃料等之粉末、樹脂粉末等。
底塗層視需要可進而含有穩定劑、交聯劑、潤滑劑、紫外線吸收劑、其他等添加劑。
底塗層之厚度並無特別限定，較佳為0.05 μm以上，更佳為0.1 μm以上。為了減少底塗層內部之應變，底塗層較佳為較厚。然而，若底塗層過厚，則操作性及生產性降低，因此底塗層之厚度較佳為10 μm以下，更佳為3 μm以下。
為了高效率地轉換來自光源之光，本實施方式之底塗層較佳為基於JIS K 7361-1:1997測定之全光線透過率較高。具體而言，本實施方式之底塗層於PET膜(膜厚：12 μm)上形成底塗層時基於JIS K 7361-1:1997測定之全光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上。
[擴散層] 擴散層係以降低光之出射角分佈之各向異性及防止貼附為目的而設置之層，係本發明中任意設置之層。 擴散層包含黏合劑樹脂及填料。藉由將填料本身埋設於黏合劑樹脂中，又，使填料之至少一部分自黏合劑樹脂於層表面側露出而賦予擴散層表面凹凸形狀，可獲得降低光之出射角分佈之各向異性之效果。 進而，藉由擴散層表面為凹凸形狀而具有如下作用，即，於波長轉換片材用膜或波長轉換片材之製造過程中，即便波長轉換片材用膜或波長轉換片材彼此接觸亦防止貼附。例如，於以捲取方式製造波長轉換片材用膜或波長轉換片材之情形時，可容易地處理波長轉換片材用膜或波長轉換片材，且可抑制表面受損。又，製成顯示裝置時，亦具有防止導光板或擴散板與波長轉換片材貼附之作用，且亦發揮抑制導光板或擴散板與波長轉換片材因摩擦而產生劃傷，從而減少顯示裝置之外觀不良之產生之效果。
擴散層之黏合劑樹脂並無特別限制，只要滿足對波長轉換片材用膜及波長轉換片材所要求之規格即可。例如，可使用丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯系樹脂、聚酯丙烯酸酯系樹脂、聚胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂、環氧丙烯酸酯系樹脂等。就具有高硬度之觀點而言，黏合劑樹脂較佳為丙烯酸系樹脂。
就對波長轉換片材用膜及波長轉換片材所要求之光學性能之觀點而言，填料較佳為樹脂填料。作為用於填料之樹脂，例如可例舉丙烯酸系樹脂或聚苯乙烯系樹脂等。就提昇擴散層之耐劃傷性之觀點而言，尤佳為丙烯酸系樹脂填料。此處，所謂丙烯酸系樹脂，係指含有乙烯性不飽和單體作為單體成分之聚合物，該乙烯性不飽和單體具有選自由甲基丙烯酸、丙烯酸、甲基丙烯酸酯、及丙烯酸酯所組成之群中之至少1種羧基或羧酸酯基。 填料之折射率與樹脂黏合劑之折射率之折射率差較佳為0.5以下，更佳為0.3以下，進而較佳為0.1以下。
填料之平均粒徑較佳為1 μm以上50 μm以下，更佳為1.5 μm以上10 μm以下。藉由填料之平均粒徑為1 μm以上，填料之至少一部分自擴散層之表面更多地露出，賦予適度之光擴散性，且可更有效地抑制貼附。藉由填料之平均粒徑為50 μm以下，填料不易自擴散層脫離，可抑制擴散層之功能降低及由脫落之填料引起之劃傷。 再者，本發明中，平均粒徑係指利用雷射光繞射法之粒度分佈測定中之質量平均值d50。
相對於擴散層總量，填料之含量較佳為5質量%以上50質量%以下，更佳為10質量%以上40質量%以下。藉由為5質量%以上，可賦予適度之光擴散性，且可有效地防止貼附。藉由為50質量%以下，易滿足作為波長轉換片材用膜及波長轉換片材所要求之光學特性，進而亦可使擴散層之成膜性良好。
擴散層視需要可任意地含有穩定劑、硬化劑、交聯劑、潤滑劑、紫外線吸收劑、其他等添加劑。
擴散層之厚度並無特別限制，可根據填料之平均粒徑、對波長轉換片材用膜及波長轉換片材所要求之規格等適當地設定。例如，擴散層之厚度較佳為1.0 μm以上50.0 μm以下，更佳為1.5 μm以上10.0 μm以下。再者，所謂擴散層之厚度，係指擴散層中填料以外之樹脂部分之厚度，不包括突出於樹脂上方之填料之部分。防擴散層之厚度例如可藉由用掃描式電子顯微鏡等觀察剖面而進行測定。
[波長轉換片材用膜之製造方法] 本發明之波長轉換片材用膜係藉由下述步驟來製造。
(1)障壁層形成步驟 於基材層(或第1基材)之一表面形成障壁層。再者，障壁層形成步驟可省略。
如圖1所例示，於以有機被覆層及無機氧化物層為障壁層之情形時，首先於基材層(或第1基材)上形成無機氧化物層，於該無機氧化物層上形成有機被覆層。 再者，於基材層(或第1基材)之形成有障壁層之表面，預先可實施上述表面處理，亦可形成基底層。
無機氧化物層可藉由蒸鍍或溶膠-凝膠法形成。蒸鍍無機氧化物之方法可例舉真空蒸鍍法、濺鍍法、及離子鍍覆法等物理氣相沈積法(Physical Vapor Deposition法，PVD法)、或電漿化學氣相沈積法、熱化學氣相沈積法、及光化學氣相沈積法等化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition法，CVD法)等。
