TW202240921A - 感測器封裝結構 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種感測器封裝結構，包含一基板、設置於該基板的一感測晶片、電耦接該感測晶片至該基板的多條導線、位於該感測晶片上方的一透光層、及形成於該基板並固定該透光層的一膠體。該感測晶片的周圍部位及該些導線皆埋置於該膠體，該透光層的多個側面覆蓋於該膠體。該膠體的局部頂曲面位在該透光層的該些側面沿平行該基板的一配置方向延伸的區域內。於垂直該配置方向的該感測器封裝結構的截面中，該頂曲面具有與相鄰該側面相隔100微米的一基準點，該頂曲面的頂緣與該基準點定義一連接線，其與相鄰該側面相夾有介於25度～36度的一銳角。

Description

感測器封裝結構
本發明涉及一種封裝結構，尤其涉及一種感測器封裝結構。
現有的感測器封裝結構會在其玻璃層的側緣包覆有一封裝體，據以使該玻璃層能被該封裝體所固定。據此，現有感測器封裝結構僅考量到該玻璃層側緣所形成的該封裝體之體積不能太小，以避免無法穩固地固定該玻璃層。然而，現有感測器封裝結構並未考量該玻璃層側緣所形成的該封裝體之體積過大時，現有感測器封裝結構容易因為該封裝體的熱漲冷縮而使該玻璃層產生裂縫。
於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明實施例在於提供一種感測器封裝結構，其能有效地改善現有感測器封裝結構所可能產生的缺陷。
本發明實施例公開一種感測器封裝結構，其包括：一基板，具有位於相反側的一第一板面與一第二板面；一感測晶片，設置於該基板的該第一板面；多條導線，電性耦接該感測晶片至該基板，並且每條該導線的兩端分別連接於該基板的該第一板面與該感測晶片的一上表面；一透光層，位於該感測晶片的上方，並且該透光層包含有一頂面、一底面、及相連於該頂面與該底面的多個側面；其中，該透光層的該底面與該感測晶片的該上表面彼此相向；以及一膠體，形成於該基板的該第一板面並固定該透光層；其中，該感測晶片的一周圍部位及該些導線皆埋置於該膠體內，該透光層的該些側面覆蓋於該膠體，而該透光層的該頂面裸露於該膠體之外；該膠體的一頂曲面的局部位在該透光層的該些側面沿平行該基板的一配置方向延伸的區域內；其中，於垂直該配置方向的該感測器封裝結構的截面中，該頂曲面具有與相鄰該側面相隔100微米（μm）的一基準點，並且該頂曲面的一頂緣與該基準點定義有一連接線，而該連接線與相鄰該側面相夾有介於25度～36度的一銳角。
綜上所述，本發明實施例所公開的感測器封裝結構，其通過限制該膠體的該頂曲面與該透光層之間的結構配置（如：該膠體的該頂曲面的局部位在該透光層的該些側面沿平行該基板的配置方向延伸的區域內，該連接線與相鄰該側面相夾有介於25度～36度的銳角），以有效地控制位於該透光層外側的該膠體的體積，據以使得該透光層不但能被該膠體所穩固地固定，還能有效地降低該膠體的熱漲冷縮對該透光層的影響，據以使該透光層不易因為該膠體的熱漲冷縮而產生碎裂。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“感測器封裝結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[實施例一]
請參閱圖1至圖3所示，其為本發明的實施例一。本實施例公開一種感測器封裝結構100，其包含有一基板1、設置於該基板1上的一感測晶片2、電性耦接該感測晶片2至該基板1的多條導線3、位於該感測晶片2上方的一透光層4、及形成於該基板1並固定該透光層4的一膠體5。其中，該感測器封裝結構100於本實施例中例如是通過JEDEC條件B的溫度循環測試，該透光層4未形成有任何裂縫的態樣，但本發明不以此為限。
再者，該感測器封裝結構100於本實施例中雖是以包含上述元件來做說明，但該感測器封裝結構100也可以依據設計需求而加以調整變化。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，該感測器封裝結構100可以省略該些導線3，並且該感測晶片2通過覆晶方式固定於該基板1上。
需先闡明的是，為便於說明本實施例感測器封裝結構100，圖2和圖3是以剖視圖呈現，但可以理解的是，在圖2和圖3所未呈現的感測器封裝結構100之部位也會形成有相對應的構造。例如：圖2僅呈現兩條導線3，但在圖2所未呈現的感測器封裝結構100之部位還包含其他條導線3。以下將分別就本實施例感測器封裝結構100的各個元件構造與連接關係作一說明。