有機被覆層可塗佈包含上述阻氣性組合物之塗佈劑並藉由加熱使其硬化而形成。塗佈劑係以獲得所需之阻氣性、厚度、黏度等之方式，於上述阻氣性組合物中添加溶劑等製備。塗佈劑之塗佈方法可例舉輥塗、凹版塗佈、刮塗、浸漬塗佈、噴塗、其他塗佈法等塗佈方式。
金屬磷酸鹽反應物層可藉由國際公開WO2011/122036中記載之方法形成。
(2)底塗層形成步驟 於基材層上或障壁層上形成底塗層。底塗層可塗佈包含上述聚胺基甲酸酯系樹脂之樹脂組合物之塗佈劑並藉由加熱使其硬化而形成。塗佈劑係以獲得厚度、黏度等之方式，於上述塗佈劑中添加溶劑等而製備。塗佈劑之塗佈方法可例舉輥塗、凹版塗佈、刮塗、浸漬塗佈、噴塗、其他塗佈法等塗佈方式。加熱溫度較佳為50℃以上180℃以下之範圍內。
如圖1所示，於基材層由複數個基材積層而成之情形時，本發明之波長轉換片材用膜之製造方法在(2)底塗層形成步驟之後進而具有(3)接著步驟。 (3)接著步驟 接著步驟中，將第1基材之與障壁層為相反側之表面與第2基材經由接著層積層。 具體而言，於第1基材之表面塗佈上述接著劑，重疊第2基材，使接著層硬化。或者，於第1基材之表面塗佈包含交聯劑及樹脂之塗佈劑後，重疊第2基材，藉由熱等使該塗佈劑交聯。接著劑或塗佈劑之塗佈方法可藉由輥塗、凹版塗佈、刮塗、浸漬塗佈、噴塗、其他塗佈法、或印刷法等實施。 或者，可藉由擠出層壓，於第1基材與第2基材之間流入熔融之熱塑性樹脂，其後進行冷卻而形成接著層。
再者，如圖1所示，於設置擴散層之情形時，較佳為於基材層或第2基材預先形成擴散層。 具體而言，可將包含樹脂、填料、溶劑等之塗佈劑塗佈於基材層或第2基材之與設置有障壁層之表面為相反側之表面，並使其硬化而形成擴散層。塗佈劑之塗佈方法可例舉輥塗、凹版塗佈、刮塗、浸漬塗佈、噴塗、其他塗佈法等塗佈方式。
[波長轉換片材用膜之用途] 本發明之波長轉換片材用膜例如可用於面光源之波長轉換片材用之波長轉換片材用膜。作為面光源，可例舉液晶顯示裝置等顯示裝置之背光光源、檢查設備之背光光源等。即，本發明之波長轉換片材用膜可用於「顯示裝置之背光光源之波長轉換片材用之波長轉換片材用膜」、「檢查設備之背光光源之波長轉換片材用之波長轉換片材用膜」等。 進而，本發明之波長轉換片材用膜亦可用於「園藝之波長轉換片材用之波長轉換片材用膜」。作為園藝之波長轉換片材，例如可例舉具備將紫外線轉換為適合植物生長之波長之功能之片材。作為適合植物生長之波長，可例舉適合光合作用之波長。園藝之波長轉換片材例如可設置於塑膠棚及玻璃室等園藝設施之頂棚等。
[波長轉換片材] 圖2係模式性地說明本發明之波長轉換片材之一實施方式之剖面概略圖。圖2之波長轉換片材100於螢光體層60之兩表面具備圖1所示之波長轉換片材用膜10(10a、10b)。本發明之波長轉換片材之構成不限於圖2。例如，本發明之波長轉換片材可於一表面側具備圖1所示之波長轉換片材用膜，於另一表面側具備具有其他積層構成之本發明之波長轉換片材用膜。作為具有其他積層構成之本發明之波長轉換片材用膜，例如有未形成有障壁層之波長轉換片材用膜、障壁層之構成不同之波長轉換片材用膜等。 又，本發明之波長轉換片材用膜10可設置於螢光體層60之至少一表面側。即，可於螢光體層60之一表面側設置本發明之波長轉換片材用膜10(10a)，於螢光體層60之另一表面側設置其他波長轉換片材用膜而非上述本發明之波長轉換片材用膜。
[螢光體層] 螢光體層係用於調整自背光光源發出之光之發光波長之層。螢光體層可藉由積層含有螢光體之密封樹脂而形成。例如，可藉由將含有螢光體及密封樹脂之混合液塗佈於基材層之表面，並使其硬化而形成。螢光體層中含有包含量子點之1種或2種以上螢光體。
形成螢光體之量子點係具有量子封閉效應(quantum confinement effect)之特定尺寸之半導體粒子。當量子點自激發源吸收光而達到能量激發態時，發射與量子點之能帶隙相應之能量。若調整量子點之尺寸或物質組成，則可調整能帶隙，可獲得各種水準之波段之能量。尤其是，量子點可於窄波段產生強螢光。因此，顯示裝置可用色純度優異之三原色之光進行照明，藉此可製成具有優異之顏色再現性之顯示裝置。 量子點較佳為包含發射相當於紅色之波長之二次光之量子點、發射相當於綠色之波長之二次光之量子點、及該等之組合。再者，量子點亦可含有除發射相當於紅色之波長之二次光之量子點、發射相當於綠色之波長之二次光之量子點以外之量子點。