該基板1於本實施例中為呈方形（長方形或正方形），但本發明不受限於此。其中，該基板1具有位於相反側的一第一板面11與一第二板面12，該基板1於其第一板面11的大致中央處設有一晶片固定區111，並且該基板1於其第一板面11形成有位於該晶片固定區111外側的多個第一接墊112。該些第一接墊112於本實施例中是大致排列呈環狀，但本發明不限於此。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，該些第一接墊112也可以是在該晶片固定區111的相反兩側分別排成兩列。
此外，該基板1也可以於其第二板面12設有多個焊接球（圖未標示），並且該感測器封裝結構100能通過該些焊接球而焊接固定於一電子構件（圖未標示）上，據以使該感測器封裝結構100能電性連接該電子構件。
該感測晶片2於本實施例中是以一影像感測晶片來說明，但不以此為限。其中，該感測晶片2是設置於該基板1的第一板面11（如：晶片固定區111），也就是說，該感測晶片2是位於該些第一接墊112的內側。再者，該感測晶片2的一上表面21包含有一感測區域211、圍繞於該感測區域211（且呈環形）的一承載區域212、及位於該感測區域211外側的多個第二接墊213。其中，該些第二接墊213於本實施例中是設置於該承載區域212上。
其中，該感測晶片2的該些第二接墊213的數量及位置於本實施例中是分別對應於該基板1的該些第一接墊112的數量及位置。再者，每條該導線3的兩端分別連接於該基板1的該第一板面11與該感測晶片2的該上表面21；也就是說，該些導線3的一端分別連接於該些第一接墊112，並且該些導線3的另一端分別連接於該些第二接墊213，據以使該感測晶片2能通過該些導線3而電性耦接於該基板1。
此外，每條該導線3包含有離該第一板面11最遠的一最高點31，並且每條該導線3的該最高點31位於該感測晶片2的該上表面21的正上方，但本發明不以此為限。進一步地說，每條該導線3的該最高點31與該感測晶片2的該上表面21之間相隔有不大於80微米的一距離D31。需額外說明的是，該導線3於本實施例中是以正打（normal bond）的形式呈現，但於本發明未繪示的其他實施例中，該導線3也能以其他形式呈現（如：反打）。
該透光層4於本實施例中是以呈透明狀的一平板玻璃來說明，但本發明不受限於此。該透光層4通過該膠體5定位而設置於該感測晶片2的上方。其中，該透光層4包含有一頂面41、一底面42、及相連於該頂面41與該底面42的多個側面43，該透光層4的該底面42與該感測晶片2的該感測區域211（或該上表面21）彼此相向。其中，該透光層4的該頂面41於本實施例中是垂直地相連於每個該側面43，該些側面43各包含有相連於該透光層4的該頂面41的一邊緣431，但本發明不以此為限。
該膠體5形成於該基板1的該第一板面11，並且該感測晶片2的一周圍部位（如：該感測晶片2對應於該些第二接墊213的部位）及該些導線3皆埋置於該膠體5內，該透光層4的該些側面43覆蓋於該膠體5，而該透光層4的該頂面41裸露於該膠體5之外。
該膠體5的一頂曲面521的頂緣相連於該透光層4的該些側面43的該些邊緣431，並且該膠體5的該頂曲面521的局部位在該透光層4的該些側面43沿平行該基板1的一配置方向D延伸的區域內（如：該膠體5的該頂曲面521的該局部佔該頂曲面521的72%～95%）。據此，該感測器封裝結構100通過上述結構配置，使得該透光層4旁邊的該膠體5的體積較小，因而能有效地降低該膠體5的熱漲冷縮對於該透光層4的影響。
更詳細地說，於垂直該配置方向D的該感測器封裝結構100的截面中，該頂曲面521具有與相鄰該側面43相隔100微米（μm）的一基準點P，並且該頂曲面521的該頂緣與該基準點P定義有一連接線L，而該連接線L與相鄰該側面43相夾有一銳角α1～α4，並且任一個該夾角α1～α4皆介於25度～36度。據此，該感測器封裝結構100可以通過上述條件限制，以有效地控制該透光層4旁邊的該膠體5的體積，進而使得該透光層4不但能被該膠體5所穩固地固定，還能有效地降低該膠體5的熱漲冷縮對該透光層4的影響。
再者，為了較佳地實現該膠體5對於上述該透光層4的固定效果、及降低該膠體5的熱漲冷縮對該透光層4與該些導線3的影響，該膠體5於本實施例膠較佳是符合下個段落中的多個結構條件，但本發明不以此為限。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，該感測器封裝結構100也可以僅具備下個段落中的至少一個結構條件、或不具備下個段落中的任何結構條件。