量子點之內核係半導體之奈米尺寸之微粒子，並無特別限定，只要為產生量子封閉效應(量子尺寸效應)之材料即可。作為量子點，可例舉發光色受自身粒徑限制之半導體微粒子及具有摻雜劑之半導體微粒子。 作為內核材料，具體而言，可例示含有如下半導體化合物或半導體之半導體結晶：MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe及HgTe等II-VI族半導體化合物；AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaAs、GaP、GaN、GaSb、InN、InAs、InP、InSb、TiN、TiP、TiAs及TiSb等III-V族半導體化合物；Si、Ge及Pb等IV族半導體等。又，亦可使用包含InGaP等含有3元素以上之半導體化合物之半導體結晶。 進而，作為包含具有摻雜劑之半導體微粒子之量子點，亦可使用於上述半導體化合物中摻雜Eu 3 ＋、Tb 3 ＋、Ag ＋、Cu ＋等稀土類金屬之陽離子或過渡金屬之陽離子而成之半導體結晶。 作為量子點之內核材料，就製作之容易性、獲得於可見光範圍之發光之粒徑之控制性、螢光量子產率之觀點而言，適宜為CdS、CdSe、CdTe、InP、InGaP等之半導體結晶。
量子點可為包含1種半導體化合物者，亦可為包含2種以上半導體化合物者。例如，量子點可具有作為發光部之內核由保護層(外殼)被覆之結構(核殼結構)。 於使用核殼型量子點之情形時，作為構成外殼之半導體，使用帶隙高於形成內核之半導體化合物之材料，以便將激子封閉於內核中，藉此可提高量子點之發光效率。 作為具有此種帶隙之大小關係之核殼結構(內核/外殼)，例如可例舉CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdTe/CdS、InP/ZnS、Gap/ZnS、Si/ZnS、InN/GaN、InP/CdSSe、InP/ZnSeTe、InGaP/ZnSe、InGaP/ZnS、Si/AlP、InP/ZnSTe、InGaP/ZnSTe、InGaP/ZnSSe等。
量子點之尺寸只要以獲得所需波長之光之方式，藉由構成量子點之材料適當地控制即可。隨著量子點之粒徑減小，其能帶隙擴大。即，隨著結晶尺寸減小，量子點之發光向藍色側轉移，即向高能量側轉移。 一般而言，量子點之粒徑(直徑)較佳為0.5 nm以上20 nm以下之範圍內，尤佳為1 nm以上10 nm以下之範圍內。再者，量子點之尺寸分佈越窄，越可獲得更鮮明之發光色。 量子點之形狀並無特別限定，例如可為球狀、棒狀、圓盤狀、或其他形狀。於量子點為非球狀之情形時，量子點之粒徑可為具有相同體積之真球狀者之粒徑值。 量子點可為由樹脂被覆者。
量子點之含量根據螢光體層之厚度、背光中之光之再利用率、目標色調等適當地調整。若螢光體層之厚度為後述範圍，則相對於螢光體層之密封樹脂100質量份，量子點之含量較佳為0.01質量份以上1.0質量份以下。
作為螢光體層之密封樹脂，可例舉熱硬化性樹脂組合物之硬化物、電離輻射硬化性樹脂組合物之硬化物。該等之中，就耐久性之觀點而言，較佳為熱硬化性樹脂組合物之硬化物、電離輻射硬化性樹脂組合物之硬化物，更佳為電離輻射硬化性樹脂組合物之硬化物。
熱硬化性樹脂組合物係至少包含熱硬化性樹脂之組合物，係藉由加熱而硬化之樹脂組合物。作為熱硬化性樹脂，可例舉丙烯酸樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、酚樹脂、脲三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、矽酮樹脂等。該等可單獨使用，或混合使用一種以上。對於熱硬化性樹脂組合物，視需要於該等硬化性樹脂中添加硬化劑。
電離輻射硬化性樹脂組合物係包含具有電離輻射硬化性官能基之化合物(以下，亦稱為「電離輻射硬化性化合物」)之組合物。
作為電離輻射硬化性官能基，可例舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等乙烯性不飽和鍵結基、及環氧基、氧雜環丁基等，其中較佳為乙烯性不飽和鍵結基。又，乙烯性不飽和鍵結基中，較佳為(甲基)丙烯醯基。以下，具有(甲基)丙烯醯基之電離輻射硬化性化合物稱為(甲基)丙烯酸酯系化合物。即，密封樹脂較佳為包含含有(甲基)丙烯酸酯系化合物之組合物之硬化物。 再者，本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」係指甲基丙烯酸酯及丙烯酸酯。又，本說明書中，「電離輻射」係指電磁波或帶電粒子束中具有可使分子聚合或交聯之能量量子者，通常使用紫外線(UV)或電子束(EB)，但除此之外亦可使用X射線、γ射線等電磁波、α射線、離子束等帶電粒子束。
電離輻射硬化性化合物可為僅具有一個上述官能基之單官能之電離輻射硬化性化合物，可為具有兩個以上上述官能基之多官能之電離輻射硬化性化合物，亦可為該等之混合物。該等之中，較佳為多官能之電離輻射硬化性化合物，更佳為具有兩個以上(甲基)丙烯醯基而成之多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物。即，密封樹脂較佳為包含多官能之電離輻射硬化性化合物之硬化物，更佳為包含多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物之硬化物。