於該截面中，該些夾角α1～α4中的任兩個之差值不大於8度，而該些夾角α1～α4中的相鄰任兩個（如：夾角α1與夾角α2）之差值較佳是不大於3度、或是介於1度～5度；該頂曲面521呈圓弧狀且其半徑R介於0.69毫米（mm）～1.57毫米，並且該頂曲面521的該半徑R於本實施例中是以對應於基準點P的位置來說明；任一條該導線3與該頂曲面521之間的一最短距離Dmin，其介於103微米～184微米；任一個該第一接墊112與該頂曲面521之間的一最薄距離Dthin，其介於230微米～305微米，但本發明不以此為限。
需說明的是，本發明的膠體5可以是單件式構造或是由多個構件所組成的構造；而於本實施例中，該膠體5是包含有一支撐體51及一封裝體52，並且該封裝體52為一固化後的液態封膠（liquid compound），但本發明不受限於此。
其中，該支撐體51設置於該感測晶片2的該承載區域212上、並連接於該透光層4的該底面42；也就是說，該支撐體51夾持於該感測晶片2的該上表面21與該透光層4的該底面42之間。再者，該支撐體51圍繞於該感測區域211的外側，以使該感測晶片2的該上表面21、該透光層4的該底面42、及該支撐體51共同包圍形成一封閉空間E，而該感測區域211位於該封閉空間E之內。
該封裝體52覆蓋該透光層4的該些側面43並包含有該頂曲面521。其中，該感測晶片2的該周圍部位與該支撐體51皆埋置於該封裝體52內，並且每個該導線3的局部埋置於該支撐體51內，而每個該導線3的其餘部位埋置於該封裝體52內。
[實施例二]
請參閱圖4所示，其為本發明的實施例二。由於本實施例類似於上述實施例一，所以兩個實施例的相同處不再加以贅述，而本實施例相較於上述實施例一的差異大致說明如下：
於本實施例中，該些第二接墊213位於該支撐體51的外側，並且每個該導線3完全埋置於該封裝體52內。據此，依據本發明的實施例一與實施例二，每個該導線3可以是以其至少部分埋置於該封裝體52。
[本發明實施例的技術效果]
綜上所述，本發明實施例所公開的感測器封裝結構，其通過限制該膠體的該頂曲面與該透光層之間的結構配置（如：該膠體的該頂曲面的局部位在該透光層的該些側面沿平行該基板的配置方向延伸的區域內，該連接線與相鄰該側面相夾有介於25度～36度的銳角），以有效地控制位於該透光層外側的該膠體的體積，據以使得該透光層不但能被該膠體所穩固地固定，還能有效地降低該膠體的熱漲冷縮對該透光層的影響，據以使該透光層不易因為該膠體的熱漲冷縮而產生碎裂。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的專利範圍內。
100:感測器封裝結構 1:基板 11:第一板面 111:晶片固定區 112:第一接墊 12:第二板面 2:感測晶片 21:上表面 211:感測區域 212:承載區域 213:第二接墊 3:導線 31:最高點 4:透光層 41:頂面 42:底面 43:側面 431:邊緣 5:膠體 51:支撐體 52:封裝體 521:頂曲面 D:配置方向 D31:距離 Dmin:最短距離 Dthin:最薄距離 P:基準點 L:連接線 α1、α2、α3、α4:銳角 R:半徑 E:封閉空間
圖1為本發明實施例一的感測器封裝結構的立體示意圖。
圖2為圖1沿剖線II-II的剖視示意圖。
圖3為圖1沿剖線III-III的剖視示意圖。
圖4為本發明實施例二的感測器封裝結構的立體示意圖。
100:感測器封裝結構
1:基板
11:第一板面
111:晶片固定區
112:第一接墊
12:第二板面
2:感測晶片
21:上表面
211:感測區域
212:承載區域
213:第二接墊
3:導線
31:最高點
4:透光層
41:頂面
42:底面
43:側面
431:邊緣
5:膠體
51:支撐體
52:封裝體
521:頂曲面
D:配置方向
D31:距離
Dmin:最短距離
Dthin:最薄距離
P:基準點
L:連接線
α1、α3:銳角
R:半徑
E:封閉空間

Claims (10)

  1. 一種感測器封裝結構，其包括： 一基板，具有位於相反側的一第一板面與一第二板面； 一感測晶片，設置於該基板的該第一板面； 多條導線，電性耦接該感測晶片至該基板，並且每條該導線的兩端分別連接於該基板的該第一板面與該感測晶片的一上表面； 一透光層，位於該感測晶片的上方，並且該透光層包含有一頂面、一底面、及相連於該頂面與該底面的多個側面；其中，該透光層的該底面與該感測晶片的該上表面彼此相向；以及 一膠體，形成於該基板的該第一板面並固定該透光層；其中，該感測晶片的一周圍部位及該些導線皆埋置於該膠體內，該透光層的該些側面覆蓋於該膠體，而該透光層的該頂面裸露於該膠體之外；該膠體的一頂曲面的局部位在該透光層的該些側面沿平行該基板的一配置方向延伸的區域內； 其中，於垂直該配置方向的該感測器封裝結構的截面中，該頂曲面具有與相鄰該側面相隔100微米（μm）的一基準點，並且該頂曲面的一頂緣與該基準點定義有一連接線，而該連接線與相鄰該側面相夾有介於25度～36度的一銳角。
  2. 如請求項1所述的感測器封裝結構，其中，該些側面各包含有相連於該透光層的該頂面的一邊緣，並且該頂曲面的該頂緣相連於該些側面的該些邊緣。
  3. 如請求項1所述的感測器封裝結構，其中，於該截面中，該頂曲面呈圓弧狀且其半徑介於0.69毫米（mm）～1.57毫米。
  4. 如請求項1所述的感測器封裝結構，其中，該膠體的該頂曲面的該局部佔該頂曲面的72%～95%。
  5. 如請求項1所述的感測器封裝結構，其中，任一條該導線與該頂曲面之間的一最短距離，其介於103微米～184微米。
  6. 如請求項1所述的感測器封裝結構，其中，該膠體包含有： 一支撐體，夾持於該感測晶片的該上表面與該透光層的該底面之間，並且該感測晶片的該上表面、該透光層的該底面、及該支撐體共同包圍形成一封閉空間，而該感測晶片的一感測區域位於該封閉空間之內；及 一封裝體，覆蓋該透光層的該些側面並包含有該頂曲面，並且該感測晶片與該支撐體埋置於該封裝體內。
  7. 如請求項6所述的感測器封裝結構，其中，該基板於該第一板面設置有多個第一接墊，該感測晶片於該上表面設置有位於該感測區域外側的多個第二接墊；其中，每條該導線的該兩端分別連接於一個該第一接墊與一個該第二接墊，每個該導線的至少部分埋置於該封裝體。
  8. 如請求項7所述的感測器封裝結構，其中，任一個該第一接墊與該頂曲面之間的一最薄距離，其介於230微米～305微米。
  9. 如請求項1所述的感測器封裝結構，其中，每條該導線包含有離該第一板面最遠的一最高點，並且每條該導線的該最高點位於該感測晶片的該上表面的正上方。
  10. 如請求項9所述的感測器封裝結構，其中，每條該導線的該最高點與該感測晶片的該上表面之間相隔有不大於80微米的一距離。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5218058B2 (ja) * 2006-09-15 2013-06-26 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置およびその製造方法
TW201503334A (zh) * 2013-07-08 2015-01-16 Kingpaktechnology Inc 影像感測器二階段封裝方法
EP3267486B1 (en) * 2016-07-06 2020-12-30 Kingpak Technology Inc. Sensor package structure
US10692917B2 (en) * 2016-07-06 2020-06-23 Kingpak Technology Inc. Sensor package structure
TWI627738B (zh) * 2016-07-12 2018-06-21 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構
TWM550909U (zh) * 2017-07-10 2017-10-21 Kingpak Tech Inc 影像感測器封裝結構
US10340250B2 (en) * 2017-08-15 2019-07-02 Kingpak Technology Inc. Stack type sensor package structure
CN110649048A (zh) * 2018-06-26 2020-01-03 三赢科技（深圳）有限公司 感光芯片封装模组及其形成方法
US11444111B2 (en) * 2019-03-28 2022-09-13 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor package having a light blocking member
CN112420753B (zh) * 2019-08-22 2023-10-13 同欣电子工业股份有限公司 感测器封装结构

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