多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物可為具有伸烷氧基者。 作為伸烷氧基，例如較佳為碳數為2～4之伸烷氧基，更佳為碳數為2或3之伸烷氧基，進而較佳為碳數為2之伸烷氧基。
具有伸烷氧基之多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物可為具有包含複數個伸烷氧基之聚伸烷氧基之多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物。 於多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物具有伸烷氧基之情形時，一個分子中之伸烷氧基之數量較佳為2個～30個，更佳為2個～20個，進而較佳為3個～10個，進而更佳為3個～5個。
於多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物具有伸烷氧基之情形時，較佳為具有雙酚結構。藉此，硬化物之耐熱性存在提昇之傾向。作為雙酚結構，例如可例舉雙酚A結構及雙酚F結構，其中較佳為雙酚A結構。 作為具有伸烷氧基之多官能(甲基)丙烯酸酯化合物，其中較佳為乙氧化雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯、丙氧化雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯、及丙氧化乙氧化雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯，更佳為乙氧化雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯。
又，電離輻射硬化性化合物可為單體、低聚物、低分子量之聚合物、或該等之混合物。
於電離輻射硬化性化合物為紫外線硬化性化合物之情形時，電離輻射硬化性組合物較佳為包含光聚合起始劑、光聚合促進劑等添加劑。
螢光體層中可包含內部擴散粒子。 內部擴散粒子可使用有機粒子及無機粒子之任一者。作為有機粒子，可例舉包含聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-苯乙烯共聚物、三聚氰胺樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、苯并胍胺-三聚氰胺-甲醛縮合物、矽酮樹脂、氟系樹脂及聚酯等之粒子。作為無機微粒子，可例舉包含氧化矽、氧化鋁、氧化鋯及氧化鈦等之微粒子。 內部擴散粒子之形狀可例舉球形、圓盤狀、橄欖球狀、不定形等形狀。又，內部擴散粒子可為中空粒子、多孔質粒子及實心粒子之任一種。
相對於密封樹脂100質量份，內部擴散粒子之含量較佳為1質量份以上40質量份以下，更佳為3質量份以上30質量份以下。
內部擴散粒子之平均粒徑較佳為1 μm以上7 μm以下，更佳為1 μm以上3 μm以下。
螢光體層之厚度較佳為10 μm以上200 μm以下，更佳為20 μm以上150 μm以下，進而較佳為30 μm以上130 μm以下。
[波長轉換片材之製造方法] 本發明之波長轉換片材可使用至少一個藉由上述製造方法製造之波長轉換片材用膜來製造。以下，如圖2所示，舉出製造螢光體層由本發明之波長轉換片材用膜夾持之構成之波長轉換片材之方法為例。 具體而言，於本發明之波長轉換片材用膜之底塗層之表面，塗佈包含螢光體與密封樹脂之混合液(墨水)。混合液(墨水)之塗佈方法可例舉輥塗、凹版塗佈、刮塗、浸漬塗佈、噴塗、其他塗佈法等塗佈方式。 其次，使螢光體層與另一個本發明之波長轉換片材用膜之底塗層接觸。其後，藉由熱等使混合液(墨水)硬化，獲得波長轉換片材。
[背光] 本發明之背光具備發射一次光之至少一個光源、與該光源相鄰配置之用於導光或擴散之光學板、及配置於該光學板之光出射側之波長轉換片材(量子點片材)，且該波長轉換片材為上述本發明之波長轉換片材。
作為本發明之背光200，可採用圖3所示邊緣照明型背光、或圖4所示正下型背光之任一者。
圖3之邊緣照明型背光201所使用之光學板120係用於對光源110發射之一次光進行導光之光學構件，即導光板121。導光板121之形狀成形為例如大致平板狀，其中至少一面為光入射面，與該光入射面大致正交之另一面為光出射面。
導光板主要包含選自聚甲基丙烯酸甲酯等高透明樹脂之基質樹脂。視需要，可於導光板中添加折射率與基質樹脂不同之樹脂粒子。導光板之各面可具有複雜之表面形狀而非均勻之平面，亦可設置有點圖案等。
圖4之正下型背光202所使用之光學板120係用於使光源110之圖案不易見之具有光擴散性之光學構件(光擴散材122)。作為光擴散材122，例如可例舉厚度1～3 mm左右之乳白色之樹脂板。
邊緣照明型及正下型背光中，除上述光源、光學板及波長轉換片材以外，根據目的，可具備選自反射板、光擴散膜、角柱薄片、增亮膜(BEF)及反射型偏光膜(DBEF)等中之一種以上構件。反射板配置於光學板之光出射面側之相反側。光擴散膜、角柱薄片、增亮膜及反射型偏光膜配置於光學板之光出射面側。藉由具備選自反射板、光擴散膜、角柱薄片、增亮膜及反射型偏光膜等中之一種以上構件之構成，可形成正面亮度、視角等之平衡優異之背光。
邊緣照明型及正下型背光中，光源110係發射一次光之發光體，較佳為使用發射相當於藍色之波長之一次光之發光體。相當於藍色之波長之一次光較佳為峰值波長為380 nm～480 nm之範圍。該峰值波長更佳為450 nm±7 nm，更佳為450 nm±5 nm，更佳為450 nm±3 nm，更佳為450 nm±1 nm。 作為光源110，就設置背光之裝置可簡化及小型化之觀點而言，較佳為LED光源，更佳為藍色單色之LED光源。或者，可於藍色單色之LED光源上塗佈紅色螢光體以形成呈現藍色及紅色之光源。光源110之個數為至少一個，就發射充分之一次光之觀點而言，較佳為複數個。
[顯示裝置] 作為顯示裝置，例如可例舉液晶顯示裝置。液晶顯示裝置具備背光及液晶面板。該背光為上述本發明之背光。
液晶面板並無特別限定，可使用作為液晶顯示裝置之液晶面板而通用者。例如，可使用具有液晶層之上下由玻璃板夾持之一般結構之液晶面板，具體而言，可使用TN(Twisted Nematic，扭轉向列)、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)、VA(Vertical Aligned，垂直配向)、IPS(In-Plane Switching，橫向電場效應)及OCB(Optically Compensated Bend，光學補償彎曲)等顯示方式者。
液晶顯示裝置進而具備偏光板及彩色濾光片等。偏光板及彩色濾光片可使用通用者。
本發明之波長轉換片材係波長轉換片材用膜與螢光體層之密接性尤其優異者。因此，於本發明之波長轉換片材應用於顯示裝置(液晶顯示裝置)之情形時，可有效地抑制因來自外部環境之水蒸氣及氧滲入而引起之螢光體層之劣化。其結果，可製成具備環境穩定性優異之背光光源之顯示裝置。 [實施例]
其次，藉由實施例，進而詳細說明本發明，但本發明並不受此例之任何限定。
1.評估、測定 對藉由下述方法製造之波長轉換片材用膜及波長轉換片材進行以下測定及評估。結果示於表1。再者，只要無特別說明以及只要試驗不於特定環境下進行，則各測定及評估時之氛圍為溫度23±5℃、相對濕度40～65%，於各測定及評估開始前，將對象樣品於上述氛圍暴露30分鐘以上後進行測定及評估。
1-1.軟化點測定 針對實施例及比較例之波長轉換片材用膜，按照以下步驟測定底塗層之軟化點。 使用ANASYS INSTRUMENT公司製造之nanoTA作為測定裝置，使用ANASYS INSTRUMENTS公司製造之PR-EX-AN2-300-5作為熱探針。 測定前，按照下述步驟進行校準。 準備BRUKER公司製造之nanoTA Calibration Samples作為標準試樣。上述標準試樣中包含軟化點為公知之聚己內酯(軟化點：55℃)、聚乙烯(軟化點：116℃)、聚對苯二甲酸乙二酯(軟化點：235℃)。一面使熱探針與各標準試樣之表面接觸一面加熱。加熱時，測量熱探針正下方之熱膨脹，獲得表示相對於電壓(電位)之偏轉(位移)之圖。裝置所設定之測定條件如下所述。 測定開始溫度：0.1 V 測定結束溫度：10 V 升溫速度：0.2 V/sec 使用各標準試樣之軟化點，將表示相對於電位之熱探針之位移之圖轉換為表示相對於溫度之位移之圖。
校準後，針對實施例及比較例之波長轉換片材用膜，使熱探針與底塗層表面接觸。其後，於使熱探針接觸之狀態下，以下述條件進行加熱，獲得表示相對於溫度之熱探針之位移之圖(熱膨脹曲線)。於底塗層之表面未露出之情形時，可於將試樣埋入樹脂後，利用DiATOME公司製造之鑽石刀等形成剖面，自所形成剖面測定底塗層。 測定開始溫度：40℃ 測定結束溫度：350℃ 升溫速度：5℃/sec 於所得熱膨脹曲線中，獲得曲線頂點時之溫度。對實施例及比較例之波長轉換片材用膜之底塗層表面之任意10處進行上述測定。以所得溫度之平均值為軟化點。結果示於表1。
1-2.初期密接性評估 製作實施例及比較例之波長轉換片材後，自波長轉換片材之任意3處切割出25 mm×150 mm之試驗片。使用桌上型材料試驗機(STA-1150、TAKACHIHO(股)製造)，於23℃之溫度環境下，以拉伸速度：300 mm/分鐘、剝離方向180°、夾頭間距離：15 mm之條件進行剝離試驗，針對各試驗片測定波長轉換片材用膜(底塗層)與螢光體層之間之剝離強度。以所得剝離強度之平均值為初期(高溫高濕試驗前)剝離強度。結果示於表1。
1-3.經時密接性評估 將實施例及比較例之波長轉換片材放入調整至60℃ 90%RH之恆溫恆濕槽。經過250小時、500小時後，將波長轉換片材自恆溫恆濕槽取出。 對取出之波長轉換片材按照上述1-2之順序測定各試驗片之剝離強度。以自任意3處獲得之試驗片之剝離強度之平均值為經過各時間後之剝離強度。結果示於表1。
2.製作試樣 2-1.製作波長轉換片材用膜 ＜實施例1＞ 作為第1基材，藉由真空蒸鍍法於PET膜(厚度：12 μm)上蒸鍍氧化鋁薄膜(AlOx、目標厚度：8 nm)以形成無機氧化物層。
一面於水、異丙醇及0.5 N鹽酸混合而成之溶液(pH值2.2)中混合四乙氧基矽烷，一面冷卻至10℃，製備溶液A。另外，將皂化價99%以上之聚乙烯醇、異丙醇混合，製備溶液B。將溶液A與溶液B混合，製備有機被覆層形成用塗佈液(固形物成分：5%)。 其次，藉由凹版印刷於無機氧化物層上塗佈有機被覆層形成用塗佈液，於180℃加熱處理60秒，形成厚度180 nm之有機被覆層。
其次，製備下述配方之底塗層形成用塗佈液。塗佈液之NCO/OH比為1.3。 ・丙烯酸系多元醇樹脂1          50質量份 ・具有丙烯酸基之改性聚異氰酸酯      80質量份 ・矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)     2.0質量份 ・二氧化矽粉末(平均粒徑3 μm)         2.0質量份
其次，於有機被覆層上塗佈底塗層形成用塗佈液。塗佈液之塗佈量設為0.5 g/m 2。其後，於80℃乾燥60秒，形成厚度0.4 μm之底塗層。
藉由凹版印刷，於第1基材之與形成有無機氧化物層至底塗層之面為相反側之面，塗佈胺基甲酸酯系接著劑(Rock Paint公司製造、商品名「RU-004、H-1」)，並使其乾燥，而形成厚度4 μm之接著層。
其次，於第1基材之接著層側配置PET膜(厚度：100 μm)作為第2基材，以夾持壓：0.2 MPa、線速度：50 m/分鐘之條件使第1基材與第2基材貼合，製作實施例1之波長轉換片材用膜。
＜實施例2＞ 除使用下述配方之底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例1相同之步驟製作實施例2之障壁膜。再者，塗佈液之NCO/OH比為1.3。塗佈液之塗佈量設為0.5 g/m 2。 ・丙烯酸系多元醇樹脂1          40質量份 ・聚酯胺基甲酸酯系樹脂         20質量份 ・具有丙烯酸基之改性聚異氰酸酯      70質量份 ・矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)     2.0質量份 ・二氧化矽粉末(平均粒徑3 μm)         2.0質量份
＜實施例3＞ 除使用下述配方之底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例1相同之步驟製作實施例3之障壁膜。再者，塗佈液之NCO/OH比為4.0。塗佈液之塗佈量設為0.5 g/m 2。 ・丙烯酸系多元醇樹脂1          15質量份 ・聚酯胺基甲酸酯系樹脂         20質量份 ・具有丙烯酸基之改性聚異氰酸酯      60質量份 ・矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)     2.0質量份 ・二氧化矽粉末(平均粒徑3 μm)         2.0質量份
＜實施例4＞ 除使用下述配方之底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例1相同之步驟製作實施例4之障壁膜。再者，塗佈液之NCO/OH比為1.3。塗佈液之塗佈量設為0.5 g/m 2。丙烯酸系多元醇樹脂2係分子量比丙烯酸系多元醇樹脂1大之樹脂。 ・丙烯酸系多元醇樹脂2          30質量份 ・聚酯胺基甲酸酯系樹脂         20質量份 ・具有丙烯酸基之改性聚異氰酸酯      40質量份 ・矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)      2.0質量份 ・二氧化矽粉末(平均粒徑3 μm)         2.0質量份 ＜實施例5＞ 除使用下述配方之底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例1相同之步驟製作實施例5之障壁膜。再者，塗佈液之NCO/OH比為4.0。塗佈液之塗佈量設為0.5 g/m 2。 ・丙烯酸系多元醇樹脂2          10質量份 ・聚酯胺基甲酸酯系樹脂         20質量份 ・具有丙烯酸基之改性聚異氰酸酯      30質量份 ・矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)     2.0質量份 ・二氧化矽粉末(平均粒徑3 μm)         2.0質量份
＜比較例1＞ 除使用下述配方之底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例1相同之步驟製作比較例1之障壁膜。再者，塗佈液之NCO/OH比為1.3。塗佈液之塗佈量設為0.5 g/m 2。 ・聚酯胺基甲酸酯系樹脂         20質量份 ・具有丙烯酸基之改性聚異氰酸酯      5質量份 ・矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)     2.0質量份 ・二氧化矽粉末(平均粒徑3 μm)         2.0質量份
＜比較例2＞ 除使用下述配方之底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例1相同之步驟製作比較例2之障壁膜。再者，塗佈液之NCO/OH比為8.0。塗佈液之塗佈量設為0.5 g/m 2。 ・聚酯胺基甲酸酯系樹脂         20質量份 ・具有丙烯酸基之改性聚異氰酸酯      30質量份 ・矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)     2.0質量份 ・二氧化矽粉末(平均粒徑3 μm)         2.0質量份
＜比較例3＞ 除使用下述配方之底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例1相同之步驟製作比較例3之障壁膜。再者，塗佈液之NCO/OH比為1.3。塗佈液之塗佈量設為0.5 g/m 2。 ・丙烯酸系多元醇樹脂1          15質量份 ・聚酯胺基甲酸酯系樹脂         20質量份 ・具有丙烯酸基之改性聚異氰酸酯      20質量份 ・矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)     2.0質量份 ・二氧化矽粉末(平均粒徑3 μm)         2.0質量份
＜比較例4＞ 除使用下述配方之底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例1相同之步驟製作比較例4之障壁膜。再者，塗佈液之NCO/OH比為1.3。塗佈液之塗佈量設為0.5 g/m 2。 ・丙烯酸系多元醇樹脂2          10質量份 ・聚酯胺基甲酸酯系樹脂         20質量份 ・具有丙烯酸基之改性聚異氰酸酯      10質量份 ・矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)     2.0質量份 ・二氧化矽粉末(平均粒徑3 μm)         2.0質量份
＜比較例5＞ 除使用下述配方之底塗層形成用塗佈液以外，以與實施例1相同之步驟製作比較例5之障壁膜。再者，塗佈液之NCO/OH比為4.0。塗佈液之塗佈量設為0.5 g/m 2。 ・丙烯酸系多元醇樹脂1          15質量份 ・聚酯胺基甲酸酯系樹脂         20質量份 ・不具有丙烯酸基之改性聚異氰酸酯        40質量份 ・矽烷偶合劑(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)     2.0質量份 ・二氧化矽粉末(平均粒徑3 μm)         2.0質量份
2-2.製作波長轉換片材 以相對於密封樹脂100質量份而螢光體為1質量份之方式，於包含內核為硒化鎘(CdSe)、外殼為硫化鋅(ZnS)之螢光體(平均粒徑3～5 nm之量子點)中混合密封樹脂(電離輻射硬化型胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂)，製作螢光體層形成用混合液(墨水)。
以厚度為100 μm(乾燥後)之方式，於實施例及比較例之波長轉換片材用膜之底塗層上塗佈上述墨水，形成螢光體層。 將其他實施例及比較例之波長轉換片材用膜(分別為與塗佈有上述墨水之障壁膜相同者)以底塗層與螢光體層接觸之方式積層於上述螢光體層上。其後，藉由對螢光體層之密封樹脂進行UV硬化，製作實施例1～5、比較例1～5之波長轉換片材。
3.結果 [表1]
表1
   軟化點 (℃) 密接性(N)
初期 經過250小時後 經過500小時後
實施例1 ＞350 7.9 8.2 7.6
實施例2 280.1 7.2 7.5 5.3
實施例3 288.9 7.4 8.2 5.8
實施例4 ＞350 8 8.2 6.1
實施例5 279.5 7.8 8.1 5.4
比較例1 96.4 6.8 0.3 0.1
比較例2 230.3 7.7 1.1 0.3
比較例3 246.1 7.5 1.4 0.4
比較例4 235.7 7.7 1.3 0.3
比較例5 245.9 5.5 0.2 0.1
實施例1、4中，於測定溫度範圍內未見曲線之頂點。即，判斷實施例1、4之底塗層之樹脂組合物之硬化物之軟化點超過350℃。 實施例1-5中，底塗層之樹脂組合物之硬化物之軟化點均為250℃以上。實施例1-5之波長轉換片材經過250小時後之密接性比初期密接性提昇。又，即便經過500小時後，亦維持高密接性。 與此相對，比較例1-5係底塗層之樹脂組合物之硬化物之軟化點較低者。比較例1-5之波長轉換片材之初期密接性與實施例1-5之程度相同，但經過250小時後密接性大幅度降低。
10:波長轉換片材用膜 10a:波長轉換片材用膜 10b:波長轉換片材用膜 20:基材層 20-1:第1基材 20-2:第2基材 22:接著劑層 30:底塗層 40:障壁層 42:無機氧化物層 44:有機被覆層 50:擴散層 60:螢光體層 100:波長轉換片材 110:光源 120:光學板 121:導光板 122:擴散板 130:反射板 140:角柱薄片 200:背光 201:邊緣照明型背光 202:正下型背光
圖1係模式性地說明本發明之波長轉換片材用膜之一實施方式之剖面概略圖。 圖2係模式性地說明本發明之波長轉換片材之一實施方式之剖面概略圖。 圖3係表示本發明之背光之一實施方式之剖視圖。 圖4係表示本發明之背光之其他實施方式之剖視圖。
10:波長轉換片材用膜
20:基材層
20-1:第1基材
20-2:第2基材
22:接著劑層
30:底塗層
40:障壁層
42:無機氧化物層
44:有機被覆層
50:擴散層

Claims (10)

  1. 一種波長轉換片材用膜，其於基材上具有底塗層， 上述底塗層含有包含聚胺基甲酸酯系樹脂之樹脂組合物之硬化物，上述硬化物之軟化點為250℃以上。
  2. 如請求項1之波長轉換片材用膜，其中上述樹脂組合物中，異氰酸基相對於羥基之莫耳比(NCO/OH比)為1.1以上。
  3. 如請求項1或2之波長轉換片材用膜，其中上述聚胺基甲酸酯系樹脂包含藉由具有(甲基)丙烯酸基之多官能異氰酸酯與含羥基化合物之反應而得之聚胺基甲酸酯系樹脂。
  4. 如請求項1至3中任一項之波長轉換片材用膜，其中上述樹脂組合物包含矽烷偶合劑。
  5. 如請求項1至4中任一項之波長轉換片材用膜，其於上述基材與上述底塗層之間進而包含障壁層。
  6. 如請求項5之波長轉換片材用膜，其中上述障壁層包含無機氧化物層及有機被覆層，上述有機被覆層與上述底塗層接觸。
  7. 如請求項5之波長轉換片材用膜，其中上述障壁層係含有包含金屬氧化物及磷化合物之組合物之反應物之層。
  8. 一種波長轉換片材，其中以上述底塗層與上述螢光體層接觸之方式，於包含螢光體之螢光體層之至少一表面側設置如請求項1至7中任一項之膜。
  9. 一種背光，其具備發射一次光之至少一個光源、與上述光源相鄰配置之用於導光或擴散之光學板、及配置於上述光學板之光出射側之波長轉換片材，且 上述波長轉換片材係如請求項8之波長轉換片材。
  10. 一種顯示裝置，其具備背光及液晶面板，且上述背光係如請求項9之背光。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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AU2011233415B2 (en) 2010-03-30 2015-06-04 Kuraray Co., Ltd. Composite structural material, formed product and packaging material using the same, method for producing the composite structural material, and coating liquid
CN109976025A (zh) 2013-09-13 2019-07-05 凸版印刷株式会社 波长转换片和背光单元
JP6465368B2 (ja) 2016-07-28 2019-02-06 ジャパンマテックス株式会社 混合グラファイトを用いた放熱材およびその製造方法
JP7013736B2 (ja) * 2017-09-07 2022-02-01 凸版印刷株式会社 プライマー層形成用組成物、バリアフィルム、波長変換シート、及び、波長変換シートの製造方法
JP6950429B2 (ja) * 2017-10-04 2021-10-13 凸版印刷株式会社 蛍光体保護フィルム、波長変換シート及び発光ユニット
DE112018000209B4 (de) 2017-11-01 2020-02-13 Suzhou Oriental Semiconductor Co. Ltd. Grabenleistungstransistor
JP7091977B2 (ja) * 2018-09-27 2022-06-28 大日本印刷株式会社 バリアフィルム、それを用いた波長変換シート、及びそれを用いた表示装置
KR102536613B1 (ko) * 2020-03-31 2023-05-26 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 배리어 필름, 파장 변환 시트, 백 라이트, 및 표시 장치

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